KR20220132096A - Substrate processing apparatus and processing substrate method - Google Patents

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KR20220132096A
KR20220132096A KR1020210036751A KR20210036751A KR20220132096A KR 20220132096 A KR20220132096 A KR 20220132096A KR 1020210036751 A KR1020210036751 A KR 1020210036751A KR 20210036751 A KR20210036751 A KR 20210036751A KR 20220132096 A KR20220132096 A KR 20220132096A
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박수영
김선우
박성범
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세메스 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a processing substrate method which comprises a plurality of steps, comprises a first processing process for processing a substrate by supplying a processing liquid to the substrate, and performs recovery processing on the substrate in case of process defect occurrence, wherein the recovery processing that can be performed by a recovery connected to a step in progress in case of the process defect occurrence among a plurality of recoveries connected to each of the plurality of steps.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND PROCESSING SUBSTRATE METHOD}SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND PROCESSING SUBSTRATE METHOD

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

일반적으로 반도체 장치와 같은 직접 회로 소자들은 기판으로서 사용되는 반도체 기판에 대하여 일련의 단위 공정들을 반복적으로 수행함으로써 제조될 수 있다. 예를 들면, 기판 상에는 증착, 포토리소그래피, 식각, 세정, 건조 등의 단위 공정들을 수행함으로써 직접 회로 소자들을 구성하는 전기적인 회로 패턴들이 형성될 수 있다.In general, integrated circuit devices such as semiconductor devices may be manufactured by repeatedly performing a series of unit processes on a semiconductor substrate used as the substrate. For example, by performing unit processes such as deposition, photolithography, etching, cleaning, and drying on the substrate, electrical circuit patterns constituting the circuit elements may be formed.

단위 공정들 중에서 식각 공정 또는 세정 공정은 회전되는 기판 상으로 식각액 또는 세정액을 공급하는 케미컬 처리 공정, 린스액을 공급하는 린스 공정, 건조 가스를 공급하는 건조 처리 공정 등의 복수의 공정을 거쳐 기판을 처리한다.Among the unit processes, the etching process or the cleaning process is a chemical treatment process for supplying an etchant or a cleaning solution onto a rotating substrate, a rinse process for supplying a rinse solution, and a drying process for supplying a drying gas to the substrate through a plurality of processes. handle

한편, 공정 진행 중 챔버에 문제가 발생하는 등의 이유로 공정이 중지된 경우 단일의 리커버리 레시피(Recovery Recipe)로 회복 공정이 수행된다. 이때, 종래에는 공정 진행 상태와 관계없이 단일의 리커버리 레시피로 기판의 회복 공정이 진행되기 때문에 사용자가 후처리를 진행해야 하는 문제가 있으며, 이 경우 공정 시간이 증가하여 공정 수율이 낮아지는 문제가 있다.On the other hand, when the process is stopped for reasons such as a problem in the chamber during the process, the recovery process is performed with a single recovery recipe. At this time, in the prior art, there is a problem that the user has to proceed with the post-processing because the recovery process of the substrate proceeds with a single recovery recipe regardless of the process progress state, and in this case, the process time increases and the process yield decreases. .

또한, 기판에 대하여 단일의 리커버리 레시피로 회복 공정이 진행되므로 단일의 리커버리 레시피가 모든 공정 상태를 포괄할 수 있어야 하는데, 각 공정 마다 사용되는 처리액의 종류, 온도, 압력 등의 처리 조건이 상이하여 단일의 리커버리 레시피가 모든 공정 상태를 포괄하지 못하는 문제가 있다.In addition, since the recovery process is performed with a single recovery recipe for the substrate, a single recovery recipe must be able to cover all process states. There is a problem that a single recovery recipe does not cover all process states.

본 발명은 기판을 처리하기 위한 복수의 공정 별로 구분되는 리커버리 레시피를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method including a recovery recipe divided by a plurality of processes for processing a substrate.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.The present invention provides a method for processing a substrate.

기판을 처리하는 방법은 복수의 단계를 포함하고 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 제1처리 공정을 포함하되, 공정 불량 발생시 상기 기판에 대하여 회복 처리가 진행되고, 상기 회복 처리는 상기 복수의 단계 각각에 연결된 복수의 리커버리 중 상기 공정 불량 발생시 진행중이던 단계에 연결된 리커버리에 의해 수행될 수 있다.The method of processing a substrate includes a plurality of steps and includes a first processing process of processing the substrate by supplying a processing liquid to the substrate, wherein when a process defect occurs, a recovery process is performed on the substrate, and the recovery process includes the plurality of steps. Among a plurality of recovery connected to each of the steps of , the recovery may be performed by the recovery connected to the step in progress when the process failure occurs.

상기 리커버리는, 상기 공정 불량 발생시 진행중이던 단계에서 공급되는 액과 동일한 액을 사용하여 회복 처리될 수 있다.The recovery may be performed using the same liquid as the liquid supplied at the stage in progress when the process defect occurs.

상기 복수의 단계는 순차로 진행되는 제1 내지 제3단계를 포함하고, 상기 리커버리는, 상기 제1단계에 연결되는 제1리커버리와, 상기 제2단계에 연결되는 제2리커버리와, 상기 제3단계에 연결되는 제3리커버리를 포함될 수 있다.The plurality of steps include first to third steps sequentially performed, and the recovery includes a first recovery connected to the first step, a second recovery connected to the second step, and the third A third recovery connected to the step may be included.

상기 제1단계는 상기 기판으로 린스액을 공급하는 프리 린스 단계를 포함하고, 상기 제1리커버리는 상기 기판에 대하여 린스액을 공급하여 회복 처리를 수행할 수 있다.The first step may include a pre-rinsing step of supplying a rinse solution to the substrate, and the first recovery may perform a recovery process by supplying a rinse solution to the substrate.

상기 제2단계는 상기 기판으로 제1액을 공급하는 제1액 처리 단계를 포함하고, 상기 제2리커버리는 상기 기판에 대하여 상기 제1액을 공급하여 회복 처리를 수행할 수 있다.The second step may include a first liquid treatment step of supplying a first liquid to the substrate, and the second recovery may perform a recovery process by supplying the first liquid to the substrate.

상기 제3단계는 상기 기판으로 제2액을 공급하는 제2액 처리 단계를 포함하고, 상기 제3리커버리는 상기 기판에 대하여 상기 제2액을 공급하여 회복 처리를 수행할 수 있다.The third step may include a second liquid processing step of supplying a second liquid to the substrate, and the third recovery may perform a recovery process by supplying the second liquid to the substrate.

상기 회복 처리는, 상기 연결된 리커버리에 인자 적용 단계가 존재할 경우, 상기 인자 정보를 반영하여 상기 회복 처리를 수행할 수 있다.The recovery process may be performed by reflecting the factor information when a factor application step exists in the linked recovery.

상기 인자 정보는, 공정 불량 발생 시 공급되고 있는 처리액의 종류, 노즐의 위치, 토출 시간 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The printing information may include at least one of a type of a treatment liquid being supplied when a process defect occurs, a position of a nozzle, and a discharge time.

상기 제1액은 케미컬(Chemical)을 포함하고, 상기 제2액은 순수(DIW)를 포함할 수 있다.The first liquid may include a chemical, and the second liquid may include pure water (DIW).

본 발명은 기판 처리 장치를 개시한다.The present invention discloses a substrate processing apparatus.

기판 처리 장치는 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 제1공정 챔버와; 상기 기판으로부터 상기 처리액을 제거하는 제2공정 챔버와; 공정 불량 발생시 상기 제1공정 챔버 또는 상기 제2공정 챔버에서 처리중인 기판에 대하여 회복 처리를 진행하는 회복 처리부를 포함하되, 상기 장치는, 상기 공정 불량 발생시 비상 중지 알람(emergency stop alarm)을 발생시키고, 상기 회복 처리부는 상기 비상 중지 알람이 발생되면 상기 기판에 대하여 진행중인 처리 공정에 연결된 리버커리를 수행할 수 있다.The substrate processing apparatus includes: a first process chamber configured to process the substrate by supplying a processing liquid to the substrate; a second process chamber for removing the processing liquid from the substrate; When a process defect occurs, a recovery processing unit for performing a recovery process on the substrate being processed in the first process chamber or the second process chamber, wherein the apparatus generates an emergency stop alarm when the process defect occurs and , the recovery processing unit may perform a recovery connected to the processing process in progress on the substrate when the emergency stop alarm is generated.

상기 제1공정 챔버는, 내부에 처리 공간을 제공하는 컵과; 상기 처리 공간에 기판을 지지하고 기판을 회전시키는 지지 유닛과; 상기 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고, 상기 액 공급 유닛은, 상기 기판에 제1액을 공급하는 제1노즐과; 상기 기판에 제2액을 공급하는 제2노즐을 포함하고, 상기 회복 처리부는 상기 기판에 상기 제1액이 공급되는 중에 공정 불량 발생시 상기 제1액을 공급하여 회복 처리하는 제1리커버리를 진행하고, 상기 기판에 상기 제2액이 공급되는 중에 공정 불량 발생시 상기 제2액을 공급하여 회복 처리하는 제2리커버리를 진행할 수 있다.The first process chamber may include a cup providing a processing space therein; a support unit supporting the substrate in the processing space and rotating the substrate; and a liquid supply unit supplying a processing liquid to the substrate, wherein the liquid supply unit includes: a first nozzle supplying a first liquid to the substrate; and a second nozzle for supplying a second liquid to the substrate, wherein the recovery processing unit supplies the first liquid when a process failure occurs while the first liquid is supplied to the substrate to perform a first recovery process, , when a process defect occurs while the second liquid is supplied to the substrate, a second recovery process may be performed by supplying the second liquid to the substrate.

상기 회복 처리부는, 상기 제1리커버리 또는 상기 제2리버커리에 인자 적용 단계가 존재할 경우 상기 인자를 적용하여 상기 기판에 대하여 상기 회복 처리를 진행할 수 있다.The recovery processing unit may perform the recovery processing on the substrate by applying the factor when there is a step of applying a factor to the first recovery or the second recovery.

상기 회복 처리부는, 상기 제1액의 종류, 상기 제1노즐의 위치, 상기 제1액의 토출 시간 중 적어도 하나를 반영하여 상기 제1리커버리를 진행할 수 있다.The recovery processing unit may perform the first recovery by reflecting at least one of a type of the first liquid, a position of the first nozzle, and a discharge time of the first liquid.

상기 회복 처리부는, 상기 제2액의 종류, 상기 제2노즐의 위치, 상기 제2액의 토출 시간 중 적어도 하나를 반영하여 상기 제2리커버리를 진행할 수 있다.The recovery processing unit may perform the second recovery by reflecting at least one of a type of the second liquid, a position of the second nozzle, and a discharge time of the second liquid.

상기 제1액은 케미컬(Chemical)을 포함하고, 상기 제2액은 순수(DIW)를 포함할 수 있다.The first liquid may include a chemical, and the second liquid may include pure water (DIW).

본 발명은 기판을 처리하기 위한 복수의 공정 별로 구분되는 리커버리 레시피를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.The present invention may provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method including a recovery recipe divided by a plurality of processes for processing a substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 제1공정 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 제2공정 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 기판 처리 방법의 일 예를 보여주는 플로우 차트이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 다중 리커버리 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판의 회복 처리 과정을 보여주는 순서도이다.
도 7은 기판 처리 공정의 각 단계에 링크된 리커버리를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 8은 도 7의 제1단계에 링크된 제1리커버리의 인자 적용 정보를 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the first process chamber of FIG. 1 .
FIG. 3 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the second process chamber of FIG. 1 .
4 is a flowchart illustrating an example of a substrate processing method.
5 is a diagram schematically illustrating a multi-recovery configuration according to an embodiment of the present invention.
6 is a flowchart illustrating a process of recovering a substrate according to an embodiment of the present invention.
7 is a diagram schematically illustrating a recovery linked to each step of a substrate processing process.
FIG. 8 is a diagram schematically illustrating factor application information of the first recovery linked in the first step of FIG. 7 .

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. However, the present invention may be embodied in various different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions.

어떤 구성요소를 '포함한다'는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated. Specifically, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification is present, and includes one or more other features or It should be understood that the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof does not preclude the possibility of addition.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In addition, the shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.

용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또한, 본 명세서에서 "연결된다"라는 의미는 A 부재와 B 부재가 직접 연결되는 경우뿐만 아니라, A 부재와 B 부재의 사이에 C 부재가 개재되어 A 부재와 B 부재가 간접 연결되는 경우도 의미한다.The term “and/or” includes any one and all combinations of one or more of those listed items. In addition, in the present specification, "connected" means not only when member A and member B are directly connected, but also when member A and member B are indirectly connected by interposing member C between member A and member B. do.

본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

제어기는 기판 처리 장치의 전체 동작을 제어할 수 있다. 제어기는 CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory) 및 RAM(Random Access Memory)을 포함할 수 있다. CPU는 이들의 기억 영역에 저장된 각종 레시피에 따라, 후술되는 액처리, 건조 처리 등의 원하는 처리를 실행한다. 레시피에는 프로세스 조건에 대한 장치의 제어 정보인 프로세스 시간, 프로세스 압력, 프로세스 온도, 각종 가스 유량 등이 입력되어 있다. 한편, 이들 프로그램이나 처리 조건을 나타내는 레시피는, 하드 디스크나 반도체 메모리에 기억되어도 좋다. 또한, 레시피는 CD-ROM, DVD 등의 가반성(可搬性)의 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 수용된 상태로 기억 영역의 소정 위치에 세트하도록 해도 좋다.The controller may control the overall operation of the substrate processing apparatus. The controller may include a central processing unit (CPU), read only memory (ROM), and random access memory (RAM). The CPU executes desired processing such as liquid processing and drying processing, which will be described later, according to various recipes stored in these storage areas. In the recipe, process time, process pressure, process temperature, various gas flow rates, etc., which are control information of the apparatus for process conditions, are input. In addition, recipes indicating these programs and processing conditions may be stored in a hard disk or semiconductor memory. In addition, the recipe may be set at a predetermined position in the storage area while being accommodated in a portable computer-readable storage medium such as a CD-ROM or DVD.

이하에서는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described.

기판 처리 장치는 세정액을 이용하여 기판을 세정하는 공정과, 초임계 유체를 공정 유체로 이용하여 기판을 건조 처리하는 초임계 건조 공정을 수행할 수 있다. 여기서, 기판은 반도체 소자나 평판 디스플레이(FPD: flat panel display) 및 그 밖에 박막에 회로패턴이 형성된 물건의 제조에 이용되는 기판을 모두 포함하는 포괄적인 개념이다. 이러한 기판(W)의 예로는, 실리콘 웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등이 있다.The substrate processing apparatus may perform a process of cleaning a substrate using a cleaning solution and a supercritical drying process of drying the substrate using a supercritical fluid as a process fluid. Here, the substrate is a comprehensive concept including all substrates used for manufacturing semiconductor devices, flat panel displays (FPDs), and other articles in which circuit patterns are formed on thin films. Examples of the substrate W include a silicon wafer, a glass substrate, an organic substrate, and the like.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면 구성도이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)는 일방향을 따라 배치될 수 있다. 이하, 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)가 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92)과 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.Referring to FIG. 1 , the substrate processing apparatus 1000 may include an index unit 10 and a process processing unit 20 . According to an embodiment, the index unit 10 and the processing unit 20 may be disposed along one direction. Hereinafter, a direction in which the index unit 10 and the processing unit 20 are arranged is referred to as a first direction 92 , and a direction perpendicular to the first direction 92 when viewed from above is referred to as a second direction 94 . and a direction perpendicular to both the first direction 92 and the second direction 94 is referred to as a third direction 96 .

인덱스부(10)는 기판(W)이 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 공정 처리부(20)로 반송하고, 공정 처리부(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스부(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스부(10)는 로드포트(12, load port)와 인덱스 프레임(14)을 포함할 수 있다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 공정 처리부(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다.The index unit 10 transfers the substrate W from the container 80 in which the substrate W is accommodated to the processing unit 20 , and transfers the substrate W that has been processed in the processing unit 20 to the container 80 . to be stored with The longitudinal direction of the index unit 10 is provided in the second direction 94 . The index unit 10 may include a load port 12 and an index frame 14 . With respect to the index frame 14 , the load port 12 is located on the opposite side of the process processing unit 20 . The container 80 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 12 . A plurality of load ports 12 may be provided, and the plurality of load ports 12 may be disposed along the second direction 94 .

용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod, FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다.As the container 80, an airtight container such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The vessel 80 may be placed in the load port 12 by a transfer means (not shown) or an operator, such as an Overhead Transfer, an Overhead Conveyor, or an Automatic Guided Vehicle. can

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공될 수 있다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 이동, 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.An index robot 120 may be provided in the index frame 14 . A guide rail 140 having a longitudinal direction in the second direction 94 is provided in the index frame 14 , and the index robot 120 may be provided to be movable on the guide rail 140 . The index robot 120 includes a hand 122 on which the substrate W is placed, and the hand 122 moves forward, backward, rotates about the third direction 96 , and in the third direction 96 . It may be provided to be movable along the A plurality of hands 122 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 122 may move forward and backward independently of each other.

공정 처리부(20)는 버퍼 챔버(200), 트랜스퍼 챔버(300), 제1공정 챔버(400) 그리고 제2공정 챔버(500)를 포함할 수 있다.The process processor 20 may include a buffer chamber 200 , a transfer chamber 300 , a first process chamber 400 , and a second process chamber 500 .

버퍼 챔버(200)는 인덱스부(10)와 공정 처리부(20) 간에 반송되는 기판(W)이 임시로 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 챔버(200)에는 버퍼 슬롯(220)이 제공될 수 있다. 버퍼 슬롯(220)에는 기판(W)이 놓일 수 있다. 예를 들어, 인덱스 로봇(120)은 기판(W)을 용기(80)로부터 인출하여 버퍼 슬롯(220)에 놓을 수 있다. 트랜스퍼 챔버(300)의 기판 반송 로봇(320)은 버퍼 슬롯(220)에 놓인 기판(W)을 인출하여 이를 제1공정 챔버(400)나 제2공정 챔버(500)로 반송할 수 있다. 버퍼 챔버(200)에는 복수의 버퍼 슬롯(220)이 제공되어 복수의 기판(W)이 놓일 수 있다.The buffer chamber 200 provides a space in which the substrate W transferred between the index unit 10 and the processing unit 20 temporarily stays. A buffer slot 220 may be provided in the buffer chamber 200 . A substrate W may be placed in the buffer slot 220 . For example, the index robot 120 may take out the substrate W from the container 80 and place it in the buffer slot 220 . The substrate transfer robot 320 of the transfer chamber 300 may take out the substrate W placed in the buffer slot 220 and transfer it to the first process chamber 400 or the second process chamber 500 . A plurality of buffer slots 220 may be provided in the buffer chamber 200 to place a plurality of substrates W thereon.

트랜스퍼 챔버(300)는 그 둘레에 배치된 버퍼 챔버(200), 제1공정 챔버(400) 그리고 제2공정 챔버(500)간에 기판(W)을 반송한다. 트랜스퍼 챔버(300)는 기판 반송 로봇(320)과 이송 레일(310)을 포함할 수 있다. 기판 반송 로봇(320)은 이송 레일(310) 상에서 이동하며 기판(W)을 반송할 수 있다.The transfer chamber 300 transfers the substrate W between the buffer chamber 200 , the first process chamber 400 , and the second process chamber 500 disposed around the transfer chamber 300 . The transfer chamber 300 may include a substrate transfer robot 320 and a transfer rail 310 . The substrate transfer robot 320 may move on the transfer rail 310 and transfer the substrate W.

제1공정 챔버(400)와 제2공정 챔버(500)는 공정 유체를 이용하여 세정 공정을 수행할 수 있다. 세정 공정은 제1공정 챔버(400)와 제2공정 챔버(500)에서 순차적으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 제1공정 챔버(300)에서는 세정 공정이 수행되고, 제2공정 챔버(500)에서는 초임계 또는 이소프로필알코올(IPA)를 이용한 건조 공정이 수행될 수 있다.The first process chamber 400 and the second process chamber 500 may perform a cleaning process using a process fluid. The cleaning process may be sequentially performed in the first process chamber 400 and the second process chamber 500 . For example, a cleaning process may be performed in the first process chamber 300 , and a drying process using supercritical or isopropyl alcohol (IPA) may be performed in the second process chamber 500 .

제1공정 챔버(400)와 제2공정 챔버(500)는 트랜스퍼 챔버(300)의 측면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1공정 챔버(400)와 제2공정 챔버(500)는 트랜스퍼 챔버(300)의 다른 측면에 서로 마주보도록 배치될 수 있다. 일 예로, 제1공정 챔버(400)는 트랜스퍼 챔버(300)의 제1측면에 배치되고, 제2공정 챔버(500)는 트랜스퍼 챔버(300)의 제1측면의 반대편에 위치되는 제2측면에 배치될 수 있다. 또한, 제1공정 챔버(400)와 제2공정 챔버(500)는 복수로 제공될 수 있다. 복수의 공정 챔버들(400, 500)은 트랜스퍼 챔버(300)의 측면에 일렬로 배치될 수 있다. 일 예로, 복수의 제1공정 챔버(400) 중 일부는 트랜스퍼 챔버(300)의 제1측면에 배치되고, 복수의 제1공정 챔버(400) 중 나머지는 트랜스퍼 챔버(300)의 제2측면에 배치될 수 있다. 그리고, 복수의 제2공정 챔버(500) 중 일부는 트랜스퍼 챔버(300)의 제1측면에 배치되고, 복수의 제2공정 챔버(500) 중 나머지는 트랜스퍼 챔버(300)의 제2측면에 배치될 수 있다.The first process chamber 400 and the second process chamber 500 may be disposed on side surfaces of the transfer chamber 300 . For example, the first process chamber 400 and the second process chamber 500 may be disposed on the other side of the transfer chamber 300 to face each other. For example, the first process chamber 400 is disposed on a first side of the transfer chamber 300 , and the second process chamber 500 is disposed on a second side opposite to the first side of the transfer chamber 300 . can be placed. In addition, a plurality of the first process chamber 400 and the second process chamber 500 may be provided. The plurality of process chambers 400 and 500 may be arranged in a line on a side surface of the transfer chamber 300 . For example, some of the plurality of first process chambers 400 are disposed on the first side of the transfer chamber 300 , and the rest of the plurality of first process chambers 400 are disposed on the second side of the transfer chamber 300 . can be placed. In addition, some of the plurality of second process chambers 500 are disposed on the first side of the transfer chamber 300 , and the rest of the plurality of second process chambers 500 are disposed on the second side of the transfer chamber 300 . can be

제1공정 챔버(400)와 제2공정 챔버(500)의 배치는 상술한 예로 한정되지 않으며, 기판 처리 장치(10)의 풋프린트나 공정효율 등을 고려하여 변경될 수 있다. 기판 처리 장치(1000)는 제어기에 의해 제어될 수 있다.The arrangement of the first process chamber 400 and the second process chamber 500 is not limited to the above-described example, and may be changed in consideration of the footprint or process efficiency of the substrate processing apparatus 10 . The substrate processing apparatus 1000 may be controlled by a controller.

트랜스퍼 챔버(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 반송 챔버(300)는 기판 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 챔버(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 이송 레일(310)이 제공되고, 기판 반송 로봇(320)은 이송 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.The length direction of the transfer chamber 300 may be provided in the first direction 92 . The transfer chamber 300 has a substrate transfer robot 320 . A transfer rail 310 having a longitudinal direction in the first direction 92 is provided in the transfer chamber 300 , and the substrate transfer robot 320 may be provided to be movable on the transfer rail 340 .

기판 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)들을 포함하며, 핸드(322)들은 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)들은 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 이동 및 후진 이동할 수 있다.The substrate transfer robot 320 includes hands 322 on which the substrate W is placed, and the hands 322 move forward and backward, rotate about the third direction 96 , and rotate in the third direction 96 . It may be provided to be movable along the The hands 322 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 322 may move forward and backward independently of each other.

도 2는 도 1의 제1공정 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.FIG. 2 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the first process chamber of FIG. 1 .

도 2를 참조하면, 제1공정 챔버(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 액 공급 유닛(460), 그리고 승강 유닛(480)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the first process chamber 400 may include a housing 410 , a cup 420 , a support unit 440 , a liquid supply unit 460 , and an elevation unit 480 .

하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 유닛(440), 그리고 액 공급 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치될 수 있다.The housing 410 is provided in a generally rectangular parallelepiped shape. The cup 420 , the support unit 440 , and the liquid supply unit 460 may be disposed in the housing 410 .

컵(420)은 상부가 개방된 처리 공간을 가지고, 기판(W)은 처리 공간 내에서 액 처리된다. 지지 유닛(440)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.The cup 420 has a processing space with an open top, and the substrate W is liquid-processed in the processing space. The support unit 440 supports the substrate W in the processing space. The liquid supply unit 460 supplies the liquid onto the substrate W supported by the support unit 440 . The liquid may be provided in a plurality of types, and may be sequentially supplied onto the substrate W. The lifting unit 480 adjusts the relative height between the cup 420 and the support unit 440 .

일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 포함할 수 있다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 전 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. 일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.According to one example, the cup 420 may include a plurality of collection containers (422, 424, 426). The recovery barrels 422 , 424 , and 426 each have a recovery space for recovering a liquid used for substrate processing. Each of the collection bins 422 , 424 , and 426 is provided in a ring shape surrounding the support unit 440 . When the liquid treatment process is in progress, the pretreatment liquid scattered by the rotation of the substrate W is introduced into the recovery space through the inlets 422a, 424a, and 426a of each of the collection tubes 422 , 424 , and 426 . According to an example, the cup 420 includes a first collection container 422 , a second collection container 424 , and a third collection container 426 . The first waste container 422 is disposed to surround the support unit 440 , the second waste container 424 is disposed to surround the first waste container 422 , and the third waste container 426 is the second waste container 426 . It is disposed so as to surround the recovery container (424). The second inlet 424a for introducing the liquid into the second collection tube 424 is located above the first inlet 422a for introducing the liquid into the first collection tube 422, and the third collection tube 426. The third inlet 426a through which the liquid is introduced may be located above the second inlet 424a.

지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다. 지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다. 척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.The support unit 440 has a support plate 442 and a drive shaft 444 . The upper surface of the support plate 442 may be provided in a substantially circular shape and may have a larger diameter than the substrate W. As shown in FIG. A support pin 442a for supporting the rear surface of the substrate W is provided in the central portion of the support plate 442, and the support pin 442a has an upper end of the support plate (W) spaced apart from the support plate 442 by a predetermined distance. 442) is provided to protrude from. A chuck pin 442b is provided at an edge of the support plate 442 . The chuck pin 442b is provided to protrude upward from the support plate 442 , and supports the side of the substrate W so that the substrate W is not separated from the support unit 440 when the substrate W is rotated. The driving shaft 444 is driven by the driver 446 , is connected to the center of the bottom surface of the substrate W, and rotates the support plate 442 based on the central axis thereof.

일 예에 의하면, 액 공급 유닛(460)은 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)을 포함할 수 있다. 제1노즐(462)은 제1액을 기판(W) 상으로 공급할 수 있다. 제1액은 기판(W) 상에 잔존하는 막이나 이물을 제거하는 액일 수 있다. 제2노즐(464)은 제2액을 기판(W) 상으로 공급할 수 있다. 제2액은 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제2액은 제1액에 비해 제3액에 더 잘 용해되는 액일 수 있다. 제2액은 기판(W) 상에 공급된 제1액을 중화시키는 액일 수 있다. 또한, 제2액은 제1액을 중화시키고 동시에 제1액에 비해 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다. 일 예에 의하면, 제2액은 순수(DIW)일 수 있다. 제3노즐(466)은 제3액을 기판(W) 상으로 공급할 수 있다. 제3액은 제2공정 챔버(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 일 예에 의하면, 제3액(웨팅액)은 휘발성 유기용매, 순수 또는 계면 활성제와 순수의 혼합액일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다. 일 예에 의하면, 초임계 유체는 이산화탄소일 수 있다. 기판(W)은 제3액에 의해 도포된 상태(웨팅된 상태)로 제1공정 챔버(400)로부터 반출되어 제2공정 챔버(500)로 반입된다.According to an example, the liquid supply unit 460 may include a first nozzle 462 , a second nozzle 464 , and a third nozzle 466 . The first nozzle 462 may supply the first liquid onto the substrate W. The first liquid may be a liquid that removes a film or foreign material remaining on the substrate W. The second nozzle 464 may supply the second liquid onto the substrate W. The second liquid may be a liquid that is well soluble in the third liquid. For example, the second liquid may be a liquid that is more soluble in the third liquid than the first liquid. The second liquid may be a liquid that neutralizes the first liquid supplied on the substrate W. In addition, the second liquid may be a liquid that neutralizes the first liquid and at the same time is more soluble in the third liquid than the first liquid. According to an example, the second liquid may be pure water (DIW). The third nozzle 466 may supply the third liquid onto the substrate W. The third liquid may be a liquid that is well soluble in the supercritical fluid used in the second process chamber 500 . According to an example, the third liquid (wetting liquid) may be a volatile organic solvent, pure water, or a mixture of a surfactant and pure water. The organic solvent may be isopropyl alcohol (IPA). According to an example, the supercritical fluid may be carbon dioxide. The substrate W is unloaded from the first process chamber 400 in a state coated with the third liquid (wet state) and loaded into the second process chamber 500 .

제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 서로 상이한 아암(461)에 지지될 수 있다. 아암(461)들은 독립적으로 이동될 수 있다. 선택적으로 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 동일한 아암(461)에 장착되어 동시에 이동될 수 있다.The first nozzle 462 , the second nozzle 464 , and the third nozzle 466 may be supported on different arms 461 . The arms 461 can be moved independently. Optionally, the first nozzle 462 , the second nozzle 464 , and the third nozzle 466 may be mounted on the same arm 461 and moved at the same time.

승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 전 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리 회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 480 moves the cup 420 in the vertical direction. The relative height between the cup 420 and the substrate W is changed by the vertical movement of the cup 420 . Accordingly, since the recovery tanks 422 , 424 , and 426 for recovering the pre-treatment solution are changed according to the type of the liquid supplied to the substrate W, the liquids can be separated and recovered. Unlike the above, the cup 420 is fixedly installed, and the lifting unit 480 may move the support unit 440 in the vertical direction.

도 3은 도 1의 제2공정 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.FIG. 3 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the second process chamber of FIG. 1 .

일 실시예에 의하면, 제2공정 챔버(500)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상의 액을 제거한다. 제2공정 챔버(500)는 바디(520), 지지체(540), 유체 공급 유닛(560), 그리고 차단 플레이트(580)를 가진다. According to an embodiment, the second process chamber 500 removes a liquid on the substrate W using a supercritical fluid. The second process chamber 500 includes a body 520 , a support 540 , a fluid supply unit 560 , and a blocking plate 580 .

바디(520)는 건조 공정이 수행되는 내부 공간(502)을 제공한다. 바디(520)는 상체(522, upper body)와 하체(524, lower body)를 가지며, 상체(522)와 하체(524)는 서로 조합되어 상술한 내부 공간(502)을 제공한다. 상체(522)는 하체(524)의 상부에 제공된다. 상체(522)는 그 위치가 고정되고, 하체(524)는 실린더와 같은 구동부재(590)에 의해 승하강될 수 있다. 하체(524)가 상체(522)로부터 이격되면 내부 공간(502)이 개방되고, 이 때 기판(W)이 반입 또는 반출된다. 공정 진행시에는 하체(524)가 상체(522)에 밀착되어 내부 공간(502)이 외부로부터 밀폐된다. 제2공정 챔버(500)는 히터(570)를 가진다. 일 예에 의하면, 히터(570)는 바디(520)의 벽 내부에 위치된다. 히터(570)는 바디(520)의 내부공간 내로 공급된 유체가 초임계 상태를 유지하도록 바디(520)의 내부 공간(502)을 가열한다.The body 520 provides an interior space 502 in which the drying process is performed. The body 520 has an upper body 522 and a lower body 524 , and the upper body 522 and the lower body 524 are combined with each other to provide the above-described internal space 502 . The upper body 522 is provided above the lower body 524 . The position of the upper body 522 is fixed, and the lower body 524 may be raised and lowered by a driving member 590 such as a cylinder. When the lower body 524 is spaced apart from the upper body 522 , the inner space 502 is opened, and at this time, the substrate W is loaded or unloaded. During the process, the lower body 524 is in close contact with the upper body 522 so that the inner space 502 is sealed from the outside. The second process chamber 500 has a heater 570 . In one example, the heater 570 is located inside the wall of the body 520 . The heater 570 heats the inner space 502 of the body 520 so that the fluid supplied into the inner space of the body 520 maintains a supercritical state.

지지체(540)는 바디(520)의 내부 공간(502) 내에서 기판(W)을 지지한다. 지지체(540)는 고정 로드(542)와 거치대(544)를 가진다. 고정 로드(542)는 상체(522)의 저면으로부터 아래로 돌출되도록 상체(522)에 고정 설치된다. 고정 로드(542)는 그 길이방향이 상하 방향으로 제공된다. 고정 로드(542)는 복수 개 제공되며 서로 이격되게 위치된다. 고정 로드(542)들은 이들에 의해 둘러싸인 공간으로 기판(W)이 반입 또는 반출될 때, 기판(W)이 고정 로드(542)들과 간섭하지 않도록 배치된다. 각각의 고정 로드(542)에는 거치대(544)가 결합된다. 거치대(544)는 고정 로드(542)의 하단으로부터 고정 로드(542)들에 의해 둘러싸인 공간을 향하는 방향으로 연장된다. 상술한 구조로 인해, 바디(520)의 내부 공간(502)으로 반입된 기판(W)은 그 가장자리 영역이 거치대(544) 상에 놓이고, 기판(W)의 상면 전체 영역, 기판(W)의 저면 중 중앙 영역, 그리고 기판(W)의 저면 중 가장자리 영역의 일부는 내부 공간(502)으로 공급된 건조용 유체에 노출된다. The support 540 supports the substrate W in the inner space 502 of the body 520 . The support 540 has a fixing rod 542 and a cradle 544 . The fixing rod 542 is fixedly installed on the upper body 522 so as to protrude downward from the bottom surface of the upper body 522 . The fixing rod 542 is provided in the vertical direction in its longitudinal direction. A plurality of fixing rods 542 are provided and are positioned to be spaced apart from each other. The fixing rods 542 are disposed so that the substrate W does not interfere with the fixing rods 542 when the substrate W is loaded or unloaded into the space surrounded by the fixing rods 542 . A holder 544 is coupled to each of the fixing rods 542 . The holder 544 extends from the lower end of the fixing rod 542 toward the space surrounded by the fixing rods 542 . Due to the above-described structure, the edge region of the substrate W carried into the internal space 502 of the body 520 is placed on the cradle 544, the entire upper surface area of the substrate W, the substrate W A part of the central region of the bottom surface of the substrate W and the edge region of the bottom surface of the substrate W are exposed to the drying fluid supplied to the internal space 502 .

유체 공급 유닛(560)은 바디(520)의 내부 공간(502)으로 건조용 유체를 공급한다. 일 예에 의하면, 건조용 유체는 초임계 상태로 내부 공간(502)으로 공급될 수 있다. 이와 달리 건조용 유체는 가스 상태로 내부 공간(502)으로 공급되고, 내부 공간(502) 내에서 초임계 상태로 상변화될 수 있다. 일 예에 의하면, 유체 공급 유닛(560)은 메인 공급 라인(562), 상부 분기 라인(564), 그리고 하부 분기 라인(566)을 가진다. 상부 분기 라인(564)과 하부 분기 라인(566)은 메인 공급 라인(562)으로부터 분기된다. 상부 분기 라인(564)은 상체(522)에 결합되어 지지체(540)에 놓인 기판(W)의 상부에서 건조용 유체를 공급한다. 일 예에 의하면, 상부 분기 라인(564)은 상체(522)의 중앙에 결합된다. 하부 분기 라인(566)은 하체(524)에 결합되어 지지체(540)에 놓인 기판(W)의 하부에서 건조용 유체를 공급한다. 일 예에 의하면, 하부 분기 라인(566)은 하체(524)의 중앙에 결합된다. 하체(524)에는 배기 라인(550)이 결합된다. 바디(520)의 내부 공간(502) 내의 초임계 유체는 배기 라인(550)을 통해서 바디(520)의 외부로 배기된다.The fluid supply unit 560 supplies a drying fluid to the internal space 502 of the body 520 . According to an example, the drying fluid may be supplied to the inner space 502 in a supercritical state. Alternatively, the drying fluid may be supplied to the internal space 502 in a gaseous state, and may be phase-changed to a supercritical state in the internal space 502 . According to one example, the fluid supply unit 560 has a main supply line 562 , an upper branch line 564 , and a lower branch line 566 . The upper branch line 564 and the lower branch line 566 branch from the main supply line 562 . The upper branch line 564 is coupled to the upper body 522 to supply a drying fluid from the upper portion of the substrate W placed on the support 540 . According to an example, the upper branch line 564 is coupled to the center of the upper body 522 . The lower branch line 566 is coupled to the lower body 524 to supply a drying fluid from the lower portion of the substrate W placed on the support 540 . In one example, the lower branch line 566 is coupled to the center of the lower body 524 . An exhaust line 550 is coupled to the lower body 524 . The supercritical fluid in the internal space 502 of the body 520 is exhausted to the outside of the body 520 through the exhaust line 550 .

바디(520)의 내부 공간(502) 내에는 차단 플레이트(580)(blocking plate)가 배치될 수 있다. 차단 플레이트(580)는 원판 형상으로 제공될 수 있다. 차단 플레이트(580)는 바디(520)의 저면으로부터 상부로 이격되도록 지지대(582)에 의해 지지된다. 지지대(582)는 로드 형상으로 제공되고, 서로 간에 일정 거리 이격되도록 복수 개가 배치된다. 상부에서 바라볼 때 차단 플레이트(580)는 하부 분기 라인(566)의 토출구 및 배기 라인(550)의 유입구와 중첩되도록 제공될 수 있다. 차단 플레이트(580)는 하부 분기 라인(566)을 통해서 공급된 건조용 유체가 기판(W)을 향해 직접 토출되어 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.A blocking plate 580 may be disposed in the inner space 502 of the body 520 . The blocking plate 580 may be provided in a disk shape. The blocking plate 580 is supported by the support 582 so as to be spaced from the bottom to the top of the body 520 . The support 582 is provided in the shape of a rod, and a plurality of them are arranged to be spaced apart from each other by a predetermined distance. When viewed from the top, the blocking plate 580 may be provided to overlap the outlet of the lower branch line 566 and the inlet of the exhaust line 550 . The blocking plate 580 may prevent the drying fluid supplied through the lower branch line 566 from being directly discharged toward the substrate W, thereby preventing the substrate W from being damaged.

도 4는 기판 처리 방법의 일 예를 보여주는 플로우 차트이다.4 is a flowchart illustrating an example of a substrate processing method.

도 4를 참조하면 기판 처리 방법은 액 처리 단계(S100), 반송 단계(S200), 그리고 건조 단계(S300)을 포함한다.Referring to FIG. 4 , the substrate processing method includes a liquid processing step ( S100 ), a conveying step ( S200 ), and a drying step ( S300 ).

액 처리 단계(S100)는 제1공정 챔버(400)에서 이루어진다. 액 처리 단계(S100)에서는 기판(W) 상에 액이 공급되어 기판(W)을 액 처리한다. 일 예에 의하면, 액 처리 단계(S100)에서 제1액, 제2액, 그리고 제3액이 순차적으로 기판(W)에 공급되어 기판(W)을 처리한다. 제1액은 황산, 질산, 염산 등과 같이 산 또는 알칼리를 포함하는 케미칼이고, 제2액은 순수이고, 제3액은 이소프로필 알코올일 수 있다. 처음에 기판(W) 상에 케미칼을 공급하여 기판(W) 상에 잔류하는 박막이나 이물 등을 제거한다. 이후 기판(W) 상에 순수를 공급하여, 기판(W) 상에서 케미칼을 순수로 치환한다. 이후, 기판(W) 상에 이소프로필 알코올을 공급하여, 기판(W) 상에서 순수를 이소프로필 알코올로 치환한다. 순수는 케미칼에 비해 이소프로필 알코올에 잘 용해되므로, 치환이 용이하다. 또한, 순수에 의해 기판(W)의 표면은 중화될 수 있다. 이소프로필 알코올은 제2공정 챔버(500)에서 사용되는 이산화탄소에 잘 용해되므로, 제2제2공정 챔버(500)에서 초임계 상태의 이산화탄소에 의해 쉽게 제거된다.The liquid processing step S100 is performed in the first process chamber 400 . In the liquid treatment step ( S100 ), a liquid is supplied onto the substrate W to liquid-treat the substrate W . According to an example, in the liquid processing step S100 , the first liquid, the second liquid, and the third liquid are sequentially supplied to the substrate W to process the substrate W. The first liquid may be a chemical containing an acid or alkali such as sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, etc., the second liquid may be pure water, and the third liquid may be isopropyl alcohol. First, a chemical is supplied on the substrate W to remove a thin film or foreign material remaining on the substrate W. Thereafter, pure water is supplied on the substrate W to replace the chemical on the substrate W with pure water. Thereafter, by supplying isopropyl alcohol on the substrate (W), the pure water on the substrate (W) is replaced with isopropyl alcohol. Since pure water is more soluble in isopropyl alcohol than chemicals, substitution is easy. In addition, the surface of the substrate W may be neutralized by pure water. Since isopropyl alcohol is well dissolved in carbon dioxide used in the second process chamber 500 , it is easily removed by the supercritical carbon dioxide in the second second process chamber 500 .

일 예로, 액 처리 단계(S100)에서 제1액이 기판으로 공급되기 전에 프리 린스(pre-rinse)가 수행될 수 있다. 프리 린스에서는 린스액이 기판으로 공급될 수 있다. 린스액은 제2액과 동일한 액을 포함할 수 있다. 또는 린스액은 제2액과 상이한 액을 포함할 수 있다.For example, in the liquid processing step S100 , a pre-rinse may be performed before the first liquid is supplied to the substrate. In the pre-rinsing, a rinse liquid may be supplied to the substrate. The rinse solution may include the same solution as the second solution. Alternatively, the rinse liquid may include a liquid different from the second liquid.

반송 단계(S200)는 기판 반송 로봇(320)에 의해 이루어진다. 제1공정 챔버(400)에서 액 처리가 완료되면, 기판(W)을 제1공정 챔버(400)에서 제2공정 챔버(500)로 반송하는 반송 단계(S200)가 수행된다. 기판 반송 로봇(320)에 반송되는 동안에 기판(W) 상에는 액이 잔류한다. 이하, 기판 반송 로봇(320)에 의해 반송되는 동안에 기판(W)에 잔류하는 액을 처리액이라 칭한다. 예컨대, 상술한 예에서 처리액은 제3액이다.The transfer step S200 is performed by the substrate transfer robot 320 . When the liquid processing is completed in the first process chamber 400 , a transfer step S200 of transferring the substrate W from the first process chamber 400 to the second process chamber 500 is performed. The liquid remains on the substrate W while being transferred to the substrate transfer robot 320 . Hereinafter, the liquid remaining in the substrate W while being transferred by the substrate transfer robot 320 is referred to as a processing liquid. For example, in the above example, the treatment liquid is the third liquid.

건조 단계(S300)는 제2공정 챔버(500)에서 이루어진다. 제2공정 챔버(500) 내로 반입된 기판(W)은 그 가장자리 영역이 거치대(544)에 놓인 상태로 지지체(540)에 지지된다. 처음에 이산화탄소가 하부 분기 라인(566)을 통해서 바디(520)의 내부 공간(502)으로 공급된다. 바디(520)의 내부 공간(502)이 설정 압력에 도달하면 이산화탄소는 상부 분기 라인(564)을 통해서 바디(520)의 내부 공간(502)으로 공급된다. 선택적으로 바디(520)의 내부 공간(502)이 설정 압력에 도달하면 이산화탄소는 상부 분기 라인(564)과 하부 분기 라인(566)을 통해서 동시에 바디(520)의 내부 공간(502)으로 공급될 수 있다. 공정 진행시 바디(520)의 내부 공간(502)으로 이산화탄소의 공급 및 내부 공간(502)으로부터 이산화탄소의 배출은 주기적으로 복수회 진행될 수 있다. 이와 같은 방법에 의해 기판(W) 상에 잔류하는 처리액이 초임계 상태의 이산화탄소에 일정량 용해되면 내부 공간(502)으로부터 이산화탄소 배출하고, 새로운 이산화탄소를 내부 공간(502)으로 공급함으로써 기판(W)으로부터 처리액의 제거율이 향상시킬 수 있다.The drying step S300 is performed in the second process chamber 500 . The substrate W loaded into the second process chamber 500 is supported by the support 540 with its edge region placed on the cradle 544 . Carbon dioxide is initially supplied to the interior space 502 of the body 520 through the lower branch line 566 . When the internal space 502 of the body 520 reaches the set pressure, carbon dioxide is supplied to the internal space 502 of the body 520 through the upper branch line 564 . Optionally, when the internal space 502 of the body 520 reaches a set pressure, carbon dioxide can be simultaneously supplied to the internal space 502 of the body 520 through the upper branch line 564 and the lower branch line 566. have. During the process, the supply of carbon dioxide to the internal space 502 of the body 520 and the discharge of carbon dioxide from the internal space 502 may be periodically performed a plurality of times. When a predetermined amount of the processing liquid remaining on the substrate W is dissolved in carbon dioxide in a supercritical state by this method, carbon dioxide is discharged from the internal space 502 and new carbon dioxide is supplied to the internal space 502 to thereby supply the substrate W. The removal rate of the treatment liquid can be improved.

기판 처리 장치(1000)는 공정 진행 중에 공정 불량이 발생한 경우 비상 중지 알람(emergency stop alarm)을 발생시킨다. 공정 불량이란, 일 예로 챔버에 문제가 발생되어 진행중이던 공정이 중지되어야 할 경우, 처리액의 공급이 원활하지 못한 경우 등의 상황을 의미한다. 기판 처리 장치(1000)는 비상 중지 알람(emergency stop alarm)이 발생한 경우, 기판의 회복(Recovery) 처리를 진행한다.The substrate processing apparatus 1000 generates an emergency stop alarm when a process defect occurs during a process. The process defect means, for example, a situation such as a case in which a process in progress has to be stopped due to a problem in the chamber, a case in which the supply of a treatment liquid is not smooth, and the like. When an emergency stop alarm occurs, the substrate processing apparatus 1000 performs a recovery process of the substrate.

이하에서는 도면을 참고하며 기판의 회복 처리 과정에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings will be described in detail with respect to the recovery process of the substrate.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 다중 리커버리 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.5 is a diagram schematically illustrating a multi-recovery configuration according to an embodiment of the present invention.

공정(Process)는 복수의 단계를 포함할 수 있다. 복수의 단계는 진행되는 공정에서 처리되는 처리액의 종류에 따라 구분될 수 있다. 또는, 복수의 단계는 진행되는 공정의 온도, 압력, 회전수, 토출량 등의 처리 조건에 따라 구분될 수 있다. 이하에서는 공정(Process)이 3개의 단계를 포함하는 것으로 보고 설명하고 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며 3개 이하 또는 3개 이상의 단계를 포함하는 공정에서도 적용 가능하다.The process may include a plurality of steps. The plurality of steps may be classified according to the type of treatment liquid to be treated in the process being performed. Alternatively, the plurality of steps may be divided according to processing conditions such as temperature, pressure, rotation speed, and discharge amount of the process being performed. Hereinafter, the process (Process) is described as including three steps, but is not limited thereto and is applicable to a process including three or less or three or more steps.

도 5를 참고하면, 공정은 제1단계(Step 1), 제2단계(Step 2) 및 제3단계(Step 3)를 포함할 수 있다. 제1 내지 제3단계(Step 1, Step 2, Step 3)는 순차로 진행될 수 있다. 제1 내지 제3단계(Step 1, Step 2, Step 3) 각각에는 서로 다른 리버커리가 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1단계(Step 1)에는 제1리커버리가 링크되고, 제2단계(Step 2)에는 제2리커버리가 링크되고, 제3단계(Step 3)에는 제3리커버리가 링크될 수 있다. 제1리커버리는 제1단계(Step 1)의 공정 처리 정보가 반영된 리커버리 레시피(Recovery Recipe)가 저장될 수 있다. 제2리커버리는 제2단계(Step 2)의 공정 처리 정보가 반영된 리커버리 레시피(Recovery Recipe)가 저장될 수 있다. 제3리커버리는 제3단계(Step 3)의 공정 처리 정보가 반영된 리커버리 레시피(Recovery Recipe)가 저장될 수 있다. 이 경우, 제1단계(Step 1) 처리가 진행되는 도중 공정 불량 발생한 경우 기판(W)은 제1리커버리에 의해 회복 처리되고, 제2단계(Step 2) 처리가 진행되는 도중 공정 불량 발생한 경우 기판(W)은 제2리커버리에 의해 회복 처리되며, 제3단계(Step 3) 처리가 진행되는 도중 공정 불량 발생한 경우 기판(W)은 제3리커버리에 의해 회복 처리될 수 있다.Referring to FIG. 5 , the process may include a first step (Step 1), a second step (Step 2), and a third step (Step 3). The first to third steps (Step 1, Step 2, Step 3) may be sequentially performed. A different river curry may be connected to each of the first to third steps (Step 1, Step 2, Step 3). For example, the first recovery may be linked to the first step (Step 1), the second recovery may be linked to the second step (Step 2), and the third recovery may be linked to the third step (Step 3). . In the first recovery, a recovery recipe in which the process information of the first step (Step 1) is reflected may be stored. In the second recovery, a recovery recipe in which process information of the second step is reflected may be stored. In the third recovery, a recovery recipe in which the process information of the third step (Step 3) is reflected may be stored. In this case, when a process defect occurs during the process of the first step (Step 1), the substrate W is recovered by the first recovery process, and when a process defect occurs during the process of the second step (Step 2), the substrate W (W) is recovered by the second recovery, and when a process defect occurs during the third step (Step 3) processing, the substrate W may be recovered by the third recovery.

예를 들어, 제1공정 챔버(400)에서 수행되는 액처리 공정에서는 프리 린스 단계(Step 1), 제1액 처리 단계(Step 2), 제2액 처리 단계(Step 3)가 순차로 진행될 수 있다. 이때, 프리 린스 단계(Step 1)에는 린스액 리커버리(제1리커버리)가 링크되고, 제1액 처리 단계(Step 2)에는 제1액 리커버리(제2리커버리)가 링크되며, 제2액 처리 단계(Step 3)에는 제2액 리커버리(제3리커버리)가 링크될 수 있다.For example, in the liquid treatment process performed in the first process chamber 400, the pre-rinse step (Step 1), the first liquid treatment step (Step 2), and the second liquid treatment step (Step 3) may be sequentially performed. have. At this time, the pre-rinse step (Step 1) is linked to the rinse solution recovery (first recovery), the first solution treatment step (Step 2) is linked to the first solution recovery (the second recovery), and the second solution treatment step A second liquid recovery (third recovery) may be linked to (Step 3).

이상에서는, 제1공정 챔버(400)에서 공정 불량이 발생된 경우를 일 예로 설명하였으나 이에 제한되는 것은 아니고, 제2공정 챔버(500)에서 공정 불량이 발생된 경우에도 제2공정 챔버(500)의 Process Step에 따라 리커버리(Recovery)를 구성하여 기판 회복 처리가 수행될 수 있다.In the above, the case where a process defect occurs in the first process chamber 400 has been described as an example, but the present invention is not limited thereto, and even when a process defect occurs in the second process chamber 500 , the second process chamber 500 . The substrate recovery process may be performed by configuring a recovery according to the Process Step of

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판의 회복 처리 과정을 보여주는 순서도이다.6 is a flowchart illustrating a process of recovering a substrate according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참고하면, 공정이 시작되면 각 공정에 포함되는 공정 단계(Process step)이 순차로 진행된다. 공정 불량이 발생되지 않은 경우, 공정 단계(Process step)가 종료되면 공정이 완료된다.Referring to FIG. 6 , when a process is started, process steps included in each process are sequentially performed. If no process defect occurs, the process is completed when the process step is completed.

공정 불량이 발생된 경우 또는 비상 중지 알람(Emergency Stop Alarm)이 발생될 경우에는 기판 회복 처리가 진행된다. 장치(1000)는 비상 중지 알람(Emergency Stop Alarm)이 발생된 경우 알람이 발생된 단계(Step)의 정보를 확인한다. 알람이 발생된 단계(Step)에 링크된 리커버리가 없는 경우에는 모든 공정에 적용 가능한 Default Recovery에 따른 기판 회복 처리가 수행되고, 회복 처리가 종료된 기판은 공정이 완료된다.When a process defect occurs or an emergency stop alarm occurs, the substrate recovery process is performed. When an emergency stop alarm is generated, the device 1000 checks information of a step in which the alarm is generated. If there is no recovery linked to the step in which the alarm is generated, a substrate recovery process according to Default Recovery applicable to all processes is performed, and the process is completed for the substrate on which the recovery process has been completed.

알람이 발생된 단계(Step)에 링크된 리커버리가 있는 경우에는 링크된 리커버리에 따라 기판 회복 처리가 진행된다. 알람이 발생된 단계(Step)에 링크된 리커버리가 있는 경우에는 링크된 리커버리에 저장된 리커버리 레시피에 따라 기판 회복 처리가 진행된다. 장치(1000)는 링크된 리커버리에 인자(factor) 적용 단계가 있는지 여부를 확인할 수 있다. 인자 적용 단계가 있는 경우 해당 인자를 반영하여 링크된 리버커리를 수행할 수 있다. 인자 적용 단계가 없는 겨우, 인자 반영 없이 링크된 리커버리를 수행할 수 있다.When there is a recovery linked to the step in which the alarm is generated, the substrate recovery process proceeds according to the linked recovery. If there is a recovery linked to the step in which the alarm is generated, the substrate recovery process is performed according to the recovery recipe stored in the linked recovery. The apparatus 1000 may check whether there is a step of applying a factor to the linked recovery. If there is a factor application step, linked reversal can be performed by reflecting the factor. If there is no factor application step, linked recovery can be performed without factor reflection.

이하에서는, 인자 적용 단계에 관하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the step of applying the factor will be described in more detail.

도 7은 기판 처리 공정의 각 단계에 링크된 리커버리를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 8은 도 7의 제1단계에 링크된 제1리커버리의 인자 적용 정보를 개략적으로 도시한 도면이다.7 is a diagram schematically illustrating a recovery linked to each step of a substrate processing process. FIG. 8 is a diagram schematically illustrating factor application information of the first recovery linked in the first step of FIG. 7 .

도 7을 참고하면, 공정(Process)은 제1 내지 제3단계(Step 1, Step 2, Step 3)를 포함될 수 있다. 제1 내지 제3단계(Step 1, Step 2, Step 3) 각각에는 제1 내지 제3리커버리(1st Recovery, 2nd Recovery, 3rd Recovery)가 링크될 수 있다. 각 리커버리는 도 8과 같은 인자 적용 정보가 저장될 수 있다. 도 8은 제1리커버리(1st Recovery)에 저장된 인자 적용 정보의 일 예를 개략적으로 나타낸 도면이다. 장치(1000)는 링크된 제1리커버리(1st Recovery)의 단계 1(Step 1)부터 단계 3(Step 3)을 순차로 확인하여 인자 적용 단계가 존재 여부를 확인한다. 단계 1 내지 단계 3 모두에 인자 반영 단계가 없는 경우에는 인자를 반영하지 않고 링크된 리커버리의 레시피에 따라 기판 회복 처리가 진행된다. 단계 1 내지 단계 3 중 인자 반영 단계가 존재하는 경우, 해당 인자를 반영한 후 링크된 리커버리의 레시피에 따라 기판 회복 처리가 진행된다.Referring to FIG. 7 , the process may include first to third steps (Step 1 , Step 2 , Step 3 ). In each of the first to third steps (Step 1, Step 2, Step 3), first to third recovery (1 st Recovery, 2 nd Recovery, 3 rd Recovery) may be linked. In each recovery, factor application information as shown in FIG. 8 may be stored. 8 is a diagram schematically illustrating an example of factor application information stored in a first recovery (1 st Recovery). The device 1000 sequentially checks from Step 1 to Step 3 of the linked first recovery (1 st Recovery) to determine whether a factor application step exists. If there is no factor reflection step in all of steps 1 to 3, the substrate recovery process proceeds according to the linked recovery recipe without reflecting the factor. If there is a factor reflection step among steps 1 to 3, after reflecting the factor, the substrate recovery process proceeds according to the linked recovery recipe.

이때, 인자(Factor)는 해당 공정 단계에서 사용했던 처리액의 종류, 노즐의 위치, 토출 시간 등 공정에 관련된 인자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 공정 불량 발생시에 처리되고 있던 처리액의 종류와 공정 불량이 발생된 때의 노즐의 위치 정보를 반영하여 링크된 리커버리를 진행할 수 있다. 즉, 인자 반영된 처리액과 동일한 처리액을 인자 반영된 노즐의 위치에서부터 기판으로 공급하여 리커버리 진행할 수 있다.In this case, the factor may include factors related to the process, such as the type of the treatment liquid used in the corresponding process step, the position of the nozzle, and the discharge time. For example, the linked recovery may be performed by reflecting the type of the treatment liquid being processed when the process defect occurred and the position information of the nozzle when the process defect occurred. That is, the recovery may be performed by supplying the same processing liquid as the processing liquid in which the printing is reflected to the substrate from the position of the nozzle in which the printing is reflected.

종래에는 공정 내에 단일의 레시피로 제공되는 리커버리에 의해 기판 회복 처리가 수행되고 있어 공정 진행 상태를 반영할 수 없어 리커버리 종료 후 사용자에 의한 후처리가 요구되는 문제가 있었다. 또한, 리커버리가 단일의 레시피로 진행되므로 모든 공정 단계를 포괄할 수 있어야 하는 문제가 있었다.Conventionally, there is a problem in that the substrate recovery process is performed by the recovery provided as a single recipe in the process, so that the process progress state cannot be reflected, and post-processing by the user is required after the recovery is finished. In addition, since the recovery proceeds with a single recipe, there was a problem that it should be able to cover all process steps.

그러나, 본 발명의 일 실시예에 따르면 공정의 스텝 별로 적절한 레시피를 포함하는 리버커리를 제공함으로써 상술한 문제를 해소할 수 있다. 또한, 공정 스텝에 따라 리커버리가 구분되므로, 현 공정 진행 상태에 맞게 리커버리를 구성할 수 있어 리커버리 효율을 높일 수 있다.However, according to an embodiment of the present invention, it is possible to solve the above-described problem by providing a river curry including an appropriate recipe for each step of the process. In addition, since recovery is classified according to a process step, recovery can be configured according to the current process progress state, thereby increasing recovery efficiency.

이상에서는 세정 설비에서 공정 불량 발생시 기판의 회복 처리에 대하여 설명하고 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며 다른 설비에서도 위와 같은 회복 처리가 수행될 수 있다. 일 예로, 식각 설비에서도 적용 가능할 수 있다.In the above description, the recovery treatment of the substrate when a process defect occurs in the cleaning facility is described, but the present invention is not limited thereto, and the above recovery treatment may be performed in other facilities as well. For example, it may be applicable to an etching facility.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

Claims (16)

기판을 처리하는 방법에 있어서,
복수의 단계를 포함하고 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 제1처리 공정을 포함하되,
공정 불량 발생시 상기 기판에 대하여 회복 처리가 진행되고,
상기 회복 처리는 상기 복수의 단계 각각에 연결된 복수의 리커버리 중 상기 공정 불량 발생시 진행중이던 단계에 연결된 리커버리에 의해 수행되는 기판 처리 방법.A method for processing a substrate, comprising:
A first treatment process comprising a plurality of steps and supplying a treatment liquid to the substrate to treat the substrate,
When a process defect occurs, a recovery process is performed on the substrate,
The recovery process is a substrate processing method performed by a recovery connected to a step in progress when the process failure occurs among a plurality of recovery connected to each of the plurality of steps. 제1항에 있어서,
상기 리커버리는,
상기 공정 불량 발생시 진행중이던 단계에서 공급되는 액과 동일한 액을 사용하여 회복 처리되는 기판 처리 방법.According to claim 1,
The recovery is
A substrate processing method in which recovery processing is performed using the same liquid as the liquid supplied at the stage in progress when the process defect occurs. 제1항에 있어서,
상기 복수의 단계는 순차로 진행되는 제1 내지 제3단계를 포함하고,
상기 리커버리는,
상기 제1단계에 연결되는 제1리커버리와,
상기 제2단계에 연결되는 제2리커버리와,
상기 제3단계에 연결되는 제3리커버리를 포함하는 기판 처리 방법.According to claim 1,
The plurality of steps include first to third steps that are sequentially performed,
The recovery is
a first recovery connected to the first step;
a second recovery connected to the second step;
A substrate processing method comprising a third recovery connected to the third step. 제3항에 있어서,
상기 제1단계는 상기 기판으로 린스액을 공급하는 프리 린스 단계를 포함하고,
상기 제1리커버리는 상기 기판에 대하여 린스액을 공급하여 회복 처리를 수행하는 기판 처리 방법.4. The method of claim 3,
The first step includes a pre-rinsing step of supplying a rinse solution to the substrate,
The first recovery is a substrate processing method for performing a recovery process by supplying a rinse solution to the substrate. 제3항에 있어서,
상기 제2단계는 상기 기판으로 제1액을 공급하는 제1액 처리 단계를 포함하고,
상기 제2리커버리는 상기 기판에 대하여 상기 제1액을 공급하여 회복 처리를 수행하는 기판 처리 방법.4. The method of claim 3,
The second step includes a first liquid processing step of supplying a first liquid to the substrate,
The second recovery is a substrate processing method for performing a recovery process by supplying the first liquid to the substrate. 제3항에 있어서,
상기 제3단계는 상기 기판으로 제2액을 공급하는 제2액 처리 단계를 포함하고,
상기 제3리커버리는 상기 기판에 대하여 상기 제2액을 공급하여 회복 처리를 수행하는 기판 처리 방법.4. The method of claim 3,
The third step includes a second liquid processing step of supplying a second liquid to the substrate,
The third recovery is a substrate processing method for performing a recovery process by supplying the second liquid to the substrate. 제1항에 있어서,
상기 회복 처리는,
상기 연결된 리커버리에 인자 적용 단계가 존재할 경우, 상기 인자 정보를 반영하여 상기 회복 처리를 수행하는 기판 처리 방법.According to claim 1,
The recovery process is
and performing the recovery process by reflecting the factor information when there is a factor application step in the connected recovery. 제7항에 있어서,
상기 인자 정보는,
공정 불량 발생 시 공급되고 있는 처리액의 종류, 노즐의 위치, 토출 시간 중 적어도 하나를 포함하는 기판 처리 방법.8. The method of claim 7,
The factor information is,
A substrate processing method comprising at least one of a type of a processing liquid being supplied when a process defect occurs, a position of a nozzle, and a discharge time. 제8항에 있어서,
상기 회복 처리는,
상기 공정 불량 발생되어 진행중이던 공정이 중지된 시점의 노즐의 위치에서부터 상기 리커버리가 수행되는 기판 처리 방법.9. The method of claim 8,
The recovery process is
The substrate processing method in which the recovery is performed from the position of the nozzle at the time when the process in progress is stopped due to the occurrence of the process defect. 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 제1액은 케미컬(Chemical)을 포함하고,
상기 제2액은 순수(DIW)를 포함하는 기판 처리 방법.7. The method of claim 5 or 6,
The first solution contains a chemical,
The second liquid is a substrate processing method comprising pure water (DIW). 기판 처리 장치에 있어서,
기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 제1공정 챔버와;
상기 기판으로부터 상기 처리액을 제거하는 제2공정 챔버와;
공정 불량 발생시 상기 제1공정 챔버 또는 상기 제2공정 챔버에서 처리중인 기판에 대하여 회복 처리를 진행하는 회복 처리부를 포함하되,
상기 장치는,
상기 공정 불량 발생시 비상 중지 알람(emergency stop alarm)을 발생시키고,
상기 회복 처리부는 상기 비상 중지 알람이 발생되면 상기 기판에 대하여 진행중인 처리 공정에 연결된 리버커리를 수행하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
a first process chamber for processing the substrate by supplying a processing liquid to the substrate;
a second process chamber for removing the processing liquid from the substrate;
Comprising a recovery processing unit for performing recovery processing on the substrate being processed in the first process chamber or the second process chamber when a process defect occurs,
The device is
When the process defect occurs, an emergency stop alarm is generated,
The recovery processing unit is a substrate processing apparatus for performing a recovery connected to the processing process in progress on the substrate when the emergency stop alarm is generated. 제11항에 있어서,
상기 제1공정 챔버는,
내부에 처리 공간을 제공하는 컵과;
상기 처리 공간에 기판을 지지하고 기판을 회전시키는 지지 유닛과;
상기 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고,
상기 액 공급 유닛은,
상기 기판에 제1액을 공급하는 제1노즐과;
상기 기판에 제2액을 공급하는 제2노즐을 포함하고,
상기 회복 처리부는 상기 기판에 상기 제1액이 공급되는 중에 공정 불량 발생시 상기 제1액을 공급하여 회복 처리하는 제1리커버리를 진행하고, 상기 기판에 상기 제2액이 공급되는 중에 공정 불량 발생시 상기 제2액을 공급하여 회복 처리하는 제2리커버리를 진행하는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
The first process chamber,
a cup providing processing space therein;
a support unit supporting the substrate in the processing space and rotating the substrate;
a liquid supply unit supplying a processing liquid to the substrate;
The liquid supply unit,
a first nozzle for supplying a first liquid to the substrate;
a second nozzle for supplying a second liquid to the substrate;
When a process defect occurs while the first liquid is supplied to the substrate, the recovery processing unit performs a first recovery by supplying the first liquid to perform a recovery process, and when a process failure occurs while the second liquid is supplied to the substrate A substrate processing apparatus for performing a second recovery in which a second liquid is supplied and a recovery process is performed. 제12항에 있어서,
상기 회복 처리부는,
상기 제1리커버리 또는 상기 제2리버커리에 인자 적용 단계가 존재할 경우 상기 인자를 적용하여 상기 기판에 대하여 상기 회복 처리를 진행하는 기판 처리 장치.13. The method of claim 12,
The recovery processing unit,
When the step of applying a factor exists in the first recovery or the second recovery, the recovery process is performed on the substrate by applying the factor. 제13항에 있어서,
상기 회복 처리부는,
상기 제1액의 종류, 상기 제1노즐의 위치, 상기 제1액의 토출 시간 중 적어도 하나를 반영하여 상기 제1리커버리를 진행하는 기판 처리 장치.14. The method of claim 13,
The recovery processing unit,
The substrate processing apparatus performs the first recovery by reflecting at least one of a type of the first liquid, a position of the first nozzle, and a discharge time of the first liquid. 제13항에 있어서,
상기 회복 처리부는,
상기 제2액의 종류, 상기 제2노즐의 위치, 상기 제2액의 토출 시간 중 적어도 하나를 반영하여 상기 제2리커버리를 진행하는 기판 처리 장치.14. The method of claim 13,
The recovery processing unit,
The second recovery is performed by reflecting at least one of a type of the second liquid, a position of the second nozzle, and a discharge time of the second liquid. 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1액은 케미컬(Chemical)을 포함하고,
상기 제2액은 순수(DIW)를 포함하는 기판 처리 장치.16. The method according to any one of claims 11 to 15,
The first solution contains a chemical,
The second liquid is a substrate processing apparatus including pure water (DIW).
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