KR102640149B1 - Apparatus for treating substrate and method for processing a substrate - Google Patents

Apparatus for treating substrate and method for processing a substrate Download PDF

Info

Publication number
KR102640149B1
KR102640149B1 KR1020220019254A KR20220019254A KR102640149B1 KR 102640149 B1 KR102640149 B1 KR 102640149B1 KR 1020220019254 A KR1020220019254 A KR 1020220019254A KR 20220019254 A KR20220019254 A KR 20220019254A KR 102640149 B1 KR102640149 B1 KR 102640149B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
liquid
processing
contact member
transfer
Prior art date
Application number
KR1020220019254A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20230098470A (en
Inventor
최용현
이영훈
임용준
오승훈
최태종
고용선
이상민
정진우
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to JP2022198858A priority Critical patent/JP2023095803A/en
Priority to US18/068,869 priority patent/US20230201883A1/en
Priority to TW111149284A priority patent/TW202326910A/en
Priority to CN202211676993.5A priority patent/CN116344389A/en
Publication of KR20230098470A publication Critical patent/KR20230098470A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102640149B1 publication Critical patent/KR102640149B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • B08B1/10
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02082Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/0209Cleaning of wafer backside
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 상기 기판에 처리액을 공급하여 기판을 액 처리하는 액 처리 챔버, 상기 기판에 공정 유체를 공급하여 건조하는 건조 챔버, 상기 액 처리 챔버와 상기 건조 챔버 간에 상기 기판을 반송하는 반송 유닛 및 상기 기판의 배면을 세정하는 배면 세정 유닛을 포함하되, 상기 배면 세정 유닛은 상기 액 처리 챔버로부터 상기 건조 챔버로 상기 기판을 반송하는 도중에 상기 기판의 배면을 세정할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes a liquid processing chamber for liquid processing the substrate by supplying a processing liquid to the substrate, a drying chamber for drying the substrate by supplying a process fluid to the substrate, and transporting the substrate between the liquid processing chamber and the drying chamber. It includes a transfer unit and a backside cleaning unit for cleaning the backside of the substrate, wherein the backside cleaning unit may clean the backside of the substrate while transferring the substrate from the liquid processing chamber to the drying chamber.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR PROCESSING A SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and substrate processing method {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR PROCESSING A SUBSTRATE}

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판으로 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more specifically, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for liquid treating a substrate by supplying liquid to the substrate.

일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진 공정(Photo Process), 식각 공정(Etching Process), 이온 주입 공정(Ion Implantation Process), 그리고 증착 공정(Deposition Process) 등과 같은 다양한 공정이 수행된다.Generally, in order to manufacture semiconductor devices, various processes such as photo process, etching process, ion implantation process, and deposition process are performed.

각각의 공정을 수행하는 과정에서 파티클, 유기 오염물, 금속 불순물 등 다양한 이물질이 발생된다. 발생된 이물질들은 기판에 결함(defect)을 야기하고, 반도체 소자의 성능 및 수율에 직접적인 영향을 미치는 요인으로 작용한다. 이에, 반도체 소자의 제조 공정들이 수행되기 전후에는 기판 상에 잔류된 이물질들을 제거하는 세정 공정이 수행된다.During each process, various foreign substances such as particles, organic contaminants, and metal impurities are generated. The generated foreign substances cause defects in the substrate and act as a factor that directly affects the performance and yield of semiconductor devices. Accordingly, a cleaning process to remove foreign substances remaining on the substrate is performed before and after the semiconductor device manufacturing processes are performed.

세정 공정은 약액(Chemical)을 이용하여 기판 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 단계, 탈이온수(Deionized Water;DIW) 등과 같은 세정액을 이용하여 기판 상에 잔류하는 약액을 제거하는 단계, 세정액보다 표면장력이 낮은 유기용제를 사용하여 기판 상에 잔류하는 세정액을 제거하는 단계, 그리고 기판의 표면에 잔류하는 유기용제를 건조하는 건조 단계를 포함한다.The cleaning process includes the steps of removing foreign substances remaining on the substrate using a chemical solution, removing the chemical solution remaining on the substrate using a cleaning solution such as deionized water (DIW), and surface tension than the cleaning solution. It includes a step of removing the cleaning solution remaining on the substrate using this low organic solvent, and a drying step of drying the organic solvent remaining on the surface of the substrate.

세정 공정을 수행하는 과정에서 사용된 다양한 액들은 유동성을 갖는다. 이에, 건조 단계를 수행하기 위해 기판을 반송하는 도중에 기판에 공급된 액이 기판으로부터 이탈되는 문제가 발생한다. 또한, 기판 상에 잔류하는 파티클을 제거하기 위해 기판 상에 액을 과량 공급하는 경우, 기판에 공급된 액이 기판으로부터 이탈된다. 기판으로부터 이탈된 액은 기판의 반송 과정, 또는 후속 공정이 수행되는 챔버에 잔류하여 후속 기판을 오염시키는 오염원으로 작용한다.Various liquids used in the process of performing the cleaning process have fluidity. Accordingly, a problem occurs in which the liquid supplied to the substrate is separated from the substrate while the substrate is being transported to perform the drying step. Additionally, when an excessive amount of liquid is supplied to the substrate to remove particles remaining on the substrate, the liquid supplied to the substrate is separated from the substrate. Liquid released from the substrate remains in the chamber where the substrate is transferred or a subsequent process is performed, and acts as a contaminant that contaminates the subsequent substrate.

본 발명은 기판을 효율적으로 세정할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.One object of the present invention is to provide a substrate processing device and a substrate processing method that can efficiently clean a substrate.

또한, 본 발명은 기판의 이면에 잔류하는 액을 효율적으로 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing device and a substrate processing method that can efficiently remove liquid remaining on the back side of a substrate.

또한, 본 발명은 기판을 반송하는 도중에 기판의 이면에 잔류하는 액을 효율적으로 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can efficiently remove liquid remaining on the back surface of a substrate while transporting the substrate.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited here, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 상기 기판에 처리액을 공급하여 기판을 액 처리하는 액 처리 챔버, 상기 기판에 공정 유체를 공급하여 건조하는 건조 챔버, 상기 액 처리 챔버와 상기 건조 챔버 간에 상기 기판을 반송하는 반송 유닛 및 상기 기판의 배면을 세정하는 배면 세정 유닛을 포함하되, 상기 배면 세정 유닛은 상기 액 처리 챔버로부터 상기 건조 챔버로 상기 기판을 반송하는 도중에 상기 기판의 배면을 세정할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes a liquid processing chamber for liquid processing the substrate by supplying a processing liquid to the substrate, a drying chamber for drying the substrate by supplying a process fluid to the substrate, and transporting the substrate between the liquid processing chamber and the drying chamber. It includes a transfer unit and a backside cleaning unit for cleaning the backside of the substrate, wherein the backside cleaning unit may clean the backside of the substrate while transferring the substrate from the liquid processing chamber to the drying chamber.

일 실시예에 의하면, 상기 반송 유닛은 반송 공간을 제공하는 반송 프레임 내부에서 이동하고, 상기 기판이 안착되는 반송 핸드를 가지는 반송 로봇을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the transfer unit may include a transfer robot that moves within a transfer frame that provides a transfer space and has a transfer hand on which the substrate is placed.

일 실시예에 의하면, 상기 배면 세정 유닛은 상기 기판의 배면과 접촉하여 상기 기판의 배면에 잔류하는 상기 처리액을 제거하는 접촉 부재를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the back cleaning unit may include a contact member that contacts the back of the substrate to remove the processing liquid remaining on the back of the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 접촉 부재는 상기 반송 로봇에 설치될 수 있다.According to one embodiment, the contact member may be installed on the transfer robot.

일 실시예에 의하면, 상기 접촉 부재는 상기 핸드보다 아래에 위치하고, 상기 기판이 놓인 상기 핸드의 수직 방향 이동에 의해 상기 기판의 배면과 접촉할 수 있다.According to one embodiment, the contact member is located below the hand and may contact the back surface of the substrate by vertical movement of the hand on which the substrate is placed.

일 실시예에 의하면, 상기 접촉 부재에는 상기 접촉 부재의 상단과 하단을 관통하는 복수 개의 홀이 형성되고, 상기 홀은 상기 접촉 부재의 길이 방향을 따라 서로 이격되게 배치될 수 있다.According to one embodiment, a plurality of holes are formed in the contact member penetrating the upper and lower ends of the contact member, and the holes may be arranged to be spaced apart from each other along the longitudinal direction of the contact member.

일 실시예에 의하면, 상기 반송 프레임 내부에는 상기 기판이 안착되는 슬롯이 형성된 배면 세정 프레임이 설치되고, 상기 배면 세정 프레임은 상기 액 처리 챔버와 상기 반송 프레임 사이에 위치하고, 상기 접촉 부재는 상기 배면 세정 프레임 내부에 설치될 수 있다.According to one embodiment, a back cleaning frame having a slot for seating the substrate is installed inside the transport frame, the back cleaning frame is located between the liquid processing chamber and the transport frame, and the contact member is used to clean the rear surface. Can be installed inside the frame.

일 실시예에 의하면, 상기 접촉 부재는 상기 핸드에 안착된 상기 기판이 상기 배면 세정 프레임 내부로 반송되는 과정에서 상기 기판의 배면과 접촉되는 위치에 설치될 수 있다.According to one embodiment, the contact member may be installed at a position that contacts the back of the substrate while the substrate seated on the hand is transported into the back cleaning frame.

일 실시예에 의하면, 상기 배면 세정 유닛은 상기 기판의 배면으로부터 이격되고, 상기 기판의 배면에 잔류하는 상기 처리액을 비접촉 방식으로 제거하는 비접촉 부재를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the back cleaning unit may be spaced apart from the back of the substrate and may include a non-contact member that removes the processing liquid remaining on the back of the substrate in a non-contact manner.

일 실시예에 의하면, 상기 비접촉 부재는 상기 기판의 배면을 향해 상기 처리액을 제거하는 오염 제거 소스를 공급하되, 상기 오염 제거 소스는 열 또는 기류로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the non-contact member supplies a contamination removal source that removes the processing liquid toward the back of the substrate, and the contamination removal source may be provided as heat or airflow.

일 실시예에 의하면, 상기 비접촉 부재는 상기 반송 로봇에 설치될 수 있다.According to one embodiment, the non-contact member may be installed on the transfer robot.

일 실시예에 의하면, 상기 반송 프레임 내부에는 상기 기판이 안착되는 슬롯들이 형성된 배면 세정 프레임이 설치되고, 상기 배면 세정 프레임은 상기 액 처리 챔버와 상기 반송 프레임 사이에 위치하고, 상기 비접촉 부재는 상기 배면 세정 프레임 내부에 설치될 수 있다.According to one embodiment, a back cleaning frame having slots on which the substrate is seated is installed inside the transport frame, the back cleaning frame is located between the liquid processing chamber and the transport frame, and the non-contact member is used to clean the back surface. Can be installed inside the frame.

일 실시예에 의하면, 상기 건조 챔버는 상기 기판을 지지하는 지지체를 포함하고, 상기 지지체는 상기 액 처리가 완료된 기판의 배면 가장자리 영역을 지지할 수 있다.According to one embodiment, the drying chamber includes a support for supporting the substrate, and the support can support a rear edge area of the substrate on which the liquid treatment has been completed.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 상기 기판에 처리액을 공급하는 액 처리 단계, 상기 액 처리된 기판을 반송하는 반송 단계 및 상기 액 처리된 기판에 공정 유체를 공급하여 상기 기판을 건조하는 건조 단계를 포함하되, 상기 반송 단계에서는 상기 액 처리된 기판을 반송하는 도중에 상기 기판의 배면에 잔류한 상기 처리액을 제거할 수 있다.Additionally, the present invention provides a method for processing a substrate. The method of processing a substrate includes a liquid treatment step of supplying a processing liquid to the substrate, a transport step of returning the liquid-treated substrate, and a drying step of drying the substrate by supplying a process fluid to the liquid-treated substrate. , in the transport step, the processing liquid remaining on the back of the substrate can be removed while transporting the liquid-treated substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 반송 단계에서는 상기 액 처리된 기판과 상기 기판의 배면과 접촉하는 접촉 부재 간의 상호 접촉에 의해 상기 기판의 배면에 잔류하는 상기 처리액을 제거할 수 있다.According to one embodiment, in the transfer step, the processing liquid remaining on the back of the substrate may be removed by mutual contact between the liquid-treated substrate and a contact member in contact with the back of the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 반송 단계는 상기 액 처리된 기판을 반송하는 반송 로봇에 의해 수행되고, 상기 접촉 부재는 상기 반송 로봇에 설치되어 상기 반송 로봇이 상기 액 처리된 기판을 반송하는 동안에 상기 기판의 배면과 접촉할 수 있다.According to one embodiment, the transfer step is performed by a transfer robot that transfers the liquid-treated substrate, and the contact member is installed on the transfer robot to allow the substrate to be moved while the transfer robot transfers the liquid-treated substrate. It can come into contact with the back of the.

일 실시예에 의하면, 상기 접촉 부재는 상기 반송 단계에서 상기 액 처리된 기판을 반송하는 반송 공간 내에 설치된 배면 세정 프레임에 설치되고, 상기 반송 단계는 상기 액 처리 단계가 수행되는 액 처리 챔버로부터 상기 배면 세정 프레임으로 상기 액 처리가 완료된 기판을 반송하는 제1반송 단계, 상기 배면 세정 프레임에서 상기 기판의 배면을 세정하는 배면 세정 단계 및 상기 배면 세정 단계 이후에 상기 기판을 건조 단계가 수행되는 건조 챔버로 반송하는 제2반송 단계를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the contact member is installed on a rear cleaning frame installed in a transport space for transporting the liquid-treated substrate in the transport step, and the transport step is performed on the back surface from the liquid processing chamber in which the liquid treatment step is performed. A first transport step of transporting the substrate on which the liquid treatment has been completed to a cleaning frame, a back cleaning step of cleaning the back side of the substrate in the back cleaning frame, and after the back cleaning step, the substrate to a drying chamber where a drying step is performed. It may include a second return step of return.

일 실시예에 의하면, 상기 반송 단계에서 상기 액 처리된 기판의 배면에 잔류하는 상기 처리액은 상기 기판의 배면을 향해 상기 처리액을 제거하는 오염 제거 소스를 공급하는 비접촉 부재에 의해 비접촉 방식으로 상기 기판으로부터 제거될 수 있다.According to one embodiment, the processing liquid remaining on the back of the liquid-treated substrate in the transfer step is transferred to the back of the substrate in a non-contact manner by a non-contact member that supplies a decontamination source that removes the processing liquid. Can be removed from the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 비접촉 부재는 상기 반송 단계에서 상기 액 처리된 기판을 반송하는 반송 로봇 및/또는 상기 반송 단계에서 상기 액 처리된 기판을 반송하는 반송 공간 내에 설치된 배면 세정 프레임에 설치될 수 있다.According to one embodiment, the non-contact member may be installed on a transfer robot that transfers the liquid-treated substrate in the transfer step and/or a back cleaning frame installed in a transfer space that transfers the liquid-treated substrate in the transfer step. there is.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 상기 기판의 상면에 처리액을 공급하여 기판을 액 처리하는 액 처리 챔버, 상기 기판에 초임계 유체를 공급하여 상기 기판을 건조하는 건조 챔버, 상기 액 처리 챔버와 상기 건조 챔버 간에 상기 기판을 반송하는 반송 유닛 및 상기 기판의 배면을 세정하는 배면 세정 유닛을 포함하되, 상기 건조 챔버는 내부 공간을 가지는 하우징 및 상기 내부 공간에서 상기 액 처리가 완료된 기판의 배면 가장자리 영역을 지지하는 지지 유닛을 포함하고, 상기 배면 세정 유닛은 상기 액 처리 챔버로부터 상기 건조 챔버로 상기 기판을 반송하는 도중에 상기 기판의 배면을 접촉 방식 및/또는 비접촉 방식으로 세정하여 상기 기판의 배면에 잔류하는 상기 처리액을 제거할 수 있다.Additionally, the present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes a liquid processing chamber for liquid processing the substrate by supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate, a drying chamber for drying the substrate by supplying a supercritical fluid to the substrate, the liquid processing chamber, and the drying chamber. It includes a transfer unit that transfers the substrate between the substrates and a back cleaning unit that cleans the back side of the substrate, wherein the drying chamber includes a housing having an inner space and a back edge area of the substrate on which the liquid treatment has been completed in the inner space. and a support unit, wherein the back surface cleaning unit cleans the back surface of the substrate in a contact and/or non-contact manner while transporting the substrate from the liquid processing chamber to the drying chamber to process the residue remaining on the back surface of the substrate. Liquid can be removed.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판을 효율적으로 세정할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a substrate can be cleaned efficiently.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 이면에 잔류하는 액을 효율적으로 제거할 수 있다.Additionally, according to an embodiment of the present invention, the liquid remaining on the back side of the substrate can be efficiently removed.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 기판을 반송하는 도중에 기판의 이면에 잔류하는 액을 효율적으로 제거할 수 있다.Additionally, according to an embodiment of the present invention, the liquid remaining on the back side of the substrate can be efficiently removed while the substrate is being transported.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above, and effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the attached drawings.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 건조 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1의 반송 유닛과 배면 세정 유닛의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 5 내지 도 7은 도 4의 배면 세정 유닛의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 플로우 차트이다.
도 9는 도 8의 일 실시예에 따른 액 처리 단계에서 기판을 처리하는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 10과 도 11은 도 8의 일 실시예에 따른 반송 단계에서 액 처리가 완료된 기판을 배면 세정 위치로 위치시키는 모습을 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 12 및 도 13은 도 8의 일 실시예에 따른 건조 단계에서 기판이 건조되는 모습을 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 14는 도 4의 배면 세정 유닛의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 15는 도 14의 배면 세정 유닛의 일 실시예를 상부에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 16은 도 14의 일 실시예에 따른 배면 세정 유닛이 기판의 배면을 세정하는 모습을 정면에서 바라본 도면이다.
도 17은 도 1의 기판 처리 장치의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 18는 도 17의 배면 세정 프레임의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 19은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법의 플로우 차트이다.
도 20은 도 19의 일 실시예에 따른 배면 세정 단계에서 기판의 배면이 세정되는 모습을 상부에서 바라본 도면이다.
1 is a diagram schematically showing an embodiment of a substrate processing apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically showing an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 1.
FIG. 3 is a diagram schematically showing an embodiment of the drying chamber of FIG. 1.
FIG. 4 is a perspective view schematically showing an embodiment of the transfer unit and the back cleaning unit of FIG. 1.
Figures 5 to 7 are perspective views schematically showing another embodiment of the rear cleaning unit of Figure 4.
Figure 8 is a flow chart of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a diagram schematically showing processing of a substrate in a liquid processing step according to an embodiment of FIG. 8.
FIGS. 10 and 11 are sequential views showing how a substrate on which liquid treatment has been completed is placed in a backside cleaning position in the transfer step according to an embodiment of FIG. 8 .
Figures 12 and 13 are diagrams sequentially showing how a substrate is dried in the drying step according to an embodiment of Figure 8.
Figure 14 is a perspective view schematically showing another embodiment of the rear cleaning unit of Figure 4.
FIG. 15 is a diagram schematically showing an embodiment of the back cleaning unit of FIG. 14 as seen from the top.
FIG. 16 is a front view showing the back side cleaning unit according to the embodiment of FIG. 14 cleaning the back side of the substrate.
FIG. 17 is a diagram schematically showing another embodiment of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
FIG. 18 is a perspective view schematically showing an embodiment of the rear cleaning frame of FIG. 17.
19 is a flow chart of a substrate processing method according to another embodiment of the present invention.
FIG. 20 is a view from above showing the back side of the substrate being cleaned in the back side cleaning step according to the embodiment of FIG. 19.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the attached drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This example is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the art. Therefore, the shapes of components in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer explanation.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The above terms may be used for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, a first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component without departing from the scope of the present invention.

본 실시예에서는 기판(W) 상에 세정액 같은 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 공정을 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 실시예는 세정 공정에 한정되는 것은 아니고, 식각 공정, 애싱 공정, 또는 현상 공정 등과 같이 액을 사용하여 기판(W)을 처리하는 다양한 공정에 적용될 수 있다.In this embodiment, a process of liquid treatment of the substrate W by supplying a liquid such as a cleaning liquid to the substrate W will be described as an example. However, this embodiment is not limited to the cleaning process, and can be applied to various processes that process the substrate W using a liquid, such as an etching process, an ashing process, or a developing process.

이하에서는, 도 1 내지 도 20을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 공정 유체를 사용하여 기판(W)을 건조하는 건조 공정을 포함한 세정 공정을 수행할 수 있다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 20. The substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention may perform a cleaning process including a drying process of drying the substrate W using a process fluid.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(10, Index Module)과 처리 모듈(20, Treating Module)을 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일 방향을 따라 배치된다. 이하에서는, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(2)이라 정의한다. 상부에서 바라볼 때, 제1방향(2)과 수직한 방향을 제2방향(4)이라 하고, 제1방향(2)과 제2방향(4)을 모두 포함한 평면에 수직한 방향을 제3방향(6)이라 정의한다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the substrate processing device 1 includes an index module (10) and a processing module (20). According to one embodiment, the index module 10 and the processing module 20 are arranged along one direction. Hereinafter, the direction in which the index module 10 and the processing module 20 are arranged is defined as the first direction 2. When viewed from the top, the direction perpendicular to the first direction (2) is called the second direction (4), and the direction perpendicular to the plane including both the first direction (2) and the second direction (4) is called the third direction. It is defined as direction (6).

인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 용기(F)로부터 기판(W)을 처리하는 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송한다. 인덱스 모듈(10)은 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(F)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(4)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120)와 인덱스 프레임(140)을 가진다.The index module 10 transports the substrate W from the container F in which the substrate W is stored to the processing module 20 that processes the substrate W. The index module 10 stores the substrate W that has been processed in the processing module 20 into a container F. The longitudinal direction of the index module 10 is provided in the second direction 4. The index module 10 has a load port 120 and an index frame 140.

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 용기(F)가 안착된다. 로드 포트(120)는 인덱스 프레임(140)을 기준으로 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치한다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공될 수 있다. 복수의 로드 포트(120)들은 제2방향(4)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 로드 포트(120)의 개수는 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다.A container (F) containing a substrate (W) is seated in the load port 120. The load port 120 is located on the opposite side of the processing module 20 based on the index frame 140. A plurality of load ports 120 may be provided. A plurality of load ports 120 may be arranged in a row along the second direction 4. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the processing module 20.

용기(F)에는 복수 개의 슬롯(미도시)들이 형성된다. 슬롯(미도시)들은 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납할 수 있다. 용기(F)는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(F)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)이나 작업자에 의해 로드 포트(120)에 놓일 수 있다.A plurality of slots (not shown) are formed in the container F. Slots (not shown) can accommodate the substrates W arranged horizontally with respect to the ground. The container (F) may be an airtight container such as a front opening unified pod (FOUP). Container F may be placed in load port 120 by an operator or a transfer means (not shown) such as an overhead transfer, overhead conveyor, or Automatic Guided Vehicle. there is.

인덱스 프레임(140)의 내부에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 인덱스 프레임(140) 내에서 그 길이 방향이 제2방향(4)을 따라 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 기판(W)을 반송할 수 있다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 모듈(10)과 후술할 버퍼 유닛(220) 사이에 기판(W)을 반송할 수 있다.An index rail 142 and an index robot 144 are provided inside the index frame 140. The index rail 142 is provided in the index frame 140 with its longitudinal direction along the second direction 4. The index robot 144 can transport the substrate W. The index robot 144 may transport the substrate W between the index module 10 and the buffer unit 220, which will be described later.

인덱스 로봇(144)은 인덱스 핸드(146)를 포함한다. 인덱스 핸드(146)에는 기판(W)이 안착된다. 인덱스 핸드(146)는 인덱스 레일(142) 상에서 제2방향(4)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 이에, 인덱스 핸드(146)는 인덱스 레일(142)을 따라 전진 및 후진 이동이 가능하다. 또한, 인덱스 핸드(146)는 제3방향(6)을 축으로 한 회전이 가능하게 제공될 수 있다. 또한, 인덱스 핸드(146)는 제3방향(6)을 따라 수직 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 핸드(146)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 인덱스 핸드(146)들은 상하 방향으로 이격되게 제공될 수 있다. 복수의 인덱스 핸드(146)들은 서로 독립적으로 전진, 후진, 및 회전 운동할 수 있다.Index robot 144 includes an index hand 146. The substrate W is seated on the index hand 146. The index hand 146 may be provided to be movable along the second direction 4 on the index rail 142. Accordingly, the index hand 146 can move forward and backward along the index rail 142. Additionally, the index hand 146 may be provided to rotate around the third direction 6. Additionally, the index hand 146 may be provided to be vertically movable along the third direction 6. A plurality of index hands 146 may be provided. A plurality of index hands 146 may be provided to be spaced apart in the vertical direction. The plurality of index hands 146 can move forward, backward, and rotationally independently of each other.

제어기(30)는 기판 처리 장치(1)를 제어할 수 있다. 제어기(30)는 기판 처리 장치(1)의 제어를 실행하는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치(1)를 관리하기 위해서 커맨드 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치(1)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 기판 처리 장치(1)에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부를 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 기억부는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다. 처리 레시피는 기억 부 중 기억 매체에 기억되어 있을 수 있고, 기억 매체는, 하드 디스크이어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 가반성 디스크나, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리 일 수도 있다.The controller 30 can control the substrate processing device 1 . The controller 30 includes a process controller consisting of a microprocessor (computer) that controls the substrate processing device 1, a keyboard that allows an operator to input commands to manage the substrate processing device 1, and a substrate processing device. A user interface consisting of a display that visualizes and displays the operation status of the device 1, a control program for executing the processing performed in the substrate processing device 1 under the control of a process controller, and various data and processing conditions. Each component may be provided with a storage unit in which a program for executing processing, that is, a processing recipe, is stored. Additionally, the user interface and storage may be connected to the process controller. The processing recipe may be stored in a storage medium in the storage unit, and the storage medium may be a hard disk, a portable disk such as a CD-ROM or DVD, or a semiconductor memory such as a flash memory.

제어기(30)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(1)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(30)는 후술하는 반송 유닛(500)과 배면 세정 유닛(600)에 제공되는 구성들을 제어하여 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있다.The controller 30 may control the substrate processing device 1 to perform the substrate processing method described below. For example, the controller 30 may perform a substrate processing method described below by controlling the components provided in the transfer unit 500 and the back cleaning unit 600, which will be described later.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 반송 프레임(240), 액 처리 챔버(300), 건조 챔버(400), 반송 유닛(500), 그리고 배면 세정 유닛(600)을 포함할 수 있다. 버퍼 유닛(220)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 버퍼 공간을 제공한다. 반송 프레임(240)은 버퍼 유닛(220), 액 처리 챔버(300), 그리고 건조 챔버(400) 간에 기판(W)을 반송하는 반송 공간을 제공한다. 또한, 버퍼 프레임(240)은 액 처리 챔버(300)에서 액 처리가 완료된 기판(W)을 액 처리 챔버(300)로부터 건조 챔버(400)로 반송되는 도중에 기판(W)의 배면을 세정하는 배면 세정 공간을 제공한다.The processing module 20 may include a buffer unit 220, a transfer frame 240, a liquid processing chamber 300, a drying chamber 400, a transfer unit 500, and a back cleaning unit 600. The buffer unit 220 provides a buffer space where the substrate W brought into the processing module 20 and the substrate W taken out from the processing module 20 temporarily stay. The transport frame 240 provides a transport space for transporting the substrate W between the buffer unit 220, the liquid processing chamber 300, and the drying chamber 400. In addition, the buffer frame 240 is a back surface for cleaning the back surface of the substrate W while the substrate W on which liquid treatment has been completed in the liquid processing chamber 300 is transported from the liquid processing chamber 300 to the drying chamber 400. Provide a cleaning space.

액 처리 챔버(300)와 건조 챔버(400)는 세정 공정을 수행할 수 있다. 세정 공정은 액 처리 챔버(300)와 건조 챔버(400)에서 순차적으로 수행될 수 있다. 액 처리 챔버(300)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 액 처리 챔버(300)에서는 기판(W) 상에 처리액을 공급할 수 있다. 예컨대, 처리액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 건조 챔버(400)는 기판(W) 상에 잔류하는 액을 건조하는 건조 처리를 수행할 수 있다. 예컨대, 건조 챔버(400)에서는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상에 잔류하는 액을 건조하는 건조 처리가 수행될 수 있다.The liquid processing chamber 300 and the drying chamber 400 may perform a cleaning process. The cleaning process may be sequentially performed in the liquid processing chamber 300 and the drying chamber 400. The liquid processing chamber 300 supplies liquid onto the substrate W and performs a liquid treatment process to treat the substrate W. The liquid processing chamber 300 may supply a processing liquid onto the substrate W. For example, the treatment liquid may be at least one of a chemical, a rinse liquid, and an organic solvent. The drying chamber 400 may perform a drying process to dry the liquid remaining on the substrate W. For example, in the drying chamber 400, a drying process may be performed to dry the liquid remaining on the substrate W using a supercritical fluid.

버퍼 유닛(220)은 인덱스 프레임(140)과 반송 프레임(240) 사이에 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(220)은 반송 프레임(240)의 일단에 위치될 수 있다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)은 복수 개 제공된다. 복수의 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(6)을 따라 이격되게 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(220)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 프레임(240)과 마주보는 면일 수 있다. 인덱스 로봇(144)은 전면을 통해 버퍼 유닛(220)에 접근하고, 후술하는 반송 로봇(540)은 후면을 통해 버퍼 유닛(220)에 접근할 수 있다.The buffer unit 220 may be placed between the index frame 140 and the transport frame 240. The buffer unit 220 may be located at one end of the transport frame 240. A slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided inside the buffer unit 220. A plurality of slots (not shown) are provided. A plurality of slots (not shown) may be arranged to be spaced apart from each other along the third direction 6. The front face and rear face of the buffer unit 220 are open. The front may be a side facing the index module 10, and the back side may be a side facing the transport frame 240. The index robot 144 can access the buffer unit 220 through the front, and the transfer robot 540, described later, can access the buffer unit 220 through the rear.

반송 프레임(240)은 내부에 기판(W)이 반송되는 반송 공간을 가진다. 반송 프레임(240)은 내부에 버퍼 유닛(220), 액 처리 챔버(300), 그리고 건조 챔버(400) 간에 기판(W)이 반송되는 반송 공간을 가질 수 있다. 반송 공간에는 후술하는 반송 유닛(500)이 가지는 구성들이 배치될 수 있다. 예컨대, 반송 공간에는 후술하는 가이드 레일(520)과 반송 로봇(540)이 배치될 수 있다.The transport frame 240 has a transport space inside where the substrate W is transported. The transport frame 240 may have a transport space inside where the substrate W is transported between the buffer unit 220, the liquid processing chamber 300, and the drying chamber 400. Configurations of the transfer unit 500, which will be described later, may be disposed in the transfer space. For example, a guide rail 520 and a transfer robot 540, which will be described later, may be placed in the transfer space.

반송 프레임(240)의 반송 공간 상부면에는 반송 공간으로 하강 기류를 형성하는 팬 필터 유닛(미도시)이 설치될 수 있다. 팬 필터 유닛(미도시)은 팬과 필터를 포함할 수 있다. 팬 필터 유닛(미도시)은 외부의 에어를 반송 공간에 공급한다. 필터는 에어에 포함되는 불순물을 제거한다.A fan filter unit (not shown) that forms a downward airflow into the conveyance space may be installed on the upper surface of the conveyance space of the conveyance frame 240. A fan filter unit (not shown) may include a fan and a filter. A fan filter unit (not shown) supplies external air to the transfer space. The filter removes impurities contained in the air.

반송 프레임(240)의 반송 공간 하부면에는 배기 부재(242)가 설치될 수 있다. 배기 부재(242)는 복수 개 제공될 수 있다. 배기 부재(242)는 반송 공간 내에 음압을 형성할 수 있다. 배기 부재(242)는 반송 공간에서 발생된 각종 파티클 및 부산물 등을 반송 공간의 외부로 배출시킬 수 있다. 이에, 반송 공간 내에 존재하는 파티클 등은 팬 필터 유닛(미도시)에 의해 형성된 반송 공간의 하강 기류에 편승하여 배기 부재(242)를 통해 반송 공간의 외부로 배출될 수 있다.An exhaust member 242 may be installed on the lower surface of the transport space of the transport frame 240. A plurality of exhaust members 242 may be provided. The exhaust member 242 can create negative pressure within the conveyance space. The exhaust member 242 can discharge various particles and by-products generated in the transfer space to the outside of the transfer space. Accordingly, particles existing in the transfer space may be discharged to the outside of the transfer space through the exhaust member 242 by riding on the downward air current of the transfer space formed by the fan filter unit (not shown).

반송 프레임(240)은 그 길이 방향이 제1방향(2)을 따라 제공될 수 있다. 반송 프레임(240)의 양 측에는 액 처리 챔버(300)와 건조 챔버(400)가 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(300)와 건조 챔버(400)는 반송 프레임(240)의 측부에 배치될 수 있다. 반송 프레임(240)과 액 처리 챔버(300)는 제2방향(4)을 따라 배치될 수 있다. 또한, 반송 프레임(240)과 건조 챔버(400)는 제2방향(4)을 따라 배치될 수 있다.The transport frame 240 may be provided along the first direction 2 in its longitudinal direction. A liquid processing chamber 300 and a drying chamber 400 may be disposed on both sides of the transport frame 240. The liquid processing chamber 300 and the drying chamber 400 may be disposed on the side of the transport frame 240. The transport frame 240 and the liquid processing chamber 300 may be arranged along the second direction 4. Additionally, the transport frame 240 and the drying chamber 400 may be arranged along the second direction 4.

일 예에 의하면, 액 처리 챔버(300)들은 반송 프레임(240)의 양 측에 배치되고, 건조 챔버(400)들은 반송 프레임(240)의 양 측에 배치된다. 액 처리 챔버(300)들은 건조 챔버(400)들보다 버퍼 유닛(220)에 상대적으로 가까운 위치에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(300)들은 반송 프레임(240)의 일 측에서 제1방향(2) 및 제3방향(6)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(2)을 따라 일렬로 제공된 액 처리 챔버(300)의 수이고, B는 제3방향(6)을 따라 일렬로 제공된 액 처리 챔버(300)의 수이다. 예컨대, 반송 프레임(240)의 일 측에 액 처리 챔버(300)가 4개 제공되는 경우, 액 처리 챔버(300)들은 2 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(300)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 액 처리 챔버(300)는 반송 프레임(240)의 일 측에만 제공되고, 일 측과 대향되는 타 측에는 건조 챔버(400)들만 배치될 수 있다. 또한, 액 처리 챔버(300)와 건조 챔버(400)는 반송 프레임(240)의 일 측 및 양 측에 단층으로 제공될 수 있다.According to one example, the liquid processing chambers 300 are disposed on both sides of the conveyance frame 240, and the drying chambers 400 are disposed on both sides of the conveyance frame 240. The liquid processing chambers 300 may be disposed relatively closer to the buffer unit 220 than the drying chambers 400 . The liquid processing chambers 300 may be provided in an A You can. Here, A is the number of liquid processing chambers 300 provided in a row along the first direction 2, and B is the number of liquid processing chambers 300 provided in a row along the third direction 6. For example, when four liquid processing chambers 300 are provided on one side of the transport frame 240, the liquid processing chambers 300 may be arranged in a 2×2 arrangement. The number of liquid processing chambers 300 may increase or decrease. Unlike the above, the liquid processing chamber 300 may be provided only on one side of the transport frame 240, and only the drying chambers 400 may be disposed on the other side opposite to one side. Additionally, the liquid processing chamber 300 and the drying chamber 400 may be provided in a single layer on one and both sides of the transport frame 240.

액 처리 챔버(300)는 기판(W)에 대해 액 처리하는 공정을 수행한다. 예컨대, 액 처리 챔버(300)는 기판(W)에 부착된 공정 부산물 등을 제거하는 세정 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 액 처리 챔버(300)는 기판(W)을 처리하는 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리, 각각의 액 처리 챔버(300)들은 서로 동일한 구조를 가질 수 있다.The liquid processing chamber 300 performs a liquid treatment process on the substrate W. For example, the liquid processing chamber 300 may be a chamber that performs a cleaning process to remove process by-products attached to the substrate W. The liquid processing chamber 300 may have different structures depending on the type of process for processing the substrate W. In contrast, each liquid processing chamber 300 may have the same structure.

도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 챔버(300)는 하우징(310), 처리 용기(320), 지지 유닛(330), 그리고 액 공급 유닛(340)을 포함한다.FIG. 2 is a diagram schematically showing an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 1. Referring to FIG. 2 , the liquid processing chamber 300 includes a housing 310, a processing vessel 320, a support unit 330, and a liquid supply unit 340.

하우징(310)은 내부 공간을 가진다. 하우징(310)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(310)의 일 측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구(미도시)는 기판(W)이 후술하는 반송 로봇(540)에 의해 하우징(310)의 내부 공간으로 반입되거나, 내부 공간으로부터 반출되는 출입구로 기능한다. 처리 용기(320), 지지 유닛(330), 그리고 액 공급 유닛(340)은 하우징(310)의 내부 공간에 배치된다.Housing 310 has an internal space. The housing 310 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped. An opening (not shown) is formed on one side of the housing 310. The opening (not shown) functions as an entrance through which the substrate W is brought into or taken out of the internal space of the housing 310 by the transfer robot 540, which will be described later. The processing vessel 320, the support unit 330, and the liquid supply unit 340 are disposed in the inner space of the housing 310.

처리 용기(320)는 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 처리 용기(320)는 처리 공간을 가지는 바울(Bowl)일 수 있다. 처리 용기(320)는 처리 공간을 감싸도록 제공될 수 있다. 처리 용기(320)가 가지는 처리 공간은 후술하는 지지 유닛(330)이 기판(W)을 지지 및 회전시키는 공간으로 제공된다. 처리 공간은 후술하는 액 공급 유닛(340)이 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 공간으로 제공된다.The processing vessel 320 has a processing space with an open top. The processing vessel 320 may be a bowl having a processing space. The processing vessel 320 may be provided to surround the processing space. The processing space of the processing container 320 is provided as a space in which a support unit 330, which will be described later, supports and rotates the substrate W. The processing space is provided as a space where a liquid supply unit 340, which will be described later, supplies liquid to the substrate W to process the substrate W.

일 예에 의하면, 처리 용기(320)는 안내벽(321)과 복수의 회수통들(323, 325, 327)을 가질 수 있다. 각각의 회수통들(323, 325, 327)은 기판(W)의 처리에 사용된 액들 중 서로 상이한 액을 분리 회수한다. 회수통들(323, 325, 327)은 각각 기판(W)의 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가질 수 있다.According to one example, the processing vessel 320 may have a guide wall 321 and a plurality of recovery bins 323, 325, and 327. Each of the recovery containers 323, 325, and 327 separates and recovers different liquids among the liquids used to treat the substrate W. The recovery containers 323, 325, and 327 may each have a recovery space for recovering the liquid used to treat the substrate W.

안내벽(321)과 회수통들(323, 325, 327)은 지지 유닛(330)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 기판(W) 상에 액을 공급할 때, 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 액은 후술하는 각각의 회수통들(323, 325, 327)의 유입구들 회수통들(323a, 325a, 327a)을 통해 회수 공간으로 유입될 수 있다. 각각의 회수통들(323, 325, 327)에는 서로 상이한 종류의 액이 유입될 수 있다.The guide wall 321 and the recovery containers 323, 325, and 327 are provided in an annular ring shape surrounding the support unit 330. When supplying liquid onto the substrate W, the liquid scattered by the rotation of the substrate W flows into the inlets of the recovery tanks 323, 325, and 327, which will be described later. It can flow into the recovery space through . Different types of liquid may flow into each of the recovery containers 323, 325, and 327.

처리 용기(320)는 안내벽(321), 제1회수통(323), 제2회수통(325), 그리고 제3회수통(327)을 가진다. 안내벽(321)은 지지 유닛(330)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제1회수통(323)은 안내벽(321)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제2회수통(325)은 제1회수통(323)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제3회수통(327)은 제2회수통(325)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다.The processing container 320 has a guide wall 321, a first recovery container 323, a second recovery container 325, and a third recovery container 327. The guide wall 321 is provided in an annular ring shape surrounding the support unit 330. The first recovery tank 323 is provided in an annular ring shape surrounding the guide wall 321. The second recovery container 325 is provided in an annular ring shape surrounding the first recovery container 323. The third recovery container 327 is provided in an annular ring shape surrounding the second recovery container 325.

안내벽(321)과 제1회수통(323)의 사이 공간은 액이 유입되는 제1유입구(323a)로 기능한다. 제1회수통(323)과 제2회수통(325)의 사이 공간은 액이 유입되는 제2유입구(325a)로 기능한다. 제2회수통(325)과 제3회수통(327)의 사이 공간은 액이 유입되는 제3유입구(327a)로 기능한다. 제2유입구(325a)는 제1유입구(323a)보다 상부에 위치되고, 제3유입구(327a)는 제2유입구(325a)보다 상부에 위치될 수 있다. 제1유입구(323a)로 유입되는 액, 제2유입구(325a)로 유입되는 액, 그리고 제3유입구(327a)로 유입되는 액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다.The space between the guide wall 321 and the first recovery container 323 functions as a first inlet 323a through which liquid flows. The space between the first recovery container 323 and the second recovery container 325 functions as a second inlet 325a through which liquid flows. The space between the second recovery container 325 and the third recovery container 327 functions as a third inlet 327a through which liquid flows. The second inlet 325a may be located above the first inlet 323a, and the third inlet 327a may be located above the second inlet 325a. The liquid flowing into the first inlet 323a, the liquid flowing into the second inlet 325a, and the liquid flowing into the third inlet 327a may be different types of liquid.

안내벽(321)의 하단과 제1회수통(323)의 사이 공간은 액으로부터 발생된 흄(Fume)과 기류가 배출되는 제1배출구(323b)로 기능한다. 제1회수통(323)의 하단과 제2회수통(325)의 사이 공간은 액으로부터 발생된 흄과 기류가 배출되는 제2배출구(325b)로 기능한다. 제2회수통(325)의 하단과 제3회수통(327)의 사이 공간은 액으로부터 발생된 흄과 기류가 배출되는 제3배출구(327b)로 기능한다. 제1배출구(323b), 제2배출구(325b), 그리고 제3배출구(327b)로부터 배출된 흄과 기류는 후술하는 배기 유닛(370)을 통해 액 처리 챔버(300)의 외부로 배기된다.The space between the lower end of the guide wall 321 and the first recovery container 323 functions as a first outlet 323b through which fume and airflow generated from the liquid are discharged. The space between the lower end of the first recovery container 323 and the second recovery container 325 functions as a second discharge port 325b through which fume and airflow generated from the liquid are discharged. The space between the lower end of the second recovery container 325 and the third recovery container 327 functions as a third discharge port 327b through which fume and airflow generated from the liquid are discharged. The fume and airflow discharged from the first outlet 323b, the second outlet 325b, and the third outlet 327b are exhausted to the outside of the liquid processing chamber 300 through an exhaust unit 370, which will be described later.

각각의 회수통들(323, 325, 327)의 저면에는 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수 라인들(323c, 325c, 327c)이 연결된다. 각각의 회수 라인들(323c, 325c, 327c)은 각각의 회수통들(323, 325, 327)을 통해 유입된 액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.Recovery lines 323c, 325c, and 327c extending vertically downward are connected to the bottom of each recovery container 323, 325, and 327. Each of the recovery lines (323c, 325c, and 327c) discharges the liquid introduced through the respective recovery containers (323, 325, and 327). The discharged treated liquid can be reused through an external liquid regeneration system (not shown).

지지 유닛(330)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지하고 회전시킨다. 지지 유닛(330)은 스핀 척(331), 지지 핀(333), 척 핀(335), 회전 축(337), 그리고 구동기(339)를 가질 수 있다.The support unit 330 supports and rotates the substrate W within the processing space. The support unit 330 may have a spin chuck 331, a support pin 333, a chuck pin 335, a rotation shaft 337, and a driver 339.

스핀 척(331)은 상부에서 바라볼 때, 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 스핀 척(331)의 상부면은 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다.The spin chuck 331 has an upper surface that is generally circular when viewed from above. The upper surface of the spin chuck 331 may have a larger diameter than the substrate W.

지지 핀(333)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(333)은 스핀 척(331)의 상부면에 배치된다. 지지 핀(333)은 스핀 척(331)의 상부면 가장자리부에 일정 간격으로 이격되게 배치된다. 지지 핀(333)은 스핀 척(331)의 상부면으로부터 위 방향으로 돌출되게 형성된다. 지지 핀(333)들은 서로 간의 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 갖도록 배치된다. 지지 핀(333)은 스핀 척(331)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정 거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리 영역을 지지한다.A plurality of support pins 333 are provided. The support pin 333 is disposed on the upper surface of the spin chuck 331. The support pins 333 are disposed at regular intervals on the edge of the upper surface of the spin chuck 331. The support pin 333 is formed to protrude upward from the upper surface of the spin chuck 331. The support pins 333 are arranged to have an overall annular ring shape by combining them with each other. The support pin 333 supports the rear edge area of the substrate W so that the substrate W is spaced a certain distance from the upper surface of the spin chuck 331.

척 핀(335)은 복수 개 제공된다. 척 핀(335)은 지지 핀(333)보다 스핀 척(331)의 중심 영역으로부터 상대적으로 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(335)은 스핀 척(331)의 상부면으로부터 위 방향으로 돌출된다. 척 핀(335)은 기판(W)이 회전될 때, 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부 영역을 지지한다. 척 핀(335)은 스핀 척(331)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동이 가능하게 제공된다. 대기 위치는 후술하는 반송 로봇(540)으로부터 기판(W)을 인수받거나, 반송 로봇(540)에 기판(W)을 인계할 때의 척 핀(335)의 위치로 정의된다. 지지 위치는 기판(W)에 대해 공정 수행할 때의 척 핀(336)의 위치로 정의된다. 지지 위치에서 척 핀(335)은 기판(W)의 측부와 접촉된다. 대기 위치는 지지 위치와 비교하여 상대적으로 스핀 척(331)의 중심으로부터 먼 위치로 제공된다.A plurality of chuck pins 335 are provided. The chuck pin 335 is arranged to be relatively farther away from the center area of the spin chuck 331 than the support pin 333. The chuck pin 335 protrudes upward from the upper surface of the spin chuck 331. The chuck pin 335 supports the side area of the substrate W so that it does not deviate laterally from its original position when the substrate W is rotated. The chuck pin 335 is provided to enable linear movement between the standby position and the support position along the radial direction of the spin chuck 331. The standby position is defined as the position of the chuck pin 335 when receiving the substrate W from the transfer robot 540, which will be described later, or handing over the substrate W to the transfer robot 540. The support position is defined as the position of the chuck pin 336 when performing a process on the substrate W. In the support position, the chuck pin 335 is in contact with the side of the substrate W. The standby position is provided as a position relatively distant from the center of the spin chuck 331 compared to the support position.

회전 축(337)은 스핀 척(331)과 결합된다. 회전 축(337)은 스핀 척(331)의 하면과 결합한다. 회전 축(337)은 길이 방향이 제3방향(6)을 향하도록 제공될 수 있다. 회전 축(337)은 구동기(339)로부터 동력을 전달받아 회전 가능하도록 제공된다. 회전 축(337)이 구동기(339)에 의해 회전되고, 회전 축(337)을 매개로 스핀 척(331)이 회전된다. 구동기(339)는 회전 축(337)을 회전시킨다. 구동기(339)는 회전 축(337)의 회전 속도를 가변할 수 있다. 구동기(339)는 구동력을 제공하는 모터일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 구동력을 제공하는 공지된 장치로 다양하게 변형되어 제공될 수 있다.The rotation axis 337 is coupled to the spin chuck 331. The rotation axis 337 is coupled to the lower surface of the spin chuck 331. The rotation axis 337 may be provided so that its longitudinal direction faces the third direction (6). The rotation shaft 337 is provided so that it can rotate by receiving power from the driver 339. The rotation axis 337 is rotated by the driver 339, and the spin chuck 331 is rotated via the rotation axis 337. The driver 339 rotates the rotation shaft 337. The driver 339 can vary the rotation speed of the rotation shaft 337. The driver 339 may be a motor that provides driving force. However, it is not limited to this, and may be provided in various modifications to known devices that provide driving force.

액 공급 유닛(340)은 기판(W)에 액을 공급한다. 액 공급 유닛(340)은 지지 유닛(330)에 지지된 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(340)이 기판(W)에 공급하는 처리액은 복수의 종류로 제공된다. 일 예에 의하면, 처리액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The liquid supply unit 340 supplies liquid to the substrate (W). The liquid supply unit 340 supplies processing liquid to the substrate W supported on the support unit 330 . The processing liquid supplied by the liquid supply unit 340 to the substrate W is provided in plural types. According to one example, the treatment liquid may include at least one of a chemical, a rinse liquid, and an organic solvent.

액 공급 유닛(340)은 지지 로드(341), 아암(342), 구동기(343), 액 공급 노즐(344)을 포함할 수 있다. 지지 로드(341)는 하우징(310)의 내부 공간에 위치한다. 지지 로드(341)는 내부 공간에서 처리 용기(320)의 일 측에 위치할 수 있다. 지지 로드(341)는 그 길이 방향이 제3방향(6)을 향하는 로드 형상을 가질 수 있다. 지지 로드(341)는 후술하는 구동기(343)에 의해 회전 가능하도록 제공된다.The liquid supply unit 340 may include a support rod 341, an arm 342, an actuator 343, and a liquid supply nozzle 344. The support rod 341 is located in the inner space of the housing 310. The support rod 341 may be located on one side of the processing vessel 320 in the internal space. The support rod 341 may have a rod shape with its longitudinal direction facing the third direction 6. The support rod 341 is provided to be rotatable by a driver 343, which will be described later.

아암(342)은 지지 로드(341)의 상단에 결합된다. 아암(342)은 지지 로드(341)의 길이 방향으로부터 수직하게 연장된다. 아암(342)은 제3방향(6)으로 그 길이 방향이 형성될 수 있다. 아암(342)의 끝단에는 후술하는 액 공급 노즐(344)이 고정 결합될 수 있다.Arm 342 is coupled to the upper end of support rod 341. The arm 342 extends perpendicularly from the longitudinal direction of the support rod 341. The arm 342 may be formed in a longitudinal direction in the third direction 6. A liquid supply nozzle 344, which will be described later, may be fixedly coupled to the end of the arm 342.

아암(342)은 그 길이 방향을 따라 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 아암(342)은 지지 로드(341)를 매개로, 지지 로드(341)를 회전시키는 구동기(343)에 의해 스윙 이동될 수 있다. 아암(342)의 회전에 의해 액 공급 노즐(344)도 스윙 이동되어 공정 위치와 대기 위치 간에 이동될 수 있다.The arm 342 may be provided to enable forward and backward movement along its longitudinal direction. The arm 342 may be swing-moved via the support rod 341 by an actuator 343 that rotates the support rod 341. As the arm 342 rotates, the liquid supply nozzle 344 may also swing and move between the process position and the standby position.

공정 위치는 액 공급 노즐(344)이 지지 유닛(330)에 지지된 기판(W)과 대향하는 위치일 수 있다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 액 공급 노즐(344)의 중심과 지지 유닛(330)에 지지된 기판(W)의 중심이 대향되는 위치일 수 있다. 대기 위치는 액 공급 노즐(344)이 공정 위치를 벗어난 위치일 수 있다.The process position may be a position where the liquid supply nozzle 344 faces the substrate W supported on the support unit 330. According to one example, the process location may be a location where the center of the liquid supply nozzle 344 and the center of the substrate W supported on the support unit 330 face each other. The standby position may be a position where the liquid supply nozzle 344 is outside the process position.

구동기(343)는 지지 로드(341)와 결합한다. 구동기(343)는 하우징(310)의 바닥면에 배치될 수 있다. 구동기(343)는 지지 로드(341)를 회전시키는 구동력을 제공한다. 구동기(343)는 구동력을 제공하는 공지된 모터로 제공될 수 있다.The actuator 343 is coupled with the support rod 341. The driver 343 may be placed on the bottom of the housing 310. The driver 343 provides driving force to rotate the support rod 341. The driver 343 may be provided as a known motor that provides driving force.

액 공급 노즐(344)은 기판(W) 상에 액을 공급한다. 액 공급 노즐(344)은 지지 유닛(330)에 지지된 기판(W) 상으로 처리액을 공급할 수 있다. 예컨대, 처리액은 기판(W) 상에 잔조하는 막이나 이물을 제거하는 액일 수 있다. 일 예에 따르면, 제1액은 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 염산(HCl) 등과 같이 산 또는 알칼리를 포함하는 케미칼 일 수 있다. 또한, 처리액은 후술하는 건조 챔버(400)에서 사용되는 초임계 유체에 용이하게 용해되는 액일 수 있다. 일 예에 따르면, 일 실시예에 따른 처리액은 순수(Pure Water), 이소프로필(Isopropylalcohol;IPA)과 같은 알코올 중 어느 하나로 제공될 수 있다.The liquid supply nozzle 344 supplies liquid onto the substrate (W). The liquid supply nozzle 344 may supply processing liquid onto the substrate W supported on the support unit 330 . For example, the treatment liquid may be a liquid that removes remaining films or foreign substances on the substrate W. According to one example, the first liquid may be a chemical containing an acid or an alkali, such as sulfuric acid (H2SO4), nitric acid (HNO3), or hydrochloric acid (HCl). Additionally, the treatment liquid may be a liquid that easily dissolves in the supercritical fluid used in the drying chamber 400, which will be described later. According to one example, the treatment liquid according to one embodiment may be provided as any one of alcohol such as pure water and isopropyl alcohol (IPA).

상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 액 공급 노즐(344)은 단수로 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 액 공급 노즐(344)은 복수 개로 제공될 수 있고, 각각의 액 공급 노즐(344)에서는 서로 다른 처리액을 기판(W) 상으로 공급할 수 있다. 일 예에 따르면, 각각의 액 공급 노즐(344)에서는 기판(W) 상으로 케미칼, 순수, 그리고 이소프로필 알코올을 독립적으로 공급할 수 있고, 순차적으로 케미칼, 순수, 그리고 이소프로필 알코올을 기판(W) 상에 순차적으로 공급할 수 있다.Although the liquid supply nozzle 344 according to the above-described embodiment of the present invention has been described as an example of being provided in a single unit, it is not limited thereto. For example, a plurality of liquid supply nozzles 344 may be provided, and each liquid supply nozzle 344 may supply different processing liquids onto the substrate W. According to one example, each liquid supply nozzle 344 can independently supply chemicals, pure water, and isopropyl alcohol onto the substrate W, and sequentially supply chemicals, pure water, and isopropyl alcohol to the substrate W. It can be supplied sequentially.

또한, 복수의 액 공급 노즐(344)들은 아암(342)에 모두 결합될 수 있다. 선택적으로, 복수의 액 공급 노즐(344)들은 각각 독립적으로 아암, 지지 로드, 그리고 구동기를 가질 수 있고, 독립적으로 스윙 이동 및 전후진 이동하여 공정 위치와 대기 위치 간에 이동할 수 있다.Additionally, the plurality of liquid supply nozzles 344 may all be coupled to the arm 342. Optionally, the plurality of liquid supply nozzles 344 may each independently have an arm, a support rod, and an actuator, and may independently swing and move forward and backward to move between the process position and the standby position.

승강 유닛(350)은 하우징(310)의 내부 공간에 배치된다. 승강 유닛(350)은 처리 용기(320)와 지지 유닛(330) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(350)은 처리 용기(320)를 제3방향(6)으로 직선 이동시킬 수 있다. 이에, 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 액을 회수하는 회수통들(323, 325, 327)의 높이가 변경되므로, 액들을 분리 회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 처리 용기(320)는 고정 설치되고, 승강 유닛(350)은 지지 유닛(330)을 상하 방향으로 이동시켜 지지 유닛(330)과 처리 용기(320) 사이의 상대 높이를 변경시킬 수 있다.The lifting unit 350 is disposed in the inner space of the housing 310. The lifting unit 350 adjusts the relative height between the processing vessel 320 and the support unit 330. The lifting unit 350 may move the processing container 320 in a straight line in the third direction 6. Accordingly, the heights of the recovery containers 323, 325, and 327 for recovering the liquid change depending on the type of liquid supplied to the substrate W, so that the liquids can be separated and recovered. Unlike the above-mentioned, the processing vessel 320 is fixedly installed, and the lifting unit 350 moves the support unit 330 in the vertical direction to change the relative height between the support unit 330 and the processing vessel 320. You can.

기류 공급 유닛(360)은 하우징(310)의 내부 공간으로 기류를 공급한다. 기류 공급 유닛(360)은 내부 공간으로 하강 기류를 공급할 수 있다. 기류 공급 유닛(360)은 팬 필터 유닛으로 제공될 수 있다. 기류 공급 유닛(360)은 하우징(310)의 상부에 설치될 수 있다. 기류 공급 유닛(360)을 통해 하우징(310)의 내부 공간으로 공급된 기체는 내부 공간에서 하강 기류를 형성한다. 공정 진행 과정 중에 처리 공간 내에서 발생된 부산물 등은 내부 공간 및 처리 공간에 형성된 하강 기류에 의해 후술하는 배기 유닛(370)을 통해 하우징(310)의 외부로 배출된다.The airflow supply unit 360 supplies airflow to the internal space of the housing 310. The airflow supply unit 360 may supply a descending airflow to the internal space. The airflow supply unit 360 may be provided as a fan filter unit. The airflow supply unit 360 may be installed on the upper part of the housing 310. Gas supplied to the inner space of the housing 310 through the airflow supply unit 360 forms a downward airflow in the inner space. By-products generated in the processing space during the process are discharged to the outside of the housing 310 through the exhaust unit 370, which will be described later, by the descending airflow formed in the internal space and the processing space.

배기 유닛(370)은 처리 공간에 발생된 흄과 기체 등의 공정 부산물을 배기한다. 배기 유닛(370)에 제공된 감압 유닛(미도시)에 의해 기판(W)을 액 처리할 때 발생되는 흄과 기체 등의 공정 부산물은 배기된다. 배기 유닛(370)은 처리 용기(320)의 바닥면에 결합될 수 있다. 일 예로, 배기 유닛(370)은 회전 축(337)과 처리 용기(320)의 내측벽 사이 공간에 배치될 수 있다.The exhaust unit 370 exhausts process by-products such as fumes and gases generated in the processing space. Process by-products such as fume and gas generated when liquid treating the substrate W are exhausted by a pressure reducing unit (not shown) provided in the exhaust unit 370. The exhaust unit 370 may be coupled to the bottom of the processing vessel 320. As an example, the exhaust unit 370 may be disposed in a space between the rotation shaft 337 and the inner wall of the processing vessel 320.

건조 챔버(400)는 공정 유체를 이용하여 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거한다. 일 예에 의하면, 건조 챔버(400)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상에 잔류하는 처리액을 제거한다. 건조 챔버(400)에서는 초임계 유체의 특성을 이용하여 초임계 공정이 수행된다. 그 대표적인 예로, 초임계 건조 공정과 초임계 식각 공정이 있다. 이하에서는 초임계 공정에 관하여 초임계 건조 공정을 기준으로 설명한다. 다만, 이는 설명의 편의를 위한 것에 불과하므로, 건조 챔버(400)는 초임계 건조 공정 이외의 다른 초임계 공정을 수행할 수 있다. 일 실시예에 의한, 초임계 유체는 초임계 이산화탄소(scCO2; supercritical carbon dioxide)가 사용될 수 있다.The drying chamber 400 removes the liquid remaining on the substrate W using a process fluid. According to one example, the drying chamber 400 removes the processing liquid remaining on the substrate W using a supercritical fluid. In the drying chamber 400, a supercritical process is performed using the characteristics of the supercritical fluid. Representative examples include a supercritical drying process and a supercritical etching process. Hereinafter, the supercritical process will be described based on the supercritical drying process. However, since this is only for convenience of explanation, the drying chamber 400 may perform a supercritical process other than the supercritical drying process. According to one embodiment, supercritical carbon dioxide (scCO2) may be used as the supercritical fluid.

도 3은 도 1의 건조 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 건조 챔버(400)는 하우징(410), 지지체(430), 유체 공급 유닛(450), 배기 라인(460), 그리고 차단 플레이트(470)를 포함할 수 있다. 하우징(410)은 기판(W)에 대한 건조 처리가 수행되는 내부 공간(401)을 제공한다. 하우징(410)은 제1바디(412), 제2바디(414), 그리고 승강 부재(416)를 포함할 수 있다.FIG. 3 is a diagram schematically showing an embodiment of the drying chamber of FIG. 1. Referring to FIG. 3 , the drying chamber 400 may include a housing 410, a support 430, a fluid supply unit 450, an exhaust line 460, and a blocking plate 470. The housing 410 provides an internal space 401 where drying processing for the substrate W is performed. The housing 410 may include a first body 412, a second body 414, and an elevating member 416.

제1바디(412)와 제2바디(414)는 서로 조합되어 내부 공간(401)을 제공한다. 제1바디(412)는 제2바디(414)보다 상부에 위치할 수 있다. 제1바디(412)는 그 위치가 고정되고, 제2바디(414)는 후술하는 승강 부재(416)에 의해 승강할 수 있다.The first body 412 and the second body 414 are combined with each other to provide an internal space 401. The first body 412 may be located above the second body 414. The position of the first body 412 is fixed, and the second body 414 can be raised and lowered by a lifting member 416, which will be described later.

제2바디(414)가 하강하여 제1바디(412)로부터 이격되면 내부 공간(401)이 개방된다. 내부 공간(401)이 개방되면, 기판(W)이 내부 공간(401)으로 반입되거나, 기판(W)이 내부 공간(401)으로부터 반출될 수 있다. 내부 공간(401)으로 반입되는 기판(W)은 액 처리 챔버(300)에서 액 처리가 완료된 기판(W)일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 내부 공간(401)으로 반입되는 기판(W)의 상면에는 처리액이 잔류할 수 있다.When the second body 414 descends and is separated from the first body 412, the internal space 401 is opened. When the internal space 401 is opened, the substrate W may be brought into the internal space 401 or the substrate W may be taken out from the internal space 401 . The substrate W brought into the internal space 401 may be a substrate W on which liquid processing has been completed in the liquid processing chamber 300 . According to one embodiment, the processing liquid may remain on the upper surface of the substrate W brought into the internal space 401.

제2바디(414)가 상승 이동하여 제1바디(412)에 밀착되면 내부 공간(401)은 밀폐된다. 내부 공간(401)이 밀폐 상태가 되면, 공정 유체를 공급하여 기판(W)에 대한 건조 처리가 수행될 수 있다.When the second body 414 moves upward and comes into close contact with the first body 412, the internal space 401 is sealed. When the internal space 401 is in a sealed state, a drying process can be performed on the substrate W by supplying a process fluid.

승강 부재(416)는 제2바디(414)를 승강시킨다. 승강 부재(416)는 승강 실린더(417)와 승강 로드(418)를 포함할 수 있다. 승강 실린더(417)는 제2바디(414)에 결합될 수 있다. 승강 실린더(417)는 기판(W)에 대한 건조 처리가 수행되는 동안 내부 공간(401)의 임계 압력 이상의 고압을 이기고, 제1바디(412)와 제2바디(414)를 밀착시켜 내부 공간(401)을 밀폐시킬 수 있다.The lifting member 416 elevates the second body 414. The lifting member 416 may include a lifting cylinder 417 and a lifting rod 418. The lifting cylinder 417 may be coupled to the second body 414. The lifting cylinder 417 overcomes the high pressure above the critical pressure of the internal space 401 while the drying process for the substrate W is performed, and brings the first body 412 and the second body 414 into close contact with the internal space ( 401) can be sealed.

승강 로드(418)는 상하 방향의 승강력을 발생시킨다. 예컨대, 승강 로드(418)는 제3방향(6)으로 이동하는 힘을 발생시킬 수 있다. 승강 로드(418)는 그 길이 방향이 수직 방향으로 형성될 수 있다. 승강 로드(418)의 일단은 승강 실린더(417)에 삽입될 수 있다. 승강 로드(418)의 타단은 제1바디(412)에 결합될 수 있다. 승강 실린더(417)와 승강 로드(418)의 상대적인 승강 운동에 의해 제2바디(414)는 수직 방향으로 이동될 수 있다. 제2바디(414)가 수직 방향으로 이동되는 동안 승강 로드(418)는 제1바디(412)와 제2바디(414)가 수평 방향으로 움직이는 것을 방지한다. 승강 로드(418)는 제2바디(414)의 수직 이동 방향을 안내한다. 승강 로드(418)는 제1바디(412)와 제2바디(414)가 서로 정 위치에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다.The lifting rod 418 generates a lifting force in the vertical direction. For example, the lifting rod 418 may generate a force that moves in the third direction 6. The lifting rod 418 may be formed in a vertical direction along its length. One end of the lifting rod 418 may be inserted into the lifting cylinder 417. The other end of the lifting rod 418 may be coupled to the first body 412. The second body 414 may be moved in the vertical direction by the relative lifting movement of the lifting cylinder 417 and the lifting rod 418. While the second body 414 moves in the vertical direction, the lifting rod 418 prevents the first body 412 and the second body 414 from moving in the horizontal direction. The lifting rod 418 guides the vertical movement direction of the second body 414. The lifting rod 418 can prevent the first body 412 and the second body 414 from deviating from their respective positions.

상술한 본 발명의 일 예에 따르면, 제2바디(414)가 상하 방향으로 이동하여 내부 공간(401)을 밀폐하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제1바디(412)와 제2바디(414)가 각각 상하 방향으로 이동될 수 있다. 또한, 제1바디(412)가 상하 방향으로 이동하고, 제2바디(414)는 그 위치가 고정될 수 있다.According to an example of the present invention described above, it has been described as an example that the second body 414 moves in the vertical direction to seal the internal space 401, but it is not limited thereto. For example, the first body 412 and the second body 414 may each move in the vertical direction. Additionally, the first body 412 may move in the vertical direction, and the second body 414 may be fixed in position.

상술한 예와 달리, 하우징(410)의 일 측에 기판(W)이 반출입되는 개구(미도시)가 형성된 단일한 하우징(410)으로 제공될 수 있다. 하우징(410)에는 도어(미도시)가 제공될 수 있다. 도어(미도시)는 상하 방향으로 이동하여 개구(미도시)를 개폐하고, 하우징(410)을 밀폐 상태로 유지할 수 있다.Unlike the above-described example, a single housing 410 may be provided with an opening (not shown) through which the substrate W is carried in and out on one side of the housing 410. The housing 410 may be provided with a door (not shown). The door (not shown) can move up and down to open and close the opening (not shown) and keep the housing 410 in a sealed state.

하우징(410)에는 히터(419)가 설치될 수 있다. 일 예에 따르면, 히터(419)는 제1바디(412) 및 제2바디(414) 중 적어도 어느 하나의 벽 내부에 매설되어 설치될 수 있다. 히터(419)는 내부 공간(401)에 공급된 공정 유체를 임계 온도 이상으로 가열하여 초임계 유체 상으로 유지하거나, 또는 공정 유체가 액화된 경우 다시 초임계 유체 상으로 될 수 있도록 가열할 수 있다.A heater 419 may be installed in the housing 410. According to one example, the heater 419 may be installed buried inside the wall of at least one of the first body 412 and the second body 414. The heater 419 heats the process fluid supplied to the internal space 401 above the critical temperature to maintain it in a supercritical fluid phase, or, if the process fluid is liquefied, heats it so that it can return to a supercritical fluid phase. .

지지체(430)는 내부 공간(401) 내에서 기판(W)을 지지한다. 지지체(430)는 제1바디(412)의 하면에 고정 설치될 수 있다. 지지체(430)는 고정 로드(432)와 거치대(434)를 가질 수 있다.The support 430 supports the substrate W within the internal space 401. The support body 430 may be fixedly installed on the lower surface of the first body 412. The support 430 may have a fixed rod 432 and a holder 434.

고정 로드(432)는 제1바디(412)의 저면으로부터 아래로 돌출되도록 제1바디(412)에 고정 설치될 수 있다. 고정 로드(432)는 그 길이 방향이 상하 방향으로 제공된다. 고정 로드(432)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 고정 로드(432)들은 서로 이격되게 위치된다. 복수의 고정 로드(432)들에 의해 둘러싸인 공간으로 기판(W)이 반입 또는 반출될 때, 복수의 고정 로드(432)들은 기판(W)과 간섭되지 않는 위치에 배치된다. 각각의 고정 로드(432)들에는 거치대(434)가 결합된다.The fixing rod 432 may be fixedly installed on the first body 412 to protrude downward from the bottom of the first body 412. The fixed rod 432 is provided in the vertical direction along its length. A plurality of fixed rods 432 may be provided. The plurality of fixed rods 432 are positioned to be spaced apart from each other. When the substrate W is brought in or out of the space surrounded by the plurality of fixed rods 432, the plurality of fixed rods 432 are disposed at a position that does not interfere with the substrate W. A holder 434 is coupled to each fixed rod 432.

거치대(434)는 고정 로드(432)로부터 연장된다. 거치대(434)는 고정 로드(432)의 하단으로부터 고정 로드(432)들에 의해 둘러싸인 공간을 향하는 방향으로 연장될 수 있다. 거치대(434)는 기판(W)의 이면 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 따르면, 기판(W)의 이면은 패턴이 형성되지 않은 면일 수 있고, 기판(W)의 상면은 패턴이 형성된 면일 수 있다. 상술한 구조로 인해, 내부 공간(401)으로 반입된 기판(W)은 그 가장자리 영역이 거치대(434) 상에 놓일 수 있다. 또한, 기판(W)의 상면 전체 영역, 기판(W)의 저면 중 중앙 영역, 그리고 기판(W)의 저면 중 가장자리 영역의 일부는 내부 공간(401)으로 공급된 공정 유체에 노출될 수 있다.The holder 434 extends from the fixed rod 432. The holder 434 may extend from the bottom of the fixed rod 432 toward the space surrounded by the fixed rods 432. The holder 434 supports the back edge area of the substrate W. According to one example, the back surface of the substrate W may be a surface on which a pattern is not formed, and the upper surface of the substrate W may be a surface on which a pattern is formed. Due to the above-described structure, the edge area of the substrate W brought into the internal space 401 can be placed on the holder 434. Additionally, the entire upper surface area of the substrate W, the central area of the bottom surface of the substrate W, and a portion of the edge area of the bottom surface of the substrate W may be exposed to the process fluid supplied to the internal space 401.

유체 공급 유닛(450)은 내부 공간(401)으로 공정 유체를 공급한다. 일 예에 따른 공정 유체는 초임계 상태로 내부 공간(401)으로 공급될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 공정 유체는 가스 상태로 내부 공간(401)으로 공급되고, 내부 공간(401) 내에서 초임계 상태로 상 변화될 수 있다. 유체 공급 유닛(450)은 메인 공급 라인(451), 제1분기 라인(452), 그리고 제2분기 라인(454)을 가질 수 있다.The fluid supply unit 450 supplies process fluid to the internal space 401. The process fluid according to one example may be supplied to the internal space 401 in a supercritical state. However, the process fluid is not limited to this, and may be supplied to the internal space 401 in a gaseous state and change into a supercritical state within the internal space 401. The fluid supply unit 450 may have a main supply line 451, a first branch line 452, and a second branch line 454.

메인 공급 라인(451)의 일단은 공정 유체가 저장된 공급원(미도시)과 연결된다. 메인 공급 라인(451)의 타단은 제1분기 라인(452)과 제2분기 라인(454)으로 분기된다. 제1분기 라인(452)은 하우징(410)의 상면에 연결된다. 일 예에 의하면, 제1분기 라인(452)은 제1바디(412)와 연결될 수 있다. 예컨대, 제1분기 라인(452)은 제1바디(412)의 중앙에 결합될 수 있다. 제1분기 라인(452)은 지지체(430)에 놓인 기판(W)의 상부 중앙 영역에 위치할 수 있다. 제1분기 라인(452)에는 제1밸브(453)가 설치될 수 있다. 제1밸브(453)는 개폐 밸브로 제공될 수 있다. 제1밸브(453)의 개폐에 따라 내부 공간(401)으로 공정 유체를 선택적으로 공급할 수 있다.One end of the main supply line 451 is connected to a supply source (not shown) where process fluid is stored. The other end of the main supply line 451 branches into a first branch line 452 and a second branch line 454. The first branch line 452 is connected to the upper surface of the housing 410. According to one example, the first branch line 452 may be connected to the first body 412. For example, the first branch line 452 may be coupled to the center of the first body 412. The first branch line 452 may be located in the upper central area of the substrate W placed on the support 430. A first valve 453 may be installed in the first branch line 452. The first valve 453 may be provided as an open/close valve. Process fluid can be selectively supplied to the internal space 401 according to the opening and closing of the first valve 453.

제2분기 라인(454)은 하우징(410)의 하면에 연결된다. 일 예에 의하면, 제2분기 라인(454)은 제2바디(414)와 연결될 수 있다. 예컨대, 제2분기 라인(454)은 제2바디(414)의 중앙에 결합될 수 있다. 제2분기 라인(454)은 지지체(430)에 놓인 기판(W)의 중앙 영역으로부터 연직 하방에 위치할 수 있다. 제2분기 라인(454)에는 제2밸브(455)가 설치될 수 있다. 제2밸브(455)는 개폐 밸브로 제공될 수 잇다. 제2밸브(455)의 개폐에 따라 내부 공간(401)으로 공정 유체를 선택적으로 공급할 수 있다.The second branch line 454 is connected to the lower surface of the housing 410. According to one example, the second branch line 454 may be connected to the second body 414. For example, the second branch line 454 may be coupled to the center of the second body 414. The second branch line 454 may be located vertically downward from the central area of the substrate W placed on the support 430. A second valve 455 may be installed in the second branch line 454. The second valve 455 may be provided as an open/close valve. Process fluid can be selectively supplied to the internal space 401 according to the opening and closing of the second valve 455.

배기 라인(460)은 내부 공간(401)의 분위기를 배기한다. 배기 라인(460)은 제2바디(414)에 결합될 수 있다. 일 예에 의하면, 배기 라인(460)은 상부에서 바라볼 때, 제2바디(414)의 하면 중심으로부터 어긋나게 배치될 수 있다. 내부 공간(401)을 유동하는 초임계 유체는 배기 라인(460)을 통해 하우징(410)의 외부로 배출된다.The exhaust line 460 exhausts the atmosphere of the internal space 401. The exhaust line 460 may be coupled to the second body 414. According to one example, the exhaust line 460 may be arranged to be offset from the center of the lower surface of the second body 414 when viewed from the top. The supercritical fluid flowing in the internal space 401 is discharged to the outside of the housing 410 through the exhaust line 460.

차단 플레이트(470, Blocking Plate)는 내부 공간(401)에 배치된다. 차단 플레이트(470)는 상부에서 바라볼 때, 제2분기 라인(454)의 토출구 및 배기 라인(460)의 유입구와 중첩되도록 제공될 수 있다. 차단 플레이트(470)는 제2분기 라인(454)을 통해 공급된 공정 유체가 기판(W)을 향해 직접적으로 토출되어 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.A blocking plate (470) is disposed in the internal space (401). When viewed from above, the blocking plate 470 may be provided to overlap the discharge port of the second branch line 454 and the inlet port of the exhaust line 460. The blocking plate 470 can prevent the substrate W from being damaged by the process fluid supplied through the second branch line 454 being discharged directly toward the substrate W.

차단 플레이트(470)는 하우징(410)의 저면으로부터 상부로 일정 거리 이격되게 배치될 수 있다. 예컨대, 차단 플레이트(470)는 하우징(410)의 저면으로부터 위 방향으로 이격되도록 지지대(472)에 의해 지지될 수 있다. 지지대(472)는 로드 형상으로 제공될 수 있다. 지지대(472)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 지지대(472)들은 서로 간에 일정 거리 이격되게 배치된다.The blocking plate 470 may be arranged to be spaced a certain distance from the bottom of the housing 410 upward. For example, the blocking plate 470 may be supported by the support 472 to be spaced upward from the bottom of the housing 410. The support 472 may be provided in a rod shape. A plurality of supports 472 may be provided. The plurality of supports 472 are arranged to be spaced a certain distance apart from each other.

도 4는 도 1의 반송 유닛과 배면 세정 유닛의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 이하에서는, 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반송 유닛과 세정 유닛에 대해 상세히 설명한다.FIG. 4 is a perspective view schematically showing an embodiment of the transfer unit and the back cleaning unit of FIG. 1. Hereinafter, the transfer unit and the cleaning unit according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 4.

반송 유닛(500)은 반송 프레임(240) 내부의 반송 공간에 제공된다. 반송 유닛(500)은 반송 공간에서 기판(W)을 반송한다. 반송 유닛(500)은 버퍼 유닛(220), 액 처리 챔버(300), 그리고 건조 챔버(400) 간에 기판(W)을 반송할 수 있다. 예컨대, 반송 유닛(500)은 버퍼 유닛(220)으로부터 액 처리 챔버(300)로 기판(W)을 반송하고, 액 처리가 완료된 기판(W)을 액 처리 챔버(300)로부터 건조 챔버(400)로 반송할 수 있다.The transfer unit 500 is provided in the transfer space inside the transfer frame 240. The transfer unit 500 transfers the substrate W in the transfer space. The transfer unit 500 may transfer the substrate W between the buffer unit 220, the liquid processing chamber 300, and the drying chamber 400. For example, the transfer unit 500 transfers the substrate W from the buffer unit 220 to the liquid processing chamber 300, and transfers the substrate W on which liquid processing has been completed from the liquid processing chamber 300 to the drying chamber 400. It can be returned to .

반송 유닛(500)은 가이드 레일(520)과 반송 로봇(540)을 가진다. 가이드 레일(520)은 반송 프레임(240)의 반송 공간에 설치된다. 예컨대, 가이드 레일(520)은 반송 프레임(240)의 하부면에 설치될 수 있다. 가이드 레일(520)은 반송 프레임(240)의 길이 방향을 따라 평행하게 설치될 수 있다. 예컨대, 가이드 레일(520)의 길이 방향은 제2방향(4)을 향하는 방향으로 형성될 수 있다. 후술하는 반송 로봇(540)은 가이드 레일(520) 상에 설치되어 가이드 레일(520)의 길이 방향을 따라 직선 이동한다.The transfer unit 500 has a guide rail 520 and a transfer robot 540. The guide rail 520 is installed in the transport space of the transport frame 240. For example, the guide rail 520 may be installed on the lower surface of the transport frame 240. The guide rail 520 may be installed in parallel along the longitudinal direction of the transport frame 240. For example, the longitudinal direction of the guide rail 520 may be oriented in the second direction 4. The transfer robot 540, which will be described later, is installed on the guide rail 520 and moves linearly along the longitudinal direction of the guide rail 520.

반송 로봇(540)은 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(540)은 반송 핸드(541), 핸드 구동부(543), 회전 구동부(544), 수직 구동부(545), 수평 구동부(546), 그리고 연장부(547)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 핸드 구동부(543), 회전 구동부(544), 수직 구동부(545), 그리고 수평 구동부(546)는 동력을 전달하는 공지된 모터로 제공될 수 있다.The transport robot 540 transports the substrate W. The transfer robot 540 may include a transfer hand 541, a hand drive unit 543, a rotation drive unit 544, a vertical drive unit 545, a horizontal drive unit 546, and an extension unit 547. The hand drive unit 543, the rotation drive unit 544, the vertical drive unit 545, and the horizontal drive unit 546 according to an embodiment of the present invention may be provided as known motors that transmit power.

반송 핸드(541)는 기판(W)을 지지한다. 반송 핸드(541)의 상면에는 패드(541a)가 제공될 수 있다. 패드(541a)는 기판(W)의 하면을 지지할 수 있다. 패드(541a)는 복수 개로 제공될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 패드(541a)는 3개로 제공되어 기판(W)의 하면을 3점 지지할 수 있다.The transfer hand 541 supports the substrate W. A pad 541a may be provided on the upper surface of the transfer hand 541. The pad 541a may support the lower surface of the substrate W. A plurality of pads 541a may be provided. According to one embodiment, three pads 541a are provided to support the lower surface of the substrate W at three points.

반송 핸드(541)는 복수 개 제공될 수 있다. 반송 핸드(541)의 개수는 공정 요구 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다. 복수의 반송 핸드(541)들은 상하 방향으로 이격되게 제공될 수 있다. 복수의 반송 핸드(541)들은 서로 독립적으로 전진, 후진, 및 회전 운동할 수 있다. 예컨대, 반송 핸드(541)가 복수 개로 제공되는 경우, 반송 핸드(541) 중 일부는 버퍼 유닛(220)에서 액 처리 챔버(300)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있고, 반송 핸드(541) 중 다른 일부는 액 처리 챔버(300)에서 액 처리가 완료된 기판(W)을 건조 챔버(400)로 반송할 때 사용될 수 있다.A plurality of transfer hands 541 may be provided. The number of return hands 541 may increase or decrease depending on process requirements, etc. A plurality of transfer hands 541 may be provided to be spaced apart in the vertical direction. The plurality of transfer hands 541 can move forward, backward, and rotationally independently of each other. For example, when a plurality of transfer hands 541 are provided, some of the transfer hands 541 may be used when transferring the substrate W from the buffer unit 220 to the liquid processing chamber 300, and the transfer hands ( Other parts of 541) may be used when returning the substrate W on which liquid treatment has been completed in the liquid processing chamber 300 to the drying chamber 400.

반송 핸드(541)는 연결부(542)와 결합될 수 있다. 연결부(542)는 후술하는 핸드 구동부(543)에 설치될 수 있다. 일 예로, 연결부(542)는 핸드 구동부(543)에 형성된 레일 홈에 삽입될 수 있다. 연결부(542)는 핸드 구동부(543)에 형성된 레일 홈을 따라 수평 방향으로 이동할 수 있다. 반송 핸드(541)는 연결부(542)를 매개로 핸드 구동부(543)에 의해 수평 이동할 수 있다.The transfer hand 541 may be combined with the connection portion 542. The connection unit 542 may be installed in the hand drive unit 543, which will be described later. As an example, the connection part 542 may be inserted into a rail groove formed in the hand drive part 543. The connection part 542 can move in the horizontal direction along the rail groove formed in the hand drive part 543. The transfer hand 541 can be horizontally moved by the hand drive unit 543 via the connection unit 542.

핸드 구동부(543)는 연결부(542)를 이동시킨다. 핸드 구동부(543)는 연결부(542)를 매개로 반송 핸드(541)를 이동시킨다. 핸드 구동부(543)는 반송 핸드(541)를 수평 이동시킬 수 있다. 일 예에 따르면, 핸드 구동부(543)의 상부에는 반송 핸드(541)가 위치하고, 핸드 구동부(543)의 측면에는 반송 핸드(541)의 수평 방향 이동을 가이드 하는 레일 홈이 설치될 수 있다.The hand drive unit 543 moves the connection unit 542. The hand drive unit 543 moves the transfer hand 541 via the connection unit 542. The hand driver 543 can horizontally move the transfer hand 541. According to one example, the transfer hand 541 is located on the upper part of the hand drive unit 543, and a rail groove that guides the horizontal movement of the transfer hand 541 may be installed on the side of the hand drive unit 543.

회전 구동부(544)는 핸드 구동부(543)를 이동시킨다. 회전 구동부(544)는 핸드 구동부(543)를 제3방향(6)의 축을 기준으로 회전 이동시킬 수 있다. 회전 구동부(544)의 상부에는 핸드 구동부(543)가 설치될 수 있다. 일 예에 의하면, 회전 구동부(544)는 핸드 구동부(543)의 하면에 결합될 수 있다. 회전 구동부(544)의 회전에 따라 핸드 구동부(543)가 회전하고, 핸드 구동부(543)를 매개로 핸드 구동부(543)의 상부에 결합된 반송 핸드(541)가 회전할 수 있다.The rotation drive unit 544 moves the hand drive unit 543. The rotation driver 544 may rotate the hand driver 543 about the axis in the third direction 6. A hand drive unit 543 may be installed on the rotation drive unit 544. According to one example, the rotation driver 544 may be coupled to the lower surface of the hand driver 543. The hand drive unit 543 rotates according to the rotation of the rotation drive unit 544, and the transfer hand 541 coupled to the upper part of the hand drive unit 543 may rotate via the hand drive unit 543.

수직 구동부(545)는 회전 구동부(544)의 하부에 설치될 수 있다. 수직 구동부(545)는 회전 구동부(544)와 결합하여 회전 구동부(544)를 이동시킨다. 예컨대, 수직 구동부(545)는 회전 구동부(544)를 제3방향(6)을 따라 이동시킬 수 있다. 반송 핸드(541) 및 핸드 구동부(543)의 수직 위치가 변경될 수 있다. 이에 따라, 반송 핸드(541)는 제3방향(6)을 따라 수직 이동할 수 있다.The vertical driver 545 may be installed below the rotation driver 544. The vertical driver 545 is coupled to the rotation driver 544 and moves the rotation driver 544. For example, the vertical driver 545 may move the rotation driver 544 along the third direction 6. The vertical positions of the transfer hand 541 and the hand drive unit 543 may be changed. Accordingly, the transfer hand 541 can move vertically along the third direction 6.

수평 구동부(546)는 수직 구동부(545)의 하부에 설치될 수 있다. 수평 구동부(546)는 가이드 레일(520)에 결합될 수 있다. 수평 구동부(546)는 가이드 레일(520)을 따라 이동할 수 있다. 이에, 반송 핸드(541)는 가이드 레일(520)을 따라 전진 및 후진 이동이 가능하다. 예컨대, 수평 구동부(546)는 제1방향(2)을 따라 직선 이동할 수 있다. 수평 구동부(546)의 이동에 따라 반송 핸드(541)에 안착된 기판(W)은 액 처리 챔버(300) 및 건조 챔버(400) 간에 반송될 수 있다.The horizontal driving unit 546 may be installed below the vertical driving unit 545. The horizontal driving unit 546 may be coupled to the guide rail 520. The horizontal driving unit 546 can move along the guide rail 520. Accordingly, the transfer hand 541 can move forward and backward along the guide rail 520. For example, the horizontal driving unit 546 may move linearly along the first direction 2. As the horizontal driving unit 546 moves, the substrate W seated on the transfer hand 541 may be transferred between the liquid processing chamber 300 and the drying chamber 400.

연장부(547)는 수평 구동부(546)로부터 연장될 수 있다. 예컨대, 연장부(547)는 수평 구동부(546)로부터 제2방향(4)을 따라 연장될 수 있다. 연장부(547)의 상면에는 후술하는 접촉 부재(620)가 설치될 수 있다.The extension part 547 may extend from the horizontal driving part 546. For example, the extension part 547 may extend from the horizontal driving part 546 along the second direction 4. A contact member 620, which will be described later, may be installed on the upper surface of the extension portion 547.

상술한 핸드 구동부(543), 회전 구동부(544), 그리고 수직 구동부(545)는 반송 핸드(541)에 안착된 기판(W)을 배면 세정 위치로 이동시킬 수 있다. 배면 세정 위치란 후술하는 배면 세정 유닛(600)이 기판(W)의 배면에 잔류하는 액을 제거할 수 있는 위치일 수 있다. 예컨대, 배면 세정 위치란 연장부(547)에 설치되는 접촉 부재(620)와 기판(W)의 배면이 서로 접촉되는 위치일 수 있다. 일 예로, 배면 세정 위치는 상부에서 바라볼 때, 반송 핸드(541)에 안착된 기판(W)의 가장자리 영역과 후술하는 접촉 부재(620)가 서로 중첩되는 위치일 수 있다. 또한, 배면 세정 위치는 정면에서 바라볼 때, 반송 핸드(541)에 안착된 기판(W)의 배면과 접촉 부재(620)의 상면이 서로 대응되는 높이일 수 있다. 일 예로, 배면 세정 위치는 정면에서 바라볼 때, 반송 핸드(541)에 안착된 기판(W)의 배면과 접촉 부재(620)의 상면이 서로 일치하는 높이일 수 있다.The above-described hand drive unit 543, rotation drive unit 544, and vertical drive unit 545 can move the substrate W seated on the transfer hand 541 to the back cleaning position. The back cleaning position may be a position where the back cleaning unit 600, which will be described later, can remove liquid remaining on the back of the substrate W. For example, the back cleaning position may be a position where the contact member 620 installed on the extension part 547 and the back surface of the substrate W contact each other. For example, the back cleaning position may be a position where the edge area of the substrate W mounted on the transfer hand 541 and the contact member 620, which will be described later, overlap each other when viewed from the top. Additionally, the rear cleaning position may be at a height where the rear surface of the substrate W mounted on the transfer hand 541 and the upper surface of the contact member 620 correspond to each other when viewed from the front. For example, the rear cleaning position may be at a height where the rear surface of the substrate W seated on the transfer hand 541 and the upper surface of the contact member 620 coincide with each other when viewed from the front.

배면 세정 유닛(600)은 기판(W)을 세정한다. 일 실시예에 의하면, 배면 세정 유닛(600)은 기판(W)을 반송하는 도중에 기판(W)의 배면을 세정할 수 있다. 예컨대, 배면 세정 유닛(600)은 액 처리 챔버(300)에서 액 처리가 완료된 기판(W)을 건조 챔버(400)로 반송하는 도중에 기판(W)의 배면을 세정할 수 있다. 즉, 배면 세정 유닛(600)은 반송 프레임(240) 내부의 반송 공간에서 기판(W)을 반송하는 도중에 기판(W)의 배면을 세정할 수 있다.The back cleaning unit 600 cleans the substrate W. According to one embodiment, the back surface cleaning unit 600 may clean the back surface of the substrate W while transporting the substrate W. For example, the back cleaning unit 600 may clean the back of the substrate W while transporting the substrate W on which liquid treatment has been completed in the liquid processing chamber 300 to the drying chamber 400 . That is, the back surface cleaning unit 600 can clean the back surface of the substrate W while transporting the substrate W in the transport space inside the transport frame 240.

배면 세정 유닛(600)은 접촉 부재(620)를 포함할 수 있다. 접촉 부재(620)는 기판(W)의 배면과 접촉할 수 있다. 접촉 부재(620)는 기판(W)의 배면과 접촉함으로써, 기판(W)의 배면에 잔류하는 액을 제거할 수 있다. 예컨대, 접촉 부재(620)는 기판(W)의 배면과 접촉함으로써, 기판(W)의 배면 가장자리 영역에 잔류하는 처리액을 제거할 수 있다. 접촉 부재(620)는 기판(W)을 손상시키지 않는 재질로 제공될 수 있다. 또한, 접촉 부재(620)는 액을 용이하게 흡수할 수 있는 재질로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 접촉 부재(620)의 상단 영역은 액을 용이하게 흡수할 수 있는 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 접촉 부재(620)의 상단은 다공성 물질의 일 예인 스펀지(Sponge) 등 합성 수지 재질로 제공될 수 있다.The back cleaning unit 600 may include a contact member 620. The contact member 620 may contact the rear surface of the substrate W. The contact member 620 can remove liquid remaining on the back of the substrate W by contacting the back of the substrate W. For example, the contact member 620 may contact the rear surface of the substrate W to remove the processing liquid remaining in the rear edge area of the substrate W. The contact member 620 may be made of a material that does not damage the substrate W. Additionally, the contact member 620 may be made of a material that can easily absorb liquid. According to one example, the upper area of the contact member 620 may be made of a material that can easily absorb liquid. For example, the top of the contact member 620 may be made of a synthetic resin material such as sponge, which is an example of a porous material.

접촉 부재(620)는 반송 핸드(541), 연결부(542), 그리고 핸드 구동부(543)와 간섭되지 않는 위치에 설치될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 접촉 부재(620)는 연장부(547)의 상면에 설치될 수 있다. 접촉 부재(620)는 설정 높이와 일정 두께를 가질 수 있다. 접촉 부재(620)는 반송 핸드(541)에 안착된 기판(W)이 배면 세정 위치에 위치할 때, 기판(W)의 끝단으로부터 기판(W)의 중심을 향해 일정 거리 인입된 두께를 가질 수 있다.The contact member 620 may be installed in a position that does not interfere with the transfer hand 541, the connection part 542, and the hand drive unit 543. According to one embodiment, the contact member 620 may be installed on the upper surface of the extension portion 547. The contact member 620 may have a set height and a certain thickness. The contact member 620 may have a thickness that is drawn a certain distance from the end of the substrate W toward the center of the substrate W when the substrate W mounted on the transfer hand 541 is located in the back cleaning position. there is.

예컨대, 설정 높이는 핸드 구동부(543)의 하단으로부터 반송 핸드(541)에 놓인 기판(W)의 배면까지의 높이와 대응되는 높이일 수 있다. 이에, 반송 핸드(541)에 안착된 기판(W)이 배면 세정 위치로 이동할 때, 반송 핸드(541)에 안착된 기판(W)은 접촉 부재(620)에 의해 간섭되지 않고 제3방향(6)으로 이동될 수 있다. 이에, 반송 핸드(541)에 안착된 기판(W)의 배면은 접촉 부재(620)의 상면과 접촉될 수 있다.For example, the set height may be a height corresponding to the height from the bottom of the hand driver 543 to the back of the substrate W placed on the transfer hand 541. Accordingly, when the substrate W placed on the transfer hand 541 moves to the back cleaning position, the substrate W placed on the transfer hand 541 is not interfered with by the contact member 620 and moves in the third direction 6. ) can be moved to . Accordingly, the rear surface of the substrate W mounted on the transfer hand 541 may be in contact with the upper surface of the contact member 620.

접촉 부재(620)는 곡률지게 형성될 수 있다. 일 예에 의하면, 접촉 부재(620)는 일 부분이 절단된 곡률진 형상을 가질 수 있다. 접촉 부재(620)의 절단된 부분은 상부에서 바라볼 때, 배면 세정 위치에 위치하는 기판(W)을 안착시킨 반송 핸드(541)의 일 부분과 중첩될 수 있다.The contact member 620 may be formed to be curved. According to one example, the contact member 620 may have a curved shape with one portion cut. When viewed from above, the cut portion of the contact member 620 may overlap a portion of the transfer hand 541 on which the substrate W located at the rear cleaning position is placed.

반송 로봇(540)에 의해 기판(W)이 반송되는 도중에, 접촉 부재(620)가 기판(W)의 배면을 세정하는 상세한 메커니즘은 후술한다.The detailed mechanism by which the contact member 620 cleans the back surface of the substrate W while the substrate W is being transported by the transport robot 540 will be described later.

상술한 일 실시예에 따른 접촉 부재(620)의 상면에는 브러쉬(Brush) 또는 와이퍼(Wiper) 등의 처리액을 닦아내어 제거할 수 있는 부재가 더 설치될 수 있다. 접촉 부재(620)의 상면에 브러쉬 또는 와이퍼가 더 설치되는 경우, 기판(W)이 배면 세정 위치에 위치할 때, 브러쉬 또는 와이퍼에 의해 기판(W)의 배면이 접촉된 상태에서 브러쉬 또는 와이퍼에 의해 기판(W)의 배면에 잔류하는 처리액을 제거할 수 있다.A member capable of wiping and removing the treatment liquid, such as a brush or wiper, may be further installed on the upper surface of the contact member 620 according to the above-described embodiment. In the case where a brush or wiper is further installed on the upper surface of the contact member 620, when the substrate W is located in the back cleaning position, the back surface of the substrate W is contacted by the brush or wiper and the brush or wiper is applied to the brush or wiper. Thus, the processing liquid remaining on the back of the substrate W can be removed.

도 5 내지 도 7은 도 4의 배면 세정 유닛의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 이하에서는, 도 5 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 배면 세정 유닛에 대한 변형 실시예에 대해 상세히 설명한다. 이하에서 설명하는 일 실시예에 따른 배면 세정 유닛은 추가적으로 설명하는 경우를 제외하고 상술한 배면 세정 유닛과 대부분 동일 또는 유사하게 제공되므로, 중복되는 내용에 대해서는 그 설명을 생략한다.Figures 5 to 7 are perspective views schematically showing another embodiment of the back cleaning unit of Figure 4. Hereinafter, a modified embodiment of the back cleaning unit of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 7. Since the back cleaning unit according to an embodiment described below is provided in most cases the same or similar to the above-described back cleaning unit except for additional explanation, description of overlapping content will be omitted.

도 5를 참조하면, 일 예에 따른 접촉 부재(620)에는 가이드 홀(622)이 형성될 수 있다. 가이드 홀(622)은 복수 개로 제공될 수 있다. 복수의 가이드 홀(622)들은 접촉 부재(620)의 둘레 방향을 따라 배열될 수 있다. 복수의 가이드 홀(622)들은 서로 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다. 가이드 홀(622)은 접촉 부재(620)의 상단으로부터 하단까지 관통하는 관통 홀로 제공될 수 있다. 가이드 홀(622)은 그 직경이 작은 미세한 홀로 제공될 수 있다.Referring to FIG. 5 , a guide hole 622 may be formed in the contact member 620 according to an example. A plurality of guide holes 622 may be provided. A plurality of guide holes 622 may be arranged along the circumferential direction of the contact member 620. The plurality of guide holes 622 may be arranged to be spaced apart from each other at a certain distance. The guide hole 622 may be provided as a through hole penetrating from the top to the bottom of the contact member 620. The guide hole 622 may be provided as a fine hole with a small diameter.

반송 핸드(541)에 놓인 기판(W)이 배면 세정 위치에 위치할 때, 기판(W)의 배면과 접촉 부재(620)의 상면은 서로 면접할 수 있다. 기판(W)과 접촉 부재(620) 간의 접촉으로 인해, 기판(W)의 배면에 잔류하는 처리액은 접촉 부재(620)의 상면으로 유동될 수 있다. 기판(W)의 상면으로 유동된 처리액은 모세관 현상(Capillary Action)에 따라 가이드 홀(622)을 따라 접촉 부재(620)의 하단을 향하는 방향으로 유동할 수 있다.When the substrate W placed on the transfer hand 541 is positioned at the back cleaning position, the back surface of the substrate W and the upper surface of the contact member 620 may face each other. Due to the contact between the substrate W and the contact member 620, the processing liquid remaining on the back surface of the substrate W may flow to the upper surface of the contact member 620. The processing liquid flowing to the upper surface of the substrate W may flow in a direction toward the bottom of the contact member 620 along the guide hole 622 according to capillary action.

상술한 예와 달리, 접촉 부재(620)에는 접촉 부재(620)의 상단과 하단을 관통하는 가이드 홀(622)이 제공되지 않을 수 있다. 일 예에 의하면, 접촉 부재(620)의 측면에는 그루브(Groove)가 형성될 수 있다. 그루브는 접촉 부재(620)의 상단으로부터 하단까지 형성될 수 있다. 기판(W)의 배면에 잔류한 처리액은 접촉 부재(620)의 상면으로 흐르고, 접촉 부재(620)의 상면으로 흐른 처리액은 접촉 부재(620)에 형성된 그루브를 통해 기판(W)으로부터 제거될 수 있다.Unlike the above-described example, the contact member 620 may not be provided with a guide hole 622 penetrating the top and bottom of the contact member 620. According to one example, a groove may be formed on the side of the contact member 620. The groove may be formed from the top to the bottom of the contact member 620. The processing liquid remaining on the back of the substrate W flows to the upper surface of the contact member 620, and the processing liquid flowing to the upper surface of the contact member 620 is removed from the substrate W through the groove formed in the contact member 620. It can be.

도 6을 참조하면, 일 예에 따른 접촉 부재(620)는 제1부분(624)과 제2부분(626)을 가질 수 있다. 제1부분(624)과 제2부분(626)은 연장부(547)의 상면에 설치될 수 있다. 제1부분(624)과 제2부분(626)은 서로 조합되어 대체로 원의 형상을 가질 수 있다. 제1부분(624)과 제2부분(626)은 서로 조합되어 상부에서 바라볼 때, 배면 세정 위치에 위치한 기판(W)의 가장자리 영역과 대응될 수 있다. 제1부분(624)과 제2부분(626)은 서로 대향되게 위치할 수 있다. 제1부분(624)과 제2부분(626)은 서로 대칭되게 위치하고, 대칭의 형상을 가질 수 있다.Referring to FIG. 6 , the contact member 620 according to an example may have a first part 624 and a second part 626. The first part 624 and the second part 626 may be installed on the upper surface of the extension part 547. The first part 624 and the second part 626 may be combined to have a generally circular shape. The first part 624 and the second part 626 may be combined with each other and correspond to an edge area of the substrate W located at the rear cleaning position when viewed from the top. The first part 624 and the second part 626 may be positioned opposite to each other. The first part 624 and the second part 626 are positioned symmetrically to each other and may have a symmetrical shape.

제1부분(624)과 제2부분(626)은 서로 동일 또는 유사한 구조로 제공된다. 이에, 이하에서는 제1부분(624)을 중심으로 설명한다.The first part 624 and the second part 626 are provided with the same or similar structures. Accordingly, the following description will focus on the first part 624.

제1부분(624)은 곡률지게 형성될 수 있다. 기판(W)이 배면 세정 위치에 위치할 때를 기준으로, 제1부분(624)은 기판(W)의 중심을 기준으로 곡률지게 형성될 수 있다. 제1부분(624)의 상면은 기판(W)이 배면 세정 위치에 위치할 때, 기판(W)의 배면과 접촉할 수 있다. 제1부분(624)의 상면은 기판(W)이 배면 세정 위치에 위치할 때, 기판(W)의 배면 가장자리 영역과 접촉될 수 있다. 제1부분(624)의 상면은 기판(W)을 손상시키지 않는 재질로 제공될 수 있다. 또한, 제1부분(624)은 액을 용이하게 흡수할 수 있는 재질로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 제1부분(624)의 상단 영역은 액을 용이하게 흡수할 수 있는 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 제1부분(624)의 상단은 다공성 재질로 제공될 수 있다.The first portion 624 may be formed to be curved. When the substrate W is positioned at the back cleaning position, the first portion 624 may be formed to be curved around the center of the substrate W. The upper surface of the first portion 624 may be in contact with the back surface of the substrate W when the substrate W is positioned in the back surface cleaning position. The upper surface of the first portion 624 may be in contact with the back edge area of the substrate W when the substrate W is positioned in the back cleaning position. The upper surface of the first portion 624 may be made of a material that does not damage the substrate W. Additionally, the first part 624 may be made of a material that can easily absorb liquid. According to one example, the upper region of the first portion 624 may be made of a material that can easily absorb liquid. For example, the top of the first portion 624 may be made of a porous material.

제1부분(624)은 반송 핸드(541), 연결부(542), 그리고 핸드 구동부(543)와 간섭되지 않는 위치에 배치될 수 있다. 예컨대, 반송 핸드(541)에 놓인 기판(W)이 배면 세정 위치에 위치할 때, 제1부분(624)과 제2부분(626)의 사이 공간에는 반송 핸드(541), 연결부(542), 그리고 핸드 구동부(543)의 일부가 위치할 수 있다.The first part 624 may be disposed in a position that does not interfere with the transfer hand 541, the connection part 542, and the hand driving part 543. For example, when the substrate W placed on the transfer hand 541 is positioned at the back cleaning position, the transfer hand 541, the connection portion 542, and the space between the first part 624 and the second part 626 are provided. And a part of the hand drive unit 543 may be located.

도 7을 참조하면, 일 예에 따른 접촉 부재(620)는 로드(Rod) 형상을 가지는 접촉 핀(628)으로 제공될 수 있다. 접촉 핀(628)은 연장부(547)의 상면에 결합될 수 있다. 접촉 핀(628)은 복수 개 제공될 수 있다. 기판(W)이 배면 세정 위치에 위치하는 경우, 복수 개의 접촉 핀(628)들은 상부에서 바라볼 때 기판(W)의 가장자리 영역에 대응하도록 서로 일정거리 이격되어 배열된다. 접촉 핀(628)의 끝단은 기판(W)의 배면을 향하는 방향으로 볼록하게 형성될 수 있다. 끝단이 볼록하게 형성된 접촉 핀(628)들은 배면 세정 위치에 위치한 기판(W)의 배면과 접촉할 때, 기판(W)의 배면에 손상을 최소화할 수 있다. 기판(W)의 배면과 접촉한 접촉 핀(628)을 따라 기판(W)의 배면에 잔류한 처리액이 흐를 수 있다.Referring to FIG. 7, the contact member 620 according to one example may be provided as a contact pin 628 having a rod shape. The contact pin 628 may be coupled to the upper surface of the extension portion 547. A plurality of contact pins 628 may be provided. When the substrate W is located at the rear cleaning position, the plurality of contact pins 628 are arranged at a certain distance apart from each other to correspond to the edge area of the substrate W when viewed from the top. The end of the contact pin 628 may be formed to be convex in a direction toward the back of the substrate W. The contact pins 628, which have convex ends, can minimize damage to the back of the substrate W when they contact the back of the substrate W located at the back cleaning position. The processing liquid remaining on the back of the substrate W may flow along the contact pin 628 in contact with the back of the substrate W.

상술한 실시예들에서는 접촉 부재(620)가 연장부(547)의 상면에 설치되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 따른 반송 로봇(540)에는 연장부(547)가 제공되지 않을 수 있고, 접촉 부재(620)가 수평 구동부(546)의 상면에 설치될 수 있다. 선택적으로, 접촉 부재(620)는 핸드 구동부(543)의 상면에 설치되어 기판(W)의 배면과 접촉할 수 있다.In the above-described embodiments, the contact member 620 is installed on the upper surface of the extension portion 547 as an example, but it is not limited thereto. The transfer robot 540 according to one embodiment may not be provided with an extension part 547, and a contact member 620 may be installed on the upper surface of the horizontal driving part 546. Optionally, the contact member 620 may be installed on the upper surface of the hand drive unit 543 and contact the rear surface of the substrate W.

또한, 상술한 예에서는 반송 핸드(541)의 상면에 패드(541a)가 제공되어 기판(W)의 하면을 지지하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 반송 핸드(541)의 상면에는 진공력을 제공하는 흡착 홀(미도시)이 형성되고, 흡착 홀(미도시)은 기판(W)의 하면을 향해 음압을 제공하여, 기판(W)을 진공 흡착할 수 있다.In addition, in the above-described example, a pad 541a is provided on the upper surface of the transfer hand 541 to support the lower surface of the substrate W, but the present invention is not limited thereto. For example, an adsorption hole (not shown) that provides vacuum force is formed on the upper surface of the transfer hand 541, and the adsorption hole (not shown) provides negative pressure toward the lower surface of the substrate (W) to Vacuum adsorption is possible.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에 대해 상세히 설명한다. 이하에서 설명하는 기판 처리 방법은 기판 처리 장치(1)에 의해 수행될 수 있다. 또한, 제어기(30)는 반송 유닛(500) 및 배면 세정 유닛(600)이 가지는 구성들을 제어하여 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 기판 처리 장치(1)에서 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법이 수행되는 것을 예로 들어 설명한다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 도 5 내지 도 7에서도 이와 동일 또는 유사한 방법으로 일 예에 따른 기판 처리 방법이 수행될 수 있음은 물론이다.Below, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail. The substrate processing method described below may be performed by the substrate processing apparatus 1. Additionally, the controller 30 can control the components of the transfer unit 500 and the back cleaning unit 600 to perform a substrate processing method described below. Hereinafter, for convenience of explanation, the substrate processing method according to an embodiment of the present invention is performed as an example in the substrate processing apparatus 1 described with reference to FIGS. 1 to 4. However, it is not limited to this, and of course, the substrate processing method according to one example may be performed in the same or similar manner in FIGS. 5 to 7 .

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 플로우 차트이다. 도 8을 참조하면, 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 액 처리 단계(S10), 반송 단계(S20), 그리고 건조 단계(S30)를 포함한다.Figure 8 is a flow chart of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 8, the substrate processing method according to one embodiment includes a liquid treatment step (S10), a transfer step (S20), and a drying step (S30).

액 처리 단계(S10), 반송 단계(S20), 그리고 건조 단계(S30)는 순차적으로 이루어질 수 있다. 또한, 액 처리 단계(S10), 반송 단계(S20), 그리고 건조 단계(S30)를 통칭하여 세정 공정으로 정의될 수 있다.The liquid treatment step (S10), the return step (S20), and the drying step (S30) may be performed sequentially. In addition, the liquid treatment step (S10), the transfer step (S20), and the drying step (S30) can be collectively defined as a cleaning process.

도 9는 도 8의 일 실시예에 따른 액 처리 단계에서 기판을 처리하는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하면, 액 처리 단계(S10)는 액 처리 챔버(300)에서 수행된다. 액 처리 단계(S10)에서는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리한다. 일 예에 의하면, 액 처리 단계(S10)에서는 기판(W) 상에 처리액을 공급하여 기판(W)을 액 처리할 수 있다. 예컨대, 액 처리 단계(S10)에서는 기판(W) 상에 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제 중 적어도 어느 하나를 공급하여 기판(W)을 액 처리할 수 있다. 예컨대, 액 처리 단계(S10)에서는 기판(W) 상에 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제를 순차적으로 공급하여 기판(W)을 액 처리할 수 있다.FIG. 9 is a diagram schematically showing processing of a substrate in a liquid processing step according to an embodiment of FIG. 8. Referring to FIG. 9, the liquid processing step (S10) is performed in the liquid processing chamber 300. In the liquid treatment step (S10), liquid is supplied onto the substrate W to treat the substrate W. According to one example, in the liquid treatment step (S10), the substrate W may be liquid treated by supplying a processing liquid onto the substrate W. For example, in the liquid treatment step (S10), the substrate W may be liquid treated by supplying at least one of a chemical, a rinse liquid, and an organic solvent to the substrate W. For example, in the liquid treatment step (S10), the substrate W may be liquid treated by sequentially supplying a chemical, a rinse liquid, and an organic solvent to the substrate W.

도 10과 도 11은 도 8의 일 실시예에 따른 반송 단계에서 액 처리가 완료된 기판을 배면 세정 위치로 위치시키는 모습을 순차적으로 보여주는 도면이다. 도 10과 도 11을 참조하면, 반송 단계(S20)는 반송 로봇(540)에 의해 수행된다. 반송 단계(S20)에서 반송 로봇(540)은 액 처리 챔버(300)로부터 건조 챔버(400)로 기판(W)을 반송한다. 반송 단계(S20)에서 반송 로봇(540)은 액 처리가 완료된 기판(W)을 액 처리 챔버(300)로부터 반출한다. 반송 로봇(540)은 액 처리 챔버(300)로부터 반출한 기판(W)을 반송 프레임(240) 내부의 반송 공간을 통해 건조 챔버(400)로 반입한다.FIGS. 10 and 11 are sequential views showing how a substrate on which liquid treatment has been completed is placed in a backside cleaning position in the transfer step according to an embodiment of FIG. 8 . 10 and 11, the transfer step (S20) is performed by the transfer robot 540. In the transfer step (S20), the transfer robot 540 transfers the substrate W from the liquid processing chamber 300 to the drying chamber 400. In the transfer step (S20), the transfer robot 540 transports the substrate W on which liquid treatment has been completed from the liquid treatment chamber 300. The transfer robot 540 transports the substrate W unloaded from the liquid processing chamber 300 into the drying chamber 400 through the transfer space inside the transfer frame 240 .

반송 단계(S20)에서는 기판(W)을 액 처리 챔버(300)에서 건조 챔버(400)로 반송하는 도중에 기판(W)의 배면에 잔류하는 처리액을 제거할 수 있다. 반송 단계(S20)에서는 반송 프레임(240) 내부의 반송 공간에서 기판(W)을 반송하는 도중에 기판(W)의 위치를 배면 세정 위치에 위치시켜 기판(W)의 배면에 잔류하는 처리액을 제거할 수 있다.In the transfer step (S20), the processing liquid remaining on the back of the substrate W may be removed while the substrate W is being transferred from the liquid processing chamber 300 to the drying chamber 400. In the transfer step (S20), while transporting the substrate W in the transfer space inside the transfer frame 240, the substrate W is positioned at the back cleaning position to remove the processing liquid remaining on the back of the substrate W. can do.

상술한 바와 같이, 배면 세정 위치란 배면 세정 유닛(600)이 기판(W)의 배면에 잔류하는 액을 제거할 수 있는 위치일 수 있다. 예컨대, 배면 세정 위치란 반송 로봇(540)이 제1방향(2) 및/또는 제2방향(4)으로 수평 이동하고, 제3방향(6)으로 하강 이동하여 반송 핸드(541)에 놓인 기판(W)의 배면과 반송 로봇(540)에 설치된 접촉 부재(620)의 상면이 서로 접촉할 수 있는 위치일 수 있다. 또한, 배면 세정 위치란, 상부에서 바라볼 때 기판(W)의 가장자리 영역과 접촉 부재(620)가 서로 중첩되는 위치일 수 있다. 또한, 배면 세정 위치란, 정면에서 바라볼 때, 기판(W)의 배면과 중첩 부재(620)의 상면이 서로 일치는 높이일 수 있다.As described above, the back cleaning position may be a position where the back cleaning unit 600 can remove liquid remaining on the back of the substrate W. For example, the back cleaning position means that the transfer robot 540 moves horizontally in the first direction 2 and/or the second direction 4 and moves downward in the third direction 6 to remove the substrate placed on the transfer hand 541. This may be a position where the rear surface of (W) and the upper surface of the contact member 620 installed on the transfer robot 540 can contact each other. Additionally, the back cleaning position may be a position where the edge area of the substrate W and the contact member 620 overlap each other when viewed from the top. Additionally, the back cleaning position may be a height at which the back surface of the substrate W and the top surface of the overlapping member 620 coincide with each other when viewed from the front.

반송 로봇(540)은 기판(W)을 액 처리 챔버(300)에서 반출한 이후, 반송 핸드(541)의 위치를 변경시킬 수 있다. 반송 핸드(541)는 핸드 구동부(543), 회전 구동부(544), 그리고 수직 구동부(545)에 의해 이동되어 배면 세정 위치에 위치시킬 수 있다.The transfer robot 540 may change the position of the transfer hand 541 after unloading the substrate W from the liquid processing chamber 300 . The transfer hand 541 can be moved by the hand drive unit 543, the rotation drive unit 544, and the vertical drive unit 545 to be positioned at the back cleaning position.

일 예로, 도 10과 같이 반송 핸드(541)는 액 처리가 완료된 기판(W)을 액 처리 챔버(300)로부터 반출한 이후, 핸드 구동부(543)와 회전 구동부(544)는 반송 핸드(541)에 올려진 기판(W)의 수평 위치를 변경시킬 수 있다. 수평 위치란, 상부에서 바라볼 때, 반송 핸드(541)에 올려진 기판(W)의 가장자리 영역과 접촉 부재(620)가 서로 중첩되는 위치일 수 있다.For example, as shown in FIG. 10, after the transfer hand 541 transports the substrate W on which liquid treatment has been completed from the liquid treatment chamber 300, the hand driver 543 and the rotation driver 544 move the transfer hand 541. The horizontal position of the substrate (W) placed on can be changed. The horizontal position may be a position where the edge area of the substrate W placed on the transfer hand 541 and the contact member 620 overlap each other when viewed from the top.

반송 핸드(541)에 올려진 기판(W)이 수평 위치에 위치되면, 도 11과 같이 수직 구동부(545)는 반송 핸드(541)를 제3방향(6)으로 하강시켜 반송 핸드(541)에 올려진 기판(W)의 배면과 접촉 부재(620)의 상면이 서로 접촉되게 위치시킬 수 있다. 보다 구체적으로, 수직 구동부(545)는 수평 위치에 위치된 기판(W)을 하강시켜 기판(W)을 배면 세정 위치에 위치시킨다. 이에, 기판(W)의 배면 가장자리 영역과 접촉 부재(620)의 상면이 서로 접촉될 수 있다.When the substrate (W) placed on the transfer hand 541 is positioned in a horizontal position, as shown in FIG. 11, the vertical driving unit 545 lowers the transfer hand 541 in the third direction 6 to place it on the transfer hand 541. The rear surface of the raised substrate W and the upper surface of the contact member 620 may be placed in contact with each other. More specifically, the vertical driver 545 lowers the substrate W positioned in the horizontal position and positions the substrate W at the back cleaning position. Accordingly, the rear edge area of the substrate W and the upper surface of the contact member 620 may contact each other.

이에, 액 처리 챔버(300)에서 기판(W) 상으로 처리액을 공급하는 과정에서 기판(W)의 가장자리 영역을 이탈하여 기판(W)의 배면에 흐른 처리액이 접촉 부재(620)에 의해 제거될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판(W)을 액 처리 챔버(300)에서 건조 챔버(400)로 반송하는 과정에서, 기판(W)의 배면에 잔류하는 처리액을 제거함으로써, 기판(W) 처리 공정의 효율을 증대시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 반송 프레임(240) 내부에는 팬 필터 유닛(미도시)과 배기 부재(242)가 설치되므로, 반송 공간 내에서 제거된 처리액은 후속 공정이 이루어지는 챔버에 영향을 주지 않고, 반송 공간 내에서 선제적으로 배출될 수 있다.Accordingly, in the process of supplying the processing liquid from the liquid processing chamber 300 onto the substrate W, the processing liquid leaving the edge area of the substrate W and flowing on the back surface of the substrate W is contacted by the contact member 620. can be removed In addition, according to an embodiment of the present invention, in the process of transporting the substrate W from the liquid processing chamber 300 to the drying chamber 400, the processing liquid remaining on the back of the substrate W is removed, thereby (W) The efficiency of the treatment process can be increased. In addition, according to one embodiment of the present invention, a fan filter unit (not shown) and an exhaust member 242 are installed inside the transfer frame 240, so the processing liquid removed from the transfer space is stored in the chamber where the subsequent process is performed. It can be discharged preemptively within the conveyance space without causing any impact.

상술한 일 실시예에 따른 반송 단계(S20)에서 기판(W)의 배면을 세정하는 과정은 수평 구동부(546)에 의해 반송 로봇(540)이 반송 프레임(240)의 길이 방향인 제1방향(2)을 따라 이동하는 동안 수행될 수 있다. 이와 달리, 액 처리 챔버(300)에서 액 처리가 완료된 기판(W)을 반출한 이후, 반송 로봇(540)이 제1방향(2)에 대해 정지한 상태로, 제3방향(6)의 수직 이동만을 수행하면서 반송 단계(S20)에서 기판(W)의 배면을 세정하는 과정을 수행할 수 있다.The process of cleaning the rear surface of the substrate W in the transfer step (S20) according to the above-described embodiment is performed by moving the transfer robot 540 in the first direction (longitudinal direction) of the transfer frame 240 by the horizontal driving unit 546. 2) can be performed while moving along. In contrast, after unloading the substrate W on which liquid treatment has been completed from the liquid processing chamber 300, the transfer robot 540 is stopped in the first direction 2 and vertically in the third direction 6. A process of cleaning the back surface of the substrate W can be performed in the transfer step (S20) while only performing movement.

도 12 및 도 13은 도 8의 일 실시예에 따른 건조 단계에서 기판이 건조되는 모습을 순차적으로 보여주는 도면이다. 도 12와 도 13을 참조하면, 건조 단계(S30)는 건조 챔버(400)에서 수행된다. 반송 단계(S20)에서 반송 로봇(224)에 의해 반송된 기판(W)은 건조 챔버(400)의 내부 공간(401)으로 반입된다. 건조 단계(S30)에서는 건조 챔버(400)로 반입된 기판(W)에 대해 공정 유체를 공급하여 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거한다.Figures 12 and 13 are diagrams sequentially showing how the substrate is dried in the drying step according to the embodiment of Figure 8. 12 and 13, the drying step (S30) is performed in the drying chamber 400. In the transfer step (S20), the substrate W transferred by the transfer robot 224 is brought into the internal space 401 of the drying chamber 400. In the drying step (S30), a process fluid is supplied to the substrate (W) brought into the drying chamber 400 to remove the liquid remaining on the substrate (W).

건조 단계(S30)에서 기판(W)은 내부 공간(401)이 개방된 상태에서 지지체(430)로 기판(W)이 반송된다. 지지체(430)로 반송된 기판(W)은 액 처리 챔버(300)에서 액 처리가 완료되고, 배면 세정 유닛(600)에 의해 기판(W)의 배면에 대한 세정이 완료된 기판(W)일 수 있다. 건조 챔버(400)의 내부 공간(401)으로 반송된 기판(W)은 그 배면 가장자리 영역이 지지체(430)에 지지된 상태에서 건조될 수 있다.In the drying step (S30), the substrate W is transferred to the support 430 with the internal space 401 open. The substrate W returned to the support 430 may be a substrate W on which liquid treatment has been completed in the liquid processing chamber 300 and the back of the substrate W has been cleaned by the back cleaning unit 600. there is. The substrate W returned to the internal space 401 of the drying chamber 400 may be dried while its rear edge area is supported by the support 430 .

기판(W)이 지지체(430)에 안착되면 제1바디(412)와 제2바디(414)는 서로 밀착되어 내부 공간(401)이 외부로부터 밀폐된다. 예컨대, 기판(W)이 거치대(434)에 안착되어 기판(W)의 배면 가장자리 영역이 지지되면 내부 공간(401)은 밀폐 상태로 전환된다. 내부 공간(401)이 밀폐된 이후, 유체 공급 유닛(450)은 내부 공간(401)으로 공정 유체를 공급한다. 일 예에 따르면, 유체 공급 유닛(450)은 내부 공간(401)으로 초임계 유체를 공급할 수 있다. 내부 공간(401)에 공정 유체를 공급하여 기판(W)은 건조된다. 즉, 내부 공간(401)에 공정 유체를 공급함으로써, 기판(W)의 상면에 잔류하는 처리액은 제거된다.When the substrate W is seated on the support 430, the first body 412 and the second body 414 are in close contact with each other and the internal space 401 is sealed from the outside. For example, when the substrate W is placed on the holder 434 and the rear edge area of the substrate W is supported, the internal space 401 is converted to a sealed state. After the internal space 401 is sealed, the fluid supply unit 450 supplies process fluid to the internal space 401. According to one example, the fluid supply unit 450 may supply supercritical fluid to the internal space 401. The substrate W is dried by supplying a process fluid to the internal space 401. That is, by supplying the process fluid to the internal space 401, the processing liquid remaining on the upper surface of the substrate W is removed.

내부 공간(401)이 밀폐된 이후, 제2밸브(455)를 개방하여 제2분기 라인(454)을 통해 내부 공간(401)으로 공정 유체가 선행적으로 공급될 수 있다. 내부 공간(401)의 하부 영역으로 공정 유체가 공급된 이후, 제1밸브(453)를 개방하여 제1분기 라인(452)을 통해 내부 공간(401)으로 공정 유체를 공급할 수 있다.After the internal space 401 is sealed, the second valve 455 may be opened to proactively supply the process fluid to the internal space 401 through the second branch line 454. After the process fluid is supplied to the lower area of the internal space 401, the first valve 453 may be opened to supply the process fluid to the internal space 401 through the first branch line 452.

기판을 건조 처리하는 초기에 내부 공간(401)이 임계 압력에 미달된 상태에서 진행될 수 있으므로, 내부 공간(401)으로 공급되는 공정 유체가 액화될 수 있다. 기판을 건조 처리하는 초기에 제1분기 라인(452)을 통해 공정 유체가 내부 공간(401)으로 공급되는 경우, 공정 유체가 액화되어 중력에 의해 기판(W)으로 낙하되어 기판(W)을 손상시킬 우려가 있다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 건조 단계(S30)는 제2분기 라인(454)을 통해 내부 공간(401)으로 공정 유체가 선행적으로 공급함으로써, 내부 공간(401)의 압력이 임계 압력에 도달한 이후, 제1분기 라인(452)에서 공정 유체의 공급을 시작하여 내부 공간(401)으로 공급되는 공정 유체가 액화되어 기판(W)을 손상시키는 것을 최소화할 수 있다.At the beginning of the drying process of the substrate, the internal space 401 may be performed in a state where the pressure is below the critical pressure, so the process fluid supplied to the internal space 401 may be liquefied. When the process fluid is supplied to the internal space 401 through the first branch line 452 at the beginning of drying the substrate, the process fluid is liquefied and falls onto the substrate W by gravity, damaging the substrate W. There is a risk that it will be done. Accordingly, in the drying step (S30) according to an embodiment of the present invention, the process fluid is proactively supplied to the internal space 401 through the second branch line 454, so that the pressure of the internal space 401 is raised to the critical pressure. After reaching , supply of the process fluid is started from the first branch line 452, thereby minimizing damage to the substrate W due to liquefaction of the process fluid supplied to the internal space 401.

건조 단계(S30)의 후기에는 내부 공간(401)의 내부 분위기가 배기 라인(460)을 통해 배기된다. 내부 공간(401)의 압력이 임계 압력 이하로 강압되면 공정 유체가 액화될 수 있다. 액화된 공정 유체는 중력에 의해 배기 라인(460)을 통해 배기될 수 있다.At the end of the drying step (S30), the internal atmosphere of the internal space 401 is exhausted through the exhaust line 460. When the pressure of the internal space 401 is lowered below the critical pressure, the process fluid may be liquefied. The liquefied process fluid may be exhausted through exhaust line 460 by gravity.

도 14는 도 4의 배면 세정 유닛의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도 15는 도 14의 배면 세정 유닛의 일 실시예를 상부에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.Figure 14 is a perspective view schematically showing another embodiment of the rear cleaning unit of Figure 4. FIG. 15 is a diagram schematically showing an embodiment of the back cleaning unit of FIG. 14 as seen from the top.

도 14 및 도 15를 참조하면, 배면 세정 유닛(600)은 비접촉 부재(640)로 제공될 수 있다. 비접촉 부재(620)는 기판(W)의 배면을 향해 오염 제거 소스를 공급할 수 있다. 비접촉 부재(640)는 기판(W)의 배면과 물리적으로 접촉되지 않을 수 있다. 비접촉 부재(640)는 반송 로봇(540)에 설치될 수 있다. 일 예에 의하면, 비접촉 부재(640)는 핸드 구동부(543)에 설치될 수 있다.Referring to FIGS. 14 and 15 , the back cleaning unit 600 may be provided as a non-contact member 640. The non-contact member 620 may supply a contamination removal source toward the back of the substrate W. The non-contact member 640 may not physically contact the back surface of the substrate W. The non-contact member 640 may be installed on the transfer robot 540. According to one example, the non-contact member 640 may be installed on the hand drive unit 543.

비접촉 부재(640)는 상부에서 바라볼 때, 반송 핸드(541)에 안착된 기판(W)의 가장자리 영역과 중첩되는 위치에 설치될 수 있다. 또한, 비접촉 부재(640)는 정면에서 바라볼 때, 반송 핸드(541)에 안착된 기판(W)의 배면으로부터 일정 거리 이격된 위치에 설치될 수 있다. 이에, 비접촉 부재(640)는 기판(W)의 배면으로부터 일정 거리 이격된 위치에 설치될 수 있다.The non-contact member 640 may be installed at a position that overlaps the edge area of the substrate W seated on the transfer hand 541 when viewed from above. Additionally, the non-contact member 640 may be installed at a position spaced a certain distance away from the back surface of the substrate W seated on the transfer hand 541 when viewed from the front. Accordingly, the non-contact member 640 may be installed at a position spaced a certain distance away from the rear surface of the substrate W.

비접촉 부재(640)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 비접촉 부재(640)는 상부에서 바라볼 때, 기판(W)의 가장자리 영역 둘레 방향을 따라 서로 이격되게 위치할 수 있다. 일 예에 따른 비접촉 부재(640)는 오염 제거 소스인 기류를 공급하는 기류 공급 장치로 제공될 수 있다. 예컨대, 비접촉 부재(640)는 핸드 구동부(543)의 상면에 기류가 유동하는 송풍구가 설치될 수 있다. 송풍구는 도시되지 않은 기류 공급원과 연결되어 기판(W)의 배면을 향해 기류를 공급할 수 있다.A plurality of non-contact members 640 may be provided. The plurality of non-contact members 640 may be positioned to be spaced apart from each other along the circumferential direction of the edge area of the substrate W when viewed from the top. The non-contact member 640 according to one example may be provided as an airflow supply device that supplies airflow that is a source of contamination removal. For example, the non-contact member 640 may be provided with an air vent through which airflow flows on the upper surface of the hand drive unit 543. The vent may be connected to an airflow source (not shown) to supply airflow toward the back of the substrate (W).

도 16은 도 14의 일 실시예에 따른 배면 세정 유닛이 기판의 배면을 세정하는 모습을 정면에서 바라본 도면이다. 도 16을 참조하면, 반송 로봇(540)은 액 처리 챔버(300)에서 액 처리가 완료된 기판(W)을 건조 챔버(400)로 반송한다. 반송 로봇(540)이 액 처리가 완료된 기판(W)을 반송하는 동안에, 일 예에 따른 비접촉 부재(640)는 기판(W)의 배면을 향해 기류를 공급한다. 기판(W)의 배면 가장자리 영역으로 공급된 기류는 기판(W)의 배면에 충돌하여 방사형으로 퍼질 수 있다. 이에, 기판(W)의 가장자리에 잔류하는 처리액은 비접촉 부재(640)에서 공급한 기류에 의해 기판(W)의 배면 가장자리 외측으로 밀려 제거될 수 있다.FIG. 16 is a front view showing the back side cleaning unit according to the embodiment of FIG. 14 cleaning the back side of the substrate. Referring to FIG. 16, the transfer robot 540 transfers the substrate W on which liquid treatment has been completed in the liquid treatment chamber 300 to the drying chamber 400. While the transfer robot 540 transfers the substrate W on which liquid treatment has been completed, the non-contact member 640 according to one example supplies an airflow toward the rear surface of the substrate W. The airflow supplied to the rear edge area of the substrate W may collide with the rear surface of the substrate W and spread radially. Accordingly, the processing liquid remaining on the edge of the substrate W may be removed by being pushed to the outside of the back edge of the substrate W by the airflow supplied from the non-contact member 640.

상술한 예와 달리, 일 예에 따른 비접촉 부재(620)가 기판(W)의 배면을 향해 공급하는 오염 제거 소스는 열원일 수 있다. 일 예에 따른 비접촉 부재(620)는 발열체로 제공될 수 있다. 발열체는 공지된 히터로 제공될 수 있다.Unlike the above-described example, the contamination removal source supplied by the non-contact member 620 toward the rear surface of the substrate W according to one example may be a heat source. The non-contact member 620 according to one example may be provided as a heating element. The heating element may be provided as a known heater.

비접촉 부재(620)에는 도시되지 않은 온/오프 스위치가 연결될 수 있다. 비접촉 부재(620)는 액 처리 챔버(300)에서 액 처리가 완료된 기판(W)을 건조 챔버(400)로 반송하는 동안 비접촉 부재(640)에서 기판(W)의 배면을 향해 열을 가할 수 있다. 또한, 비접촉 부재(620)는 액 처리가 완료된 기판(W)을 반송할 때에만 비접촉 부재(640)에서 기판(W)의 배면을 향해 열을 가할 수 있다. 액 처리가 완료된 기판(W)의 배면에 잔류하는 처리액은 반송되는 과정에서 기판(W)의 배면에 가해지는 열로 인해 제거될 수 있다.An on/off switch (not shown) may be connected to the non-contact member 620. The non-contact member 620 may apply heat from the non-contact member 640 toward the back of the substrate W while transferring the substrate W on which liquid treatment has been completed in the liquid processing chamber 300 to the drying chamber 400. . Additionally, the non-contact member 620 can apply heat from the non-contact member 640 toward the back of the substrate W only when transporting the substrate W on which liquid treatment has been completed. The processing liquid remaining on the back of the substrate (W) on which liquid treatment has been completed may be removed due to heat applied to the back of the substrate (W) during the transport process.

상술한 예와 달리, 비접촉 부재(640)는 수평 구동부(546)의 상면에 설치될 수 있다. 비접촉 부재(640)가 수평 구동부(546)의 상면에 설치되는 경우, 비접촉 부재(640)는 반송 핸드(541)에 놓인 기판(W)이 제3방향(6)으로 하강 이동한 이후 기판(W)의 배면을 향해 기류를 공급하여 기판(W)의 배면에 잔류하는 처리액을 제거할 수 있다. 선택적으로, 반송 유닛(540)에는 연장부(547)가 더 제공되고, 비접촉 부재(640)는 연장부(547)의 상면에 설치될 수도 있다.Unlike the above-described example, the non-contact member 640 may be installed on the upper surface of the horizontal driving unit 546. When the non-contact member 640 is installed on the upper surface of the horizontal driving unit 546, the non-contact member 640 moves downward in the third direction 6 after the substrate W placed on the transfer hand 541 moves downward (W). ), the processing liquid remaining on the back of the substrate (W) can be removed by supplying an airflow toward the back of the substrate (W). Optionally, the transfer unit 540 may be further provided with an extension part 547, and the non-contact member 640 may be installed on the upper surface of the extension part 547.

도 17은 도 1의 기판 처리 장치의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 이하에서 설명하는 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 상술한 기판 처리 장치와 반송 프레임(240)을 제외하고 대부분 유사하게 제공되므로, 중복되는 내용에 대해서는 그 설명을 생략한다.FIG. 17 is a diagram schematically showing another embodiment of the substrate processing apparatus of FIG. 1. Since the substrate processing apparatus according to an embodiment described below is provided in most ways similar to the above-described substrate processing apparatus except for the transport frame 240, description of overlapping content will be omitted.

반송 프레임(240)은 제1반송 프레임(240a)과 제2반송 프레임(240b)을 가질 수 있다. 제1반송 프레임(240a)과 제2반송 프레임(240b)은 각각 그 길이 방향이 제1방향(2)을 따라 배치될 수 있다. 제1반송 프레임(240a)은 제2반송 프레임(240b)보다 상대적으로 버퍼 유닛(220)에 인접하게 배치될 수 있다. 제1반송 프레임(240a)의 양 측에는 액 처리 챔버(300)들이 배치될 수 있다. 제2반송 프레임(240b)의 양 측에는 건조 챔버(400)가 배치될 수 있다. 제1반송 프레임(240a)과 제2반송 프레임(240b)의 사이에는 후술하는 배면 세정 프레임(700)이 배치될 수 있다. 이에, 배면 세정 프레임(700)을 기준으로, 제1반송 프레임(240a)과 제2반송 프레임(240b)은 서로 대칭되게 배치될 수 있다.The transport frame 240 may have a first transport frame 240a and a second transport frame 240b. The first transport frame 240a and the second transport frame 240b may each have their longitudinal directions arranged along the first direction 2. The first transport frame 240a may be placed relatively closer to the buffer unit 220 than the second transport frame 240b. Liquid processing chambers 300 may be disposed on both sides of the first transport frame 240a. Drying chambers 400 may be disposed on both sides of the second transport frame 240b. A back cleaning frame 700, which will be described later, may be disposed between the first transport frame 240a and the second transport frame 240b. Accordingly, with respect to the back cleaning frame 700, the first transport frame 240a and the second transport frame 240b may be arranged symmetrically to each other.

제1반송 프레임(240a)의 일 측은 버퍼 유닛(220)의 전면과 마주볼 수 있다. 제1반송 프레임(240a)의 일 측과 마주보는 타 측은 후술하는 배면 세정 프레임(700)의 전면과 마주볼 수 있다. 제2반송 프레임(240b)의 일 측은 배면 세정 프레임(700)의 후면과 마주볼 수 있다.One side of the first transport frame 240a may face the front of the buffer unit 220. The other side facing one side of the first transport frame 240a may face the front of the back cleaning frame 700, which will be described later. One side of the second transport frame 240b may face the back of the back cleaning frame 700.

제1반송 프레임(240a)은 내부에 기판(W)이 반송되는 제1반송 공간을 가진다. 제1반송 공간은 액 처리 챔버(300)에서 액 처리가 완료된 기판(W)을 후술하는 배면 세정 프레임(700)으로 반송하는 공간으로 기능한다. 제2반송 프레임(240b)은 내부에 기판(W)이 반송되는 제2반송 공간을 가진다. 제2반송 공간은 배면 세정 프레임(700)에서 배면으로부터 처리액이 제거된 기판(W)을 건조 챔버(400)로 반송하는 공간으로 기능한다.The first transport frame 240a has a first transport space therein where the substrate W is transported. The first transfer space functions as a space for transferring the substrate W on which liquid treatment has been completed in the liquid processing chamber 300 to the back cleaning frame 700, which will be described later. The second transport frame 240b has a second transport space inside where the substrate W is transported. The second transport space functions as a space for transporting the substrate W from which the processing liquid has been removed from the back of the back cleaning frame 700 to the drying chamber 400 .

제1반송 프레임(240a)과 제2반송 프레임(240b)에는 각각 상술한 반송 유닛(500)이 가지는 구성들이 배치된다. 예컨대, 제1반송 프레임(240a)과 제2반송 프레임(240b)에는 상술한 가이드 레일(520)과 반송 로봇(540)이 배치될 수 있다. 또한, 제1반송 프레임(240a)과 제2반송 프레임(240b)은 각각 상부면에 팬 필터 유닛(미도시)이 설치되고, 하부면에 배기 부재(242)가 설치될 수 있다.The components of the above-described transport unit 500 are disposed in the first transport frame 240a and the second transport frame 240b, respectively. For example, the above-described guide rail 520 and the transport robot 540 may be disposed in the first transport frame 240a and the second transport frame 240b. Additionally, a fan filter unit (not shown) may be installed on the upper surface of the first transport frame 240a and the second transport frame 240b, and an exhaust member 242 may be installed on the lower surface.

도 18는 도 17의 배면 세정 프레임의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도 18를 참조하면, 배면 세정 프레임(700)은 기판(W)의 배면에 잔류하는 처리액을 제거할 수 있다. 예컨대, 배면 세정 프레임(700)에서는 액 처리 챔버(300)에서 액 처리가 완료된 기판(W)의 배면에 잔류하는 처리액을 제거할 수 있다. 배면 세정 프레임(700)에는 액 처리 챔버(300)에서 액 처리가 완료된 기판(W)이 보관될 수 있다. 일 예로, 배면 세정 프레임(700)에서는 배면으로부터 처리액이 제거된 기판(W)을 보관할 수 있다. 배면 세정 프레임(700)은 제1반송 프레임(240a)과 제2반송 프레임(240b) 사이에 배치될 수 있다.FIG. 18 is a perspective view schematically showing an embodiment of the rear cleaning frame of FIG. 17. Referring to FIG. 18, the back cleaning frame 700 can remove the processing liquid remaining on the back of the substrate W. For example, the back cleaning frame 700 can remove the processing liquid remaining on the back of the substrate W on which liquid treatment has been completed in the liquid processing chamber 300 . The substrate W on which liquid treatment has been completed in the liquid treatment chamber 300 may be stored in the rear cleaning frame 700 . For example, the back cleaning frame 700 can store the substrate W from which the processing liquid has been removed. The back cleaning frame 700 may be disposed between the first transport frame 240a and the second transport frame 240b.

배면 세정 프레임(700)은 전후면이 개방되고, 내부 공간을 가지는 하우징으로 제공될 수 있다. 일 예에 있어서, 배면 세정 프레임(700)은 대체로 육면체 형상으로 제공될 수 있다. 배면 세정 프레임(700)의 내부 공간에는 액 처리 챔버(300)에서 액 처리가 완료된 기판(W)이 위치할 수 있다. 배면 세정 프레임(700)의 개방된 전면은 제1반송 프레임(240a)과 마주할 수 있다. 배면 세정 프레임(700)의 개방된 후면은 제2반송 프레임(240b)과 마주할 수 있다. 이에, 액 처리 챔버(300)로부터 액 처리가 완료된 기판(W)은 반송 로봇(540)에 의해 배면 세정 프레임(700)의 개방된 전면으로 반입될 수 있다. 또한, 배면 세정 프레임(700)에서 소정의 처리가 완료된 기판(W)은 개방된 배면 세정 프레임(700)의 후면을 통해 건조 챔버(400)로 반송될 수 있다.The rear cleaning frame 700 may be provided as a housing with open front and rear surfaces and an internal space. In one example, the rear cleaning frame 700 may be provided in a substantially hexahedral shape. A substrate W on which liquid treatment has been completed in the liquid processing chamber 300 may be located in the internal space of the rear cleaning frame 700 . The open front side of the back cleaning frame 700 may face the first transport frame 240a. The open rear side of the rear cleaning frame 700 may face the second transport frame 240b. Accordingly, the substrate W on which liquid treatment has been completed from the liquid treatment chamber 300 may be brought into the open front of the back cleaning frame 700 by the transfer robot 540 . Additionally, the substrate W on which predetermined processing has been completed in the back cleaning frame 700 may be transferred to the drying chamber 400 through the open rear side of the back cleaning frame 700.

배면 세정 프레임(700)의 내부 공간에는 구획 플레이트(720), 대기 슬롯(740), 그리고 배기 홀(760)이 제공될 수 있다. 또한, 배면 세정 프레임(700)의 내부 공간에는 상술한 배면 세정 유닛(600)이 설치될 수 있다. 배면 세정 프레임(700)의 내부 공간에 설치되는 배면 세정 유닛(600)은 도 1 내지 도 16을 참조하여 설명한 실시예들과 동일 또는 유사하게 제공된다. 즉, 일 예에 의하면, 배면 세정 프레임(700)에는 접촉 부재(620) 또는 비접촉 부재(640)가 설치될 수 있다. 일 예에 따른 배면 세정 프레임(700)에 설치되는 접촉 부재(620) 또는 비접촉 부재(640)는 배면 세정 프레임(700)의 바닥면에 설치될 수 있다.A partition plate 720, a waiting slot 740, and an exhaust hole 760 may be provided in the internal space of the rear cleaning frame 700. Additionally, the above-described rear cleaning unit 600 may be installed in the inner space of the rear cleaning frame 700. The back cleaning unit 600 installed in the inner space of the back cleaning frame 700 is provided in the same or similar manner as the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 16. That is, according to one example, a contact member 620 or a non-contact member 640 may be installed on the rear cleaning frame 700. The contact member 620 or the non-contact member 640 installed on the rear cleaning frame 700 according to one example may be installed on the bottom surface of the rear cleaning frame 700.

구획 플레이트(720)는 후술하는 배기 홀(760)을 통해 내부 공간의 분위기가 원활하게 배기되도록 메쉬(Mesh) 구조로 제공될 수 있다. 구획 플레이트(720)는 배면 세정 프레임(700)의 내부 공간을 구획할 수 있다. 예컨대, 구획 플레이트(720)는 배면 세정 프레임(700)의 내부 공간을 상부의 대기 영역과 하부의 세정 영역으로 구획할 수 있다.The partition plate 720 may be provided in a mesh structure so that the atmosphere of the internal space can be smoothly exhausted through the exhaust hole 760, which will be described later. The partition plate 720 may partition the internal space of the rear cleaning frame 700. For example, the partition plate 720 may divide the internal space of the rear cleaning frame 700 into an upper waiting area and a lower cleaning area.

상부의 대기 영역은 후술하는 대기 슬롯(740)이 설치되는 공간으로 제공될 수 있다. 하부의 세정 영역은 배면 세정 유닛(600)이 설치되는 공간으로 제공될 수 있다. 일 예에 따르면, 상부 대기 영역은 배면으로부터 처리액이 제거된 기판(W)이 대기하는 공간으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 상부 대기 영역은 배면으로부터 처리액이 제거되기 이전의 기판(W)이 대기하는 공간으로 제공될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 상부 대기 영역은 배면으로부터 처리액이 제거된 이후의 기판(W)이 대기하는 공간을 예로 들어 설명한다.The upper waiting area may be provided as a space where a waiting slot 740, which will be described later, is installed. The lower cleaning area may be provided as a space where the rear cleaning unit 600 is installed. According to one example, the upper waiting area may be provided as a space where the substrate W from which the processing liquid has been removed from the backside waits. Alternatively, the upper waiting area may be provided as a space where the substrate W waits before the processing liquid is removed from the back surface. Hereinafter, for convenience of explanation, the upper waiting area will be described as an example of a space where the substrate W waits after the processing liquid has been removed from the back surface.

대기 슬롯(740)은 배면 세정 프레임(700)의 내측면에 형성될 수 있다. 대기 슬롯(740)은 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 대기 슬롯(740)들은 상하로 이격되어 배치될 수 있다. 대기 슬롯(740)은 그 길이 방향이 배면 세정 프레임(700)의 내측면을 따라 형성될 수 있다. 대기 슬롯(740)은 배면 세정 프레임(700)의 내측면으로부터 돌출되게 형성된다. 대기 슬롯(740)은 대체로 호(Arc) 형상을 가질 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 대기 슬롯(740)은 상부에서 바라볼 때, 직사각형의 형상을 가질 수 있다. 대기 슬롯(740)은 상부에서 바라볼 때, 기판(W)의 가장자리 영역과 중첩되게 제공된다.The waiting slot 740 may be formed on the inner surface of the rear cleaning frame 700. A plurality of waiting slots 740 may be provided. A plurality of standby slots 740 may be arranged to be spaced apart from each other up and down. The waiting slot 740 may be formed along the inner surface of the rear cleaning frame 700 in its longitudinal direction. The waiting slot 740 is formed to protrude from the inner surface of the rear cleaning frame 700. The standby slot 740 may generally have an arc shape. However, it is not limited to this, and the waiting slot 740 may have a rectangular shape when viewed from the top. The standby slot 740 is provided to overlap the edge area of the substrate W when viewed from above.

액 처리 챔버(300)에서 액 처리가 완료된 기판(W)은 대기 슬롯(740)의 상면에 안착될 수 있다. 대기 슬롯(740)에 안착된 기판(W)은 그 가장자리 영역이 대기 슬롯(740)에 의해 지지될 수 있다. 일 예에 따르면, 대기 슬롯(740)에 안착된 기판(W)은 액 처리가 완료된 이후, 배면으로부터 처리액이 제거된 기판(W)일 수 있다.The substrate W on which liquid processing has been completed in the liquid processing chamber 300 may be seated on the upper surface of the waiting slot 740. The edge area of the substrate W seated in the standby slot 740 may be supported by the standby slot 740 . According to one example, the substrate W seated in the standby slot 740 may be a substrate W from which the processing liquid has been removed from the back after liquid treatment is completed.

배기 홀(780)은 배면 세정 프레임(700)의 바닥면에 형성될 수 있다. 배기 홀(780)은 배면 세정 프레임(700)의 내부 공간의 분위기를 배기할 수 있다. 배기 홀(780)은 배면 세정 프레임(700)의 하부 영역에서 기판(W)의 배면에 잔류하는 처리액을 제거하는 과정에서 발생되는 파티클, 공정 부산물 등을 배기할 수 있다.The exhaust hole 780 may be formed on the bottom of the rear cleaning frame 700. The exhaust hole 780 can exhaust the atmosphere of the internal space of the rear cleaning frame 700. The exhaust hole 780 may exhaust particles, process by-products, etc. generated in the process of removing the processing liquid remaining on the back of the substrate W in the lower area of the back cleaning frame 700.

도 19은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법의 플로우 차트이다. 도 20은 도 19의 일 실시예에 따른 배면 세정 단계에서 기판의 배면이 세정되는 모습을 상부에서 바라본 도면이다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에서 배면 세정 프레임(700) 내부 공간에 일 예에 따른 접촉 부재(620)가 설치된 것을 예로 들어 설명한다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 배면 세정 프레임(700) 내부에 비접촉 부재(640)가 설치된 경우에도 마찬가지로 적용될 수 있음은 물론이다.19 is a flow chart of a substrate processing method according to another embodiment of the present invention. FIG. 20 is a view from above showing the back side of the substrate being cleaned in the back side cleaning step according to the embodiment of FIG. 19. Hereinafter, for convenience of explanation, it will be described as an example that the contact member 620 according to an example is installed in the inner space of the rear cleaning frame 700 in the substrate processing method according to an embodiment of the present invention. However, it is not limited to this, and of course, the substrate processing method according to an embodiment of the present invention can be similarly applied even when the non-contact member 640 is installed inside the rear cleaning frame 700.

도 19와 도 20을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 액 처리 단계(S10), 반송 단계(S20), 그리고 건조 단계(S30)를 포함한다. 반송 단계(S20)는 제1반송 단계(S22), 배면 세정 단계(S24), 그리고 제2반송 단계(S26)를 포함할 수 있다.19 and 20, the substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes a liquid treatment step (S10), a transfer step (S20), and a drying step (S30). The transfer step (S20) may include a first transfer step (S22), a back cleaning step (S24), and a second transfer step (S26).

제1반송 단계(S22)에서 반송 로봇(540)은 액 처리 챔버(300)에서 액 처리 단계(S10)가 완료된 기판(W)을 제1반송 공간을 통해 배면 세정 프레임(700)의 내부 공간으로 반송할 수 있다. 제1반송 단계(S22)에서는 액 처리 챔버(300)에서 액 처리가 완료된 기판(W)을 배면 세정 프레임(700)의 개방된 전면을 통해 배면 세정 프레임(700)의 내부 공간으로 반송할 수 있다.In the first transfer step (S22), the transfer robot 540 transfers the substrate (W) on which the liquid treatment step (S10) has been completed from the liquid treatment chamber 300 to the internal space of the back cleaning frame 700 through the first transfer space. You can return it. In the first transfer step (S22), the substrate W on which liquid treatment has been completed in the liquid processing chamber 300 may be transferred to the internal space of the back cleaning frame 700 through the open front of the back cleaning frame 700. .

배면 세정 단계(S24)에서 반송 로봇(540)은 배면 세정 프레임(700)의 내부 공간 중 하부 세정 영역으로 반송 핸드(541)를 위치시킨다. 반송 핸드(541)가 하부 세정 영역에 위치하면, 반송 로봇(540)은 반송 핸드(541)에 안착된 기판(W)의 배면과 접촉 부재(620)의 상면이 접촉되도록 수평 방향으로 이동한다. 도 20과 같이, 반송 핸드(541)에 안착된 기판(W)의 배면 가장자리 영역은 상부에서 바라볼 때, 접촉 부재(620)의 상면과 중첩된다. 이에, 반송 핸드(541)의 수평 방향의 이동에 의해, 기판(W)의 배면 가장자리 영역이 접촉 부재(620)의 상면과 접촉되고, 이 과정에서 기판(W)의 배면 가장자리 영역에 잔류하는 처리액은 제거될 수 있다. 접촉 부재(620)에 의해 제거된 처리액은 배면 세정 프레임(700)의 바닥면에 설치된 배기 홀(780)을 통해 배출될 수 있다.In the back cleaning step (S24), the transfer robot 540 positions the transfer hand 541 in the lower cleaning area of the internal space of the back cleaning frame 700. When the transfer hand 541 is located in the lower cleaning area, the transfer robot 540 moves in the horizontal direction so that the back surface of the substrate W seated on the transfer hand 541 and the top surface of the contact member 620 contact. As shown in FIG. 20 , the back edge area of the substrate W mounted on the transfer hand 541 overlaps the top surface of the contact member 620 when viewed from above. Accordingly, by moving the transfer hand 541 in the horizontal direction, the back edge area of the substrate W comes into contact with the upper surface of the contact member 620, and in this process, the process remains in the back edge area of the substrate W. The liquid can be removed. The treatment liquid removed by the contact member 620 may be discharged through the exhaust hole 780 installed on the bottom of the rear cleaning frame 700.

배면 세정 단계(S24)가 완료된 기판(W)은 반송 로봇(540)에 의해 배면 세정 프레임(700)의 개방된 전면을 향해 수평 이동하고, 위 방향으로 수직 이동하여 대기 슬롯(740)에 안착될 수 있다.The substrate (W) on which the back cleaning step (S24) has been completed is moved horizontally toward the open front of the back cleaning frame 700 by the transfer robot 540, and moves vertically upward to be seated in the waiting slot 740. You can.

제2반송 단계(S26)에서 제2반송 공간에 위치하는 반송 로봇(540)은 배면 세정 단계(S24)가 완료되어 배면으로부터 처리액이 제거되어 대기 슬롯(740)에 대기하는 기판(W)을 배면 세정 프레임(700)으로부터 인출하여 제2반송 공간으로 반송한다. 반송 로봇(540)은 제2반송 공간으로 반송된 기판(W)을 건조 챔버(400)로 반입하고, 건조 챔버(400)의 지지체(430)에 기판(W)을 안착시킨다. 지지체(430)에 안착된 기판(W)은 그 가장자리 영역이 지지된 상태로 건조 단계(S30)를 수행한다.In the second transfer step (S26), the transfer robot 540 located in the second transfer space completes the back cleaning step (S24), removes the processing liquid from the back side, and removes the substrate (W) waiting in the waiting slot 740. It is taken out from the back cleaning frame 700 and transported to the second transport space. The transfer robot 540 brings the substrate W transferred to the second transfer space into the drying chamber 400 and places the substrate W on the support 430 of the drying chamber 400. The substrate W mounted on the support 430 is subjected to a drying step (S30) with its edge area supported.

액 처리 챔버(300)에서 기판(W)을 처리할 때, 공정 조건 또는 액의 공급량 등의 다양한 원인으로 기판(W)의 가장자리에서 처리액이 이탈될 수 있다. 기판(W)의 가장자리 영역에서 이탈된 처리액은 기판(W)의 배면에 잔류할 수 있다. 기판(W)의 배면에 잔류하는 처리액은 후속 공정에서 후속 기판을 오염시키는 오염원으로 작용할 수 있다.When processing the substrate W in the liquid processing chamber 300, the processing liquid may be separated from the edge of the substrate W for various reasons such as process conditions or liquid supply amount. The processing liquid that escapes from the edge area of the substrate (W) may remain on the back surface of the substrate (W). The processing liquid remaining on the back of the substrate W may act as a contaminant that contaminates subsequent substrates in subsequent processes.

이에, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판(W)의 배면 가장자리 영역에 잔류하는 처리액을 별도의 내부 공간을 갖는 배면 세정 프레임(700)에서 제거함으로써, 반송 공간은 물론 후속 공정을 수행하는 챔버에서 잔류하는 처리액에 의한 오염을 최소화할 수 있다.Accordingly, according to an embodiment of the present invention, the processing liquid remaining in the back edge area of the substrate W is removed from the back cleaning frame 700, which has a separate internal space, thereby creating a transfer space as well as performing a subsequent process. Contamination caused by processing liquid remaining in the chamber can be minimized.

또한, 액 처리 챔버(300)에서 액 처리가 완료된 기판(W)은 별도의 제1반송 공간을 가지고 이에 제공된 반송 로봇(540)에 의해 반송하고, 배면으로부터 처리액을 제거한 기판(W)은 별도의 제2반송 공간을 가지고 이에 제공된 별도의 반송 로봇(540)에 의해 반송할 수 있다. 즉, 배면으로부터 처리액이 제거되기 이전의 기판(W)과 배면으로부터 처리액이 제거된 이후의 기판(W)을 개별적인 반송 로봇(540)으로 반송할 수 있다. 이에, 후속 공정을 수행하는 챔버에서의 기판(W)의 배면에 잔류하는 처리액에 의한 오염을 효율적으로 차단할 수 있다.In addition, the substrate W on which liquid treatment has been completed in the liquid processing chamber 300 has a separate first transfer space and is transferred by the transfer robot 540 provided therein, and the substrate W from which the processing liquid has been removed from the back is separated separately. It can be transported by a separate transport robot 540 provided therein with a second transport space of . That is, the substrate W before the processing liquid is removed from the back side and the substrate W after the processing liquid is removed from the back side can be transported by individual transfer robots 540. Accordingly, contamination due to the processing liquid remaining on the back of the substrate W in the chamber where the subsequent process is performed can be efficiently prevented.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. Additionally, the foregoing is intended to illustrate preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications can be made within the scope of the inventive concept disclosed in this specification, a scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of technology or knowledge in the art. The written examples illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required for specific application fields and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention above is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Additionally, the appended claims should be construed to include other embodiments as well.

10 : 인덱스 모듈
20 : 처리 모듈
30 : 제어기
240 : 반송 프레임
300 : 액 처리 챔버
400 : 건조 챔버
500 : 반송 유닛
540 : 반송 로봇
600 : 배면 세정 유닛
620 : 접촉 부재
640 : 비접촉 부재
700 : 배면 세정 프레임
10: Index module
20: processing module
30: controller
240: return frame
300: Liquid processing chamber
400: drying chamber
500: transfer unit
540: Transfer robot
600: Back cleaning unit
620: contact member
640: Non-contact member
700: Back cleaning frame

Claims (20)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
상기 기판에 처리액을 공급하여 기판을 액 처리하는 액 처리 챔버;
상기 기판에 공정 유체를 공급하여 건조하는 건조 챔버;
상기 액 처리 챔버와 상기 건조 챔버 간에 상기 기판을 반송하는 반송 유닛; 및
상기 기판의 배면을 세정하는 배면 세정 유닛을 포함하되,
상기 배면 세정 유닛은,
상기 액 처리 챔버로부터 상기 건조 챔버로 상기 기판을 반송하는 도중에 상기 기판의 배면을 세정하는 기판 처리 장치.
In a device for processing a substrate,
a liquid processing chamber that supplies a processing liquid to the substrate to process the substrate;
a drying chamber that supplies process fluid to the substrate and dries it;
a transfer unit that transfers the substrate between the liquid processing chamber and the drying chamber; and
Includes a back cleaning unit for cleaning the back side of the substrate,
The back cleaning unit,
A substrate processing device that cleans the back surface of the substrate while transporting the substrate from the liquid processing chamber to the drying chamber.
제1항에 있어서,
상기 반송 유닛은,
반송 공간을 제공하는 반송 프레임 내부에서 이동하고, 상기 기판이 안착되는 반송 핸드를 가지는 반송 로봇을 포함하는 기판 처리 장치.
According to paragraph 1,
The transfer unit is,
A substrate processing device comprising a transfer robot that moves within a transfer frame that provides a transfer space and has a transfer hand on which the substrate is seated.
제2항에 있어서,
상기 배면 세정 유닛은,
상기 기판의 배면과 접촉하여 상기 기판의 배면에 잔류하는 상기 처리액을 제거하는 접촉 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
According to paragraph 2,
The back cleaning unit,
A substrate processing apparatus including a contact member that contacts the back of the substrate to remove the processing liquid remaining on the back of the substrate.
제3항에 있어서,
상기 접촉 부재는 상기 반송 로봇에 설치되는 기판 처리 장치.
According to paragraph 3,
A substrate processing device wherein the contact member is installed on the transfer robot.
제4항에 있어서,
상기 접촉 부재는,
상기 핸드보다 아래에 위치하고, 상기 기판이 놓인 상기 핸드의 수직 방향 이동에 의해 상기 기판의 배면과 접촉하는 기판 처리 장치.
According to paragraph 4,
The contact member is,
A substrate processing device that is located below the hand and contacts the back surface of the substrate by vertical movement of the hand on which the substrate is placed.
제5항에 있어서,
상기 접촉 부재에는,
상기 접촉 부재의 상단과 하단을 관통하는 복수 개의 홀이 형성되고,
상기 홀은 상기 접촉 부재의 길이 방향을 따라 서로 이격되게 배치되는 기판 처리 장치.
According to clause 5,
In the contact member,
A plurality of holes are formed penetrating the top and bottom of the contact member,
A substrate processing device in which the holes are arranged to be spaced apart from each other along the longitudinal direction of the contact member.
제3항에 있어서,
상기 반송 프레임 내부에는 상기 기판이 안착되는 슬롯이 형성된 배면 세정 프레임이 설치되고,
상기 배면 세정 프레임은 상기 액 처리 챔버와 상기 반송 프레임 사이에 위치하고,
상기 접촉 부재는 상기 배면 세정 프레임 내부에 설치되는 기판 처리 장치.
According to paragraph 3,
Inside the transport frame, a rear cleaning frame is installed with a slot on which the substrate is seated,
The rear cleaning frame is located between the liquid processing chamber and the conveying frame,
A substrate processing device wherein the contact member is installed inside the rear cleaning frame.
제7항에 있어서,
상기 접촉 부재는,
상기 핸드에 안착된 상기 기판이 상기 배면 세정 프레임 내부로 반송되는 과정에서 상기 기판의 배면과 접촉되는 위치에 설치되는 기판 처리 장치.
In clause 7,
The contact member is,
A substrate processing device installed at a location where the substrate placed on the hand is in contact with the back surface of the substrate during the process of being transported into the back cleaning frame.
제2항에 있어서,
상기 배면 세정 유닛은,
상기 기판의 배면으로부터 이격되고, 상기 기판의 배면에 잔류하는 상기 처리액을 비접촉 방식으로 제거하는 비접촉 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
According to paragraph 2,
The back cleaning unit,
A substrate processing apparatus comprising a non-contact member spaced apart from the back of the substrate and removing the processing liquid remaining on the back of the substrate in a non-contact manner.
제9항에 있어서,
상기 비접촉 부재는,
상기 기판의 배면을 향해 상기 처리액을 제거하는 오염 제거 소스를 공급하되,
상기 오염 제거 소스는 열 또는 기류로 제공되는 기판 처리 장치.
According to clause 9,
The non-contact member is,
Supplying a decontamination source that removes the processing liquid toward the back of the substrate,
A substrate processing device wherein the decontamination source is provided by heat or airflow.
제10항에 있어서,
상기 비접촉 부재는 상기 반송 로봇에 설치되는 기판 처리 장치.
According to clause 10,
A substrate processing device wherein the non-contact member is installed on the transfer robot.
제10항에 있어서,
상기 반송 프레임 내부에는 상기 기판이 안착되는 슬롯들이 형성된 배면 세정 프레임이 설치되고,
상기 배면 세정 프레임은 상기 액 처리 챔버와 상기 반송 프레임 사이에 위치하고,
상기 비접촉 부재는 상기 배면 세정 프레임 내부에 설치되는 기판 처리 장치.
According to clause 10,
Inside the transport frame, a rear cleaning frame is installed with slots on which the substrate is mounted,
The rear cleaning frame is located between the liquid processing chamber and the conveying frame,
A substrate processing device wherein the non-contact member is installed inside the rear cleaning frame.
제1항에 있어서,
상기 건조 챔버는 상기 기판을 지지하는 지지체를 포함하고,
상기 지지체는,
상기 액 처리가 완료된 기판의 배면 가장자리 영역을 지지하는 기판 처리 장치.
According to paragraph 1,
The drying chamber includes a support for supporting the substrate,
The support is,
A substrate processing device that supports the back edge area of the substrate on which the liquid treatment has been completed.
기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판에 처리액을 공급하는 액 처리 단계;
상기 액 처리된 기판을 반송하는 반송 단계; 및
상기 액 처리된 기판에 공정 유체를 공급하여 상기 기판을 건조하는 건조 단계를 포함하되,
상기 반송 단계에서는,
상기 액 처리된 기판을 반송하는 도중에 상기 기판의 배면에 잔류한 상기 처리액을 제거하는 기판 처리 방법.
In the method of processing the substrate,
a liquid processing step of supplying a processing liquid to the substrate;
A transport step of transporting the liquid-treated substrate; and
A drying step of drying the substrate by supplying a process fluid to the liquid-treated substrate,
In the return step,
A substrate processing method for removing the processing liquid remaining on the back of the substrate while transporting the liquid-treated substrate.
제14항에 있어서,
상기 반송 단계에서는,
상기 액 처리된 기판과 상기 기판의 배면과 접촉하는 접촉 부재 간의 상호 접촉에 의해 상기 기판의 배면에 잔류하는 상기 처리액을 제거하는 기판 처리 방법.
According to clause 14,
In the return step,
A substrate processing method for removing the processing liquid remaining on the back of the substrate by mutual contact between the liquid-treated substrate and a contact member in contact with the back of the substrate.
제15항에 있어서,
상기 반송 단계는 상기 액 처리된 기판을 반송하는 반송 로봇에 의해 수행되고,
상기 접촉 부재는 상기 반송 로봇에 설치되어 상기 반송 로봇이 상기 액 처리된 기판을 반송하는 동안에 상기 기판의 배면과 접촉하는 기판 처리 방법.
According to clause 15,
The transfer step is performed by a transfer robot that transfers the liquid-treated substrate,
A substrate processing method wherein the contact member is installed on the transfer robot and contacts the back surface of the substrate while the transfer robot transfers the liquid-treated substrate.
제15항에 있어서,
상기 접촉 부재는 상기 반송 단계에서 상기 액 처리된 기판을 반송하는 반송 공간 내에 설치된 배면 세정 프레임에 설치되고,
상기 반송 단계는,
상기 액 처리 단계가 수행되는 액 처리 챔버로부터 상기 배면 세정 프레임으로 상기 액 처리가 완료된 기판을 반송하는 제1반송 단계;
상기 배면 세정 프레임에서 상기 기판의 배면을 세정하는 배면 세정 단계; 및
상기 배면 세정 단계 이후에 상기 기판을 건조 단계가 수행되는 건조 챔버로 반송하는 제2반송 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
According to clause 15,
The contact member is installed on a rear cleaning frame installed in a transport space for transporting the liquid-treated substrate in the transport step,
The return step is,
A first transport step of transporting the substrate on which the liquid treatment has been completed from the liquid processing chamber where the liquid processing step is performed to the rear cleaning frame;
A backside cleaning step of cleaning the backside of the substrate in the backside cleaning frame; and
A substrate processing method comprising a second transport step of transporting the substrate to a drying chamber where a drying step is performed after the back surface cleaning step.
제14항에 있어서,
상기 반송 단계에서 상기 액 처리된 기판의 배면에 잔류하는 상기 처리액은 상기 기판의 배면을 향해 상기 처리액을 제거하는 오염 제거 소스를 공급하는 비접촉 부재에 의해 비접촉 방식으로 상기 기판으로부터 제거되는 기판 처리 방법.
According to clause 14,
In the transfer step, the processing liquid remaining on the back of the liquid-treated substrate is removed from the substrate in a non-contact manner by a non-contact member that supplies a decontamination source that removes the processing liquid toward the back of the substrate. method.
제18항에 있어서,
상기 비접촉 부재는,
상기 반송 단계에서 상기 액 처리된 기판을 반송하는 반송 로봇 및/또는 상기 반송 단계에서 상기 액 처리된 기판을 반송하는 반송 공간 내에 설치된 배면 세정 프레임에 설치되는 기판 처리 방법.
According to clause 18,
The non-contact member is,
A substrate processing method installed on a transfer robot that transfers the liquid-treated substrate in the transfer step and/or a back cleaning frame installed in a transfer space that transfers the liquid-treated substrate in the transfer step.
기판을 처리하는 장치에 있어서,
상기 기판의 상면에 처리액을 공급하여 기판을 액 처리하는 액 처리 챔버;
상기 기판에 초임계 유체를 공급하여 상기 기판을 건조하는 건조 챔버;
상기 액 처리 챔버와 상기 건조 챔버 간에 상기 기판을 반송하는 반송 유닛; 및
상기 기판의 배면을 세정하는 배면 세정 유닛을 포함하되,
상기 건조 챔버는,
내부 공간을 가지는 하우징; 및
상기 내부 공간에서 상기 액 처리가 완료된 기판의 배면 가장자리 영역을 지지하는 지지 유닛을 포함하고,
상기 배면 세정 유닛은,
상기 액 처리 챔버로부터 상기 건조 챔버로 상기 기판을 반송하는 도중에 상기 기판의 배면을 접촉 방식 및/또는 비접촉 방식으로 세정하여 상기 기판의 배면에 잔류하는 상기 처리액을 제거하는 기판 처리 장치.


In a device for processing a substrate,
a liquid processing chamber for liquid processing the substrate by supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate;
a drying chamber that supplies supercritical fluid to the substrate to dry the substrate;
a transfer unit that transfers the substrate between the liquid processing chamber and the drying chamber; and
Includes a back cleaning unit for cleaning the back side of the substrate,
The drying chamber is,
a housing having an interior space; and
A support unit supporting a rear edge area of the substrate on which the liquid treatment has been completed in the internal space,
The back cleaning unit,
A substrate processing device that cleans the back of the substrate in a contact and/or non-contact manner to remove the processing liquid remaining on the back of the substrate while transporting the substrate from the liquid processing chamber to the drying chamber.


KR1020220019254A 2021-12-24 2022-02-15 Apparatus for treating substrate and method for processing a substrate KR102640149B1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022198858A JP2023095803A (en) 2021-12-24 2022-12-13 Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
US18/068,869 US20230201883A1 (en) 2021-12-24 2022-12-20 Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
TW111149284A TW202326910A (en) 2021-12-24 2022-12-21 Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
CN202211676993.5A CN116344389A (en) 2021-12-24 2022-12-26 Apparatus for treating substrate and method for treating substrate

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210186949 2021-12-24
KR20210186949 2021-12-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230098470A KR20230098470A (en) 2023-07-04
KR102640149B1 true KR102640149B1 (en) 2024-02-28

Family

ID=87156176

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220019254A KR102640149B1 (en) 2021-12-24 2022-02-15 Apparatus for treating substrate and method for processing a substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102640149B1 (en)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101078590B1 (en) * 2010-02-08 2011-11-01 주식회사 케이씨텍 Apparatus to Clean Substrate and Method to Control thereof
KR20140084733A (en) * 2012-12-27 2014-07-07 세메스 주식회사 Apparatus and method fdr treating substrates
JP7245059B2 (en) * 2019-01-24 2023-03-23 株式会社ジェイ・イー・ティ SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230098470A (en) 2023-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101798320B1 (en) Substrate processing apparatus
TWI529796B (en) Apparatus and mothod for treating substrate
KR101489314B1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
US20170345687A1 (en) Unit for supplying fluid, apparatus and method for treating substrate with the unit
KR20130134996A (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR101736845B1 (en) Apparatus and method for treating a substrate
KR102357066B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR101979604B1 (en) Method for treating substrate
KR102640149B1 (en) Apparatus for treating substrate and method for processing a substrate
JP7288497B2 (en) Substrate gripping device, liquid processing device including same, and substrate processing equipment
US20230201883A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR102247680B1 (en) Fluid supply unit and substrate treating apparatus having the same
TWI841135B (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
US20230201884A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR102578764B1 (en) Substrate processing apparatus and processing substrate method
KR20230098469A (en) Apparatus for treating substrate and method for processing a substrate
KR102161794B1 (en) Apparatus and Method for cleaning component
KR102584514B1 (en) Apparatus for transferring substrate, apparatus and method for treating substrate
KR102537676B1 (en) Apparatus for treating substrate
JP7406601B2 (en) Substrate processing equipment and substrate processing method
KR102180009B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
US20230211390A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating a substrate
KR102162260B1 (en) Guide pin, unit for supporting photo mask with the guide pin, and apparatus for cleaning photo mask with the guide pin
KR20230104495A (en) Apparatus for treating substrate and method for processing a substrate
KR20230097934A (en) Apparatus for treating substrate and method for processing a substrate

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant