KR102161794B1 - Apparatus and Method for cleaning component - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치의 부품을 세정 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 장치의 부품을 세정 처리하는 장치는 상기 부품이 장착되는 부품 세정 유닛 및 상기 부품 세정 유닛으로 세정액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 부품 세정 유닛은 상기 액 공급 유닛과 연결되는 유입관과 상기 부품 세정에 사용된 액을 배출하는 배출관을 포함하고, 상기 유입관은 상기 부품에 결합 가능하도록 제공된다. The present invention provides an apparatus and method for cleaning components of an apparatus for processing a substrate. An apparatus for cleaning a component of an apparatus for processing a substrate includes a component cleaning unit on which the component is mounted and a liquid supply unit supplying a cleaning liquid to the component cleaning unit, wherein the component cleaning unit is connected to the liquid supply unit. And an inlet pipe and a discharge pipe for discharging the liquid used for cleaning the part, and the inlet pipe is provided to be coupled to the part.

Description

부품 세정 장치 및 방법{Apparatus and Method for cleaning component}Apparatus and Method for cleaning component

본 발명은 기판을 처리하는 장치의 부품을 세정 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for cleaning components of an apparatus for processing a substrate.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들이 수행된다. 각각의 공정에서 생성된 오염물 및 파티클을 제거하기 위해 공정이 진행되기 전 또는 후 단계에서 기판을 세정하는 세정 공정이 실시된다.In order to manufacture a semiconductor device or a liquid crystal display, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition are performed on a substrate. In order to remove contaminants and particles generated in each process, a cleaning process of cleaning the substrate before or after the process is performed is performed.

이러한 세정 공정은 기판 상에 액을 공급하여 박막이나 이물을 제거하고, 기판을 액 처리하는 중에 발생되는 파티클을 최소화한다.In this cleaning process, a liquid is supplied to the substrate to remove thin films or foreign substances, and particles generated during liquid treatment of the substrate are minimized.

그러나 세정 공정에 사용되는 부품들 중 일부는 세정액과 반응하여 파티클을 발생시킬 수 있으며, 부품의 내구도에 따라 부품이 동작되는 과정에서 파티클을 발생시킨다. 이러한 부품은 사용 시기가 길수록 이물이 쌓이며, 이는 기판에 공급되어 기판을 오염시킬 수 있다.However, some of the parts used in the cleaning process may react with the cleaning liquid to generate particles, and according to the durability of the parts, particles are generated during the operation of the parts. As these components are used longer, foreign matter accumulates, which can be fed to the substrate and contaminate the substrate.

이로 인해 부품을 세정하는 방안으로, 도 1과 같이 부품을 수조(2)의 세정액(4)에 침지시키는 방안이 제기되었다.As a result, as a method of cleaning the parts, a method of immersing the parts in the cleaning liquid 4 of the water tank 2 as shown in FIG. 1 has been proposed.

그러나 부품 내 미세 공간에는 세정액의 침투가 어려우며, 세정 처리된 부품이 동작하는 과정에서 파티클이 재발생된다.However, it is difficult for the cleaning liquid to penetrate into the microcavities in the part, and particles are regenerated during the operation of the cleaned part.

본 발명은 기판을 세정 처리 시 세정력을 향상시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of improving cleaning power during cleaning of a substrate.

또한 본 발명은 기판 처리 장치의 부품 오염을 방지하는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method for preventing component contamination of a substrate processing apparatus.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치의 부품을 세정 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 장치의 부품을 세정 처리하는 장치는 상기 부품이 장착되는 부품 세정 유닛 및 상기 부품 세정 유닛으로 세정액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 부품 세정 유닛은 상기 액 공급 유닛과 연결되는 유입관과 상기 부품 세정에 사용된 액을 배출하는 배출관을 포함하고, 상기 유입관은 상기 부품에 결합 가능하도록 제공된다. Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for cleaning a component of an apparatus for processing a substrate. An apparatus for cleaning a component of an apparatus for processing a substrate includes a component cleaning unit on which the component is mounted and a liquid supply unit supplying a cleaning liquid to the component cleaning unit, wherein the component cleaning unit is connected to the liquid supply unit. And an inlet pipe and a discharge pipe for discharging the liquid used for cleaning the part, and the inlet pipe is provided to be coupled to the part.

상기 부품은 밸브를 포함하되, 상기 유입관을 통해 공급된 상기 세정액이 상기 밸브 내의 유로를 통과한 후에 상기 배출관으로 흐르도록 상기 밸브가 상기 유입관과 상기 배출관의 사이에서, 상기 유입관과 상기 배출관에 각각 연결될 수 있다. The component includes a valve, wherein the valve is between the inlet pipe and the discharge pipe so that the cleaning liquid supplied through the inlet pipe flows to the discharge pipe after passing through the flow path in the valve, the inlet pipe and the discharge pipe Can be connected to each.

상기 장치는 상기 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하며, 상기 제어기는 상기 세정액이 상기 밸브 내의 유로로 흐르는 도중에 상기 유로의 개폐가 이루어지도록 상기 밸브를 제어할 수 있다. The apparatus may further include a controller for controlling the valve, and the controller may control the valve to open/close the flow path while the cleaning liquid flows into the flow path in the valve.

상기 부품은 노즐을 포함할 수 있다. 상기 부품 세정 유닛은 내부에 세정 공간이 형성된 용기를 더 포함하고, 상기 유입관을 통해 공급된 상기 세정액이 상기 노즐 내 토출 라인으로 흐른 후 상기 노즐의 토출구를 통해 토출되도록 상기 노즐이 상기 유입관에 결합 가능하게 제공되고, 상기 배출관은 상기 용기에 결합되며, 상기 용기는 상기 토출 라인을 세정 시 상기 세정액이 상기 토출구로부터 상기 세정 공간에 토출되도록 위치될 수 있다.The component may comprise a nozzle. The parts cleaning unit further includes a container having a cleaning space formed therein, and the nozzle is supplied to the inlet pipe so that the cleaning liquid supplied through the inlet pipe flows to the discharge line in the nozzle and is discharged through the discharge port of the nozzle. It is provided to be coupled, the discharge pipe is coupled to the container, and the container may be positioned so that the cleaning liquid is discharged from the discharge port to the cleaning space when cleaning the discharge line.

상기 액 공급 유닛은, 상기 세정액이 흐르는 메인 라인을 포함하고, 상기 부품 세정 유닛은 복수 개로 제공되며, 각각의 상기 부품 세정 유닛의 유입관은 상기 메인 라인에 연결되며, 복수 개의 상기 부품 세정 유닛들은 서로 간에 병렬 배치될 수 있다. 상기 액 공급 유닛은 상기 메인 라인으로 케미칼을 공급하는 하나 또는 복수 개의 케미칼 공급부와 상기 메인 라인으로 린스액을 공급하는 린스액 공급부를 포함하되, 상기 케미칼 공급부와 상기 린스액 공급부는 상기 메인 라인에 상기 케미칼과 상기 순수가 선택적으로 공급되도록 상기 메인 라인에 연결될 수 있다. 상기 린스액 공급부는 제1온도를 가지는 제1액을 공급하는 제1액 공급부와 제2온도를 가지는 제2액을 공급하는 제2액 공급부를 포함하되, 상기 제1온도와 상기 제2온도는 서로 상이한 온도로 제공될 수 있다. The liquid supply unit includes a main line through which the cleaning liquid flows, and a plurality of parts cleaning units are provided, and an inlet pipe of each of the parts cleaning units is connected to the main line, and the plurality of parts cleaning units are They can be placed in parallel with each other. The liquid supply unit includes one or more chemical supply units for supplying chemicals to the main line and a rinsing solution supply unit for supplying a rinsing solution to the main line, wherein the chemical supply unit and the rinsing solution supply unit are provided to the main line. It may be connected to the main line so that the chemical and the pure water are selectively supplied. The rinse liquid supply unit includes a first liquid supply unit supplying a first liquid having a first temperature and a second liquid supply unit supplying a second liquid having a second temperature, wherein the first temperature and the second temperature are It can be provided at different temperatures.

또한 부품 세정 장치는 밸브가 장착되는 제1부품 세정 유닛과 노즐이 장착되는 제2부품 세정 유닛과 상기 제1부품 세정 유닛 및 상기 제2부품 세정 유닛 각각으로 세정액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 제1부품 세정 유닛은 상기 액 공급 유닛으로부터 연결되며, 상기 밸브에 결합되는 제1유입관과 상기 세정액이 상기 밸브 내의 유로를 통과하여 배출되도록 상기 밸브에 결합되는 제1배출관을 포함하고, 상기 제2부품 세정 유닛은 상기 액 공급 유닛으로부터 연결되며, 상기 노즐이 결합되는 제2유입관과 내부에 세정 공간이 형성된 용기와 상기 세정 공간에 제공된 액을 배출하는 제2배출관을 포함하되, 상기 용기는 상기 세정액이 상기 노즐 내의 토출 라인을 통과하여 상기 세정 공간에 토출되도록 위치된다. In addition, the parts cleaning apparatus includes a first parts cleaning unit on which a valve is mounted, a second parts cleaning unit on which a nozzle is mounted, and a liquid supply unit supplying a cleaning liquid to each of the first parts cleaning unit and the second parts cleaning unit. The first parts cleaning unit is connected from the liquid supply unit and includes a first inlet pipe coupled to the valve and a first discharge pipe coupled to the valve so that the cleaning liquid is discharged through a flow path in the valve, The second parts cleaning unit is connected from the liquid supply unit and includes a second inlet pipe to which the nozzle is coupled, a container having a cleaning space therein, and a second discharge pipe for discharging the liquid provided to the cleaning space, wherein the The container is positioned so that the cleaning liquid is discharged into the cleaning space through a discharge line in the nozzle.

상기 장치는 상기 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하며, 상기 제어기는 상기 세정액이 상기 밸브 내의 유로로 흐르는 도중에 상기 유로의 개폐가 이루어지도록 상기 밸브를 제어할 수 있다. The apparatus may further include a controller for controlling the valve, and the controller may control the valve to open/close the flow path while the cleaning liquid flows into the flow path in the valve.

상기의 장치를 이용하여 밸브를 세정하는 방법으로는 상기 밸브를 상기 유입관에 결합하고, 상기 유입관을 통해 상기 세정액을 상기 밸브 내 유로로 공급하여 상기 유로를 세정한다. In a method of cleaning the valve using the above device, the valve is coupled to the inlet pipe, and the cleaning liquid is supplied to the flow path in the valve through the inlet pipe to clean the flow path.

상기 세정액이 상기 밸브 내 유로로 흐르는 동안에 상기 유로의 개폐 동작이 이루어질 수 있다. While the cleaning liquid flows through the flow path in the valve, the opening and closing operation of the flow path may be performed.

또한 상기의 장치를 이용하여 액을 토출하는 노즐의 내부를 세정하는 방법으로는, 상기 노즐을 상기 유입관에 결합하고, 상기 유입관을 통해 상기 세정액을 상기 노즐 내 토출 라인으로 공급하고, 상기 토출구를 통해 상기 세정액이 상기 노즐로부터 토출됨으로써 상기 노즐의 내부가 세정된다. In addition, as a method of cleaning the inside of the nozzle for discharging the liquid using the above device, the nozzle is coupled to the inlet pipe, the cleaning liquid is supplied to the discharge line in the nozzle through the inlet pipe, and the discharge port Through the cleaning liquid is discharged from the nozzle, the inside of the nozzle is cleaned.

상술한 상기 세정액은 케미칼, 제1액, 그리고 제2액을 포함하되, 상기 세정하는 것은 상기 케미칼, 상기 제1액, 그리고 상기 제2액을 순차적으로 공급하는 것을 포함하고, 상기 제1액과 상기 제2액은 서로 다른 온도를 가질 수 있다. The above-described cleaning liquid includes a chemical, a first liquid, and a second liquid, and the cleaning includes sequentially supplying the chemical, the first liquid, and the second liquid, and the first liquid and The second liquid may have different temperatures.

상기 제1액은 제1온도로 제공되고, 상기 제2액은 제2온도로 제공되며, 상기 제1온도는 상온 및 상기 제2온도보다 높은 온도로 제공될 수 있다. 상기 제1액과 상기 제2액은 동일한 종류의 액일 수 있다. The first liquid may be provided at a first temperature, the second liquid may be provided at a second temperature, and the first temperature may be provided at room temperature and at a temperature higher than the second temperature. The first liquid and the second liquid may be of the same type.

본 발명의 실시예에 의하면, 세정액이 부품을 통과하도록 세정액을 공급한다. 이로 인해 세정액은 부품의 미세 공간에 강제 침투되어 부품의 미세 공간을 세정할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the cleaning liquid is supplied so that the cleaning liquid passes through the part. As a result, the cleaning liquid can forcibly penetrate the microcavities of the part and clean the microcavities of the part.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 세정액이 부품을 통과하는 과정에서 부품은 동작된다. 이로 인해 부품의 동작 시 발생되는 파티클을 제거할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the part is operated while the cleaning liquid passes through the part. This makes it possible to remove particles generated during operation of the part.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 부품으로부터 발생되는 파티클이 최소화되므로, 기판을 세정 처리 시 세정력을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the exemplary embodiment of the present invention, since particles generated from components are minimized, cleaning power can be improved when cleaning the substrate.

도 1은 일반적인 부품을 세정하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 장치의 부품 세정 장치를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 장치를 이용하여 부품을 세정하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 6 및 도 7은 도 5의 액 공급 순서에 따른 파티클의 수를 보여주는 그래프이다.1 is a view showing a process of cleaning a general part.
2 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 2.
4 is a view showing a component cleaning apparatus of the apparatus of FIG. 3.
5 is a flow chart showing a process of cleaning parts using the apparatus of FIG. 4.
6 and 7 are graphs showing the number of particles according to the liquid supply sequence of FIG. 5.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Therefore, the shape of the constituent elements in the drawings is exaggerated to emphasize a more clear description.

본 발명은 도 2 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.The present invention will be described in detail an example of the present invention with reference to FIGS. 2 to 7.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.2 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. Referring to FIG. 2, the substrate processing facility 1 includes an index module 10 and a process processing module 20, and the index module 10 includes a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 20 are arranged is referred to as the first direction 12, and when viewed from above, perpendicular to the first direction 12 The direction is referred to as the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16.

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 18 in which the substrate W is accommodated is mounted on the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In Figure 1, it is shown that four load ports 120 are provided. However, the number of load ports 120 may increase or decrease according to conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 20. The carrier 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. A plurality of slots are provided in the third direction 16, and the substrates are positioned in the carrier to be stacked in a state spaced apart from each other along the third direction 16. As the carrier 18, a Front Opening Unified Pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송 챔버(240)의 양측에는 공정 챔버들(260)이 배치된다. 공정 챔버들(260)은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 양측에는 공정 챔버들(260)이 A X B(A와 B는 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 양측 각각에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. The process processing module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed in a longitudinal direction parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on both sides of the transfer chamber 240 along the second direction 14. The process chambers 260 may be provided to be symmetrical to each other with respect to the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the length direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are disposed to be stacked on each other. That is, on both sides of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B (A and B are each a natural number of 1 or more). Here, A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12, and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on each side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an arrangement of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease.

상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에 단층으로 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 상술한 바와 달리 다양한 배치로 제공될 수 있다. 또한 공정 챔버들(260) 중 이송 챔버(240)의 일측에는 기판을 액 처리 공정을 수행하고, 타측에는 액 처리 공정이 수행된 기판을 건조 처리하는 공정을 수행할 수 있다. 건조 처리 공정은 초임계 처리 공정일 수 있다.Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and the other side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided in various arrangements unlike the above. In addition, among the process chambers 260, a substrate may be subjected to a liquid treatment process on one side of the transfer chamber 240 and a process of drying the substrate on which the liquid treatment process has been performed may be performed on the other side. The drying treatment process may be a supercritical treatment process.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯들(미도시)은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(220)에서 이송 프레임(140)과 마주보는 면과 이송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W stays between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140 before the substrate W is transferred. The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided so as to be spaced apart from each other along the third direction 16. In the buffer unit 220, a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 are each opened.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the carrier 18 seated on the load port 120 and the buffer unit 220. An index rail 142 and an index robot 144 are provided in the transport frame 140. The index rail 142 is provided in a longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body (144b) is provided to be rotatable on the base (144a). The index arm 144c is coupled to the body 144b, and is provided to move forward and backward with respect to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are disposed to be stacked apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used when transferring the substrate W from the process processing module 20 to the carrier 18, and other parts are the substrate W from the carrier 18 to the process processing module 20. Can be used when returning. This can prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from adhering to the substrate W after the process treatment during the process of the index robot 144 carrying in and carrying out the substrate W.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220) 및 공정 챔버들(260) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chambers 260. A guide rail 242 and a main robot 244 are provided in the transfer chamber 240. The guide rail 242 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and moves linearly along the first direction 12 on the guide rail 242.

아래에서는 공정 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)에 대해 설명한다. 본 실시예에는 기판 처리 장치(300)이 기판에 대해 액 처리 공정을 수행하는 것을 일 예로 설명한다. 액 처리 공정은 기판을 세정 처리하거나, 기판 상에 형성된 막을 제거하는 공정을 포함할 수 있다. Hereinafter, the substrate processing apparatus 300 provided in the process chamber 260 will be described. In the present embodiment, it is described as an example that the substrate processing apparatus 300 performs a liquid processing process on a substrate. The liquid treatment process may include a process of cleaning the substrate or removing a film formed on the substrate.

도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 챔버(310), 처리 용기(320), 스핀 헤드(340), 승강 유닛(360), 그리고 액 공급 유닛(400)을 포함한다. 챔버(310)는 내부에 기판(W)을 처리하는 공정이 수행되는 처리 공간(312)을 제공한다. 챔버(310)의 바닥면에는 배기관(314)이 설치된다. 배기관(314)은 처리 공간(312)을 배기하는 관으로 제공된다. 배기관(314)에는 감압 부재(540)가 설치될 수 있다. 3 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 2. Referring to FIG. 3, the substrate processing apparatus 300 includes a chamber 310, a processing vessel 320, a spin head 340, an elevating unit 360, and a liquid supply unit 400. The chamber 310 provides a processing space 312 in which a process of processing the substrate W is performed. An exhaust pipe 314 is installed on the bottom surface of the chamber 310. The exhaust pipe 314 is provided as a pipe exhausting the processing space 312. A pressure reducing member 540 may be installed in the exhaust pipe 314.

처리 용기(320)는 처리 공간(312)에 위치되며, 상부가 개방된 컵 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 처리 용기(320) 배기관(314)과 중첩되도록 위치된다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 스핀 헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 외부 회수통(326)과 내부 회수통(322)의 사이 공간(326a)은 각각 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,326b)은 각각의 회수통(322,326)을 통해 유입된 처리액을 배출하는 배출관으로 기능한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The processing container 320 is located in the processing space 312 and is provided in a cup shape with an open top. When viewed from the top, the processing vessel 320 is positioned to overlap the exhaust pipe 314. The processing container 320 has an internal recovery container 322 and an external recovery container 326. Each of the collection vessels 322 and 326 recovers treatment liquids different from each other among treatment liquids used in the process. The inner recovery bin 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340, and the outer recovery bin 326 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery bin 322. The inner space 322a of the internal recovery container 322 and the space 326a between the external recovery container 326 and the internal recovery container 322 are treated as an internal recovery container 322 and an external recovery container 326, respectively. It functions as an inlet through which it is introduced. Recovery lines 322b and 326b extending vertically in a direction below the bottom are connected to each of the recovery bins 322 and 326. Each of the recovery lines 322b and 326b functions as a discharge pipe for discharging the treatment liquid introduced through each of the recovery bins 322 and 326. The discharged treatment liquid may be reused through an external treatment liquid regeneration system (not shown).

스핀 헤드(340)는 기판(W)을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛(340)으로 제공된다. 스핀 헤드(340)는 처리 용기(320)의 내에 배치된다. 스핀 헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀 헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전 가능한 지지축(348)이 고정 결합된다. 지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지 위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.The spin head 340 is provided as a substrate support unit 340 that supports and rotates the substrate W. The spin head 340 is disposed within the processing vessel 320. The spin head 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The spin head 340 has a body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has an upper surface that is provided in a generally circular shape when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom of the body 342. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are disposed to be spaced apart at predetermined intervals at the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 334 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combination with each other. The support pin 344 supports the rear edge of the substrate so that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the body 342 by a predetermined distance. A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther from the center of the body 342 than the support pin 344. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. When the spin head 340 is rotated, the chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W does not deviate laterally from the original position. The chuck pin 346 is provided to be linearly movable between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342. The standby position is a position farther from the center of the body 342 compared to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded on the spin head 340, the chuck pin 346 is positioned at a standby position, and when a process is performed on the substrate W, the chuck pin 346 is positioned at a support position. In the support position, the chuck pin 346 is in contact with the side of the substrate W.

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)와 스핀 헤드(340) 간에 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀 헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀 헤드(340)가 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. The lifting unit 360 adjusts the relative height between the processing container 320 and the spin head 340. The lifting unit 360 linearly moves the processing container 320 in the vertical direction. As the processing container 320 is moved up and down, the relative height of the processing container 320 with respect to the spin head 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixedly installed on the outer wall of the processing container 320, and a moving shaft 364, which is moved in the vertical direction by the actuator 366, is fixedly coupled to the bracket 362. When the substrate W is placed on the spin head 340 or is lifted from the spin head 340, the processing vessel 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes above the processing vessel 320. In addition, when the process proceeds, the height of the processing container 320 is adjusted so that the processing liquid can be introduced into the predetermined collection container 360 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W.

상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.Unlike the above, the lifting unit 360 may move the spin head 340 in the vertical direction instead of the processing container 320.

액 공급 유닛(400)은 기판(W) 상에 다양한 종류의 처리액들을 공급한다. 액 공급 유닛은 기판(W)을 세정하거나, 기판(W)의 막을 제거하는 처리액을 공급한다. 노즐(410)은 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 여기서 공정 위치는 노즐(410)이 처리 용기(320) 내에 위치된 기판(W) 상에 처리액을 토출 가능한 위치이고, 대기 위치는 노즐(410)이 공정 위치를 벗어나 대기되는 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 노즐(410)이 기판(W)의 중심으로 액을 공급할 수 있는 위치일 수 있다. 예컨대, 상부에서 바라볼 때 노즐(410)은 직선 이동 또는 축 회전 이동되어 공정 위치와 대기 위치 간에 이동될 수 있다. 처리액은 케미칼, 린스액, 또는 유기 용제일 수 있다. 케미칼은 강산 또는 강염기의 액일 수 있다.The liquid supply unit 400 supplies various types of processing liquids on the substrate W. The liquid supply unit supplies a processing liquid for cleaning the substrate W or removing a film on the substrate W. The nozzle 410 is moved to the process position and the standby position. Here, the process position is a position at which the nozzle 410 can discharge the processing liquid onto the substrate W located in the processing container 320, and the standby position is defined as a position at which the nozzle 410 leaves the process position and waits. According to an example, the process position may be a position at which the nozzle 410 can supply liquid to the center of the substrate W. For example, when viewed from above, the nozzle 410 may be moved linearly or axially to move between the process position and the standby position. The treatment liquid may be a chemical, a rinse liquid, or an organic solvent. The chemical can be a strong acid or strong base liquid.

부품 세정 장치(500)는 기판 처리 장치의 부품을 세정 처리하는 장치로 제공된다. 부품 세정 장치(500)는 기판 처리 설비의 외부에 위치된다. 다만, 부품 세정 장치(500)의 위치는 한정되지 않으며, 기판 처리 설비의 빈 공간 중 하나에서 수행될 수 있다.The component cleaning apparatus 500 is provided as an apparatus for cleaning components of a substrate processing apparatus. The component cleaning apparatus 500 is located outside the substrate processing facility. However, the position of the component cleaning apparatus 500 is not limited, and may be performed in one of the empty spaces of the substrate processing facility.

도 4는 도 3의 장치의 부품 세정 장치(500)를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 부품 세정 장치(500)는 액 공급 유닛은, 부품 세정 유닛(800), 그리고 제어기(900)를 포함한다, 4 is a view showing a component cleaning apparatus 500 of the apparatus of FIG. 3. Referring to FIG. 4, the parts cleaning apparatus 500 includes a liquid supply unit, a parts cleaning unit 800, and a controller 900,

액 공급 유닛은 부품 세정 유닛(800)에 세정액을 공급한다. 세정액은 케미칼 및 린스액을 포함한다. 케미칼은 부품에 부착된 이물 및 파티클을 제거하는 제거액으로 제공된다. 케미칼은 산 또는 염기의 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 불산(HF), 또는 과산화수소(H2O2)일 수 있다. 린스액은 케미칼에 의해 세정된 부품을 린스 처리하는 액으로 제공된다. 린스액은 제1온도를 가지는 제1액과 제2온도를 가지는 제2액으로 제공된다. 제1온도는 제2온도보다 높은 온도로 제공된다. 제1액 및 제2액은 동일한 종류의 액으로 제공된다. 예컨대, 제1액 및 제2액은 순수일 수 있다. 제1액은 상온보다 높고, 제2액은 상온이거나 그보다 낮은 온도일 수 있다.The liquid supply unit supplies a cleaning liquid to the parts cleaning unit 800. The cleaning liquid contains a chemical and a rinse liquid. Chemicals are provided as a removal liquid that removes foreign matter and particles adhering to parts. The chemical may be a liquid having an acid or base property. The chemical may be sulfuric acid (H2SO4), hydrofluoric acid (HF), or hydrogen peroxide (H 2 O 2 ). Rinse liquid is provided as a liquid for rinsing parts cleaned by chemicals. The rinse liquid is provided as a first liquid having a first temperature and a second liquid having a second temperature. The first temperature is provided at a temperature higher than the second temperature. The first liquid and the second liquid are provided in the same type of liquid. For example, the first liquid and the second liquid may be pure water. The first liquid may be higher than room temperature, and the second liquid may be room temperature or lower temperature.

액 공급 유닛은 복수 개의 케미칼 공급부(600), 린스액 공급부(700), 그리고 메인 라인(820)을 포함한다. 메인 라인(820)은 케미칼 공급부(600)와 부품 세정 유닛(800) 간에, 그리고 린스액 공급부(700)와 부품 세정 유닛(800) 간에 서로를 연결한다. 각각의 케미칼 공급부(600)는 서로 다른 종류의 케미칼을 공급한다. 예컨대, 제1케미칼 공급부(620)에는 황산(H2SO4)을 공급하고, 제2케미칼 공급부(640)에는 불산(HF)을 공급하며, 제3케미칼 공급부(660)에는 과산화수소(H2O2)을 공급할 수 있다. 케미칼 공급부(600)는 케미칼이 수용된 케미칼 탱크(622) 및 순환 라인(624)을 포함한다. 케미칼은 탱크(622) 내에 수용되며, 순환 라인(624)을 통해 계속적으로 순환된다. 순환 라인(624)에는 필터(626)가 설치되고, 필터(626)는 케미칼에 포함된 이물 및 파티클을 필터링한다. The liquid supply unit includes a plurality of chemical supply units 600, a rinse solution supply unit 700, and a main line 820. The main line 820 connects each other between the chemical supply unit 600 and the parts cleaning unit 800, and between the rinse liquid supply unit 700 and the parts cleaning unit 800. Each chemical supply unit 600 supplies different types of chemicals. For example, sulfuric acid (H2SO4) is supplied to the first chemical supply unit 620, hydrofluoric acid (HF) is supplied to the second chemical supply unit 640, and hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) is supplied to the third chemical supply unit 660. Can supply. The chemical supply unit 600 includes a chemical tank 622 and a circulation line 624 in which the chemical is accommodated. The chemical is contained in the tank 622 and is continuously circulated through the circulation line 624. A filter 626 is installed in the circulation line 624, and the filter 626 filters foreign substances and particles contained in the chemical.

린스액 공급부(700)는 린스액 탱크, 제1액 공급 라인(740), 그리고 제2액 공급 라인(760)을 포함한다. 린스액 탱크 내에는 린스액이 수용된다. 제1액 공급 라인(740) 및 제2액 공급 라인(760)은 각각 린스액 탱크와 메인 라인(820)을 서로 연결한다. 제1액 공급 라인(740)에는 히터(742)가 설치되며, 히터(742)는 린스액을 제1온도로 가열한다. 제2액 공급 라인(760)에는 쿨러(762)가 설치되며, 쿨러(762)는 린스액을 제2온도로 냉각한다. 따라서 제1액 공급 라인(740)을 통해 공급되는 린스액은 제1온도를 가지는 제1액으로 기능하고, 제2액 공급 라인(760)을 통해 공급되는 린스액은 제2온도를 가지는 제2액으로 기능한다. The rinse liquid supply unit 700 includes a rinse liquid tank, a first liquid supply line 740, and a second liquid supply line 760. The rinse liquid is accommodated in the rinse liquid tank. The first liquid supply line 740 and the second liquid supply line 760 respectively connect the rinse liquid tank and the main line 820 to each other. A heater 742 is installed in the first liquid supply line 740, and the heater 742 heats the rinse liquid to a first temperature. A cooler 762 is installed in the second liquid supply line 760, and the cooler 762 cools the rinse liquid to a second temperature. Therefore, the rinse liquid supplied through the first liquid supply line 740 functions as a first liquid having a first temperature, and the rinse liquid supplied through the second liquid supply line 760 is a second liquid having a second temperature. It functions as a liquid.

부품 세정 유닛(800)은 유입관(842,862) 및 배출관(844,864)을 포함한다. 유입관(842,862)은 메인 라인(820)에 연결되어 세정액을 공급받는다. 유입관(842,862)은 부품이 결합 가능하도록 제공된다. 즉, 유입관(842,862)으로 공급된 세정액은 부품을 통과하도록 제공된다. 이에 따라 부품 내부에 형성된 유로 또는 공간에는 세정액이 침투되고, 그 유로 또는 공간이 미세하게 제공될지라도, 세정 처리할 수 있다. 배출관(844,864)은 부품 세정에 사용된 액을 배출시킨다. 일 예에 의하면, 부품은 밸브(850) 및 노즐(870)을 포함한다. The parts cleaning unit 800 includes inlet pipes 842 and 862 and discharge pipes 844 and 864. The inlet pipes 842 and 862 are connected to the main line 820 to receive the cleaning liquid. The inlet pipes 842 and 862 are provided so that the components can be coupled. That is, the cleaning liquid supplied to the inlet pipes 842 and 862 is provided to pass through the component. Accordingly, the cleaning liquid penetrates into the flow path or space formed inside the part, and even if the flow path or space is finely provided, cleaning treatment can be performed. The discharge pipes 844 and 864 discharge the liquid used for cleaning parts. According to one example, the component includes a valve 850 and a nozzle 870.

본 실시예는 부품의 종류에 따라 부품을 세정하는 장치 구조가 서로 달리 제공될 수 있다. 부품 세정 유닛(800)은 복수 개로 제공되며, 이들은 서로 병렬 배치된다. 각각의 부품 세정 유닛(800)의 유입관(842,862)은 메인 라인(820)에 병렬 연결되며, 메인 라인(820)으로부터 세정액을 공급받는다. 복수의 부품 세정 유닛(800) 중 일부인 제1부품 세정 유닛(840)은 밸브(850)를 세정하고, 다른 일부인 제2부품 세정 유닛(860)은 노즐(870)을 세정한다. 제1부품 세정 유닛(840)과 제2부품 세정 유닛(860) 각각은 복수 개로 제공될 수 있다.In the present embodiment, different structures of devices for cleaning parts may be provided according to the type of parts. A plurality of parts cleaning units 800 are provided, and they are arranged in parallel with each other. The inlet pipes 842 and 862 of each part cleaning unit 800 are connected in parallel to the main line 820 and receive a cleaning liquid from the main line 820. The first parts cleaning unit 840, which is a part of the plurality of parts cleaning units 800, cleans the valve 850, and the second parts cleaning unit 860, which is another part, cleans the nozzle 870. Each of the first component cleaning unit 840 and the second component cleaning unit 860 may be provided in plural.

제1부품 세정 유닛(840)은 제1유입관(842) 및 제1배출관(844)을 포함한다. 제1유입관(842)은 메인 라인(820)으로부터 세정액을 공급받는다. 밸브(850)는 일단에 제1유입관(842)이 결합되고, 타단에 제1배출관(844)이 결합되도록 제공된다. 세정액은 제1유입관(842), 밸브(850), 그리고 제1배출관(844)을 순차적으로 통과한다. 세정액은 밸브(850) 내 유로(852)를 통과하면서 유로(852)에 부착된 이물을 제거한다. 세정액이 통과하는 도중에는 밸브(850)의 유로(852)가 개폐되도록 밸브(850)가 제어기(900)에 의해 제어된다. 유로(852)가 개폐되는 과정에서 발생되는 파티클은 세정액에 의해 제거된다. 밸브(850) 세정에 사용된 액은 제1배출관(844)을 통해 배출된다. 제1배출관(844)에는 리턴 라인이 연결되고, 리턴 라인은 밸브(850) 세정에 사용된 액을 액 공급 유닛(600)으로 회수할 수 있다. 회수된 액은 재생되어 재사용될 수 있다.The first parts cleaning unit 840 includes a first inlet pipe 842 and a first discharge pipe 844. The first inlet pipe 842 receives the cleaning liquid from the main line 820. The valve 850 is provided such that a first inlet pipe 842 is coupled to one end and a first discharge pipe 844 is coupled to the other end. The cleaning liquid sequentially passes through the first inlet pipe 842, the valve 850, and the first discharge pipe 844. The cleaning liquid passes through the flow path 852 in the valve 850 and removes foreign matter adhered to the flow path 852. During the passage of the cleaning liquid, the valve 850 is controlled by the controller 900 so that the flow path 852 of the valve 850 is opened and closed. Particles generated in the process of opening and closing the flow path 852 are removed by the cleaning liquid. The liquid used for cleaning the valve 850 is discharged through the first discharge pipe 844. A return line is connected to the first discharge pipe 844, and the return line may recover the liquid used for cleaning the valve 850 to the liquid supply unit 600. The recovered liquid can be recycled and reused.

제2부품 세정 유닛(860)은 제2유입관(862), 제2배출관(864), 그리고 용기(866)를 포함한다. 제2유입관(862)은 메인 라인(820)으로부터 세정액을 공급받는다. 즉, 제1유입관(842)과 제2유입관(862)은 메인 라인(820)에 병렬 연결된다. 제2유입관(862)의 끝단에는 노즐(870)이 결합되도록 제공된된다. 세정액은 제2유입관(862)과 노즐(870) 내에 형성된 토출 라인(872)을 통과하여 노즐(870)의 토출구를 통해 토출된다. 세정액은 토출 라인(872)을 통과하면서 토출 라인(872)에 부착된 이물을 제거한다. 노즐(870) 세정에 사용된 액은 용기(866)로 제공되고, 용기(866)에 연결된 제2배출관(864)을 통해 배출된다. The second parts cleaning unit 860 includes a second inlet pipe 862, a second discharge pipe 864, and a container 866. The second inlet pipe 862 receives the cleaning liquid from the main line 820. That is, the first inlet pipe 842 and the second inlet pipe 862 are connected in parallel to the main line 820. A nozzle 870 is provided to be coupled to an end of the second inlet pipe 862. The cleaning liquid passes through the second inlet pipe 862 and the discharge line 872 formed in the nozzle 870 and is discharged through the discharge port of the nozzle 870. The cleaning liquid passes through the discharge line 872 to remove foreign matter adhering to the discharge line 872. The liquid used for cleaning the nozzle 870 is provided to the container 866 and is discharged through the second discharge pipe 864 connected to the container 866.

다음은 상술한 부품 세정 장치(500)를 이용하여 부품을 세정 처리하는 과정을 설명한다. 액 공급 유닛(600)은 부품 세정 유닛(800)들 각각에 세정액을 공급한다. 세정액은 제1부품 세정 유닛(840)으로 공급되어 밸브(850)의 유로(852)를 세정 처리한다. 유로(852)에 세정액이 공급되는 도중에는 유로(852)의 개폐가 이루어지도록 밸브(850)가 동작된다. 이로 인해 동작되는 중에 발생되는 파티클을 함께 제거할 수 있다. 또한 세정액은 제2부품 세정 유닛(860)으로 공급되어 노즐(870)의 토출 라인(872)을 세정 처리한다. 세정액의 공급압에 의해, 세정액은 토출 라인(872)으로 침투되어 토출되고, 토출 라인(872) 내에 부착된 이물을 제거할 수 있다. Next, a process of cleaning a component using the component cleaning device 500 described above will be described. The liquid supply unit 600 supplies a cleaning liquid to each of the component cleaning units 800. The cleaning liquid is supplied to the first parts cleaning unit 840 to clean the flow path 852 of the valve 850. While the cleaning liquid is supplied to the flow path 852, the valve 850 is operated to open and close the flow path 852. As a result, particles generated during operation can be removed together. Also, the cleaning liquid is supplied to the second parts cleaning unit 860 to clean the discharge line 872 of the nozzle 870. By the supply pressure of the cleaning liquid, the cleaning liquid penetrates into the discharge line 872 and is discharged, and foreign matter adhering in the discharge line 872 can be removed.

다음은 세정액의 공급 순서에 대해 보다 자세히 설명한다. 도 5는 도 4의 장치를 이용하여 부품을 세정하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다. 도 5를 참조하면, 액 공급 유닛은 케미칼, 제1액, 그리고 제2액을 순차적으로 공급한다. 케미칼은 밸브(850) 내의 유로(852) 및 노즐(870) 내의 토출 라인(872)을 세정 처리한다. 이후, 유로 및 토출 라인(872)은 제1액에 의해 1차 린스 처리되고, 제2액에 의해 2차 린스 처리된다. 이때 제1액은 상온보다 높은 제1온도를 가지며, 제2액은 제1온도보다 낮은 제2온도를 가진다. 도 6과 같이, 제2액을 공급한 후에 제1액을 공급할 경우에는 파티클의 수가 증가하는 현상이 발생된다. 이와 달리, 도 7과 같이, 제1액을 공급한 후에 제2액을 공급할 경우에는 파티클의 수가 증가하는 현상이 발생되지 않는다. 즉, 제1액은 제1온도에 의해 제2액보다 높은 용해도를 가지며, 더 다량의 파티클 및 케미칼을 린스 처리 가능하다. 이에 반해 제2액은 제2온도에 의해 밸브(850) 및 노즐(870)을 냉각시킴으로써, 주변 장치가 과열되는 것을 방지할 수 있다. 따라서 제1액은 제2액에 비해 우선 공급되는 것이 바람직하다. The following describes in more detail the sequence of supplying the cleaning liquid. 5 is a flow chart showing a process of cleaning parts using the apparatus of FIG. 4. Referring to FIG. 5, the liquid supply unit sequentially supplies a chemical, a first liquid, and a second liquid. The chemical cleans the flow path 852 in the valve 850 and the discharge line 872 in the nozzle 870. Thereafter, the flow path and the discharge line 872 are subjected to a primary rinse treatment with a first liquid, and a secondary rinse treatment with a second liquid. At this time, the first liquid has a first temperature higher than room temperature, and the second liquid has a second temperature lower than the first temperature. As shown in FIG. 6, when the first liquid is supplied after the second liquid is supplied, the number of particles increases. In contrast, as shown in FIG. 7, when the second liquid is supplied after the first liquid is supplied, an increase in the number of particles does not occur. That is, the first liquid has a higher solubility than the second liquid due to the first temperature, and a larger amount of particles and chemicals can be rinsed. On the other hand, the second liquid cools the valve 850 and the nozzle 870 by the second temperature, thereby preventing the peripheral device from overheating. Therefore, it is preferable that the first liquid is supplied prior to the second liquid.

600: 케미칼 공급부 700: 린스액 공급부
740: 제1액 공급 라인 760: 제2액 공급 라인
820: 메인 라인 842: 제1유입관
844: 제1배출관 850: 밸브
862: 제2유입관 864: 제2배출관
870: 노즐600: chemical supply unit 700: rinse liquid supply unit
740: first liquid supply line 760: second liquid supply line
820: main line 842: first inlet pipe
844: first discharge pipe 850: valve
862: second inlet pipe 864: second discharge pipe
870: nozzle

Claims (16)

기판을 처리하는 장치의 부품을 세정 처리하는 장치에 있어서,
상기 부품이 장착되는 부품 세정 유닛과;
상기 부품 세정 유닛으로 세정액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되,
상기 부품 세정 유닛은.
상기 액 공급 유닛과 연결되는 유입관과;
상기 부품 세정에 사용된 액을 배출하는 배출관을 포함하고,
상기 유입관은 상기 부품에 결합 가능하도록 제공되며,
상기 부품은 밸브를 포함하되,
상기 밸브는 상기 유입관과 상기 배출관의 사이에서, 상기 유입관과 상기 배출관에 각각 연결되고,
상기 장치는 상기 세정액이 상기 밸브 내의 유로로 흐르는 도중에 상기 유로의 개폐가 이루어지도록 상기 밸브를 제어하는 제어기를 포함하는 부품 세정 장치.
In the apparatus for cleaning parts of the apparatus for processing a substrate,
A parts cleaning unit on which the parts are mounted;
Including a liquid supply unit for supplying the cleaning liquid to the parts cleaning unit,
The parts cleaning unit.
An inlet pipe connected to the liquid supply unit;
It includes a discharge pipe for discharging the liquid used for cleaning the parts,
The inlet pipe is provided to be coupled to the part,
The component includes a valve,
The valves are respectively connected to the inlet pipe and the outlet pipe between the inlet pipe and the discharge pipe,
The apparatus includes a controller for controlling the valve to open/close the flow path while the cleaning liquid flows into the flow path in the valve.
 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
상기 세정액이 흐르는 메인 라인을 포함하고,
상기 부품 세정 유닛은 복수 개로 제공되며, 각각의 상기 부품 세정 유닛의 유입관은 상기 메인 라인에 연결되며,
복수 개의 상기 부품 세정 유닛들은 서로 간에 병렬 배치되는 부품 세정 장치.The method of claim 1,
The liquid supply unit,
It includes a main line through which the cleaning liquid flows,
A plurality of parts cleaning units are provided, and an inlet pipe of each of the parts cleaning units is connected to the main line,
A component cleaning apparatus in which a plurality of the component cleaning units are disposed in parallel with each other. 제6항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
상기 메인 라인으로 케미칼을 공급하는 하나 또는 복수 개의 케미칼 공급부와;
상기 메인 라인으로 린스액을 공급하는 린스액 공급부를 포함하되,
상기 케미칼 공급부와 상기 린스액 공급부는 상기 메인 라인에 상기 케미칼과 순수가 선택적으로 공급되도록 상기 메인 라인에 연결되는 부품 세정 장치.The method of claim 6,
The liquid supply unit,
One or a plurality of chemical supply units for supplying chemicals to the main line;
Including a rinse liquid supply unit for supplying the rinse liquid to the main line,
A component cleaning device connected to the main line so that the chemical supply unit and the rinse solution supply unit selectively supply the chemical and pure water to the main line. 제7항에 있어서,
상기 린스액 공급부는
제1온도를 가지는 제1액을 공급하는 제1액 공급부와;
제2온도를 가지는 제2액을 공급하는 제2액 공급부를 포함하되,
상기 제1온도와 상기 제2온도는 서로 상이한 온도로 제공되는 부품 세정 장치.The method of claim 7,
The rinse liquid supply unit
A first liquid supply unit for supplying a first liquid having a first temperature;
Including a second liquid supply unit for supplying a second liquid having a second temperature,
The parts cleaning apparatus in which the first temperature and the second temperature are provided at different temperatures. 밸브가 장착되는 제1부품 세정 유닛과;
노즐이 장착되는 제2부품 세정 유닛과;
상기 제1부품 세정 유닛 및 상기 제2부품 세정 유닛 각각으로 세정액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되,
상기 제1부품 세정 유닛은,
상기 액 공급 유닛으로부터 연결되며, 상기 밸브에 결합되는 제1유입관과;
상기 세정액이 상기 밸브 내의 유로를 통과하여 배출되도록 상기 밸브에 결합되는 제1배출관을 포함하고,
상기 제2부품 세정 유닛은,
상기 액 공급 유닛으로부터 연결되며, 상기 노즐이 결합되는 제2유입관과;
내부에 세정 공간이 형성된 용기와;
상기 세정 공간에 제공된 액을 배출하는 제2배출관을 포함하되,
상기 용기는 상기 세정액이 상기 노즐 내의 토출 라인을 통과하여 상기 세정 공간에 토출되도록 위치되며,
상기 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하며,
상기 제어기는 상기 세정액이 상기 밸브 내의 유로로 흐르는 도중에 상기 유로의 개폐가 이루어지도록 상기 밸브를 제어하는 부품 세정 장치.A first parts cleaning unit to which a valve is mounted;
A second parts cleaning unit to which a nozzle is mounted;
And a liquid supply unit supplying a cleaning liquid to each of the first part cleaning unit and the second part cleaning unit,
The first parts cleaning unit,
A first inlet pipe connected from the liquid supply unit and coupled to the valve;
And a first discharge pipe coupled to the valve so that the cleaning liquid is discharged through a flow path in the valve,
The second parts cleaning unit,
A second inlet pipe connected from the liquid supply unit and to which the nozzle is coupled;
A container having a cleaning space formed therein;
Including a second discharge pipe for discharging the liquid provided in the cleaning space,
The container is positioned so that the cleaning liquid passes through a discharge line in the nozzle and is discharged into the cleaning space,
Further comprising a controller for controlling the valve,
The controller controls the valve to open and close the flow path while the cleaning liquid flows into the flow path in the valve. 삭제delete 제1항의 장치를 이용하여 밸브를 세정하는 방법에 있어서,
상기 밸브를 상기 유입관에 결합하고, 상기 유입관을 통해 상기 세정액을 상기 밸브 내 유로로 공급하여 상기 유로를 세정하는 부품 세정 방법.In the method of cleaning the valve using the device of claim 1,
A component cleaning method for cleaning the flow path by coupling the valve to the inlet pipe and supplying the cleaning liquid to the flow path in the valve through the inflow pipe. 제11항에 있어서,
상기 세정액이 상기 밸브 내 유로로 흐르는 동안에 상기 유로의 개폐 동작이 이루어지는 부품 세정 방법.The method of claim 11,
A component cleaning method in which the opening and closing operation of the flow path is performed while the cleaning liquid flows into the flow path in the valve. 삭제delete 제11항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 세정액은 케미칼, 제1액, 그리고 제2액을 포함하되,
상기 세정하는 것은 상기 케미칼, 상기 제1액, 그리고 상기 제2액을 순차적으로 공급하는 것을 포함하고,
상기 제1액과 상기 제2액은 서로 다른 온도를 가지는 부품 세정 방법The method according to any one of claims 11 to 12,
The cleaning liquid includes a chemical, a first liquid, and a second liquid,
The washing includes sequentially supplying the chemical, the first liquid, and the second liquid,
Part cleaning method wherein the first liquid and the second liquid have different temperatures 제14항에 있어서,
상기 제1액은 제1온도로 제공되고,
상기 제2액은 제2온도로 제공되며,
상기 제1온도는 상온 및 상기 제2온도보다 높은 온도로 제공되는 부품 세정 방법.The method of claim 14,
The first liquid is provided at a first temperature,
The second liquid is provided at a second temperature,
The part cleaning method wherein the first temperature is provided at room temperature and a temperature higher than the second temperature. 제15항에 있어서,
상기 제1액과 상기 제2액은 동일한 종류의 액인 부품 세정 방법.




The method of claim 15,
The component cleaning method wherein the first liquid and the second liquid are the same type of liquid.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101139202B1 (en) 2006-05-23 2012-04-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Nozzle cleaning device, nozzle cleaning method and computer-readable recording medium recorded nozzle cleaning program
JP2017092243A (en) * 2015-11-10 2017-05-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Film processing unit and substrate processing apparatus
JP2018079417A (en) 2016-11-15 2018-05-24 株式会社スギノマシン Nozzle washing method and nozzle washing structure of atomization device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100278476B1 (en) * 1997-12-29 2001-01-15 윤종용 Method for cleaning a valve

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101139202B1 (en) 2006-05-23 2012-04-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Nozzle cleaning device, nozzle cleaning method and computer-readable recording medium recorded nozzle cleaning program
JP2017092243A (en) * 2015-11-10 2017-05-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Film processing unit and substrate processing apparatus
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