KR101078590B1 - Apparatus to Clean Substrate and Method to Control thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명의 기판 세정 장치는, 웨이퍼를 로딩하는 로딩 척이 구비된 챔버 내에서 로딩 척에 안착된 웨이퍼를 반전하기 위한 반전 유닛; 및 웨이퍼의 전면 및 배면을 세정하는 세정 유닛;을 포함한다. 본 발명에 따르면, 각각의 챔버 내에 장착되는 반전 유닛에 의해 웨이퍼를 반전시킬 수 있어 웨이퍼의 반전에 소요되는 시간을 종래에 비해 현저히 줄일 수 있으며, 따라서 웨이퍼의 세정 작업의 효율성을 향상시킴으로써 쓰루풋(throughput)을 향상시킬 수 있다. The substrate cleaning apparatus of the present invention comprises: an inversion unit for inverting a wafer seated on the loading chuck in a chamber equipped with a loading chuck for loading the wafer; And a cleaning unit for cleaning the front and rear surfaces of the wafer. According to the present invention, it is possible to invert the wafer by the inverting unit mounted in each chamber, so that the time required for the inversion of the wafer can be significantly reduced as compared with the conventional one, thus improving throughput by improving the efficiency of the wafer cleaning operation. ) Can be improved.

Description

기판 세정 장치 및 그의 제어 방법{Apparatus to Clean Substrate and Method to Control thereof}Substrate cleaning apparatus and its control method {Apparatus to Clean Substrate and Method to Control

본 발명은, 기판 세정 장치 및 그의 제어 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 웨이퍼 세정 공정의 쓰루풋(throughput)을 향상시킬 수 있는 기판 세정 장치 및 그의 제어 방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate cleaning apparatus and a control method thereof, and more particularly, to a substrate cleaning apparatus and a control method thereof capable of improving the throughput of a wafer cleaning process.

일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는, 리소그래피(lithography), 증착 및 에칭(etching) 등의 여러 공정을 반복적으로 수행한다. 이러한 공정들을 거치는 동안 기판, 예를 들면 웨이퍼 상에는 파티클(particle), 금속 불순물, 유기물 등이 잔존하게 된다. 이와 같은 오염 물질은 제품의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치기 때문에 반도체 제조 공정에서는 웨이퍼에 잔존된 오염 물질을 제거하기 위한 세정 공정이 수행되고, 이어서 웨이퍼에 대한 건조 공정이 수행된다.In general, in order to manufacture a semiconductor device, various processes such as lithography, deposition, and etching are repeatedly performed. During these processes, particles, metal impurities, organics and the like remain on the substrate, for example, the wafer. Since such contaminants adversely affect the yield and reliability of the product, a cleaning process for removing contaminants remaining on the wafer is performed in the semiconductor manufacturing process, followed by a drying process on the wafer.

도 1은 종래의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.1 is a view showing a schematic configuration of a substrate cleaning apparatus according to a conventional embodiment.

이에 도시된 바와 같이, 종래의 일 실시예의 따른 기판 세정 장치(1)는, 웨이퍼가 저장된 복수의 카세트(2)와, 카세트(2)로부터 웨이퍼를 인출하거나 다시 웨이퍼를 카세트에 적재하는 인덱스 로봇(3)과, 인덱스 로봇(3)으로부터 전달된 웨이퍼를 반전시키는 턴 유닛(4, turn unit)과, 웨이퍼의 배면에 대한 세정 작업을 실행하는 복수의 제1 세정 챔버(10a)들과, 웨이퍼의 전면에 대한 세정 작업을 실행하는 복수의 제2 세정 챔버(10b)들과, 제1 세정 챔버(10a)와 제2 세정 챔버(10b) 사이에 마련되어 제1 세정 챔버(10a)의 웨이퍼를 제2 세정 챔버(10b)로 이송시키는 트랜스퍼 로봇(5)과, 세정 작업이 완료된 웨이퍼가 카세트(2)에 재적재되기 전 일시적으로 적재되는 버퍼(미도시)를 포함한다.As shown in the drawing, the substrate cleaning apparatus 1 according to an exemplary embodiment includes a plurality of cassettes 2 in which wafers are stored, and an index robot for extracting wafers from the cassettes 2 or loading the wafers back into the cassettes. 3) a turn unit 4 for inverting the wafer transferred from the index robot 3, a plurality of first cleaning chambers 10a for performing a cleaning operation on the back surface of the wafer, and A plurality of second cleaning chambers 10b for cleaning the entire surface and between the first cleaning chamber 10a and the second cleaning chamber 10b are provided for the second wafers of the first cleaning chamber 10a. A transfer robot 5 for transferring to the cleaning chamber 10b, and a buffer (not shown) which is temporarily loaded before the wafer on which the cleaning operation is completed is reloaded in the cassette 2 is included.

이러한 구성에 의해서, 웨이퍼의 전면 및 배면에 대한 세정 작업을 진행할 수 있다. By this structure, the cleaning operation | work for the front surface and the back surface of a wafer can be advanced.

그런데, 종래의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(1)에 있어서는, 제1 세정 챔버(10a)에서 먼저 웨이퍼의 일면에 대한 세정 작업을 한 후, 웨이퍼를 제2 세정 챔버(10b)로 이송시킨 다음 웨이퍼의 타면에 대한 세정 작업을 실행하기 때문에, 웨이퍼의 세정 작업에 많은 시간이 소요됨으로써 쓰루풋(throughput)이 저하되는 문제점이 있었다. By the way, in the substrate cleaning apparatus 1 according to the conventional embodiment, the cleaning operation is performed on one surface of the wafer in the first cleaning chamber 10a and then the wafer is transferred to the second cleaning chamber 10b. Since the cleaning operation is performed on the other surface of the next wafer, a large amount of time is required for the cleaning operation of the wafer, resulting in a decrease in throughput.

한편, 웨이퍼를 각 세정 챔버(10)의 로딩부에 로딩시키기 위해서는, 웨이퍼는 안정된 상태(무진동 상태)를 유지해야 하는데, 웨이퍼의 반전 과정에서 진동이 발생될 수 있어 웨이퍼가 안정된 상태로 되기까지 소정 시간이 소요되며, 따라서 전체적인 세정 작업의 효율을 저하시키는 문제점이 있었다.On the other hand, in order to load the wafer into the loading section of each cleaning chamber 10, the wafer must be maintained in a stable state (vibration-free state), but vibration may occur during the inversion of the wafer, so that the predetermined state until the wafer becomes stable It takes time, and thus there was a problem of lowering the efficiency of the overall cleaning operation.

이에 따라, 웨이퍼의 반전에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있을 뿐만 아니라 웨이퍼의 반전 동작 시 진동 발생을 억제시킴으로써 세정 작업의 효율성을 향상시킬 수 있는 새로운 구조의 기판 세정 장치의 개발이 필요한 실정이다.Accordingly, there is a need to develop a substrate cleaning apparatus having a new structure that can shorten the time required for inversion of the wafer and can improve the efficiency of the cleaning operation by suppressing the occurrence of vibration during the inversion operation of the wafer.

본 발명의 목적은, 각각의 챔버 내에 장착되는 반전 유닛에 의해 웨이퍼를 반전시킬 수 있어 웨이퍼의 반전에 소요되는 시간을 종래에 비해 현저히 줄일 수 있으며, 따라서 웨이퍼의 세정 작업의 효율성을 향상시킴으로써 쓰루풋(throughput)을 향상시킬 수 있는 기판 세정 장치 및 그의 제어 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to invert a wafer by an inverting unit mounted in each chamber so that the time required for the inversion of the wafer can be remarkably reduced compared to the conventional one, thus improving throughput by improving the efficiency of the wafer cleaning operation. The present invention provides a substrate cleaning apparatus and a control method thereof capable of improving throughput.

또한 본 발명의 다른 목적은, 종래와 같이 웨이퍼의 전면을 세정하기 위한 챔버, 그리고 웨이퍼의 배면을 세정하기 위한 챔버가 별도로 마련되지 않고 하나의 챔버에서 웨이퍼의 전면 및 배면에 대한 세정 작업을 모두 할 수 있어, 전체적인 장비 사이즈를 축소시킬 수 있는 기판 세정 장치 및 그의 제어 방법을 제공하는 것이다.In addition, another object of the present invention, the chamber for cleaning the front surface of the wafer, and the chamber for cleaning the back surface of the wafer is not provided separately, it is possible to perform both the front and rear cleaning of the wafer in one chamber It is possible to provide a substrate cleaning apparatus and a control method thereof that can reduce the overall equipment size.

또한 본 발명의 다른 목적은, 반전 유닛의 반전 동작 시 웨이퍼의 진동 발생을 최소로 억제함으로써 반전된 웨이퍼를 로딩 척에 로딩시키기 위한 시간을 단축시킬 수 있는 기판 세정 장치 및 그의 제어 방법을 제공하는 것이다.
In addition, another object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus and a control method thereof capable of shortening the time for loading the inverted wafer into the loading chuck by minimizing the vibration of the wafer during the inversion operation of the inversion unit. .

본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 장치는, 웨이퍼를 로딩하는 로딩 척이 구비된 챔버 내에서 상기 로딩 척에 안착된 상기 웨이퍼를 반전하기 위한 반전 유닛; 및 상기 웨이퍼의 전면 및 배면을 세정하는 세정 유닛;을 포함하며, 이러한 구성에 의해서, 각각의 세정 챔버 내에 장착되는 반전 유닛에 의해 웨이퍼를 반전시킬 수 있어 웨이퍼의 반전에 소요되는 시간을 종래에 비해 현저히 줄일 수 있으며, 따라서 웨이퍼의 세정 작업의 효율성을 향상시킴으로써 쓰루풋(throughput)을 향상시킬 수 있다.A substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention includes an inversion unit for inverting the wafer seated on the loading chuck in a chamber provided with a loading chuck for loading a wafer; And a cleaning unit for cleaning the front surface and the rear surface of the wafer. By such a configuration, the wafer can be inverted by an inverting unit mounted in each cleaning chamber. Significantly, the throughput can be improved by improving the efficiency of wafer cleaning operations.

여기서, 상기 반전 유닛은, 상기 웨이퍼를 파지하는 파지 핸드를 구비하는 웨이퍼 파지부; 상기 웨이퍼 파지부에 결합되어 상기 파지 핸드를 반전시키는 구동력을 발생시키는 반전 구동부; 및 상기 웨이퍼 파지부가 승강 가능하게 결합되며, 상기 웨이퍼 파지부를 승강 구동시키는 구동력을 발생시키는 승강 구동부를 포함하며, 이러한 구성에 의해서, 반전 동작 시 웨이퍼의 진동 발생을 최소로 억제함으로써 반전된 웨이퍼를 로딩 척에 로딩시키기 위한 시간을 단축시킬 수 있다.Here, the inversion unit, the wafer holding portion having a holding hand for holding the wafer; An inversion driving unit coupled to the wafer holding unit to generate a driving force for inverting the holding hand; And a lift drive unit coupled to the wafer grip unit to move up and down, the lift drive unit generating a driving force for driving the wafer grip unit up and down. By such a configuration, the inverted wafer is minimized by minimizing the vibration of the wafer during the reverse operation. The time for loading on the loading chuck can be shortened.

상기 파지 핸드를 회전 가능하게 지지하며 상기 승강 구동부에 승강 가능하게 결합되는 핸드 지지부; 및 상기 핸드 지지부에서 상기 파지 핸드의 일부분을 감싸도록 마련되어 상기 파지 핸드의 반전 동작 시 진동 발생을 억제하는 반전 지지부를 포함할 수 있다.A hand support rotatably supporting the gripping hand and being rotatably coupled to the elevating drive unit; And a reversal support part provided to surround a part of the gripping hand in the hand support part to suppress the generation of vibration during the reversal operation of the gripping hand.

상기 파지 핸드는, 내측 영역에 상기 웨이퍼가 배치 가능한 원형 부분과, 상기 원형 부분에 연결되는 제1 축 부분과, 상기 제1 축 부분과 대향되는 상기 원형 부분의 내측에 장착되어 상기 웨이퍼의 외측면이 접촉 가능한 제1 접촉 부분을 구비하는 제1 파지부재; 상기 제1 파지부재의 상기 제1 축 부분의 내측에 결합되되 상기 축 부분의 길이 방향으로 이동 가능하게 결합되는 제2 축 부분과, 상기 축 부분과 결합되며 상기 제1 접촉 부분과 대향되는 위치에서 상기 웨이퍼의 외측면에 접촉 가능한 제2 접촉 부분을 구비하는 제2 파지부재; 및 상기 제1 파지부재 및 상기 제2 파지부재에 결합되어 상기 제1 파지부재 및 상기 제2 파지부재를 상호 반대 방향으로 이동시키는 상대 이동부재를 포함할 수 있다.The gripping hand may have a circular portion in which the wafer can be disposed in an inner region, a first shaft portion connected to the circular portion, and an inner side of the circular portion opposite to the first shaft portion to be mounted on an outer surface of the wafer. A first holding member having a first contacting portion which can be contacted; A second shaft portion coupled to an inner side of the first shaft portion of the first gripping member, the second shaft portion being movably coupled in a longitudinal direction of the shaft portion, and at a position coupled to the shaft portion and opposed to the first contact portion A second gripping member having a second contact portion in contact with an outer surface of the wafer; And a relative moving member coupled to the first gripping member and the second gripping member to move the first gripping member and the second gripping member in opposite directions.

상기 상대 이동부재는, 상기 제1 축 부분에 결합되는 제1 접철 부분; 상기 제2 축 부분에 결합되며 상기 제1 접철 부분에 대해 접철 가능하게 결합되는 제2 접철 부분; 및 상기 제1 접철 부분 및 상기 제2 접철 부분을 접철시킴으로써 상기 제1 축 부분과 상기 제2 축 부분이 반대 방향으로 슬라이딩 이동되도록 하는 접철 구동원을 포함할 수 있다.The relative moving member may include a first foldable portion coupled to the first shaft portion; A second foldable portion coupled to the second shaft portion and foldably coupled to the first foldable portion; And a foldable driving source configured to fold the first foldable portion and the second foldable portion to slidably move the first shaft portion and the second shaft portion in opposite directions.

상기 반전 지지부는, 상기 핸드 지지부의 원형 부분에 마련되며, 상기 제1 파지부재의 외측면으로부터 돌출 형성된 돌기 부분이 관통 결합되는 제1 반전 지지부; 및 상기 핸드 지지부에 마련되어, 상기 제1 파지부재의 상기 제1 축 부분이 관통 결합되는 제2 반전 지지부를 포함할 수 있다.The reversal support may include: a first reversal support provided at a circular portion of the hand support, through which protrusions protruding from an outer surface of the first holding member are coupled through; And a second reverse support part provided in the hand support part and through which the first shaft portion of the first gripping member is coupled through.

상기 세정 유닛은, 상기 웨이퍼의 일면을 세정하는 브러시를 구비한 브러시부; 및 상기 웨이퍼의 타면을 세정하기 위하여 세정액을 분사하는 스프레이를 구비한 분사부를 포함할 수 있다.The cleaning unit may include a brush unit having a brush for cleaning one surface of the wafer; And it may include an injection unit having a spray for spraying the cleaning liquid to clean the other surface of the wafer.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 장치의 제어 방법은, 상기 챔버의 상기 로딩 척에 세정 대상물인 상기 웨이퍼를 로딩(loading)시키는, 로딩 단계; 상기 세정 유닛에 의해 상기 웨이퍼의 일면을 세정하는, 제1 세정 단계; 상기 반전 유닛을 이용하여 상기 웨이퍼를 반전시키는, 웨이퍼 반전 단계; 상기 세정 유닛에 의해 반전된 상기 웨이퍼의 타면을 세정하는, 제2 세정 단계; 및 상기 웨이퍼를 언로딩(unloading)하는, 언로딩 단계;를 포함할 수 있으며, 이러한 구성에 의해서, 각각의 세정 챔버 내에 장착되는 반전 유닛에 의해 웨이퍼를 반전시킬 수 있어 웨이퍼의 반전에 소요되는 시간을 종래에 비해 현저히 줄일 수 있으며, 따라서 웨이퍼의 세정 작업의 효율성을 향상시킴으로써 쓰루풋(throughput)을 향상시킬 수 있다.In addition, the control method of the substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, the loading step of loading (loading) the wafer to be cleaned in the loading chuck of the chamber; A first cleaning step of cleaning one surface of the wafer by the cleaning unit; A wafer inversion step of inverting the wafer using the inversion unit; A second cleaning step of cleaning the other surface of the wafer inverted by the cleaning unit; And an unloading step of unloading the wafer. By such a configuration, the time required for inversion of the wafer can be inverted by an inverting unit mounted in each cleaning chamber. Can be significantly reduced in comparison with the prior art, and thus throughput can be improved by improving the efficiency of the wafer cleaning operation.

여기서, 상기 웨이퍼 반전 단계는, 상기 승강 구동부의 구동력에 의해 상기 웨이퍼 파지부를 하강시켜 상기 로딩 척에 로딩된 상기 웨이퍼를 파지하는, 제1 파지 단계; 상기 승강 구동부의 구동력에 의해 상기 웨이퍼를 파지한 상기 웨이퍼 파지부를 상승시키는, 제2 상승 단계; 상기 반전 구동부의 구동력에 의해 상승된 상기 웨이퍼 파지부의 상기 파지 핸드를 반전시키는, 제3 반전 단계; 및 상기 승강 구동부의 구동력에 의해 상기 웨이퍼 파지부를 하강시켜 상기 로딩 척에 반전된 상기 웨이퍼를 리로딩(reloading)시키는, 제4 리로딩 단계를 포함할 수 있다.The wafer inverting step may include: a first gripping step of gripping the wafer loaded on the loading chuck by lowering the wafer gripping part by a driving force of the lift driver; A second raising step of raising the wafer holding part holding the wafer by a driving force of the lifting driving part; A third inversion step of inverting the holding hand of the wafer holding portion raised by the driving force of the inversion driving unit; And a fourth reloading step of lowering the wafer gripper by the driving force of the lift driver to reload the wafer inverted to the loading chuck.

상기 제1 세정 단계는 브러시를 구비한 브러시부에 의해 상기 웨이퍼의 배면을 세정하는 단계이며. 상기 제2 세정 단계는 세정액을 분사하는 스프레이를 구비한 분사부에 의해 상기 웨이퍼의 전면을 세정하는 단계일 수 있다.
The first cleaning step is to clean the back side of the wafer by a brush part having a brush. The second cleaning step may be a step of cleaning the entire surface of the wafer by an injection unit having a spray for spraying a cleaning liquid.

본 발명의 실시예에 따르면, 각각의 챔버 내에 장착되는 반전 유닛에 의해 웨이퍼를 반전시킬 수 있어 웨이퍼의 반전에 소요되는 시간을 종래에 비해 현저히 줄일 수 있으며, 따라서 웨이퍼의 세정 작업의 효율성을 향상시킴으로써 쓰루풋(throughput)을 향상시킬 수 있다. According to the embodiment of the present invention, it is possible to invert the wafer by the inverting unit mounted in each chamber, so that the time required for the inversion of the wafer can be remarkably reduced compared to the conventional one, thus improving the efficiency of the wafer cleaning operation. You can improve throughput.

또한 본 발명의 실시예에 따르면, 종래와 같이 웨이퍼의 전면을 세정하기 위한 챔버, 그리고 웨이퍼의 배면을 세정하기 위한 챔버가 별도로 마련되지 않고 하나의 챔버에서 웨이퍼의 전면 및 배면에 대한 세정 작업을 모두 할 수 있어, 전체적인 장비 사이즈를 축소시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the chamber for cleaning the front surface of the wafer, and the chamber for cleaning the back surface of the wafer is not provided separately, and all the cleaning operations for the front surface and the back surface of the wafer in one chamber as in the prior art Can reduce the overall equipment size.

또한 본 발명의 실시예에 따르면, 반전 유닛의 반전 동작 시 웨이퍼의 진동 발생을 최소로 억제함으로써 반전된 웨이퍼를 로딩 척에 로딩시키기 위한 시간을 단축시킬 수 있다.
In addition, according to an embodiment of the present invention, by minimizing the generation of vibration of the wafer during the inversion operation of the inversion unit it is possible to shorten the time for loading the inverted wafer to the loading chuck.

도 1은 종래의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 세정 챔버의 내부 구성을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 4는 도 2를 정면에서 바라본 도면으로서 반전 유닛의 파지 핸드가 어느 정도 회전된 상태를 도시한 도면이다.
도 6은 도 5의 일부분을 확대한 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 상대 이동부재의 동작에 의해 파지 핸드가 이동된 상태를 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치의 제어 방법의 순서도이다.
도 9는 도 8에 도시된 웨이퍼 반전 단계의 세부적인 순서도이다.1 is a view showing a schematic configuration of a substrate cleaning apparatus according to a conventional embodiment.
2 is a view showing a schematic configuration of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view schematically illustrating an internal configuration of the cleaning chamber illustrated in FIG. 2.
FIG. 4 is a view of FIG. 2 viewed from the front, showing a state in which the holding hand of the inversion unit is rotated to some extent.
6 is an enlarged view of a portion of FIG. 5.
FIG. 7 is a view illustrating a state in which the grip hand is moved by the operation of the relative moving member illustrated in FIG. 6.
8 is a flowchart illustrating a control method of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
9 is a detailed flowchart of the wafer inversion step shown in FIG. 8.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 구성 및 적용에 관하여 상세히 설명한다. 이하의 설명은 특허 청구 가능한 본 발명의 여러 태양(aspects) 중 하나이며, 하기의 기술(description)은 본 발명에 대한 상세한 기술(detailed description)의 일부를 이룬다. Hereinafter, configurations and applications according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following description is one of several aspects of the patentable invention and the following description forms part of the detailed description of the invention.

다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 관한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail for the sake of clarity and conciseness.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 세정 챔버의 내부 구성을 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 4는 도 2를 정면에서 바라본 도면으로서 반전 유닛의 파지 핸드가 어느 정도 회전된 상태를 도시한 도면이며, 도 5는 도 4의 반전 유닛을 도시한 도면이고, 도 6은 도 5의 일부분을 확대한 도면이며, 도 7은 도 6에 도시된 상대 이동부재의 동작에 의해 파지 핸드가 이동된 상태를 도시한 도면이다.2 is a view showing a schematic configuration of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a perspective view schematically showing the internal configuration of the cleaning chamber shown in Figure 2, Figure 4 is FIG. Is a view showing a state in which the holding hand of the reversing unit is rotated to some extent, FIG. 5 is a view showing the reversing unit of FIG. 4, and FIG. 6 is an enlarged view of a portion of FIG. 5, FIG. 7 is a view illustrating a state in which the grip hand is moved by the operation of the relative moving member illustrated in FIG. 6.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(100)는, 복수의 웨이퍼(W)를 각각 수용하는 복수의 카세트(102)와, 카세트(102)에 웨이퍼(W)를 출입시키는 인덱스 로봇(103)과, 인덱스 로봇(103)으로부터 웨이퍼(W)를 전달 받은 후 웨이퍼(W)의 배면이 상방을 향하도록 웨이퍼(W)를 반전시키는 다층 턴 유닛(104)과, 웨이퍼(W)에 대한 세정 작업을 수행하는 복수의 세정 챔버(110)와, 다층 턴 유닛(104)으로부터 각각의 세정 챔버(110)로 웨이퍼(W)를 이송시키는 트랜스퍼 로봇(105)과, 세정 작업이 완료된 웨이퍼(W)가 일시적으로 버퍼링되는 버퍼(106)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the substrate cleaning apparatus 100 according to the exemplary embodiment may include a plurality of cassettes 102 each accommodating a plurality of wafers W, and a wafer W in the cassette 102. An index robot 103 for entering and exiting, a multilayer turn unit 104 for inverting the wafer W so that the back surface of the wafer W faces upward after receiving the wafer W from the index robot 103, and a wafer A plurality of cleaning chambers 110 for cleaning the (W), a transfer robot 105 for transferring the wafers W from the multilayer turn unit 104 to each of the cleaning chambers 110, and a cleaning operation. This completed wafer W comprises a buffer 106 which is temporarily buffered.

이러한 구성에 의해서, 웨이퍼(W)의 세정 작업이 효율적으로 이루어질 수 있다. 즉, 종래에 비해 세정 공정이 간소화되어 웨이퍼(W) 세정 작업의 전체적인 쓰루풋(throughput)을 향상시킬 수 있다. By such a configuration, the cleaning operation of the wafer W can be performed efficiently. That is, the cleaning process may be simplified as compared with the related art, thereby improving the overall throughput of the wafer W cleaning operation.

부연 설명하면, 종래의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(1)에서는, 웨이퍼(W)의 일면을 제1 세정 챔버(10a)에 세정하고, 웨이퍼(W)의 타면을 제2 세정 챔버(10b)에서 세정함으로써 세정 공정에 많은 시간이 소요되었는데, 본 실시예에서는 후술할 각각의 세정 챔버(110) 내부에서 간단하면서도 신속하게 웨이퍼(W)의 반전이 이루어질 수 있어 웨이퍼(W) 세정 작업의 전체적인 효율성을 향상시킬 수 있다. In detail, in the substrate cleaning apparatus 1 according to the related art, one surface of the wafer W is cleaned by the first cleaning chamber 10a, and the other surface of the wafer W is second cleaning chamber 10b. In the present embodiment, a lot of time was required for the cleaning process. In this embodiment, the inside of each of the cleaning chambers 110 to be described later can be simply and quickly inverted. Improve efficiency

이하에서는, 도 3 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(100)의 세정 챔버(110)의 구성에 대해 자세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the configuration of the cleaning chamber 110 of the substrate cleaning apparatus 100 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 7.

이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(100)의 세정 챔버(110)는, 세정 대상물인 웨이퍼(W)의 세정 공간을 형성하는 챔버 하우징(111)과, 챔버 하우징(111) 내에 마련되어 웨이퍼(W)가 로딩(loading)되는 로딩 척(120)과, 챔버 하우징(111) 내에 장착되어 로딩 척(120)에 놓인 웨이퍼(W)를 반전시키는 반전 유닛(130)과, 로딩 척(120)에 로딩된 웨이퍼(W)의 일면 및 타면을 순차적으로 세정하는 세정 유닛(160)을 포함한다.As shown in these drawings, the cleaning chamber 110 of the substrate cleaning apparatus 100 according to the embodiment of the present invention includes a chamber housing 111 that forms a cleaning space for the wafer W, which is a cleaning object, A loading chuck 120 provided in the chamber housing 111 to load the wafer W, and an inversion unit 130 to invert the wafer W mounted in the chamber housing 111 and placed on the loading chuck 120. ) And a cleaning unit 160 that sequentially cleans one surface and the other surface of the wafer W loaded on the loading chuck 120.

이러한 구성에 의해서, 세정 챔버(110) 내에서 웨이퍼(W)의 일면 및 타면 모두를 세정할 수 있으며, 이에 따라 종래와 같이 웨이퍼(W) 세정을 위해 웨이퍼(W)를 다른 챔버(10a, 10b, 도 1 참조)로 이동시키거나, 또는 외부의 트랜스퍼 로봇(105)이 세정 챔버(110) 내로 인입될 필요가 없어 웨이퍼(W) 세정에 소요되는 전체적인 시간을 단축시킬 수 있다.With this configuration, it is possible to clean both one surface and the other surface of the wafer W in the cleaning chamber 110, so that the wafer W is replaced with other chambers 10a and 10b for cleaning the wafer W as in the related art. 1, or an external transfer robot 105 does not need to be drawn into the cleaning chamber 110, thereby reducing the overall time required for cleaning the wafer W. FIG.

각각의 구성에 대해 설명하면, 먼저, 챔버 하우징(111)은, 전술한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 세정 공간을 형성한다. 이러한 세정 공간에는 파티클(particle)이 잔존하지 않는 청정한 상태를 유지하며, 따라서 웨이퍼(W)의 세정 작업이 신뢰성 있게 진행될 수 있다. Each configuration will be described. First, the chamber housing 111 forms a cleaning space for the wafer W as described above. In such a cleaning space, particles are kept in a clean state in which no particles remain, and therefore, the cleaning operation of the wafer W can be reliably performed.

로딩 척(120)은, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)가 로딩되는 로딩부(121)와, 로딩부(121)의 상단부에 결합되되 로딩부(121)에 대해 승강 가능하도록 결합되어 로딩부(121) 상에서 웨이퍼(W)에 대한 세정 작업이 진행될 때 세정액이 외부로 이탈하는 것을 방지하는 이탈 방지부(123)를 포함한다.As shown in FIGS. 3 and 4, the loading chuck 120 is coupled to an upper end of the loading unit 121 and the loading unit 121 on which the wafer W is loaded, and lifts with respect to the loading unit 121. It is coupled to be possible to include a departure prevention unit 123 to prevent the cleaning liquid is separated to the outside when the cleaning operation for the wafer (W) on the loading unit 121 is in progress.

먼저, 로딩부(121)는 제자리에서 회전 가능하다. 따라서, 로딩부(121)에 놓인 웨이퍼(W)의 반경 방향을 따라 후술할 세정 유닛(160)의 세정 부분(예를 들면, 브러시 또는 스프레이 부분)이 이동할 때, 로딩부(121)의 회전에 의해 세정 작업이 웨이퍼(W)의 전면에서 이루어질 수 있다. First, the loading unit 121 is rotatable in place. Therefore, when the cleaning portion (for example, the brush or the spray portion) of the cleaning unit 160 to be described later moves along the radial direction of the wafer W placed on the loading portion 121, the rotation of the loading portion 121 may occur. The cleaning operation can be performed at the front of the wafer W.

또한, 로딩부(121)에는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)가 부분적으로 지지되도록 로딩부(121)의 상면으로부터 돌출 형성되는 복수 개의 돌기부재(125)를 구비한다. 이에, 웨이퍼(W)의 전면이 로딩부(121)의 상면과 접면되는 것을 방지할 수 있으며, 따라서 웨이퍼(W)에 손상, 오염 등이 발생되는 것을 저지할 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 3 and 4, the loading unit 121 includes a plurality of protrusion members 125 protruding from the upper surface of the loading unit 121 so that the wafer W is partially supported. . Accordingly, the front surface of the wafer W may be prevented from coming into contact with the top surface of the loading unit 121, and thus, damage, contamination, and the like may be prevented from occurring in the wafer W.

이탈 방지부(123)는, 웨이퍼(W)에 대한 세정 작업 진행 시 웨이퍼(W)의 측부를 커버할 수 있도록 로딩부(121)에 대해 승강한다. 따라서, 웨이퍼(W) 작업 시 사용되는 물 또는 세정액이 로딩 척(120)의 외부로 이탈되는 것을 저지할 수 있다.The departure prevention part 123 is moved up and down with respect to the loading part 121 so that the side part of the wafer W may be covered at the time of the cleaning operation | work with respect to the wafer W. Therefore, the water or the cleaning liquid used in the wafer W operation can be prevented from escaping to the outside of the loading chuck 120.

한편, 세정 유닛(160)은, 웨이퍼(W)의 배면 및 전면을 순차적으로 세정한다. 다만, 본 실시예에서는, 웨이퍼(W)의 배면 및 전면이 다른 구성으로 세정되는데, 이를 위해, 본 실시예의 세정 유닛(160)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 배면을 세정하는 브러시부(161)와, 웨이퍼(W)의 전면을 세정하는 분사부(165)를 포함한다.On the other hand, the cleaning unit 160 cleans the back and front surfaces of the wafer W in sequence. However, in the present embodiment, the back and front surfaces of the wafer W are cleaned in different configurations. For this purpose, the cleaning unit 160 of the present embodiment, as shown in FIG. The brush part 161 which wash | cleans, and the injection part 165 which wash | cleans the whole surface of the wafer W are included.

브러시부(161)는, 웨이퍼(W)의 배면을 브러싱 작업에 세정하는 브러시(162)와, 일단부에 브러시(162)가 결합되는 제1 구동 아암(163)과, 제1 구동 아암(163)을 구동시키는 구동부(미도시)를 포함한다. 이러한 구성에 의해, 브러시(162)는 웨이퍼(W)의 반경 방향을 따라 이동하며 웨이퍼(W)의 배면을 세정할 수 있다. 이때 웨이퍼(W)의 상면으로 물은 계속 공급되며, 동시에 웨이퍼(W)는 전술한 로딩부(121)의 회전에 의해 제자리에서 회전 동작함으로써 웨이퍼(W)의 배면에 대한 세정 작업이 원활하게 진행될 수 있다.The brush portion 161 includes a brush 162 for cleaning the back surface of the wafer W in a brushing operation, a first drive arm 163 to which the brush 162 is coupled to one end, and a first drive arm 163. It includes a driving unit (not shown) for driving. With this configuration, the brush 162 can move along the radial direction of the wafer W and clean the back surface of the wafer W. As shown in FIG. At this time, water is continuously supplied to the upper surface of the wafer W, and at the same time, the wafer W is rotated in place by the rotation of the loading unit 121 so that the cleaning operation on the rear surface of the wafer W can be smoothly performed. Can be.

분사부(165)는, 웨이퍼(W)의 전면에 세정액을 분사하는 스프레이(166)와, 스프레이(166)와 세정액 공급원(미도시)을 연결시키는 연결 호스(미도시)와, 스프레이(166) 및 연결 호스가 장착되는 제2 구동 아암(167)과, 제2 구동 아암(167)을 구동시키는 구동부(미도시)를 포함한다. 이러한 구성에 의해, 스프레이(166)는 웨이퍼(W)의 반경 방향을 따라 이동하며 웨이퍼(W)의 전면을 세정할 수 있다. 이때, 웨이퍼(W)는 전술한 로딩부(121)의 회전에 의해 제자리에서 회전 동작한다.The spraying unit 165 includes a spray 166 for spraying the cleaning liquid on the entire surface of the wafer W, a connecting hose (not shown) for connecting the spray 166 and a cleaning liquid supply source (not shown), and the spray 166. And a second drive arm 167 on which the connection hose is mounted, and a drive unit (not shown) for driving the second drive arm 167. With this configuration, the spray 166 can move along the radial direction of the wafer W and clean the entire surface of the wafer W. FIG. At this time, the wafer W is rotated in place by the rotation of the loading unit 121 described above.

한편, 이와 같이 세정 유닛(160)에 의해 웨이퍼(W)의 전면 및 배면 모두 세정되는데, 이를 위해서는 웨이퍼(W)를 반전시키는 공정이 요구된다. 이에, 본 실시예에서는, 챔버 하우징(111) 내에 마련되어 챔버 하우징(111) 내에서 웨이퍼(W)를 반전시키는 반전 유닛(130)을 포함한다.Meanwhile, the front and rear surfaces of the wafer W are cleaned by the cleaning unit 160 as described above. To this end, a process of inverting the wafer W is required. Therefore, in the present embodiment, the inversion unit 130 is provided in the chamber housing 111 to invert the wafer W in the chamber housing 111.

본 실시예의 반전 유닛(130)은, 도 3 내지 도5에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)를 파지하는 파지 핸드(132)를 구비하는 웨이퍼 파지부(131)와, 웨이퍼 파지부(131)가 승강 가능하게 결합되며 웨이퍼 파지부(131)를 승강 구동시키는 구동력을 발생시키는 승강 구동부(150)와, 웨이퍼 파지부(131)에 결합되어 파지 핸드(132)를 반전시키는 구동력을 발생시키는 반전 구동부(155)를 포함한다.3 to 5, the inversion unit 130 of the present embodiment includes a wafer holding portion 131 and a wafer holding portion 131 including a holding hand 132 for holding a wafer W. As shown in FIGS. Is liftably coupled to the lift drive unit 150 for generating a driving force for driving the wafer holding unit 131 up and down, and the reverse driving unit for generating a driving force for inverting the holding hand 132 by being coupled to the wafer holding unit 131. 155.

이러한 구성에 의해서, 웨이퍼 파지부(131)는 로딩 척의 웨이퍼(W)를 파지한 상태로 상승한 후 반전된 후 다시 하강되어 로딩 척(120)에 반전된 웨이퍼(W)를 로딩시킬 수 있다. By such a configuration, the wafer holding part 131 may be raised after holding the wafer W of the loading chuck, inverted, and then lowered again to load the inverted wafer W on the loading chuck 120.

먼저, 승강 구동부(150)에 대해 설명하면, 본 실시예의 승강 구동부(150)는, 웨이퍼 파지부(131)가 승강되는 레일(151)이 형성된 승강 프레임(152)과, 승강 프레임(152)의 레일(151)을 따라 웨이퍼 파지부(131)를 승강시키는 구동력을 발생시키는 구동모터(미도시)를 구비한다. First, the lifting drive unit 150 will be described. The lifting drive unit 150 of the present embodiment includes a lifting frame 152 on which a rail 151 on which the wafer holding part 131 is lifted, and a lifting frame 152 of the lifting frame 152. A driving motor (not shown) for generating a driving force for elevating the wafer holding portion 131 along the rail 151 is provided.

여기서, 승강 구동부(150)의 구동모터는 웨이퍼 파지부(131)의 승강 시 진동을 최소로 억제할 수 있도록 리니어 모터(linear motor)로 마련될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며 다른 종류의 구동모터로 마련될 수 있음은 자명하다.Here, the driving motor of the lifting driving unit 150 may be provided as a linear motor so as to minimize the vibration during the lifting of the wafer holding unit 131. However, the present invention is not limited thereto and may be provided with other types of driving motors.

그리고, 반전 구동부(155)는, 웨이퍼 파지부(131)의 파지 핸드(132)를 반전시킴으로써 웨이퍼(W)를 반전시키는 구동모터로 마련될 수 있다. 여기서, 반전 구동부(155)의 구동모터는 파지 핸드(132)의 반전 시 진동을 최소로 억제할 수 있도록 유압 모터, 스텝 모터 등으로 마련될 수 있다.In addition, the inversion driving unit 155 may be provided as a driving motor for inverting the wafer W by inverting the holding hand 132 of the wafer holding unit 131. Here, the driving motor of the inversion driving unit 155 may be provided as a hydraulic motor, a step motor, etc. to minimize the vibration when the holding hand 132 is inverted.

한편, 웨이퍼 파지부(131)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 전술한 파지 핸드(132)와, 파지 핸드(132)가 회전 가능하게 지지되며 승강 구동부(150)에 승강 가능하게 결합되는 핸드 지지부(140)와, 핸드 지지부(140)에서 파지 핸드(132)의 일부분을 감싸도록 마련되어 파지 핸드(132)의 반전 동작을 지지하는 반전 지지부(145a, 145b)를 포함한다. Meanwhile, as illustrated in FIG. 5, the wafer holding part 131 is a hand in which the aforementioned holding hand 132 and the holding hand 132 are rotatably supported and coupled to the lifting driving unit 150 so as to be lifted and lowered. The support unit 140 and the hand support unit 140 includes a reverse support unit 145a and 145b provided to surround a part of the grip hand 132 to support an inversion operation of the grip hand 132.

파지 핸드(132)는, 웨이퍼(W)를 파지하는 부분과, 반전 구동부(155)에 결합되어 회전되는 부분을 구비한다. 보다 상세하게는, 본 실시예의 파지 핸드(132)는, 웨이퍼(W)를 파지하는 제1 파지부재(133)와, 제1 파지부재(133)와 상호 동작하여 웨이퍼(W)를 파지하는 제2 파지부재(135)와, 제1 파지부재(133) 및 제2 파지부재(135)에 결합되어 제1 파지부재(133) 및 제2 파지부재(135)를 상호 반대 방향으로 이동시킴으로써 웨이퍼(W)를 파지하거나 파지 해제시키는 상대 이동부재(137)를 포함한다.The gripping hand 132 includes a portion for holding the wafer W and a portion that is coupled to the inversion driver 155 and rotated. More specifically, the holding hand 132 according to the present embodiment includes a first gripping member 133 that grips the wafer W and a first gripping member 133 that interacts with the first gripping member 133. The second holding member 135 and the first holding member 133 and the second holding member 135 are coupled to each other to move the first holding member 133 and the second holding member 135 in opposite directions so that the wafer ( And a relative moving member 137 for gripping or releasing gripping.

제1 파지부재(133)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 내측 영역에 웨이퍼(W)가 인입되는 원형 부분(133a)과, 원형 부분(133a)에 연결되는 제1 축 부분(133b)과, 제1 축 부분(133b)에 대향되는 원형 부분(133a)의 내측에 장착되어 웨이퍼(W)의 외측면이 실질적으로 접촉되는 제1 접촉 부분(133c)을 포함한다.As illustrated in FIG. 5, the first gripping member 133 includes a circular portion 133a through which the wafer W is introduced into the inner region, a first shaft portion 133b connected to the circular portion 133a, and And a first contact portion 133c mounted inside the circular portion 133a opposite to the first shaft portion 133b so that the outer surface of the wafer W is substantially in contact therewith.

그리고, 제2 파지부재(135)는, 제1 파지부재(133)의 제1 축 부분(133a)의 내측에 결합되되 길이 방향으로 이동 가능하게 결합되는 제2 축 부분(135a)과, 제2 축 부분(135a)에 결합되며 제1 접촉 부분(133c)과 대응되는 제2 접촉 부분(135b)을 포함한다.In addition, the second gripping member 135 may be coupled to the inside of the first shaft portion 133a of the first gripping member 133, but may be coupled to the second shaft portion 135a to be movable in the longitudinal direction, and the second A second contact portion 135b coupled to the shaft portion 135a and corresponding to the first contact portion 133c.

이러한 제1 파지부재(133) 및 제2 파지부재(135)는, 상대 이동부재(137)에 의해 상호 접근되거나 이격되며, 이에 따라 웨이퍼(W)를 파지하거나 파지 해제할 수 있다.The first gripping member 133 and the second gripping member 135 may be approached or spaced apart from each other by the relative moving member 137, thereby gripping or releasing the wafer W.

즉, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 파지부재(133)의 제1 접촉 부분(133c)과 제2 파지부재(135)의 제2 접촉 부분(135b)이 상대 이동부재(137)의 동작에 의해 상호 접근될 때 웨이퍼(W)는 제1 접촉 부분(133c)과 제2 접촉 부분(135b)에 접촉되어 파지될 수 있으며, 반면에 제1 접촉 부분(133c)과 제2 접촉 부분(135b)이 상대 이동부재(137)의 동작에 의해 상호 이격될 때 웨이퍼(W)는 파지 핸드(132)로부터 파지 해제될 수 있다. 이러한 원리에 의해서, 웨이퍼 파지부(131)는 로딩 척(120)의 웨이퍼(W)를 파지할 수 있을 뿐만 아니라 로딩 척(120)에 반전된 웨이퍼(W)를 로딩시킬 수 있다.That is, as shown in FIGS. 6 and 7, the first contact portion 133c of the first gripping member 133 and the second contact portion 135b of the second gripping member 135 are relative moving members 137. The wafers W may contact and be gripped by the first contact portion 133c and the second contact portion 135b when they are mutually approached by the operation of the second contact portion 133c and the second contact portion 133c and the second contact portion 133c. The wafers W may be released from the grip hand 132 when the portions 135b are spaced apart from each other by the operation of the relative moving member 137. By this principle, the wafer holding part 131 may not only hold the wafer W of the loading chuck 120 but also load the inverted wafer W on the loading chuck 120.

상대 이동부재(137)의 동작 원리에 대해 설명하기 위해, 상대 이동부재(137)의 구성에 대해 설명하면, 본 실시예의 상대 이동부재(137)는, 도 6 및 도 7에 자세히 도시된 바와 같이, 제1 파지부재(133)의 제1 접촉 부분(133c)과 결합되는 제1 접철 부분(137a)과, 제2 축 부분(135a)에 결합되며 제1 접철 부분(137a)에 대해 접철 가능하게 결합되는 제2 접철 부분(137b)과, 제1 접철 부분(137a) 및 제2 접철 부분(137b)을 접철시킴으로써 제1 축 부분(133b)과 제2 축 부분(135a)이 반대 방향으로 슬라이딩 이동되도록 하는 접철 구동원(137c)을 포함한다.In order to explain the operation principle of the relative moving member 137, the configuration of the relative moving member 137 will be described, the relative moving member 137 of the present embodiment, as shown in detail in Figs. The first folding portion 137a coupled to the first contact portion 133c of the first holding member 133 and the second folding portion 137a are coupled to the second shaft portion 135a to be foldable with respect to the first folding portion 137a. The first shaft portion 133b and the second shaft portion 135a slide in opposite directions by folding the second folded portion 137b and the first folded portion 137a and the second folded portion 137b. And a folding drive source 137c.

여기서, 제1 접철 부분(137a) 및 제2 접철 부분(137b)이 결합되는 접철 구동원(137c)은, 도 6 및 도 7을 통해 알 수 있듯이, 제1 축 부분(133b)의 가로 방향으로 이격되거나 접근됨으로써 제1 접철 부분(137a)과 제2 접철 부분(137b)을 동작시킨다.Here, the folding drive source 137c to which the first folding portion 137a and the second folding portion 137b are coupled is spaced apart in the horizontal direction of the first shaft portion 133b as shown in FIGS. 6 and 7. Or approach to operate the first folded portion 137a and the second folded portion 137b.

다시 말해, 도 7에 도시된 바와 같이, 접철 구동원(137c)이 상호 이격되게 동작하는 경우, 제1 접철 부분(137a) 및 제2 접철 부분(137b)이 상호 오므라짐으로써 제1 축 부분(133b)은 A 방향으로 이동하고 제2 축 부분(135a)은 B 방향으로 이동한다. 따라서, 제1 접촉 부분(133c)과 제2 접촉 부분(135b)은 상호 멀어지는 방향으로 이동될 수 있다. 이에, 가령 제1 접촉 부분(133c)과 제2 접촉 부분(135b)에 웨이퍼(W)가 파지된 경우라면, 제1 접촉 부분(133c)과 제2 접촉 부분(135b)이 이격됨으로써 웨이퍼(W)의 파지 해제가 이루어질 수 있다.In other words, as shown in FIG. 7, when the foldable driving source 137c operates to be spaced apart from each other, the first foldable portion 137a and the second foldable portion 137b are lifted from each other so that the first shaft portion 133b is closed. ) Moves in the A direction and the second axis portion 135a moves in the B direction. Therefore, the first contact portion 133c and the second contact portion 135b may be moved in a direction away from each other. Thus, for example, when the wafer W is gripped by the first contact portion 133c and the second contact portion 135b, the first contact portion 133c and the second contact portion 135b are spaced apart from each other. ) Can be released.

반면에, 도 6에 도시된 바와 같이, 상호 이격된 접철 구동원(137c)이 다시 접근되는 방향으로 동작하는 경우, 제1 접철 부분(137a) 및 제2 접철 부분(137b)은 벌어지고 이로 인해 제1 축 부분(133b)은 B 방향으로 이동하고 제2 축 부분(135a)은 A 방향으로 이동한다. 따라서, 제1 접촉 부분(133c)과 제2 접촉 부분(135b)은 상호 접근되는 방향으로 이동될 수 있다. 이에, 접철 구동원(137c)을 구동시키기 전에, 제1 접촉 부분(133c)과 제2 접촉 부분(135b) 사이에 웨이퍼(W)를 개재시키고 접철 구동원(137c)을 상기와 같이 구동시키면, 제1 파지부재(133)의 제1 접촉 부분(133c)과 제2 파지부재(135)의 제2 접촉 부분(135b)이 상호 접근됨으로써 그 사이에 웨이퍼(W)가 파지될 수 있다.On the other hand, as shown in FIG. 6, when the fold-drive sources 137c spaced apart from each other operate in the approaching direction again, the first fold portion 137a and the second fold portion 137b are opened, thereby causing The one shaft portion 133b moves in the B direction and the second shaft portion 135a moves in the A direction. Therefore, the first contact portion 133c and the second contact portion 135b may be moved in a direction approaching each other. Therefore, before driving the folding drive source 137c, if the wafer W is interposed between the first contact portion 133c and the second contact portion 135b and the folding drive source 137c is driven as described above, Since the first contact portion 133c of the gripping member 133 and the second contact portion 135b of the second gripping member 135 approach each other, the wafer W may be held therebetween.

한편, 핸드 지지부(140)는, 전술한 바와 같이, 반전 구동부(155)에 의해 파지 핸드(132)가 반전되도록 파지 핸드(132) 및 반전 구동부(155)가 결합되고, 또한 승강 구동부(150)에 결합되어 승강함으로써, 웨이퍼 파지부(131)가 웨이퍼(W) 파지 위치 및 웨이퍼(W) 반전 위치 등으로 이동될 수 있도록 한다. On the other hand, the hand support unit 140, as described above, the holding hand 132 and the inversion driving unit 155 is coupled so that the holding hand 132 is reversed by the inversion driving unit 155, and also the lifting driving unit 150 By being coupled to and lifted up, the wafer holding portion 131 can be moved to the wafer W holding position and the wafer W inversion position.

그리고, 반전 지지부(145a, 145b)는, 핸드 지지부(140) 상에서 파지 핸드(132)가 반전될 때, 파지 핸드(132)를 부분적으로 지지함으로써 파지 핸드(132)의 회전 시 발생될 수 있는 진동을 최소화하는 부분이다. In addition, the inversion support parts 145a and 145b may vibrate that may be generated when the grip hand 132 is rotated by partially supporting the grip hand 132 when the grip hand 132 is inverted on the hand support 140. To minimize this.

이를 위해, 본 실시예의 반전 지지부(145a, 145b)는, 핸드 지지부(140)의 원형 부분에 마련되며, 제1 파지부재(133)의 원형 부분의 외측면으로부터 돌출 형성된 돌기 부분(134)이 관통 결합되는 제1 반전 지지부(145a)와, 제1 파지부재(133)의 제1 축 부분(133b)이 위치하는 핸드 지지부(140)에 마련되어 제1 파지부재(133)의 제1 축 부분(133b)이 관통 결합되는 제2 반전 지지부(145b)를 포함한다.To this end, the inverting support parts 145a and 145b of the present embodiment are provided in the circular part of the hand support part 140, and the protrusion part 134 protruding from the outer surface of the circular part of the first holding member 133 penetrates. A first shaft portion 133b of the first holding member 133 is provided on the first supporting portion 145a and the hand supporting portion 140 on which the first shaft portion 133b of the first holding member 133 is located. ) Includes a second reversing support part 145b through which the coupling is penetrated.

따라서, 반전 구동부(155)에 의해 파지 핸드(132)가 반전될 때, 돌기 부분(134)이 제1 반전 지지부(145a)에, 그리고 제1 축 부분(133b)이 제1 반전 지지부(145b)에 지지된 상태로 회전할 수 있어, 파지 핸드(132)의 웨이퍼(W) 반전 동작이 진동을 최소화한 상태로 원활하게 이루어질 수 있다. Thus, when the holding hand 132 is inverted by the inversion driver 155, the protruding portion 134 is in the first inversion supporting portion 145a and the first shaft portion 133b is in the first inversion supporting portion 145b. It can be rotated in a state supported by, so that the wafer (W) reversal operation of the holding hand 132 can be made smoothly with a minimum of vibration.

이와 같이, 반전 유닛(130)은 반전 동작 시 웨이퍼(W)의 진동 발생을 최소로 억제할 수 있는 구조를 가짐으로써 반전된 웨이퍼(W)를 로딩 척(120)에 로딩시키기 위한 시간을 단축시킬 수 있으며, 따라서 웨이퍼(W) 세정 공정의 효율을 향상시키는 데 일조할 수 있다.As described above, the inversion unit 130 has a structure capable of minimizing the vibration of the wafer W during the inversion operation, thereby shortening the time for loading the inverted wafer W into the loading chuck 120. This may help to improve the efficiency of the wafer W cleaning process.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치의 제어 방법에 대해서 도 8 및 도 9를 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of controlling a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 and 9.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치의 제어 방법의 순서도이고, 도 9는 도 8에 도시된 웨이퍼 반전 단계의 세부적인 순서도이다.8 is a flowchart of a method of controlling a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a detailed flowchart of the wafer inversion step illustrated in FIG. 8.

도 8을 참조하면, 본 실시예의 기판 세정 장치(100)의 제어 방법은, 외부로부터 세정 챔버(110)의 로딩 척(120)에 세정 대상물인 웨이퍼(W)를 로딩(loading)시키는 로딩 단계(S100)와, 세정 유닛(160)의 브러시부(161)에 의해 웨이퍼(W)의 일면(배면)을 세정하는 제1 세정 단계(S200)와, 반전 유닛(130)을 이용하여 웨이퍼(W)를 반전시키는 웨이퍼 반전 단계(S300)와, 세정 유닛(160)의 분사부(165)에 의해 반전된 웨이퍼(W)의 타면(전면)을 세정하는 제2 세정 단계(S400)와, 세정 완료된 웨이퍼(W)를 세정 챔버(110)의 외부로 언로딩(unloading)시키는 언로딩 단계(S500)를 포함한다. Referring to FIG. 8, in the method of controlling the substrate cleaning apparatus 100 of the present embodiment, a loading step of loading a wafer W, which is a cleaning object, into the loading chuck 120 of the cleaning chamber 110 from the outside ( S100, the first cleaning step S200 for cleaning one surface (back surface) of the wafer W by the brush unit 161 of the cleaning unit 160, and the wafer W using the inversion unit 130. A wafer inversion step S300 for inverting the second surface; a second cleaning step S400 for cleaning the other surface (front surface) of the wafer W inverted by the injection unit 165 of the cleaning unit 160; and a cleaned wafer An unloading step S500 of unloading (W) to the outside of the cleaning chamber 110 is included.

먼저 로딩 단계(S100)는, 세정 챔버(110) 외부에 장착된 트랜스퍼 로봇(105)에 의해 웨이퍼(W)를 로딩 척(120)에 로딩시키는 단계이다. 이때, 웨이퍼(W)의 배면이 상방을 향하며, 따라서 웨이퍼(W)의 배면에 세정 작업이 먼저 실행될 수 있다.First, the loading step S100 is a step of loading the wafer W onto the loading chuck 120 by the transfer robot 105 mounted outside the cleaning chamber 110. At this time, the back surface of the wafer W faces upward, and therefore, a cleaning operation may be performed on the back surface of the wafer W first.

제1 세정 단계(S200)는, 브러시부(161)의 브러시(162)를 이용하여 웨이퍼(W)의 배면을 세정하는 단계로서, 이때 웨이퍼(W)는 로딩 척(120)의 작동에 의해 일방향으로 회전하고 동시에 브러시부(161)는 웨이퍼(W)의 반경 방향을 따라 이동함으로써 웨이퍼(W)의 배면에 대한 세정 작업이 이루어질 수 있다. 이러한 제1 세정 단계(S200) 시, 웨이퍼(W)의 배면을 향하여 물이 계속적으로 분사되며 따라서 브러시부(161)에 의한 웨이퍼(W)의 배면 세정이 신뢰성 있게 진행될 수 있다.The first cleaning step S200 is to clean the back surface of the wafer W using the brush 162 of the brush part 161, wherein the wafer W is oriented in one direction by the operation of the loading chuck 120. At the same time as the brush portion 161 is moved along the radial direction of the wafer (W) can be cleaned for the back surface of the wafer (W). In the first cleaning step S200, water is continuously sprayed toward the rear surface of the wafer W, and thus the rear cleaning of the wafer W by the brush unit 161 may be reliably performed.

한편, 제1 세정 단계(S200) 후 웨이퍼(W)의 전면을 세정하기 위해 웨이퍼(W)를 반전시켜야 한다. 이에 제1 세정 단계(S200) 후 반전 유닛(130)에 의해 웨이퍼 반전 단계(S300)가 진행된다.Meanwhile, in order to clean the entire surface of the wafer W after the first cleaning step S200, the wafer W should be inverted. Accordingly, the wafer inversion step S300 is performed by the inversion unit 130 after the first cleaning step S200.

본 실시예의 웨이퍼 반전 단계(S300)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 승강 구동부(150)의 구동력에 의해 웨이퍼 파지부(131)를 하강시켜 로딩 척(120)에 로딩된 웨이퍼(W)를 파지하는 제1 파지 단계(S310)와, 승강 구동부(150)의 구동력에 의해 웨이퍼(W)를 파지한 웨이퍼 파지부(131)를 상승시키는 제2 상승 단계(S320)와, 반전 구동부(155)의 구동력에 의해 상승된 웨이퍼 파지부(131)의 파지 핸드(132)를 반전시키는 제3 반전 단계(S330)와, 승강 구동부(150)의 구동력에 의해 웨이퍼 파지부(131)를 하강시켜 로딩 척(120)에 반전된 웨이퍼(W)를 리로딩(reloading)시키는 제4 리로딩 단계(S340)를 포함할 수 있다.In the wafer reversal step (S300) of the present embodiment, as illustrated in FIG. 9, the wafer holding portion 131 is lowered by the driving force of the lifting driving unit 150 to thereby load the wafer W loaded on the loading chuck 120. The first holding step (S310) for holding, the second raising step (S320) for raising the wafer holding part (131) holding the wafer (W) by the driving force of the lifting driving unit (150), and the inversion driving part (155). The third reversal step (S330) of inverting the holding hand 132 of the wafer holding portion 131 raised by the driving force of the lower and the wafer holding portion 131 by the driving force of the lifting driving unit 150 to lower the loading chuck A fourth reloading step S340 of reloading the inverted wafer W at 120 may be included.

이러한 웨이퍼 반전 단계(S300)에 의해서, 세정 챔버(110) 내에서 웨이퍼(W)의 반전 작업이 신속하게 이루어지면서도 반전 작업 시 진동 발생을 최소화할 수 있어, 웨이퍼(W)의 세정 효율을 종래보다 현저히 향상시킬 수 있다.By the wafer reversal step (S300), while the reversal operation of the wafer (W) in the cleaning chamber 110 can be made quickly, the occurrence of vibration during the reversal operation can be minimized, thereby improving the cleaning efficiency of the wafer (W). It can be improved more significantly.

이어서, 제2 세정 단계(S400)는, 분사부(165)의 스프레이(166)를 이용하여 웨이퍼(W)의 전면을 세정하는 단계로서, 이때 웨이퍼(W)는 로딩 척(120)의 작동에 의해 일방향으로 회전하고 동시에 분사부(165)의 스프레이(166)는 웨이퍼(W)의 반경 방향을 따라 이동하며 세정액을 분사함으로써 웨이퍼(W)의 전면에 대한 세정 작업이 이루어질 수 있다. Subsequently, the second cleaning step S400 is to clean the entire surface of the wafer W by using the spray 166 of the jetting unit 165, wherein the wafer W is not operated by the loading chuck 120. By rotating in one direction and at the same time the spray 166 of the injection unit 165 moves along the radial direction of the wafer (W) may be a cleaning operation for the entire surface of the wafer (W) by spraying the cleaning liquid.

한편, 언로딩 단계(S500)는, 전면 및 배면에 대한 세정 작업이 완료된 웨이퍼(W)를 세정 챔버(110) 외부로 배출하는 단계이다. 전술한 바와 같이, 세정 챔버(110)의 외부에는 트랜스퍼 로봇(105)이 장착되어 있기 때문에 세정 완료된 웨이퍼(W)를 트랜스퍼 로봇(105)이 받을 수 있으며, 이러한 웨이퍼(W)는 여러 중간 단계를 거쳐 카세트(102)로 이송될 수 있다.On the other hand, the unloading step (S500) is a step of discharging the wafer (W), the cleaning operation for the front and back is completed to the outside of the cleaning chamber 110. As described above, since the transfer robot 105 is mounted outside the cleaning chamber 110, the transfer robot 105 may receive the cleaned wafer W, and the wafer W may undergo several intermediate steps. Can be transferred to cassette 102.

이와 같이, 본 실시예에 의하면, 세정 챔버(110) 내에 장착된 반전 유닛(130)에 의해 웨이퍼(W)를 반전시킬 수 있을 뿐만 아니라 반전 동작 시 발생되는 진동의 크기를 최소화할 수 있어, 웨이퍼(W)의 전면 및 배면에 대한 세정 작업의 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As such, according to the present exemplary embodiment, not only the wafer W may be inverted by the inversion unit 130 mounted in the cleaning chamber 110, but also the amount of vibration generated during the inversion operation may be minimized. There is an effect that can improve the efficiency of the cleaning operation on the front and back of (W).

한편, 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, such modifications or variations will have to be belong to the claims of the present invention.

100 : 기판 세정 장치 110 : 세정 챔버
111 : 챔버 하우징 120 : 로딩 척
130 : 반전 유닛 131 : 웨이퍼 파지부
132 : 파지 핸드 140 : 핸드 지지부
145a, 145b : 반전 지지부 150 : 승강 구동부
155 : 반전 구동부 160 : 세정 유닛
161 : 브러시부 165 : 분사부100 substrate cleaning apparatus 110 cleaning chamber
111 chamber chamber 120 loading chuck
130: inversion unit 131: wafer holding part
132: grip hand 140: hand support
145a and 145b: Reverse support 150: Lifting drive
155: reverse drive unit 160: cleaning unit
161: brush portion 165: spraying portion

Claims (10)

웨이퍼를 로딩하는 로딩 척이 구비된 챔버에 있어서,
상기 챔버 내에서 상기 로딩 척에 안착된 상기 웨이퍼를 반전시키기 위하여, 상기 웨이퍼를 파지하는 파지 핸드를 갖는 웨이퍼 파지부를 구비하는 반전 유닛; 및
상기 웨이퍼의 전면 및 배면을 세정하는 세정 유닛;
을 포함하며,
상기 파지 핸드는,
내측 영역에 상기 웨이퍼가 배치 가능한 원형 부분과, 상기 원형 부분에 연결되는 제1 축 부분과, 상기 제1 축 부분과 대향되는 상기 원형 부분의 내측에 장착되어 상기 웨이퍼의 외측면이 접촉 가능한 제1 접촉 부분을 구비하는 제1 파지부재;
상기 제1 파지부재의 상기 제1 축 부분의 내측에 결합되되 상기 제1 축 부분의 길이 방향으로 이동 가능하게 결합되는 제2 축 부분과, 상기 제2 축 부분과 결합되며 상기 제1 접촉 부분과 대향되는 위치에서 상기 웨이퍼의 외측면에 접촉 가능한 제2 접촉 부분을 구비하는 제2 파지부재; 및
상기 제1 파지부재 및 상기 제2 파지부재에 결합되어 상기 제1 파지부재 및 상기 제2 파지부재를 상호 반대 방향으로 이동시키는 상대 이동부재를 포함하며,
상기 상대 이동부재는,
상기 제1 축 부분에 결합되는 제1 접철 부분;
상기 제2 축 부분에 결합되며 상기 제1 접철 부분에 대해 접철 가능하게 결합되는 제2 접철 부분; 및
상기 제1 접철 부분 및 상기 제2 접철 부분을 접철시킴으로써 상기 제1 축 부분과 상기 제2 축 부분이 반대 방향으로 슬라이딩 이동되도록 하는 접철 구동원을 포함하는 기판 세정 장치.
A chamber having a loading chuck for loading a wafer,
An inversion unit having a wafer holding portion having a holding hand for holding the wafer to reverse the wafer seated on the loading chuck in the chamber; And
A cleaning unit for cleaning the front and rear surfaces of the wafer;
Including;
The gripping hand is,
A first portion in which the wafer can be disposed in an inner region, a first shaft portion connected to the circular portion, and a first portion mounted inside the circular portion opposite to the first shaft portion and in contact with an outer surface of the wafer A first gripping member having a contact portion;
A second shaft portion coupled to an inner side of the first shaft portion of the first gripping member and movably coupled in a longitudinal direction of the first shaft portion, coupled to the second shaft portion, and coupled to the first contact portion; A second gripping member having a second contact portion capable of contacting an outer surface of the wafer at an opposite position; And
A relative moving member coupled to the first holding member and the second holding member to move the first holding member and the second holding member in opposite directions;
The relative moving member,
A first foldable portion coupled to the first shaft portion;
A second foldable portion coupled to the second shaft portion and foldably coupled to the first foldable portion; And
And a foldable driving source configured to fold the first foldable portion and the second foldable portion so that the first shaft portion and the second shaft portion are slidably moved in opposite directions.
제1항에 있어서,
상기 반전 유닛은,
상기 웨이퍼 파지부에 결합되어 상기 파지 핸드를 반전시키는 구동력을 발생시키는 반전 구동부; 및
상기 웨이퍼 파지부가 승강 가능하게 결합되며, 상기 웨이퍼 파지부를 승강 구동시키는 구동력을 발생시키는 승강 구동부를 더 포함하는 기판 세정 장치.
The method of claim 1,
The inversion unit,
An inversion driving unit coupled to the wafer holding unit to generate a driving force for inverting the holding hand; And
And a lift driver configured to lift and lower the wafer grip part to generate a driving force to lift and drive the wafer grip part.
제2항에 있어서,
상기 웨이퍼 파지부는,
상기 파지 핸드를 회전 가능하게 지지하며 상기 승강 구동부에 승강 가능하게 결합되는 핸드 지지부; 및
상기 핸드 지지부에서 상기 파지 핸드의 일부분을 감싸도록 마련되어 상기 파지 핸드의 반전 동작 시 진동 발생을 억제하는 반전 지지부를 포함하는 기판 세정 장치.
The method of claim 2,
The wafer holding part,
A hand support rotatably supporting the gripping hand and being rotatably coupled to the elevating drive unit; And
And a reversal support part provided to surround a part of the gripping hand in the hand support part to suppress the generation of vibration during the reversal operation of the gripping hand.
삭제delete 삭제delete 제3항에 있어서,
상기 반전 지지부는,
상기 핸드 지지부의 원형 부분에 마련되며, 상기 제1 파지부재의 외측면으로부터 돌출 형성된 돌기 부분이 관통 결합되는 제1 반전 지지부; 및
상기 핸드 지지부에 마련되어, 상기 제1 파지부재의 상기 제1 축 부분이 관통 결합되는 제2 반전 지지부를 포함하는 기판 세정 장치.
The method of claim 3,
The reverse support portion,
A first reversal support provided in a circular portion of the hand support, through which protrusions protruding from an outer surface of the first holding member are coupled through; And
And a second inverting support provided in the hand support and having the first shaft portion of the first holding member penetrated therethrough.
제1항에 있어서,
상기 세정 유닛은,
상기 웨이퍼의 일면을 세정하는 브러시를 구비한 브러시부; 및
상기 웨이퍼의 타면을 세정하기 위하여 세정액을 분사하는 스프레이를 구비한 분사부를 포함하는 기판 세정 장치.
The method of claim 1,
The cleaning unit,
A brush unit having a brush for cleaning one surface of the wafer; And
And a spraying unit including a spray for spraying a cleaning liquid to clean the other surface of the wafer.
제1항에 따른 기판 세정 장치의 제어 방법에 있어서,
상기 챔버의 상기 로딩 척에 세정 대상물인 상기 웨이퍼를 로딩(loading)시키는, 로딩 단계;
상기 세정 유닛에 의해 상기 웨이퍼의 일면을 세정하는, 제1 세정 단계;
상기 반전 유닛을 이용하여 상기 웨이퍼를 반전시키는, 웨이퍼 반전 단계;
상기 세정 유닛에 의해 반전된 상기 웨이퍼의 타면을 세정하는, 제2 세정 단계; 및
상기 웨이퍼를 언로딩(unloading)하는, 언로딩 단계;
를 포함하는 기판 세정 장치의 제어 방법.
In the control method of the substrate cleaning apparatus of Claim 1,
Loading the wafer, which is a cleaning object, into the loading chuck of the chamber;
A first cleaning step of cleaning one surface of the wafer by the cleaning unit;
A wafer inversion step of inverting the wafer using the inversion unit;
A second cleaning step of cleaning the other surface of the wafer inverted by the cleaning unit; And
An unloading step of unloading the wafer;
Control method of the substrate cleaning apparatus comprising a.
제8항에 있어서,
상기 반전 유닛은,
상기 웨이퍼를 파지하는 파지 핸드를 구비하는 웨이퍼 파지부;
상기 웨이퍼 파지부에 결합되어 상기 파지 핸드를 반전시키는 구동력을 발생시키는 반전 구동부; 및
상기 웨이퍼 파지부가 승강 가능하게 결합되며, 상기 웨이퍼 파지부를 승강 구동시키는 구동력을 발생시키는 승강 구동부를 포함하며,
상기 웨이퍼 반전 단계는,
상기 승강 구동부의 구동력에 의해 상기 웨이퍼 파지부를 하강시켜 상기 로딩 척에 로딩된 상기 웨이퍼를 파지하는, 제1 파지 단계;
상기 승강 구동부의 구동력에 의해 상기 웨이퍼를 파지한 상기 웨이퍼 파지부를 상승시키는, 제2 상승 단계;
상기 반전 구동부의 구동력에 의해 상승된 상기 웨이퍼 파지부의 상기 파지 핸드를 반전시키는, 제3 반전 단계; 및
상기 승강 구동부의 구동력에 의해 상기 웨이퍼 파지부를 하강시켜 상기 로딩 척에 반전된 상기 웨이퍼를 리로딩(reloading)시키는, 제4 리로딩 단계를 포함하는 기판 세정 장치의 제어 방법.
The method of claim 8,
The inversion unit,
A wafer holding portion having a holding hand for holding the wafer;
An inversion driving unit coupled to the wafer holding unit to generate a driving force for inverting the holding hand; And
And a lift driver coupled to the wafer gripper to lift and generate a driving force for driving the wafer grip.
The wafer reversal step,
A first holding step of holding the wafer loaded on the loading chuck by lowering the wafer holding part by a driving force of the lifting driver;
A second raising step of raising the wafer holding part holding the wafer by a driving force of the lifting driving part;
A third inversion step of inverting the holding hand of the wafer holding portion raised by the driving force of the inversion driving unit; And
And a fourth reloading step of lowering the wafer holding part by a driving force of the lifting driving part to reload the wafer inverted to the loading chuck.
제8항에 있어서,
상기 세정 유닛은 브러시를 구비한 브러시부 및 세정액을 분사하는 스프레이를 구비한 분사부를 포함하며,
상기 제1 세정 단계는 상기 브러시부에 의해 상기 웨이퍼의 배면을 세정하는 단계이며,
상기 제2 세정 단계는 상기 분사부에 의해 상기 웨이퍼의 전면을 세정하는 단계인 기판 세정 장치의 제어 방법.The method of claim 8,
The cleaning unit includes a brush portion having a brush and a spray portion having a spray for spraying the cleaning liquid,
The first cleaning step is a step of cleaning the back of the wafer by the brush portion,
The second cleaning step is a step of cleaning the entire surface of the wafer by the injection unit control method of the substrate cleaning apparatus.
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