KR101910910B1 - A transferring unit and an apparatus for treating substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판 상으로 액을 공급하여 기판을 액 처리 하는 액처리 챔버와; 상기 액처리 챔버에서 공급되어 기판 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 챔버와; 상기 액처리 챔버와 상기 건조 챔버 사이에서 상기 기판을 반송하는 반송 유닛을 가지는 반송 챔버를 포함하되, 상기 반송 챔버는 그 내부의 반송 영역에 하강 기류를 발생시키는 팬 유닛을 더 포함하고, 상기 반송 유닛은, 기판이 놓이는 핸드와; 상기 핸드의 상부에 배치되어 상기 하강기류가 기판에 도달하는 것을 최소화하는 블레이드를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a liquid processing chamber for supplying a liquid onto a substrate to perform liquid processing; A drying chamber which is supplied from the liquid processing chamber and removes liquid remaining on the substrate; And a transporting unit having a transporting unit for transporting the substrate between the liquid processing chamber and the drying chamber, wherein the transporting chamber further comprises a fan unit for generating a downward flow in a transport region inside the transporting chamber, A hand on which the substrate is placed; And a blade disposed on the top of the hand to minimize the descending airflow reaching the substrate.
Description
본 발명은 기판을 반송하는 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a transfer unit for transferring a substrate and a substrate processing apparatus having the transfer unit.
반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판에 형성한다. 각각의 공정에는 다양한 처리액들이 사용되며, 공정 진행 중에는 오염물 및 파티클이 생성된다. 이를 해결하기 위해 각각의 공정 전후에는 오염물 및 파티클을 세정 처리하기 위한 세정 공정이 필수적으로 수행된다.In order to manufacture a semiconductor device, a desired pattern is formed on a substrate through various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition on the substrate. Various processes are used for each process, and contaminants and particles are generated during the process. In order to solve this problem, a cleaning process for cleaning contaminants and particles is essentially performed before and after each process.
일반적으로 세정 공정은 기판을 케미칼 및 린스액으로 처리한 후에 건조 처리한다. 건조 처리 단계에는 기판 상에 잔류된 린스액을 건조하기 위한 공정으로, 이소프로필알코올(IPA)과 같은 유기 용제로 기판을 건조 처리한다. 그러나 기판에 형성된 패턴과 패턴과의 거리(CD:Critical Dimension)가 미세화됨에 따라, 그 패턴들의 사이 공간에 유기 용제가 잔류된다.Generally, in the cleaning step, the substrate is treated with a chemical and a rinsing liquid and then dried. In the drying treatment step, the substrate is dried with an organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA) as a step for drying the rinsing liquid remaining on the substrate. However, as the distance (CD: critical dimension) between the pattern formed on the substrate and the pattern becomes finer, the organic solvent remains in the spaces between the patterns.
최근에는 기판 상에 잔류된 유기 용제를 제거하기 위해, 초임계 처리 공정을 수행한다. 초임계 처리 공정은 초임계 유체의 특정 조건을 만족하기 위해 외부로부터 밀폐된 공간에서 진행된다. 유기 용제의 공급이 완료된 후, 기판은 유기 용제에 의해 젖음 상태로 반송 유닛이 제공된 반송 챔버를 통해 초임계 처리 공정이 수행되는 챔버로 반송된다.In recent years, a supercritical processing process is performed to remove the organic solvent remaining on the substrate. The supercritical process proceeds in an enclosed space from the outside to meet the specific conditions of the supercritical fluid. After the supply of the organic solvent is completed, the substrate is transported to the chamber in which the supercritical processing process is performed through the transport chamber provided with the transport unit in a wet state by the organic solvent.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치의 반송 유닛(21)에 의해 기판이 반송되는 모습을 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 반송 챔버 내에는 반송 챔버 내부에 하강 기류(22)를 형성하는 기류 형성 유닛(23)이 제공된다. 기류 형성 유닛(23)에 의해 형성된 하강 기류(22)는 반송 유닛(21)에 의한 기판(24) 반송 시 반송 챔버 내부에 퓸 및 파티클 등이 부유되는 것을 방지한다. 그러나 이러한 하강 기류(22)는 기판(24) 상의 유기 용제의 증발을 촉진하고, 표면 장력에 의해 유기 용제는 기판(24)의 중앙 영역으로 모이며 기판(24)의 가장자리 영역의 건조 상태가 유발된다. 기판(24)의 가장자리 영역의 건조 상태는 기판(24)의 수율 저하를 유발한다. 또한, 기판의 유출입을 위해 챔버(25)의 기판 유입구(26)가 개방되는 경우, 하강 기류(22)에 의해 외부 기체가 챔버(25) 내로 유입됨으로써, 챔버(25) 내부가 오염될 수 있다.1 is a view showing a state in which a substrate is transported by a
본 발명은 기판 반송 시 기판의 건조를 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is intended to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing drying of a substrate during substrate transportation.
또한, 본 발명은 기판의 수율 저하를 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.It is still another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of minimizing a yield reduction of a substrate.
또한, 본 발명은 기판이 처리되는 챔버 내부의 오염을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus capable of suppressing contamination inside a chamber in which a substrate is processed.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판 상으로 액을 공급하여 기판을 액 처리 하는 액처리 챔버와; 상기 액처리 챔버에서 공급되어 기판 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 챔버와; 상기 액처리 챔버와 상기 건조 챔버 사이에서 상기 기판을 반송하는 반송 유닛을 가지는 반송 챔버를 포함하되, 상기 반송 챔버는 그 내부의 반송 영역에 하강 기류를 발생시키는 팬 유닛을 더 포함하고, 상기 반송 유닛은, 기판이 놓이는 핸드와; 상기 핸드의 상부에 배치되어 상기 하강기류가 기판에 도달하는 것을 최소화하는 블레이드를 포함한다.The present invention provides a substrate processing apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a liquid processing chamber for supplying a liquid onto a substrate to perform liquid processing; A drying chamber which is supplied from the liquid processing chamber and removes liquid remaining on the substrate; And a transporting unit having a transporting unit for transporting the substrate between the liquid processing chamber and the drying chamber, wherein the transporting chamber further comprises a fan unit for generating a downward flow in a transport region inside the transporting chamber, A hand on which the substrate is placed; And a blade disposed on the top of the hand to minimize the descending airflow reaching the substrate.
상기 블레이드는 중앙에서 양측으로 갈수록 높이가 낮아지도록 경사지게 제공된다.The blades are provided to be inclined such that the height decreases from the center to both sides.
상기 블레이드는, 상기 핸드의 전면을 바라볼 때, 일측에 제공된 제 1 플레이트와;The blade includes: a first plate provided on one side when the front of the hand is viewed;
타측에 제공된 제 2 플레이트를 포함한다.And a second plate provided on the other side.
상기 제 1 플레이트의 제 1 측면 및 상기 제 2 플레이트의 제 2 측면은 서로 연결되게 제공된다.The first side of the first plate and the second side of the second plate are provided to be connected to each other.
상기 제 1 플레이트는 상기 제 1 측면의 길이 방향을 축으로 회전 가능하게 제공되고, 상기 제 2 플레이트는 상기 제 2 측면의 길이 방향을 축으로 회전 가능하게 제공될 수 있다.The first plate is rotatably provided about the longitudinal direction of the first side and the second plate is rotatably provided about the longitudinal direction of the second side.
상기 핸드가 상승하거나 상기 핸드의 높이의 변화가 없는 경우, 상기 제 1 플레이트는 상기 제 1 측면보다 상기 제 1 측면의 반대 측면이 낮게 위치되고, 상기 제 2 플레이트는 상기 제 2 측면보다 상기 제 2 측면의 반대 측면이 낮게 위치될 수 있다.Wherein the first plate is positioned lower than the first side and the second plate is positioned lower than the second side when the hand is raised or the height of the hand is not changed, The opposite side of the side can be positioned lower.
상기 핸드가 하강하는 경우, 상기 제 1 플레이트는 상기 제 1 측면보다 상기 제 1 측면의 반대 측면이 높게 위치되고, 상기 제 2 플레이트는 상기 제 2 측면보다 상기 제 2 측면의 반대 측면이 높게 위치될 수 있다.When the hand is lowered, the first plate is located on the opposite side of the first side higher than the first side, and the second plate is positioned higher on the opposite side of the second side than the second side .
상기 블레이드는 상부에서 바라볼 때 기판보다 큰 면적으로 제공된다.The blade is provided with an area larger than the substrate when viewed from above.
상기 블레이드는 상기 핸드가 상기 액처리 챔버 또는 상기 건조 챔버로 기판을 반입 또는 반출할 때, 상기 액처리 챔버의 입구 상단 또는 상기 건조 챔버의 입구의 상단보다 높은 위치에 배치된다.The blade is disposed at a position higher than the upper end of the inlet of the liquid processing chamber or the upper end of the inlet of the drying chamber when the hand transfers the substrate into or out of the liquid processing chamber or the drying chamber.
상기 기판은 상기 액처리 챔버에서 상기 건조 챔버로 기판 반송시 상기 액이 잔류하는 상태로 반송된다.The substrate is transported in a state in which the liquid remains in the substrate transfer from the liquid processing chamber to the drying chamber.
상기 반송 유닛은 상기 블레이드의 하부에 설치되고 상기 액을 상기 핸드에 지지된 기판에 분사하는 액 분사 부재를 더 포함할 수 있다.The transfer unit may further include a liquid spray member installed at a lower portion of the blade and spraying the liquid onto the substrate supported by the hand.
상기 블레이드는 무정전 재질로 제공될 수 있다.The blade may be provided with an uninterrupted material.
상기 반송 유닛은 베이스를 더 포함하되, 상기 핸드는 상기 베이스에 대해 신장 가능하게 제공되고, 상기 블레이드는 상기 베이스에 고정 결합되게 제공될 수 있다.The transport unit further includes a base, wherein the hand is extendably provided with respect to the base, and the blade can be provided to be fixedly coupled to the base.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에서 기판이 처리되고, 상기 내부로 기판이 출입하는 입구가 형성된 처리 챔버와; 상기 입구를 통해 상기 처리 챔버의 내부 및 외부로 기판을 반송하는 반송 유닛을 가지는 반송 챔버를 포함하되, 상기 반송 챔버는 그 내부의 반송 영역에 하강 기류를 발생시키는 팬 유닛을 더 포함하고, 상기 반송 유닛은, 베이스와; 기판이 놓이고, 상기 베이스에 대해 신장 가능하게 제공되는 핸드와; 상기 핸드의 상부에 배치되도록 상기 베이스에 고정 결합되어 상기 하강기류가 기판에 도달하는 것을 최소화하는 블레이드를 포함하되, 상기 블레이드는 상기 핸드가 상기 처리 챔버로 기판을 반입 또는 반출할 때, 상기 입구의 상단보다 높은 위치에 배치된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a processing chamber in which a substrate is processed, and an inlet through which the substrate enters and exits is formed; And a transporting unit having a transporting unit for transporting the substrate to the inside and the outside of the processing chamber through the inlet, wherein the transporting chamber further includes a fan unit for generating a downward flow in a transport region inside the transporting chamber, The unit comprises: a base; A hand on which a substrate is placed and which is provided to be extendable relative to said base; And a blade fixedly coupled to the base so as to be disposed at an upper portion of the hand to minimize the descending airflow reaching the substrate, wherein the blade is configured such that when the hand brings the substrate into or out of the processing chamber, And is disposed at a position higher than the upper end.
상기 블레이드는 중앙에서 양측으로 갈수록 높이가 낮아지도록 경사지게 제공된다.The blades are provided to be inclined such that the height decreases from the center to both sides.
상기 블레이드는, 상기 핸드의 전면을 바라볼 때, 일측에 제공된 제 1 플레이트와;The blade includes: a first plate provided on one side when the front of the hand is viewed;
타측에 제공된 제 2 플레이트를 포함한다.And a second plate provided on the other side.
상기 제 1 플레이트의 제 1 측면 및 상기 제 2 플레이트의 제 2 측면은 서로 연결되게 제공된다.The first side of the first plate and the second side of the second plate are provided to be connected to each other.
상기 제 1 플레이트는 상기 제 1 측면의 길이 방향을 축으로 회전 가능하게 제공되고, 상기 제 2 플레이트는 상기 제 2 측면의 길이 방향을 축으로 회전 가능하게 제공될 수 있다.The first plate is rotatably provided about the longitudinal direction of the first side and the second plate is rotatably provided about the longitudinal direction of the second side.
상기 핸드가 상승하거나 상기 핸드의 높이의 변화가 없는 경우, 상기 제 1 플레이트는 상기 제 1 측면보다 상기 제 1 측면의 반대 측면이 낮게 위치되고, 상기 제 2 플레이트는 상기 제 2 측면보다 상기 제 2 측면의 반대 측면이 낮게 위치될 수 있다.Wherein the first plate is positioned lower than the first side and the second plate is positioned lower than the second side when the hand is raised or the height of the hand is not changed, The opposite side of the side can be positioned lower.
상기 핸드가 하강하는 경우, 상기 제 1 플레이트는 상기 제 1 측면보다 상기 제 1 측면의 반대 측면이 높게 위치되고, 상기 제 2 플레이트는 상기 제 2 측면보다 상기 제 2 측면의 반대 측면이 높게 위치될 수 있다.When the hand is lowered, the first plate is located on the opposite side of the first side higher than the first side, and the second plate is positioned higher on the opposite side of the second side than the second side .
상기 블레이드는 상부에서 바라볼 때 기판보다 큰 면적으로 제공된다.The blade is provided with an area larger than the substrate when viewed from above.
상기 처리 챔버는 기판 상으로 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 액처리 챔버이고, 상기 기판은 상기 액처리 챔버로부터 반송시 상기 액이 잔류하는 상태로 반송된다.The processing chamber is a liquid processing chamber for supplying a liquid onto a substrate to perform a liquid processing on the substrate, and the substrate is transported while the liquid remains on transportation from the liquid processing chamber.
상기 반송 유닛은 상기 블레이드의 하부에 설치되고 상기 액을 상기 핸드에 지지된 기판에 분사하는 액 분사 부재를 더 포함할 수 있다.The transfer unit may further include a liquid spray member installed at a lower portion of the blade and spraying the liquid onto the substrate supported by the hand.
상기 블레이드는 무정전 재질로 제공될 수 있다.The blade may be provided with an uninterrupted material.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판 반송 시 기판의 건조를 억제할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention can suppress the drying of the substrate during substrate transportation.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판의 수율 저하를 최소화할 수 있다.Further, the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention can minimize the yield reduction of the substrate.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판이 처리되는 챔버 내부의 오염을 억제할 수 있다.Further, the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention can suppress the contamination inside the chamber in which the substrate is processed.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치의 반송 유닛(21)에 의해 기판이 반송되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 반송 유닛을 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 2의 반송 챔버의 내부를 반송 유닛의 전면에서 바라본 모습을 간략하게 나타낸 정면도이다.
도 5는 도 2의 반송 챔버의 내부를 반송 유닛이 처리 챔버의 입구를 향한 경우 반송 유닛의 측면에서 바라본 모습을 간략하게 나타낸 측면도이다.
도 6 및 도 7은 다른 실시 예에 따른 반송 유닛을 나타낸 도면들이다.
도 8은 또 다른 실시 예에 따른 반송 유닛을 나타낸 도면이다.
도 9는 도 2의 제1공정 챔버에서 기판을 세정 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 2의 제2공정 챔버에서 기판을 건조 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 11은 도 10의 기판 지지 유닛을 보여주는 사시도이다.1 is a view showing a state in which a substrate is transported by a
2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a perspective view showing the transport unit of Fig. 2;
4 is a front view schematically showing a state in which the interior of the transport chamber shown in Fig. 2 is viewed from the front of the transport unit.
Fig. 5 is a side view schematically showing the inside of the transfer chamber shown in Fig. 2 when viewed from the side of the transfer unit when the transfer unit faces the entrance of the process chamber;
6 and 7 are views showing a transport unit according to another embodiment.
8 is a view showing a transport unit according to still another embodiment.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing an apparatus for cleaning the substrate in the first process chamber of FIG. 2. FIG.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing an apparatus for dry-processing a substrate in the second process chamber of FIG. 2;
11 is a perspective view showing the substrate supporting unit of Fig.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.
본 발명은 도 2 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명한다.The present invention will now be described in detail with reference to the embodiments of the present invention with reference to FIGS. 2 to 10. FIG.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 2를 참조하면, 기판을 처리하는 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가지고, 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제 1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하며, 제 1 방향(12)과 제 2 방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. 2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 2, the
로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제 3 방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제 3 방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. In the
공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 반송 챔버(240) 그리고 처리 챔버(260, 280)를 가진다. 반송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 처리 챔버(260, 280)는 내부에서 기판이 처리되고, 각각의 내부로 기판이 출입하는 입구(도 5의 261, 281)가 형성된 제1공정챔버(260) 및 제2공정챔버(280)를 포함한다. 제 2 방향(14)를 따라 반송 챔버(240)의 일측에는 제1공정챔버들(260)이 배치되고, 반송 챔버(240)의 타측에는 제2공정챔버들(280)이 배치된다. 제1공정챔버들(260)과 제2공정챔버들(280)은 반송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 제1공정챔버(260)들 중 일부는 반송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 제1공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 반송 챔버(240)의 일측에는 제1공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 제공된 제1공정챔버(260)의 수이고, B는 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 제공된 제2공정챔버(260)의 수이다. 반송 챔버(240)의 일측에 제1공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 제1공정챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 제1공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 제2공정챔버들(280)도 제1공정챔버들(260)과 유사하게 M X N(M과 N은 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기에서 M, N은 각각 A, B와 동일한 수일 수 있다. 상술한 바와 달리, 제1공정챔버(260)와 제2공정챔버(280)은 모두 반송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 제1공정챔버(260)와 제2공정챔버(280)은 각각 반송 챔버(240)의 일측 및 타측에 단층으로 제공될 수 있다. 선택적으로, 반송 챔버(240)의 일측에 제1공정챔버들(260)이 적층되고, 타측에 제2공정챔버들(280)이 적층되도록 위치될 수 있다. 또한, 제1공정챔버(260)와 제2공정챔버(280)는 상술한 바와 달리 다양한 배치로 제공될 수 있다. The
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 반송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 반송 챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 반송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.The
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제 2 방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제 3 방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제 3 방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The
반송 챔버(240)는 처리 챔버(260, 280)의 입구(261, 281)를 통해 처리 챔버(260, 280)의 내부 및 외부로 기판(W)을 반송하는 반송 유닛(500)을 가진다. 일 실시 예에 따르면, 반송 챔버(240)는 버퍼유닛(220), 제1공정챔버(260), 그리고 제2공정챔버(280) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 챔버(240)에는 가이드레일(242)과 반송 유닛(500)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 반송 유닛(500)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제 1 방향(12)을 따라 직선 이동된다. 반송 챔버(240)는 내부의 반송 영역에 하강 기류를 발생시키는 팬 유닛(246)이 제공된다. 하강 기류는 내부의 파티클 및 퓸 등의 이물질이 부유하는 것을 방지한다. 기판(W)은 제1공정챔버(260)에서 제2공정챔버(280)로 반송되는 경우, 제1공정챔버(260)에서 공급된 액이 잔류하는 상태로 반송된다.The
도 3은 도 2의 반송 유닛(500)을 나타낸 사시도이다. 도 4는 도 2의 반송 챔버의 내부를 반송 유닛(500)의 전면에서 바라본 모습을 간략하게 나타낸 정면도이다. 도 5는 도 2의 반송 챔버의 내부를 반송 유닛이 처리 챔버의 입구를 향한 경우 반송 유닛(500)의 측면에서 바라본 모습을 간략하게 나타낸 측면도이다. 도 3 내지 도 5를 참조하면, 반송 유닛(500)은 베이스(530), 핸드(510) 그리고 블레이드(520)를 포함한다.3 is a perspective view showing the
베이스(530)는 가이드 레일(242)을 따라 이동되도록 제공된다. 베이스(530)는 핸드(510)를 지지한다.The
핸드(510)에는 기판(W)이 놓인다. 핸드(510)는 베이스(530)에 대해 신장 가능하게 제공된다. 핸드(510)는 입구를 통해 처리 챔버(260, 280)로 기판(W)을 직접 반입 또는 반출한다. 핸드(510)는 복수개가 적층되게 제공될 수 있다.In the
블레이드(520)는 팬유닛(246)에 의해 형성된 하강기류가 핸드(510)에 놓인 기판에 도달하는 것을 최소화한다. 블레이드(520)는 핸드(510)의 상부에 배치되도록 베이스(530)에 고정 결합된다. 블레이드(520)는 핸드(510)가 처리 챔버(260, 280)로 기판(W)을 반입 또는 반출할 때, 입구(261, 281)의 상단보다 높은 위치에 배치된다. 블레이드(520)는 상부에서 바라볼 때, 기판(W)보다 큰 면적으로 제공된다. The
블레이드(520)는 중앙에서 양측으로 갈수록 높이가 낮아지도록 경사지게 제공된다. 따라서, 하강 기류는 블레이드(520)의 경사면을 따라 핸드(510)의 기판(W)이 제공된 영역을 벗어나 흐르게 된다. 블레이드(520)는 상부에서 바라볼 때, 두 개의 플레이트의 일측면이 서로 핸드(510)의 중앙 영역에서 고정 결합되게 제공될 수 있다. 각각의 플레이트는 핸드(510)의 중앙 영역으로부터 가장자리 영역으로 아래 방향으로 경사지게 제공될 수 있다. 블레이드(520)는 핸드(510)가 처리 챔버(260, 280)로 기판을 반입 또는 반출할 때, 처리 챔버(260, 280)의 입구 상단보다 높은 위치에 배치된다. 블레이드(520) 하강기류가 입구(261, 281)를 통해 유입되는 것을 방지할 수 있도록 입구(261, 281)에 충분히 인접되게 제공된다. 상술한 바와 같이, 블레이드(520)가 핸드(510)의 상부에 제공됨으로써, 반송 챔버(240) 내에서 기판 반송 중 핸드(510)에 놓인 기판(W)에 하강 기류가 직접 닿는 것을 방지한다. 또한, 반송 유닛(500) 처리 챔버(260, 280)로 기판(W)을 반입/반출 시 입구(261, 281)를 통해 하강 기류가 유입되는 것을 억제할 수 있다. 블레이드(520)는 정전기의 발생을 방지하기 위해 무정전 재질로 제공된다. 예컨대, 블레이드(520)는 무정전 염화비닐 수지(PVC) 재질로 제공될 수 있다.The
도 6 및 도 7은 다른 실시 예에 따른 반송 유닛(1500)을 나타낸 도면들이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 블레이드(520)는 제 1 플레이트(521) 및 제 2 플레이트(522)를 포함한다. 핸드(510)의 전면을 바라볼 때, 제 1 플레이트(521)는 핸드(510)의 중심을 기준으로 일측에 제공되고, 제 2 플레이트(522)는 타측에 제공된다. 도 3 내지 도 5의 경우와 달리, 제 1 플레이트(521)의 제 1 측면(521a) 및 제 2 플레이트(522)의 제 2 측면은 제 1 플레이트(521) 및 제 2 플레이트(522)가 상하 방향으로 회전되는 축이 될 수 있도록 서로 연결된다. 예를 들면 제 1 측면(521a) 및 제 2 측면(522a) 서로 경첩 형태로 결합될 수 있다. 따라서, 제 1 플레이트(521)는 제 1 측면(521a)의 길이 방향을 축으로 회전 가능하게 제공되고, 제 2 플레이트(522)는 제 2 측면(522a)의 길이 방향을 축으로 회전 가능하게 제공된다. 핸드(510)가 상승하거나 핸드(510)의 높이 변화가 없는 경우, 제 1 플레이트(521)는 제 1 측면(521a)보다 제 1 측면(521a)의 반대 측면(521b)이 낮게 위치되고, 제 2 플레이트(522)는 제 2 측면(522a)보다 제 2 측면(522a)의 반대 측면(522b)이 낮게 위치된다. 핸드(510)가 하강하는 경우, 제 1 플레이트(521)는 제 1 측면(521a)보다 제 1 측면(521a)의 반대 측면(521a)이 높게 위치되고, 제 2 플레이트(522)는 제 2 측면(522a)보다 제 2 측면(522a)의 반대 측면(522b)이 높게 위치된다. 따라서, 핸드(510)가 하강하는 경우, 도 3 내지 도 5의 블레이드(520)의 형태가 유지되는 경우, 기류가 블레이드(520)에 의해 집중되어, 블레이드(520)의 하부를 통해 외부의 기체가 기판(W)으로 유입되는 것을 최소화할 수 있다. FIGS. 6 and 7 are views showing a
도 8은 또 다른 실시 예에 따른 반송 유닛(2500)을 나타낸 도면이다. 도 8을 참고하면, 반송 유닛(2500)은 액 분사 부재(540)를 더 포함한다. 액 분사 부재(540)는 블레이드(520)의 하부에 설치된다. 액 분사 부재(540)는 제1공정챔버(260)에서 공급되어 반송 중인 기판(W) 상에 잔류하는 액과 동일한 액을 핸드(510)에 지지된 기판(W)에 분사한다.Fig. 8 is a view showing a
제1공정챔버(260)와 제2공정챔버(280)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 제1공정챔버(260)는 기판 상으로 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 액처리 챔버로 제공될 수 있다. 제2공정챔버(280)는 액처리 챔버에서 공급되어 기판 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 챔버로 제공될 수 있다. 예컨대, 기판(W)은 제1공정챔버(260)에서 케미칼 공정, 린스 공정, 그리고 1차 건조 공정이 수행되고, 제2공정챔버(260)에서 2차 건조 공정이 수행될 수 있다. 이 경우, 1차 건조 공정은 유기용제에 의해 이루어지고, 2차 건조 공정은 초임계 유체에 의해 이루어질 수 있다. 유기 용제로는 이소프로필 알코올(IPA) 액이 사용되고, 초임계 유체로는 이산화탄소(CO2)가 사용될 수 있다. 이와 달리 제1공정챔버(260)에서 1차 건조 공정은 생략될 수 있다.The
아래에서는 제1공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)에 대해 설명한다. 도 9는 도 2의 제1공정 챔버(260)에서 기판을 세정 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 도 2의 제1공정 챔버(260)에서 기판을 세정 처리하는 장치로 제공될 수 있다. 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 분사부재(380)를 가진다. 처리 용기(320)는 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 처리 용기(320)는 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b, 324b, 326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b, 324b, 326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.Hereinafter, the
스핀헤드(340)는 처리 용기(320) 내에 배치된다. 스핀헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(334), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.The
승강유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리액으로 기판(W)을 처리하고 있는 동안에 기판(W)은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안에 각각 기판(W)은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 스핀헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The elevating
분사부재(380)는 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 분사부재(380)는 노즐 지지대(382), 노즐(384), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치로 정의한다. 분사부재(380)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 분사부재(380)가 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제 각각은 서로 상이한 분사부재(380)를 통해 제공될 수 있다. 케미칼은 강산 또는 강염기의 성질을 가지는 액일 수 있다. 린스액은 순수일 수 있다. 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올(IPA) 액일 수 있다.The jetting
제2공정 챔버(280)에는 기판의 2차 건조 공정이 수행되는 기판 처리 장치(400)가 제공된다. 기판 처리 장치(400)는 제1공정 챔버에서 1차 건조 처리된 기판(W)을 2차 건조 처리한다. 기판 처리 장치(400)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W)을 건조 처리할 수 있다. 도 10은 도 2의 제2공정 챔버(280)에서 기판을 건조 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다. 도 10을 참조하면, 기판 처리 장치(400)는 도 2의 제2공정 챔버(280)에서 기판을 세정 처리하는 장치로 제공될 수 있다. 기판 처리 장치(400)는 하우징(410), 기판 지지 유닛(440), 승강 부재(450), 가열 부재(460), 유체 공급 유닛(470), 차단 부재(480), 실링 유닛(490)을 포함한다.The
하우징(410)은 내부에 기판(W)을 처리하는 처리 공간(412)이 제공된다. 하우징(410)은 기판(W)을 처리하는 동안에 그 처리 공간(412)을 외부로부터 밀폐한다. 하우징(410)은 하부 하우징(420) 및 상부 하우징(430)를 포함한다. 하부 하우징(420)은 상부가 개방된 원형의 컵 형상을 가진다. 하부 하우징(420)의 내측 저면에는 배기 포트(426)가 형성된다. 상부에서 바라볼 때 배기 포트(426)는 하부 하우징(420)의 중심축을 벗어난 위치에 형성될 수 있다. 배기 포트(426)에는 감압 부재가 연결되어 처리 공간(412)에 발생된 파티클을 배기할 수 있다. 또한 처리 공간(412)은 배기 포트(426)를 통해 그 내부 압력을 조절할 수 있다. The
상부 하우징(430)은 하부 하우징(420)과 조합되어 내부에 처리 공간(412)을 형성한다. 상부 하우징(430)은 하부 하우징(420)의 위에 위치된다. 상부 하우징(430)은 원형의 판 형상으로 제공된다. 예컨대, 상부 하우징(430)은 하부 하우징(420)과 중심축이 서로 일치하는 위치에서, 그 저면이 하부 하우징(420)의 상단과 마주보는 크기의 직경을 가질 수 있다. The
기판 지지 유닛(440)은 처리 공간(412)에서 기판(W)을 지지한다. 도 11은 도 10의 기판 지지 유닛(440)을 보여주는 사시도이다. 도 11을 참조하면, 기판 지지 유닛(440)은 기판(W)의 처리면이 위를 향하도록 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(440)은 지지대(442) 및 기판 유지대(444)를 포함한다. 지지대(442)는 상부 하우징(430)의 저면으로부터 아래로 연장된 바 형상으로 제공된다. 지지대(442)는 복수 개로 제공된다. 예컨대, 지지대(442)는 4 개일 수 있다. 기판 유지대(444)는 기판(W)의 저면 가장자리 영역을 지지한다. 기판 유지대(444)는 복수 개로 제공되며, 각각은 기판(W)의 서로 상이한 영역을 지지한다. 예컨대, 기판 유지대(444)는 2 개일 수 있다. 상부에서 바라볼 때 기판 유지대(444)는 라운드진 플레이트 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 기판 유지대(444)는 지지대의 내측에 위치된다. 각각의 기판 유지대(444)는 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 제공된다. 각각의 기판 유지대(444)는 서로 이격되게 위치된다.The
다시 도 10을 참조하면, 승강 부재(450)는 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420) 간에 상대 위치를 조절한다. 승강 부재(450)는 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420) 중 하나를 이동시킨다. 본 실시 예에는 상부 하우징(430)의 위치가 고정되고, 하부 하우징(420)을 이동시켜 상부 하우징(430)과 하부 하우징(420) 간에 거리를 조절하는 것으로 설명한다. 선택적으로, 고정된 하부 하우징(420)에 기판 지지 유닛(440)이 설치되고, 상부 하우징(430)이 이동될 수 있다. 승강 부재(450)는 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420) 간에 상대 위치가 개방 위치 및 폐쇄 위치로 이동되도록 하부 하우징(420)을 이동시킨다. 여기서 개방 위치는 처리 공간(412)이 외부와 서로 통하도록 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420)이 서로 이격되는 위치이고, 폐쇄 위치는 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420)이 서로 접촉되어 이들에 의해 처리 공간(412)을 외부로부터 폐쇄하는 위치로 정의한다. 승강 부재(450)는 하부 하우징(420)을 승하강시켜 처리 공간(412)을 개방 또는 폐쇄시킨다. 승강 부재(450)는 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420)을 서로 연결하는 복수 개의 승강 축들(452)을 포함한다. 승강 축들(452)은 하부 하우징(420)의 상단과 상부 하우징(430) 사이에 위치된다. 승강 축들(452)은 하부 하우징(420)의 상단의 원주 방향을 따라 배열되게 위치된다. 각각의 승강 축(452)은 상부 하우징(430)를 관통하여 하부 하우징(420)의 상단에 고정 결합될 수 있다. 승강 축들(452)이 승강 또는 하강 이동함에 따라 하부 하우징(420)의 높이가 변경되고, 상부 하우징(430)와 하부 하우징(420) 간에 거리를 조절할 수 있다.Referring again to FIG. 10, the lifting
가열 부재(460)는 처리 공간(412)을 가열한다. 가열 부재(460)는 처리 공간(412)에 공급된 초임계 유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계 유체 상으로 유지한다. 가열 부재(460)는 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 예를 들어, 가열 부재(460)는 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터로 제공될 수 있다. The
유체 공급 유닛(470)은 처리 공간(412)에 초임계 유체를 공급한다. 유체 공급 유닛(470)은 상부 공급 포트(472) 및 하부 공급 포트(474)를 포함한다. 상부 공급 포트(472)는 상부 하우징(430)에 형성되고, 하부 공급 포트(474)는 하부 하우징(420)에 형성된다. 상부 공급 포트(472) 및 하부 공급 포트(474)는 상하 방향으로 서로 대향되게 위치된다. 상부 공급 포트(472) 및 하부 공급 포트(474)는 처리 공간(412)의 중심축에 일치하도록 위치된다. 상부 공급 포트(472) 및 하부 공급 포트(474) 각각에는 동일한 종류의 초임계 유체가 공급된다. 일 예에 의하면, 기판(W)의 비 처리면과 대향되는 공급 포트로부터 초임계 유체가 공급되고, 이후에 기판(W)의 처리면과 대향되는 공급 포트로부터 초임계 유체가 공급될 수 있다. 따라서 하부 공급 포트(474)로부터 초임계 유체가 공급되고, 이후에 상부 공급 포트(472)로부터 초임계 유체가 공급될 수 있다. 이는 초기에 공급되는 유체가 임계 압력 또는 임계 온도에 미도달된 상태에서 기판(W)에 공급되는 것을 방지하기 위함이다. The
차단 부재(480)는 하부 공급 포트(474)로부터 공급되는 유체가 기판(W)의 비처리면에 직접적으로 공급되는 것을 방지한다. 차단 부재(480)는 차단 플레이트(482) 및 지지대(484)를 포함한다. 차단 플레이트(482)는 하부 공급 포트(474)와 기판 지지 유닛(440) 사이에 위치된다. 차단 플레이트(482)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 차단 플레이트(482)는 하부 하우징(420)의 내경보다 작은 직경을 가진다. 상부에서 바라볼 때 차단 플레이트(482)는 하부 공급 포트(474) 및 배기 포트(426)를 모두 가리는 직경을 가진다. 예컨대, 차단 플레이트(482)는 기판(W)의 직경과 대응되거나, 이보다 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 지지대(484)는 차단 플레이트(482)를 지지한다. 지지대(484)는 복수 개로 제공되며, 차단 플레이트(482)의 원주 방향을 따라 배열된다. 각각의 지지대(484)는 서로 일정 간격으로 이격되게 배열된다. The blocking
실링 유닛(490)은 처리 공간(412)이 외부로부터 밀폐되도록 폐쇄 위치에 위치된 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420) 간에 틈을 밀폐한다. The sealing
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치는 반송 유닛(500, 1500, 2500)에 블레이드 및 액 분사 부재를 제공함으로써, 기판 반송 시 기판의 건조를 억제할 수 있다. 따라서, 기판의 건조에 의한 수율 저하를 최소화할 수 있다. 또한, 입구를 통해 하강기류가 처리 챔버에 유입되는 것을 방지하여 기판이 처리되는 챔버 내부의 오염을 억제할 수 있다.As described above, the substrate processing apparatus according to the embodiments of the present invention can prevent drying of the substrate during substrate transportation by providing the blades and the liquid jetting member to the
1: 기판 처리 장비 420: 반송 챔버
242: 가이드 레일 246: 팬유닛
260: 제1공정챔버 280: 제2공정챔버
500: 반송 유닛 510: 핸드
520: 블레이드 521: 제 1 플레이트
522: 제 2 플레이트 530: 베이스
540: 액 분사 부재1: substrate processing equipment 420: transfer chamber
242: guide rail 246: fan unit
260: first process chamber 280: second process chamber
500: transfer unit 510: hand
520: blade 521: first plate
522: second plate 530: base
540: liquid jet member
Claims (11)
내부에서 기판이 처리되고, 상기 내부로 기판이 출입하는 입구가 형성된 처리 챔버와;
상기 입구를 통해 상기 처리 챔버의 내부 및 외부로 기판을 반송하는 반송 유닛을 가지는 반송 챔버를 포함하되,
상기 반송 챔버는 그 내부의 반송 영역에 하강 기류를 발생시키는 팬 유닛을 더 포함하고,
상기 반송 유닛은,
베이스와;
기판이 놓이고, 상기 베이스에 대해 신장 가능하게 제공되는 핸드와;
상기 베이스에 고정 결합되어 상기 하강기류가 기판에 도달하는 것을 최소화하기 위해 상기 핸드의 상부에 배치되는 제1플레이트와 제2플레이트를 갖는 블레이드를 포함하되,
상기 블레이드는 상기 핸드가 상기 처리 챔버로 기판을 반입 또는 반출할 때, 상기 입구의 상단보다 높은 위치에 배치되고,
상기 핸드를 전면에서 바라볼 때, 상기 제1플레이트는 상기 핸드의 중심을 기준으로 일측에 제공되고, 상기 제2플레이트는 상기 핸드의 중심을 기준으로 타측에 제공되며,
상기 제1플레이트의 제1측면 및 상기 제2플레이트의 제2측면은 회전축에 의해 서로 연결되게 제공되고, 상기 제1플레이트 및 상기 제2플레이트는 상기 회전축을 중심으로 회전되는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate,
A processing chamber in which a substrate is processed and in which an inlet through which the substrate enters and exits is formed;
And a transfer chamber having a transfer unit for transferring the substrate into and out of the processing chamber through the inlet,
Wherein the transfer chamber further comprises a fan unit for generating a downward flow in a transfer area inside the transfer chamber,
The transfer unit
A base;
A hand on which a substrate is placed and which is provided to be extendable relative to said base;
A blade fixedly coupled to the base and having a first plate and a second plate disposed on top of the hand to minimize the descending airflow reaching the substrate,
Wherein the blade is disposed at a position higher than the upper end of the inlet when the hand brings the substrate into or out of the processing chamber,
When viewed from the front, the first plate is provided at one side with respect to the center of the hand, the second plate is provided at the other side with respect to the center of the hand,
Wherein the first side of the first plate and the second side of the second plate are connected to each other by a rotation axis, and the first plate and the second plate are rotated about the rotation axis.
상기 핸드가 상승하거나 상기 핸드의 높이의 변화가 없는 경우,
상기 제 1 플레이트는 상기 제 1 측면보다 상기 제 1 측면의 반대 측면이 낮게 위치되고,
상기 제 2 플레이트는 상기 제 2 측면보다 상기 제 2 측면의 반대 측면이 낮게 위치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
When the hand rises or the height of the hand does not change,
Wherein the first plate is positioned lower than the first side and the opposite side of the first side,
Wherein the second plate is positioned lower than the second side and the opposite side of the second side.
상기 핸드가 하강하는 경우,
상기 제 1 플레이트는 상기 제 1 측면보다 상기 제 1 측면의 반대 측면이 높게 위치되고,
상기 제 2 플레이트는 상기 제 2 측면보다 상기 제 2 측면의 반대 측면이 높게 위치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
When the hand descends,
Wherein the first plate is positioned higher than the first side and the opposite side of the first side,
Wherein the second plate is located higher than the second side opposite to the second side.
상기 블레이드는 상부에서 바라볼 때 기판보다 큰 면적으로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1, 6, and 7,
Wherein the blade is provided in an area larger than the substrate when viewed from above.
상기 처리 챔버는 기판 상으로 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 액처리 챔버이고,
상기 기판은 상기 액처리 챔버로부터 반송시 상기 액이 잔류하는 상태로 반송되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1, 6, and 7,
Wherein the processing chamber is a liquid processing chamber for supplying a liquid onto a substrate to subject the substrate to liquid processing,
Wherein the substrate is transported while the liquid remains on transportation from the liquid processing chamber.
상기 반송 유닛은 상기 블레이드의 하부에 설치되고 상기 액을 상기 핸드에 지지된 기판에 분사하는 액 분사 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the transfer unit further comprises a liquid jetting member provided at a lower portion of the blade and jetting the liquid onto a substrate supported by the hand.
상기 블레이드는 무정전 재질로 제공된 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1, 6, and 7,
Wherein the blade is provided as an untreated material.
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JP2001157861A (en) * | 1999-12-03 | 2001-06-12 | Tokyo Electron Ltd | Liquid treatment device and liquid treatment method |
JP2006196763A (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Fujitsu Ltd | Exposure apparatus and control method thereof |
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