KR102012206B1 - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛 및 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 처리액을 공급하는 처리액 공급 부재 및 증기를 포함하는 건조 유체를 공급하여 기판 상에 잔류되는 처리액을 건조시키는 건조 부재를 포함한다. 증기는 처리액을 린스 처리하며, 기판과 접촉되는 동시에 증발된다. 이로 인해 처리액을 제거하는 동시에 기판을 건조시킬 수 있다.Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for liquid processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a substrate support unit for supporting and rotating a substrate and a liquid supply unit for supplying a liquid onto a substrate supported by the substrate support unit, wherein the liquid supply unit includes a processing liquid supply member for supplying a processing liquid; And a drying member for supplying a drying fluid containing steam to dry the treatment liquid remaining on the substrate. The vapor rinses the treatment liquid and evaporates upon contact with the substrate. This allows the substrate to be dried while removing the processing liquid.

Figure R1020160180185
Figure R1020160180185

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}Apparatus and Method for treating substrate

본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for liquid processing a substrate.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판에 형성한다. 각각의 공정에는 다양한 처리액들이 사용되며, 공정 진행 중에는 오염물 및 파티클이 생성된다. 이를 해결하기 위해 각각의 공정 전후에는 오염물 및 파티클을 세정 처리하기 위한 세정 공정이 필수적으로 수행된다.In order to manufacture a semiconductor device, a desired pattern is formed on a substrate through various processes such as photographing, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition on the substrate. Various treatment solutions are used in each process, and contaminants and particles are generated during the process. In order to solve this problem, a cleaning process for cleaning contaminants and particles is essentially performed before and after each process.

일반적으로 세정 공정은 기판을 케미칼 및 린스액으로 처리한 후에 건조 처리한다. 건조 처리 단계에는 기판 상에 잔류된 린스액을 건조하기 위한 공정으로, 이소프로필알코올(IPA)과 같은 유기 용제로 기판을 건조 처리한다. 기판에 형성된 패턴과 패턴과의 거리(CD:Critical Dimension)가 미세화됨에 따라, 그 패턴들의 사이 공간에 유기 용제가 잔류된다. Generally, the cleaning process is followed by drying of the substrate with the chemical and the rinse liquid. In the drying treatment step, the substrate is dried by an organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA) in a step of drying the rinse liquid remaining on the substrate. As the distance between the pattern formed on the substrate and the pattern (CD) is miniaturized, an organic solvent remains in the space between the patterns.

이러한 유기 용제(a)는 자연 건조되는 과정에서 도 1과 같이, 표면 장력에 의해 패턴들(b)을 서로 잡아당기는 힘이 발생된다. 이로 인해 패턴들(b)이 무너지거나 휘어지는 리닝(Leaning) 현상이 발생되는 공정 불량이 발생된다.As the organic solvent (a) is naturally dried, as shown in FIG. 1, a force for pulling the patterns b together by surface tension is generated. As a result, process defects in which the pattern b collapses or a lining phenomenon occurs.

이로 인해 잔류되는 유기 용제를 신속하게 제거하고자, 도 2와 같이 기판(W) 상에 건조 가스를 공급하는 방안이 제기되었다. 그러나 건조 가스만으로는 잔류되는 유기 용제를 완전 제거하는 것이 어렵다.As a result, in order to quickly remove the remaining organic solvent, a method of supplying a dry gas on the substrate W as shown in FIG. 2 has been proposed. However, it is difficult to completely remove the remaining organic solvent only with dry gas.

본 발명은 기판 상에 잔류되는 액을 제거할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.It is an object of the present invention to provide an apparatus and method capable of removing a liquid remaining on a substrate.

또한 본 발명은 기판 상에 잔류되는 액을 신속하게 건조할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.It is another object of the present invention to provide an apparatus and method capable of rapidly drying a liquid remaining on a substrate.

본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛 및 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 처리액을 공급하는 처리액 공급 부재 및 증기를 포함하는 건조 유체를 공급하여 기판 상에 잔류되는 처리액을 건조시키는 건조 부재를 포함한다. Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for liquid processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a substrate support unit for supporting and rotating a substrate and a liquid supply unit for supplying a liquid onto a substrate supported by the substrate support unit, wherein the liquid supply unit includes a processing liquid supply member for supplying a processing liquid; And a drying member for supplying a drying fluid containing steam to dry the treatment liquid remaining on the substrate.

상기 건조 부재는 건조 노즐, 상기 건조 노즐에 건조 가스를 공급하며, 밸브가 설치되는 가스 공급 라인, 상기 건조 노즐에 증기를 공급하는 증기 공급부를 포함할 수 있다. 상기 증기 공급부는 내부에 린스액이 수용되는 수용 공간을 가지는 수용 몸체, 상기 수용 공간을 가열하는 히터, 그리고 상기 수용 공간 및 상기 건조 노즐을 서로 연결하며, 밸브가 설치되는 증기 공급 라인을 포함할 수 있다. 상기 장치는 증기의 온도를 조절하도록 상기 가스 공급 라인의 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 증기가 제1온도를 가지도록 건조 가스의 공급 압력을 제1압력으로 조절하거나, 증기가 제2온도를 가지도록 건조 가스의 공급 압력을 제2압력으로 조절하되, 상기 제1온도는 상기 제2온도보다 높은 온도이고, 상기 제1압력은 상기 제2압력보다 높은 압력일 수 있다. 상기 건조 부재는 상기 건조 노즐을 이동시키며, 상기 제어기에 의해 제어되는 건조 노즐 이동 부재를 더 포함하되, 상기 제어기는 건조 유체의 공급 영역이 기판의 중심에서 가장자리 영역으로 이동되도록 상기 건조 노즐 이동 부재를 제어할 수 있다. The drying member may include a drying nozzle, a drying gas supplying the drying gas to the drying nozzle, a gas supply line in which a valve is installed, and a steam supply unit supplying steam to the drying nozzle. The steam supply unit may include a receiving body having an accommodating space therein, a heater for heating the accommodating space, and a vapor supply line connecting the accommodating space and the drying nozzle to each other and having a valve installed therein. have. The apparatus further comprises a controller for controlling the valve of the gas supply line to regulate the temperature of the steam, wherein the controller adjusts the supply pressure of the dry gas to the first pressure so that the steam has a first temperature, or The supply pressure of the drying gas may be adjusted to a second pressure to have a second temperature, wherein the first temperature may be higher than the second temperature, and the first pressure may be higher than the second pressure. The drying member further includes a drying nozzle moving member for moving the drying nozzle and controlled by the controller, wherein the controller moves the drying nozzle moving member so that the supply region of the drying fluid is moved from the center of the substrate to the edge region. Can be controlled.

기판을 액 처리하는 방법은 상기 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계 및 상기 처리액 공급 단계 이후에, 상기 기판 상에 증기를 포함하는 건조 유체를 공급하여 상기 기판을 건조시키는 건조 처리 단계를 포함한다. The liquid treatment method of the substrate comprises a treatment liquid supplying step of supplying a treatment liquid onto the substrate and a drying treatment step of drying the substrate by supplying a drying fluid containing steam onto the substrate after the treatment liquid supplying step. It includes.

상기 방법은 상기 처리액 공급 단계와 상기 건조 처리 단계 사이에서, 상기 기판 상에 린스액을 공급하는 린스액 공급 단계를 더 포함할 수 있다. The method may further include a rinse liquid supplying step of supplying a rinse liquid on the substrate between the processing liquid supplying step and the drying processing step.

상기 건조 유체는 상기 증기와 건조 가스를 포함할 수 있다. 상기 건조 처리 단계에는 상기 건조 가스의 공급 압력을 조절하여 상기 증기의 온도를 조절할 수 있다. 상기 증기의 온도는 상기 건조 가스의 공급 압력과 비례할 수 있다. 상기 건조 유체의 공급 영역은 상기 기판의 중심에서 가장자리 영역으로 이동될 수 있다. 상기 증기는 수증기를 포함할 수 있다. The drying fluid may comprise the vapor and the drying gas. In the drying treatment step, the temperature of the steam may be controlled by adjusting the supply pressure of the drying gas. The temperature of the steam may be proportional to the supply pressure of the dry gas. The supply region of the drying fluid may be moved from the center of the substrate to the edge region. The vapor may comprise water vapor.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판 상에 잔류되는 처리액을 제거하기 위해 증기를 공급한다. 증기는 처리액을 린스 처리하며, 기판과 접촉되는 동시에 증발된다. 이로 인해 처리액을 제거하는 동시에 기판을 건조시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, steam is supplied to remove the treatment liquid remaining on the substrate. The vapor rinses the treatment liquid and evaporates upon contact with the substrate. This allows the substrate to be dried while removing the processing liquid.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 건조 처리 단계에는 증기를 공급하여 처리액의 린스 및 건조 공정이 동시 진행된다. 이로 인해 기판의 린스 처리 및 건조 처리를 동시에 수행할 수 있으며, 이는 기판의 액 처리 공정을 신속히 수행 가능하다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the drying treatment step is supplied with steam to rinse and dry the treatment solution at the same time. As a result, the rinse treatment and the drying treatment of the substrate can be performed at the same time, which can quickly perform the liquid treatment process of the substrate.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 증기의 온도는 건조 가스의 공급 압력으로 조절된다. 이로 인해 증기의 온도를 조절하기 위한 별도의 장치가 불필요하며, 공간 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the temperature of the steam is adjusted to the supply pressure of the dry gas. This eliminates the need for a separate device for regulating the temperature of the steam and improves space efficiency.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판 상에 잔류되는 린스액을 증기로 건조 처리하되, 증기는 고온 상태로 제공된다. 이로 인해 증기의 온도는 린스액에 전달되며, 린스액의 증발 속도를 높일 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, while the rinse liquid remaining on the substrate is dried by steam, the steam is provided at a high temperature. As a result, the temperature of the steam is transferred to the rinse liquid, which may increase the evaporation rate of the rinse liquid.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판을 건조 처리하기 위한 유기 용제가 미사용된다. 이로 인해 기판 처리 공정에 대한 비용을 절감할 수 있으며, 작업자에게 해로운 유해 물질로부터 벗어날 수 있다.Moreover, according to the Example of this invention, the organic solvent for drying-processing a board | substrate is not used. This saves costs for the substrate processing process and frees up harmful materials to workers.

도 1은 일반적으로 기판 상에 잔류되는 유기 용제로 인해 패턴들의 리닝 현상이 발생되는 과정을 보여주는 단면도이다.
도 2는 일반적으로 기판 상에 잔류되는 유기 용제를 제거하기 위해 건조 가스를 공급하는 과정을 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 건조 부재를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 4의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 7 내지 도 9는 도 4의 장치를 이용하여 기판을 액 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다.
도 10은 도 4의 린스액 공급 부재 및 건조 부재의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 11은 도 10의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a process in which a patterning phenomenon occurs due to an organic solvent remaining on a substrate.
2 is a cross-sectional view illustrating a process of supplying a dry gas to remove an organic solvent generally remaining on a substrate.
3 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 3.
5 is a cross-sectional view showing the drying member of FIG. 4.
6 is a flowchart illustrating a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. 4.
7 to 9 illustrate a process of liquid-processing a substrate using the apparatus of FIG. 4.
10 is a cross-sectional view showing another embodiment of the rinse liquid supply member and the drying member of FIG. 4.
FIG. 11 is a flowchart illustrating a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. 10.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape and the like of the components in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

본 발명은 도 3 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.The present invention will be described in detail an example of the present invention with reference to FIGS.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.3 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. Referring to FIG. 3, the substrate processing facility 1 has an index module 10 and a process processing module 20, and the index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a row. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12, and when viewed from the top, the direction perpendicular to the first direction 12 is observed. The direction is called the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is called the third direction 16.

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 18 in which the substrate W is accommodated is mounted in the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are provided. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 20. The carrier 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. A plurality of slots are provided in the third direction 16, and the substrates are positioned in the carrier so as to be stacked in a state spaced apart from each other along the third direction 16. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송 챔버(240)의 양측에는 공정 챔버들(260)이 배치된다. 공정 챔버들(260)은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 양측에는 공정 챔버들(260)이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 양측 각각에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed at both sides of the transfer chamber 240 along the second direction 14. Process chambers 260 may be provided to be symmetrical with respect to transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the length of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are arranged to be stacked on each other. That is, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B (A and B are each one or more natural numbers) on both sides of the transfer chamber 240. Where A is the number of process chambers 260 provided in a line along the first direction 12, and B is the number of process chambers 260 provided in a line along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on each side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 × 2 or 3 × 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease.

상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에 단층으로 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 상술한 바와 달리 다양한 배치로 제공될 수 있다. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and the other side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided in various arrangements as described above.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(220)에서 이송 프레임(140)과 마주보는 면과 이송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W stays before the substrate W is transferred between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are spaced apart from each other along the third direction 16. In the buffer unit 220, a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 are opened.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transports the substrate W between the carrier 18 seated in the load port 120 and the buffer unit 220. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided in parallel with the second direction 14 in the longitudinal direction thereof. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. Body 144b is coupled to base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and provided to move forward and backward with respect to the body 144b. The plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked to be spaced apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used when conveying the substrate W from the process processing module 20 to the carrier 18, and others are used to transport the substrate W from the carrier 18 to the process processing module 20. It can be used when conveying. This can prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from being attached to the substrate W after the process treatment while the index robot 144 loads and unloads the substrate W.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220) 및 공정 챔버들(260) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. The transfer chamber 240 transports the substrate W between the buffer unit 220 and the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rail 242 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 242.

공정 챔버(260)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 예컨대, 기판(W)은 공정 챔버(260)에서 케미칼 공정 및 건조 공정이 수행될 수 있다. The process chamber 260 may be provided to sequentially perform the process on one substrate (W). For example, the substrate W may be subjected to a chemical process and a drying process in the process chamber 260.

아래에서는 공정 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)에 대해 설명한다. 도 4는 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 스핀 헤드(340), 승강 유닛(360), 액 공급 유닛(380), 그리고 제어기를 포함한다. 처리 용기(320)는 내부에 기판(W)을 처리하는 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(320)는 상부가 개방된 컵 형상으로 제공된다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 스핀 헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 외부 회수통(326)과 내부 회수통(322)의 사이 공간(326a)은 각각 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,326b)은 각각의 회수통(322,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.Hereinafter, the substrate processing apparatus 300 provided in the process chamber 260 will be described. 4 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 3. Referring to FIG. 4, the substrate processing apparatus 300 includes a processing container 320, a spin head 340, a lifting unit 360, a liquid supply unit 380, and a controller. The processing container 320 provides a processing space in which a process of processing the substrate W is performed. The processing container 320 is provided in a cup shape with an open top. The processing container 320 has an inner recovery container 322 and an outer recovery container 326. Each recovery container 322, 326 recovers different treatment liquids from among treatment liquids used in the process. The inner recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340, and the outer recovery container 326 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery container 322. The inner space 322a of the inner waste container 322 and the space 326a between the outer waste container 326 and the inner waste container 322 are respectively treated with the inner waste container 322 and the outer waste container 326. It functions as an inlet for inflow. Each recovery container 322, 326 is connected with recovery lines 322b, 326b extending vertically in the bottom direction thereof. Each recovery line 322b and 326b discharges the treatment liquid introduced through the respective recovery bins 322 and 326. The discharged treatment liquid may be reused through an external treatment liquid regeneration system (not shown).

스핀 헤드(340)는 기판(W)을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛(340)으로 제공된다. 스핀 헤드(340)는 처리 용기(320)의 처리 공간에 배치된다. 스핀 헤드(340)는 공정 진행 중에 기판(W)을 지지 및 회전시킨다.핀다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전 가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.The spin head 340 is provided to the substrate support unit 340 that supports and rotates the substrate W. As shown in FIG. The spin head 340 is disposed in the processing space of the processing vessel 320. The spin head 340 supports and rotates the substrate W during the process. A support shaft 348 rotatable by the motor 349 is fixedly coupled to the bottom of the body 342. A plurality of support pins 334 are provided. The support pins 334 are spaced apart at predetermined intervals from the edge of the upper surface of the body 342 and protrudes upward from the body 342. The support pins 334 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combining with each other. The support pin 334 supports the rear edge of the substrate so that the substrate W is spaced a predetermined distance from the upper surface of the body 342. A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pins 346 are disposed farther from the support pins 334 in the center of the body 342. The chuck pins 346 are provided to protrude upward from the body 342. The chuck pins 346 support the sides of the substrate W so that the substrate W does not deviate laterally from the home position when the spin head 340 is rotated. The chuck pins 346 are provided to linearly move between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342. The standby position is a position far from the center of the body 342 relative to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded from the spin head 340, the chuck pins 346 are positioned at the standby position, and when the process is performed on the substrate W, the chuck pins 346 are positioned at the support position. In the support position, the chuck pins 346 are in contact with the side of the substrate (W).

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)와 스핀 헤드(340) 간에 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀 헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀 헤드(340)가 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. The elevating unit 360 adjusts the relative height between the processing vessel 320 and the spin head 340. The lifting unit 360 linearly moves the processing container 320 in the vertical direction. As the processing vessel 320 is moved up and down, the relative height of the processing vessel 320 relative to the spin head 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixedly installed on the outer wall of the processing container 320, and the moving shaft 364 that is moved in the vertical direction by the driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The processing container 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes above the processing container 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or is lifted from the spin head 340. In addition, when the process is in progress, the height of the processing container 320 is adjusted to allow the processing liquid to flow into the predetermined recovery container 360 according to the type of processing liquid supplied to the substrate W.

상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.Unlike the above, the lifting unit 360 may move the spin head 340 in the vertical direction instead of the processing container 320.

액 공급 유닛(380)은 기판(W) 상에 액을 공급한다. 액 공급 유닛(380)은 처리액 공급 부재(390) 및 건조 부재(400)를 포함한다. 처리액 공급 부재(390)는 제1이동 부재(391) 및 처리액 노즐(399)을 포함한다. 제1이동 부재(391)는 처리액 노즐(399)을 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 여기서 공정 위치는 처리액 노즐(399)이 처리 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 처리액 노즐(399)이 처리 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 처리액 노즐(399)이 기판(W)의 중심으로 처리액을 공급할 수 있는 위치일 수 있다. 제1이동 부재(391)는 아암(392), 지지축(396), 그리고 구동기(398)를 가진다. 지지축(396)은 처리 용기(320)의 일측에 위치된다. 지지축(396)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(396)의 하단에는 구동기(398)가 결합된다. 구동기(398)는 지지축(396)을 회전 및 승강 운동한다. 아암(392)은 지지축(396)의 상단에 고정 결합된다. 아암(392)은 지지축(396)과 수직한 길이 방향을 가진다. The liquid supply unit 380 supplies the liquid onto the substrate W. The liquid supply unit 380 includes a treatment liquid supply member 390 and a drying member 400. The treatment liquid supply member 390 includes a first moving member 391 and a treatment liquid nozzle 399. The first moving member 391 moves the processing liquid nozzle 399 to a process position and a standby position. Here, the process position is defined as the position where the treatment liquid nozzle 399 is disposed on the vertical upper portion of the processing vessel 320, and the standby position is defined as the position at which the treatment liquid nozzle 399 deviates from the vertical upper portion of the treatment vessel 320. According to an example, the process position may be a position at which the treatment liquid nozzle 399 may supply the treatment liquid to the center of the substrate (W). The first moving member 391 has an arm 392, a support shaft 396, and a driver 398. The support shaft 396 is located at one side of the processing vessel 320. The support shaft 396 has a longitudinal direction along the third direction 16, and a driver 398 is coupled to a lower end of the support shaft 396. The driver 398 rotates and raises and lowers the support shaft 396. Arm 392 is fixedly coupled to an upper end of support shaft 396. The arm 392 has a longitudinal direction perpendicular to the support shaft 396.

처리액 노즐(399)은 처리액을 토출 가능하다. 처리액 노즐(399)은 아암(392)의 끝단 저면에 설치된다. 처리액 노즐(399)은 지지축(396)의 회전에 의해 아암(392)과 함께 이동된다. 예컨대, 처리액은 케미칼일 수 있다. 케미칼은 강산 또는 강염기의 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 인산(H2PO4) 또는 불산(HF)을 포함할 수 있다. The processing liquid nozzle 399 can discharge the processing liquid. The processing liquid nozzle 399 is provided at the bottom of the end of the arm 392. The processing liquid nozzle 399 is moved together with the arm 392 by the rotation of the support shaft 396. For example, the treatment liquid may be chemical. The chemical may be a liquid having the properties of a strong acid or a strong base. The chemical may include sulfuric acid (H 2 SO 4 ), phosphoric acid (H 2 PO 4 ) or hydrofluoric acid (HF).

건조 부재(400)는 증기를 포함하는 건조 유체를 공급하여 기판(W) 상에 잔류되는 처리액을 제거한다. 건조 부재(400)는 기판(W) 상에 잔류되는 처리액을 린스 및 건조 처리한다. 건조 부재(400)는 린스 및 건조 처리를 동시에 수행한다. 도 5는 도 4의 건조 부재를 보여주는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 건조 부재(400)는 건조 노즐(410), 제2이동 부재(420), 증기 공급부(430), 그리고 가스 공급 라인(470)을 포함한다.The drying member 400 supplies a drying fluid including steam to remove the treatment liquid remaining on the substrate (W). The drying member 400 rinses and dries the treatment liquid remaining on the substrate W. FIG. The drying member 400 performs a rinse and dry treatment at the same time. 5 is a cross-sectional view showing the drying member of FIG. 4. Referring to FIG. 5, the drying member 400 includes a drying nozzle 410, a second moving member 420, a steam supply unit 430, and a gas supply line 470.

제2이동 부재(420)는 건조 노즐(410)을 공정 위치와 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 건조 노즐(410)이 처리 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 건조 노즐(410)은 공정 위치에서 건조 유체의 공급 영역이 기판(W)의 중심에서 가장자리 영역으로 이동될 수 있다. 제2이동 부재(420)는 제1이동 부재(391)와 동일한 형상을 가지므로, 제2이동 부재(420)에 대한 설명을 생략한다. 건조 노즐(410)은 건조 유체를 토출 가능하다. 건조 유체는 증기와 건조 가스가 혼합된 유체일 수 있다. 증기는 기상의 린스액이고, 건조 가스는 비활성 가스일 수 있다. 린스액은 순수이고, 비활성 가스는 질소 가스일 수 있다.The second moving member 420 moves the drying nozzle 410 to the process position and the standby position. Here, the process position is a position where the drying nozzle 410 is disposed in the vertical upper portion of the processing container 320, and the standby position is defined as a position out of the process position. In an example, the drying nozzle 410 may move the supply region of the drying fluid from the center of the substrate W to the edge region at the process position. Since the second moving member 420 has the same shape as the first moving member 391, the description of the second moving member 420 will be omitted. The drying nozzle 410 can discharge a drying fluid. The dry fluid may be a fluid in which a vapor and a dry gas are mixed. The vapor is a gaseous rinse liquid and the dry gas may be an inert gas. The rinse liquid is pure water, and the inert gas may be nitrogen gas.

증기 공급부(430)는 건조 노즐(410)에 증기를 공급한다. 증기 공급부(430)는 수용 몸체(440), 제1히터(450), 그리고 증기 공급 라인(450)을 포함한다. 수용 몸체(440)는 내부에 린스액이 수용 가능한 수용 공간(442)을 가진다. 제1히터(450)는 수용 공간(442)을 가열한다. 제1히터(450)는 수용 몸체(440)에 제공된다. 제1히터(450)는 린스액을 끓는점보다 높은 온도로 수용 공간(442)을 가열하여 액상의 린스액을 기상의 린스액인 증기로 상 변화시킨다.The steam supply unit 430 supplies steam to the drying nozzle 410. The steam supply unit 430 includes a receiving body 440, a first heater 450, and a steam supply line 450. The receiving body 440 has a receiving space 442 that can accommodate the rinse liquid therein. The first heater 450 heats the accommodation space 442. The first heater 450 is provided in the receiving body 440. The first heater 450 heats the accommodating space 442 to a temperature higher than the boiling point of the rinse liquid to change the liquid rinse liquid into vapor, which is a rinse liquid in the gas phase.

증기 공급 라인(450)은 수용 몸체(440)와 건조 노즐(410)을 서로 연결한다. 수용 공간(442)에서 기상으로 상 변화된 증기는 증기 공급 라인(450)을 통해 건조 노즐(410)로 공급된다. 증기 공급 라인(450)에는 제2히터(454) 및 증기 밸브(452)가 설치된다. 제2히터(454)는 증기 공급 라인(450)에서 공급되는 증기가 액상의 린스액으로 상 변화되는 것을 방지한다. 증기 밸브(452)는 증기 공급 라인(450)을 개폐 가능하다. The steam supply line 450 connects the receiving body 440 and the drying nozzle 410 with each other. Vapor phase-changed vapor in the receiving space 442 is supplied to the drying nozzle 410 through the steam supply line 450. The second heater 454 and the steam valve 452 are installed in the steam supply line 450. The second heater 454 prevents the vapor supplied from the steam supply line 450 from being phase-changed into the liquid rinse liquid. The steam valve 452 can open and close the steam supply line 450.

가스 공급 라인(470)은 건조 노즐(410)에 건조 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(470)에는 가스 밸브(472)가 설치된다. 가스 밸브(472)는 가스 공급 라인(470)을 개폐 가능하다.The gas supply line 470 supplies a dry gas to the drying nozzle 410. The gas valve 472 is installed in the gas supply line 470. The gas valve 472 may open and close the gas supply line 470.

제어기(500)는 증기의 온도 및 건조 유체의 공급 영역을 조절하도록 건조 부재(400)를 제어한다. 제어기(500)는 증기의 온도를 조절하도록 가스 밸브(472)를 제어한다. 제어기(500)는 건조 가스의 공급 압력을 조절하여 증기의 온도를 조절한다. 건조 가스의 공급 압력과 증기의 온도는 비례 그래프를 가지도록 조절된다. 일 예에 의하면, 건조 가스의 공급 압력을 제1압력으로 조절 시 증기는 제1온도를 가지고, 건조 가스의 공급 압력을 제2압력으로 조절 시 증기는 제2온도를 가질 수 있다. 제1압력은 제2압력보다 압력이고, 제1온도는 제2온도보다 높은 온도일 수 있다.The controller 500 controls the drying member 400 to adjust the temperature of the steam and the supply region of the drying fluid. The controller 500 controls the gas valve 472 to regulate the temperature of the steam. The controller 500 controls the temperature of the steam by adjusting the supply pressure of the dry gas. The supply pressure of the drying gas and the temperature of the steam are adjusted to have a proportional graph. In one example, the steam may have a first temperature when the supply pressure of the dry gas is adjusted to the first pressure, and the steam may have a second temperature when the supply pressure of the dry gas is adjusted to the second pressure. The first pressure may be a pressure higher than the second pressure, and the first temperature may be higher than the second temperature.

또한 제어기(500)는 건조 유체의 공급 영역이 기판(W)의 중심에서 가장자리 영역으로 이동되도록 건조 노즐(410) 이동 부재를 제어한다.The controller 500 also controls the drying nozzle 410 moving member so that the supply region of the drying fluid is moved from the center of the substrate W to the edge region.

다음은 상술한 기판 처리 장치(300)를 이용하여 기판(W)을 액 처리하는 방법을 설명한다. 기판(W)의 액 처리 방법은 처리액 공급 단계(S10) 및 건조 처리 단계(S20)를 포함한다. 처리액 공급 단계(S10) 및 건조 처리 단계(S20)는 순차적으로 진행된다. 도 6은 도 4의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이고, 도 7 내지 도 9는 도 4의 장치를 이용하여 기판을 액 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다.Next, the method of liquid-processing the board | substrate W using the above-mentioned substrate processing apparatus 300 is demonstrated. The liquid treatment method of the substrate W includes a treatment liquid supply step S10 and a dry treatment step S20. The treatment liquid supply step S10 and the drying treatment step S20 proceed sequentially. 6 is a flowchart illustrating a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. 4, and FIGS. 7 to 9 are views illustrating a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. 4.

도 6 내지 도 9를 참조하면, 처리액 공급 단계(S10)가 진행 시 기판(W)은 회전된다. 처리액 노즐(399)은 공정 위치로 이동되고, 기판(W)의 중심으로 처리액을 공급한다. 처리액은 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)의 중심에서 가장자리 영역으로 확산되고, 기판(W)의 전체 영역이 처리액에 의해 처리된다.6 to 9, the substrate W is rotated when the processing liquid supplying step S10 is performed. The processing liquid nozzle 399 is moved to the process position, and supplies the processing liquid to the center of the substrate W. FIG. The processing liquid diffuses from the center of the substrate W to the edge region by the centrifugal force of the substrate W, and the entire region of the substrate W is processed by the processing liquid.

처리액 공급 단계(S10)가 완료되면, 건조 처리 단계(S20)가 진행된다. 처리액 노즐(399)은 대기 위치로 이동되고, 건조 노즐(410)은 공정 위치로 이동된다. 건조 노즐(410)은 건조 유체의 공급 영역이 기판(W)의 중심에 대응되도록 이동된다. 건조 노즐(410)은 증기를 포함하는 건조 유체를 토출하면서 그 위치가 이동된다. 건조 노즐(410)은 건조 유체의 공급 영역이 기판(W)의 중심에서 가장자리 영역으로 이동되도록 그 위치가 이동된다. 건조 유체는 기판(W) 상에 잔류되는 처리액을 린스 처리하는 동시에 건조된다. 즉, 잔류 처리액은 건조 유체에 의해 린스 처리되며, 기판(W)의 중심으로부터 멀어지는 방향으로 밀어내진다. 건조 유체는 고온의 미세 입자로 제공된다. 이에 따라 증기는 기판(W)과 접촉되는 동시에 증발되어 건조되며, 기판(W) 상의 패턴이 리닝되는 것을 방지할 수 있다. When the treatment liquid supplying step S10 is completed, the drying treatment step S20 is performed. The processing liquid nozzle 399 is moved to the standby position, and the drying nozzle 410 is moved to the process position. The drying nozzle 410 is moved so that the supply region of the drying fluid corresponds to the center of the substrate (W). The drying nozzle 410 is displaced while discharging a drying fluid containing steam. The drying nozzle 410 is moved in position so that the supply region of the drying fluid is moved from the center of the substrate W to the edge region. The drying fluid is dried while rinsing the treatment liquid remaining on the substrate (W). That is, the residual treatment liquid is rinsed by the drying fluid and is pushed away in the direction away from the center of the substrate W. As shown in FIG. Drying fluid is provided as hot fine particles. Accordingly, the vapor is evaporated and dried at the same time as being in contact with the substrate W, and it is possible to prevent the pattern on the substrate W from lining.

상술한 실시예에는 액 공급 유닛(380)이 처리액 공급 부재(390) 및 건조 부재(400)를 포함하는 것으로 설명하였다. 그러나 도 10과 같이, 액 공급 유닛(300)은 린스액 공급 부재(600)를 더 포함할 수 있다. 린스액 공급 부재(600)는 기판(W) 상에 린스액을 공급할 수 있다. 린스액 공급 부재(600)는 제3이동 부재(미도시) 및 린스액 노즐(610)을 포함할 수 있다. 제3이동 부재(미도시)는 린스액 노즐(610)을 공정 위치 또는 대기 위치로 이동시킬 수 있다. 제3이동 부재(미도시)는 제1이동 부재(391)와 동일한 형상을 가지므로, 이에 대한 설명을 생략한다. 린스액 노즐(610)은 기판(W) 상에 린스액을 토출 가능하다. 린스액 노즐(610)에는 린스액 공급 라인(620)이 연결된다. 예컨대, 린스액은 증기와 동일한 성질의 액일 수 있다. 즉 린스액의 순수이고, 증기는 수증기일 수 있다. 수용 몸체(440)에는 린스액 공급 라인(620)으로부터 분기된 분기 라인(640)이 연결될 수 있다. 분기 라인(640)을 통해 수용 공간(442)에 공급된 린스액은 가열되어 기상으로 상 변화되어 건조 노즐(410)로 공급될 수 있다.In the above-described embodiment, the liquid supply unit 380 has been described as including a processing liquid supply member 390 and a drying member 400. However, as shown in FIG. 10, the liquid supply unit 300 may further include a rinse liquid supply member 600. The rinse liquid supply member 600 may supply the rinse liquid onto the substrate W. The rinse liquid supply member 600 may include a third moving member (not shown) and a rinse liquid nozzle 610. The third moving member (not shown) may move the rinse liquid nozzle 610 to a process position or a standby position. Since the third moving member (not shown) has the same shape as the first moving member 391, description thereof will be omitted. The rinse liquid nozzle 610 may discharge the rinse liquid onto the substrate W. FIG. A rinse liquid supply line 620 is connected to the rinse liquid nozzle 610. For example, the rinse liquid may be a liquid having the same properties as steam. That is, the rinse liquid is pure, and the steam may be water vapor. A branch line 640 branched from the rinse liquid supply line 620 may be connected to the receiving body 440. The rinse liquid supplied to the accommodation space 442 through the branch line 640 may be heated to phase change into a gaseous phase and supplied to the drying nozzle 410.

다음은 도 10의 액 공급 유닛으로 기판을 액 처리하는 방법에 대해 설명한다. 도 11은 도 10의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다. 도 11을 참조하면. 기판(W)의 액 처리 방법은 처리액 공급 단계(S'10), 린스액 공급 단계(S'20), 그리고 건조 처리 단계(S'30)를 포함할 수 있다. 처리액 공급 단계(S'10), 린스액 공급 단계(S'20), 그리고 건조 처리 단계(S'30)는 순차적으로 진행될 수 있다. 처리액 공급 단계(S'10)에는 기판(W)의 중심으로 처리액을 공급하고, 린스액 공급 단계에는 기판(W)의 중심으로 린스액을 공급할 수 있다. 기판(W) 상에 잔류되는 처리액은 린스액에 의해 린스 처리될 수 있다. 건조 처리 단계(S'30)에는 기판(W) 상에 건조 유체를 공급할 수 있다. 건조 유체의 공급 영역은 기판(W)의 중심에서 가장자리 영역을 향하도록 이동될 수 있다. 건조 유체는 기판(W) 상에 잔류되는 린스액을 건조시킬 수 있다. Next, the method of liquid-processing a board | substrate with the liquid supply unit of FIG. 10 is demonstrated. FIG. 11 is a flowchart illustrating a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. 10. Referring to FIG. The liquid treatment method of the substrate W may include a treatment liquid supply step S'10, a rinse liquid supply step S'20, and a dry treatment step S'30. Treatment liquid supply step (S'10), rinse liquid supply step (S'20), and drying treatment step (S'30) may be performed sequentially. In the processing liquid supplying step S′10, the processing liquid may be supplied to the center of the substrate W, and in the rinsing liquid supplying step, the rinse liquid may be supplied to the center of the substrate W. FIG. The treatment liquid remaining on the substrate W may be rinsed by the rinse liquid. In the drying treatment step S′30, a drying fluid may be supplied onto the substrate W. The supply region of the drying fluid can be moved from the center of the substrate W to the edge region. The drying fluid may dry the rinse liquid remaining on the substrate (W).

예컨대, 건조 처리 단계(S'30)에는 작업자가 증기의 온도를 높이기 위해 건조 가스의 공급 압력을 높일 수 있으며, 고온의 증기에 의해 잔류 린스액의 증발 속도를 더 높일 수 있다.For example, in the drying treatment step (S'30), the operator can increase the supply pressure of the dry gas to increase the temperature of the steam, it is possible to further increase the evaporation rate of the residual rinse liquid by the high temperature steam.

300: 액 공급 유닛 390: 처리액 공급 부재
400: 건조 부재 410: 건조 노즐
430: 증기 공급부 470: 가스 공급 라인
500: 제어기300: liquid supply unit 390: treatment liquid supply member
400: drying member 410: drying nozzle
430: steam supply 470: gas supply line
500: controller

Claims (12)

기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 유닛과;
제어기를 포함하고,
상기 액 공급 유닛은,
기판 상면으로 처리액을 공급하는 처리액 공급 부재와;
유기용제를 포함하지 않고 수증기를 포함하는 건조 유체를 공급하여 기판 상에 잔류되는 처리액을 건조시키는 건조 부재를 포함하고,
상기 건조 유체는 상기 수증기와 비활성 가스가 혼합된 유체이고,
상기 건조 부재는,
기판 상면의 수직 상부에 위치되어 상기 건조 유체를 기판 상면으로 공급하는 건조 노즐과;
상기 건조 노즐을 이동시키며, 상기 제어기에 의해 제어되는 건조 노즐 이동 부재를 포함하되,
상기 제어기는 상기 건조 노즐이 공급하는 상기 건조 유체의 공급 영역이 기판 상면의 중심에서 가장자리 영역으로 이동되도록 상기 건조 노즐 이동 부재를 제어하는 기판 처리 장치.A substrate support unit for supporting and rotating the substrate;
A liquid supply unit supplying a liquid onto a substrate supported by the substrate support unit;
Including a controller,
The liquid supply unit,
A processing liquid supply member supplying the processing liquid to the upper surface of the substrate;
It includes a drying member for supplying a drying fluid containing water vapor without containing an organic solvent to dry the treatment liquid remaining on the substrate,
The dry fluid is a fluid mixed with the water vapor and an inert gas,
The drying member,
A drying nozzle positioned above the upper surface of the substrate and supplying the drying fluid to the upper surface of the substrate;
A drying nozzle moving member for moving the drying nozzle and controlled by the controller,
And the controller controls the drying nozzle moving member so that the supply region of the drying fluid supplied by the drying nozzle is moved from the center of the substrate upper surface to the edge region. 제1항에 있어서,
상기 건조 부재는,
상기 건조 노즐에 상기 비활성 가스를 공급하며, 밸브가 설치되는 가스 공급 라인과;
상기 건조 노즐에 상기 수증기를 공급하는 증기 공급부를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The drying member,
A gas supply line for supplying the inert gas to the drying nozzle and having a valve installed therein;
And a steam supply unit for supplying the steam to the drying nozzle. 제2항에 있어서,
상기 증기 공급부는,
내부에 린스액이 수용되는 수용 공간을 가지는 수용 몸체와;
상기 수용 공간을 가열하는 히터와;
상기 수용 공간 및 상기 건조 노즐을 서로 연결하며, 밸브가 설치되는 증기 공급 라인을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The steam supply unit,
A receiving body having an accommodation space in which the rinse liquid is received;
A heater for heating the accommodation space;
And a steam supply line connecting the receiving space and the drying nozzle to each other and having a valve installed thereon. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 장치는,
상기 수증기의 온도를 조절하도록 상기 가스 공급 라인의 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 수증기가 제1온도를 가지도록 상기 비활성 가스의 공급 압력을 제1압력으로 조절하거나, 상기 수증기가 제2온도를 가지도록 상기 비활성 가스의 공급 압력을 제2압력으로 조절하되,
상기 제1온도는 상기 제2온도보다 높은 온도이고,
상기 제1압력은 상기 제2압력보다 높은 압력인 기판 처리 장치.The method according to claim 2 or 3,
The device,
Further comprising a controller for controlling the valve of the gas supply line to adjust the temperature of the steam,
The controller may adjust the supply pressure of the inert gas to the first pressure so that the water vapor has a first temperature, or adjust the supply pressure of the inert gas to a second pressure so that the water vapor has a second temperature,
The first temperature is a temperature higher than the second temperature,
And said first pressure is a pressure higher than said second pressure. 삭제delete 기판을 액 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판 상면으로 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계와;
상기 처리액 공급 단계 이후에, 상기 기판 상에 유기 용제를 포함하지 않고 수증기를 포함하는 건조 유체를 공급하여 상기 기판을 건조시키는 건조 처리 단계를 포함하고,
상기 건조 유체는 상기 수증기와 비활성 가스가 혼합된 유체이고,
상기 건조 처리 단계에는,
상기 기판 상면의 수직 상부에 위치되는 건조 노즐이 상기 기판의 상면으로 상기 건조 유체를 공급하고,
상기 건조 노즐이 공급하는 상기 건조 유체의 공급 영역은 상기 기판 상면의 중심에서 가장자리 영역으로 이동되는 기판 처리 방법.In the method of liquid-processing a substrate,
A processing liquid supplying step of supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate;
After the treatment liquid supplying step, a drying treatment step of drying the substrate by supplying a drying fluid including water vapor without containing an organic solvent on the substrate,
The dry fluid is a fluid mixed with the water vapor and an inert gas,
In the drying treatment step,
A drying nozzle positioned vertically above the upper surface of the substrate supplies the drying fluid to the upper surface of the substrate,
And a supply region of the drying fluid supplied by the drying nozzle is moved from a center of the upper surface of the substrate to an edge region. 제6항에 있어서,
상기 방법은,
상기 처리액 공급 단계와 상기 건조 처리 단계 사이에서, 상기 기판 상에 린스액을 공급하는 린스액 공급 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 6,
The method,
And a rinse liquid supplying step of supplying a rinse liquid onto the substrate between the processing liquid supplying step and the drying processing step. 삭제delete 제6항에 있어서,
상기 건조 처리 단계에는 상기 비활성 가스의 공급 압력을 조절하여 상기 수증기의 온도를 조절하는 기판 처리 방법.The method of claim 6,
In the drying treatment step, the temperature of the water vapor is controlled by adjusting the supply pressure of the inert gas. 제9항에 있어서,
상기 수증기의 온도는 상기 비활성 가스의 공급 압력과 비례하는 기판 처리 방법.

The method of claim 9,
And the temperature of the water vapor is proportional to the supply pressure of the inert gas.

삭제delete 삭제delete
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