KR101591960B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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KR101591960B1 KR1020140051349A KR20140051349A KR101591960B1 KR 101591960 B1 KR101591960 B1 KR 101591960B1 KR 1020140051349 A KR1020140051349 A KR 1020140051349A KR 20140051349 A KR20140051349 A KR 20140051349A KR 101591960 B1 KR101591960 B1 KR 101591960B1
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 갖는 하우징과 상기 하우징 내부에 위치하며, 상부가 개방된 용기와 상기 하우징 내로 하강 기류를 제공하는 기류 제공 유닛을 포함하며, 상기 기류 제공 유닛은 상기 하우징 상부에 위치되는 팬과, 상기 팬의 상부에 위치되는 플레이트를 포함하며, 상기 플레이트는 영역별로 상기 팬과 상기 플레이트 사이에 거리가 상이하게 제공되는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a housing having a processing space therein, and an airflow providing unit located inside the housing, the airflow providing unit providing a lower airflow into the container and an upper opened container, The providing unit includes a fan positioned above the housing and a plate positioned above the fan, wherein the plate is provided with different distances between the fan and the plate in each area.

Figure R1020140051349
Figure R1020140051349

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 기판을 세정 처리하는 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for treating a substrate, and more particularly to an apparatus for cleaning a substrate.

기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미칼을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 순수를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 공정, 그리고 유기 용제, 초임계 유체, 또는 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다.Contaminants such as particles, organic contaminants, and metallic contaminants on the surface of the substrate greatly affect the characteristics of semiconductor devices and the yield of production. Therefore, a cleaning process for removing various contaminants adhered to the surface of the substrate is important in a semiconductor manufacturing process, and a process for cleaning the substrate is performed before and after each unit process for manufacturing a semiconductor. In general, cleaning of a substrate is performed by a chemical treatment process for removing metal foreign substances, organic substances, or particles remaining on the substrate by using a chemical, a rinsing process for removing chemicals remaining on the substrate by using pure water, , A supercritical fluid, a nitrogen gas, or the like.

도1은 일반적은 세정공정을 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view showing a substrate processing apparatus for performing a general cleaning process. FIG.

도1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 하우징(2), 하우징(2) 상부에 위치하는 팬 필터 부재(3), 하우징(2) 내부에 위치하는 용기(4), 용기(4)의 내부에 위치하는 기판 지지 부재(5), 그리고 모터에 의해 구동되는 구동부(6)를 가진다.1, the substrate processing apparatus 1 includes a housing 2, a fan filter member 3 located above the housing 2, a container 4 located inside the housing 2, a container 4, A substrate support member 5 located inside the substrate 1, and a driving unit 6 driven by the motor.

기판 처리 장치(1) 내부는 공정 시 발생하는 파티클 제거를 위해 팬 필터 부재(3)를 이용하여 하강 기류를 형성한다. 기판 처리 장치(1)의 용기(4) 상부에서는 영역별로 동일한 속도로 하강 기류를 형성한다. 일반적으로 용기(4)의 외측 부분에서는 노즐을 구동하는 구동부(6)로 인해 파티클이 발생되나, 위와 같은 일반적인 구조에서는 파티클 제거가 용이하지 않다. 또한 용기(4)의 내측 및 외측의 하강기류의 크기가 동일한 경우, 용기(4)의 상단에서 하강 기류가 용기(4)의 외측으로 원할하게 배출되지 못한다. 또한 용기(4)의 상단 근처에서는 와류를 형성하여, 하우징(2) 내 기류의 흐름을 방해하는 문제점이 있다. 이러한 현상은 기판 처리 장치(1)의 내부에 파티클 제거가 용이하지 않은 문제점을 발생한다.Inside the substrate processing apparatus 1, a downflow air stream is formed by using the fan filter member 3 to remove particles generated during processing. At the upper portion of the container 4 of the substrate processing apparatus 1, a downward flow is formed at the same speed for each region. Generally, in the outer portion of the container 4, particles are generated due to the driving unit 6 for driving the nozzle. However, in the general structure as described above, it is not easy to remove the particles. In addition, when the size of the descending airflow inside and outside the container 4 is the same, the descending airflow can not be smoothly discharged from the upper end of the container 4 to the outside of the container 4. Further, a vortex is formed in the vicinity of the upper end of the container (4), which interferes with the flow of airflow in the housing (2). This phenomenon causes a problem that the particles are not easily removed inside the substrate processing apparatus 1.

본 발명은 기판의 세정 처리 공정의 효율을 향상시킬 수 있는 장치를 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide an apparatus capable of improving the efficiency of a cleaning process of a substrate.

또한, 본 발명은 기판 처리 장치 내에 구동기가 제공되는 영역에서 발생하는 파티클을 원할하게 배출시킬 수 있는 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides an apparatus capable of smoothly discharging particles generated in a region in which a driver is provided in a substrate processing apparatus.

또한 본 발명은 기판 처리 장치의 내부에 제공되는 용기 상단 부분에 발생하는 와류 생성을 억제하여 하우징 내에 기류의 흐름을 원할하게 하기 위한 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is also intended to provide an apparatus for suppressing the generation of vapors occurring in the upper part of the vessel provided inside the substrate processing apparatus to facilitate the flow of the airflow in the housing.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus.

일 실시예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 갖는 하우징과, 상기 하우징 내부에 위치하며 상부가 개방된 용기와 상기 하우징 내로 하강 기류를 제공하는 기류 제공 유닛을 포함하며 상기 기류 제공 유닛은 상기 하우징 상부에 위치되어 상기 하우징 외부공기를 상기 하우징 내로 공급하는 팬 부재와 상기 팬 부재의 상부에 위치되는 플레이트를 포함하며, 상기 플레이트는 영역별로 상기 팬 부재와 상기 플레이트 사이에 거리가 상이하게 제공할 수 있다.According to one embodiment, the substrate processing apparatus includes a housing having a processing space therein, and an airflow providing unit provided inside the housing and having a top opened container and a downward airflow into the housing, A fan member disposed above the housing and supplying the outside air of the housing into the housing and a plate positioned above the fan member, wherein the plate has a different distance between the fan member and the plate, .

일 실시예에 의하면 상기 플레이트는 그 중앙부에 위치하며 상기 팬 부재 사이의 거리가 제1거리인 중앙부 영역과 그 가장자리에 위치하며 상기 팬 부재 사이의 거리가 상기 제1거리와 상이하고 제2거리인 가장자리 영역을 가질 수 있다.According to one embodiment, the plate is positioned at the center of the plate, and the distance between the fan members is located at a central region having a first distance and an edge thereof, and a distance between the fan members is different from the first distance, It can have an edge area.

일 실시예에 의하면 상기 제1거리는 상기 제2거리보다 길게 제공되는 기판 처리 장치일 수 있다.According to an embodiment, the first distance may be longer than the second distance.

일 실시예에 의하면 상기 플레이트는 상기 중앙부 영역과 상기 가장자리 영역 사이에 연결 영역을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the plate may further include a connection region between the central region and the edge region.

일 실시예에 의하면 상기 연결 영역은 경사지게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the connection area may be provided at an angle.

일 실시예에 의하면 상기 플레이트의 상기 중앙부 영역은 상기 용기와 대향되게 제공될 수 있다.According to one embodiment, the central region of the plate may be provided to face the container.

일 실시예에 의하면 상기 플레이트의 상기 중앙부 영역은 상기 용기보다 큰 면적으로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the central region of the plate may be provided with a larger area than the container.

일 실시예에 의하면 상기 하강기류를 형성하는 외기는 상기 플레이트의 상기 팬 부재 사이를 유입될 수 있다.According to an embodiment, the outside air forming the downward airflow may flow between the fan members of the plate.

일 실시예에 의하면 상기 팬 부재의 상부는 수평으로 제공되며, 상기 중앙부 영역은 상기 가장자리 영역보다 높게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the upper portion of the fan member may be provided horizontally, and the central region may be provided higher than the edge region.

일 실시예에 의하면 상기 용기는 측벽과 상기 측벽의 상단으로부터 상기 용기의 내측으로 상향 경사지게 상벽을 가질 수 있다.According to one embodiment, the container may have a top wall sloping upward from the top of the sidewall and the top of the sidewall to the inside of the container.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 세정 처리 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the efficiency of the cleaning process of the substrate can be improved.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치 내에 구동기가 제공되는 영역에서 발생하는 파티클을 원할하게 배출 시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, particles generated in a region where a driver is provided in the substrate processing apparatus can be smoothly discharged.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치의 내부에 제공되는 용기 상단 부분에 발생하는 와류 생성을 억제하여 하우징 내에 기류의 흐름을 원할하게 제공할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, it is possible to suppress the generation of vapors generated in the upper part of the container provided inside the substrate processing apparatus, and to smoothly provide the flow of airflow in the housing.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치에 구조물을 추가로 제공하여, 용기 내측 및 외측에 하강 기류의 크기를 상이하게 제공할 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, a structure may be additionally provided to the substrate processing apparatus, so that the size of the down stream can be differently provided inside and outside the vessel.

도 1은 세정 공정을 수행하는 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제공된 기판 처리 설비의 일 예를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 공정 챔버에 제공된 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도3의 기판 처리 장치의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도1의 기판 처리 장치 내에 형성된 하강 기류를 보여주는 도면이다.
도 6은 도3의 기판 처리 장치 내에 형성된 하강 기류를 보여주는 도면이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a general substrate processing apparatus for performing a cleaning process.
2 is a plan view schematically showing an example of the substrate processing equipment provided by the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus provided in the process chamber of FIG. 2. FIG.
4 is a cross-sectional view showing another embodiment of the substrate processing apparatus of FIG.
5 is a view showing a descending air flow formed in the substrate processing apparatus of FIG.
Fig. 6 is a view showing a downward flow formed in the substrate processing apparatus of Fig. 3;

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

이하, 도 2 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2 to FIG.

도 2는 본 발명의 기판처리설비(10)를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 2 is a plan view schematically showing the substrate processing apparatus 10 of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판처리설비(10)는 인덱스모듈(100)과 공정처리모듈(200)을 가지고, 인덱스모듈(100)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(200)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다. Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 10 has an index module 100 and a process module 200, and the index module 100 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 200 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the processing module 200 are arranged is referred to as a first direction 12. A direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction (16).

로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(200)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(130) 내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is seated in the load port 140. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 2, four load ports 120 are shown. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 200. The carrier 130 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. The slots are provided in a plurality of third directions 16 and the substrates are positioned within the carrier 130 so as to be stacked apart from each other along the third direction 16. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정처리모듈(200)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 200 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on one side and the other side of the transfer chamber 240 along the second direction 14, respectively. The process chambers 260 located at one side of the transfer chamber 240 and the process chambers 260 located at the other side of the transfer chamber 240 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B (where A and B are each at least one natural number). Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. Also, unlike the above, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16. The surface of the buffer unit 220 opposed to the transfer frame 140 and the surface of the transfer chamber 240 facing each other are opened.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개가 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(200)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(200)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 130 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 200 to the carrier 130 while others are used to transfer the substrate W from the carrier 130 to the processing module 200. [ As shown in Fig. This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다.The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. A main arm 244c used when the substrate is transported from the buffer unit 220 to the process chamber 260 and a main arm 244c used when transporting the substrate from the process chamber 260 to the buffer unit 220 They may be different from each other.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판처리장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판처리장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정 챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. In the process chamber 260, a substrate processing apparatus 300 for performing a cleaning process on the substrate W is provided. The substrate processing apparatus 300 provided in each process chamber 260 may have a different structure depending on the type of the cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses 300 provided in the process chambers 260 belonging to the same group have the same structure and are provided in the process chambers 260 belonging to different groups The substrate processing apparatuses 300 may have different structures from each other. For example, if the process chambers 260 are divided into two groups, a first group of process chambers 260 is provided on one side of the transfer chamber 240 and a second group of process chambers 260 are provided on the other side of the transfer chamber 240 Process chambers 260 may be provided. Optionally, a first group of process chambers 260 may be provided on the lower layer and a second group of process chambers 260 may be provided on the upper and lower sides of the transfer chamber 240, respectively. The first group of process chambers 260 and the second group of process chambers 260 may be classified according to the type of the chemical used and the type of the cleaning method.

아래에서는 처리액을 이용하여 기판(W)을 세정하는 기판처리장치(300)의 일 예를 설명한다. 도 3은 기판처리장치(300)의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판처리장치(300)는 하우징(310), 용기(320), 기류 제공 유닛(330), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 분사부재(380)를 가진다. 용기(320)는 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. An example of the substrate processing apparatus 300 for cleaning the substrate W by using the process liquid will be described below. 3 is a cross-sectional view showing an example of the substrate processing apparatus 300. 3, the substrate processing apparatus 300 has a housing 310, a container 320, an airflow providing unit 330, a spin head 340, a lift unit 360, and an injection member 380 . The container 320 provides a space in which the substrate processing process is performed, and the upper portion thereof is opened.

용기(320)는 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다.The container 320 has an inner recovery cylinder 322, an intermediate recovery cylinder 324, and an outer recovery cylinder 326. Each of the recovery cylinders 322, 324, and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery cylinder 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340. The intermediate recovery cylinder 324 is provided in the shape of an annular ring surrounding the inner recovery cylinder 322 and the outer recovery cylinder 326 Is provided in the shape of an annular ring surrounding the intermediate recovery bottle 324.

외부 회수통(326)은 측벽과 상벽을 가진다. 측벽은 용기의 하단부에 수직하게 제공된다. 상벽은 측벽의 상단으로부터 용기의 내측으로 상향 경사지게 제공된다.The external recovery cylinder 326 has a side wall and an upper wall. The side wall is provided perpendicular to the lower end of the container. The top wall is provided upwardly inclined from the top of the side wall to the inside of the container.

내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the space 324a between the inner recovery cylinder 322 and the intermediate recovery cylinder 324 and the space 324 between the intermediate recovery cylinder 324 and the outer recovery cylinder 326 326a function as an inlet through which the processing liquid flows into the inner recovery cylinder 322, the intermediate recovery cylinder 324, and the outer recovery cylinder 326, respectively. Recovery passages 322b, 324b, and 326b extending vertically downward from the bottom of the recovery passages 322, 324, and 326 are connected to the recovery passages 322, 324, and 326, respectively. Each of the recovery lines 322b, 324b, and 326b discharges the processing liquid that has flowed through the respective recovery cylinders 322, 324, and 326. [ The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid recovery system (not shown).

스핀헤드(340)는 용기(320) 내에 배치된다. 스핀헤드(340)은 공정 진행 중 기판을 지지하고 기판을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지 핀(334), 척 핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전 가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지 핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(334)은 몸체(342)의 상부면의 가장 자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(334)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척 핀(346)은 복수 개 제공된다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지 핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판의 측부를 지지한다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판에 대해 공정 수행시에는 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(346)은 기판의 측부와 접촉된다.The spin head 340 is disposed within the container 320. The spin head 340 supports the substrate and rotates the substrate during the process. The spin head 340 has a body 342, a support pin 334, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342. A plurality of support pins 334 are provided. The support pins 334 are spaced apart from each other at the edge of the upper surface of the body 342 and project upwardly from the body 342. The support pins 334 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 334 support the rear edge of the substrate such that the substrate is spaced a distance from the top surface of the body 342. A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 334. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate such that the substrate is not laterally displaced in place when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided so as to be linearly movable between a standby position and a supporting position along the radial direction of the body 342. The standby position is a distance from the center of the body 342 relative to the support position. When the substrate is loaded or unloaded onto the spin head 340, the chuck pin 346 is positioned in the standby position and the chuck pin 346 is positioned in the support position when the substrate is being processed. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate.

승강유닛(360)은 용기(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 용기(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 용기(320)의 상부로 돌출되도록 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 용기(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리액으로 기판을 처리하고 있는 동안에 기판은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판을 처리하는 동안에 각각 기판은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강유닛(360)은 용기(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 moves the container 320 in the vertical direction. As the container 320 is moved up and down, the relative height of the container 320 with respect to the spin head 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the container 320 and the bracket 362 is fixedly coupled to the moving shaft 364 which is moved in the vertical direction by the actuator 366. The container 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes to the upper portion of the container 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340. When the process is performed, the height of the container 320 is adjusted so that the process liquid may flow into the predetermined collection container 360 according to the type of the process liquid supplied to the substrate W. For example, while processing the substrate with the first processing solution, the substrate is positioned at a height corresponding to the inner space 322a of the inner recovery cylinder 322. [ During the processing of the substrate with the second processing solution and the third processing solution, the substrate is separated from the space 324a between the inner recovery cylinder 322 and the intermediate recovery cylinder 324, and between the intermediate recovery cylinder 324 and the outside And may be located at a height corresponding to the space 326a of the recovery cylinder 326. [ Unlike the above, the lifting unit 360 can move the spin head 340 in the vertical direction instead of the container 320.

분사부재(380)는 기판처리공정 시 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 분사부재(380)는 노즐 지지대(382), 노즐(384), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(384)이 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 분사부재(380)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 분사부재(380)가 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 또는 유기용제는 서로 상이한 분사부재(380)를 통해 제공될 수 있다. 린스액은 순수일 수 있고, 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.The jetting member 380 supplies the treatment liquid to the substrate W during the substrate treatment process. The injection member 380 has a nozzle support 382, a nozzle 384, a support shaft 386, and a driver 388. The support shaft 386 is provided along its lengthwise direction along the third direction 16 and a driver 388 is coupled to the lower end of the support shaft 386. The driver 388 rotates and lifts the support shaft 386. The nozzle support 382 is coupled perpendicular to the opposite end of the support shaft 386 coupled to the driver 388. The nozzle 384 is installed at the bottom end of the nozzle support 382. The nozzle 384 is moved by a driver 388 to a process position and a standby position. The process position is that the nozzle 384 is located at the vertically upper portion of the container 320 and the standby position is the position at which the nozzle 384 is away from the vertical upper portion of the container 320. One or a plurality of the ejection members 380 may be provided. When a plurality of jetting members 380 are provided, the chemical, rinsing liquid, or organic solvent may be provided through jetting members 380 that are different from each other. The rinsing liquid may be pure, and the organic solvent may be a mixture of an isopropyl alcohol vapor and an inert gas or an isopropyl alcohol liquid.

기류 제공 유닛(330)은 외기의 공기를 하우징(310)의 내부로 공급한다. The airflow providing unit 330 supplies the air of the outside air to the inside of the housing 310.

기류 제공 유닛(330)은 팬 부재(331)와 플레이트(333)를 포함한다. 팬 부재(331)는 하우징(310)의 상벽에 위치한다. 팬 부재(331)는 외부의 공기를 하우징(310) 내부로 유입 시킨다. 팬의 하부에는 필터가 제공된다.The airflow providing unit 330 includes a fan member 331 and a plate 333. The fan member 331 is located on the upper wall of the housing 310. The fan member 331 introduces outside air into the housing 310. A filter is provided at the bottom of the fan.

플레이트(333)는 하우징(310) 내부에 영역별로 속도가 상이한 하강 기류를 형성시킨다. 플레이트(333)는 중앙부 영역(333a), 연결영역(333b), 그리고 가장자리 영역(333c)을 포함한다.The plate 333 forms a downward flow in the housing 310 at different velocities. The plate 333 includes a central region 333a, a connecting region 333b, and an edge region 333c.

중앙부 영역(333a)은 용기(320)와 대향되게 제공될 수 있다. 중앙부 영역(333a)은 팬 부재(331)와 플레이트(333) 사이의 거리가 제1거리(D1)로 제공된다. 중앙부 영역(333a)은 용기(320)보다 큰 면적으로 제공 될 수 있다. 가장자리 영역(333c)은 중앙부 영역(333a)을 감싸는 영역이다. 가장자리 영역(333c)은 팬 부재(331)와 플레이트(333) 사이의 거리가 제2거리(D2)로 제공된다. 제1거리(D1)와 제2거리(D2)는 거리가 상이하게 제공된다. 제1거리(D1)는 제2거리(D2)보다 길게 제공될 수 있다. 팬 부재(331)의 상부는 수평으로 제공되며, 중앙부 영역(333a)이 가장자리 영역(333c)보다 높게 제공될 수 있다. 중앙부 영역(333a)과 가장자리 영역(333c) 사이에는 연결 영역(333b)이 제공될 수 있다. 일 실시예로 연결 영역(333b)은 경사지게 제공될 수 있다.The central region 333a may be provided to face the container 320. The central region 333a is provided with a first distance D1 between the fan member 331 and the plate 333. The central region 333a may be provided in an area larger than the container 320. [ The edge region 333c is an area surrounding the central region 333a. The edge area 333c provides a distance between the fan member 331 and the plate 333 at a second distance D2. The first distance D1 and the second distance D2 are provided with different distances. The first distance D1 may be provided longer than the second distance D2. The upper portion of the fan member 331 is provided horizontally and the central region 333a may be provided higher than the edge region 333c. A connection region 333b may be provided between the central region 333a and the edge region 333c. In one embodiment, the connection area 333b may be provided at an angle.

상술한 바와는 달리 플레이트(533)는 연결영역을 포함하지 않을 수 있다. 도4는 연결 영역이 제공되는 않는 기판 처리 장치(500)의 실시예를 보여주는 도면이다. 플레이트(533)는 중앙부 영역(533a)과 가장자리 영역(533c)을 포함한다.Unlike the above, the plate 533 may not include a connection area. 4 is a view showing an embodiment of a substrate processing apparatus 500 in which a connecting region is not provided. The plate 533 includes a central region 533a and an edge region 533c.

도 5는 일반적인 기판 처리 장치내에서 하강 기류의 크기를 보여주는 도면이고, 도6은 도3의 기판 처리 장치에 내에서의 하강 기류의 크기를 보여주는 도면이다. 도 5와 도6에서 화살표의 길이는 하강 기류 속도의 크기를 나타낸다. FIG. 5 is a view showing the size of a down stream in a general substrate processing apparatus, and FIG. 6 is a view showing a size of a down stream in the substrate processing apparatus of FIG. In Figs. 5 and 6, the length of the arrow indicates the magnitude of the descending airflow velocity.

도5를 참조하면, 하우징 내부의 하강 기류는 전체 영역내에서 대체로 동일한 속도로 제공된다. 다만 용기 상부 근처인 c영역에서는 다른 영역과는 달리 와류가 형성된다. c영역에서의 와류를 기류의 흐름을 방해하며, 하우징 내부에 파티클 제거를 용이하게 하지 못하게 한다. Referring to Fig. 5, the downward airflow inside the housing is provided at substantially the same rate within the entire area. However, in region c, near the top of the vessel, vortices are formed unlike other regions. The vortex in the c region interferes with the flow of airflow, and does not facilitate particle removal inside the housing.

이와는 달리 도6에서는 플레이트를 추가적으로 제공하여, 하우징 내부에 영역별로 하강 기류의 속도를 다르게 제공할 수 있다. a영역과 b영역은 하강 기류의 속도가 다르게 제공된다. 영역 별로 하강 기류의 속도가 다르게 제공되어 c영역에서는 와류가 발생하지 않는다. 와류 발생의 억제는 하우징 내부의 기류 흐름을 원할하게 한다. 또한 하우징 내부에 파티클을 원할하게 제거할 수 있다.6, plates may be additionally provided so that the velocity of the descending airflow can be differently provided for each region within the housing. The regions a and b are provided with different velocities of the descending airflow. The velocity of the downward current is provided differently for each region, and no vortex is generated in the region c. The suppression of the vortex generation makes the flow of the air flow inside the housing easy. In addition, particles can be removed smoothly inside the housing.

상술한 바와는 달리, 하우징 내부에 c영역의 상부에 팬의 회전속도를 달리하여 하강 기류의 속도를 영역별로 상이하게 제공할 수 있다. 다만, 이 경우 팬의 속도를 빠르게 하기 위해 팬의 부하가 많이 걸리게 되고, 팬의 수명이 줄어드는 문제점이 있다. 이와는 달리 본 발명은 하우징 상부에 기류 제공 유닛을 제공하여, 하우징 내부에 하강 기류의 속도를 효율적으로 제어가 가능하다. 또한, 하우징 내부의 c영역의 상부에 제공되는 팬은 동일한 성능의 팬으로 제공할 수 있다. 또한 팬의 부하를 감소시키며, 팬의 수명을 연장시키는 효과를 제공한다.Unlike the above, the speed of the downward flow can be differently provided for each region by varying the rotation speed of the fan at the upper portion of the region c in the housing. However, in this case, the load of the fan is increased to increase the speed of the fan, and the life of the fan is shortened. Alternatively, the present invention can provide an airflow providing unit on the upper part of the housing, so that the speed of the downward flow inside the housing can be efficiently controlled. Further, the fan provided on the upper part of the area c inside the housing can be provided with a fan of the same performance. It also reduces the load on the fan and provides the effect of extending the life of the fan.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover further embodiments.

10: 기판 처리 설비
100: 인덱스모듈
200: 공정처리모듈
300: 기판 처리 장치
310: 하우징
320: 용기
330: 기류 제공 유닛
340: 스핀 헤드
360: 승강 유닛
380: 분사 부재10: Substrate treatment facility
100: Index module
200: Process processing module
300: substrate processing apparatus
310: Housing
320: container
330: Air flow providing unit
340: spin head
360: Lift unit
380: injection member

Claims (10)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 갖는 하우징;
상기 하우징 내부에 위치하며, 상부가 개방된 용기와;
상기 하우징 내로 하강 기류를 제공하는 기류 제공 유닛을 포함하며,
상기 기류 제공 유닛은;
상기 하우징 상부에 위치되어 상기 하우징 외부공기를 상기 하우징 내로 공급하는 팬 부재와,
상기 팬 부재의 상부에 위치되는 플레이트를 포함하며,
상기 플레이트는 영역별로 상기 팬 부재와 상기 플레이트 사이에 거리가 상이하게 제공되는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate,
A housing having a processing space therein;
A container positioned inside the housing and having an open top;
And an airflow providing unit for providing a downward flow into the housing,
The airflow providing unit includes:
A fan member positioned above the housing and supplying the outside air to the housing,
And a plate positioned above the fan member,
Wherein the plate is provided with different distances between the fan member and the plate for each region. 제1항에 있어서,
상기 플레이트는 그 중앙부에 위치하며, 상기 팬 부재 사이의 거리가 제1거리인 중앙부 영역과,
그 가장자리에 위치하며, 상기 팬 부재 사이의 거리가 상기 제1거리와 상이하고 제2거리인 가장자리 영역을 가지는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The plate being located at a central portion thereof, the central region having a first distance between the fan members,
And an edge region located at an edge thereof, wherein a distance between the fan members is different from the first distance and is a second distance. 제2항에 있어서,
상기 제1거리는 상기 제2거리보다 길게 제공되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first distance is longer than the second distance. 제3항에 있어서,
상기 플레이트는 상기 중앙부 영역과 상기 가장자리 영역 사이에 연결 영역을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the plate further comprises a connecting region between the central region and the edge region. 제4항에 있어서,
상기 연결 영역은 경사지게 제공되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the connection region is provided obliquely. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 플레이트의 상기 중앙부 영역은 상기 용기와 대향되게 제공되는 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 2 to 5,
Wherein the central region of the plate is provided to face the vessel. 제6항에 있어서,
상기 플레이트의 상기 중앙부 영역은 상기 용기보다 큰 면적으로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the central region of the plate is provided in an area larger than the container. 제7항에 있어서,
상기 하강기류를 형성하는 외기는 상기 플레이트의 상기 팬 부재 사이를 유입되는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
And the outside air forming the downward airflow flows between the fan members of the plate. 제8항에 있어서,
상기 팬 부재의 상부는 수평으로 제공되며,
상기 중앙부 영역은 상기 가장자리 영역보다 높게 제공되는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The upper portion of the fan member is provided horizontally,
Wherein the central region is provided higher than the edge region. 제9항에 있어서,
상기 용기는 측벽과 상기 측벽의 상단으로부터 상기 용기의 내측으로 상향 경사지게 상벽을 가지는 기판 처리 장치.
10. The method of claim 9,
Wherein the vessel has an upper wall inclined upwardly from the side wall and the upper end of the side wall to the inside of the vessel.
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