KR101817217B1 - Chuck pin, Method for manufacturing a chuck pin, Apparatus for treating a substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치에 에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 용기와 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과 그리고 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고 상기 지지 유닛은 기판이 놓이는 지지판과 상기 지지판에 위치하며 기판의 측부를 지지하는 척핀을 포함하되 상기 척핀은 바디와 상기 바디의 표면에 형성되며, 실리콘 카바이드 재질로 제공되는 제1코팅막을 포함하는 기판 처리 장치를 포함한다.The present invention relates to a chuck pin, a method for manufacturing a chuck pin, and a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a container having a processing space therein, a support unit for supporting the substrate in the processing space, and a liquid supply unit for supplying the liquid to the substrate supported by the support unit Wherein the support unit comprises a support plate on which the substrate is placed and a chuck pin located on the support plate and supporting a side of the substrate, the chuck pin being formed on a surface of the body and the body, the first coating film being provided as a silicon carbide material And a substrate processing apparatus.

Description

척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치{Chuck pin, Method for manufacturing a chuck pin, Apparatus for treating a substrate}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a chuck pin, a method for manufacturing a chuck pin,

본 발명은 기판을 지지하는 척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a chuck pin for supporting a substrate, a method for manufacturing a chuck pin, and a substrate processing apparatus.

일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 유리 기판이나 웨이퍼를 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다. In general, processes for processing glass substrates and wafers in flat panel display device manufacturing or semiconductor manufacturing processes include a photoresist coating process, a developing process, an etching process, an ashing process, and the like Various processes are performed.

특히, 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.Particularly, as the semiconductor device has a high density, high integration and high performance, the miniaturization of the circuit pattern progresses rapidly, so that contaminants such as particles, organic contaminants and metal contaminants remaining on the surface of the substrate have a great influence on the characteristics of the device and the yield of production . Therefore, a cleaning process for removing various contaminants adhered to the surface of the substrate is becoming very important in the semiconductor manufacturing process, and a process of cleaning the substrate at the front and rear stages of each unit process for manufacturing a semiconductor is being carried out.

한편, 이러한 세정 공정은 케미칼 등의 처리액이 사용되어 기판 처리 공정이 수행된다. 다만, 케미칼은 기판 처리 장치에 부품들에 직접 접촉되는 경우가 많다. 이러한 기판 처리 장치에 사용되는 부품들은 공정이 진행될수록 케미칼에 의해서 손상되며, 주기적으로 교체가 필요하다. On the other hand, in this cleaning process, a treatment liquid such as a chemical is used to perform the substrate treatment process. However, the chemical often comes into direct contact with the parts in the substrate processing apparatus. The parts used in such a substrate processing apparatus are damaged by the chemical as the process progresses, and periodic replacement is necessary.

특히, 기판을 지지하는 척핀은 기판과 직접 접촉하고 있어 기판 처리 공정 중에 케미칼과 직접 접촉된다. 이로 인해서 척핀은 케미칼에 의해 손상되는 속도가 다른 부품보다 빠르다. 척핀이 손상되는 경우 척핀을 교체해주어야 하며, 척핀의 잦은 손상은 그 교체 주기가 빨라져 문제가 된다. In particular, the chuck pin supporting the substrate is in direct contact with the substrate and is in direct contact with the chemical during the substrate processing process. As a result, the speed at which the chuck pin is damaged by the chemical is faster than the other parts. If the chuck pin is damaged, the chuck pin must be replaced. Frequent damage of the chuck pin is problematic because the replacement cycle is accelerated.

본 발명은 내식성 및 내구성이 우수한 척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a method for manufacturing a chuck pin, a chuck pin, and a substrate processing apparatus excellent in corrosion resistance and durability.

또한, 본 발명은 척핀의 내식성 및 내구성을 향상시켜 기판 처리 공정 중 발생되는 파티클 발생요인을 최소화할 수 있는 척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다. The present invention also provides a method for manufacturing a chuck pin, a chuck pin, and a substrate processing apparatus that can improve the corrosion resistance and durability of a chuck pin to minimize the generation factor of particles generated during a substrate processing process.

본 발명은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned may be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. The present invention provides an apparatus for processing a substrate.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 용기와 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과 그리고 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고 상기 지지 유닛은 기판이 놓이는 지지판과 상기 지지판에 위치하며, 기판의 측부를 지지하는 척핀을 포함하되 상기 척핀은 바디와 상기 바디의 표면에 형성되며, 실리콘 카바이드 재질로 제공되는 제1코팅막을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus includes a container having a processing space therein, a support unit for supporting the substrate in the processing space, and a liquid supply unit for supplying the liquid to the substrate supported by the support unit. Wherein the support unit comprises a support plate on which the substrate is placed, and a chuck pin located on the support plate and supporting a side of the substrate, the chuck pin being formed on a surface of the body and the body, . ≪ / RTI >

일 실시 예에 의하면, 상기 제1코팅막은 화학기상증착법(CVD:Chamical Vapor Deposion)으로 형성될 수 있다.According to one embodiment, the first coating layer may be formed by CVD (Chamical Vapor Deposition).

일 실시 예에 의하면, 상기 척핀은 상기 제1코팅막의 표면에 형성되는 제2코팅막을 더 포함하고 상기 제2코팅막은 불소코팅막으로 제공될 수 있다. According to an embodiment, the chuck pin may further include a second coating layer formed on a surface of the first coating layer, and the second coating layer may be provided as a fluorine coating layer.

일 실시 예에 의하면, 상기 액은 불산, 황산, 인산 또는 이들의 혼합액일 수 있다. According to one embodiment, the liquid may be hydrofluoric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, or a mixture thereof.

본 발명은 기판의 측부를 지지하는 척핀을 제공한다. The present invention provides a chuck pin for supporting a side portion of a substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 상기 척핀은 바디와 상기 바디의 표면에 형성되며, 실리콘 카바이드 재질로 제공되는 제1코팅막을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the chuck pin may include a body and a first coating layer formed on a surface of the body and provided with a silicon carbide material.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1코팅막은 화학기상증착법(CVD:Chamical Vapor Deposion)으로 상기 척핀의 표면에 형성될 수 있다.According to an embodiment, the first coating layer may be formed on the surface of the chuck pin by CVD (Chamical Vapor Deposition).

일 실시 예에 의하면, 상기 척핀은 상기 제1코팅막의 표면에 형성되는 제2코팅막을 더 포함하고 상기 제2코팅막은 불소코팅막으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the chuck pin may further include a second coating layer formed on a surface of the first coating layer, and the second coating layer may be provided as a fluorine coating layer.

본 발명은 기판의 측부를 지지하는 척핀을 제조하는 방법을 제공한다. The present invention provides a method of manufacturing a chuck pin that supports the side of a substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 바디의 표면에 실리콘 카바이드 재질로 제공되는 제1코팅막을 형성하되 상기 제1코팅막은 화학기상증착법(CVD:Chamical Vapora Deposion)에 의해 형성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a first coating layer provided as a silicon carbide material is formed on a surface of a body, and the first coating layer may be formed by CVD (Chamical Vapor Deposition).

일 실시 예에 의하면, 상기 제1코팅막의 표면은 불소코팅막으로 제공되는 제2코팅막을 더 형성할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the surface of the first coating layer may further comprise a second coating layer provided as a fluorine coating layer.

일 실시 예에 의하면, 상기 불소 코팅막은 불소가 상기 제1코팅막의 표면에 공유 결합하여 형성될 수 있다.According to an embodiment, the fluorine coating layer may be formed by covalent bonding of fluorine to the surface of the first coating layer.

일 실시 예에 의하면, 상기 불소코팅막의 형성하기 전에 상기 제1코팅막의 표면에 결함을 형성할 수 있다.According to an embodiment, a defect may be formed on the surface of the first coating film before forming the fluorine coating film.

일 실시 예에 의하면, 상기 결합은 상기 제1코팅막의 표면에 산 또는 알칼리 용액으로 처리하며 상기 불소코팅막은 상기 제1코팅막의 표면에 결함 처리 후 불소를 공급하여 형성될 수 있다. According to one embodiment, the bonding may be performed by treating the surface of the first coating film with an acid or an alkali solution, and the fluorine coating film may be formed by supplying fluorine to the surface of the first coating film after the defect treatment.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 척핀의 표면에 코팅막을 형성하여 척핀의 내식성 및 내구성을 향상시킬 수 있다. According to an embodiment of the present invention, a coating film may be formed on the surface of the chuck pin to improve the corrosion resistance and durability of the chuck pin.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 척핀의 표면에 코팅막을 형성하여 척핀의 내식성 및 내구성을 향상시켜 기판 처리 공정 중 발생될 수 있는 파티클 발생요인을 최소화 할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, a coating film may be formed on the surface of the chuck pin to improve the corrosion resistance and durability of the chuck pin, thereby minimizing the generation of particles that may occur during the substrate processing process.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 척핀의 표면에 코팅막을 형성하여 척핀의 대전방지 효과를 향상시킬 수 있다. Further, according to an embodiment of the present invention, a coating film may be formed on the surface of the chuck pin to improve the antistatic effect of the chuck pin.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 공정 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 척핀을 보여주는 정면도이다.
도 4는 도 3의 척핀에서 A-A방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 3의 척핀의 다른 실시예를 보여주는 정면도이다.
도 6은 도 5의 척핀에서 B-B방향에서 바라본 단면도이다.
도 7은 도 5의 척핀의 표면에 불소코팅막이 형성되는 것을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7의 불소코팅막에서 불소가 표면에 결합되는 것을 개략적으로 보여주는 도면이다. 1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus provided in the process chamber of FIG.
Figure 3 is a front view of the chuck pin of Figure 2;
4 is a cross-sectional view of the chuck pin of Fig. 3 taken in the AA direction.
Fig. 5 is a front view showing another embodiment of the chuck pin of Fig. 3;
6 is a cross-sectional view of the chuck pin of Fig. 5 viewed in the BB direction.
FIG. 7 is a view showing that a fluorine coating film is formed on the surface of the chuck pin of FIG. 5; FIG.
FIG. 8 is a schematic view showing that fluorine is bonded to the surface of the fluorine coating film of FIG. 7. FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 포함한다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다. 1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 10 and a processing module 20. The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are arranged is referred to as a first direction 12. A direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction (16).

로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is mounted on the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are shown. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process module 20. A carrier (130) is provided with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate (W). The slots are provided in a plurality of third directions 16 and the substrates W are positioned in the carrier so as to be stacked on each other along the third direction 16. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on one side and the other side of the transfer chamber 240 along the second direction 14, respectively. The process chambers 260 located at one side of the transfer chamber 240 and the process chambers 260 located at the other side of the transfer chamber 240 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B (where A and B are each at least one natural number). Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. Also, unlike the above, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16. The surface of the buffer unit 220 opposed to the transfer frame 140 and the surface of the transfer chamber 240 facing each other are opened.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 130 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 130 while the other part is used to transfer the substrate W from the carrier 130 to the processing module 20. [ As shown in Fig. This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. A main arm 244c used when the substrate W is transferred from the buffer unit 220 to the process chamber 260 and a main arm 244b used when the substrate W is transferred from the process chamber 260 to the buffer unit 220 The main arms 244c may be different from each other.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판처리장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정 챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. In the process chamber 260, a substrate processing apparatus 300 for performing a cleaning process on the substrate W is provided. The substrate processing apparatus 300 provided in each process chamber 260 may have a different structure depending on the type of the cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses 300 provided in the process chambers 260 belonging to the same group have the same structure and are provided in the process chambers 260 belonging to different groups The substrate processing apparatuses 300 may have different structures from each other. For example, if the process chambers 260 are divided into two groups, a first group of process chambers 260 is provided on one side of the transfer chamber 240 and a second group of process chambers 260 are provided on the other side of the transfer chamber 240 Process chambers 260 may be provided. Optionally, a first group of process chambers 260 may be provided on the lower layer and a second group of process chambers 260 may be provided on the upper and lower sides of the transfer chamber 240, respectively. The first group of process chambers 260 and the second group of process chambers 260 may be classified according to the type of the chemical used and the type of the cleaning method.

아래에서는 처리액을 이용하여 기판(W)을 세정하는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 설명한다. 도 2는 도 1의 공정 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 하우징(310), 용기(320), 지지 유닛(330), 승강 유닛(340), 액 공급 유닛(350) 그리고 용존 가스 제거 유닛(400)을 포함한다. An example of the substrate processing apparatus 300 for cleaning the substrate W by using the process liquid will be described below. 2 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus provided in the process chamber of FIG. 2, the substrate processing apparatus 300 includes a housing 310, a container 320, a support unit 330, a lift unit 340, a liquid supply unit 350, and a dissolved gas removing unit 400 .

하우징(310)은 내부에 공간을 제공한다. 하우징(310)의 내부에는 용기(320)가 위치한다. The housing 310 provides space therein. A container 320 is positioned inside the housing 310.

용기(320)는 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 용기(320)는 상부가 개방된 형상으로 제공된다. 용기(320)는 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 포함한다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 지지 유닛(330)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The vessel 320 provides a processing space in which the substrate processing process is performed. The container 320 is provided in an open top shape. The container 320 includes an inner recovery cylinder 322, an intermediate recovery cylinder 324, and an outer recovery cylinder 326. Each of the recovery cylinders 322, 324, and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery cylinder 322 is provided in an annular ring shape surrounding the support unit 330. The intermediate recovery bottle 324 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery bottle 322. The outer recovery cylinder 326 is provided in the form of an annular ring surrounding the intermediate recovery cylinder 324. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the space 324a between the inner recovery cylinder 322 and the intermediate recovery cylinder 324 and the space 324 between the intermediate recovery cylinder 324 and the outer recovery cylinder 326 326a function as an inlet through which the processing liquid flows into the inner recovery cylinder 322, the intermediate recovery cylinder 324, and the outer recovery cylinder 326, respectively. Recovery passages 322b, 324b, and 326b extending vertically downward from the bottom of the recovery passages 322, 324, and 326 are connected to the recovery passages 322, 324, and 326, respectively. Each of the recovery lines 322b, 324b, and 326b discharges the processing liquid that has flowed through the respective recovery cylinders 322, 324, and 326. [ The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid recovery system (not shown).

지지 유닛(330)은 용기(320) 내에 배치된다. 지지 유닛(330)은 기판 처리 공정 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 지지 유닛(330)은 지지판(332), 지지핀(334), 척핀(400), 그리고 지지축(338)을 포함한다. 지지판(332)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 지지판(332)의 저면에는 모터(339)에 의해 회전가능한 지지축(338)이 고정결합된다. 지지핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지핀(334)은 지지판(332)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(332)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(334)은 지지판(332)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. The support unit 330 is disposed within the container 320. The support unit 330 supports the substrate W and rotates the substrate W during the substrate processing process. The support unit 330 includes a support plate 332, a support pin 334, a chuck pin 400, and a support shaft 338. The support plate 332 has an upper surface that is generally provided in a circular shape when viewed from above. A support shaft 338 rotatable by a motor 339 is fixedly coupled to the bottom surface of the support plate 332. A plurality of support pins 334 are provided. The support pins 334 are spaced apart from the edge of the upper surface of the support plate 332 by a predetermined distance and project upward from the support plate 332. The support pins 334 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pin 334 supports the rear edge of the substrate W such that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the support plate 332 by a predetermined distance.

척핀(400)은 복수 개 제공된다. 척핀(400)은 지지판(332)의 중심에서 지지핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(400)은 지지판(332)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(400)은 지지 유닛(330)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(400)은 지지판(332)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 지지판(332)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지 유닛(330)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(400)은 대기 위치에 위치되고, 기판에 대해 공정 수행 시에는 척핀(400)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척핀(400)은 기판의 측부와 접촉된다.A plurality of the chuck pins 400 are provided. The chuck pin 400 is disposed farther from the center of the support plate 332 than the support pin 334. The chuck pin 400 is provided to protrude upward from the support plate 332. The chuck pin 400 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced from the correct position when the support unit 330 is rotated. The chuck pin 400 is provided so as to be linearly movable between a standby position and a supporting position along the radial direction of the support plate 332. The standby position is located away from the center of the support plate 332 relative to the support position. When the substrate W is loaded into or unloaded from the support unit 330, the chuck pin 400 is placed in the standby position and the chuck pin 400 is placed in the support position when the substrate is being processed. At the support position, the chuck pin 400 contacts the side of the substrate.

도 3은 도 2의 척핀을 보여주는 정면도이고, 도 4는 도 3의 척핀에서 A-A방향에서 바라본 단면도이다. 이하, 도 3과 도 4를 참고하면, 척핀(400)은 바디(410)와 제1코팅막(430)을 포함한다. 바디(410)는 척핀(400)의 몸체를 구성한다. Fig. 3 is a front view showing the chuck pin of Fig. 2, and Fig. 4 is a cross-sectional view taken along the A-A direction of the chuck pin of Fig. Referring to FIGS. 3 and 4, the chuck pin 400 includes a body 410 and a first coating layer 430. The body 410 constitutes the body of the chuck pin 400.

제1코팅막(430)은 바디(410)의 표면에 형성된다. 제1코팅막(430)은 척핀(400)의 표면을 감싸도록 제공된다. 척핀(400)이 복수개 제공되는 경우 제1코팅막(430)은 복수의 척핀(400) 모두에 제공될 수 있다. 일 예로 제1코팅막(430)은 실리콘 카바이드(SiC) 재질로 제공될 수 있다. 제1코팅막(430)은 화학 기상 증착법(CVD:Chamical Vapor Deposion)으로 형성될 수 있다. 화학 기상 증착법은 반응기들이 주입된 기체들이 대상 표면에 화학 반응을 통해서 형성하는 방법이다.The first coating layer 430 is formed on the surface of the body 410. The first coating layer 430 is provided to surround the surface of the chuck pin 400. When a plurality of chuck pins 400 are provided, the first coating film 430 may be provided on all of the plurality of chuck pins 400. [ For example, the first coating layer 430 may be formed of a silicon carbide (SiC) material. The first coating layer 430 may be formed by CVD (Chamical Vapor Deposition). Chemical vapor deposition is a method in which gases injected by reactors are formed through a chemical reaction on a target surface.

도 5는 도 3의 척핀의 다른 실시예를 보여주는 정면도이고,도 6은 도 5의 척핀에서 B-B방향에서 바라본 단면도이다. 이하, 도 5 및 도 6를 참고하면, 척핀(400)은 바디(410), 제1코팅막(430) 그리고 제2코팅막(450)을 포함한다. Fig. 5 is a front view showing another embodiment of the chuck pin of Fig. 3, and Fig. 6 is a cross-sectional view of the chuck pin of Fig. 5 taken in the direction of B-B. 5 and 6, the chuck pin 400 includes a body 410, a first coating layer 430, and a second coating layer 450.

제1코팅막(430)은 바디(410)의 표면에 형성된다. 제1코팅막(430)은 척핀(400)의 표면을 감싸도록 제공된다. 일 예로 제1코팅막(430)은 실리콘 카바이드(SiC) 재질로 제공될 수 있다. 제1코팅막(430)은 화학 기상 증착법(CVD:Chamical Vapor Deposion)으로 형성될 수 있다.The first coating layer 430 is formed on the surface of the body 410. The first coating layer 430 is provided to surround the surface of the chuck pin 400. For example, the first coating layer 430 may be formed of a silicon carbide (SiC) material. The first coating layer 430 may be formed by CVD (Chamical Vapor Deposition).

제2코팅막(450)은 제1코팅막(430)의 표면에 형성된다. 제2코팅막(450)은 제1코팅막(430) 표면을 감싸도록 제공된다. 일 예로 제2코팅막(450)은 불소코팅막으로 제공될 수 있다. 일 예로 불소코팅막은 제1코팅막(430)의 표면에 불소가 공유 결합하여 형성될 수 있다. 이하에서는 제2코팅막(450)이 불소코팅막으로 제공되는 것을 예로 들어 설명한다. The second coating layer 450 is formed on the surface of the first coating layer 430. The second coating layer 450 is provided to surround the surface of the first coating layer 430. For example, the second coating layer 450 may be provided as a fluorine coating layer. For example, the fluorine coating layer may be formed by covalently bonding fluorine to the surface of the first coating layer 430. Hereinafter, the second coating layer 450 is provided as a fluorine coating layer.

도 7은 도 5의 척핀의 표면에 불소코팅막이 형성되는 것을 보여주는 도면이고, 도 8은 도 7의 불소코팅막에서 불소가 표면에 결합되는 것을 개략적으로 보여주는 도면이다. 이하, 도 7 과 도 8을 참고하면 불소코팅막의 제조 방법은 제1코팅막(430)의 표면에 화학적 처리를 실시한다. 표면에 화확적 처리는 실리콘 카바이드는 화학적으로 안정한 상태의 물질이며, 표면에 화학적 처리 없이 불소를 공급하는 경우 불소코팅막이 생성되지 않는다. FIG. 7 is a view showing that a fluorine coating film is formed on the surface of the chuck pin of FIG. 5, and FIG. 8 is a view schematically showing fluorine bonding to the surface of the fluorine coating film of FIG. Hereinafter, referring to FIGS. 7 and 8, a method of manufacturing a fluorine coating film is performed by chemically treating the surface of the first coating film 430. Silicon carbide is a chemically stable material and does not produce a fluorine coating when fluorine is supplied to the surface without chemical treatment.

표면에 화학적 처리는 실리콘 카바이드 표면에 결함(defect)을 형성한다. 일 예로 표면에 화학적 처리는 산 또는 알칼리 용액으로 처리하여 표면에 결함을 형성한다. 표면 처리 후, 불소를 공급하여 불소코팅막을 형성한다. 불소는 제1코팅막의 표면에 공유결합을 통해서 결합된다. The chemical treatment on the surface forms defects on the silicon carbide surface. As an example, the chemical treatment on the surface is treated with an acid or an alkali solution to form a defect on the surface. After the surface treatment, fluorine is supplied to form a fluorine coating film. The fluorine is bonded to the surface of the first coating film through a covalent bond.

다시 도 2를 참고하면, 승강 유닛(340)은 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(330)에 대한 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(340)은 브라켓(342), 이동축(344), 그리고 구동기(346)를 포함한다.Referring again to FIG. 2, the lifting unit 340 linearly moves the container 320 up and down. As the container 320 is moved up and down, the relative height of the container 320 to the support unit 330 is changed. The lifting unit 340 includes a bracket 342, a moving shaft 344, and a driver 346. [

브라켓(342)은 용기(320)의 외벽에 고정설치된다. 브라켓(342)에는 구동기(346)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(344)이 고정결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(330)에 놓이거나, 지지 유닛(330)로부터 들어올려 질 때 지지 유닛(330)이 용기(320)의 상부로 돌출되도록 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(322,324,326)으로 유입될 수 있도록 용기(320)의 높이가 조절한다. The bracket 342 is fixed to the outer wall of the container 320. A moving shaft 344, which is vertically moved by a driver 346, is fixedly coupled to the bracket 342. The container 320 is lowered so that the support unit 330 protrudes to the upper portion of the container 320 when the substrate W is placed on the support unit 330 or is lifted from the support unit 330. [ When the process is performed, the height of the container 320 is adjusted so that the process liquid may flow into the preset recovery containers 322, 324, and 326 depending on the type of the process liquid supplied to the substrate W.

일 예로, 제1처리액으로 기판(W)을 처리하고 있는 동안에 기판(W)은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안에 각각 기판(W)은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강 유닛(340)은 용기(320) 대신 지지 유닛(330)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.For example, the substrate W is located at a height corresponding to the inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 while processing the substrate W with the first processing liquid. During the processing of the substrate W with the second processing solution and the third processing solution, the substrate W is separated into the space 324a between the inner recovery tube 322 and the intermediate recovery tube 324, And may be located at a height corresponding to the space 326a between the cylinder 324 and the outer recovery cylinder 326. [ The elevation unit 340 can move the support unit 330 in the vertical direction instead of the container 320 as described above.

액 공급 유닛(360)은 기판(W) 처리 공정 시 기판(W)으로 처리액을 공급한다. The liquid supply unit 360 supplies the processing liquid to the substrate W during the processing of the substrate W. [

액 공급 유닛(360)은 노즐 지지대(362), 노즐(364), 지지축(366), 그리고 구동기(368)를 포함한다. The liquid supply unit 360 includes a nozzle support 362, a nozzle 364, a support shaft 366, and a driver 368.

지지축(366)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(366)의 하단에는 구동기(368)가 결합된다. 구동기(368)는 지지축(366)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐 지지대(362)는 구동기(368)와 결합된 지지축(366)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(364)은 노즐 지지대(362)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(364)은 구동기(368)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(364)이 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(364)이 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 노즐(364)은 외부로부터 액을 공급받아 기판(W)상으로 액을 공급한다. The support shaft 366 is provided along its lengthwise direction in the third direction 16 and a driver 368 is coupled to the lower end of the support shaft 366. The driver 368 rotates and lifts the support shaft 366. The nozzle support 362 is coupled perpendicular to the opposite end of the support shaft 366 associated with the driver 368. The nozzle 364 is installed at the bottom end of the nozzle support 362. The nozzle 364 is moved by a driver 368 to a process position and a standby position. The process position is that the nozzle 364 is located at the vertically upper portion of the container 320 and the standby position is the position at which the nozzle 364 is away from the vertical upper portion of the container 320. The nozzle 364 receives the liquid from the outside and supplies the liquid onto the substrate W.

액 공급 유닛(360)은 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 액 공급 유닛(360)이 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 또는 유기용제는 서로 상이한 액 공급 유닛(360)을 통해 제공될 수 있다. 액이 케미칼액으로 제공되는 경우, 케미칼은 불산, 황산, 인산 또는 이들의 혼합액일 수 있다. 린스액은 순수일 수 있고, 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.One or a plurality of liquid supply units 360 may be provided. When a plurality of liquid supply units 360 are provided, the chemical, rinsing liquid, or organic solvent may be provided through different liquid supply units 360. When the liquid is provided as a chemical liquid, the chemical may be hydrofluoric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, or a mixture thereof. The rinsing liquid may be pure, and the organic solvent may be a mixture of an isopropyl alcohol vapor and an inert gas or an isopropyl alcohol liquid.

상술한 본 발명의 실시 예에서는 척핀(400)의 바디(410)의 표면에 제1코팅막(430)이 제공되는 것을 예로 들어 설명하였다. 제1코팅막(430)은 화학기상증착법을 사용하여 바디(410)의 표면에 코팅막을 형성한다. 본 발명은 제1코팅막(430)을 화학기상증착법을 사용하여 척핀(400)의 내식성을 향상시킬 수 있다. In the embodiment of the present invention, the first coating layer 430 is provided on the surface of the body 410 of the chuck pin 400. The first coating layer 430 forms a coating layer on the surface of the body 410 by chemical vapor deposition. The present invention can improve the corrosion resistance of the chuck pin 400 by using the first coating film 430 by chemical vapor deposition.

테스트 결과 제1코팅막(430)을 반응 소결법으로 제조하는 경우 그 내식성이 화학기상증착법으로 제조하는 경우보다 떨어진다. 또한, 제1코팅막(430)을 상압 소결법으로 제조하는 경우는 내식성은 우수하나, 그 제조 비용이 고가이며, 척핀(400)의 대전성이 떨어진다. 여기서 척핀(400)의 대전성은 척핀(400)을 접지시켜 기판 처리 공정 중 발생되는 전기 전하 등을 외부로 배출하여 기판 처리 공정에 효율을 향상시킬 수 있다. 그런데, 제1코팅막(430)을 상압 소결법으로 제조하는 경우 화학기상증착법으로 제조하는 경우보다 그 대전성이 떨어지는 것으로 실험결과를 통해서 알게 되었다. As a result of the test, when the first coating film 430 is manufactured by a reaction sintering method, its corrosion resistance is lower than when it is manufactured by the chemical vapor deposition method. In addition, when the first coating film 430 is manufactured by the normal pressure sintering method, the corrosion resistance is excellent but the manufacturing cost thereof is high and the chargeability of the chuck pin 400 is low. Here, the chargeability of the chuck pin 400 can be improved by improving the efficiency of the substrate processing process by grounding the chuck pin 400 and discharging electrical charges generated during the substrate processing process to the outside. However, when the first coating film 430 is manufactured by the atmospheric pressure sintering method, the chargeability of the first coating film 430 is lower than that in the case of using the chemical vapor deposition method.

즉, 제1코팅막(430)을 화학기상증착법으로 제조하는 경우는 그 내식성, 내화학성, 내구성이 반응 소결법으로 제조하는 경우보다 우수하며, 상압 소결법으로 제조하는 경우보다 상대적으로 대전성이 양호하였다. 제1코팅막(430)을 화학기상증착법으로 제조하는 경우 10^5Ω이하의 전기적 특성을 만족한다. 제1코팅막(430)의 전기적 특성은 대전 방지 효과를 향상시킬 수 있다. That is, when the first coating film 430 is manufactured by the chemical vapor deposition method, the corrosion resistance, the chemical resistance, and the durability are superior to those produced by the reaction sintering method, and the charging performance is relatively better than that produced by the normal pressure sintering method. When the first coating film 430 is manufactured by a chemical vapor deposition method, electrical characteristics of 10 5 Ω or less are satisfied. The electrical characteristics of the first coating film 430 can improve the antistatic effect.

따라서, 본 발명의 척핀(400)의 표면은 화학기상증착법을 이용한 제1코팅막(430)을 제공하여 척핀(400)의 내식성, 내구성, 그리고 내화학성을 향상시킬 수 있다. 또한, 내식성을 향상으로 내구성이 증가되어 그 교체 주기가 길어진다. Therefore, the surface of the chuck pin 400 of the present invention can improve the corrosion resistance, durability, and chemical resistance of the chuck pin 400 by providing the first coating film 430 using the chemical vapor deposition method. In addition, the durability is increased by improving the corrosion resistance, and the replacement period becomes longer.

또한, 본 발명의 다른 실시 예에 의하면, 제1코팅막(430)과 더불어 불소코팅막으로 제공되는 제2코팅막(450)을 제공하여, 척핀(400)의 내식성을 더욱 향상시킬 수 있으며, 내구성도 향상시킨다.According to another embodiment of the present invention, the second coating layer 450 provided as a fluorine coating layer in addition to the first coating layer 430 can be provided to further improve the corrosion resistance of the chuck pin 400, .

또한, 본 발명은 척핀(400)의 표면에 제1코팅막(430) 또는 제2코팅막(450)을 형성함으로써, 기판 처리 공정 시 공정에 사용되는 액으로 척핀(400)에서 발생될 수 있는 파티클을 발생을 최소화하여 기판 처리 공정에 효율을 향상시킬 수 있다. The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor device, which comprises forming a first coating layer 430 or a second coating layer 450 on a surface of a chuck pin 400, So that the efficiency of the substrate processing process can be improved.

상술한 실시예에서는 척핀의 표면에 제1 코팅막과 제2 코팅막을 형성하는 것을 예로 들었으나, 반드시 코팅하는 대상이 척핀에 한하는 것은 아니다. 일 예로, 내식성, 내구성, 그리고 내화학성 향상이 필요한 어떠한 구성에도 코팅막을 형성할 수 있다.In the above-described embodiment, the first coating film and the second coating film are formed on the surface of the chuck pin, but the coating target is not limited to the chuck pin. For example, a coating film can be formed in any structure requiring improvement in corrosion resistance, durability, and chemical resistance.

상술한 실시예에서는 반드시 어떠한 특정 구성의 표면에 제1 코팅막과 제2 코팅막을 형성하는 것을 예로 들었으나, 반드시 이에 한하는 것은 아니다. 일 예로, 상술한 실리콘 카바이드 재질의 막, 또는 실리콘 카바이드 재질의 막과 불소 재질의 막을 함께 형성한 막 자체여도 무방하다. 이때, 실리콘 카바이드 재질의 막은 화학기상증착법으로 형성될 수 있다. 또한, 실리콘 카바이드 재질의 막과 불소 재질의 막은 공유 결합할 수 있다.In the above-described embodiment, the first coating film and the second coating film are formed on the surface of any specific structure, but the present invention is not limited thereto. For example, the film may be a silicon carbide film, or a film formed of a silicon carbide film and a fluorine film together. At this time, the silicon carbide film may be formed by chemical vapor deposition. Further, the silicon carbide film and the fluorine film can be covalently bonded.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

320: 용기 330: 지지 유닛
332: 지지판 334: 지지핀
400: 척핀 410: 바디
430: 제1코팅막 450: 제2코팅막320: container 330: support unit
332: Support plate 334: Support pin
400: Chuck pin 410: Body
430: first coating layer 450: second coating layer

Claims (12)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 용기와
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 그리고
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고,
상기 지지 유닛은,
기판이 놓이는 지지판과;
상기 지지판에 위치하며, 기판의 측부를 지지하는 척핀을 포함하되,
상기 척핀은,
바디;
상기 바디의 표면에 형성되며, 실리콘 카바이드 재질로 제공되는 제1코팅막; 및
상기 제1코팅막의 표면에 불소를 공유 결합하여 형성되는 불소 코팅막을 포함하는 기판 처리 장치.
An apparatus for processing a substrate,
A container having a processing space therein
A support unit for supporting the substrate in the processing space; And
And a liquid supply unit for supplying the liquid to the substrate supported by the support unit,
The support unit includes:
A support plate on which the substrate is placed;
And a chuck pin located on the support plate and supporting a side of the substrate,
The chuck pin,
body;
A first coating layer formed on the surface of the body and provided with a silicon carbide material; And
And a fluorine coating layer formed by covalently bonding fluorine to the surface of the first coating layer.
제1항에 있어서,
상기 제1코팅막은 화학기상증착법(CVD:Chamical Vapor Deposion)으로 형성되는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first coating layer is formed by CVD (Chamical Vapor Deposition).
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 액은 불산, 황산, 인산 또는 이들의 혼합액인 기판 처리 장치.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the liquid is hydrofluoric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, or a mixture thereof.
삭제delete 기판의 측부를 지지하는 척핀에 있어서,
바디;
상기 바디의 표면에 형성되며, 실리콘 카바이드 재질로 제공되는 제1코팅막; 및
상기 제1코팅막의 표면에 불소를 공유 결합하여 형성되는 불소 코팅막을 포함하는 척핀.
A chuck pin supporting a side portion of a substrate,
body;
A first coating layer formed on the surface of the body and provided with a silicon carbide material; And
And a fluorine coating layer formed by covalently bonding fluorine to the surface of the first coating layer.
제5항에 있어서,
상기 제1코팅막은 화학기상증착법(CVD:Chamical Vapor Deposion)으로 형성되는 척핀.
6. The method of claim 5,
Wherein the first coating layer is formed by CVD (Chamical Vapor Deposition).
삭제delete 기판의 측부를 지지하는 척핀을 제조하는 방법에 있어서,
바디의 표면에 실리콘 카바이드 재질로 제공되는 제1코팅막을 형성하고,
상기 제1코팅막의 표면에 불소를 공유 결합하여 불소 코팅막을 형성하되,
상기 제1코팅막은 화학기상증착법(CVD:Chamical Vapora Deposion)에 의해 형성되는 척핀 제조 방법.
A method of manufacturing a chuck pin supporting a side of a substrate,
Forming a first coating film provided on the surface of the body as a silicon carbide material,
Covalently bonding fluorine to the surface of the first coating layer to form a fluorine coating layer,
Wherein the first coating layer is formed by CVD (Chamical Vapor Deposition).
삭제delete 삭제delete 제8항에 있어서,
상기 불소코팅막을 형성하기 전에 상기 제1코팅막의 표면에 결함을 형성하는 척핀 제조 방법.
9. The method of claim 8,
Wherein a defect is formed on a surface of the first coating film before the fluorine coating film is formed.
제11항에 있어서,
상기 결함은 상기 제1코팅막의 표면을 산 또는 알칼리 용액으로 처리하여 형성되며,
상기 불소코팅막은 상기 제1코팅막의 표면에 결함 처리 후 불소를 공급하여 형성되는 척핀 제조 방법.

12. The method of claim 11,
Wherein the defect is formed by treating the surface of the first coating film with an acidic or alkaline solution,
Wherein the fluorine coating film is formed by supplying fluorine to the surface of the first coating film after the defect treatment.

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