KR102291949B1 - Apparatus treating a substrate and method cleaning the apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 처리용 기판을 처리하는 장치에 있어서, 처리공간을 가지는 컵과, 상기 처리 공간내에서 처리용 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지되는 처리용 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛과; 상기 지지 유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 지지 유닛에 세정용 기판이 놓인 상태에서 상기 액 공급 유닛에서 상기 세정용 기판을 향해 제1세정액을 공급함과 동시에 상기 지지 유닛을 회전시켜 상기 컵을 세정하는 1차 세정단계와, 상기 지지 유닛에서 상기 세정용 기판이 제거 된 상태에서 상기 액 공급 유닛에서 상기 지지 유닛을 향해 제2세정액을 공급함과 동시에 상기 지지 유닛을 회전시켜 상기 컵과 상기 지지 유닛을 세정하는 2차 세정단계를 각각 수행하도록 하는 상기 지지유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus. In an apparatus for processing a substrate according to an embodiment of the present invention, there is provided an apparatus for processing a processing substrate, comprising: a cup having a processing space; and a support unit for supporting a processing substrate in the processing space; a liquid supply unit for supplying a liquid to the processing substrate supported by the support unit; a controller for controlling the support unit and the liquid supply unit, wherein the controller supplies a first cleaning liquid from the liquid supply unit toward the cleaning substrate while the cleaning substrate is placed on the support unit and simultaneously supports the support A first cleaning step of cleaning the cup by rotating a unit, and supplying a second cleaning liquid from the liquid supply unit toward the support unit while the cleaning substrate is removed from the support unit and rotating the support unit at the same time and a substrate processing apparatus controlling the support unit and the liquid supply unit to respectively perform a secondary cleaning step of cleaning the cup and the support unit.

Description

기판 처리 장치 및 이의 세정 방법{Apparatus treating a substrate and method cleaning the apparatus}BACKGROUND ART Substrate processing apparatus and cleaning method thereof

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 기판을 세정하는 기판 처리 장치 및 이의 세정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to a substrate processing apparatus for cleaning a substrate and a cleaning method thereof.

반도체 공정은 웨이퍼 상에 박막, 이물질, 파티클 등을 식각하거나 세정하는 공정을 포함한다. 이와 같은 공정은 패턴 면이 위 또는 아래를 향하도록 웨이퍼를 스핀 헤드 상에 놓고, 스핀 헤드를 고속으로 회전시켜 웨이퍼 상에 처리액을 공급함으로써 이루어진다. 기판의 처리에 사용된 처리액은 기판의 처리가 완료된 후에도 스핀 헤드 등의 구성에 잔류한다. 또한, 상이한 처리액의 화학적 반응으로 인한 부산물이 스핀 헤드 등에 부착된다. 이와 같은 잔류 처리액 및 부산물은 이후 공정에서 처리되는 기판에 불량을 유발한다.The semiconductor process includes a process of etching or cleaning a thin film, foreign substances, particles, etc. on a wafer. Such a process is performed by placing a wafer on a spin head so that the pattern surface faces up or down, and rotating the spin head at high speed to supply a processing liquid onto the wafer. The processing liquid used for processing the substrate remains in the components of the spin head and the like even after the processing of the substrate is completed. In addition, by-products due to chemical reactions of different treatment liquids adhere to the spin head or the like. Such residual treatment liquid and by-products cause defects in the substrate to be treated in a subsequent process.

본 발명은 기판의 처리 효율 향상을 위해 기판 처리 장치를 세정하기 위한 기판 처리 장치 및 이의 세정 방법을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a cleaning method thereof for cleaning the substrate processing apparatus in order to improve processing efficiency of the substrate.

또한, 본 발명은 기판 처리 장치의 세정 효율과 용기의 세정을 효율적으로 진행하기 위한 기판 처리 장치 및 이의 세정 방법을 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a cleaning method thereof for efficiently performing cleaning efficiency of the substrate processing apparatus and cleaning of a container.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 처리용 기판을 처리하는 장치에 있어서, 처리공간을 가지는 컵과, 상기 처리 공간내에서 처리용 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지되는 처리용 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛과; 상기 지지 유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 지지 유닛에 세정용 기판이 놓인 상태에서 상기 액 공급 유닛에서 상기 세정용 기판을 향해 제1세정액을 공급함과 동시에 상기 지지 유닛을 회전시켜 상기 컵을 세정하는 1차 세정단계와, 상기 지지 유닛에서 상기 세정용 기판이 제거 된 상태에서 상기 액 공급 유닛에서 상기 지지 유닛을 향해 제2세정액을 공급함과 동시에 상기 지지 유닛을 회전시켜 상기 컵과 상기 지지 유닛을 세정하는 2차 세정단계를 각각 수행하도록 하는 상기 지지유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.The present invention provides a substrate processing apparatus. According to an embodiment of the present invention, there is provided an apparatus for processing a processing substrate, comprising: a cup having a processing space; and a support unit for supporting a processing substrate in the processing space; a liquid supply unit for supplying a liquid to the processing substrate supported by the support unit; a controller for controlling the support unit and the liquid supply unit, wherein the controller supplies a first cleaning liquid from the liquid supply unit toward the cleaning substrate while the cleaning substrate is placed on the support unit and simultaneously supports the support A first cleaning step of cleaning the cup by rotating a unit, and supplying a second cleaning liquid from the liquid supply unit toward the support unit while the cleaning substrate is removed from the support unit and rotating the support unit at the same time to control the support unit and the liquid supply unit to perform a secondary cleaning step of cleaning the cup and the support unit, respectively.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는 상기 1차 세정단계와 상기 2차 세정단계 중 어느 하나가 수행된 후, 곧바로 다른 하나를 수행되도록 상기 지지 유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the support unit and the liquid supply unit to perform the other immediately after any one of the first cleaning step and the second cleaning step is performed.

일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛은 기판이 놓이는 스핀헤드와; 상기 스핀 헤드 하부에서 상기 스핀 헤드를 지지하도록 제공되는 지지축과; 상기 지지축을 회전시키는 구동부와; 상기 스핀 헤드 상부로 돌출되게 위치하고 처리용 기판의 측부를 지지 하는 척킹핀과; 그리고 상기 스핀 헤드 상부로 돌출되게 위치하고, 처리용 기판의 저면을 지지하는 지지핀;을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the support unit includes a spin head on which a substrate is placed; a support shaft provided to support the spin head under the spin head; a driving unit for rotating the support shaft; a chucking pin positioned to protrude above the spin head and supporting a side of the substrate for processing; and a support pin positioned to protrude above the spin head and supporting the bottom surface of the substrate for processing.

일 실시예에 의하면, 상기 제1세정액과 상기 제2세정액은 동일한 세정액일 수 있다.According to an embodiment, the first cleaning liquid and the second cleaning liquid may be the same cleaning liquid.

일 실시예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 상기 스핀헤드의 저면에서 아래로 일정거리 이격되어 제공되며, 상기 컵의 내측을 향해 직접 세정액을 토출하는 제1토출구가 형성된 세정 부재를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the substrate processing apparatus may further include a cleaning member provided with a predetermined distance downward from the bottom surface of the spin head and having a first discharge port for directly discharging the cleaning liquid toward the inside of the cup. .

일 실시예에 의하면, 상기 세정 부재에는 상기 스핀 헤드의 저면으로 직접 세정액을 분사하는 제2토출구와; 상기 지지축을 향하여 직접 세정액을 분사하는 제3토출구가 더 형성할 수 있다.According to an embodiment, the cleaning member includes a second discharge port for directly jetting the cleaning liquid to the bottom surface of the spin head; A third outlet for directly spraying the cleaning liquid toward the support shaft may be further formed.

일 실시예에 의하면, 상기 세정 부재는 상기 지지축에 결합될 수 있다.According to an embodiment, the cleaning member may be coupled to the support shaft.

본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 기판 처리 장치에 있어서, 인덱스 모듈;과 버퍼 유닛;과 처리 모듈을 포함하되 상기 인덱스 모듈은; 기판이 수납된 용기가 놓이는 로드포트와; 상기 로드포트에 놓인 상기 용기와 상기 버퍼 유닛간에 기판을 이동하는 인덱스 로봇을 포함하며, 상기 처리 모듈은 처리용 기판을 처리하는 공정 챔버와; 상기 공정 챔버와 상기 버퍼 유닛간에 기판을 이송하는 이송 로봇을 포함하며; 상기 공정챔버는 처리공간을 가지는 컵과; 상기 처리 공간내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지되는 처리용 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛과; 상기 지지 유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 지지 유닛에 세정용 기판이 놓인 상태에서 상기 액 공급 유닛에서 상기 세정용 기판을 향해 제1세정액을 공급함과 동시에 상기 지지 유닛을 회전시켜 상기 컵을 세정하는 1차 세정단계와, 상기 지지 유닛에서 상기 세정용 기판이 제거 된 상태에서 상기 액 공급 유닛에서 상기 지지 유닛을 향해 제2세정액을 공급함과 동시에 상기 지지 유닛을 회전시켜 상기 컵과 상기 지지 유닛을 세정하는 2차 세정단계를 각각 수행하도록 하는 상기 지지유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: an index module; a buffer unit; and a processing module, wherein the index module includes; a load port in which the container in which the substrate is accommodated is placed; and an index robot for moving a substrate between the buffer unit and the container placed in the load port, wherein the processing module includes: a processing chamber for processing a processing substrate; a transfer robot for transferring substrates between the process chamber and the buffer unit; The process chamber includes a cup having a processing space; a support unit for supporting a substrate in the processing space; a liquid supply unit for supplying a liquid to the processing substrate supported by the support unit; a controller for controlling the support unit and the liquid supply unit, wherein the controller supplies a first cleaning liquid from the liquid supply unit toward the cleaning substrate while the cleaning substrate is placed on the support unit and simultaneously supports the support A first cleaning step of cleaning the cup by rotating a unit, and supplying a second cleaning liquid from the liquid supply unit toward the support unit while the cleaning substrate is removed from the support unit and rotating the support unit at the same time to control the support unit and the liquid supply unit to perform a secondary cleaning step of cleaning the cup and the support unit, respectively.

일 실시예에 의하면, 상기 버퍼 유닛은 처리용 기판을 보관하는 처리기판 대기부재와; 세정용 기판을 보관하는 세정기판 대기부재를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the buffer unit includes a processing substrate waiting member for storing the processing substrate; It may include a cleaning substrate waiting member for storing the cleaning substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 처리기판 대기부재는 상기 처리용 기판을 지지하며 상하로 적층되는 복수의 처리기판 지지대를 포함하고, 상기 세정기판 대기부재는 상기 세정용 기판을 지지하며 상하로 적층되는 복수의 세정기판 지지대를 더 포함하며, 상기 처리기판 지지대들의 간격과 상기 세정기판 지지대들간의 간격은 서로 상이하게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the processing substrate standby member includes a plurality of processing substrate supports that support the processing substrate and are stacked vertically, and the cleaning substrate waiting member supports the cleaning substrate and includes a plurality of vertically stacked processing substrates. It further includes a cleaning substrate support of the, the spacing between the processing substrate support and the cleaning substrate support may be provided to be different from each other.

일 실시예에 의하면, 상기 처리기판 지지대들의 간격은 상기 세정기판 지지대들의 간격보다 넓게 제공될 수 있다.In an embodiment, the spacing between the processing substrate supports may be wider than the spacing between the cleaning substrate supports.

일 실시예에 의하면, 상기 처리기판 대기부재는 상기 세정기판 대기부재의 상부에 위치할 수 있다.According to an embodiment, the processing substrate waiting member may be located above the cleaning substrate waiting member.

일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛은; 기판이 놓이는 스핀헤드와; 상기 스핀 헤드 하부에서 상기 스핀 헤드를 지지하도록 제공되는 지지축과; 상기 지지축을 회전시키는 구동부와; 상기 스핀 헤드 상부로 돌출되게 위치하고 처리용 기판의 측부를 지지 하는 척킹핀과; 그리고 상기 스핀 헤드 상부로 돌출되게 위치하고, 처리용 기판의 저면을 지지하는 지지핀을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the support unit; a spin head on which the substrate is placed; a support shaft provided to support the spin head under the spin head; a driving unit for rotating the support shaft; a chucking pin positioned to protrude above the spin head and supporting a side of the substrate for processing; And it may include a support pin positioned to protrude above the spin head and supporting the bottom surface of the substrate for processing.

일 실시예에 의하면, 상기 제1세정액과 상기 제2세정액을 동일한 세정액으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the first cleaning liquid and the second cleaning liquid may be provided as the same cleaning liquid.

본 발명은 기판 처리 장치 세정 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 다른 상기 세정 방법은 컵 내에서 처리용 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하고 상기 처리용 기판에 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 세정하는 방법에 있어서, 상기 지지 유닛에 세정용 기판이 놓인 상태에서 상기 액 공급 유닛에서 상기 세정용 기판을 향해 제1세정액을 공급함과 동시에 상기 지지 유닛을 회전시켜 상기 컵을 세정하는 1차 세정단계와, 상기 지지 유닛에서 상기 세정용 기판이 제거 된 상태에서 상기 액 공급 유닛에서 상기 지지 유닛을 향해 제2세정액을 공급함과 동시에 상기 지지 유닛을 회전시켜 상기 컵과 상기 지지 유닛을 세정하는 2차 세정단계를 각각 수행할 수 있다.The present invention provides a method for cleaning a substrate processing apparatus. The cleaning method according to an embodiment of the present invention is a method of cleaning a substrate processing apparatus including a support unit for supporting a processing substrate in a cup and supplying a liquid to the processing substrate to process the substrate, a first cleaning step of supplying a first cleaning liquid from the liquid supply unit toward the cleaning substrate while the cleaning substrate is placed on a support unit and rotating the support unit to clean the cup; In a state in which the cleaning substrate is removed, a second cleaning step of supplying a second cleaning solution from the liquid supply unit toward the support unit and rotating the support unit to clean the cup and the support unit may be performed, respectively. .

일 실시예에 의하면, 상기 1차 세정단계와 상기 2차 세정단계 중 어느 하나가 수행된 후 곧바로 다른 하나를 수행되도록 할 수 있다.According to an embodiment, after either one of the first cleaning step and the second cleaning step is performed, the other one may be performed immediately.

일 실시예에 의하면, 상기 세정용 기판은 상기 지지유닛에 제공된 척킹핀에 의해 그 측부가 지지되고, 상기 지지 유닛에 제공된 지지핀에 의해 그 하부가 지지될 수 있다.According to an embodiment, the side of the cleaning substrate may be supported by a chucking pin provided in the support unit, and a lower portion thereof may be supported by a support pin provided in the support unit.

일 실시예에 의하면, 상기 제1세정액과 상기 제2세정액을 동일한 세정액으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the first cleaning liquid and the second cleaning liquid may be provided as the same cleaning liquid.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치의 세정시 세정용 기판을 제공하여 용기 내측면을 전체적으로 세정 가능하게 제공하여 세정율을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a cleaning rate can be improved by providing a cleaning substrate for cleaning the substrate processing apparatus to completely clean the inner surface of the container.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치의 세정시 세정용 기판을 별도 보관이 가능한 버퍼 유닛을 제공하여 세정시 세정율을 향상시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to improve the cleaning rate during cleaning by providing a buffer unit capable of separately storing the cleaning substrate during cleaning of the substrate processing apparatus.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치의 세정시 세정 부재를 제공하여 처리 용기의 세정율을 향상시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the cleaning rate of the processing vessel may be improved by providing a cleaning member during cleaning of the substrate processing apparatus.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 공정 챔버의 평면도이다.
도 3은 도 1의 공정 챔버의 단면도이다.
도 4는 액 공급 유닛과 지지 유닛을 제어하는 제어기를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 버퍼 유닛의 단면도이다.
도 6은 1차 세정단계가 수행되는 상태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 7은 2차 세정단계가 수행되는 상태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 8은 세정 부재를 보여주는 단면도이다. 1 is a plan view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of the process chamber of FIG. 1 ;
3 is a cross-sectional view of the process chamber of FIG. 1 ;
4 is a diagram schematically illustrating a controller for controlling a liquid supply unit and a support unit.
5 is a cross-sectional view of the buffer unit.
6 is a view schematically showing a state in which the first cleaning step is performed.
7 is a view schematically showing a state in which the secondary cleaning step is performed.
8 is a cross-sectional view showing the cleaning member.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a plan view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 장치(1000)는 인덱스 모듈(10), 버퍼 유닛(20) 그리고 처리 모듈(50)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1 , the substrate processing apparatus 1000 of the present invention may include an index module 10 , a buffer unit 20 , and a processing module 50 .

인덱스 모듈(10), 버퍼 유닛(20) 그리고 처리 모듈(50)는 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10), 버퍼 유닛(20) 그리고 처리 모듈(50)가 배열된 방향을 제1방향(1)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(1)의 수직인 방향을 제2방향(2)이라 하며, 제1방향(1)과 제2방향(2)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(3)이라 한다.The index module 10 , the buffer unit 20 , and the processing module 50 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the index module 10 , the buffer unit 20 , and the processing module 50 are arranged is referred to as a first direction 1 , and when viewed from the top, a direction perpendicular to the first direction 1 is referred to as The second direction (2) is referred to as the third direction (3), and the direction perpendicular to the plane including the first direction (1) and the second direction (2) is referred to as the third direction (3).

인덱스 모듈(10)은 로드 포트(12)와 이송 프레임(13)을 포함한다. The index module 10 includes a load port 12 and a transport frame 13 .

로드 포트(12)는 제1방향(1)으로 인덱스 모듈(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(2)을 따라 배치된다. 일 예에 의하면 로드 포트(12)는 4개가 제공될 수 있다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 장치(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 가감할 수도 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판 및 공정처리가 완료된 기판이 수납된 용기(16)가 안착된다. 용기(16)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. 일 실시예로 용기(16)로는 전면개방일체형포드(FOUP: front opening unified pod)가 사용될 수 있다.The load port 12 is disposed in front of the index module 10 in the first direction (1). A plurality of load ports 12 are provided and these are arranged along the second direction 2 . According to an example, four load ports 12 may be provided. The number of load ports 12 may be increased or decreased according to process efficiency and footprint conditions of the substrate processing apparatus 1000 . A container 16 in which a substrate to be provided for a process and a process-processed substrate are accommodated are seated in the load ports 12 . A plurality of slots are formed in the container 16 for receiving the substrates in a state in which they are arranged horizontally with respect to the ground. In one embodiment, as the container 16, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

이송 프레임(13)은 로드 포트(12)와 버퍼 유닛(20) 사이에 설치된다. 이송 프레임(13)내에는 이송 로봇이 설치된다. 이송 프레임(13)은 기판을 용기(16)로 이송하거나, 용기(16)에서 대기하는 기판을 버퍼 유닛(20)으로 이송한다. 버퍼 유닛(20)의 상층에는 용기(16)로 이송하는 기판이 대기한다. 용기(16)에서 버퍼 유닛(20)로 이송하는 기판은 버퍼 유닛(20)의 하층에 위치한다.The transport frame 13 is installed between the load port 12 and the buffer unit 20 . A transfer robot is installed in the transfer frame 13 . The transfer frame 13 transfers a substrate to the container 16 or transfers a substrate waiting in the container 16 to the buffer unit 20 . In the upper layer of the buffer unit 20 , the substrate transferred to the container 16 waits. The substrate transferred from the container 16 to the buffer unit 20 is located in the lower layer of the buffer unit 20 .

버퍼 유닛(20)은 이송 프레임(13)에 의해 이송되기 전에 공정에 제공될 기판 또는 이송 로봇(30)에 의해 이송되기 전에 공정 처리가 완료된 기판이 일시적으로 수납된다. 또한 버퍼 유닛(20)에는 세정용 기판이 수납된다. The buffer unit 20 temporarily accommodates a substrate to be provided for a process before being transferred by the transfer frame 13 or a substrate that has been processed before being transferred by the transfer robot 30 . In addition, the cleaning substrate is accommodated in the buffer unit 20 .

도 5는 버퍼 유닛의 단면도이다. 도 5를 참조하면, 버퍼 유닛(20)은 하우징(70), 처리기판 대기부재(80) 그리고 세정기판 대기부재(90)를 포함한다.5 is a cross-sectional view of the buffer unit. Referring to FIG. 5 , the buffer unit 20 includes a housing 70 , a processing substrate waiting member 80 , and a cleaning substrate waiting member 90 .

하우징(70)은 처리용 기판과 세정용 기판을 보관하는 공간을 제공한다.The housing 70 provides a space for storing a substrate for processing and a substrate for cleaning.

처리기판 대기부재(80)는 처리용 기판을 보관한다. 처리기판 대기부재(80)는 처리기판 지지대(81)를 포함한다. 처리기판 지지대(81)는 처리용 기판을 지지한다. 처리기판 지지대(81)는 복수개가 제공된다. 처리기판 지지대(81)는 상하로 적층되게 제공된다. 처리기판 지지대(81)들간에 간격은 일정하게 제공된다. The processing substrate waiting member 80 stores the processing substrate. The processing substrate waiting member 80 includes a processing substrate support 81 . The processing substrate support 81 supports the processing substrate. A plurality of processing substrate supports 81 are provided. The processing substrate support 81 is provided to be stacked up and down. A distance between the processing substrate supports 81 is provided to be constant.

세정기판 대기 부재(90)는 세정용 기판을 보관한다. 세정기판 대기부재(90)는 세정기판 지지대(91)를 포함한다. 세정기판 대기부재(90)는 처리기판 대기부재(80)보다 하부에 위치한다. 세정기판 지지대(91)는 복수개가 제공된다. 세정기판 지지대(91)는 상하로 적층되게 제공된다. 세정기판 지지대(91)들간의 간격은 일정하게 제공된다. 처리기판 지지대(81)들간에 간격은 세정기판 지지대(91)들간에 간격과 상이하게 제공된다. 일 실시예로 처리기판 지지대(81)들간에 간격은 세정기판 지지대(91)들간에 간격보다 넓게 제공될 수 있다. The cleaning substrate waiting member 90 holds the cleaning substrate. The cleaning substrate waiting member 90 includes a cleaning substrate support 91 . The cleaning substrate waiting member 90 is positioned lower than the processing substrate waiting member 80 . A plurality of cleaning substrate supports 91 are provided. The cleaning substrate support 91 is provided to be stacked up and down. The spacing between the cleaning substrate supports 91 is provided to be constant. The spacing between the processing substrate supports 81 is provided to be different from the spacing between the cleaning substrate supports 91 . In an embodiment, the spacing between the processing substrate supports 81 may be provided to be wider than the spacing between the cleaning substrate supports 91 .

처리 모듈(50)은 이동 챔버(40)와 공정 챔버(60)를 포함한다. 처리 모듈(50)은 버퍼 유닛(20)에서 이송된 기판을 공정 챔버(60)에서 처리한다. The processing module 50 includes a moving chamber 40 and a process chamber 60 . The processing module 50 processes the substrate transferred from the buffer unit 20 in the process chamber 60 .

이동 챔버(40)는 처리 모듈(50) 내의 제1방향(1)을 따라 배치된다. 이동 챔버(40)는 이송 로봇(30)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 챔버(40)의 양측에는 공정 챔버(60)들이 서로 마주보며 제1방향(1)을 따라 배치된다. 이동 챔버(40)에는 이송 로봇(30)이 제1방향(1)을 따라 이동하며, 공정 챔버(60)의 상하층, 그리고 버퍼 유닛(20)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다. The moving chamber 40 is arranged along a first direction 1 in the processing module 50 . The moving chamber 40 provides a passage through which the transfer robot 30 moves. On both sides of the moving chamber 40 , the process chambers 60 face each other and are disposed along the first direction 1 . In the moving chamber 40 , the transfer robot 30 moves in the first direction 1 , and moving rails are installed to move up and down the upper and lower floors of the process chamber 60 and the upper and lower floors of the buffer unit 20 . do.

이송 로봇(30)은 이동 챔버(40)에 설치된다. 이송 로봇(30)은 각 공정 챔버(60)들 및 버퍼 유닛(20) 간에 기판을 이송한다. 이송 로봇(30)은 버퍼 유닛(20)에서 대기하는 기판을 각 공정 챔버(60)로 이송한다. 이송 로봇(30)은 각 공정 챔버(60)에서 공정 처리가 완료된 기판을 버퍼 유닛(20)으로 이송한다. The transfer robot 30 is installed in the moving chamber 40 . The transfer robot 30 transfers a substrate between each of the process chambers 60 and the buffer unit 20 . The transfer robot 30 transfers the substrate waiting in the buffer unit 20 to each process chamber 60 . The transfer robot 30 transfers the substrate that has been processed in each process chamber 60 to the buffer unit 20 .

공정 챔버(60)는 이송 로봇(30)이 설치되는 이동통로(40)의 양측에 배치된다. 기판 처리 장치(1000)는 상하층으로 된 다수개의 공정 챔버(60)을 구비한다. 공정 챔버(60)의 개수는 기판 처리 장치(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 각각의 공정 챔버(60)는 독립적인 챔버로 구성된다. 각각의 공정 챔버(60) 내에서는 독립적인 형태로 기판을 처리하는 공정이 이루어질 수 있다.The process chamber 60 is disposed on both sides of the moving passage 40 in which the transfer robot 30 is installed. The substrate processing apparatus 1000 includes a plurality of process chambers 60 having upper and lower layers. The number of process chambers 60 may increase or decrease according to process efficiency and footprint conditions of the substrate processing apparatus 1000 . Each process chamber 60 is configured as an independent chamber. In each process chamber 60, a process of processing a substrate in an independent form may be performed.

도 2는 도 1의 공정 챔버의 평면도이다. 도 3은 도1의 공정 챔버의 단면도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 공정 챔버(60)는 하우징(800), 컵(100), 지지 유닛(200), 액 공급 유닛(300), 세정 부재(400), 공정 배기부(500), 승강 부재(600) 그리고 제어기(900)을 포함한다.FIG. 2 is a plan view of the process chamber of FIG. 1 ; 3 is a cross-sectional view of the process chamber of FIG. 1 ; 2 and 3 , the process chamber 60 according to the present invention includes a housing 800 , a cup 100 , a support unit 200 , a liquid supply unit 300 , a cleaning member 400 , and a process vessel. It includes a base 500 , a lifting member 600 , and a controller 900 .

하우징(800)는 밀폐된 내부 공간을 제공한다. 하우징(800)의 상부에는 팬 필터 유닛(810)이 설치된다. 팬 필터 유닛(810)은 하우징(800) 내부에 하강 기류를 발생시킨다.The housing 800 provides an enclosed interior space. A fan filter unit 810 is installed on the upper portion of the housing 800 . The fan filter unit 810 generates a downdraft in the housing 800 .

팬 필터 유닛(810)은 필터와 팬을 포함한다. 필터와 팬이 하나의 유니트로 모듈화된다. 팬 필터 유닛(810)은 외기를 필터링하여 하우징(800) 내부로 공급한다. 외기는 팬 필터 유닛(810)을 통과하여 하우징(800) 내부로 공급되어 하강기류를 형성한다. The fan filter unit 810 includes a filter and a fan. The filter and fan are modularized as one unit. The fan filter unit 810 filters outside air and supplies it into the housing 800 . Outside air passes through the fan filter unit 810 and is supplied into the housing 800 to form a downdraft.

하우징(800)는 수평 격벽(814)에 의해 공정 영역(816)과 유지보수 영역(818)으로 나뉜다. 공정 영역(816)에는 컵(100)과 지지 유닛(200)이 위치한다. 유지보수 영역(818)에는 컵(100)과 연결되는 배출라인(141,143,145), 배기라인(510) 이외에도 승강 유닛의 구동부과, 액 공급 유닛(300)과 연결되는 구동부 그리고 공급라인 등이 위치한다. 유지보수 영역(818)은 공정 영역(816)으로부터 격리된다. The housing 800 is divided into a processing area 816 and a maintenance area 818 by a horizontal bulkhead 814 . The cup 100 and the support unit 200 are positioned in the process area 816 . In the maintenance area 818 , in addition to the discharge lines 141 , 143 , 145 connected to the cup 100 , and the exhaust line 510 , a driving unit of the lifting unit, a driving unit connected to the liquid supply unit 300 , and a supply line are located. The maintenance area 818 is isolated from the process area 816 .

컵(100)은 상부가 개방된 원통 형상을 갖는다. 컵(100)은 기판을 처리하기 위한 처리 공간을 제공한다. 컵(100)의 개방된 상면은 기판의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 지지 유닛(200)이 위치된다. 지지 유닛(200)은 공정 진행시 기판을 지지한 상태에서 기판을 회전시킨다. The cup 100 has a cylindrical shape with an open top. The cup 100 provides a processing space for processing a substrate. The open upper surface of the cup 100 is provided as a passage for carrying out and carrying in the substrate. The support unit 200 is positioned in the process space. The support unit 200 rotates the substrate while supporting the substrate during the process.

컵(100)은 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간을 제공한다. 컵(100)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)이 다단으로 배치된다. The cup 100 provides a lower space connected to the exhaust duct 190 at the lower end so that forced exhaust is made. In the cup 100 , first to third collection tubes 110 , 120 , 130 for introducing and sucking the chemical liquid and gas scattered on the rotating substrate are arranged in multiple stages.

환형의 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)은 하나의 공통된 환형공간과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. The annular first to third collection cylinders 110 , 120 and 130 have exhaust ports (H) communicating with one common annular space.

구체적으로, 제1 내지 제3회수통(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 제공한다. 제2 회수통(120)는 제1회수통(110)를 둘러싸고, 제1회수통(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3회수통(130)는 제2회수통(120)를 둘러싸고, 제2회수통(120)로부터 이격되어 위치한다.Specifically, each of the first to third collection cylinders 110 , 120 , and 130 provides a bottom surface having an annular ring shape and a side wall extending from the bottom surface having a cylindrical shape. The second collection container 120 surrounds the first collection container 110 and is positioned to be spaced apart from the first collection container 110 . The third waste container 130 surrounds the second waste container 120 , and is positioned to be spaced apart from the second waste container 120 .

제1 내지 제3회수통(110, 120, 130)는 기판으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1회수 공간(RS1)은 제1회수통(110)에 의해 제공된다. 제2회수공간(RS2)은 제1 회수통(110)와 제2회수통(120) 간의 이격 공간에 제공된다. 제3회수공간(RS3)은 제2회수통(120)와 제3회수통(130) 간의 이격 공간에 의해 제공된다. The first to third recovery tanks 110 , 120 , and 130 provide first to third recovery spaces RS1 , RS2 , and RS3 into which an air stream containing fumes and processing liquid scattered from the substrate flows. The first collection space RS1 is provided by the first collection container 110 . The second recovery space RS2 is provided in a space between the first recovery container 110 and the second recovery container 120 . The third collection space RS3 is provided by a space between the second collection container 120 and the third collection container 130 .

제1 내지 제3회수통(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개방된다. 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)는 연결된 측벽으로부터 개방부로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 제공된다. 기판으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3회수통(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러들어간다. A central portion of each of the upper surfaces of the first to third collection bins 110 , 120 , and 130 is opened. The first to third collection barrels 110 , 120 , and 130 are provided as inclined surfaces in which the distance from the connected sidewalls to the corresponding bottom surface gradually increases toward the opening. The treatment liquid scattered from the substrate flows into the recovery spaces RS1 , RS2 , and RS3 along the upper surfaces of the first to third collection containers 110 , 120 , and 130 .

제1회수공간(RS1)에 유입된 제1처리액은 제1회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2회수공간(RS2)에 유입된 제2처리액은 제2회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3회수공간(RS3)에 유입된 제3처리액은 제3회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다. The first treatment liquid introduced into the first recovery space RS1 is discharged to the outside through the first recovery line 141 . The second treatment liquid introduced into the second recovery space RS2 is discharged to the outside through the second recovery line 143 . The third treatment liquid introduced into the third recovery space RS3 is discharged to the outside through the third recovery line 145 .

지지 유닛(200)은 공정 진행 중 기판을 지지하고 기판을 회전시킨다. 지지 유닛(200)은 기판 처리 장치 세정 시 기판을 지지하고 기판을 회전시킨다.The support unit 200 supports the substrate and rotates the substrate during the process. The support unit 200 supports the substrate and rotates the substrate during cleaning of the substrate processing apparatus.

지지 유닛(200)은 스핀 헤드(210), 지지축(220), 구동부(230), 척킹핀(212) 그리고 지지핀(224)을 포함한다. The support unit 200 includes a spin head 210 , a support shaft 220 , a driving unit 230 , a chucking pin 212 , and a support pin 224 .

스핀 헤드(210)는 상부에서 바라볼 때 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. The spin head 210 has an upper surface provided in a circular shape when viewed from above.

스핀 헤드(210)에는 지지축(220)이 결합된다. 지지축(220)은 스핀 헤드(210)을 지지하도록 제공된다. 지지축(220)은 구동부(230)에 의해 회전가능하다.A support shaft 220 is coupled to the spin head 210 . The support shaft 220 is provided to support the spin head 210 . The support shaft 220 is rotatable by the driving unit 230 .

척킹핀(212)은 스핀 헤드(21)의 상부로 돌출되게 위치하고 처리용 기판의 측부를 지지한다. 척킹핀(212)은 지지핀(224)의 외측에 배치된다. 척킹핀(212)은 복수 개 제공된다. 척킹핀(212)은 지지 유닛(200)이 회전할 때 처리용 기판 또는 세정용 기판이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판의 측부를 지지한다.The chucking pin 212 is positioned to protrude above the spin head 21 and supports the side of the substrate for processing. The chucking pin 212 is disposed outside the support pin 224 . A plurality of chucking pins 212 are provided. The chucking pin 212 supports the side of the substrate so that the substrate for processing or the substrate for cleaning is not laterally separated from the original position when the support unit 200 rotates.

지지핀(224)은 스핀 헤드(210)의 상부로 돌출되게 위치하고 처리용 기판의 저면을 지지한다. 지지핀(224)은 복수 개 제공된다. 지지핀(224)은 스핀 헤드(210)의 상부면의 가장 자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치된다. 지지핀(224)은 스핀 헤드(210)의 상부면으로부터 기판이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다.The support pin 224 is positioned to protrude above the spin head 210 and supports the bottom surface of the substrate for processing. A plurality of support pins 224 are provided. The support pins 224 are disposed to be spaced apart from each other by a predetermined interval at the edge of the upper surface of the spin head 210 . The support pins 224 support the rear edge of the substrate so that the substrate is spaced apart from the upper surface of the spin head 210 by a predetermined distance.

액 공급 유닛(300)은 기판 처리 공정시 액을 공급받아 지지 유닛(200)의 스핀 헤드(210)에 놓인 기판의 처리면으로 액을 분사한다. 액은 공정 시에는 처리액을 공급할 수 있다. 세정시에는 세정액을 공급할 수 있다. The liquid supply unit 300 receives the liquid during the substrate processing process and sprays the liquid onto the processing surface of the substrate placed on the spin head 210 of the support unit 200 . The liquid may supply a treatment liquid during the process. At the time of washing|cleaning, a washing|cleaning liquid can be supplied.

액 공급 유닛(300)은 구동기(310), 지지축(320), 지지대(330) 그리고 분사 노즐(340)을 포함한다. The liquid supply unit 300 includes a driver 310 , a support shaft 320 , a support 330 , and a spray nozzle 340 .

지지축(320)은 그 길이 방향이 제 3 방향(3)으로 제공되며, 지지축(320)의 하단은 구동기(310)와 결합된다. 구동기(310)는 지지축(320)을 회전시킨다. 지지대(330)는 지지축(320)에 결합되어 분사 노즐(340)을 기판 상부로 이동시키거나, 기판 상부에서 분사 노즐(340)이 액을 분사하면서 이동한다. The support shaft 320 is provided in the third direction 3 in its longitudinal direction, and the lower end of the support shaft 320 is coupled to the driver 310 . The actuator 310 rotates the support shaft 320 . The support 330 is coupled to the support shaft 320 to move the spray nozzle 340 to the upper portion of the substrate, or the spray nozzle 340 moves while spraying the liquid on the upper portion of the substrate.

분사 노즐(340)은 지지대(330)의 끝단 저면에 위치한다. 분사 노즐(340)은 구동기(310)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 분사 노즐(340)이 컵(100)의 수직 상부에 배치된 위치이다. 대기 위치는 분사 노즐(340)이 컵(100)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 분사 노즐(340)은 액 공급 장치로부터 공급된 액을 분사한다. 또한, 분사 노즐(340)은 액 공급 장치에서 공급된 액 외에 다른 액을 직접 노즐로 공급받아 분사할 수 있다.The spray nozzle 340 is located on the lower surface of the end of the support 330 . The injection nozzle 340 is moved to the process position and the standby position by the driver 310 . The process position is a position where the spray nozzle 340 is disposed vertically above the cup 100 . The standby position is the position where the spray nozzle 340 deviates from the vertical top of the cup 100 . The spray nozzle 340 sprays the liquid supplied from the liquid supply device. In addition, the spray nozzle 340 may directly receive a liquid other than the liquid supplied from the liquid supply device to the nozzle and spray it.

세정 공정에서는 액 공급 유닛(300)은 세정액을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(300)에서 공급되는 세정액은 제1세정액과 제2세정액을 포함한다. 제1세정액과 제2세정액은 동일한 세정액일 수 있다. 일 예로 세정액은 순수(De-Ionized Water)일 수 있다.In the cleaning process, the liquid supply unit 300 may supply the cleaning liquid. The cleaning liquid supplied from the liquid supply unit 300 includes a first cleaning liquid and a second cleaning liquid. The first cleaning liquid and the second cleaning liquid may be the same cleaning liquid. For example, the cleaning solution may be de-ionized water.

세정 부재(400)는 컵(100)과 지지 유닛(200)을 세정할 수 있다. 세정 부재(400)는 스핀 헤드(210)의 저면에 공급되고 지지축(220)과 결합된다. 세정 부재(400)에는 지지암(410)과 세정노즐(420)을 포함한다.The cleaning member 400 may clean the cup 100 and the support unit 200 . The cleaning member 400 is supplied to the bottom surface of the spin head 210 and is coupled to the support shaft 220 . The cleaning member 400 includes a support arm 410 and a cleaning nozzle 420 .

지지암(410)은 세정 노즐(420)을 지지한다. 세정 노즐(420)은 제1토출구(411), 제2토출구(412) 그리고 제3토출구(413)가 형성된다. 제1토출(411)구는 컵(100)의 내측을 향해 직접 세정액을 분사할 수 있다. 제2토출구(412)는 스핀 헤드(210)의 저면으로 직접 세정액을 분사할 수 있다. 제3토출구(413)는 지지축(220)을 향하여 직접 세정액을 분사할 수 있다. The support arm 410 supports the cleaning nozzle 420 . The cleaning nozzle 420 has a first discharge port 411 , a second discharge port 412 , and a third discharge port 413 . The first discharge port 411 may directly spray the cleaning liquid toward the inside of the cup 100 . The second discharge port 412 may directly spray the cleaning liquid to the bottom surface of the spin head 210 . The third discharge port 413 may directly spray the cleaning liquid toward the support shaft 220 .

세정 노즐(420)은 복수 개의 토출구(411,412,413)를 제공한다.The cleaning nozzle 420 provides a plurality of discharge ports 411 , 412 , and 413 .

본 발명의 실시예에서는 세정 노즐(420)의 토출구가 3개가 형성된 것을 예로 들었으나, 이에 한정되지 않고 가감하여 형성될 수 있다. In the embodiment of the present invention, three discharge ports of the cleaning nozzle 420 are formed as an example, but the present invention is not limited thereto and may be formed by adding or subtracting.

공정 배기부(500)는 컵(100) 내부의 배기를 제공한다. 일 실시예로, 공정 배기부(500)는 공정시 제1 내지 제3회수통(110, 120, 130)중 처리액을 회수하는 회수통에 배기압력을 제공하기 위한 것이다. 공정 배기부(500)는 배기라인(510)과 댐퍼(520)를 포함한다. 배기라인(510)은 배기덕트(190)와 연결된다. 배기라인(510)은 배기펌프로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기라인과 연결된다. The process exhaust unit 500 provides exhaust inside the cup 100 . In one embodiment, the process exhaust unit 500 is to provide exhaust pressure to the recovery bins for recovering the treatment liquid among the first to third recovery bins 110 , 120 , and 130 during the process. The process exhaust unit 500 includes an exhaust line 510 and a damper 520 . The exhaust line 510 is connected to the exhaust duct 190 . The exhaust line 510 receives exhaust pressure from the exhaust pump and is connected to the main exhaust line buried in the floor space of the semiconductor production line.

컵(100)은 컵(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)과 결합된다. 승강 유닛(600)은 컵(100)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 컵(100)이 상하로 이동됨에 따라 기판 지지 유닛(200)에 대한 컵(100)의 상대 높이가 변경된다. The cup 100 is coupled with a lifting unit 600 that changes the vertical position of the cup 100 . The lifting unit 600 linearly moves the cup 100 in the vertical direction. As the cup 100 moves up and down, the relative height of the cup 100 with respect to the substrate support unit 200 is changed.

승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 컵(100)의 외벽에 설치된다. 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 결합된다. 기판이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(210)가 컵(100)의 상부로 돌출되도록 컵(100)은 하강한다. 공정이 진행시에는 기판에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 컵(100)의 높이가 조절된다. 컵(100)과 기판 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 컵(100)은 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다. The lifting unit 600 has a bracket 612 , a moving shaft 614 , and an actuator 616 . The bracket 612 is installed on the outer wall of the cup 100 . A moving shaft 614 that is moved up and down by a driver 616 is coupled to the bracket 612 . When a substrate is loaded into or unloaded from the spin head 210 , the cup 100 is lowered so that the spin head 210 protrudes above the cup 100 . During the process, the height of the cup 100 is adjusted so that the treatment liquid can be introduced into the predetermined collection troughs 110 , 120 , 130 according to the type of the treatment liquid supplied to the substrate. The relative vertical position between the cup 100 and the substrate is changed. Accordingly, the cup 100 may have different types of treatment liquid and contaminant gas recovered for each recovery space RS1 , RS2 , and RS3 .

일 실시예에 의하면, 승강 유닛(600)은 컵(100)을 수직 이동시켜 컵(100)과 기판 지지 유닛(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다.According to an embodiment, the lifting unit 600 vertically moves the cup 100 to change the relative vertical position between the cup 100 and the substrate support unit 200 .

제어기(900)는 지지 유닛(200)과 액 공급 유닛(300)을 제어한다. 제어기(900)에서는 기판 처리 장치의 세정 시 1차 세정단계와 2차 세정단계가 수행되도록 한다. 1차 세정단계는 지지 유닛(200)에 세정용 기판이 놓인 상태에서 액 공급 유닛(300)에서 세정용 기판을 향해 제1차세정액을 공급함과 동시에 지지 유닛(200)을 회전시켜 컵(100)을 주로 세정한다. 2차 세정단계에서는 지지 유닛(200)에 세정용 기판이 제거된 상태에서 액 공급 유닛(300)에서 지지 유닛(200)을 향해 제2차세정액을 공급함과 동시에 지지 유닛(200)을 회전시켜 지지 유닛(200)을 주로 세정하고, 추가적으로 컵(100)을 세정한다. 제어기(900)는 1차 세정단계와 2차 세정단계 중 어느 하나가 수행된 후, 곧바로 다른 하나를 수행되도록 지지 유닛(200)과 액 공급 유닛(300)을 제어한다. 일 예로 제어기(900)는 1차 세정단계 후 곧바로 2차 세정단계가 이루어지도록 제어한다. 이와 달리, 2차 세정단계 후 곧바로 1차 세정단계가 이루어지도록 제어할 수 있다.The controller 900 controls the support unit 200 and the liquid supply unit 300 . The controller 900 performs a first cleaning step and a second cleaning step when cleaning the substrate processing apparatus. In the first cleaning step, the first cleaning liquid is supplied from the liquid supply unit 300 toward the cleaning substrate while the cleaning substrate is placed on the support unit 200 and the support unit 200 is rotated at the same time to rotate the cup 100. is mainly cleaned In the second cleaning step, the second cleaning liquid is supplied from the liquid supply unit 300 toward the support unit 200 in a state in which the cleaning substrate is removed from the support unit 200 and the support unit 200 is rotated and supported at the same time. The unit 200 is mainly cleaned, and the cup 100 is additionally cleaned. The controller 900 controls the support unit 200 and the liquid supply unit 300 to immediately perform the other one after any one of the first cleaning step and the second cleaning step is performed. For example, the controller 900 controls the second cleaning step to be performed immediately after the first cleaning step. Alternatively, it is possible to control so that the first cleaning step is performed immediately after the second cleaning step.

도 6은 1차 세정단계가 수행되는 상태를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 7은 2차 세정단계가 수행되는 상태를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 6과 도7을 참조하면, 1차 세정단계에서는 세정용 기판이 제공되어 세정단계를 수행한다. 세정액은 세정용 기판의 상부에서 제공되며, 양측으로 비산되어 주로 컵(100)을 세정한다. 2차 세정단계에서는 세정용 기판이 제거된 상태에서 수행된다. 세정용 기판이 제공되었을 때, 기판의 하부에 척킹핀(212), 지지핀(224) 등의 세정이 잘 이루어지지 않는다. 2차 세정단계에서는 1차 세정단계에서 세정이 잘 이루어지지 않는 척킹핀(212), 지지핀(224) 등을 주로 세정하고, 부가적으로 컵(100)을 세정한다.6 is a view schematically showing a state in which the first cleaning step is performed. 7 is a view schematically showing a state in which the secondary cleaning step is performed. 6 and 7, in the first cleaning step, a cleaning substrate is provided to perform the cleaning step. The cleaning liquid is provided on the upper portion of the cleaning substrate, and is scattered to both sides to mainly clean the cup 100 . In the second cleaning step, the cleaning substrate is removed. When the cleaning substrate is provided, cleaning of the chucking pins 212 and the support pins 224 under the substrate is not performed well. In the second cleaning step, the chucking pins 212 and the support pins 224, which are not easily cleaned in the first cleaning step, are mainly cleaned, and the cup 100 is additionally cleaned.

또한, 세정용 기판이 제공되었을 때와 세정용 기판이 제거된 상태에서 컵의 내측에 세정액이 닿는 부분(P1,P2)가 차이가 있다. 1차와 2차의 세정단계를 수행하여 컵(100)의 전체 영역의 세정 효율을 향상시킬 수 있다. In addition, there is a difference between the portions P1 and P2 where the cleaning liquid comes into contact with the inside of the cup when the cleaning substrate is provided and when the cleaning substrate is removed. The cleaning efficiency of the entire area of the cup 100 may be improved by performing the first and second cleaning steps.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

10: 인덱스 모듈 20: 버퍼 유닛
50: 처리 모듈 60: 공정 챔버
100: 컵 200: 지지 유닛
300: 액 공급 유닛 400: 세정 부재
500: 공정 배기부 600: 승강 유닛
900: 제어기10: index module 20: buffer unit
50: processing module 60: process chamber
100: cup 200: support unit
300: liquid supply unit 400: cleaning member
500: process exhaust 600: elevating unit
900: controller

Claims (18)

처리용 기판을 처리하는 장치에 있어서,
처리 공간을 가지는 컵과,
상기 처리 공간 내에서 처리용 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지되는 처리용 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛과;
상기 지지 유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는,
상기 지지 유닛에 세정용 기판이 놓인 상태에서 상기 액 공급 유닛에서 상기 세정용 기판을 향해 제1세정액을 공급함과 동시에 상기 지지 유닛을 회전시켜 상기 컵을 세정하는 1차 세정단계와, 상기 지지 유닛에서 상기 세정용 기판이 제거된 상태에서 상기 액 공급 유닛에서 상기 지지 유닛을 향해 제2세정액을 공급함과 동시에 상기 지지 유닛을 회전시켜 상기 컵과 상기 지지 유닛을 세정하는 2차 세정단계를 각각 수행하도록 하는 상기 지지 유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate for processing, comprising:
a cup having a processing space;
a support unit for supporting a substrate for processing in the processing space;
a liquid supply unit for supplying a liquid to the processing substrate supported by the support unit;
A controller for controlling the support unit and the liquid supply unit,
The controller is
a first cleaning step of supplying a first cleaning liquid from the liquid supply unit toward the cleaning substrate while the cleaning substrate is placed on the support unit and rotating the support unit to clean the cup; In a state in which the cleaning substrate is removed, a second cleaning liquid is supplied from the liquid supply unit toward the support unit and at the same time the support unit is rotated to perform a second cleaning step of cleaning the cup and the support unit, respectively. A substrate processing apparatus for controlling the support unit and the liquid supply unit. 제1항에 있어서,
상기 제어기는 상기 1차 세정단계와 상기 2차 세정단계 중 어느 하나가 수행된 후, 곧바로 다른 하나를 수행되도록 상기 지지 유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
and the controller controls the support unit and the liquid supply unit so that the other is immediately performed after either one of the first cleaning step and the second cleaning step is performed. 제1항에 있어서,
상기 지지 유닛은;
기판이 놓이는 스핀 헤드와;
상기 스핀 헤드 하부에서 상기 스핀 헤드를 지지하도록 제공되는 지지축과;
상기 지지축을 회전시키는 구동부와;
상기 스핀 헤드 상부로 돌출되게 위치하고 처리용 기판의 측부를 지지하는 척킹핀과; 그리고
상기 스핀 헤드 상부로 돌출되게 위치하고, 처리용 기판의 저면을 지지하는 지지핀;을 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
the support unit;
a spin head on which the substrate is placed;
a support shaft provided to support the spin head under the spin head;
a driving unit for rotating the support shaft;
a chucking pin positioned to protrude above the spin head and supporting a side of the substrate for processing; and
and a support pin positioned to protrude above the spin head and supporting a bottom surface of the substrate for processing. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1세정액과 상기 제2세정액은 동일한 세정액인 기판 처리 장치.3. The method of claim 1 or 2,
The first cleaning liquid and the second cleaning liquid are the same cleaning liquid. 제3항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는 상기 스핀헤드의 저면에서 아래로 일정거리 이격되어 제공되며,
상기 컵의 내측을 향해 직접 세정액을 토출하는 제1토출구가 형성된 세정 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
The substrate processing apparatus is provided to be spaced apart from the bottom surface of the spin head by a predetermined distance,
and a cleaning member having a first discharge port for discharging the cleaning liquid directly toward the inside of the cup. 제5항에 있어서,
상기 세정 부재에는,
상기 스핀 헤드의 저면으로 직접 세정액을 분사하는 제2토출구와; 상기 지지축을 향하여 직접 세정액을 분사하는 제3토출구가 더 형성하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
In the cleaning member,
a second discharge port for directly jetting the cleaning liquid to the bottom surface of the spin head; A substrate processing apparatus further comprising a third discharge port for directly jetting the cleaning liquid toward the support shaft. 제5항에 있어서,
상기 세정 부재는 상기 지지축에 결합되는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The cleaning member is coupled to the support shaft. 기판 처리 장치에 있어서,
인덱스 모듈;과
버퍼 유닛;과
처리 모듈을 포함하되,
상기 인덱스 모듈은;
기판이 수납된 용기가 놓이는 로드포트와;
상기 로드포트에 놓인 상기 용기와 상기 버퍼 유닛 간에 기판을 이동하는 인덱스 로봇을 포함하며,
상기 처리 모듈은,
처리용 기판을 처리하는 공정 챔버와;
상기 공정 챔버와 상기 버퍼 유닛 간에 기판을 이송하는 이송 로봇을 포함하며;
상기 공정 챔버는,
처리 공간을 가지는 컵과;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지되는 처리용 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛과;
상기 지지 유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는,
상기 지지 유닛에 세정용 기판이 놓인 상태에서 상기 액 공급 유닛에서 상기 세정용 기판을 향해 제1세정액을 공급함과 동시에 상기 지지 유닛을 회전시켜 상기 컵을 세정하는 1차 세정단계와, 상기 지지 유닛에서 상기 세정용 기판이 제거 된 상태에서 상기 액 공급 유닛에서 상기 지지 유닛을 향해 제2세정액을 공급함과 동시에 상기 지지 유닛을 회전시켜 상기 컵과 상기 지지 유닛을 세정하는 2차 세정단계를 각각 수행하도록 하는 상기 지지 유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
index module; and
buffer unit; and
a processing module;
The index module;
a load port in which the container in which the substrate is accommodated is placed;
and an index robot that moves a substrate between the container placed in the load port and the buffer unit,
The processing module is
a process chamber for processing the substrate for processing;
a transfer robot for transferring substrates between the process chamber and the buffer unit;
The process chamber,
a cup having a processing space;
a support unit for supporting a substrate in the processing space;
a liquid supply unit for supplying a liquid to the processing substrate supported by the support unit;
A controller for controlling the support unit and the liquid supply unit,
The controller is
a first cleaning step of supplying a first cleaning liquid from the liquid supply unit toward the cleaning substrate while the cleaning substrate is placed on the support unit and rotating the support unit to clean the cup; In a state in which the cleaning substrate is removed, a second cleaning liquid is supplied from the liquid supply unit toward the support unit, and a second cleaning step of cleaning the cup and the support unit is performed by rotating the support unit, respectively. A substrate processing apparatus for controlling the support unit and the liquid supply unit. 제8항에 있어서,
상기 버퍼 유닛은,
처리용 기판을 보관하는 처리기판 대기부재와;
세정용 기판을 보관하는 세정기판 대기부재를 포함하는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The buffer unit is
a processing substrate waiting member for storing the processing substrate;
A substrate processing apparatus comprising a cleaning substrate waiting member for storing a cleaning substrate. 제9항에 있어서,
상기 처리기판 대기부재는 상기 처리용 기판을 지지하며 상하로 적층되는 복수의 처리기판 지지대를 포함하고,
상기 세정기판 대기부재는 상기 세정용 기판을 지지하며 상하로 적층되는 복수의 세정기판 지지대를 더 포함하며,
상기 처리기판 지지대들의 간격과 상기 세정기판 지지대들 간의 간격은 서로 상이하게 제공되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The processing substrate waiting member includes a plurality of processing substrate supports that support the processing substrate and are stacked up and down,
The cleaning substrate waiting member further includes a plurality of cleaning substrate supports that support the cleaning substrate and are stacked up and down,
and a spacing between the processing substrate supports and a spacing between the cleaning substrate supports are provided to be different from each other. 제10항에 있어서,
상기 처리기판 지지대들의 간격은 상기 세정기판 지지대들의 간격보다 넓게 제공되는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
A spacing between the processing substrate supports is provided to be wider than a spacing between the cleaning substrate supports. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리기판 대기부재는 상기 세정기판 대기부재의 상부에 위치하는 기판 처리 장치.12. The method according to any one of claims 9 to 11,
The processing substrate waiting member is a substrate processing apparatus positioned above the cleaning substrate waiting member. 제8항에 있어서,
상기 지지 유닛은;
기판이 놓이는 스핀 헤드와;
상기 스핀 헤드 하부에서 상기 스핀 헤드를 지지하도록 제공되는 지지축과;
상기 지지축을 회전시키는 구동부와;
상기 스핀 헤드 상부로 돌출되게 위치하고 처리용 기판의 측부를 지지 하는 척킹핀과; 그리고
상기 스핀 헤드 상부로 돌출되게 위치하고, 처리용 기판의 저면을 지지하는 지지핀을 포함하는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
the support unit;
a spin head on which the substrate is placed;
a support shaft provided to support the spin head under the spin head;
a driving unit for rotating the support shaft;
a chucking pin positioned to protrude above the spin head and supporting a side of the substrate for processing; and
and a support pin positioned to protrude above the spin head and supporting a bottom surface of the substrate for processing. 제8항에 있어서,
상기 제1세정액과 상기 제2세정액을 동일한 세정액으로 제공되는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
A substrate processing apparatus in which the first cleaning liquid and the second cleaning liquid are provided as the same cleaning liquid. 컵 내에서 처리용 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하고 상기 처리용 기판에 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 세정하는 방법에 있어서,
상기 지지 유닛에 세정용 기판이 놓인 상태에서 상기 액 공급 유닛에서 상기 세정용 기판을 향해 제1세정액을 공급함과 동시에 상기 지지 유닛을 회전시켜 상기 컵을 세정하는 1차 세정단계와,
상기 지지 유닛에서 상기 세정용 기판이 제거된 상태에서 상기 액 공급 유닛에서 상기 지지 유닛을 향해 제2세정액을 공급함과 동시에 상기 지지 유닛을 회전시켜 상기 컵과 상기 지지 유닛을 세정하는 2차 세정단계를 각각 수행하는 세정 방법.A method of cleaning a substrate processing apparatus comprising a support unit for supporting a substrate for processing in a cup and supplying a liquid to the substrate for processing to process the substrate, the method comprising:
a first cleaning step of supplying a first cleaning liquid from the liquid supply unit toward the cleaning substrate while the cleaning substrate is placed on the support unit and rotating the support unit to clean the cup;
a second cleaning step of supplying a second cleaning liquid from the liquid supply unit toward the support unit while the cleaning substrate is removed from the support unit and rotating the support unit to clean the cup and the support unit; Each cleaning method performed. 제15항에 있어서,
상기 1차 세정단계와 상기 2차 세정단계 중 어느 하나가 수행된 후 곧바로 다른 하나를 수행되도록 하는 세정 방법.16. The method of claim 15,
A cleaning method such that the other is performed immediately after any one of the first cleaning step and the second cleaning step is performed. 제15항에 있어서,
상기 세정용 기판은 상기 지지유닛에 제공된 척킹핀에 의해 그 측부가 지지되고, 상기 지지 유닛에 제공된 지지핀에 의해 그 하부가 지지되는 세정방법.16. The method of claim 15,
A cleaning method in which a side of the cleaning substrate is supported by a chucking pin provided in the support unit, and a lower portion thereof is supported by a support pin provided in the support unit. 제15항 내지 17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1세정액과 상기 제2세정액을 동일한 세정액으로 제공되는 세정 방법.
18. The method according to any one of claims 15 to 17,
A cleaning method in which the first cleaning liquid and the second cleaning liquid are provided as the same cleaning liquid.
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