KR101041451B1 - Substrate supporting member, substrate polishing apparatus having the same and method of polishing substrate using the same - Google Patents
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Abstract
기판 지지부재는 스핀 헤드 및 에어 나이프를 구비한다. 스핀 헤드는 상면에 기판을 고정시키고, 내부에 가스가 유입되는 가스 유로를 제공한다. 에어 나이프는 스핀 헤드에 고정 결합되고, 스핀 헤드로부터 이격되어 스핀 헤드를 둘러싸며, 가스가 스핀 헤드와 이격된 사이로 분사되도록 가스 유로로부터 배출된 가스의 흐름을 가이드한다. 이에 따라, 기판 지지부재는 기판의 배면에 가스를 분사하여 기판의 배면에 이물이 유입되는 것을 방지하므로, 기판의 오염을 방지하고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.The substrate support member includes a spin head and an air knife. The spin head secures the substrate to the upper surface and provides a gas flow path through which gas is introduced. The air knife is fixedly coupled to the spin head, is spaced apart from the spin head, surrounds the spin head, and guides the flow of gas discharged from the gas flow path so that the gas is injected between the spin head and the spin head. Accordingly, the substrate supporting member prevents foreign matter from entering the rear surface of the substrate by spraying gas on the rear surface of the substrate, thereby preventing contamination of the substrate and improving the yield of the product.
Description
본 발명은 반도체 제조 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 기판을 매엽 처리 방식으로 연마 및 세정하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a method for polishing and cleaning a semiconductor substrate by a sheet-fed treatment method.
일반적으로 반도체 소자의 제조 공정은 박막의 형성 및 적층을 위해 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 등 다수의 단위 공정들을 반복 수행해야만 한다. 웨이퍼 상에 요구되는 소정의 회로 패턴이 형성될 때까지 이들 공정은 반복되며, 회로 패턴이 형성된 후 웨이퍼의 표면에는 많은 굴곡이 생기게 된다. 최근 반도체 소자는 고집적화에 따라 그 구조가 다층화되며, 웨이퍼 표면의 굴곡의 수와 이들 사이의 단차가 증가하고 있다. 웨이퍼 표면의 비평탄화는 사진 공정에서 디포커스(Defocus) 등의 문제를 발생시키므로 웨이퍼의 표면을 평탄화하기 위해 주기적으로 웨이퍼 표면을 연마하여야 한다.In general, a semiconductor device manufacturing process must repeatedly perform a plurality of unit processes such as a deposition process, a photo process, and an etching process to form and stack thin films. These processes are repeated until the desired circuit pattern is formed on the wafer, and after the circuit pattern is formed, a lot of bending occurs on the surface of the wafer. In recent years, as semiconductor devices become highly integrated, their structures are multilayered, and the number of bends on the surface of the wafer and the step between them are increasing. Unplanarization of the wafer surface causes problems such as defocus in the photolithography process, and thus the wafer surface must be polished periodically to planarize the surface of the wafer.
웨이퍼의 표면을 평탄화하기 위해 다양한 표면 평탄화 기술이 있으나 이 중 좁은 영역뿐만 아니라 넓은 영역의 평탄화에 있어서도 우수한 평탄도를 얻을 수 있는 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing : CMP) 장치가 주로 사용된다. 화학적 기계적 연마 장치는 텅스텐이나 산화물 등이 입혀진 웨이퍼의 표면을 기계적 마찰에 의해 연마시킴과 동시에 화학적 연마재에 의해 연마시키는 장치로서, 아주 미세한 연마를 가능하게 한다. Various surface planarization techniques are used to planarize the surface of the wafer, but among them, a chemical mechanical polishing (CMP) apparatus that can obtain excellent flatness not only for narrow areas but also for wide areas is mainly used. The chemical mechanical polishing apparatus is an apparatus for polishing a surface of a wafer coated with tungsten, an oxide, or the like by mechanical friction and polishing with a chemical abrasive, and enables very fine polishing.
또한, 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하기 위한 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체 제조를 위한 각 단위 공정들의 전후 단계에서 기판의 세정 공정이 실시되고 있다.In addition, as semiconductor devices become more dense, highly integrated, and higher in performance, miniaturization of circuit patterns proceeds rapidly, and contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the substrate surface have a great effect on device characteristics and production yield. Get mad. For this reason, a cleaning process for removing various contaminants adhering to the substrate surface is very important in the semiconductor manufacturing process, and the substrate cleaning process is performed at the front and rear stages of each unit process for semiconductor manufacturing.
본 발명의 목적은 제품의 수율을 향상시킬 수 있는 기판 지지부재를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a substrate support member capable of improving the yield of a product.
또한, 본 발명의 목적은 상기한 기판 지지부재를 구비하는 기판 연마 장치를 제공하는 것이다.It is also an object of the present invention to provide a substrate polishing apparatus having the substrate support member described above.
또한, 본 발명의 목적은 상기한 기판 지지부재를 이용하여 기판을 연마하는 방법을 제공하는 것이다.It is also an object of the present invention to provide a method for polishing a substrate using the substrate support member described above.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 지지부재는 스핀 헤드, 지지부 및 에어 나이프로 이루어진다.According to one aspect of the present invention, a substrate support member includes a spin head, a support, and an air knife.
스핀 헤드는 상면에 기판을 고정시키고, 내부에 가스가 유입되는 가스 유로를 제공한다. 지지부는 상기 스핀 헤드의 아래에 설치되고, 상기 스핀 헤드를 회전시킨다. 에어 나이프는 상기 스핀 헤드에 고정 결합되고, 상기 스핀 헤드로부터 이격되어 상기 스핀 헤드를 둘러싸며, 상기 가스가 상기 스핀 헤드와 이격된 사이로 분사되도록 상기 가스 유로로부터 배출된 유입된 상기 가스의 흐름을 가이드한다.The spin head secures the substrate to the upper surface and provides a gas flow path through which gas is introduced. A support is provided below the spin head and rotates the spin head. An air knife is fixedly coupled to the spin head, is spaced from the spin head to surround the spin head, and guides the flow of the introduced gas discharged from the gas flow path so that the gas is injected between the spin head and the spin head. do.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 연마 장치는 기판 지지부재 및 연마 유닛으로 이루어진다.Further, the substrate polishing apparatus according to one feature for realizing the above object of the present invention comprises a substrate supporting member and a polishing unit.
기판 지지부재는 기판을 지지한다. 연마 유닛은 상기 기판 지지부재에 안착된 기판을 연마한다. 구체적으로, 상기 기판 지지부재는 스핀 헤드, 지지부 및 에 어 나이프를 구비한다. 스핀 헤드는 상면에 기판을 고정시키고, 내부에 가스가 유입되는 가스 유로를 제공한다. 지지부는 상기 스핀 헤드의 아래에 설치되고, 상기 스핀 헤드를 회전시킨다. 에어 나이프는 상기 스핀 헤드에 고정 결합되고, 상기 스핀 헤드로부터 이격되어 상기 스핀 헤드를 둘러싸며, 상기 가스가 상기 스핀 헤드와 이격된 사이로 분사되도록 상기 가스 유로로부터 배출된 유입된 상기 가스의 흐름을 가이드한다.The substrate support member supports the substrate. The polishing unit polishes the substrate seated on the substrate support member. Specifically, the substrate support member includes a spin head, a support portion, and an air knife. The spin head secures the substrate to the upper surface and provides a gas flow path through which gas is introduced. A support is provided below the spin head and rotates the spin head. An air knife is fixedly coupled to the spin head, is spaced from the spin head to surround the spin head, and guides the flow of the introduced gas discharged from the gas flow path so that the gas is injected between the spin head and the spin head. do.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 연마 방법은 다음과 같다. 먼저, 스핀 헤드의 상면에 기판을 안착시킨다. 연마 유닛이 상기 기판의 상면을 연마한다. 상기 기판을 상기 스핀 헤드로부터 이격시킴과 동시에 상기 기판의 배면 단부에 가스를 분사하여 상기 기판의 연마 과정에서 사용된 용액이 기판의 배면으로 유입되는 것을 방지한다.In addition, the substrate polishing method according to one feature for realizing the above object of the present invention is as follows. First, the substrate is mounted on the upper surface of the spin head. The polishing unit polishes the upper surface of the substrate. The substrate is spaced apart from the spin head and at the same time a gas is injected to the rear end of the substrate to prevent the solution used in the polishing process of the substrate from flowing into the rear of the substrate.
상술한 본 발명에 따르면, 기판 지지부재는 기판의 배면 단부에 가스를 분사하여 연마에 사용된 용액이 기판의 배면으로 유입되는 것을 방지하므로, 기판의 오염을 방지하고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention described above, the substrate support member sprays gas to the back end of the substrate to prevent the solution used for polishing from flowing into the back of the substrate, thereby preventing contamination of the substrate and improving the yield of the product. have.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다. 이하에서는, 웨이퍼를 반도체 기판의 일례로 설명하나, 본 발명의 기술적 사상과 범위는 이에 한정되지 않는다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, the wafer will be described as an example of a semiconductor substrate, but the spirit and scope of the present invention are not limited thereto.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 연마 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 매엽식 연마 시스템을 나타낸 측면도이다.1 is a view schematically showing a sheet type polishing system according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view illustrating the sheet type polishing system shown in FIG. 1.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(2000)은 로딩/언로딩부(10), 인덱스 로봇(Index Robot)(20), 버퍼부(30), 메인 이송 로봇(Main Transfer Robot)(50), 다수의 기판 연마부(1000) 및 제어부(60)를 포함할 수 있다.1 and 2, the
상기 로딩/언로딩부(10)는 다수의 로드 포트(11a, 11b, 11c, 11d)를 포함한다. 이 실시예에 있어서, 상기 로딩/언로딩부(11)는 네 개의 로드 포트(11a, 11b, 11c, 11d)를 구비하나, 상기 로드 포트(11a, 11b, 11c, 11d)의 개수는 상기 기판 처리 시스템(2000)의 공정 효율 및 풋 프린트(Foot print) 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.The loading /
상기 로드 포트들(11a, 11b, 11c, 11d)에는 웨이퍼들이 수납되는 풉들(Front Open Unified Pods: FOUPs)(12a, 12b, 12c, 12d)이 안착된다. 각 풉(12a, 12b, 12c, 12d)은 웨이퍼들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. 상기 풉(12a, 12b, 12c, 12d)에는 각 기판 연마부(1000)에서 처리가 완료된 웨이퍼들 또는 상기 각 기판 연마부(1000)에 투입할 웨이퍼들을 수납한다. 이하, 설명의 편의를 위해, 상기 각 기판 연마부(1000)에 의해 처리가 완료된 웨이퍼를 가공 웨이퍼라 하고, 아직 처리되지 않은 웨이퍼를 원시 웨이퍼라 한다.Front open unified pods (FOUPs) 12a, 12b, 12c, and 12d in which wafers are accommodated are mounted in the
상기 로딩/언로딩부(11)와 상기 버퍼부(30) 사이에는 제1 이송 통로(41)가 형성되고, 상기 제1 이송 통로(41)에는 제1 이송 레일(42)이 설치된다. 상기 인덱 스 로봇(20)은 상기 제1 이송 레일(42)에 설치되고, 상기 제1 이송 레일(42)을 따라 이동하면서 상기 로딩/언로딩부(11)와 상기 버퍼부(30) 간에 웨이퍼들을 이송한다. 즉, 상기 인덱스 로봇(20)은 상기 로딩/언로딩부(11)에 안착된 풉(12a, 12b, 12c, 12d)으로부터 적어도 한 매의 원시 웨이퍼를 인출하여 상기 버퍼부(30)에 적재한다. 또한, 상기 인덱스 로봇(20)은 상기 버퍼부(30)로부터 적어도 한 매의 가공 웨이퍼를 인출하여 상기 로딩/언로딩부(11)에 안착된 풉(12a, 12b, 12c, 12d)에 적재한다.A
한편, 상기 버퍼부(30)는 상기 제1 이송 통로(41)의 일측에 설치된다. 상기 버퍼부(30)는 상기 인덱스 로봇(20)에 의해 이송된 원시 웨이퍼들을 수납하고, 상기 기판 연마부들에서 처리된 가공 웨이퍼들을 수납한다.On the other hand, the
상기 메인 이송 로봇(50)은 제2 이송 통로(43)에 설치된다. 상기 제2 이송 통로(43)에는 제2 이송 레일(44)이 구비되고, 상기 제2 이송 레일(44)에는 상기 메인 이송 로봇(50)이 설치된다. 상기 메인 이송 로봇(50)은 상기 제2 이송 레일(44)을 따라 이동하면서, 상기 버퍼부(30)와 상기 기판 연마부들 간에 웨이퍼를 이송한다. 즉, 상기 메인 이송 로봇(50)은 상기 버퍼부(30)로부터 적어도 한 매의 원시 웨이퍼를 인출하여 상기 기판 연마부(1000)에 제공하고, 상기 기판 연마부(1000)에서 처리된 웨이퍼, 즉 가공 웨이퍼를 상기 버퍼부(30)에 적재한다.The
상기 제2 이송 통로(43)의 양측에는 상기 기판 연마부들이 배치되고, 각 기판 연마부(1000)는 상기 원시 웨이퍼를 연마 및 세정하여 상기 가공 웨이퍼로 만든다. 상기 기판 연마부들은 적어도 두 개 이상의 기판 연마부가 상기 제2 이송 통 로(43)를 사이에 두고 서로 마주하게 배치된다. 본 발명의 일례로, 기판 연마부들은 평면상에서 볼 때 상기 제2 이송 통로(43) 양측에 각각 두 개씩 상기 제2 이송 통로(43)를 따라 병렬 배치되나, 상기 제2 이송 통로(43)의 양 측에 각각 배치되는 기판 연마부의 개수는 상기 기판 연마 시스템(2000)의 공정 효율 및 풋 프린트에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.The substrate polishing units are disposed at both sides of the
또한, 상기 기판 연마부들은 다층으로 배치될 수 있다. 본 발명의 일 례로, 상기 기판 연마부들은 한 층에 두 개씩 두 개의 층으로 적층된다.In addition, the substrate polishing units may be arranged in multiple layers. In one example of the present invention, the substrate polishing units are stacked in two layers, two in one layer.
즉, 상기 기판 연마부들은 8개의 기판 연마부들로 이루어지고, 한층에 두 개씩 이층으로 배치된 4개의 기판 연마부들이 상기 제2 이송 통로(43)의 양 측에 각각 배치된다. 상기 기판 연마부들이 적층되는 층의 개수, 각 층에 배치되는 기판 연마부의 개수 및 상기 기판 연마부들이 연속하여 병렬 배치되는 열의 개수는 상기 기판 연마 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 상기 기판 연마부들이 병렬 배치되는 열의 개수가 증가할 경우, 상기 제2 이송 통로(43) 및 상기 메인 이송 로봇(50)의 개수 또한 증가한다. 또한, 상기 기판 연마부들이 적층되는 층의 개수가 증가할 경우, 상기 메인 이송 로봇(50)의 개수 또한 증가할 수 있다.That is, the substrate polishing units are composed of eight substrate polishing units, and four substrate polishing units disposed in two layers, two in one layer, are disposed at both sides of the
이와 같이, 상기 기판 연마부들이 다수의 층 및 다수의 열로 배치되므로, 상기 기판 연마 시스템(2000)은 동시에 다수의 웨이퍼를 연마 및 세정할 수 있다. 이에 따라, 상기 기판 연마 시스템(2000)은 공정 효율 및 생상성이 향상되고, 풋 프린트를 감소시킬 수 있다.As such, since the substrate polishing portions are disposed in a plurality of layers and a plurality of rows, the
한편, 각 기판 연마부(1000)는 상기 제어부(60)와 연결되고, 상기 제어부(60)의 제어에 따라 원시 웨이퍼를 연마 및 세정한다.Meanwhile, each
이하, 도면을 참조하여 상기 기판 연마부(1000)의 구성에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the structure of the
도 3은 도 1에 도시된 기판 연마 장치를 나타낸 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 기판 지지 유닛 및 처리 용기를 구체적으로 나타낸 부분 절개 사시도이다. 3 is a perspective view illustrating the substrate polishing apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 4 is a partially cut perspective view illustrating the substrate support unit and the processing container illustrated in FIG. 3 in detail.
도 1, 도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 기판 연마 시스템(2000)은 웨이퍼(70)의 상면을 연마하는 연마 공정 및 연마 공정 후 웨이퍼(70)의 표면을 세정하는 세정 공정을 하나의 기판 연마부(1000) 내에서 순차적으로 진행할 수 있다.1, 3, and 4, the
구체적으로, 상기 기판 연마부(1000)는 기판 지지 유닛(100), 용기 유닛(bowl unit)(200), 연마 유닛(300), 제1 및 제2 처리액 공급 유닛(400, 500), 브러쉬 유닛(600), 에어로졸 유닛(700) 및 패드 컨디셔닝 유닛(800)을 포함할 수 있다.In detail, the
상기 기판 지지 유닛(100)은 상기 메인 이송 로봇(50)으로부터 이송된 웨이퍼(70)가 안착된다. 상기 기판 지지 유닛(100)은 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정과 세정 공정이 이루어지는 동안 상기 웨이퍼(70)를 지지 및 고정시킨다. 상기 기판 지지 유닛(100)은 상기 웨이퍼(70)가 안착되는 스핀 헤드(110) 및 상기 스핀 헤드(110)를 지지하는 지지부(120)를 포함할 수 있다. 상기 스핀 헤드(110)는 평면상에서 볼 때, 대체로 원 형상을 갖고, 상면으로부터 하면으로 갈수록 점차 폭이 감 소한다. 본 발명의 일례로, 상기 스핀 헤드(110)는 상기 웨이퍼(70)를 지지하는 상면의 크기가 상기 웨이퍼(70)의 크기보다 작다. 따라서, 측면에서 볼 때 상기 스핀 헤드(110)에 안착된 웨이퍼(70)는 단부가 상기 스핀 헤드(110)의 상면 단부보다 외측으로 돌출된다. 상기 스핀 헤드(110)의 아래에는 상기 지지부(120)가 설치된다. 상기 지지부(120)는 대체로 원기둥 형상을 가지며, 상기 스핀 헤드(110)와 결합하고, 연마 공정 및 세정 공정이 진행되는 동안 상기 스핀 헤드(110)를 회전시킨다.The
상기 기판 지지 유닛(100)의 각 구성에 대한 구체적인 설명은 후술하는 도 5 내지 도 12에서 하기로 한다.A detailed description of each configuration of the
상기 기판 지지 유닛(100)은 상기 용기 유닛(200) 내부에 수용된다. 상기 용기 유닛(200)은 제1 및 제2 처리 용기(process bowl)(210, 220), 제1 및 제2 회수통(recovery vat)(230, 240), 제1 및 제2 회수관(251, 252), 및 승강부재(260)를 포함할 수 있다.The
구체적으로, 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)는 상기 기판 지지유닛(100)을 둘러싸고, 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정 및 세정 공정이 이루어지는 공정 공간을 제공한다. 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)는 각각 상부가 개방되며, 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)의 개방된 상부를 통해 상기 스핀 헤드(110)가 노출된다. 이 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)는 원형의 링 형상을 가지나, 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)의 형상은 이에 국한되지 않고 다양한 형상을 가질 수 있다.In detail, the first and
구체적으로, 상기 제1 처리 용기(210)는 측벽(211), 상판(212) 및 가이드 부(213)를 포함할 수 있다. 상기 측벽(211)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 상기 기판 지지 유닛(100)을 둘러싼다.In detail, the
상기 측벽(211)의 상단부는 상기 상판(212)과 연결된다. 상기 상판(212)은 상기 측벽(211)으로부터 연장되어 형성되고, 상기 측벽(211)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 경사면으로 이루어진다. 상기 상판(212)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 평면상에서 볼 때 상기 스핀 헤드(110)로부터 이격되어 상기 스핀 헤드(110)를 둘러싼다.An upper end of the
상기 가이드부(213)는 제1 및 제2 가이드 벽(213a, 213b)을 포함한다. 상기 제1 가이드 벽(213a)은 상기 측벽(211)의 내벽으로부터 돌출되어 상기 상판(212)과 마주하며, 상기 측벽으로부터 멀어질수록 하향 경사진 경사면으로 이루어지고, 원형의 링 형상을 갖는다. 상기 제2 가이드 벽(213b)은 상기 제1 가이드 벽(213a)으로부터 아래로 수직하게 연장되고, 상기 측벽(211)과 마주하며, 원형의 링 형상을 갖는다. 상기 가이드부(213)는 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정중 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)과 상판(212)의 내면들측으로 비산된 처리액이 상기 제1 회수통(230) 측으로 흐르도록 가이드한다.The
상기 제1 처리 용기(210)의 외측에는 상기 제2 처리 용기(220)가 설치된다. 상기 제2 처리 용기(220)는 상기 제1 처리 용기(210)를 둘러싸고, 상기 제1 처리 용기(210)보다 큰 크기를 갖는다.The
구체적으로, 상기 제2 처리 용기(220)는 측벽(221) 및 상판(222)을 포함할 수 있다. 상기 측벽(221)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 상기 제1 처리 용 기(210)의 측벽(211)을 둘러싼다. 상기 측벽(221)은 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)과 이격되어 위치하며, 상기 제1 처리 용기(210)와 연결된다.In detail, the
상기 측벽(221)의 상단부는 상기 상판(222)과 연결된다. 상기 상판(222)은 상기 측벽(221)으로부터 연장되어 형성되고, 상기 측벽(221)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 경사면으로 이루어진다. 상기 상판(222)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 평면상에서 볼 때 상기 스핀 헤드(110)로부터 이격되어 상기 스핀 헤드(110)를 둘러싼다. 상기 상판(222)은 상기 제1 처리 용기(210)의 상판(211) 상부에서 상기 제1 처리 용기(210)의 상판(211)과 마주하며, 상기 제1 처리 용기(210)의 상판(211)과 이격되어 위치한다.An upper end of the
상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)의 아래에는 연마 공정 및 세정 공정에서 사용된 처리액들을 회수하는 상기 제1 및 제2 회수통(230, 240)이 설치된다. 상기 제1 및 제2 회수통(230, 240)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 상부가 개방된다. 이 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 회수통(230, 240)은 원형의 링 형상을 가지나, 상기 제1 및 제2 회수통(230, 240)의 형상은 이에 국한되지 않고 다양하게 형성될 수 있다.Under the first and
상기 제1 회수통(230)은 상기 제1 처리 용기(210)의 아래에 설치되고, 연마 공정에서 사용된 처리액을 회수한다. 제2 회수통(240)은 상기 제2 처리 용기(220)의 아래에 설치되고, 세정 공정에서 사용된 처리액을 회수한다.The
구체적으로, 상기 제1 회수통(230)은 바닥판(231), 제1 측벽(232), 제2 측벽(233) 및 연결부(234)를 포함할 수 있다. 상기 바닥판(231)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 상기 지지부(220)를 둘러싼다. 본 발명의 일례로, 상기 바닥판(231)은 상기 제1 회수통(230)에 회수된 처리액의 배출을 용이하게 하기 위해 종단면이 'V' 형상을 갖는다. 이에 따라, 상기 바닥판(231)에는 링 형상의 회수 유로(231a)가 형성되며, 상기 처리액의 배출 및 회수가 용이하다.In detail, the
상기 제1 측벽(232)은 상기 바닥판(231)으로부터 수직하게 연장되어 처리액을 회수하는 제1 회수 공간(RS1)을 형성한다. 상기 제2 측벽(233)은 상기 제1 측벽(232)으로부터 이격되어 상기 제1 측벽(232)과 마주한다. 상기 연결부(234)는 상기 제1 측벽(232)의 상단부 및 상기 제2 측벽(233)의 상단부와 연결되고, 상기 제1 측벽(232)으로부터 상기 제2 측벽(233)으로 갈수록 상향 경사진 경사면으로 이루어진다. 상기 연결부(234)는 상기 제1 회수 공간(RS1) 밖으로 떨어진 처리액이 상기 제1 회수 공간(RS1)에 유입되도록 상기 제1 회수 공간(RS1) 측으로 가이드한다.The
상기 제1 회수통(230)의 외측에는 상기 제2 회수통(240)이 설치된다. 상기 제2 회수통(240)은 상기 제1 회수통(230)을 둘러싸고, 상기 제1 회수통(230)으로부터 이격되어 위치한다. 구체적으로, 상기 제2 회수통(240)은 바닥판(241), 제1 측벽(242) 및 제2 측벽(243)을 포함할 수 있다. 상기 바닥판(241)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 상기 제1 회수통(230)의 바닥판(231)을 둘러싼다. 본 발명의 일례로, 상기 바닥판(241)은 상기 제2 회수통(240)에 회수된 처리액의 배출을 용이하게 하기 위해 종단면이 'V' 형상을 갖는다. 이에 따라, 상기 바닥판(241)에는 링 형상의 회수 유로(241a)가 형성되며, 처리액의 배출 및 회수가 용이하다.The
상기 제1 및 제2 측벽(242, 243)은 상기 바닥판(241)으로부터 수직하게 연장 되어 처리액을 회수하는 제2 회수 공간(RS2)을 형성하며, 원형의 링 형상을 갖는다. 상기 제1 측벽(242)은 상기 제1 회수통(230)의 제1 측벽(232)과 제2 측벽(233)과의 사이에 위치하고, 상기 제1 회수통(230)의 제1 측벽(232)을 둘러싼다. 상기 제2 회수통(240)의 제2 측벽(243)은 상기 바닥판(241)을 사이에두고 상기 제1 측벽(242)과 마주하고, 상기 제1 측벽(242)을 둘러싼다. 상기 제2 회수통(240)의 제2 측벽(243)은 상기 제1 회수통(230)의 제2 측벽(233)을 둘러싸며, 상단부가 상기 제2 처리 용기(220)의 측벽(222) 외측에 위치한다.The first and
상기 웨이퍼(70)의 연마 및 세정 공정시, 각 공정에 따라 상기 스핀 헤드(110)와 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220) 간의 수직 위치가 변경되며, 상기 제1 및 제2 회수통(230, 240)은 서로 다른 공정에서 사용된 처리액을 회수한다.During the polishing and cleaning process of the
구체적으로, 상기 연마 공정시 상기 스핀 헤드(110)는 제1 처리 용기(210) 안에 배치되며, 상기 제1 처리 용기(210) 내부에서 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정이 이루어진다. 연마 공정이 이루어지는 동안 상기 스핀 헤드(110)의 회전에 의해 상기 웨이퍼(70)가 회전한다. 이에 따라, 상기 연마 공정 시 상기 웨이퍼(70)에 분사된 처리액이 상기 웨이퍼(70)의 회전력에 의해 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211) 내면 및 상판(212) 내면측으로 비산된다. 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)과 상판(212)의 내면들에 묻은 처리액은 상기 제1 처리 용기(210)의 상판(212) 및 측벽(211)을 따라 중력 방향으로 흘러 상기 가이드부(213)에 도달하고, 상기 가이드부(213)의 내면을 따라 중력 방향으로 흘러 상기 제1 회수통(230)에 회수된다.Specifically, during the polishing process, the
연마 공정 후 세정 공정시, 상기 스핀 헤드(110)는 상기 제1 처리 용기(210)의 상부에서 상기 제2 처리 용기(220)의 상판(222) 아래에 배치되며, 세정 공정이 이루어지는 동안 회전한다. 이에 따라, 세정 공정에서 상기 웨이퍼에 제공된 처리액이 상기 제2 처리 용기(220)의 상판(222) 내면과 측벽(221) 내면 및 상기 제1 처리 용기(210)의 외면측으로 비산된다. 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)은 상기 제2 회수통(240)의 바닥판(241) 상부에 위치하며, 상기 제1 처리 용기(210)의 외면에 묻은 처리액은 상기 제1 처리 용기(210)의 외면을 따라 중력 방향으로 흘러 상기 제2 회수통(240)에 회수된다. 또한, 상기 제2 처리 용기(220)의 내면에 묻은 처리액은 상기 제2 처리 용기(220)의 내면을 따라 중력 방향으로 흘러 상기 제2 회수통에 회수된다.During the cleaning process after the polishing process, the
이와 같이, 상기 제1 회수통(230)은 연마 공정에서 사용된 처리액을 회수하고, 상기 제2 회수통(240)은 세정 공정에서 사용된 처리액을 회수한다. 이에 따라, 상기 용기 유닛(200)은 용기 유닛(200) 내에서 이루어진 각 공정 단계별로 처리액을 분리 회수할 수 있으므로, 처리액의 재이용이 가능하고, 처리액의 회수가 용이하다.As described above, the
상기 제1 회수통(230)은 상기 제1 회수관(251)과 연결되고, 상기 제2 회수통(240)은 상기 제2 회수관(252)이 연결된다. 상기 제1 회수관(251)은 상기 제1 회수통(230)의 바닥판(231)에 결합되고, 상기 제1 회수통(230)의 바닥판(231)에는 상기 제1 회수관(251)과 연통되는 제1 회수홀(231b)이 형성된다. 상기 제1 회수통(230)의 제1 회수 공간(RS1)에 회수된 처리액은 상기 제1 회수홀(231b)을 경유하 여 상기 제1 회수관(251)을 통해 외부로 배출된다.The
이 실시예에 있어서, 상기 용기 유닛(200)은 두 개의 처리 용기(210, 220)와 두 개의 회수통(230, 240)을 구비하나, 상기 처리 용기(210, 220)와 상기 회수통(230, 240)의 개수는 연마 공정 및 세정 공정에서 사용되는 처리액들의 종류수 및 분리 회수할 처리액의 종류수에 따라 증가할 수도 있다.In this embodiment, the
상기 제2 회수관(252)은 상기 제2 회수통(240)의 바닥판(241)에 결합되고, 상기 제2 회수통(240)의 바닥판(241)에는 상기 제2 회수관(252)과 연통되는 제2 회수홀(241b)이 형성된다. 상기 제2 회수통(240)의 제2 회수 공간(RS2)에 회수된 처리액은 상기 제2 회수홀(241b)을 경유하여 상기 제2 회수관(252)을 통해 외부로 배출된다.The
이 실시예에 있어서, 상기 제1 회수관(251)과 상기 제2 회수관(252)은 각각 한 개씩 구비되나, 상기 제1 및 제2 회수관(251, 252)의 개수는 상기 제1 및 제2 회수통(230, 240)의 크기 및 회수 효율에 따라 증가할 수도 있다.In this embodiment, each of the first and
한편, 상기 제2 처리 용기(220)의 외측에는 수직 이동이 가능한 상기 승강 부재(260)가 설치된다. 상기 승강 부재(260)는 상기 제2 처리 용기(220)의 측벽(221)에 결합되고, 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)의 수직 위치를 조절한다. 구체적으로, 상기 승강 부재(260)는 브라켓(261), 이동축(262) 및 구동기(263)를 포함할 수 있다. 브라켓(261)은 상기 제2 처리 용기(220)의 외측벽(221)에 고정 설치되고, 상기 이동축(262)과 결합한다. 상기 이동축(262)은 상기 구동기(263)에 연결되고, 상기 구동기(263)에 의해 상하 방향으로 이동된다. On the other hand, the lifting
상기 승강 부재(260)는 웨이퍼(70)가 스핀 헤드(110)에 안착되거나, 스핀 헤드(110)로부터 들어 올려질 때 스핀 헤드(110)가 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)의 상부로 돌출되도록 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)를 하강시킨다. 하강시, 상기 제1 회수통(230)의 제1 및 제2 측벽(232, 233)과 연결부(234)는 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)과 제1 및 제2 가이드 벽(213a, 213b)에 의해 형성된 공간 안으로 인입된다. The elevating
또한, 승강 부재(260)는 웨이퍼(10)의 연마 공정 및 세정 공정 진행시, 상기 연마 공정에서 사용된 처리액과 상기 세정 공정에서 사용된 처리액을 분리 회수하기 위해 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)를 승강 및 하강시켜 각 처리 용기(210, 220)와 상기 스핀 헤드(110) 간의 상대적인 수직 위치를 조절한다.In addition, the elevating
이 실시예에 있어서, 상기 기판 연마부(1000)는 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)를 수직 이동시켜 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)와 상기 스핀 헤드(110) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시키나, 상기 스핀 헤드(110)를 수직 이동시켜 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)와 상기 스핀 헤드(110) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.In this embodiment, the
이하, 도면을 참조하여 기판 지지 유닛(100)에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the
도 5는 도 4에 도시된 기판 지지 유닛 및 처리 용기를 부분적으로 확대하여 나타낸 부분 절개 사시도이며, 도 6은 도 5에 도시된 기판 지지 유닛을 나타낸 평면도이다.FIG. 5 is a partially cutaway perspective view partially showing an enlarged substrate support unit and a processing container shown in FIG. 4, and FIG. 6 is a plan view illustrating the substrate support unit shown in FIG. 5.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 상기 스핀 헤드(110)는 지지부(120)와 결합하는 베이스 플레이트 및 상기 베이스 플레이트의 상면에 설치된 지지 시트(114)를 포함한다. 상기 베이스 플레이트는 두 개의 층으로 이루어진 하부 플레이트(111) 및 하부 플레이트(111)의 상면에 설치된 상부 플레이트(112)를 포함한다.4 to 6, the
본 발명의 일례로, 상기 하부 플레이트(111)는 두 개의 층으로 이루어지나, 단일층 또는 세 개 이상의 층으로 이루어질 수도 있다. 상기 하부 플레이트(111)와 상기 상부 플레이트(112)의 경계부에는 진공압이 제공되는 진공 유로가 형성되고, 상기 상부 플레이트(112) 및 지지 시트(114)에는 상기 진공 유로와 연통되는 다수의 진공홀(112a)이 형성된다. 연마 공정 시, 스핀 헤드(110)는 진공홀들(112a)에 형성된 진공압을 통해 상면에 안착된 웨이퍼를 진공 흡착하고, 이에 따라, 웨이퍼가 스핀 헤드(110) 상면에 고정된다.In one example of the present invention, the
상기 지지 시트(114)는 상기 상부 플레이트(112) 상면에 설치되고, 그 상면에 웨이퍼가 안착된다. 상기 지지 시트(114)는 탄성을 갖는 재질, 예컨대, 폴리 우레탄이나 탄소 고무 또는 실리콘과 같은 재질로 이루어진다. The
이와 같이, 스핀 헤드(110)는 실질적으로 웨이퍼가 안착되는 지지 시트(114)가 탄성 재질로 이루어지므로, 연마 공정시 웨이퍼와 지지 시트(114) 사이에 이물이 개재되더라도 이 부분에서 웨이퍼가 과연마되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 연마 연공정시 진공홀들(112a) 상에 위치하는 부분과 진공홀들(112a) 상에 위치하지 않는 부분간의 압력차를 감소시켜 진공홀 주변부와 대응하는 부분이 과연마되는 것을 방지할 수 있다.As described above, since the
또한, 상기 스핀 헤드(110)는 상면에 안착된 웨이퍼를 스핀 헤드(110)의 상면으로부터 이격시키는 다수의 리프트 핀(113)을 포함한다. 상기 베이스 플레이트에는 상기 리프트 핀들(113)이 삽입되는 홀들이 형성되고, 리프트 핀들(113)은 승강 및 하강 동작을 통해 수직 이동이 가능하다. 상기 리프트 핀들(113)은 승강시 상기 지지 시트(114)의 상면으로 돌출되어 웨이퍼를 지지한다. 연마 공정시, 상기 리프트 핀들(113)은 하강하여 상기 웨이퍼를 지지하는 면이 상기 지지 시트(114)의 상면과 동일선 상에 위치한다.In addition, the
도 7은 도 5에 도시된 기판 지지 유닛을 부분적으로 확대하여 나타낸 부분 절개 사시도이다.FIG. 7 is a partially cutaway perspective view partially showing the substrate support unit shown in FIG. 5.
도 4 및 도 7을 참조하면, 상기 리프트 핀들(113)은 상기 스핀 헤드(110)의 아래에 설치된 제1 및 제2 실린더(141, 142)에 의해 승강 및 하강한다. 상기 제1 및 제2 실린더(141, 142)의 리프트 바들(141a, 142a)은 스핀 헤드(110)의 아래에 설치된 승강 플레이트(143)에 결합되고, 상기 승강 플레이트(143)는 상기 리프트 핀들(113)의 하면을 지지한다. 상기 승강 플레이트(143)는 상기 제1 및 제2 실린더(141, 142)에 의해 상하로 이동하고, 이에 따라, 상기 리프트 핀들(113)이 상하로 이동한다.4 and 7, the lift pins 113 are lifted and lowered by the first and
다시, 도 4 내지 도 6을 참조하면, 스핀 헤드(110)의 외측에는 에어 나이프(150)가 설치된다. 에어 나이프(150)는 상기 스핀 헤드(110)에 고정 결합되고, 상기 스핀 헤드(110)로부터 이격되어 상기 스핀 헤드(110)를 둘러싼다. 상기 스핀 헤드(110)의 상면은 상기 웨이퍼의 크기보다 작은 크기를 갖고, 상기 에어 나이 프(150)의 상면은 상기 웨이퍼의 외측에 위치한다.Again, referring to FIGS. 4 to 6, the
상기 스핀 헤드(110)의 하부 플레이트(111) 내에는 파지 가스가 유입되는 가스 유로(111a)가 형성되고, 상기 스핀 헤드(110)와 상기 에어 나이프(150)가 이격된 사이(151)로 상기 가스 유로(111a)로부터 배출된 파지 가스가 유입된다. 가스 유로(111a)는 상기 파지 가스가 상기 스핀 헤드(110)의 중심부로부터 상기 스핀 헤드(110)의 측면측으로 흐르도록 형성된다. 본 발명의 일례로, 상기 가스 유로(111a)는 상기 스핀 헤드(110)의 중앙부로부터 상기 스핀 헤드(110)의 측면측으로 연장된 방사 형상으로 이루어진다.In the
상기 에어 나이프(150)는 상기 가스 유로(111a)로부터 배출된 파지 가스가 상기 스핀 헤드(110)와 이격된 공간(151)을 통해 상기 스핀 헤드(110)의 측상단 측으로 분사되도록 상기 가스 유로(111a)로부터 배출된 파지 가스의 흐름을 가이드한다.The
구체적으로, 에어 나이프(150)는 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 측면에서 볼 때 상면이 상기 스핀 헤드(110)의 상면보다 위에 위치한다. 본 발명의 일례로, 상기 스핀 헤드(110)는 하면으로부터 상면으로 갈수록 점차 폭이 증가하고, 상기 에어 나이프(150)는 상기 스핀 헤드(110)의 측면과 인접한 면이 상기 스핀 헤드(110)의 측면을 따라 경사지게 형성된다.Specifically, the
상기 스핀 헤드(110)는 상기 웨이퍼(70)를 지지하는 상면이 상기 웨이퍼(70)의 크기 보다 작은 크기를 갖고, 상기 스핀 헤드(110)에 안착된 웨이퍼(70)의 단부는 상기 스핀 헤드(110)와 상기 에어 나이프(150)가 이격된 공간(153) 상부에 위치 한다. 본 발명의 일례로, 상기 스핀 헤드(110)와 상기 에어 나이프(150) 간의 간격은 약 0.1mm이다.The
상기 가스 유로(111a)를 경유하여 상기 하부 플레이트(111)의 측면으로부터 분사된 파지 가스를 상기 스핀 헤드(110)의 측상단측으로 가이드한다. 이렇게 에어 나이프(150)에 의해 스핀 헤드(110)의 측상단측으로 가이드된 파지 가스는 스핀 헤드(110)에 안착된 웨이퍼(70)의 배면 단부에 제공되고, 연마 공정에 사용된 웨이퍼(70) 상의 연마 약액이 웨이퍼(70)의 배면측으로 유입되는 것을 방지한다.The gripping gas injected from the side surface of the
이와 같이, 에어 나이프(150)는 파지 가스의 흐름을 가이드 하여 연마 공정 시 또는 연마 공정이 완료된 후 웨이퍼(70) 파지 시 웨이퍼(70) 상에 잔류하는 연마 약액이 웨이퍼(70) 배면으로 유입되는 것을 방지한다. 이에 따라, 기판 지지 유닛(100)은 연마 약액에 의해 웨이퍼(70)의 배면 및 스핀 헤드(110)가 오염되는 것을 방지할 수 있다.As such, the
한편, 상기 스핀 헤드(110)의 측상단측으로 가이드된 파지 가스는 상기 에어 나이프(150)의 상면에 형성된 다수의 가이드 홈(152)을 통해 상기 에어 나이프(150)의 외측으로 분사된다. 상기 가이드 홈들(152)은 서로 이격되어 배치되고, 각각 에어 나이프(150)의 폭 방향으로 연장된다.On the other hand, the holding gas guided to the side upper end side of the
에어 나이프(150)는 웨이퍼(70)의 위치를 가이드하는 다수의 가이드 핀(153)을 더 포함할 수 있다. The
도 8은 도 5에 도시된 가이드 핀을 확대하여 나타낸 부분 절개 사시도이다. 8 is an enlarged partial cutaway perspective view of the guide pin illustrated in FIG. 5.
도 5 및 도 8을 참조하면, 가이드 핀들(153)은 상기 에어 나이프(150)의 내 측 상단에 형성되고, 상기 스핀 헤드(110)와 인접한 측면으로부터 돌출되어 상기 스핀 헤드(110)에 안착된 웨이퍼(70)의 측면과 마주한다. 각 가이드 핀(153)은 상기 스핀 헤드(110)에 안착된 웨이퍼(70)의 측면과 점접촉될 수 있는 형상을 가지며, 본 발명의 일례로, 삼각 형상을 갖는다.5 and 8, guide pins 153 are formed on an inner upper end of the
한편, 상기 스핀 헤드(110) 하부 측면에는 상기 처리 용기(200)를 세정하는 세정 부재(170)가 더 설치될 수 있다. On the other hand, the lower side of the
도 9는 도 5에 세정 부재를 나타낸 사시도이고, 도 10은 도 9에 도시된 세정 부재를 나타낸 평면도이며, 도 11은 도 9에 도시된 제1 분사부를 나타낸 측면도이고, 도 12는 도 9에 도시된 제2 분사부를 나타낸 측면도이다.FIG. 9 is a perspective view of the cleaning member of FIG. 5, FIG. 10 is a plan view of the cleaning member of FIG. 9, FIG. 11 is a side view of the first injection unit of FIG. 9, and FIG. 12 is of FIG. 9. It is a side view which shows the 2nd injection part shown.
도 5 및 도 9를 참조하면, 상기 세정 부재(170)는 고정 플레이트(171), 다수의 제1 분사부(172) 및 적어도 하나의 제2 분사부(173)를 포함한다.5 and 9, the cleaning
고정 플레이트(171)는 상기 스핀 헤드(110)의 하부에 고정 설치되고, 대체로 원형의 링 형상을 갖는다. 고정 플레이트(171)는 상기 지지부(120)를 둘러싸며, 상기 스핀 헤드(110)와 함께 회전한다. 상기 고정 플레이트(171)의 외측면에는 상기 다수의 제1 분사부(172)가 고정 설치된다. The fixing
도 9 내지 도 12를 참조하면, 각 제1 분사부(172)는 몸체, 상기 몸체의 상면에 설치되고, 외측 상부를 향해 세정 유체를 분사하는 제1 노즐(172a), 상기 몸체의 양 측면에 설치되어 상기 몸체의 외측 방향으로 세정 유체를 분사하는 두 개의 제2 노즐들(172b, 172c), 및 상기 몸체의 하면에 설치되어 상기 몸체의 하측 방향으로 세정 유체를 분사하는 제3 노즐(172d)을 포함한다. 9 to 12, each of the
제1 노즐(172a)은 외측 상단을 향해 세정 유체를 분사하여 처리 용기(200)의 내벽을 세정하고, 제2 노즐들(172b, 172c)은 기판 지지 유닛(100)의 외측면을 세정하며, 제3 노즐(172d)은 처리 용기(200) 내벽 및 기판 지지 유닛(100)의 외측면을 세정한다.The
제2 분사부(173)는 고정 플레이트(171)의 외측면에 설치되고, 상부를 향해 세정 유체를 분사하여 상기 스핀 헤드(110)의 측면을 세정하는 노즐(173a)을 구비한다.The
이와 같이, 기판 지지 유닛(100) 세정부재(170)를 구비함으로써, 웨이퍼를 연마 또는 세정하는 동안 처리 용기(200) 내부와 스핀 헤드(110)를 세정할 수 있다. 이에 따라, 처리 용기(200)를 일일이 분해하여 수작업으로 세정할 필요가 없으므로, 기판 연마부(1000)는 처리 용기(200)의 세정 시간을 단축시키고, 처리 용기(200)의 세정 공정을 단순화하며, 처리 용기(200)와 기판 지지 유닛(100)을 세정할 수 있다.As such, the
도 4 및 도 9를 참조하면, 상기 지지부(120)의 내부에는 중공관(130)이 설치되고, 중공관(130) 안에는 제1 내지 제3 유체관(191, 192, 193)이 설치된다. 제1 유체관(191)에는 상기 세정 유체가 유입되고, 제2 유체관(192)에는 상기 파지 가스가 유입되며, 제3 유체관(193)에는 진공압이 제공된다. 상기 중공관에(130)의 상단부에는 상기 가스 유로(111a) 및 진공 유로와 연결된 제1 연결부(160)가 설치되고, 상기 제1 연결부(160)는 상기 제2 및 제3 유체관(192, 193)과 연결된다. 상기 제1 연결부(160)는 상기 스핀 헤드(110)의 회전시에도 상기 제2 유체관(192)으로부터의 파지 가스를 상기 가스 유로에 안정적으로 공급하고, 상기 제3 유체관(193)으로부터의 진공압을 상기 진공 유로에 안정적으로 공급한다.4 and 9, the
상기 제1 연결부(160)의 아래에는 제2 연결부(180)가 설치된다. 상기 제2 연결부(180)는 상기 중공관(130)에 설치되고, 출력 라인들(181)이 상기 세정 부재(170)의 제1 및 제2 분사부(172, 173)와 연결된 유체 유입관들(174)과 연결된다. 상기 제2 연결부(180)는 상기 제1 유체관(191)과 연결되고, 상기 스핀 헤드(110) 회전시 상기 제1 유체관(191)으로부터의 세정 유체를 상기 세정 부재(170)에 안정적으로 공급한다.The
다시, 도 3을 참조하면, 상기 용기 유닛(200)의 외측에는 상기 연마 유닛(300), 제1 및 제2 처리 유체 공급 유닛(400, 500), 상기 브러쉬 유닛(600), 상기 에어로졸 유닛(700), 및 상기 패드 컨디셔닝 유닛(800)이 설치된다.Referring back to FIG. 3, the outer side of the
상기 연마 유닛(300)은 상기 기판 지지유닛(100)에 고정된 웨이퍼(70)의 표면을 화학적 기계적 방법으로 연마하여 상기 웨이퍼(70)의 표면을 평탄화한다. 상기 연마 유닛(300)의 구성에 대한 구체적인 설명은 후술하는 도 5 내지 도 13에서 구체적으로 설명한다.The polishing
상기 제1 및 제2 처리 유체 공급 유닛(400, 500)은 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정 및 세정 공정에 필요한 처리 유체를 상기 기판 지지유닛(100)에 고정된 웨이퍼(70)에 분사한다. 상기 제1 처리 유체 공급 유닛(400)은 상기 용기 유닛(200)을 사이에 두고 상기 연마 유닛(300)과 마주하게 설치되며, 상기 제2 처리 용기(220)의 측벽(221)에 고정 설치된다. 연마 공정 또는 세정 공정 시, 상기 제1 처리 유체 공급 유닛(400)은 상기 스핀 헤드(110)에 고정된 웨이퍼(70)에 처리 유체를 분사하여 상기 웨이퍼(70)를 세정한다. 상기 제1 처리 유체 공급 유닛(400)은 상기 제2 처리 용기(220)의 측벽(221) 상단에 고정된 다수의 분사 노즐을 구비할 수 있고, 각 분사 노즐은 웨이퍼(70)의 중앙부측으로 처리 유체를 분사한다. 상기 분사 노즐에서 분사되는 처리 유체는 웨이퍼(70)의 세정 또는 건조를 위한 처리액일 수도 있고, 건조를 위한 건조 가스일 수도 있다.The first and second processing
본 발명의 일례로, 상기 제1 처리 유체 공급 유닛(400)은 네 개의 분사 노즐을 구비하나, 상기 분사 노즐의 개수는 웨이퍼(70) 세정에 사용되는 상기 처리 유체의 종류수에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.In one example of the present invention, the first processing
상기 제2 처리 유체 공급 유닛(500)은 상기 용기 유닛(200) 및 상기 제1 처리 유체 공급 유닛(400)을 사이에 두고 상기 연마 유닛(300)과 마주하게 설치된다. 상기 제2 처리 유체 공급 유닛(500)은 처리액을 분사하는 약액 노즐을 구비하고, 세정 공정 시 상기 스핀 헤드(110)에 고정된 웨이퍼(70)에 처리액을 분사하여 상기 웨이퍼(70)를 세정한다. 상기 제2 처리 유체 공급 유닛(500)은 스윙이 가능하며, 세정 공정시 스윙 동작을 통해 상기 약액 노즐을 상기 스핀 헤드(110)의 상부에 배치시킨 상태에서 처리액을 분사한다.The second processing
상기 브러쉬 유닛(600)은 연마 공정 후 웨이퍼(70) 표면의 이물을 물리적으로 제거한다. 상기 브러쉬 유닛(600)은 상기 웨이퍼(70)에 표면에 접촉되어 상기 웨이퍼(70) 표면의 이물을 물리적으로 닦아 내는 브러쉬 패드를 구비하고, 스윙이 가능하다. 세정 공정시, 상기 브러쉬 유닛(600)은 스윙 동작을 통해 상기 브러쉬 패드를 상기 스핀 헤드(110)의 상부에 배치시킨 상태에서 상기 브러쉬 패드를 회전시켜 상기 스핀 헤드(110)에 고정된 웨이퍼(70)를 세정한다.The
상기 브러쉬 유닛(600)의 일측에는 상기 에어로졸 유닛(700)이 배치된다. 상기 에어로졸 유닛(700)은 상기 스핀 헤드(110)에 고정된 웨이퍼(70)에 처리액을 미세 입자형태로 고압 분무하여 상기 웨이퍼(70) 표면의 이물을 제거한다. 본 발명의 일례로, 상기 에어로졸 유닛(700)은 초음파를 이용하여 상기 처리액을 작은 입자 형태로 분무한다. 상기 브러쉬 유닛(600)은 비교적 큰 입자의 이물을 제거하는 데 사용되며, 상기 에어로졸 유닛(700)은 상기 브러쉬 유닛(600)에 비해 비교적으로 작은 입자의 이물을 제거하는 데 사용된다.The
한편, 상기 패드 컨디셔닝 유닛(800)은 상기 연마 유닛(300)이 홈 포트(home port)에서 대기 중일 때, 상기 연마 유닛(300)을 세정 및 재생시킨다. 상기 패드 컨디셔닝 유닛(800)의 구성에 대한 구체적인 설명은 후술하는 도 14에서 구체적으로 하기로 한다.Meanwhile, the
상술한 바와 같이, 상기 기판 연마 시스템(2000)은 각 기판 연마부(1000)에서 웨이퍼(70)의 연마 공정 및 세정 공정이 모두 이루어지므로, 연마 공정 후 세정 공정용 챔버로 웨이퍼를 이송할 필요가 없고, 별도의 세정 공정용 챔버를 구비할 필요가 없다. 이에 따라, 상기 기판 연마 시스템(2000)은 웨이퍼(70)의 이송 시간 및 공정 시간을 단축시키고, 생산성을 향상시키며, 풋 프린트를 감소시킬 수 있다. As described above, in the
이하, 도면을 참조하여 상기 연마 유닛(300)의 구성에 대해 구체적으로 설명 한다.Hereinafter, the configuration of the
도 13은 도 3에 도시된 연마 유닛을 나타낸 사시도이고, 도 14는 도 13에 도시된 연마 유닛을 나타낸 부분 절개 측면도이며, 도 9는 도 5에 도시된 가압부 및 유체 공급부를 나타낸 종단면도이다.FIG. 13 is a perspective view illustrating the polishing unit illustrated in FIG. 3, FIG. 14 is a partially cutaway side view illustrating the polishing unit illustrated in FIG. 13, and FIG. 9 is a longitudinal cross-sectional view illustrating the pressing unit and the fluid supply unit illustrated in FIG. 5. .
도 13 내지 도 15를 참조하면, 연마 유닛(300)은 가압부(310), 유체 공급부(320), 회전부(swing part)(330) 및 구동부(340)를 포함할 수 있다.13 to 15, the polishing
구체적으로, 상기 가압부(310)는 연마 공정 시 상기 스핀 헤드(110)에 고정된 웨이퍼(70)의 상부에 배치된다. 상기 가압부(310)는 웨이퍼(70)를 연마하는 약액을 분사하면서 상기 웨이퍼(70)에 접촉된 상태로 회전하여 상기 웨이퍼(70)를 연마한다. 상기 가압부(310)의 상부에는 상기 유체 공급부(320)가 구비된다. 상기 유체 공급부(320)는 상기 가압부(310)에 상기 약액을 제공하고, 상기 구동부(340)로부터의 회전력을 상기 회전부(330)를 통해 전달받아 상기 가압부(310)와 함께 회전한다. Specifically, the
상기 유체 공급부(320)의 상부에는 상기 회전부(330)가 설치된다. 상기 회전부(330)는 막대 형상의 회전 케이스(331) 및 상기 구동부(340)로부터의 회전력을 상기 유체 공급부(320)에 전달하는 벨트-풀리 어셈블리(335)를 포함할 수 있다. 상기 회전 케이스(331)는 일측이 상기 유체 공급부(320)에 결합되며, 타측이 상기 구동부(340)에 결합된다.The
상기 구동부(340)는 상기 회전부(330)를 회전시키는 제1 구동 모터(341), 상기 유체 공급부(320)를 회전시키는 제2 구동 모터(342) 및 상기 가압부(310)의 수 직 위치를 조절하는 수직 이동부(343)를 포함할 수 있다.The driving
상기 제1 구동 모터(341)는 상기 회전 케이스(331)에 결합되고, 상기 회전 케이스(331)에 회전력을 제공한다. 상기 제1 구동 모터(341)는 시계 방향으로의 회전력과 반시계 방향으로의 회전력을 교대로 반복적으로 제공할 수 있다. 이에 따라, 상기 회전부(330)는 상기 구동부(340)에 결합된 부분을 중심축으로하여 상기 구동부(340)에 의해 스윙한다. 연마 공정 시, 상기 가압부(310)는 상기 회전부(330)의 스윙 동작에 의해 상기 웨이퍼(70)의 상부에서 원호 형태로 수평 왕복 이동할 수 있다.The
상기 제1 구동 모터(341)의 아래에는 상기 제2 구동 모터(342)가 설치된다. 상기 제2 구동 모터(342)는 상기 벨트-풀리 어셈블리(335)에 회전력을 제공하고, 상기 벨트-풀리 어셈블리(335)는 상기 제2 구동 모터(342)의 회전력을 상기 유체 공급부(320)에 제공한다. 상기 벨트-풀리 어셈블리(335)는 상기 회전 케이스(331)에 내장되고, 구동 풀리(332), 종동 풀리(333) 및 벨트(334)를 포함할 수 있다. 상기 구동 풀리(332)는 상기 제1 구동 모터(341)의 상부에 설치되고, 상기 제1 구동 모터(341)를 관통하는 수직 암(344)의 일측에 결합된다. 상기 수직 암(344)의 타측에는 상기 제2 구동 모터(342)가 결합된다. The
상기 종동 풀리(333)는 상기 구동 풀리(332)와 마주하게 배치되고, 상기 유체 공급부(320)의 상부에 설치되어 상기 유체 공급부(320)에 결합된다. 상기 구동 풀리(332)와 상기 종동 풀리(333)는 상기 벨트(334)를 통해 서로 연결되며, 상기 벨트(334)는 상기 구동 풀리(332) 및 상기 종동 풀리(333)에 감긴다.The driven
상기 제2 구동 모터(342)의 회전력은 상기 수직 암(344)을 통해 상기 구동 풀리(332)에 전달되고, 이에 따라, 상기 구동 풀리(332)가 회전한다. 상기 구동 풀리(332)의 회전력은 상기 벨트(334)를 통해 상기 종동 풀리(333)에 전달되고, 이에 따라, 상기 종동 풀리(333)가 회전한다. 상기 종동 풀리(333)의 회전력은 상기 유체 공급부(320)에 전달되고, 이에 따라, 상기 가압부(310) 및 상기 유체 공급부(320)가 회전한다.The rotational force of the
상기 제1 구동 모터(341) 및 상기 제2 구동 모터(342)의 배후에는 상기 수직 이동부(343)가 설치된다. 상기 수직 이동부(343)는 볼 스크류(343a), 너트(343b) 및 제3 구동 모터(343c)를 포함할 수 있다. 상기 볼 스크류(343a)는 막대 형상을 갖고, 지면에 대해 수직하게 설치된다. 상기 너트(343b)는 상기 볼 스크류(343a)에 끼워지고, 상기 제2 구동 모터(342)에 고정된다. 상기 볼 스크류(343a)의 아래에는 상기 제3 구동 모터(343c)가 설치된다. 상기 제3 구동 모터(343c)는 상기 볼 스크류(343a)와 결합하고, 시계 방향의 회전력 및 반시계 방향의 회전력을 상기 볼 스트류(343a)에 제공할 수 있다. 상기 볼 스크류(343a)는 상기 제3 구동 모터(343c)에 의해 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전한다. 상기 너트(343b)는 상기 볼 스크류(343a)의 회전에 의해 상기 볼 스크류(343a)를 따라 상하 이동하며, 이에 따라, 상기 너트(343b)에 결합된 제2 구동 모터(342)가 상기 너트(343b)와 함께 상하 이동한다. 상기 제2 구동 모터(342)의 수직 이동에 의해 상기 제1 구동 모터(341) 및 상기 회전부(330)가 상하 이동하고, 이에 따라, 상기 유체 공급부(320) 및 가압부(310) 또한 상하 이동한다.The vertical moving
이 실시예에 있어서, 상기 수직 이동부(343)는 볼 스크류(343a), 너트(343b) 및 제3 구동 모터(343c)를 구비하여 리니어 모터 방식으로 수직 이동력을 제공하나, 실린더를 구비하여 수직 이동력을 제공할 수도 있다. In this embodiment, the vertical moving
한편, 상기 스윙 구동부(341), 스핀 구동부(342), 상기 볼 스크류(343a), 상기 너트(343b) 및 수직 암(344)은 구동 케이스(345)에 내장되고, 상기 구동 케이스(345)는 수직 방향으로 긴 막대 형상을 갖는다. Meanwhile, the
상기 유체 공급부(320)는 웨이퍼의 연마를 위한 약액을 상기 가압부(310)에 제공하고, 상기 구동부(340)로부터 제공된 회전력에 의해 회전하여 상기 가압부(310)를 회전시킨다.The
구체적으로, 상기 유체 공급부(320)는 하우징(321), 회전축(322), 제1 및 제2 베어링(323a, 323b), 고정축(324), 제1 및 제2 약액 튜브(326a, 326b), 공기 주입관(327), 및 제1 및 제2 로터리 립씰(rotary lip seal)(328a, 328b)을 포함할 수 있다.In detail, the
상기 하우징(321)은 대체로 원통형의 관 형상을 갖고, 상단부가 상기 회전부(330)의 회전 케이스(331) 안에 삽입되어 상기 회전 케이스(331)에 결합되며, 하단부가 상기 가압부(310)에 결합된다.The
상기 회전축(322)은 상기 하우징(321) 안에 구비되고, 상기 하우징(321)과 이격되어 위치한다. 상기 회전축(322)은 상기 하우징(321)의 길이 방향으로 연장된 중공형의 관으로 이루어진다. 상기 회전축(322)의 상단부는 상기 회전부(330)의 종동 풀리(333)에 삽입되어 상기 종동 풀리(333)와 결합하고, 상기 회전축(322)은 상 기 종동 풀리(333)의 회전에 의해 회전한다. 상기 회전축(322)의 하단부는 상기 가압부(310)에 결합되고, 상기 가압부(310)는 상기 회전축(322)의 회전에 의해 회전한다. 즉, 상기 제2 구동 모터(342)의 회전력은 수직 암(344) -> 구동 풀리(332) -> 벨트(334) -> 종동 풀리(333) -> 회전축(322) -> 가압부(310) 순으로 전달되어 상기 가압부(310)가 중심중을 기준으로 회전한다.The
상기 제1 및 제2 베어링(323a, 323b)은 상기 하우징(321)과 상기 회전축(322) 사이에 개재된다. 상기 제1 및 제2 베어링(323a. 323b)은 상기 하우징(321)과 상기 회전축(322)을 연결하고, 상기 회전축(322)이 안정적으로 회전하도록 상기 회전축(322)을 지지한다. 상기 제1 베어링(323a)은 상기 회전부(330)와 인접하게 위치하고, 상기 제2 베어링(323b)은 상기 가압부(310)와 인접하게 위치한다. 상기 제1 및 제2 베어링(323a, 323b)의 내륜들은 상기 회전축(322)에 끼워져 상기 회전축(322)과 함께 회전하고, 외륜들은 상기 하우징(321)에 결합되어 상기 회전축(322) 회전 시 회전하지 않는다. 따라서, 상기 회전축(322)만 회전하고, 상기 하우징(321)은 회전하지 않는다.The first and
상기 회전축(322) 안에는 상기 고정축(324)이 설치된다. 상기 고정축(324)은 상기 회전축(332)과 동일한 방향으로 연장된 중공형의 관으로 이루어진다. 상기 고정축(324)은 상기 회전축(322)으로부터 이격되게 위치하여 상기 회전축(332) 회전시 회전하지 않는다. 상기 고정축(324)의 상단부는 상기 회전 케이스(331) 안으로 삽입되며, 상기 회전 케이스(331)에 고정된 제1 사프트 브라켓(325a)에 결합되어 상기 고정축(324)이 상기 회전 케이스(331)에 고정된다. 상기 고정축(324)의 하단 부는 상기 가압부(310) 안에 삽입되며, 상기 가압부(310) 내에 설치된 제2 샤프트 브라켓(325b)에 결합되어 상기 고정축(324)이 상기 가압부(310)에 고정된다.The fixed
상기 고정축(324) 안에는 상기 제1 및 제2 약액 튜브(326a, 326b)가 설치된다. 상기 제1 및 제2 약액 튜브(326a, 326b)는 상기 고정축(324) 안에서 상기 고정축(324)과 동일한 방향으로 연장되며, 서로 평행하게 배치된다. 상기 제1 및 제2 약액 튜브(326a, 326b)는 연마 공정에 사용되는 약액의 이송 유로를 제공하며, 상기 약액을 배출하는 출력단이 상기 가압부(310) 내에 위치한다.The first and second
상기 제1 약액 튜브(326a)의 입력단은 제1 약액 공급라인(83a)에 연결되고, 상기 제1 약액 공급라인(83a)은 웨이퍼의 연마에 사용되는 제1 약액(CL1)을 공급하는 제1 약액 공급부(81)에 연결된다. 상기 제1 약액 튜브(326a)는 상기 제1 약액 공급라인(83a)을 통해 상기 제1 약액 공급부(81)로부터의 제1 약액(CL1)을 공급받는다.An input end of the
상기 제2 약액 튜브(326b)의 입력단은 제2 약액 공급라인(83b)에 연결되고, 상기 제2 약액 공급라인(83b)은 웨이퍼의 연마에 사용되는 제2 약액(CL2)을 공급하는 제2 약액 공급부(82)에 연결된다. 상기 제2 약액 튜브(326b)는 상기 제2 약액 공급라인(83b)을 통해 상기 제2 약액 공급부(82)로부터의 제2 약액(CL2)을 공급받는다.An input end of the
이 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 약액(CL1, CL2)은 서로 다른 종류의 약액일 수도 있고, 서로 동일한 약액일 수도 있다. 상기 제1 및 제2 약액 튜브(326a, 326b)에서 배출되는 약액(CL1, CL2)의 일례로는 웨이퍼를 연마하기 위한 슬러리(slurry) 등이 있다.In this embodiment, the first and second chemical liquids CL1 and CL2 may be different kinds of chemical liquids, or may be the same chemical liquid. Examples of the chemical liquids CL1 and CL2 discharged from the first and second
본 발명의 일례로, 상기 제1 및 제2 약액 튜브(326a, 326b)는 상기 회전 케이스(331)를 경유하여 외부에 설치된 제1 및 제2 약액 공급라인(83a, 83b)과 각각 연결된다.In an example of the present invention, the first and second
한편, 상기 공기 주입관(327)은 상기 하우징(321)의 상단부에 설치된다. 상기 공기 주입관(327)은 패드 압력 조절부(900)와 연결되고, 상기 패드 압력 조절부(900)로부터 공기를 주입받는다. 본 발명의 일례로, 상기 공기 주입관(327)은 상기 회전 케이스(331) 내부에 위치한다.On the other hand, the
상기 공기 주입관(327)은 상기 하우징(321)에 형성된 제1 공기 유로(AFP1)와 연통되고, 상기 공기 주입관(327)에 주입된 공기는 상기 제1 공기 유로(AFP1)에 유입된다. 상기 제1 공기 유로(AFP1)는 상기 하우징(321) 벽 내부에 형성되고, 상기 하우징(321)의 상단부로부터 상기 하우징(321)의 길이 방향을 따라 연장된다. 상기 제1 공기 유로(AFP1)의 출력단은 상기 하우징(321)과 상기 회전축(322) 사이에 형성된 제2 공기 유로(AFP2)와 연통되고, 상기 제1 공기 유로(AFP1)에 제공된 공기는 상기 제2 공기 유로(AFP2)로 유입된다.The
상기 제2 공기 유로(AFP2)는 상기 제1 및 제2 로타리 립씰(328a, 328b)에 의해 정의된다. 상기 제1 및 제2 로타리 립씰(328a, 328b)는 상기 하우징(321)과 상기 회전축(322) 사이에 개재되고, 상기 하우징(321)과 상기 회전축(322) 사이의 공간을 실링한다. 상기 상기 제1 및 제2 로타리 립씰(328a, 328b)은 서로 마주하게 설치되며, 대체로 링 형상을 갖는다. 상기 제1 로타리 립씰(328a)은 상기 제1 베어 링(323a)의 아래에서 상기 제1 베어링(323a)과 인접하게 위치한다. 상기 제2 로타리 립씰(328b)은 상기 제1 로타리 립씰(328a)의 아래에 설치되며, 상기 제1 로타리 립씰(328a)로부터 이격되어 위치한다. 상기 제1 로타리 립씰(328a)과 상기 제2 로타리 립씰(328b)이 서로 이격된 공간은 상기 제2 공기 유로(AFP2)로 제공되며, 상기 제2 공기 유로(AFP2)는 상기 회전축(322)을 둘러싼다.The second air flow path AFP2 is defined by the first and second
상기 제2 공기 유로(AFP2)는 상기 회전축(322) 벽 내부에 형성된 제3 공기 유로(AFP3)와 연통되고, 상기 제2 공기 유로(AFP2)에 제공된 공기는 상기 제3 공기 유로(AFP3)에 유입된다. 상기 제3 공기 유로(AFP3)는 상기 회전축(322)의 길이 방향으로 상기 제2 공기 유로(AFP2)와 연결되는 지점에서부터 상기 회전축(322)의 하단부까지 연장되어 형성된다. 상기 패드 압력 조절부(900)로부터 주입된 공기는 상기 공기 주입관(327) -> 제1 공기 유로(AFP1) -> 제2 공기 유로(AFP2) -> 제3 공기 유로(AFP3) 순으로 경유하여 상기 가압부(310)에 제공된다.The second air flow path AFP2 communicates with a third air flow path AFP3 formed in the wall of the
상기 유체 공급부(320)의 아래에는 상기 가압부(310)가 설치되고, 상기 가압부(310)는 웨이퍼의 표면을 가압하면서 회전하여 웨이퍼의 표면을 연마한다. 연마 공정 시, 상기 가압부(310)가 상기 웨이퍼를 가압하는 압력은 상기 제3 공기 유로(AFP3)를 통해 상기 가압부(310)로 유입된 공기의 압력에 의해 조절된다.The
상기 가압부(310)는 연마 패드(311), 연마 본체(312), 패드 홀더(313), 클램프 부재(314), 결합 플레이트(315), 벨로우즈(316), 커버(317) 및 약액 노즐(318)을 포함할 수 있다.The
상기 연마 패드(311)는 플레이트 형상을 갖고, 대체로 원형의 링 형상을 갖 는다. 상기 연마 패드(311)는 연마 공정 시 하면을 웨이퍼의 상면에 접촉시킨 상태에서 회전하여 웨이퍼를 연마한다. 상기 연마 패드(311)는 상기 웨이퍼의 지름 보다 작은 지름을 갖고, 연마 공정 시 상기 구동부(340)에 의해 스윙하면서 상기 웨이퍼를 연마한다. 이와 같이, 상기 연마 패드(311)가 상기 웨이퍼보다 작은 크기를 가지므로, 상기 연마 유닛(300)은 상기 웨이퍼를 국부적으로 연마할 수 있고, 특정 영역에서의 과연마를 방지할 수 있다.The
상기 연마 패드(311)의 상부에는 상기 연마 본체(312)가 구비된다. 상기 연마 본체(312)는 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 상기 유체 공급부(320)의 고정축(324)과 결합된다. 구체적으로, 상기 연마 본체(312)는 연마 하우징(312a), 하부 플레이트(312b) 및 상부 플레이트(312c)를 포함할 수 있다. The polishing
상기 연마 하우징(312a)은 대체로 원통 형상을 갖고, 하부에는 상기 하부 플레이트(312b)가 설치된다. 상기 하부 플레이트(312b)는 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 상기 연마 패드(311)와 동일한 크기를 갖는다. 상기 하부 플레이트(312b)는 상기 연마 하우징(312a)의 하부에 결합되어 상기 연마 하우징(312a)의 하부를 밀폐한다.The polishing
상기 하부 플레이트(312b)의 아래에는 상기 연마 패드(311)가 설치된다. 상기 연마 패드(311)와 상기 하부 플레이트(312b)의 사이에는 상기 패드 홀더(313)가 개재된다. 상기 패드 홀더(313)는 상기 연마 패드(311)를 상기 연마 본체(312)에 탈착 가능하게 고정시킨다. 즉, 상기 패드 홀더(313)의 하면은 상기 연마 패드(311)의 상면과 결합하고, 상면은 상기 클램프 부재(314)에 의해 상기 하부 플레 이트(312b)에 탈착 가능하게 결합된다.The
상기 클램프 부재(314)는 상기 하부 플레이트(312b)와 상기 패드 홀더(313)와의 사이에 개재되고, 자기력을 이용하여 상기 패드 홀더(313)를 상기 하부 플레이트(312b)에 고정 결합시킨다. 구체적으로, 상기 클램프 부재(314)는 자석(314a), 클램프 플레이트(314b), 및 나사(314c)를 포함한다. 상기 자석(314a)은 상기 클램프 플레이트(314b)와 상기 하부 플레이트(312b)와의 사이에 개재되고, 대체로 원형의 링 형상을 갖는다. 본 발명의 일례로, 상기 클램프 부재(314)는 링 형상을 갖는 하나의 자석(314a)을 구비하나, 상기 자석(314ba)의 개수는 상기 클램프 부재(314)의 크기 및 상기 자석(314a)의 크기에 따라 증가할 수도 있으며, 상기 자석(314a)의 형상은 다양한 형태로 변경 가능하다. 상기 클램프 플레이트(314b)는 상기 하부 플레이트(312b)와 마주하며, 상기 나사(314c)를 이용하여 상기 하부 플레이트(312b)에 결합된다. 상기 클램프 플레이트(314b)는 자성체를 갖지 않는 금속 재질, 예컨대, 알루미늄과 같은 재질로 이루어지므로, 상기 자석(312a)에 반응하지 않는다. 상기 클램프 플레이트(314)는 반면, 상기 패드 홀더(313)는 자성체를 갖는 재질, 예컨대, 스테인리스강(stainless steel)이나 탄소강과 같은 재질로 이루어지므로, 상기 자석(312a)의 자력에 의해 상기 하부 플레이트(312b)에 결합된다.The
이와 같이, 상기 클램프 부재(314)는 자력을 이용하여 상기 패드 홀더(313)를 상기 하부 플레이트(312b)에 고정시키므로, 상기 하부 플레이트(312b)에 상기 패드 홀더(313)를 탈부착시키기가 용이하다. 특히, 상기 연마 패드(311)는 소모품이므로, 주기적인 교체가 필요하다. 따라서, 상기 패드 홀더(313)를 상기 하부 플 레이트(312b)에 고정시키는 과정과 상기 하부 플레이트(312b)로부터 분리시키는 과정이 빈번하게 발생한다. 상기 가압부(310)는 상기 클램프 부재(314)의 자력에 의해 상기 패드 홀더(313)와 상기 하부 플레이트(312b)가 결합되므로, 상기 연마 패드(311)의 교체에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 가압부(310)는 공정 대기 시간을 단축시키고, 생산성을 향상시킬 수 있다.As described above, since the
본 발명의 일례로, 상기 클램프 플레이트(314b)는 상기 자석(314a)이 배치되는 부분에 상기 자석(314a)이 일부분 삽입되는 삽입홈이 형성된다. 또한, 상기 하부 플레이트(312b)도 상기 플램프 부재(314)가 결합되는 부분에 상기 자석(314a) 및 상기 클램프 플레이트(314b)가 삽입되는 삽입홈이 형성된다.In one example of the present invention, the
도 15에는 하나의 클램프 부재(314)만 도시하였으나, 상기 패드 홀더(3130는 다수의 클램프 부재(314)를 이용하여 상기 하부 플레이트(312b)에 결합될 수 있다.Although only one
한편, 상기 하부 플레이트(312b)는 상기 상부 플레이트(312c)에 결합된다. 상기 상부 플레이트(312c)는 상기 하부 플레이트(312b)의 상부에서 구비되고, 상기 하부 플레이트(312b)와 마주하게 배치된다. 상기 상부 플레이트(312c)는 상기 연마 하우징(312a) 내에 설치되어 상기 연마 하우징(312b)의 상부를 밀폐하며, 대체로 원형의 링 형상을 갖는다.On the other hand, the
상기 상부 플레이트(312c)는 상면에 구비된 상기 결합 플레이트(315)에 고정 결합된다. 상기 결합 플레이트(351)는 상기 유체 공급부(320)의 회전축(322)에 결합되어 상기 회전축(322)과 함께 회전한다. 이에 따라, 상기 가압부(310) 전체가 회전한다. 상기 결합 플레이트(351)는 대체로 원형의 플레이트 형상을 가지며, 내 부에 상기 회전축(322)으로부터 배출된 공기가 흐르는 제4 공기 유로(AFP)가 형성된다. 상기 제4 공기 유로(AFP)는 상기 회전축(322)의 제3 공기 유로(AFP3)와 연통되며, 상기 제3 공기 유로(AFP3)를 통해 공기가 유입된다. 상기 제4 공기 유로(APF4)에 유입된 공기는 상기 벨로우즈(316)에 주입된다.The
상기 벨로우즈(316)는 상기 연마 하우징(312a) 내부에서 하부 플레이트(312b)와 상기 상부 플레이트(312c)가 이격된 공간 안에 설치되고, 금속 재질로 이루어진다. 상기 벨로우즈(316)는 상기 제4 공기 유로(AFP4)로부터 제공되는 공기의 압력에 의해 수직 방향으로 신축 가능하다. 상기 벨로우즈(316)는 연마 공정의 진행시 연마 패드(311)가 웨이퍼에 밀착되도록 신장될 수 있으며, 연마 패드(311)가 웨이퍼에 밀착된 상태에서 연마 공정이 진행되면 웨이퍼의 연마가 균일하게 효율적으로 진행될 수 있다.The bellows 316 is installed in a space in which the
연마 공정을 위해 상기 가압부(310)가 웨이퍼(70)의 상부에 배치되어 대기한다. 대기 시, 상기 벨로우즈(316)는 상기 패드 압력 조절부(900)로부터 제공되는 진공압에 의해 수축된다. 이에 따라, 상기 하부 플레이트(312b)가 상기 상부 플레이트(312c) 측으로 이동하고, 상기 연마 패드(311)가 상기 웨이퍼(70)로터 이격된다. 상기 상부 플레이트(312c)에는 상기 벨로우즈(316)의 수축 정도를 조절하기 위한 내부 스톱퍼(312d)가 구비된다. 상기 내부 스톱퍼(312d)는 상기 상부 플레이트(312c)의 하면으로부터 돌출되고, 상기 벨로우즈(316) 수축 시 상기 하부 플레이트(312b)와 접촉된다. 상기 스톱퍼(312d)는 상기 벨로우즈(316) 수축시 상기 하부 플레이트(312b)가 적정 거리 이상 상측으로 이동하는 것을 저지하여 상기 하부 플 레이트(312b)와 상기 상부 플레이트(312c)간의 간격이 적정 간격 이하로 좁혀지는 것을 방지한다.The
연마 공정 시, 상기 패드 압력 조절부(900)로부터 상기 공기 주입관(327)에 공기가 주입되고, 상기 공기 주입관(327)에 주입된 공기가 상기 제1 내지 제4 공기 유로(AFP1, AFP2, AFP3, AFP4)를 순차적으로 경유하여 상기 벨로우즈(316)에 주입된다. 상기 벨로우즈(316)는 주입된 공기의 압력에 의해 이완하고, 이에 따라, 상기 벨로우즈(316)의 길이가 수축했을때의 길이 보다 늘어난다. 상기 벨로우즈(316)의 이완에 의해 상기 연마 패드(311)가 상기 웨이퍼(70)에 접촉되며, 상기 가압부(310)는 상기 연마 패드(311)가 상기 웨이퍼(70)에 접촉된 상태에 상기 연마 패드(311)의 중심축을 기준으로 회전하여 상기 웨이퍼(70)를 연마한다.In the polishing process, air is injected into the
상기 가압부(310)는 상기 벨로우즈(316)에 의해 상기 연마 패드(311)가 상기 웨이퍼(10)를 가압하므로, 상기 연마 패드(311)의 틸팅이 가능하다. 웨이퍼(70)는 패터닝된 다수의 박막을 구비하므로, 상면이 평평하게 형성되지 않을 수 있다. 연마 공정 시, 상기 연마 패드(311)는 상기 벨로우즈(316)에 의해 틸팅이 가능하므로, 상기 웨이퍼(70) 표면과의 밀착력 향상된다.Since the
상기 연마 패드(311)는 상기 벨로우즈(316)에 주입된 공기의 압력에 따라 상기 웨이퍼(70)를 가압하는 압력이 조절된다. 상기 벨로우즈(316)의 공기 압력은 상기 패드 압력 조절부(900)에 의해 조절되며, 공기 압력을 조절하는 과정은 후술하는 상기 패드 압력 조절부(900)의 구성 설명에서 하기로 한다.The pressure for pressing the
한편, 상기 커버(317)는 상기 연마 본체(312)의 상부에 설치되어 상기 연마 본체(312)의 상부를 커버한다. 상기 커버(317)는 상기 연마 하우징(312a)의 상단부에 결합되고, 내부에 상기 결합 플레이트(315)를 수용할 수 있는 공간이 마련된다. 상기 커버(317)의 중앙부에는 개구부(317a)가 형성되고, 상기 개구부(317a)를 통해 상기 결합 플레이트(315)의 일부분이 외부로 돌출되어 상기 회전축(322)과 결합한다. 상기 개구부(317a)를 정의하는 면은 상기 연마 패드(311)의 틸팅을 위해 상기 개구부(317a)에 삽입된 결합 플레이트(315)로부터 이격되어 위치한다.On the other hand, the
상기 고정축(324)과 제1 및 제2 약액 튜브(326a, 326b)의 하단부는 상기 결합 플레이트(317), 상기 상부 플레이트(312c) 및 상기 하부 플레이트(312b)의 각 중앙부에 형성된 홀들에 삽입된다. 상기 상부 플레이트(312c)와 상기 고정축(324)과의 사이에는 상기 제2 샤프트 브라켓(325b)이 개재된다. 상기 제2 샤프트 브라켓(325b)은 상기 상부 플레이트(312c)에 결합되고, 상기 고정축(324)의 하단부에 고정 결합되어 상기 고정축(324)을 상기 상부 플레이트(312c)에 고정시킨다. 상기 제2 샤프트 브라켓(325b)은 베어링(미도시)을 이용하여 상기 상부 플레이트(312c)와 결합하며, 이에 따라, 상기 상부 플레이트(312c)는 상기 제2 샤프트 브라켓(325b)에 회전 가능하게 결합된다.Lower ends of the fixed
상기 가압부(310) 안에 삽입된 상기 고정축(324) 및 상기 제1 및 제2 약액 튜브(326a, 326b)는 상기 약액 노즐(318)에 결합된다. 상기 약액 노즐(318)은 상기 패드 홀더(313)의 중앙부에 형성된 홀에 삽입되어 상기 패드 홀더(313)에 결합된다. 상기 약액 노즐(318)의 입력단은 상기 고정축(324) 및 상기 제1 및 제2 약액 튜브(326a, 326b)에 결합되고, 상기 제1 및 제2 약액 튜브(326a, 326b)의 출력단과 연통된다. 상기 약액 노즐(318)의 출력단은 상기 연마 패드(311)의 중앙에 형성된 패드홀(311a)을 통해 외부로 노출되며, 연마 공정 시 상기 제1 및 제2 약액 튜브(326a, 326b)로부터 제공된 제1 및 제2 약액(CL1, CL2)을 웨이퍼(70)에 분사한다. 본 발명의 일례로, 상기 약액 노즐(318)은 상기 제1 약액 튜브(326a)로부터 제공된 제1 약액(CL1)이 유입되는 유로와 상기 제2 약액 튜브(326b)로부터 제공된 제2 약액(CL2)이 유입되는 유로가 서로 분리되어 형성된다.The fixed
연마 공정시, 상기 고정축(324)과 상기 제1 및 제2 약액 튜브(326a, 326b) 및 상기 약액 노즐(318)은 회전하지 않으며, 상기 연마 패드(311) 및 상기 패드 홀더(313)는 회전한다. 이와 같이, 상기 약액 노즐(318)이 고정된 상태에서 상기 패드 홀더(313)가 회전하므로, 상기 약액 노즐(318)로부터 분사된 약액(CL1, CL2)이 상기 패드 홀더(313)와 상기 약액 노즐(318) 사이의 틈으로 유입되어 이물질을 생성할 수 있다. 상기 패드 홀더(313)와 상기 약액 노즐(318) 사이에 생성된 이물질은 연마 공정시 웨이퍼(70)에 떨어질 수 있으므로, 연마 불량 및 웨이퍼(70)의 오염을 유발할 수 있다. In the polishing process, the fixed
이를 방지하기 위해, 상기 가압부(310)는 상기 약액 노즐(318)과 상기 패드 홀더(313)와의 사이에 개재되는 오링(O-Ring)(319)을 더 포함할 수 있다. 상기 오링(319)은 상기 약액 노즐(318)을 둘러싸고, 상기 약액 노즐(318)에서 분사된 약액들(CL1, CL2)이 상기 가압부(310) 내부로 유입되는 것을 방지한다. 상기 오링(319)은 상기 패드 홀더(313)의 회전에 의한 마찰로 인해 마모되기 쉬우므로, 주기적으로 교체해야한다. 상기 오링(319)의 교체는 상기 연마 패드(311)의 교체와 함께 이루어질 수 있다.In order to prevent this, the
상기 연마 유닛(300)이 상기 웨이퍼를 가압하는 압력은 상기 패드 압력 조절부(900)에 의해 조절된다. 상기 패드 압력 조절부(900)는 공기 제공부(910), 메인 라인(920), 레귤레이터(Regulator)(930), 전공 레귤레이터(Electro-Pneumatic Regulator)(940), 제1 밸브(950), 압력계(960), 진공 부재(970), 서브 라인(980) 및 제2 밸브(990)를 포함할 수 있다.The pressure at which the
구체적으로, 상기 공기 제공부(910)는 상기 가압부(310)의 벨로우즈(316)에 제공될 공기를 상기 메인 라인(920)에 배출한다. 상기 메인 라인(920)은 입력단이 상기 공기 제공부(910)에 연결되고, 출력단이 상기 공기 주입관(327)에 연결된다. 상기 메인 라인(920)은 연마 공정 시 상기 공기 제공부(910)로부터 주입된 공기를 상기 공기 주입관(327)에 제공한다. 이에 따라, 상기 벨로우즈(316)가 이완된다. 또한, 상기 메인 라인(920)은 상기 연마 유닛(300)이 대기 시 상기 진공 부재(970)로부터 제공되는 진공압을 상기 공기 주입관(327)에 제공한다. 이에 따라, 상기 벨로우즈(316)가 수축된다.In detail, the
상기 메인 라인(920)에는 상기 레귤레이터(930), 상기 전공 레귤레이터(940), 상기 제1 밸브(950) 및 상기 압력계(960)가 순차적으로 설치된다. 상기 레귤레이터(930)는 상기 공기 제공부(910)로부터 상기 메인 라인(920)에 제공된 공기의 압력을 적정 압력으로 감압시킨다. 상기 레귤레이터(930)에 의해 감압된 공기는 상기 전공 레귤레이터(940) 측으로 이동한다. 상기 전공 레귤레이터(940)는 연마 공정시 상기 레귤레이터(930)에 의해 감압된 공기의 압력을 기 설정된 압력으로 자동 조절한다. 상기 메인 라인(920) 안의 공기는 상기 전공 레귤레이터(940)를 거쳐 제1 밸브(950) 측으로 이동한다. 상기 제1 밸브(950)는 온/오프 동작을 통해 상기 메인 라인(920)에 주입된 공기를 상기 공기 주입관(327)에 공급 및 차단한다. 상기 압력계(960)는 상기 제1 밸브(950)와 상기 공기 주입관(327) 사이에 설치되어 상기 공기 주입관(327)에 제공되는 공기의 최종 압력을 측정한다.The
상기 패드 압력 조절부(900)는 상기 공기 주입관(327)에 제공되는 공기의 최종 압력을 조절하여 상기 연마 유닛(300)이 상기 웨이퍼를 가압하는 압력을 조절한다. 즉, 상기 연마 유닛(300)은 상기 패드 압력 조절부(900)로부터 제공되는 공기의 최종 압력에 따라 상기 벨로우즈(316)에 주입되는 공기의 압력이 조절되며, 상기 벨로우즈(316)는 내부 공기의 압력에 따라 이완되는 정도가 달라진다. 즉, 상기 벨로우즈(316)에 주입되는 공기의 압력이 높을 수록 상기 벨로우즈(316)가 많이 이완되고, 이에 따라, 상기 연마 패드(311)가 상기 웨이퍼를 가압하는 압력이 증가한다. 반면, 상기 벨로우즈(316)에 주입되는 공기의 압력이 낮을 수록 상기 벨로우즈(316)가 적게 이완되고, 이에 따라, 상기 연마 패드(311)가 상기 웨이퍼를 가압하는 압력이 감소한다. The pad
특히, 상기 패드 압력 조절부(900)는 연마 공정 시 상기 공기의 최종 압력을 상기 웨이퍼 상에서의 상기 연마 패드(311)의 수평 위치에 따라 조절한다. 즉, 상기 전공 레귤레이터(940)는 상기 제어부(60)와 전기적으로 연결되고, 상기 제어부(60)는 상기 전공 레귤레이터(940)를 제어하여 상기 공기의 최종 압력이 상기 웨이퍼 상에서의 상기 연마 패드(311)의 수평 위치에 따라 해당 위치에 대응하여 설 정된 기준 압력과 동일하도록 조절한다. 상기 제어부(60)는 상기 웨이퍼를 다수의 조절 구간으로 분리 구획하고, 조절 구간별로 적합한 기준 압력을 설정한다.In particular, the pad
이와 같이, 상기 패드 압력 조절부(900)는 배출되는 공기의 최종 압력이 상기 웨이퍼의 각 조절 구간별로 상기 제어부(60)에 의해 조절된다. 그 결과, 상기 연마 패드(311)가 상기 웨이퍼를 가압하는 압력이 상기 웨이퍼의 각 조절 구간별로 조절된다. 이에 따라, 상기 연마 유닛(300)은 상기 웨이퍼의 특정 영역에서의 과연마를 방지하고, 상기 웨이퍼를 균일하게 연마할 수 있다.As described above, the
또한, 상기 제어부(60)는 압력계(960)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 압력계는 상기 메인 라인(920)의 최종 공기 압력값을 출력하여 상기 제어부(60)에 제공한다. 상기 제어부(60)는 상기 공기의 최종 압력 조절시 현재 상기 상기 압력계(900)로부터 측정된 압력값과 현재 상기 연마 패드(311)가 상기 웨이퍼 상에서 위치하는 지점에 대응하는 기준 압력 값에 근거하여 상기 연마 패드(311)의 가압 압력이 상기 기준 압력과 동일하도록 조절한다.In addition, the
이와 같이, 상기 제어부(60)는 상기 압력계(960)에서 측정된 압력값에 근거하여 상기 메인 라인(920)의 최종 공압을 조절하므로, 연마 공정시 연마 유닛(300)의 가압 압력을 현재 상기 연마 패드(311)가 위치하는 조절 구간의 기준 압력과 동일하도록 정확하게 조절할 수 있다.As such, the
상기 메인 라인(920)은 상기 서브 라인(980)과 연결된다. 상기 서브 라인(980)은 진공압을 제공하는 상기 진공 부재(970)와 연결되고, 상기 메인 라인(920)에서 상기 압력계(960)가 연결된 지점과 상기 제1 밸브(950)가 설치된 지점 사이에 연결된다. 상기 서브 라인(980)은 상기 진공 부재(970)로부터 제공된 진공압을 상기 메인 라인(920)을 통해 상기 유체 공급부(320)에 제공한다. 상기 패드 압력 조절부(900)로부터 제공된 진공압은 상기 공기 주입관(327) 및 상기 제1 내지 제3 공기 유로(AFP1, AFP2, AFP3)를 통해 상기 벨로우즈(316)에 제공된다. 상기 벨로우즈(316)는 상기 패드 압력 조절부(900)로부터 제공된 진공압에 의해 내부 압력이 강하되고, 그 결과, 상기 벨로우즈(316)가 수축된다.The
상기 서브 라인(980)에는 상기 공기 주입관(327)에 제공되는 상기 진공압의 차단 및 공급 여부를 조절하는 제2 밸브(990)가 설치된다.The
한편, 상기 연마 패드(311)에는 상기 연마 공정의 효율을 향상시키기 위해 상기 웨이퍼와 접촉되는 면에 소정의 연마 패턴이 형성된다. 이러한 연마 패턴은 상기 웨이퍼를 연마하는 과정에서 상기 웨이퍼와의 마찰에 의해 점점 마모되며, 연마 과정에서 사용되는 약액들이 상기 연마 패턴 내에서 경화될 수도 있다. 상기 패드 컨디셔닝 유닛(800)(도 3 참조)은 연마 패드(311)의 표면을 연마하여 상기 연마 패드(311)를 재생시킨다.On the other hand, a predetermined polishing pattern is formed on the surface of the
이하, 도면을 참조하여 상기 기판 연마부(1000)가 상기 웨이퍼를 연마하는 과정에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a process of polishing the wafer by the
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 연마 방법을 나타낸 흐름도이고, 도 17은 도 3에 도시된 기판 연마부가 웨이퍼를 연마하는 과정을 나타낸 사시도다.16 is a flowchart illustrating a substrate polishing method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 17 is a perspective view illustrating a process of polishing a wafer by the substrate polishing unit shown in FIG. 3.
도 1, 도 16 및 도 17을 참조하면, 먼저, 메인 이송 로봇(50)이 버퍼부(30) 로부터 웨이퍼(70)를 인출하여 기판 지지부재(100)의 스핀 헤드(110) 상에 웨이퍼(70)를 안착시키고, 상기 승강 유닛(260)이 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)를 승강시켜 상기 스핀 헤드(10)를 상기 제1 처리 용기(210) 안에 위치시킨다(단계 S110).1, 16, and 17, first, the
이어, 연마 유닛(300)의 구동부(340)는 상기 가압부(310)를 상기 웨이퍼(70)의 상부에 상기 웨이퍼(70)와 인접하게 위치시킨다(단계 S120).Subsequently, the driving
상기 연마 유닛(300)은 제1 및 제2 약액(CL1, CL2)을 상기 웨이퍼(70)에 분사하고, 이와 동시에 상기 가압부(310)의 연마 패드(311)를 상기 웨이퍼(70)의 표면에 접촉시킨 상태에서 상기 연마 패드(311)의 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 웨이퍼(70)를 연마한다. 웨이퍼(70)의 연마 공정이 이루어지는 동안, 세정 부재(170)(도 11 및 도 12 참조)는 세정 유체, 즉, 용기 세정액과 척 세정액을 분사하여 기판 지지 유닛(100)과 처리 용기(200) 내벽을 세정한다(단계 S130).The polishing
이때, 상기 스핀 헤드(110)는 상면은 탄성력을 갖는 지지 시트(114)로 이루어지므로, 상기 웨이퍼(70)의 상면 또는 배면에 잔존하는 이물에 의해 상기 웨이퍼(70)의 특정 부분이 과연마되는 것을 방지할 수 있다.At this time, since the upper surface of the
연마 공정시, 상기 제1 및 제2 약액(CL1, CL2)은 상기 가압부(310)의 약액 노즐(318)에서 분사되며, 상기 연마 패드(311)는 자전과 동시에 스윙한다.In the polishing process, the first and second chemical liquids CL1 and CL2 are injected from the chemical
이 실시예에 있어서, 상기 기판 연마부(1000)는 상기 연마 유닛(300)이 상기 제1 및 제2 약액(CL1, CL2)을 분사하면서 상기 웨이퍼(70)를 연마한다. 그러나, 상기 연마 유닛(300)이 상기 제1 및 제2 약액(CL1, CL2)을 분사하지 않고, 별도의 약 액 분사 유닛, 예컨대, 상기 제1 처리액 공급 유닛(400)(도 3 참조)이나 상기 제2 처리액 공급 유닛(500)(도 3 참조)에서 상기 웨이퍼(70) 연마를 위한 상기 제1 및 제2 약액(CL1, CL2)이 분사될 수도 있다.In this embodiment, the
상기 연마 유닛(300)에 의한 연마 공정이 완료되면, 상기 웨이퍼(70)를 세정한다. 상기 웨이퍼(70)의 세정이 이루어지는 동안, 상기 세정 부재(170)(도 11 및 도 12 참조)는 용기 세정액과 척 세정액을 분사하여 기판 지지 유닛(100)과 처리 용기(200) 내벽을 세정한다(단계 S140).When the polishing process by the polishing
이와 같이, 상기 기판 연마부(1000)는 하나의 용기 유닛(200) 내에서 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정과 세정 공정이 순차적으로 이루어지므로, 웨이퍼(70)의 이송 시간 및 공정 시간을 단축시키고, 생산성을 향상시킬 수 있다.As described above, since the
상기 세정 공정이 완료되면, 상기 메인 이송 로봇(50)이 상기 스핀 헤드(110) 상의 웨이퍼(70)를 언로딩하여 버퍼부(30)에 적재한다(단계 S150). 인덱스 로봇(20)(도 1 참조)은 기판 연마부(1000)에서 공정 완료된 웨이퍼(70)를 버퍼부(30)로부터 인출하여 로딩/언로딩부(10)(도 1 참조)에 안착된 풉(12a, 12b, 12c, 12d)(도 1 참조)에 적재한다. 연마 공정 및 세정 공정이 완료된 웨이퍼들은 상기 풉(12a, 12b, 12c, 12d) 단위로 외부로 이송된다.When the cleaning process is completed, the
도 18은 도 16에 도시된 웨이퍼를 언로딩하는 과정을 나타낸 흐름도이다.18 is a flowchart illustrating a process of unloading the wafer illustrated in FIG. 16.
도 4, 도 17 및 도 18을 참조하면, 먼저, 진공홀들(112a)에 제공된 진공압을 해지하여 스핀 헤드(110)의 웨이퍼 진공 흡착을 해지한다(단계 S151).4, 17 and 18, first, the vacuum pressure provided to the
리프트 핀들(113)을 승강시켜 웨이퍼(70)를 스핀 헤드(110)로부터 이격시킴 과 동시에 에어 나이프(150)가 가스 유로(111a)로부터 배출된 파지 가스의 흐름을 가이드 하여 파지 가스를 웨이퍼(70)의 배면 단부로 제공한다(단계 S153). 이로써, 웨이퍼(70)를 파지하는 과정에서 웨이퍼(70) 상에 잔류하는 연마 약액 또는 세정액이 웨이퍼(70)의 배면 및 스핀 헤드(110)의 상면에 묻는 것을 방지한다.The lift pins 113 are lifted and lifted to separate the
이어, 웨이퍼(70)를 인출한다(단계 S155).Subsequently, the
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the embodiments above, those skilled in the art will understand that the present invention can be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. Could be.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 연마 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing a sheet type polishing system according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 매엽식 연마 시스템을 나타낸 측면도이다.FIG. 2 is a side view showing the sheet type polishing system shown in FIG. 1.
도 3은 도 1에 도시된 기판 연마부를 나타낸 사시도이다.3 is a perspective view illustrating the substrate polishing unit illustrated in FIG. 1.
도 4는 도 3에 도시된 기판 지지 유닛 및 처리 용기를 구체적으로 나타낸 부분 절개 사시도이다. 4 is a partial cutaway perspective view specifically showing the substrate support unit and the processing container shown in FIG. 3.
도 5는 도 4에 도시된 기판 지지 유닛 및 처리 용기를 부분적으로 확대하여 나타낸 부분 절개 사시도이다. FIG. 5 is a partially cutaway perspective view partially showing the substrate support unit and the processing container shown in FIG. 4.
도 6은 도 5에 도시된 기판 지지 유닛을 나타낸 평면도이다.FIG. 6 is a plan view illustrating the substrate supporting unit illustrated in FIG. 5.
도 7은 도 5에 도시된 기판 지지 유닛을 부분적으로 확대하여 나타낸 부분 절개 사시도이다.FIG. 7 is a partially cutaway perspective view partially showing the substrate support unit shown in FIG. 5.
도 8은 도 7에 도시된 가이드 핀을 확대하여 나타낸 부분 절개 사시도이다. FIG. 8 is an enlarged perspective view illustrating a partially cut guide pin shown in FIG. 7.
도 9는 도 5에 세정 부재를 나타낸 사시도이다.9 is a perspective view illustrating the cleaning member in FIG. 5.
도 10은 도 9에 도시된 세정 부재를 나타낸 평면도이다.10 is a plan view of the cleaning member illustrated in FIG. 9.
도 11은 도 9에 도시된 제1 분사부를 나타낸 측면도이다.FIG. 11 is a side view illustrating the first injection unit illustrated in FIG. 9.
도 12는 도 9에 도시된 제2 분사부를 나타낸 측면도이다.FIG. 12 is a side view illustrating the second spray unit illustrated in FIG. 9.
도 13은 도 3에 도시된 연마 유닛을 나타낸 사시도이다.FIG. 13 is a perspective view illustrating the polishing unit illustrated in FIG. 3.
도 14는 도 13에 도시된 연마 유닛을 나타낸 부분 절개 측면도이다. 14 is a partial cutaway side view of the polishing unit shown in FIG. 13.
도 15는 도 13에 도시된 가압부 및 유체 공급부를 나타낸 종단면도이다.FIG. 15 is a longitudinal cross-sectional view illustrating the pressurizing part and the fluid supply part shown in FIG. 13.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 연마 방법을 나타낸 흐름도이다.16 is a flowchart illustrating a substrate polishing method according to an embodiment of the present invention.
도 17은 도 3에 도시된 기판 연마부가 웨이퍼를 연마하는 과정을 나타낸 사시도다.17 is a perspective view illustrating a process of polishing a wafer by the substrate polishing unit shown in FIG. 3.
도 18은 도 16에 도시된 기판을 파지하는 방법을 나타낸 흐름도이다.18 is a flowchart illustrating a method of holding the substrate shown in FIG. 16.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Description of the Related Art [0002]
100 : 기판 지지부재 200 : 용기 유닛 100
300 : 연마 유닛 400 : 제1 처리액 공급 유닛 300: polishing unit 400: first processing liquid supply unit
500 : 제2 처리액 공급 유닛 600 : 브러쉬 유닛 500: second processing liquid supply unit 600: brush unit
700 : 에어로졸 유닛 800 : 패드 컨디셔닝 유닛700: aerosol unit 800: pad conditioning unit
1000 : 기판 연마부1000: substrate polishing part
Claims (13)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090000953A KR101041451B1 (en) | 2009-01-06 | 2009-01-06 | Substrate supporting member, substrate polishing apparatus having the same and method of polishing substrate using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090000953A KR101041451B1 (en) | 2009-01-06 | 2009-01-06 | Substrate supporting member, substrate polishing apparatus having the same and method of polishing substrate using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100081639A KR20100081639A (en) | 2010-07-15 |
KR101041451B1 true KR101041451B1 (en) | 2011-06-16 |
Family
ID=42642013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090000953A KR101041451B1 (en) | 2009-01-06 | 2009-01-06 | Substrate supporting member, substrate polishing apparatus having the same and method of polishing substrate using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101041451B1 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102188347B1 (en) * | 2013-12-31 | 2020-12-08 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
KR102291949B1 (en) * | 2014-06-16 | 2021-08-24 | 세메스 주식회사 | Apparatus treating a substrate and method cleaning the apparatus |
CN115431169B (en) * | 2022-08-24 | 2023-09-01 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | Vacuum connection conversion device, slide polishing method and polishing machine |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001176836A (en) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Shibaura Mechatronics Corp | Spin processor |
JP2003045833A (en) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and method of processing substrate |
-
2009
- 2009-01-06 KR KR1020090000953A patent/KR101041451B1/en active IP Right Grant
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---|---|
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