KR101098365B1 - Apparatus and method of treating substrate - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치는 기판을 연마하는 기판 연마부, 기판을 세정하는 기판 세정부, 기판을 수납하는 버퍼부, 및 기판을 이송하는 기판 이송 부재를 구비한다. 기판 세정부는 기판 연마부의 상부에 설치되고, 기판 이송 부재는 기판 연마부와 기판 세정부 및 버퍼부 간에 기판을 이송한다. 기판 이송 부재는 수직 이동 및 수평 이동이 가능하고, 기판이 안착되는 적어도 하나의 픽업 핸드를 구비한다. 이와 같이, 기판 처리 장치는 기판 연마부의 위에 기판 세정부가 설치되므로, 풋 프린트를 감소시키고, 기판 이송에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다.The substrate processing apparatus includes a substrate polishing portion for polishing the substrate, a substrate cleaning portion for cleaning the substrate, a buffer portion for storing the substrate, and a substrate transfer member for transferring the substrate. The substrate cleaning unit is provided above the substrate polishing unit, and the substrate transfer member transfers the substrate between the substrate polishing unit, the substrate cleaning unit, and the buffer unit. The substrate transfer member is capable of vertical movement and horizontal movement, and has at least one pickup hand on which the substrate is seated. Thus, since the substrate cleaning part is provided on the substrate polishing part, the substrate processing apparatus can reduce the footprint and shorten the time required for transferring the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD OF TREATING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and method {APPARATUS AND METHOD OF TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 반도체 제조 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 기판을 매엽식 처리 방식으로 연마 및 세정하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and method for polishing and cleaning a semiconductor substrate by a sheet-fed process.

일반적으로 반도체 소자의 제조 공정은 박막의 형성 및 적층을 위해 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 등 다수의 단위 공정들을 반복 수행해야만 한다. 웨이퍼 상에 요구되는 소정의 회로 패턴이 형성될 때까지 이들 공정은 반복되며, 회로 패턴이 형성된 후 웨이퍼의 표면에는 많은 굴곡이 생기게 된다. 최근 반도체 소자는 고집적화에 따라 그 구조가 다층화되며, 웨이퍼 표면의 굴곡의 수와 이들 사이의 단차가 증가하고 있다. 웨이퍼 표면의 비평탄화는 사진 공정에서 디포커스(Defocus) 등의 문제를 발생시키므로 웨이퍼의 표면을 평탄화하기 위해 주기적으로 웨이퍼 표면을 연마하여야 한다.In general, a semiconductor device manufacturing process must repeatedly perform a plurality of unit processes such as a deposition process, a photo process, and an etching process to form and stack thin films. These processes are repeated until the desired circuit pattern is formed on the wafer, and after the circuit pattern is formed, a lot of bending occurs on the surface of the wafer. In recent years, as semiconductor devices become highly integrated, their structures are multilayered, and the number of bends on the surface of the wafer and the step between them are increasing. Unplanarization of the wafer surface causes problems such as defocus in the photolithography process, and thus the wafer surface must be polished periodically to planarize the surface of the wafer.

웨이퍼의 표면을 평탄화하기 위해 다양한 표면 평탄화 기술이 있으나 이 중 좁은 영역뿐만 아니라 넓은 영역의 평탄화에 있어서도 우수한 평탄도를 얻을 수 있는 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing : CMP) 장치가 주로 사용된 다. 화학적 기계적 연마 장치는 텅스텐이나 산화물 등이 입혀진 웨이퍼의 표면을 기계적 마찰에 의해 연마시킴과 동시에 화학적 연마재에 의해 연마시키는 장치로서, 아주 미세한 연마를 가능하게 한다. Various surface planarization techniques are used to planarize the surface of the wafer, but chemical mechanical polishing (CMP) devices, which can obtain excellent flatness not only in narrow areas but also in wide areas, are mainly used. The chemical mechanical polishing apparatus is an apparatus for polishing a surface of a wafer coated with tungsten, an oxide, or the like by mechanical friction and polishing with a chemical abrasive, and enables very fine polishing.

연마 공정이 완료되면 연마 장치로부터 웨이퍼를 인출하여 세정 장치로 이송한다. 그러나, 세정 장치가 구비된 공간은 연마 장치가 구비된 공간과 서로 다르므로, 웨이퍼 이송에 많은 시간이 소요된다.After the polishing process is completed, the wafer is withdrawn from the polishing apparatus and transferred to the cleaning apparatus. However, since the space provided with the cleaning device is different from the space provided with the polishing device, it takes a lot of time to transfer the wafer.

본 발명의 목적은 공정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving process efficiency.

또한, 본 발명의 목적은 상기한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 제공하는 것이다.Moreover, the objective of this invention is providing the method of processing a board | substrate using the said substrate processing apparatus.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리 장치는, 적어도 하나의 기판 연마부, 적어도 하나의 기판 세정부, 버퍼부, 및 기판 이송 부재로 이루어진다.A substrate processing apparatus according to one feature for realizing the object of the present invention described above comprises at least one substrate polishing portion, at least one substrate cleaning portion, a buffer portion, and a substrate transfer member.

기판 연마부는 기판을 연마한다. 기판 세정부는 상기 기판 연마부의 상부에 설치되고, 상기 기판을 세정한다. 버퍼부는 상기 기판 연마부 또는 상기 기판 세정부에 투입 대기중인 기판과 상기 기판 연마부 또는 기판 세정부에서 처리 완료된 기판을 수납한다. 기판 이송 부재는 수직 이동 및 수평 이동이 가능하고 상기 기판 이 안착되는 적어도 하나의 픽업 핸드를 구비하고, 상기 기판 연마부와 상기 기판 세정부 및 상기 버퍼부간에 기판을 이송한다.The substrate polishing part polishes the substrate. A substrate cleaning unit is provided above the substrate polishing unit to clean the substrate. The buffer part accommodates a substrate waiting to be put into the substrate polishing part or the substrate cleaning part and a substrate processed by the substrate polishing part or the substrate cleaning part. The substrate transfer member is capable of vertical movement and horizontal movement and has at least one pickup hand on which the substrate is seated, and transfers the substrate between the substrate polishing portion, the substrate cleaning portion and the buffer portion.

또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리 방법은 다음과 같다. 먼저, 버퍼부로부터 연마 대기중인 기판을 인출하여 기판 연마부에 제공한다. 상기 기판 연마부에서 상기 기판을 연마한다. 연마 완료된 기판을 상기 기판 연마부의 상부에 설치된 기판 세정부로 이송한다. 상기 기판 세정부에서 상기 연마 완료된 기판을 세정한다. 상기 기판 세정부에서 세정 완료된 기판을 인출하여 상기 버퍼부에 제공한다.Further, the substrate processing method according to one feature for realizing the above object of the present invention is as follows. First, the substrate waiting to be polished is taken out from the buffer portion and provided to the substrate polishing portion. The substrate is polished in the substrate polishing unit. The polished substrate is transferred to a substrate cleaning unit provided on the substrate polishing unit. The substrate cleaning unit cleans the polished substrate. The substrate, which has been cleaned by the substrate cleaning unit, is taken out and provided to the buffer unit.

상술한 본 발명에 따르면, 기판 연마부의 위에 기판 세정부가 설치되므로, 기판 처리 장치는 풋 프린트를 감소시키고, 기판 이송에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다.According to the present invention described above, since the substrate cleaning portion is provided on the substrate polishing portion, the substrate processing apparatus can reduce the footprint and shorten the time required for transferring the substrate.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다. 이하에서는, 웨이퍼를 반도체 기판의 일례로 설명하나, 본 발명의 기술적 사상과 범위는 이에 한정되지 않는다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, the wafer will be described as an example of a semiconductor substrate, but the spirit and scope of the present invention are not limited thereto.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 기판 처리 시스템을 나타낸 측면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 매엽식 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a side view illustrating a sheet type substrate processing system according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view schematically illustrating the sheet type substrate processing system illustrated in FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(2000)은 로딩/언로딩부(10), 인덱스 로봇(Index Robot)(20), 버퍼부(30), 메인 이송 로봇(Main Transfer Robot)(50), 다수의 기판 연마부(1001), 다수의 기판 세정부(1002), 및 제어부(60)를 포함할 수 있다.1 and 2, the substrate processing system 2000 of the present invention includes a loading / unloading unit 10, an index robot 20, a buffer unit 30, and a main transfer robot. Robot) 50, a plurality of substrate polishing units 1001, a plurality of substrate cleaning units 1002, and a controller 60.

구체적으로, 상기 로딩/언로딩부(10)는 다수의 로드 포트(11a, 11b, 11c, 11d)를 포함한다. 이 실시예에 있어서, 상기 로딩/언로딩부(11)는 네 개의 로드 포트(11a, 11b, 11c, 11d)를 구비하나, 상기 로드 포트(11a, 11b, 11c, 11d)의 개수는 상기 기판 처리 시스템(2000)의 공정 효율 및 풋 프린트(Foot print) 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.Specifically, the loading / unloading unit 10 includes a plurality of load ports 11a, 11b, 11c, and 11d. In this embodiment, the loading / unloading section 11 has four load ports 11a, 11b, 11c, 11d, but the number of load ports 11a, 11b, 11c, 11d is the substrate. It may be increased or decreased depending on the process efficiency and the foot print condition of the processing system 2000.

상기 로드 포트들(11a, 11b, 11c, 11d)에는 웨이퍼들이 수납되는 풉들(Front Open Unified Pods: FOUPs)(12a, 12b, 12c, 12d)이 안착된다. 각 풉(12a, 12b, 12c, 12d)은 웨이퍼들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. 상기 풉(12a, 12b, 12c, 12d)에는 각 기판 연마부(1001) 또는 각 기판 세정부(1002)에서 처리가 완료된 웨이퍼들 또는 상기 각 기판 연마부(1001) 또는 기판 세정부(1002)에 투입할 웨이퍼들을 수납한다. 이하, 설명의 편의를 위해, 상기 기판 연마부(1001) 및 상기 기판 세정부(1002)에 의해 처리가 완료된 웨이퍼를 가공 웨이퍼라 하고, 상기 기판 연마부(1001)에서 아직 처리되지 않은 웨이퍼를 원시 웨이퍼라 한다.Front open unified pods (FOUPs) 12a, 12b, 12c, and 12d in which wafers are accommodated are mounted in the load ports 11a, 11b, 11c, and 11d. Each fulcrum 12a, 12b, 12c, 12d is formed with a plurality of slots for accommodating the wafers in a state in which they are arranged horizontally with respect to the ground. The wafers 12a, 12b, 12c, and 12d may be used to process wafers that have been processed in each substrate polishing unit 1001 or each substrate cleaning unit 1002, or the substrate polishing unit 1001 or the substrate cleaning unit 1002. The wafers to be loaded are stored. Hereinafter, for convenience of explanation, a wafer processed by the substrate polishing unit 1001 and the substrate cleaning unit 1002 is referred to as a processed wafer, and a wafer not yet processed by the substrate polishing unit 1001 is raw. It is called a wafer.

상기 로딩/언로딩부(11)와 상기 버퍼부(30) 사이에는 제1 이송 통로(41)가 형성되고, 상기 제1 이송 통로(41)에는 제1 이송 레일(42)이 설치된다. 상기 인덱 스 로봇(20)은 상기 제1 이송 레일(42)에 설치되고, 상기 제1 이송 레일(42)을 따라 이동하면서 상기 로딩/언로딩부(11)와 상기 버퍼부(30) 간에 웨이퍼들을 이송한다. 즉, 상기 인덱스 로봇(20)은 상기 로딩/언로딩부(11)에 안착된 풉(12a, 12b, 12c, 12d)으로부터 적어도 한 매의 원시 웨이퍼를 인출하여 상기 버퍼부(30)에 적재한다. 또한, 상기 인덱스 로봇(20)은 상기 버퍼부(30)로부터 적어도 한 매의 가공 웨이퍼를 인출하여 상기 로딩/언로딩부(11)에 안착된 풉(12a, 12b, 12c, 12d)에 적재한다.A first transfer passage 41 is formed between the loading / unloading portion 11 and the buffer portion 30, and a first transfer rail 42 is installed in the first transfer passage 41. The index robot 20 is installed on the first transfer rail 42, and moves along the first transfer rail 42 to form a wafer between the loading / unloading unit 11 and the buffer unit 30. Transport them. That is, the index robot 20 extracts at least one raw wafer from the unpacks 12a, 12b, 12c, and 12d mounted on the loading / unloading unit 11 and loads the raw wafers into the buffer unit 30. . In addition, the index robot 20 extracts at least one processed wafer from the buffer unit 30 and loads the processed wafers into the pools 12a, 12b, 12c, and 12d seated on the loading / unloading unit 11. .

도 3은 도 1에 도시된 인덱스 로봇을 나타낸 사시도이다.3 is a perspective view of the index robot shown in FIG.

도 1 및 도 3을 참조하면, 상기 인덱스 로봇(20)은 암 구동부(21), 다수의 인덱스 암(22), 다수의 연결부(23), 회전부(24), 수직 이동부(25), 및 수평 이동부(26)를 포함할 수 있다.1 and 3, the index robot 20 includes an arm driving unit 21, a plurality of index arms 22, a plurality of connecting units 23, a rotating unit 24, a vertical moving unit 25, and It may include a horizontal moving unit 26.

구체적으로, 상기 암 구동부(21)는 상기 인덱스 암들(22)을 각각 수평 이동시키며, 각 인덱스 암(22a, 22b, 22c, 22d)은 상기 암 구동부(21)에 의해 개별 구동된다.Specifically, the arm driver 21 horizontally moves the index arms 22, and each index arm 22a, 22b, 22c, and 22d is individually driven by the arm driver 21.

상기 암 구동부(21)의 상부에는 상기 인덱스 암들(22)이 설치된다. 상기 인덱스 암들(22)은 수직 방향으로 서로 마주하게 배치되고, 각각 1매의 웨이퍼를 적재할 수 있다. 이 실시예에 있어서, 상기 인덱스 로봇(20)은 4개의 인덱스 암(22a, 22b, 22c, 22d)를 구비하나, 상기 인덱스 암(22a, 22b, 22c, 22d)의 개수는 상기 기판 연마부(1000)의 공정 효율에 따라 증가할 수도 있다.The index arms 22 are installed above the arm driver 21. The index arms 22 may be disposed to face each other in the vertical direction, and may load one wafer. In this embodiment, the index robot 20 has four index arms 22a, 22b, 22c, and 22d, but the number of the index arms 22a, 22b, 22c, and 22d is the substrate polishing part ( It may increase with the process efficiency of 1000).

상기 인덱스 암들(22)은 원시 웨이퍼를 이송하는 투입용 인덱스 암들(22a, 22b)과 가공 웨이퍼를 이송하는 배출용 인덱스 암들(22c, 22d)로 구분하여 운용될 수 있으며, 이러한 경우, 투입용 인덱스 암들(22a, 22b)과 배출용 인덱스 암들(22c, 22d)은 서로 혼재되어 위치하지 않는다. 본 발명의 일례로, 상기 배출용 인덱스 암들(22c, 22d)이 상기 투입용 인덱스 암들(22a, 22b)의 상부에 위치한다. 이에 따라, 상기 인덱스 로봇(20)은 원시 웨이퍼와 가공 웨이퍼를 이송하는 과정에서 원시 웨이퍼로 인해 가공 웨이퍼가 오염되는 것을 방지할 수 있으므로, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.The index arms 22 may be operated by being divided into input index arms 22a and 22b for transferring a raw wafer and discharge index arms 22c and 22d for transferring a processed wafer. In this case, the index for loading The arms 22a and 22b and the ejection index arms 22c and 22d are not located in a mixture with each other. In one example of the present invention, the discharge index arms 22c and 22d are positioned above the input index arms 22a and 22b. Accordingly, the index robot 20 may prevent the processing wafer from being contaminated by the raw wafer in the process of transferring the raw wafer and the processing wafer, thereby improving the yield of the product.

상기 인덱스 암들(22)은 상기 로딩/언로딩부(10)에 안착되어 공정 대기중인 풉으로부터 한번에 하나 또는 다수의 원시 웨이퍼를 인출할 수 있고, 한번에 하나 또는 다수의 원시 웨이퍼를 상기 버퍼부(30)에 적재할 수 있다. The index arms 22 may be seated in the loading / unloading unit 10 to withdraw one or a plurality of raw wafers at a time from a pool waiting for processing, and one or more raw wafers may be loaded at a time in the buffer unit 30. ) Can be loaded.

또한, 상기 인덱스 암들(22)은 상기 버퍼부(30)로부터 한번에 하나 또는 다수의 가공 웨이퍼를 인출할 수 있고, 한번에 하나 또는 다수의 가공 웨이퍼를 상기 공정 대기중인 풉에 다시 적재할 수 있다.In addition, the index arms 22 may withdraw one or a plurality of processed wafers from the buffer unit 30 at a time, and may reload one or a plurality of processed wafers into the pool waiting to be processed at a time.

상기 인덱스 암들(22)은 상기 다수의 연결부(23)와 연결된다. 상기 다수의 연결부(23)는 상기 암 구동부(21)에 결합되어 상기 암 구동부(21)의 구동에 따라 연결된 인덱스 암을 수평 이동시킨다.The index arms 22 are connected to the plurality of connecting portions 23. The plurality of connection units 23 are coupled to the arm driver 21 to horizontally move the connected index arms according to the driving of the arm driver 21.

상기 암 구동부(21)의 아래에는 상기 회전부(24)가 설치된다. 상기 회전부(24)는 상기 암 구동부(21)와 결합하고, 회전하여 상기 암 구동부(21)를 회전시킨다. 이에 따라, 상기 인덱스 암들(22)이 함께 회전한다.The rotating part 24 is installed below the arm driving part 21. The rotating part 24 is coupled to the arm driving part 21 and rotates to rotate the arm driving part 21. Accordingly, the index arms 22 rotate together.

상기 회전부(24)의 아래에는 상기 수직 이동부(25)가 설치되고, 상기 수직 이동부(25)의 아래에는 수평 이동부(26)가 설치된다. 상기 수직 이동부(25)는 상기 회전부(24)와 결합하여 상기 회전부(24)를 승강 및 하강시키고, 이에 따라, 상기 암 구동부(21) 및 상기 인덱스 암들(22)의 수직 위치가 조절된다. 상기 수평 이동부(26)는 상기 제1 이송 레일(42)에 결합되어 상기 제1 이송 레일(42)을 따라 수평 이동한다. 이에 따라, 상기 인덱스 로봇(20)이 상기 로드 포트들(11a, 11b, 11c, 11d)의 배치 방향을 따라 이동할 수 있다.The vertical moving part 25 is installed below the rotating part 24, and the horizontal moving part 26 is installed below the vertical moving part 25. The vertical moving part 25 is combined with the rotating part 24 to raise and lower the rotating part 24, and accordingly, vertical positions of the arm driving part 21 and the index arms 22 are adjusted. The horizontal moving part 26 is coupled to the first transfer rail 42 to move horizontally along the first transfer rail 42. Accordingly, the index robot 20 may move along the arrangement direction of the load ports 11a, 11b, 11c, and 11d.

한편, 상기 버퍼부(30)는 상기 제1 이송 통로(41)의 일측에 설치된다. 상기 버퍼부(30)는 상기 인덱스 로봇(20)에 의해 이송된 원시 웨이퍼들을 수납하고, 상기 기판 연마부들에서 처리된 가공 웨이퍼들을 수납한다.On the other hand, the buffer unit 30 is installed on one side of the first transfer passage 41. The buffer unit 30 accommodates the raw wafers transferred by the index robot 20 and the processed wafers processed by the substrate polishing units.

도 4은 도 1에 도시된 버퍼부를 나타낸 사시도이다.4 is a perspective view illustrating the buffer unit illustrated in FIG. 1.

도 1 및 도 4를 참조하면, 상기 버퍼부(30)는 본체(31)와 제1 및 제2 지지부(32, 33)로 이루어진다.1 and 4, the buffer part 30 includes a main body 31 and first and second support parts 32 and 33.

구체적으로, 상기 본체(31)는 바닥면(31a), 상기 바닥면(31a)으로부터 수직하게 연장된 제1 및 제2 측벽(31b, 31c), 및 상기 제1 및 제2 측벽(31b, 31c)의 상단에 결합된 상면(31d)을 포함할 수 있다.Specifically, the main body 31 has a bottom surface 31a, first and second sidewalls 31b and 31c extending vertically from the bottom surface 31a, and the first and second sidewalls 31b and 31c. It may include an upper surface 31d coupled to the upper end of the).

상기 본체(31)는 웨이퍼의 출입을 위해 상기 인덱스 로봇(20)과 마주하는 전방 측벽 및 상기 메인 이송 로봇(50)과 마주하는 후방 측벽이 개방된다. 이에 따라, 상기 인덱스 로봇(20)과 상기 메인 이송 로봇(50)은 상기 버퍼부(30)로부터 웨이퍼를 인입 및 인출하기가 용이하다.The main body 31 has a front sidewall facing the index robot 20 and a rear sidewall facing the main transfer robot 50 to open and close the wafer. Accordingly, the index robot 20 and the main transfer robot 50 can easily draw and withdraw wafers from the buffer unit 30.

상기 제1 및 제2 측벽(31b, 31c)은 서로 마주하게 배치되며, 상기 상면(31d) 은 일부분 제거되어 개구부(31e)가 형성된다.The first and second side walls 31b and 31c are disposed to face each other, and the upper surface 31d is partially removed to form an opening 31e.

상기 본체(31) 내부에는 상기 제1 및 제2 지지부(32, 33)가 형성된다. 상기 제1 지지부(32)는 상기 제1 측벽(31b)에 결합되고, 상기 제2 지지부(33)는 제2 측벽(31c)에 결합된다. 상기 제1 및 제2 지지부(32, 33)는 각각 다수의 지지대를 포함한다. 상기 제1 지지부(32)의 지지대들은 상기 제2 지지부(33)의 지지대들과 서로 일대일 대응하며, 웨이퍼는 서로 대응하는 상기 제1 지지부(32)의 지지대와 상기 제2 지지부(33)의 지지대에 의해 단부가 지지되어 상기 버퍼부(30)에 수납된다. 이때, 상기 웨이퍼는 상기 바닥면(31)과 마주하게 배치된다.The first and second support parts 32 and 33 are formed inside the main body 31. The first support part 32 is coupled to the first side wall 31b, and the second support part 33 is coupled to the second side wall 31c. The first and second supports 32 and 33 each include a plurality of supports. The supports of the first support part 32 correspond one-to-one with the supports of the second support part 33, and the wafer supports the support of the first support part 32 and the support of the second support part 33 corresponding to each other. The end is supported by and is accommodated in the buffer unit 30. In this case, the wafer is disposed to face the bottom surface 31.

상기 제1 및 제2 지지부(32, 33)의 지지대들은 수직 방향으로 서로 이격되어 위치한다. The supports of the first and second supports 32 and 33 are spaced apart from each other in the vertical direction.

상기 메인 이송 로봇(50)은 제2 이송 통로(43)에 설치된다. 상기 제2 이송 통로(43)에는 제2 이송 레일(44)이 구비되고, 상기 제2 이송 레일(44)에는 상기 메인 이송 로봇(50)이 설치된다. 상기 메인 이송 로봇(50)은 상기 제2 이송 레일(44)을 따라 이동하면서, 상기 버퍼부(30)와 상기 기판 연마부들 간에 웨이퍼를 이송한다. 즉, 상기 메인 이송 로봇(50)은 상기 버퍼부(30)로부터 적어도 한 매의 원시 웨이퍼를 인출하여 상기 기판 연마부(1000)에 제공하고, 상기 기판 연마부(1000)에서 처리된 웨이퍼, 즉 가공 웨이퍼를 상기 버퍼부(30)에 적재한다.The main transfer robot 50 is installed in the second transfer passage 43. The second transfer passage 43 is provided with a second transfer rail 44, and the second transfer rail 44 is provided with the main transfer robot 50. The main transfer robot 50 moves along the second transfer rail 44 to transfer wafers between the buffer unit 30 and the substrate polishing units. That is, the main transfer robot 50 pulls out at least one raw wafer from the buffer unit 30 to provide it to the substrate polishing unit 1000, and the wafer processed by the substrate polishing unit 1000, namely, The processed wafer is loaded into the buffer part 30.

도 5는 도 2에 도시된 메인 이송 로봇을 나타낸 사시도이다.5 is a perspective view showing the main transport robot shown in FIG.

도 1, 도 2 및 도 5를 참조하면, 상기 메인 이송 로봇(50)은 핸드 구동부(51), 다수의 픽업 핸드(52), 다수의 연결부(53), 회전부(54), 수직 이동부(55) 및 수평 이동부(56)를 포함할 수 있다.1, 2, and 5, the main transport robot 50 includes a hand driver 51, a plurality of pickup hands 52, a plurality of connection parts 53, a rotation part 54, and a vertical moving part ( 55 and the horizontal moving part 56.

구체적으로, 상기 핸드 구동부(51)는 상기 픽업 핸드들(52)을 각각 수평 이동시키며, 각 픽업 핸드(52a, 52b, 52c, 52d)는 상기 핸드 구동부(51)에 의해 개별 구동된다.Specifically, the hand drive 51 moves the pick-up hands 52 horizontally, and each pick-up hand 52a, 52b, 52c, 52d is individually driven by the hand drive 51.

상기 핸드 구동부(51)의 상부에는 상기 픽업 핸드들(52)이 설치된다. 상기 픽업 핸드들(52)은 수직 방향으로 서로 마주하게 배치되고, 각각 1매의 웨이퍼를 적재할 수 있다. 이 실시예에 있어서, 상기 메인 이송 로봇(50)은 4개의 픽업 핸드(52a, 52b, 52c, 52d)를 구비하나, 상기 픽업 핸드(52a, 52b, 52c, 52d)의 개수는 상기 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율에 따라 증가할 수도 있다.The pickup hands 52 are installed above the hand driving unit 51. The pick-up hands 52 are disposed to face each other in the vertical direction, and each can load one wafer. In this embodiment, the main transfer robot 50 has four pick-up hands 52a, 52b, 52c, 52d, but the number of the pick-up hands 52a, 52b, 52c, 52d is the substrate processing system. It may increase with the process efficiency of (1000).

상기 픽업 핸드들(52)은 원시 웨이퍼를 이송하는 투입용 픽업 핸드들(52a, 52b)과 가공 웨이퍼를 이송하는 배출용 픽업 핸드들(52c, 52d)로 구분하여 운용될 수 있으며, 이러한 경우, 투입용 픽업 핸드들(52a, 52b)과 배출용 픽업 핸드들(52c, 52d)은 서로 혼재되어 위치하지 않는다. 본 발명의 일례로, 상기 배출용 픽업 핸드들(52c, 52d)이 상기 투입용 픽업 핸드들(52a, 52b)의 상부에 위치한다. 이에 따라, 상기 메인 이송 로봇(500)은 원시 웨이퍼와 가공 웨이퍼를 이송하는 과정에서 원시 웨이퍼로 인해 가공 웨이퍼가 오염되는 것을 방지할 수 있으므로, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.The pick-up hands 52 may be divided into input pick-up hands 52a and 52b for transferring a raw wafer and discharge pick-up hands 52c and 52d for transferring a processed wafer. In this case, The input pick-up hands 52a and 52b and the discharge pick-up hands 52c and 52d are not located in a mixture with each other. In one example of the present invention, the discharge pick-up hands 52c and 52d are positioned above the input pick-up hands 52a and 52b. Accordingly, the main transfer robot 500 may prevent the processing wafer from being contaminated by the raw wafer in the process of transferring the raw wafer and the processing wafer, thereby improving the yield of the product.

상기 픽업 핸드들(52)은 상기 버퍼부(300)로부터 한번에 하나 또는 다수의 원시 웨이퍼를 인출한 후 유휴 상태의 기판 연마부에 1매의 원시 웨이퍼를 제공한다. 또한, 상기 픽업 핸드들(52)은 공정 완료된 기판 연마부로부터 가공 웨이퍼를 인출한 후 한번에 하나 또는 다수의 가공 웨이퍼를 상기 버퍼부(30)에 적재한다. The pick-up hands 52 withdraw one or a plurality of raw wafers from the buffer unit 300 at a time and provide one raw wafer to an idle substrate polishing unit. In addition, the pick-up hands 52 withdraw the processed wafer from the processed substrate polishing unit and load one or more processed wafers into the buffer unit 30 at a time.

상기 픽업 핸드들(52)은 상기 다수의 연결부(53)와 연결된다. 상기 다수의 연결부(53)는 상기 핸드 구동부(51)에 결합되어 상기 핸드 구동부(51)의 구동에 따라 연결된 픽업 핸드를 수평 이동시킨다.The pick-up hands 52 are connected to the plurality of connections 53. The plurality of connection units 53 are coupled to the hand driver 51 to horizontally move the picked-up hands connected by the driving of the hand driver 51.

상기 핸드 구동부(51)의 아래에는 상기 회전부(54)가 설치된다. 상기 회전부(54)는 상기 핸드 구동부(51)와 결합하고, 회전하여 상기 핸드 구동부(51)를 회전시킨다. 이에 따라, 상기 픽업 핸드들(52)이 함께 회전한다.The rotating part 54 is installed below the hand driving part 51. The rotating unit 54 is coupled to the hand driving unit 51 and rotates to rotate the hand driving unit 51. Accordingly, the pick-up hands 52 rotate together.

상기 회전부(54)의 아래에는 상기 수직 이동부(55)가 설치되고, 상기 수직 이동부(55)의 아래에는 수평 이동부(56)가 설치된다. 상기 수직 이동부(55)는 상기 회전부(54)와 결합하여 상기 회전부(54)를 승강 및 하강시키고, 이에 따라, 상기 핸드 구동부(51) 및 상기 픽업 핸드들(52)의 수직 위치가 조절된다. 상기 수평 이동부는 상기 제2 이송 레일(44)에 결합되어 상기 제2 이송 레일(44)을 따라 수평이동한다. 이에 따라, 상기 메인 이송 로봇(50)이 상기 버퍼부(30)와 기판 연마부들 및 기판 세정부들 간을 이동할 수 있다.The vertical moving part 55 is installed below the rotating part 54, and the horizontal moving part 56 is installed below the vertical moving part 55. The vertical moving part 55 is combined with the rotating part 54 to raise and lower the rotating part 54, thereby adjusting the vertical positions of the hand driving part 51 and the pick-up hands 52. . The horizontal moving part is coupled to the second transfer rail 44 to move horizontally along the second transfer rail 44. Accordingly, the main transfer robot 50 may move between the buffer unit 30, the substrate polishing units, and the substrate cleaning units.

상기 제2 이송 통로(43)의 양측에는 상기 기판 연마부들과 상기 기판 세정부들이 배치된다. 상기 기판 연마부들은 적어도 두 개 이상의 기판 연마부가 상기 제2 이송 통로(43)를 사이에 두고 서로 마주하게 배치되며, 각 기판 연마부(1001)는 상기 원시 웨이퍼를 연마한다. 상기 기판 연마부들의 상부에는 상기 기판 세정부들이 배치되고, 상기 기판 연마부들과 마찬가지로 상기 기판 세정부들은 적어도 두 개 이상의 기판 세정부가 상기 제2 이송 통로(43)를 사이에 두고 서로 마주하게 배 치되며, 각 기판 세정부(1002)는 연마된 웨이퍼를 세정한다.The substrate polishing parts and the substrate cleaning parts are disposed at both sides of the second transfer passage 43. The substrate polishing units are disposed such that at least two substrate polishing units face each other with the second transfer passage 43 interposed therebetween, and each substrate polishing unit 1001 polishes the raw wafer. The substrate cleaners are disposed on the substrate polishing units, and like the substrate polishing units, the substrate cleaners may be disposed such that at least two substrate cleaners face each other with the second transfer passage 43 therebetween. Each substrate cleaner 1002 cleans the polished wafer.

이와 같이, 상기 기판 연마부들과 상기 기판 세정부들이 복층으로 다수의 열로 배치되므로, 상기 기판 처리 시스템(2000)은 웨이퍼의 연마와 세정을 모두 수행할 수 있고, 다수의 웨이퍼를 동시에 연마 및 세정할 수 있으며, 풋 프린트를 감소시킬 수 있다. 또한, 기판 세정부(1002)가 상기 기판 연마부(1001)의 상부에 배치되므로, 상기 기판 세정부(1002)에서 세정된 웨이퍼가 다시 오염되는 것을 방지하고, 공정 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있다.As such, since the substrate polishing portions and the substrate cleaning portions are arranged in a plurality of rows in a plurality of layers, the substrate processing system 2000 may perform both polishing and cleaning of wafers, and simultaneously polishes and cleans a plurality of wafers. Can reduce the footprint. In addition, since the substrate cleaning unit 1002 is disposed above the substrate polishing unit 1001, the wafer cleaned in the substrate cleaning unit 1002 may be prevented from being contaminated again and the process efficiency and productivity may be improved. .

상기 메인 이송 로봇(50)은 수직 이동부(55)의 구동에 의해 상기 픽업 핸드들(52)을 승강 및 하강시켜 1층에 위치하는 각 기판 연마부(1001)와 2층에 위치하는 각 기판 세정부(1002)에 접근하여 기판 연마부(1001) 및 기판 세정부(1002)로부터 웨이퍼를 인출 및 인입시킨다.The main transfer robot 50 lifts and lowers the pick-up hands 52 by driving the vertical moving part 55, and each substrate polishing part 1001 located on one floor and each substrate located on a second floor. The cleaning unit 1002 is approached to draw and withdraw the wafer from the substrate polishing unit 1001 and the substrate cleaning unit 1002.

한편, 각 기판 연마부(1001)는 상기 제어부(60)와 연결되고, 상기 제어부(60)의 제어에 따라 원시 웨이퍼를 연마한다. 즉, 상기 제어부(60)는 상기 기판 연마부(1001)를 제어하여 각 기판 연마부(1001)의 연마 공정을 제어한다. On the other hand, each substrate polishing unit 1001 is connected to the control unit 60, and the raw wafer is polished under the control of the control unit 60. That is, the controller 60 controls the substrate polishing unit 1001 to control the polishing process of each substrate polishing unit 1001.

이하, 도면을 참조하여 상기 기판 연마부(1001)의 구성에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the structure of the substrate polishing unit 1001 will be described in detail with reference to the drawings.

도 6은 도 2에 도시된 기판 연마부를 나타낸 사시도이고, 도 7은 도 6에 도시된 기판 지지유닛 및 용기 유닛을 구체적으로 나타낸 부분 절개 사시도이다.FIG. 6 is a perspective view illustrating the substrate polishing unit illustrated in FIG. 2, and FIG. 7 is a partially cut perspective view illustrating the substrate support unit and the container unit illustrated in FIG. 6.

도 2, 도 6 및 도 7을 참조하면, 각 기판 연마부(1001)는 기판 지지유닛(100), 용기 유닛(bowl unit)(200), 연마 유닛(300), 제1 및 제2 처리액 공급 유 닛(410, 420), 브러쉬 유닛(510), 에어로졸 유닛(520) 및 패드 컨디셔닝 유닛(600)을 포함할 수 있다.2, 6, and 7, each substrate polishing unit 1001 includes a substrate support unit 100, a container unit 200, a polishing unit 300, and first and second processing liquids. The supply units 410 and 420 may include a brush unit 510, an aerosol unit 520, and a pad conditioning unit 600.

상기 기판 지지유닛(100)은 상기 메인 이송 로봇(50)으로부터 이송된 웨이퍼(70)가 안착된다. 상기 기판 지지 유닛(100)은 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정과 세정 공정이 이루어지는 동안 상기 웨이퍼(70)를 지지 및 고정시킨다. 상기 기판 지지 유닛(100)은 상기 웨이퍼(70)가 안착되는 스핀 헤드(110), 상기 스핀 헤드(110)를 지지하는 지지부(120), 및 회전력을 제공하는 스핀 구동부(130)를 포함할 수 있다.The substrate support unit 100 is mounted with a wafer 70 transferred from the main transfer robot 50. The substrate support unit 100 supports and fixes the wafer 70 during a polishing process and a cleaning process of the wafer 70. The substrate support unit 100 may include a spin head 110 on which the wafer 70 is seated, a support 120 supporting the spin head 110, and a spin driver 130 providing rotational force. have.

상기 스핀 헤드(110)는 평면상에서 볼 때, 대체로 원 형상을 갖고, 상면으로부터 하면으로 갈수록 점차 폭이 감소한다. 본 발명의 일례로, 상기 스핀 헤드(110)는 상기 웨이퍼(70)를 지지하는 상면의 면적이 상기 웨이퍼(70)의 면적 보다 작다. 따라서, 측면에서 볼 때 상기 스핀 헤드(110)에 안착된 웨이퍼(70)는 단부가 상기 스핀 헤드(110) 상면의 단부보다 외측으로 돌출된다.The spin head 110 has a generally circular shape in plan view and gradually decreases in width from an upper surface to a lower surface. In one example of the present invention, the spin head 110 has an area of an upper surface that supports the wafer 70 is smaller than that of the wafer 70. Therefore, in the side view, the wafer 70 seated on the spin head 110 protrudes outward from the end of the upper surface of the spin head 110.

상기 스핀 헤드(110)의 아래에는 상기 지지부(120)가 설치되고, 상기 지지부(120)는 상기 스핀 구동부(130)와 연결된다. 상기 지지부(120)는 대체로 원기둥 형상을 가지며, 상기 스핀 헤드(110)와 결합한다. 상기 스핀 구동부(130)는 상기 지지부(120)를 회전시키고, 상기 지지부(120)의 회전력은 상기 스핀 헤드(110)에 전달되어 상기 스핀 헤드(110)가 회전된다. 연마 공정 및 세정 공정이 이루어지는 동안, 상기 스핀 헤드(110)는 상면에 상기 기판(70)을 고정시킨 상태에서 상기 스핀 구동부(130)로부터 제공되는 회전력에 의해 회전한다.The support part 120 is installed below the spin head 110, and the support part 120 is connected to the spin driver 130. The support 120 has a generally cylindrical shape and is coupled to the spin head 110. The spin driver 130 rotates the support part 120, and the rotational force of the support part 120 is transmitted to the spin head 110 to rotate the spin head 110. During the polishing process and the cleaning process, the spin head 110 is rotated by the rotational force provided from the spin driver 130 while the substrate 70 is fixed to the upper surface.

상기 기판 지지 유닛(100)은 상기 용기 유닛(200) 내부에 수용된다. 상기 용기 유닛(200)은 제1 및 제2 처리 용기(process bowl)(210, 220), 제1 및 제2 회수통(recovery vat)(230, 240), 제1 및 제2 회수관(251, 252), 및 승강부재(260)를 포함할 수 있다.The substrate support unit 100 is accommodated in the container unit 200. The container unit 200 includes first and second process bowls 210 and 220, first and second recovery vats 230 and 240, and first and second recovery tubes 251. , 252, and an elevating member 260.

구체적으로, 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)는 상기 기판 지지유닛(100)을 둘러싸고, 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정 및 세정 공정이 이루어지는 공정 공간을 제공한다. 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)는 각각 상부가 개방되며, 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)의 개방된 상부를 통해 상기 스핀 헤드(110)가 노출된다. 이 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)는 원형의 링 형상을 가지나, 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)의 형상은 이에 국한되지 않고 다양한 형상을 가질 수 있다.In detail, the first and second processing containers 210 and 220 surround the substrate support unit 100 and provide a process space in which a polishing process and a cleaning process of the wafer 70 are performed. Upper portions of the first and second processing vessels 210 and 220 are respectively opened, and the spin head 110 is exposed through the open upper portions of the first and second processing vessels 210 and 220. In this embodiment, the first and second processing vessels 210 and 220 have a circular ring shape, but the shapes of the first and second processing vessels 210 and 220 are not limited thereto. Can have

구체적으로, 상기 제1 처리 용기(210)는 측벽(211), 상판(212) 및 가이드부(213)를 포함할 수 있다. 상기 측벽(211)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 상기 기판 지지 유닛(100)을 둘러싼다.In detail, the first processing container 210 may include a sidewall 211, a top plate 212, and a guide part 213. The side wall 211 has a generally circular ring shape and surrounds the substrate support unit 100.

상기 측벽(211)의 상단부는 상기 상판(212)과 연결된다. 상기 상판(212)은 상기 측벽(211)으로부터 연장되어 형성되고, 상기 측벽(211)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 경사면으로 이루어진다. 상기 상판(212)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 평면상에서 볼 때 상기 스핀 헤드(110)로부터 이격되어 상기 스핀 헤드(110)를 둘러싼다.An upper end of the side wall 211 is connected to the top plate 212. The upper plate 212 extends from the side wall 211, and is formed of an inclined surface that is inclined upwardly away from the side wall 211. The top plate 212 has a generally circular ring shape and is spaced apart from the spin head 110 when viewed in plan view and surrounds the spin head 110.

상기 가이드부(213)는 제1 및 제2 가이드 벽(213a, 213b)을 포함한다. 상기 제1 가이드 벽(213a)은 상기 측벽(211)의 내벽으로부터 돌출되어 상기 상판(212)과 마주하며, 상기 측벽으로부터 멀어질수록 하향 경사진 경사면으로 이루어지고, 원형의 링 형상을 갖는다. 상기 제2 가이드 벽(213b)은 상기 제1 가이드 벽(213a)으로부터 아래로 수직하게 연장되고, 상기 측벽(211)과 마주하며, 원형의 링 형상을 갖는다. 상기 가이드부(213)는 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정중 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)과 상판(212)의 내면들측으로 비산된 처리액이 상기 제1 회수통(230) 측으로 흐르도록 가이드한다.The guide portion 213 includes first and second guide walls 213a and 213b. The first guide wall 213a protrudes from the inner wall of the side wall 211 to face the top plate 212, and is formed of an inclined surface that is inclined downward as it moves away from the side wall, and has a circular ring shape. The second guide wall 213b extends vertically downward from the first guide wall 213a, faces the side wall 211, and has a circular ring shape. The guide part 213 has a treatment liquid scattered to the side surfaces 211 of the first processing container 210 and the inner surfaces of the upper plate 212 during the polishing process of the wafer 70. Guide to flow to the side.

상기 제1 처리 용기(210)의 외측에는 상기 제2 처리 용기(220)가 설치된다. 상기 제2 처리 용기(220)는 상기 제1 처리 용기(210)를 둘러싸고, 상기 제1 처리 용기(210)보다 큰 크기를 갖는다.The second processing container 220 is installed outside the first processing container 210. The second processing container 220 surrounds the first processing container 210 and has a size larger than that of the first processing container 210.

구체적으로, 상기 제2 처리 용기(220)는 측벽(221) 및 상판(222)을 포함할 수 있다. 상기 측벽(221)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)을 둘러싼다. 상기 측벽(221)은 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)과 이격되어 위치하며, 상기 제1 처리 용기(210)와 연결된다.In detail, the second processing container 220 may include a sidewall 221 and a top plate 222. The side wall 221 has a generally circular ring shape and surrounds the side wall 211 of the first processing container 210. The side wall 221 is positioned to be spaced apart from the side wall 211 of the first processing container 210 and is connected to the first processing container 210.

상기 측벽(221)의 상단부는 상기 상판(222)과 연결된다. 상기 상판(222)은 상기 측벽(221)으로부터 연장되어 형성되고, 상기 측벽(221)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 경사면으로 이루어진다. 상기 상판(222)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 평면상에서 볼 때 상기 스핀 헤드(110)로부터 이격되어 상기 스핀 헤드(110)를 둘러싼다. 상기 상판(222)은 상기 제1 처리 용기(210)의 상판(211) 상부에서 상기 제1 처리 용기(210)의 상판(211)과 마주하며, 상기 제1 처리 용기(210)의 상 판(211)과 이격되어 위치한다.An upper end of the side wall 221 is connected to the top plate 222. The upper plate 222 extends from the side wall 221 and is formed of an inclined surface that is inclined upwardly away from the side wall 221. The top plate 222 has a generally circular ring shape and is spaced apart from the spin head 110 when viewed in plan view and surrounds the spin head 110. The upper plate 222 faces the upper plate 211 of the first processing container 210 on the upper plate 211 of the first processing container 210, and the upper plate of the first processing container 210 ( 211).

상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)의 아래에는 연마 공정 및 세정 공정에서 사용된 처리액들을 회수하는 상기 제1 및 제2 회수통(230, 240)이 설치된다. 상기 제1 및 제2 회수통(230, 240)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 상부가 개방된다. 이 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 회수통(230, 240)은 원형의 링 형상을 가지나, 상기 제1 및 제2 회수통(230, 240)의 형상은 이에 국한되지 않고 다양하게 형성될 수 있다.Under the first and second processing vessels 210 and 220, the first and second recovery containers 230 and 240 for recovering the processing liquids used in the polishing process and the cleaning process are installed. The first and second recovery containers 230 and 240 have a generally circular ring shape and an upper portion thereof is opened. In this embodiment, the first and second recovery container 230 and 240 have a circular ring shape, but the shape of the first and second recovery container 230 and 240 is not limited thereto, and may be variously formed. Can be.

상기 제1 회수통(230)은 상기 제1 처리 용기(210)의 아래에 설치되고, 연마 공정에서 사용된 처리액을 회수한다. 제2 회수통(240)은 상기 제2 처리 용기(220)의 아래에 설치되고, 세정 공정에서 사용된 처리액을 회수한다.The first recovery container 230 is installed below the first processing container 210 to recover the processing liquid used in the polishing process. The second collection container 240 is installed under the second processing container 220 to recover the processing liquid used in the cleaning process.

구체적으로, 상기 제1 회수통(230)은 바닥판(231), 제1 측벽(232), 제2 측벽(233) 및 연결부(234)를 포함할 수 있다. 상기 바닥판(231)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 상기 지지부(220)를 둘러싼다. 본 발명의 일례로, 상기 바닥판(231)은 상기 제1 회수통(230)에 회수된 처리액의 배출을 용이하게 하기 위해 종단면이 'V' 형상을 갖는다. 이에 따라, 상기 바닥판(231)에는 링 형상의 회수 유로(231a)가 형성되며, 상기 처리액의 배출 및 회수가 용이하다.In detail, the first recovery container 230 may include a bottom plate 231, a first sidewall 232, a second sidewall 233, and a connection part 234. The bottom plate 231 has a generally circular ring shape and surrounds the support 220. In one example of the present invention, the bottom plate 231 has a longitudinal section 'V' shape to facilitate the discharge of the treatment liquid recovered in the first recovery container 230. As a result, a ring-shaped recovery passage 231a is formed in the bottom plate 231, and the discharge and recovery of the treatment liquid are easy.

상기 제1 측벽(232)은 상기 바닥판(231)으로부터 수직하게 연장되어 처리액을 회수하는 제1 회수 공간(RS1)을 형성한다. 상기 제2 측벽(233)은 상기 제1 측벽(232)으로부터 이격되어 상기 제1 측벽(232)과 마주한다. 상기 연결부(234)는 상기 제1 측벽(232)의 상단부 및 상기 제2 측벽(233)의 상단부와 연결되고, 상기 제1 측벽(232)으로부터 상기 제2 측벽(233)으로 갈수록 상향 경사진 경사면으로 이루어진다. 상기 연결부(234)는 상기 제1 회수 공간(RS1) 밖으로 떨어진 처리액이 상기 제1 회수 공간(RS1)에 유입되도록 상기 제1 회수 공간(RS1) 측으로 가이드한다.The first sidewall 232 extends vertically from the bottom plate 231 to form a first recovery space RS1 for recovering the treatment liquid. The second sidewall 233 is spaced apart from the first sidewall 232 to face the first sidewall 232. The connecting portion 234 is connected to an upper end of the first side wall 232 and an upper end of the second side wall 233, and an inclined surface inclined upward toward the second side wall 233 from the first side wall 232. Is done. The connection part 234 guides the treatment liquid that is out of the first recovery space RS1 to the first recovery space RS1 so that the processing liquid flows into the first recovery space RS1.

상기 제1 회수통(230)의 외측에는 상기 제2 회수통(240)이 설치된다. 상기 제2 회수통(240)은 상기 제1 회수통(230)을 둘러싸고, 상기 제1 회수통(230)으로부터 이격되어 위치한다. 구체적으로, 상기 제2 회수통(240)은 바닥판(241), 제1 측벽(242) 및 제2 측벽(243)을 포함할 수 있다. 상기 바닥판(241)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 상기 제1 회수통(230)의 바닥판(231)을 둘러싼다. 본 발명의 일례로, 상기 바닥판(241)은 상기 제2 회수통(240)에 회수된 처리액의 배출을 용이하게 하기 위해 종단면이 'V' 형상을 갖는다. 이에 따라, 상기 바닥판(241)에는 링 형상의 회수 유로(241a)가 형성되며, 처리액의 배출 및 회수가 용이하다.The second recovery container 240 is installed outside the first recovery container 230. The second recovery container 240 surrounds the first recovery container 230 and is spaced apart from the first recovery container 230. In detail, the second recovery container 240 may include a bottom plate 241, a first sidewall 242, and a second sidewall 243. The bottom plate 241 has a generally circular ring shape, and surrounds the bottom plate 231 of the first recovery container 230. In one example of the present invention, the bottom plate 241 has a longitudinal section 'V' shape to facilitate the discharge of the treatment liquid recovered in the second recovery container 240. As a result, a ring-shaped recovery passage 241a is formed in the bottom plate 241, and the discharge and recovery of the processing liquid are easy.

상기 제1 및 제2 측벽(242, 243)은 상기 바닥판(241)으로부터 수직하게 연장되어 처리액을 회수하는 제2 회수 공간(RS2)을 형성하며, 원형의 링 형상을 갖는다. 상기 제1 측벽(242)은 상기 제1 회수통(230)의 제1 측벽(232)과 제2 측벽(233)과의 사이에 위치하고, 상기 제1 회수통(230)의 제1 측벽(232)을 둘러싼다. 상기 제2 회수통(240)의 제2 측벽(243)은 상기 바닥판(241)을 사이에두고 상기 제1 측벽(242)과 마주하고, 상기 제1 측벽(242)을 둘러싼다. 상기 제2 회수통(240)의 제2 측벽(243)은 상기 제1 회수통(230)의 제2 측벽(233)을 둘러싸며, 상단부가 상기 제2 처리 용기(220)의 측벽(222) 외측에 위치한다.The first and second sidewalls 242 and 243 extend vertically from the bottom plate 241 to form a second recovery space RS2 for recovering the treatment liquid, and have a circular ring shape. The first sidewall 242 is positioned between the first sidewall 232 and the second sidewall 233 of the first recovery container 230, and the first sidewall 232 of the first recovery container 230. Surround). The second sidewall 243 of the second recovery container 240 faces the first sidewall 242 with the bottom plate 241 interposed therebetween, and surrounds the first sidewall 242. The second sidewall 243 of the second recovery container 240 surrounds the second sidewall 233 of the first recovery container 230, and has an upper end sidewall 222 of the second processing container 220. Located outside.

상기 웨이퍼(70)의 연마 및 세정 공정시, 각 공정에 따라 상기 스핀 헤 드(110)와 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220) 간의 수직 위치가 변경되며, 상기 제1 및 제2 회수통(230, 240)은 서로 다른 공정에서 사용된 처리액을 회수한다.In the polishing and cleaning process of the wafer 70, the vertical position between the spin head 110 and the first and second processing containers 210 and 220 is changed according to each process, and the first and second Recovery containers 230 and 240 recover the processing liquids used in different processes.

구체적으로, 상기 연마 공정시 상기 스핀 헤드(110)는 제1 처리 용기(210) 안에 배치되며, 상기 제1 처리 용기(210) 내부에서 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정이 이루어진다. 연마 공정이 이루어지는 동안 상기 스핀 헤드(110)의 회전에 의해 상기 웨이퍼(70)가 회전한다. 이에 따라, 상기 연마 공정 시 상기 웨이퍼(70)에 분사된 처리액이 상기 웨이퍼(70)의 회전력에 의해 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211) 내면 및 상판(212) 내면측으로 비산된다. 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)과 상판(212)의 내면들에 묻은 처리액은 상기 제1 처리 용기(210)의 상판(212) 및 측벽(211)을 따라 중력 방향으로 흘러 상기 가이드부(213)에 도달하고, 상기 가이드부(213)의 내면을 따라 중력 방향으로 흘러 상기 제1 회수통(230)에 회수된다.Specifically, during the polishing process, the spin head 110 is disposed in the first processing container 210, and the polishing process of the wafer 70 is performed in the first processing container 210. The wafer 70 is rotated by the rotation of the spin head 110 during the polishing process. Accordingly, the processing liquid sprayed on the wafer 70 during the polishing process is scattered toward the inner surface of the side wall 211 and the upper plate 212 of the first processing container 210 by the rotational force of the wafer 70. . The processing liquid buried in the side walls 211 of the first processing container 210 and the inner surfaces of the upper plate 212 flows along the top plate 212 and the side walls 211 of the first processing container 210 in the direction of gravity. The guide part 213 is reached and flows along the inner surface of the guide part 213 in the direction of gravity to be collected in the first recovery container 230.

연마 공정 후 세정 공정시, 상기 스핀 헤드(110)는 상기 제1 처리 용기(210)의 상부에서 상기 제2 처리 용기(220)의 상판(222) 아래에 배치되며, 세정 공정이 이루어지는 동안 회전한다. 이에 따라, 세정 공정에서 상기 웨이퍼에 제공된 처리액이 상기 제2 처리 용기(220)의 상판(222) 내면과 측벽(221) 내면 및 상기 제1 처리 용기(210)의 외면측으로 비산된다. 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)은 상기 제2 회수통(240)의 바닥판(241) 상부에 위치하며, 상기 제1 처리 용기(210)의 외면에 묻은 처리액은 상기 제1 처리 용기(210)의 외면을 따라 중력 방향으로 흘러 상기 제2 회수통(240)에 회수된다. 또한, 상기 제2 처리 용기(220)의 내면에 묻은 처리액은 상기 제2 처리 용기(220)의 내면을 따라 중력 방향으로 흘러 상기 제2 회수통에 회수된다.During the cleaning process after the polishing process, the spin head 110 is disposed below the top plate 222 of the second processing container 220 at the top of the first processing container 210 and rotates during the cleaning process. . Accordingly, the processing liquid provided to the wafer in the cleaning process is scattered to the inner surface of the upper plate 222 and the inner surface of the side wall 221 of the second processing container 220 and to the outer surface of the first processing container 210. The side wall 211 of the first processing container 210 is positioned above the bottom plate 241 of the second recovery container 240. 1 It flows along the outer surface of the processing container 210 to the gravity direction, and is recovered by the said 2nd collection container 240. In addition, the processing liquid buried on the inner surface of the second processing container 220 flows in the direction of gravity along the inner surface of the second processing container 220 and is recovered in the second collecting container.

이와 같이, 상기 제1 회수통(230)은 연마 공정에서 사용된 처리액을 회수하고, 상기 제2 회수통(240)은 세정 공정에서 사용된 처리액을 회수한다. 이에 따라, 상기 용기 유닛(200)은 용기 유닛(200) 내에서 이루어진 각 공정 단계별로 처리액을 분리 회수할 수 있으므로, 처리액의 재이용이 가능하고, 처리액의 회수가 용이하다.As described above, the first recovery container 230 recovers the processing liquid used in the polishing process, and the second recovery container 240 recovers the processing liquid used in the cleaning process. Accordingly, the container unit 200 can separate and recover the processing liquid in each process step made in the container unit 200, so that the processing liquid can be reused, and the processing liquid can be easily recovered.

상기 제1 회수통(230)은 상기 제1 회수관(251)과 연결되고, 상기 제2 회수통(240)은 상기 제2 회수관(252)이 연결된다. 상기 제1 회수관(251)은 상기 제1 회수통(230)의 바닥판(231)에 결합되고, 상기 제1 회수통(230)의 바닥판(231)에는 상기 제1 회수관(251)과 연통되는 제1 회수홀(231b)이 형성된다. 상기 제1 회수통(230)의 제1 회수 공간(RS1)에 회수된 처리액은 상기 제1 회수홀(231b)을 경유하여 상기 제1 회수관(251)을 통해 외부로 배출된다.The first recovery container 230 is connected to the first recovery pipe 251, and the second recovery container 240 is connected to the second recovery pipe 252. The first recovery pipe 251 is coupled to the bottom plate 231 of the first recovery container 230, the first recovery pipe 251 on the bottom plate 231 of the first recovery container 230. The first recovery hole 231b is formed to communicate with. The treatment liquid recovered in the first recovery space RS1 of the first recovery container 230 is discharged to the outside through the first recovery pipe 251 via the first recovery hole 231b.

이 실시예에 있어서, 상기 용기 유닛(200)은 두 개의 처리 용기(210, 220)와 두 개의 회수통(230, 240)을 구비하나, 상기 처리 용기(210, 220)와 상기 회수통(230, 240)의 개수는 연마 공정 및 세정 공정에서 사용되는 처리액들의 종류수 및 분리 회수할 처리액의 종류수에 따라 증가할 수도 있다.In this embodiment, the container unit 200 includes two processing vessels 210 and 220 and two collecting vessels 230 and 240, but the processing vessels 210 and 220 and the collecting vessel 230. , 240) may increase depending on the number of kinds of treatment liquids used in the polishing and washing processes and the number of kinds of treatment liquids to be separated and recovered.

상기 제2 회수관(252)은 상기 제2 회수통(240)의 바닥판(241)에 결합되고, 상기 제2 회수통(240)의 바닥판(241)에는 상기 제2 회수관(252)과 연통되는 제2 회수홀(241b)이 형성된다. 상기 제2 회수통(240)의 제2 회수 공간(RS2)에 회수된 처 리액은 상기 제2 회수홀(241b)을 경유하여 상기 제2 회수관(252)을 통해 외부로 배출된다.The second recovery pipe 252 is coupled to the bottom plate 241 of the second recovery container 240, the second recovery pipe 252 on the bottom plate 241 of the second recovery container 240. The second recovery hole 241b is formed in communication with. The treatment liquid recovered in the second recovery space RS2 of the second recovery container 240 is discharged to the outside through the second recovery pipe 252 via the second recovery hole 241b.

이 실시예에 있어서, 상기 제1 회수관(251)과 상기 제2 회수관(252)은 각각 한 개씩 구비되나, 상기 제1 및 제2 회수관(251, 252)의 개수는 상기 제1 및 제2 회수통(230, 240)의 크기 및 회수 효율에 따라 증가할 수도 있다.In this embodiment, each of the first and second recovery pipes 251 and 252 is provided, but the number of the first and second recovery pipes 251 and 252 is the first and second recovery pipes 251 and 252. It may increase depending on the size and recovery efficiency of the second recovery container (230, 240).

한편, 상기 제2 처리 용기(220)의 외측에는 수직 이동이 가능한 상기 승강 부재(260)가 설치된다. 상기 승강 부재(260)는 상기 제2 처리 용기(220)의 측벽(221)에 결합되고, 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)의 수직 위치를 조절한다. 구체적으로, 상기 승강 부재(260)는 브라켓(261), 이동축(262) 및 구동기(263)를 포함할 수 있다. 브라켓(261)은 상기 제2 처리 용기(220)의 외측벽(221)에 고정 설치되고, 상기 이동축(262)과 결합한다. 상기 이동축(262)은 상기 구동기(263)에 연결되고, 상기 구동기(263)에 의해 상하 방향으로 이동된다. On the other hand, the lifting member 260 that is vertically movable is provided on the outside of the second processing container 220. The elevating member 260 is coupled to the side wall 221 of the second processing container 220, and adjusts vertical positions of the first and second processing containers 210 and 220. In detail, the lifting member 260 may include a bracket 261, a moving shaft 262, and a driver 263. The bracket 261 is fixed to the outer wall 221 of the second processing container 220 and is coupled to the moving shaft 262. The moving shaft 262 is connected to the driver 263 and is moved in the vertical direction by the driver 263.

상기 승강 부재(260)는 웨이퍼(70)가 스핀 헤드(110)에 안착되거나, 스핀 헤드(110)로부터 들어 올려질 때 스핀 헤드(110)가 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)의 상부로 돌출되도록 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)를 하강시킨다. 하강시, 상기 제1 회수통(230)의 제1 및 제2 측벽(232, 233)과 연결부(234)는 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)과 제1 및 제2 가이드 벽(213a, 213b)에 의해 형성된 공간 안으로 인입된다. The elevating member 260 may include the first and second processing containers 210 and 220 when the wafer 70 is seated on the spin head 110 or lifted from the spin head 110. The first and second processing vessels 210 and 220 are lowered to protrude to the upper portion of the first and second processing vessels 210 and 220. When descending, the first and second sidewalls 232 and 233 and the connection portion 234 of the first recovery container 230 are connected to the sidewall 211 and the first and second guide walls of the first processing container 210. It is drawn into the space formed by 213a and 213b.

또한, 승강 부재(260)는 웨이퍼(10)의 연마 공정 및 세정 공정 진행시, 상기 연마 공정에서 사용된 처리액과 상기 세정 공정에서 사용된 처리액을 분리 회수하 기 위해 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)를 승강 및 하강시켜 각 처리 용기(210, 220)와 상기 스핀 헤드(110) 간의 상대적인 수직 위치를 조절한다.In addition, the first and second lifting members 260 may separate and recover the processing liquid used in the polishing process and the processing liquid used in the cleaning process during the polishing and cleaning processes of the wafer 10. The processing vessels 210 and 220 are raised and lowered to adjust relative vertical positions between the processing vessels 210 and 220 and the spin head 110.

이 실시예에 있어서, 상기 기판 연마부(1000)는 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)를 수직 이동시켜 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)와 상기 스핀 헤드(110) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시키나, 상기 스핀 헤드(110)를 수직 이동시켜 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)와 상기 스핀 헤드(110) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.In this embodiment, the substrate polishing unit 1000 vertically moves the first and second processing vessels 210 and 220 so as to first and second processing vessels 210 and 220 and the spin head 110. The relative vertical position of the liver may be changed, but the relative vertical position between the first and second processing vessels 210 and 220 and the spin head 110 may be changed by vertically moving the spin head 110.

한편, 상기 용기 유닛(200)의 외측에는 상기 연마 유닛(300), 제1 및 제2 처리 유체 공급 유닛(510, 520), 상기 브러쉬 유닛(610), 상기 에어로졸 유닛(620), 및 상기 패드 컨디셔닝 유닛(700)이 설치된다.Meanwhile, the polishing unit 300, the first and second processing fluid supply units 510 and 520, the brush unit 610, the aerosol unit 620, and the pad may be disposed outside the container unit 200. The conditioning unit 700 is installed.

상기 연마 유닛(300)은 상기 기판 지지유닛(100)에 고정된 웨이퍼(70)의 표면을 화학적 기계적 방법으로 연마하여 상기 웨이퍼(70)의 표면을 평탄화한다.The polishing unit 300 polishes the surface of the wafer 70 fixed to the substrate support unit 100 by a chemical mechanical method to planarize the surface of the wafer 70.

도 8은 도 6에 도시된 연마 유닛을 나타낸 사시도이고, 도 9는 도 8에 도시된 연마 유닛을 나타낸 부분 절개 측면도이다. FIG. 8 is a perspective view showing the polishing unit shown in FIG. 6, and FIG. 9 is a partial cutaway side view showing the polishing unit shown in FIG. 8.

도 6, 도 8 및 도 9를 참조하면, 연마 유닛(300)은 가압부(310), 수직암부(320), 스윙암부(swing arm part)(330) 및 구동부(340)를 포함할 수 있다.6, 8, and 9, the polishing unit 300 may include a pressing part 310, a vertical arm part 320, a swing arm part 330, and a driving part 340. .

구체적으로, 상기 가압부(310)는 연마 공정 시 상기 스핀 헤드(110)에 고정된 웨이퍼(70)의 상부에 배치된다. 상기 가압부(310)는 상기 웨이퍼(70)에 접촉된 상태로 회전하여 상기 웨이퍼(70)를 연마하며, 상기 가압부(310)가 상기 웨이퍼(70)를 연마하는 동안 상기 웨이퍼(70)의 상면에는 상기 웨이퍼(70)를 위한 약 액, 예컨대, 슬러리가 제공된다.Specifically, the pressing unit 310 is disposed on the wafer 70 fixed to the spin head 110 during the polishing process. The pressing unit 310 rotates in contact with the wafer 70 to polish the wafer 70, and the pressing unit 310 of the wafer 70 rotates while the pressing unit 310 polishes the wafer 70. The upper surface is provided with a chemical liquid, for example a slurry, for the wafer 70.

상기 가압부(310)의 상단부에는 상기 수직암부(320)가 고정 설치된다. 상기 수직암부(320)는 상기 스핀 헤드(110)의 상면에 대해 수직하게 연장되어 배치되고, 상기 구동부(340)로부터 제공된 회전력에 의해 길이 방향의 중심축을 기준으로 회전한다. 상기 가압부(310) 및 상기 수직압부(320)의 구성에 대한 구체적인 대한 설명은 후술한 도 6에서 하기로 한다.The vertical arm 320 is fixed to the upper end of the pressing unit 310. The vertical arm part 320 is disposed to extend perpendicular to the upper surface of the spin head 110, and rotates about the central axis in the longitudinal direction by the rotation force provided from the driving part 340. Details of the configuration of the pressing unit 310 and the vertical pressure unit 320 will be described later in FIG. 6.

상기 수직암부(320)의 상부에는 상기 스윙암부(330)가 설치된다. 상기 스윙암부(330)는 막대 형상의 회전 케이스(331) 및 상기 구동부(340)로부터의 회전력을 상기 유체 공급부(320)에 전달하는 벨트-풀리 어셈블리(335)를 포함할 수 있다. 상기 회전 케이스(331)는 일측이 상기 유체 공급부(320)에 결합되며, 타측이 상기 구동부(340)에 결합된다.The swing arm 330 is installed on the vertical arm 320. The swing arm 330 may include a rod-shaped rotating case 331 and a belt-pull assembly 335 which transmits the rotational force from the driving unit 340 to the fluid supply unit 320. One side of the rotary case 331 is coupled to the fluid supply unit 320, the other side is coupled to the drive unit 340.

상기 구동부(340)는 상기 스윙암부(330)를 회전시키는 제1 구동 모터(341), 상기 수직암부(320)를 회전시키는 제2 구동 모터(342) 및 상기 가압부(310)의 수직 위치를 조절하는 수직 이동부(343)를 포함할 수 있다.The driving unit 340 is a vertical position of the first driving motor 341 for rotating the swing arm 330, the second driving motor 342 for rotating the vertical arm 320 and the pressing unit 310. It may include a vertical moving unit 343 to adjust.

상기 제1 구동 모터(341)는 상기 회전 케이스(331)에 결합되고, 상기 회전 케이스(331)에 회전력을 제공한다. 상기 제1 구동 모터(341)는 시계 방향으로의 회전력과 반시계 방향으로의 회전력을 교대로 반복적으로 제공할 수 있다. 이에 따라, 상기 스윙암부(330)는 상기 구동부(340)에 결합된 부분을 중심축으로하여 상기 구동부(340)에 의해 스윙한다. 연마 공정 시, 상기 가압부(310)는 상기 스윙암부(330)의 스윙 동작에 의해 상기 웨이퍼(70)의 상부에서 원호 형태로 수평 왕복 이동할 수 있다.The first driving motor 341 is coupled to the rotation case 331, and provides a rotational force to the rotation case 331. The first driving motor 341 may alternately and repeatedly provide a rotational force in a clockwise direction and a rotational force in a counterclockwise direction. Accordingly, the swing arm 330 swings by the driving unit 340 with a portion coupled to the driving unit 340 as a central axis. During the polishing process, the pressing unit 310 may horizontally reciprocate in an arc shape on the upper portion of the wafer 70 by the swinging operation of the swing arm 330.

상기 제1 구동 모터(341)의 아래에는 상기 제2 구동 모터(342)가 설치된다. 상기 제2 구동 모터(342)는 상기 벨트-풀리 어셈블리(335)에 회전력을 제공하고, 상기 벨트-풀리 어셈블리(335)는 상기 제2 구동 모터(342)의 회전력을 상기 유체 공급부(320)에 제공한다. 상기 벨트-풀리 어셈블리(335)는 상기 회전 케이스(331)에 내장되고, 구동 풀리(332), 종동 풀리(333) 및 벨트(334)를 포함할 수 있다. 상기 구동 풀리(332)는 상기 제1 구동 모터(341)의 상부에 설치되고, 상기 제1 구동 모터(341)를 관통하는 수직 암(344)의 일측에 결합된다. 상기 수직 암(344)의 타측에는 상기 제2 구동 모터(342)가 결합된다. The second driving motor 342 is installed under the first driving motor 341. The second drive motor 342 provides a rotational force to the belt-pulley assembly 335, and the belt-pulley assembly 335 transmits the rotational force of the second drive motor 342 to the fluid supply unit 320. to provide. The belt-pulley assembly 335 may be embedded in the rotation case 331 and include a driving pulley 332, a driven pulley 333, and a belt 334. The driving pulley 332 is installed on an upper portion of the first driving motor 341, and is coupled to one side of the vertical arm 344 passing through the first driving motor 341. The second driving motor 342 is coupled to the other side of the vertical arm 344.

상기 종동 풀리(333)는 상기 구동 풀리(332)와 마주하게 배치되고, 상기 수직암부(320)의 상부에 설치되어 상기 수직암부(320)에 결합된다. 상기 구동 풀리(332)와 상기 종동 풀리(333)는 상기 벨트(334)를 통해 서로 연결되며, 상기 벨트(334)는 상기 구동 풀리(332) 및 상기 종동 풀리(333)에 감긴다.The driven pulley 333 is disposed to face the driving pulley 332, and is installed on the vertical arm part 320 and coupled to the vertical arm part 320. The driving pulley 332 and the driven pulley 333 are connected to each other through the belt 334, and the belt 334 is wound around the driving pulley 332 and the driven pulley 333.

상기 제2 구동 모터(342)의 회전력은 상기 수직 암(344)을 통해 상기 구동 풀리(332)에 전달되고, 이에 따라, 상기 구동 풀리(332)가 회전한다. 상기 구동 풀리(332)의 회전력은 상기 벨트(334)를 통해 상기 종동 풀리(333)에 전달되고, 이에 따라, 상기 종동 풀리(333)가 회전한다. 상기 종동 풀리(333)의 회전력은 상기 유체 공급부(320)에 전달되고, 이에 따라, 상기 가압부(310) 및 상기 수직암부(320)가 회전한다.The rotational force of the second drive motor 342 is transmitted to the drive pulley 332 through the vertical arm 344, whereby the drive pulley 332 rotates. The rotational force of the driving pulley 332 is transmitted to the driven pulley 333 through the belt 334, and thus, the driven pulley 333 rotates. The rotational force of the driven pulley 333 is transmitted to the fluid supply part 320, and thus, the pressing part 310 and the vertical arm part 320 rotate.

상기 제1 구동 모터(341) 및 상기 제2 구동 모터(342)의 배후에는 상기 수직 이동부(343)가 설치된다. 상기 수직 이동부(343)는 볼 스크류(343a), 너트(343b) 및 제3 구동 모터(343c)를 포함할 수 있다. 상기 볼 스크류(343a)는 막대 형상을 갖고, 지면에 대해 수직하게 설치된다. 상기 너트(343b)는 상기 볼 스크류(343a)에 끼워지고, 상기 제2 구동 모터(342)에 고정된다. 상기 볼 스크류(343a)의 아래에는 상기 제3 구동 모터(343c)가 설치된다. 상기 제3 구동 모터(343c)는 상기 볼 스크류(343a)와 결합하고, 시계 방향의 회전력 및 반시계 방향의 회전력을 상기 볼 스트류(343a)에 제공할 수 있다. 상기 볼 스크류(343a)는 상기 제3 구동 모터(343c)에 의해 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전한다. 상기 너트(343b)는 상기 볼 스크류(343a)의 회전에 의해 상기 볼 스크류(343a)를 따라 상하 이동하며, 이에 따라, 상기 너트(343b)에 결합된 제2 구동 모터(342)가 상기 너트(343b)와 함께 상하 이동한다. 상기 제2 구동 모터(342)의 수직 이동에 의해 상기 제1 구동 모터(341) 및 상기 스윙암부(330)가 상하 이동하고, 이에 따라, 상기 수직암부(320) 및 가압부(310) 또한 상하 이동한다.The vertical moving part 343 is installed behind the first driving motor 341 and the second driving motor 342. The vertical moving part 343 may include a ball screw 343a, a nut 343b, and a third drive motor 343c. The ball screw 343a has a rod shape and is installed perpendicular to the ground. The nut 343b is fitted to the ball screw 343a and is fixed to the second drive motor 342. The third driving motor 343c is installed under the ball screw 343a. The third driving motor 343c may be coupled to the ball screw 343a and may provide a clockwise rotational force and a counterclockwise rotational force to the ballstream 343a. The ball screw 343a is rotated clockwise or counterclockwise by the third drive motor 343c. The nut 343b moves up and down along the ball screw 343a by the rotation of the ball screw 343a. Accordingly, the second driving motor 342 coupled to the nut 343b is connected to the nut (343b). 343b) to move up and down. The first driving motor 341 and the swing arm 330 move up and down by the vertical movement of the second driving motor 342. Accordingly, the vertical arm 320 and the pressing part 310 also move up and down. Move.

이 실시예에 있어서, 상기 수직 이동부(343)는 볼 스크류(343a), 너트(343b) 및 제3 구동 모터(343c)를 구비하여 리니어 모터 방식으로 수직 이동력을 제공하나, 실린더를 구비하여 수직 이동력을 제공할 수도 있다. In this embodiment, the vertical moving part 343 is provided with a ball screw 343a, a nut 343b and a third drive motor 343c to provide vertical movement force in a linear motor manner, but with a cylinder It may also provide vertical movement force.

한편, 상기 스윙 구동부(341), 스핀 구동부(342), 상기 볼 스크류(343a), 상기 너트(343b) 및 수직 암(344)은 구동 케이스(345)에 내장되고, 상기 구동 케이스(345)는 수직 방향으로 긴 막대 형상을 갖는다. Meanwhile, the swing driver 341, the spin driver 342, the ball screw 343a, the nut 343b, and the vertical arm 344 are embedded in the drive case 345, and the drive case 345 is It has a long rod shape in the vertical direction.

이하, 도면을 참조하여 상기 가압부(310) 및 상기 수직암부(320)에 대해 구 체적으로 설명한다.Hereinafter, the pressing unit 310 and the vertical arm 320 will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 10은 도 8에 도시된 수직암부와 가압부를 나타낸 종단면도이다.FIG. 10 is a longitudinal cross-sectional view illustrating the vertical arm part and the pressing part illustrated in FIG. 8.

도 8 내지 도 10을 참조하면, 상기 수직암부(320)는 상기 구동부(340)로부터 제공된 회전력에 의해 회전하여 상기 가압부(310)를 회전시키고, 상기 가압부(310)가 상기 웨이퍼(70)를 가압하는 압력을 제어하기 위한 공기를 상기 가압부(310)에 제공한다.8 to 10, the vertical arm part 320 rotates by the rotational force provided from the driving part 340 to rotate the pressing part 310, and the pressing part 310 causes the wafer 70 to be rotated. Providing air to the pressurizing part 310 to control the pressure to pressurize.

구체적으로, 상기 수직암부(320)는 하우징(321), 회전축(322), 로터리 조인트(323), 제1 및 제2 베어링(324a, 324b), 및 제1 및 제2 보조축(325a, 325b)을 포함할 수 있다.In detail, the vertical arm 320 includes a housing 321, a rotation shaft 322, a rotary joint 323, first and second bearings 324a and 324b, and first and second auxiliary shafts 325a and 325b. ) May be included.

상기 하우징(321)은 대체로 원통형의 관 형상을 갖는다. 상기 하우징(321)의 상단부는 상기 스윙암부(330)의 회전 케이스(331) 안에 삽입되어 상기 회전 케이스(331)에 고정 결합된다.The housing 321 has a generally cylindrical tubular shape. The upper end of the housing 321 is inserted into the rotation case 331 of the swing arm 330 is fixedly coupled to the rotation case 331.

상기 회전축(322)은 상기 하우징(321) 내에 삽입되고, 상기 하우징(321)과 이격되어 위치한다. 상기 회전축(322)은 대체로 원 기둥 형상을 갖고, 상기 하우징(321)의 길이 방향으로 연장된다. 상기 회전축(322)의 하단부는 상기 하우징(321)의 하단부를 관통하여 상기 하우징(321)의 외부로 돌출되며, 상기 가압부(310)의 상단부에 고정 결합된다.The rotating shaft 322 is inserted into the housing 321 and is spaced apart from the housing 321. The rotating shaft 322 has a generally circular columnar shape and extends in the longitudinal direction of the housing 321. The lower end of the rotating shaft 322 penetrates the lower end of the housing 321 to protrude to the outside of the housing 321 and is fixedly coupled to the upper end of the pressing unit 310.

상기 회전축(322)의 중앙부에는 상기 회전축(322)의 길이 방향으로 연장된 공기 통로(322a)가 형성된다. 상기 회전축(322)은 상기 종동 풀리(333)에 연결되어 상기 종동 풀리(333)의 회전력에 의해 길이 방향의 중심축을 기준으로 회전한다. 상기 회전축(322)의 회전시, 상기 하우징(321)은 고정된 상태에서 상기 회전축(322)만 회전한다. 즉, 상기 하우징(321)은 일종의 고정축 기능을 한다.An air passage 322a extending in the longitudinal direction of the rotation shaft 322 is formed at the center of the rotation shaft 322. The rotation shaft 322 is connected to the driven pulley 333 and rotates based on the central axis in the longitudinal direction by the rotational force of the driven pulley 333. When the rotating shaft 322 is rotated, the housing 321 rotates only the rotating shaft 322 in a fixed state. That is, the housing 321 functions as a kind of fixed shaft.

상기 회전축(322)의 상단부는 상기 로터리 조인트(323)에 연결 결합되고, 상기 로터리 조인트(323)는 상기 회전축(322)의 공기 통로(322a)에 공기를 제공한다. 상기 종동 풀리(333)에 고정 결합된다. 상기 로터리 조인트(323)는 회전부와 고정부로 이루어지고, 상기 회전부는 상기 종동 풀리(333)에 고정 결합되어 상기 종동 풀리(333)의 회전력에 의해 회전한다. 상기 로터리 조인트(323)의 고정부는 공기를 제공하는 에어 라인(80)에 연결된다. 상기 에어 라인(80)으로부터 제공된 공기는 상기 로터리 조인트(323)를 통해 상기 공기 통로(322a)에 유입되고, 상기 공기 통로(322a)를 따라 흘러 상기 가압부(310)에 유입된다. The upper end of the rotary shaft 322 is coupled to the rotary joint 323, the rotary joint 323 provides air to the air passage (322a) of the rotary shaft 322. It is fixedly coupled to the driven pulley 333. The rotary joint 323 is composed of a rotating part and a fixed part, the rotating part is fixedly coupled to the driven pulley 333 is rotated by the rotational force of the driven pulley 333. The fixing part of the rotary joint 323 is connected to an air line 80 for providing air. The air provided from the air line 80 flows into the air passage 322a through the rotary joint 323, flows along the air passage 322a, and flows into the pressurizing portion 310.

상기 하우징(321)과 상기 회전축(322)과의 사이에는 상기 제1 및 제2 베어링(324a, 324b)이 설치된다. 상기 제1 및 제2 베어링(324a. 324b)은 상기 하우징(321)과 상기 회전축(322)을 연결 결합하고, 상기 하우징(321)이 고정된 상태에서 상기 회전축(322)이 안정적으로 회전하도록 상기 회전축(322)의 위치를 고정시킨다. 상기 제1 베어링(323a)은 상기 스윙암부(330)와 인접하게 위치하고, 상기 제2 베어링(323b)은 상기 가압부(310)와 인접하게 위치한다. 상기 제1 및 제2 베어링(323a, 323b)의 내륜들은 상기 회전축(322)에 끼워져 상기 회전축(322)과 함께 회전하고, 외륜들은 상기 하우징(321)에 결합되어 상기 회전축(322) 회전 시 회전하지 않는다. 따라서, 상기 회전축(322)만 회전하고, 상기 하우징(321)은 회전하지 않는다.The first and second bearings 324a and 324b are installed between the housing 321 and the rotation shaft 322. The first and second bearings 324a and 324b connect and couple the housing 321 and the rotation shaft 322, and the rotation shaft 322 rotates stably in a state where the housing 321 is fixed. The position of the rotating shaft 322 is fixed. The first bearing 323a is positioned adjacent to the swing arm portion 330, and the second bearing 323b is positioned adjacent to the pressing portion 310. The inner rings of the first and second bearings 323a and 323b are fitted to the rotation shaft 322 to rotate together with the rotation shaft 322, and the outer rings are coupled to the housing 321 to rotate when the rotation shaft 322 is rotated. I never do that. Therefore, only the rotation shaft 322 rotates, and the housing 321 does not rotate.

또한, 상기 회전축(322)과 상기 하우징(321)과의 사이에는 상기 제1 및 제2 보조축(325a, 325b)이 더 설치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 보조축(325a, 325b)은 상기 제1 및 제2 베어링(324a, 324b) 사이에 설치되고, 상기 하우징(321)의 측벽과 상기 회전축(322) 사이에 구비된다. 상기 제1 보조축(325a)은 상기 하우징(321) 내벽을 둘러싸고, 상기 하우징(321)을 보호한다. 상기 제2 보조축(325b)은 상기 회전축(322)의 외벽을 둘러싸고, 상기 회전축(322)을 보호한다.In addition, the first and second auxiliary shafts 325a and 325b may be further installed between the rotation shaft 322 and the housing 321. The first and second auxiliary shafts 325a and 325b are installed between the first and second bearings 324a and 324b and are provided between the side wall of the housing 321 and the rotation shaft 322. The first auxiliary shaft 325a surrounds the inner wall of the housing 321 and protects the housing 321. The second auxiliary shaft 325b surrounds the outer wall of the rotation shaft 322 and protects the rotation shaft 322.

한편, 상기 회전축(322)의 하단부에는 상기 가압부(310)가 고정 설치된다. 상기 가압부(310)는 연마 패드(311), 연마 케이스(312), 상부 및 하부 플레이트(313, 314), 패드 홀더(315), 결합 플레이트(316), 및 벨로우즈(317)를 포함할 수 있다. On the other hand, the pressing portion 310 is fixed to the lower end of the rotating shaft 322. The pressing unit 310 may include a polishing pad 311, a polishing case 312, upper and lower plates 313 and 314, a pad holder 315, a coupling plate 316, and a bellows 317. have.

상기 연마 패드(311)는 플레이트 형상을 갖고, 대체로 원형의 링 형상을 갖는다. 상기 연마 패드(311)는 연마 공정 시 하면을 웨이퍼의 상면에 접촉시킨 상태에서 회전하여 웨이퍼를 연마한다. 상기 연마 패드(311)는 상기 웨이퍼의 지름 보다 작은 지름을 갖고, 연마 공정 시 상기 구동부(340)에 의해 스윙하면서 상기 웨이퍼를 연마한다. 이와 같이, 상기 연마 패드(311)가 상기 웨이퍼보다 작은 크기를 가지므로, 상기 연마 유닛(300)은 상기 웨이퍼를 국부적으로 연마할 수 있고, 특정 영역에서의 과연마를 방지할 수 있다.The polishing pad 311 has a plate shape and has a generally circular ring shape. The polishing pad 311 is rotated while the lower surface is in contact with the upper surface of the wafer during the polishing process to polish the wafer. The polishing pad 311 has a diameter smaller than the diameter of the wafer, and polishes the wafer while swinging by the driving unit 340 during the polishing process. As such, since the polishing pad 311 has a smaller size than the wafer, the polishing unit 300 may locally polish the wafer and prevent over-polishing in a specific region.

상기 연마 패드(311)의 상부에는 상기 연마 케이스(312)가 구비된다. 상기 연마 본체(312)는 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 내부에는 상기 상부 및 하부 플레이트(313, 314)와 상기 벨로우즈(317)가 설치된다. 상기 연마 본체(312)의 상면 중앙부에는 결합홀이 형성되고, 상기 결합홀에는 결합 플레이트(316)가 구비된다. 상기 결합 플레이트(316)는 상기 연마 본체(312)와 이격되어 위치하며, 상기 수직암부(320)의 회전축(322)에 고정 결합된다.The polishing case 312 is provided on the polishing pad 311. The polishing body 312 has a generally circular ring shape, and the upper and lower plates 313 and 314 and the bellows 317 are installed therein. A coupling hole is formed in a central portion of the upper surface of the polishing body 312, and the coupling hole is provided with a coupling plate 316. The coupling plate 316 is spaced apart from the polishing body 312 and fixedly coupled to the rotation shaft 322 of the vertical arm 320.

상기 결합 플레이트(316)의 하면에는 상기 상부 플레이트(313)가 고정 설치되고, 상기 상부 플레이트(313)의 아래에는 상기 상부 플레이트(313)와 이격되어 상기 하부 플레이트(314)가 설치된다. 상기 하부 플레이트(314)의 하면에는 상기 패드 홀더(315)가 결합되며, 상기 패드 홀더(315)의 하면에는 상기 연마 패드(311)가 결합된다.The upper plate 313 is fixedly installed on a lower surface of the coupling plate 316, and the lower plate 314 is spaced apart from the upper plate 313 below the upper plate 313. The pad holder 315 is coupled to a bottom surface of the lower plate 314, and the polishing pad 311 is coupled to a bottom surface of the pad holder 315.

한편, 상기 상부 플레이트(313)와 상기 하부 플레이트(314) 사이에는 상기 벨로우즈(317)가 구비된다. 상기 벨로우즈(317)는 금속 재질로 이루어지고, 상기 회전축(322)의 공기 통로(322a)로부터 제공되는 공기를 주입받으며, 공기압에 의해 수직 방향으로 팽창 및 수축한다. 연마 공정의 진행시, 상기 벨로우즈(317)는 공기압에 의해 연마 패드(311)가 웨이퍼에 밀착되도록 신장된다. 또한, 상기 기판 지지부재(100)(도 2 참조)의 상부에서 대기 시, 상기 벨로우즈(316)는 상기 공기 통로(322a)로부터 제공되는 진공압에 의해 수축되고, 이에 따라, 상기 연마 패드(311)가 상기 기판 지지부재(100)에 안착된 웨이퍼로부터 이격된다. Meanwhile, the bellows 317 is provided between the upper plate 313 and the lower plate 314. The bellows 317 is made of a metal material, receives air provided from the air passage 322a of the rotating shaft 322, and expands and contracts in the vertical direction by air pressure. During the polishing process, the bellows 317 is extended so that the polishing pad 311 is in close contact with the wafer by air pressure. In addition, when waiting at the top of the substrate support member 100 (see FIG. 2), the bellows 316 is contracted by the vacuum pressure provided from the air passage 322a, and thus, the polishing pad 311. ) Is spaced apart from the wafer seated on the substrate support member 100.

이와 같이, 상기 가압부(310)는 공기압에 의해 신장 및 수축되는 상기 벨로우즈(317)를 이용하므로, 연마 공정 시 상기 연마 패드(311)는 상기 웨이퍼의 상면 형상에 따라 틸팅이 가능하다.As such, since the pressing unit 310 uses the bellows 317 that is expanded and contracted by air pressure, the polishing pad 311 may be tilted according to the shape of the top surface of the wafer during the polishing process.

다시, 도 2 및 도 6을 참조하면, 상기 용기 유닛(200)의 외측에는 상기 제1 및 제2 처리 유체 공급 유닛(410, 420)이 설치된다. 상기 제1 및 제2 처리 유체 공급 유닛(410, 420)은 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정 및 세정 공정에 필요한 처리 유체를 상기 기판 지지유닛(100)에 고정된 웨이퍼(70)에 분사한다. 구체적으로, 상기 제1 처리 유체 공급 유닛(410)은 상기 제2 처리 용기(220)의 측벽(221)에 고정 설치된다. 연마 공정 또는 세정 공정 시, 상기 제1 처리 유체 공급 유닛(410)은 상기 스핀 헤드(110)에 고정된 웨이퍼(70)에 처리 유체를 분사하여 상기 웨이퍼(70)를 처리한다. 이 실시예에 있어서, 상기 제1 처리 유체 공급 유닛(420)에서 분사되는 처리 유체는 웨이퍼(70)의 세정 또는 건조를 위한 처리액일 수도 있고, 건조를 위한 건조 가스일 수도 있다.2 and 6, the first and second processing fluid supply units 410 and 420 are installed outside the container unit 200. The first and second processing fluid supply units 410 and 420 spray processing fluids required for the polishing and cleaning processes of the wafer 70 onto the wafer 70 fixed to the substrate support unit 100. Specifically, the first processing fluid supply unit 410 is fixedly installed on the side wall 221 of the second processing container 220. In the polishing process or the cleaning process, the first processing fluid supply unit 410 processes the wafer 70 by spraying the processing fluid onto the wafer 70 fixed to the spin head 110. In this embodiment, the processing fluid injected from the first processing fluid supply unit 420 may be a processing liquid for cleaning or drying the wafer 70, or may be a drying gas for drying.

본 발명의 일례로, 상기 제1 처리 유체 공급 유닛(410)은 네 개의 분사 노즐을 구비하나, 상기 분사 노즐의 개수는 웨이퍼(70) 세정에 사용되는 상기 처리 유체의 종류수에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.In one example of the present invention, the first processing fluid supply unit 410 includes four injection nozzles, but the number of the injection nozzles increases or decreases depending on the number of types of the processing fluid used for cleaning the wafer 70. You may.

상기 제2 처리 유체 공급 유닛(420)은 스윙 가능하게 설치되고, 상기 스핀 헤드(110)에 고정된 웨이퍼(70)의 상면에 처리 유체를 분사한다. 상기 제2 처리 유체 공급 유닛(420)에서 제공되는 처리 유체는 슬러리일 수도 있다. 또한, 상기 연마 공정시, 슬러리는 상기 제2 처리 유체 공급 유닛(420)이 아닌 별도의 약액 분사 부재(미도시)에 의해 상기 웨이퍼(70)에 분사될 수도 있다.The second processing fluid supply unit 420 is swingably installed and sprays the processing fluid onto the upper surface of the wafer 70 fixed to the spin head 110. The processing fluid provided by the second processing fluid supply unit 420 may be a slurry. In addition, during the polishing process, the slurry may be injected onto the wafer 70 by a separate chemical liquid injection member (not shown) instead of the second processing fluid supply unit 420.

한편, 상기 브러쉬 유닛(510)은 연마 공정 후 웨이퍼(70) 표면의 이물을 물리적으로 제거한다. 상기 브러쉬 유닛(510)은 상기 웨이퍼(70)에 표면에 접촉되어 상기 웨이퍼(70) 표면의 이물을 물리적으로 닦아 내는 브러쉬 패드를 구비하고, 스 윙이 가능하다. 세정 공정시, 상기 브러쉬 유닛(510)은 스윙 동작을 통해 상기 브러쉬 패드를 상기 스핀 헤드(110)의 상부에 배치시킨 상태에서 상기 브러쉬 패드를 회전시켜 상기 스핀 헤드(110)에 고정된 웨이퍼(70)를 세정한다.On the other hand, the brush unit 510 physically removes foreign matter on the surface of the wafer 70 after the polishing process. The brush unit 510 is provided with a brush pad that contacts the surface of the wafer 70 to physically wipe off the foreign matter on the surface of the wafer 70, and may swing. In the cleaning process, the brush unit 510 rotates the brush pad in a state in which the brush pad is disposed on the upper portion of the spin head 110 through a swing motion, and the wafer 70 is fixed to the spin head 110. )).

상기 브러쉬 유닛(510)의 일측에는 상기 에어로졸 유닛(520)이 배치된다. 상기 에어로졸 유닛(520)은 상기 스핀 헤드(110)에 고정된 웨이퍼(70)에 처리액을 미세 입자형태로 고압 분무하여 상기 웨이퍼(70) 표면의 이물을 제거한다. 본 발명의 일례로, 상기 에어로졸 유닛(520)은 초음파를 이용하여 상기 처리액을 작은 입자 형태로 분무한다. 상기 브러쉬 유닛(510)은 비교적 큰 입자의 이물을 제거하는 데 사용되며, 상기 에어로졸 유닛(520)은 상기 브러쉬 유닛(510)에 비해 비교적으로 작은 입자의 이물을 제거하는 데 사용된다.The aerosol unit 520 is disposed on one side of the brush unit 510. The aerosol unit 520 removes foreign substances on the surface of the wafer 70 by spraying the processing liquid in the form of fine particles on the wafer 70 fixed to the spin head 110. In one example of the present invention, the aerosol unit 520 sprays the treatment liquid in the form of small particles using ultrasonic waves. The brush unit 510 is used to remove foreign particles of relatively large particles, and the aerosol unit 520 is used to remove foreign particles of relatively small particles compared to the brush unit 510.

한편, 상기 패드 컨디셔닝 유닛(600)은 상기 연마 유닛(300)이 홈 포트(home port)에서 대기 중일 때, 상기 연마 유닛(300)을 세정 및 재생시킨다. 즉, 상기 연마 패드(311)(도 10 참조)에는 상기 연마 공정의 효율을 향상시키기 위해 상기 웨이퍼와 접촉되는 면에 소정의 연마 패턴이 형성된다. 이러한 연마 패턴은 상기 웨이퍼를 연마하는 과정에서 상기 웨이퍼와의 마찰에 의해 점점 마모되며, 연마 과정에서 사용되는 약액들이 상기 연마 패턴 내에서 경화될 수도 있다. 상기 패드 컨디셔닝 유닛(600)은 연마 패드(311)의 표면을 연마하여 상기 연마 패드(311)를 재생시킨다.Meanwhile, the pad conditioning unit 600 cleans and regenerates the polishing unit 300 when the polishing unit 300 is standing by at a home port. That is, a predetermined polishing pattern is formed on the surface of the polishing pad 311 (see FIG. 10) in contact with the wafer in order to improve the efficiency of the polishing process. The polishing pattern is gradually worn out by friction with the wafer in the process of polishing the wafer, and the chemical liquids used in the polishing process may be cured in the polishing pattern. The pad conditioning unit 600 polishes the surface of the polishing pad 311 to regenerate the polishing pad 311.

다시, 도 1을 참조하면, 상기 기판 연마부(1001)의 상부에는 상기 기판 세정부(1002)가 설치되고, 상기 기판 세정부(1002)는 상기 기판 연마부(1001)에서 연마 된 웨이퍼를 세정한다.Referring back to FIG. 1, the substrate cleaning unit 1002 is installed above the substrate polishing unit 1001, and the substrate cleaning unit 1002 cleans the wafer polished by the substrate polishing unit 1001. do.

이하, 도면을 참조하여 상기 기판 세정부(1002)의 구성에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the structure of the substrate cleaning unit 1002 will be described in detail with reference to the drawings.

도 11은 도 1에 도시된 기판 세정부를 나타낸 사시도이고, 도 12는 도 11에 도시된 처리 용기 및 기판 지지부재를 나타낸 종단면도이다.FIG. 11 is a perspective view illustrating the substrate cleaning unit illustrated in FIG. 1, and FIG. 12 is a longitudinal cross-sectional view illustrating the processing container and the substrate supporting member illustrated in FIG. 11.

도 11 및 도 12를 참조하면, 기판 세정부(1002)는 기판 세정 지지부재(700), 세정 용기(800), 및 다수의 세정 노즐(910, 920)를 포함할 수 있다.11 and 12, the substrate cleaning unit 1002 may include a substrate cleaning support member 700, a cleaning container 800, and a plurality of cleaning nozzles 910 and 920.

상기 기판 세정 지지부재(700)는 상기 세정 용기(800) 안에 수용된다. 상기 기판 세정 지지부재(700)는 스핀 헤드(710), 회전축(720) 및 회전 구동부(730)을 포함하고, 웨이퍼 처리시 상기 웨이퍼를 고정한다.The substrate cleaning support member 700 is accommodated in the cleaning container 800. The substrate cleaning support member 700 includes a spin head 710, a rotation shaft 720, and a rotation driver 730, and fixes the wafer during wafer processing.

구체적으로, 상기 스핀 헤드(710)는 원판 형상을 갖고, 상면이 상기 웨이퍼(70)와 마주한다. 상기 스핀 헤드(710)에는 상기 스핀 헤드(710)의 상면으로부터 상기 웨이퍼를 이격시켜 지지하는 다수의 척킹핀(미도시)이 구비된다. 상기 척킹핀들은 상기 웨이를 척킹하여 상기 스핀 헤드(710) 상에 상기 웨이퍼(70)를 고정시킨다.In detail, the spin head 710 has a disc shape, and an upper surface thereof faces the wafer 70. The spin head 710 is provided with a plurality of chucking pins (not shown) for supporting the wafer spaced apart from an upper surface of the spin head 710. The chucking pins chuck the way to fix the wafer 70 on the spin head 710.

상기 회전축(720)은 상기 스핀 헤드(710)의 하면에 결합된다. 상기 회전축(720)은 회전 구동부(130)에 결합되고, 상기 회전 구동부(730)의 회전력에 의해 자기 중심축을 기준으로 회전한다. 상기 회전축(720)의 회전력은 상기 스핀 헤드(710)에 전달되어 상기 스핀 헤드(710)가 회전하고, 이로써, 상기 스핀 헤드(710)에 고정된 웨이퍼가 회전된다.The rotating shaft 720 is coupled to the lower surface of the spin head 710. The rotation shaft 720 is coupled to the rotation driver 130, and rotates based on the magnetic center axis by the rotation force of the rotation driver 730. The rotational force of the rotating shaft 720 is transmitted to the spin head 710 to rotate the spin head 710, thereby rotating the wafer fixed to the spin head 710.

도면에는 도시하지 않았으나, 상기 기판 세정 지지부재(700)는 상기 웨이퍼(70)의 배면을 세정하는 백 노즐을 더 구비할 수도 있다. 상기 백 노즐은 상기 스핀 헤드(710)의 상면 중앙부에 설치되어 웨이퍼(70)를 세정하기 위한 세정 유체를 분사한다.Although not shown in the drawing, the substrate cleaning support member 700 may further include a back nozzle for cleaning the rear surface of the wafer 70. The back nozzle is installed at the center of the upper surface of the spin head 710 to inject a cleaning fluid for cleaning the wafer 70.

상기 세정 용기(800)는 상기 스핀 헤드(710)를 둘러싸고, 상기 웨이퍼(70)의 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 상기 세정 용기(700)는 상부가 개방되고, 상기 기판 세정 지지부재(700)의 회전축(720)은 상기 세정 용기(800)의 바닥면에 형성된 개구를 통해 세정 용기(800)의 외부로 돌출된다.The cleaning container 800 surrounds the spin head 710 and provides a space in which a processing process of the wafer 70 is performed. The cleaning container 700 is open at an upper portion thereof, and the rotating shaft 720 of the substrate cleaning support member 700 protrudes out of the cleaning container 800 through an opening formed in the bottom surface of the cleaning container 800. .

상기 세정 용기(800)는 제1 내지 제3 회수통(810, 820, 830)을 포함할 수 있다. 상기 세정 용기(800)는 상기 회수통들(810, 820, 830)을 이용하여 공정에 사용된 약액들을 분리하여 회수할 수 있으며, 각각의 회수통(810, 820, 830)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 종류의 처리액을 회수한다. 이에 따라, 약액들의 재사용이 가능하다.The cleaning container 800 may include first to third recovery containers 810, 820, and 830. The cleaning container 800 may separate and recover the chemical liquids used in the process by using the recovery containers 810, 820, and 830, and each recovery container 810, 820, and 830 may be used in the process. The different kinds of treatment liquids are recovered from the treatment liquids. Accordingly, the reuse of chemicals is possible.

이 실시예에 있어서, 상기 처리 용기(800)는 세 개의 회수통(810, 820, 830)을 구비하나, 상기 회수통(810, 820, 830)의 개수는 상기 기판 세정부(1002)의 공정 효율에 따라 증가하거나 감소할 수 있다.In this embodiment, the processing container 800 includes three recovery containers 810, 820, and 830, but the number of the recovery containers 810, 820, and 830 is determined by the process of the substrate cleaning unit 1002. It can increase or decrease with efficiency.

구체적으로, 상기 제1 회수통(810)은 스핀 헤드(710)를 둘러싸는 환형의 링 형상을 갖고, 제2 회수통(820)은 제1 회수통(720)을 둘러싸는 환형의 링 형상을 가지며, 제3 회수통(830)은 제2 회수통(820)을 둘러싸는 환형의 링 형상을 갖는다. In detail, the first recovery container 810 has an annular ring shape surrounding the spin head 710, and the second recovery container 820 has an annular ring shape surrounding the first recovery container 720. The third recovery container 830 has an annular ring shape surrounding the second recovery container 820.

상기 제1 회수통(810)은 바닥판(811), 측벽(812), 상판(813), 내벽(814) 및 안내벽(815)을 포함할 수 있다. 상기 바닥판(811), 측벽(812), 상판(813), 내벽(814) 및 안내벽(815) 각각은 링 형상을 가진다. 상판(813)은 측벽(812)으로부터 멀어지는 방향으로 상향 경사진 경사면으로 이루어지고, 상기 내벽(814)은 상기 측벽(812)과 마주하며, 상기 안내벽(815)과 연결된다. 상기 안내벽(815)은 상기 측벽(812)으로부터 이격되어 상기 측벽(812)의 내측에 위치하고, 상기 바닥판(811)으로 갈수록 하향 경사진 경사면으로 이루어진다. 상기 안내벽(815)과 상기 상판(813)이 상하로 이격된 공간은 제1 유입구(816)로 제공되며, 상기 제1 유입구(816)를 통해 상기 제1 회수통(810) 내부로 처리액이 유입된다.The first recovery container 810 may include a bottom plate 811, a side wall 812, a top plate 813, an inner wall 814, and a guide wall 815. Each of the bottom plate 811, the side wall 812, the top plate 813, the inner wall 814, and the guide wall 815 has a ring shape. The upper plate 813 is formed of an inclined surface inclined upward in a direction away from the side wall 812, and the inner wall 814 faces the side wall 812 and is connected to the guide wall 815. The guide wall 815 is spaced apart from the side wall 812 and is positioned inside the side wall 812, and is formed of an inclined surface inclined downward toward the bottom plate 811. The space where the guide wall 815 and the upper plate 813 are vertically spaced apart is provided to the first inlet 816, and the processing liquid into the first recovery container 810 through the first inlet 816. It flows in.

상기 제2 회수통(820)은 상기 제1 회수통(810)을 둘러싸고, 상기 제1 회수통(810)으로부터 이격되어 위치하며, 상기 제1 회수통(810)과 동일한 형상을 갖는다. 상기 제2 회수통(820)은 바닥판(821), 측벽(822), 상판(823) 및 내벽(824)을 포함할 수 있다. 상기 바닥판(821), 측벽(822), 상판(823) 및 내벽(824)은 각각 링 형상을 갖는다. 상기 제1 회수통(810)의 상판(813)과 상기 제2 회수통(820)의 상판(823)이 이격된 공간은 제2 유입구(926)로 제공된다. 상기 제2 회수통(820)은 상기 제2 유입구(226)를 통해 처리액이 내부로 유입된다. The second recovery container 820 surrounds the first recovery container 810, is spaced apart from the first recovery container 810, and has the same shape as the first recovery container 810. The second recovery container 820 may include a bottom plate 821, a side wall 822, an upper plate 823, and an inner wall 824. The bottom plate 821, the side wall 822, the top plate 823, and the inner wall 824 each have a ring shape. A space where the upper plate 813 of the first recovery container 810 and the upper plate 823 of the second recovery container 820 is spaced apart from each other is provided to the second inlet 926. The second recovery container 820 is introduced into the processing liquid through the second inlet 226.

상기 제3 회수통(830)은 상기 제2 회수통(820)을 둘러싼다. 상기 제3 회수통(830)은 바닥판(831), 측벽(832) 및 상판(833)을 포함할 수 있다. 상기 바닥판(831), 측벽(832) 및 상판(833)은 각각 링 형상을 갖는다. 상기 제3 회수통(830)의 바닥판(831)은 상기 제2 회수통(821)의 바닥판(821)의 아래에서 서로 이격되어 마주하게 설치되고, 중앙부에는 상기 기판 세정 지지부재(700)의 회전축(720)이 삽 입된다. 측벽(832)은 상기 제2 회수통(820)의 측벽(822)과 서로 이격되어 마주하고, 상판(833)은 상기 제2 회수통(820)의 상판(823) 상부에서 상기 제2 회수통(820)의 상판(823)과 동일한 형성된다. 상기 제2 회수통(820)의 상판(823)과 상기 제3 회수통(833)의 상판(833)이 이격된 공간은 제3 유입구(836)로 제공되며, 상기 제3 유입구(836)를 통해 처리액이 상기 제3 회수통(830) 내부로 유입된다.The third recovery container 830 surrounds the second recovery container 820. The third recovery container 830 may include a bottom plate 831, sidewalls 832, and an upper plate 833. The bottom plate 831, the side wall 832, and the top plate 833 each have a ring shape. The bottom plate 831 of the third recovery container 830 is spaced apart from each other under the bottom plate 821 of the second recovery container 821 to face each other, and the substrate cleaning support member 700 is disposed at a central portion thereof. The rotating shaft 720 of is inserted. The side wall 832 faces the side wall 822 of the second recovery container 820 spaced apart from each other, the top plate 833 is the second recovery container in the upper plate 823 of the second recovery container 820 It is formed the same as the upper plate 823 of 820. A space in which the upper plate 823 of the second recovery container 820 and the upper plate 833 of the third recovery container 833 is spaced apart is provided to the third inlet 836, and the third inlet 836 is provided. Through the processing liquid flows into the third recovery container 830.

이와 같이, 상기 제1 내지 제3 회수통(810, 820, 830)은 상기 제1 회수통(810)으로부터 상기 제3 회수통(830)으로 갈수록 그 크기가 점차 증가한다.As such, the first to third recovery bins 810, 820, and 830 gradually increase in size from the first recovery bin 810 to the third recovery bin 830.

한편, 상기 제1 내지 제3 회수통(810, 820, 830)의 바닥면들(811, 821, 831)에는 각 회수통(810, 820, 830)에 회수된 처리액을 외부에 설치된 재생 시스템(미도시)으로 배출하는 회수관들(841, 843, 845, 847)이 연결된다. 여기서, 상기 제1 회수통(810)과 상기 제2 회수통(820)에는 각각 하나의 회수관(841, 843)이 연결되고, 상기 제3 회수통(830)에는 두 개의 회수관(845, 847)이 연결된다. On the other hand, the bottom surface (811, 821, 831) of the first to the third recovery container (810, 820, 830) is a regeneration system provided outside the processing liquid recovered in each recovery container (810, 820, 830) Recovery pipes 841, 843, 845, and 847 discharged to (not shown) are connected. Here, one recovery pipe 841 and 843 are connected to the first recovery container 810 and the second recovery container 820, and two recovery pipes 845 and 845 are respectively connected to the third recovery container 830. 847 is connected.

상기 세정 용기(800)의 외측에는 수직 이동이 가능한 상기 승강 유닛(840)이 설치된다. 상기 승강 유닛(840)은 상기 제3 회수통(830)의 측벽(832)에 결합되고, 상기 세정 용기(800)의 수직 위치를 조절한다. 구체적으로, 상기 승강 유닛(840)은 브라켓(841), 이동축(843) 및 구동기(845)를 포함할 수 있다. 브라켓(841)은 상기 제3 회수통(830)의 외측벽(831)에 고정 설치되고, 상기 이동축(843)과 결합한다. 상기 이동축(843)은 상기 구동기(845)에 연결되고, 상기 구동기(845)에 의해 상하 방향으로 이동된다. The elevating unit 840 capable of vertical movement is installed outside the cleaning container 800. The lifting unit 840 is coupled to the side wall 832 of the third recovery container 830, and adjusts the vertical position of the cleaning container 800. In detail, the lifting unit 840 may include a bracket 841, a moving shaft 843, and a driver 845. The bracket 841 is fixed to the outer wall 831 of the third recovery container 830 and is coupled to the moving shaft 843. The moving shaft 843 is connected to the driver 845 and is moved up and down by the driver 845.

상기 승강 유닛(840)은 웨이퍼가 스핀 헤드(710)에 안착되거나, 스핀 헤 드(710)로부터 들어올릴 때 스핀 헤드(710)가 상기 세정 용기(800)의 상부로 돌출되도록 상기 세정 용기(800)를 하강시킨다. 또한, 승강 유닛(840)은 웨이퍼의 처리 공정 진행시, 웨이퍼에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 해당 회수통(810, 820, 830)에 유입되도록 상기 세정 용기(800)를 승강 및 하강시켜 상기 각 회수통(810, 820, 830)과 상기 스핀 헤드(710) 간의 상대적인 수직 위치를 조절한다.The lifting unit 840 includes the cleaning container 800 such that the spin head 710 protrudes above the cleaning container 800 when the wafer is seated on the spin head 710 or is lifted from the spin head 710. Down). In addition, the lifting unit 840 lifts and lowers the cleaning container 800 so that the processing liquid flows into the recovery containers 810, 820, and 830 according to the type of processing liquid supplied to the wafer during the processing of the wafer. Lowering to adjust the relative vertical position between each of the recovery container (810, 820, 830) and the spin head 710.

이 실시예에 있어서, 상기 기판 세정부(1002)는 상기 세정 용기(800)를 수직 이동시켜 세정 용기(800)와 상기 스핀 헤드(710) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시키나, 상기 스핀 헤드(710)를 수직 이동시켜 상기 세정 용기(800)와 상기 스핀 헤드(70) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.In this embodiment, the substrate cleaner 1002 vertically moves the cleaning container 800 to change the relative vertical position between the cleaning container 800 and the spin head 710, but the spin head 710 May be moved vertically to change the relative vertical position between the cleaning vessel 800 and the spin head 70.

이하, 도면을 참조하여 기판 처리 시스템(2000)이 웨이퍼를 연마 및 세정하는 과정을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a process of polishing and cleaning a wafer by the substrate processing system 2000 will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 13은 도 1에 도시된 기판 처리 시스템이 웨이퍼를 연마 및 세정하는 과정을 나타낸 흐름도이다.FIG. 13 is a flowchart illustrating a process of polishing and cleaning a wafer by the substrate processing system illustrated in FIG. 1.

도 1, 도 2 및 도 13을 참조하면, 먼저, 메인 이송 장치(50)는 버퍼부(30)로부터 연마 대기중인 웨이퍼를 인출한 후, 1층에 배치된 기판 연마부들 중 유휴 상태의 기판 연마부(1001)에 상기 연마 대기중인 웨이퍼를 투입한다(단계 S110).1, 2 and 13, first, the main transfer device 50 withdraws a wafer waiting to be polished from the buffer unit 30, and then polishes an idle substrate among the substrate polishing units disposed on one layer. The wafer waiting to be polished is injected into the unit 1001 (step S110).

이어, 상기 연마 대기중인 웨이퍼를 제공받은 기판 연마부(1001)는 상기 웨이퍼를 연마한다(단계 S120).Subsequently, the substrate polishing unit 1001 receiving the wafer waiting to be polished polishes the wafer (step S120).

상기 기판 연마부(1001)에서 웨이퍼를 연마하는 과정을 살펴보면 다음과 같다. 먼저, 상기 웨이퍼를 상기 기판 지지유닛(100)에 안착시킨 후, 연마 유닛(300) 의 가압부(310)(도 7 참조)를 상기 웨이퍼의 상면에 배치한다. 이어, 상기 가압부(310)가 자기 중심축을 기준으로 회전하면서 스윙하여 웨이퍼의 상면을 연마한다. 이때, 상기 기판 지지유닛(100)는 상기 웨이퍼를 회전시키고, 상기 웨이퍼의 상면에는 연마 공정을 위한 연마 약액, 즉, 슬러리가 제공된다.Looking at the process of polishing the wafer in the substrate polishing unit 1001 as follows. First, the wafer is seated on the substrate support unit 100, and then the pressing unit 310 (see FIG. 7) of the polishing unit 300 is disposed on the upper surface of the wafer. Subsequently, the pressing unit 310 swings while rotating about the magnetic center axis to polish the upper surface of the wafer. In this case, the substrate support unit 100 rotates the wafer, and an upper surface of the wafer is provided with a polishing chemical, that is, a slurry for a polishing process.

상기 연마 유닛(300)에 의한 상기 웨이퍼의 연마가 완료되면, 상기 연마 유닛(300)의 가압부(310)를 용기 유닛(100)의 외측으로 이동시키고, 브러쉬(510) 및 에어로졸 유닛(520)이 상기 웨이퍼를 1차 세정한다.When the polishing of the wafer by the polishing unit 300 is completed, the pressing unit 310 of the polishing unit 300 is moved out of the container unit 100, and the brush 510 and the aerosol unit 520 are moved. The wafer is first cleaned.

이렇게 상기 기판 연마부(1001)에서 웨이퍼의 연마가 완료되면, 상기 메인 이송 로봇(50)은 상기 기판 연마부(1001)에서 상기 웨이퍼를 인출한다. 이어, 상기 메인 이송 로봇(50)은 상기 웨이퍼를 승강 및 수평 이동시켜 유휴 상태의 기판 세정부(1002)에 연마 완료된 웨이퍼를 제공한다(단계 S130).When the polishing of the wafer is completed in the substrate polishing unit 1001, the main transfer robot 50 draws the wafer from the substrate polishing unit 1001. Subsequently, the main transfer robot 50 lifts and horizontally moves the wafer to provide a polished wafer to the substrate cleaning unit 1002 in an idle state (step S130).

상기 연마 완료된 웨이퍼를 제공받은 기판 세정부(1002)는 세정액을 분사하여 상기 웨이퍼를 2차 세정한다(단계 S140).The substrate cleaner 1002 receiving the polished wafer sprays a cleaning liquid to secondly clean the wafer (step S140).

상기 기판 세정부(1002)에서 웨이퍼의 세정이 완료되면, 상기 메인 이송 로봇(50)은 해당 기판 세정부(1002)로부터 세정 완료된 웨이퍼를 인출한 후 상기 버퍼부(30)에 적재한다(단계 S150).When the cleaning of the wafer is completed in the substrate cleaning unit 1002, the main transfer robot 50 pulls out the cleaned wafer from the substrate cleaning unit 1002 and loads the wafer into the buffer unit 30 (step S150). ).

이와 같이, 상기 기판 처리 시스템(2000)은 웨이퍼를 연마하는 기판 연마부(1001)와 웨이퍼를 세정하는 기판 세정부(1002)가 같은 공간에 복층으로 구비되므로, 웨이퍼의 이송에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 기판 처리 시스템(2000)은 공정 시간을 단축시키고, 생산성이 향상시킬 수 있다.As described above, the substrate processing system 2000 includes a substrate polishing unit 1001 for polishing a wafer and a substrate cleaning unit 1002 for cleaning a wafer in multiple layers in the same space, thereby reducing the time required for transferring the wafer. You can. Accordingly, the substrate processing system 2000 may shorten the process time and improve productivity.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the embodiments above, those skilled in the art will understand that the present invention can be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. Could be.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 기판 처리 시스템을 나타낸 측면도이다.1 is a side view showing a sheet type substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 매엽식 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다.FIG. 2 is a plan view schematically illustrating the sheet type substrate processing system shown in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 인덱스 로봇을 나타낸 사시도이다.3 is a perspective view of the index robot shown in FIG.

도 4은 도 1에 도시된 버퍼부를 나타낸 사시도이다.4 is a perspective view illustrating the buffer unit illustrated in FIG. 1.

도 5는 도 2에 도시된 메인 이송 로봇을 나타낸 사시도이다.5 is a perspective view showing the main transport robot shown in FIG.

도 6은 도 2에 도시된 기판 연마부를 나타낸 사시도이다.6 is a perspective view illustrating the substrate polishing unit illustrated in FIG. 2.

도 7은 도 6에 도시된 기판 지지유닛 및 용기 유닛을 구체적으로 나타낸 부분 절개 사시도이다.7 is a partial cutaway perspective view illustrating the substrate support unit and the container unit shown in FIG. 6 in detail.

도 8은 도 6에 도시된 연마 유닛을 나타낸 사시도이고, 도 9는 도 8에 도시된 연마 유닛을 나타낸 부분 절개 측면도이다. FIG. 8 is a perspective view showing the polishing unit shown in FIG. 6, and FIG. 9 is a partial cutaway side view showing the polishing unit shown in FIG. 8.

도 10은 도 8에 도시된 수직암부와 가압부를 나타낸 종단면도이다.FIG. 10 is a longitudinal cross-sectional view illustrating the vertical arm part and the pressing part illustrated in FIG. 8.

도 11은 도 1에 도시된 기판 세정부를 나타낸 사시도이고, 도 12는 도 11에 도시된 처리 용기 및 기판 지지부재를 나타낸 종단면도이다.FIG. 11 is a perspective view illustrating the substrate cleaning unit illustrated in FIG. 1, and FIG. 12 is a longitudinal cross-sectional view illustrating the processing container and the substrate supporting member illustrated in FIG. 11.

도 13은 도 1에 도시된 기판 처리 시스템이 웨이퍼를 연마 및 세정하는 과정을 나타낸 흐름도이다.FIG. 13 is a flowchart illustrating a process of polishing and cleaning a wafer by the substrate processing system illustrated in FIG. 1.

Claims (9)

기판을 연마하는 적어도 하나의 기판 연마부와;At least one substrate polishing portion for polishing a substrate; 상기 기판 연마부의 상부에 설치되고, 상기 기판을 세정하는 적어도 하나의 기판 세정부와;At least one substrate cleaning unit disposed above the substrate polishing unit and cleaning the substrate; 상기 기판 연마부 또는 상기 기판 세정부에 투입 대기중인 기판과 상기 기판 연마부 또는 기판 세정부에서 처리 완료된 기판을 수납하는 버퍼부와; A buffer unit for storing a substrate waiting to be put into the substrate polishing unit or the substrate cleaning unit and a substrate processed by the substrate polishing unit or the substrate cleaning unit; 수직 이동 및 수평 이동이 가능하고 상기 기판이 안착되는 적어도 하나의 픽업 핸드를 구비하고, 상기 기판 연마부와 상기 기판 세정부 및 상기 버퍼부간에 기판을 이송하는 기판 이송 부재를 포함하되;A substrate transfer member capable of vertical movement and horizontal movement and having at least one pickup hand on which the substrate is seated, and transferring the substrate between the substrate polishing portion, the substrate cleaning portion, and the buffer portion; 상기 기판 연마부는,The substrate polishing unit, 상기 기판이 안착되고, 회전 가능한 기판 지지유닛과;A substrate support unit on which the substrate is mounted and rotatable; 상기 기판 지지유닛이 수용되는 용기 유닛과;A container unit in which the substrate supporting unit is accommodated; 연마 공정 시 상기 기판 지지유닛에 안착된 기판의 상면에 배치되어 상기 기판을 연마하고 스윙 및 자기 중심축을 기준으로 회전 가능한 연마 패드를 구비하고, 상기 용기 유닛의 일측에 설치된 연마 유닛과;A polishing unit disposed on an upper surface of the substrate seated on the substrate supporting unit in the polishing process, the polishing unit having a polishing pad rotatable about a swing and a magnetic center axis, the polishing unit being provided on one side of the container unit; 연마 공정 또는 세정 공정 시 상기 기판 지지유닛에 안착된 기판의 상면에 배치되어 상기 기판으로 세정액 또는 건조가스를 공급하는 처리유체공급유닛 포함하고,It is disposed on the upper surface of the substrate seated on the substrate support unit during the polishing process or cleaning process includes a processing fluid supply unit for supplying a cleaning liquid or dry gas to the substrate, 상기 기판 세정부는,The substrate cleaning unit, 상기 기판이 안착되는 기판 세정 지지부재와;A substrate cleaning support member on which the substrate is mounted; 상기 기판 세정 지지부재가 수용되는 세정 용기와;A cleaning container in which the substrate cleaning support member is accommodated; 상기 기판 세정 지지부재의 일측에 설치되고, 상기 기판 세정 지지부재에 안착된 기판에 세정액을 분사하는 분사 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a spray nozzle disposed on one side of the substrate cleaning support member, and spraying a cleaning liquid onto a substrate seated on the substrate cleaning support member. 제1항에 있어서, 상기 기판 이송 부재는,The method of claim 1, wherein the substrate transfer member, 상기 픽업 핸드의 아래에 설치되고, 상기 픽업 핸드를 수평 이동시키는 핸드 구동부;A hand driver installed below the pick-up hand and horizontally moving the pick-up hand; 상기 핸드 구동부의 아래에 설치되고, 상기 핸드 구동부를 회전시키는 회전부;A rotating part installed below the hand driving part to rotate the hand driving part; 상기 회전부의 아래에 설치되고, 상기 회전부를 수직 이동시키는 수직 이동부; 및A vertical moving part installed below the rotating part and vertically moving the rotating part; And 상기 수직 이동부의 아래에 설치되고, 상기 수직 이동부를 수평 이동시키는 수평 이동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a horizontal moving part disposed below the vertical moving part and horizontally moving the vertical moving part. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 기판 연마부 및 상기 기판 세정부는 각각 다수 구비되고,The substrate polishing unit and the substrate cleaning unit are each provided with a plurality, 다수의 기판 연마부는 적어도 두 개의 기판 연마부가 상기 기판 이송 부재가 이동하는 이송 통로를 사이에 두고 서로 마주하게 배치되며,The plurality of substrate polishing units are disposed to face each other with at least two substrate polishing units interposed therebetween with a transfer passage through which the substrate transfer member moves. 다수의 기판 세정부는 적어도 두 개의 기판 세정부가 상기 이송 통로를 사이에 두고 서로 마주하게 배치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the plurality of substrate cleaners are arranged such that at least two substrate cleaners face each other with the transfer passage therebetween. 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 연마 패드의 연마면은 상기 기판의 상면보다 작은 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the polishing surface of the polishing pad has a smaller area than the upper surface of the substrate. 삭제delete 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,In the method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 1, 상기 버퍼부로부터 연마 대기중인 기판을 인출하여 상기 기판 연마부에 제공하는 단계;Drawing a substrate waiting to be polished from the buffer unit and providing the substrate to the substrate polishing unit; 상기 기판 연마부에서 상기 기판을 연마하는 단계;Polishing the substrate at the substrate polishing unit; 연마 완료된 기판을 상기 기판 세정부로 이송하는 단계;Transferring the polished substrate to the substrate cleaner; 상기 기판 세정부에서 상기 연마 완료된 기판을 세정하는 단계; 및Cleaning the polished substrate in the substrate cleaner; And 상기 기판 세정부에서 세정 완료된 기판을 인출하여 상기 버퍼부에 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And removing the cleaned substrate from the substrate cleaner and providing the cleaned substrate to the buffer unit. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 기판 연마부와 상기 기판 세정부 및 상기 버퍼부 간의 기판 이송은 상기 기판 이송 부재에 의해 이루어지며,Substrate transfer between the substrate polishing unit, the substrate cleaning unit, and the buffer unit is performed by the substrate transfer member, 상기 기판 이송 부재는 수직 이동 및 수평 이동을 통해 상기 기판 세정부와 상기 기판 연마부에 접근하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And the substrate transfer member approaches the substrate cleaning portion and the substrate polishing portion through vertical movement and horizontal movement. 제8항에 있어서, 상기 연마 완료된 기판을 세정하는 단계는,The method of claim 8, wherein the cleaning of the polished substrate comprises: 상기 기판 이송 부재가 상기 기판 연마부로부터 상기 연마 완료된 기판을 인출하는 단계; 및The substrate transfer member withdrawing the polished substrate from the substrate polishing unit; And 이어, 상기 기판 이송 부재가 수직 이동하여 상기 연마 완료된 기판을 상기 기판 세정부에 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.Subsequently, the substrate transfer member is moved vertically to provide the polished substrate to the substrate cleaning unit.
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