KR102270779B1

KR102270779B1 - Apparatus for Processing Substrate

Info

Publication number: KR102270779B1
Application number: KR1020130168174A
Authority: KR
Inventors: 오세훈; 이세원; 최기훈
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2013-12-31
Filing date: 2013-12-31
Publication date: 2021-06-29
Also published as: KR20150078631A

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 내부에 기판을 세정하는 공간을 제공하는 처리 용기; 상기 공간 내에 제공되고, 기판을 지지하는 기판 지지 부재; 상기 기판 지지 부재에 놓여지는 기판으로 복수의 처리액을 선택적으로 분사하는 분사 부재를 포함하되; 상기 처리 용기는 상기 기판 지지 부재로부터 비산되는 처리액이 유입되는 입구를 갖고, 상하 방향으로 적층되되, 각 입구는 이웃하는 입구와 서로 겹쳐져 밀폐되게 제공되는 회수통들; 상기 회수통들중 어느 하나의 회수통 입구를 개폐하기 위해 개폐하고자 하는 회수통을 상하 방향으로 이동시키는 개폐 유닛을 포함한다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, comprising: a processing vessel providing a space therein for cleaning a substrate; a substrate support member provided in the space and supporting a substrate; a spraying member selectively spraying a plurality of processing liquids to a substrate placed on the substrate supporting member; The processing container may include: collection containers having an inlet through which the processing liquid scattered from the substrate support member is introduced, stacked in a vertical direction, and each inlet overlaps with an adjacent inlet to be sealed; and an opening/closing unit for vertically moving a collection container to be opened and closed in order to open and close the inlet of any one of the collection containers.

Description

Substrate processing apparatus {Apparatus for Processing Substrate}

본 발명은 반도체 소자 제조에 사용되는 웨이퍼 또는 평판 표시 소자 제조에 사용되는 유리 기판 등과 같은 기판에 대해 세정 또는 건조 등과 같은 공정을 수행하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for performing a process such as cleaning or drying on a substrate such as a wafer used for manufacturing a semiconductor device or a glass substrate used for manufacturing a flat panel display device.

반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.As semiconductor devices become high-density, high-integration, and high-performance semiconductor devices, circuit pattern miniaturization is rapidly progressing, and contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the substrate surface have a great influence on device characteristics and production yield. do. For this reason, a cleaning process for removing various contaminants adhering to the surface of the substrate has become very important in the semiconductor manufacturing process, and a process of cleaning the substrate is performed before and after each unit process of manufacturing a semiconductor.

이러한 기판 세정 장치는 세정 처리에 사용되는 약액이 종류별로 배출되는데, 바울(처리 용기)에 형성된 약액 유로들을 통해 종류별로 배출된다. In such a substrate cleaning apparatus, chemical liquids used for the cleaning process are discharged by type, and are discharged by type through chemical liquid passages formed in the bowl (processing vessel).

그러나, 기존 세정 장치는 해당 바울 단에서 공정 진행시 다른 단으로의 케미칼 유입으로 성상 분리가 불가능하였다. 이러한 원인은 바울이 개방형으로 되어 있어 공정 진행 이외의 단으로 케미칼 유입이 가능한 취약 구조로 이루어졌기 때문이다.However, in the existing cleaning apparatus, phase separation was impossible due to the inflow of chemicals from one stage to another stage during the process. The reason for this is that the bowl is of an open type, so it has a fragile structure that allows chemicals to flow into the stage other than the process.

또한, 통합 배기 구조로 되어 있어 배기에 의한 미스트(mist)로 인해 성상 분리가 취약하였다.In addition, since it has an integrated exhaust structure, phase separation was weak due to mist caused by exhaust.

본 발명의 실시예들은 각 단에서의 성상 분리를 통해 약액의 재사용이 용이한 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention are intended to provide a substrate processing apparatus that facilitates reuse of a chemical solution through phase separation at each stage.

본 발명의 실시예들은 처리 용기 구조를 밀폐형으로 구성한 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.SUMMARY Embodiments of the present invention provide a substrate processing apparatus having a structure of a processing vessel in a closed type.

본 발명의 실시예들은 드레인 및 배기가 독립적으로 이루어지는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.SUMMARY Embodiments of the present invention provide a substrate processing apparatus in which drain and exhaust are independently formed.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 내부에 기판을 세정하는 공간을 제공하는 처리 용기; 상기 공간 내에 제공되고, 기판을 지지하는 기판 지지 부재; 상기 기판 지지 부재에 놓여지는 기판으로 복수의 처리액을 선택적으로 분사하는 분사 부재를 포함하되; 상기 처리 용기는 상기 기판 지지 부재로부터 비산되는 처리액이 유입되는 입구를 갖고, 상하 방향으로 적층되되, 각 입구는 이웃하는 입구와 서로 겹쳐져 밀폐되게 제공되는 회수통들; 상기 회수통들중 어느 하나의 회수통 입구를 개폐하기 위해 개폐하고자 하는 회수통을 상하 방향으로 이동시키는 개폐 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a processing vessel that provides a space for cleaning a substrate therein; a substrate support member provided in the space and supporting a substrate; a spraying member selectively spraying a plurality of processing liquids to a substrate placed on the substrate supporting member; The processing container may include: collection containers having an inlet through which the processing liquid scattered from the substrate support member is introduced, stacked in a vertical direction, and each inlet overlaps with an adjacent inlet to be sealed; An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus including an opening/closing unit for vertically moving a collection container to be opened and closed in order to open and close an inlet of any one of the collection containers.

또한, 상기 개폐 유닛은 승강 부재; 상기 승강 부재에 의해 업다운 되고, 상기 회수통들 각각에 대향되는 위치에 전자석들이 구비된 홀딩바; 및 상기 전자석들에 전원을 단속시켜 자력 발생을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 회수통들은 상기 전자석들과 대응되는 위치에 설치되는 자성체를 포함할 수 있다. In addition, the opening and closing unit may include a lifting member; a holding bar up and down by the elevating member and provided with electromagnets at positions opposite to each of the collection bins; and a control unit for controlling generation of magnetic force by intermitting power to the electromagnets, wherein the collection bins may include magnetic materials installed at positions corresponding to the electromagnets.

본 발명에 의하면, 각 회수통에서의 성상 분리를 통해 약액의 재사용 효율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, it is possible to improve the reuse efficiency of the chemical solution through phase separation in each recovery tank.

또한, 각 회수통들에서의 드레인 및 배기를 독립구조로 제공할 수 있다.In addition, it is possible to provide a separate structure for drain and exhaust from each of the recovery tanks.

또한, 회수통에서의 드레인 및 배기시 이웃하는 회수통으로의 약액 유입을 차단할 수 있다. In addition, it is possible to block the inflow of the chemical liquid into the adjacent recovery tank when draining and exhausting from the recovery container.

도 1은 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는 처리 용기(100) 전체 높이가 초기 상태인 "0 단" 위치를 보여준다.
도 5는 처리 용기의 1단 위치를 보여주는 도면이다.
도 6은 처리 용기의 2단 위치를 보여주는 도면이다.
도 7은 처리 용기의 3단 위치를 보여주는 도면이다.
도 8은 처리 용기의 4단 위치를 보여주는 도면이다. 1 is a plan view schematically illustrating a substrate processing system.
2 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.
3 is a cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.
4 shows a position of “stage 0” in which the overall height of the processing vessel 100 is an initial state.
5 is a view showing the first stage position of the processing vessel.
6 is a view showing the two-stage position of the processing vessel.
7 is a view showing a three-stage position of the processing vessel.
8 is a view showing the four-stage position of the processing vessel.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in the description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are given the same reference numbers regardless of the reference numerals, and duplicates thereof A description will be omitted.

본 실시예에서는 기판으로 반도체 웨이퍼를 예로 들어 설명한다. 그러나 기판은 반도체 웨이퍼 이외에 포토마스크, 평편 표시 패널 등 다양한 종류의 기판일 수 있다. In this embodiment, a semiconductor wafer will be described as an example as a substrate. However, the substrate may be various types of substrates, such as a photomask and a flat display panel, in addition to a semiconductor wafer.

도 1은 본 발명의 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a plan view schematically illustrating a substrate processing system of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)가 배열된 방향을 제 1 방향(1)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향(1)의 수직인 방향을 제 2 방향(2)이라 하며, 제 1 방향(1)과 제 2 방향(2)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향(3)이라 정의한다.Referring to FIG. 1 , the substrate processing system 1000 of the present invention may include an index unit 10 and a process processing unit 20 . The index unit 10 and the processing unit 20 are arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the index unit 10 and the processing unit 20 are arranged is referred to as a first direction (1), and when viewed from above, a direction perpendicular to the first direction (1) is referred to as a second direction (2). A direction perpendicular to the plane including the first direction (1) and the second direction (2) is defined as the third direction (3).

인덱스부(10)는 기판 처리 시스템(1000)의 제 1 방향(1)의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 로드 포트(12) 및 이송 프레임(14)을 포함한다.The index unit 10 is disposed in front of the substrate processing system 1000 in the first direction 1 . The index unit 10 includes a load port 12 and a transport frame 14 .

로드 포트(12)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(11)가 안착된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향(2)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 장치(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(11)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. 캐리어(11)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다.The carrier 11 in which the substrate W is accommodated is seated on the load port 12 . A plurality of load ports 12 are provided and they are arranged in a line along the second direction 2 . The number of load ports 12 may increase or decrease according to process efficiency and footprint conditions of the substrate processing apparatus 1000 . A Front Opening Unifed Pod (FOUP) may be used as the carrier 11 . A plurality of slots are formed in the carrier 11 for accommodating the substrates in a state in which they are arranged horizontally with respect to the ground.

이송 프레임(14)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 이송 프레임(14)은 로드 포트(12)와 공정 처리부(20)의 버퍼부(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(14)은 인덱스 레일(15) 및 인덱스 로봇(17)을 포함한다. 인덱스 레일(15) 상에 인덱스 로봇(17)이 안착된다. 인덱스 로봇(17)은 버퍼부(30)와 캐리어(11)간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 로봇(17)은 인덱스 레일(210)을 따라 제 2 방향으로 직선 이동하거나, 제 3 방향(3)을 축으로 하여 회전한다.The transport frame 14 is disposed adjacent to the load port 12 in the first direction. The transfer frame 14 is disposed between the load port 12 and the buffer unit 30 of the processing unit 20 . The transport frame 14 includes an index rail 15 and an index robot 17 . The index robot 17 is seated on the index rail 15 . The index robot 17 transfers the substrate W between the buffer unit 30 and the carrier 11 . The index robot 17 moves linearly in the second direction along the index rail 210 or rotates about the third direction 3 as an axis.

공정 처리부(20)는 인덱스부(10)에 이웃하여 제 1 방향(1)을 따라 기판 처리 시스템(1000)의 후방에 배치된다. 공정 처리부(20)은 버퍼부(30), 이동 통로(40), 메인 이송 로봇(50) 그리고 기판 처리 장치(60)를 포함한다.The processing unit 20 is disposed at the rear of the substrate processing system 1000 in the first direction 1 adjacent to the index unit 10 . The process processing unit 20 includes a buffer unit 30 , a moving passage 40 , a main transfer robot 50 , and a substrate processing apparatus 60 .

버퍼부(30)는 제 1 방향(1)을 따라 공정 처리부(20)의 전방에 배치된다. 버퍼부(30)는 기판 처리 장치(60)와 캐리어(11) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다. 버퍼부(30)는 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제 3 방향(3)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다.The buffer unit 30 is disposed in front of the processing unit 20 in the first direction 1 . The buffer unit 30 is a place where the substrate W is temporarily accommodated and waits before the substrate W is transferred between the substrate processing apparatus 60 and the carrier 11 . The buffer unit 30 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 3 .

이동 통로(40)는 버퍼부(30)와 대응되게 배치된다. 이동 통로(40)는 그 길이방향이 제 1 방향(1)에 따라 나란하게 배치된다. 이동 통로(40)은 메인 이송 로봇(50)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 기판 처리 장치(60)들이 서로 마주보며 제 1 방향(1)을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(50)이 제 1 방향(1)을 따라 이동하며, 기판 처리 장치(60)의 상하층, 그리고 버퍼부(30)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다. The moving passage 40 is disposed to correspond to the buffer unit 30 . The moving passage 40 is arranged in a longitudinal direction parallel to the first direction (1). The moving passage 40 provides a passage through which the main transfer robot 50 moves. On both sides of the moving passage 40 , the substrate processing apparatuses 60 face each other and are disposed in the first direction 1 . In the moving passage 40 , the main transfer robot 50 moves in the first direction 1 , and a moving rail capable of ascending and descending to the upper and lower floors of the substrate processing apparatus 60 and the upper and lower floors of the buffer unit 30 . this is installed

메인 이송 로봇(50)은 이동 통로(40)에 설치되며, 기판 처리 장치(60) 및 버퍼부(30) 간에 또는 각 기판 처리 장치(60) 간에 기판(W)을 이송한다. 메인 이송 로봇(50)은 이동 통로(400)을 따라 제 2 방향(2)으로 직선 이동하거나, 제 3 방향(3)을 축으로 하여 회전한다. The main transfer robot 50 is installed in the moving passage 40 , and transfers the substrate W between the substrate processing apparatus 60 and the buffer unit 30 or between each substrate processing apparatus 60 . The main transfer robot 50 linearly moves in the second direction 2 along the movement passage 400 or rotates about the third direction 3 as an axis.

기판 처리 장치(60)는 복수개 제공되며, 제 2 방향(2)을 따라 이동 통로(30)을 중심으로 양측에 배치된다. 기판 처리 장치(60)들 중 일부는 이동 통로(30)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 기판 처리 장치(60)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이동 통로(30)의 일측에는 기판 처리 장치(60)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제 1 방향(1)을 따라 일렬로 제공된 기판 처리 장치(60)의 수이고, B는 제 2 방향(2)을 따라 일렬로 제공된 기판 처리 장치(60)의 수이다. 이동 통로(30)의 일측에 기판 처리 장치(60)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 기판 처리 장치(60)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 기판 처리 장치(60)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 기판 처리 장치(60)는 이동 통로(30)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 기판 처리 장치(60)는 이동 통로(30)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다. A plurality of substrate processing apparatuses 60 are provided, and are disposed on both sides of the moving passage 30 in the second direction 2 . Some of the substrate processing apparatuses 60 are disposed along the longitudinal direction of the moving passage 30 . In addition, some of the substrate processing apparatuses 60 are disposed to be stacked on each other. That is, the substrate processing apparatuses 60 may be arranged in an A X B arrangement on one side of the moving passage 30 . Here, A is the number of substrate processing apparatuses 60 provided in a line along the first direction 1 , and B is the number of substrate processing apparatuses 60 provided in a line along the second direction 2 . When four or six substrate processing apparatuses 60 are provided on one side of the moving passage 30 , the substrate processing apparatuses 60 may be arranged in an arrangement of 2 X 2 or 3 X 2 . The number of substrate processing apparatuses 60 may increase or decrease. Unlike the above, the substrate processing apparatus 60 may be provided on only one side of the moving passage 30 . Also, unlike the above, the substrate processing apparatus 60 may be provided in a single layer on one side and both sides of the moving passage 30 .

기판 처리 장치(60)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(60)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 기판 처리 장치(60)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 기판 처리 장치(60)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 기판 처리 장치(60)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 기판 처리 장치(60)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. 예컨대, 기판 처리 장치(60)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이동 통로(30)의 일측에는 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공되고, 이동 통로(30)의 타측에는 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공될 수 있다. 선택적으로 이동 통로(30)의 양측에서 하층에는 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공되고, 상층에는 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공될 수 있다. 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)와 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. 이와 달리, 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)와 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. The substrate processing apparatus 60 may perform a cleaning process on the substrate W. The substrate processing apparatus 60 may have a different structure depending on the type of cleaning process performed. Alternatively, each substrate processing apparatus 60 may have the same structure. Optionally, the substrate processing apparatuses 60 are divided into a plurality of groups, so that the substrate processing apparatuses 60 belonging to the same group are the same as each other, and the structures of the substrate processing apparatuses 60 belonging to different groups are provided differently. can For example, when the substrate processing apparatus 60 is divided into two groups, a first group of substrate processing apparatuses 60 are provided on one side of the moving passage 30 , and a second group of substrate processing apparatuses 60 are provided on the other side of the moving passage 30 . of substrate processing apparatuses 60 may be provided. Optionally, a first group of substrate processing apparatuses 60 may be provided on both sides of the moving passage 30 on a lower layer, and a second group of substrate processing apparatuses 60 may be provided on an upper layer. The substrate processing apparatus 60 of the first group and the substrate processing apparatus 60 of the second group may be classified according to the type of chemical used or the type of cleaning method, respectively. Alternatively, the first group of substrate processing apparatuses 60 and the second group of substrate processing apparatuses 60 may be provided to sequentially perform processes on one substrate W. Referring to FIG.

도 2는 기판 처리 장치를 나타낸 평면도이다. 도 3은 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다. 그리고, 도 4는 처리 용기(100) 전체 높이가 초기 상태인 "0 단" 위치를 보여준다.2 is a plan view illustrating a substrate processing apparatus. 3 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus. And, FIG. 4 shows a position of “stage 0” in which the entire height of the processing vessel 100 is an initial state.

아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다.In the example below, an apparatus for cleaning a substrate using processing fluids such as high temperature sulfuric acid, alkaline chemical solution (including ozone water), acid chemical solution, rinsing solution, and drying gas (gas containing IPA) will be described as an example. However, the technical spirit of the present invention is not limited thereto, and may be applied to various types of devices that perform a process while rotating a substrate, such as an etching process.

또한, 본 실시예에서는 기판 처리 장치(60)가 처리하는 기판으로 반도체 기판을 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.In addition, although a semiconductor substrate is illustrated and described as an example of a substrate processed by the substrate processing apparatus 60 in the present embodiment, the present invention is not limited thereto, and may be applied to various types of substrates such as a glass substrate.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(60)는 공정 챔버(700), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 분사 부재(300) 및 배기 부재(400)를 포함한다.2 to 4 , the substrate processing apparatus 60 includes a process chamber 700 , a processing vessel 100 , a substrate support member 200 , an injection member 300 , and an exhaust member 400 .

공정 챔버(700)는 밀폐된 공간을 제공하며. 상부에는 팬 필터 유닛(710)이 설치된다. 팬 필터 유닛(710)은 공정 챔버(700) 내부에 수직 기류를 발생시킨다.The process chamber 700 provides an enclosed space. A fan filter unit 710 is installed on the upper part. The fan filter unit 710 generates a vertical airflow in the process chamber 700 .

팬 필터 유닛(710)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 공정 챔버(700) 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(710)을 통과하여 공정 챔버(700) 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 퓸(Fume)등 오염기체는 공기와 함께 처리 용기(100)의 회수 용기들을 통해 배기부재(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 청정도를 유지하게 된다.The fan filter unit 710 is a device in which a filter and an air supply fan are modularized into one unit, and filters clean air and supplies it to the inside of the process chamber 700 . The clean air passes through the fan filter unit 710 and is supplied into the process chamber 700 to form a vertical airflow. This vertical airflow of air provides a uniform airflow over the substrate, and contaminant gases such as fumes generated in the process of treating the substrate surface by the processing fluid collect the recovery vessels of the processing vessel 100 together with the air. By being discharged to the exhaust member 400 through the removal, the cleanliness inside the processing container is maintained.

도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(700)는 수평 격벽(714)에 의해 상부 영역(716)과 하부 영역(718)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 하부 영역(718)에는 처리 용기(100)의 각 회수통들과 연결되는 회수라인(151,152,153,154), 서브배기라인(410) 이외에도 제1승강 부재의 구동부, 분사 부재(300)의 분사 노즐(340)과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치되는 유지 보수 공간으로, 이러한 하부 영역(718)은 기판 처리가 이루어지는 상부 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다. As shown in FIG. 2 , the chamber 700 is divided into an upper region 716 and a lower region 718 by a horizontal partition wall 714 . Although only a part is shown in the drawings, in the lower region 718 , in addition to the recovery lines 151 , 152 , 153 , 154 and the sub exhaust line 410 connected to each of the recovery bins of the processing container 100 , the driving part of the first elevating member and the injection member 300 ) As a maintenance space in which a driving unit connected to the injection nozzle 340 of the , supply line, etc. are located, the lower region 718 is preferably isolated from the upper region where the substrate processing is performed.

처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 처리 용기(100)는 공정 공간 아래에 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다. The processing vessel 100 has a cylindrical shape with an open top, and provides a process space for processing the substrate w. The opened upper surface of the processing container 100 serves as a passage for carrying out and carrying in the substrate w. The substrate support member 200 is positioned in the process space. The processing vessel 100 is provided with an exhaust duct 190 connected to the exhaust member 400 under the process space.

배기 부재(400)는 기판 처리 공정시 처리 용기 내에 배기압력을 제공하기 위한 것이다. 배기부재(400)는 배기덕트(190)와 연결되는 서브 배기 라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브 배기 라인(410)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기 라인과 연결된다.The exhaust member 400 is for providing exhaust pressure in the processing vessel during a substrate processing process. The exhaust member 400 includes a sub exhaust line 410 and a damper 420 connected to the exhaust duct 190 . The sub exhaust line 410 receives exhaust pressure from an exhaust pump (not shown) and is connected to the main exhaust line buried in the floor space of the semiconductor production line.

기판 지지부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판을 회전시킨다. 기판 지지부재(200)는 스핀 헤드(210), 지지축(220), 회전 구동부(230)을 포함한다. 스핀 헤드는 지지핀(212), 척핀(214)을 포함한다. 스핀 헤드(210)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 스핀 헤드(210)의 저면에는 회전 구동부(230)에 의해 회전가능한 지지축(220)이 고정결합된다. The substrate support member 200 supports the substrate W and rotates the substrate during the process. The substrate support member 200 includes a spin head 210 , a support shaft 220 , and a rotation driving unit 230 . The spin head includes a support pin 212 and a chuck pin 214 . The spin head 210 has a top surface that is provided in a generally circular shape when viewed from above. A rotatable support shaft 220 is fixedly coupled to the bottom surface of the spin head 210 by the rotation driving unit 230 .

지지핀(212)은 복수 개 제공된다. 지지핀(212)은 스핀 헤드(210)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 스핀 헤드(210)에서 제 3 방향(3)으로 돌출된다. 지지핀(212)은 스핀 헤드(210)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(214)은 복수 개 제공되며, 지지핀(214)의 외측에 배치되며, 지지판(214)에서 제 3 방향(3)으로 돌출되도록 구비된다. 척핀(214)은 기판 지지부재(200)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다.A plurality of support pins 212 are provided. The support pins 212 are disposed to be spaced apart from each other at a predetermined interval on the edge of the upper surface of the spin head 210 and protrude from the spin head 210 in the third direction (3). The support pins 212 support the rear edge of the substrate W so that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the spin head 210 by a predetermined distance. A plurality of chuck pins 214 are provided, are disposed outside the support pins 214 , and are provided to protrude from the support plate 214 in the third direction (3). The chuck pin 214 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally separated from the original position when the substrate support member 200 is rotated.

분사 부재(300)는 기판 처리 공정시 약액을 공급받아 기판 지지부재(200)의 스핀헤드(210)에 놓인 기판의 처리면으로 약액을 분사한다. 분사 부재(300)는 지지축(320), 구동기(310), 노즐 지지대(330) 그리고 분사 노즐(340)을 포함한다. The spray member 300 receives a chemical solution during a substrate processing process and sprays the chemical solution onto the processing surface of the substrate placed on the spin head 210 of the substrate support member 200 . The spray member 300 includes a support shaft 320 , a driver 310 , a nozzle support 330 , and a spray nozzle 340 .

지지축(320)은 그 길이 방향이 제 3 방향(3)으로 제공되며, 지지축(320)의 하단은 구동기(310)와 결합된다. 구동기(310)는 지지축(320)을 회전 및 직선 운동시킨다. 노즐 지지대(330)는 지지축(320)에 결합되어 분사 노즐(340)을 기판 상부로 이동시키거나, 기판 상부에서 분사 노즐(340)이 약액을 분사하면서 이동되도록 한다. The support shaft 320 is provided in the third direction 3 in its longitudinal direction, and the lower end of the support shaft 320 is coupled to the driver 310 . The actuator 310 rotates and linearly moves the support shaft 320 . The nozzle support 330 is coupled to the support shaft 320 to move the spray nozzle 340 to the top of the substrate, or to move the spray nozzle 340 while spraying the chemical on the top of the substrate.

분사 노즐(340)은 노즐 지지대(330)의 끝단 저면에 설치된다. 분사 노즐(340)은 구동기(310)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 분사 노즐(340)이 처리 용기(100)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 분사 노즐(340)이 처리 용기(100)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 분사 노즐(340)은 약액 공급 장치(미도시)로부터 공급된 약액을 분사한다. 또한, 분사 노즐(340)은 약액 공급 장치(미도시)에서 공급된 약액 외에 다른 약액을 직접 노즐로 공급받아 분사할 수 있다.The spray nozzle 340 is installed on the bottom surface of the end of the nozzle support 330 . The injection nozzle 340 is moved to the process position and the standby position by the driver 310 . The process position is a position in which the injection nozzle 340 is disposed at the vertical upper portion of the processing vessel 100 , and the standby position is a position where the injection nozzle 340 is deviated from the vertical upper portion of the processing vessel 100 . The spray nozzle 340 sprays the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply device (not shown). In addition, the spray nozzle 340 may receive a chemical liquid other than the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply device (not shown) directly to the nozzle and spray it.

처리 용기(100)는 회수통들(112,114,116,118)과 개폐 유닛(130)을 포함한다.The processing container 100 includes collection containers 112 , 114 , 116 , and 118 , and an opening/closing unit 130 .

회수통들(112,114,116,118)들은 처리 용기(100)의 원통 베이스(101) 안쪽에 배치된다. 원통 베이스(101)는 수평 격벽(714)에 고정 설치될 수 있다. The collecting bins 112 , 114 , 116 , and 118 are disposed inside the cylindrical base 101 of the processing vessel 100 . The cylindrical base 101 may be fixedly installed on the horizontal partition wall 714 .

회수통(112,114,116,118)들은 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하기 위해 다단으로 배치된다. 회수통(112,114,116,118)들은 원통 베이스(101)로부터 이격되어 배치되며, 고정통(119)상에 위치된다.The recovery tanks (112, 114, 116, 118) are arranged in multiple stages to introduce and suck the chemical liquid and gas scattered on the rotating substrate. The collection cylinders 112 , 114 , 116 , and 118 are disposed spaced apart from the cylindrical base 101 , and are positioned on the fixed cylinder 119 .

회수통(112,114,116,118)들은 최상단에 위치하는 1단 회수통(112)을 시작으로 아래에 순차적으로 2단 회수통(114), 3단 회수통(116) 그리고 4단 회수통(118)이 배치된다. 4단 회수통(118)은 고정통(119)에 지지된다. The collection bins 112 , 114 , 116 , and 118 are sequentially disposed below, starting with the first-stage collection bin 112 located at the uppermost stage, the second-stage collection container 114 , the third-stage collection container 116 , and the fourth-stage collection container 118 . . The four-stage collection cylinder 118 is supported by the fixed cylinder 119 .

본 실시예에서, 처리 용기는 4단의 회수통을 갖는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않으며, 상기 처리 용기는 2단 또는 5단 이상의 회수통을 포함할 수 있다. In the present embodiment, the processing vessel is illustrated as having four stages of collection bins, but is not limited thereto, and the processing vessel may include two or more stages or five or more stages of collection bins.

각각의 회수통(112,114,116,118)은 공정에 사용된 처리 유체 중 서로 상이한 처리 유체를 회수할 수 있다. Each of the recovery tanks 112 , 114 , 116 , and 118 may recover different processing fluids from among the processing fluids used in the process.

회수통들(112,114,116,118)은 기판 지지부재(311)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 4단 회수통(118)의 내측에는 고정통(119)이 배치된다. 회수통들(112,114,116,118)은 상하 방향으로 이동가능하게 설치된다. The collection tubes 112 , 114 , 116 , and 118 are provided in an annular ring shape surrounding the substrate support member 311 . A fixed cylinder 119 is disposed inside the four-stage collection cylinder 118 . The collection barrels 112, 114, 116, and 118 are installed to be movable in the vertical direction.

4단 회수통(118)과 고정통(119) 사이 공간(118a)은 4단 회수통(118)으로 약액 및 기체가 유입되는 공간으로 4단 회수통 상단의 유입구(118b)와 연결된다. 3단 회수통(116)과 4단 회수통(118) 사이 공간(116a)은 3단 회수통(116)으로 약액 및 기체가 유입되는 공간으로, 3단 회수통 상단의 유입구(116b)와 연결된다. 2단 회수통(114)과 3단 회수통(116) 사이 공간(114a)은 2단 회수통(114)으로 약액 및 기체가 유입되는 공간으로, 2단 회수통 상단의 유입구(114b)와 연결된다. 1단 회수통(112)과 2단 회수통(114) 사이 공간(112a)은 1단 회수통(112)으로 약액 및 기체가 유입되는 공간으로 1단 회수통 상단의 유입구(112b)와 연결된다. The space 118a between the four-stage recovery container 118 and the fixed container 119 is a space through which the chemical and gas are introduced into the four-stage recovery container 118 and is connected to the inlet 118b at the upper end of the four-stage recovery container. The space 116a between the three-stage recovery container 116 and the fourth-stage recovery container 118 is a space through which the chemical and gas flow into the third-stage recovery container 116, and is connected to the inlet 116b at the upper end of the three-stage recovery container. do. The space 114a between the second-stage recovery container 114 and the third-stage recovery container 116 is a space through which the chemical and gas flow into the second-stage recovery container 114, and is connected to the inlet 114b at the upper end of the second-stage recovery container. do. The space 112a between the first-stage recovery container 112 and the second-stage recovery container 114 is a space through which the chemical and gas are introduced into the first-stage recovery container 112 and is connected to the inlet 112b at the upper end of the first-stage recovery container. .

각각의 회수통(112,114,116,118)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(151,152,153,154)이 연결된다. 각각의 회수라인(151,152,153,154)은 각각의 회수통(112,114,116,118)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.Recovery lines 151 , 152 , 153 , and 154 extending vertically downwards are connected to each of the recovery containers 112 , 114 , 116 , and 118 . Each of the recovery lines 151 , 152 , 153 , and 154 discharges the treatment liquid introduced through the respective recovery troughs 112 , 114 , 116 and 118 . The discharged treatment liquid may be reused through an external treatment liquid regeneration system (not shown).

한편, 각각의 회수통(112,114,116,118)은 자성체를 갖는다. 자성체는 외측면에 매장된 형태로 개폐 유닛의 홀딩바에 설치된 전자석들과 각각 대향되게 배치된다. On the other hand, each of the recovery cylinders (112, 114, 116, 118) has a magnetic material. The magnetic material is disposed to face each of the electromagnets installed on the holding bar of the opening/closing unit in the form of being buried in the outer surface.

공정을 진행하기 전에는 회수통(112,114,116,118)들의 입구가 이웃하는 회수통의 입구와 서로 겹쳐져 닫혀진 상태로 제공될 수 있다. Before proceeding with the process, the inlets of the collection bins 112 , 114 , 116 , and 118 may be provided in a closed state overlapping the inlets of the neighboring collection bins.

개폐 유닛(130)은 회수통들(112,114,116,118)중 어느 하나의 회수통 입구를 개폐하기 위해 개폐하고자 하는 회수통을 상하 방향으로 이동시키는 위한 것이다. 개폐 유닛(130)은 처리 용기(100)의 양측에 대칭되게 설치될 수 있다. The opening/closing unit 130 is to vertically move the collection container to be opened and closed in order to open and close the entrance of any one of the collection containers 112 , 114 , 116 , and 118 . The opening/closing unit 130 may be symmetrically installed on both sides of the processing container 100 .

개폐 유닛(130)은 승강 부재(140)와 홀딩바(150) 그리고 제어부(160)를 포함한다.The opening/closing unit 130 includes a lifting member 140 , a holding bar 150 , and a control unit 160 .

승강 부재(140)는 승강 축(144), 그리고 구동기(146)를 포함한다. 구동기(146)는 실린더 장치일 수 있으며, 승강 축(144)은 구동기(146) 내에서 상하로 이동되는 실린더 로드일 수 있다. 본 실시예에서는 실린더 방식의 승강 부재를 일 예로 도시하였으나, 다양한 직선 구동 장치가 적용될 수 있다. The lifting member 140 includes a lifting shaft 144 and a driver 146 . The actuator 146 may be a cylinder device, and the lifting shaft 144 may be a cylinder rod that moves up and down within the actuator 146 . In the present embodiment, the cylinder-type lifting member is illustrated as an example, but various linear driving devices may be applied.

홀딩바(150)는 승강 축(144)에 연결되어 승강 부재(140)에 의해 승강된다. 홀딩바(150)는 회수통(112,114,116,118)들과 원통 베이스(101) 사이 공간에 배치된다. 홀딩바(150)의 내측면은 회수통(112,114,116,118)의 외측면과 거의 맞닿게 제공된다. 홀딩바(150)에는 전자석(152,154,156,158)들이 설치된다. 전자석(152,154,156,158)들은 회수통(112,114,116,118) 각각의 자성체(a1,a2,a3,a4)와 대향되게 배치된다. The holding bar 150 is connected to the lifting shaft 144 and lifted by the lifting member 140 . The holding bar 150 is disposed in a space between the collection cylinders 112 , 114 , 116 , and 118 and the cylindrical base 101 . The inner surface of the holding bar 150 is provided to almost come into contact with the outer surface of the collection barrels 112 , 114 , 116 , and 118 . Electromagnets 152 , 154 , 156 , 158 are installed on the holding bar 150 . Electromagnets 152 , 154 , 156 , and 158 are disposed to face the magnetic bodies a1 , a2 , a3 , and a4 of each of the recovery barrels 112 , 114 , 116 , and 118 .

제어부(160)는 전자석(152,154,156,158)들에 전원을 단속시켜 자력 발생을 제어한다.The control unit 160 controls the generation of magnetic force by intermittent power to the electromagnets 152 , 154 , 156 , and 158 .

개폐 유닛(130)은 전자석(152,154,156,158)들에 선택적으로 전류를 인가하여 원하는 회수통의 입구를 개방할 수 있다. 특히, 개폐 유닛(130)은 하나의 승강 부재(140)를 이용해 1단의 회수통부터 4단의 회수통까지 선택적 승강이 가능하다.The opening/closing unit 130 may selectively apply a current to the electromagnets 152 , 154 , 156 , and 158 to open a desired inlet of the collection container. In particular, the opening/closing unit 130 is capable of selectively lifting and lowering from the first-stage collection bin to the fourth-stage collection bin using one elevating member 140 .

한편, 처리 용기(100)의 다른 일측에 설치된 개폐유닛(130a)은 앞서 언급한 개폐유닛(130)과 일부 차이점을 갖는다. 개폐유닛(130a)은 홀딩바(150)에 배기를 위한 개구(B1,B2,B3,B4)들이 제공된다. Meanwhile, the opening/closing unit 130a installed on the other side of the processing container 100 has some differences from the aforementioned opening/closing unit 130 . The opening/closing unit 130a is provided with openings B1, B2, B3, and B4 for exhaust in the holding bar 150.

이상에서 설명한 바와 같은 구성을 가지는 기판 처리 장치(60)는 회수통(112,114,116,118)들을 다음과 같은 처리 단계에서 사용할 수 있다. The substrate processing apparatus 60 having the configuration as described above may use the collection containers 112 , 114 , 116 , and 118 in the following processing steps.

도 5는 처리 용기의 1단 위치를 보여주는 도면이다. 5 is a view showing the first stage position of the processing vessel.

도 5를 참조하면, 1단 위치는 1단 회수통만 상승시킨 상태로, 개폐 유닛(130)은 1단 회수통(112)과 대향되는 전자석(152)에만 전류를 인가한 후 상승 이동하여 1단 회수통(112)의 입구(112b)를 개방할 수 있다. 공정 처리시, 처리 용기(100) 외부로부터 비산되는 약액 및 기체는 1단 회수통(112)의 입구(112a)를 통해 1단 회수통(112)과 2단 회수통(114) 사이 공간(112a)으로 유입되고, 약액은 1단 회수통(112)에 연결된 회수라인(151)을 통해 배출되며, 기체는 개폐유닛(130a)의 제1개구(B1)을 통해 배기된다.Referring to FIG. 5 , the first stage position is a state in which only the first stage collection container is raised, and the opening/closing unit 130 applies current only to the electromagnet 152 opposite to the first stage collection container 112 and then moves upward to 1 However, the inlet 112b of the recovery container 112 may be opened. During the process treatment, the chemical liquid and gas scattered from the outside of the processing container 100 passes through the inlet 112a of the first-stage recovery container 112 through the space 112a between the first-stage recovery container 112 and the second-stage recovery container 114 . ), the chemical is discharged through the recovery line 151 connected to the first-stage recovery container 112, and the gas is exhausted through the first opening B1 of the opening/closing unit 130a.

도 6은 처리 용기의 2단 위치를 보여주는 도면이다. 6 is a view showing the two-stage position of the processing vessel.

도 6을 참조하면, 2단 위치는 1단 회수통(112)과 2단 회수통(114)이 상승된 상태로, 개폐 유닛(130)은 1단 회수통(112)과 2단 회수통(114) 각각에 대향되는 전자석(152,154)에 전류를 인가한 후 상승 이동하여 2단 회수통(114)의 입구를 개방할 수 있다. 공정 처리시, 처리 용기(100) 외부로부터 비산되는 약액 및 기체는 2단 회수통(114)의 입구(114b)를 통해 2단 회수통(114)과 3단 회수통(116) 사이 공간(114a)으로 유입되고, 약액은 2단 회수통(114)에 연결된 회수라인(152)을 통해 배출되고, 기체는 개폐유닛(130a)의 제2개구(B2)를 통해 배기된다.Referring to FIG. 6 , in the second stage, the first-stage collection container 112 and the second-stage collection container 114 are raised, and the opening/closing unit 130 includes the first-stage collection container 112 and the second-stage collection container ( 114) After applying a current to the electromagnets 152 and 154 opposite to each, the inlet of the two-stage recovery container 114 may be opened by moving upward. During the process treatment, the chemical liquid and gas scattered from the outside of the processing container 100 passes through the inlet 114b of the second-stage recovery container 114 through the space 114a between the second-stage recovery container 114 and the third-stage recovery container 116 . ), the chemical is discharged through the recovery line 152 connected to the two-stage recovery container 114, and the gas is exhausted through the second opening B2 of the opening/closing unit 130a.

도 7은 처리 용기의 3단 위치를 보여주는 도면이다. 7 is a view showing a three-stage position of the processing vessel.

도 7을 참조하면, 3단 위치는 1단 회수통(112), 2단 회수통(114) 그리고 3단 회수통(116)이 상승된 상태로, 개폐 유닛(130)은 1~3단 회수통(112,114,116) 각각에 대향되는 전자석(152,154,156)에 전류를 인가한 후 상승 이동하여 3단 회수통(116)의 입구(116b)를 개방할 수 있다. 공정 처리시, 처리 용기(100) 외부로부터 비산되는 약액 및 기체는 3단 회수통(116)의 입구(116b)를 통해 3단 회수통(116)과 4단 회수통(118) 사이 공간(116a)으로 유입되고, 약액은 3단 회수통(116)에 연결된 회수라인(153)을 통해 배출되고, 기체는 개폐유닛(130a)의 제3개구(B3)를 통해 배기된다.Referring to FIG. 7 , in the third stage position, the first-stage collection container 112 , the second-stage collection container 114 , and the third-stage collection container 116 are raised, and the opening/closing unit 130 collects the first to third stages. After applying a current to the electromagnets 152, 154, and 156 opposite to each of the barrels 112, 114, and 116, the inlet 116b of the three-stage recovery container 116 may be opened by moving upward. During the process treatment, the chemical liquid and gas scattered from the outside of the processing container 100 pass through the inlet 116b of the three-stage recovery container 116 through the space 116a between the third-stage recovery container 116 and the fourth-stage recovery container 118 . ), the chemical is discharged through the recovery line 153 connected to the three-stage recovery container 116 , and the gas is exhausted through the third opening B3 of the opening/closing unit 130a.

도 8은 처리 용기의 4단 위치를 보여주는 도면이다. 8 is a view showing the four-stage position of the processing vessel.

도 7을 참조하면, 4단 위치는 1단 회수통(112), 2단 회수통(114) 3단 회수통(116) 그리고 4단 회수통(118)이 모두 상승된 상태로, 개폐 유닛(130)은 1~4단 회수통(112,114,116,118) 각각에 대향되는 전자석(152,154,156,158)에 전류를 인가한 후 상승 이동하여 4단 회수통(118)의 입구(118b)를 개방할 수 있다. 공정 처리시, 처리 용기(100) 외부로부터 비산되는 약액 및 기체는 4단 회수통(118)의 입구(118b)를 통해 4단 회수통(118)과 고정통(119) 사이 공간(118a)으로 유입되고, 약액은 4단 회수통(118)에 연결된 회수라인(154)을 통해 배출되고, 기체는 개폐유닛(130a)의 제4개구(B3)를 통해 배기된다.Referring to FIG. 7 , the 4th stage is a state in which the 1st stage collection container 112, the 2nd stage collection container 114, the 3rd stage collection container 116, and the 4th stage collection container 118 are all raised, 130) applies a current to the electromagnets 152, 154, 156, 158 opposite to each of the 1st to 4th stage recovery cylinders 112, 114, 116, and 118, and then moves upward to open the inlet 118b of the 4-stage recovery vessel 118. During the process treatment, the chemical and gas scattered from the outside of the processing container 100 are transferred to the space 118a between the four-stage recovery container 118 and the fixed container 119 through the inlet 118b of the fourth-stage recovery container 118 Inflow, the chemical is discharged through the recovery line 154 connected to the four-stage recovery container 118, and the gas is exhausted through the fourth opening B3 of the opening/closing unit 130a.

상기와 같이, 본 발명은 개방된 회수통의 입구를 제외한 나머지 입구는 닫혀진 상태이기 때문에 해당 회수통의 입구로만 약액 및 기체(퓸)가 유입되고, 다른 단으로의 약액 및 기체 유입이 원천적으로 차단될 수 있다.As described above, in the present invention, since the inlets except for the inlet of the open recovery container are closed, the chemical liquid and gas (fume) are introduced only to the inlet of the corresponding recovery container, and the inflow of the chemical liquid and gas to the other stage is fundamentally blocked. can be

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical spirit of the present invention, and various modifications and variations will be possible without departing from the essential characteristics of the present invention by those skilled in the art to which the present invention pertains. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.

1000 기판 처리 시스템
10 인덱스부 20 공정 처리부
30 버퍼부 40 이동 통로
50 메인 이송 로봇 60 기판 처리 장치
100 처리 용기 200 기판 지지부재
300 분사 부재1000 Substrate Processing System
10 Index unit 20 Process processing unit
30 Buffer 40 Moving passage
50 Main transfer robot 60 Substrate processing unit
100 processing vessel 200 substrate support member
300 jetting member

Claims

delete

a processing vessel providing a space therein for cleaning the substrate;
a substrate support member provided in the space and supporting a substrate;
a spraying member selectively spraying a plurality of processing liquids to a substrate placed on the substrate supporting member;
The processing vessel is
collection containers having an inlet through which the processing liquid scattered from the substrate support member is introduced, stacked in a vertical direction, each inlet overlapping with an adjacent inlet to be sealed;
an opening/closing unit for vertically moving a collection container to be opened and closed in order to open and close an inlet of any one of the collection containers;
The opening and closing unit
no lifting; and
and a holding bar up and down by the lifting member and provided with electromagnets at positions opposite to each of the collection bins.

3. The method of claim 2,
The opening and closing unit
The substrate processing apparatus further comprising a control unit for controlling the generation of magnetic force by intermittent power to the electromagnets.

3. The method of claim 2,
The recycling bins are
A substrate processing apparatus including a magnetic material installed at a position corresponding to the electromagnets.

3. The method of claim 2,
The opening and closing unit
A substrate processing apparatus provided symmetrically on both sides of the processing vessel.

6. The method of claim 5,
Any one of the opening and closing units provided symmetrically on both sides of the processing container
and openings through which the gas flowing into each of the recovery bins is exhausted are provided in the holding bar.

4. The method of claim 3,
the control unit
A substrate processing apparatus for applying a current only to an electromagnet opposite to the recovery bin to be opened when the entrance of any one of the collection bins is to be opened.

8. The method of claim 7,
the control unit
A substrate processing apparatus for applying a current to an electromagnet opposite to another recovery canister positioned above the recovery container to be opened.

collection bins having an inlet through which the processing liquid scattered from the substrate support member is introduced, stacked in a vertical direction, each inlet overlapping with an adjacent inlet to be sealed; and
an opening/closing unit for vertically moving a collection container to be opened in order to open an inlet of one of the collection containers;
In the collection containers, only the inlet of one collection container selected by the opening/closing unit is opened and the inlets of the other collection containers are closed
The opening and closing unit
no lifting; and
and a holding bar up and down by the elevating member and provided with electromagnets at positions opposite to each of the collection bins.

delete

10. The method of claim 9,
Each of the collection bins includes a magnetic material installed in a position corresponding to the electromagnets and buried in the outer surface,
The opening and closing unit
The processing container further comprising a control unit for controlling generation of magnetic force by selectively applying a current to the electromagnets.

12. The method of claim 11,
the control unit
A processing container in which current is applied to an electromagnet opposite to the recovery canister to be opened and an electromagnet opposite to another recovery canister located above the to-be-opened collection container when the entrance of any one of the recovery canisters is to be opened. .