KR101964656B1

KR101964656B1 - Apparatus for Processing Substrate

Info

Publication number: KR101964656B1
Application number: KR1020120048703A
Authority: KR
Inventors: 박선용; 오세훈
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2012-05-08
Filing date: 2012-05-08
Publication date: 2019-08-07
Also published as: KR20130125165A

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 내부 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버의 내부 공간에 설치되고, 내부에 기판을 세정하는 공간을 제공하는 처리 용기; 상기 처리 용기의 공간 내에 제공되고, 기판을 지지하는 기판 지지 부재; 및 상기 처리 용기를 제외한 상기 챔버의 내부 공간을 상부 영역과 하부 영역으로 구획하는 수평 격벽; 및 상기 수평 격벽의 상면으로부터 이격되게 설치되고, 상기 처리 용기 주변의 기류 배기가 이루어지도록 기공들이 형성된 타공 플레이트를 포함한다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, comprising: a chamber having an inner space; A processing container installed in the inner space of the chamber and providing a space for cleaning the substrate therein; A substrate support member provided in a space of the processing container and supporting a substrate; And a horizontal partition wall partitioning an inner space of the chamber except the processing container into an upper region and a lower region. And a perforated plate spaced apart from an upper surface of the horizontal partition wall and formed with pores so that air flow is exhausted around the processing container.

Description

Substrate Processing Apparatus {Apparatus for Processing Substrate}

본 발명은 반도체 소자 제조에 사용되는 웨이퍼 또는 평판 표시 소자 제조에 사용되는 유리 기판 등과 같은 기판에 대해 세정 또는 건조 등과 같은 공정을 수행하는 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for performing a process such as cleaning or drying on a substrate such as a wafer used for manufacturing a semiconductor device or a glass substrate used for manufacturing a flat panel display.

반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 기판 세정 공정은 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 실시되고 있다.As semiconductor devices become dense, highly integrated, and high-performance, microcirculation of circuit patterns proceeds rapidly, and contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the substrate surface have a great influence on device characteristics and production yield. do. For this reason, the cleaning process for removing various contaminants adhering to the substrate surface is very important in the semiconductor manufacturing process, and the substrate cleaning process is performed at the front and rear stages of each unit process for manufacturing the semiconductor.

약액을 이용하여 기판을 처리하는 장치에서는 약액으로부터 퓸(fume)이 발생된다. 이러한 퓸(fume)은 기판 처리 장치의 주변에 존재하면서 오염 물질의 소스가 된다. In an apparatus for treating a substrate using a chemical liquid, fume is generated from the chemical liquid. This fume is present in the vicinity of the substrate processing apparatus and becomes a source of contaminants.

특히, 종래 기판 처리 장치는 처리 용기의 주변의 환경 배기가 원활하지 않아서 처리 용기 주변에 존재하는 환경 파티클들 및 퓸이 처리 용기 내부 및 기판을 역오염시킬 수 있는 취약한 구조로 되어 있다. In particular, the conventional substrate processing apparatus has a fragile structure in which environmental exhaust of the surroundings of the processing container is not smooth, so that environmental particles and fumes present around the processing container can contaminate the inside of the processing container and the substrate.

본 발명의 실시예들은 처리 용기의 주변 오염을 해소할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention seek to provide a substrate processing apparatus capable of eliminating peripheral contamination of a processing container.

또한, 본 발명은 처리 용기 주변의 배기 흐름이 원활한 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.In addition, the present invention is to provide a substrate processing apparatus having a smooth exhaust flow around the processing vessel.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 내부 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버의 내부 공간에 설치되고, 내부에 기판을 세정하는 공간을 제공하는 처리 용기; 상기 처리 용기의 공간 내에 제공되고, 기판을 지지하는 기판 지지 부재; 및 상기 처리 용기를 제외한 상기 챔버의 내부 공간을 상부 영역과 하부 영역으로 구획하는 그리고 기류 배기가 이루어지도록 기공들이 형성된 수평 격벽을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the invention, the chamber having an internal space; A processing container installed in the inner space of the chamber and providing a space for cleaning the substrate therein; A substrate support member provided in a space of the processing container and supporting a substrate; And a horizontal partition wall partitioning the inner space of the chamber except the processing container into an upper region and a lower region and having pores formed therein to allow airflow to be provided.

일 예에 의하면, 상기 수평 격벽 아래에 제공되는 제1배기 덕트를 더 포함할 수 있다.According to one example, it may further include a first exhaust duct provided under the horizontal partition wall.

일 예에 의하면, 상기 처리 용기 및 상기 타공 플레이트를 세정하기 위해 상기 챔버의 내측면에 설치되는 세정 노즐들을 더 포함할 수 있다.According to an example, the cleaning apparatus may further include cleaning nozzles installed on an inner side surface of the chamber to clean the processing container and the perforated plate.

일 예에 의하면, 상기 수평 격벽은 적어도 하나 이상의 배기홀을 포함할 수 있다. According to an example, the horizontal partition wall may include at least one exhaust hole.

본 발명에 의하면, 처리 용기 주변의 배기 흐름이 원활해지기 때문에 챔버 내의 청정도를 향상시킬 수 있고, 처리 용기 및 기판의 역오염을 최소화할 수 있다.According to the present invention, since the exhaust flow around the processing container becomes smooth, the cleanliness in the chamber can be improved, and the back contamination of the processing container and the substrate can be minimized.

도 1은 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 부분 단면 사시도이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing system.
2 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.
3 is a cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.
4 is a partial cross-sectional perspective view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the components in the drawings, etc. are exaggerated in order to emphasize more clear description.

도 1은 본 발명의 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing system of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)가 배열된 방향을 제 1 방향(1)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향(1)의 수직인 방향을 제 2 방향(2)이라 하며, 제 1 방향(1)과 제 2 방향(2)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향(3)이라 정의한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing system 1000 of the present invention may include an index unit 10 and a process processing unit 20. The index unit 10 and the process processing unit 20 are arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index unit 10 and the processing unit 20 are arranged is referred to as a first direction 1, and when viewed from the top, a direction perpendicular to the first direction 1 is referred to as a second direction 2. The direction perpendicular to the plane including the first direction 1 and the second direction 2 is defined as a third direction 3.

인덱스부(10)는 기판 처리 시스템(1000)의 제 1 방향(1)의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 로드 포트(12) 및 이송 프레임(14)을 포함한다.The index unit 10 is disposed in front of the first direction 1 of the substrate processing system 1000. The index unit 10 includes a load port 12 and a transfer frame 14.

로드 포트(12)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(11)가 안착된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향(2)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 장치(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(11)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. 캐리어(11)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다.The carrier 11 in which the substrate W is accommodated is mounted in the load port 12. A plurality of load ports 12 are provided, which are arranged in a line along the second direction 2. The number of load ports 12 may increase or decrease depending on the process efficiency of the substrate processing apparatus 1000, the footprint conditions, and the like. As the carrier 11, a front opening unified pod (FOUP) may be used. The carrier 11 is formed with a plurality of slots for accommodating the substrates in a state in which the substrates are arranged horizontally with respect to the ground.

이송 프레임(14)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 이송 프레임(14)은 로드 포트(12)와 공정 처리부(20)의 버퍼부(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(14)은 인덱스 레일(15) 및 인덱스 로봇(17)을 포함한다. 인덱스 레일(15) 상에 인덱스 로봇(17)이 안착된다. 인덱스 로봇(17)은 버퍼부(30)와 캐리어(11)간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 로봇(17)은 인덱스 레일(210)을 따라 제 2 방향으로 직선 이동하거나, 제 3 방향(3)을 축으로 하여 회전한다.The conveying frame 14 is arranged in the first direction adjacent to the load port 12. The transfer frame 14 is disposed between the load port 12 and the buffer portion 30 of the process processing portion 20. The transport frame 14 includes an index rail 15 and an index robot 17. The index robot 17 is seated on the index rail 15. The index robot 17 transfers the substrate W between the buffer unit 30 and the carrier 11. The index robot 17 linearly moves in the second direction along the index rail 210 or rotates around the third direction 3 as an axis.

공정 처리부(20)는 인덱스부(10)에 이웃하여 제 1 방향(1)을 따라 기판 처리 시스템(1000)의 후방에 배치된다. 공정 처리부(20)은 버퍼부(30), 이동 통로(40), 메인 이송 로봇(50) 그리고 기판 처리 장치(60)를 포함한다.The process processor 20 is disposed at the rear of the substrate processing system 1000 along the first direction 1 adjacent to the index unit 10. The process processor 20 includes a buffer unit 30, a movement passage 40, a main transfer robot 50, and a substrate processing apparatus 60.

버퍼부(30)는 제 1 방향(1)을 따라 공정 처리부(20)의 전방에 배치된다. 버퍼부(30)는 기판 처리 장치(60)와 캐리어(11) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다. 버퍼부(30)는 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제 3 방향(3)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다.The buffer part 30 is disposed in front of the process processor 20 along the first direction 1. The buffer part 30 is a place where the board | substrate W is temporarily accommodated and waits before the board | substrate W is conveyed between the substrate processing apparatus 60 and the carrier 11. The buffer unit 30 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other along the third direction 3.

이동 통로(40)는 버퍼부(30)와 대응되게 배치된다. 이동 통로(40)는 그 길이방향이 제 1 방향(1)에 따라 나란하게 배치된다. 이동 통로(40)은 메인 이송 로봇(50)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 기판 처리 장치(60)들이 서로 마주보며 제 1 방향(1)을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(50)이 제 1 방향(1)을 따라 이동하며, 기판 처리 장치(60)의 상하층, 그리고 버퍼부(30)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다. The movement passage 40 is disposed to correspond to the buffer part 30. The moving passages 40 are arranged side by side in the longitudinal direction along the first direction 1. The movement passage 40 provides a passage through which the main transfer robot 50 moves. The substrate processing apparatuses 60 face each other and are disposed along the first direction 1 on both sides of the movement passage 40. In the movement passage 40, the main transfer robot 50 moves along the first direction 1 and moves up and down the upper and lower layers of the substrate processing apparatus 60 and the upper and lower layers of the buffer unit 30. This is installed.

메인 이송 로봇(50)은 이동 통로(40)에 설치되며, 기판 처리 장치(60) 및 버퍼부(30) 간에 또는 각 기판 처리 장치(60) 간에 기판(W)을 이송한다. 메인 이송 로봇(50)은 이동 통로(400)을 따라 제 2 방향(2)으로 직선 이동하거나, 제 3 방향(3)을 축으로 하여 회전한다. The main transfer robot 50 is installed in the movement passage 40, and transfers the substrate W between the substrate processing apparatus 60 and the buffer unit 30 or between each substrate processing apparatus 60. The main transfer robot 50 linearly moves in the second direction 2 along the movement passage 400 or rotates about the third direction 3 as an axis.

기판 처리 장치(60)는 복수개 제공되며, 제 2 방향(2)을 따라 이동 통로(30)을 중심으로 양측에 배치된다. 기판 처리 장치(60)들 중 일부는 이동 통로(30)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 기판 처리 장치(60)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이동 통로(30)의 일측에는 기판 처리 장치(60)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제 1 방향(1)을 따라 일렬로 제공된 기판 처리 장치(60)의 수이고, B는 제 2 방향(2)을 따라 일렬로 제공된 기판 처리 장치(60)의 수이다. 이동 통로(30)의 일측에 기판 처리 장치(60)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 기판 처리 장치(60)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 기판 처리 장치(60)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 기판 처리 장치(60)는 이동 통로(30)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 기판 처리 장치(60)는 이동 통로(30)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다. The substrate processing apparatus 60 is provided in plural, and is disposed on both sides of the moving passage 30 along the second direction 2. Some of the substrate processing apparatuses 60 are disposed along the longitudinal direction of the movement passage 30. In addition, some of the substrate processing apparatuses 60 are arranged to be stacked on each other. That is, the substrate processing apparatuses 60 may be arranged in an array of A X B on one side of the movement passage 30. Where A is the number of substrate processing apparatuses 60 provided in a line along the first direction 1, and B is the number of substrate processing apparatuses 60 provided in a line along the second direction 2. When four or six substrate processing apparatuses 60 are provided on one side of the movement passage 30, the substrate processing apparatuses 60 may be arranged in an array of 2 × 2 or 3 × 2. The number of substrate processing apparatus 60 may increase or decrease. Unlike the above, the substrate processing apparatus 60 may be provided only on one side of the movement passage 30. In addition, unlike the above, the substrate processing apparatus 60 may be provided as a single layer on one side and both sides of the movement passage 30.

기판 처리 장치(60)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(60)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 기판 처리 장치(60)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 기판 처리 장치(60)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 기판 처리 장치(60)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 기판 처리 장치(60)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. 예컨대, 기판 처리 장치(60)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송 챔버(240)의 일측에는 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공되고, 이송 챔버(240)의 타측에는 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송 챔버(240)의 양측에서 하층에는 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공되고, 상층에는 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공될 수 있다. 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)와 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. 이와 달리, 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)와 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. The substrate processing apparatus 60 may perform a cleaning process on the substrate W. FIG. The substrate processing apparatus 60 may have a different structure according to the type of cleaning process to be performed. Alternatively, each substrate processing apparatus 60 may have the same structure. Optionally, the substrate processing apparatuses 60 are divided into a plurality of groups so that the substrate processing apparatuses 60 belonging to the same group are identical to each other, and the structures of the substrate processing apparatuses 60 belonging to different groups may be differently provided. Can be. For example, when the substrate processing apparatus 60 is divided into two groups, a first group of substrate processing apparatuses 60 are provided on one side of the transfer chamber 240, and a second group is provided on the other side of the transfer chamber 240. Substrate processing apparatuses 60 may be provided. Optionally, a first group of substrate processing apparatuses 60 may be provided in the lower layer and two groups of the substrate processing apparatuses 60 in the upper layer, on both sides of the transfer chamber 240. The substrate processing apparatus 60 of the first group and the substrate processing apparatus 60 of the second group may be classified according to the type of chemicals used or the type of cleaning method. Alternatively, the first group of substrate processing apparatus 60 and the second group of substrate processing apparatus 60 may be provided to sequentially perform the process on one substrate (W).

도 2 및 도 3은 기판 처리 장치를 나타낸 평면도 및 단면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 부분 단면 사시도이다. 2 and 3 are plan views and cross-sectional views showing the substrate processing apparatus, and FIG. 4 is a partial cross-sectional perspective view showing the configuration of the substrate processing apparatus according to the present invention.

아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다.In the following example, an apparatus for cleaning a substrate using processing fluids such as high temperature sulfuric acid, alkaline chemical liquid (including ozone water), acidic chemical liquid, rinse liquid, and dry gas (gas containing IPA) will be described as an example. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto, and the present invention may be applied to all kinds of apparatuses that perform a process while rotating a substrate such as an etching process.

또한, 본 실시예에서는 기판 처리 장치(60)가 처리하는 기판으로 반도체 기판을 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.In addition, although the semiconductor substrate is illustrated and described as an example of the substrate processed by the substrate processing apparatus 60 in the present embodiment, the present invention is not limited thereto and may be applied to various kinds of substrates such as glass substrates.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(60)는 공정 챔버(700), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 분사 부재(300), 제1배기부재(740), 제2배기 부재(400) 및 세정 노즐(750)들을 포함한다.2 to 4, the substrate processing apparatus 60 may include a process chamber 700, a processing container 100, a substrate supporting member 200, an injection member 300, a first exhaust member 740, and a first processing member. The exhaust member 400 and the cleaning nozzles 750.

공정 챔버(700)는 밀폐된 공간을 제공하며. 상부에는 팬 필터 유닛(710)이 설치된다. 팬 필터 유닛(710)은 공정 챔버(700) 내부에 수직 기류를 발생시킨다.The process chamber 700 provides a closed space. The fan filter unit 710 is installed at the top. The fan filter unit 710 generates vertical airflow inside the process chamber 700.

팬 필터 유닛(710)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 공정 챔버(700) 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(710)을 통과하여 공정 챔버(700) 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 퓸(Fume)등 오염기체는 공기와 함께 처리 용기(100)의 회수 용기들을 통해 배기부재(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 청정도를 유지하게 된다.The fan filter unit 710 is a unit in which the filter and the air supply fan are modularized into one unit, and filter the clean air to supply the inside of the process chamber 700. The clean air passes through the fan filter unit 710 and is supplied into the process chamber 700 to form vertical airflow. The vertical airflow of the air provides a uniform airflow over the substrate, and contaminants such as fumes generated during the process of treating the substrate surface by the processing fluid together with air collect the recovery vessels of the processing vessel 100. By being discharged to and removed from the exhaust member 400, cleanliness of the inside of the processing container is maintained.

도 2에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(700)는 수평 격벽(714)에 의해 상부 영역(716)과 하부 영역(718)으로 구획된다. 공정 챔버(700)에는 처리 용기 주변의 기류 흐름이 원활하게 이루어지도록 타공 플레이트(720)가 설치된다. 타공 플레이트(720)는 수평 격벽(714)의 상면으로부터 소정거리 이격되어 제공된다. 타공 플레이트(720)는 상부 영역(716)의 기류 배기가 원활하게 이루어지도록 다수의 기공(722)들을 갖는다. 기공(722)들의 크기는 처리 용기(100)와의 거리 및 배기 효율에 따라 다르게 제공될 수 있다. As shown in FIG. 2, the process chamber 700 is partitioned into an upper region 716 and a lower region 718 by a horizontal partition 714. The perforation plate 720 is installed in the process chamber 700 so as to smoothly flow the air around the processing container. The perforated plate 720 is spaced apart from the upper surface of the horizontal partition wall 714 by a predetermined distance. The perforated plate 720 has a plurality of pores 722 to facilitate the airflow of the upper region 716. The size of the pores 722 may be provided differently depending on the distance to the processing container 100 and the exhaust efficiency.

수평 격벽(714) 아래에는 제1배기덕트(730)가 설치된다. 수평 격벽(714)은 배기홀(715)들을 갖는다. 처리 용기(100) 주변의 기류는 기공(722)들을 통해 타공 플레이트(720)와 수평 격벽(714) 사이의 공간으로 유입된 후 배기홀(715)들을 통해 제1배기덕트(730)로 빠져나간다. 제1배기덕트(730)는 제1배기 부재(740)와 연결된다. 제1배기 부재(740)는 타공 플레이트(720)와 수평 격벽(714) 사이의 공간으로 배기압력을 제공하기 위한 것이다. 제1배기 부재(740)는 제1배기덕트(730)와 연결되는 배기 라인(742)을 포함한다. 도시하지 않았지만, 배기라인(742)에는 댐퍼가 설치될 수 있다. 배기라인(742)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받는다. The first exhaust duct 730 is installed below the horizontal partition wall 714. The horizontal partition wall 714 has exhaust holes 715. The airflow around the processing vessel 100 enters the space between the perforated plate 720 and the horizontal partition wall 714 through the pores 722 and then exits through the exhaust holes 715 to the first exhaust duct 730. . The first exhaust duct 730 is connected to the first exhaust member 740. The first exhaust member 740 is for providing the exhaust pressure to the space between the perforated plate 720 and the horizontal partition wall 714. The first exhaust member 740 includes an exhaust line 742 connected to the first exhaust duct 730. Although not shown, a damper may be installed in the exhaust line 742. Exhaust line 742 receives exhaust pressure from an exhaust pump (not shown).

팬 필터 유닛(710)을 통해 공정 챔버(700)의 상부 영역(716)으로 제공되는 수직기류는 타공 플레이트(720)에 형성된 기공(722)들을 통해 타공 플레이트(720)와 수평 격벽(714) 사이의 공간으로 유입되고, 그 기류는 배기홀(715)들을 통해 제1배기 덕트(730)로 흘러 배기라인(742)을 따라 외부로 배기된다. 제1배기 덕트(730)의 바닥면에는 기액을 회수할 수 있는 드레인 라인(732)이 제공된다. Vertical airflow provided to the upper region 716 of the process chamber 700 through the fan filter unit 710 is formed between the perforated plate 720 and the horizontal partition wall 714 through the pores 722 formed in the perforated plate 720. Flows into the space, and the air flows through the exhaust holes 715 to the first exhaust duct 730 and is exhausted to the outside along the exhaust line 742. The bottom surface of the first exhaust duct 730 is provided with a drain line 732 to recover the gas liquid.

공정 챔버(700)의 측벽에는 세정 노즐(750)들이 설치된다. 세정 노즐(750)들은 처리 용기(100) 외부면과 타공 플레이트(720)를 세정하기 위해 제공된다. 세정 노즐(750)들은 일정한 주기로 처리 용기(100) 외부면과 타공 플레이트(720)에 세정액과 건조 가스를 순차적으로 분사한다. 세정 노즐(750)로부터 분사된 세정액은 제1배기 덕트(730)로 흘러가서 제1배기덕트(730)의 바닥면에 형성된 드레인 라인(732)을 통해 외부로 배출된다. Cleaning nozzles 750 are installed on the sidewall of the process chamber 700. The cleaning nozzles 750 are provided for cleaning the outer surface of the processing container 100 and the perforated plate 720. The cleaning nozzles 750 sequentially spray the cleaning liquid and the drying gas on the outer surface of the processing container 100 and the perforated plate 720 at regular intervals. The cleaning liquid injected from the cleaning nozzle 750 flows into the first exhaust duct 730 and is discharged to the outside through the drain line 732 formed on the bottom surface of the first exhaust duct 730.

상술한 바와 같이, 본 발명은 처리 용기(100) 주변에 존재하는 환경 파티클 및 퓸을 타공 플레이트(720) 통해 아래로 배기시켜 공정 진행시 기판의 역오염을 차단할 수 있다. 또한, 본 발명은 공정 진행으로 인한 처리 용기(100) 주변 오염을 세정 노즐(750)들을 통해 세정함으로써 공정 챔버(700) 내부의 청정도를 유지시킬 수 있다.As described above, the present invention exhausts environmental particles and fumes present around the processing container 100 through the perforated plate 720 to block reverse contamination of the substrate during the process. In addition, the present invention may maintain the cleanliness of the process chamber 700 by cleaning the contamination around the processing container 100 due to the process proceeds through the cleaning nozzles 750.

처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 처리 용기(100)는 공정 공간 아래에 제2배기부재(400)와 연결되는 제2배기덕트(190)가 제공된다. 제2배기덕트(190)는 바닥면에 드레인 라인(192)이 제공된다.The processing container 100 has a cylindrical shape with an open upper portion, and provides a process space for processing the substrate w. An open upper surface of the processing container 100 serves as a carrying-out and carrying-in passage of the substrate w. The substrate support member 200 is positioned in the process space. The processing container 100 is provided with a second exhaust duct 190 connected to the second exhaust member 400 under the process space. The second exhaust duct 190 is provided with a drain line 192 on the bottom surface.

제2배기 부재(400)는 기판 처리 공정시 처리 용기(100) 내에 배기압력을 제공하기 위한 것이다. 제2배기부재(400)는 제2배기덕트(190)와 연결되는 서브 배기 라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브 배기 라인(410)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기 라인과 연결된다.The second exhaust member 400 is for providing an exhaust pressure in the processing container 100 during the substrate processing process. The second exhaust member 400 includes a sub exhaust line 410 and a damper 420 connected to the second exhaust duct 190. The sub exhaust line 410 receives the exhaust pressure from an exhaust pump (not shown) and is connected to the main exhaust line embedded in the bottom space of the semiconductor production line.

기판 지지부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판을 회전시킨다. 기판 지지부재(200)는 스핀 헤드(210), 지지축(220), 회전 구동부(230)을 포함한다. 스핀 헤드는 지지핀(212), 척핀(214)을 포함한다. 스핀 헤드(210)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 스핀 헤드(210)의 저면에는 회전 구동부(230)에 의해 회전가능한 지지축(220)이 고정결합된다. The substrate support member 200 supports the substrate W and rotates the substrate during the process. The substrate support member 200 includes a spin head 210, a support shaft 220, and a rotation driver 230. The spin head includes a support pin 212 and a chuck pin 214. Spin head 210 has a top surface that is provided generally circular when viewed from the top. A support shaft 220 rotatable by the rotation driver 230 is fixedly coupled to the bottom of the spin head 210.

지지핀(212)은 복수 개 제공된다. 지지핀(212)은 스핀 헤드(210)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 스핀 헤드(210)에서 제 3 방향(3)으로 돌출된다. 지지핀(212)은 스핀 헤드(210)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(214)은 복수 개 제공되며, 지지핀(214)의 외측에 배치되며, 지지판(214)에서 제 3 방향(3)으로 돌출되도록 구비된다. 척핀(214)은 기판 지지부재(200)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다.A plurality of support pins 212 is provided. The support pins 212 are spaced apart at predetermined intervals from the edge of the upper surface of the spin head 210 and protrude from the spin head 210 in the third direction 3. The support pin 212 supports the rear edge of the substrate W so that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the spin head 210 by a predetermined distance. A plurality of chuck pins 214 are provided and disposed outside the support pins 214 and protrude from the support plate 214 in the third direction 3. The chuck pin 214 supports the side of the substrate W so that the substrate W does not deviate laterally from its position when the substrate support member 200 is rotated.

분사 부재(300)는 기판 처리 공정시 약액을 공급받아 기판 지지부재(200)의 스핀헤드(210)에 놓인 기판의 처리면으로 약액을 분사한다. 분사 부재(300)는 지지축(320), 구동기(310), 노즐 지지대(330) 그리고 분사 노즐(340)을 포함한다. The injection member 300 receives the chemical liquid during the substrate processing process and injects the chemical liquid to the processing surface of the substrate placed on the spin head 210 of the substrate support member 200. The injection member 300 includes a support shaft 320, a driver 310, a nozzle support 330, and an injection nozzle 340.

지지축(320)은 그 길이 방향이 제 3 방향(3)으로 제공되며, 지지축(320)의 하단은 구동기(310)와 결합된다. 구동기(310)는 지지축(320)을 회전 및 직선 운동시킨다. 노즐 지지대(330)는 지지축(320)에 결합되어 분사 노즐(340)을 기판 상부로 이동시키거나, 기판 상부에서 분사 노즐(340)이 약액을 분사하면서 이동되도록 한다. The support shaft 320 is provided in a length direction of the third direction 3, and a lower end of the support shaft 320 is coupled to the driver 310. The driver 310 rotates and linearly moves the support shaft 320. The nozzle support 330 is coupled to the support shaft 320 to move the spray nozzle 340 to the upper portion of the substrate or to move the spray nozzle 340 while spraying the chemical liquid from the upper portion of the substrate.

분사 노즐(340)은 노즐 지지대(330)의 끝단 저면에 설치된다. 분사 노즐(340)은 구동기(310)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 분사 노즐(340)이 처리 용기(100)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 분사 노즐(340)이 처리 용기(100)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 분사 노즐(340)은 약액 공급 장치(미도시)로부터 공급된 약액을 분사한다. 또한, 분사 노즐(340)은 약액 공급 장치(미도시)에서 공급된 약액 외에 다른 약액을 직접 노즐로 공급받아 분사할 수 있다.The spray nozzle 340 is installed at the bottom end of the nozzle support 330. The spray nozzle 340 is moved by the driver 310 to a process position and a standby position. The process position is the position where the spray nozzle 340 is disposed on the vertical top of the processing vessel 100, and the standby position is the position where the spray nozzle 340 deviates from the vertical top of the processing vessel 100. The spray nozzle 340 injects a chemical liquid supplied from a chemical liquid supply device (not shown). In addition, the injection nozzle 340 may be sprayed by receiving another chemical liquid directly to the nozzle in addition to the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply device (not shown).

처리 용기(100)는 회수통들(121,122,123)과 제1승강 부재(130)를 포함한다.The processing container 100 includes recovery containers 121, 122, and 123 and a first elevating member 130.

회수통(121,122,123)들은 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하기 위해 다단으로 배치된다. 각각의 회수통(121,122,123)은 공정에 사용된 처리 유체 중 서로 상이한 처리 유체를 회수할 수 있다. Recovery containers 121, 122, and 123 are arranged in multiple stages to introduce and inhale chemicals and gases scattered on the rotating substrate. Each recovery container 121, 122, and 123 may recover different processing fluids from the processing fluids used in the process.

제3고정 회수통(123)은 기판 지지부재(311)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 제2고정 회수통(122)은 제3고정 회수통(123)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 제1고정 회수통(121)은 제2고정 회수통(122)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제3고정 회수통(123)의 내측 공간(123a)은 제3고정 회수통(123)으로 약액과 기체가 유입되는 유입구로서 제공된다. 제3고정 회수통(123)과 제2고정 회수통(122)의 사이 공간(122a)은 제2고정 회수통(122)으로 약액과 기체가 유입되는 유입구로서 제공된다. 그리고, 제2고정 회수통(122)과 제1고정 회수통(121)의 사이 공간은 제1고정 회수통(121)으로 약액과 기체가 유입되는 유입구로서 제공된다. The third fixed recovery container 123 is provided in an annular ring shape surrounding the substrate support member 311, and the second fixed recovery container 122 is provided in an annular ring shape surrounding the third fixed recovery container 123. The first fixed recovery container 121 is provided in an annular ring shape surrounding the second fixed recovery container 122. The inner space 123a of the third fixed recovery container 123 is provided as an inlet through which the chemical liquid and the gas flow into the third fixed recovery container 123. The space 122a between the third fixed recovery container 123 and the second fixed recovery container 122 is provided as an inlet through which the chemical liquid and the gas flow into the second fixed recovery container 122. The space between the second fixed recovery container 122 and the first fixed recovery container 121 is provided as an inlet through which the chemical liquid and the gas flow into the first fixed recovery container 121.

본 실시예에서, 처리 용기는 3개의 고정 회수통을 갖는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않으며, 상기 처리 용기는 2개의 고정 회수통 또는 3개 이상의 고정 회수통을 포함할 수 있다. In this embodiment, the processing container is shown as having three fixed recovery container, but is not limited thereto, and the processing container may include two fixed recovery container or three or more fixed recovery container.

각각의 회수통(121,122,123)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(151,152,153)이 연결된다. 각각의 회수라인(151,152,153)은 각각의 회수통(121,122,123)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.Each recovery container 121, 122, 123 is connected to the recovery line (151, 152, 153) extending vertically below the bottom. Each recovery line 151, 152, 153 discharges the treatment liquid introduced through the respective recovery containers 121, 122, 123. The discharged treatment liquid may be reused through an external treatment liquid regeneration system (not shown).

제1승강 부재(130)는 회수통들 전체를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 회수통들이 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(200)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. 제1승강 부재(130)는 제1브라켓(132), 제1이동 축(134), 그리고 제1구동기(136)를 포함한다. 제1브라켓(132)은 처리 용기(100)의 외벽(102)(프레임)에 고정설치된다. 외벽(102)은 처리 용기(100)의 원통 베이스(101) 내측에 상하 방향으로 이동가능하게 설치된다. 외벽(102)에는 고정 회수통(121,122,123)들이 고정 설치된다. 제1브라켓(132)에는 제1구동기(136)에 의해 상하 방향으로 이동되는 제1이동 축(134)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(200)에 놓이거나, 스핀 헤드(200)로부터 들어 올려질 때 스핀 헤드(200)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 회수통들은 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 약액의 종류에 따라 약액이 기설정된 회수 용기로 유입될 수 있도록 회수통들의 높이가 조절한다. 제1구동기는 실린더 장치일 수 있으며, 제1이동축은 제1구동기 내에서 상하로 이동되는 실린더 로드일 수 있다. The first elevating member 130 linearly moves the entire collection container in the vertical direction. As the bins are moved up and down, the relative height of the processing vessel 100 relative to the spin head 200 is changed. The first lifting member 130 includes a first bracket 132, a first moving shaft 134, and a first driver 136. The first bracket 132 is fixedly installed on the outer wall 102 (frame) of the processing container 100. The outer wall 102 is provided to be movable up and down inside the cylindrical base 101 of the processing container 100. Fixed recovery containers 121, 122, and 123 are fixed to the outer wall 102. The first bracket 132 is fixedly coupled to the first moving shaft 134 moved in the vertical direction by the first driver 136. When the substrate W is placed on the spin head 200 or lifted from the spin head 200, the recovery containers are lowered so that the spin head 200 protrudes above the processing container 100. In addition, when the process is in progress, the height of the recovery containers is adjusted so that the chemical liquid may be introduced into the predetermined recovery container according to the type of the chemical liquid supplied to the substrate W. The first driver may be a cylinder device, and the first moving shaft may be a cylinder rod that is moved up and down within the first driver.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications and changes without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

1000 기판 처리 시스템
10 인덱스부 20 공정 처리부
30 버퍼부 40 이동 통로
50 메인 이송 로봇 60 기판 처리 장치
100 처리 용기 200 기판 지지부재
300 분사 부재1000 substrate processing system
10 Index section 20 Process section
30 Buffer section 40 Traveling passage
50 main transfer robot 60 substrate processing unit
100 Process Vessel 200 Substrate Support Member
300 spraying member

Claims

A chamber having an interior space;
A processing container installed in the inner space of the chamber and providing a space for cleaning the substrate therein;
A substrate support member provided in a space of the processing container and supporting a substrate;
A horizontal partition wall partitioning the inner space of the chamber excluding the processing container into an upper region and a lower region and having pores formed therein to allow airflow to be exhausted;
A perforated plate spaced apart from an upper surface of the horizontal partition wall and formed with pores to allow air flow to be exhausted around the processing container; And
And cleaning nozzles provided on an inner wall of the chamber for cleaning the outer surface of the processing container and the perforated plate.

delete

The method of claim 1,
And a first exhaust duct provided under the horizontal partition wall.

The method of claim 3, wherein
And a first exhaust member connected to the first exhaust duct to provide exhaust pressure to a space between the perforated plate and the horizontal partition wall.

delete

The method of claim 1,
The cleaning nozzles
A substrate processing apparatus for sequentially spraying a cleaning liquid and a dry gas.

The method of claim 1,
And the horizontal partition wall includes at least one exhaust hole.