KR100895862B1 - Substrate processing apparatus and method of cleaning for the same - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치는 처리 용기 내에 배치되어 처리 용기의 내벽을 세정하는 세정 노즐을 구비한다. 세정 노즐은 회전력을 이용하여 세정액을 처리 용기의 내벽에 분사한다. 이에 따라, 기판 처리 장치는 처리 용기의 세정 시간을 단축시키고, 세정 효율과 생산성 및 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.The substrate processing apparatus includes a cleaning nozzle disposed in the processing container to clean the inner wall of the processing container. The cleaning nozzle sprays the cleaning liquid onto the inner wall of the processing container using the rotational force. Thereby, the substrate processing apparatus can shorten the cleaning time of a processing container, and can improve cleaning efficiency, productivity, and product yield.

Description

기판 처리 장치 및 그 세정 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF CLEANING FOR THE SAME}Substrate processing apparatus and its cleaning method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF CLEANING FOR THE SAME}

본 발명은 반도체 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 처리액을 이용하여 반도체 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 그 세정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a semiconductor substrate, and more particularly, to a substrate processing apparatus for processing a semiconductor substrate using a processing liquid and a cleaning method thereof.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 증착, 포토, 식각, 연마 등과 같은 다양한 공정들이 요구된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as deposition, photo, etching, and polishing are required.

일반적으로, 반도체 공정은 소정의 용기 안에서 이루어지며, 웨이퍼는 용기 안에 배치되어 처리액 또는 처리 가스에 의해 처리된다. 이러한 반도체 공정은 공정 특성상 파티클이 발생하며, 이러한 파티클은 용기 내벽에 부착되기 쉽다. 특히, 웨이퍼의 처리액으로 사용되는 약액은 공기와 반응하여 염을 형성할 수도 있으며, 이러한 염은 용기 내벽에 부착된다.Generally, the semiconductor process is performed in a predetermined container, and the wafer is placed in the container and processed by the processing liquid or the processing gas. In the semiconductor process, particles are generated due to process characteristics, and the particles are easily attached to the inner wall of the container. In particular, the chemical liquid used as the processing liquid of the wafer may react with air to form a salt, which salt is attached to the inner wall of the container.

이러한 이물질이 용기 내벽에 계속 잔존할 경우, 이후 반도체 공정 과정에서 용기 내부에 부유되어 웨이퍼에 안착될 수도 있으며, 이로 인해, 웨이퍼의 불량을 초래한다.If such foreign matter remains on the inner wall of the container, it may be suspended in the container and deposited on the wafer during the semiconductor process, thereby causing wafer defects.

이를 방지하기 위해, 주기적으로 용기 내벽을 세정하는 세정 작업이 요구된다. 그러나, 용기를 세정하기 위해서는 일체의 반도체 공정을 중지한 후 용기를 해체해야한다. 또한, 용기의 세정 작업은 모두 작업자에 의한 수작업으로 이루어진다. 이로 인해, 용기의 세정 시간이 증가하고, 생산성이 저하된다.To prevent this, a cleaning operation for periodically cleaning the inner wall of the container is required. However, to clean the container, the container must be dismantled after stopping any semiconductor processing. In addition, all the washing | cleaning operations of a container are made by manual labor by an operator. For this reason, the washing | cleaning time of a container increases and productivity falls.

본 발명의 목적은 기판의 세정 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of improving the cleaning efficiency and productivity of a substrate.

또한, 본 발명의 목적은 상기한 기판 처리 장치의 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. In addition, an object of the present invention is to provide a cleaning method of the substrate processing apparatus described above.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리장치는, 지지부재, 처리 용기 및 세정 노즐로 이루어진다.A substrate processing apparatus according to one feature for realizing the above object of the present invention comprises a support member, a processing container, and a cleaning nozzle.

지지부재는 기판이 안착되고, 일 방향으로 회전된다. 처리 용기는 내부에 상기 지지부재를 수용하여 상기 기판의 처리 공정이 이루어지는 공간을 제공한다. 세정 노즐은 상기 지지부재의 상부에서 상기 지지부재와 마주하고, 측면에 상기 처리 용기를 세정하기 위한 세정액을 분사하는 다수의 제1 분사홀이 형성되며, 일 방향으로 회전하여 상기 세정액을 처리 용기 내벽에 제공한다.The supporting member is mounted on the substrate and rotated in one direction. The processing container accommodates the support member therein to provide a space in which the processing process of the substrate is performed. The cleaning nozzle faces the support member at an upper portion of the support member, and a plurality of first injection holes for spraying the cleaning liquid for cleaning the processing container is formed on a side surface thereof, and rotates in one direction to process the cleaning liquid into the processing container inner wall. To provide.

또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리장치의 세정방법은 다음과 같다. 먼저, 처리 용기 내부에 수용된 지지부재의 상부에 세정 노즐을 배치한다. 이어, 상기 세정 노즐이 회전하면서 상기 처리 용기의 측벽에 세정액을 분사하여 상기 처리 용기를 세정한다.In addition, the cleaning method of the substrate processing apparatus according to one feature for realizing the above object of the present invention is as follows. First, the cleaning nozzle is disposed on the upper portion of the support member accommodated inside the processing container. Subsequently, the cleaning nozzle is rotated to spray the cleaning liquid onto the sidewall of the processing container to clean the processing container.

상술한 본 발명에 따르면, 기판 처리장치는 세정 노즐의 회전력을 이용하여 처리 용기의 내벽을 세정한다. 이에 따라, 기판 처리장치는 처리 용기를 분해할 필요 없이 처리 용기를 세정할 수 있으므로, 세정 시간을 단축시키고, 세정 효율과 생산성 및 제품의 수율을 향상시킨다.According to the present invention described above, the substrate treating apparatus cleans the inner wall of the processing vessel using the rotational force of the cleaning nozzle. Accordingly, the substrate processing apparatus can clean the processing container without disassembling the processing container, thereby shortening the cleaning time, and improving the cleaning efficiency, productivity, and yield of the product.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.1 illustrates a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(500)는 기판 지지부재(100), 처리 용기(200), 배기 부재(300), 및 세정 부재(400)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 500 according to the present invention includes a substrate support member 100, a processing container 200, an exhaust member 300, and a cleaning member 400.

구체적으로, 상기 기판 지지부재(100)는 공정 진행 중 웨이퍼를 지지하며, 공정이 진행되는 동안 웨이퍼를 회전시킨다. 기판 지지부재(100)는 원형의 상면을 갖는 플레이트(110), 상기 지지판(110)을 지지하는 지지축(130), 및 상기 지지축(130)과 연결된 구동기(150)를 포함한다.Specifically, the substrate support member 100 supports the wafer during the process and rotates the wafer during the process. The substrate support member 100 includes a plate 110 having a circular top surface, a support shaft 130 for supporting the support plate 110, and a driver 150 connected to the support shaft 130.

상기 지지판(110)은 상기 웨이퍼가 안착되고, 상기 웨이퍼는 상기 지지판(110)의 상면과 평행하게 마주하게 배치된다. 본 발명의 일례로, 상기 지지판(110)의 중앙부에는 상기 웨이퍼의 배면에 초순수나 약액과 같은 처리액을 제공하여 상기 웨이퍼를 처리하는 백 노즐(170)이 구비된다.The support plate 110 is mounted on the wafer, the wafer is disposed to face in parallel with the upper surface of the support plate 110. In one example of the present invention, a back nozzle 170 is provided at a central portion of the support plate 110 to provide a processing liquid such as ultrapure water or a chemical liquid to the back surface of the wafer to process the wafer.

상기 지지판(110)의 하면에는 상기 지지축(130)이 고정결합되고, 상기 지지축(130)은 상기 구동기(150)에 의해 회전된다. 상기 지지축(130)의 회전력은 상기 지지판(110)에 전달되고, 이에 따라, 상기 지지판(110) 상에 안착된 웨이퍼가 상기 지지판(110)과 함께 회전된다.The support shaft 130 is fixedly coupled to the lower surface of the support plate 110, and the support shaft 130 is rotated by the driver 150. The rotational force of the support shaft 130 is transmitted to the support plate 110, so that the wafer seated on the support plate 110 is rotated together with the support plate 110.

상기 지지판(110)은 상기 처리 용기(200) 안에 구비되고, 상기 웨이퍼의 처리 공정은 상기 처리 용기(200) 안에서 이루어진다. 상기 처리 용기(200)는 상부가 개구되고, 상기 처리액의 회수를 위해 다층 구조로 이루어진다.The support plate 110 is provided in the processing container 200, and the processing of the wafer is performed in the processing container 200. The processing container 200 has an upper opening, and has a multi-layer structure for recovering the processing liquid.

구체적으로, 상기 처리 용기(200)는 원기둥 형상을 갖는 다수의 회수통(210, 230, 250)을 구비한다. 이 실시예에 있어서, 상기 처리 용기(200)는 세 개의 회수통(210, 230, 250)으로 이루어지나, 상기 회수통(210, 230, 250)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다.In detail, the processing container 200 includes a plurality of recovery containers 210, 230, and 250 having a cylindrical shape. In this embodiment, the processing container 200 is composed of three recovery bins 210, 230, 250, but the number of the recovery bins 210, 230, 250 may increase or decrease.

상기 다수의 회수통(210, 230, 250)은 제1, 제2 및 제3 회수통(210, 230, 250)으로 이루어진다. 제1 회수통(210)은 환형의 링 형상을 갖는 바닥면, 상기 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽, 및 상기 측벽 상단부로부터 연장된 상면을 구비한다. 상기 제1 회수통(210)의 상면은 중앙부가 개구되고, 지면에 대해 임의의 각도로 기울어진다.The plurality of recovery containers 210, 230, and 250 may include first, second, and third recovery containers 210, 230, and 250. The first recovery container 210 has a bottom surface having an annular ring shape, a side wall extending from the bottom surface and having a cylindrical shape, and an upper surface extending from the upper end of the side wall. The upper surface of the first recovery container 210 has an open central portion, and is inclined at an angle with respect to the ground.

상기 제2 회수통(230)은 상기 제1 회수통(210)의 내부에 구비되고, 상기 제1 회수통(210)으로부터 이격되어 위치하며, 원기둥 형상을 갖는다. 상기 제3 회수통(250)은 상기 제2 회수통(230)의 내부에 구비되고, 원기둥 형상을 갖는다. 상기 제3 회수통(250)의 측벽은 상기 제2 회수통(230)의 측벽으로부터 이격되어 위치하고, 상기 제3 회수통(250)의 바닥면은 상기 제2 회수통(230) 바닥면의 일측 상부에 위치한다.The second recovery container 230 is provided inside the first recovery container 210, is spaced apart from the first recovery container 210, and has a cylindrical shape. The third recovery container 250 is provided inside the second recovery container 230 and has a cylindrical shape. Sidewalls of the third recovery container 250 are positioned to be spaced apart from sidewalls of the second recovery container 230, and a bottom surface of the third recovery container 250 is one side of a bottom surface of the second recovery container 230. It is located at the top.

상기 제1 내지 제3 회수통(210, 230, 250)의 상면들은 중앙부가 개구되고, 상기 제1 회수통(210)으로부터 상기 제3 회수통(250)으로 갈수록 순차적으로 하부에 위치하며, 서로 이격되어 위치한다. 상기 웨이퍼의 처리에 사용된 처리액과 오염 가스는 상기 웨이퍼를 처리하는 과정에서 상기 제1 내지 제3 회수통(210, 230, 250)이 서로 이격되어 형성된 회수 공간들(271, 273, 275)을 통해 회수된다.Upper surfaces of the first to third recovery bins 210, 230, and 250 are centrally opened, and are sequentially positioned downward from the first recovery bin 210 to the third recovery bin 250. Are spaced apart. The processing liquid and the contaminant gas used to process the wafer are recovery spaces 271, 273, and 275 formed by separating the first to third recovery containers 210, 230, and 250 from each other in the process of processing the wafer. Is recovered through.

상기 처리 용기(200)는 상기 기판 지지부재(100)의 수직 위치가 고정된 상태에서 상하 방향으로 이동하여 상기 처리 용기(200)와 상기 지지판(110)의 상대적인 수직 위치를 변경한다. 이에 따라, 상기 처리 용기(200)는 각 회수 공간(271, 273, 275) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.The processing container 200 moves in the vertical direction while the vertical position of the substrate support member 100 is fixed to change the relative vertical position of the processing container 200 and the support plate 110. Accordingly, the processing container 200 may vary the types of the processing liquid and the contaminated gas recovered for each recovery space 271, 273, and 275.

상기 제1 내지 제3 회수통(210, 230, 250)은 각각 서로 다른 배출관(310, 320, 330)에 연결되고, 각 배출관(310, 330, 350)은 상기 회수 공간(271, 273, 275)에 유입된 처리액과 오염 가스를 외부로 배출한다.The first to third recovery bins 210, 230, and 250 are connected to different discharge pipes 310, 320, and 330, respectively, and each discharge pipe 310, 330, and 350 is the recovery space 271, 273, and 275. Discharge the treatment liquid and polluted gas that flowed into the outside.

한편, 상기 처리 용기(200)의 외측에는 상기 세정 부재(400)가 구비된다. 상기 세정 부재(400)는 제1 및 제2 지지대(410, 430), 세정 노즐(450) 및 연결부(470)를 포함하고, 상기 처리 용기(200)의 내벽을 세정한다.On the other hand, the cleaning member 400 is provided on the outside of the processing container 200. The cleaning member 400 includes first and second supports 410 and 430, a cleaning nozzle 450, and a connection part 470, and cleans an inner wall of the processing container 200.

구체적으로, 상기 제1 지지대(410)는 상기 처리 용기(200)의 외측에 배치되고, 지면에 대해 수직 방향으로 연장되어 로드 형상을 갖는다. 상기 제2 지지대(430)는 상기 제1 지지대(410)의 상단부와 결합하고, 상기 지면에 대해 수평하게 배치된다.In detail, the first support 410 is disposed outside the processing container 200 and extends in a direction perpendicular to the ground to have a rod shape. The second support 430 is coupled to the upper end of the first support 410, and is disposed horizontally with respect to the ground.

상기 세정 노즐(450)은 상기 처리 용기(200)의 세정 공정시 상기 지지 판(110)과 마주하게 배치되고, 상기 처리 용기(200)의 내벽에 세정액, 예컨대, 초순수를 분사하여 상기 처리 용기(200)를 세정한다. 또한, 상기 세정 노즐(450)은 상기 세정액에 의한 세정이 완료되면, 건조 가스, 예컨대, 질소 가스를 분사하여 상기 처리 용기(200)의 내벽을 건조시킨다. 상기 세정 노즐(450)의 구성에 대한 구체적인 설명은 후술하는 도 2 내지 도 4에서 하기로 한다.The cleaning nozzle 450 is disposed to face the support plate 110 during the cleaning process of the processing container 200, and sprays a cleaning liquid, for example, ultrapure water, to the inner wall of the processing container 200 to process the processing container ( 200). In addition, when the cleaning nozzle 450 completes the cleaning by the cleaning liquid, a drying gas, for example, nitrogen gas is sprayed to dry the inner wall of the processing container 200. A detailed description of the configuration of the cleaning nozzle 450 will be described later with reference to FIGS. 2 to 4.

상기 연결부(470)는 상기 제1 지지대(410)와 수평하게 배치되고, 상기 세정 노즐(450)과 상기 제2 지지대(430)를 연결한다. 상기 제1 및 제2 지지대(410, 430)와 상기 연결부(470)의 내부에는 상기 세정액과 상기 건조 가스를 상기 세정 노즐(450)에 제공하기 위한 공급관(미도시)이 형성된다. 상기 세정액과 상기 건조 가스는 상기 제1 지지대(410)와 상기 제2 지지대(430) 및 상기 연결부(470)를 순차적으로 통과하여 상기 세정 노즐(450)에 유입된다.The connection part 470 is disposed horizontally with the first support 410 and connects the cleaning nozzle 450 and the second support 430. Supply pipes (not shown) for providing the cleaning liquid and the dry gas to the cleaning nozzle 450 are formed in the first and second supports 410 and 430 and the connection part 470. The cleaning liquid and the drying gas sequentially pass through the first support 410, the second support 430, and the connection part 470, and flow into the cleaning nozzle 450.

본 발명의 일례로, 상기 제1 지지대(410)는 수직 방향으로 이동하여 상기 세정 노즐(450)의 수직 방향의 위치를 조절하고, 상기 제2 지지대(430)는 상기 제1 지지대(410)에 고정된 상태에서 수평 이동하여 상기 세정 노즐(450)의 수평 위치를 조절한다.In one example of the present invention, the first support 410 moves in the vertical direction to adjust the position of the cleaning nozzle 450 in the vertical direction, and the second support 430 is connected to the first support 410. The horizontal position of the cleaning nozzle 450 is adjusted by moving horizontally in a fixed state.

이하, 도면을 참조하여 상기 세정 노즐(450)의 구성에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the configuration of the cleaning nozzle 450 will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 도 1에 도시된 세정 노즐을 구체적으로 나타낸 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 세정 노즐의 하면을 나타낸 평면도이며, 도 4는 도 1의 절단선 I-I'에 따른 단면도이다.FIG. 2 is a perspective view illustrating the cleaning nozzle illustrated in FIG. 1 in detail, FIG. 3 is a plan view illustrating the bottom surface of the cleaning nozzle illustrated in FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 1. .

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 세정 노즐(450)은 원판 형상으로 형성되고, 상기 세정액(CL) 및 상기 건조 가스(DG)의 압력에 의해 중심축을 기준으로 회전하여 상기 세정액(CL)과 건조 가스(DG)를 상기 제1 내지 제3 회수통(210, 230, 250)(도 1 참조)의 내벽에 분사한다.2 and 3, the cleaning nozzle 450 is formed in a disc shape, and rotates about the central axis by the pressure of the cleaning liquid CL and the drying gas DG, and the cleaning liquid CL and Dry gas DG is sprayed on the inner walls of the first to third recovery containers 210, 230, and 250 (see FIG. 1).

구체적으로, 상기 세정 노즐(450)의 상면(451)은 상기 연결부(470)의 일 단부에 결합되고, 상기 상면(451)으로부터 연장되어 바닥면(455)과 연결된 측면에는 상기 처리 용기(200)의 내벽을 세정하기 위한 다수의 제1 분사홀(453a)이 형성된다. 상기 세정액(CL)과 상기 건조 가스(DG)는 상기 제1 분사홀들(453a)을 통해 상기 처리 용기(200)의 내벽에 분사된다.Specifically, the upper surface 451 of the cleaning nozzle 450 is coupled to one end of the connection portion 470, and extends from the upper surface 451 to be connected to the bottom surface 455 on the side of the processing container 200. A plurality of first injection holes 453a are formed to clean the inner wall of the. The cleaning liquid CL and the drying gas DG are sprayed on the inner wall of the processing container 200 through the first injection holes 453a.

한편, 상기 세정 노즐(450)은 바닥면(455)에 상기 백 노즐(170)(도 1 참조)을 세정하기 위한 제2 분사홀(455)이 형성될 수도 있다. 상기 처리 용기(200) 세정 공정 시, 상기 세정 노즐(450)의 바닥면(455)은 상기 백 노즐(170)과 마주하게 배치되고, 상기 세정액(CL)과 상기 건조 가스(DG)는 상기 제2 분사홀(455a)을 통해 상기 백 노즐(170)에 분사된다.On the other hand, the cleaning nozzle 450 may be formed on the bottom surface 455, the second injection hole 455 for cleaning the back nozzle 170 (see FIG. 1). In the process of cleaning the processing container 200, the bottom surface 455 of the cleaning nozzle 450 is disposed to face the back nozzle 170, and the cleaning liquid CL and the dry gas DG 2 is injected into the bag nozzle 170 through the injection hole (455a).

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 제1 분사홀들(453a)은 상기 세정 노즐(450)의 내부에서 상기 제2 분사홀(455a)을 중심으로 나선상으로 형성되고, 상기 제2 분사홀(455a)과 연결된다. 상기 세정액(CL)과 상기 건조 가스(DG)는 상기 연결부(470)로부터 상기 제2 분사홀(455a)을 통해 상기 제1 분사홀들(453a)에 제공되며, 상기 제1 분사홀들(453a)과 상기 제2 분사홀(455a)로부터 동시에 분사된다.3 and 4, the first injection holes 453a are formed in a spiral shape around the second injection hole 455a in the cleaning nozzle 450, and the second injection holes ( 455a). The cleaning liquid CL and the dry gas DG are provided to the first injection holes 453a from the connection part 470 through the second injection holes 455a and the first injection holes 453a. ) And the second injection hole (455a) at the same time.

특히, 상기 제1 분사홀들(453a)은 나선 구조로 이루어지므로, 상기 세정 노 즐(450)은 상기 세정액(CL)과 상기 건조 가스(DG)의 분사압에 의해 일 방향으로 회전한다. 따라서, 상기 제1 분사홀들(453a)로부터 분사되는 세정액(CL)과 건조 가스(DG)가 상기 세정 노즐(450)의 회전력에 의해 상기 제1 내지 제3 회수통(210, 230, 250)의 내측벽에 제공된다.In particular, since the first injection holes 453a have a spiral structure, the cleaning nozzle 450 rotates in one direction by the injection pressure of the cleaning liquid CL and the drying gas DG. Therefore, the cleaning liquid CL and the drying gas DG sprayed from the first injection holes 453a may be driven by the rotational force of the cleaning nozzle 450 to form the first to third recovery containers 210, 230, and 250. It is provided on the inner wall of the.

여기서, 상기 세정 노즐(450)의 회전 방향은 상기 제1 분사홀들(453a)의 나선 방향에 의해 결정된다. 예컨대, 상기 제1 분사홀들(453a)의 나선 방향이 시계 방향이면 상기 세정 노즐(450) 또한 시계 방향으로 회전하고, 상기 제1 분사홀들(453a)의 나선 방향이 반 시계 방향이면 상기 세정 노즐(450) 또한 반 시계 방향으로 회전한다.Here, the rotation direction of the cleaning nozzle 450 is determined by the spiral direction of the first injection holes 453a. For example, when the spiral direction of the first injection holes 453a is clockwise, the cleaning nozzle 450 also rotates clockwise. When the spiral direction of the first injection holes 453a is counterclockwise, the cleaning is performed. The nozzle 450 also rotates counterclockwise.

이와 같이, 상기 세정 노즐(450)은 상기 처리 용기(200)의 측벽과 마주하는 측면(453)에 상기 세정액(CL)과 상기 건조 가스(DG)를 분사하는 상기 제1 분사홀들(453a)이 형성되고, 일 방향으로 회전하면서 상기 세정액(CL)과 상기 건조 가스(DG)를 분사한다. 이에 따라, 상기 세정액(CL)과 상기 건조 가스(DG)가 상기 제1 내지 제3 회수통(210, 230, 250)의 내측벽에 분사되어 상기 처리 용기(200)의 내벽이 세정된다. 따라서, 상기 기판 처리장치(500)는 상기 처리 용기(200)를 분해할 필요 없이 상기 처리 용기(200)의 내벽을 세정할 수 있으므로, 세정 시간을 단축하고, 생산성 및 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.As such, the cleaning nozzle 450 may spray the cleaning liquid CL and the dry gas DG on the side surface 453 facing the sidewall of the processing container 200. Is formed and the cleaning liquid CL and the drying gas DG are injected while rotating in one direction. Accordingly, the cleaning liquid CL and the drying gas DG are sprayed on the inner walls of the first to third recovery containers 210, 230, and 250 to clean the inner wall of the processing container 200. Therefore, since the substrate processing apparatus 500 can clean the inner wall of the processing container 200 without disassembling the processing container 200, the substrate processing apparatus 500 can shorten the cleaning time and improve productivity and yield of the product. have.

또한, 상기 세정 노즐(450)은 상기 처리 용기(200)와 함께 상기 백 노즐(170)을 세정할 수 있으므로, 세정 효율을 향상시키고, 세정 시간을 단축할 수 있다.In addition, since the cleaning nozzle 450 may clean the bag nozzle 170 together with the processing container 200, the cleaning nozzle 450 may improve cleaning efficiency and shorten the cleaning time.

이하, 도면을 참조하여 상기 처리 용기(200)의 세정 과정을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the cleaning process of the processing container 200 will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5 및 도 6은 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 세정하는 공정 과정을 나타낸 도면이고, 도 7은 도 5에 도시된 세정 노즐로부터 세정액이 분사되는 과정을 나타낸 도면이다. 도 6은 상기 기판 처리 장치(500)를 상측에서 바라본 평면도로서, 상기 세정 노즐(450)로부터 상기 세정액(CL)이 분사되는 방향을 보다 명확히 나타내기 위해 상기 제2 지지대(430) 및 상기 연결부(470)를 생략하여 도시하였다.5 and 6 are views illustrating a process of cleaning the substrate processing apparatus illustrated in FIG. 1, and FIG. 7 is a diagram illustrating a process of spraying a cleaning liquid from the cleaning nozzle illustrated in FIG. 5. FIG. 6 is a plan view of the substrate processing apparatus 500 viewed from above, and the second supporter 430 and the connecting portion may be used to more clearly show a direction in which the cleaning liquid CL is injected from the cleaning nozzle 450. 470 is omitted.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 먼저, 상기 지지판(110)의 상부에 상기 세정 노즐(450)을 배치한다. 이때, 상기 세정 노즐(450)의 바닥면(455)은 상기 백 노즐(170)과 마주하게 배치된다.5 to 7, first, the cleaning nozzle 450 is disposed on the support plate 110. In this case, the bottom surface 455 of the cleaning nozzle 450 is disposed to face the back nozzle 170.

이어, 상기 제1 및 제2 지지대(410, 430)와 상기 연결부(470)를 통해 상기 세정액(CL)을 상기 세정 노즐(450)에 제공한다.Subsequently, the cleaning liquid CL is provided to the cleaning nozzle 450 through the first and second supports 410 and 430 and the connection part 470.

상기 세정 노즐(450)은 상기 세정액(CL)의 압력에 의해 일 방향으로 회전하면서 상기 세정액(CL)을 분사한다. 상기 세정 노즐(450)의 내부로 유입된 세정액(CL)은 상기 제1 분사홀들(453a) 및 상기 제2 분사홀(455a)을 통해 분사된다. 구체적으로, 상기 제1 분사홀들(453a)을 통해 분사된 세정액(CL)은 상기 제1 내지 제3 회수통(210, 230, 250) 중 상기 세정 노즐(450)의 현 위치에 대응하는 회수통의 내벽에 제공되어 해당 회수통을 세정한다. 이와 동시에, 상기 제2 분사홀(455a)을 통해 분사된 세정액(CL)은 상기 백 노즐(170)에 분사되어 상기 백 노즐(170)을 세 정한다.The cleaning nozzle 450 sprays the cleaning liquid CL while rotating in one direction by the pressure of the cleaning liquid CL. The cleaning liquid CL introduced into the cleaning nozzle 450 is injected through the first injection holes 453a and the second injection hole 455a. Specifically, the cleaning liquid CL injected through the first injection holes 453a corresponds to the current position of the cleaning nozzle 450 among the first to third recovery containers 210, 230, and 250. It is provided on the inner wall of the container to clean the recovery container. At the same time, the cleaning liquid CL injected through the second injection hole 455a is injected into the back nozzle 170 to clean the back nozzle 170.

상기 기판 처리장치(500)는 상기 세정 노즐(450)의 수직 위치를 주기적으로 변경시키면서 상기 처리 용기(200)를 세정한다. 여기서, 상기 세정 노즐(450)의 수직 위치는 상기 제1 지지대(410) 또는 상기 처리 용기(200)의 수직 이동에 의해 변경된다.The substrate processing apparatus 500 cleans the processing container 200 while periodically changing the vertical position of the cleaning nozzle 450. Here, the vertical position of the cleaning nozzle 450 is changed by the vertical movement of the first support 410 or the processing vessel 200.

한편, 상기 세정액(CL)을 이용한 세정이 완료되면, 상기 제1 및 제2 지지대(410, 430)와 상기 연결부(470)를 통해 상기 건조 가스(DG)를 상기 세정 노즐(450)에 제공한다.Meanwhile, when the cleaning using the cleaning liquid CL is completed, the dry gas DG is provided to the cleaning nozzle 450 through the first and second supports 410 and 430 and the connection part 470. .

상기 세정 노즐(450)은 상기 건조 가스(DG)의 압력에 의해 일 방향으로 회전하면서 상기 건조 가스(DG)를 분사하여 상기 백 노즐(170)과 상기 처리 용기(200)를 건조시킨다. 상기 세정 노즐(450)로부터 상기 건조 가스(DG)가 분사되는 과정은 상기 세정액(CL)의 분사 과정과 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.The cleaning nozzle 450 sprays the dry gas DG while rotating in one direction by the pressure of the dry gas DG to dry the bag nozzle 170 and the processing container 200. Since the process of spraying the dry gas DG from the cleaning nozzle 450 is the same as the process of spraying the cleaning liquid CL, a detailed description thereof will be omitted.

이와 같이, 상기 세정 노즐(450)은 회전력을 이용하여 상기 처리 용기(200)를 세정하고, 이와 동시에, 상기 백 노즐(170)을 세정한다. 또한, 상기 세정액(CL)에 의한 세정이 완료되면, 상기 세정 노즐(450)은 상기 건조 가스(DG)를 분사하여 상기 처리 용기(200) 및 상기 백 노즐(170)을 건조시킨다. 이에 따라, 상기 기판 처리장치(500)는 상기 처리 용기(200) 및 상기 백 노즐(170)의 세정을 자동화하고, 세정 효율을 향상시키며, 세정 시간을 단축시키고, 생산성 및 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.As described above, the cleaning nozzle 450 cleans the processing container 200 by using a rotational force, and at the same time, cleans the back nozzle 170. In addition, when the cleaning by the cleaning liquid CL is completed, the cleaning nozzle 450 sprays the dry gas DG to dry the processing container 200 and the back nozzle 170. Accordingly, the substrate processing apparatus 500 may automate cleaning of the processing container 200 and the back nozzle 170, improve cleaning efficiency, shorten cleaning time, and improve productivity and product yield. Can be.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the embodiments above, those skilled in the art will understand that the present invention can be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. Could be.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.1 illustrates a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 세정 노즐을 구체적으로 나타낸 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view illustrating the cleaning nozzle shown in FIG. 1 in detail.

도 3은 도 2에 도시된 세정 노즐의 하면을 나타낸 평면도이다.3 is a plan view illustrating a bottom surface of the cleaning nozzle illustrated in FIG. 2.

도 4는 도 1의 절단선 I-I'에 따른 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 1.

도 5 및 도 6은 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 세정하는 공정 과정을 나타낸 도면이다.5 and 6 are views illustrating a process of cleaning the substrate processing apparatus shown in FIG. 1.

도 7은 도 5에 도시된 세정 노즐로부터 세정액이 분사되는 과정을 나타낸 도면이다.FIG. 7 is a view illustrating a process of spraying a cleaning liquid from the cleaning nozzle shown in FIG. 5.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 기판 지지부재 200 : 처리 용기100 substrate support member 200 processing container

310, 330, 350 : 배기관 400 : 세정 부재310, 330, 350: exhaust pipe 400: cleaning member

410 : 제1 지지대 430 : 제2 지지대410: first support 430: second support

450 : 세정 노즐 453a : 제1 분사홀450: cleaning nozzle 453a: first injection hole

455a : 제2 분사홀 470 : 연결부455a: second injection hole 470: connecting portion

500 : 기판 처리 장치500: substrate processing apparatus

Claims (14)

기판이 안착되고, 일 방향으로 회전되는 지지부재;A support member on which the substrate is mounted and rotated in one direction; 내부에 상기 지지부재를 수용하여 상기 기판의 처리 공정이 이루어지는 공간을 제공하는 처리 용기; 및A processing container accommodating the support member therein to provide a space in which a processing process of the substrate is performed; And 상기 지지부재의 상부에서 상기 지지부재와 마주하고, 측면에 상기 처리 용기를 세정하기 위한 세정액을 분사하는 다수의 제1 분사홀이 형성되며, 일 방향으로 회전하여 상기 세정액을 처리 용기 내벽에 제공하는 세정 노즐을 포함하고,A plurality of first injection holes facing the support member at the upper portion of the support member, and spraying the cleaning liquid for cleaning the processing container is formed on the side surface, and rotates in one direction to provide the cleaning liquid to the processing container inner wall. A cleaning nozzle, 상기 지지부재는,The support member, 상기 기판과 마주하는 면에 구비되어 상기 기판의 배면에 상기 기판을 처리하는 처리액 또는 처리 가스를 제공하는 백 노즐을 구비하며,A back nozzle provided on a surface facing the substrate to provide a processing liquid or a processing gas for treating the substrate on a rear surface of the substrate, 상기 세정 노즐의 하면은 상기 세정액을 상기 백 노즐에 분사하여 상기 백 노즐을 세정하는 제2 분사홀이 형성되고, 상기 백 노즐과 마주하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The lower surface of the cleaning nozzle is formed with a second injection hole for cleaning the back nozzle by spraying the cleaning liquid to the back nozzle, the substrate processing apparatus, characterized in that facing the back nozzle. 제1항에 있어서, 상기 제1 분사홀들은 상기 세정 노즐의 내부에서 나선상으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of claim 1, wherein the first injection holes are formed spirally in the cleaning nozzle. 제2항에 있어서, 상기 세정 노즐은 상기 세정액의 압력에 의해 일 방향으로 회전하고, 상기 세정 노즐의 회전 방향은 상기 제1 분사홀들의 나선 방향에 따라 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate treating apparatus of claim 2, wherein the cleaning nozzle is rotated in one direction by the pressure of the cleaning liquid, and a rotation direction of the cleaning nozzle is set according to the spiral direction of the first injection holes. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 분사홀은 상기 세정 노즐의 내부에서 상기 제1 분사홀들과 연결된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the second injection hole is connected to the first injection holes in the cleaning nozzle. 제6항에 있어서, 상기 제2 분사홀은 상기 세정 노즐의 중앙부에 형성되고, 상기 제1 분사홀들은 상기 제2 분사홀을 중심으로 한 나선 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of claim 6, wherein the second injection hole is formed at a central portion of the cleaning nozzle, and the first injection holes have a spiral structure around the second injection hole. 제1항에 있어서, 상기 세정 노즐은 상기 세정액과 동일한 경로를 통해 상기 처리 용기를 건조하기 위한 건조 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of claim 1, wherein the cleaning nozzle injects a drying gas for drying the processing container through the same path as the cleaning liquid. 처리 용기 내부에 수용된 지지부재의 상부에 세정 노즐을 배치하는 단계; 및Disposing a cleaning nozzle on top of the support member received inside the processing vessel; And 상기 세정 노즐이 회전하면서 상기 처리 용기의 측벽에 세정액을 분사하여 상기 처리 용기를 세정하는 단계를 포함하고,Cleaning the processing container by spraying a cleaning liquid on the sidewall of the processing container while the cleaning nozzle is rotated, 상기 세정액은 상기 세정 노즐의 측면으로부터 분사됨과 동시에, 상기 세정 노즐의 하면으로부터 상기 지지부재 측으로 분사되어 상기 지지부재에 구비된 백 노즐을 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치 세정 방법.And the cleaning liquid is injected from the side surface of the cleaning nozzle, and is sprayed from the lower surface of the cleaning nozzle toward the support member to clean the back nozzle provided on the support member. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 세정 노즐은 상기 세정액의 압력에 의해 일 방향으로 회전하고,The cleaning nozzle is rotated in one direction by the pressure of the cleaning liquid, 상기 세정액은 상기 세정 노즐의 측면으로부터 분사되어 상기 처리 용기의 내벽에 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치 세정 방법.And the cleaning liquid is injected from the side surface of the cleaning nozzle and provided to the inner wall of the processing container. 삭제delete 제10항에 있어서, 상기 처리 용기의 세정 단계 이후에,The method of claim 10, wherein after the cleaning step of the processing vessel, 상기 세정 노즐은 일 방향으로 회전하면서 건조 가스를 분사하여 상기 처리 용기를 건조시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치 세정 방법.The cleaning nozzle further comprises the step of drying the processing container by spraying a drying gas while rotating in one direction. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 세정 노즐은 상기 건조 가스의 압력에 의해 회전하고,The cleaning nozzle is rotated by the pressure of the dry gas, 상기 건조 가스는 상기 세정 노즐의 측면으로부터 분사되어 상기 처리 용기의 내벽에 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치 세정 방법.And the dry gas is injected from a side surface of the cleaning nozzle and provided to an inner wall of the processing container. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 건조 가스는 상기 세정 노즐의 측면으로부터 분사됨과 동시에, 상기 세정 노즐의 하면으로부터 상기 지지부재 측으로 분사되어 상기 백 노즐을 건조시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치 세정 방법.And the drying gas is injected from the side surface of the cleaning nozzle, and is sprayed from the lower surface of the cleaning nozzle toward the support member to dry the back nozzle.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130125165A (en) * 2012-05-08 2013-11-18 세메스 주식회사 Apparatus for processing substrate
US11823915B2 (en) 2013-08-30 2023-11-21 Semes Co., Ltd. Method of cleaning an apparatus that processes a substrate

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102310461B1 (en) 2015-05-18 2021-10-13 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate
KR102497794B1 (en) 2016-06-27 2023-02-10 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate, and Method for cleaning cup
KR102652120B1 (en) * 2019-03-21 2024-03-29 삼성전자주식회사 Substrate cleaning equipment, substrate treatment system including the same, and method for fabricating semiconductor device using the same
US11791173B2 (en) * 2019-03-21 2023-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate cleaning equipment, substrate treatment system including the same, and method of fabricating semiconductor device using the substrate cleaning equipment

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06246418A (en) * 1993-02-26 1994-09-06 Ube Ind Ltd Spraying device for lubricant
KR19990024511U (en) 1997-12-13 1999-07-05 윤홍구 Cold water bottle sterilizer of cold water purifier
KR20010048080A (en) * 1999-11-25 2001-06-15 박종섭 A cleaner for cleaning catch cup in spin coater
KR20060065972A (en) * 2004-12-11 2006-06-15 삼성전자주식회사 Wet cleaning equipment for liquid crystal display

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06246418A (en) * 1993-02-26 1994-09-06 Ube Ind Ltd Spraying device for lubricant
KR19990024511U (en) 1997-12-13 1999-07-05 윤홍구 Cold water bottle sterilizer of cold water purifier
KR20010048080A (en) * 1999-11-25 2001-06-15 박종섭 A cleaner for cleaning catch cup in spin coater
KR20060065972A (en) * 2004-12-11 2006-06-15 삼성전자주식회사 Wet cleaning equipment for liquid crystal display

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130125165A (en) * 2012-05-08 2013-11-18 세메스 주식회사 Apparatus for processing substrate
KR101964656B1 (en) * 2012-05-08 2019-08-07 세메스 주식회사 Apparatus for Processing Substrate
US11823915B2 (en) 2013-08-30 2023-11-21 Semes Co., Ltd. Method of cleaning an apparatus that processes a substrate

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