KR20150044898A - 수지 시트, 수지층이 부착된 지지체, 적층판 및 금속박 피복 적층판 - Google Patents

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KR20150044898A
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?스케 히라노
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히데토시 가와이
유이치 고가
요시히로 가토
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Abstract

본 발명은 우수한 내열성을 유지하면서, 가열 처리 및 광 조사 처리에 의한 광 반사율의 저하가 적은 수지 시트를 제공하는 것이다. 본 발명은 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 와, 이소시아누레이트기 및 카르복실기를 갖는 분기형 이미드 수지 (B) 와, 이산화티탄 (C) 와, 습윤 분산제 (D) 를 함유하는 수지 조성물로 이루어지는 층을 구비하는 수지 시트를 제공한다.

Description

수지 시트, 수지층이 부착된 지지체, 적층판 및 금속박 피복 적층판 {RESIN SHEET, SUPPORT BODY WITH RESIN LAYER, LAMINATE PLATE, AND METAL-CLAD LAMINATE PLATE}
본 발명은 수지 시트, 수지층이 부착된 지지체, 적층판 및 금속박 피복 적층판에 관한 것이다.
종래, LED 실장용 프린트 배선판으로는, 이산화티탄을 에폭시 수지 중에 분산시킨 백색 기판 (예를 들어 특허문헌 1 참조) 등이 알려져 있다. 또한, 청색이나 백색 등의 단파장광을 발하는 LED 가 일반화되어 온 점 등에서, 특히, 내열성 및 내광성이 우수한 프린트 배선판에 사용되는 백색 기판이 요구되게 되어 있다. 그러한 요구에 부응하기 위하여, 단파장광 조사시의 반사율의 저하를 개선한 백색 기판도 개발되고 있다 (예를 들어 특허문헌 2 참조).
일본 공개특허공보 평10-202789호 일본 공개특허공보 2008-1880호
그러나, 특허문헌 1 에 기재되는 바와 같은 백색 기판은 프린트 배선판의 제조 공정 및 LED 실장 공정에 있어서의 가열 처리, 그리고 LED 실장 후의 사용시에 있어서의 가열이나 광 조사에 의해, 기판면이 변색되어 반사율의 저하가 현저해진다.
또, 최근에는 LED 에 대해 추가적인 고휘도화 및 고출력화가 요망되고 있다. 거기에 더하여, LED 의 응용 분야가 지금까지의 휴대 전화나 카 내비게이션 등의 소형 표시 용도로부터 텔레비전 등의 대형 표시 용도, 및 주택 조명 용도에까지 확산되어 오고 있다. 그런데, 특허문헌 2 에 기재되는 바와 같은 백색 기판은, 그러한 요망이나 용도에 필요하게 되는 열 및 광에 대해, 내변색성 및 내열화성이 아직 충분하다고는 할 수 없어, 광 반사율의 저하를 억제하는 것이 곤란하다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 우수한 내열성을 유지하면서, 가열 처리 및 광 조사 처리에 의한 광 반사율의 저하가 적은 수지 시트, 수지층이 부착된 지지체, 적층판 및 금속박 피복 적층판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토한 결과, 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물, 이소시아누레이트기 및 카르복실기를 갖는 분기형 이미드 수지, 이산화티탄, 그리고 습윤 분산제를 함유하는 수지 조성물을 지지체에 첨착 (添着) 시킴으로써, 우수한 내열성을 유지하면서, 가열 처리 및 광 조사 처리에 의한 광 반사율의 저하가 적은 수지 시트 등이 얻어지는 것을 알아내어 본 발명에 도달하였다.
즉, 본 발명은 이하 <1> ∼ <18> 을 제공한다.
<1> 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 와, 이소시아누레이트기 및 카르복실기를 갖는 분기형 이미드 수지 (B) 와, 이산화티탄 (C) 와, 습윤 분산제 (D) 를 함유하는 수지 조성물로 이루어지는 층을 구비하는 수지 시트.
<2> 상기 분기형 이미드 수지 (B) 가 에폭시 화합물, 알코올 화합물 및 아민 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물과, 이소시아누레이트기 및 카르복실기를 갖는 분기형 이미드 수지를 반응시켜 얻어지는 변성 분기형 이미드 수지를 함유하는 상기 <1> 에 기재된 수지 시트.
<3> 상기 분기형 이미드 수지 (B) 의 산가가 10 ∼ 200 ㎎KOH/g 인 상기 <1> 또는 <2> 에 기재된 수지 시트.
<4> 상기 습윤 분산제 (D) 의 산가가 20 ∼ 200 ㎎KOH/g 인 상기 <1> ∼ <3> 중 어느 1 항에 기재된 수지 시트.
<5> 상기 수지 조성물이 추가로 인계 경화 촉진제 (E) 를 함유하는 상기 <1> ∼ <4> 중 어느 1 항에 기재된 수지 시트.
<6> 상기 수지 조성물에 함유되는 상기 인계 경화 촉진제 (E) 의 함유량이 상기 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 및 상기 분기형 이미드 수지 (B) 의 합계 100 질량부에 대하여 0.1 ∼ 10 질량부인 상기 <5> 에 기재된 백색 절연 수지 시트.
<7> 상기 수지 조성물이 추가로 상기 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 이외의 에폭시 고리를 1 개 이상 갖는 에폭시 단량체 (F) 를 함유하는 상기 <1> ∼ <6> 중 어느 1 항에 기재된 수지 시트.
<8> 상기 수지 조성물에 함유되는 상기 에폭시 단량체 (F) 의 함유량이 상기 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 및 상기 분기형 이미드 수지 (B) 의 합계 100 질량부에 대하여 0.5 ∼ 10 질량부인 상기 <7> 에 기재된 백색 절연 수지 시트.
<9> 상기 수지 조성물에 함유되는 상기 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 의 함유량이 상기 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 및 상기 분기형 이미드 수지 (B) 의 합계 100 질량부에 대하여 20 ∼ 80 질량부인 상기 <1> ∼ <8> 중 어느 1 항에 기재된 수지 시트.
<10> 상기 수지 조성물에 함유되는 상기 이산화티탄 (C) 의 함유량이 상기 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 및 상기 분기형 이미드 수지 (B) 의 합계 100 질량부에 대하여 10 ∼ 300 질량부인 상기 <1> ∼ <9> 중 어느 1 항에 기재된 수지 시트.
<11> 상기 이산화티탄 (C) 는 SiO2, Al2O3, ZrO2 및 ZnO 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 산화물로 표면 처리된 것이고, 상기 산화물을 표면 처리된 상기 이산화티탄의 총량 100 질량부에 대하여 0.5 ∼ 15 질량부 함유하는 상기 <1> ∼ <10> 중 어느 1 항에 기재된 수지 시트.
<12> 상기 수지 조성물에 함유되는 상기 습윤 분산제 (D) 의 함유량이 상기 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 및 상기 분기형 이미드 수지 (B) 의 합계 100 질량부에 대하여 0.05 ∼ 10 질량부인 상기 <1> ∼ <11> 중 어느 1 항에 기재된 수지 시트.
<13> 상기 수지 시트는 절연 수지 시트인 상기 <1> ∼ <12> 중 어느 1 항에 기재된 수지 시트.
<14> 상기 수지 시트는 백색 수지 시트인 상기 <1> ∼ <13> 중 어느 1 항에 기재된 수지 시트.
<15> 지지체와, 상기 지지체 상에 형성된 상기 <1> ∼ <14> 중 어느 1 항에 기재된 수지 시트를 구비하는 수지층이 부착된 지지체.
<16> 상기 지지체는 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리우레탄, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리메틸펜텐, 및 폴리부틸렌테레프탈레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 수지를 함유하는 필름, 알루미늄박, 그리고 구리박으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상인 상기 <15> 에 기재된 수지층이 부착된 지지체.
<17> 상기 <1> ∼ <14> 중 어느 1 항에 기재된 수지 시트와, 그 수지 시트 상에 형성된 금속층 또는 수지층을 구비하는 적층판.
<18> 상기 <1> ∼ <14> 중 어느 1 항에 기재된 수지 시트와, 그 수지 시트 상에 형성된 금속박을 구비하는 금속박 피복 적층판.
본 발명에 의하면, 우수한 내열성을 유지하면서, 가열 처리 및 광 조사 처리에 의한 광 반사율의 저하가 적은 수지 시트, 수지층이 부착된 지지체, 적층판 및 금속박 피복 적층판을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태 (이하, 간단히 「본 실시형태」 라고 한다) 에 대해 설명한다. 또한, 이하의 본 실시형태는 본 발명을 설명하기 위한 예시이고, 본 발명은 본 실시형태에만 한정되지 않는다. 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형이 가능하다.
본 실시형태는 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) (이하, 간단히 「(A) 성분」 이라고도 한다) 와, 이소시아누레이트기 및 카르복실기를 갖는 분기형 이미드 수지 (B) (이하, 간단히 「(B) 성분」 이라고도 한다) 와, 이산화티탄 (C) 와, 습윤 분산제 (D) 를 함유하는 수지 조성물로 이루어지는 층을 구비하는 수지 시트이다. 그 수지 시트는, LED 실장용 프린트 배선판의 기판에 사용하면 유용하다는 관점에서, 절연성을 갖는 것이면 바람직하고, 백색 수지 시트이면 바람직하고, 절연 백색 수지 시트이면 더욱 바람직하다.
또, 본 실시형태의 수지 시트는 상기 수지 조성물이 추가로 인계 경화 촉진제 (E) 를 함유하는 것인 수지 시트이어도 된다.
또, 본 실시형태의 수지 시트는 상기 수지 조성물이 추가로 (A) 성분 이외의 에폭시 고리를 1 개 이상 갖는 에폭시 단량체 (F) (이하, 간단히 「(F) 성분」 이라고도 한다) 를 함유하는 것인 수지 시트이어도 된다.
본 실시형태의 수지층이 부착된 지지체는 지지체와, 그 지지체 상에 형성된 상기 수지 시트를 구비하는 것이다.
본 실시형태의 적층판은 상기 수지 시트와, 그 수지 시트 상에 형성된 금속층 또는 수지층을 구비하는 적층판이다.
또한, 본 실시형태의 금속박 피복 적층판은 상기 수지 시트와, 그 수지 시트 상에 형성된 금속박을 구비하는 금속박 피복 적층판이다.
본 실시형태에 사용되는 수지 조성물에 함유되는 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 는, 주골격에 실록산 결합 (Si-O-Si 결합) 을 갖는 실리콘 화합물에, 에폭시기를 갖는 치환 혹은 비치환의 지방족 탄화수소기가 도입된 것이다. 이러한 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 를, 분기형 이미드 수지 (B), 이산화티탄 (C) 및 습윤 분산제 (D) 와 함께 사용함으로써, 수지 시트의 자외광 영역 및 가시광 영역의 광 반사율이 높아져, 가열 처리 및 광 조사 처리에 의한 광 반사율의 저하가 억제된다. 거기에 더하여, 이러한 수지 시트는 금속박과의 필 강도 및 내열성을 특히 높일 수 있는 경향이 있다.
상기의 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 로는, 하기 식 (1) 로 나타내는 반복 단위를 갖고, 1 분자 중에 적어도 3 개의 R' 를 갖고, 알콕시기를 함유하지 않는 실리콘 화합물인 것이 바람직하다. 특히, 작업성이 우수한 점에서, 액상의 것이 바람직하다. 여기서, 「식 (1) 로 나타내는 반복 단위를 갖는」 이란, R 및/또는 R' 가 동일한 1 종류의 반복 단위를 복수 갖는 것 뿐만 아니라, R 및/또는 R' 가 서로 상이한 복수종의 반복 단위를 복수 갖는 것의 쌍방을 포함하는 의미이다. 여기서, R 및/또는 R' 가 동일한 1 종류의 반복 단위를 복수 갖는 경우, 그리고 R 및/또는 R' 가 서로 상이한 복수종의 반복 단위를 복수 갖는 경우 중 어느 경우이어도, 반복 단위를 3 이상 갖는 것이 바람직하다.
[화학식 1]
Figure pct00001
여기서, 상기 식 (1) 중, R 은 수소 원자 또는 치환 혹은 비치환의 1 가의 탄화수소기를 나타내고, R' 는 에폭시기를 갖는 1 가의 유기기를 나타낸다.
상기 식 (1) 중, R 로 나타내는 1 가의 탄화수소기로는, 예를 들어, 치환 혹은 비치환의 지방족 탄화수소기를 들 수 있고, 탄소수 1 ∼ 20 의 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 8 의 것이 보다 바람직하다. 보다 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 헥실기, 옥틸기 등의 알킬기, 이들 1 가의 탄화수소기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부가 에폭시기 (단, 에폭시시클로헥실기는 제외한다), 메타크릴기, 아크릴기, 메르캅토기 및 아미노기 중 1 종 이상의 기로 치환된 기를 들 수 있다. 이들 중에서도, 본 발명의 작용 효과를 보다 유효하고 또한 확실하게 발휘하는 관점에서, R 로는, 메틸기, 에틸기 및 수소 원자 중 1 종 이상이 바람직하고, 메틸기가 보다 바람직하다. 단, 1 가의 탄화수소기는 상기의 것에 한정되지 않는다.
상기 식 (1) 중, R' 로 나타내는 에폭시기를 갖는 1 가의 유기기로는, 예를 들어, 에폭시기를 갖는 치환 혹은 비치환의 지방족 탄화수소기를 들 수 있고, 탄소수 2 ∼ 20 의 것이 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 12 의 것이 보다 바람직하다. 특히, 경화 수축이 작다는 관점에서, R' 는 3,4-에폭시시클로헥실기를 갖는 1 가의 유기기인 것이 바람직하다. 에폭시기를 갖는 1 가의 유기기로서, 보다 구체적으로는, 글리시독시프로필기 및 3,4-에폭시시클로헥실에틸기 중 1 종 이상을 들 수 있다. 단, 에폭시기를 갖는 1 가의 유기기는 상기의 것에 한정되지 않는다.
또한, 상기 식 (1) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 실리콘 화합물은 1 분자 중에 R' 를 3 ∼ 8 개 갖는 것이 바람직하다. 상기 식 (1) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 실리콘 화합물이 이 범위에서 R' 를 가지면, 경도가 보다 높고, 인성도 더욱 우수한 경화물을 얻기 쉬운 경향이 있다.
상기 식 (1) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 실리콘 화합물은 중합도가 3 ∼ 100 인 것이 바람직하다. 중합도가 이 범위의 것은, 공업적으로 합성이 용이하기 때문에 입수하기 쉽다. 이들 특성에 더하여, 또한 경화 수축을 억제할 수 있는 관점에서, 중합도는 3 ∼ 50 이 보다 바람직하고, 3 ∼ 10 이 더욱 바람직하다.
상기 식 (1) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 실리콘 화합물은 알콕시기를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 이로써, 탈알코올 반응에 의한 경화 수축이 없어, 분기형 이미드 수지 (B) 와 병용했을 경우에, 수지 시트가 더욱 우수한 내절연 파괴 특성을 가질 수 있다.
상기 식 (1) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 실리콘 화합물은, 예를 들어, 직사슬 구조를 가지고 있어도 되고, 고리 구조를 가지고 있어도 된다.
고리 구조를 갖는 것으로는, 예를 들어, 하기 식 (2) 로 나타내는 고리형 실리콘 화합물을 들 수 있다. 이 식 (2) 로 나타내는 고리형 실리콘 화합물은 경화 수축이 작은 점에서 바람직하다.
[화학식 2]
Figure pct00002
여기서, 상기 식 (2) 중, R 및 R' 는 상기 식 (1) 중의 것과 동일한 의미이고, c 는 3 ∼ 5 의 정수이고, d 는 0 ∼ 2 의 정수이고, c 와 d 의 합은 3 ∼ 5 의 정수이고, 또, 각 반복 단위는 랜덤하게 중합할 수 있다.
상기 식 (2) 중, 바람직하게는 c 는 3 ∼ 4 의 정수이고, d 는 0 ∼ 1 의 정수이고, c 와 d 의 합은 4 이다.
상기 식 (2) 로 나타내는 고리형 실리콘 화합물 중에서도, 본 발명에 의한 작용 효과를 보다 유효하고 또한 확실하게 발휘하는 관점에서, 하기 식 (2') 로 나타내는 고리형 실리콘 화합물이 보다 바람직하다.
[화학식 3]
Figure pct00003
여기서, 상기 식 (2') 중, R, R', c 및 d 는 상기 식 (2) 중의 것과 동일한 의미이다.
직사슬 구조를 갖는 것으로는, 예를 들어 하기 식 (3) 으로 나타내는 직사슬형 실리콘 화합물을 들 수 있다.
[화학식 4]
Figure pct00004
여기서, 상기 식 (3) 중, R 및 R' 는 상기 식 (1) 중의 것과 동일한 의미이고, R" 는 R 또는 R' 를 나타내고, R, R' (a 가 2 이상인 경우) 및 R" 는 서로 동일해도 되고 상이해도 된다. a 는 1 ∼ 10 의 정수이고, b 는 0 ∼ 8 의 정수이고, a 와 b 의 합은 2 ∼ 10 의 정수이고, 단, a 가 1 인 경우에는 양 말단의 R" 는 R' 를 나타내고, a 가 2 인 경우에는 R" 의 적어도 1 개는 R' 를 나타낸다. 또, 각 반복 단위는 랜덤하게 중합할 수 있다.
상기 식 (3) 중, 바람직하게는 a 는 4 ∼ 8 의 정수이고, b 는 0 ∼ 4 의 정수이고, a 와 b 의 합은 4 ∼ 8 이다.
상기 식 (3) 으로 나타내는 직사슬형 실리콘 화합물 중에서도, 본 발명에 의한 작용 효과를 보다 유효하고 또한 확실하게 발휘하는 관점에서, 하기 식 (3') 로 나타내는 직사슬형 실리콘 화합물이 보다 바람직하다.
[화학식 5]
Figure pct00005
여기서, 상기 식 (3') 중, R, R', R", a 및 b 는 상기 식 (3) 중의 것과 동일한 의미이다.
상기 식 (3) 으로 나타내는 직사슬형 실리콘 화합물 중에서도, 본 발명에 의한 작용 효과를 보다 유효하고 또한 확실하게 발휘하는 관점에서, 하기 식 (4) 로 나타내는 직사슬형 실리콘 화합물이 더욱 바람직하다.
[화학식 6]
Figure pct00006
여기서, 상기 식 (4) 중, R' 는 상기와 동일한 의미이고, e 는 3 ∼ 10 의 정수이다.
상기 식 (4) 중, e 는 3 ∼ 8 의 정수인 것이 바람직하다.
상기 식 (1) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 실리콘 화합물은, 본 발명에 의한 작용 효과를 보다 유효하고 또한 확실하게 발휘하는 관점에서, 하기 식 (5) 로 나타내는 고리형 실리콘 화합물인 것이 또한 더욱 바람직하다.
[화학식 7]
Figure pct00007
여기서, 상기 식 (5) 중, R' 는 상기 식 (1) 중의 것과 동일한 의미이고, f 는 3 ∼ 5 의 정수이다.
상기 식 (5) 중, f 는 4 인 것이 바람직하다.
지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 는, 본 발명에 의한 작용 효과를 보다 유효하고 또한 확실하게 발휘하는 관점에서, 상기 식 (5) 중, f 가 4 인 화합물을 50 질량％ 이상 함유하는 것이 특히 바람직하다.
상기 서술한 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 의 구체예로는,
Figure pct00008
를 들 수 있다.
또, 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 의 다른 구체예로는,
Figure pct00009
를 들 수 있다.
또한, 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 의 또 다른 구체예로는,
Figure pct00010
를 들 수 있다.
또, 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 의 또 다른 구체예로는,
Figure pct00011
를 들 수 있다. 단, 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 는 이들에 특별히 한정되지 않는다. 상기 각 구체예에 있어서, R' 는 상기 식 (1) 중의 것과 동일한 의미이고, R0 은 메타크릴옥시프로필기를 나타낸다. 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 는 1 종을 단독으로 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 서술한 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 는 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 백금 화합물 등의 촉매를 사용하여, 오르가노하이드로젠폴리실록산에 알릴에폭시 화합물 (예를 들어, 4-비닐시클로헥센옥사이드) 을 부가 반응 (하이드로실릴화) 시킴으로써 얻을 수 있다. 또, 상기 서술한 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 로서 시판품을 사용할 수도 있다. 그러한 시판품으로는, 예를 들어, X-40-2670, X-22-163A, X-22-163B, X-22-169AS, X-22-169B, X-41-1053, KF-105 (신에츠 화학 공업 (주) 제조) 가 바람직하게 사용된다.
본 실시형태에 사용되는 수지 조성물에 함유되는 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 중의 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 및 분기형 이미드 수지 (B) 의 합계 100 질량부에 대하여 20 ∼ 80 질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 25 ∼ 75 질량부이다. 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 의 함유량을 이러한 바람직한 범위 내로 함으로써, 얻어지는 수지 시트나 금속박 피복 적층판의 가열 처리나 광 조사 처리에 의한 변색이 보다 억제되어, 반사율의 저하가 보다 더 효과적으로 억제되는 경향이 있다.
본 실시형태에 사용되는 수지 조성물에 함유되는 분기형 이미드 수지 (B) 는, 이미드기와 함께, 이소시아누레이트기 (이소시아누레이트 고리) 및 카르복실기를 갖는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 분기형 이미드 수지 (B) 는, 본 발명의 작용 효과를 보다 유효하고 또한 확실하게 발휘하는 관점에서, 바람직하게는 이소시아누레이트 고리와, 카르복실기를 갖는 복수의 고리형 이미드 부위를 갖고, 이 고리형 이미드 부위가 이소시아누레이트 고리에 다수 결합한 다분기형 이미드 수지이다. 또, 분기형 이미드 수지 (B) 는 지환 구조를 갖는 이미드 수지, 즉, 지환식 이미드 수지 (방향 고리를 갖지 않는 것) 인 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 지환식 이미드 수지로는, 이소시아누레이트 고리와, 그 이소시아누레이트 고리의 각각의 질소 원자에 지방족 고리를 개재하여 결합된 카르복실기를 갖는 복수의 지방족 고리형 이미드 부위를 갖는 다분기형의 지환식 이미드 수지가 예시된다.
이러한 이소시아누레이트 고리 및 카르복실기를 갖는 분기형 이미드 수지 (B) 를, 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A), 이산화티탄 (C) 및 습윤 분산제 (D) 와 함께 수지 조성물에 함유시킴으로써, 수지 시트의 금속박과의 필 강도 및 내열성을 특히 높일 수 있다. 거기에 더하여, 수지 시트의 자외광 영역 및 가시광 영역의 광 반사율을 특히 높일 수 있어, 가열 처리 및 광 조사 처리에 의한 광 반사율의 저하가 현저하게 억제되는 경향이 있다.
상기의 분기형 이미드 수지 (B) 로는, 예를 들어 하기 식 (6) 으로 나타내는 것이 바람직하다.
[화학식 8]
Figure pct00012
여기서, 상기 식 (6) 중, 복수의 R1 은 각각 독립적으로 2 가의 지환족기를 나타내고, 복수의 R2 는 각각 독립적으로 3 가의 지환족기를 나타내고, m 은 1 ∼ 10 의 정수이다.
분기형 이미드 수지 (B) 가 식 (6) 으로 나타내는 것인 경우, 그 중량 평균 분자량 (Mw) 은 2000 ∼ 35000 인 것이 바람직하고, 2000 ∼ 10000 인 것이 보다 바람직하다.
상기 식 (6) 중, R1 로 나타내는 지환족기는 바람직하게는 포화 지방족 고리를 갖고, 바람직하게는 탄소수가 6 ∼ 20 인 2 가의 기이다. 그 지환족기는 원료의 지환식 디아민 또는 지환식 디이소시아네이트의 잔기이다. 지환식 디아민으로는, 예를 들어, 4,4'-디아미노-디시클로헥실메탄, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노-디시클로헥실메탄, 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노-디시클로헥실메탄, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디아미노-디시클로헥실메탄, 3,3',5,5'-테트라에틸-4,4'-디아미노-디시클로헥실메탄, 3,5-디에틸-3',5'-디메틸-4,4'-디아미노디시클로헥실메탄, 1,4-시클로헥산디아민, 1,3-시클로헥산디아민, 이소포론디아민, 2,2-비스[4-(4-아미노시클로헥실옥시)시클로헥실]프로판, 비스[4-(3-아미노시클로헥실옥시)시클로헥실]술폰, 비스[4-(4-아미노시클로헥실옥시)시클로헥실]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노시클로헥실옥시)시클로헥실]헥사플루오로프로판, 비스[4-(4-아미노시클로헥실옥시)시클로헥실]메탄, 4,4'-비스(4-아미노시클로헥실옥시)디시클로헥실, 비스[4-(4-아미노시클로헥실옥시)시클로헥실]에테르, 비스[4-(4-아미노시클로헥실옥시)시클로헥실]케톤, 1,3-비스(4-아미노시클로헥실옥시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노시클로헥실옥시)벤젠, (4,4'-디아미노)디시클로헥실에테르, (4,4'-디아미노)디시클로헥실술폰, (4,4'-디아미노시클로헥실)케톤, (3,3'-디아미노)벤조페논, 2,2'-디메틸비시클로헥실-4,4'-디아민, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)디시클로헥실-4,4'-디아민, 5,5'-디메틸-2,2'-술포닐디시클로헥실-4,4'-디아민, 3,3'-디하이드록시디시클로헥실-4,4'-디아민, (4,4'-디아미노)디시클로헥실메탄, (4,4'-디아미노)디시클로헥실에테르, (3,3'-디아미노)디시클로헥실에테르, 2,2-비스(4-아미노시클로헥실)프로판을 들 수 있다. 단, 지환식 디아민은 이들에 한정되지 않는다. 또, 지환식 디이소시아네이트로는, 예를 들어, 상기의 지환식 디아민의 아미노기를 이소시아네이트기로 치환한 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
상기 식 (6) 중, R2 로 나타내는 지환족기는 바람직하게는 포화 지방족 고리를 갖고, 바람직하게는 탄소수가 6 ∼ 20 인 3 가의 지방족기이다. 그 지환족기는 원료의 지환식 트리카르복실산 또는 무수물의 잔기이다. 지환식 트리카르복실산으로는, 예를 들어, 시클로헥산-1,2,3-트리카르복실산, 시클로헥산-1,2,4-트리카르복실산, 시클로헥산-1,3,5-트리카르복실산, 5-메틸시클로헥산-1,2,4-트리카르복실산, 6-메틸시클로헥산-1,2,4-트리카르복실산, 3-메틸시클로헥산-1,2,4-트리카르복실산을 들 수 있다. 지환식 트리카르복실산은 이들에 한정되지 않는다.
상기의 분기형 이미드 수지 (B) 의 산가는, 유기 용제에 대한 용해성이나 경화 특성 등의 관점에서, 고형분 환산으로 10 ∼ 200 ㎎KOH/g 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 ∼ 100 ㎎KOH/g 이다. 또한, 본 명세서에 있어서, 산가는 JIS K 0070 에 준거하여 0.1 ㏖/ℓ 수산화칼륨 수용액의 적정에 의해 측정된다.
분기형 이미드 수지 (B) 는, 이소시아누레이트기 및 카르복실기를 갖는 분기형 이미드 수지를, 에폭시 화합물, 알코올 화합물 및 아민 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물과 반응시켜 얻어지는 변성 분기형 이미드 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 분기형 이미드 수지 (B) 의 분자 구조 중의 카르복실기는 경화 반응에 있어서 경화 촉진 기능을 갖지만, 상기 변성 분기형 이미드 수지는 카르복실기의 경화 촉진능을 적당히 제어할 수 있다.
변성 분기형 이미드 수지에 있어서, 카르복실기가 변성된 정도는 산가에 의해 측정할 수 있다. 그 산가로는, 10 ∼ 200 ㎎KOH/g 인 것이 이후에 서술하는 인계 경화 촉진제 (E) 에 의해 경화 촉진능을 조정하는 데에 있어서 바람직하다.
분기형 이미드 수지 (B) 는 통상적인 방법에 의해 합성한 것을 사용해도 되고, 시판되고 있는 것을 사용해도 된다. 시판품으로서 구체적으로는, 상기 식 (6) 으로 나타내는 분기형 이미드 수지 (상품명 : V-8002 (DIC (주) 제조)), 그 분기형 이미드 수지를 에폭시 변성한 것 (상품명 : ELG-941 (DIC (주) 제조)), 그 분기형 이미드 수지를 아민 변성한 것 (상품명 : ELG-1301 (DIC (주) 제조)), 그 분기형 이미드 수지를 알코올 변성한 것 (상품명 : ELG-1302 (DIC (주) 제조)) 을 들 수 있다.
분기형 이미드 수지 (B) 는 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
본 실시형태의 수지 시트는, LED 실장용 프린트 배선판에 사용하면 유용하다는 관점에서, 백색인 것이 바람직하다. 본 실시형태에 사용되는 수지 조성물은 본 실시형태의 수지 시트를 백색으로 하거나 또는 백색에 근접시키기 위한 무기 충전재로서 이산화티탄 (C) 를 함유한다. 자외광 영역 및 가시광 영역에 있어서의 광 반사율을 보다 높이는 관점에서, 결정 구조가 루틸형 또는 아나타제형인 이산화티탄이 바람직하다.
이산화티탄 (C) 의 평균 입자직경 (D50) 은 특별히 한정되지 않지만, 5 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5 ㎛ 이하이다. 이산화티탄 (C) 는 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 입도 분포나 평균 입자직경이 상이한 복수종의 이산화티탄을 적절히 조합하여 사용할 수도 있다. 본 명세서에 있어서, 평균 입자직경 (D50) 은 메디안 직경을 의미하고, 측정한 분체의 입도 분포를 2 개로 나누었을 때의 큰 쪽과 작은 쪽이 등량이 되는 직경이다. 보다 구체적으로는, 본 명세서 중에 있어서의 평균 입자직경 (D50) 은, 레이저 회절 산란식의 입도 분포 측정 장치에 의해, 메틸에틸케톤 중에 분산시킨 분체의 입도 분포를 측정했을 때의 작은 입자로부터 체적 적산하여 전체 체적의 50 ％ 에 이르렀을 때의 값을 의미한다.
여기서, 자외광 영역 및 가시광 영역에 있어서의 광 반사율을 보다 더 높이는 관점에서, 이산화티탄 (C) 는 SiO2 (실리카), Al2O3 (알루미나), ZrO2 (지르코니아) 및 ZnO (산화아연) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 산화물로 표면 처리된 것이 바람직하다. 바꾸어 말하면, 이산화티탄 (C) 의 입자가 SiO2, Al2O3, ZrO2 및 ZnO 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 산화물을 함유하는 피복층으로 피복된 것이 바람직하다. 동일한 관점에서, 또한, 이산화티탄 (C) 는, SiO2, Al2O3, ZrO2 및 ZnO 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 산화물로 표면 처리된 후, 추가로 폴리올 처리, 실란 커플링제 처리 및 아민 처리로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상이 처리가 실시된 것이면 바람직하다. 바꾸어 말하면, 이산화티탄 (C) 의 입자가 SiO2, Al2O3, ZrO2 및 ZnO 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 산화물을 함유하고, 폴리올 처리, 실란 커플링제 처리 및 아민 처리로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 처리가 실시된 피복층으로 피복된 것이 보다 바람직하다.
상기의 표면 처리된 이산화티탄 (C) 를 사용하는 경우, 그 이산화티탄 (C) 는 SiO2, Al2O3, ZrO2 및 ZnO 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 산화물로 표면 처리된 것이고, 상기 산화물을 표면 처리된 이산화티탄의 총량 100 질량부에 대하여 0.5 ∼ 15 질량부 함유하는 것이 바람직하다. 또, 보다 바람직하게는 이산화티탄 (C) 는 상기 산화물을 표면 처리된 이산화티탄의 총량 100 질량부에 대하여 1 ∼ 11 질량부 함유하는 것이다. 표면 처리량을 이러한 바람직한 범위 내로 함으로써, 자외광 영역 및 가시광 영역에 있어서의 수지 시트의 광 반사율을 과도하게 저하시키지 않고, 가열 처리나 광 조사 처리에 의한 변색이 보다 억제되어, 광 반사율의 저하가 더욱 억제되는 경향이 있다. 또, 이산화티탄 (C) 는 표면 처리된 이산화티탄 (C) 의 총량 100 질량부에 대하여 3 ∼ 11 질량부의 SiO2, 및 1 ∼ 3 질량부의 Al2O3 으로 표면 처리된 것이 보다 바람직하다.
본 실시형태에 사용되는 수지 조성물에 함유되는 이산화티탄 (C) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 및 분기형 이미드 수지 (B) 의 합계 100 질량부에 대하여 10 ∼ 300 질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50 ∼ 250 질량부이다. 이산화티탄 (C) 의 함유량을 이러한 바람직한 범위 내로 함으로써, 자외광 영역 및 가시광 영역에 있어서의 수지 시트의 광 반사율을 과도하게 저하시키지 않고, 얻어지는 금속박 피복 적층판의 특성이나 가공성의 향상이 보다 용이해지는 경향이 있다. 구체적으로는, 프린트 배선판이나 칩 LED 의 제조시의 반송 등에서의 균열이나 결손의 발생이 억제된다. 나아가서는, 프린트 배선판에 있어서의 메커니컬 드릴 가공이나 칩 LED 에 있어서의 다이싱 가공에 있어서, 드릴 비트나 다이싱 블레이드가 파손되거나, 가공 자체를 할 수 없다는 문제의 발생이 억제되는 경향이 있다.
본 실시형태에 사용되는 수지 조성물에 함유되는 습윤 분산제 (D) 는, 특히, 수지 조성물 중의 수지와 이산화티탄 (C) 의 분산성을 양호하게 함으로써, 수지 시트의 자외광 영역 및 가시광 영역의 광 반사율을 높여, 가열 처리 및 광 조사 처리에 의한 광 반사율의 저하를 억제하는 것이다. 습윤 분산제 (D) 로는 특별히 한정되지 않지만, 도료용으로 사용되고 있는 분산 안정제를 바람직하게 사용할 수 있다. 습윤 분산제 (D) 는, 본 발명의 작용 효과를 보다 유효하고 또한 확실하게 발휘하는 관점에서, 특히, 산기를 갖는 고분자 습윤 분산제인 것이 바람직하다. 또, 동일한 관점에서, 습윤 분산제 (D) 의 산가는 20 ∼ 200 ㎎KOH/g 이면 바람직하다. 나아가서는, 습분 분산제 (D) 가 산가가 20 ∼ 200 ㎎KOH/g 인 고분자 습윤 분산제인 것이 보다 바람직하다. 그 구체예로는, 빅케미·재팬 (주) 제조의 고분자 습윤 분산제, 예를 들어, BYK-W161, BYK-W903, BYK-W940, BYK-W996, BYK-W9010, Disper-BYK110, Disper-BYK111, Disper-BYK180 (이상, 상품명) 을 들 수 있다. 단, 습윤 분산제 (D) 는 이들에 한정되지 않는다. 습윤 분산제 (D) 는 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태에 사용되는 수지 조성물에 함유되는 습윤 분산제 (D) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 및 분기형 이미드 수지 (B) 의 합계 100 질량부에 대하여 0.05 ∼ 10 질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 4.0 질량부, 더욱 바람직하게는 0.5 ∼ 3.0 질량부이다. 습윤 분산제 (D) 의 함유량을 이러한 바람직한 범위 내로 함으로써, 수지 시트의 내열성을 보다 높일 수 있음과 함께, 수지 조성물 중의 수지와 이산화티탄 (C) 의 분산성을 보다 높일 수 있어, 성형 불균일이 억제되는 경향이 있다.
본 실시형태에 사용되는 수지 조성물에 함유될 수 있는 인계 경화 촉진제 (E) 는, 특히 본 실시형태에 사용되는 수지 조성물의 경화를 촉진함으로써, 수지 시트의 자외광 영역 및 가시광 영역의 광 반사율을 높여, 가열 처리 및 광 조사 처리에 의한 광 반사율의 저하를 억제하는 것이다. 인계 경화 촉진제 (E) 는 경화 촉진능을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 인계 경화 촉진제 (E) 로는, 예를 들어, 메틸트리부틸포스포늄디메틸포스페이트 (상품명 : PX-4MP (닛폰 화학 공업 (주) 제조)), 부틸포스포늄디에틸포스포디티오네이트 (상품명 : PX-4ET (닛폰 화학 공업 (주) 제조)), 테트라부틸포스포늄테트라플루오로보레이트 (상품명 : PX-4FB (닛폰 화학 공업 (주) 제조)), 트리페닐포스핀 (도쿄 화성 공업 (주) 제조), 인 함유 시안산에스테르 (상품명 : FR-300 (Lonza (주) 제조)) 를 들 수 있다. 인계 경화 촉진제 (E) 는 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
그 중에서도 메틸트리부틸포스포늄디메틸포스페이트가 가열 처리·광 조사 처리에 의한 수지 시트의 내변색성의 저하를 억제하고, 유리 전이 온도를 향상시킬 수 있는 관점에서 바람직하다.
본 실시형태에 사용되는 수지 조성물에 함유될 수 있는 인계 경화 촉진제 (E) 의 함유량은 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 및 분기형 이미드 수지 (B) 의 합계 100 질량부에 대하여 0.1 ∼ 10 질량부이면 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 8 질량부이다. 인계 효과 촉진제 (E) 의 함유량이 이 범위 내임으로써, 얻어진 구리 피복 적층판의 가열 처리·광 조사 처리에 의한 내변색성의 저하가 억제되고, 수지 시트의 유리 전이 온도를 향상시킬 수 있다.
본 실시형태에 사용되는 수지 조성물에 함유될 수 있는 에폭시 고리를 1 개 이상 갖는 에폭시 단량체 (F) ((A) 성분을 제외한다) 는 1 개 이상의 에폭시 구조를 갖는 단량체이면 특별히 한정되지 않는다. 그러한 (F) 성분으로는, 내열 및 내광변색성이 보다 우수한 관점에서, 1 개의 분자 중에 에폭시 고리를 1 개 또는 2 개 갖는 에폭시 단량체가 바람직하다.
이러한 에폭시 단량체 (F) 를, 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A), 분기형 이미드 수지 (B), 이산화티탄 (C) 및 습윤 분산제 (D) 와 함께 사용함으로써, 수지 조성물의 용융 점도의 저감에 의한 금속박 피복 적층판의 성형성 향상뿐만 아니라, 수지 시트와 금속박의 필 강도를 보다 더 높일 수 있는 경향이 있다.
에폭시 고리를 1 개 이상 갖는 에폭시 단량체 (F) 는 구체적으로는 하기 식 (7), 하기 식 (8) 로 나타내는 것을 들 수 있다. (F) 성분은 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
[화학식 9]
Figure pct00013
[화학식 10]
Figure pct00014
에폭시 고리를 1 개 이상 갖는 에폭시 단량체 (F) 로서 시판품을 사용할 수도 있다. 상기 식 (7) 로 나타내는 것으로는, 예를 들어 DA-MGIC (상품명, 시코쿠 화성 (주) 제조) 를 들 수 있고, 상기 식 (8) 로 나타내는 것으로는, 예를 들어 셀록사이드 2021P (상품명, 다이셀 화학 공업 (주) 제조) 를 들 수 있다.
본 실시형태에 사용되는 수지 조성물에 함유되는 에폭시 고리를 1 개 이상 갖는 에폭시 단량체 (F) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 및 분기형 이미드 수지 (B) 의 합계 100 질량부에 대하여 0.5 ∼ 10 질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 ∼ 10 량부이다. 에폭시 고리를 1 개 이상 갖는 에폭시 단량체 (F) 의 함유량을 이러한 바람직한 범위 내로 함으로써, 얻어지는 금속박 피복 적층판의 가열 처리나 광 조사 처리에 의한 변색에 기초한 반사율의 저하를 억제할 수 있다. 또, 수지 조성물의 용융 점도의 저감에 의한 금속박 피복 적층판의 성형성을 향상시킬 수 있음과 함께, 수지 시트의 금속박과의 필 강도를 보다 더 높일 수 있는 경향이 있다.
본 실시형태에 사용되는 수지 조성물에는, 상기 이외의 에폭시 수지를 함유시킬 수도 있다. 이들 에폭시 수지로는, 비스페놀 E 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 비스페놀 S 형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 3 관능 페놀형 에폭시 수지, 4 관능 페놀형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 페놀아르알킬형 에폭시 수지, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지, 나프톨아르알킬형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 이소시아누레이트 고리 함유 에폭시 및 이들의 할로겐화물이 예시된다. 이러한 에폭시 수지는 1 종 또는 2 종류 이상을 적절히 혼합하여 사용할 수도 있다.
또한 추가로 본 실시형태에 사용되는 수지 조성물은, 상기 서술한 이산화티탄 (C) 이외에, 다른 무기 충전재를 함유하고 있어도 된다. 다른 무기 충전재로는, 예를 들어, 천연 실리카, 합성 실리카, 용융 실리카, 아모르퍼스 실리카, 중공 실리카 등의 실리카류, 베이마이트, 산화몰리브덴, 몰리브덴산아연 등의 몰리브덴 화합물, 붕산아연, 주석산아연, 알루미나, 산화아연, 산화마그네슘, 산화지르코늄, 수산화알루미늄, 질화붕소, 클레이, 카올린, 탤크, 소성 클레이, 소성 카올린, 소성 탤크, 마이카, 유리 단섬유 (E 유리나 T 유리, D 유리, S 유리, Q 유리 등의 유리 미분말류를 포함한다), 중공 유리, 구상 유리를 들 수 있다. 단, 다른 무기 충전재는 이들에 한정되지 않는다. 이들 중에서도, 수지 시트의 광 반사율을 과도하게 저하시키지 않는 것, 및 열팽창률 등의 적층판 특성을 높이는 관점에서, 다른 무기 충전재로서 실리카류를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 여기서 예시한 다른 무기 충전재는 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
또, 이들 다른 무기 충전재의 평균 입자직경 (D50) 은 특별히 한정되지 않지만, 분산성을 고려하면, 평균 입자직경 (D50) 이 0.2 ∼ 5 ㎛ 인 것이 바람직하다. 수지 조성물에 있어서의 이들 다른 무기 충전재의 함유량은 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 및 분기형 이미드 수지 (B) 의 합계 100 질량부에 대하여 300 질량부 이하이면 바람직하고, 보다 바람직하게는 250 질량부 이하이다. 또한, 그 함유량의 하한은 특별히 한정되지 않고, 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 및 분기형 이미드 수지 (B) 의 합계 100 질량부에 대하여 0 질량부를 초과하면 된다.
본 실시형태에 사용되는 수지 조성물은, 필요에 따라, 인계 경화 촉진제 (E) 이외의 다른 경화 촉진제를 추가로 함유하는 것이 가능하다. 이러한 다른 경화 촉진제는 공지된 것이어도 되고, 일반적으로 사용되고 있는 것이어도 되고, 특별히 한정되지 않는다. 다른 경화 촉진제로는, 예를 들어, 구리, 아연, 코발트, 니켈 등의 금속의 유기 금속염류, 이미다졸류 및 그 유도체, 그리고 제 3 급 아민을 들 수 있다. 다른 경화 촉진제는 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
또, 본 실시형태에 사용되는 수지 조성물은, 소기의 특성이 저해되지 않는 범위에 있어서, 상기 이외의 성분을 함유하고 있어도 된다. 이와 같은 상기 이외의 임의의 배합물로는, 예를 들어, 상기 이외의 열경화성 수지, 열가소성 수지 및 그 올리고머, 엘라스토머류 등의 여러 가지 고분자 화합물, 난연성 화합물, 각종 첨가제를 들 수 있다. 이들은 특별히 한정되는 것은 아니며, 당업계에서 일반적으로 사용되고 있는 것이어도 된다. 예를 들어, 난연성의 화합물의 구체예로는, 멜라민이나 벤조구아나민 등의 질소 함유 화합물, 옥사진 고리 함유 화합물을 들 수 있다. 첨가제의 구체예로는, 자외선 흡수제, 산화 방지제, 광 중합 개시제, 형광 증백제, 광 증감제, 염료, 안료, 증점제, 활제, 소포제, 분산제, 레벨링제, 광택제, 중합 금지제, 실란 커플링제를 들 수 있다. 이들 임의의 배합물은 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 사용되는 수지 조성물은 필요에 따라 용제를 함유하고 있어도 된다. 예를 들어, 유기 용제를 사용하면, 수지 조성물의 조제시의 점도를 낮출 수 있으므로 핸들링성이 향상된다. 용제의 종류는 전술한 (A) 및 (B) 성분의 혼합물을 용해 또는 상용 가능한 것이면 특별히 한정되지 않는다. 그 구체예로는, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류, 벤젠, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류, 디메틸포름아미드나 디메틸아세트아미드 등의 아미드류, 프로필렌글리콜메틸에테르 및 그 아세테이트를 들 수 있다. 단, 용제는 이들에 특별히 한정되지 않는다. 용제는 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태에 사용되는 수지 조성물은 통상적인 방법에 따라 조제할 수 있다. 상기 서술한 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A), 분기형 이미드 수지 (B), 이산화티탄 (C) 및 습윤 분산제 (D), 그리고 상기 서술한 그 밖의 임의 성분을 함유하는 수지 조성물이 얻어지는 방법이면, 그 조제 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 에폭시 수지, 분기형 이미드 수지, 이산화티탄 및 습윤 분산제를 순차 용제에 배합하고, 충분히 교반함으로써, 본 실시형태의 수지 조성물을 용이하게, 또한 각 성분이 균일하게 혼합된 상태로 조제할 수 있다.
수지 조성물의 조제시에 필요에 따라 유기 용제를 사용할 수 있다. 유기 용제의 종류는 에폭시 변성 실리콘 수지 (A) 및 분기형 이미드 수지 (B) 의 혼합물을 용해 또는 상용 가능한 것이면 특별히 한정되지 않는다. 그 구체예는 상기 서술한 바와 같다.
또한, 수지 조성물의 조제시에 각 성분을 균일하게 용해 또는 분산시키기 위한 공지된 처리 (교반, 혼합, 혼련 처리 등) 를 실시할 수 있다. 예를 들어, 이산화티탄 (C) 의 수지 조성물에 대한 교반 분산 방법으로는, 적절한 교반 능력을 갖는 교반기를 부설한 교반조를 사용하여 교반 분산 처리를 실시함으로써, 수지 조성물에 대한 분산성을 높일 수 있다. 상기의 교반, 혼합, 혼련 처리는, 예를 들어, 볼 밀, 비즈 밀 등의 혼합을 목적으로 한 장치, 또는 공전·자전형의 혼합 장치 등의 공지된 장치를 사용하여 적절히 실시할 수 있다.
본 실시형태에 있어서의 지지체가 부착된 수지 시트는 예를 들어 상기의 수지 조성물을 지지체에 첨착하여 건조시킴으로써 얻어진다. 또, 본 실시형태의 수지 시트는 상기 서술한 바와 같이 하여 지지체 상에 형성된다. 이렇게 하여 얻어진 수지 시트는 상기 수지 조성물로 이루어지는 층을 구비하는 것이다. 또한, 필요에 따라, 상기 건조 후에, 지지체를 수지 시트로부터 박리 또는 에칭해도 된다.
상기 지지체로는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리우레탄, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리메틸펜텐, 및 폴리부틸렌테레프탈레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 수지를 함유하는 필름, 그리고 이들 필름의 표면에 이형제를 도포한 이형 필름, 폴리이미드 필름 등의 유기 필름, 알루미늄박 및 구리박 등의 도체박을 들 수 있다. 이들 중에서도, 특히 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 및 구리박이 바람직하다. 또, 지지체의 두께는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 0.002 ∼ 0.1 ㎜ 이어도 된다.
지지체에 상기 수지 조성물을 첨착하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 도포하는 방법을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 수지 조성물을 바 코터, 다이 코터, 독터 블레이드, 베이커 애플리케이터 등을 사용하여 지지체 상에 도포하는 방법을 들 수 있다.
건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 20 ∼ 200 ℃ 의 온도에서 1 ∼ 90 분간 건조시키는 것이 바람직하다. 20 ℃ 이상의 온도에서 건조시킴으로써, 수지 조성물 중에서의 경휘발분의 잔존을 보다 억제할 수 있고, 200 ℃ 이하의 온도에서 건조시킴으로써, 수지 조성물의 경화의 급격한 진행을 방지할 수 있다.
수지 조성물로 이루어지는 층 (이하, 간단히 「수지층」 이라고도 한다) 의 두께는 수지 조성물의 농도와 첨착 (도포) 의 두께에 따라 조제할 수 있다. 첨착한 수지 조성물의 건조시에 경휘발분을 보다 양호하게 제거하는 관점, 및 수지 시트로서의 기능을 보다 유효하고 또한 확실하게 발휘하는 관점에서, 수지층의 두께는 0.1 ∼ 500 ㎛ 인 것이 바람직하다.
또, 본 실시형태의 적층판은 상기 서술한 지지체가 부착된 수지 시트의 수지층을 지지체로부터 박리하고, 원하는 바에 따라, 그 수지층을 다른 수지층 또는 금속층에 적어도 1 장 이상 중첩하여, 적층 성형함으로써 얻을 수 있다.
또한, 본 실시형태의 금속박 피복 적층판은 상기의 수지 시트의 편면 또는 양면에 금속박을 배치하고, 적층 성형함으로써 얻을 수 있다.
여기서 사용하는 금속박은 프린트 배선판 재료에 사용될 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 압연 구리박이나 전해 구리박 등의 공지된 구리박을 사용할 수 있다. 또, 금속박의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 2 ∼ 70 ㎛ 가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 ∼ 35 ㎛ 이다. 금속박 피복 적층판의 성형 방법 및 그 성형 조건에 대해서도 특별히 한정되지 않고, 일반적인 프린트 배선판용 적층판 및 다층판의 수법 및 조건을 적용할 수 있다. 예를 들어, 금속박 피복 적층판의 성형시에는 다단 프레스기, 다단 진공 프레스기, 연속 성형기, 오토클레이브 성형기 등을 사용할 수 있다. 또, 성형시의 온도는 100 ∼ 300 ℃, 압력은 면압 2 ∼ 100 ㎏f/㎠, 가열 시간은 0.05 ∼ 5 시간의 범위가 일반적이다. 또한 필요에 따라, 150 ∼ 300 ℃ 의 온도에서 수지 시트 후에 경화를 실시할 수도 있다.
또, 본 실시형태의 수지 시트를 구비하는 적층판 및 금속박 피복 적층판과, 별도로 제조한 내층용의 배선판을 조합하여 적층 성형함으로써, 다층판으로 할 수도 있다.
본 실시형태의 금속박 피복 적층판은, 거기에 소정의 배선 패턴을 형성함으로써, 프린트 배선판으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 그리고, 본 실시형태의 금속박 피복 적층판은 내열성이 우수할뿐만 아니라, 자외광 영역 및 가시광 영역에 있어서 광 반사율이 높고, 또, 가열 처리 및 광 조사 처리에 의한 광 반사율의 저하가 적다. 그 때문에, 본 실시형태의 금속박 피복 적층판은 그러한 성능이 요구되는 프린트 배선판, 특히 LED 실장용의 프린트 배선판으로서 특히 유효하게 사용할 수 있다.
실시예
이하, 조제예, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
하기 식 (10) 으로 나타내는 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (상품명 : X-40-2670 (신에츠 화학 공업 (주) 제조)) 55 질량부, 분기형 이미드 수지 (상품명 : V-8002 (산가 127 ㎎KOH/g), DIC (주) 제조) 45 질량부, 표면 처리된 이산화티탄 (상품명 : CR90 (표면 처리된 이산화티탄의 합계 100 질량부에 대하여 1 ∼ 5 질량부의 SiO2 및 1 ∼ 3 질량부의 Al2O3 처리로 표면 처리된 것), 이시하라 산업 (주) 제조) 200 질량부, 습윤 분산제 (상품명 : BYK-W903, 빅케미·재팬 (주) 제조) 1.75 질량부, 및 실란 커플링제 (상품명 : Z6040, 토레·다우코닝 (주) 제조)) 3 질량부를 호모믹서로 교반 혼합하여 바니시를 얻었다. 이 바니시를 메틸에틸케톤으로 희석시키고, 두께 0.05 ㎜ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 도포하고, 150 ℃ 에서 2 분간 가열하여, 수지층의 두께가 50 ㎛ 인 수지층이 부착된 지지체를 얻었다. 다음으로, 이 수지층이 부착된 지지체의 수지층을 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로부터 박리하고, 양면 구리 피복 적층판 (상품명」HL832NS, 미츠비시 가스 화학 (주) 제조) 의 양면의 구리박을 에칭하여 제거한 것 (두께 : 0.8 ㎜) 의 상면에 1 장 중첩하고, 그 위에 12 ㎛ 의 전해 구리박 (상품명 : JTC-LPZ 박, (주) 닛코 머티리얼즈 제조) 을 배치하여 적층체를 얻었다. 그 적층체를, 온도 220 ℃, 면압 30 ㎏f/㎠, 30 ㎜Hg 이하의 진공하에서 150 분간, 진공 프레스기를 사용하여 적층 방향으로 가압 성형하여, 두께 0.85 ㎜ 의 구리 피복 적층판을 얻었다.
[화학식 11]
Figure pct00015
(실시예 2)
분기형 이미드 수지 45 질량부 대신에 에폭시 변성 분기형 이미드 수지 (상품명 : ELG-941 (산가 32 ㎎KOH/g)) 45 질량부를 사용하고, 인계 경화 촉진제로서 메틸트리부틸포스포늄디메틸포스페이트 (상품명 : PX-4MP (닛폰 화학 공업 (주) 제조)) 5 질량부를 추가로 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 두께 0.85 ㎜ 의 구리 피복 적층판을 얻었다.
(실시예 3)
분기형 이미드 수지 45 질량부 대신에 알코올 변성 분기형 이미드 수지 (상품명 : ELG-1302 (산가 160 ㎎KOH/g)) 20 질량부를 사용하고, 인계 경화 촉진제로서 메틸트리부틸포스포늄디메틸포스페이트 (상품명 : PX-4MP (닛폰 화학 공업 (주) 제조)) 5 질량부를 추가로 사용하고, 에폭시 수지로서 2,2-비스(하이드록시메틸)-1-부탄올의 1,2-에폭시-4-(2-옥시라닐)시클로헥산 부가물 (상품명 : EHPE-3150 (다이셀 화학 공업 (주) 제조)) 20 질량부를 추가로 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 두께 0.85 ㎜ 의 구리 피복 적층판을 얻었다.
(실시예 4)
분기형 이미드 수지 45 질량부 대신에 알코올 변성 분기형 이미드 수지 (상품명 : ELG-1302 (산가 160 ㎎KOH/g)) 20 질량부를 사용하고, 인계 경화 촉진제로서 메틸트리부틸포스포늄디메틸포스페이트 (상품명 : PX-4MP (닛폰 화학 공업 (주) 제조)) 5 질량부를 추가로 사용하고, 에폭시 수지로서 2,2-비스(하이드록시메틸)-1-부탄올의 1,2-에폭시-4-(2-옥시라닐)시클로헥산 부가물 (상품명 : EHPE-3150 (다이셀 화학 공업 (주) 제조)) 20 질량부를 추가로 사용하고, 에폭시 단량체로서 디알릴모노글리시딜이소시아네이트 (상품명 : DA-MGIC (시코쿠 화성 공업 (주) 제조)) 5 질량부를 추가로 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 두께 0.85 ㎜ 의 구리 피복 적층판을 얻었다.
(비교예 1)
지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물의 함유량을 55 질량부로부터 58 질량부로 바꾸고, 분기형 이미드 수지를 사용하지 않고, 시아네이트 화합물 (상품명 : CA210, 미츠비시 가스 화학 (주) 제조) 42 질량부를 추가로 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 두께 0.85 ㎜ 의 구리 피복 적층판을 얻었다.
(비교예 2)
지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물의 함유량을 55 질량부로부터 78 질량부로 바꾸고, 분기형 이미드 수지를 사용하지 않고, 페놀 화합물 (상품명 : TD2090, DIC (주) 제조) 22 질량부를 추가로 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 두께 0.85 ㎜ 의 구리 피복 적층판을 얻었다.
(비교예 3)
지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물의 함유량을 55 질량부로부터 90 질량부로 바꾸고, 분기형 이미드 수지를 사용하지 않고, 산무수물 (상품명 : H-TMAn, 미츠비시 가스 화학 (주) 제조) 10 질량부를 추가로 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 두께 0.85 ㎜ 의 구리 피복 적층판을 얻었다.
얻어진 구리 피복 적층판을 사용하여, 반사율, 가열 후 반사율, 가열·광 처리 후 반사율, 필 강도, 내열성, 및 흡습 땜납 내열성의 평가를 실시하였다.
(측정 방법)
1) 반사율
구리 피복 적층판을 다이싱소로 사이즈 50 × 50 ㎜ 의 사각형으로 잘라낸 것을 5 장 준비하고, 표면의 구리박을 에칭에 의해 제거하여 측정용 샘플을 얻었다. 이 측정용 샘플을, JIS Z-8722 에 기초하여 분광 측색계 (코니카 미놀타 홀딩스 (주) 제조, 상품명 : CM3610d) 를 사용하여, 457 ㎚ 에서의 반사율을 측정하고, 5 장의 상가 평균치를 구하였다.
2) 가열 후 반사율
상기 1) 로 얻어진 샘플을 180 ℃ 의 열풍 건조기로 24 시간 가열 처리하였다. 그 후, 상기 반사율의 측정과 동일하게 하여 반사율을 측정하고, 5 장의 상가 평균치를 구하였다.
3) 가열·광 조사 후 반사율
상기 1) 로 얻어진 샘플을 180 ℃ 의 핫 플레이트 상에 재치 (載置) 하고, 내후 시험기 건조기 (상품명 : SUV-F11, 이와사키 전기 (주) 제조) 를 사용하여, 자외선 (파장 : 295 ∼ 450 ㎚) 조사도 100 mW/㎠ 의 조건으로 24 시간 가열하면서 광 조사하였다. 그 후, 상기 반사율의 측정과 동일하게 하여 반사율을 측정하고, 5 장의 상가 평균치를 구하였다.
4) 필 강도
구리 피복 적층판을 다이싱소로 사이즈 10 × 100 ㎜ 의 사각형으로 잘라낸 것을 5 장 준비하고, 표면의 구리박을 남긴 측정용 샘플을 얻었다. 이 측정용 샘플에 대해, 오토 그래프 ((주) 시마즈 제작소 제조, 상품명 : AG-IS) 를 사용하여, 구리박의 박리 강도를 측정하고, 5 장의 상가 평균치를 구하였다.
5) 내열성
구리 피복 적층판을 다이싱소로 사이즈 50 ㎜ × 50 ㎜ 의 사각형으로 잘라낸 것을 3 장 준비하고, 표면의 구리박을 남긴 측정용 샘플을 얻었다. 이 측정용 샘플을 288 ℃ 의 땜납조 중에 30 분간 침지시킨 후의 외관 변화를 육안으로 관찰하고, 3 장 중, 팽윤의 발생이 관찰된 장수를 세었다. 1 장도 팽윤의 발생이 관찰되지 않았던 경우를 「A」, 1 장이라도 팽윤의 발생이 관찰되었을 경우를 「B」 로 평가하였다.
6) 흡습 땜납 내열성
구리 피복 적층판을 다이싱소로 사이즈 50 ㎜ × 50 ㎜ 의 사각형으로 잘라낸 것을 3 장 준비하고, 표면의 구리박의 1/2 를 에칭에 의해 제거하여 측정용 샘플을 얻었다. 이 측정용 샘플을 PCT (120 ℃／2 기압) 로 3 시간 흡습하였다. 또한, 260 ℃ 의 땜납조 중에 1 분간 침지시킨 후의 외관 변화를 육안으로 관찰하고, 3 장 중, 팽윤의 발생이 관찰된 장수를 세었다. 1 장도 팽윤의 발생이 관찰되지 않았던 경우를 「A」, 1 장이라도 팽윤의 발생이 관찰되었을 경우를 「B」 로 평가하였다.
평가 결과를 표 1, 2 에 나타낸다.
Figure pct00016
Figure pct00017
본 출원은 2012년 8월 16일 출원의 일본 특허출원 (일본 특허출원 2012-180496) 에 기초하는 것이며, 그 내용은 여기에 참조로서 받아들여진다.
산업상 이용가능성
본 발명의 수지 시트 등을 사용한 프린트 배선판은 광 반사율이 높고, 또, 가열 처리·광 조사 처리에 의한 광 반사율의 저하가 적고, 내열성이 우수한 점에서, 프린트 배선판 등, 특히 LED 실장용 프린트 배선판 등에 바람직하고, 공업적인 실용성은 매우 높은 것이다.

Claims (18)

  1. 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 와, 이소시아누레이트기 및 카르복실기를 갖는 분기형 이미드 수지 (B) 와, 이산화티탄 (C) 와, 습윤 분산제 (D) 를 함유하는 수지 조성물로 이루어지는 층을 구비하는 수지 시트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 분기형 이미드 수지 (B) 가 에폭시 화합물, 알코올 화합물 및 아민 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물과, 이소시아누레이트기 및 카르복실기를 갖는 분기형 이미드 수지를 반응시켜 얻어지는 변성 분기형 이미드 수지를 함유하는 수지 시트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 분기형 이미드 수지 (B) 의 산가가 10 ∼ 200 ㎎KOH/g 인 수지 시트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 습윤 분산제 (D) 의 산가가 20 ∼ 200 ㎎KOH/g 인 수지 시트.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 조성물이 추가로 인계 경화 촉진제 (E) 를 함유하는 수지 시트.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 수지 조성물에 함유되는 상기 인계 경화 촉진제 (E) 의 함유량이 상기 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 및 상기 분기형 이미드 수지 (B) 의 합계 100 질량부에 대하여 0.1 ∼ 10 질량부인 백색 절연 수지 시트.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 조성물이 추가로 상기 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 이외의 에폭시 고리를 1 개 이상 갖는 에폭시 단량체 (F) 를 함유하는 수지 시트.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 수지 조성물에 함유되는 상기 에폭시 단량체 (F) 의 함유량이 상기 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 및 상기 분기형 이미드 수지 (B) 의 합계 100 질량부에 대하여 0.5 ∼ 10 질량부인 백색 절연 수지 시트.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 조성물에 함유되는 상기 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 의 함유량이 상기 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 및 상기 분기형 이미드 수지 (B) 의 합계 100 질량부에 대하여 20 ∼ 80 질량부인 수지 시트.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 조성물에 함유되는 상기 이산화티탄 (C) 의 함유량이 상기 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 및 상기 분기형 이미드 수지 (B) 의 합계 100 질량부에 대하여 10 ∼ 300 질량부인 수지 시트.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이산화티탄 (C) 는 SiO2, Al2O3, ZrO2 및 ZnO 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 산화물로 표면 처리된 것이고, 상기 산화물을 표면 처리된 상기 이산화티탄의 총량 100 질량부에 대하여 0.5 ∼ 15 질량부 함유하는 수지 시트.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 조성물에 함유되는 상기 습윤 분산제 (D) 의 함유량이 상기 지방족 에폭시 변성 실리콘 화합물 (A) 및 상기 분기형 이미드 수지 (B) 의 합계 100 질량부에 대하여 0.05 ∼ 10 질량부인 수지 시트.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 시트는 절연 수지 시트인 수지 시트.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 시트는 백색 수지 시트인 수지 시트.
  15. 지지체와, 상기 지지체 상에 형성된 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 수지 시트를 구비하는 수지층이 부착된 지지체.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 지지체는 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리우레탄, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리메틸펜텐, 및 폴리부틸렌테레프탈레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 수지를 함유하는 필름, 알루미늄박, 그리고 구리박으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상인 수지층이 부착된 지지체.
  17. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 수지 시트와, 그 수지 시트 상에 형성된 금속층 또는 수지층을 구비하는 적층판.
  18. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 수지 시트와, 그 수지 시트 상에 형성된 금속박을 구비하는 금속박 피복 적층판.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150056454A1 (en) * 2012-03-13 2015-02-26 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resin composition, prepreg, and metal foil-clad laminate
CN104736588B (zh) * 2012-10-19 2020-03-31 三菱瓦斯化学株式会社 树脂组合物、预浸料、层压板、以及印刷电路板
KR102456796B1 (ko) * 2015-03-31 2022-10-21 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤 경화성 수지 조성물, 드라이 필름, 경화물 및 프린트 배선판
CN105199079B (zh) * 2015-10-30 2019-01-29 江苏华海诚科新材料有限公司 一种led支架用高强度白色反光环氧树脂组合物
TWI678285B (zh) * 2019-04-09 2019-12-01 臻鼎科技股份有限公司 覆金屬板的製作方法
KR20220016040A (ko) * 2019-05-31 2022-02-08 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 절연성 수지층 부착 기재, 그리고, 이것을 사용한 적층체 및 적층체의 제조 방법
JP2021042340A (ja) * 2019-09-13 2021-03-18 味の素株式会社 樹脂組成物

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10202789A (ja) 1997-01-22 1998-08-04 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd 積層板
JP2005033107A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Taiyo Ink Mfg Ltd プリント配線基板用樹脂付き銅箔及びそれを用いて作製されたプリント配線板
JP2008001880A (ja) 2005-10-21 2008-01-10 Mitsubishi Gas Chem Co Inc プリプレグおよび銅張積層板
KR20100085152A (ko) * 2007-12-17 2010-07-28 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 수지 조성물, 그 수지 조성물로부터 얻어지는 투명 부재 및 그 용도
JP2010254919A (ja) * 2009-04-28 2010-11-11 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP2011093966A (ja) * 2009-10-27 2011-05-12 Panasonic Electric Works Co Ltd 透明フィルム

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0841168A (ja) * 1994-07-27 1996-02-13 Matsushita Electric Works Ltd 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US6252010B1 (en) * 1997-10-29 2001-06-26 Hitachi Chemical Company, Ltd. Siloxane-modified polyamideimide resin composition, adhesive film, adhesive sheet and semiconductor device
JP4509247B2 (ja) * 1999-04-30 2010-07-21 東レ・ダウコーニング株式会社 シリコーン含有ポリイミド樹脂、シリコーン含有ポリアミック酸およびそれらの製造方法
TW200427809A (en) * 2003-05-19 2004-12-16 Hitachi Chemical Co Ltd Insulating material, film, circuit board and method for manufacture thereof
TW200602427A (en) * 2004-03-30 2006-01-16 Taiyo Ink Mfg Co Ltd Thermosetting resin composition and multilayered printed wiring board comprising the same
JP4830686B2 (ja) * 2005-10-21 2011-12-07 三菱瓦斯化学株式会社 金属箔張積層板およびその製造方法
JP2008297536A (ja) * 2006-10-18 2008-12-11 Hitachi Chem Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物、これを用いたフレキシブル基板及び電子部品
US8324319B2 (en) * 2007-11-20 2012-12-04 Sridhar Laxmisha M Redox-induced cationically polymerizable compositions with low cure temperature
CN102197088A (zh) * 2008-10-29 2011-09-21 住友电木株式会社 树脂组合物，树脂片材，半固化片，层叠板，多层印刷布线板及半导体装置
TWI519899B (zh) * 2009-07-07 2016-02-01 富士軟片股份有限公司 遮光薄膜用著色組成物、遮光圖案、其形成方法、固態影像感應裝置及其製造方法
JP2011035110A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Kaneka Corp 半導体パッケージ用樹脂組成物
KR101920605B1 (ko) * 2011-05-31 2018-11-20 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 수지 조성물, 그리고 이것을 사용한 프리프레그 및 금속박 피복 적층판
US20150056454A1 (en) * 2012-03-13 2015-02-26 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resin composition, prepreg, and metal foil-clad laminate

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10202789A (ja) 1997-01-22 1998-08-04 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd 積層板
JP2005033107A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Taiyo Ink Mfg Ltd プリント配線基板用樹脂付き銅箔及びそれを用いて作製されたプリント配線板
JP2008001880A (ja) 2005-10-21 2008-01-10 Mitsubishi Gas Chem Co Inc プリプレグおよび銅張積層板
KR20100085152A (ko) * 2007-12-17 2010-07-28 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 수지 조성물, 그 수지 조성물로부터 얻어지는 투명 부재 및 그 용도
JP2010254919A (ja) * 2009-04-28 2010-11-11 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP2011093966A (ja) * 2009-10-27 2011-05-12 Panasonic Electric Works Co Ltd 透明フィルム

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