KR20150040378A - 땜납 페이스트용 유기산- 또는 잠재 유기산-관능화된 중합체-코팅된 금속 분말 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기산- 또는 잠재 유기산-관능화된 중합체-코팅된 금속 분말, 예컨대 땜납 합금, 구 및 페이스트의 형성에 적절하게 사용되는 금속 분말에 관한 것이다.

Description

땜납 페이스트용 유기산- 또는 잠재 유기산-관능화된 중합체-코팅된 금속 분말{ORGANIC ACID- OR LATENT ORGANIC ACID-FUNCTIONALIZED POLYMER-COATED METAL POWDERS FOR SOLDER PASTES}
본 출원은 본 명세서에서 그 내용이 참고문헌으로 인용된, 2010년 8월 20일에 출원된 미국 특허 출원 제12/860,497호에 관한 우선권을 주장한다.
본 발명은 유기산- 또는 잠재(latent) 유기산-관능화된 중합체-코팅된 금속 분말, 예컨대 땜납(solder) 합금, 구, 및 페이스트의 형성에 적절하게 사용되는 금속 분말에 관한 것이다. 금속 분말은 유기산 또는 잠재 유기산으로 코팅된다.
땜납은 반도체 패키지 및 반도체 장치의 조립에 널리 사용된다.
예를 들어, 땜납 볼 또는 구는 반도체 패키지의 조립, 예컨대 플립 칩 적용에 사용된다. 이런 땜납 볼 또는 구의 표면에 스테아르산 코팅을 위치시키는 것은 공지되어 있다.
땜납 페이스트는 보통 전기 부품을 회로판에 땜납으로 표면 장착하는데 사용된다. 땜납 페이스트는, 판이 땜납 리플로우(reflow) 공정을 거침으로서 영구적인 결합을 형성하기 전에 추가의 접착제 없이 제자리에 전기 부품을 고정할 수 있는 능력을 제공하는 그의 끈끈한 성질을 이용하여 회로판의 선택된 영역에 적용될 수 있기 때문에 유용하다.
땜납 페이스트는 통상적으로 땜납 분말, 수지 성분 예컨대, 로진, 활성제 예컨대, 유기산 또는 아민, 유동 조절제, 증점제 및 용매를 포함한다. 땜납 페이스트는 통상적으로 스크린 프린팅, 계량분배법, 및 전사 프린팅과 같은 기술에 의해 회로판에 코팅된다. 그 후에, 전기 부품을 회로판 상에 위치시키고 땜납 페이스트를 리플로우하여, 땜납이 용융되기에 충분하도록 가열되고 그 후에 땜납이 굳기에 충분하도록 냉각된다.
땜납 페이스트의 사용과 관계된 산업에서의 한 가지 문제점은 이것이 보통, 예를 들어, 통상적으로 약 한 달 내지 여섯 달의 짧고 예측할 수 없는 유통기한을 가진다는 것이다. 땜납 분말이 만들어지는 때로부터 이것이 플럭스와 혼합되어 땜납 페이스트를 형성하는 시간까지의 지체 시간의 변화에 의해 땜납 분말에서 산화도의 변화를 야기함으로써, 일정 부분 이상, 유통 기한의 예측 불가능성이 야기된다. 이런 산화 분말뿐만 아니라 미산화 분말은 리플로우되지 않는다. 게다가, 땜납 분말이 본질적으로 부식성인 플럭스와 합쳐질 때, 땜납 분말은 보통 플럭스와 반응함으로써 분말을 산화시키고 산도를 감소시켜, 플럭스의 유효성을 감소시킨다. 결과적으로, 땜납 페이스트의 성능은 보통 시간이 흐르면서 악화된다. 게다가, 땜납 분말과 플럭스 사이의 반응은 통상적으로 땜납 페이스트의 점도가 상당히 증가하도록 하여, 땜납 페이스트를 프린팅하는 것을 피치(pitch)에 따라 불가능하지 않다면 어렵게 만들 수 있다.
냉장 조건 하에서 땜납 페이스트를 저장하려는 시도가 땜납 분말과 플럭스 사이에 반응률을 감소시키게 함으로써, 땜납 페이스트의 유통 기한을 증가시켰다. 그러나, 냉장은 땜납 페이스트 내에 혼입하기 전에 땜납 분말 상의 다양한 산화도를 보상하는데 효과적이지 않다.
또한 땜납 페이스트와 반응하지 않는 물질로 코팅한 땜납 분말도 보고되어 있다. 예를 들어, 미국 특허 제4,994,326호는 실리콘 및 플루오린을 기초로 한 것들, 예컨대, 예를 들어, 실리콘 오일, 실리콘계 고분자 화합물, 플루오린화 실리콘 오일, 플루오로실리콘 수지 및 플루오린화 탄화수소계 고분자 화합물을 포함하는 땜납 페이스트용 비히클에 용해되지 않거나 또는 거의 용해되지 않는 코팅제를 코팅제로서 사용하는 것을 개시한다.
'326 특허는 또한 땜납 분말에 적용하는 비교적 많은 양의 코팅 물질을 개시한다. 비교적 많은 양의 코팅 물질이 땜납 분말의 산화를 억제하는데 효율적일 수 있는데 반해, 보통, 땜납의 리플로우를 억제할 수 있는 장벽을 생산할 수 있기 때문에 많은 양의 코팅 물질은 바람직하지 않다. 게다가, 이런 많은 양의 코팅 물질은 물리적 방해 및/또는 불순물을 야기할 수 있고 이는 나쁜 리플로우 특성, 예컨대, 땜납의 나쁜 펼쳐짐 및 비연속적인 땜납 연결을 야기할 수 있는 플럭스에 의해 젖은 부적당한 기재를 야기한다.
덧붙여서, '326 특허는 땜납 분말을 코팅하는데에 용매로서 사용되는 플루오린화 탄화수소의 사용을 개시한다. 현재, 플루오린화 탄화수소는 환경 오염 물질로 간주되고, 이들의 사용은 일반적으로 바람직하지 않다.
미국 특허 제6,416,863호는 땜납 금속 분말을 캡슐화하는 방법에 관한 것이고 이를 청구하며 여기서 분말은 다음의 단계로, 땜납 분말의 표면 상에서 계속되는 중합 반응에 의한 얇은 중합체 보호층과 함께 제공된다:
a) 분말 및 소수성 액체의 현탁액을 제조하는 단계,
b) 단계 a)의 소수성 층 상에 브러쉬 구조를 형성하도록 계속적으로 교반하며 C1 내지 C20의 사슬 길이를 가지는 양이온성 계면활성제를 첨가함으로써 각 금속 입자 상에 소수성 표면층을 생성하는 단계,
c) 점성의 균질한 덩어리를 형성할 때까지, 단계 a) 및 b)의 혼합물을 교반하는 단계,
d) 라디칼 중합 가능한 단량체를 단계 c)의 덩어리에 첨가하여 이것이 땜납 분말의 고상선 온도 미만 60 ℃ 이상의 유리 온도 Tg를 가지는 열가소성 중합체를 형성하는 단계,
e) 유기 개시제를 첨가하여 단계 b)의 소수성 층을 혼입하고 플럭싱제 특성을 가지는 열가소성 중합체의 보호층을 형성하는 계면 중합 반응을 시작하는 단계,
f) 단계 e)의 덩어리를 계속적으로 교반하며, 현탁액 안정화를 위한 유화제를 함유하는 수성 제제 내로 도입시키고 50 ℃ 내지 90 ℃에서 템퍼링함으로써 중합 반응을 조절하며 120 분 이상 동안 이 온도를 유지시키는 단계, 및
g) 단계 e) 및 f)의 캡슐화된 땜납 분말을 냉각하고, 세척하고, 회수하는 단계. 캡슐화 벽을 형성하기에 적합한 단량체는 라디칼 중합 가능한 단량체, 바람직하게는 메타크릴릭-2-히드록시에틸에스테르 또는 메틸메타크릴레이트인 것으로 보고된다.
미국 특허 제5,328,522호는 다음을 포함하는 땜남 페이스트에 관한 것이고 이를 청구한다.
(i) 플럭스 및
(ii) 코팅된 땜납 분말의 리플로우 특성을 실질적으로 억제하지 않으며 땜납 페이스트에서 땜납 입자의 산화를 억제하는데 효율적인, 코팅된 땜납 분말의 총 중량을 기준으로 약 0.001 내지 약 0.5 중량 백분율의 양으로 (땜납 입자보다 더 낮은 녹는점을 가지는) 파릴렌으로 코팅된 땜납 입자를 포함하는 코팅된 땜납 분말.
미국 특허 제4,452,861호 (오카모토)는 시아노아크릴레이트 중합체로 캡슐화된 고체 입자를 설명한다. 입자는 반응성 또는 부식성 환경에 기인하는 열화를 막기 위해 캡슐화되어 있다. 시아노아크릴레이트 중합체는 캐소드 레이 튜브(ray tube) 등에서 코팅제로서 사용되는 인광체 입자 등을 코팅하는데 사용된다. 세륨 활성화 칼슘 술파이드 인광체 분말은 코팅된 전형적인 예시 물질이다.
미국 특허 출원 공개 공보 제2005/0171273호는 다음을 포함하는, 이방성으로 전도성 결합을 형성하기 위한 경화성 조성물을 설명한다:
(i) 제1 실질적으로 경화되지 않은 경화성 성분의 양; 및
(ii) 제1 경화성 성분 내에 분산되어 있는, 제2 경화성 성분의 경화된 생산물로 코팅된 전도성 입자.
국제 특허 공개 공보 제WO 2010/059924호는 열 분해할 수 있는 중합체가 그 표면의 적어도 일 부분 상에 코팅된 금속 입자에 관한 것이고, 여기서 열 분해할 수 있는 중합체는 열 분해할 수 있는 중합체의 열화 온도 미만 및 금속 입자의 녹는 점 미만의 천정 온도를 가진다. 열 분해 가능한 중합체의 예는 시아노아크릴레이트 중합체 또는 디시클로펜타디엔 중합체로서 개재된다.
미국 특허 제4,994,326호 미국 특허 제6,416,863호 미국 특허 제5,328,522호 미국 특허 제4,452,861호 미국 특허 출원 공개 공보 제2005/0171273호 국제 특허 공개 공보 제WO 2010/059924호
첨단 기술에도 불구하고, 특히 땜납 페이스트에 사용하기에 적합한, 금속 입자 상의 코팅으로서 유기산 또는 잠재 유기산을 제공하는 것이 바람직할 것이다.
따라서 본 발명은, 그 표면의 적어도 일 부분 상에 유기산 또는 잠재 유기산 중 하나의 코팅을 형성하도록, 유기 산 또는 잠재 유기산 관능기를 가지는 중합체 물질과의 반응에 이용할 수 있는 하나 이상의 히드록실기를 그 표면 상에 가지는 금속 분말을 제공하고, 여기서 코팅된 금속 분말은 특히 땜납 페이스트에 사용하기 적합하다. 금속 분말의 표면 상에 히드록실기는 산 또는 잠재 유기산과 반응할 수 있어 각각 에스테르 또는 반쪽 에스테르를 형성하고, 이 반응한 생산물은 승온 조건 하에서 열화하는 경향이 있다.
상기 기재한 것처럼, 본 발명은 그 표면의 적어도 일 부분 상에 유기산 또는 잠재 유기산 코팅을 가지는 금속 분말을 제공하고, 여기서 코팅된 금속 분말은 특히 땜납 페이스트에 사용하기에 적합하다.
코팅으로 사용하기 위한 유기산 또는 잠재 유기산 관능화된 중합체는 주 기능으로서, 환경적 열화, 예컨대 산화 및 플럭스 매질과의 화학 반응으로부터 금속 입자를 물리적으로 고립시키는 임무를 갖는다. 보통 유기산 또는 잠재 유기산 코팅은 코팅된 금속 입자가 있는 금속 분말 및/또는 땜납 페이스트가 사용을 위해 저장되는 동안에 산화에 대한 물리적 장벽으로 작용한다.
도 1은 폴리부타디엔/말레산 무수물 첨가물을 형성하는 합성 반응식을 나타낸다.
도 2는 중앙부와 비교하여 잠재 유기산-코팅된 땜납 분말의 땜납 페이스트에 조성된 더 낮은 점도를 도시하는, 점도 대 시간 플롯을 나타낸다.
도 3은 유기산 또는 잠재 유기산이 금속 분말 표면의 일 부분을 코팅하는 방식을 나타낸다.
한 실시양태에서, 코팅으로 사용하기 위한 유기산 또는 잠재 유기산 관능화된 중합체는 올레핀 공중합체이고 말레산 무수물이 땜납 코팅으로 사용하기에 적합한 잠재 유기산의 예이다. 말레산 무수물기가 주쇄 상에 그라프트된 폴리알킬렌, 예컨대 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 또는 폴리부틸렌이 특히 본 발명에서 사용하기 매력적이다. 더욱 구체적으로, 이런 폴리알킬렌은 말레산 무수물이 상이한 백분율로 그라프트된 폴리부타디엔인 리콘(RICON) 상표의 물질 (상업적으로 사르토머(Sartomer) 사에서 입수가능), 예컨대 리콘 130MA20, 리콘 131MA8, 및 리콘 131MA15; 말레산 무수물이 상이한 백분율로, 예컨대 0.5 %의 말레산 무수물로 그라프트된 폴리에틸렌인 PEMA 물질 (상업적으로 알드리치(Aldrich) 사에서 입수가능); 이량체산; 스테아르산; 아디프산; 및 12-히드록시스테아르산을 포함한다.
덧붙여서 도 1을 참고로 하여, 폴리부타디엔 말레산 무수물 첨가물 합성을 보여준다. 이런 첨가물과 같은 공중합체는 소수성의 성질인 경향이 있다. 소수성의 증가는, 플럭스를 제제화할 때 또는 사용하기 전 저장될 때의 주위 조건 하에서와 같은 환경적 영향에 대한 증가된 저항성을 보인다.
특정 적용에서, 금속 입자는 두 기재 사이에, 예를 들어 반도체 패키지 적용에서와 같이 두 전도성 기재 사이에 위치할 것이고, 입자는 충분히 코팅되지 않아 기재 사이에서 다리를 놓아주는 전도성 경로를 형성해야한다. 이런 환경에서, 기재를 함께 두는 것은 금속 입자를 "납작하게 만들기(flatten)" (내리 누름으로써 변형시키기)에 충분할 수 있고 충분히 코팅을 깰 수 있다.
금속 입자는 모노사이즈, 즉, 실질적으로 같은 치수일 수 있다. 이것은 형성된 결합 갭이 반도체 패키지 또는 조립체인 경우, 예를 들어 바람직한 특정 치수인 경우에 중요할 수 있다. 그러나, 적어도 한 치수에서 약 0.5 내지 약 100 μm, 바람직하게는 약 3 내지 약 50 μm와 같은 평균값에 대한 직경의 비교적 넓은 분산을 가지기 위해 다양한 치수의 입자가 사용될 수 있다. 특히 코팅된 입자는 구형의 모양인 것이 바람직하다.
바람직하게는, 입자 상의 코팅은 약 3 μm 미만, 더욱 특히 약 0.001 내지 약 0.2 μm, 예컨대 0.004 내지 약 0.4 μm, 예를 들어 약 0.01 내지 약 0.1 μm의 범위이다. 입자 상의 코팅은 또한 코팅 공정 후에 입자 상의 중량 증가의 함수로 측정될 수 있다.
금속 입자 상에 코팅된 유기산 또는 잠재 유기산을 가지는 중합체가 환경 오염물 또는 땜남 페이스트와 같은 제제의 경우에는, 제제를 형성하는데 사용되는 다른 성분에 대한 입자의 반응성을 방해함으로써 금속 입자의 및 코팅된 금속 입자를 사용한 제제의 안정성을 부여한다.
땜납 리플로우 공정의 맥락에서, 땜납 페이스트의 적용 후에, 금속 입자 중 적어도 일부의 중합체 코팅은 금속 입자 즉, 여기서 땜납 분말의 표면을 노출시키기 위해, 리플로우 동안 도달하는 승온에 노출됨으로써 적어도 부분적으로 제거된다. 중합체 코팅은 또한 물리적 파괴에 의해 (예를 들어, 입자에 충분한 압력을 적용하여 이를 변형시켜 코팅의 파괴를 야기하도록 함으로써) 적어도 부분적으로 제거될 수 있다.
유기산 또는 잠재 유기산을 가지는 중합체 코팅된 금속 입자는 많은 적용분야에서 사용될 수 있다. 주요 최종 용도 중 하나는 일반적으로 전자 산업 및 특히 땜납 페이스트, 예컨대 플립-칩 적용 및 땜납 구 적용일 것이다.
유기산 또는 잠재 유기산을 가지는 중합체 코팅된 금속 입자 및 제제, 예컨대 그것으로 만들어진 땜납 페이스트 및 땜납 구는 특히 반도체 칩과 기재 사이에 전기적인 상호 연결을 수립하는데 유용하다.
금속 입자의 임의의 형태/모양이 사용될 수 있다. 특히, 입자는 구모양 또는 구에 가까운 모양일 수 있다. 금속 입자에 적합한 금속은 주석, 은, 구리, 납, 아연, 인듐, 비스무트, 및 희토류 금속과 같은 원소 금속 또는 주석/은/구리, 주석/아연, 주석/비스무트, 주석/납 및 주석/인듐/비스무트 합금과 같은 합금을 포함한다.
본 발명은 또한 금속 입자 상에 중합체 코팅을 형성하는 방법에 관한 것으로, 이는 다음 단계를 포함한다:
a) 복수 개의 금속 입자를 제공하는 단계;
b) 대부분의 금속 입자의 표면 중 적어도 일 부분을 실질적으로 코팅하기 위해, 적합한 조건 하에서 유기산 또는 잠재 유기산 관능기를 가지는 중합체를 복수 개의 금속 입자에 적용하는 단계; 및
c) 금속 입자의 표면 상에 유기산- 또는 잠재 유기산-관능화된 중합체 코팅을 적합한 조건 하에서 노출시켜, 유기산- 또는 잠재 유기산-관능화된 중합체와 금속 입자의 표면 사이에 아세탈 또는 헤미아세탈 결합을 형성하는 단계.
본 발명은 또한 땜납 페이스트를 형성하는 방법에 관한 것으로 다음 단계를 포함한다:
a) 땜납 분말 표면의 적어도 일 부분에 코팅으로서 유기산 또는 잠재 유기산 관능기를 가지는 중합체를 제공하는 단계;
b) 로진, 활성제, 유동 조절제, 증점제, 또는 용매로부터 선택되는 땜납 페이스트 성분 중 둘 이상을 제공하는 단계; 및
c) 유기산- 또는 잠재 유기산-관능화된 중합체 코팅된 땜납 분말을 땜납 페이스트 성분과 블렌딩하여 땜납 페이스트를 형성하는 단계.
보통의 코팅은 통상적으로 1 μm 두께 미만일 것이다. 중합체 코팅을 형성하기 위해 반응성 단량체를 적용하는 다른 방법이, 입자를 실질적으로 경화되지 않은 양의 반응성 단량체에 위치시키는 것과 같이 너무 확실하다는 것은 이 분야의 통상의 기술자에게 인정될 것이다.
금속 분말의 표면 상의 더욱 소수성인 층은 예를 들어, 땜납 페이스트로 제제화하는 조숙 반응 및 저장될 때의 환경 오염에 대해 더 나은 보호를 산출한다.
본 발명은 이제 비제한적인 다음 실시예(들)을 참고로하여 설명될 것이다.
실시예
실시예 A
잠재 유기산의 합성
몇몇 폴리부타디엔 및 말레산 무수물 첨가물을 5 중량% 내지 0.1 중량% 범위의 상이한 말레산 무수물 함량을 가지도록 합성했고 평가했다. 이 합성은 하기에서 설명하고 도 1에서 보여준다.
합성 절차는 다음과 같다:
200 g의 폴리부타디엔 (MW 3400) 및 말레산 무수물 (1.0 g)을 250 ml의 톨루엔에 용해시키고, 이 혼합물을 압력 파르 텀(parr tomb) 내로 옮기고, 핫플레이트에서 220 내지 250 ℃로 가열했다. 이렇게 넣은 시스템을 약 3 내지 4 시간의 기간 동안 이 온도에서 정치했고 이후에 실온으로 냉각시켰다. 반응 혼합물을 2 L의 톨루엔으로 희석시키고 실리카 겔의 얇은 층을 가지는 유리 깔때기를 통과시켜 잔여 미반응 말레산 무수물을 제거했다. 이어서 회전 증발기로 용매를 제거하여 생산물, 점성의 노란 액체를 얻었다.
실시예 B
상업적으로 입수가능한 잠재 유기산
하기에 나타낸 알드리치 사로부터 상업적으로 입수 가능한 폴리에틸렌-코-말레산 무수물을 또한 평가했다.
Figure pat00001
말레산 무수물의 중량 백분율은 5 %로부터 아래로 0.1 %까지의 범위이다.
실시예 1
유기산 코팅 공정
500 g의 타입 4 땜납 분말 (주석, Cu 및 Ag 합금) (평균 크기 30 um)을 2 L 크기의 둥근 바닥 플라스크에 1 L의 무수 크실렌과 함께 넣었다. 0.2 g의 폴리에틸렌-코-말레산 무수물을 이어서 도입하고 플라스크를 회전 증발기에 위치시켜 60 ℃까지 가열하고 100 rpm으로 플라스크를 회전시켜 균일하게 혼합되도록 하였다. 30 분의 기간 후에, 반응 혼합물을 여과하여 용매를 제거했고 땜납 분말은 새로운 크실렌으로 두 번 헹궈 땜납 분말 상에 바로 부착되지 않은 임의의 잔여 코팅 중합체를 제거했다. 코팅된 땜납 분말을 실온에서 건조시켰다.
실시예 2
땜납 페이스트 제제
일부는 실시예 1에서 설명한 것과 유사한, 코팅된 땜납 분말 (타입 4; 주석, Cu 및 Ag 합금)을 플럭스 및 다른 땜납 페이스트 성분과 합쳐 땜납 페이스트를 형성했다.
유통기한 후, 땜납 페이스트의 성능, 저장 수명을 두가지 방법으로 시험했고, 이들 각각의 상세한 설명은 하기와 같다:
1. 땜납 볼링 시험
2. 점도 시험
땜납 볼링 시험
땜납 페이스트를 유리 슬라이드 상에 스테인리스 강 스텐실을 통해 프린팅하고, 이어서 리플로우하여 땜납 볼의 흔적에 대해 시험한다.
1. 고무 롤러(squeegee)로서 면도날을 사용하고, 스텐실을 사용하여 페이스트를 유리 슬라이드 상에 프린팅한다. 스텐실은 스텐실을 따라 일정 간격을 두고 있는 약 5 mm 직경의 3 개의 구멍을 가지며 0.1 mm 두께이다.
2. 리플로우할 때까지 또는 5 초 동안 250 ℃에서 땜납 배스 상에 유리 슬라이드를 가열한다.
3. 배스로부터 슬라이드를 제거하고 이를 냉각시키기 전에 슬라이드에서 주요 볼(main ball)을 굴린다.
4. × 10 배율의 쌍안 현미경 상에서, 각 프린트 상의 땜납 볼의 수를 계수함으로써 슬라이드를 평가한다.
5. 더 낮은 두 개의 프린트의 평균을 취하여 하기 표와 비교한다.
Figure pat00002
점도 시험
브룩필드 점도계는 순환 점도 측정의 원리를 사용한다: 점도는, 샘플 내에 담그는 동시에 T 바 축을 일정 속도로 회전시키는데 요구되는 토크를 감지함으로써 측정된다. 토크는 담가진 축 상의 점성 저항에 비례하고, 따라서 페이스트의 점도에 비례한다. 이 시험은 앞서 설명한 방식으로 제조된 땜납 페이스트에 대해, 특정 온도에서 수행된다.
1. 25 ℃에서 6 시간 동안 샘플을 위치시킨다.
2. 6 시간 후, 25 ℃로부터 샘플을 제거하고, 열고 내부 플런저(plunger)를 제거한다. 플런저에 붙어있는 임의의 페이스트를 긁어내고 샘플에 첨가한다.
3.스패츌라를 사용하여, 공기가 유입되지 않도록 조심해서, 30 초 동안 온화하게 교반한다.
4. TF 축이 부착된 헬리패스 스탠드(helipath stand) 상의 브룩필드 점도계 RVDV-II+를 사용한다. 회전 속도는 5 rpm으로 설정한다.
5. 페이스트 표면 아래 40 mm에 헬리패스 트래벌(travel)의 바닥을 설치한다. 페이스트 표면 아래 3 mm에 축을 설치한다.
6. 축 회전 및 헬리패스 스탠드 하강을 시작한다.
7. 하강의 가장 낮은 지점에서 점도를 기록한다.

Claims (1)

  1. 유기산 또는 잠재(latent) 유기산 관능기를 가지는 중합체가 표면 중 적어도 일 부분에 코팅된 금속 입자.
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