KR20150015638A - Display device having narrow bezel and fabricating method thereof - Google Patents

Display device having narrow bezel and fabricating method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20150015638A
KR20150015638A KR1020130091042A KR20130091042A KR20150015638A KR 20150015638 A KR20150015638 A KR 20150015638A KR 1020130091042 A KR1020130091042 A KR 1020130091042A KR 20130091042 A KR20130091042 A KR 20130091042A KR 20150015638 A KR20150015638 A KR 20150015638A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gate
data
clock
region
display panel
Prior art date
Application number
KR1020130091042A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102118153B1 (en
Inventor
최승규
조재형
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130091042A priority Critical patent/KR102118153B1/en
Publication of KR20150015638A publication Critical patent/KR20150015638A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102118153B1 publication Critical patent/KR102118153B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264Details of driving circuits
    • G09G2310/0286Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors

Abstract

The present invention relates to a display device which is capable of minimizing a bezel and includes: vertical data lines; vertical gate lines; horizontal gate lines which are connected to the vertical gate lines; a display panel which includes pixel arrays on which pixels are arranged in a matrix; a data driving circuit which supplies a data voltage to the vertical data lines; and a gate driving circuit which is directly formed on a substrate of the display panel and supplies a gate pulse to the vertical gate lines.

Description

네로우 베젤을 갖는 표시장치{DISPLAY DEVICE HAVING NARROW BEZEL AND FABRICATING METHOD THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a display device having a narrow bezel,

본 발명은 네로우 베젤을 갖는 표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a display device having a narrow bezel.

평판 표시장치에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED), 전기영동 표시장치(Electrophoretic Display Device: EPD) 등이 있다. 액정표시장치는 액정 분자에 인가되는 전계를 데이터 전압에 따라 제어하여 화상을 표시한다. 액티브 매트릭스 타입의 액정표시장치는 공정 기술과 구동 기술의 발달에 힘입어 가격이 낮아지고 성능이 높아져 소형 모바일 기기부터 대형 텔레비젼까지 거의 모든 표시장치에 적용되고 있다.The flat panel display includes a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), an organic light emitting display (OLED), and an electrophoretic display device EPD). A liquid crystal display device displays an image by controlling an electric field applied to liquid crystal molecules in accordance with a data voltage. Active matrix type liquid crystal display devices are being applied to almost all display devices from small mobile devices to large televisions due to their low price and high performance due to the development of process technology and driving technology.

평판 표시장치의 제조사들은 네로우 베젤(Narrow bezel)을 구현하기 위한 다양한 시도를 하고 있다. 네로우 베젤 기술은 표시패널의 가장자리에서 영상이 표시되지 않는 베젤(bezel)을 줄여 같은 크기의 표시패널에서 영상이 표시되는 유효 화면의 크기를 상대적으로 크게 할 수 있다. 일반적으로, 표시패널의 좌우 가장자리에 게이트 드라이브 IC(Integrated Circuit)가 배치된다. 따라서, 표시패널의 좌우 베젤 내에 게이트 드라이브 IC가 접합되는 영역, 게이트 드라이브 IC와 액티브 영역의 수평 게이트 라인들을 연결하는 게이트 링크(gate link) 영역 등이 확보되어야 한다. 이러한 평판 표시장치의 구조적 문제로 인하여 네로우 베젤을 구현하기가 어렵다.
Manufacturers of flat panel display devices have made various attempts to implement Narrow bezels. Narrow-bezel technology can reduce the amount of bezels that do not display images at the edges of the display panel, thereby increasing the size of the effective screen displayed on the same size display panel. Generally, a gate drive IC (Integrated Circuit) is disposed on the left and right edges of the display panel. Therefore, an area where the gate drive IC is joined in the left and right bezels of the display panel, a gate link area connecting the gate drive IC and the horizontal gate lines of the active area, etc. must be ensured. Due to the structural problems of such a flat panel display device, it is difficult to realize a narrow bezel.

본 발명은 베젤을 최소화할 수 있는 표시장치를 제공한다.
The present invention provides a display device capable of minimizing a bezel.

본 발명의 표시장치는 수직 데이터 라인들, 수직 게이트 라인들, 및 상기 수직 게이트 라인들과 연결된 수평 게이트 라인들을 포함하고, 픽셀들이 매트릭스 형태로 배치된 픽셀 어레이를 포함하는 표시패널; 상기 수직 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동회로; 및 상기 표시패널의 기판 상에 직접 형성되어 상기 수직 게이트 라인들에 게이트펄스를 공급하는 게이트 구동회로를 포함한다.
A display panel of the present invention includes a pixel array including vertical data lines, vertical gate lines, and horizontal gate lines connected to the vertical gate lines, the pixel array including pixels arranged in a matrix form; A data driving circuit for supplying a data voltage to the vertical data lines; And a gate driving circuit formed directly on the substrate of the display panel to supply gate pulses to the vertical gate lines.

본 발명은 수직 게이트 라인들에 게이트 펄스를 공급하기 위한 게이트 구동회로를 표시패널의 기판 상에 직접 형성함으로써 표시패널의 좌우 베젤을 최소화할 수 있다. 나아가, 본 발명은 게이트 구동회로에 입력되는 클럭신호 배선들을 데이터 패드들과 데이터 링크들로부터 분리시킴으로써 클럭신호로 인한 데이터 전압의 왜곡을 방지할 수 있다.
The present invention can minimize the right and left bezels of the display panel by directly forming a gate drive circuit for supplying gate pulses to the vertical gate lines on the substrate of the display panel. Further, the present invention can prevent the distortion of the data voltage due to the clock signal by separating the clock signal lines input to the gate driving circuit from the data pads and the data links.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 보여 주는 블록도이다.
도 2는 소스 드라이브 IC가 실장된 COF와 표시패널의 연결을 보여 주는 평면도이다.
도 3 및 도 4는 도 2에서 표시패널의 A 부분을 확대하여 클럭 배선 영역, 데이터 패드 및 링크 영역, 및 게이트 시프트 레지스트 영역을 보여 주는 평면도들이다.
도 5는 도 3 및 도 4에 도시된 표시패널의 A 부분의 종단면 구조를 보여 주는 단면도이다.
도 6은 게이트 시프트 레지스터의 일예를 보여 주는 회로도이다.
도 7은 도 6에서 제N 스테이지를 상세히 보여 주는 회로도이다.
도 8은 도 7에 도시된 제N 스테이지의 동작을 보여 주는 파형도이다.
도 9 내지 도 13은 수직 게이트 라인들과 수평 게이트 라인들의 다양한 연결 방법을 보여 주는 평면도들이다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 픽셀 어레이의 일 예를 보여 주는 도면이다.
도 15는 도 14와 같은 픽셀 어레이에 인가되는 데이터 전압과 게이트 펄스의 일예를 보여 주는 파형도이다.
도 16은 픽셀 어레이의 단면 구조를 보여 주는 단면도이다.
도 17은 도 4에서 선 "Ⅰ-Ⅰ'"를 따라 절취하여 클럭 배선 영역의 단면 구조를 보여 주는 단면도이다.
도 18 및 도 19는 도 2에서 표시패널의 A 부분의 다른 실시예를 보여 주는 평면도들이다.
도 20은 도 18 및 도 19에 도시된 A 부분의 종단면 구조를 보여 주는 단면도이다.
1 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view showing the connection of the display panel with the COF in which the source drive IC is mounted.
FIGS. 3 and 4 are plan views showing the clock wiring region, the data pad and the link region, and the gate shift resist region by enlarging the A portion of the display panel in FIG.
5 is a cross-sectional view showing a longitudinal sectional structure of part A of the display panel shown in Figs. 3 and 4. Fig.
6 is a circuit diagram showing an example of a gate shift register.
7 is a circuit diagram showing the N stage in detail in FIG.
8 is a waveform diagram showing the operation of the N stage shown in FIG.
9 to 13 are plan views showing various connection methods of the vertical gate lines and the horizontal gate lines.
14 is a view illustrating an example of a pixel array according to an embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a waveform diagram showing an example of a data pulse and a gate pulse applied to the pixel array shown in FIG.
16 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure of a pixel array.
17 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure of the clock wiring region taken along the line "I-I" in Fig.
Figs. 18 and 19 are plan views showing another embodiment of the A portion of the display panel in Fig.
20 is a cross-sectional view showing a longitudinal sectional structure of portion A shown in Figs. 18 and 19. Fig.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

이하의 설명에서 사용되는 구성요소들의 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것으로, 실제 제품의 명칭과는 상이할 수 있다. The names of components used in the following description are selected in consideration of ease of specification, and may be different from actual product names.

본 발명의 표시장치는 액정표시장치(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 유기발광 표시장치(OLED), 전기영동 표시장치(EPD) 등의 평판 표시장치 기반으로 제작될 수 있다. 이하에서 표시장치의 일 예로 액정표시장치를 중심으로 설명하지만, 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 본 발명의 표시장치는 픽셀들에 데이터 전압과 게이트전압(또는 스캔전압)이 인가되는 어떠한 평판 표시장치로도 제작될 수 있다.The display device of the present invention can be manufactured on the basis of flat panel display devices such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), an organic light emitting display (OLED), and an electrophoretic display (EPD). Hereinafter, a liquid crystal display will be mainly described as an example of the display device, but the present invention is not limited thereto. For example, the display device of the present invention can be fabricated as any flat panel display device in which data voltages and gate voltages (or scan voltages) are applied to the pixels.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 표시장치는 표시패널(PNL), 표시패널 구동회로, 타이밍 콘트롤러(Timing Controller: TCON) 등을 포함한다. 1 and 2, the display device of the present invention includes a display panel PNL, a display panel driving circuit, a timing controller (TCON), and the like.

표시패널(PNL)의 액티브 영역(A/A)은 입력 영상 데이터를 표시한다. 액티브 영역(A/A)은 매트릭스 형태로 픽셀들이 배치된 픽셀 어레이를 포함한다. 액정표시장치의 경우에, 표시패널(PNL)은 (Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드, IPS(In Plane Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 등 알려져 있는 어떠한 구조의 액정모드로도 구현될 수 있다. 표시패널(PNL)은 트랜지스터(Thin Film Transistor) 어레이 기판, 컬러필터 어레이 기판, 및 그 기판들 사이에 형성된 액정층을 포함한다. 액티브 영역(A/A) 밖의 베젤(BZ)은 비표시 영역이다.The active area A / A of the display panel PNL displays input image data. The active area A / A includes a pixel array in which pixels are arranged in a matrix form. In the case of a liquid crystal display device, the display panel PNL may be a liquid crystal mode of any known structure such as Twisted Nematic mode, VA (Vertical Alignment) mode, IPS (In Plane Switching) mode, FFS Can be implemented. The display panel PNL includes a thin film transistor array substrate, a color filter array substrate, and a liquid crystal layer formed between the substrates. The bezel BZ outside the active area A / A is a non-display area.

TFT 어레이 기판은 수직 배선들과 수평 배선들을 포함한다. 수직 배선들은 표시패널(PNL)의 수직 방향(y축 방향)을 따라 형성된다. 수평 배선들은 표시패널(PNL)의 수평 방향(x축 방향)을 따라 형성되어 수직 배선들과 직교된다. 수직 배선들은 수직 데이터 라인들(VD), 수직 게이트 라인들(VG), 및 수직 공통 라인들(VC)을 포함한다. 수직 데이터 라인들(VD)에는 데이터 전압이 공급되고, 수직 게이트 라인들(VG)에는 데이터 전압에 동기되는 게이트 펄스가 공급된다. 수직 공통 라인들(VC)에는 공통전압(Vcom)이 공급된다. The TFT array substrate includes vertical wirings and horizontal wirings. The vertical wirings are formed along the vertical direction (y-axis direction) of the display panel PNL. The horizontal wirings are formed along the horizontal direction (x-axis direction) of the display panel PNL and perpendicular to the vertical wirings. The vertical wirings include vertical data lines (VD), vertical gate lines (VG), and vertical common lines (VC). Data voltages are supplied to the vertical data lines VD, and gate pulses synchronized with the data voltages are supplied to the vertical gate lines VG. A common voltage Vcom is supplied to the vertical common lines VC.

수평 배선들은 수직 게이트 라인들(VG)을 통해 게이트 펄스를 전달 받는 수평 게이트 라인들(HG)을 포함한다. 수평 게이트 라인들(HG)은 수직 게이트 라인들(VG)과 연결되어 수직 게이트 라인들(VG)을 통해 게이트 펄스를 공급받는다.The horizontal wirings include horizontal gate lines (HG) receiving gate pulses through the vertical gate lines (VG). The horizontal gate lines HG are connected to the vertical gate lines VG and are supplied with gate pulses through the vertical gate lines VG.

TFT 어레이 기판에는 수직 데이터 라인들(VD)과 수평 게이트 라인들(HG)의 교차부마다 TFT들이 형성된다. TFT는 수평 게이트 라인(HG)으로부터의 게이트 펄스에 응답하여 수직 데이터 라인(VD)으로부터의 데이터 전압을 액정셀(Clc)의 화소전극(1)에 공급한다. 액정셀들(Clc) 각각은 TFT를 통해 데이터 전압을 충전하는 화소전극(1)과 공통전압(Vcom)이 인가되는 공통전극(2)의 전압차에 의해 구동된다. 픽셀들의 공통전극(2)은 수직 공통 라인들(VC)과 연결된다. 공통전압(Vcom)은 수직 공통 라인들(VC)을 통해 모든 픽셀들의 공통전극(2)에 인가된다. 공통전극(2)과 화소전극(1)은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명전극으로 형성될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 액정셀(Clc)의 화소전극(1)에 연결되어 액정셀(Clc)의 전압을 1 프레임 기간 동안 유지시킨다. 컬러필터 어레이 기판은 컬러필터와 블랙 매트릭스를 포함한다. 표시패널(PNL)의 컬러필터 어레이 기판과 TFT 어레이 기판 각각에는 편광판이 부착되고 액정의 프리틸트각(pre-tilt angle)을 설정하기 위한 배향막이 형성된다.In the TFT array substrate, TFTs are formed at intersections of vertical data lines (VD) and horizontal gate lines (HG). The TFT supplies the data voltage from the vertical data line VD to the pixel electrode 1 of the liquid crystal cell Clc in response to the gate pulse from the horizontal gate line HG. Each of the liquid crystal cells Clc is driven by the voltage difference between the pixel electrode 1 for charging the data voltage through the TFT and the common electrode 2 to which the common voltage Vcom is applied. The common electrode 2 of the pixels is connected to the vertical common lines VC. The common voltage Vcom is applied to the common electrode 2 of all the pixels through the vertical common lines VC. The common electrode 2 and the pixel electrode 1 may be formed of a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide). The storage capacitor Cst is connected to the pixel electrode 1 of the liquid crystal cell Clc to maintain the voltage of the liquid crystal cell Clc for one frame period. The color filter array substrate includes a color filter and a black matrix. A polarizing plate is attached to each of the color filter array substrate and the TFT array substrate of the display panel (PNL), and an alignment film for setting a pre-tilt angle of the liquid crystal is formed.

표시패널 구동회로는 데이터전압을 출력하는 데이터 구동회로와, 게이트 펄스를 출력하는 게이트 구동회로를 포함한다. The display panel driving circuit includes a data driving circuit for outputting a data voltage and a gate driving circuit for outputting a gate pulse.

데이터 구동회로는 다수의 소스 드라이브 IC(SIC)를 포함한다. 소스 드라이브 IC(SIC)는 도 2와 같이 COF(Chip on film), TCP(tape carrier packages) 등과 같은 연성회로기판 상에 실장될 수 있다. 이하에서, 연성회로기판을 COF로 설명하지만, 이에 한정되지 않는다. The data driving circuit includes a plurality of source drive ICs (SIC). The source driver IC (SIC) may be mounted on a flexible circuit board such as chip on film (COF), tape carrier packages (TCP), etc., as shown in FIG. Hereinafter, the flexible circuit board will be described as COF, but it is not limited thereto.

소스 드라이브 IC(SIC)는 디지털-아날로그 변환기(Digital to Analog converter, ADC)를 이용하여 디지털 비디오 데이터를 아날로그 감마보상전압으로 변환하여 데이터 전압을 발생한다. COF의 입력 단자들은 ACF(Anisotropic Conductive Film)를 통해 PCB(Printed Circuit Board)의 출력 단자들에 접합되고, COF의 출력 단자들은 표시패널(PNL)의 상단 또는 하단 베젤에서 ACF를 통해 TFT 어레이 기판의 데이터 패드 및 링크 영역(도 3 및 도 18의 12)에 접합된다. COF의 출력 단자들은 TFT 어레이 기판 상에 형성된 데이터 패드에 1:1로 연결된다. 소스 드라이브 IC(SIC)로부터 출력된 데이터 전압은 COF의 출력단과 데이터 패드를 통해 수직 데이터 라인들(VD)에 공급된다. 공통전압(Vcom)은 COF의 더미 채널을 통해 수직 공통 라인들(VC)에 공급될 수 있다. COF의 더미 채널 출력 단자는 소스 드라이브 IC(SIC)에 연결되지 않고 공통전압(Vcom)을 출력하는 직류 전원 회로의 출력단에 연결된다. 직류 전원 회로는 직류-직류 변환기(DC-DC Converter)를 포함한 파워 IC(PIC)로 구현되어 PCB 상에 실장된다. 파워 IC(PIC)는 공통전압(Vcom), 게이트 하이 전압, 게이트 로우 전압, 감마기준전압 등 표시패널(PNL)의 구동에 필요한 직류 전원을 출력한다. 아날로그 감마보상전압은 감마기준전압으로부터 분압되어 소스 드라이브 IC(SIC)의 디지털-아날로그 변환기(DAC)에 입력된다.The source driver IC (SIC) converts the digital video data to an analog gamma compensation voltage using a digital-to-analog converter (ADC) to generate a data voltage. The input terminals of the COF are connected to the output terminals of the PCB (Printed Circuit Board) through ACF (Anisotropic Conductive Film), and the output terminals of the COF are connected to the TFT array substrate through the ACF at the upper or lower bezel of the display panel The data pad and the link area (12 in Figs. 3 and 18). The output terminals of the COF are connected 1: 1 to data pads formed on the TFT array substrate. The data voltage output from the source drive IC (SIC) is supplied to the vertical data lines (VD) through the output terminal of the COF and the data pad. The common voltage Vcom can be supplied to the vertical common lines VC through the dummy channel of the COF. The dummy channel output terminal of the COF is connected to the output terminal of the DC power supply circuit which is not connected to the source drive IC (SIC) but outputs the common voltage (Vcom). The DC power supply circuit is implemented as a power IC (PIC) including a DC-DC converter (DC-DC converter) and mounted on a PCB. The power IC PIC outputs DC power necessary for driving the display panel PNL such as the common voltage Vcom, the gate high voltage, the gate low voltage, and the gamma reference voltage. The analog gamma compensation voltage is divided from the gamma reference voltage and input to the digital-to-analog converter (DAC) of the source drive IC (SIC).

도 2 및 도 3에서 소스 드라이브 IC들(SIC)이 COF를 통해 표시패널(PNL)에 연결되는 예를 보여 주고 있지만, 소스 드라이브 IC들(SIC)을 표시패널(PNL)에 연결하는 방법은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 소스 드라이브 IC들(SIC)은 COF 없이 COG(Chip On Glass) 공정으로 표시패널(PNL)의 기판 상에 직접 접착될 수 있다. 이 경우에, 소스 드라이브 IC들(SIC)의 출력 단자들은 표시패널(PNL)의 상단 또는 하단 베젤에서 데이터 패드 및 링크 영역(도 3 및 도 18의 12)에 직접 접착된다. 2 and 3 show an example in which the source drive ICs SIC are connected to the display panel PNL via the COF, a method of connecting the source drive ICs SIC to the display panel PNL is not limited thereto It is not limited. For example, the source drive ICs (SIC) can be directly bonded onto the substrate of the display panel (PNL) by a COG (Chip On Glass) process without COF. In this case, the output terminals of the source drive ICs SIC are directly bonded to the data pad and the link area (12 in Figs. 3 and 18) in the upper or lower bezel of the display panel PNL.

게이트 구동회로는 도시하지 않은 레벨 시프터(Level shifter)와, 게이트 시프트 레지스터(Gate shift register, 이하 "GIP S/R"이라 함)를 포함한다.The gate drive circuit includes a level shifter (not shown) and a gate shift register (hereinafter referred to as "GIP S / R").

레벨 시프터는 도면에서 생략되었다. 레벨 시프터는 본원 출원인에 의해 출원된 국내 특허 출원 10-2009-0131289(2009. 12. 24), 미국 특허 등록 8,405,595(2013/03/26) 등에 개시된 레벨 시프터로 구현될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 레벨 시프터는 타이밍 콘트롤러(TCON)와 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R) 사이에 설치되어 타이밍 콘트롤러(TCON)로부터 입력되는 게이트 스타트 펄스, 게이트 시프트 클럭, 및 n 개의 클럭신호들의 TTL(Transistor-Transistor- Logic) 로직 레벨 전압을 게이트 하이 전압(Gate High Voltage)과 게이트 로우 전압(Gate High Voltage)으로 레벨 시프팅한다. TTL 로직 레벨 전압은 0V와 3.3V 사이에서 스윙하는 전압이다. 게이트 하이 전압과 게이트 로우 전압은 시프트 레지스터(GIP S/R)와 표시패널(PNL)의 액티브 영역(A/A)에 형성된 TFT들의 동작 전압으로 설정된다. 예를 들어, 게이트 하이 전압은 대략 15V 이상의 전압이고, 게이트 로우 전압은 0V 이하의 전압이다. The level shifter is omitted from the drawing. The level shifter may be implemented with a level shifter disclosed in U.S. Patent Application No. 10-2009-0131289 (Dec. 24, 2009), U.S. Patent No. 8,405,595 (2013/03/26) filed by the applicant of the present invention, but is not limited thereto. The level shifter is provided between the timing controller TCON and the gate shift register GIP S / R and outputs a gate start pulse, a gate shift clock, and n clock signals input from the timing controller TCON as a TTL (Transistor-Transistor- Logic) Level-shifts the logic level voltage to the gate high voltage (Gate High Voltage) and the gate low voltage (Gate High Voltage). The TTL logic level voltage is the voltage swinging between 0V and 3.3V. The gate high voltage and the gate low voltage are set to the operating voltages of the TFTs formed in the shift register (GIP S / R) and the active area (A / A) of the display panel (PNL). For example, the gate high voltage is a voltage of about 15 V or more, and the gate low voltage is a voltage of 0 V or less.

게이트 시프트 레지스터(GIR S/R)는 게이트 인 패널(Gate In Panel, GIP) 공정으로 액티브 영역(A/A)의 픽셀 어레이와 함께 표시패널(PNL)의 TFT 어레이 기판 상에 직접 형성된다. 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)는 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들을 포함한다. 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)의 스테이지들은 스타트 신호와 클럭신호를 입력 받아 게이트펄스를 발생하고 클럭신호에 응답하여 게이트펄스를 시프트시킴으로써 수직 게이트 라인들(VG)에 게이트 펄스를 순차적으로 공급한다. 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)는 도 2와 같이 소스 드라이브 IC(SIC)가 실정된 COF와 가까운 표시패널(PNL)의 상단 또는 하단 베젤 내에 형성된다. 따라서, 본 발명의 표시패널(PNL)에서 좌측 또는 우측 베젤(BZ)은 게이트 드라이브 IC 접합 영역과 게이트 링크 영역을 포함하지 않으므로 그 크기가 최소화될 수 있다. The gate shift register GIR S / R is formed directly on the TFT array substrate of the display panel PNL together with the pixel array of the active area A / A by a gate in panel (GIP) process. The gate shift register (GIP S / R) includes a plurality of stages connected in a dependent manner. The stages of the gate shift register GIP S / R receive the start signal and the clock signal, generate a gate pulse, and sequentially supply the gate pulse to the vertical gate lines VG by shifting the gate pulse in response to the clock signal . The gate shift register (GIP S / R) is formed in the upper or lower bezel of the display panel (PNL) close to the COF in which the source drive IC (SIC) is located, as shown in FIG. Therefore, in the display panel (PNL) of the present invention, the left or right bezel BZ does not include the gate drive IC junction region and the gate link region, so that the size thereof can be minimized.

타이밍 콘트롤러(TCON)는 호스트 시스템(SYSTEM)으로부터 수신한 입력 영상의 디지털 비디오 데이터를 소스 드라이브 IC들(SIC)에 전송한다. 타이밍 콘트롤러(TCON)는 호스트 시스템(SYSTEM)으로부터 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(CLK) 등의 타이밍 신호들을 입력받는다. 이러한 타이밍 신호들은 입력 영상의 디지털 비디오 데이터와 동기된다. 타이밍 콘트롤러(TCON)는 타이밍 신호(Vsync, Hsync, DE, CLK)를 이용하여 소스 드라이브 IC들(SIC)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 소스 타이밍 제어신호와, 게이트 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호를 발생한다. 게이트 타이밍 제어신호는 클럭신호를 포함한다. 클럭신호는 레벨 시프터를 통해 레벨 시프팅되고 PCB와 COF 상에 형성된 클럭신호 배선들을 통해 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)에 공급될 수 있다. The timing controller TCON transfers the digital video data of the input image received from the host system SYSTEM to the source drive ICs SIC. The timing controller TCON receives timing signals such as a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a data enable signal DE, and a main clock CLK from the host system SYSTEM. These timing signals are synchronized with the digital video data of the input image. The timing controller TCON includes a source timing control signal for controlling the operation timing of the source drive ICs SIC using the timing signals Vsync, Hsync, DE, and CLK, and a timing control signal for controlling the operation timing of the gate drive circuit And generates a gate timing control signal. The gate timing control signal includes a clock signal. The clock signal is level shifted through the level shifter and can be supplied to the gate shift register (GIP S / R) via the clock signal lines formed on the PCB and the COF.

호스트 시스템(Host System, SYSTEM)은 텔레비젼 시스템, 셋톱박스, 네비게이션 시스템, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 폰 시스템(Phone system) 중 어느 하나로 구현될 수 있다. 호스트 시스템(SYSTEM)은 입력 영상의 디지털 비디오 데이터(RGB)를 표시패널(PNL)에 적합한 포맷으로 변환한다. 호스트 시스템(SYSTEM)은 입력 영상의 디지털 비디오 데이터와 함께 타이밍 신호들(Vsync, Hsync, DE, MCLK)을 타이밍 콘트롤러(TCON)로 전송한다.The host system may be implemented in any one of a television system, a set-top box, a navigation system, a DVD player, a Blu-ray player, a personal computer (PC), a home theater system, and a phone system. The host system (SYSTEM) converts digital video data (RGB) of the input image into a format suitable for the display panel (PNL). The host system transmits timing signals (Vsync, Hsync, DE, MCLK) to the timing controller (TCON) together with the digital video data of the input video.

COF 내에 소스 드라이브 IC와 게이트 드라이브 IC를 함께 실장하는 방법이 고려될 수 있다. 표시패널(PNL)에서 게이트 라인들(VG, HG)의 개수는 수직 데이터 라인들(VD)의 개수 보다 훨씬 적다. 따라서, 표시패널(PNL)의 구동에 필요한 게이트 드라이브 IC의 개수는 소스 드라이브 IC 보다 적다. 이 때문에 COF에 소스 드라이브 IC와 게이트 드라이브 IC를 함께 실장하는 방법은 필요 이상으로 게이트 드라이브 IC를 사용하여 구동회로 비용을 상승시킬 수 있다. A method of mounting the source drive IC and the gate drive IC together in the COF can be considered. The number of gate lines VG, HG in the display panel PNL is much smaller than the number of vertical data lines VD. Therefore, the number of gate drive ICs required for driving the display panel PNL is smaller than that of the source drive IC. For this reason, the method of mounting the source drive IC and the gate drive IC together in the COF can increase the driving circuit cost by using the gate drive IC more than necessary.

게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)에 입력되는 클럭신호 전압의 스윙폭은 데이터전압의 스윙폭에 비하여 크다. 이로 인하여, 클럭신호 배선이 COF의 출력 단자들에 연결된 데이터 패드(Data pad, 도 4의 DPAD) 또는 데이터 링크(Data link, 도 4의 DLINK)과 교차하면, 클럭신호 배선과 수직 데이터 라인(VD)의 커플링(Coupling)으로 인하여 클럭신호 전압에 의해 데이터전압이 왜곡될 수 있다. 데이터 패드(DPAD)는 데이터 링크(DLINK)를 경유하여 수직 데이터 라인(VD)에 연결된다. 데이터 패드는 소스 드라이브 IC(SIC)의 출력 단자 또는 COF의 출력 단자에 접촉하여 소스 드라이브 IC(SIC)로부터 출력되는 데이터전압을 수직 데이터 라인(VD)에 공급한다. 데이터 링크들(DLINK)은 COF의 출력 단자들을 수직 데이터 라인(VD)의 끝단에 형성된 데이터 패드들에 1:1로 연결한다. 데이터 링크들(DLINK) 간의 간격(pitch)은 COF의 출력 단자들 간의 간격과 데이터 패드들 간의 간격을 보상하기 위하여 데이터 패드들에 가까울수록 넓어진다.The swing width of the clock signal voltage input to the gate shift register (GIP S / R) is larger than the swing width of the data voltage. Therefore, when the clock signal line crosses the data pad (DPAD in FIG. 4) or the data link (DLINK in FIG. 4) connected to the output terminals of the COF, the clock signal line and the vertical data line VD The data voltage may be distorted by the clock signal voltage. The data pad (DPAD) is connected to the vertical data line (VD) via a data link (DLINK). The data pad contacts the output terminal of the source drive IC (SIC) or the output terminal of the COF to supply the data voltage output from the source drive IC (SIC) to the vertical data line (VD). The data links DLINK connect the output terminals of the COF 1: 1 to the data pads formed at the end of the vertical data line VD. The pitch between the data links DLINK is wider as it approaches the data pads to compensate for the spacing between the output terminals of the COF and the spacing between the data pads.

클럭신호 배선은 도 4와 같이, 수평 방향(도 1에서 x축 방향)을 따라 길게 형성된 클럭 버스 라인(11a)과, 그 클럭 버스 라인(11a)으로부터 분기되어 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)까지 연장된 클럭 링크 라인들(11b)를 포함한다. 4, the clock signal line is divided into a clock bus line 11a formed along the horizontal direction (x-axis direction in FIG. 1) and a gate shift register GIP S / R branched from the clock bus line 11a. And extended clock link lines 11b.

본 발명은 네로우 베젤을 구현하고 구동회로 비용을 줄이기 위하여 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)를 소스 드라이브 IC(SIC)와 가까운 표시패널(PNL)의 상단 또는 하단 베젤 내에서 GIP 공정을 이용하여 기판 상에 직접 형성한다. 또한, 본 발명은 데이터 전압의 왜곡을 방지하기 위하여, 도 3 내지 도 19와 같은 방법으로 클럭신호 배선들을 데이터 패드(DPAD)와 데이터 링크(DLINK)로부터 분리시킨다. 따라서, 클럭신호 배선(11a, 11b)은 수직 데이터 라인(VD)에 연결된 데이터 패드(DPAD)와 데이터 링크(DLINK)와 교차되지 않는다. 그 결과, 클럭신호 배선(11a, 11b)과 수직 데이터 라인(VD)를 통해 표시패널(PNL)에 공급되는 데이터 신호는 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)의 클럭신호에 영향을 받지 않는다. In order to realize a narrow bezel and to reduce the driving circuit cost, the present invention provides a method of manufacturing a display device using a GIP process in a top or bottom bezel of a display panel (PNL) close to a source drive IC (SIC) Is formed directly on the substrate. Also, in order to prevent distortion of the data voltage, the present invention separates the clock signal wires from the data pad (DPAD) and the data link (DLINK) according to the method shown in Figs. 3 to 19. Therefore, the clock signal lines 11a and 11b do not cross the data pad (DPAD) and the data link (DLINK) connected to the vertical data line (VD). As a result, the data signal supplied to the display panel PNL through the clock signal lines 11a and 11b and the vertical data line VD is not affected by the clock signal of the gate shift register GIP S / R.

도 3 및 도 4는 도 2에서 표시패널(PNL)의 A 부분을 확대하여 클럭 배선 영역, 데이터 패드 및 링크 영역, 및 게이트 시프트 레지스트 영역을 보여 주는 평면도들이다. 도 5는 도 3 및 도 4에 도시된 표시패널의 A 부분의 종단면 구조를 보여 주는 단면도이다. FIGS. 3 and 4 are plan views showing the clock wiring region, the data pad and the link region, and the gate shift resist region by enlarging the A portion of the display panel PNL in FIG. 5 is a cross-sectional view showing a longitudinal sectional structure of part A of the display panel shown in Figs. 3 and 4. Fig.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 표시패널(PNL)의 상단 또는 하단 베젤은 클럭 배선 영역(이하, "GIP CLK 배선 영역"이라 함)(10), 데이터 패드 및 링크 영역(이하, "DATA PAD & LINK 영역"이라 함)(12), 및 게이트 시프트 레지스터 영역(이하, "GIP S/R 영역"이라 함)(14)을 포함한다. 3 and 5, the upper or lower bezel of the display panel PNL includes a clock wiring area (hereinafter referred to as a "GIP CLK wiring area") 10, a data pad and a link area ≪ / LINK region ") 12, and a gate shift register region (hereinafter referred to as" GIP S / R region ") 14.

GIP CLK 배선 영역(10)은 표시패널(PNL)의 상단 또는 끝단과 가까운 영역이다. GIP CLK 배선 영역(10)에는 클럭 버스 라인들(11a)과, 클럭 버스 라인들(11a)로부터 분기된 클럭 링크들(11b)이 형성된다. 클럭 버스 라인들(11a)에는 게이트 시프트 레지스터(GIR S/R)의 동작에 필요한 클럭신호들(CLK1~CLK6)이 공급된다. 클럭 버스 라인들(11a)은 표시패널(PNL)의 기판 상단 또는 하단의 끝단에서 수평 방향(도 1에서 x축 방향)을 따라 길게 형성된다. 클럭 링크들(11b)은 클럭 버스 라인들(11a)로부터 수직 방향(도 1에서 y축 방향)으로 분기하여 클럭 버스 라인들(11a)을 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)의 클럭 입력 단자들에 연결한다.The GIP CLK wiring region 10 is a region close to the top or end of the display panel PNL. The GIP CLK wiring region 10 is formed with clock bus lines 11a and clock links 11b branched from the clock bus lines 11a. The clock bus lines 11a are supplied with the clock signals CLK1 to CLK6 necessary for the operation of the gate shift register GIR S / R. The clock bus lines 11a are elongated along the horizontal direction (x-axis direction in Fig. 1) at the upper or lower end of the substrate of the display panel PNL. The clock links 11b branch vertically (in the y axis direction in FIG. 1) from the clock bus lines 11a to connect the clock bus lines 11a to the clock input terminals of the gate shift register (GIP S / R) Lt; / RTI >

DATA PAD & LINK 영역(12)은 GIP CLK 배선 영역(10)과 GIP S/R 영역(14) 사이에 위치한다. DATA PAD & LINK 영역(12)에는 데이터 패드들(DPAD)이 형성되고 또한, 데이터 패드(DPAD)들과 수직 데이터 라인들(VD) 사이에 연결된 데이터 링크들(DLINK)이 형성된다. 클럭 링크들(11b)은 DATA PAD & LINK 영역(12)을 가로 질러 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)의 클럭 입력 단자들에 연결된다.The DATA PAD & LINK area 12 is located between the GIP CLK wiring area 10 and the GIP S / R area 14. In the DATA PAD & LINK area 12, data pads DPAD are formed and data links DLINK connected between the data pads DPAD and the vertical data lines VD are formed. The clock links 11b are connected across the DATA PAD & LINK region 12 to the clock input terminals of the gate shift register (GIP S / R).

GIP S/R 영역(14)은 DATA PAD & LINK 영역(12)과 액티브 영역(A/A) 사이에 위치한다. GIP S/R 영역(14)에는 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)이 형성된다.The GIP S / R area 14 is located between the DATA PAD & LINK area 12 and the active area A / A. In the GIP S / R region 14, a gate shift register (GIP S / R) is formed.

도 4에서, SB는 검사 공정에서 일시적으로 이용되는 쇼팅바(shorting bar)이다. 쇼팅바(SB)는 데이터 패드들(DPAD)을 공통으로 연결한다. 쇼팅바(SB)는 검사 공정에서 테스트 지그(Test Jig)의 프로브 핀(Probe pin)에 연결되어 테스트 지그로부터의 테스트 신호를 수직 데이터 라인들(VD)에 인가한다. 표시패널(PNL)의 TFT 어레이 기판은 스크라이빙 라인(Scribing line, SL)을 따라 커팅(Cutting)된다. 따라서, 스크라이빙 공정 이후에 쇼팅바(SB)는 표시패널(PNL)의 TFT 어레이 기판으로부터 분리되어 제거된다. 도 5에서, 밀봉재(Sealant, 22)는 컬러필터 어레이 기판(21)과 TFT 어레이 기판(23)을 접합한다. "BM"은 컬러필터 어레이 기판(21)의 가장자리에 형성된 블랙 매트릭스이다. In Fig. 4, SB is a shorting bar temporarily used in the inspection process. The shorting bar (SB) connects data pads (DPAD) in common. The shorting bar SB is connected to a probe pin of a test jig in the inspection process and applies a test signal from the test jig to the vertical data lines VD. The TFT array substrate of the display panel (PNL) is cut along a scribing line (SL). Therefore, after the scribing process, the shot bar SB is separated and removed from the TFT array substrate of the display panel PNL. In Fig. 5, the sealant 22 bonds the color filter array substrate 21 and the TFT array substrate 23 together. "BM" is a black matrix formed on the edge of the color filter array substrate 21.

본 발명의 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 도 6 내지 도 8은 본 발명의 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)의 일 예를 나타내는 것으로, 이에 한정되지 않는다는 것에 주의하여야 한다. 도 6은 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)의 일예를 보여 주는 회로도이다. 도 7은 도 6에서 제N 스테이지(STn)를 상세히 보여 주는 회로도이다. 도 8은 도 7에 도시된 제N 스테이지(STn)의 동작을 보여 주는 파형도이다. The gate shift register (GIP S / R) of the present invention can be implemented in various forms. 6 to 8 show an example of the gate shift register (GIP S / R) of the present invention, and it should be noted that the present invention is not limited to this. 6 is a circuit diagram showing an example of a gate shift register (GIP S / R). FIG. 7 is a circuit diagram showing the N-th stage STn in detail in FIG. 8 is a waveform diagram showing the operation of the N-th stage STn shown in FIG.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)는 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들(STn-2 ~ STn+2)을 포함하여 GIP 공정으로 표시패널(PNL)의 기판 상에 픽셀 어레이와 함께 직접 형성된다. 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)는 수직 게이트 라인들(VG)에 게이트 펄스를 순차적으로 공급한다. 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)는 소스 드라이브 IC(SIC)와 가까운 표시패널(PNL)의 상단 또는 하단의 기판 상에 형성된다. 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)는 레벨 시프터로부터 게이트 하이 전압과 게이트 로우 전압 사이에서 스윙하는 신호들(VST, CLK1~CLK4, VDD, VDDE, VDDO)를 입력받아 동작한다. 도 6에서, VDD는 고전위 전원 전압으로서 게이트 하이 전압으로 설정될 수 있다. 오드 게이트 하이 전압(VDDH)과 이븐 게이트 하이 전압(VDDL)은 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)의 스테이지들(STn-2 ~ STn+2) 각각에서 제1 및 제2 QB 노드들(QBO, QBE)에 인가되는 전압을 주기적으로 반전시켜 제1 및 제2 QB 노드들(QBO, QBE)의 전압이 게이트 전압으로 인가되는 풀다운 트랜지스터들(Pull-down transistor, T7O 및 T7E)의 직류 게이트 바이어스 스트레스(DC gate bias stress)를 보상한다. 오드 게이트 하이 전압(VDDH)은 도 8과 같은 기수 번째 프레임 기간(Odd Frame) 동안 게이트 하이 전압으로 발생되고 우수 번째 프레임 기간(Even Frame) 동안 게이트 로우 전압으로 발생될 수 있다. 이븐 게이트 하이 전압(VDDL)은 기수 번째 프레임 기간(Odd Frame) 동안 게이트 로우 전압으로 발생되고 우수 번째 프레임 기간(Even Frame) 동안 게이트 하이 전압으로 발생될 수 있다.6 to 8, the gate shift register GIP S / R includes a plurality of stages STn-2 to STn + 2, which are connected in a dependent manner, Lt; / RTI > with the pixel array. The gate shift register (GIP S / R) sequentially supplies gate pulses to the vertical gate lines (VG). The gate shift register GIP S / R is formed on the upper or lower substrate of the display panel PNL close to the source drive IC SIC. The gate shift register GIP S / R operates based on the signals (VST, CLK1 to CLK4, VDD, VDDE, VDDO) swinging between the gate high voltage and the gate low voltage from the level shifter. In Fig. 6, VDD may be set to a gate high voltage as a high-potential power supply voltage. The odd gate high voltage VDDH and the even gate high voltage VDDL are applied to the first and second QB nodes QBO, QNO and QNO in stages STn-2 to STn + 2 of the gate shift register GIP S / QBE of the first and second QB nodes QBO and QBE are periodically inverted so that the DC bias stresses of the pull-down transistors T7O and T7E, (DC gate bias stress). The odd gate high voltage VDDH may be generated at the gate high voltage during the odd frame period (Odd Frame) as shown in FIG. 8 and may be generated at the gate low voltage during the even frame period (Even Frame). The even gate high voltage VDDL may be generated at the gate low voltage during the odd frame period and may be generated at the gate high voltage during the even frame period.

제N(N은 양의 정수) 스테이지(STN)의 스타트 단자에는 스타트 펄스(VST), 또는 제N-2 스테이지(STN-2)의 출력이 스타트 펄스(VST)로서 입력된다. 제N 스테이지(STN)의 리셋 단자에는 제N+2 스테이지(STN+2)의 출력(VNEXT)이 입력된다. 제N 스테이지(S수에는 게이트 하이 전압(VDD), 오드 게이트 하이 전압(VDDH), 이븐 게이트 하이 전압(VDDL), 게이트 로우 전압(VSS) 등의 전원 전압이 공급된다. 제N 스테이지(STN)의 출력 단자는 표시패널(PNL)의 제N 수직 게이트 라인과 연결된다. 제N 스테이지(STN)는 출력 단자를 사이에 두고 연결된 풀업 트랜지스터(T6) 및 풀다운 트랜지스터들(T7O, T7E)과, 풀업 트랜지스터(T6)를 제어하는 Q 노드(Q), 풀다운 트랜지스터들(T7O, T7E)를 제어하는 제1 출력단자에 연결된 풀다운 트랜지스터들(T7C, T7D)을 제어하는 제1 및 제2 QB 노드(QB1, QB2), 및 Q 노드(Q)와 QB 노드들을(QBO, QBE)의 전압을 스위칭하는 트랜지스터들(T1~T5E) 등을 포함한다. An output of the start pulse VST or the output of the (N-2) th stage STN-2 is inputted as a start pulse VST to the start terminal of the N-th (N is a positive integer) stage STN. The output (VNEXT) of the (N + 2) th stage STN + 2 is input to the reset terminal of the N-th stage STN. A power supply voltage such as a gate high voltage VDD, an odd gate high voltage VDDH, an even gate high voltage VDDL and a gate low voltage VSS is supplied to the N-th stage STN. The N-th stage STN includes a pull-up transistor T6 and pull-down transistors T7O and T7E connected to each other through an output terminal, The QB node QB1 controlling the pull-down transistors T7C and T7D connected to the first output terminal for controlling the Q node Q controlling the transistor T6 and the pull-down transistors T7O and T7E QB2 and transistors Q1 to Q5 for switching the voltage of the Q node QB and the QB nodes QBO and QBE.

제1 트랜지스터(T1)는 스타트 신호(VST) 또는 제n-2 스테이지(STn-1)의 출력을 제2 트랜지스터(T2)에 공급하는 다이오드로 동작한다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트전극과 드레인전극은 스타트 단자에 연결된다. 제1 트랜지스터(T1)의 소스전극은 제2 트랜지스터(T2)의 드레인전극에 연결된다. 제2 트랜지스터(T2)는 제1 클럭신호(CLK1)에 응답하여 스타트 신호(VST)의 전압을 Q 노드(Q)에 공급하여 Q 노드를 충전한다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트전극에는 제1 클럭신호(CLK1)가 입력된다. 제2 트랜지스터(T2)의 드레인전극은 제1 트랜지스터(T1)의 소스전극에 연결되고, 제2 트랜지스터(T2)의 소스전극은 Q 노드(Q)에 연결된다. The first transistor T1 operates as a diode which supplies the start signal VST or the output of the (n-2) th stage STn-1 to the second transistor T2. The gate electrode and the drain electrode of the first transistor T1 are connected to the start terminal. The source electrode of the first transistor T1 is connected to the drain electrode of the second transistor T2. The second transistor T2 charges the Q node by supplying the voltage of the start signal VST to the Q node Q in response to the first clock signal CLK1. The first clock signal CLK1 is input to the gate electrode of the second transistor T2. The drain electrode of the second transistor T2 is connected to the source electrode of the first transistor T1 and the source electrode of the second transistor T2 is connected to the Q node Q.

풀업 트랜지스터(T6)는 Q 노드(Q)가 충전된 상태에서 제2 클럭신호(CLK2)가 입력되면 턴온(turn-on)되어 제2 클럭신호(CLK2)의 전압으로 출력 단자(OUTN)를 충전시킨다. 풀업 트랜지스터(T6)의 드레인전극에는 제2 클럭신호(CLK2)가 입력된다. 풀업 트랜지스터(T6)의 게이트전극은 Q 노드(Q)에 연결되고, 풀업 트랜지스터(T6)의 소스전극은 출력 단자(OUTN)에 연결된다. 따라서, 제N 스테이지(STN)는 제2 클럭신호(CLK2)에 응답하여 게이트 펄스를 발생한다. The pull-up transistor T6 is turned on when the second clock signal CLK2 is input in the state where the Q node Q is charged and charges the output terminal OUTN with the voltage of the second clock signal CLK2 . The second clock signal CLK2 is input to the drain electrode of the pull-up transistor T6. The gate electrode of the pull-up transistor T6 is connected to the Q node Q and the source electrode of the pull-up transistor T6 is connected to the output terminal OUTN. Thus, the Nth stage STN generates a gate pulse in response to the second clock signal CLK2.

제3Q 트랜지스터(T1)는 제4 클럭신호(CLK4)에 응답하여 Q 노드(Q)를 방전시킨다. 제3Q 트랜지스터(T3Q)의 게이트전극에는 제4 클럭신호(CLK4)가 입력된다. 제3Q 트랜지스터(T3Q)의 드레인전극은 Q 노드(Q)에 연결되고, 그 소스전극은 저전위 전압원에 연결된다. 저전위 전압원은 게이트 로우 전압(VSS)을 발생한다.The third transistor T1 discharges the Q node Q in response to the fourth clock signal CLK4. The fourth clock signal CLK4 is input to the gate electrode of the third Q transistor T3Q. The drain electrode of the third Q transistor T3Q is connected to the Q node Q, and its source electrode is connected to the low potential voltage source. The low potential voltage source generates the gate low voltage (VSS).

제3O 트랜지스터(T3O)는 제1 QB 노드(QBO)가 충전될 때 그 제1 QB 노드(QBO)의 전압에 응답하여 턴-온되어 Q 노드(Q)를 방전시킨다. 제3O 트랜지스터(T3O)의 게이트전극은 제1 QB 노드(QBO)에 연결되고, 제3O 트랜지스터(T3O)의 드레인전극은 Q 노드(Q)에 연결된다. 제3O 트랜지스터(T3O)의 소스전극은 저전위 전압원에 연결된다. 제3E 트랜지스터(T3E)는 제2 QB 노드(QBE)가 충전될 때 그 제2 QB 노드(QBE)의 전압에 응답하여 턴-온되어 Q 노드(Q)를 방전시킨다. 제3E 트랜지스터(T3E)의 게이트전극은 제2 QB 노드(QBE)에 연결되고, 제3E 트랜지스터(T3E)의 드레인전극은 Q 노드(Q)에 연결된다. 제3E 트랜지스터(T3E)의 소스전극은 저전위 전압원에 연결된다.The third ON transistor T3O is turned on in response to the voltage of the first QB node QBO when the first QB node QBO is charged to discharge the Q node Q. The gate electrode of the third transistor T3O is connected to the first QB node QBO and the drain electrode of the third transistor T3O is connected to the Q node Q. The source electrode of the third transistor (T3O) is connected to the low potential voltage source. The third E transistor T3E is turned on in response to the voltage of the second QB node QBE when the second QB node QBE is charged to discharge the Q node Q. The gate electrode of the third E transistor T3E is connected to the second QB node QBE and the drain electrode of the third E transistor T3E is connected to the Q node Q. [ The source electrode of the third E transistor T3E is connected to the low potential voltage source.

제4O 트랜지스터(T4O)는 제4 클럭신호(CLK4)에 응답하여 제1 QB 노드(QBO)를 충전시켜 오드 게이트 하이 전압(VDDH)으로 제1 풀다운 트랜지스터(T7O)와 제3O 트랜지스터(T3O)를 턴온시킨다. 제4O 트랜지스터(T4O)의 게이트전극에는 제4 클럭신호(CLK4)가 입력되고, 그 드레인전극에는 오드 게이트 하이 전압(VDDH)이 입력된다. 제4O 트랜지스터(T4O)의 소스전극은 제1 QB 노드(QBO)에 연결된다. 제4E 트랜지스터(T4E)는 제4 클럭신호(CLK4)에 응답하여 제2 QB 노드(QBE)를 충전시켜 이븐 게이트 하이 전압(VDDL)으로 제2 풀다운 트랜지스터(T7E)와 제3E 트랜지스터(T3E)를 턴온시킨다. 제4E 트랜지스터(T4E)의 게이트전극에는 제4 클럭신호(CLK4)가 입력되고, 그 드레인전극에는 이븐 게이트 하이 전압(VDDL)이 입력된다. 제4E 트랜지스터(T4E)의 소스전극은 제2 QB 노드(QBE)에 연결된다. 따라서, 제4O 트랜지스터(T4O)는 기수 번째 프레임 기간에 제4 클럭신호(CLK4)에 응답하여 제1 QB 노드(QB)를 충전시킨다. 제4E 트랜지스터(T4E)는 기수 번째 프레임 기간에 제4 클럭신호(CLK4)에 응답하여 제1 QB 노드(QB)를 충전시킨다. The fourth transistor T4O charges the first QB node QBO in response to the fourth clock signal CLK4 and supplies the first pull-down transistor T7O and the third transistor T3O to the odd gate high voltage VDDH Turn on. The fourth clock signal (CLK4) is inputted to the gate electrode of the fourth transistor (T4O), and the odd gate high voltage (VDDH) is inputted to the drain electrode thereof. The source electrode of the fourth transistor T4O is connected to the first QB node QBO. The fourth E transistor T4E charges the second QB node QBE in response to the fourth clock signal CLK4 and supplies the second pull-down transistor T7E and the third E transistor T3E to the even gate high voltage VDDL Turn on. The fourth clock signal (CLK4) is input to the gate electrode of the fourth E-transistor T4E, and the even gate high voltage (VDDL) is input to the drain electrode thereof. The source electrode of the fourth E transistor T4E is connected to the second QB node QBE. Thus, the fourth transistor T4O charges the first QB node QB in response to the fourth clock signal CLK4 in the odd-numbered frame period. The fourth E transistor T4E charges the first QB node QB in response to the fourth clock signal CLK4 in the odd-numbered frame period.

제5O 트랜지스터(T5O)는 스타트 신호(VST)에 응답하여 제1 QB 노드(QBO)를 방전시켜 제1 풀다운 트랜지스터(T7O)와 제3O 트랜지스터(T3O)를 턴오프시킨다. 제5O 트랜지스터(T5O)의 게이트전극에는 스타트 신호(VST)가 입력된다. 제5O 트랜지스터(T5O)의 드레인전극은 Q 노드에 연결되고, 그 소스전극은 저전위 전압원에 연결된다. 제5E 트랜지스터(T5E)는 스타트 신호(VST)에 응답하여 제2 QB 노드(QBE)를 방전시켜 제2 풀다운 트랜지스터(T7E)와 제3E 트랜지스터(T3E)를 턴오프시킨다. 제5E 트랜지스터(T5E)의 게이트전극에는 스타트 신호(VST)가 입력된다. 제5E 트랜지스터(T5E)의 드레인전극은 Q 노드에 연결되고, 그 소스전극은 저전위 전압원에 연결된다.The fifth transistor (T5O) discharges the first QB node (QBO) in response to the start signal (VST) to turn off the first pull-down transistor (T70) and the third transistor (T3O). A start signal (VST) is input to the gate electrode of the fifth transistor (T5O). The drain electrode of the fifth O transistor T50 is connected to the Q node, and the source electrode thereof is connected to the low potential voltage source. The fifth E transistor T5E responds to the start signal VST to discharge the second QB node QBE to turn off the second pull down transistor T7E and the third E transistor T3E. A start signal VST is input to the gate electrode of the fifth E-transistor T5E. The drain electrode of the fifth E transistor T5E is connected to the Q node, and its source electrode is connected to the low potential voltage source.

제1 풀다운 트랜지스터(T7O)는 기수 번째 프레임 기간 동안 제1 QB 노드(QBO)가 충전될 때 턴온되어 출력단자(OUTN)를 방전시킨다. 제1 풀다운 트랜지스터(T7O)의 게이트전극은 제1 QB 노드(QBO)에 연결된다. 제1 풀다운 트랜지스터(T7O)의 드레인전극은 출력단자(OUTN)에 연결되고, 제1 풀다운 트랜지스터(T7O)의 소스전극은 저전위 전압원에 연결된다. 제2 풀다운 트랜지스터(T7E)는 우수 번째 프레임 기간 동안 제2 QB 노드(QBE)가 충전될 때 턴온되어 출력단자(OUTN)를 방전시킨다. 제2 풀다운 트랜지스터(T7E)의 게이트전극은 제2 QB 노드(QBE)에 연결된다. 제2 풀다운 트랜지스터(T7E)의 드레인전극은 출력단자(OUTN)에 연결되고, 제2 풀다운 트랜지스터(T7E)의 소스전극은 저전위 전압원에 연결된다. The first pull-down transistor T70 is turned on when the first QB node QBO is charged during the odd-numbered frame period to discharge the output terminal OUTN. The gate electrode of the first pull-down transistor T70 is connected to the first QB node QBO. The drain electrode of the first pull-down transistor T70 is connected to the output terminal OUTN and the source electrode of the first pull-down transistor T70 is connected to the low potential voltage source. The second pull-down transistor T7E is turned on when the second QB node QBE is charged during the odd-numbered frame period to discharge the output terminal OUTN. The gate electrode of the second pull-down transistor T7E is connected to the second QB node QBE. The drain electrode of the second pull-down transistor T7E is connected to the output terminal OUTN and the source electrode of the second pull-down transistor T7E is connected to the low potential voltage source.

수직 게이트 라인들(VG)과 수평 게이트 라인들(HG)은 절연층을 사이에 두고 분리된 금속층들로 형성된다. 예를 들어, 수평 게이트 라인들(HG)은 TFT 어레이 기판 상에 형성된 제1 금속 패턴으로 형성되고, 제1 금속 패턴은 절연층으로 덮여질 수 있다. 수직 게이트 라인들(VG)은 절연층 상에 형성되는 제2 금속 패턴으로 형성될 수 있다. 제N 수직 게이트 라인은 제N 수평 게이트 라인과 그 교차되는 게이트 콘택부(GC)에서 절연층을 관통하는 콘택홀(Contact hole)을 통해 제N 수평 게이트 라인에 연결될 수 있다. 표시패널(PNL)에서 수직 배선들의 개수는 수평 배선들 보다 많다. 따라서, 표시패널(PNL)에서 게이트 콘택부들(GC)은 도 9 내지 도 13과 같이 액티브 어레이(A/A)의 일부 영역에 형성될 수 있다. The vertical gate lines VG and the horizontal gate lines HG are formed of separated metal layers with an insulating layer sandwiched therebetween. For example, the horizontal gate lines HG may be formed of a first metal pattern formed on a TFT array substrate, and the first metal pattern may be covered with an insulating layer. The vertical gate lines VG may be formed of a second metal pattern formed on the insulating layer. The Nth vertical gate line may be connected to the Nth horizontal gate line through a contact hole passing through the insulating layer at the Nth horizontal gate line and the gate contact GC intersected at the Nth horizontal gate line. The number of vertical wirings in the display panel (PNL) is larger than that in the horizontal wirings. Therefore, in the display panel PNL, the gate contact portions GC can be formed in a part of the active array A / A as shown in Figs. 9 to 13.

게이트 펄스는 게이트 라인들(VG, HG)의 저항(R)과 기생 용량(C)으로 인하여 지연된다. 표시패널(PNL)의 크기가 커질수록 게이트 라인들(VG, HG)의 길이가 커지므로 게이트 펄스의 RC 딜레이(delay)는 더 커진다. 본 발명은 도 9 내지 도 12와 같이 2 개의 수직 게이트 라인들(VG)을 통해 한 개의 수평 게이트 라인(HG)의 양측에 게이트 펄스를 동시에 인가하는 더블 피딩(double feeding)으로 게이트 펄스의 지연을 보상할 수 있다. 본 발명은 표시패널(PNL)의 크기가 작거나 게이트 라인들(VG, HG)의 RC 딜레이가 작은 패널의 경우에, 도 13과 같이 1 개의 수직 게이트 라인(VG)을 통해 한 개의 수평 게이트 라인(HG)에 게이트 펄스를 인가할 수도 있다.The gate pulse is delayed due to the resistance R and the parasitic capacitance C of the gate lines VG and HG. As the size of the display panel PNL increases, the length of the gate lines VG and HG becomes larger, so that the RC delay of the gate pulse becomes larger. The present invention is characterized in that the delay of the gate pulse is reduced by double feeding simultaneously applying gate pulses to both sides of one horizontal gate line HG through two vertical gate lines VG as shown in FIGS. You can compensate. The present invention is applicable to a case where a display panel PNL is small or a RC delay of gate lines VG and HG is small, A gate pulse may be applied to the gate electrode HG.

도 9 내지 도 13은 수직 게이트 라인들(VG)과 수평 게이트 라인들(HG)의 다양한 연결 방법을 보여 주는 평면도들이다. 9 to 13 are plan views showing various connection methods of the vertical gate lines VG and the horizontal gate lines HG.

도 9 내지 도 12를 참조하면, 제1 및 제2 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R A, GIP S/SR B)는 소스 드라이브 IC들과 가깝게 배치되도록 표시패널(PNL)의 상단 또는 하단 베젤에 형성될 수 있다. 제1 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R A)와 제2 게이트 시프트 레지스터(GIP S/SR B) 사이에는 게이트 시프트 레지스터가 없는 비 GIP 영역(NGIP)이 존재한다. 제1 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R A)이 형성되는 제1 GIP S/R 영역을 수직으로 연장한 표시패널(PNL)의 좌측 영역에 제1 그룹의 수직 게이트 라인들(VG1a~VG4a)과 수직 데이터 라인들(VD)이 형성될 수 있다. 제2 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R B)이 형성되는 제2 GIP S/R 영역을 수직으로 연장한 표시패널(PNL)의 우측 영역에 제2 그룹의 수직 게이트 라인들(VG1b~VG4b)과 수직 데이터 라인들(VD)이 형성될 수 있다. 제1 그룹에 속한 하나의 수직 게이트 라인(VG1a~VG4a)과, 제2 그룹에 속한 하나의 수직 게이트 라인(VG1b~VG4b)은 좌우 게이트 콘택부(GC)를 통해 하나의 수평 게이트 라인(HG1~HG4)에 연결되어 그 수평 게이트 라인(HG1~HG4)에 동시에 게이트 펄스를 공급한다. 따라서, 한 쌍의 수직 게이트 라인은 게이트펄스의 지연을 보상하기 위하여, 하나의 수평 게이트 라인 양측에 게이트 펄스를 인가한다.9-12, the first and second gate shift registers GIPS / RA, GIPS / SRB are formed in the upper or lower bezel of the display panel PNL so as to be disposed close to the source drive ICs. . There is a non-GIP area (NGIP) in which there is no gate shift register between the first gate shift register (GIP S / R A) and the second gate shift register (GIP S / SR B). The first group of vertical gate lines VG1a to VG4a and the second group of vertical gate lines VG1a to VG4a are arranged in the left region of the display panel PNL in which the first GIP S / R region in which the first gate shift register GIP S / The data lines VD may be formed. The second group of vertical gate lines (VG1b to VG4b) and the second group of vertical gate lines (VG1b to VG4b) are arranged in the right region of the display panel (PNL) in which the second GIP S / R region in which the second gate shift register The data lines VD may be formed. One vertical gate line VG1a to VG4a belonging to the first group and one vertical gate line VG1b to VG4b belonging to the second group are connected to one horizontal gate line HG1 to HG4 through the left and right gate contact portions GC, HG4 to supply gate pulses to the horizontal gate lines HG1 to HG4 at the same time. Thus, a pair of vertical gate lines apply gate pulses to both sides of one horizontal gate line to compensate for the delay of the gate pulse.

액티브 영역(A/A) 내에서 비 GIP 영역(NGIP)을 수직으로 연장할 때 포함되는 액티브 영역(A/A)의 일부에는 수직 게이트 라인들(VG)이 없이 수직 데이터 라인(VD), 수직 공통 라인(VC), 그리고 기타 픽셀에 영향을 주지 않는 신호 배선이 형성될 수 있다. A part of the active area A / A included when the non-GIP area NGIP extends vertically in the active area A / A is a vertical data line VD, A common line (VC), and signal wiring that does not affect other pixels can be formed.

수직 게이트 라인들(VG)과 수평 게이트 라인들(HG)은 게이트 콘택부(GC)를 통해 연결된다. 가까운 게이트 콘택부들(GC)을 잇는 가상의 게이트 콘택 라인(GCL)은 사다리꼴(또는 역 V자) 또는 V자 형태일 수 있다. The vertical gate lines VG and the horizontal gate lines HG are connected via the gate contact portion GC. The virtual gate contact line GCL connecting the near gate contact portions GC can be trapezoidal (or inverted V) or V-shaped.

제1 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R A)는 표시패널(PNL)의 좌측에 배치된 수직 게이트 라인들(VG1a~VG4a)에 게이트 펄스를 순차적으로 공급한다. 이와 동시에 제2 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R B)는 타이밍 콘트롤러(TCON)의 제어 하에 제1 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R A)에 동기하여 표시패널(PNL)의 우측에 배치된 수직 게이트 라인들(VG1a~VG4a)에 게이트 펄스를 순차적으로 공급한다. 도 10의 예에서, 제1 수직 게이트 라인쌍(VG1a, VG1b)을 통해 제1 수평 게이트 라인(HG1)의 양측에 게이트 펄스가 동시에 인가된 후에, 제2 수직 게이트 라인쌍(VG2a, VG2b)을 통해 제2 수평 게이트 라인(HG2)에 게이트 펄스가 동시에 인가된다. 이어서, 제3 수직 게이트 라인쌍(VG3a, VG3b)을 통해 제3 수평 게이트 라인(HG3)의 양측에 게이트 펄스가 동시에 인가된 후에, 제4 수직 게이트 라인쌍(VG4a, VG4b)을 통해 제4 수평 게이트 라인(HG4)에 게이트 펄스가 동시에 인가된다.The first gate shift register GIP S / R A sequentially supplies gate pulses to the vertical gate lines VG1a to VG4a disposed on the left side of the display panel PNL. At the same time, the second gate shift register GIPS / RB is controlled by the timing controller TCON in synchronization with the first gate shift register GIP S / (VG1a to VG4a). 10, after the gate pulses are simultaneously applied to both sides of the first horizontal gate line HG1 through the first pair of vertical gate lines VG1a and VG1b, the second pair of vertical gate lines VG2a and VG2b A gate pulse is simultaneously applied to the second horizontal gate line HG2. Subsequently, gate pulses are simultaneously applied to both sides of the third horizontal gate line HG3 through the third pair of vertical gate lines VG3a and VG3b, and then the fourth horizontal line pair VG4a and VG4b is applied Gate pulses are simultaneously applied to the gate line HG4.

도 11을 참조하면, 표시패널(PNL)의 좌측과 우측 상단(또는 하단)에 제1 및 제2 비 GIP 영역(44a, 44b)이 확보된다. 제1 및 제2 비 GIP 영역(44a, 44b) 사이의 GIP S/R 영역(42)에 제1 및 제2 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R A, GIP S/R B)가 형성된다. 게이트 콘택 라인들(GCL)은 표시패널(PNL)의 상단에서 하단으로 갈수록 벌어지는 역 V자 형태로 형성될 수 있다. 제1 및 제2 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R A, GIP S/R B)는 게이트펄스의 지연을 보상하기 위하여 한 쌍의 수직 게이트 라인을 통해 수평 게이트 라인에 게이트펄스를 인가하고, 그 게이트 펄스를 미리 정해진 스캐닝 방향을 따라 시프트시킨다. 수직 게이트 라인들은 비 GIP 영역(44a, 44b)을 수직으로 연장한 액티브 영역(A/A)에 형성되지 않고 GIP S/R 영역(42)을 수직으로 연장한 액티브 영역(A/A)에 형성된다.Referring to FIG. 11, first and second non-GIP regions 44a and 44b are secured at the left and right upper ends (or lower ends) of the display panel PNL. First and second gate shift registers GIP S / R A and GIP S / R B are formed in the GIP S / R region 42 between the first and second non-GIP regions 44a and 44b. The gate contact lines GCL may be formed in an inverted V shape extending from the upper end to the lower end of the display panel PNL. The first and second gate shift registers GIPS / RA and GIPS / RB apply a gate pulse to the horizontal gate line through a pair of vertical gate lines to compensate for the delay of the gate pulse, And is shifted along a predetermined scanning direction. The vertical gate lines are formed in the active region A / A extending vertically without forming the GIP S / R region 42 in the active region A / A extending vertically from the non-GIP regions 44a and 44b. do.

도 12를 참조하면, 표시패널(PNL)의 좌측과 우측 상단(또는 하단)에 제1 및 제2 비 GIP 영역(48a, 48b)이 확보된다. 제1 및 제2 비 GIP 영역(48a, 48b) 사이의 GIP S/R 영역(46)에 제1 및 제2 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R A, GIP S/R B)가 형성된다. 게이트 콘택 라인들(GCL)은 표시패널(PNL)의 상단에서 하단으로 갈수록 좁아지는 V자 형태로 형성될 수 있다. 제1 및 제2 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R A, GIP S/R B)는 게이트펄스의 지연을 보상하기 위하여 한 쌍의 수직 게이트 라인을 통해 수평 게이트 라인에 게이트펄스를 인가하고, 그 게이트 펄스를 미리 정해진 스캐닝 방향을 따라 시프트시킨다. 수직 게이트 라인들은 비 GIP 영역(48a, 48b)을 수직으로 연장한 액티브 영역(A/A)에 형성되지 않고 GIP S/R 영역(46)을 수직으로 연장한 액티브 영역(A/A)에 형성된다. Referring to FIG. 12, first and second non-GIP regions 48a and 48b are secured on the left and right upper ends (or lower ends) of the display panel PNL. First and second gate shift registers GIP S / R A and GIP S / R B are formed in the GIP S / R region 46 between the first and second non-GIP regions 48a and 48b. The gate contact lines GCL may be formed in a V-shape that becomes narrower from the upper end to the lower end of the display panel PNL. The first and second gate shift registers GIPS / RA and GIPS / RB apply a gate pulse to the horizontal gate line through a pair of vertical gate lines to compensate for the delay of the gate pulse, And is shifted along a predetermined scanning direction. The vertical gate lines are formed in the active region A / A extending vertically without forming the GIP S / R region 46 in the active region A / A vertically extending the non-GIP regions 48a and 48b. do.

도 13을 참조하면, 표시패널(PNL)의 좌측 또는 우측 상단(또는 하단)에 비 GIP 영역(54)이 확보된다. 비 GIP 영역(54)를 제외한 표시패널(PNL)의 상단에 확보된 GIP S/R 영역(52)에 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)가 형성된다. 수직 게이트 라인들과 수평 게이트 라인들은 게이트 콘택부(GC)를 통해 1:1로 연결된다. 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)는 수직 게이트 라인들에 게이트펄스를 순차적으로 공급한다. 수직 게이트 라인들은 비 GIP 영역(54)을 수직으로 연장한 액티브 영역(A/A)에 형성되지 않고 GIP S/R 영역(52)을 수직으로 연장한 액티브 영역(A/A)에 형성된다.Referring to FIG. 13, a non-GIP area 54 is secured at the left or right upper end (or lower end) of the display panel PNL. A gate shift register GIP S / R is formed in the GIP S / R area 52 secured at the top of the display panel PNL except for the non-GIP area 54. [ The vertical gate lines and the horizontal gate lines are connected 1: 1 through the gate contact portion (GC). A gate shift register (GIP S / R) sequentially supplies gate pulses to the vertical gate lines. The vertical gate lines are formed in the active region A / A extending vertically from the GIP S / R region 52 without being formed in the active region A / A vertically extending the non-GIP region 54.

본 발명은 액티브 영역(A/A) 내에서 수직 배선들의 개수를 줄이고 소스 드라이브 IC(SIC)의 소비 전력을 줄이기 위하여 도 14와 같은 픽셀 어레이로 액티브 영역(A/A)을 형성할 수 있다. 본 발명의 픽셀 어레이 구조는 도 14에 한정되지 않는다는 것에 주의하여야 한다. 도 14에서, PIX1~PIX16은 화소전극이다. T1~T16은 TFT이다. The present invention can form an active area A / A in a pixel array as shown in Fig. 14 in order to reduce the number of vertical wirings in the active area A / A and reduce the power consumption of the source driver IC (SIC). It should be noted that the pixel array structure of the present invention is not limited to Fig. 14, PIX1 to PIX16 are pixel electrodes. T1 to T16 are TFTs.

도 14 및 도 15를 참조하면, 수평 방향으로 이웃한 픽셀들 사이에는 한 개의 수직 배선만 존재한다. 예를 들어, 제1 및 제2 픽셀 전극들(PIX1, PIX2) 사이에는 제1 수직 게이트 라인(VG1)만 배치되고, 제2 및 제3 픽셀 전극들(PIX2, PIX3) 사이에는 제2 수직 데이터 라인(VD2)만 배치된다. 이러한 수직 배선들의 배치 방법은 수평 방향에서 이웃한 픽셀들 간에 형성되는 블랙 매트릭스의 폭을 줄일 수 있다. Referring to FIGS. 14 and 15, there is only one vertical wiring between the pixels neighboring in the horizontal direction. For example, only the first vertical gate line VG1 is disposed between the first and second pixel electrodes PIX1 and PIX2, and the second vertical data VIX is provided between the second and third pixel electrodes PIX2 and PIX3. Only the line VD2 is disposed. The method of arranging the vertical wirings can reduce the width of the black matrix formed between neighboring pixels in the horizontal direction.

본 발명은 도 14와 같은 픽셀 어레이를 이용하여 픽셀 어레이에서 도트 인버젼(Dot inversion) 형태로 데이터 전압의 극성을 반전시켜 플리커(flicker)를 최소화하고, 소스 드라이브 IC(SIC)의 출력 채널들을 통해 출력되는 전압의 극성을 변하게 하지 않으므로 소스 드라이브 IC(SIC)의 소비 전력과 발열양을 줄일 수 있다. 소스 드라이브 IC(SIC)는 기수 번째 프레임 기간 동안 기수 번째 출력 채널들을 통해 제1 극성으로 유지되는 데이터 전압을 출력하고, 우수 번째 출력 채널들을 통해 제2 극성으로 극성이 유지되는 데이터 전압을 출력한다. 이어서, 소스 드라이브 IC(SIC)는 우수 번째 프레임 기간 동안, 기수 번째 출력 채널들을 통해 제2 극성으로 유지되는 데이터 전압을 출력하고, 우수 번째 출력 채널들을 통해 제1 극성으로 극성이 유지되는 데이터 전압을 출력한다. 따라서, 소스 드라이브 IC(SIC)는 1 프레임 기간 동안 특정 출력 채널을 통해 출력되는 데이터 전압의 극성을 반전시키지 않고 이웃한 출력 채널들을 통해 출력되는 데이터 전압들의 극성을 반전시키는 컬럼 인버젼(Column inversion) 회로로 구현될 수 있다. The present invention minimizes the flicker by inverting the polarity of the data voltage in the form of a dot inversion in the pixel array using the pixel array as shown in FIG. 14, and outputs the data through the output channels of the source drive IC (SIC) Since the polarity of the output voltage is not changed, the power consumption and heat generation of the source drive IC (SIC) can be reduced. The source driver IC SIC outputs a data voltage maintained at a first polarity through odd-numbered output channels during the odd-numbered frame period, and a data voltage maintained at a second polarity through odd-numbered output channels. Then, the source driver IC (SIC) outputs the data voltage maintained at the second polarity through the odd-numbered output channels during the odd-numbered frame period, and the data voltage maintained at the first polarity through the odd- Output. Thus, the source driver IC (SIC) is a column inversion that inverts the polarity of the data voltages output through neighboring output channels without inverting the polarity of the data voltages output through a particular output channel during one frame period. Circuit.

표시패널(PNL)의 제1 수평 라인에서 제1 수직 게이트 라인(VG1)을 사이에 두고 수평으로 이웃한 제1 및 제2 픽셀은 제1 수직 데이터 라인(VD1)을 통해 공급되는 제1 극성의 데이터전압을 연속으로 충전한다. 제1 픽셀이 제1 TFT(T1)를 통해 제1 극성의 데이터전압(+R)을 충전한 다음, 제2 픽셀이 제2 TFT(T2)를 통해 제1 극성의 데이터전압(+G)을 충전한다. 표시패널(PNL)의 제1 수평 라인에서 제3 수직 게이트 라인(VG3)을 사이에 두고 수평으로 이웃한 제3 및 제4 픽셀은 제2 수직 데이터 라인(VD2)을 통해 공급되는 제2 극성의 데이터전압을 연속으로 충전한다. 제4 픽셀이 제4 TFT(T4)를 통해 제2 극성의 데이터전압(-R)을 충전한 다음, 제3 픽셀이 제3 TFT(T3)를 통해 제2 극성의 데이터전압(-B)을 충전한다. 표시패널(PNL)의 제1 수평 라인에서 제5 수직 게이트 라인(VG5)을 사이에 두고 수평으로 이웃한 제5 및 제6 픽셀은 제3 수직 데이터 라인(VD3)을 통해 공급되는 제1 극성의 데이터전압을 연속으로 충전한다. 제6 픽셀이 제6 TFT(T6)를 통해 제1 극성의 데이터전압(+B)을 충전한 다음, 제5 픽셀이 제5 TFT(T5)를 통해 제1 극성의 데이터전압(+G)을 충전한다. 표시패널(PNL)의 제1 수평 라인에서 제1 수직 공통 라인(VC)을 사이에 두고 수평으로 이웃한 제7 및 제8 픽셀은 제4 수직 데이터 라인(VD4)을 통해 공급되는 제2 극성의 데이터전압을 연속으로 충전한다. 제7 픽셀이 제7 TFT(T7)를 통해 제2 극성의 데이터전압(-R)을 충전한 다음, 제8 픽셀이 제8 TFT(T8)를 통해 제2 극성의 데이터전압(-G)을 충전한다. The first and second pixels horizontally adjacent to each other with the first vertical gate line VG1 therebetween in the first horizontal line of the display panel PNL are connected to the first vertical data line VD1 through the first vertical data line VD1. Charge the data voltage continuously. The first pixel charges the data voltage (+ R) of the first polarity through the first TFT (T1), and the second pixel supplies the data voltage (+ G) of the first polarity through the second TFT Charge. The third and fourth pixels horizontally adjacent to each other with the third vertical gate line VG3 therebetween in the first horizontal line of the display panel PNL are connected to the second vertical data line VD2 through the second vertical data line VD2. Charge the data voltage continuously. The fourth pixel charges the data voltage -R of the second polarity through the fourth TFT T4 and then the third pixel supplies the data voltage -B of the second polarity through the third TFT T3 Charge. The fifth and sixth pixels horizontally adjacent to each other with the fifth vertical gate line VG5 therebetween in the first horizontal line of the display panel PNL are connected to the first vertical data line VD1, Charge the data voltage continuously. The sixth pixel charges the data voltage (+ B) of the first polarity through the sixth TFT (T6), and the fifth pixel supplies the data voltage (+ G) of the first polarity through the fifth TFT Charge. The seventh and eighth pixels horizontally adjacent to each other with the first vertical common line (VC) therebetween in the first horizontal line of the display panel (PNL) are connected to the first vertical line Charge the data voltage continuously. The seventh pixel charges the data voltage (-R) of the second polarity through the seventh TFT (T7), and the eighth pixel supplies the data voltage (-G) of the second polarity through the eighth TFT (T8) Charge.

표시패널(PNL)의 제2 수평 라인에서 제1 수직 게이트 라인(VG1)을 사이에 두고 수평으로 이웃한 제9 및 제10 픽셀은 제2 수직 데이터 라인(VD2)을 통해 공급되는 제2 극성의 데이터전압을 연속으로 충전한다. 제9 픽셀이 제9 TFT(T9)를 통해 제2 극성의 데이터전압(-R)을 충전한 다음, 제10 픽셀이 제10 TFT(T10)를 통해 제2 극성의 데이터전압(-G)을 충전한다. 표시패널(PNL)의 제2 수평 라인에서 제3 수직 게이트 라인(VG3)을 사이에 두고 수평으로 이웃한 제11 및 제12 픽셀은 제3 수직 데이터 라인(VD3)을 통해 공급되는 제1 극성의 데이터전압을 연속으로 충전한다. 제12 픽셀이 제12 TFT(T12)를 통해 제1 극성의 데이터전압(+R)을 충전한 다음, 제11 픽셀이 제11 TFT(T11)를 통해 제1 극성의 데이터전압(+B)을 충전한다. 표시패널(PNL)의 제2 수평 라인에서 제5 수직 게이트 라인(VG5)을 사이에 두고 수평으로 이웃한 제13 및 제14 픽셀은 제4 수직 데이터 라인(VD4)을 통해 공급되는 제2 극성의 데이터전압을 연속으로 충전한다. 제14 픽셀이 제14 TFT(T14)를 통해 제2 극성의 데이터전압(-B)을 충전한 다음, 제13 픽셀이 제13 TFT(T13)를 통해 제2 극성의 데이터전압(-G)을 충전한다. 표시패널(PNL)의 제2 수평 라인에서 제1 수직 공통 라인(VC)을 사이에 두고 수평으로 이웃한 제15 및 제16 픽셀은 제5 수직 데이터 라인(VD5)을 통해 공급되는 제1 극성의 데이터전압을 연속으로 충전한다. 제15 픽셀이 제15 TFT(T15)를 통해 제1 극성의 데이터전압(+R)을 충전한 다음, 제16 픽셀이 제16 TFT(T16)를 통해 제1 극성의 데이터전압(+G)을 충전한다.The ninth and tenth pixels horizontally adjacent to each other with the first vertical gate line VG1 therebetween in the second horizontal line of the display panel PNL are connected to the second vertical data line VD2 through the second vertical data line VD2. Charge the data voltage continuously. The ninth pixel charges the data voltage -R of the second polarity through the ninth TFT T9 and then the tenth pixel supplies the data voltage -G of the second polarity through the tenth TFT T10 Charge. The eleventh and twelfth pixels horizontally adjacent to each other with the third vertical gate line VG3 therebetween in the second horizontal line of the display panel PNL are connected to the first vertical data line VD1, Charge the data voltage continuously. The twelfth pixel charges the data voltage (+ R) of the first polarity through the twelfth TFT (T12), and then the eleventh pixel supplies the data voltage (+ B) of the first polarity through the eleventh TFT Charge. The thirteenth and fourteenth pixels horizontally adjacent to each other with the fifth vertical gate line VG5 therebetween in the second horizontal line of the display panel PNL are connected to the first vertical data line VD2 of the second polarity Charge the data voltage continuously. The fourteenth pixel charges the data voltage -B of the second polarity through the fourteenth TFT T14 and then the thirteenth pixel charges the data voltage G of the second polarity through the thirteenth TFT T13 Charge. The fifteenth and sixteenth pixels horizontally adjacent to each other with the first vertical common line (VC) therebetween in the second horizontal line of the display panel (PNL) are connected to the first vertical data line Charge the data voltage continuously. The fifteenth pixel charges the data voltage (+ R) of the first polarity through the fifteenth TFT (T15) and then the sixteenth pixel supplies the data voltage (+ G) of the first polarity through the sixteenth TFT Charge.

도 16은 픽셀 어레이의 단면 구조를 보여 주는 단면도이다. 도 17은 도 4에서 선 "Ⅰ-Ⅰ'"를 따라 절취하여 GIP CLK 배선 영역의 단면 구조를 보여 주는 단면도이다. 도 16은 FFS 모드의 TFT 어레이 기판 구조를 예시하였으나, 본 발명의 액정표시장치는 도 1과 같이 어떠한 액정 모드로도 구현 가능하므로 FFS 모드에 한정되지 않는다는 것에 주의하여야 한다. 16 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure of a pixel array. 17 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure of the GIP CLK wiring region taken along the line "I-I" in Fig. 16 illustrates the TFT array substrate structure of the FFS mode. However, it should be noted that the liquid crystal display device of the present invention can be implemented in any liquid crystal mode as shown in FIG. 1, and thus is not limited to the FFS mode.

도 16을 참조하면, 기판(SUBS) 상에 게이트 금속 패턴들(GM)이 형성된다. 게이트 금속 패턴들(GM)은 수평 게이트라인들(HG), 게이트 패드들(GPAD), 데이터 패드들(DPAD), 및 클럭신호 배선들(도 4의 11a 및 11b)을 포함한다. 게이트 금속 패턴들(GM)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo) 중 하나 이상의 금속 또는 Cu/MoTi의 이중 금속층일 수 있다. 게이트 패드들(GPAD)은 콘택홀들을 통해 수직 게이트 라인들(VG)에 1:1로 연결되고 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)의 출력 단자에 1:1로 연결된다. 데이터 패드들(GPAD)은 콘택홀들을 통해 수직 데이터 라인들(VD)에 1:1로 연결되고 소스 드라이브 IC(SIC)의 출력 단자들에 1:1로 연결된다.Referring to FIG. 16, gate metal patterns GM are formed on a substrate SUBS. The gate metal patterns GM include horizontal gate lines HG, gate pads GPAD, data pads DPAD, and clock signal lines 11a and 11b of Fig. The gate metal patterns GM can be at least one of copper (Cu), aluminum (Al), molybdenum (Mo) or a double metal layer of Cu / MoTi. Gate pads GPAD are connected 1: 1 to the vertical gate lines VG through the contact holes and 1: 1 to the output terminals of the gate shift register GIP S / R. Data pads GPAD are 1: 1 connected to the vertical data lines VD through contact holes and 1: 1 connected to the output terminals of the source drive IC (SIC).

게이트 금속 패턴들(GM) 위에는 게이트 절연막(GI)이 덮여지고, 게이트 절연막(GI) 위에 반도체 액티브 패턴(ACT)이 형성되고, 반도체 액티브 패턴(ACT) 위에 소스-드레인 금속 패턴들(SDM)이 형성된다. 반도체 액티브 패턴(ACT)과 소스-드레인 금속 패턴들(SDM)은 동시에 패터닝되어 같은 형태로 적층된다. 소스-드레인 금속 패턴들(SDM)은 수직 데이터 라인들(VD), 수직 게이트 라인들(VG), 수직 공통 라인들(VC)을 포함한다. 소스-드레인 금속 패턴들(SDM)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo) 중 하나 이상의 금속으로 형성될 수 있다.A gate insulating film GI is covered on the gate metal patterns GM and a semiconductor active pattern ACT is formed on the gate insulating film GI. Source-drain metal patterns SDM are formed on the semiconductor active pattern ACT. . The semiconductor active pattern (ACT) and the source-drain metal patterns (SDM) are simultaneously patterned and stacked in the same form. The source-drain metal patterns SDM include vertical data lines VD, vertical gate lines VG, and vertical common lines VC. The source-drain metal patterns SDM may be formed of at least one of copper (Cu), aluminum (Al), and molybdenum (Mo).

제1 패시베이션층(passivation, PAS1)은 소스-드레인 금속 패턴들(SDM)을 덮도록 게이트 절연막(GI) 상에 형성되고, 제1 패시베이션층(PAS1) 상에는 두꺼운 유기 보호층(PAC)이 형성된다. 제1 패시베이션층(PAS1)은 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기 절연막으로 형성될 수 있다. 유기 보호층(PAC)은 포토 아크릴(Photo-acryl)로 형성될 수 있다. 제1 패시베이션층(PAS1)은 유기 보호막(PAC)과 반도체 액티브 패턴이 직접 접촉할 때 누설 전류가 발생하므로 그들 사이에 형성되어 누설 전류를 차단한다. 유기 보호막(PAC) 위에 투명 전극 패턴들이 형성된다. 투명 전극 패턴들은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전도성 물질로 형성되며, 공통전극(COM(ITO))과 도시하지 않은 링크 패턴을 포함한다. 공통전극(COM(ITO))은 유기 보호막(PAC)과 제1 패시베이션층(PAS1)을 관통하여 수직 공통 라인(VC)을 노출하는 콘택홀을 통해 수직 공통 라인(VC)과 연결된다. 공통전극(COM(ITO))은 픽셀 전극들(PIX(ITO))과 프린지 필드를 형성한다. 링크 패턴은 유기 보호막(PAC)과 제1 패시베이션층(PAS1)을 관통하여 수직 게이트 라인(VG3)을 노출하는 콘택홀과, 유기 보호막(PAC)과 제1 패시베이션층(PAS1) 및 게이트 절연막(GI)을 관통하여 수평 게이트 라인(HG)을 노출하는 콘택홀을 통해 수직 게이트 라인(VG)과 수평 게이트 라인(HG)을 연결한다. 투명 전극 패턴들 위에는 제2 패시베이션층(PAS2)이 형성되고, 그 위에 투명 전극 패턴들로 픽셀 전극들(PIX(ITO))이 형성된다. 제2 패시베이션층(PAS2)은 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기 절연막으로 형성될 수 있다. The first passivation layer PAS1 is formed on the gate insulating layer GI so as to cover the source-drain metal patterns SDM and the thick organic protective layer PAC is formed on the first passivation layer PAS1 . The first passivation layer PAS1 may be formed of an inorganic insulating film such as silicon nitride (SiNx). The organic protective layer (PAC) may be formed of photo-acryl. The first passivation layer PAS1 generates a leakage current when the organic passivation layer PAC and the semiconductor active pattern are in direct contact with each other, so that the first passivation layer PAS1 intercepts the leakage current. Transparent electrode patterns are formed on the organic protective film (PAC). The transparent electrode patterns are formed of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide), and include a common electrode (COM (ITO)) and a link pattern (not shown). The common electrode COM (ITO) is connected to the vertical common line VC through a contact hole exposing the vertical common line VC through the organic passivation layer PAC and the first passivation layer PAS1. The common electrode COM (ITO) forms the fringe field with the pixel electrodes PIX (ITO). The link pattern includes a contact hole exposing the vertical gate line VG3 through the organic passivation layer PAC and the first passivation layer PAS1 and a contact hole exposing the organic passivation layer PAS and the first passivation layer PAS1 and the gate insulating layer GI And connects the vertical gate line VG and the horizontal gate line HG through the contact hole exposing the horizontal gate line HG. A second passivation layer PAS2 is formed on the transparent electrode patterns, and pixel electrodes PIX (ITO) are formed thereon with transparent electrode patterns. The second passivation layer PAS2 may be formed of an inorganic insulating film such as silicon nitride (SiNx).

도 4에서 쇼팅바(SB)는 투명 전극 패턴(ITO(SB))으로 형성될 수 있다. 쇼팅바(SB)는 검사 공정 이후에 스크라이빙 라인(SL)을 따라 분리되고 아무런 신호가 인가되지 않으므로 클럭 신호 배선들이나 데이터전압에 영향을 주지 않는다. 더욱이 쇼팅바(SB)는 유전율(ε)이 작고 두꺼운 유기 보호막(PAC)을 사이에 두고 클럭 신호 배선들(11a, 11b)과 중첩되므로 그 클럭 신호 배선들(11a, 11b)에 영향을 주지 않는다. 도 4에서, 쇼팅바(SB)는 생략될 수 있다. In Fig. 4, the shorting bar SB may be formed of a transparent electrode pattern (ITO (SB)). The shorting bar (SB) is separated along the scribing line (SL) after the inspection process and has no influence on the clock signal lines or the data voltage since no signal is applied. Further, the shorting bar SB has a small dielectric constant epsilon and overlaps the clock signal lines 11a and 11b with a thick organic protective film PAC therebetween, so that it does not affect the clock signal lines 11a and 11b . In Fig. 4, the shorting bar (SB) can be omitted.

도 18 및 도 19는 도 2에서 표시패널(PNL)의 A 부분의 다른 실시예를 보여 주는 평면도들이다. 도 20은 도 18 및 도 19에 도시된 A 부분의 종단면 구조를 보여 주는 단면도이다. Figs. 18 and 19 are plan views showing another embodiment of the A portion of the display panel PNL in Fig. 20 is a cross-sectional view showing a longitudinal sectional structure of portion A shown in Figs. 18 and 19. Fig.

도 18 내지 도 20을 참조하면, 표시패널(PNL)의 상단 또는 하단 베젤은 GIP CLK 배선 영역(10), DATA PAD & LINK 영역(12), 및 GIP S/R 영역(14)을 포함한다. 18-20, the upper or lower bezel of the display panel PNL includes a GIP CLK wiring area 10, a DATA PAD & LINK area 12, and a GIP S / R area 14.

GIP CLK 배선 영역(10)은 표시패널(PNL)의 상단 또는 끝단과 가까운 영역이다. GIP CLK 배선 영역(10)에는 클럭 버스 라인들(11a)과, 클럭 버스 라인들(11a)로부터 분기된 클럭 링크들(11b)이 형성된다. 클럭 버스 라인들(11a)에는 게이트 시프트 레지스터(GIR S/R)의 동작에 필요한 클럭신호들(CLK1~CLK6)이 공급된다. 클럭 버스 라인들(11a)은 표시패널(PNL)의 기판 상단 또는 하단의 끝단에서 수평 방향(도 1에서 x축 방향)을 따라 길게 형성된다. 클럭 링크들(11b)은 클럭 버스 라인들(11a)로부터 수직 방향(도 1에서 y축 방향)으로 분기하여 클럭 버스 라인들(11a)을 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)의 클럭 입력 단자들에 연결한다.The GIP CLK wiring region 10 is a region close to the top or end of the display panel PNL. The GIP CLK wiring region 10 is formed with clock bus lines 11a and clock links 11b branched from the clock bus lines 11a. The clock bus lines 11a are supplied with the clock signals CLK1 to CLK6 necessary for the operation of the gate shift register GIR S / R. The clock bus lines 11a are elongated along the horizontal direction (x-axis direction in Fig. 1) at the upper or lower end of the substrate of the display panel PNL. The clock links 11b branch vertically (in the y axis direction in FIG. 1) from the clock bus lines 11a to connect the clock bus lines 11a to the clock input terminals of the gate shift register (GIP S / R) Lt; / RTI >

GIP S/R 영역(14)은 GIP CLK 배선 영역(10)과 DATA PAD & LINK 영역(12) 사이에 위치한다. GIP S/R 영역(14)에는 게이트 시프트 레지스터(GIP S/R)이 형성된다.The GIP S / R area 14 is located between the GIP CLK wiring area 10 and the DATA PAD & LINK area 12. In the GIP S / R region 14, a gate shift register (GIP S / R) is formed.

DATA PAD & LINK 영역(12)은 GIP S/R 영역(14)과 액티브 영역(A/A) 사이에 위치한다. DATA PAD & LINK 영역(12)에는 데이터 패드들(DPAD)이 형성되고 또한, 데이터 패드(DPAD)들과 수직 데이터 라인들(VD) 사이에 연결된 데이터 링크들(DLINK)이 형성된다. The DATA PAD & LINK area 12 is located between the GIP S / R area 14 and the active area A / A. In the DATA PAD & LINK area 12, data pads DPAD are formed and data links DLINK connected between the data pads DPAD and the vertical data lines VD are formed.

도 18 내지 도 20의 실시예는 표시패널(PNL)의 좌우 베젤을 최소화할 수 있게 하고, 클럭신호 배선들(11a, 11b)을 데이터 링크들(DLINK) 및 수직 데이터 라인들(VD)과 분리시킴으로써 클럭신호로 인한 데이터 전압의 왜곡을 방지할 수 있다. The embodiments of Figs. 18 to 20 can minimize the left and right bezels of the display panel PNL and separate the clock signal lines 11a and 11b from the data links DLINK and the vertical data lines VD It is possible to prevent the distortion of the data voltage due to the clock signal.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the present invention should not be limited to the details described in the detailed description, but should be defined by the claims.

PNL : 표시패널 10 : 표시패널 구동회로
12 : 타이밍 콘트롤러 14 : 호스트 시스템
VD : 수직 데이터 라인 VG : 수직 게이트 라인
VC : 수직 공통 라인 HG : 수평 게이트 라인
PNL: display panel 10: display panel drive circuit
12: timing controller 14: host system
VD: vertical data line VG: vertical gate line
VC: vertical common line HG: horizontal gate line

Claims (7)

수직 데이터 라인들, 수직 게이트 라인들, 및 상기 수직 게이트 라인들과 연결된 수평 게이트 라인들을 포함하고, 픽셀들이 매트릭스 형태로 배치된 픽셀 어레이를 포함하는 표시패널;
상기 수직 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동회로; 및
상기 표시패널의 기판 상에 직접 형성되어 상기 수직 게이트 라인들에 게이트펄스를 공급하는 게이트 구동회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 네로우 베젤을 갖는 표시장치.
A display panel including a pixel array including vertical data lines, vertical gate lines, and horizontal gate lines connected to the vertical gate lines, the pixels being arranged in a matrix;
A data driving circuit for supplying a data voltage to the vertical data lines; And
And a gate driving circuit formed directly on the substrate of the display panel to supply gate pulses to the vertical gate lines.
제 1 항에 있어서,
상기 게이트 구동회로는,
스타트 신호와 클럭신호를 입력 받아 게이트펄스를 발생하고 상기 클럭신호에 응답하여 상기 게이트펄스를 시프트시키는 게이트 시프트 레지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 네로우 베젤을 갖는 표시장치.
The method according to claim 1,
The gate drive circuit includes:
And a gate shift register for receiving a start signal and a clock signal and generating a gate pulse and shifting the gate pulse in response to the clock signal.
제 2 항에 있어서,
상기 게이트 구동회로에 상기 클럭신호를 공급하기 위한 클럭 배선이 상기 표시패널의 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 네로우 베젤을 갖는 표시장치.
3. The method of claim 2,
And a clock wiring for supplying the clock signal to the gate driving circuit is formed on the substrate of the display panel.
제 3 항에 있어서,
상기 표시패널의 상단 또는 하단 베젤은 클럭 배선 영역, 데이터 패드 및 링크 영역, 및 게이트 시프트 레지스터 영역을 포함하고,
상기 클럭 배선 영역은 상기 표시패널의 상단 또는 끝단과 가까운 영역에 위치하고 상기 클럭신호가 공급되는 수평 방향의 클럭 버스 라인들과, 상기 클럭 버스 라인들로부터 수직으로 분기된 클럭 링크들을 포함하고,
상기 데이터 패드 및 링크 영역은 상기 클럭 배선 영역과 상기 게이트 시프트 레지스터 영역 사이에서 상기 수직 데이터 라인들에 연결된 데이터 링크와 데이터 패드를 포함하고,
상기 게이트 시프트 레지스터 영역은 상기 데이터 패드 및 링크 영역과 상기 픽셀 어레이 사이에 형성된 상기 게이트 시프트 레지스터를 포함하고,
상기 클럭 링크들은 상기 데이터 패드 및 링크 영역을 가로 질러 상기 게이트 시프트 레지스터에 연결되는 것을 특징으로 하는 네로우 베젤을 갖는 표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the upper or lower bezel of the display panel includes a clock wiring region, a data pad and a link region, and a gate shift register region,
Wherein the clock wiring region includes clock bus lines in a horizontal direction in which the clock signal is supplied and a clock link branched vertically from the clock bus lines, the clock link region being located in an area close to an upper end or an end of the display panel,
The data pad and the link region including a data link and a data pad connected between the clock wiring region and the gate shift register region to the vertical data lines,
Wherein the gate shift register region comprises the gate shift register formed between the data pad and the link region and the pixel array,
Wherein the clock links are coupled to the gate shift register across the data pad and the link region.
제 3 항에 있어서,
상기 표시패널의 상단 또는 하단 베젤은 클럭 배선 영역, 데이터 패드 및 링크 영역, 및 게이트 시프트 레지스터 영역을 포함하고,
상기 클럭 배선 영역은 상기 표시패널의 상단 또는 끝단과 가까운 영역에 위치하고 상기 클럭신호가 공급되는 수평 방향의 클럭 버스 라인들과, 상기 클럭 버스 라인들로부터 수직으로 분기된 클럭 링크들을 포함하고,
상기 게이트 시프트 레지스터 영역은 상기 클럭 배선 영역과 상기 데이터 패드 및 링크 영역 사이에 형성된 상기 게이트 시프트 레지스터를 포함하고,
상기 데이터 패드 및 링크 영역은 상기 게이트 시프트 레지스터 영역과 상기 픽셀 어레이 사이에서 상기 수직 데이터 라인들에 연결된 데이터 링크와 데이터 패드를 포함하고,
상기 클럭 링크들은 상기 게이트 시프트 레지스터에 연결되는 것을 특징으로 하는 네로우 베젤을 갖는 표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the upper or lower bezel of the display panel includes a clock wiring region, a data pad and a link region, and a gate shift register region,
Wherein the clock wiring region includes clock bus lines in a horizontal direction in which the clock signal is supplied and a clock link branched vertically from the clock bus lines, the clock link region being located in an area close to an upper end or an end of the display panel,
Wherein the gate shift register region comprises the gate shift register formed between the clock wiring region and the data pad and the link region,
The data pad and the link region including a data link and a data pad connected between the gate shift register region and the pixel array to the vertical data lines,
And the clock links are connected to the gate shift register.
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 데이터 구동회로는
상기 데이터 전압을 출력하는 소스 드라이브 IC(Integrated Circuit); 및
상기 소스 드라이브 IC가 실장된 COF(Chip on film)을 포함하고,
상기 COF의 출력 단자들은 상기 표시패널의 상단 또는 하단 베젤에서 상기 데이터 패드 및 링크 영역에 접합되는 것을 특징으로 하는 네로우 베젤을 갖는 표시장치.
The method according to claim 4 or 5,
The data driving circuit
A source drive IC (Integrated Circuit) for outputting the data voltage; And
A chip on film (COF) on which the source drive IC is mounted,
And the output terminals of the COF are bonded to the data pad and the link region in the upper or lower bezel of the display panel.
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 데이터 구동회로는
상기 데이터 전압을 출력하는 소스 드라이브 IC(Integrated Circuit)를 포함하고,
상기 소스 드라이브 IC는 상기 표시패널의 상단 또는 하단 베젤에서 기판 상에 직접 접착되고,
상기 소스 드라이브 IC의 출력 단자들은 상기 표시패널의 상단 또는 하단 베젤에서 상기 데이터 패드 및 링크 영역에 접착되는 것을 특징으로 하는 네로우 베젤을 갖는 표시장치.
The method according to claim 4 or 5,
The data driving circuit
And a source drive IC (Integrated Circuit) for outputting the data voltage,
The source drive IC is directly bonded on the substrate at the upper or lower bezel of the display panel,
And the output terminals of the source drive IC are bonded to the data pad and the link region in the upper or lower bezel of the display panel.
KR1020130091042A 2013-07-31 2013-07-31 Display device having narrow bezel and fabricating method thereof KR102118153B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130091042A KR102118153B1 (en) 2013-07-31 2013-07-31 Display device having narrow bezel and fabricating method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130091042A KR102118153B1 (en) 2013-07-31 2013-07-31 Display device having narrow bezel and fabricating method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150015638A true KR20150015638A (en) 2015-02-11
KR102118153B1 KR102118153B1 (en) 2020-06-03

Family

ID=52572833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130091042A KR102118153B1 (en) 2013-07-31 2013-07-31 Display device having narrow bezel and fabricating method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102118153B1 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106155405A (en) * 2015-04-28 2016-11-23 深圳欧菲光科技股份有限公司 Flexible PCB and apply the electronic equipment of this flexible PCB
JP2019079786A (en) * 2017-10-26 2019-05-23 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド OLED display panel and OLED display device
CN109994076A (en) * 2017-12-29 2019-07-09 乐金显示有限公司 Luminous display unit
KR20200060941A (en) * 2018-11-23 2020-06-02 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode display panel
CN116153232A (en) * 2023-04-18 2023-05-23 惠科股份有限公司 Gamma voltage compensation circuit, compensation method and display device
CN106155405B (en) * 2015-04-28 2024-04-26 安徽精卓光显技术有限责任公司 Flexible circuit board and electronic equipment using same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220034290A (en) 2020-09-10 2022-03-18 삼성디스플레이 주식회사 Display panel

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070019413A (en) * 2005-08-12 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 Organic Electro Luminescence Display Device
JP2010072363A (en) * 2008-09-18 2010-04-02 Toshiba Mobile Display Co Ltd Liquid crystal display device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070019413A (en) * 2005-08-12 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 Organic Electro Luminescence Display Device
JP2010072363A (en) * 2008-09-18 2010-04-02 Toshiba Mobile Display Co Ltd Liquid crystal display device

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106155405A (en) * 2015-04-28 2016-11-23 深圳欧菲光科技股份有限公司 Flexible PCB and apply the electronic equipment of this flexible PCB
CN106155405B (en) * 2015-04-28 2024-04-26 安徽精卓光显技术有限责任公司 Flexible circuit board and electronic equipment using same
JP2019079786A (en) * 2017-10-26 2019-05-23 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド OLED display panel and OLED display device
EP3477626A3 (en) * 2017-10-26 2019-06-12 LG Display Co., Ltd. Oled display panel and oled display device
US10692439B2 (en) 2017-10-26 2020-06-23 Lg Display Co., Ltd. OLED display panel and OLED display device
CN109994076A (en) * 2017-12-29 2019-07-09 乐金显示有限公司 Luminous display unit
KR20200060941A (en) * 2018-11-23 2020-06-02 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode display panel
CN116153232A (en) * 2023-04-18 2023-05-23 惠科股份有限公司 Gamma voltage compensation circuit, compensation method and display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR102118153B1 (en) 2020-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102062917B1 (en) Display device having narrow bezel and fabricating method thereof
KR101325325B1 (en) Liquid crystal display and method of fabricating the same
US9818353B2 (en) Scan driver adn display device using the same
US8471981B2 (en) Display apparatus and display set having the same
KR101605391B1 (en) Device for driving gate and display device comprising the same
KR101769400B1 (en) Device for driving gate and display device comprising the same
KR102020938B1 (en) Liquid crystal display
US10621944B2 (en) Gate voltage generation circuit, transistor substrate and display device
KR101904277B1 (en) Iquid crystal display apparatus
KR102118153B1 (en) Display device having narrow bezel and fabricating method thereof
KR20160017390A (en) Gate driver of display device
KR102455584B1 (en) Organic Light Emitting Diode display panel and Organic Light Emitting Diode display device using the same
KR20170062573A (en) Display device
KR102016568B1 (en) Display device having narrow bezel and fabricating method thereof
KR102542141B1 (en) Display panel and display device using the same
KR102107408B1 (en) Liquid crystal display device
KR20070115020A (en) Display device
KR102496175B1 (en) Display device and driving method thereof
KR101760521B1 (en) Liquid crystal display device
KR102411379B1 (en) Display panel and display device using the same
KR20120030724A (en) Display device and method of cutting off static electricity and noise thereof
KR20070041878A (en) Liquid crystal device
KR102076839B1 (en) Liquid crystal display device
KR102075355B1 (en) Liquid crystal display device
KR20060089410A (en) Apparatus for video display

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant