KR102411379B1 - Display panel and display device using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 표시패널과 이를 이용한 표시장치에 관한 것으로, 이 표시패널은 게이트 구동 회로의 구동에 필요한 타이밍 제어 신호들과 구동 전압들을 공급하는 배선들을 포함한다. 상기 배선들은 제1a 배선과 제1b 배선으로 분할된 제1 배선, 상기 제1a 배선과 상기 제1b 배선 각각의 길이 보다 길고 제1 연성 회로 기판에 연결된 제2 배선, 및 상기 제1a 배선과 상기 제1b 배선 각각의 길이 보다 길고 제2 연성 회로 기판에 연결된 제3 배선을 포함한다. 본 발명은 이러한 배선 구조를 이용하여 베젤 영역의 크기를 줄이고, COF 본딩 공정의 수율을 높일 수 있다.The present invention relates to a display panel and a display device using the same, and the display panel includes wirings for supplying timing control signals and driving voltages necessary for driving a gate driving circuit. The wirings include a first wiring divided into a 1a wiring and a 1b wiring, a second wiring longer than each of the 1a wiring and the 1b wiring and connected to a first flexible circuit board, and the 1a wiring and the first wiring and a third wiring longer than each of the 1b wirings and connected to the second flexible circuit board. The present invention can reduce the size of the bezel area and increase the yield of the COF bonding process by using such a wiring structure.

Description

표시패널과 이를 이용한 표시장치{DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME

본 발명은 픽셀 어레이와 게이트 구동 회로가 동일 기판 상에 함께 실장된 표시패널과 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display panel in which a pixel array and a gate driving circuit are mounted together on the same substrate, and a display device using the same.

액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display, OLED Display)와 같은 전계발광 표시장치(Electroluminescence Display, ELD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 전기영동 표시장치(Electrophoresis Display, EPD) 등 각종 평판 표시장치가 시판되고 있다. Electroluminescence Display (ELD) such as Liquid Crystal Display (LCD), Organic Light Emitting Diode Display (OLED Display), Field Emission Display (FED) , Plasma Display Panel (PDP), electrophoresis display (Electrophoresis Display, EPD), such as various flat panel display devices are commercially available.

액정표시장치는 액정층에 인가되는 전계를 제어하여 백라이트 유닛으로부터 입사되는 빛을 변조함으로써 화상을 표시한다. 액티브 매트릭스 타입의 액정표시장치는 매 픽셀 마다 박막트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 "TFT"라 한다)를 배치하여 그 TFT를 이용하여 픽셀들을 구동한다. 이러한 액정표시장치는 공정 기술의 발전과 연구 개발의 성과로 대형화와 고해상도화로 급속히 발전하고 있다. A liquid crystal display displays an image by controlling an electric field applied to a liquid crystal layer to modulate light incident from a backlight unit. In an active matrix type liquid crystal display device, a thin film transistor (hereinafter, referred to as “TFT”) is disposed in each pixel, and the TFTs are used to drive pixels. Such liquid crystal display devices are rapidly developing toward larger sizes and higher resolutions as a result of advances in process technology and R&D.

액정표시장치의 표시패널은 액정층을 사이에 두고 접합된 상판과 하판을 포함한다. 상판과 하판 각각에서 액정층과 접하는 기판 표면에 배향막이 형성된다. 배향막은 액정분자의 프리 틸트 각(pre-tilt angle)을 설정한다. 액정층의 셀 갭(cell gap)을 유지하기 위하여, 스페이서(spacer)가 상판과 하판 사이에 배치된다. 하판은 하부 유리 기판 상에 형성된 TFT 어레이를 포함할 수 있다. 상판은 상부 유리 기판 상에 형성된 컬러 필터 어레이를 포함할 수 있다. 상판과 하판 각각에는 편광판이 접착된다.A display panel of a liquid crystal display includes an upper plate and a lower plate bonded to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. An alignment layer is formed on the surface of the substrate in contact with the liquid crystal layer on each of the upper and lower plates. The alignment layer sets a pre-tilt angle of the liquid crystal molecules. In order to maintain a cell gap of the liquid crystal layer, a spacer is disposed between the upper plate and the lower plate. The lower plate may include a TFT array formed on the lower glass substrate. The upper plate may include a color filter array formed on the upper glass substrate. A polarizing plate is attached to each of the upper and lower plates.

액정표시장치의 제조공정은 기판 세정, 기판 패터닝 공정, 배향막 형성/러빙 공정, 기판 합착 및 액정 적하 공정, 구동회로 실장 공정, 검사 공정, 리페어 공정, 모듈 조립 공정 등을 포함한다. The manufacturing process of the liquid crystal display device includes substrate cleaning, substrate patterning process, alignment layer forming/rubbing process, substrate bonding and liquid crystal dropping process, driving circuit mounting process, inspection process, repair process, module assembly process, and the like.

기판세정 공정은 표시패널의 상부 유리기판과 하부 유리기판 표면에 오염된 이물질을 세정액으로 제거한다. 기판 패터닝 공정은 하부 유리기판에 데이터 라인 및 게이트 라인을 포함한 신호배선, TFT, 픽셀 전극, 공통 전극 등을 형성한다. 그리고 기판 패터닝 공정은 상부 유리기판 상에 블랙 매트릭스, 컬러 필터 등을 형성한다. 배향막 형성/러빙 공정은 유리기판들 상에 배향막을 도포하고 그 배향막을 러빙포로 러빙하거나 광배향 처리한다. 이러한 일련의 공정을 거쳐 하부 유리기판에는 비디오 데이터전압이 공급되는 데이터 라인들, 그 데이터 라인들과 교차되고 스캔신호 즉, 게이트펄스가 순차적으로 공급되는 게이트 라인들, 데이터 라인들과 게이트 라인들의 교차부에 형성된 TFT들, TFT들에 연결된 픽셀 전극들 및 스토리지 커패시터(Storage Capacitor) 등을 포함한 TFT 어레이가 형성된다. 공통전극은 TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드 등과 같은 수직 전계 구동방식에서 상부 유리기판 상에 형성되고, IPS(In Plane Switching) 모드와 FFS(Fringe Field Switching) 모드 등과 같은 수평 전계 구동방식에서 픽셀 전극과 함께 하부 유리기판 상에 형성된다. 상부 유리기판과 하부 유리기판 각각에는 편광판이 접착된다. In the substrate cleaning process, foreign substances contaminated on the surfaces of the upper and lower glass substrates of the display panel are removed with a cleaning solution. In the substrate patterning process, a signal wiring including a data line and a gate line, a TFT, a pixel electrode, a common electrode, and the like are formed on a lower glass substrate. In the substrate patterning process, a black matrix, a color filter, and the like are formed on the upper glass substrate. In the alignment film formation/rubbing process, an alignment film is applied on glass substrates and the alignment film is rubbed with a rubbing cloth or subjected to photo-alignment treatment. Through this series of processes, the data lines to which the video data voltage is supplied to the lower glass substrate, the gate lines intersected with the data lines and sequentially supplied with a scan signal, that is, a gate pulse, and the intersection of the data lines and the gate lines A TFT array including TFTs formed in the portion, pixel electrodes connected to the TFTs, a storage capacitor, and the like is formed. The common electrode is formed on the upper glass substrate in a vertical electric field driving method such as TN (Twisted Nematic) mode, VA (Vertical Alignment) mode, etc., and horizontal electric field such as IPS (In Plane Switching) mode and FFS (Fringe Field Switching) mode It is formed on the lower glass substrate together with the pixel electrode in the driving method. A polarizing plate is attached to each of the upper glass substrate and the lower glass substrate.

기판 합착 및 액정 적하 공정은 표시패널의 상부 및 하부 유리기판 중 어느 하나에 실런트를 드로잉(drawing)하여 액정을 적하(Dropping)한 다음, 상부 유리 기판과 하부 유리기판을 실런트로 접합한다. 액정층은 실런트에 의해 정의된 액정 영역으로 정의된다. In the substrate bonding and liquid crystal dropping process, liquid crystal is dropped by drawing a sealant on one of the upper and lower glass substrates of the display panel, and then the upper glass substrate and the lower glass substrate are bonded with the sealant. The liquid crystal layer is defined as the liquid crystal region defined by the sealant.

구동회로 실장공정은 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정을 이용하여 데이터 구동회로가 집적된 드라이브 IC(Integrated Circuit, IC)를 이방성 도전 필름(Anisotropic conductive film, ACF)으로 표시패널의 데이터 패드들(data pad)에 접착한다. 게이트 구동회로는 GIP(Gate In Panel) 공정으로 하부 유리 기판 상에 직접 형성되거나, IC로 집적되어 구동 회로 실장 공정에서 TAB(Tape Automated Bonding) 공정에서 ACF로 표시패널의 게이트 패드들(gate pad)에 접착될 수 있다. 구동회로 실장 공정은 IC들과 PCB(printed circuit board)를 FPC(Flexible Printed Circuit board), FFC(Flexible Flat Cable) 등의 연성 회로 기판으로 연결한다. The drive circuit mounting process uses the COG (Chip On Glass) process or the TAB (Tape Automated Bonding) process to display the drive IC (Integrated Circuit, IC) in which the data driving circuit is integrated with an anisotropic conductive film (ACF). Adhesive to the data pads of the panel. The gate driving circuit is formed directly on the lower glass substrate by the GIP (Gate In Panel) process, or is integrated into an IC and is used as an ACF in the TAB (Tape Automated Bonding) process in the driving circuit mounting process. Gate pads of the display panel can be attached to The driving circuit mounting process connects ICs and a printed circuit board (PCB) with a flexible circuit board such as a flexible printed circuit board (FPC) and a flexible flat cable (FFC).

검사 공정은 구동회로에 대한 검사, TFT 어레이 기판에 형성된 데이터 라인과 게이트 라인 등의 배선 검사, 픽셀 전극이 형성된 후에 실시되는 검사, 기판 합착 및 액정 적하 공정 후에 실시되는 전기적 검사, 점등 검사 등을 포함한다. 리페어 공정은 검사 공정에 의해 발견된 불량을 수선한다. The inspection process includes inspection of the driving circuit, wiring inspection of data lines and gate lines formed on the TFT array substrate, inspection performed after pixel electrodes are formed, electrical inspection conducted after substrate bonding and liquid crystal dropping process, lighting inspection, etc. do. The repair process repairs defects found by the inspection process.

전술한 일련의 공정을 거쳐 표시패널이 완성되면, 모듈 조립 공정이 수행된다. 모듈 조립 공정은 표시패널의 아래에 백라이트 유닛을 정렬하고, 가이드/케이스 부재 등의 기구물을 이용하여 표시패널과 백라이트 유닛을 조립한다. When the display panel is completed through the above-described series of processes, a module assembly process is performed. In the module assembly process, the backlight unit is aligned under the display panel, and the display panel and the backlight unit are assembled by using a guide/case member or the like.

평판 표시장치의 구동 회로는 표시패널의 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로, 표시패널의 게이트 라인들(또는 스캔 라인들)에 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)를 공급하는 게이트 구동 회로, 이러한 구동 회로들의 제반 동작을 제어하는 타이밍 콘트롤러(Timing controller, TCON) 등을 포함한다. The driving circuit of the flat panel display includes a data driving circuit that supplies a data voltage to data lines of a display panel, a gate driving circuit that supplies a gate pulse (or scan pulse) to gate lines (or scan lines) of the display panel; and a timing controller (TCON), etc., that controls overall operations of these driving circuits.

데이터 구동 회로가 집적된 IC 칩은 연성 회로 기판 예를 들어, COF(Chip on film, COF) 상에 실장되고, COF는 표시패널에 ACF로 접착될 수 있다. The IC chip on which the data driving circuit is integrated is mounted on a flexible circuit board, for example, a Chip on Film (COF), and the COF may be attached to the display panel with an ACF.

최근에는 액정표시장치(LCD)와 유기발광 다이오드 표시장치(OLED Display)를 중심으로 GIP 공정을 이용하여 게이트 구동 회로를 픽셀 어레이와 함께 표시패널의 기판 상에 직접 실장하는 기술이 적용되고 있다. 이하에서, 표시패널의 기판 상에 직접 실장된 게이트 구동 회로를 “GIP 회로”라 칭하기로 한다. Recently, a technique of directly mounting a gate driving circuit together with a pixel array on a substrate of a display panel using a GIP process is being applied, centering on a liquid crystal display (LCD) and an organic light emitting diode display (OLED). Hereinafter, the gate driving circuit directly mounted on the substrate of the display panel will be referred to as a “GIP circuit”.

GIP 회로가 정상적으로 동작하기 위해는 스타트 펄스, 시프트 클럭 등의 타이밍 제어 신호들과, 게이트 하이 전압(VGH), 게이트 로우 전압(VGL) 등의 구동 전압 등이 필요하다. GIP 회로의 타이밍 제어 신호들과 구동 전압들은 COF의 더미 채널 배선들과, 표시패널의 기판 상에 형성된 LOG(Line on glass) 배선들을 통해 GIP 회로에 공급된다. In order for the GIP circuit to operate normally, timing control signals such as a start pulse and a shift clock and driving voltages such as a gate high voltage VGH and a gate low voltage VGL are required. Timing control signals and driving voltages of the GIP circuit are supplied to the GIP circuit through dummy channel lines of the COF and line on glass (LOG) lines formed on the substrate of the display panel.

디스플레이 시장환경 변화에 따른 초고해상도 제품의 대한 수요(needs)가 지속적으로 증가됨에 따라 초고해상도 고속 구동 표시장치에 적합한 GIP 회로 기술이 요구되고 있다. 초고해상도 고속 구동 표시장치의 일 예로, 해상도 8K(7680 X 4320), 프레임 레이트 240Hz로 구동되는 98" 표시장치가 개발되고 있다. 표시장치의 해상도가 높아지고 구동 주파수가 높아질수록 GIP 회로의 타이밍 제어 신호가 많아지고 구동 전압이 많아질 수 있다. 이 경우에, COF의 배선과 그 배선에 연결된 핀들의 개수가 증가하기 때문에 COF의 핀들 간의 피치(pitch 또는 pin pitch)가 좁아진다. COF의 피치가 좁아지면 COF 본딩(bonding) 공정에서 COF와 표시패널의 배선들 간의 단락(short pitch) 등의 불량 발생 빈도가 높아지기 때문에 수율 감소가 초래된다. As the demand for ultra-high-resolution products continues to increase according to changes in the display market environment, GIP circuit technology suitable for ultra-high-resolution and high-speed driving display devices is required. As an example of an ultra-high-resolution, high-speed driving display device, a 98” display device driven with a resolution of 8K (7680 X 4320) and a frame rate of 240 Hz is being developed. As the resolution of the display device increases and the driving frequency increases, the timing control signal of the GIP circuit may increase and the driving voltage may increase. In this case, the pitch or pin pitch between the pins of the COF becomes narrow because the number of wirings of the COF and the pins connected to the wirings increases. In the ground COF bonding process, the frequency of occurrence of defects such as a short pitch between the COF and the wirings of the display panel increases, resulting in a reduction in yield.

본 발명은 초고해상도 고속 구동 표시장치에서 COF 본딩 공정 불량을 줄이고, 베젤 폭을 줄일 수 있는 표시패널과 이를 이용한 표시장치를 제공한다.The present invention provides a display panel capable of reducing a COF bonding process defect and reducing a bezel width in an ultra-high-resolution, high-speed driving display device and a display device using the same.

본 발명의 표시패널은 데이터 라인들과 게이트 라인들에 연결되고 픽셀 어레이가 배치되고, 상기 데이터 라인들이 상측 데이터 라인들과 하측 데이터 라인들로 분리된 기판, 상기 기판 상에서 상기 픽셀 어레이 밖의 베젤 영역에 배치되어 상기 게이트 라인들에 게이트 펄스를 공급하는 게이트 구동 회로, 및 상기 기판 상에서 상기 픽셀 어레이 밖의 베젤 영역에 배치되어 상기 게이트 구동 회로의 구동에 필요한 타이밍 제어 신호들과 구동 전압들을 공급하는 배선들을 포함한다. In the display panel of the present invention, a substrate is connected to data lines and gate lines, a pixel array is disposed, the data lines are separated into upper data lines and lower data lines, and on the substrate, in a bezel area outside the pixel array. a gate driving circuit disposed on the substrate to supply a gate pulse to the gate lines, and wirings disposed in a bezel area outside the pixel array on the substrate to supply timing control signals and driving voltages necessary for driving the gate driving circuit do.

상기 배선들은 제1a 배선과 제1b 배선으로 분할된 제1 배선, 상기 제1a 배선과 상기 제1b 배선 각각의 길이 보다 길고 제1 연성 회로 기판에 연결된 제2 배선, 및 상기 제1a 배선과 상기 제1b 배선 각각의 길이 보다 길고 제2 연성 회로 기판에 연결된 제3 배선을 포함한다. The wirings include a first wiring divided into a 1a wiring and a 1b wiring, a second wiring longer than each of the 1a wiring and the 1b wiring and connected to a first flexible circuit board, and the 1a wiring and the first wiring and a third wiring longer than each of the 1b wirings and connected to the second flexible circuit board.

본 발명의 표시장치는 데이터 라인들과 게이트 라인들에 연결되고 픽셀 어레이가 배치되고, 상기 데이터 라인들이 상측 데이터 라인들과 하측 데이터 라인들로 분리된 기판, 상기 상측 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로가 실장되어 상기 기판의 상단에 배치된 제1 연성 회로 기판, 상기 하측 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로가 실장되어 상기 기판의 하단에 배치된 제2 연성 회로 기판, 상기 픽셀 어레이 밖의 베젤 영역에 배치되어 상기 게이트 라인들에 게이트 펄스를 공급하는 게이트 구동 회로, 및 상기 픽셀 어레이 밖의 베젤 영역에 배치되어 상기 게이트 구동 회로에 필요한 타이밍 제어 신호들과 구동 전압들을 공급하는 배선들을 포함한다. In the display device of the present invention, a substrate is connected to data lines and gate lines, a pixel array is disposed, the data lines are separated into upper data lines and lower data lines, and a data voltage is supplied to the upper data lines. a first flexible circuit board on which a data driving circuit is mounted and disposed on an upper end of the substrate; a second flexible circuit board on which a data driving circuit for supplying data voltages to the lower data lines is mounted and disposed at a lower end of the substrate; a gate driving circuit arranged in a bezel region outside the pixel array to supply a gate pulse to the gate lines, and a wiring arranged in a bezel region outside the pixel array to supply timing control signals and driving voltages necessary for the gate driving circuit include those

상기 배선들은 상기 제1 연성 회로 기판과 연결된 제1a 배선과, 상기 제2 연성 회로 기판에 연결된 제1b 배선으로 분할된 제1 배선, 상기 제1a 배선과 상기 제1b 배선 각각의 길이 보다 길고 상기 제1 연성 회로 기판에 연결된 제2 배선, 및 상기 제1a 배선과 상기 제1b 배선 각각의 길이 보다 길고 상기 제2 연성 회로 기판에 연결된 제3 배선을 포함한다.The wirings include a first wiring divided into a 1a wiring connected to the first flexible circuit board, a 1b wiring connected to the second flexible circuit board, and a length longer than each of the 1a wiring and the 1b wiring. a second wiring connected to the first flexible circuit board, and a third wiring longer than each of the 1a wiring and the 1b wiring and connected to the second flexible circuit board.

본 발명은 게이트 구동 회로의 구동에 필요한 신호들 중에서 패널 부하에 영향을 크게 하는 고주파수의 신호를 상하 COF들에 연결되는 분할된 LOG 배선들을 통해 게이트 구동 회로에 공급하는 반면, 저주파수의 신호와 구동 전압을 상하 COF들 중 어느 하나에 연결하는 긴 LOG 배선들을 통해 게이트 구동 회로에 공급한다. 그 결과, 본 발명은 초고해상도, 고속 구동 표시장치에서 게이트 구동 회로에 연결된 LOG 배선들을 상측 COF들과 하측 COF들에 비대칭적으로 연결하는 구조를 이용하여 COF들의 핀 개수를 줄여 COF 본딩 공정의 수율을 높일 수 있다.Among the signals necessary for driving the gate driving circuit, the present invention supplies a high-frequency signal that greatly affects the panel load to the gate driving circuit through divided LOG wirings connected to upper and lower COFs, while a low frequency signal and a driving voltage is supplied to the gate drive circuit through long LOG wires connecting either of the upper and lower COFs. As a result, the present invention uses a structure that asymmetrically connects the LOG wires connected to the gate driving circuit to the upper COFs and the lower COFs in an ultra-high-resolution, high-speed driving display device to reduce the number of pins of the COFs, thereby improving the yield of the COF bonding process. can increase

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 보여 주는 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시패널의 일부를 확대하여 보여 주는 평면도이다.
도 3은 도 2에서 LOG 배선 부분을 확대한 평면도이다.
도 4는 COF의 더미 채널들을 보여 주는 도면이다.
도 5는 GIP 회로의 시프트 레지스터 구성 일부를 간략히 보여 주는 도면이다.
도 6 및 도 7은 대화면 고해상도 표시패널을 4 분할 구동한 예를 보여 주는 도면들이다.
도 8은 GIP 회로에 연결되는 LOG 배선들의 일 실시예를 보여 주는 평면도이다.
도 9a 내지 도 9e는 GIP 회로에 연결되는 LOG 배선들의 다양한 실시예들을 보여 주는 평면도들이다.
도 10은 GIP 회로의 일 예를 보여 주는 회로도이다.
도 11은 도 10에 도시된 GIP 회로에 인가되는 게이트 타이밍 제어 신호를 보여 주는 파형도이다.
도 12는 도 10에 도시된 GIP 회로의 Q 노드 전압, QB 노드 전압, 캐리 신호 전압, 및 출력 전압을 보여 주는 파형도이다.
1 is a plan view schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged plan view of a part of the display panel shown in FIG. 1 .
3 is an enlarged plan view of the LOG wiring in FIG. 2 .
4 is a diagram illustrating dummy channels of a COF.
5 is a diagram schematically showing a part of the shift register configuration of the GIP circuit.
6 and 7 are diagrams illustrating an example in which a large-screen high-resolution display panel is driven in 4 divisions.
8 is a plan view illustrating an embodiment of LOG wires connected to a GIP circuit.
9A to 9E are plan views illustrating various embodiments of LOG wirings connected to a GIP circuit.
10 is a circuit diagram illustrating an example of a GIP circuit.
11 is a waveform diagram illustrating a gate timing control signal applied to the GIP circuit shown in FIG. 10 .
12 is a waveform diagram illustrating a Q node voltage, a QB node voltage, a carry signal voltage, and an output voltage of the GIP circuit shown in FIG. 10 .

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals refer to substantially identical elements throughout. In the following description, if it is determined that a detailed description of a known function or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

본 발명의 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Display, OLED Display) 등의 평판 표시장치 등 GIP 회로가 적용 가능한 어떠한 표시장치로 구현될 수 있다. 이하의 실시예에서, 평판 표시소자의 일 예로서 액정표시장치를 중심으로 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 본 발명의 표시장치는 인셀 터치 센서 기술이 적용 가능한 어떠한 표시장치도 가능하다. The display device of the present invention may be implemented as any display device to which a GIP circuit is applicable, such as a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD) or an organic light emitting diode display (OLED Display). . In the following embodiments, a liquid crystal display will be mainly described as an example of a flat panel display device, but the present invention is not limited thereto. For example, the display device of the present invention may be any display device to which the in-cell touch sensor technology is applicable.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 표시패널(PNL)과, 표시패널(PNL)에 입력 영상의 데이터를 기입하기 위한 구동회로를 구비한다. 1 to 3 , a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel PNL and a driving circuit for writing input image data to the display panel PNL.

구동 회로는 표시패널(PNL)의 데이터 라인들에 입력 영상의 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로와, 데이터 전압에 동기되는 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)를 표시패널(PNL)의 게이트 라인들(GL)에 공급하는 게이트 구동 회로, 및 데이터 구동 회로와 게이트 구동 회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 콘트롤러(TCON)를 포함한다. 도 1에서, 데이터 구동회로는 소스 드라이브 IC(SIC)에 집적된 형태로 표시패널(PNL)의 데이터 라인들(DL)에 연결된다. 게이트 구동 회로는 GIP 회로로 구현되어 픽셀 어레이(AA)와 함께 표시패널(PNL)의 하부 기판(SUBS1) 상에 직접 형성되어 게이트 라인들(GL)에 연결된다. GIP 회로는 스타트 펄스(Start pulse)와 시프트 클럭(shift clock)을 입력 받아 클럭 타이밍에 동기하여 출력을 순차적으로 하는 시프트 레지스터(shift register)를 포함한다. The driving circuit includes a data driving circuit that supplies a data voltage of an input image to data lines of the display panel PNL, and a gate pulse (or scan pulse) synchronized with the data voltage to the gate lines GL of the display panel PNL. ), and a timing controller TCON for controlling operation timings of the data driving circuit and the gate driving circuit. In FIG. 1 , the data driving circuit is connected to the data lines DL of the display panel PNL in an integrated form in the source driver IC SIC. The gate driving circuit is implemented as a GIP circuit and is directly formed on the lower substrate SUBS1 of the display panel PNL together with the pixel array AA and connected to the gate lines GL. The GIP circuit includes a shift register that receives a start pulse and a shift clock as inputs and sequentially outputs them in synchronization with clock timing.

표시패널(PNL)은 액정층을 사이에 두고 접합된 상판과 하판을 포함한다. 기판들은 유리 기판일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 표시패널(PNL)은 데이터라인들(DL)과 게이트라인들(GL)이 교차 구조에 의해 매트릭스 형태로 배치된 픽셀들을 포함한다. 픽셀들은 데이터 라인(GL)과 게이트 라인(GL)의 교차부에 형성된 TFT, TFT에 연결된 액정셀(Clc) 및 스토리지 커패시터(storage capacitor, Cst) 등을 포함한다. TFT는 게이트 라인(GL)으로부터의 게이트 펄스에 응답하여 데이터 라인(DL)을 통해 입력되는 데이터 전압을 픽셀 전극(PXL)에 공급한다. 액정셀(Clc)은 픽셀 전극(PXL)과 공통 전극(COM) 간의 전계에 따라 구동되는 액정분자를 이용하여 입사광의 굴절율을 데이터 전압에 따라 조절한다. The display panel PNL includes an upper plate and a lower plate bonded to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. The substrates may be glass substrates, but are not limited thereto. The display panel PNL includes pixels in which the data lines DL and the gate lines GL are arranged in a matrix form by a cross structure. The pixels include a TFT formed at the intersection of the data line GL and the gate line GL, a liquid crystal cell Clc connected to the TFT, and a storage capacitor Cst. The TFT supplies a data voltage input through the data line DL to the pixel electrode PXL in response to a gate pulse from the gate line GL. The liquid crystal cell Clc adjusts the refractive index of incident light according to the data voltage using liquid crystal molecules driven according to the electric field between the pixel electrode PXL and the common electrode COM.

표시패널(PNL)의 하판은 하부 기판에 형성된 TFT 어레이를 포함한다. TFT 어레이는 데이터라인들(DL), 게이트라인들(GL), TFT들, TFT에 접속된 픽셀 전극(PXL), 공통 전극(COM), 및 스토리지 커패시터(Cst) 등을 포함한다. 표시패널(PNL)의 상판은 상부 기판에 형성된 컬러 필터 어레이를 포함한다. 컬러 필터 어레이는 블랙매트릭스, 컬러 필터 등을 포함한다. COT(Color Filter on TFT) 모델의 경우에, 하판의 TFT 어레이 상에 컬러 필터가 더 형성될 수 있다. A lower panel of the display panel PNL includes a TFT array formed on a lower substrate. The TFT array includes data lines DL, gate lines GL, TFTs, a pixel electrode PXL connected to the TFT, a common electrode COM, and a storage capacitor Cst. The upper plate of the display panel PNL includes a color filter array formed on an upper substrate. The color filter array includes a black matrix, a color filter, and the like. In the case of the COT (Color Filter on TFT) model, a color filter may be further formed on the TFT array of the lower plate.

공통전극(COM)은 수직 전계 구동방식에서 상부 기판 상에 형성되며, 수평 전계 구동방식에서 픽셀 전극(PXL)과 함께 하부 기판상에 형성된다. 표시패널(PNL)의 상부 기판과 하부 기판 상에는 광축이 직교하는 편광판이 부착되고 액정과 접하는 내면에 액정의 프리틸트각을 설정하기 위한 배향막이 형성된다. The common electrode COM is formed on the upper substrate in the vertical electric field driving method, and is formed on the lower substrate together with the pixel electrode PXL in the horizontal electric field driving method. A polarizing plate having optical axes orthogonal to each other is attached on the upper substrate and the lower substrate of the display panel PNL, and an alignment layer for setting a pretilt angle of the liquid crystal is formed on the inner surface in contact with the liquid crystal.

표시패널(PNL)에는 인셀 터치 센서(In-cell touch sensor)를 활용한 터치 스크린이 구현될 수 있다. 인셀 터치 센서는 표시패널(PNL)의 픽셀 어레이(AA) 내에 내장된다. 인셀 터치 센서는 터치 전후 정전 용량의 변화를 바탕으로 터치를 센싱하는 정전 용량 타입의 터치 센서로 구현될 수 있다. A touch screen using an in-cell touch sensor may be implemented in the display panel PNL. The in-cell touch sensor is embedded in the pixel array AA of the display panel PNL. The in-cell touch sensor may be implemented as a capacitive-type touch sensor that senses a touch based on a change in capacitance before and after the touch.

타이밍 콘트롤러(TCON)는 외부의 호스트 시스템(Host system)으로부터 입력 영상의 데이터를 수신 받아 이를 소스 드라이브 IC(SIC)로 전송한다. 타이밍 콘트롤러(TCON)는 수직/수평 동기신호, 데이터 인에이블, 메인 클럭 신호 등의 타이밍신호를 입력 받아 소스 드라이브 IC(SIC)와 GIP 회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다. 호스트 시스템은 TV(Television) 시스템, 셋톱 박스, 네비게이션 시스템, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 폰 시스템(Phone system) 중 어느 하나일 수 있다. The timing controller (TCON) receives input image data from an external host system and transmits it to the source drive IC (SIC). The timing controller TCON receives timing signals such as vertical/horizontal synchronization signals, data enable signals, and main clock signals, and generates timing control signals for controlling operation timings of the source drive IC (SIC) and the GIP circuit. The host system may be any one of a television (Television) system, a set-top box, a navigation system, a DVD player, a Blu-ray player, a personal computer (PC), a home theater system, and a phone system.

소스 드라이브 IC(SIC)는 타이밍 콘트롤러(TCON)의 제어 하에 입력 영상의 디지털 비디오 데이터를 아날로그 정극성/부극성 감마보상전압으로 변환하여 정극성/부극성 아날로그 데이터전압을 발생하고 그 데이터전압을 데이터라인들(DL)로 출력한다. 소스 드라이브 IC(SIC)는 구부러질 수 있는 연성 회로 기판 예를 들어, COF에 실장될 수 있다. Source drive IC (SIC) converts digital video data of input image into analog positive/negative gamma compensation voltage under the control of timing controller (TCON) to generate positive/negative analog data voltage and converts the data voltage to data output to the lines DL. The source drive IC (SIC) may be mounted on a bendable flexible circuit board, for example, a COF.

소스 PCB(Printed Circuit Board, SPCB)는 두 개로 분리될 수 있다. COF들은 두 개의 소스 PCB들(SPCB)에 나누어 연결된다. COF들은 ACF(anisotropic conductive film)를 통해 표시패널(PNL)의 하부 기판(SUBS1)과 소스 PCB(SPCB)에 접착된다. COF들의 입력 핀들(도 4, 82) 은 소스 PCB(SPCB)의 출력단자들에 전기적으로 연결된다. 소스 COF들(COF)의 출력 핀들(도 8, 84)은 ACF를 통해 표시패널(PNL)의 하부 기판(SUBS1)에 형성된 데이터 패드들에 전기적으로 연결된다.The source PCB (Printed Circuit Board, SPCB) may be divided into two. The COFs are dividedly connected to two source PCBs (SPCB). The COFs are adhered to the lower substrate SUBS1 and the source PCB SPCB of the display panel PNL through an anisotropic conductive film (ACF). The input pins of the COFs ( FIGS. 4 and 82 ) are electrically connected to the output terminals of the source PCB (SPCB). Output pins ( FIGS. 8 and 84 ) of the source COFs COF are electrically connected to data pads formed on the lower substrate SUBS1 of the display panel PNL through the ACF.

GIP 회로는 LOG 배선들과 함께 표시패널(PNL)의 베젤 영역(BZ)에 형성된다. GIP 회로는 타이밍 콘트롤러(TCON)의 제어 하에 데이터 전압에 동기되는 게이트 펄스를 게이트 라인들(GL)로 출력한다. GIP 회로는 스타트 펄스(VST)에 응답하여 구동하기 시작하여 시프트 클럭(GCLK)의 타이밍에 맞추어 출력을 시프트하는 시프트 레지스터(shift register)를 포함한다. 시프트 레지스터는 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들을 포함한다. GIP 회로는 시프트 레지스터를 이용하여 게이트 펄스를 타이밍 콘트롤러(TCON)로부터의 시프트 클럭 타이밍에 맞추어 시프트시킴으로써 데이터가 기입되는 픽셀들을 1 라인씩 순차적으로 선택한다. The GIP circuit is formed in the bezel area BZ of the display panel PNL together with the LOG lines. The GIP circuit outputs a gate pulse synchronized with the data voltage to the gate lines GL under the control of the timing controller TCON. The GIP circuit includes a shift register that starts driving in response to the start pulse VST and shifts the output according to the timing of the shift clock GCLK. A shift register includes a number of stages that are cascadedly connected. The GIP circuit sequentially selects pixels to be written data line by line by shifting the gate pulse according to the shift clock timing from the timing controller TCON using the shift register.

타이밍 콘트롤러(TCON)로부터 생성된 스타트 펄스(start pulse), 시프트 클럭(shift clock) 등 게이트 타이밍 제어 신호가 시프트 레지스터에 입력된다. 레벨 시프터(Level shifter, LS)는 게이트 타이밍 제어 신호의 전압 레벨을 시프트하여 게이트 타이밍 제어 신호를 게이트 하이 전압(Gate high voltage, VGH)과 게이트 로우 전압(Gate low voltage, VGL) 사이에서 스윙하는 신호로 변환하여 시프트 레지스터로 전송한다. 게이트 하이 전압(VGH)는 픽셀과 GIP 회로(시프트 레지스터)를 구성하는 TFT의 문턱 전압 이상의 높은 전압으로 설정된다. 게이트 로우 전압(VGL)은 픽셀과 GIP 회로(시프트 레지스터)를 구성하는 TFT의 문턱 전압 보다 낮은 전압으로 설정된다. A gate timing control signal such as a start pulse and a shift clock generated from the timing controller TCON is input to the shift register. A level shifter (LS) shifts the voltage level of the gate timing control signal to swing the gate timing control signal between a gate high voltage (VGH) and a gate low voltage (VGL). converted to and transferred to the shift register. The gate high voltage VGH is set to a voltage higher than the threshold voltage of the TFTs constituting the pixel and the GIP circuit (shift register). The gate low voltage VGL is set to a voltage lower than the threshold voltage of the TFTs constituting the pixel and the GIP circuit (shift register).

타이밍 콘트롤러(TCON)와 레벨 시프터(LS)는 콘트롤 보드(CPCB)에 배치될 수 있다. 콘트롤 보드(CPCB)는 FFC(Flexible Flat Cable)를 통해 소스 PCB(SPCB)에 연결될 수 있다. 시프트 레지스터의 구동에 필요한 게이트 타이밍 제어 신호 즉, 스타트 펄스(start pulse), 시프트 클럭(shift clock)과 함께 게이트 하이 전압(VGH), 게이트 로우 전압(VGL) 등은 COF 필름 상에 형성된 더미 채널 배선(도 8의 80)과, 표시패널(PNL)의 하부 기판 상에 형성된 LOG 배선들을 통해 GIP 회로에 공급될 수 있다. The timing controller TCON and the level shifter LS may be disposed on the control board CPCB. The control board (CPCB) may be connected to the source PCB (SPCB) through a flexible flat cable (FFC). A gate timing control signal necessary for driving the shift register, that is, a start pulse and a shift clock, as well as a gate high voltage (VGH), a gate low voltage (VGL), and the like are dummy channel wirings formed on the COF film. (80 of FIG. 8 ) and the LOG wirings formed on the lower substrate of the display panel PNL may be supplied to the GIP circuit.

COF는 도 4와 같이 소스 드라이브 IC(SIC)에 연결된 소스 채널들(SOUT)과, 더미 채널들(DUM)을 포함한다. 소스 채널들(SOUT)과 더미 채널들(DUM) 각각은 입력 핀(82), 출력 핀(84), 및 그 핀들(82, 84)을 연결하는 배선들을 포함한다. 도 4에서, 도면 부호 “80”은 더미 채널들(DUM)에 배치된 더미 채널 배선들이다. 입력 핀(82)은 ACF를 통해 소스 PCB(SPCB)의 출력 패드에 연결되고, 출력 핀(84)은 ACF를 통해 표시패널(PNL)의 하부 기판(SUBS1)의 패드들에 연결된다.The COF includes source channels SOUT connected to the source drive IC SIC and dummy channels DUM as shown in FIG. 4 . Each of the source channels SOUT and the dummy channels DUM includes an input pin 82 , an output pin 84 , and wires connecting the pins 82 and 84 . In FIG. 4 , reference numeral 80 denotes dummy channel wirings disposed in the dummy channels DUM. The input pin 82 is connected to the output pad of the source PCB SPCB through the ACF, and the output pin 84 is connected to the pads of the lower substrate SUBS1 of the display panel PNL through the ACF.

COF들 중에서, GIP 회로와 가까운 표시패널의 코너 부분에 배치된 COF들은 게이트 타이밍 제어 신호들과 GIP 회로의 구동 전압들을 GIP 회로 공급하기 위하여 이용된다. 이 COF들의 더미 채널들(DUM)을 통해 게이트 타이밍 제어 신호들과 GIP 회로의 구동 전압들이 LOG 배선들을 경유하여 GIP 회로로 전송된다. Among the COFs, the COFs disposed at a corner portion of the display panel close to the GIP circuit are used to supply gate timing control signals and driving voltages of the GIP circuit to the GIP circuit. Gate timing control signals and driving voltages of the GIP circuit are transmitted to the GIP circuit via the LOG lines through the dummy channels DUM of the COFs.

도 5는 GIP 회로의 시프트 레지스터 구성 일부를 간략히 보여 주는 도면이다. 5 is a diagram schematically showing a part of the shift register configuration of the GIP circuit.

도 5를 참조하면, GIP 회로는 표시패널(PNL)의 일측 가장자리에 배치되거나 표시패널(PNL)의 양측 가장자리에 나누어 배치될 수 있다. GIP 회로는 타이밍 콘트롤러(TCON)의 제어 하에 게이트 펄스를 순차적으로 시프트하는 시프트 레지스터를 포함한다. 시프트 레지스터를 구성하는 트랜지스터들은 비정질 실리콘(a-Si)을 포함한 TFT, 산화물 반도체를 포함한 TFT(Oxide TFT), 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon, LTPS)을 포함한 TFT(LTPS TFT) 중 하나 이상을 포함할 수 있다. GIP 회로는 공지된 어떠한 회로로 구현될 수 있다. Referring to FIG. 5 , the GIP circuit may be disposed on one edge of the display panel PNL or dividedly disposed on both edges of the display panel PNL. The GIP circuit includes a shift register that sequentially shifts gate pulses under the control of a timing controller (TCON). The transistors constituting the shift register are made of one or more of a TFT including amorphous silicon (a-Si), an oxide TFT (TFT) including an oxide semiconductor, and a TFT (LTPS TFT) including a low temperature poly silicon (LTPS). may include The GIP circuit may be implemented with any known circuit.

COF의 핀 피치와 COF가 접합되는 표시패널(PNL)의 패드부 피치는 표시장치의 해상도, 구동 주파수가 증가할수록 좁아진다. 표시패널의 해상도가 높아지면 표시패널의 저항(Resistance)과 용량(capacitance)이 증가하여 패널 부하(load)가 커진다. 이러한 패널 부하와 구동 주파수 상승은 픽셀들의 충전 불균일과 충전 저하를 초래한다. 이 문제를 개선하기 위하여, GIP 회로에 공급되는 시프트 클럭의 개수를 증가시키고 그 시프트 클럭의 중첩폭을 길게 하여 픽셀들에 공급되는 게이트 펄스 폭을 길게 하는 방법이 있다. The pin pitch of the COF and the pitch of the pad portion of the display panel PNL to which the COF is bonded become narrower as the resolution and driving frequency of the display device increase. As the resolution of the display panel increases, resistance and capacitance of the display panel increase, thereby increasing the panel load. This increase in panel load and driving frequency causes non-uniformity in charging of pixels and deterioration in charging. In order to solve this problem, there is a method of increasing the number of shift clocks supplied to the GIP circuit and lengthening the overlapping width of the shift clocks to lengthen the gate pulse width supplied to the pixels.

본 발명은 대화면 고해상도 고속 구동 표시장치에서 표시패널을 상하로 2 분할하거나 도 6 및 도 7과 같인 4 분할 구동할 수 있다. 여기서, 표시패널(PNL)이 물리적으로 분할된 것을 의미하지 않는다. 픽셀 어레이(AA)는 한 장의 기판 상에 형성되고, 다수의 픽셀 어레이 블록들로 분할 구동된다. 표시패널(PNL)은 가상의 가로 경계선(HL)과, 가상의 세로 경계선(VL)을 따라 4 분할 구동된다. 가로 경계선(HL)은 픽셀 어레이(AA)의 중앙 부분을 가로 방향(X)을 따라 픽셀 어레이(AA)를 상하로 이등분한다. 세로 경계선(VL)은 픽셀 어레이(AA)의 중앙 부분을 세로 방향(Y)을 따라 픽셀 어레이를 좌우로 이등분한다. 따라서, 가상의 가로 경계선(HL)과 가상의 세로 경계선(VL)은 픽셀 어레이의 중앙 부분에서 교차된다. According to the present invention, the display panel can be divided into two vertically or quadrupled as shown in FIGS. 6 and 7 in a large-screen, high-resolution, high-speed driving display device. Here, it does not mean that the display panel PNL is physically divided. The pixel array AA is formed on a single substrate and is dividedly driven into a plurality of pixel array blocks. The display panel PNL is driven in four divisions along the virtual horizontal boundary line HL and the virtual vertical boundary line VL. The horizontal boundary line HL divides the central portion of the pixel array AA into vertical halves along the horizontal direction X in the pixel array AA. The vertical boundary line VL bisects the central portion of the pixel array AA in the vertical direction Y to the left and right. Accordingly, the virtual horizontal boundary line HL and the virtual vertical boundary line VL intersect at the central portion of the pixel array.

데이터 라인들(DL)과 LOG 배선들 중 적어도 일부는 가로 경계선(HL) 상에서 분리될 수 있다. 게이트 라인들(GL)은 세로 경계선(VL) 상에서 분리될 수 있다. 게이트 라인들(GL)은 세로 경계선(VL) 상에서 분리될 수 있다. At least some of the data lines DL and the LOG lines may be separated on the horizontal boundary line HL. The gate lines GL may be separated on a vertical boundary line VL. The gate lines GL may be separated on a vertical boundary line VL.

픽셀 어레이(AA)는 제1 구동 회로에 의해 구동되는 제1 픽셀 어레이 블록(A1)과, 제2 구동 회로에 의해 구동되는 제2 픽셀 어레이 블록(A2), 제3 구동 회로에 의해 구동되는 제3 픽셀 어레이 블록(A3)과, 제4 구동 회로에 의해 구동되는 제4 픽셀 어레이 블록(A4)으로 나뉘어진다. 제1 내지 제4 구동 회로 각각은 도 1과 같은 회로 구성으로 독립적으로 구현되고 서로 동기되어 동작한다. The pixel array AA includes a first pixel array block A1 driven by a first driving circuit, a second pixel array block A2 driven by a second driving circuit, and a second pixel array block A2 driven by a third driving circuit It is divided into three pixel array blocks A3 and a fourth pixel array block A4 driven by a fourth driving circuit. Each of the first to fourth driving circuits is independently implemented with the circuit configuration shown in FIG. 1 and operates in synchronization with each other.

본 발명은 고해상도 고속 구동 표시장치를 도 6 및 도 7과 같이 데이터 라인들을 상하로 분할하고, 게이트 라인들을 좌우로 분할하여 4 분할 구동함으로써 표시패널(PNL)의 상반부와 하반부가 동시에 구동한다. 그 결과, 본 발명은 1 수평 기간의 타이밍을 충분히 확보할 수 있고, 데이터 라인들과 게이트 라인들의 분할로 인하여 저항(Resistance)과 용량(capacitance)을 포함한 패널 부하(load)를 낮출 수 있다. According to the present invention, the upper and lower halves of the display panel PNL are simultaneously driven by dividing the high-resolution and high-speed driving display device by dividing the data lines vertically as shown in FIGS. As a result, according to the present invention, the timing of one horizontal period can be sufficiently secured, and the panel load including resistance and capacitance can be reduced due to the division of data lines and gate lines.

고해상도 고속 구동 표시장치에서 게이트 타이밍 제어 신호 개수와 구동 전압 개수가 증가할 수 있다. 이는 표시패널의 베젤 영역(BZ)의 크기 증가를 초래하고, COF의 핀 피치와 표시패널의 패드 피치를 감소시켜 COF 본딩 공정에서 수율을 떨어뜨릴 수 있다. 표시패널의 베젤 영역(BZ)은 픽셀 어레이 밖의 표시패널 가장 자리 비표시 영역이다. In the high-resolution high-speed driving display device, the number of gate timing control signals and the number of driving voltages may increase. This may cause an increase in the size of the bezel region BZ of the display panel and decrease the fin pitch of the COF and the pad pitch of the display panel, thereby reducing the yield in the COF bonding process. The bezel area BZ of the display panel is a non-display area at the edge of the display panel outside the pixel array.

본 발명은 게이트 타이밍 제어 신호들과 구동 전압 개수를 줄이지 않으면서 COF 본딩 공정의 불량을 줄이기 위하여 패널 부하의 영향을 거의 받지 않는 저주파수의 게이트 타이밍 신호와 구동 전압들이 공급되는 LOG 배선들을 기판 상에서 비대칭 구조로 형성한다. 이러한 비대칭 LOG 배선 구조는 표시패널(PNL)의 COF들의 더미 채널 개수를 줄여 COF의 핀 피치와 표시패널의 패드 피치를 넓게 하여 COF 본딩 불량을 줄일 수 있다.In order to reduce the number of gate timing control signals and driving voltages without reducing the number of driving voltages, the COF bonding process has an asymmetric structure on a substrate by LOG wirings supplied with low-frequency gate timing signals and driving voltages that are hardly affected by panel load. to form with The asymmetric LOG wiring structure reduces the number of dummy channels of the COFs of the display panel PNL and increases the pin pitch of the COF and the pad pitch of the display panel, thereby reducing the COF bonding defect.

도 8은 GIP 회로에 연결되는 LOG 배선들의 일 실시예를 보여 주는 평면도이다. 도 9a 내지 도 9e는 GIP 회로에 연결되는 LOG 배선들의 다양한 실시예들을 보여 주는 평면도들이다.8 is a plan view illustrating an embodiment of LOG wires connected to a GIP circuit. 9A to 9E are plan views illustrating various embodiments of LOG wirings connected to a GIP circuit.

도 8 내지 도 9e를 참조하면, 본 발명의 표시패널(PNL)은 GIP 회로에 게이트 타이밍 제어 신호들과 구동 전압을 공급하는 다수의 LOG 배선들(LOG1u, LOG1d, LOG2, LOG3)를 포함한다. 본 발명은 표시패널에 상측 COF(COFu)와 하측 COF(COFd)를 연결하여 도 6 및 도 7을 표시패널(PNL)을 분할 구동할 수 있다. 8 to 9E , the display panel PNL of the present invention includes a plurality of LOG wires LOG1u, LOG1d, LOG2, and LOG3 that supply gate timing control signals and driving voltages to the GIP circuit. According to the present invention, the display panel PNL of FIGS. 6 and 7 can be dividedly driven by connecting the upper COF (COFu) and the lower COF (COFd) to the display panel.

제1 LOG 배선들(LOG1u, LOG1d)은 픽셀 어레이(AA)의 중앙부를 가로 지르는 가로 경계선(HL) 상에서 분리되어, 제1a LOG 배선들(LOG1u)과, 제1b LOG 배선들(LOG1d)로 나뉘어진다. 상측 COF(COFu)과 하측 COF(COFd)에서 제1 LOG 배선들(LOG1u, LOG1d)에 연결되는 핀 개수가 동일하게 되도록 제1a LOG 배선들(LOG1u)과, 제1b LOG 배선들(LOG1d)은 동일한 개수이다. 상측 COF(COFu)과 하측 COF(COFd)이 동일한 핀 개수를 가져야만 COF들(COFu, COFd)을 공용화할 수 있다. The first LOG wirings LOG1u and LOG1d are separated on a horizontal boundary line HL crossing the central portion of the pixel array AA and divided into 1a LOG wirings LOG1u and 1b LOG wirings LOG1d. lose The 1a LOG wirings LOG1u and the 1b LOG wirings LOG1d are formed so that the number of pins connected to the first LOG wirings LOG1u and LOG1d in the upper COF (COFu) and the lower COF (COFd) is the same. is the same number. The COFs COFu and COFd can be shared only when the upper COF (COFu) and the lower COF (COFd) have the same number of pins.

상측 COF(COFu)는 표시패널(PNL)의 상단에서 제1a LOG 배선들(LOG1u)에 연결된다. 하측 COF(COFd)는 표시패널(PNL)의 하단에서 제1b LOG 배선들(LOG1d)에 연결된다. 상측 COF(COFu)와 하측 COF(COFd)는 고주파수의 게이트 타이밍 신호들을 제1 LOG 배선들(LOG1u, LOG1d)에 동시에 공급한다. 예를 들어, 상측 COF(COFu)는 제1 시프트 클럭(GCLK1)을 제1a LOG 배선들(LOG1u) 중 제1 클럭의 상부 배선에 공급함과 동시에, 하측 COF(COFd)는 제1 시프트 클럭(GCLK1)을 제1b LOG 배선들(LOG1d) 중 제1 클럭의 하부 배선에 공급한다. The upper COF COFu is connected to the 1a LOG lines LOG1u at the upper end of the display panel PNL. The lower COF COFd is connected to the 1b LOG lines LOG1d at the lower end of the display panel PNL. The upper COF (COFu) and the lower COF (COFd) simultaneously supply high-frequency gate timing signals to the first LOG lines LOG1u and LOG1d. For example, the upper COF(COFu) supplies the first shift clock GCLK1 to the upper wiring of the first clock among the 1a LOG wirings LOG1u, and the lower COF(COFd) transmits the first shift clock GCLK1 ) is supplied to the lower wiring of the first clock among the 1b LOG wirings LOG1d.

제1 LOG 배선들(LOG1u, LOG1d)은 배선 길이가 짧다. 배선 길이가 짧으면, 그 배선의 저항과 용량이 작기 때문에 그 배선을 통해 공급되는 신호의 RC 딜레이가 작아진다. 주파수가 높은 게이트 타이밍 제어 신호 예를 들어, 시프트 클럭은 패널 부하가 크면 RC 딜레이로 인하여 클럭의 라이징 시간(rising time)과 폴링 시간(falling time)이 지연되어 픽셀의 충전 저하를 초래할 수 있다. 따라서, 이렇고 주파수가 높은 게이트 타이밍 제어신호들은 배선 길이가 짧은 제1 LOG 배선들(LOG1u, LOG1d)을 통해 공급되는 것이 바람직하다. The first LOG wirings LOG1u and LOG1d have a short wiring length. When the wiring length is short, the RC delay of the signal supplied through the wiring becomes small because the resistance and capacitance of the wiring are small. When a high-frequency gate timing control signal, for example, a shift clock, has a large panel load, a rising time and a falling time of the clock are delayed due to the RC delay, which may lead to a decrease in charging of the pixel. Accordingly, it is preferable that the gate timing control signals having such a high frequency are supplied through the first LOG wirings LOG1u and LOG1d having a short wiring length.

제2 LOG 배선들(LOG2) 각각은 분리되지 않고 표시패널(PNL)의 베젤 영역(BZ)을 따라 길게 형성된다. 상측 COF(COFu)는 표시패널(PNL)의 상단에서 제2 LOG 배선들(LOG2)에 연결된다. 제3 LOG 배선들(LOG3) 각각은 분리되지 않고 표시패널(PNL)의 베젤 영역(BZ)을 따라 길게 형성된다. 하측 COF(COFd)는 표시패널(PNL)의 하단에서 제3 LOG 배선들(LOG3)에 연결된다. 상측 COF(COFu)에서 제2 LOG 배선들(LOG2)에 연결되는 핀 개수와, 하측 COF(COFd)에서 제3 LOG 배선들(LOG3)에 연결되는 핀 개수가 동일하게 되도록 제2 LOG 배선들(LOG2)과 제3 LOG 배선들(LOG3)은 동일한 개수이다. 상측 COF(COFu)과 하측 COF(COFd)는 동일한 핀 개수를 가져야만 COF들(COFu, COFd)을 공용화할 수 있다.Each of the second LOG lines LOG2 is not separated and formed to be elongated along the bezel area BZ of the display panel PNL. The upper COF (COFu) is connected to the second LOG lines LOG2 at the upper end of the display panel PNL. Each of the third LOG lines LOG3 is not separated and formed to be elongated along the bezel area BZ of the display panel PNL. The lower COF COFd is connected to the third LOG lines LOG3 at the lower end of the display panel PNL. The second LOG wires ( LOG2) and the third LOG wirings LOG3 have the same number. The upper COF (COFu) and the lower COF (COFd) must have the same number of pins to share the COFs COFu and COFd.

상측 COF(COFu)는 저주파수의 게이트 타이밍 신호와 구동 전압을 제2 LOG 배선들(LOG2)에 공급한다. 하측 COF(COFd)는 저주파수의 게이트 타이밍 신호와 구동 전압을 제3 LOG 배선들(LOG3)에 공급한다. 제2 LOG 배선들(LOG2)을 통해 공급되는 게이트 타이밍 신호와 구동 전압은 제3 LOG 배선들(LOG3)을 통해 공급되는 게이트 타이밍 신호와 구동 전압과 다르게 설정될 수 있다. 예를 들어, 상측 COF(COFu)는 제1 게이트 하이 전압(VGH_O)을 제2 LOG 배선들(LOG2) 중 제1 VGH 배선에 공급하고, 하측 COF(COFd)는 제2 게이트 하이 전압(VGH_E)을 제2 LOG 배선들(LOG2) 중 제2 VGH 배선에 공급한다. 제1 및 제2 게이트 하이 전압(VGH_E, VGH_O)은 GIP 회로의 제1 및 제2 QB 노드들에 교대로 인가되어 풀다운 트랜지스터들의 직류 게이트 바이어스 스트레스(DC gate bias stress)를 완화한다.The upper COF (COFu) supplies a low frequency gate timing signal and a driving voltage to the second LOG lines LOG2 . The lower COF (COFd) supplies a low frequency gate timing signal and a driving voltage to the third LOG lines LOG3 . The gate timing signal and the driving voltage supplied through the second LOG lines LOG2 may be set differently from the gate timing signal and the driving voltage supplied through the third LOG lines LOG3 . For example, the upper COF(COFu) supplies the first gate high voltage VGH_O to the first VGH line among the second LOG lines LOG2, and the lower COF(COFd) provides the second gate high voltage VGH_E. is supplied to the second VGH wiring among the second LOG wirings LOG2. The first and second gate high voltages VGH_E and VGH_O are alternately applied to the first and second QB nodes of the GIP circuit to relieve DC gate bias stress of the pull-down transistors.

제2 및 제3 LOG 배선들(LOG2, LOG2)은 배선 길이가 길기 때문에 제2 및 제3 LOG 배선들(LOG2, LOG2)을 통해 공급되는 신호의 주파수가 높으면 패널 부하의 영향을 받아 그 신호의 RC 딜레이가 커진다. 저주파수의 게이트 타이밍 신호나 구동 전압은 주파수가 짧기 때문에 패널 부하에 거의 영향을 받지 않는다. Since the second and third LOG wirings LOG2 and LOG2 have long wiring lengths, if the frequency of the signal supplied through the second and third LOG wirings LOG2 and LOG2 is high, the panel load RC delay becomes large. The low-frequency gate timing signal or driving voltage is hardly affected by the panel load because of its short frequency.

게이트 타이밍 신호들 중에서 상대적으로 주파수가 높은 신호 예를 들면 시프트 클럭이 제1 LOG 배선(LOG1u, LOG1d)을 통해 GIP 회로에 공급된다. 게이트 타이밍 신호들 중에서 상대적으로 주파수가 낮은 신호 예를 들어, VST와 VNEXT 등의 신호와 구동 전압들(VGH, VSS) 등이 제2 LOG 배선(LOG2)과 제3 LOG 배선(LOG3)을 통해 GIP 회로로 공급된다. 다시 말하여, 본 발명은 제2 및 제3 LOG 배선들(LOG2, LOG3)에 상대적으로 주파수가 낮은 저주파수의 게이트 타이밍 제어 신호와 구동 전압을 공급한다. 그 결과, 본 발명은 상측 COF(COFu)와 하측 COF(COFd)의 핀 개수를 줄여 COF의 핀 피치와 표시패널(PNL)의 패드 피치를 넓게 함으로써 COF 본딩 공정의 수율을 높일 수 있다. A signal having a relatively high frequency among the gate timing signals, for example, a shift clock is supplied to the GIP circuit through the first LOG wirings LOG1u and LOG1d. Among the gate timing signals, signals having a relatively low frequency, for example, signals such as VST and VNEXT and driving voltages VGH and VSS, are GIP through the second LOG wiring LOG2 and the third LOG wiring LOG3. supplied to the circuit. In other words, according to the present invention, a gate timing control signal and a driving voltage having a relatively low frequency are supplied to the second and third LOG lines LOG2 and LOG3 . As a result, according to the present invention, the yield of the COF bonding process can be increased by reducing the number of fins of the upper COF (COFu) and the lower COF (COFd) to increase the fin pitch of the COF and the pad pitch of the display panel PNL.

제2 및 제3 LOG 배선들(LOG2, LOG3)을 통해 공급되는 저주파수의 게이트 타이밍 제어 신호는 아래와 같은 VST, VNEXT, RST 신호 중 하나 이상을 포함한다. 제2 및 제3 LOG 배선들(LOG2, LOG3)을 통해 공급되는 구동 전압은 아래와 같이 VGH, VGH_E, VGH_O, VGL(VSS1, VSS2), 그라운드 전압(GND) 등을 포함한다. The low-frequency gate timing control signal supplied through the second and third LOG lines LOG2 and LOG3 includes one or more of the following VST, VNEXT, and RST signals. The driving voltages supplied through the second and third LOG lines LOG2 and LOG3 include VGH, VGH_E, VGH_O, VGL(VSS1, VSS2), and a ground voltage GND as follows.

VGH_E, VGH_O : 25HzVGH_E, VGH_O: 25Hz

VGH, VSS1, VSS2, GND : 0HzVGH, VSS1, VSS2, GND: 0Hz

VST, VNEXT2, VNEXT2, VNEXT3, RST : 240HzVST, VNEXT2, VNEXT2, VNEXT3, RST: 240Hz

제2 및 제3 LOG 배선들(LOG2, LOG3)은 도 8 내지 도 9e와 같이 다양한 형태로 배치될 수 있다. The second and third LOG wires LOG2 and LOG3 may be disposed in various shapes as shown in FIGS. 8 to 9E .

도 10은 GIP 회로의 일 예를 보여 주는 회로도이다. 도 11은 도 10에 도시된 GIP 회로에 인가되는 게이트 타이밍 제어 신호를 보여 주는 파형도이다. 도 12는 도 10에 도시된 GIP 회로의 Q 노드 전압, QB 노드 전압, 캐리 신호 전압, 및 출력 전압을 보여 주는 파형도이다. 본 발명의 GIP 회로는 도 10 내지 도 12에 한정되지 않는다는 것에 주의하여야 한다. 10 is a circuit diagram illustrating an example of a GIP circuit. 11 is a waveform diagram illustrating a gate timing control signal applied to the GIP circuit shown in FIG. 10 . 12 is a waveform diagram illustrating a Q node voltage, a QB node voltage, a carry signal voltage, and an output voltage of the GIP circuit shown in FIG. 10 . It should be noted that the GIP circuit of the present invention is not limited to Figs.

도 10 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 GIP 회로는 종속적으로 접속된 제n(n은 양의 정수) 스테이지(S(n))와 제n+1 스테이지(S(n+1))을 포함한다. 제n 스테이지(S(n))와 제n+1 스테이지(S(n+1))는 스타트 펄스(VST) 또는 이전 단 스테이지로부터의 캐리 신호에 응답하여 구동되기 시작하고 시프트 클럭(GCLK) 타이밍에 동기하여 출력 전압(Vout(n), Vout(n+1))과 캐리 신호(Carry(n), Carry(n+1))을 출력한다. 출력 전압(Vout(n), Vout(n+1))은 표시패널(PNL)의 게이트 라인들(GL)에 순차적으로 공급된다. 캐리 신호(Carry(n), Carry(n+1)는 다음 단 스테이지(S(n+4), S(n+5))의 VST 단자에 입력되어 그 스테이지들(S(n+4), S(n+5))을 구동시킨다. 도시하지 않은 상단 더미 스테이지는 표시패널(PNL)의 상단에 배치된 제1 내지 제3 스테이지들의 Q 노드를 프리차징하기 위한 캐리 신호를 출력한다. 이 더미 스테이지는 게이트 라인들에 연결되지 않고 제1 내지 제3 스테이지들의 VST 단자에 연결된다. 일반적으로, VNEXT 신호는 이전 단 스테이지의 Q 노드 방전을 유도하기 위하여 다음 단 스테이지 또는 하단 더미 스테이지에서 이전 단 스테이지에 공급된다. V도 6 및 도 7과 같이 표시패널(PNL)이 상하로 분할 구동되면 그 경계선 부근에서 더미 스테이지를 추가할 수 없으므로 타이밍 콘트롤러(106)에서 별도의 VNEXT 신호가 발생된다. 10 and 12, the GIP circuit of the present invention includes an n-th (n is a positive integer) stage (S(n)) and an n+1-th stage (S(n+1)) that are dependently connected. include The nth stage S(n) and the n+1th stage S(n+1) start to be driven in response to a start pulse VST or a carry signal from a previous stage, and shift clock GCLK timing In synchronization with , the output voltages Vout(n), Vout(n+1) and the carry signals Carry(n), Carry(n+1) are output. The output voltages Vout(n) and Vout(n+1) are sequentially supplied to the gate lines GL of the display panel PNL. The carry signals Carry(n) and Carry(n+1) are input to the VST terminal of the next stage (S(n+4), S(n+5)), and the stages S(n+4), S(n+5)) The upper dummy stage (not shown) outputs a carry signal for precharging the Q nodes of the first to third stages disposed on the upper end of the display panel PNL. The stage is not connected to the gate lines and is connected to the VST terminal of the first to third stages In general, the VNEXT signal is the previous stage in the next stage or the lower dummy stage to induce the Q node discharge of the previous stage. V When the display panel PNL is driven vertically as shown in FIGS. 6 and 7 , a separate VNEXT signal is generated from the timing controller 106 because a dummy stage cannot be added near the boundary line.

스테이지들(S(n), S(n+1)의 회로 구성은 실질적으로 동일하다. GIP 회로 구성을 제n 스테이지(S(n))를 예로 들어 설명하기로 한다. The circuit configuration of the stages S(n) and S(n+1) is substantially the same, and the GIP circuit configuration will be described by taking the n-th stage S(n) as an example.

제n 스테이지(S(n))는 풀업 트랜지스터(T6C, T6), 풀다운 트랜지스터(T7C, T7), 풀업 트랜지스터(T6C, T6)를 제어하는 Q 노드, 풀다운 트랜지스터((T6C, T6)를 제어하는 QB(또는 Q Bar) 노드, 입력 신호에 따라 Q 노드와 QB 노드의 충방전을 제어하는 제어부를 포함한다. 제어부는 다수의 트랜지스터들(T1, T3R, T3N, T3, T4A, T4, T4Q), T5Q, T5, T5QI)를 포함한다. GIP 회로의 트랜지스터들은 실시예에서 n type MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 TFT로 구현되지만 이에 한정되지 않는다. 이하에서 트랜지스터들을 별도의 명칭 없이 도면 부호로 설명하기로 한다. The n-th stage S(n) is a pull-up transistor T6C, T6, a pull-down transistor T7C, T7, a Q node controlling the pull-up transistor T6C, T6, a pull-down transistor (T6C, T6) a QB (or Q Bar) node and a control unit for controlling charging and discharging of the Q node and the QB node according to an input signal, the control unit including a plurality of transistors T1, T3R, T3N, T3, T4A, T4, T4Q; T5Q, T5, T5QI). Transistors of the GIP circuit are implemented as TFTs of an n-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) structure in the embodiment, but are not limited thereto. Hereinafter, transistors will be described with reference numerals without separate names.

제n 스테이지들(S(n)는 VST 단자로 수신되는 스타트 펄스(VST) 또는 이전 스테이지로부터 수신되는 캐리 신호(Carry(n-3))에 응답하여 Q 노드를 프리 차징하고 시프트 클럭(CLK)이 입력될 때 출력 단자의 전압을 게이트 하이 전압(VGH)으로 상승시켜 출력 전압(Vout(n))을 게이트 하이 전압(VGH)으로 발생한다. The n-th stages S(n) precharge the Q node in response to a start pulse VST received through the VST terminal or a carry signal Carry(n-3) received from a previous stage and perform a shift clock CLK) When this is input, the voltage of the output terminal is increased to the gate high voltage VGH to generate the output voltage Vout(n) as the gate high voltage VGH.

T1은 스타트 펄스(VST) 또는 제n-3 스테이지로부터 수신된 캐리 신호(Carry(n-3))에 응답하여 게이트 하이 전압(VGH)을 Q 노드(Q1_node)에 공급하여 Q 노드(Q1_node)를 프리 차징(pre-charging)한다. T1의 게이트는 VST 단자에 연결된다. 스타트 펄스(VST) 또는 이전 스테이지로부터 수신된 캐리 신호(Carry(n-3))는 VST 단자에 공급된다. T1의 드레인은 게이트 하이 전압(VGH)이 공급되는 VGH 단자에 연결된다. T1의 소스는 Q 노드(Q1_node)에 연결된다. T1 supplies the gate high voltage VGH to the Q node Q1_node in response to the start pulse VST or the carry signal Carry(n-3) received from the n-3 stage to make the Q node Q1_node Pre-charging. The gate of T1 is connected to the VST terminal. The start pulse VST or the carry signal Carry(n-3) received from the previous stage is supplied to the VST terminal. The drain of T1 is connected to the VGH terminal to which the gate high voltage VGH is supplied. The source of T1 is connected to the Q node (Q1_node).

T3R은 리셋 펄스(RST)에 응답하여 Q 노드(Q1_node)를 VSS1 전위로 방전하여 Q 노드(Q1_node)를 초기화한다. 게이트 로우 전압(VGL)은 VSS1과 VSS2으로 나뉘어진다. VSS1은 VSS2 보다 더 낮은 전압으로 설정될 수 있다. T3R의 게이트는 RST 단자에 연결된다. T3R의 드레인은 Q 노드(Q1_node)에 연결되고, T3R의 소스는 VSS1 단자에 연결된다. T3R initializes the Q node Q1_node by discharging the Q node Q1_node to the VSS1 potential in response to the reset pulse RST. The gate low voltage VGL is divided into VSS1 and VSS2. VSS1 may be set to a lower voltage than VSS2. The gate of T3R is connected to the RST terminal. The drain of T3R is connected to the Q node (Q1_node), and the source of T3R is connected to the VSS1 terminal.

T3N은 다음 스테이지로부터 수신된 캐리 신호(Carry(n+4)) 또는 VNEXT 신호에 응답하여 Q 노드(Q1_node)를 VSS1 전위로 방전한다. T3R의 게이트는 VNEXT 단자에 연결된다. 다음 스테이지로부터 수신된 캐리 신호(Carry(n+4)) 또는 VNEXT 신호는 VNEXT 단자에 공급된다. T3N의 드레인은 Q 노드(Q1_node)에 연결되고, T3N의 소스는 VSS1 단자에 연결된다. T3N discharges the Q node (Q1_node) to the potential of VSS1 in response to the carry signal (Carry(n+4)) or the VNEXT signal received from the next stage. The gate of T3R is connected to the VNEXT terminal. The carry signal (Carry(n+4)) or VNEXT signal received from the next stage is supplied to the VNEXT terminal. The drain of T3N is connected to the Q node (Q1_node), and the source of T3N is connected to the VSS1 terminal.

T3은 QB 노드(Q_ODD)의 전압에 응답하여 Q 노드(Q1_node)를 방전시킨다. QB 노드는 풀다운 트랜지스터들(T7, T7C)의 게이트 전압을 교대로 충방전하여 그 트랜지지터들(T7, T7C)의 직류 게이트 바이어스 스트레스를 완화하기 위하여 두 개로 분리될 수 있다. 이 경우, T3은 두 개로 분리된다. 제1 T3의 게이트는 제1 QB 노드(QB_ODD)에 연결된다. 제1 T3의 드레인은 Q 노드(Q1_node)에 연결되고, 제1 T3의 소스는 VSS1 단자에 연결된다. 제2 T3의 게이트는 제2 QB 노드(QB_EVEN)에 연결된다. 제1 T3의 드레인은 Q 노드(Q1_node)에 연결되고, 제1 T3의 소스는 VSS1 단자에 연결된다.T3 discharges the Q node Q1_node in response to the voltage of the QB node Q_ODD. The QB node may be divided into two to relieve DC gate bias stress of the pull-down transistors T7 and T7C by alternately charging and discharging the gate voltages of the pull-down transistors T7 and T7C. In this case, T3 is split in two. The gate of the first T3 is connected to the first QB node QB_ODD. The drain of the first T3 is connected to the Q node Q1_node, and the source of the first T3 is connected to the VSS1 terminal. The gate of the second T3 is connected to the second QB node QB_EVEN. The drain of the first T3 is connected to the Q node Q1_node, and the source of the first T3 is connected to the VSS1 terminal.

VGH_O와 VGH_E는 교대로 VGH로 발생되는 교류 신호이다. 제1 QB 노드(QB_ODD)는 VGH_O로 충전되고, 제2 QB 노드(QB_EVEN)는 다음 스테이지를 통해 입력되는 VGH_E로 충전된다. T4A는 VGH_O를 T4에 공급한다. T4A의 게이트는 T4의 게이트와 T4Q의 드레인에 연결된다. T4A의 드레인은 VGH_O 단자에 연결되고, T4A의 소스는 제1 QB 노드(QB_ODD)에 연결된다. T4는 T4Q가 오프 상태일 때 T4A가 턴-온되면 다이오드로 동작하여 제1 QB 노드(QB_ODD)에 VGH_O를 공급하여 제1 QB 노드(QB_ODD)를 충전한다. T4의 게이트는 T4A의 소스와 T4Q의 드레인에 연결된다. T4의 드레인은 VGH_O 단자에 연결되고, T4의 소스는 제1 QB 노드(QB_ODD)에 연결된다. T4Q는 풀업 트랜지스터들(T6C, T6)과 풀다운 트랜지스터들(T7, T7C)가 동시에 턴-온되는 현상을 방지하기 위하여, Q 노드(Q1_node)의 전압에 응답하여 턴-온(turn-on)되어 T4의 게이트 전압을 방전시킨다. T4Q의 게이트는 Q 노드(Q1_node) 에 연결된다. T4Q의 드레인은 T4A의 드레인과 T4의 게이트에 연결되고, T4Q의 소스는 VSS1 단자에 연결된다. VGH_O and VGH_E are alternating signals generated by VGH alternately. The first QB node QB_ODD is charged with VGH_O, and the second QB node QB_EVEN is charged with VGH_E input through the next stage. T4A supplies VGH_O to T4. The gate of T4A is connected to the gate of T4 and the drain of T4Q. The drain of T4A is connected to the VGH_O terminal, and the source of T4A is connected to the first QB node QB_ODD. When T4A is turned on while T4Q is off, T4 operates as a diode to supply VGH_O to the first QB node QB_ODD to charge the first QB node QB_ODD. The gate of T4 is connected to the source of T4A and the drain of T4Q. The drain of T4 is connected to the VGH_O terminal, and the source of T4 is connected to the first QB node QB_ODD. T4Q is turned on in response to the voltage of the Q node Q1_node to prevent the pull-up transistors T6C and T6 and the pull-down transistors T7 and T7C from being turned on at the same time. Discharge the gate voltage of T4. The gate of T4Q is connected to the Q node (Q1_node). The drain of T4Q is connected to the drain of T4A and the gate of T4, and the source of T4Q is connected to the VSS1 terminal.

T5Q는 Q 노드(Q1_node)의 전압에 응답하여 제1 QB 노드(QB_ODD)를 방전시킨다. T5Q의 게이트는 Q 노드(Q1_node)에 연결된다. T5Q의 드레인은 제1 QB 노드(QB_ODD)에 연결되고, T5Q의 소스는 VSS1 단자에 연결된다. T5Q discharges the first QB node QB_ODD in response to the voltage of the Q node Q1_node. The gate of T5Q is connected to the Q node (Q1_node). The drain of T5Q is connected to the first QB node QB_ODD, and the source of T5Q is connected to the VSS1 terminal.

T5는 스타트 펄스(VST) 또는 제n-3 스테이지로부터 수신된 캐리 신호(Carry(n-3))에 응답하여 제1 QB 노드(QB_ODD)를 방전시킨다. T5Q의 게이트는 VST 단자에 연결된다. 스타트 펄스(VST) 또는 이전 스테이지로부터 수신된 캐리 신호(Carry(n-3))는 VST 단자에 공급된다. T5의 드레인은 제1 QB 노드(QB_ODD)에 연결되고, T5의 소스는 VSS1 단자에 연결된다. T5 discharges the first QB node QB_ODD in response to the start pulse VST or the carry signal Carry(n-3) received from the n-3 th stage. The gate of T5Q is connected to the VST terminal. The start pulse VST or the carry signal Carry(n-3) received from the previous stage is supplied to the VST terminal. The drain of T5 is connected to the first QB node QB_ODD, and the source of T5 is connected to the VSS1 terminal.

T5QI는 다음 스테이지(S(n+))의 Q 노드(Q2_node)의 전압에 응답하여 T4Q의 드레인과 소스를 연결한다. T5QI의 게이트는 다음 스테이지(S(n+))의 Q 노드(Q2_node)에 연결된다. T5QI의 드레인은 T4Q의 드레인에 연결되고, T5QI의 소스는 T4Q의 소스에 연결된다.T5QI connects the drain and source of T4Q in response to the voltage of the Q node (Q2_node) of the next stage (S(n+)). The gate of T5QI is connected to the Q node Q2_node of the next stage S(n+). The drain of T5QI is connected to the drain of T4Q, and the source of T5QI is connected to the source of T4Q.

T6C는 Q 노드(Q1_node)가 프리 차징된 상태에서 시프트 클럭(GCLK1)이 입력될 때 캐리 신호(Carry(n))를 라이징(rising)시키는 풀업 트랜지스터이다. T6C의 게이트는 Q 노드(Q1_node)에 연결된다. T6C의 드레인은 GCLK 단자에 연결되고, T6C의 소스는 제1 출력 단자와 T7C의 드레인에 연결된다. GCLK 단자에는 게이트 시프트 클럭(GCLK1)이 공급된다. T6C is a pull-up transistor that rises the carry signal Carry(n) when the shift clock GCLK1 is input while the Q node Q1_node is precharged. The gate of T6C is connected to the Q node (Q1_node). The drain of T6C is connected to the GCLK terminal, and the source of T6C is connected to the first output terminal and the drain of T7C. A gate shift clock GCLK1 is supplied to the GCLK terminal.

T6은 Q 노드(Q1_node)가 프리 차징된 상태에서 시프트 클럭(GCLK1)이 입력될 때 출력 전압(Vout(n))을 라이징시키는 풀업 트랜지스터이다. T6의 게이트는 Q 노드(Q1_node)에 연결된다. T6의 드레인은 GCLK 단자에 연결되고, T6C의 소스는 제2 출력 단자와 T7의 드레인에 연결된다. T6 is a pull-up transistor that increases the output voltage Vout(n) when the shift clock GCLK1 is input while the Q node Q1_node is precharged. The gate of T6 is connected to the Q node (Q1_node). The drain of T6 is connected to the GCLK terminal, and the source of T6C is connected to the second output terminal and the drain of T7.

T7 및 T7C는 QB 노드의 전압에 응답하여 캐리 신호(Carry(n))와 출력 전압(Vout(n))을 폴링시키고 제1 및 제2 출력 단자의 전압을 방전시키는 풀다운 트랜지스터이다. QB 노드가 제1 및 제2 QB 노드(QB_ODD, QB_EVEN)로 분리되면, T7 및 T7C는 두 개로 분리된다. 제1 T7C의 게이트는 제1 QB 노드(QB_ODD)에 연결된다. 제1 T7C의 드레인은 제1 출력 단자에 연결되고, 제1 T7C의 소스는 VSS1 단자에 연결된다. 제2 T7C의 게이트는 제2 QB 노드(QB_EVEN)에 연결된다. 제2 T7C의 드레인은 제1 출력 단자에 연결되고, 제1 T7C의 소스는 VSS1 단자에 연결된다. 제1 T7의 게이트는 제1 QB 노드(QB_ODD)에 연결된다. 제1 T7의 드레인은 제2 출력 단자에 연결되고, 제1 T7의 소스는 VSS2 단자에 연결된다. 제2 T7의 게이트는 제2 QB 노드(QB_EVEN)에 연결된다. 제2 T7의 드레인은 제2 출력 단자에 연결되고, 제2 T7의 소스는 VSS2 단자에 연결된다.T7 and T7C are pull-down transistors that poll the carry signal Carry(n) and the output voltage Vout(n) in response to the voltage of the QB node and discharge the voltages of the first and second output terminals. When the QB node is divided into the first and second QB nodes QB_ODD and QB_EVEN, T7 and T7C are divided into two. The gate of the first T7C is connected to the first QB node QB_ODD. The drain of the first T7C is connected to the first output terminal, and the source of the first T7C is connected to the VSS1 terminal. The gate of the second T7C is connected to the second QB node QB_EVEN. The drain of the second T7C is connected to the first output terminal, and the source of the first T7C is connected to the VSS1 terminal. The gate of the first T7 is connected to the first QB node QB_ODD. The drain of the first T7 is connected to the second output terminal, and the source of the first T7 is connected to the VSS2 terminal. The gate of the second T7 is connected to the second QB node QB_EVEN. The drain of the second T7 is connected to the second output terminal, and the source of the second T7 is connected to the VSS2 terminal.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art from the above description will be able to see that various changes and modifications are possible without departing from the technical spirit of the present invention. Accordingly, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

PNL : 표시패널 AA, A1~A4 : 픽셀 어레이
GIP : 게이트 구동회로 SPCB : 소소 PCB
CPCB: 콘트롤 보드 LOG, LOG1d, LOG1u, LOG1, LOG2, LOG3 : LOG 배선
T1~T7 : 트랜지스터
PNL : Display panel AA, A1~A4 : Pixel array
GIP: Gate driving circuit SPCB: Soso PCB
CPCB: Control board LOG, LOG1d, LOG1u, LOG1, LOG2, LOG3: LOG wiring
T1~T7 : Transistor

Claims (8)

데이터 라인들과 게이트 라인들에 연결되고 픽셀 어레이가 배치되고, 상기 데이터 라인들이 상측 데이터 라인들과 하측 데이터 라인들로 분리된 기판;
상기 기판 상에서 상기 픽셀 어레이 밖의 베젤 영역에 배치되어 상기 게이트 라인들에 게이트 펄스를 공급하는 게이트 구동 회로; 및
상기 기판 상에서 상기 픽셀 어레이 밖의 베젤 영역에 배치되어 상기 게이트 구동 회로의 구동에 필요한 타이밍 제어 신호들과 구동 전압들을 공급하는 배선들을 포함하고,
상기 배선들은,
제1a 배선과 제1b 배선으로 분할된 제1 배선;
상기 제1a 배선과 상기 제1b 배선 각각의 길이 보다 길고 제1 연성 회로 기판에 연결된 제2 배선; 및
상기 제1a 배선과 상기 제1b 배선 각각의 길이 보다 길고 제2 연성 회로 기판에 연결된 제3 배선을 포함하는 표시패널.
a substrate connected to the data lines and the gate lines, on which a pixel array is disposed, the data lines being separated into upper data lines and lower data lines;
a gate driving circuit disposed in a bezel region outside the pixel array on the substrate to supply a gate pulse to the gate lines; and
and wirings disposed in a bezel area outside the pixel array on the substrate to supply timing control signals and driving voltages necessary for driving the gate driving circuit;
The wires are
a first wiring divided into a 1a wiring and a 1b wiring;
a second wiring longer than each of the 1a wiring and the 1b wiring and connected to the first flexible circuit board; and
and a third wiring that is longer than each of the first and first wirings and is connected to a second flexible circuit board.
제 1 항에 있어서,
상기 데이터 라인들과 상기 제1 배선이 상기 픽셀 어레이의 중앙 부분을 가로 질러 상기 픽셀 어레이를 이등분하는 가상의 가로 경계선을 따라 상하로 분할되는 표시패널.
The method of claim 1,
a display panel in which the data lines and the first wiring are vertically divided along an imaginary horizontal boundary line that crosses a central portion of the pixel array and bisects the pixel array.
제 1 항에 있어서,
상기 제1a 배선의 개수와 상기 제1b 배선의 개수가 동일하고,
상기 제2 배선의 개수와 상기 제3 배선의 개수가 동일한 표시패널.
The method of claim 1,
The number of the 1a wirings is the same as the number of the 1b wirings,
A display panel in which the number of the second wires is the same as the number of the third wires.
제 1 항에 있어서,
상기 타이밍 제어 신호들 중에서 상대적으로 주파수가 높은 신호가 상기 제1 배선을 통해 게이트 구동 회로로 공급되고,
상기 타이밍 제어 신호들 중에서 상대적으로 주파수가 낮은 신호와 구동 전압들이 상기 제2 배선 및 제3 배선을 통해 게이트 구동 회로로 공급되는 표시패널.
The method of claim 1,
a signal having a relatively high frequency among the timing control signals is supplied to the gate driving circuit through the first wiring;
A display panel in which a signal having a relatively low frequency among the timing control signals and driving voltages are supplied to a gate driving circuit through the second and third wirings.
제 4 항에 있어서,
상기 게이트 구동 회로는,
스타트 펄스에 응답하여 구동하기 시작하여 시프트 클럭 타이밍에 맞추어 출력을 시프트하는 시프트 레지스터를 포함하고,
상기 시프트 레지스터는 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들을 포함하고,
상기 상대적으로 주파수가 높은 신호는 상기 시프트 클럭을 포함하고,
상기 상대적으로 주파수가 낮은 신호는 상기 스타트 펄스, 이전 스테이지의 Q 노드를 방전시키는 신호, 상기 스테이지들을 동시에 초기화하는 리셋 펄스 중 하나 이상을 포함하고,
상기 구동 전압은 상기 게이트 구동 회로를 구성하는 트랜지스터들의 문턱 전압 이상의 게이트 하이 전압과, 상기 트랜지스터들의 문턱 전압 보다 낮은 게이트 로우 전압, 및 그라운드 전압을 포함하는 표시패널.
5. The method of claim 4,
The gate driving circuit is
a shift register that starts driving in response to a start pulse and shifts an output according to a shift clock timing;
wherein the shift register comprises a plurality of stages connected cascadingly;
The relatively high frequency signal includes the shift clock,
The relatively low frequency signal includes at least one of the start pulse, a signal for discharging the Q node of the previous stage, and a reset pulse for simultaneously initializing the stages,
The driving voltage includes a gate high voltage equal to or greater than a threshold voltage of transistors constituting the gate driving circuit, a gate low voltage lower than the threshold voltage of the transistors, and a ground voltage.
데이터 라인들과 게이트 라인들에 연결되고 픽셀 어레이가 배치되고, 상기 데이터 라인들이 상측 데이터 라인들과 하측 데이터 라인들로 분리된 기판;
상기 상측 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로가 실장되어 상기 기판의 상단에 배치된 제1 연성 회로 기판;
상기 하측 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로가 실장되어 상기 기판의 하단에 배치된 제2 연성 회로 기판;
상기 픽셀 어레이 밖의 베젤 영역에 배치되어 상기 게이트 라인들에 게이트 펄스를 공급하는 게이트 구동 회로; 및
상기 픽셀 어레이 밖의 베젤 영역에 배치되어 상기 게이트 구동 회로에 필요한 타이밍 제어 신호들과 구동 전압들을 공급하는 배선들을 포함하고,
상기 배선들은,
상기 제1 연성 회로 기판과 연결된 제1a 배선과, 상기 제2 연성 회로 기판에 연결된 제1b 배선으로 분할된 제1 배선;
상기 제1a 배선과 상기 제1b 배선 각각의 길이 보다 길고 상기 제1 연성 회로 기판에 연결된 제2 배선; 및
상기 제1a 배선과 상기 제1b 배선 각각의 길이 보다 길고 상기 제2 연성 회로 기판에 연결된 제3 배선을 포함하는 표시장치.
a substrate connected to the data lines and the gate lines, on which a pixel array is disposed, the data lines being separated into upper data lines and lower data lines;
a first flexible circuit board on which a data driving circuit for supplying a data voltage to the upper data lines is mounted and disposed on the upper side of the board;
a second flexible circuit board on which a data driving circuit for supplying a data voltage to the lower data lines is mounted and disposed at a lower end of the board;
a gate driving circuit disposed in a bezel region outside the pixel array to supply a gate pulse to the gate lines; and
and wirings disposed in a bezel area outside the pixel array to supply timing control signals and driving voltages necessary for the gate driving circuit;
The wires are
a first wiring divided into a 1a wiring connected to the first flexible circuit board and a 1b wiring connected to the second flexible circuit board;
a second wiring longer than each of the 1a wiring and the 1b wiring and connected to the first flexible circuit board; and
and a third wire connected to the second flexible circuit board, which is longer than the length of each of the first and second wires 1a and 1b.
제 6 항에 있어서,
상기 타이밍 제어 신호들 중에서 상대적으로 주파수가 높은 신호가 상기 제1 배선을 통해 게이트 구동 회로로 공급되고,
상기 타이밍 제어 신호들 중에서 상대적으로 주파수가 낮은 신호와 구동 전압들이 상기 제2 배선 및 제3 배선을 통해 게이트 구동 회로로 공급되는 표시장치.
7. The method of claim 6,
a signal having a relatively high frequency among the timing control signals is supplied to the gate driving circuit through the first wiring;
A display device in which a signal having a relatively low frequency among the timing control signals and driving voltages are supplied to the gate driving circuit through the second and third wirings.
제 7 항에 있어서,
상기 게이트 구동 회로는,
스타트 펄스에 응답하여 구동하기 시작하여 시프트 클럭 타이밍에 맞추어 출력을 시프트하는 시프트 레지스터를 포함하고,
상기 시프트 레지스터는 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들을 포함하고,
상기 상대적으로 주파수가 높은 신호는 상기 시프트 클럭을 포함하고,
상기 상대적으로 주파수가 낮은 신호는 상기 스타트 펄스, 이전 스테이지의 Q 노드를 방전시키는 신호, 상기 스테이지들을 동시에 초기화하는 리셋 펄스 중 하나 이상을 포함하고,
상기 구동 전압은 상기 게이트 구동 회로를 구성하는 트랜지스터들의 문턱 전압 이상의 게이트 하이 전압과, 상기 트랜지스터들의 문턱 전압 보다 낮은 게이트 로우 전압, 및 그라운드 전압을 포함하는 표시장치.
8. The method of claim 7,
The gate driving circuit is
a shift register that starts driving in response to a start pulse and shifts an output according to a shift clock timing;
wherein the shift register comprises a plurality of stages connected cascadingly;
The relatively high frequency signal includes the shift clock,
The relatively low frequency signal includes at least one of the start pulse, a signal for discharging the Q node of the previous stage, and a reset pulse for simultaneously initializing the stages,
The driving voltage includes a gate high voltage equal to or greater than a threshold voltage of transistors constituting the gate driving circuit, a gate low voltage lower than the threshold voltage of the transistors, and a ground voltage.
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