KR102455584B1 - Organic Light Emitting Diode display panel and Organic Light Emitting Diode display device using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화소 어레이 내에 게이트 구동 회로의 GIP가 배치되는 표시패널과 이를 이용한 OLED 표시 장치에 관한 것으로, 표시패널은 데이터 라인들과 게이트 라인들이 교차되고, 상기 교차부에 배치된 서브 화소들을 포함한 표시 영역; 및 상기 표시 영역 내의 각 게이트 라인에 의해 구동되는 복수개의 단위 화소 영역들에 분산 배치되어 해당 게이트 라인에 스캔 펄스를 공급하는 복수개의 GIP를 구비하고, 상기 복수개의 GIP 각각은, 복수개의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호 및 복수개의 스캔 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 제 1 노드 및 제 2 노드의 전압에 따라 스캔 펄스 및 캐리 펄스를 출력하는 스캔 펄스 출력 버퍼부 및 캐리 펄스 출력 버퍼부를 구비하고, 상기 복수개의 GIP의 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들 및 복수개의 캐리 펄스 출력 버퍼부는 불규칙적으로 배치되는 것이다.The present invention relates to a display panel in which a GIP of a gate driving circuit is disposed in a pixel array and an OLED display using the same, wherein the display panel includes data lines and gate lines crossing each other and including sub-pixels disposed at the intersections area; and a plurality of GIPs dispersedly disposed in a plurality of unit pixel areas driven by each gate line in the display area to supply a scan pulse to the corresponding gate line, wherein each of the plurality of GIPs is for outputting a plurality of carry pulses A scan pulse output buffer unit for receiving one of the clock signals and one of the plurality of clock signals for outputting scan pulses and outputting a scan pulse and a carry pulse according to voltages of the first node and the second node, and a carry pulse It includes an output buffer, and a plurality of scan pulse output buffers and a plurality of carry pulse output buffers of the plurality of GIPs are irregularly arranged.

Figure R1020180095898
Figure R1020180095898

Description

OLED 표시패널과 이를 이용한 OLED 표시 장치{Organic Light Emitting Diode display panel and Organic Light Emitting Diode display device using the same}Organic Light Emitting Diode display panel and Organic Light Emitting Diode display device using the same}

본 발명은 화소 어레이 내에 게이트 구동 회로의 GIP가 배치되고, GIP 배치에 따른 화질 불량을 개선할 수 있는 OLED 표시패널과 이를 이용한 OLED 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an OLED display panel in which a GIP of a gate driving circuit is disposed in a pixel array and capable of improving image quality due to the GIP arrangement, and an OLED display device using the same.

정보화 사회가 발전하고, 이동통신 단말기 및 노트북 컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 평판 표시 장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다.As the information society develops and various portable electronic devices such as mobile communication terminals and notebook computers develop, the demand for a flat panel display device that can be applied thereto is gradually increasing.

이와 같은 평판 표시 장치로는, 액정을 이용한 액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display)와 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; 이하 OLED)를 이용한 OLED 표시 장치가 활용되고 있다.As such a flat panel display, a liquid crystal display (LCD) using liquid crystal and an OLED display using an organic light emitting diode (OLED) are used.

이러한 평판 표시 장치들은 영상을 표시하기 위해 복수개의 게이트 라인들 및 복수개의 데이터 라인들을 구비한 표시 패널과, 상기 표시 패널을 구동하기 위한 구동회로로 구성된다.Such flat panel displays include a display panel having a plurality of gate lines and a plurality of data lines to display an image, and a driving circuit for driving the display panel.

상기와 같은 표시 장치들 중 액정 표시 장치의 표시 패널은, 유리 기판상에 박막트랜지스터 어레이가 형성되는 박막트랜지스터 어레이 기판과, 유리 기판상에 칼라 필터 어레이가 형성되는 칼라 필터 어레이 기판과, 상기 박막트랜지스터 어레이 기판과 상기 칼라 필터 어레이 기판 사이에 충진된 액정층을 구비한다.Among the display devices, the display panel of the liquid crystal display includes a thin film transistor array substrate on which a thin film transistor array is formed on a glass substrate, a color filter array substrate on which a color filter array is formed on the glass substrate, and the thin film transistor A liquid crystal layer filled between the array substrate and the color filter array substrate is provided.

상기 박막 트랜지스터 어레이 기판은, 제1방향으로 연장되는 복수개의 게이트 라인들(GL)과, 제1방향과 수직인 제2방향으로 연장되는 복수개의 데이터 라인들(DL)을 포함하며, 각 게이트 라인과 각 데이터 라인에 의하여 하나의 서브 화소 영역(Pixel; P)이 정의된다. 하나의 서브 화소 영역(P) 내에는 하나의 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성된다.The thin film transistor array substrate includes a plurality of gate lines GL extending in a first direction and a plurality of data lines DL extending in a second direction perpendicular to the first direction, and each gate line and one sub-pixel area Pixel (P) is defined by each data line. One thin film transistor and a pixel electrode are formed in one sub-pixel area P.

이러한 액정 표시 장치의 표시 패널은, 전기장 생성 전극 (화소 전극 및 공통 전극)에 전압을 인가하여 상기 액정층에 전기장을 생성하고, 상기 전기장에 의해 액정층의 액정 분자들의 배열 상태를 조절하여 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.The display panel of the liquid crystal display device generates an electric field in the liquid crystal layer by applying a voltage to an electric field generating electrode (a pixel electrode and a common electrode), and adjusts an arrangement state of liquid crystal molecules in the liquid crystal layer by the electric field to generate incident light. Display an image by controlling the polarization.

또한, 상기와 같은 표시 장치들 중 OLED 표시 장치의 표시 패널은, 상기 복수개의 게이트 라인들과 복수개의 데이터 라인들이 교차하여 서브 화소가 정의되고, 각 서브 화소들은, 애노드 및 캐소드와 상기 애노드 및 캐소드 사이의 유기 발광층으로 구성된 OLED와, 상기 OLED를 독립적으로 구동하는 화소 회로를 구비한다. In addition, in the display panel of the OLED display among the above display devices, the plurality of gate lines and the plurality of data lines cross to define sub-pixels, and each sub-pixel includes an anode and a cathode and the anode and the cathode An OLED composed of an organic light emitting layer therebetween, and a pixel circuit independently driving the OLED are provided.

상기 화소 회로는 다양하게 구성될 수 있으나, 적어도 하나의 스위칭 TFT, 커패시터 및 구동 TFT를 포함한다.The pixel circuit may be configured in various ways, but includes at least one switching TFT, a capacitor, and a driving TFT.

상기 적어도 하나의 스위칭 TFT는 스캔 펄스에 응답하여 데이터 전압을 상기 커패시터에 충전한다. 상기 구동 TFT는 상기 커패시터에 충전된 데이터 전압에 따라 OLED로 공급되는 전류량을 제어하여 OLED의 발광량을 조절한다.The at least one switching TFT charges the capacitor with a data voltage in response to a scan pulse. The driving TFT controls the amount of light emitted by the OLED by controlling the amount of current supplied to the OLED according to the data voltage charged in the capacitor.

이러한 표시 장치용 표시 패널은, 사용자에게 이미지를 제공하는 표시 영역(active area, AA)과 상기 표시영역(AA)의 주변 영역인 비표시 영역(non-active area, NA)으로 정의된다.The display panel for a display device is defined as an active area (AA) providing an image to a user and a non-active area (NA) surrounding the display area (AA).

또한, 상기 표시 패널을 구동하기 위한 상기 구동회로는 상기 표시 패널의 상기 복수개의 게이트 라인들에 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)를 순차적으로 공급하는 게이트 구동 회로와, 상기 표시 패널의 상기 복수개의 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로와, 상기 게이트 구동 회로와 상기 데이터 구동 회로에 영상 데이터 및 각종 제어신호를 공급하는 타이밍 콘트롤러 등으로 이루어진다.The driving circuit for driving the display panel includes a gate driving circuit that sequentially supplies a gate pulse (or scan pulse) to the plurality of gate lines of the display panel, and the plurality of data lines of the display panel. and a data driving circuit for supplying data voltages to the data, and a timing controller for supplying image data and various control signals to the gate driving circuit and the data driving circuit.

상기 게이트 구동 회로는, 적어도 하나의 게이트 드라이브 IC로 구성될 수도 있지만, 상기 표시 패널의 상기 복수개의 신호 라인 (게이트 라인들 및 데이터 라인들)과 서브 화소를 형성하는 과정에서 상기 표시 패널의 비표시 영역상에 동시에 형성될 수 있다.The gate driving circuit may include at least one gate driving IC, but the display panel is not displayed in the process of forming the plurality of signal lines (gate lines and data lines) and sub-pixels of the display panel. may be formed simultaneously on the region.

즉, 상기 게이트 구동 회로를 상기 표시 패널에 직접화시키는 게이트-인-패널(Gate-In-Panel; 이하 "GIP"라고도 함) 방식이 적용되고 있다.That is, a gate-in-panel (hereinafter also referred to as "GIP") method in which the gate driving circuit is directly integrated into the display panel is applied.

상기와 같은 게이트 구동 회로는 각 게이트 라인들에 스캔 펄스를 순차적으로 공급하기 위하여, 게이트 라인의 개수 이상의 복수개의 스테이지(stage; 이하 "GIP"로 표현한다)를 포함하여 구성되고, 구동 특성을 향상시키기 위하여 산화물 반도체 박막트랜지스터들을 이용한다.The gate driving circuit as described above is configured to include a plurality of stages (hereinafter referred to as "GIP") greater than the number of gate lines in order to sequentially supply scan pulses to each gate line, and improve driving characteristics To do this, oxide semiconductor thin film transistors are used.

즉, 상기 게이트 구동 회로는 종속적으로 접속된 복수개의 스테이지(GIP)를 포함한다. 그리고, 각 스테이지(GIP)는 각 게이트 라인에 연결되어, 상기 타이밍 콘트롤러로부터 인가되는 클럭신호, 게이트 스타트 신호, 게이트 하이 전압 및 게이트 로우 전압 등을 수신하여, 하나의 캐리 펄스와 하나의 스캔 펄스를 생성하는 출력부를 포함한다.That is, the gate driving circuit includes a plurality of stages GIP connected to each other. In addition, each stage GIP is connected to each gate line and receives a clock signal, a gate start signal, a gate high voltage, and a gate low voltage applied from the timing controller, and generates one carry pulse and one scan pulse. It contains an output that generates.

이와 같이 종래의 게이트 구동 회로는 상기 표시 패널의 비표시 영역에 직접화되므로, 평판 표시 장치의 네로우 베젤(Narrow bezel) 설계가 어렵다.As described above, since the conventional gate driving circuit is directly integrated into the non-display area of the display panel, it is difficult to design a narrow bezel of the flat panel display.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 베젤을 최소화하고 베젤 형상과 관계 없이 표시 패널의 표시 영역에 GIP를 배치할 수 있으며, GIP가 표시 영역에 배치됨에 따른 화질 불량을 개선할 수 있는 OLED 표시 패널과 이를 이용한 OLED 표시 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is intended to solve the above problems in the prior art. It is possible to minimize the bezel, to arrange the GIP in the display area of the display panel regardless of the bezel shape, and to improve the image quality due to the GIP being placed in the display area. An object of the present invention is to provide an OLED display panel that can be used and an OLED display device using the same.

본 발명은, 표시 패널의 표시 영역에 GIP를 배치함에 있어, 블록 딤(Block Dim)이나 사선 딤을 인지하지 않도록 함에 또 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to prevent a block dim or a diagonal dim from being recognized when the GIP is disposed in a display area of a display panel.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 OLED 표시 패널은, 데이터 라인들과 게이트 라인들이 교차되고, 상기 교차부에 배치된 서브 화소들을 포함한 표시 영역; 및 상기 표시 영역 내의 각 게이트 라인에 의해 구동되는 복수개의 단위 화소 영역들에 분산 배치되어 해당 게이트 라인에 스캔 펄스를 공급하는 복수개의 GIP를 구비하고, 상기 복수개의 GIP 각각은, 복수개의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호 및 복수개의 스캔 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 제 1 노드 및 제 2 노드의 전압에 따라 스캔 펄스 및 캐리 펄스를 출력하는 스캔 펄스 출력 버퍼부 및 캐리 펄스 출력 버퍼부를 구비하고, 상기 복수개의 GIP의 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들 및 복수개의 캐리 펄스 출력 버퍼부가 불규칙적으로 배치됨에 그 특징이 있다.According to an aspect of the present invention, an OLED display panel includes: a display area in which data lines and gate lines intersect, and including sub-pixels disposed at the intersections; and a plurality of GIPs dispersedly disposed in a plurality of unit pixel areas driven by each gate line in the display area to supply a scan pulse to the corresponding gate line, wherein each of the plurality of GIPs is for outputting a plurality of carry pulses A scan pulse output buffer unit for receiving one of the clock signals and one of the plurality of clock signals for outputting scan pulses and outputting a scan pulse and a carry pulse according to voltages of the first node and the second node, and a carry pulse An output buffer is provided, and a plurality of scan pulse output buffers and a plurality of carry pulse output buffers of the plurality of GIPs are irregularly arranged.

여기서, 상기 GIP는, 라인 선택 신호에 따라 세트 신호를 선택적으로 저장하고, 해당 스테이지를 블랭크 구간에 실시간 보상용 신호에 따라 제 1 노드를 제 1 정전압으로 충전하고 제 2 노드를 제 2 정전압으로 방전하는 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드 제어부와, 해당 스테이지를 구동 구간에 전단의 캐리 펄스에 따라 상기 제 1 노드를 상기 전단의 캐리 펄스 전압으로 충전하고 후단의 캐리 펄스에 따라 상기 제 1 노드 및 제 3 노드를 제 2 정전압으로 방전하며, 상기 제 1 노드의 전압에 따라 상기 제 3 노드를 상기 제 1 정전압으로 충전하는 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부와, 상기 제 1 노드의 전압을 반전하여 제 2 노드에 인가하는 인버터부와, 상기 블랭크 구간에 타이밍 컨트롤러에서 출력되는 리세트 신호에 따라 상기 제 1 노드를 제 2 정전압으로 방전하는 리세트부를 더 구비하고, 상기 인버터부의 소자들, 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드 제어부의 소자들, 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부의 소자들 및 상기 리세트부의 소자들 순서로 배치되고, 상기 복수개의 GIP의 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들 및 복수개의 캐리 펄스 출력 버퍼부는 상기 인버터부의 소자들, 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드 제어부의 소자들, 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부의 소자들 및 상기 리세트부의 소자들 사이에 불규칙적으로 배치됨을 특징으로 한다.Here, the GIP selectively stores a set signal according to a line selection signal, and charges the first node to the first constant voltage and discharges the second node to the second constant voltage according to the real-time compensation signal in the blank section of the corresponding stage. The first and second node controllers of the blank section, and the driving section of the corresponding stage, charging the first node with the carry pulse voltage of the previous stage according to the carry pulse of the previous stage, and charging the first node and the first node according to the carry pulse of the rear stage The first to third node controllers for discharging the third node to a second constant voltage and charging the third node to the first constant voltage according to the voltage of the first node, and inverting the voltage of the first node Further comprising: an inverter unit applied to a second node; and a reset unit discharging the first node to a second constant voltage according to a reset signal output from the timing controller during the blank period, the elements of the inverter unit and the blank Elements of the first and second node controllers in the first and second sections, elements of the first to third node controllers in the driving period, and elements of the reset unit are arranged in order, and a plurality of scan pulse output buffers of the plurality of GIPs; A plurality of carry pulse output buffer units are irregularly arranged between the elements of the inverter unit, the elements of the first and second node controllers in the blank section, the elements of the first to third node controllers in the driving period, and the elements of the reset unit. It is characterized in that it is placed as

상기 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들 각각은 상기 복수개의 스캔 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드의 전압에 따라 스캔 펄스를 출력하는 풀업 트랜지스터를 구비하고, 상기 풀업 트랜지스터가 불규칙적으로 배치됨을 특징으로 한다.Each of the plurality of scan pulse output buffers includes a pull-up transistor configured to receive one of the plurality of scan pulse output clock signals and output a scan pulse according to voltages of the first node and the second node, It is characterized in that the pull-up transistor is arranged irregularly.

상기 복수개의 캐리 펄스 출력 버퍼부들 각각은 상기 복수개의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드의 전압에 따라 캐리 펄스를 출력하는 풀업 트랜지스터를 구비하고, 상기 풀업 트랜지스터가 불규칙적으로 배치됨을 특징으로 한다.Each of the plurality of carry pulse output buffers includes a pull-up transistor that receives one of the plurality of carry pulse output clock signals and outputs a carry pulse according to voltages of the first node and the second node, It is characterized in that the pull-up transistor is arranged irregularly.

상기 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들 각각은 상기 복수개의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드의 전압에 따라 스캔 펄스를 출력하는 풀업 트랜지스터를 구비하고, 상기 풀업 트랜지스터는 분할되어 해당 게이트 라인 방향을 따라 복수의 단위 화소 영역에 병렬로 배치됨을 특징으로 한다.Each of the plurality of scan pulse output buffers includes a pull-up transistor that receives one of the plurality of carry pulse output clock signals and outputs a scan pulse according to voltages of the first node and the second node, The pull-up transistor may be divided and disposed in parallel in a plurality of unit pixel areas along a corresponding gate line direction.

상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드와, 각 스캔 펄스 출력 버퍼부의 출력단은 패널의 제 1 방향으로 연속적으로 배열됨을 특징으로 한다.The first node and the second node, and an output terminal of each scan pulse output buffer unit are sequentially arranged in a first direction of the panel.

또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 OLED 표시 장치는, 복수개의 데이터 라인들과 복수개의 게이트 라인들이 교차되고, 상기 교차부에 배치된 서브 화소들을 포함한 표시 영역; 상기 복수개의 데이터 라인들을 복수개의 그룹으로 분할하여 각 그룹의 데이터 라인들을 구동하는 복수개의 소스 드라이브 IC들; 및 각 소스 드라이브 IC에 의해 구동되는 그룹으로 상기 표시 영역이 구분되고, 구분된 각 표시 영역 그룹 내의 각 게이트 라인에 의해 구동되는 단위 화소 영역들에 분산 배치되어 해당 게이트 라인에 스캔 펄스를 공급하는 복수개의 GIP를 구비하고, 상기 복수개의 GIP 각각은, 복수개의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호 및 복수개의 스캔 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 제 1 노드 및 제 2 노드의 전압에 따라 스캔 펄스 및 캐리 펄스를 출력하는 스캔 펄스 출력 버퍼부 및 캐리 펄스 출력 버퍼부를 구비하고, 상기 복수개의 GIP의 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들 및 복수개의 캐리 펄스 출력 버퍼부는 불규칙적으로 배치됨에 그 특징이 있다.In addition, an OLED display device according to the present invention for achieving the above object includes: a display area in which a plurality of data lines and a plurality of gate lines intersect, and including sub-pixels disposed at the intersections; a plurality of source drive ICs dividing the plurality of data lines into a plurality of groups to drive the data lines of each group; and the plurality of display regions are divided into groups driven by each source drive IC, and are dispersedly disposed in unit pixel regions driven by each gate line in each divided display region group to supply scan pulses to the corresponding gate lines. GIPs, each of the plurality of GIPs receives one clock signal from among a plurality of clock signals for outputting carry pulses and one clock signal from among clock signals for outputting a plurality of scan pulses to receive voltages of a first node and a second node A scan pulse output buffer and a carry pulse output buffer for outputting a scan pulse and a carry pulse according to There is this.

또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 OLED 표시 장치는, 복수개의 데이터 라인들과 복수개의 게이트 라인들이 교차되고, 상기 교차부에 배치된 서브 화소들을 포함한 표시 영역; 상기 복수개의 데이터 라인들을 복수개의 그룹으로 분할하여 각 그룹의 데이터 라인들을 구동하는 복수개의 소스 드라이브 IC들; 및 인접한 2개 이상의 소스 드라이브 IC들에 의해 구동되는 그룹으로 상기 표시 영역이 구분되고, 구분된 각 표시 영역 그룹 내의 각 게이트 라인에 의해 구동되는 단위 화소 영역들에 분산 배치되어 해당 게이트 라인에 스캔 펄스를 공급하는 복수개의 GIP를 구비하고, 상기 복수개의 GIP 각각은, 복수개의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호 및 복수개의 스캔 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 제 1 노드 및 제 2 노드의 전압에 따라 스캔 펄스 및 캐리 펄스를 출력하는 스캔 펄스 출력 버퍼부 및 캐리 펄스 출력 버퍼부를 구비하고, 상기 복수개의 GIP의 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들 및 복수개의 캐리 펄스 출력 버퍼부는 불규칙적으로 배치됨에 또 다른 특징이 있다.In addition, an OLED display device according to the present invention for achieving the above object includes: a display area in which a plurality of data lines and a plurality of gate lines intersect, and including sub-pixels disposed at the intersections; a plurality of source drive ICs dividing the plurality of data lines into a plurality of groups to drive the data lines of each group; and the display area is divided into groups driven by two or more adjacent source drive ICs, and the display area is distributed in unit pixel areas driven by each gate line in each divided display area group, and a scan pulse is applied to the corresponding gate line. and a plurality of GIPs for supplying A scan pulse output buffer unit and a carry pulse output buffer unit outputting a scan pulse and a carry pulse according to the voltage of two nodes, wherein the plurality of scan pulse output buffer units and a plurality of carry pulse output buffer units of the plurality of GIPs are irregularly There is another feature of being placed.

상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 OLED 표시 패널 및 이를 이용한 OLED 표시 장치에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.The OLED display panel according to the present invention having the above characteristics and the OLED display device using the same have the following effects.

첫째, 표시 영역 내에 GIP를 분산 배치하므로, 표시 영역 좌우측의 비표시 영역에 GIP를 구성하는 종래의 표시 패널에 비해 표시 패널의 좌우 베젤을 최소화 할 수 있다.First, since the GIPs are distributed in the display area, the left and right bezels of the display panel can be minimized compared to the conventional display panel in which the GIPs are configured in the non-display area on the left and right sides of the display area.

둘째, GIP를 표시 영역 내에 배치하면서, 하나의 게이트 라인(스캔 라인)에 1개의 GIP를 배치할 경우 가운데 부분에 배치하거나 하나의 스캔 라인에 2개 이상의 GIP를 배치하므로, 화질의 균일도 등에 효율적이다.Second, when placing one GIP on one gate line (scan line) while arranging the GIP within the display area, it is efficient for uniformity of image quality, etc. .

셋째, GIP의 구성들 중 스캔 펄스 출력 버퍼부 및 캐리 펄스 출력 버퍼부를 불규칙적으로 배치하므로 블록 딤 및 사선 딤을 인지할 수 없도록 할 수 있다.Third, since the scan pulse output buffer part and the carry pulse output buffer part are irregularly arranged among the components of the GIP, the block dim and the diagonal dim may not be recognized.

넷째, GIP의 구성 중 사이즈가 상대적으로 큰 소자는 분할 배치하여 병렬로 연결할 수 있으므로 표시 영역에 GIP를 구성하는 소자들을 충분히 분산 시킬 수 있다.Fourth, the elements constituting the GIP can be sufficiently dispersed in the display area because the elements having a relatively large size among the elements of the GIP can be divided and arranged and connected in parallel.

다섯째, 표시 영역내의 단위 화소 영역에 적어도 3개의 서브 화소부과 GIP부를 나누어 배치하므로 화소와 GIP 간의 신호 간섭 현상을 최소화 할 수 있다.Fifth, since at least three sub-pixel units and the GIP unit are separately arranged in the unit pixel area in the display area, the signal interference phenomenon between the pixel and the GIP can be minimized.

여섯째, 각 소스 드라이브 IC에 의해 구동되는 그룹으로 상기 표시 영역이 구분되고, 구분된 각 표시 영역 그룹 내의 각 게이트 라인에 의해 구동되는 단위 화소 영역들에 GIP를 구성하는 소자들이 분산 배치되므로, 각 소스 드라이브 IC를 통해 GIP를 구동하기 위한 신호들을 공급할 수 있다.Sixth, since the display area is divided into groups driven by each source drive IC, and elements constituting the GIP are distributed in unit pixel areas driven by each gate line in each divided display area group, each source Signals for driving the GIP can be supplied through the drive IC.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시 장치를 개략적으로 보여 주는 블록도
도 2는 도 3의 OLED 표시 장치에서 하나의 서브 화소의 회로 구성도
도 3은 본 발명에 따른 (n)번째 GIP의 회로 구성도
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역 구성도
도 5는 도 4의 표시 패널의 표시 영역에 배치된 인접한 2개의 단위 화소를 보다 구체적으로 도시한 구성도
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 GIP 소자들의 배치 상태를 도시한 설명도
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 GIP 소자들의 배치 상태를 회로적으로 도시한 설명도
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 GIP 소자들의 배치 상태를 회로적으로 도시한 설명도
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역 구성도
1 is a block diagram schematically showing an OLED display device according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a circuit configuration diagram of one sub-pixel in the OLED display device of FIG. 3 ;
3 is a circuit diagram of the (n)th GIP according to the present invention
4 is a configuration diagram of a display area of a display panel according to a first exemplary embodiment of the present invention;
FIG. 5 is a configuration diagram illustrating in more detail two adjacent unit pixels disposed in a display area of the display panel of FIG. 4 ;
6 is an explanatory view showing the arrangement state of the GIP elements according to the first embodiment of the present invention;
7 is an explanatory diagram schematically illustrating an arrangement state of the GIP elements according to the first embodiment of the present invention;
8 is an explanatory diagram schematically illustrating an arrangement state of GIP elements according to a second embodiment of the present invention;
9 is a configuration diagram of a display area of a display panel according to a second exemplary embodiment of the present invention;

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. The present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only the embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains It is provided to fully understand the scope of the invention, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명은 도면에 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 실질적으로 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Since the shape, size, ratio, angle, number, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiment of the present invention are exemplary, the present invention is not limited to the matters shown in the drawings. Like reference numerals refer to substantially like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

본 명세서 상에서 언급된 "구비한다", "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수로 해석될 수 있다.When "includes", "includes", "having", "consisting of", etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, it may be interpreted as the plural unless otherwise explicitly stated.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is interpreted as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, ' ~ 상에', ' ~ 상부에', ' ~ 하부에', ' ~ 옆에' 등으로 두 구성요소들 간에 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 그 구성요소들 사이에 하나 이상의 다른 구성 요소가 개재될 수 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship between the two components is described as 'on One or more other elements may be interposed between those elements in which 'directly' or 'directly' are not used.

구성 요소들을 구분하기 위하여 제1, 제2 등이 사용될 수 있으나, 이 구성 요소들은 구성 요소 앞에 붙은 서수나 구성 요소 명칭으로 그 기능이나 구조가 제한되지 않는다.The first, second, etc. may be used to distinguish the components, but the functions or structures of these components are not limited to the ordinal number or component name attached to the front of the component.

이하의 실시예들은 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하다. 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.The following embodiments can be partially or wholly combined or combined with each other, and technically various interlocking and driving are possible. Each of the embodiments may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship.

본 발명에 따른 GIP의 회로와 서브 화소의 회로는 n 타입 또는 p 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 TFT로 구현될 수 있다. 이하의 실시예에서 n 타입 TFT를 예시하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다는 것에 주의하여야 한다. TFT는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. TFT 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 TFT에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, MOSFET에서의 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. n 타입 MOSFET(NMOS)의 경우, 캐리어 가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 타입 MOSFET에서 전자가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. p 타입 TFT(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 타입 TFT에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. MOSFET의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, MOSFET의 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 이하의 실시예에서 GIP 회로와 화소 회로를 구성하는 트랜지스터들을 n 타입 TFT로 예시되었지만, 이에 한정되지 않는다. 따라서, 이하의 설명에서 TFT의 소스와 드레인으로 인하여 발명이 제한되어서는 안된다.The circuit of the GIP and the circuit of the sub-pixel according to the present invention may be implemented as a TFT having an n-type or p-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) structure. It should be noted that although the n-type TFT is exemplified in the following embodiments, the present invention is not limited thereto. A TFT is a three-electrode device including a gate, a source and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. In the TFT, carriers start flowing from the source. The drain is an electrode through which carriers exit the TFT. That is, the flow of carriers in the MOSFET flows from the source to the drain. In the case of an n-type MOSFET (NMOS), since carriers are electrons, the source voltage is lower than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain. In an n-type MOSFET, the direction of current flows from drain to source because electrons flow from source to drain. In the case of a p-type TFT (PMOS), since carriers are holes, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In a p-type TFT, since holes flow from the source to the drain, the current flows from the source to the drain. It should be noted that the source and drain of the MOSFET are not fixed. For example, the source and drain of the MOSFET may be changed according to the applied voltage. Although transistors constituting the GIP circuit and the pixel circuit are exemplified as n-type TFTs in the following embodiments, the present invention is not limited thereto. Therefore, the invention should not be limited by the source and drain of the TFT in the following description.

GIP 회로로부터 출력되는 게이트 펄스는 게이트 온 전압(Gate High Voltage, VGH)과 게이트 오프 전압(Gate Low Voltage, VGL) 사이에서 스윙한다. 게이트 온 전압(VGH)은 TFT의 문턱 전압 보다 높은 전압으로 설정되며, 게이트 오프 전압(VGH)은 TFT의 문턱 전압 보다 낮은 전압으로 설정된다. n 타입 TFT의 경우에, 게이트 온 전압은 게이트 하이 전압(Gate High Voltage, VGH)이고, 게이트 오프 전압은 게이트 로우 전압(Gate Low Voltage, VGL)일 수 있다. p 타입 TFT의 경우에, 게이트 온 전압은 게이트 로우 전압(VGL)이고, 게이트 오프 전압은 게이트 하이 전압(VGH)일 수 있다.A gate pulse output from the GIP circuit swings between a gate-on voltage (Gate High Voltage, VGH) and a gate-off voltage (Gate Low Voltage, VGL). The gate-on voltage VGH is set to a voltage higher than the threshold voltage of the TFT, and the gate-off voltage VGH is set to a voltage lower than the threshold voltage of the TFT. In the case of the n-type TFT, the gate-on voltage may be a gate high voltage (VGH), and the gate-off voltage may be a gate low voltage (VGL). In the case of the p-type TFT, the gate-on voltage may be a gate low voltage VGL, and the gate-off voltage may be a gate high voltage VGH.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시 장치를 개략적으로 보여 주는 구성 블록도이다.1 is a block diagram schematically showing an OLED display device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 OLED 표시 장치는 표시패널(PNL)과, 상기 표시 패널(PNL)에 영상 데이터를 제공하기 위한 구동 회로를 구비한다.Referring to FIG. 1 , an OLED display device according to the present invention includes a display panel PNL and a driving circuit for providing image data to the display panel PNL.

상기 표시 패널(PNL)의 표시 영역(AA)은 교차 배열되는 복수개의 데이터 라인들(DL1~DLm) 및 복수개의 게이트 라인들(GL1~GLn)과, 상기 복수개의 데이터 라인들(DL1~DLm)과 상기 복수개의 게이트 라인들(GL1~GLn)에 의해 매트릭스 형태로 배치되는 복수개의 서브 화소들을 구비한다. 상기 표시 패널(PNL)의 표시 영역(AA)에는 터치 센서들(touch sensor)이 더 배치될 수 있다.The display area AA of the display panel PNL includes a plurality of data lines DL1 to DLm and a plurality of gate lines GL1 to GLn that are cross-arranged, and the plurality of data lines DL1 to DLm. and a plurality of sub-pixels arranged in a matrix form by the plurality of gate lines GL1 to GLn. Touch sensors may be further disposed in the display area AA of the display panel PNL.

상기 복수개의 서브 화소들은, 컬러 구현을 위하여, 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B) 서브 화소들을 포함하고, 상기 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B) 서브 화소들 이외에 백색(W) 서브 화소를 더 포함할 수 있다.The plurality of sub-pixels include red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels for color implementation, and the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels In addition to the pixels, a white (W) sub-pixel may be further included.

상기 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B) 서브 화소들이 하나의 단위 화소를 구성하거나, 상기 적색(R), 녹색(G), 청색(B), 및 백색(W) 서브 화소들이 하나의 단위 화소를 구성한다.The red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels constitute one unit pixel, or the red (R), green (G), blue (B), and white (W) sub-pixels constitute one unit pixel.

그리고, 상기 단위 화소 영역들에는 게이트 구동 회로의 GIP를 구성하는 소자들(TFT, Capacitor 등)이 분산 배치된다.In addition, devices (TFTs, capacitors, etc.) constituting the GIP of the gate driving circuit are dispersedly disposed in the unit pixel areas.

즉, 각 게이트 라인에 배치되는 복수개의 단위 화소 영역들에 게이트 구동 회로의 적어도 하나의 GIP를 구성하는 소자들(TFT, Capacitor 등)이 분산 배치된다. 물론, 각 게이트 라인에 배치되는 복수개의 단위 화소 영역들에 다수개의 GIP를 구성하는 소자들(TFT, Capacitor 등)이 분산 배치될 수 있다. 그 구체적인 GIP의 배치 방법은 후술한다.That is, devices (TFTs, capacitors, etc.) constituting at least one GIP of the gate driving circuit are dispersedly disposed in a plurality of unit pixel areas disposed on each gate line. Of course, devices (TFTs, capacitors, etc.) constituting a plurality of GIPs may be dispersedly disposed in a plurality of unit pixel areas disposed on each gate line. The specific arrangement method of the GIP will be described later.

상기 구동 회로는 상기 표시 패널(PNL)의 데이터 라인들(DL1~DLm)에 영상 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동회로와, 상기 영상 데이터 전압에 동기되는 스캔 펄스를 표시패널(PNL)의 게이트 라인들(GL1~GLn)에 공급하는 게이트 구동회로, 및 상기 데이터 구동 회로와 상기 게이트 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 콘트롤러(Timing controller, T-CON) 등을 포함한다.The driving circuit includes a data driving circuit for supplying an image data voltage to the data lines DL1 to DLm of the display panel PNL, and a scan pulse synchronized with the image data voltage to the gate lines of the display panel PNL. and a gate driving circuit supplied to GL1 to GLn, and a timing controller (T-CON) for controlling operation timings of the data driving circuit and the gate driving circuit.

상기 데이터 구동회로는 하나 이상의 소스 드라이브 IC(SIC)를 포함할 수 있다. 상기 소스 드라이브 IC(SIC)는 상기 타이밍 콘트롤러(T-CON)의 제어 하에 입력 영상의 디지털 비디오 데이터를 아날로그 감마보상전압으로 변환하여 데이터전압을 발생하고 그 데이터전압을 데이터라인들(DL1~DLm)로 출력한다. 상기 소스 드라이브 IC(SIC)는 구부러질 수 있는 연성 회로 기판 예를 들어, COF(Chip on Film)에 실장되거나 COG 공정으로 상기 표시 패널(PNL)의 비 표시 영역의 기판 상에 직접 접착될 수 있다.The data driving circuit may include one or more source drive ICs (SICs). The source drive IC (SIC) generates a data voltage by converting digital video data of an input image into an analog gamma compensation voltage under the control of the timing controller T-CON, and applies the data voltage to the data lines DL1 to DLm. output as The source drive IC (SIC) may be mounted on a bendable flexible circuit board, for example, on a chip on film (COF) or may be directly attached to a substrate in the non-display area of the display panel PNL through a COG process. .

상기 COF들은 ACF(anisotropic conductive film)를 통해 상기 표시 패널(PNL)의 하부 기판(SUBS1)의 패드 영역과 소스 PCB(SPCB)에 접착된다. 상기 COF들의 입력 핀들은 상기 소스 PCB(SPCB)의 출력단자들(패드)에 전기적으로 연결된다. 상기 소스 COF들(COF)의 출력 핀들은 ACF를 통해 상기 표시 패널(PNL)의 기판에 형성된 데이터 패드들에 전기적으로 연결된다.The COFs are adhered to the pad area of the lower substrate SUBS1 of the display panel PNL and the source PCB SPCB through an anisotropic conductive film (ACF). Input pins of the COFs are electrically connected to output terminals (pads) of the source PCB (SPCB). Output pins of the source COFs COF are electrically connected to data pads formed on the substrate of the display panel PNL through the ACF.

상기 게이트 구동회로는 상기 타이밍 콘트롤러(T-CON)로부터의 스타트 펄스(VST), 클럭 신호(CRCLK, SCCLK), 게이트 하이 전압(VGH), 게이트 로우 전압(VGL) 등을 수신하여 각 게이트 라인(GL1~GLn)에 순차적으로 스캔 펄스를 출력하는 복수개의 GIP를 포함한다. 상기 복수개의 GIP들은 상기 타이밍 콘트롤러(T-CON)의 제어 하에 상기 데이터 전압에 동기되는 스캔 펄스를 각 게이트 라인들(GL1~GLn)에 순차적으로 공급하여 영상 데이터 전압이 인가되는 1 라인의 화소들을 선택한다.The gate driving circuit receives a start pulse (VST), clock signals (CRCLK, SCCLK), a gate high voltage (VGH), a gate low voltage (VGL), etc. from the timing controller (T-CON) to each gate line ( It includes a plurality of GIPs sequentially outputting scan pulses to GL1 to GLn). The plurality of GIPs sequentially supply scan pulses synchronized with the data voltage to each of the gate lines GL1 to GLn under the control of the timing controller T-CON to generate pixels in one line to which the image data voltage is applied. choose

상기 타이밍 콘트롤러(T-CON)는 제어 PCB(CPCB) 상에 실장되고, 상기 제어 PCB(CPCB)와 상기 소스 PCB(SPCB)는 FFC(Flecible Flat Cable)에 의해 연결된다.The timing controller T-CON is mounted on a control PCB CPCB, and the control PCB CPCB and the source PCB SPCB are connected by a flexible flat cable (FFC).

본 발명에 따른 OLED 표시 장치에서 하나의 서브 화소의 회로 구성과, 본 발명에 따른 하나의 GIP의 회로는 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같다.The circuit configuration of one sub-pixel and the circuit of one GIP according to the present invention in the OLED display device according to the present invention are as shown in FIGS. 2 and 3 .

도 2는 도 1의 OLED 표시 장치에서 하나의 서브 화소의 회로 구성도이고, 도 3은 본 발명에 따른 (n)번째 GIP의 회로 구성도이다.FIG. 2 is a circuit configuration diagram of one sub-pixel in the OLED display device of FIG. 1 , and FIG. 3 is a circuit configuration diagram of the (n)th GIP according to the present invention.

본 발명에 따른 OLED 표시 장치의 각 서브 화소는, 도 2에 도시한 바와 같이, 유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 상기 유기 발광 다이오드는 구동하는 화소 회로를 구비한다.As shown in FIG. 2 , each sub-pixel of the OLED display according to the present invention includes an organic light emitting diode (OLED) and a pixel circuit driving the organic light emitting diode.

상기 화소 회로는 제 1 및 제 2 스위칭 TFT(T1, T2), 스토리지 커패시터(Cst), 및 구동 TFT(DT)를 포함한다.The pixel circuit includes first and second switching TFTs T1 and T2, a storage capacitor Cst, and a driving TFT DT.

상기 제 1스위칭 TFT(T1)는 스캔 펄스(Scan)에 응답하여 데이터(DATA) 전압을 상기 스토리지 커패시터(Cst)에 충전한다. 상기 구동 TFT(DT)는 상기 스토리지 커패시터(Cst)에 충전된 데이터 전압에 따라 OLED로 공급되는 전류량을 제어하여 OLED의 발광량을 조절한다. 상기 제 2 스위칭 TFT(T2)는 센싱(Sense) 신호에 응답하여 상기 구동 TFT(DT)의 문턱 전압 및 이동도를 센싱한다.The first switching TFT T1 charges a data voltage to the storage capacitor Cst in response to a scan pulse Scan. The driving TFT DT controls the amount of light emitted by the OLED by controlling the amount of current supplied to the OLED according to the data voltage charged in the storage capacitor Cst. The second switching TFT T2 senses a threshold voltage and mobility of the driving TFT DT in response to a sensing signal.

상기 유기 발광 다이오드(OLED)는 제1전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 유기 발광층 및 제2전극(예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극) 등으로 이루어질 수 있다.The organic light emitting diode OLED may include a first electrode (eg, an anode electrode or a cathode electrode), an organic light emitting layer, and a second electrode (eg, a cathode electrode or an anode electrode).

상기 스토리지 커패시터(Cst)는 상기 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(gate)과 소오스 전극(source) 사이에 전기적으로 연결되어, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지해줄 수 있다. The storage capacitor Cst is electrically connected between a gate electrode and a source electrode of the driving TFT DT, and applies a data voltage corresponding to the image signal voltage or a voltage corresponding thereto for one frame time. can keep you

도 2에서는 3개의 TFT(T1, T2, DT)와 하나의 스토리지 커패시터(Cst)로 구성되는 3T1C 화소 회로의 구성을 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 본 발명에 따른 OLED 표시 장치의 각 서브 화소의 화소 회로는 4T1C(4개의 TFT 및 1개의 스토리지 커패시터로 구성됨), 4T2C(4개의 TFT 및 2개의 스토리지 커패시터로 구성됨), 5T1C(5개의 TFT 및 1개의 스토리지 커패시터로 구성됨), 5T2C(5개의 TFT 및 2개의 스토리지 커패시터로 구성됨) 등으로 구성될 수 있다.2 illustrates the configuration of a 3T1C pixel circuit including three TFTs (T1, T2, DT) and one storage capacitor (Cst), but the present invention is not limited thereto. The pixel circuit is 4T1C (consisting of 4 TFTs and 1 storage capacitor), 4T2C (consisting of 4 TFTs and 2 storage capacitors), 5T1C (consisting of 5 TFTs and 1 storage capacitor), 5T2C (5 TFTs) and two storage capacitors).

한편, 본 발명에 따른 (k)번째 GIP의 회로는, 도 3에 도시한 바와 같이, 트랜지스터(TA, TB, T3qA, T1B, T1C, T5A, T5B) 및 커패시터(C1)를 구비하여 구성되어, 라인 선택 신호(LSP; Line select pulse)에 따라 세트 신호(CP(k))를 선택적으로 저장하고, 해당 스테이지를 블랭크 구간(Blank time)에 실시간 보상용 신호(VRT; Vertical real time)에 따라 제 1 노드(Q)를 제 1 정전압(GVDD)으로 충전하고 제 2 노드(Qb)를 제 2 정전압(GVSS2)으로 방전하는 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb) 제어부(21, 26); 트랜지스터(T1, T1A, T3n, T3nA, T3q, T3, T3A, T5)를 구비하여 구성되어 해당 스테이지를 구동 구간에 3번째 전단의 캐리 펄스(CP(k-3))에 따라 상기 제 1 노드(Q)를 상기 캐리 펄스(CP(k-3)) 전압으로 충전하고 3번째 후단의 캐리 펄스(CP(k+3))에 따라 상기 제 1 노드(Q) 및 제 3 노드(Qh)를 제 2 정전압(GVSS2)으로 방전하며, 상기 제 1 노드(Q)의 전압에 따라 제 3노드(Qh)를 상기 제 1정전압(GVDD)으로 충전하는 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23, 25); 트랜지스터(T4, T4l, T4q, T5q) 및 커패시터(C2)를 구비하여 구성되어 상기 제 1 노드(Q)의 전압을 반전하여 제 2 노드(Qb)에 인가하는 인버터부(24); 풀업 트랜지스터(T6cr, T6) 및 풀다운 트랜지스터(T7cr, T7) 및 부트스트랩핑 커패시터(C3)를 구비하여 구성되어 복수개의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호(CRCLK(k)) 및 복수개의 스캔 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호(SCCLK(k))을 수신하여 상기 제 1 노드(Q) 및 상기 제 2 노드(Qb)의 전압에 따라 캐리 펄스(CP(k)) 및 스캔 펄스(SP(k))를 출력하는 출력 버퍼부(27); 그리고, 트랜지스터(T3nB, T3nC)를 구비하여 구성되어 상기 블랭크 구간(Blank time)에 상기 타이밍 컨트롤러에서 출력되는 리세트 신호(RST)에 따라 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 정전압(GVSS2)으로 방전하는 리세트부(22)를 구비하여 구성된다.On the other hand, the circuit of the (k)-th GIP according to the present invention, as shown in FIG. 3, comprises transistors TA, TB, T3qA, T1B, T1C, T5A, T5B and a capacitor C1, The set signal CP(k) is selectively stored according to the line select pulse (LSP), and the corresponding stage is stored in the blank time according to the real-time compensation signal (VRT; vertical real time). The first and second node (Q, Qb) controllers 21 and 26 in the blank section for charging the first node Q to the first constant voltage GVDD and discharging the second node Qb to the second constant voltage GVSS2 ; Transistors (T1, T1A, T3n, T3nA, T3q, T3, T3A, T5) are configured to drive the corresponding stage according to the carry pulse (CP(k-3)) of the third front stage in the driving section of the first node ( Q) is charged with the carry pulse voltage CP(k-3), and the first node Q and the third node Qh are removed according to the carry pulse CP(k+3) of the third subsequent stage. The first to third node controllers 23 and 25 in the driving period for discharging to the second constant voltage GVSS2 and charging the third node Qh to the first constant voltage GVDD according to the voltage of the first node Q ); an inverter unit 24 including transistors T4, T41, T4q, and T5q and a capacitor C2 to invert the voltage of the first node Q and apply it to the second node Qb; The pull-up transistors T6cr and T6 and the pull-down transistors T7cr and T7 and the bootstrap capacitor C3 are configured to include one clock signal CRCLK(k)) and a plurality of scan signals for outputting a plurality of carry pulses. Receives one of the clock signals for pulse output SCCLK(k), and receives a carry pulse CP(k) and a scan pulse SP according to the voltages of the first node Q and the second node Qb. an output buffer unit 27 for outputting (k)); In addition, the transistors T3nB and T3nC are provided to convert the first node Q to a second constant voltage GVSS2 according to the reset signal RST output from the timing controller during the blank time. and a reset unit 22 for discharging.

상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb) 제어부(21, 26)는 상기 라인 선택 신호(LSP)가 하이 레벨일 때 상기 트랜지스터(TA, TB, T3q)가 턴-온 되어 세트 신호(CP(k))를 상기 커패시터(C1)에 저장한다.In the blank section, the first and second nodes Q and Qb controllers 21 and 26 turn on the transistors TA, TB, and T3q when the line select signal LSP is at a high level to turn on a set signal ( CP(k)) is stored in the capacitor C1.

그리고, 상기 블랭크 구간에 상기 실시간 보상용 신호(VRT)가 하이 레벨일 때 상기 트랜지스터(T1C, T5B)가 턴-온 되어 상기 제 1 노드(Q)를 제 1 정전압(GVDD)으로 충전하고, 상기 제 2 노드(Qb)를 제 2 정전압(GVSS2)으로 방전한다.In the blank section, when the real-time compensation signal VRT is at a high level, the transistors T1C and T5B are turned on to charge the first node Q with a first constant voltage GVDD, and The second node Qb is discharged to the second constant voltage GVSS2.

상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23, 25)는 구동 구간에 상기 3번째 전단의 캐리 펄스(CP(k-3))가 하이 레벨일 때 상기 트랜지스터(T1, T1A, T5)가 턴-온되어 상기 제 1 노드(Q)를 상기 3번째 전단의 캐리 펄스(CP(k-3)) 전압으로 충전하고 상기 제 2 노드(Qb)를 제 2 정전압(GVSS2)으로 방전한다. 이와 같이 상기 제 1 노드(Q)가 충전되고 상기 제 2 노드(Qb)가 방전 될 때 상기 트랜지스터(T3q)가 턴-온되어 상기 제 3 노드(Qh)를 제 1 정전압(GVDD)으로 충전한다.In the driving period, the first to third node controllers 23 and 25 turn on the transistors T1, T1A, and T5 when the carry pulse CP(k-3) of the third previous stage is at a high level during the driving period. -on, the first node Q is charged with the voltage of the carry pulse CP(k-3) of the third previous stage, and the second node Qb is discharged with a second constant voltage GVSS2. As described above, when the first node Q is charged and the second node Qb is discharged, the transistor T3q is turned on to charge the third node Qh to the first constant voltage GVDD. .

그리고 3번째 후단의 캐리 펄스(CP(k+3))가 하이 레벨일 때 상기 트랜지스터(T3n, T3nA)가 턴-온되어 상기 제 1 노드(Q) 및 상기 제 3 노드(Qh)를 제 2 정전압(GVSS2)으로 방전한다.And when the carry pulse CP(k+3) of the third rear stage is at a high level, the transistors T3n and T3nA are turned on to connect the first node Q and the third node Qh to the second Discharge with a constant voltage (GVSS2).

상기 인버터부(24)는 상기 제 1 노드(Q)의 전압을 반전하여 제 2 노드(Qb)에 인가한다.The inverter unit 24 inverts the voltage of the first node Q and applies it to the second node Qb.

상기 출력 버퍼부(27)는 상기 제 1 노드(Q)가 하이 레벨이고 상기 제 2 노드(Qb)가 로우 레벨일 때 상기 풀업 트랜지스터(T6cr)가 턴-온되고 상기 풀다운 트랜지스터(T7cr)가 턴-오프되어 상기 복수개의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호(CRCLK(k))를 캐리 펄스(CP(k))로 출력한다. 또한 상기 제 1 노드(Q)가 하이 레벨이고 상기 제 2 노드(Qb)가 로우 레벨일 때 상기 풀업 트랜지스터(T6)가 턴-온되고 상기 풀다운 트랜지스터(T7)가 턴-오프되어 상기 복수개의 스캔 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호(SCCLK(k))을 스캔 펄스(SP(k))로 출력한다.In the output buffer unit 27, when the first node Q is at a high level and the second node Qb is at a low level, the pull-up transistor T6cr is turned on and the pull-down transistor T7cr is turned on. -off, one clock signal CRCLK(k) among the plurality of clock signals for outputting carry pulses is output as a carry pulse CP(k). Also, when the first node Q is at a high level and the second node Qb is at a low level, the pull-up transistor T6 is turned on and the pull-down transistor T7 is turned off to turn off the plurality of scans. One clock signal SCCLK(k) among the clock signals for pulse output is output as a scan pulse SP(k).

이 때, 상기 스캔 펄스 출력용 클럭 신호(SCCLK(k))가 하이 레벨로 인가되면 상기 출력 버퍼부(27)의 상기 부트스트랩핑 커패시터(C3)에 의해 상기 제 1노드(Q)는 부트스트랩핑(또는 커플링(Coupling))되어 더 높은 전위를 갖는다.At this time, when the scan pulse output clock signal SCCLK(k) is applied at a high level, the first node Q is bootstrapped by the bootstrapping capacitor C3 of the output buffer unit 27 . (or coupled) to have a higher potential.

이와 같이 상기 제 1 노드(Q)가 부트스트랩핑된 상태에서, 상기 출력 버퍼부(27)는 각각 입력된 캐리 펄스 출력용 클럭 신호(CRCLK(k)) 및 스캔 펄스 출력용 클럭 신호(SCCLK(k))를 캐리 펄스(CP(k)) 및 스캔 펄스(SP(k))로 출력하므로 출력 손실(Loss)을 방지할 수 있다.In the state in which the first node Q is bootstrapped as described above, the output buffer unit 27 receives the clock signal for outputting the carry pulse CRCLK(k) and the clock signal for outputting the scan pulse SCCLK(k), respectively. ) as carry pulses CP(k) and scan pulses SP(k), output loss can be prevented.

상기 리세트부(22)는 상기 블랭크 구간(Blank time)에 상기 타이밍 컨트롤러(4)에서 출력되는 리세트 신호(RST)가 하이 레벨일 때 상기 트랜지스터(T3nB, T3nC)가 턴-온되어 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 정전압(GVSS2)으로 방전한다.The reset unit 22 is configured to turn on the transistors T3nB and T3nC when the reset signal RST output from the timing controller 4 is at a high level during the blank time. The first node Q is discharged to the second constant voltage GVSS2.

상기 도 3에서는 6상(Phase)으로 구동되는 GIP를 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 본 발명에 따른 GIP는 4상, 8상 또는 12상 등으로 다양하게 구성될 수 있다.Although FIG. 3 shows a GIP driven by six phases, the present invention is not limited thereto, and the GIP according to the present invention may be variously configured with four phases, eight phases, or 12 phases.

상기 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 GIP는 25개의 트랜지스터와 3개의 커패시터를 구비하여 구성된다.As shown in FIG. 3 , the GIP includes 25 transistors and 3 capacitors.

따라서, 하나의 단위 화소 영역에 상기 GIP의 회로를 구성하는 하나의 단위 소자(트랜지스터 또는 커패시터)를 분산 배치하면, 하나의 게이트 라인(스캔 라인)을 구동하기 위한 하나의 GIP의 회로를 해당 게이트 라인에 의해 구동되는 단위 화소들에 배치할 수 있다.Therefore, when one unit element (transistor or capacitor) constituting the circuit of the GIP is distributed in one unit pixel area, the circuit of one GIP for driving one gate line (scan line) is connected to the corresponding gate line. may be disposed in unit pixels driven by

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역 구성도이고, 도 5는 도 4의 표시 패널의 표시 영역에 배치된 인접한 2개의 단위 화소를 보다 구체적으로 도시한 구성도이다.4 is a block diagram of a display area of a display panel according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a block diagram illustrating in more detail two adjacent unit pixels disposed in the display area of the display panel of FIG. 4 .

도 4 및 도 5에서는 단위 화소가 적색(R), 녹색(G), 청색(B), 및 백색(W) 서브 화소들로 구성됨을 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소들로 구성될 수 있다.4 and 5 illustrate that the unit pixel is composed of red (R), green (G), blue (B), and white (W) sub-pixels, but the present invention is not limited thereto. G) and blue (B) sub-pixels.

본 발명에 따른 표시 패널의 표시 영역의 단위 화소 영역은 적어도 3개의 서브 화소부(R, G, B, W)(33), GIP부(31), 및 GIP 내부 연결 배선부(32) 등으로 구분된다.The unit pixel area of the display area of the display panel according to the present invention includes at least three sub-pixel portions (R, G, B, W) 33 , a GIP portion 31 , and a GIP internal connection wiring portion 32 , etc. are separated

상기 적어도 3개의 서브 화소부(R, G, B, W)(33)들은 복수개의 데이터 라인(DL1~DLm), 복수개의 기준 전압 라인(Vref) 및 제 1 및 제 2 정전압 라인(EVDD, EVSS) 들이 수직 방향으로 배열되고, 복수개의 게이트 라인(스캔 라인)이 수평 방향으로 배열되어 구성된다.The at least three sub-pixel units R, G, B, and W 33 include a plurality of data lines DL1 to DLm, a plurality of reference voltage lines Vref, and first and second constant voltage lines EVDD and EVSS. ) are arranged in a vertical direction, and a plurality of gate lines (scan lines) are arranged in a horizontal direction.

상기 GIP부(31)는 GIP의 회로를 구성하는 하나의 단위 소자(트랜지스터 또는 커패시터)에 해당된다. 즉, 적색(R), 녹색(G), 청색(B), 및 백색(W) 서브 화소들로 구성되는 단위 화소 영역에, 도 3에 도시한 GIP의 회로를 구성하는 하나의 단위 소자(트랜지스터 또는 커패시터)가 분산 배치된다.The GIP unit 31 corresponds to one unit element (transistor or capacitor) constituting the circuit of the GIP. That is, in a unit pixel region composed of red (R), green (G), blue (B), and white (W) sub-pixels, one unit element (transistor) constituting the circuit of the GIP shown in FIG. 3 . or capacitors) are distributed.

즉, 하나의 게이트 라인(스캔 라인)을 구동하기 위한 하나의 GIP가 해당 게이트 라인(스캔 라인)에 의해 구동되는 복수개의 단위 화소 영역에 분산하여 배치된다.That is, one GIP for driving one gate line (scan line) is dispersedly disposed in a plurality of unit pixel areas driven by the corresponding gate line (scan line).

물론, 하나의 게이트 라인(스캔 라인)을 구동하기 위한 GIP를 2개 이상 해당 게이트 라인(스캔 라인)에 의해 구동되는 복수개의 단위 화소 영역에 분산 배치할 수도 있다.Of course, two or more GIPs for driving one gate line (scan line) may be distributed in a plurality of unit pixel areas driven by the corresponding gate line (scan line).

만약, GIP를 하나 배치할 경우, 해당 게이트 라인(스캔 라인)에 의해 구동되는 복수개의 단위 화소 영역들 중 가운데 부분의 복수개의 단위 화소 영역에 상기 GIP를 구성하는 소자들(트랜지스터 또는 커패시터)를 분산 배치하는 것이 바람직하다.If one GIP is disposed, the elements (transistors or capacitors) constituting the GIP are distributed in a plurality of unit pixel areas in the middle among a plurality of unit pixel areas driven by a corresponding gate line (scan line). It is preferable to place

만약, 하나의 게이트 라인(스캔 라인)을 구동하기 위한 GIP를 2개 배치할 경우, 해당 게이트 라인(스캔 라인)에 의해 구동되는 복수개의 단위 화소들 중 양쪽 가장자리 부분의 복수개의 단위 화소 영역에 각각 상기 GIP를 구성하는 소자들(트랜지스터 또는 커패시터)를 분산 배치하는 것이 바람직하다.If two GIPs for driving one gate line (scan line) are disposed, each of the plurality of unit pixel areas on both edges of the plurality of unit pixels driven by the corresponding gate line (scan line) It is preferable to distribute the elements (transistors or capacitors) constituting the GIP.

또한, 도 4 및 도 5에서는 모든 단위 화소 영역에 GIP부(31)가 배치됨을 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 일부 단위 화소 영역에는 GIP부(31)가 배치되지 않을 수도 있다.In addition, although it is illustrated that the GIP unit 31 is disposed in all unit pixel areas in FIGS. 4 and 5 , the present invention is not limited thereto, and the GIP unit 31 may not be disposed in some unit pixel areas.

상기 GIP 내부 연결 배선부(32)는 상기 도 3에 도시한 바와 같이, GIP의 각 소자들을 연결하는 연결 배선들(Q 노드, QB 노드, 소자와 소자 연결 라인 등)이 배치되는 영역이다.As shown in FIG. 3 , the GIP internal connection wiring unit 32 is an area in which connection wirings (Q node, QB node, device and device connection line, etc.) connecting each device of the GIP are disposed.

또한, 상기 적어도 3개의 서브 화소부(33), GIP부(31), 및 GIP 내부 연결 배선부(32)의 배치 위치를 다양하게 할 수 있다.In addition, the arrangement positions of the at least three sub-pixel units 33 , the GIP unit 31 , and the GIP internal connection wiring unit 32 may be varied.

도 6는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 GIP 소자들의 배치 상태를 도시한 설명도이고, 도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 GIP 소자들의 배치 상태를 회로적으로 도시한 설명도이다.6 is an explanatory diagram illustrating an arrangement state of the GIP elements according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 7 is an explanatory diagram schematically illustrating the arrangement state of the GIP elements according to the first embodiment of the present invention. .

먼저, 도 3에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 GIP의 회로는, 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb) 제어부(21, 26)와, 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23, 25)와, 인버터부(24)와, 출력 버퍼부(27)와 리세트부(22)를 구비하여 구성된다.First, as described in FIG. 3 , the circuit of the GIP according to the present invention includes the first and second node (Q, Qb) controllers 21 and 26 in the blank section, and the first to third node controllers 23 in the driving section. , 25 , an inverter unit 24 , an output buffer unit 27 , and a reset unit 22 .

여기서, 상기 출력 버퍼부(27)는 상기 풀업 트랜지스터(T6cr)와 상기 풀다운 트랜지스터(T7cr)로 구성되어 캐리 펄스(CP(k))를 출력하는 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)와, 상기 풀업 트랜지스터(T6)와 상기 풀다운 트랜지스터(T7) 및 부트스트랩핑 커패시터(C3)로 구성되어 스캔 펄스(SP(k))를 출력하는 스캔 펄스 출력 버퍼부로 구분된다.Here, the output buffer unit 27 includes a carry pulse output buffer unit CRCLK composed of the pull-up transistor T6cr and the pull-down transistor T7cr for outputting a carry pulse CP(k), and the pull-up transistor It is divided into a scan pulse output buffer unit composed of T6, the pull-down transistor T7, and the bootstrapping capacitor C3 and outputting a scan pulse SP(k).

따라서, 상기 GIP의 각 소자들을 표시 영역에 배치함에 있어, 도 6에 도시한 바와 같이, 상기 출력 버퍼부(27) 중 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 소자들(T6, T7, C3)을 먼저 배치하고, 그 다음으로 인버터부(24)의 소자들, 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb) 제어부(21, 26)의 소자들, 상기 출력 버퍼부(27) 중 상기 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 소자들(T6cr, T7cr), 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23, 25) 및 리세트부(22) 순서로 배치하면 상기 GIP 내부 연결 배선부(32)의 배선을 간소화 할 수 있다.Accordingly, in disposing each element of the GIP in the display area, as shown in FIG. 6 , the elements T6 , T7 , and C3 of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the output buffer unit 27 . first, then the elements of the inverter unit 24, the elements of the first and second nodes Q and Qb of the blank section, the elements of the controllers 21 and 26, and the output buffer unit 27. When the elements T6cr and T7cr of the carry pulse output buffer unit CRCLK are arranged in the order of the first to third node controllers 23 and 25 and the reset unit 22 in the driving period, the GIP internal connection wiring unit ( 32) can be simplified.

도 7는, 하나의 단위 화소 영역에 상기 GIP의 회로를 구성하는 하나의 단위 소자(트랜지스터 또는 커패시터)를 분산하는 회로적 구성을 도시한 것이다.7 illustrates a circuit configuration in which one unit element (transistor or capacitor) constituting the circuit of the GIP is distributed in one unit pixel area.

따라서, 하나의 게이트 라인(스캔 라인)에 의해 구동되는 1 수평 라인의 단위 화소 영역들에 해당 게이트 라인을 구동하기 위한 하나의 GIP 회로가 배치된 것으로, 복수개의 GIP를 도시하였다.Accordingly, one GIP circuit for driving the corresponding gate line is disposed in unit pixel areas of one horizontal line driven by one gate line (scan line), and a plurality of GIPs are illustrated.

간단하게 설명하기 위하여, 게이트 구동회로가 6상(Phase)으로 구동됨을 도시한 것으로, 6개의 GIP를 도시하였다.For the sake of simplicity, it shows that the gate driving circuit is driven in 6 phases, and 6 GIPs are shown.

즉, 첫번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6)의 소오스 전극에는 제 1 스캔 펄스용 클럭신호(SCCLK1)가 인가되고, 첫번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)의 소오스 전극에는 제 1 캐리 펄스용 클럭신호(CRCLK1)가 인가된다.That is, the clock signal SCCLK1 for the first scan pulse is applied to the source electrode of the pull-up transistor T6 of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the first GIP, and the pull-up of the carry pulse output buffer unit CRCLK of the first GIP is applied. The clock signal CRCLK1 for the first carry pulse is applied to the source electrode of the transistor T6cr.

두번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6)의 소오스 전극에는 제 2 스캔 펄스용 클럭신호(SCCLK2)가 인가되고, 두번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)의 소오스 전극에는 제 2 캐리 펄스용 클럭신호(CRCLK2)가 인가된다.The second scan pulse clock signal SCCLK2 is applied to the source electrode of the pull-up transistor T6 of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the second GIP, and the pull-up transistor (CRCLK) of the carry pulse output buffer unit CRCLK of the second GIP is applied. T6cr), the clock signal CRCLK2 for the second carry pulse is applied to the source electrode.

세번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6)의 소오스 전극에는 제 3 스캔 펄스용 클럭신호(SCCLK3)가 인가되고, 세번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)의 소오스 전극에는 제 3 캐리 펄스용 클럭신호(CRCLK3)가 인가된다.The third scan pulse clock signal SCCLK3 is applied to the source electrode of the pull-up transistor T6 of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the third GIP, and the pull-up transistor (CRCLK) of the carry pulse output buffer unit CRCLK of the third GIP is applied. T6cr), the clock signal CRCLK3 for the third carry pulse is applied to the source electrode.

네번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6)의 소오스 전극에는 제 4 스캔 펄스용 클럭신호(SCCLK4)가 인가되고, 네번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)의 소오스 전극에는 제 4 캐리 펄스용 클럭신호(CRCLK4)가 인가된다.The fourth scan pulse clock signal SCCLK4 is applied to the source electrode of the pull-up transistor T6 of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the fourth GIP, and the pull-up transistor ( T6cr), the clock signal CRCLK4 for the fourth carry pulse is applied to the source electrode.

다섯번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6)의 소오스 전극에는 제 5 스캔 펄스용 클럭신호(SCCLK5)가 인가되고, 다섯번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)의 소오스 전극에는 제 5 캐리 펄스용 클럭신호(CRCLK5)가 인가된다. The clock signal SCCLK5 for the fifth scan pulse is applied to the source electrode of the pull-up transistor T6 of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the fifth GIP, and the pull-up of the carry pulse output buffer unit CRCLK of the fifth GIP is applied. The clock signal CRCLK5 for the fifth carry pulse is applied to the source electrode of the transistor T6cr.

여섯번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6)의 소오스 전극에는 제 6 스캔 펄스용 클럭신호(SCCLK6)가 인가되고, 여섯번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)의 소오스 전극에는 제 6 캐리 펄스용 클럭신호(CRCLK6)가 인가된다.The clock signal SCCLK6 for the sixth scan pulse is applied to the source electrode of the pull-up transistor T6 of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the sixth GIP, and the pull-up of the carry pulse output buffer unit CRCLK of the sixth GIP is applied. The clock signal CRCLK6 for the sixth carry pulse is applied to the source electrode of the transistor T6cr.

그 밖에, 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb) 제어부(21, 26)와, 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23, 25)와, 인버터부(24)와, 리세트부(22)의 각 소자들에도 정전압들(GVDD, GVSS) 및 각종 제어신호(VRT, RST, LSP) 등을 공급하기 위한 신호 라인이 연결된다.In addition, the blank section first and second node (Q, Qb) control section (21, 26), the driving section first to third node control section (23, 25), the inverter section 24, the reset Signal lines for supplying constant voltages GVDD and GVSS and various control signals VRT, RST, and LSP are also connected to each element of the unit 22 .

즉, 표시 패널의 가로 방향으로, 게이트 라인(도면에는 도시되지 않음) 뿐만 아니라, GIP의 제 1 노드(Q), 제 2 노드(Qb) 및 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 출력단(Scout(k))이 연속적으로 배열된다.That is, in the horizontal direction of the display panel, not only the gate line (not shown), but also the first node Q and the second node Qb of the GIP and the output terminal Scout of the scan pulse output buffer unit SCCLK (k)) is arranged consecutively.

또한, 표시 패널의 세로 방향으로, 상기 스캔 펄스용 클럭신호 라인들(SCCLK1~SCCLK6), 상기 캐리 펄스용 클럭신호 라인들(CRCLK1~CRCLK6), 정전압 신호 라인들(GVDD, GVSS0~GVSS2) 및 각종 제어 신호(VRT, RST, LSP) 공급 라인들 등이 배열된다.In addition, in the vertical direction of the display panel, the scan pulse clock signal lines SCCLK1 to SCCLK6, the carry pulse clock signal lines CRCLK1 to CRCLK6, constant voltage signal lines GVDD, GVSS0 to GVSS2, and various Control signal (VRT, RST, LSP) supply lines and the like are arranged.

상기 도 7에서는 각 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 부트스트랩핑 커패시터(도 3의 C3)를 도시하지 않았다. 그러나, 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 부트스트랩핑 커패시터(C3)는 제 1 노드(Q)와 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 출력단(SP(k) 사이에 배치된다.7, the bootstrapping capacitor (C3 of FIG. 3) of the scan pulse output buffer unit SCCLK of each GIP is not shown. However, as shown in FIG. 3 , the bootstrapping capacitor C3 of the scan pulse output buffer unit SCCLK is connected to the first node Q and the output terminal SP(k) of the scan pulse output buffer unit SCCLK. ) are placed between

따라서, 도 7에서, 상기 각 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 부트스트랩핑 커패시터(도 3의 C3)는 해당 GIP의 제 1 노드(Q)와 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 출력단(SCout) 사이에 배치될 수 있다.Accordingly, in FIG. 7 , the bootstrapping capacitor (C3 in FIG. 3 ) of the scan pulse output buffer unit SCCLK of each GIP is connected to the first node Q of the corresponding GIP and the scan pulse output buffer unit SCCLK of the corresponding GIP. It may be disposed between the output terminals SCout.

그러나, 상기 도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 GIP의 각 소자들을 표시 영역에 배치할 경우, 블록별로 딤(Dim) 현상이 인지되는 블록 딤(Block Dim) 현상이나 사선 방향으로 딤 현상이 인지되는 사선 딤 현상이 발생되었다.However, as shown in FIGS. 6 and 7 , when each element of the GIP is disposed in the display area, a block dim phenomenon in which a dim phenomenon is recognized for each block or a dim phenomenon in an oblique direction This perceived oblique dim phenomenon occurred.

그 원인을 분석해 본 결과, 상대적으로 높은 고주파 및 전압을 갖는 클럭 신호(SCCLK1~SCCLK6, CRCLK1~CRCLK6)들이 인가되는 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK) 및 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)를 구성하는 소자들이 일정 영역에 집중 배치되어 야기됨을 인식할 수 있었다.As a result of analyzing the cause, the elements constituting the scan pulse output buffer unit SCCLK and the carry pulse output buffer unit CRCLK to which the clock signals SCCLK1 to SCCLK6 and CRCLK1 to CRCLK6 having relatively high high frequency and voltage are applied It could be recognized that they were caused by being concentrated in a certain area.

따라서, 스캔 펄스 출력 버퍼부 및 캐리 펄스 출력 버퍼부를 구성하는 소자들을 패널 전면에 불규칙하게 배치하여 블록 딤 및 사선 딤이 인지되지 않도록 할 수 있다.Accordingly, the elements constituting the scan pulse output buffer unit and the carry pulse output buffer unit may be irregularly disposed on the front surface of the panel to prevent block dims and diagonal dims from being recognized.

도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 GIP 소자들의 배치 상태를 회로적으로 도시한 설명도이다.8 is an explanatory diagram schematically illustrating an arrangement state of GIP elements according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 GIP 소자들의 배치 상태는, 도 8에 도시한 바와 같이, 기본적으로, 상기 인버터부(24)의 소자들, 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb) 제어부(21, 26)의 소자들, 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23, 25)d의 소자들 및 상기 리세트부(22)의 소자들 순서로 배치한다.As shown in FIG. 8 , the arrangement state of the GIP elements according to the second embodiment of the present invention is basically the elements of the inverter unit 24 and the first and second nodes Q and Qb in the blank section. ) elements of the control unit 21 and 26 , the elements of the first to third node controllers 23 and 25 d of the driving section, and the elements of the reset unit 22 are arranged in this order.

그리고, 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 소자들과 상기 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 소자들을 상기 인버터부(24)의 소자들, 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb) 제어부(21, 26)의 소자들, 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23, 25)의 소자들 및 상기 리세트부(22)의 소자들 사이에 불규칙하게 배치한다.Then, the elements of the scan pulse output buffer unit SCCLK and the elements of the carry pulse output buffer unit CRCLK are combined with the elements of the inverter unit 24 and the first and second nodes Q and Qb of the blank section. ) elements of the controllers 21 and 26 , elements of the first to third node controllers 23 and 25 of the driving period, and elements of the reset unit 22 are arranged irregularly.

즉, 상기 도 7에서 설명한 바와 같이, 첫번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6)의 소오스 전극에 제 1 스캔 펄스용 클럭신호(SCCLK1)가 인가되고, 두번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6)의 소오스 전극에 제 2 스캔 펄스용 클럭신호(SCCLK2)가 인가되고, 세번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6)의 소오스 전극에 제 3 스캔 펄스용 클럭신호(SCCLK3)가 인가되고, 네번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6)의 소오스 전극에는 제 4 스캔 펄스용 클럭신호(SCCLK4)가 인가되고, 다섯번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6)의 소오스 전극에는 제 5 스캔 펄스용 클럭신호(SCCLK5)가 인가되고, 여섯번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6)의 소오스 전극에는 제 6 스캔 펄스용 클럭신호(SCCLK6)가 인가된다고 가정한다.That is, as described in FIG. 7 , the clock signal SCCLK1 for the first scan pulse is applied to the source electrode of the pull-up transistor T6 of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the first GIP, and the scan pulse of the second GIP The clock signal SCCLK2 for the second scan pulse is applied to the source electrode of the pull-up transistor T6 of the output buffer unit SCCLK, and the source electrode of the pull-up transistor T6 of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the third GIP is applied. A clock signal SCCLK3 for a third scan pulse is applied to the , and a clock signal SCCLK4 for a fourth scan pulse is applied to the source electrode of the pull-up transistor T6 of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the fourth GIP, The clock signal SCCLK5 for the fifth scan pulse is applied to the source electrode of the pull-up transistor T6 of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the fifth GIP, and the pull-up of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the sixth GIP is applied. It is assumed that the clock signal SCCLK6 for the sixth scan pulse is applied to the source electrode of the transistor T6.

또한, 첫번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)의 소오스 전극에 제 1 캐리 펄스용 클럭신호(CRCLK1)가 인가되고, 두번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)의 소오스 전극에 제 2 캐리 펄스용 클럭신호(CRCLK2)가 인가되고, 세번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)의 소오스 전극에는 제 3 캐리 펄스용 클럭신호(CRCLK3)가 인가되며, 네번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)의 소오스 전극에 제 4 캐리 펄스용 클럭신호(CRCLK4)가 인가되고, 다섯번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)의 소오스 전극에 제 5 캐리 펄스용 클럭신호(CRCLK5)가 인가되고, 여섯번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)의 소오스 전극에 제 6 캐리 펄스용 클럭신호(CRCLK6)가 인가된다고 가정한다.In addition, the clock signal CRCLK1 for the first carry pulse is applied to the source electrode of the pull-up transistor T6cr of the carry pulse output buffer unit CRCLK of the first GIP, and the pull-up of the carry pulse output buffer unit CRCLK of the second GIP is applied. The clock signal CRCLK2 for the second carry pulse is applied to the source electrode of the transistor T6cr, and the clock signal for the third carry pulse is applied to the source electrode of the pull-up transistor T6cr of the carry pulse output buffer CRCLK of the third GIP. (CRCLK3) is applied, the fourth carry pulse clock signal CRCLK4 is applied to the source electrode of the pull-up transistor T6cr of the carry pulse output buffer unit CRCLK of the fourth GIP, and the carry pulse output buffer of the fifth GIP The clock signal CRCLK5 for the fifth carry pulse is applied to the source electrode of the pull-up transistor T6cr of the negative CRCLK, and to the source electrode of the pull-up transistor T6cr of the carry pulse output buffer CRCLK of the sixth GIP. It is assumed that the clock signal CRCLK6 for the sixth carry pulse is applied.

이와 같은 가정 하에서, 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 소자들과 상기 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 소자들을 상기 인버터부(24)의 소자들, 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb) 제어부(21, 26)의 소자들, 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23, 25)의 소자들 및 상기 리세트부(22)의 소자들 사이에 배치할 때, 배치 순서를 불 규칙하게 배치한다.Under this assumption, the elements of the scan pulse output buffer unit SCCLK and the elements of the carry pulse output buffer unit CRCLK are connected to the elements of the inverter unit 24, the first and second nodes of the blank section ( Q, Qb) When disposing between the elements of the controllers 21 and 26 , the elements of the first to third node controllers 23 and 25 of the driving period and the elements of the reset unit 22 , Arrange the order irregularly.

이를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.This will be described in detail as follows.

도 8에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 스캔 펄스용 클럭신호(SCCLK1)가 인가되는 첫번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6)는 첫번째 GIP의 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb) 제어부(21)의 2개의 트랜지스터(Ta, Tb) 사이에 배치된다.As shown in FIG. 8 , the pull-up transistor T6 of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the first GIP to which the clock signal SCCLK1 for the first scan pulse is applied is formed in the first and second blank sections of the first GIP. The two nodes Q and Qb are disposed between the two transistors Ta and Tb of the control unit 21 .

상기 제 2 스캔 펄스용 클럭신호(SCCLK2)가 인가되는 두번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6)는 두번째 GIP의 상기 인버터부(24)의 트랜지스터(T4)와 커패시터(C2) 사이에 배치된다.The pull-up transistor T6 of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the second GIP to which the clock signal SCCLK2 for the second scan pulse is applied is the transistor T4 and the capacitor C2 of the inverter unit 24 of the second GIP. ) are placed between

상기 제 3 스캔 펄스용 클럭신호(SCCLK3)가 인가되는 세번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6)는 세번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀다운 트랜지스터(T7)와 상기 인버터부(24)의 트랜지스터(T5q) 사이에 배치된다.The pull-up transistor T6 of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the third GIP to which the third scan pulse clock signal SCCLK3 is applied is the pull-down transistor T7 of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the third GIP and It is disposed between the transistors T5q of the inverter unit 24 .

상기 제 4 스캔 펄스용 클럭신호(SCCLK4)가 인가되는 네번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6)는 네번째 GIP의 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb) 제어부(21)의 트랜지스터(T3qa)와 커패시터(C1) 사이에 배치된다.The pull-up transistor T6 of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the fourth GIP to which the fourth scan pulse clock signal SCCLK4 is applied is the first and second nodes Q and Qb of the blank section of the fourth GIP. (21) is disposed between the transistor T3qa and the capacitor C1.

상기 제 5 스캔 펄스용 클럭신호(SCCLK5)가 인가되는 다섯번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6)는 다섯번째 GIP의 상기 인버터부(24)의 트랜지스터(T4q)와 상기 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb) 제어부(26)의 트랜지스터(T5a) 사이에 배치된다.The pull-up transistor T6 of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the fifth GIP to which the fifth scan pulse clock signal SCCLK5 is applied is connected to the transistor T4q of the inverter unit 24 of the fifth GIP and the The blank section is disposed between the first and second nodes Q and Qb and the transistor T5a of the controller 26 .

상기 제 6 스캔 펄스용 클럭신호(SCCLK6)가 인가되는 여섯번째 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6)는 여섯번째 GIP의 상기 인버터부(24)의 2개의 트랜지스터(T5q, T4l) 사이에 배치된다.The pull-up transistor T6 of the scan pulse output buffer unit SCCLK of the sixth GIP to which the clock signal for the sixth scan pulse SCCLK6 is applied includes two transistors T5q of the inverter unit 24 of the sixth GIP; T4l).

또한, 상기 제 1 캐리 펄스용 클럭신호(CRCLK1)가 인가되는 첫번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)는 첫번째 GIP의 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23, 25)의 2개의 트랜지스터(T1a, T3q)들 사이에 배치된다.In addition, the pull-up transistor T6cr of the carry pulse output buffer CRCLK of the first GIP to which the clock signal CRCLK1 for the first carry pulse is applied is connected to the first to third node controllers 23, 25) between the two transistors T1a and T3q.

상기 제 2 캐리 펄스용 클럭신호(CRCLK2)가 인가되는 두번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)는 두번째 GIP의 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23)의 트랜지스터(T3a)와 상기 리세트부(22)의 트랜지스터(T3nb) 사이에 배치된다.The pull-up transistor T6cr of the carry pulse output buffer CRCLK of the second GIP to which the second carry pulse clock signal CRCLK2 is applied is a transistor of the first to third node controller 23 of the driving period of the second GIP. It is disposed between T3a and the transistor T3nb of the reset section 22 .

상기 제 3 캐리 펄스용 클럭신호(CRCLK3)가 인가되는 세번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)는 세번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀다운 트랜지스터(T7cr)와 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23, 25)의 트랜지스터(T3n 또는 T3na) 사이에 배치된다.The pull-up transistor T6cr of the carry pulse output buffer CRCLK of the third GIP to which the third carry pulse clock signal CRCLK3 is applied is the pull-down transistor T7cr of the carry pulse output buffer CRCLK of the third GIP and It is disposed between the transistors T3n or T3na of the first to third node controllers 23 and 25 in the driving period.

상기 제 4 캐리 펄스용 클럭신호(CRCLK4)가 인가되는 네번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)는 네번째 GIP의 상기 리세트부(22)의 2개의 트랜지스터(T3nb, T3nc) 사이에 배치된다.The pull-up transistor T6cr of the carry pulse output buffer CRCLK of the fourth GIP to which the clock signal CRCLK4 for the fourth carry pulse is applied has two transistors T3nb and T3nc of the reset unit 22 of the fourth GIP. ) are placed between

상기 제 5 캐리 펄스용 클럭신호(CRCLK5)가 인가되는 다섯번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)는 다섯번째 GIP의 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23, 25)의 2개의 트랜지스터(T3q, T3) 사이에 배치된다.The pull-up transistor T6cr of the carry pulse output buffer CRCLK of the fifth GIP to which the clock signal CRCLK5 for the fifth carry pulse is applied is the first to third node controller 23 of the driving period of the fifth GIP; 25) between the two transistors T3q and T3.

상기 제 6 캐리 펄스용 클럭신호(CRCLK6)가 인가되는 여섯번째 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)는 여섯번째 GIP의 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb) 제어부(21)의 트랜지스터(Ta)와 상기 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀다운 트랜지스터(T7cr) 사이에 배치된다.The pull-up transistor T6cr of the carry pulse output buffer CRCLK of the sixth GIP to which the sixth carry pulse clock signal CRCLK6 is applied is connected to the first and second nodes Q and Qb of the blank period of the sixth GIP. ) is disposed between the transistor Ta of the control unit 21 and the pull-down transistor T7cr of the carry pulse output buffer unit CRCLK.

상기 도 8의 GIP 소자들의 배치 상태는 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 소자들과 상기 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 소자들이 불 규칙하게 배치됨을 설명하기 위한 하나의 실시예를 도시한 것으로, 이에 한정되지 않는다.The arrangement state of the GIP elements of FIG. 8 shows an embodiment for explaining that the elements of the scan pulse output buffer unit SCCLK and the elements of the carry pulse output buffer unit CRCLK are irregularly arranged. As such, it is not limited thereto.

즉, 상기 인버터부(24)의 소자들, 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb) 제어부(21, 26)의 소자들, 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23, 25)d의 소자들 및 상기 리세트부(22)의 소자들의 배치 순서가 다를 수 있고, 각 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 풀업 트랜지스터(T6c) 및 각 GIP의 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 풀업 트랜지스터(T6cr)의 배치 순서도 다양하게 변경할 수 있다.That is, the elements of the inverter unit 24, the elements of the first and second node (Q, Qb) controllers 21 and 26 in the blank section, and the first to third node controllers 23 and 25 in the driving section ) d elements and the arrangement order of the elements of the reset unit 22 may be different, and the pull-up transistor T6c of the scan pulse output buffer unit SCCLK of each GIP and the carry pulse output buffer unit of each GIP ( The arrangement order of the pull-up transistor T6cr of CRCLK) can also be variously changed.

마찬가지로, 도 8에 도시한 바와 같이, 표시 패널의 가로 방향으로, 게이트 라인(도면에는 도시되지 않음)뿐만 아니라, GIP의 제 1 노드(Q), 제 2 노드(Qb) 및 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 출력단(Scout(k))이 연속적으로 배열된다.Similarly, as shown in FIG. 8 , in the horizontal direction of the display panel, the first node Q, the second node Qb, and the scan pulse output buffer of the GIP as well as the gate line (not shown) The output terminal Scout(k) of the sub SCCLK is arranged continuously.

또한, 표시 패널의 세로 방향으로, 상기 스캔 펄스용 클럭신호 라인들(SCCLK1~SCCLK6), 상기 캐리 펄스용 클럭신호 라인들(CRCLK1~CRCLK6), 정전압 신호 라인들(GVDD, GVSS0~GVSS2) 및 각종 제어 신호(VRT, RST, LSP) 공급 라인들 등이 배열된다.In addition, in the vertical direction of the display panel, the scan pulse clock signal lines SCCLK1 to SCCLK6, the carry pulse clock signal lines CRCLK1 to CRCLK6, constant voltage signal lines GVDD, GVSS0 to GVSS2, and various Control signal (VRT, RST, LSP) supply lines and the like are arranged.

상기 도 8에서는 각 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 부트스트랩핑 커패시터(도 3의 C3)를 도시하지 않았다. 그러나, 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 부트스트랩핑 커패시터(C3)는 제 1 노드(Q)와 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 출력단(SP(k) 사이에 배치된다.8, the bootstrapping capacitor (C3 of FIG. 3) of the scan pulse output buffer unit SCCLK of each GIP is not shown. However, as shown in FIG. 3 , the bootstrapping capacitor C3 of the scan pulse output buffer unit SCCLK is connected to the first node Q and the output terminal SP(k) of the scan pulse output buffer unit SCCLK. ) are placed between

따라서, 도 8에서, 상기 각 GIP의 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 부트스트랩핑 커패시터(도 3의 C3)는, 위치에 제한은 받지 않고, 해당 GIP의 제 1 노드(Q)와 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 출력단(SCout) 사이에 배치될 수 있다.Accordingly, in FIG. 8 , the bootstrapping capacitor (C3 in FIG. 3 ) of the scan pulse output buffer unit SCCLK of each GIP is not limited in its position, and the first node Q of the corresponding GIP and the scan It may be disposed between the output terminal SCout of the pulse output buffer unit SCCLK.

또한, 상술한 바와 같이, 상기 GIP의 각 소자들을 표시 영역에 배치함에 있어, 상기 GIP의 각 소자들 중 상기 출력 버퍼부(27)의 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)를 구성하는 풀업 트랜지스터(T6)는 다른 트랜지스터들보다 상대적으로 큰 폭이 요구된다.In addition, as described above, in disposing each element of the GIP in the display area, a pull-up transistor constituting the scan pulse output buffer unit SCCLK of the output buffer unit 27 among the elements of the GIP ( T6) requires a relatively larger width than other transistors.

즉, 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부를 구성하는 상기 풀업 트랜지스터(T6)는 스캔 펄스 출력용 클럭 신호(SCCLK)를 스캔 펄스로 출력할 때 지연(Delay)을 최소화하여 출력하여야 한다. 따라서, 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부를 구성하는 트랜지스터(T6)의 폭은 다른 트랜지스터들의 폭보다 상대적으로 크다.That is, when the pull-up transistor T6 constituting the scan pulse output buffer unit outputs the scan pulse output clock signal SCCLK as a scan pulse, the delay should be minimized. Accordingly, the width of the transistor T6 constituting the scan pulse output buffer is relatively larger than that of the other transistors.

또한, 마찬가지 이유로, 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23)의 트랜지스터(T1)도 다른 트랜지스터들보다 상대적으로 큰 폭이 요구된다.Also, for the same reason, the transistor T1 of the first to third node controller 23 in the driving period needs a width relatively larger than that of other transistors.

이와 같이, 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부를 구성하는 트랜지스터(T6)의 폭 및 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23)의 트랜지스터(T1)의 폭은 다른 트랜지스터들의 폭보다 상대적으로 크게 설계되어야 하지만, 단위 화소 영역이 제한되어 있으므로, 한 개의 단위 화소 영역에 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부를 구성하는 트랜지스터(T6)를 배치할 수 없다. 따라서, 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부를 구성하는 풀업 트랜지스터(T6) 및 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23)의 트랜지스터(T1) 등 상대적으로 큰 폭이 요구되는 소자를 분할하여 가로 방향으로 병렬(spreading) 배치하여, 제한된 단위 화소 영역에 큰 사이즈의 박막트랜지스터를 배치할 수 있다.As such, the width of the transistor T6 constituting the scan pulse output buffer unit and the width of the transistor T1 of the first to third node controller 23 in the driving period should be designed to be relatively larger than the widths of other transistors. , since the unit pixel area is limited, the transistor T6 constituting the scan pulse output buffer unit cannot be disposed in one unit pixel area. Accordingly, elements requiring a relatively large width, such as the pull-up transistor T6 constituting the scan pulse output buffer unit and the transistor T1 of the first to third node control units 23 of the driving period, are divided and parallel to each other in the horizontal direction. (spreading) arrangement, a large size thin film transistor can be arranged in a limited unit pixel area.

지금까지는 표시 영역 내의 하나의 게이트 라인(스캔 라인)에 적어도 하나의 GIP를 배치함을 설명하였다. 그러나, 이에 한정되지 않는다.So far, it has been described that at least one GIP is disposed on one gate line (scan line) in the display area. However, the present invention is not limited thereto.

도 1에서 설명한 바와 같이, 상기 데이터 구동회로는 복수개의 소스 드라이브 IC(SIC)를 포함한다. 도 1에서는 6개의 소스 드라이브 IC로 구성됨을 도시하였다.As described with reference to FIG. 1 , the data driving circuit includes a plurality of source drive ICs (SICs). 1 shows that it is composed of six source drive ICs.

따라서, 다른 실시예로, 각 소스 드라이브 IC(SIC)별로 각 게이트 라인(스캔 라인)을 따라 GIP를 배치할 수 있다.Accordingly, as another embodiment, the GIP may be disposed along each gate line (scan line) for each source drive IC (SIC).

도 9는 본 발명의 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역 구성도이다.9 is a configuration diagram of a display area of a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시 장치는 표시패널(PNL)과, 상기 표시 패널(PNL)에 영상 데이터를 제공하기 위한 구동 회로를 구비한다.Referring to FIG. 9 , an OLED display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel PNL and a driving circuit for providing image data to the display panel PNL.

상기 표시 패널(PNL)의 표시 영역(AA)은 교차 배열되는 복수개의 데이터 라인들(DL1~DLm) 및 복수개의 게이트 라인들(GL1~GLn)과, 상기 복수개의 데이터 라인들(DL1~DLm)과 상기 복수개의 게이트 라인들(GL1~GLn)에 의해 매트릭스 형태로 배치되는 복수개의 서브 화소들을 구비한다. 상기 표시 패널(PNL)의 표시 영역(AA)에는 터치 센서들(touch sensor)이 더 배치될 수 있다.The display area AA of the display panel PNL includes a plurality of data lines DL1 to DLm and a plurality of gate lines GL1 to GLn that are cross-arranged, and the plurality of data lines DL1 to DLm. and a plurality of sub-pixels arranged in a matrix form by the plurality of gate lines GL1 to GLn. Touch sensors may be further disposed in the display area AA of the display panel PNL.

상기 복수개의 서브 화소들은, 컬러 구현을 위하여, 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B) 서브 화소들을 포함하고, 상기 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B) 서브 화소들 이외에 백색(W) 서브 화소를 더 포함할 수 있다.The plurality of sub-pixels include red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels for color implementation, and the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels In addition to the pixels, a white (W) sub-pixel may be further included.

상기 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B) 서브 화소들이 하나의 단위 화소를 구성하거나, 상기 적색(R), 녹색(G), 청색(B), 및 백색(W) 서브 화소들이 하나의 단위 화소를 구성한다.The red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels constitute one unit pixel, or the red (R), green (G), blue (B), and white (W) sub-pixels constitute one unit pixel.

그리고, 상기 단위 화소 영역들에 게이트 구동 회로의 GIP를 구성하는 소자들(TFT, Capacitor 등)이 분산 배치된다.In addition, devices (TFT, capacitor, etc.) constituting the GIP of the gate driving circuit are dispersedly disposed in the unit pixel areas.

보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.More specifically, as follows.

상기 구동 회로는 상기 표시 패널(PNL)의 데이터 라인들(DL1~DLm)에 영상 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동회로와, 상기 영상 데이터 전압에 동기되는 스캔 펄스를 표시패널(PNL)의 게이트 라인들(GL1~GLn)에 공급하는 게이트 구동회로, 및 상기 데이터 구동 회로와 상기 게이트 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 콘트롤러(Timing controller, 도 1의 T-CON 참조) 등을 포함한다.The driving circuit includes a data driving circuit for supplying an image data voltage to the data lines DL1 to DLm of the display panel PNL, and a scan pulse synchronized with the image data voltage to the gate lines of the display panel PNL. and a gate driving circuit supplied to GL1 to GLn, and a timing controller (see T-CON of FIG. 1 ) for controlling operation timings of the data driving circuit and the gate driving circuit.

상기 데이터 구동회로는 복수개의 소스 드라이브 IC(SIC1 ~ SIC6)를 포함한다. 도 9에서는 상기 데이터 구동회로가 6개의 소스 드라이브 IC(SIC1 ~ SIC6)를 포함함을 도시하였다.The data driving circuit includes a plurality of source drive ICs SIC1 to SIC6. 9 illustrates that the data driving circuit includes six source drive ICs SIC1 to SIC6.

따라서, 6개의 상기 소스 드라이브 IC(SIC1 ~ SIC6)는 6개의 COF(Chip on Film)에 각각 실장되고, 상기 각 COF들은 ACF를 통해 상기 표시 패널(PNL)의 하부 기판(SUBS1)의 패드 영역과 소스 PCB(SPCB)에 접착된다. 상기 각 COF들의 입력 핀들은 상기 소스 PCB(SPCB)의 출력단자들(패드)에 전기적으로 연결되고, 상기 각 소스 COF들(COF)의 출력 핀들은 ACF를 통해 상기 표시 패널(PNL)의 기판에 형성된 데이터 패드들에 전기적으로 연결된다.Accordingly, the six source drive ICs SIC1 to SIC6 are respectively mounted on six COFs (Chip on Film), and each COF is connected to the pad area of the lower substrate SUBS1 of the display panel PNL through the ACF. It is bonded to the source PCB (SPCB). Input pins of each of the COFs are electrically connected to output terminals (pads) of the source PCB (SPCB), and output pins of each of the source COFs (COF) are connected to the substrate of the display panel PNL through the ACF. It is electrically connected to the formed data pads.

상기 게이트 구동회로는 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(VST), 클럭 신호(CRCLK, SCCLK), 게이트 하이 전압(VGH), 게이트 로우 전압(VGL) 등을 수신하여 각 게이트 라인(GL1~GLn)에 순차적으로 스캔 펄스를 출력하는 복수개의 GIP를 포함한다.The gate driving circuit receives a start pulse (VST), clock signals (CRCLK, SCCLK), a gate high voltage (VGH), a gate low voltage (VGL), etc. from the timing controller, and is applied to each of the gate lines GL1 to GLn. It includes a plurality of GIPs sequentially outputting scan pulses.

상기 복수개의 GIP들은 상기 타이밍 콘트롤러의 제어 하에 상기 데이터 전압에 동기되는 스캔 펄스를 각 게이트 라인들(GL1~GLn)에 순차적으로 공급하여 영상 데이터 전압이 인가되는 1 라인의 화소들을 선택한다.The plurality of GIPs sequentially supply scan pulses synchronized with the data voltage to each of the gate lines GL1 to GLn under the control of the timing controller to select pixels of one line to which the image data voltage is applied.

여기서, 상기 복수개의 GIP들은 상기 각 소스 드라이브 IC(SIC1 ~ SIC6) 별로 구분되어, 각 소스 드라이브 IC(SIC1 ~ SIC6) 별로 각 게이트 라인의 복수개의 단위 화소 영역에 적어도 하나의 GIP를 구성하는 소자들(TFT, Capacitor 등)이 분산 배치된다.Here, the plurality of GIPs are divided for each source drive IC (SIC1 to SIC6), and devices constituting at least one GIP in a plurality of unit pixel areas of each gate line for each source drive IC (SIC1 to SIC6). (TFT, Capacitor, etc.) are distributed.

즉, 각 소스 드라이브 IC(SIC1, SIC2, SIC3, SIC4, SIC5, SIC6))에 의해 구동되는 표시 영역 별로 복수개의 GIP를 구비한 하나의 GIP 블록이 배치된다. 이 때, 각 블록의 복수개의 게이트 라인(스캔 라인) 각각의 복수개의 단위 화소 영역에 GIP를 구성하는 소자들(TFT, Capacitor 등)이 분산 배치된다.That is, one GIP block having a plurality of GIPs is disposed for each display area driven by each source drive IC (SIC1, SIC2, SIC3, SIC4, SIC5, SIC6). At this time, the elements (TFT, capacitor, etc.) constituting the GIP are dispersedly disposed in the plurality of unit pixel areas of each of the plurality of gate lines (scan lines) of each block.

예를들면, 표시 패널이 UHD (3840 * 2160) 모델이라면, 각 소스 드라이브 IC(SIC1, SIC2, SIC3, SIC4, SIC5, SIC6))에 의해 구동되는 표시 영역 별로 2160개의 GIP가 배치된다.For example, if the display panel is a UHD (3840 * 2160) model, 2160 GIPs are arranged for each display area driven by each source drive IC (SIC1, SIC2, SIC3, SIC4, SIC5, SIC6).

또한, 상기에서 언급한 바와 같이, 상기 각 소스 드라이브 IC(SIC1 ~ SIC6)에 의해 구동되는 표시 영역 별로 구분되어 GIP들이 배치되고, 각 게이트 라인(스캔 라인)에 배치되는 복수개의 단위 화소 영역들에 2개 이상의 GIP가 배치될 수 있다.In addition, as mentioned above, GIPs are arranged for each display region driven by each of the source drive ICs (SIC1 to SIC6), and in a plurality of unit pixel regions arranged on each gate line (scan line). Two or more GIPs may be deployed.

따라서, 상기 각 소스 드라이브 IC(SIC1 ~ SIC6)에 의해 구동되는 표시 영역 별로 구분하여 GIP들이 배치되고, 복수개의 단위 화소 영역에 GIP를 구성하는 소자들(TFT, Capacitor 등)이 분산 배치되는 구성은 도 4 및 도 5에서 설명한 바와 같이, 적어도 3개의 서브 화소부(R, G, B, W), GIP부(31), 및 GIP 내부 연결 배선부(32) 등으로 구분된다.Accordingly, the configuration in which GIPs are divided for each display area driven by each of the source drive ICs (SIC1 to SIC6), and the elements (TFT, capacitor, etc.) constituting the GIP are dispersedly arranged in a plurality of unit pixel areas. As described with reference to FIGS. 4 and 5 , at least three sub-pixel units R, G, B, and W, a GIP unit 31 , and a GIP internal connection wiring unit 32 are divided.

또한, 상기 각 소스 드라이브 IC(SIC1 ~ SIC6)에 의해 구동되는 표시 영역 별로 구분되어 GIP들이 배치되고, 상기 도 6 및 도 7에서 설명한 바와 같이, 상기 출력 버퍼부(27) 중 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부(T6, T7, C3)을 먼저 배치하고, 그 다음으로 인버터부(24), 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb) 제어부(21, 26), 상기 출력 버퍼부(27) 중 상기 캐리 펄스 출력 버퍼부(T6cr, T7cr), 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23, 25) 및 리세트부(22) 순서로 배치하면 상기 GIP 내부 연결 배선부(32)의 배선을 간소화 할 수 있다.In addition, GIPs are arranged for each display area driven by each of the source drive ICs SIC1 to SIC6 , and as described with reference to FIGS. 6 and 7 , the scan pulse output buffer of the output buffer unit 27 . The parts T6, T7, and C3 are arranged first, and then the inverter part 24, the first and second nodes Q and Qb of the blank section, the controllers 21 and 26, and the output buffer part 27 Among the carry pulse output buffer units T6cr and T7cr, the first to third node control units 23 and 25 of the driving section, and the reset unit 22 are arranged in the order of the wiring of the GIP internal connection wiring unit 32 . can be simplified.

또한, 상기 각 소스 드라이브 IC(SIC1 ~ SIC6)에 의해 구동되는 표시 영역 별로 구분되어 GIP들이 배치되고, 상기 도 8에서 설명한 바와 같이, 기본적으로, 상기 인버터부(24)의 소자들, 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb) 제어부(21, 26)의 소자들, 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23, 25)d의 소자들 및 상기 리세트부(22)의 소자들 순서로 배치한다.In addition, GIPs are arranged for each display area driven by each of the source drive ICs (SIC1 to SIC6), and as described with reference to FIG. 8 , basically, the elements of the inverter unit 24 and the blank section Elements of the first and second node (Q, Qb) controllers 21 and 26 , elements of the first to third node controllers 23 and 25 d of the driving period, and elements of the reset unit 22 . placed in the order of

그리고, 상기 스캔 펄스 출력 버퍼부(SCCLK)의 소자들과 상기 캐리 펄스 출력 버퍼부(CRCLK)의 소자들을 상기 인버터부(24)의 소자들, 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb) 제어부(21, 26)의 소자들, 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부(23, 25)의 소자들 및 상기 리세트부(22)의 소자들 사이에 불규칙하게 배치한다.Then, the elements of the scan pulse output buffer unit SCCLK and the elements of the carry pulse output buffer unit CRCLK are combined with the elements of the inverter unit 24 and the first and second nodes Q and Qb of the blank section. ) elements of the controllers 21 and 26 , elements of the first to third node controllers 23 and 25 of the driving period, and elements of the reset unit 22 are arranged irregularly.

또한, 상기 각 소스 드라이브 IC(SIC1 ~ SIC6)에 의해 구동되는 표시 영역 별로 구분되어 GIP들이 배치되고, 각 소스 드라이브 IC(SIC1 ~ SIC6) 별로 동일 게이트 라인(스캔 라인)에 배치되는 GIP는 동일 캐리 펄스 출력용 캐리 펄스(CRCLK) 및 동일 스캔 펄스 출력용 스캔 펄스(SCCLK)에 의해 구동되어 동시에 캐리 펄스 및 스캔 펄스를 출력한다.In addition, GIPs are arranged for each display area driven by each of the source drive ICs SIC1 to SIC6, and the GIPs arranged on the same gate line (scan line) for each source drive IC (SIC1 to SIC6) have the same carry It is driven by the carry pulse CRCLK for pulse output and the scan pulse SCCLK for outputting the same scan pulse to simultaneously output the carry pulse and the scan pulse.

또한, 상기 각 소스 드라이브 IC(SIC1 ~ SIC6)에 의해 구동되는 표시 영역 별로 구분되어 GIP들이 배치되지만, 각 게이트 라인(스캔 라인은) 상기 각 소스 드라이브 IC(SIC1 ~ SIC6)에 의해 구동되는 표시 영역별로 전기적으로 독립될 수 있고, 상기 각 소스 드라이브 IC(SIC1 ~ SIC6)에 의해 구동되는 표시 영역에 일체로 형성될 수 있다.In addition, although GIPs are arranged separately for each display area driven by each of the source drive ICs SIC1 to SIC6, each gate line (scan line) is a display area driven by each of the source drive ICs SIC1 to SIC6. Each may be electrically independent, and may be integrally formed in the display area driven by each of the source drive ICs SIC1 to SIC6.

그리고, 상기 각 소스 드라이브 IC(SIC1 ~ SIC6)는 화소를 구동하기 위한 데이터 전압 및 각종 전원들을 공급할 뿐만 아니라, GIP 그룹 별로 6상(Phase)의 GIP일 경우, GIP를 구동하기 위한 캐리 펄스 출력용 캐리 펄스(CRCLK1~CRCLK6), 스캔 펄스 출력용 스캔 펄스(SCCLK1~SCCLK6), 전원(GVDD, GVSS0, GVSS1, GVSS2), 스타트 신호(VST), 리셋 신호(RESET, RST), 라인 선택 신호(LSP) 등을 GIP부(31) 및 GIP 내부 연결 배선부(32)에 공급한다.In addition, each of the source drive ICs (SIC1 to SIC6) supplies a data voltage and various power sources for driving the pixels, and in the case of a GIP of 6 phases for each GIP group, a carry pulse output for driving the GIP Pulse (CRCLK1 to CRCLK6), scan pulse for scan pulse output (SCCLK1 to SCCLK6), power supply (GVDD, GVSS0, GVSS1, GVSS2), start signal (VST), reset signal (RESET, RST), line selection signal (LSP), etc. is supplied to the GIP unit 31 and the GIP internal connection wiring unit 32 .

또한, 도 11에서는 하나의 소스 드라이브 IC(SIC1, SIC2, SIC3, SIC4, SIC5, 또는 SIC6)에 의해 구동되는 표시 영역에 적어도 하나의 GIP 블럭이 배치됨을 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 인접한 2개의 소스 드라이브 IC(SIC1 및 SIC2, SIC3 및 SIC4, 또는 SIC5 및 SIC6)에 의해 구동되는 표시 영역에 하나의 GIP 블럭이 배치될 수 있고, 인접한 3개의 소스 드라이브 IC(SIC1 ~ SIC3, 또는 SIC4 ~ SIC6)에 의해 구동되는 표시 영역에 하나의 GIP 블럭이 배치될 수 있다.In addition, although it has been described in FIG. 11 that at least one GIP block is disposed in a display area driven by one source drive IC (SIC1, SIC2, SIC3, SIC4, SIC5, or SIC6), the present invention is not limited thereto. One GIP block may be disposed in the display area driven by the source drive ICs (SIC1 and SIC2, SIC3 and SIC4, or SIC5 and SIC6), and three adjacent source drive ICs (SIC1 to SIC3, or SIC4 to SIC6) One GIP block may be disposed in the display area driven by .

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art from the above description will be able to see that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Accordingly, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

PNL: 표시패널 SIC1~SIC: 소스 드라이브 IC
21, 26: 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드(Q, Qb) 제어부
22: 리세트부 24: 인버터부
23, 25: 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부
27: 출력 버퍼부 31: GIP 회로부
32: GIP 내부 연결 배선부 33: 서브 화소부
PNL: Display panel SIC1~SIC: Source drive IC
21, 26: blank section first and second node (Q, Qb) control unit
22: reset unit 24: inverter unit
23, 25: driving section first to third node control unit
27: output buffer unit 31: GIP circuit unit
32: GIP internal connection wiring part 33: sub-pixel part

Claims (18)

데이터 라인들과 게이트 라인들이 교차되고, 상기 교차부에 배치된 서브 화소들을 포함한 표시 영역; 및
상기 표시 영역 내의 각 게이트 라인에 의해 구동되는 복수개의 단위 화소 영역들에 분산 배치되어 해당 게이트 라인에 스캔 펄스를 공급하는 복수개의 GIP를 구비하고,
상기 복수개의 GIP 각각은, 복수개의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호 및 복수개의 스캔 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 제 1 노드 및 제 2 노드의 전압에 따라 스캔 펄스 및 캐리 펄스를 출력하는 스캔 펄스 출력 버퍼부 및 캐리 펄스 출력 버퍼부를 구비하고,
상기 복수개의 GIP의 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들 및 복수개의 캐리 펄스 출력 버퍼부는 불규칙적으로 배치되는 OLED 표시패널.
a display area in which data lines and gate lines intersect, the display area including sub-pixels disposed at the intersections; and
and a plurality of GIPs dispersedly disposed in a plurality of unit pixel areas driven by each gate line in the display area and supplying scan pulses to the corresponding gate lines;
Each of the plurality of GIPs receives one of a plurality of clock signals for outputting carry pulses and one of a plurality of clock signals for outputting scan pulses, and receives scan pulses and carry signals according to voltages of first and second nodes. A scan pulse output buffer unit for outputting a pulse and a carry pulse output buffer unit are provided;
The plurality of scan pulse output buffers and the plurality of carry pulse output buffers of the plurality of GIPs are irregularly arranged.
제 1 항에 있어서,
상기 GIP는,
라인 선택 신호에 따라 세트 신호를 선택적으로 저장하고, 해당 스테이지를 블랭크 구간에 실시간 보상용 신호에 따라 제 1 노드를 제 1 정전압으로 충전하고 제 2 노드를 제 2 정전압으로 방전하는 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드 제어부와,
해당 스테이지를 구동 구간에 전단의 캐리 펄스에 따라 상기 제 1 노드를 상기 전단의 캐리 펄스 전압으로 충전하고 후단의 캐리 펄스에 따라 상기 제 1 노드 및 제 3 노드를 제 2 정전압으로 방전하며, 상기 제 1 노드의 전압에 따라 상기 제 3 노드를 상기 제 1 정전압으로 충전하는 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부와,
상기 제 1 노드의 전압을 반전하여 제 2 노드에 인가하는 인버터부와,
상기 블랭크 구간에 타이밍 컨트롤러에서 출력되는 리세트 신호에 따라 상기 제 1 노드를 제 2 정전압으로 방전하는 리세트부를 더 구비하고,
상기 인버터부의 소자들, 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드 제어부의 소자들, 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부의 소자들 및 상기 리세트부의 소자들 순서로 배치되고,
상기 복수개의 GIP의 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들 및 복수개의 캐리 펄스 출력 버퍼부는 상기 인버터부의 소자들, 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드 제어부의 소자들, 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부의 소자들 및 상기 리세트부의 소자들 사이에 불규칙적으로 배치되는 OLED 표시패널.
The method of claim 1,
The GIP is,
The first and the blank sections in which the set signal is selectively stored according to the line selection signal, the stage is charged to the first constant voltage according to the real-time compensation signal in the blank section, and the second node is discharged to the second constant voltage a second node control unit;
During the driving period of the corresponding stage, the first node is charged with the carry pulse voltage of the previous stage according to the carry pulse of the previous stage, and the first node and the third node are discharged with a second constant voltage according to the carry pulse of the rear stage, first to third node controllers in the driving period for charging the third node to the first constant voltage according to the voltage of the first node;
an inverter unit for inverting the voltage of the first node and applying it to the second node;
Further comprising a reset unit for discharging the first node to a second constant voltage according to a reset signal output from the timing controller in the blank section,
Elements of the inverter unit, elements of the first and second node controllers of the blank section, elements of the first to third node controllers of the driving period, and elements of the reset unit are arranged in order,
The plurality of scan pulse output buffers and the plurality of carry pulse output buffers of the plurality of GIPs are elements of the inverter, elements of the first and second node controllers in the blank period, and first to third node controllers in the driving period An OLED display panel that is irregularly disposed between the elements of the reset unit and the elements of the reset unit.
제 1 항에 있어서,
상기 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들 각각은 상기 복수개의 스캔 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드의 전압에 따라 스캔 펄스를 출력하는 풀업 트랜지스터를 구비하고,
상기 풀업 트랜지스터가 불규칙적으로 배치되는 OLED 표시패널.
The method of claim 1,
Each of the plurality of scan pulse output buffers includes a pull-up transistor configured to receive one of the plurality of scan pulse output clock signals and output a scan pulse according to voltages of the first node and the second node,
An OLED display panel in which the pull-up transistors are irregularly arranged.
제 1 항에 있어서,
상기 복수개의 캐리 펄스 출력 버퍼부들 각각은 상기 복수개의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드의 전압에 따라 캐리 펄스를 출력하는 풀업 트랜지스터를 구비하고,
상기 풀업 트랜지스터가 불규칙적으로 배치되는 OLED 표시패널.
The method of claim 1,
Each of the plurality of carry pulse output buffers includes a pull-up transistor that receives one of the plurality of carry pulse output clock signals and outputs a carry pulse according to voltages of the first node and the second node,
An OLED display panel in which the pull-up transistors are irregularly arranged.
제 1 항에 있어서,
상기 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들 각각은 상기 복수개의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드의 전압에 따라 스캔 펄스를 출력하는 풀업 트랜지스터를 구비하고, 상기 풀업 트랜지스터는 분할되어 해당 게이트 라인 방향을 따라 복수의 단위 화소 영역에 병렬로 배치되는 OLED 표시패널.
The method of claim 1,
Each of the plurality of scan pulse output buffers includes a pull-up transistor that receives one of the plurality of carry pulse output clock signals and outputs a scan pulse according to voltages of the first node and the second node, The pull-up transistor is divided and disposed in parallel in a plurality of unit pixel areas along a corresponding gate line direction.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드와, 각 스캔 펄스 출력 버퍼부의 출력단은 패널의 제 1 방향으로 연속적으로 배열되는 OLED 표시패널.
The method of claim 1,
The first node and the second node, and an output terminal of each scan pulse output buffer unit are sequentially arranged in a first direction of the panel.
복수개의 데이터 라인들과 복수개의 게이트 라인들이 교차되고, 상기 교차부에 배치된 서브 화소들을 포함한 표시 영역;
상기 복수개의 데이터 라인들을 복수개의 그룹으로 분할하여 각 그룹의 데이터 라인들을 구동하는 복수개의 소스 드라이브 IC들; 및
각 소스 드라이브 IC에 의해 구동되는 그룹으로 상기 표시 영역이 구분되고, 구분된 각 표시 영역 그룹 내의 각 게이트 라인에 의해 구동되는 단위 화소 영역들에 분산 배치되어 해당 게이트 라인에 스캔 펄스를 공급하는 복수개의 GIP를 구비하고,
상기 복수개의 GIP 각각은, 복수개의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호 및 복수개의 스캔 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 제 1 노드 및 제 2 노드의 전압에 따라 스캔 펄스 및 캐리 펄스를 출력하는 스캔 펄스 출력 버퍼부 및 캐리 펄스 출력 버퍼부를 구비하고,
상기 복수개의 GIP의 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들 및 복수개의 캐리 펄스 출력 버퍼부는 불규칙적으로 배치되는 OLED 표시 장치.
a display area in which a plurality of data lines and a plurality of gate lines intersect, the display area including sub-pixels disposed at the intersections;
a plurality of source drive ICs dividing the plurality of data lines into a plurality of groups to drive the data lines of each group; and
The display area is divided into groups driven by each source drive IC, and a plurality of display areas are dispersedly disposed in unit pixel areas driven by each gate line in each divided display area group to supply scan pulses to the corresponding gate lines. Have a GIP,
Each of the plurality of GIPs receives one of a plurality of clock signals for outputting carry pulses and one of a plurality of clock signals for outputting scan pulses, and receives scan pulses and carry signals according to voltages of first and second nodes. A scan pulse output buffer unit for outputting a pulse and a carry pulse output buffer unit are provided;
The plurality of scan pulse output buffers and the plurality of carry pulse output buffers of the plurality of GIPs are irregularly arranged.
제 7 항에 있어서,
상기 GIP는,
라인 선택 신호에 따라 세트 신호를 선택적으로 저장하고, 해당 스테이지를 블랭크 구간에 실시간 보상용 신호에 따라 제 1 노드를 제 1 정전압으로 충전하고 제 2 노드를 제 2 정전압으로 방전하는 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드 제어부와,
해당 스테이지를 구동 구간에 전단의 캐리 펄스에 따라 상기 제 1 노드를 상기 전단의 캐리 펄스 전압으로 충전하고 후단의 캐리 펄스에 따라 상기 제 1 노드 및 제 3 노드를 제 2 정전압으로 방전하며, 상기 제 1 노드의 전압에 따라 상기 제 3 노드를 상기 제 1 정전압으로 충전하는 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부와,
상기 제 1 노드의 전압을 반전하여 제 2 노드에 인가하는 인버터부와,
상기 블랭크 구간에 타이밍 컨트롤러에서 출력되는 리세트 신호에 따라 상기 제 1 노드를 제 2 정전압으로 방전하는 리세트부를 더 구비하고,
상기 인버터부의 소자들, 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드 제어부의 소자들, 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부의 소자들 및 상기 리세트부의 소자들 순서로 배치되고,
상기 복수개의 GIP의 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들 및 복수개의 캐리 펄스 출력 버퍼부는 상기 인버터부의 소자들, 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드 제어부의 소자들, 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부의 소자들 및 상기 리세트부의 소자들 사이에 불규칙적으로 배치되는 OLED 표시 장치.
8. The method of claim 7,
The GIP is,
The first and the blank sections in which the set signal is selectively stored according to the line selection signal, the stage is charged to the first constant voltage according to the real-time compensation signal in the blank section, and the second node is discharged to the second constant voltage a second node control unit;
During the driving period of the corresponding stage, the first node is charged with the carry pulse voltage of the previous stage according to the carry pulse of the previous stage, and the first node and the third node are discharged with a second constant voltage according to the carry pulse of the rear stage, first to third node controllers in the driving period for charging the third node to the first constant voltage according to the voltage of the first node;
an inverter unit for inverting the voltage of the first node and applying it to the second node;
Further comprising a reset unit for discharging the first node to a second constant voltage according to a reset signal output from the timing controller in the blank section,
Elements of the inverter unit, elements of the first and second node controllers of the blank section, elements of the first to third node controllers of the driving period, and elements of the reset unit are arranged in order,
The plurality of scan pulse output buffers and the plurality of carry pulse output buffers of the plurality of GIPs are elements of the inverter, elements of the first and second node controllers in the blank period, and first to third node controllers in the driving period An OLED display device that is irregularly disposed between the elements of the reset unit and the elements of the reset unit.
제 7 항에 있어서,
상기 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들 각각은 상기 복수개의 스캔 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드의 전압에 따라 스캔 펄스를 출력하는 풀업 트랜지스터를 구비하고,
상기 풀업 트랜지스터가 불규칙적으로 배치되는 OLED 표시 장치.
8. The method of claim 7,
Each of the plurality of scan pulse output buffers includes a pull-up transistor configured to receive one of the plurality of scan pulse output clock signals and output a scan pulse according to voltages of the first node and the second node,
An OLED display in which the pull-up transistors are irregularly arranged.
제 7 항에 있어서,
상기 복수개의 캐리 펄스 출력 버퍼부들 각각은 상기 복수개의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드의 전압에 따라 캐리 펄스를 출력하는 풀업 트랜지스터를 구비하고,
상기 풀업 트랜지스터가 불규칙적으로 배치되는 OLED 표시 장치.
8. The method of claim 7,
Each of the plurality of carry pulse output buffers includes a pull-up transistor that receives one of the plurality of carry pulse output clock signals and outputs a carry pulse according to voltages of the first node and the second node,
An OLED display in which the pull-up transistors are irregularly arranged.
제 7 항에 있어서,
상기 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들의 각각은 상기 복수개의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드의 전압에 따라 스캔 펄스를 출력하는 풀업 트랜지스터를 구비하고, 상기 풀업 트랜지스터는 분할되어 해당 게이트 라인 방향을 따라 복수의 단위 화소 영역에 병렬로 배치되는 OLED 표시 장치.
8. The method of claim 7,
Each of the plurality of scan pulse output buffers includes a pull-up transistor that receives one of the plurality of carry pulse output clock signals and outputs a scan pulse according to voltages of the first node and the second node, , wherein the pull-up transistor is divided and disposed in parallel in a plurality of unit pixel areas along a corresponding gate line direction.
제 7 항에 있어서,
상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드와, 각 스캔 펄스 출력 버퍼부의 출력단은 패널의 제 1 방향으로 연속적으로 배열되는 OLED 표시 장치.
8. The method of claim 7,
The first node and the second node, and an output terminal of each scan pulse output buffer unit are sequentially arranged in a first direction of a panel.
복수개의 데이터 라인들과 복수개의 게이트 라인들이 교차되고, 상기 교차부에 배치된 서브 화소들을 포함한 표시 영역;
상기 복수개의 데이터 라인들을 복수개의 그룹으로 분할하여 각 그룹의 데이터 라인들을 구동하는 복수개의 소스 드라이브 IC들; 및
인접한 2개 이상의 소스 드라이브 IC들에 의해 구동되는 그룹으로 상기 표시 영역이 구분되고, 구분된 각 표시 영역 그룹 내의 각 게이트 라인에 의해 구동되는 단위 화소 영역들에 분산 배치되어 해당 게이트 라인에 스캔 펄스를 공급하는 복수개의 GIP를 구비하고,
상기 복수개의 GIP 각각은, 복수개의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호 및 복수개의 스캔 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 제 1 노드 및 제 2 노드의 전압에 따라 스캔 펄스 및 캐리 펄스를 출력하는 스캔 펄스 출력 버퍼부 및 캐리 펄스 출력 버퍼부를 구비하고,
상기 복수개의 GIP의 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들 및 복수개의 캐리 펄스 출력 버퍼부는 불규칙적으로 배치되는 OLED 표시 장치.
a display area in which a plurality of data lines and a plurality of gate lines intersect, the display area including sub-pixels disposed at the intersections;
a plurality of source drive ICs dividing the plurality of data lines into a plurality of groups to drive the data lines of each group; and
The display area is divided into groups driven by two or more adjacent source drive ICs, and is distributed in unit pixel areas driven by each gate line in each divided display area group to apply a scan pulse to the corresponding gate line. Equipped with a plurality of GIPs to supply,
Each of the plurality of GIPs receives one of a plurality of clock signals for outputting carry pulses and one of a plurality of clock signals for outputting scan pulses, and receives scan pulses and carry signals according to voltages of first and second nodes. A scan pulse output buffer unit for outputting a pulse and a carry pulse output buffer unit are provided;
The plurality of scan pulse output buffers and the plurality of carry pulse output buffers of the plurality of GIPs are irregularly arranged.
제 13 항에 있어서,
상기 GIP는,
라인 선택 신호에 따라 세트 신호를 선택적으로 저장하고, 해당 스테이지를 블랭크 구간에 실시간 보상용 신호에 따라 제 1 노드를 제 1 정전압으로 충전하고 제 2 노드를 제 2 정전압으로 방전하는 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드 제어부와,
해당 스테이지를 구동 구간에 전단의 캐리 펄스에 따라 상기 제 1 노드를 상기 전단의 캐리 펄스 전압으로 충전하고 후단의 캐리 펄스에 따라 상기 제 1 노드 및 제 3 노드를 제 2 정전압으로 방전하며, 상기 제 1 노드의 전압에 따라 상기 제 3 노드를 상기 제 1 정전압으로 충전하는 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부와,
상기 제 1 노드의 전압을 반전하여 제 2 노드에 인가하는 인버터부와,
상기 블랭크 구간에 타이밍 컨트롤러에서 출력되는 리세트 신호에 따라 상기 제 1 노드를 제 2 정전압으로 방전하는 리세트부를 더 구비하고,
상기 인버터부의 소자들, 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드 제어부의 소자들, 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부의 소자들 및 상기 리세트부의 소자들 순서로 배치되고,
상기 복수개의 GIP의 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들 및 복수개의 캐리 펄스 출력 버퍼부는 상기 인버터부의 소자들, 상기 블랭크 구간 제 1 및 제 2 노드 제어부의 소자들, 상기 구동 구간 제 1 내지 제 3 노드 제어부의 소자들 및 상기 리세트부의 소자들 사이에 불규칙적으로 배치되는 OLED 표시 장치.
14. The method of claim 13,
The GIP is,
The first and the blank sections in which the set signal is selectively stored according to the line selection signal, the stage is charged to the first constant voltage according to the real-time compensation signal in the blank section, and the second node is discharged to the second constant voltage a second node control unit;
During the driving period of the corresponding stage, the first node is charged with the carry pulse voltage of the previous stage according to the carry pulse of the previous stage, and the first node and the third node are discharged with a second constant voltage according to the carry pulse of the rear stage, first to third node controllers in the driving period for charging the third node to the first constant voltage according to the voltage of the first node;
an inverter unit for inverting the voltage of the first node and applying it to the second node;
Further comprising a reset unit for discharging the first node to a second constant voltage according to a reset signal output from the timing controller in the blank section,
Elements of the inverter unit, elements of the first and second node controllers of the blank section, elements of the first to third node controllers of the driving period, and elements of the reset unit are arranged in order,
The plurality of scan pulse output buffers and the plurality of carry pulse output buffers of the plurality of GIPs are elements of the inverter, elements of the first and second node controllers in the blank period, and first to third node controllers in the driving period An OLED display device that is irregularly disposed between the elements of the reset unit and the elements of the reset unit.
제 13 항에 있어서,
상기 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들 각각은 상기 복수개의 스캔 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드의 전압에 따라 스캔 펄스를 출력하는 풀업 트랜지스터를 구비하고,
상기 풀업 트랜지스터가 불규칙적으로 배치되는 OLED 표시 장치.
14. The method of claim 13,
Each of the plurality of scan pulse output buffers includes a pull-up transistor configured to receive one of the plurality of scan pulse output clock signals and output a scan pulse according to voltages of the first node and the second node,
An OLED display in which the pull-up transistors are irregularly arranged.
제 13 항에 있어서,
상기 복수개의 캐리 펄스 출력 버퍼부들 각각은 상기 복수개의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드의 전압에 따라 캐리 펄스를 출력하는 풀업 트랜지스터를 구비하고,
상기 풀업 트랜지스터가 불규칙적으로 배치되는 OLED 표시 장치.
14. The method of claim 13,
Each of the plurality of carry pulse output buffers includes a pull-up transistor that receives one of the plurality of carry pulse output clock signals and outputs a carry pulse according to voltages of the first node and the second node,
An OLED display in which the pull-up transistors are irregularly arranged.
제 13 항에 있어서,
상기 복수개의 스캔 펄스 출력 버퍼부들의 각각은 상기 복수개의 캐리 펄스 출력용 클럭 신호 중 하나의 클럭 신호를 수신하여 상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드의 전압에 따라 스캔 펄스를 출력하는 풀업 트랜지스터를 구비하고, 상기 풀업 트랜지스터는 분할되어 해당 게이트 라인 방향을 따라 복수의 단위 화소 영역에 병렬로 배치되는 OLED 표시 장치.
14. The method of claim 13,
Each of the plurality of scan pulse output buffers includes a pull-up transistor that receives one of the plurality of carry pulse output clock signals and outputs a scan pulse according to voltages of the first node and the second node, , wherein the pull-up transistor is divided and disposed in parallel in a plurality of unit pixel areas along a corresponding gate line direction.
제 13 항에 있어서,
상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드와, 각 스캔 펄스 출력 버퍼부의 출력단은 패널의 제 1 방향으로 연속적으로 배열되는 OLED 표시 장치.
14. The method of claim 13,
The first node and the second node, and an output terminal of each scan pulse output buffer unit are sequentially arranged in a first direction of a panel.
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