KR20150008667A - 나노코팅 입자 제조를 위한 유동층 원자층 증착 장치 - Google Patents

나노코팅 입자 제조를 위한 유동층 원자층 증착 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20150008667A
KR20150008667A KR1020130082895A KR20130082895A KR20150008667A KR 20150008667 A KR20150008667 A KR 20150008667A KR 1020130082895 A KR1020130082895 A KR 1020130082895A KR 20130082895 A KR20130082895 A KR 20130082895A KR 20150008667 A KR20150008667 A KR 20150008667A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fluidized bed
bed reactor
precursor
supply unit
coated particles
Prior art date
Application number
KR1020130082895A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101541361B1 (ko
Inventor
이재영
정상호
이재광
주형국
김진원
Original Assignee
광주과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 광주과학기술원 filed Critical 광주과학기술원
Priority to KR1020130082895A priority Critical patent/KR101541361B1/ko
Priority to CN201480040383.3A priority patent/CN105392918A/zh
Priority to PCT/KR2014/006403 priority patent/WO2015009038A1/ko
Priority to US14/901,073 priority patent/US20160258059A1/en
Publication of KR20150008667A publication Critical patent/KR20150008667A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101541361B1 publication Critical patent/KR101541361B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4417Methods specially adapted for coating powder
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/442Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using fluidised bed process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/45506Turbulent flow
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04BPOSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B37/00Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
    • F04B37/10Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for special use
    • F04B37/18Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for special use for specific elastic fluids
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04BPOSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B45/00Pumps or pumping installations having flexible working members and specially adapted for elastic fluids
    • F04B45/04Pumps or pumping installations having flexible working members and specially adapted for elastic fluids having plate-like flexible members, e.g. diaphragms
    • F04B45/053Pumps having fluid drive
    • F04B45/0533Pumps having fluid drive the fluid being actuated directly by a piston
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45555Atomic layer deposition [ALD] applied in non-semiconductor technology

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)

Abstract

나노코팅 입자 제조를 위한 유동층 원자층 증착 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유동층 원자층 증착 장치는 피코팅 입자가 내부에 투입되는 유동층 반응기; 유동층 반응기의 내부로 피코팅 입자를 코팅하기 위한 반응 기체들을 공급하는 반응물 공급부; 및 반응 기체들이 경유 가능하도록 유동층 반응기에 결합되는 것으로, 반응 기체들에 규칙적인 진동을 부여하여 유동층 반응기 내부에 난기류를 형성시키는 진동 펌프를 포함한다.

Description

나노코팅 입자 제조를 위한 유동층 원자층 증착 장치{FLUIDIZED BED ALD APPRATUS FOR NANO-COATED PARTICLE}
본 발명은 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용하여 입자 상에 나노급의 층을 균일하게 증착할 수 있는 나노코팅 입자 제조를 위한 유동층 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
원자층 증착법(ALD, Atomic Layer Deposition) 기술은 대표적인 박막 증착 기술인 CVD(Chemical Vapor Depositon)이나 PVD(Physical Vapor Deposition)에 비해 우수한 장점을 갖는다. 대부분의 ALD 공정은 400℃ 이하의 저온 공정에서 이루어질 수 있으며, 원자 단위로 박막을 증착 가능하므로 박막을 정밀하게 제어 가능하다. 또한 불순물 함량이 낮고 핀홀이 거의 없다.
종래 ALD 공정은 게이트 유전막, 커패시터 유전막 등에서 정밀 박막을 형성하는데에 주로 이용되어 왔다. 그러나 최근에는 유동층 원자층 증착법을 이용하여 3차원 구조를 갖는 다양한 나노 구조체들에 대해서도 나노급의 코팅(이하에서는 나노코팅이라고 함)을 수행할 수 있는 방안들이 제시되고 있다.
상술한 방안들의 일 예를 설명하면 다음과 같다. 반응기에 피코팅 입자를 투입하고, 상기 반응기에 전구체 및 불활성 기체를 공급함으로써 상기 피코팅 입자 표면에 반응물질을 코팅시킨다. 이 때 피코팅 입자의 응집을 방지하기 위하여 반응기 내부에는 스티어링(stirring)과 같은 교반 장치를 구비한다.
그런데 이와 같은 종래 방안들에 있어서는 교반 장치의 존재에도 불구하고 피코팅 입자가 충분히 부유되지 않는 문제가 있었다. 이에 따라 피코팅 입자의 표면에 균일한 막을 증착하기 어렵고, 원래 목적과는 달리 피코팅 입자의 응집 현상을 방지하기도 어렵다는 문제를 발생시켰다.
본 발명의 실시예들은 반응기 내부에 난기류를 형성시키는 진동 펌프를 이용하여 반응기 내부의 피코팅 입자와 반응 기체들에 지속적인 진동 흐름을 만들어 냄으로써 입자에 균일한 코팅막을 형성할 수 있는 유동층 원자층 증착 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 피코팅 입자가 내부에 투입되는 유동층 반응기; 상기 유동층 반응기의 내부로 상기 피코팅 입자를 코팅하기 위한 반응 기체들을 공급하는 반응물 공급부; 및 상기 반응 기체들이 경유 가능하도록 상기 유동층 반응기에 결합되는 것으로, 상기 반응 기체들에 규칙적인 진동을 부여하여 상기 유동층 반응기 내부에 난기류를 형성시키는 진동 펌프를 포함하는 유동층 원자층 증착 장치가 제공될 수 있다.
이 때, 상기 진동 펌프는 다이어프램 펌프(diaphragm pump) 또는 멤브레인 펌프(membrane pump)일 수 있다.
또한, 상기 진동 펌프는 팽창 및 수축하여 유체를 흡입하거나 토출하는 다이어프램과, 상기 다이어프램에 설치되는 피스톤과, 상기 피스톤을 구동시키는 구동체를 포함할 수 있다.
또한, 상기 반응물 공급부는 상기 피코팅 입자의 표면과 반응하여 상기 피코팅 입자에 화학 흡착하는 제1 전구체를 공급하는 제1 전구체 공급부; 및 상기 제1 전구체와 반응하여 상기 제1 전구체에 화학 흡착하는 제2 전구체를 공급하는 제2 전구체 공급부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 유동층 반응기에 불활성 기체를 공급하여 과잉 공급된 제1 전구체 또는 제2 전구체를 제거하는 불활성 기체 공급부를 포함할 수 있다.
이 때, 상기 불활성 기체 공급부는 불활성 기체의 유량을 조절하는 유량조절기를 포함할 수 있다.
또한, 상기 유동층 반응기 내부를 진공 상태로 유지하기 위한 진공부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 전구체 공급부, 제2 전구체 공급부 및 진공부는 상기 유동층 반응기에 병렬 연결될 수 있다.
또한, 상기 유동층 반응기의 하부에는 기체만 선택적으로 투과시키는 가스투과지지체가 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 유동층 반응기 내부에 난기류를 형성시키는 진동 펌프를 사용하여, 반응기 내부의 피코팅 입자와 반응 기체들에 대해 지속적인 진동 흐름을 만들어 낼 수 있다.
따라서 피코팅 입자간의 응집을 방지하고 반응기 내에서 보다 잘 부유할 수 있도록 하여, 피코팅 입자 표면을 반응 물질에 보다 효율적으로 노출시키는 것이 가능한 바, 균일한 코팅막을 갖는 나노입자들을 생성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유동층 원자층 증착 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 진동 펌프의 일 예시를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 도 1의 유동층 반응기 내부의 압력 프로파일과 종래 압력 프로파일의 비교 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 구체적으로 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유동층 원자층 증착 장치(100)를 개략적으로 도시한 도면이다.
유동층 원자층 증착 장치(100)는 유동층 반응기(110)와, 유동층 반응기(110)의 내부로 반응 기체들을 공급하는 반응물 공급부(120)와, 유동층 반응기(110)와 결합하여 유동층 반응기(110)의 내부에 난기류를 형성시키는 진동 펌프(130)를 포함할 수 있다.
유동층 반응기(110)는 내부에 피코팅 입자(P)가 투입된다. 여기에서 피코팅 입자(P)는 표면에 코팅이 이루어질 입자를 의미한다. 피코팅 입자(P)의 종류는 특정되지 않으며 예를 들어, 카본, Pt, Au, Ni, 실리카 겔 등의 입자일 수 있다. 피코팅 입자의 크기는 나노급 내지 마이크로급 크기일 수 있다. 피코팅 입자(P)는 유동층 반응기(110) 내에서 부유하며, 반응 물질들과의 반응을 통해 표면에 코팅막이 형성된다.
유동층 반응기(110)의 형태는 특정되지 않는다. 예를 들면 원통형일 수 있다. 유동층 반응기(110)를 이루는 재질 역시 특정되지 않는다. 예를 들면 유동층 반응기(110)는 스테인리스와 같은 내부식성, 내열성 및 열전도성을 갖는 합금으로 형성될 수 있다.
유동층 반응기(110)의 상부에는 개폐 가능하도록 결합되는 입구부(111)가 배치될 수 있다. 입구부(111)는 힌지(hinge) 결합과 같은 방법으로 유동층 반응기(110) 상부에 결합될 수 있다.
유동층 반응기(110)의 하부에는 가스투과 지지체(113)가 형성될 수 있다. 가스투과 지지체(113)는 유동층 반응기(110)를 하부에서 지지하는 기능을 한다. 그리고 가스투과 지지체(113)는 입자가 투과되는 것을 막고 가스(기체)만 선택적으로 투과시키는 기능을 한다. 따라서 유동층 반응기(110) 내부의 피코팅 입자(P)가 유동층 반응기(110) 외부로 빠져나올 수 없고, 반응물 공급부(120)에서 공급되는 반응 기체들은 유동층 반응기(110) 내부로 공급될 수 있다. 가스투과 지지체(113)는 예컨대 다공성 멤브레인막 등을 이용하여 형성될 수 있다. 그리고 가스투과 지지체(113)는 일정한 주기로 교체 가능하다.
반응물 공급부(120)는 유동층 반응기(110)의 내부로 반응 기체들을 공급한다. 여기에서 반응 기체들은 피코팅 입자(P)와 반응하여 피코팅 입자(P)의 표면에 코팅막을 형성하는 물질들이다. 반응 기체의 종류는 특정되지 않으며 예를 들어, Pt, Pd, TiO2, Al2O3, ZnO, SiO2 등의 전구체 물질일 수 있다.
반응물 공급부(120)는 각기 다른 전구체를 공급할 수 있도록 복수개 일 수 있다. 예컨대 반응물 공급부(120)는 도 1에 도시된 것과 같이 제1 전구체 공급부(121)와 제2 전구체 공급부(123)를 포함할 수 있다. 필요에 따라 그 이상의 전구체 공급부를 더 포함할 수 있으나 설명의 편의를 위해서 본 명세서에서는 두 개의 전구체 공급부(121,123)가 존재하는 경우를 중심으로 설명하도록 한다.
제1 전구체 공급부(121)는 피코팅 입자(P)에 화학 흡착하는 제1 전구체를 유동층 반응기(110)로 공급한다. 제1 전구체 공급부(121)는 제1 전구체를 수용하는 제1 수용부(121a)와 제1 수용부(121a)로부터 유동층 반응기(110)로 연결된 제1 공급유로(121a)를 포함할 수 있다. 제1 공급유로(121a)에는 유로를 개폐시키기 위한 밸브(미표기)가 형성될 수 있다.
제2 전구체 공급부(123)는 제1 전구체에 화학 흡착하는 제2 전구체를 유동층 반응기(110)로 공급한다. 제2 전구체 공급부(123)는 제2 전구체를 수용하는 제2 수용부(123a)와 제2 수용부(123a)로부터 유동층 반응기(110)로 연결된 제2 공급유로(123a)를 포함할 수 있다. 제2 공급유로(123a)에는 제1 공급유로(121a)와 마찬가지로 밸브(미표기)가 형성될 수 있다.
진동 펌프(130)는 유동층 반응기(110)의 하부에 결합되어 배치된다. 이 때 반응물 공급부(120)에서 공급되는 반응 기체들은 진동 펌프(130)를 경유하도록 형성된다. 예컨대 반응물 공급부(120)의 공급유로(121b, 123b)는 진동 펌프(130)와 연결된다. 따라서 반응 기체들은 진동 펌프(130)로 유입되어 진동 펌프(130)의 진동에 의해 규칙적으로 진동되면서 유출될 수 있다.
진동 펌프(130)는 상술한 것과 같이 유동층 반응기(110)로 공급되는 반응 기체들에 규칙적인 진동을 부여함으로써, 유동층 반응기(110) 내부에 난기류를 형성시킨다. 따라서 유동층 반응기(110) 내부에 투입된 피코팅 입자(P)는 상기 난기류에 의해 유동층 반응기(110) 내부에서 지속적으로 부유할 수 있다. 이는 피코팅 입자(P)가 반응 기체들과 보다 효율적으로 노출 될 수 있음을 의미한다.
진동 펌프(130)는 반응 기체에 진동을 부여할 수 있는 다이어프램 펌프(diaphragm pump) 또는 멤브레인 펌프(membrane pump)일 수 있다. 관련하여, 도 2에서는 도 1의 진동 펌프(130)의 일 예시를 개략적으로 도시하였다. 다만 진동 펌프(130)는 도 2에 도시된 형태에 국한되지 않는다.
도 2는 진동 펌프(130)의 일 예시로 다이어프램 펌프 형태를 도시하고 있다. 진동 펌프(130)는 팽창 및 수축하여 흡입력 및 토출력을 발생시키는 다이어프램(131)과, 다이어프램(131)에 설치되는 피스톤(132)과, 피스톤(132)을 구동시키는 구동체(133)를 포함한다. 이들 구성들은 펌프 챔버(134)내에 위치하고 펌프 챔버(134)에는 유체가 흡입되는 흡입부(134a)와 상기 유체가 토출되는 토출부(134b)가 형성되어 있다. 흡입부(134a) 및 토출부(134b)에는 유체가 서로 역으로 유동하지 않도록 각각 체크 밸브(check valve, 미도시)가 설치될 수 있다.
구동체(133)가 요동하여 피스톤(132)으로 하여금 왕복 운동을 행하게 함으로써 펌프 챔버(134) 내의 용적이 변화될 수 있다. 이 때 펌프 챔버(134)의 용적 변화로 인해 다이어프램(131)이 팽창 및 수축함으로써 펌프 작용이 일어나게 된다.
예컨대 도 2a에서와 같이 피스톤(132)이 하방으로 이동할 때 펌프 챔버(134)로 유체가 유입되고, 도 2b에서와 같이 피스톤(132)이 상방으로 이동할 때 펌프 챔버(134)로부터 유체가 토출될 수 있다. 피스톤(132)이 상하 운동을 반복함으로써 펌프의 가압 리플(ripple)이 발생하여 유체에 진동을 부여할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 유동층 원자층 증착 장치(100)에서는 상술한 것과 같이 구성 가능한 진동 펌프(130)를 통해 반응 기체들에 진동을 부여하게 된다. 즉, 반응물 공급부(120)로부터 공급되는 반응 기체들은 진동 펌프(130)를 경유하면서 진동을 부여받는다. 진동을 부여받은 반응 기체들이 다시 유동층 반응기(110)로 공급되므로, 유동층 반응기(110) 내부의 피코팅 입자(P)는 지속적으로 부유할 수 있다. 진동 펌프(130)가 구동되는 동안 진동은 지속적으로 일어난다.
도 3은 도 1의 유동층 반응기(110) 내부의 압력 프로파일과 종래 압력 프로파일의 비교 그래프이다.
도 3a에서는 종래 반응기에서 압력 프로파일을 도시한 그래프이고, 도 3b는 도 1의 유동층 반응기(110) 내부의 압력 프로파일을 도시한 그래프이다. 도 3a 및 도 3b를 비교 참조하면, 도 3b에서의 압력 프로파일은 시간대별로 요동치고 있음을 확인할 수 있다. 이는 반응 기체 주입에 따른 압력 증가만 있는 도 3a와는 큰 차이가 있다. 즉, 도 1의 유동층 반응기(110) 내부에서는 지속적으로 난기류가 형성되고 있음을 알 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 유동층 원자층 증착 장치(100)는 유동층 반응기(110)에 불활성 기체를 공급하는 불활성 기체 공급부(140)를 더 포함할 수 있다. 상기 불활성 기체는 유동층 반응기(110)에 과잉 공급된 제1 전구체 또는 제2 전구체를 제거하는 기능을 한다. 이는 ALD 공정에 따른 것으로 구체적인 설명은 후술하기로 한다. 불활성 기체는 아르곤(Ar) 기체 또는 질소(N2) 기체일 수 있고 이에 한정되지는 않는다.
불활성 기체 공급부(140)는 불활성 기체를 수용하는 제3 수용부(141)와 제3 수용부(141)로부터 형성되는 제3 공급유로(143)를 포함할 수 있다. 제3 공급유로(143)에는 유로를 개폐시키기 위한 밸브(미도시)가 형성될 수 있다.
제3 공급유로(143)는 제3 수용부(141)로부터 반응물 공급부(120)의 제1,2 수용부(121a, 123a)로 각각 형성될 수 있다. 즉, 제3 공급유로(143)는 제1,2 공급유로(121b,123b)와 연결될 수 있다. 이 경우에 불활성 기체는 제3 공급유로(143) 및 제1,2 공급유로(121b,123b)를 거쳐 유동층 반응기(110)로 공급될 수 있다.
불활성 기체 공급부(140)는 불활성 기체의 유량을 조절하는 유량조절기(145)를 더 포함할 수 있다. 유량조절기(145)는 통상적으로 이용되는 Mass Flow Controller(MFC)로 불활성 기체의 유량을 조절하는 기능을 한다.
유동층 원자층 증착 장치(100)는 유동층 반응기(110) 내부를 진공 상태로 유지하기 위한 진공부(150)를 더 포함할 수 있다. 진공부(150)는 유동층 반응기(110) 내부의 진공상태를 유지하기 위한 진공펌프(151)와 진공펌프(151)로부터 유동층 반응기(110)를 연결하는 진공라인(152)을 포함할 수 있다.
한편, 제1 전구체 공급부(121), 제2 전구체 공급부(123) 및 진공부(150)는 병렬 연결될 수 있다. 즉, 제1 공급유로(121b), 제2 공급유로(123b) 및 진공라인(152)은 병렬 배치되고, 경우에 따라서는 유동층 반응기(110) 측에서 하나의 라인으로 합쳐질 수도 있다.
유동층 원자층 증착 장치(100)는 전체 장치를 제어하기 위한 제어부(160)를 더 포함할 수 있다. 제어부(160)는 예컨대 유동층 반응기(110)의 입구부(111) 개폐, 반응물 공급부(120)에서의 반응 기체 공급량, 반응 기체 공급 순서 등을 제어할 수 있다(예를 들면, 공급유로에 배치된 밸브 개폐를 제어함). 또한 진동펌프(130)의 구동, 불활성 기체 공급부(140)의 불활성 기체 유량 조절, 진공부(150)의 구동과 같은 제어를 할 수 있다. 제어부(160)는 유동층 원자층 증착 장치(100)의 각 구성과 유무선으로 연결되어, 각 구성에 대하여 제어신호를 송신함으로써 상기 각 구성을 제어할 수 있다.
이하, 유동층 원자층 증착 장치(100)의 구동에 대하여 설명하도록 한다.
유동층 원자층 증착 장치(100)에서는 ALD 공정에 따라 유동층 반응기(110) 내부에 투입되는 피코팅 입자(P)를 코팅한다. 유동층 반응기(110)의 온도는 공급되는 반응 기체들(전구체들)의 분해가 일어나지 않는 온도 범위로 유지될 수 있다.
피코팅 입자(P)가 유동층 반응기(110) 내부에 투입되면 제1 전구체 공급부(121)에서는 제1 전구체를 유동층 반응기(110)로 공급한다. 상기 공급은 제어부(160)를 통해 이루어질 수 있다. 이 때, 제2 전구체 공급부(123) 및 불활성 기체 공급부(140)는 동작하지 않는다.
제1 전구체 공급부(121)에서 나온 반응 기체(제1 전구체)는 진동 펌프(130)를 경유하여 유동층 반응기(110)로 공급되어 피코팅 입자(P) 표면과 반응을 하여 화학 흡착한다. 진동 펌프(130)에서는 반응 기체에 지속적으로 진동을 부여함으로써 유동층 반응기(110) 내부의 피코팅 입자(P)가 지속적으로 부유할 수 있도록 한다. 따라서 피코팅 입자(P) 및 반응 기체와의 반응이 보다 효율적으로 이루어질 수 있다.
제1 전구체가 피코팅 입자(P) 표면에 증착되면, 추가적인 반응 기체들은 더 이상 반응을 하지 않는다(자기 제한적 반응, Self-limiting Reaction). 여기에서 반응되지 않은 과잉 반응 기체들은 불활성 기체를 통해 제거된다. 불활성 기체는 불활성 기체 공급부(140)로부터 공급될 수 있으며 이는 제어부(160)를 통해 이루어질 수 있다.
과잉 반응 기체들의 제거가 완료되면 제2 전구체 공급부(123)에서는 제2 전구체를 유동층 반응기(110)로 공급한다. 상기 공급은 제어부(160)를 통해 이루어질 수 있다. 이 때, 제1 전구체 공급부(121) 및 불활성 기체 공급부(140)는 동작하지 않는다.
제2 전구체 공급부(123)에서 나온 반응 기체(제2 전구체)는 진동 펌프(130)를 경유하여 유동층 반응기(110)로 공급되어 피코팅 입자(P) 표면에 증착된 제1 전구체와 화학 흡착한다. 진동 펌프(130)에서는 반응 기체에 지속적으로 진동을 부여함으로써 유동층 반응기(110) 내부의 피코팅 입자(P)가 지속적으로 부유할 수 있도록 한다. 따라서 피코팅 입자(P) 표면의 제1 전구체와 반응 기체(제2 전구체)의 반응이 모다 효율적으로 이루어질 수 있다.
제2 전구체가 제1 전구체 표면에 흡착되면, 추가적인 반응 기체들은 더 이상 반응을 하지 않는다. 여기에서 반응되지 않은 과잉 반응 기체들은 불활성 기체를 통해 제거된다. 불활성 기체는 불활성 기체 공급부(140)로부터 공급될 수 있으며 이는 제어부(160)를 통해 이루어질 수 있다.
상기 과정들은 하나의 사이클(Cycle)을 이룰 수 있으며, 상기 사이클을 반복함으로써 피코팅 입자(P)의 표면에 원하는 두께의 코팅막을 증착할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들은 유동층 반응기 내부에 난기류를 형성시키는 진동 펌프를 사용하여, 반응기 내부의 피코팅 입자와 반응 기체들에 대해 지속적인 진동 흐름을 만들어 낼 수 있다. 따라서 피코팅 입자간의 응집을 방지하고 반응기 내에서 보다 잘 부유할 수 있도록 하여, 피코팅 입자 표면을 반응 물질에 보다 효율적으로 노출시키는 것이 가능한 바, 균일한 코팅막을 갖는 나노입자들을 생성할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
P: 피코팅 입자 100: 유동층 원자층 증착 장치
110: 유동층 반응기 111: 입구부
113: 가스투과 지지체 120: 반응물 공급부
121: 제1 전구체 공급부 121a: 제1 수용부
123: 제2 전구체 공급부 123a: 제2 수용부
123b: 제2 공급유로 130: 진동펌프
131: 다이어프램 132: 피스톤
133: 구동체 134: 펌프 챔버
134a: 흡입부 134b: 토출부
140: 불활성 기체 공급부 141: 제3 수용부
143: 제3 공급유로 145: 유량조절기
150: 진공부 151: 진공펌프
152: 진공라인 160: 제어부

Claims (9)

  1. 피코팅 입자가 내부에 투입되는 유동층 반응기;
    상기 유동층 반응기의 내부로 상기 피코팅 입자를 코팅하기 위한 반응 기체들을 공급하는 반응물 공급부; 및
    상기 반응 기체들이 경유 가능하도록 상기 유동층 반응기에 결합되는 것으로, 상기 반응 기체들에 규칙적인 진동을 부여하여 상기 유동층 반응기 내부에 난기류를 형성시키는 진동 펌프를 포함하는 유동층 원자층 증착 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 진동 펌프는 다이어프램 펌프(diaphragm pump) 또는 멤브레인 펌프(membrane pump)인 유동층 원자층 증착 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 진동 펌프는 팽창 및 수축하여 유체를 흡입하거나 토출하는 다이어프램과, 상기 다이어프램에 설치되는 피스톤과, 상기 피스톤을 구동시키는 구동체를 포함하는 유동층 원자층 증착 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 반응물 공급부는 상기 피코팅 입자의 표면과 반응하여 상기 피코팅 입자에 화학 흡착하는 제1 전구체를 공급하는 제1 전구체 공급부; 및
    상기 제1 전구체와 반응하여 상기 제1 전구체에 화학 흡착하는 제2 전구체를 공급하는 제2 전구체 공급부를 포함하는 유동층 원자층 증착 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 유동층 반응기에 불활성 기체를 공급하여 과잉 공급된 제1 전구체 또는 제2 전구체를 제거하는 불활성 기체 공급부를 포함하는 유동층 원자층 증착 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 불활성 기체 공급부는 불활성 기체의 유량을 조절하는 유량조절기를 포함하는 유동층 원자층 증착 장치.
  7. 청구항 4 또는 청구항 5에 있어서,
    상기 유동층 반응기 내부를 진공 상태로 유지하기 위한 진공부를 더 포함하는 유동층 원자층 증착장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 제1 전구체 공급부, 제2 전구체 공급부 및 진공부는 상기 유동층 반응기에 병렬 연결되는 유동층 원자층 증착장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 유동층 반응기의 하부에는 기체만 선택적으로 투과시키는 가스투과지지체가 배치되는 유동층 원자층 증착 장치.
KR1020130082895A 2013-07-15 2013-07-15 나노코팅 입자 제조를 위한 유동층 원자층 증착 장치 KR101541361B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130082895A KR101541361B1 (ko) 2013-07-15 2013-07-15 나노코팅 입자 제조를 위한 유동층 원자층 증착 장치
CN201480040383.3A CN105392918A (zh) 2013-07-15 2014-07-15 用于制备纳米涂层粒子的流化床原子层沉积设备
PCT/KR2014/006403 WO2015009038A1 (ko) 2013-07-15 2014-07-15 나노코팅 입자 제조를 위한 유동층 원자층 증착 장치
US14/901,073 US20160258059A1 (en) 2013-07-15 2014-07-15 Fluidized bed atomic layer deposition device for manufacturing nanocoating particles

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130082895A KR101541361B1 (ko) 2013-07-15 2013-07-15 나노코팅 입자 제조를 위한 유동층 원자층 증착 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150008667A true KR20150008667A (ko) 2015-01-23
KR101541361B1 KR101541361B1 (ko) 2015-08-03

Family

ID=52346422

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130082895A KR101541361B1 (ko) 2013-07-15 2013-07-15 나노코팅 입자 제조를 위한 유동층 원자층 증착 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20160258059A1 (ko)
KR (1) KR101541361B1 (ko)
CN (1) CN105392918A (ko)
WO (1) WO2015009038A1 (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109415806A (zh) * 2016-06-23 2019-03-01 Beneq有限公司 用于处理颗粒物质的设备和方法
KR20190115594A (ko) 2018-04-03 2019-10-14 전남대학교산학협력단 분말 입자를 코팅할 수 있는 증착장치 및 분말 입자의 코팅 방법
KR20200041091A (ko) 2018-10-11 2020-04-21 부산대학교 산학협력단 저밀도 글라스 버블 미세 입자의 기능성 코팅을 위한 원자층 증착기 및 이를 이용한 코팅방법
KR20200070591A (ko) 2018-12-10 2020-06-18 한국과학기술원 입자 표면 코팅을 위한 개시제를 이용한 화학 기상 증착 시스템 및 그 방법
KR102131956B1 (ko) * 2020-04-16 2020-07-09 주식회사 마제테크놀로지 증착 장치
KR20200112214A (ko) * 2019-03-21 2020-10-05 현대자동차주식회사 전도성 산화물 보호층이 형성된 촉매의 제조 방법 및 이로부터 제조된 촉매
WO2024091652A1 (en) * 2022-10-28 2024-05-02 Applied Materials, Inc. Processes for preparing coated powder compositions

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106048559B (zh) * 2016-05-30 2018-08-31 华中科技大学 一种基于空间隔离的纳米颗粒原子层沉积装置及方法
KR20230117636A (ko) * 2016-09-16 2023-08-08 피코순 오와이 원자층 증착에 의한 입자 코팅
US10256126B2 (en) * 2016-09-22 2019-04-09 Globalfoundries Inc. Gas flow process control system and method using crystal microbalance(s)
KR102544978B1 (ko) * 2018-07-19 2023-06-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 입자 코팅 방법들 및 장치
KR102247833B1 (ko) 2018-10-11 2021-05-03 부산대학교 산학협력단 전도성이 우수한 글라스 버블 미세입자, 이의 제조방법 및 이의 용도
TWI684665B (zh) * 2018-12-28 2020-02-11 安強股份有限公司 成膜設備及成膜方法
KR20200095082A (ko) * 2019-01-31 2020-08-10 주식회사 엘지화학 원자층 증착 장치
FI129040B (fi) * 2019-06-06 2021-05-31 Picosun Oy Fluidia läpäisevien materiaalien päällystäminen
CN110055513B (zh) * 2019-06-10 2021-01-15 南开大学 一种粉末原子层沉积设备及其沉积方法与应用
CN111303638A (zh) * 2020-04-17 2020-06-19 广东思泉新材料股份有限公司 一种导热硅橡胶垫片的制备方法
TWI771939B (zh) * 2021-03-04 2022-07-21 漢民科技股份有限公司 前驅物循環式原子層沉積設備與方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3153381A (en) * 1962-02-05 1964-10-20 Holley Carburetor Co Pump
WO1996041036A2 (en) * 1995-06-07 1996-12-19 Advanced Silicon Materials, Inc. Method and apparatus for silicon deposition in a fluidized-bed reactor
JP4130961B2 (ja) * 1998-03-23 2008-08-13 三井鉱山株式会社 化学蒸着処理方法
US6863021B2 (en) 2002-11-14 2005-03-08 Genus, Inc. Method and apparatus for providing and integrating a general metal delivery source (GMDS) with atomic layer deposition (ALD)
KR100591762B1 (ko) * 2004-01-19 2006-06-22 삼성전자주식회사 증착 장치 및 증착 방법
KR100802382B1 (ko) * 2006-03-21 2008-02-13 주식회사 아토 가스분리형 샤워헤드를 이용한 원자층 증착 장치
JP4408124B2 (ja) * 2006-10-10 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置
WO2010020320A1 (en) * 2008-08-20 2010-02-25 Haldor Topsøe A/S Oscillating flow fluid bed
US8936831B2 (en) * 2012-02-03 2015-01-20 Uchicago Argonne, Llc Method for fluidizing and coating ultrafine particles, device for fluidizing and coating ultrafine particles

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109415806A (zh) * 2016-06-23 2019-03-01 Beneq有限公司 用于处理颗粒物质的设备和方法
KR20190115594A (ko) 2018-04-03 2019-10-14 전남대학교산학협력단 분말 입자를 코팅할 수 있는 증착장치 및 분말 입자의 코팅 방법
KR20200041091A (ko) 2018-10-11 2020-04-21 부산대학교 산학협력단 저밀도 글라스 버블 미세 입자의 기능성 코팅을 위한 원자층 증착기 및 이를 이용한 코팅방법
KR20200070591A (ko) 2018-12-10 2020-06-18 한국과학기술원 입자 표면 코팅을 위한 개시제를 이용한 화학 기상 증착 시스템 및 그 방법
KR20200112214A (ko) * 2019-03-21 2020-10-05 현대자동차주식회사 전도성 산화물 보호층이 형성된 촉매의 제조 방법 및 이로부터 제조된 촉매
KR102131956B1 (ko) * 2020-04-16 2020-07-09 주식회사 마제테크놀로지 증착 장치
WO2024091652A1 (en) * 2022-10-28 2024-05-02 Applied Materials, Inc. Processes for preparing coated powder compositions

Also Published As

Publication number Publication date
KR101541361B1 (ko) 2015-08-03
WO2015009038A1 (ko) 2015-01-22
CN105392918A (zh) 2016-03-09
US20160258059A1 (en) 2016-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101541361B1 (ko) 나노코팅 입자 제조를 위한 유동층 원자층 증착 장치
US7846499B2 (en) Method of pulsing vapor precursors in an ALD reactor
JP5444228B2 (ja) 基板上に薄膜材料を堆積させるための方法
US20110311726A1 (en) Method and apparatus for precursor delivery
WO2010038515A1 (ja) 気化器およびそれを用いた成膜装置
CN103510067A (zh) 具有多级净化结构的沉积设备中的反应器
CN109182999B (zh) 用于原子层沉积工艺的进气系统和控制方法
JP2022095904A (ja) 原子層堆積(ald)による粒子コーティング
CN110029324A (zh) 一种贵金属纳米复合材料的制备方法
JP7029192B2 (ja) 流体透過性材料のコーティング
KR101535354B1 (ko) 분산을 이용한 원자층 증착 장치
Xie et al. Optimizing the process efficiency of atomic layer deposition of alumina for its sustainability improvement: a combined experimental and modeling study
US20070193637A1 (en) Systems and methods for controlling fluid flow
JP2014210946A (ja) 原子層堆積装置
US11447867B2 (en) Coating of 3-dimensional substrates
KR20140094121A (ko) 진동을 이용한 원자층 증착 장치 및 방법
JP2017152672A (ja) 成膜方法及び成膜システム
KR102644427B1 (ko) 연료전지용 촉매 제조 방법, 및 제조 장치
JP7330935B2 (ja) 膜堆積プロセスにおける通常のパルスプロファイルの修正
JP2009185359A (ja) 液体原料気化装置及びそれを用いた成膜装置
CN117888082A (zh) 蒸气输送设备和相关的气相反应器及其使用方法
JP2013227613A (ja) ガス導入装置
TW202432241A (zh) 蒸氣遞送設備、氣相反應器及用於監測及控制蒸氣遞送系統之方法
KR20220016740A (ko) 분말 입자 코팅을 위한 증착 장치 및 이를 이용하여 분말 입자 표면을 균일하게 코팅하는 방법
FI20205586A1 (en) Coating of particulate materials

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180625

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190702

Year of fee payment: 5