KR20140147152A - 고압 전원 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 고압 전원은, 주파수 신호에 따라 구동되도록 구성된 스위칭 유닛과, 스위칭 유닛의 구동에 따라 전압을 발생시키도록 구성된 전압 공진 유닛과, 전압 공진 유닛에 의해 발생된 전압을 정류 및 증폭하도록 구성된 정류 유닛과, 전압 공진 유닛에 의해 발생된 교류 전류와 정류 유닛에 의해 발생된 직류 전류를 서로 분리하도록 구성된 분리 유닛과, 전압 공진 유닛에 의해 발생된 전류를 검출하도록 구성된 전류 검출 유닛을 포함한다.

Description

고압 전원{HIGH-VOLTAGE POWER SOURCE}
본 발명은 고전압을 발생시키도록 구성된 고압 전원에 관한 것이다.
복사기, 프린터, 및 팩시밀리 장치 등의 종래의 화상 형성 장치는 전자 사진 방식을 이용한다. 화상 형성 동안에, 전자 사진 방식의 화상 형성 장치는, 현상제인 토너를 사용하여 화상 담지 부재에 형성된 잠상을 현상하도록 구성된 현상 부재, 화상 담지 부재를 균일하게 대전시키는 대전 부재, 및 화상 담지 부재에 형성된 토너상을 기록재에 전사하는 전사 부재에 고전압을 인가한다.
화상 형성 동안에 사용되는 복수의 부재에 고전압을 출력하는 고압 전원으로서, 권선형 전자기 트랜스포머를 이용한 고압 전원이 사용된다. 예를 들어, 일본 특허 출원 공개 평06-309044호는 전자기 트랜스포머를 이용한 고압 전원을 논의한다.
도 7은 2개의 전자기 트랜스포머를 이용하여 양극성(bipolar) 고전압을 출력하는 고압 전원의 일례를 도시한다. 도 7을 참조하면, 음의 전압을 출력하는 고압 전원(713)은 전자기 트랜스포머(701)를 포함한다.
전자기 트랜스포머(701)는 스위칭 소자를 포함하는 전자기 트랜스포머(701)의 1차 구동 회로(705)를 통해 트랜스포머 1차 권선에 교류(AC) 전력을 공급하여 2차 권선에 AC 고전압을 발생시킨다. 그리고, 2차 권선에 발생된 AC 고압은 다이오드(702) 및 콘덴서(703)에 의해 정류되고 평활화되어서 음의 직류(DC) 전압으로서 출력된다. 추가적으로, 음의 고압 전원(713)은 블리더 저항(704)을 포함한다.
한편, 양의 전압을 발생시키는 고압 전원(712)은 음의 전압의 고압 전원(713)과 유사한 전자기 트랜스포머(706)를 포함한다. 고압 전원(712)은 1차 구동 회로(710)를 통해 전자기 트랜스포머(706)의 1차 권선에 AC 전력을 인가해서 2차 권선에 AC 고압을 발생시킨다.
발생된 AC 고압은 다이오드(707) 및 고압 콘덴서(708)에 의해 정류되고 평활화되어서 양의 DC 고압으로서 출력된다. 추가적으로, 양의 고압 전원(712)은 블리더 저항(709)을 포함한다.
음의 고압 전원(713)과 양의 고압 전원(712)은 직렬 접속된다. 각각의 고압 전원에 의해 발생된 DC 고압은 블리더 저항(704 또는 709)을 통하여 부하(711)에 인가된다. 또한, 음의 고압 전원(713)은 전류 검출 회로(714)를 포함한다.
최근, 화상 형성 장치를 가능한 소형화 및 경량화하고, 낮은 비용으로 제조될 수 있도록 하는 것이 시장에서 요구되고 있다. 이를 위하여, 화상 형성 장치에 탑재되는 고압 전원의 사이즈, 무게 및 비용을 줄이는 것이 필요해지고 있다.
도 7에 도시한 바와 같은, 전자기 트랜스포머를 이용한 고압 전원을 소형화, 경량화, 저비용화함에 있어, 이하와 같은 과제가 발생할 수 있다. 일반적으로, 전자기 트랜스포머는 다른 전자 부품보다 높이(수직 치수) 및 체적이 크다. 그 때문에, 고압 전원을 더 소형화하려고 할 경우, 전자기 트랜스포머의 사이즈를 감소시키는 것이 중요하다.
전자기 트랜스포머는 상기한 바와 같이 필요한 고전압을 출력하기 때문에, 미리 정해진 수 이상의 권선 수의 권선을 제공할 필요가 있다. 따라서, 고전압을 출력하도록 구성된 전자기 트랜스포머의 사이즈는 용이하게 감소되지 않을 수도 있다.
일반적으로, 페라이트 전자기 트랜스포머 또는 구리 전자기 트랜스포머가 널리 이용된다. 따라서, 이러한 전자기 트랜스포머는 다른 전자 부품보다 무겁다. 따라서, 고압 전원의 무게는 용이하게 감소되지 않을 수도 있다. 또한, 전자기 트랜스포머는 페라이트 또는 구리로 만들어지기 때문에, 전자기 트랜스포머의 제조 비용은 다른 전자 부품을 제조하는 비용보다 높을 수도 있다. 따라서, 전자기 트랜스포머의 고비용에 기인하여, 고압 전원의 비용은 용이하게 감소되지 않을 수도 있다.
전술한 바와 같이, 전자기 트랜스포머를 이용하는 고압 전원의 추가적인 소형화, 경량화, 및 저비용화에는 한계가 있다. 즉, 복수의 고압 전원을 포함하는 화상 형성 장치의 추가적인 소형화, 경량화, 및 저비용화에 있어서는 고압 전원의 사이즈, 무게, 및 비용이 문제가 될 수 있다.
일본 특허 공개 평06-309044호 공보
본 발명은 고압 전원의 사이즈, 무게, 및 비용을 효과적으로 감소시키는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 고압 전원은, 주파수 신호에 따라 구동되도록 구성된 스위칭 유닛과, 스위칭 유닛의 구동에 따라 전압을 발생시키도록 구성된 전압 공진 유닛과, 전압 공진 유닛에 의해 발생된 전압을 정류 및 증폭하도록 구성된 정류 유닛과, 전압 공진 유닛에 의해 발생된 교류 전류와 정류 유닛에 의해 발생된 직류 전류를 서로 분리하도록 구성된 분리 유닛과, 전압 공진 유닛에 의해 발생된 전류를 검출하도록 구성된 전류 검출 유닛을 포함한다.
본 발명의 추가적인 특징 및 양태는 첨부된 도면을 참조하여 아래의 실시예의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
본 명세서에 포함되고 그 일부를 구성하는 첨부된 도면은 본 발명의 실시예, 특징 및 양태를 도시하며, 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하는 역할을 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 고압 전원의 예시적인 회로 구성을 도시하는 도면.
도 2는 제1 실시예에 따른 고압 전원의 회로가 동작할 때에 나타나는 전류 파형 및 전압 파형을 도시하는 도면.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 고압 전원의 예시적인 회로 구성을 도시하는 도면.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 고압 전원의 회로가 동작할 때에 나타나는 전류 파형 및 전압 파형을 도시하는 도면.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 고압 전원의 예시적인 회로 구성을 도시하는 도면.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 고압 전원의 예시적인 회로 구성을 도시하는 도면.
도 7은 전자기 트랜스포머를 사용하는 종래의 고압 전원의 개략적인 구성을 도시하는 도면.
도 8a는 화상 형성 장치에 적용될 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 고압 전원의 일 예를 도시하는 도면.
도 8b는 화상 형성 장치에 적용될 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 고압 전원의 일 예를 도시하는 도면.
본 발명의 다양한 실시예, 특징 및 태양이 도면을 참조하여 아래에서 상세하게 설명될 것이다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 고압 전원은 전자기 트랜스포머를 이용하지 않고 고전압을 출력하는 회로를 특징적으로 포함한다. 도 1은 고전압을 출력하도록 구성된 본 실시예에 따른 고압 전원의 예시적인 회로 구성을 도시한다.
도 1을 참조하면, 전압 공진 유닛의 일 예인 전압 공진 회로는 인덕터(L100) 및 콘덴서(C100)에 의해 구성된다. 전압 공진 회로에 의해 발생된 전압은, 이후에 "플라이백 전압"으로 불릴 것이다. 인덕터(L100)는, 전압 공진 회로를 구동하도록 구성된 스위칭 유닛의 일 예인 스위칭 소자(Q101)와, 전원 전압 Vcc(본 실시예에서는 +24V) 사이에 접속되어 제공된다.
인덕터(L100)는 스위칭 소자(Q101)가 구동(턴 온 및 오프)되는 때에 전압이 단속적으로 인가되는 인덕턴스 성분을 갖는 소자의 일 예이다. 본 실시예에서, 스위칭 소자(Q101)의 일 예로서 전계 효과 트랜지스터(Q101)(이후, 간단히 "금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)(Q101)"이라고 함)가 이용된다. 또한, 콘덴서(C100)는 접지된다.
전압 공진 회로로부터 출력되는 플라이백 전압은 정류 회로(107)에 의해 양의 전압으로 정류된다. 정류 회로(107)는 플라이백 전압을 정류하도록 구성된 정류 유닛으로서 기능한다. 본 실시예에서, 정류 회로는 5개의 다이오드 및 5개의 콘덴서에 의해 구성된다. 즉, 정류 회로는 5 단 구성을 가진다.
정류 회로(107)는 다이오드(D101) 및 콘덴서(C101)를 포함한다. 다이오드(D101)는 전류를 정규 방향으로 공급한다. 다이오드(D101)의 캐소드 단자와 전원 전압 Vcc 사이에 접속된 콘덴서(C101)는 전하를 충전한다. 다이오드(D101) 및 콘덴서(C101)를 이용하여, 양의 플라이백 전압이 생성된다.
회로 간의 접속 방법을 보다 구체적으로 설명하면, 콘덴서(C101)는 전원 전압 측에 근접한 인덕처(L)의 접속부(접속점)에 접속된다. 다이오드(D101)는 콘덴서(C101의)의 타단부에 접속된다.
또한, 다단 구성을 가지는 정류 회로(107)는, 다이오드(D102 내지 D105) 등의 복수의 다이오드 및 콘덴서(C102 내지 C105) 등의 복수의 콘덴서를 포함한다. 정류 회로(107)로부터의 출력은 평활용 콘덴서(C106)를 통해서 접지되어서 출력 전압 파형이 평활화된다.
정류 회로(107)는 콘덴서(C109)를 통해서 전압 공진 회로에 접속된다. 보다 구체적으로는, 콘덴서(C109)는 전압 공진 회로의 인덕터(L100)와 MOSFET(Q101) 사이의 접속부(접속점)에 접속된다. 콘덴서(C109)는 콘덴서(C100)보다 정전 용량이 충분히 큰 콘덴서이다. 따라서, 콘덴서(C109)는 전압 공진 회로에 실질적으로 영향을 미치지 않는다.
정류 회로(107)의 출력은 출력 단자(104)에 접속되어 DC 전압을 생성한다. DC 전압은 고전압이 필요한 부하(110)에 인가된다. 예를 들면, 부하(110)는 화상 형성에 이용되는 화상 형성 장치의 현상 유닛 및 전사 유닛을 포함한다.
전술한 바와 같이, 인덕터(L100)와 콘덴서(C100)를 포함하는 전압 공진 회로에 의해 승압된 플라이백 전압은 다단 구성을 가지는 정류 회로(107)에 의해 승압 및 정류되어 출력될 수 있다. 출력하는 고전압의 값을 어느 정도 승압할지는 고전압이 출력될 부하가 필요로 하는 고전압의 값에 따라서 정류 회로(107)의 단의 수를 변경해서 조정될 수 있다.
상기의 전압 공진 회로 및 정류 회로를 구동하는 방법에 대해서 이하에서 상세하게 설명한다.
본 실시예의 특징으로서, 본 실시예는 컨트롤러(101)와 클럭 발진기(102)를 이용하여 컨트롤러(101)의 구동 주파수 신호의 주파수를 가변 제어함으로써 출력될 고전압의 값을 가변적으로 제어한다. 이하, 구동 주파수 신호를 사용하여 실행되는 예시적인 제어 동작을 설명할 것이다. 본 실시예에서, 구동 주파수 신호의 듀티 비(신호의 턴 온 시간과 턴 오프 시간 간의 비)는 고정된다.
컨트롤러(101)는 클럭 발진기(102)에 제어 신호를 출력한다. 클럭 발진기(102)는 이하에서 간단하게 "VCO"(102)라고 한다. VCO(102)는 입력 제어 신호에 따른 구동 주파수 신호를 MOSFET(Q101)의 게이트 단자에 출력한다.
구동 주파수 신호를 사용하여 출력 전압 Vout을 제어하는 경우, 출력 전압 Vout은 구동 주파수 신호의 주파수를 감소시킴으로써 증가될 수 있다. 반면에, 출력 전압 Vout은 구동 주파수 신호의 주파수를 증가시킴으로써 감소될 수 있다.
보다 구체적으로, 구동 주파수 신호의 주파수가 감소하면, MOSFET(Q101)의 턴 온 시간은 길어진다. 턴 온 시간이 길어짐에 따라, 보다 많은 에너지가 인덕터(L100)에 축적되고, 전압 공진 회로로부터의 플라이백 전압의 최대값도 커진다. 그 결과, 출력 단자(104)로부터 출력되는 전압이 높아진다.
반면에, 구동 주파수 신호의 주파수를 높게 하면, MOSFET(Q101)의 턴 온 시간이 짧아진다. 턴 온 시간이 짧아짐에 따라, 인덕터(L100)에 의해 축적되는 에너지가 작아지고, 전압 공진 회로로부터의 플라이백 전압의 최대값도 낮아질 수도 있다. 그 결과, 출력 단자(104)로부터 출력되는 전압이 낮아진다.
이와 같이, 구동 주파수 신호의 주파수를 가변 제어함으로써 출력 전압 Vout이 제어될 수 있다. 가변 주파수 제어를 실행하기 위해, 본 실시예는 출력 전압 Vout과 컨트롤러(101)로부터의 제어 신호의 비교 결과에 따라 주파수를 가변 제어하는 동작을 실행한다.
다음으로, 부하(110)에 흐르는 전류를 검출하는 구성 및 동작에 대해서 상세하게 설명한다.
도 1에 있어서, 전압 공진 회로는 콘덴서(C109)를 통해서 다단 정류 회로(107)에 접속된다. 콘덴서(C109)는 전압 공진 회로를 구성하는 인덕터(L100)와 콘덴서(C100) 간의 교류 전류의 흐름을 방해하지 않고서, 전압 공진 회로로의 직류 전류의 흐름과, 정류 회로(107)로의 직류 전류의 흐름을 서로 분리할 수 있다.
도 1에 도시된 예에서, 교류 전류의 흐름은 전류의 유형("AC")이 표시된 점선 화살표에 의해 도시되고, 직류 전류의 흐름은 전류 유형 "DC"이 표시된 다른 점선 화살표에 의해 도시된다.
본 실시예의 특징으로서, 본 실시예는 콘덴서(C109)를 이용하여 실시되는, 교류 전류와 직류 전류의 흐름의 분리를 위한 구성 및 동작을 이용 및 실시한다. 이러한 구성으로, 후술하는 전류 검출 유닛(106)에 흐르는 전류 i2는, 부하(110)에 인가되는 전류 i1과 등가의 분리된 직류 전류의 흐름이 된다. 따라서, 본 실시예는 전류 검출 유닛(106)을 이용하여 부하(110)에 흐르는 전류를 정확하게 검출할 수 있다.
다음으로, 전류 검출 유닛(106)의 예시적인 구성과 동작에 대해서 상세하게 설명한다.
전류 검출 유닛(106)은, OP 앰프(Q102), 저항(R102, R103, R101), 및 콘덴서(C107)을 포함한다. 즉, 전류 검출 유닛(106)은 오프셋 전위 설정을 위한 회로 구성을 가진다. 전류 검출 유닛(106)은 정류 회로(107)와 전압 공진 회로의 입력 측에 접속되어 있다. 보다 구체적으로, 도 1에 도시된 예에서, 전류 검출 유닛(106)은 전압 공진 회로의 인덕터(L100)와 콘덴서(C100)가 저항(R100)을 통해서 접속되는 라인에 접속된다.
저항(R102 및 R103)은 OP 앰프(Q102)에 접속된다. 저항(R102 및 R103)은 비반전 입력 단자에 오프셋 전위를 설정하기 위해 제공된다. 미리 정해진 전압이 입력되는 경우, OP 앰프(Q102)는 입력 전압의 전위를 반전 입력 단자의 전위와 동일한 전위로 제어하기 위한 제어 동작을 실행한다. 본 실시예에서, 미리 정해진 전압은 아래와 같이 나타난다.
Vref*R103/(R102+R103)
저항(R100) 및 콘덴서(C107)는 OP 앰프(Q102)의 반전 입력 단자에의 교류 전류의 중첩을 방지하는 기능을 한다. 콘덴서(C108)는 OP 앰프(Q102)의 AC 게인을 감소시키는 기능을 한다.
부하(110)에 인가되는 전류 i1은 전류 검출 유닛(106)에 흐르는 전류 i2와 등가이다. 따라서, 전류값 검출 신호 A는 부하(110)에 인가될 전류 i1에 대응하는 전압값 VA를 출력한다.
전압값 VA는, 이하의 식 1-1에 의해 나타난다.
[식 1-1]
VA=R101*i1+{Vref*R103/(R102+R103)}
또한, 부하(110)에 인가되는 전류 i1은 이하의 식 1-2에 의해 표현될 수 있다.
[식 1-2]
i1=[VA-{Vref*R1O3/(R102+R1O3)}]/R101
따라서, 전류값 검출 신호 A를 모니터링하여, 부하(110)에 흐르는 전류를 검출할 수 있다.
다음에, 본 실시예에 따른 회로가 동작했을 때의 예시적인 전류 및 전압 파형을 도 2를 참조하여 상세하게 설명한다. 도 2에 도시하는 파형은 전류 검출 유닛(106)에 의해 검출되는 전류를 일정한 값으로 제어하는(즉, 정전류 제어하는) 데에 사용되는 파형의 일 예이다.
도 2를 참조하면, 전류값 검출 신호 A는 부하(110)에 인가될 전류 i1을 전압값 VA로 변환하여 생성되는 파형을 도시하고 있다. 또한, 도 2에 도시된 예에서, Q101 게이트 전압은 클럭 발진기(102)로부터 MOSFET(Q101)의 게이트에 인가되는 전압의 파형을 도시하고 있다. Q101 드레인 전류는 MOSFET(Q101)의 드레인과 소스 사이를 흐르는 전류의 파형을 나타낸다.
MOSFET(Q101)이 턴 온되면, Q101 드레인 전류는 전원 전압 Vcc로부터 인덕터(L100)로 공급된다. 인덕터(L100)에는 Q101 드레인 전류가 흐르는 시간에 대응하는 양의 에너지가 축적된다.
Q101 드레인 전압은, MOSFET(Q101)이 턴 오프된 경우에 전압 공진 회로에 의해 생성된 플라이백 전압의 파형을 도시한다. 플라이백 전압의 최대값 Vd1은 전원 전압 Vcc보다 수배 더 높은 전압값과 등가이다.
도 2에 도시된 예에서, 드레인 전압이 0인 시점에서 스위칭이 실시된다. 이러한 동작은 일반적으로 "제로 볼트 스위칭(ZVS)"이라고 불린다. 이러한 제로 볼트 스위칭을 실행함으로써, MOSFET(Q101)이 턴 온될 때에 발생할 수도 있는 스위칭 손실 또는 방사 노이즈를 상당히 감소시킬 수 있다. 도 2에 도시된 예에서, 출력 전압 Vout은 출력 단자(104)에 발생된 전압의 파형을 나타낸다.
본 실시예에서, 부하 전류를 증가시켰을 때에 생성되는 회로 동작 파형에 대해서 상세하게 설명한다.
도 2에서, 부하의 저항이 W1 시점에서 증가되었음을 나타낸다. 출력 전압 Vout이 일정한 경우, 부하 전류는 감소하고, 전류값 검출 신호 A는 vi1에서 vi2로 변한다(vi1>vi2).
부하 전류는 출력 전압 Vout을 상승시킴으로써 증가될 수 있다. 따라서, 본 실시예는, MOSFET(Q101)의 구동(턴 온-오프) 주파수를 연장하고, 도 2에 도시된 X1 지점에서의 인덕터(L100)에 축적되는 에너지를 증가시킴으로써, 플라이백 전압의 최대값을 증가시킨다.
도 2의 Y1 지점에서 플라이백 전압의 최대값이 vd1로부터 vd2로 변하는 경우(vd2>vd1), 플라이백 전압의 최대값의 변화에 따라, 출력 전압 Vout은 Vo1로부터 vo2로 변한다. 또한, 출력 전압 Vout의 변화에 따라, 전류값 검출 신호 A도 vi2로부터 vi1로 변한다. MOSFET(Q101)의 구동(턴 온-오프) 주기를 길게 함으로써, 부하 전류를 증가시킬 수 있다.
이상과 같이, 본 실시예에서는, 복수의 콘덴서(용량 소자)와 복수의 다이오드에 의해 다단 정류 회로가 구성된다. 또한, 고압 전원에 전자기 트랜스포머를 설치하지 않고, 고압 전원은 고전압을 출력하도록 구성된 회로를 포함한다. 전술한 구성으로, 본 실시예는 소형 및 경량의 고압 전원을 저렴하게 구현할 수 있다.
또한, 용량 소자를 통해 전압 공진 회로에 접속되는 다단 정류 회로를 이용함으로써, 전압 공진 회로로의 교류 전류의 흐름과, 정류 회로(107)로의 직류 전류의 흐름이 서로 분리될 수 있다. 따라서, 부하에 인가되는 전류는 전류 검출 유닛에 의해 올바르게 검출될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 컨트롤러(101)는 전류값 검출 신호 A를 모니터링한다. 전술한 구성으로, 본 실시예는 부하에 일정한 전류가 흐르게 하기 위해 주파수 신호의 주파수를 가변 제어함으로써 정전류 제어를 용이하게 행할 수 있다.
본 실시예에서, 고압 전원은 양의 전압을 출력하는 회로 구성을 가진다. 그러나, 본 실시예는 이에 한정되지 않는다. 보다 구체적으로, 다단 정류 회로(107)의 다이오드가 반대 극성의 순서로 접속되는 경우(즉, 극성이 도 1에 도시된 다이오드의 극성과 반대되는 경우), 본 실시예에 따른 고압 전원은 음의 전압을 출력하는 회로 구성을 가질 수 있다.
음의 전압을 출력하는 회로 구성이 이용되는 경우, 다단 정류 회로(107)를 구성하는 다이오드의 극성은 도 1을 참조하여 전술한 회로에 포함된 다이오드의 극성과는 반대로 변한다.
전술한 동작과 유사하게, 다단 정류 회로(107)는 콘덴서에 의해 유지되는 전압의 플라이백 전압에의 추가를 정류단의 수만큼 반복하여 전압을 증폭하는 동작을 실행한다.
이제 본 발명의 제2 실시예가 상세하게 설명될 것이다. 본 실시예는 부하에 인가되는 전압을 검출하도록 구성된 전압 검출 유닛이 본 실시예에 추가적으로 포함된다는 점을 제외하고는 제1 실시예의 구성과 유사한 구성을 가진다.
본 실시예에서, 제1 실시예와 유사한 구성은 상세하게 설명되지 않을 것이고, 추가적으로 제공되는 전압 검출 유닛에 대해서는 상세하게 설명할 것이다.
도 3은 본 실시예에 따른 전원 회로의 일 예를 도시한다. 도 3을 참조하면, 전압 공진 회로 및 다단 정류 회로(207)는 제1 실시예의 대응 회로와 유사한 구성을 가진다. 도 3에 도시된 회로 구성은 기본적으로 도 1에 도시된 구성과 유사하다. 보다 구체적으로, 도 3에 도시된 회로는 후술하는 바와 같이 도 1에 도시된 회로 구성에 대응한다.
도 3의 컨트롤러(202) 및 클럭 발진기(202)는 도 1의 컨트롤러(101) 및 클럭 발진기(102)에 각각 대응한다. 도 3에 도시된 인덕터(L200), 콘덴서(C200) 및 스위칭 소자(Q201)는 도 1에 도시된 인덕터(L100), 콘덴서(C100) 및 MOSFET(Q101)에 각각 대응한다.
또한, 도 3에 도시된 다단 정류 회로(207)는 콘덴서(C201 내지 C205), 다이오드(D201 내지 D205)를 포함하는데, 이것은 도 1에 도시된 다단 정류 회로(107)의 콘덴서(C101 내지 C105), 다이오드(D101 내지 D105)에 각각 대응한다.
또한, 도 3에 도시된 전류 검출 유닛(206)은 저항(R201 내지 203), 콘덴서(C208), 및 OP 앰프(Q202)를 포함하는데, 이것은 도 1의 전류 검출 유닛(106)의 저항(R101 내지 R103), 콘덴서(C108), 및 OP 앰프(Q102)에 각각 대응한다. 또한, 도 3에 도시된 평활화 콘덴서(C206) 및 콘덴서(C207)는 도 1에 도시된 평활화 콘덴서(C106) 및 콘덴서(C107)에 각각 대응한다.
전술한 바와 같이, 본 실시예는 제1 실시예의 회로 구성에 추가하여 전압 검출 유닛(208)을 특징적으로 포함한다. 전압 검출 유닛(208)은 직접 접지되지 않고, 전류 검출 유닛(206)을 통해서 간접적으로 접지되도록 구성된다.
전술한 회로 구성으로, 본 실시예에서, 부하에 공급되는 전류(도 1에 도시된 전류 i1과 유사함)는 전류 검출 유닛(206)을 통해 공급되는 전류 i4(도 1에 도시된 전류 i2와 유사함)와 등가가 된다. 따라서, 검출 신호 C의 전류 값을 검출함으로써, 부하에 공급되는 전류가 검출될 수 있다.
이제, 전압 검출 유닛(208)의 예시적인 구성 및 동작이 상세하게 설명될 것이다.
전압 검출 유닛(208)은 저항(R204 및 R205)을 포함한다. 전압 검출 유닛(208)은 컨트롤러(201), 전류 검출 유닛(206) 및 출력 단자에 접속된다.
출력 전압 Vout은 저항(R204 및 R205)에 의해 분배된다. 따라서, 전압값 검출 신호 D는 출력 전압 Vout에 대응하는 전압값 VD를 출력한다. 전압값 VD는 아래의 식 2-1에 의해 표현될 수 있다.
[식 2-1]
VD=[Vout-{Vref*R203/(R202+R203)}]
*{R204/(R204+R205)}
+{Vref*R203/(R202+R203)}
부하에 인가되는 출력 전압 Vout은 아래의 식 2-2에 의해 표현될 수 있다.
[식 2-2]
Vout=[VD-{Vref*R203/(R202+R203)}]
/{R204/(R204+R205)}
+{Vref*R203/(R202+R203)}
전술한 식에 의해 나타난 바와 같이, 본 실시예는 컨트롤러(201)를 이용하여 전압값 검출 신호 D를 검출한다. 따라서, 본 실시예는 부하에 인가된 전압을 검출할 수 있다.
이제, 본 실시예에 따른 회로가 동작하는 때에 생성되는 예시적인 전류 및 전압 파형이 도 4를 참조하여 상세하게 설명될 것이다. 도 4에 도시된 파형은 전압 검출 유닛(208)에 의해 검출되는 전압을 일정한(즉, 정전압 제어를 실행하기 위한) 값으로 제어하는 데에 이용되는 파형의 일 예이다.
전류값 검출 신호 C, Q201 게이트 전압, Q201 드레인 전류 및 Q201 드레인 전압은 제1 실시예의 대응 회로 동작 파형과 유사한 회로 동작 파형이다. 도 4에 도시된 예에서, 전압값 검출 신호 D는 출력 전압 Vout을 전압값 VD로 변환함으로써 발생된 파형이다. 도 4에 도시된 예에서, 출력 전압 Vout은 출력 단자(204)에 발생되는 전압의 파형을 나타낸다.
본 실시예에서, 출력 전압이 증가될 때의 회로 동작 파형이 상세하게 설명될 것이다.
도 4에서, 부하의 저항은 W2 시점에서 감소함이 나타나 있다. 부하 전류가 일정한 경우(전류값 검출 신호 C가 vi3에서 일정함), 출력 전압 Vout은 감소하고, 전압값 검출 신호 D는 v3으로부터 v4로 변한다(v3>v4).
따라서, 본 실시예는 MOSFET(Q201)의 구동(컨 온-오프) 주파수를 연장하고, 도 4에 도시된 X2 지점에서 인덕터(L200)에 축적되는 에너지를 증가시킴으로써, 플라이백 전압의 최대값을 증가시킨다.
도 4의 Y2 지점에서 플라이백 전압의 최대값이 vd3으로부터 vd4로 변하는 경우(vd4>vd3), 플라이백 전압의 최대값의 변화에 따라 전류값 검출 신호 C는 vi3로부터 vi4로 변하고, 출력 전압 Vout은 vo4로부터 vo3으로 변한다(vo3>vo4). 또한, 출력 전압 Vout의 변화에 따라, 전압값 검출 신호 D는 v4에서 v3으로 변한다. MOSFET(Q201)의 구동(턴 온-오프) 주파수를 연장함으로써, 출력 전압은 증가될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 실시예에서는, 복수의 콘덴서(정전 용량 소자) 및 복수의 다이오드에 의해 다단 정류 회로가 구성된다. 또한, 고압 전원은 고전압을 출력하도록 구성된 회로를 포함한다. 전술한 구성으로, 본 실시예는 소형 및 경량의 고압 전원을 저렴한 비용으로 구현할 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 본 실시예는 컨트롤러(201)를 사용하여 전류값 검출 신호 C를 검출한다. 또한, 본 실시예는, 부하에 일정한 전류를 공급하기 위해 주파수를 가변 제어한다. 전술한 구성으로, 본 실시예는 부하에 인가되는 전압을 검출하면서 정전류 제어를 실시할 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 본 실시예는 컨트롤러(201)를 사용하여 전압값 검출 신호 D를 검출한다. 또한, 본 실시예는 부하에 일정한 전압을 인가하기 위해 제어 주파수를 가변 제어한다. 전술한 구성으로, 본 실시예는 부하에 공급되는 전류를 검출하면서 정전압 제어를 실행할 수 있다.
전술한 구성을 가지는 본 실시예에 따르면, 저비용의 소형 및 경량의 고압 전원이 구현될 수 있다. 또한, 본 실시예는 제1 실시예의 구성에 추가하여, 전압 검출 유닛(208)을 사용하여 고압 전원으로부터 부하로 출력을 실행하는 정전류 제어 및 정전압 제어를 실행할 수 있다.
이제, 본 발명의 제3 실시예가 상세하게 설명될 것이다. 본 실시예는, 본 실시예에서는 음 및 양의 전압이 모두 출력될 수 있으며, 전압을 중첩적으로 출력함으로써, 음 또는 양의 전압 중 하나의 전압이 출력될 수 있다는 점을 제외하고는 전술한 제2 실시예의 구성과 유사한 구성을 가진다.
도 5는 본 실시예에 따른 고압 전원의 예시적인 회로 구성을 도시한다. 도 5를 참조하면, 전압 공진 회로 및 다단 정류 회로가 전술한 제1 실시예와 유사한 방식으로 출력 전압을 제어하는 동작을 실행한다.
도 5에 도시된 예에서, 본 실시예에 따른 전원 회로는 도 1을 참조하여 제1 실시예에서 전술한 회로의 구성과 유사한 기본적인 구성을 가진다.
도 5에 도시된 컨트롤러(301) 및 클럭 발진기(302)는 각각 도 1에 도시된 컨트롤러(101) 및 클럭 발진기(102)에 대응된다. 도 5에 도시된 인덕터(L300), 콘덴서(C300) 및 스위칭 소자(Q301)는 각각 도 1에 도시된 인덕터(L100), 콘덴서(C100) 및 MOSFET(Q101)에 대응된다.
또한, 도 5에 도시된 다단 정류 회로(307)는, 도 1에 도시된 다단 정류 회로(107)의 콘덴서(C101 내지 C105)와 다이오드(D101 내지 D105)에 각각 대응되는 콘덴서(C301 내지 C305)와 다이오드(D301 내지 D305)를 포함한다.
또한, 도 5에 도시된 전류 검출 유닛(306)은, 도 1에 도시된 전류 검출 유닛(106)의 저항(R101 내지 R103), 콘덴서(C108) 및 OP 앰프(Q102)에 각각 대응하는 저항(R301 내지 R303), 콘덴서(C308) 및 OP 앰프(Q302)를 포함한다. 도 5에 도시된 예에서는, 부하에 인가되는 전류 i5는 도 1에 도시된 전류 i1에 대응한다.
또한, 검출 대상 전류인 i6은 도 1에 도시된 전류 i2에 대응한다. 또한, 도 5에 도시된 평활용 콘덴서(C306)와 콘덴서(C307)는 각각 도 1에 도시된 평활용 콘덴서(C106) 및 콘덴서(C107)에 대응한다.
본 실시예에서는, 다단 정류 회로(307)는 양의 전압을 출력한다. 정류 회로(307)에 추가하여, 그리고 별도로, 음의 전압을 출력하기 위한 다른 회로가 제공된다.
음의 전압을 출력하도록 구성된 회로는 스위칭 소자(Q351), 인덕터(L350), 콘덴서(C350)(인덕터(L350)와 콘덴서(C350)는 전압 공진 회로를 구성함), 콘덴서(C351 내지 C355) 및 다이오드(D351 내지 D355)를 포함하는 다단 정류 회로(357)로 구성된다. 다단 정류 회로(357)에서, 다이오드는 다단 정류 회로(307)의 다이오드와는 역방향으로 접속된다. 달리 말하면, 다단 정류 회로(357)는 음의 전압을 출력하도록 구성된다.
양의 전압 출력 유닛에서, 본 실시예는 제1 스위칭 소자(Q301), 제1 전압 공진 회로 및 양의 전압을 승압하는 다단 정류 회로(307)로 구성된 양의 전압 생성 회로를 포함한다. 또한, 음의 전압 출력 유닛에서, 본 실시예는 제2 스위칭 소자(Q351), 제2 전압 공진 회로 및 음의 전압을 승압하는 다단 정류 회로(357)로 구성된 음의 전압 생성 회로를 포함한다.
다단 정류 회로(307)는 콘덴서(C309)를 통해서 전압 공진 회로에 접속된다. 다단 정류 회로(357)는 콘덴서(C359)를 통해서 전압 공진 회로에 접속된다.
컨트롤러(301)와 클럭 발진기(302)는 양의 전압 생성 회로와 음의 전압 생성 회로에 접속되고, 제1 실시예와 마찬가지 방식으로 구동 주파수 신호를 이용함으로써 제어를 행한다.
다단 정류 회로(307)와 다단 정류 회로(357)는 이들의 출력측에서 서로 접속된다. 보다 구체적으로, 다단 정류 회로(307)와 다단 정류 회로(357)는 도 5에 도시된 바와 같이 블리더 저항(R307 및 R308)을 통해 서로 접속된다. 블리더 저항(R308)은 양의 전압 생성 회로에 제공되며, 블리더 저항(R307)은 음의 전압 생성 회로에 제공된다.
전류 검출 유닛(306)의 예시적인 구성 및 동작에 대해서 이하에서 상세히 설명한다. 본 실시예에서는, 전류 검출 유닛(306)은, 다단 정류 회로(307)의 입력측과 다단 정류 회로(357)의 입력측에서 컨트롤러(101)에 접속된다. 또한, 전압 검출 유닛(308)은 직접 접지되지 않고, 전류 검출 유닛(306)을 통해서 간접적으로 접지된다.
제1 실시예와 마찬가지로, 다단 정류 회로(307) 및 다단 정류 회로(357)는, 전압 공진 회로를 구성하는 인덕터(L300)와 콘덴서(C300) 사이의 AC 흐름을 방해하지 않고, 콘덴서(C309 및 C359)를 이용함으로써 전압 공진 회로를 통한 AC 흐름과, 다단 정류 회로(307)와 다단 정류 회로(357)를 통한 DC 흐름을 분리할 수 있다.
보다 구체적으로, 전류 검출 유닛(306)에 공급되는 전류 i6은 분리된 DC 전류이며, 부하에 인가되는 전류 i5와 동등하다. 따라서, 전류값 검출 신호 E를 모니터링함으로써, 부하에 공급되는 전류를 검출할 수 있다. 제1 실시예와 유사하게, 본 실시예는 전류 검출 유닛(306)에서 검출된 전류가 일정한 값이 되도록 제어할 수 있다.
전압 검출 유닛(308)의 예시적인 동작에 대해서 이하에서 상세히 설명한다. 전압 검출 유닛(308)은, 저항(R304 및 R305)으로 구성된다. 전압 검출 유닛(308)은 컨트롤러(301), 전류 검출 유닛(306) 및 출력 단자(304)에 접속된다.
출력 전압 Vout은 저항(R304, R305)에 의해 분압된다. 따라서, 전압값 검출 신호 F는 출력 전압 Vout에 대응하는 전압값 VF를 출력한다.
제2 실시예와 같이, 본 실시예는 전압 검출 유닛(308)에 의해 검출된 전압을 일정한 값으로 제어할 수 있다. 전압값 VF는, 이하의 식 3-1로 나타내어질 수 있다.
[식 3-1]
VF = [Vout - {Vref * R303/(R302 + R303)}]
* {R304/(R304 + R305)}
+ {Vref * R303/(R302 + R303)}
따라서, 부하에 인가되는 출력 전압 Vout은, 이하의 식 3-2로 나타내어질 수 있다.
[식 3-2]
Vout = [VF - {Vref * R303/(R302 + R303)}]
/{R304/(R304 + R305)}
+ {Vref * R303/(R302 + R303)}
따라서, 전압값 검출 신호 F를 모니터링함으로써, 본 실시예는 부하에 인가되는 전압을 검출할 수 있다.
음의 전압의 출력 시에, 전압 검출 유닛(308)은 출력 전압을 분압함으로써 얻어진 값을 검출한다. 따라서, 전압값 VF가 마이너스 전위를 취하지 않도록 저항(R304 및 R305)의 값이 조정된다.
전술한 구성으로, 본 실시예는 소형이고 경량이며, 저렴하고, 양의 전압과 음의 전압을 모두 출력 가능하고, 부하에 흐르는 전류와 부하에 인가되는 전압을 검출하도록 구성된 고압 전원을 구현할 수 있다.
본 발명의 제4 실시예가 이하에서 상세히 설명된다. 본 실시예는, 제1 실시예 내지 제3 실시예의 구성에 추가하여, 출력 전압을 제어하도록 구성된 전압 공급 가변 제어 유닛(409)을 포함하는 것을 특징적인 구성으로 한다. 본 실시예에서, 제1 실시예 내지 제3 실시예와 유사한 컴포넌트, 유닛, 회로 및 구성에 대해서는 상세히 설명하지 않는다.
도 6은 본 실시예에 따른 고압 전원의 예시적인 회로 구성을 도시한다. 도 6을 참조하면, 전압 공진 회로, 다단 정류 회로(407), 전류 검출 유닛(406) 및 전압 검출 유닛(408)은 전술한 제1 실시예의 각각의 대응하는 유닛의 동작과 유사한 동작을 행한다.
도 6에 도시된 예에서는, 본 실시예에 따른 전원 회로는 도 1을 참조하여 제1 실시예에서 전술한 회로와 유사한 기본 구성을 갖는다.
도 6에 도시된 컨트롤러(401)와 클럭 발진기(402)는 각각 도 1에 도시된 컨트롤러(101)와 클럭 발진기(102)에 대응된다. 도 6에 도시된 인덕터(L400), 콘덴서(C400) 및 스위칭 소자(Q401)는 각각 도 1에 도시된 인덕터(L100), 콘덴서(C100) 및 MOSFET(Q101)에 대응된다.
또한, 도 6에 도시된 다단 정류 회로(407)는, 도 1에 도시된 다단 정류 회로(107)의 콘덴서(C101 내지 C105)와 다이오드(D101 내지 D105)에 대응되는 콘덴서(C401 내지 C405)와 다이오드(D401 내지 D405)를 포함한다.
또한, 도 6에 도시된 전류 검출 유닛(406)은, 도 1에 도시된 전류 검출 회로(106)의 저항(R101 내지 R103), 콘덴서(C108) 및 OP 앰프(Q102)에 대응하는 저항(R401 내지 R403), 콘덴서(C408) 및 OP 앰프(Q402)를 포함한다. 도 6에 도시된 예에서는, 부하에 인가되는 전류 i7은 도 1에 도시된 전류 i1에 대응한다.
또한, 검출 대상 전류인 전류 i8은 도 1에 도시된 전류 i2에 대응한다. 또한, 도 6에 도시된 평활용 콘덴서(C406)와 콘덴서(C407)는 각각 도 1에 도시된 평활용 콘덴서(C106) 및 콘덴서(C107)에 대응한다.
이제, 본 실시예의 특징인 전압 공급 가변 제어 유닛(409)의 예시적인 동작에 대해서 설명한다.
콘트롤러(401)는 스위칭 소자(Q404)에 접속된다. 본 실시예에서는, 스위칭 소자(Q404)의 일례로서, 전계 효과 트랜지스터(Q404)(이하, 간단히 "MOSFET(Q404)"로 지칭함)가 사용된다. MOSFET(Q404)과 저항(R409)은 콘트롤러(401)로부터의 PWM(pulse width modulation) 신호를 기준 전압 Vref의 클럭 신호로 변환한다.
변환된 클럭 신호는 저항(R410) 및 콘덴서(C410)를 포함하는 로우 패스 필터 회로에 의해 아날로그의 DC 신호로 변환되어, 트랜지스터(Q403)의 베이스(base) 전위를 변화시킨다. 따라서, 트랜지스터(Q403)의 베이스와 이미터 간의 전압과 동등한 수준으로 저하된 전압이 인덕터(L400)에 공급된다. 전압 공급 가변 제어 유닛(409)은 전술한 방식으로 인덕터(L400)에 공급되는 전압을 가변 제어할 수 있다.
인덕터(L400)에 공급되는 전압을 가변 제어함으로써 행해지는 본 실시예에 따른 예시적인 출력 전압 제어에 대해서 이하에서 상세히 설명한다. MOSFET(Q401)의 게이트 단자에는 클럭 발진기(402)에 의해 구동 주파수 신호가 입력된다.
본 실시예에서, 구동 주파수 신호는 스위칭 소자(Q401)의 하드 스위칭(hard switching)을 방지하기 위한 미리 정해진 주파수의 신호이고, 컨트롤러(401)로부터 클럭 발진기(402)를 통해서 스위칭 소자(Q401)에 입력된다.
구동 주파수 신호의 주파수를 고정값으로 설정하는 대신에, 구동 주파수 신호의 주파수의 값을 가변적으로 설정할 수 있다. 출력 전압의 제어에서, 인덕터(L400)에 공급되는 전압을 증가시킴으로써 출력 전압이 상승될 수 있다. 반면에, 인덕터(L400)에 공급되는 전압을 감소시킴으로써 출력 전압을 감소시킬 수 있다.
출력 전압의 제어에 대해서 보다 구체적으로 설명하면, 인덕터(L400)에 공급하는 전압이 상승하면, 전압 공진 회로에 의해 생성되는 플라이백 전압의 최대값이 증가된다. 즉, 이러한 경우에 출력 단자(404)로부터 출력되는 전압이 높아진다. 반면, 인덕터(L400)에 공급하는 전압을 감소시키면 전압 공진 회로에 의해 생성되는 플라이백 전압 파형의 최대값이 감소된다. 즉, 이러한 경우에 출력 단자(404)로부터 출력되는 전압은 낮아진다.
이와 같이, 본 실시예는 인덕터(L400)에 공급되는 전압을 가변 제어함으로써 출력 전압을 제어할 수 있다.
전술한 실시예와 유사하게, 본 실시예는 전류 검출 유닛(406)에서 검출되는 전류를 일정한 값으로 제어하고, 전압 검출 유닛(408)에서 검출되는 전압을 일정한 값으로 제어할 수 있다.
전술한 구성으로, 본 실시예는, 소형 또한 경량이고, 저렴하며 양의 전압과 음의 전압을 모두 출력 가능하고, 부하에 흐르는 전류와 부하에 인가되는 전압을 검출하도록 구성된 고압 전원을 구현할 수 있다. 또한, 인덕터에 공급되는 전압을 가변 제어함으로써, 본 실시예는 출력 전압을 대략적으로 제어할 수 있다. 그 결과, 본 실시예는 폭넓은 범위의 전압을 용이하게 출력 가능하다.
전술한 제1 실시예 내지 제4 실시예에서는, 정류 회로는 5개의 다이오드와 5개의 콘덴서로 구성된다. 따라서, 플라이백 전압이 200(V)이면, 예를 들어 본 실시예는 전압을 약 600V로 승압할 수 있다.
다이오드와 콘덴서의 갯수는 전술한 갯수로 제한되지 않는다. 달리 말하면, 다이오드 또는 콘덴서는 요구되는 출력 전압에 따라 결정된 갯수만큼 추가될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 고압 전원은 프린터, 복사기 또는 팩시밀리 등의 화상 형성 장치에 적용 가능하다. 본 발명의 실시예에 따른 고압 전원이 화상 형성 장치의 일례인 전자 사진 방식의 프린터에 적용되는 경우를 이하에서 상세히 설명한다.
전술한 실시예에 따른 고압 전원은, 전자 사진 방식의 프린터의 화상 형성 유닛에 고전압을 인가하기 위한 고압 전원으로서 적용 가능하다.
도 8a는 전자 사진 방식의 프린터의 일례인 레이저 빔 프린터의 주요 구성요소를 도시한다. 도 8a를 참조하면, 레이저 빔 프린터(200)는 감광 드럼(211), 대전 유닛(217), 및 현상 유닛(212)을 포함한다. 감광 드럼(211)은 잠상이 형성된 화상 담지 부재이다. 대전 유닛(217)은 감광 드럼(211)의 표면을 균일하게 대전하도록 구성된다. 현상 유닛(212)은 토너를 이용하여 감광 드럼(211) 상에 형성된 잠상을 현상하도록 구성된다.
전사 유닛(218)은 감광 드럼(211) 상에 형성된 토너 화상을 카세트(216)로부터 공급된 기록재로서의 시트(도시되지 않음)에 전사한다. 또한, 시트에 전사된 토너 화상은 정착 디바이스(214)에 의해 정착된다. 이어서, 정착된 화상을 갖는 시트는 트레이(215)로 배출된다. 감광 드럼(211), 대전 유닛(217), 현상 유닛(212) 및 전사 유닛(218)은 화상 형성 유닛을 구성한다.
도 8b는 레이저 빔 프린터(200)에 설치되는 복수의 고압 전원(예를 들어, 제1 실시예 내지 제4 실시예에 따른 전원 회로) 각각으로부터 출력된 고전압을 대전 유닛(217), 현상 유닛(212) 및 전사 유닛(218)에 각각 출력하는 예시적인 구성을 도시한다.
도 8b를 참조하면, 고압 전원 1(501)은 대전 유닛(217)에 고전압을 출력한다. 고압 전원 2(502)는 현상 유닛(212)에 고전압을 출력한다. 고압 전원 3(503)은 전사 유닛(218)에 고전압을 출력한다.
각 고압 전원 1 내지 3으로부터 출력되는 고전압의 값은, 컨트롤러(제어 유닛)(500)로부터 출력되는 제어 신호에 따라 필요한 전압값으로 제어된다. 예를 들어, 대전 유닛(217)에 고전압이 출력되면, 대전 유닛(217)에 공급되는 전류는 전술한 전류 검출 유닛에 의해 검출된다. 검출된 전류값을 미리 정해진 값으로 제어하기 위해 출력을 조정한다.
또한, 전사 유닛(218)에 고전압을 출력하면, 전사 유닛(218)에 공급되는 전류는 전술한 전류 검출 유닛에 의해 검출된다. 검출된 전류값을 미리 정해진 값으로 제어하기 위해 출력을 조정한다.
또한, 현상 유닛(212)에 고전압을 출력하면, 현상 유닛(212)에 공급되는 전압은 전술한 전압 검출 유닛에 의해 검출된다. 검출된 전압값을 미리 정해진 값으로 제어하기 위해 출력을 조정한다. 전술한 바와 같이, 본 발명의 고압 전원은 화상 형성을 실행하기 위해 고전압을 인가하도록 적용될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예 내지 제4 실시예에 따른 고압 전원이 전자 사진 방식 프린터의 고압 전원에 적용되면, 화상 형성 장치의 크기, 비용 및 무게를 용이하게 감소시킬 수 있다.
본 발명은 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 개시된 실시예들로 제한되지 않는다는 것이 이해될 것이다. 이하의 청구범위의 범주는 모든 변경, 등가 구조 및 기능을 포함하도록 광의의 해석을 따라야 한다.
본 출원은 그 전체 내용이 본원에서 참조로 합체된 2010년 7월 9일자로 출원된 일본 특허 출원 제2010-156922호를 우선권 주장한다.

Claims (21)

  1. 스위칭 유닛과,
    상기 스위칭 유닛에 접속되고, 상기 스위칭 유닛의 구동에 따라서 전압이 인가되도록 구성된 인덕터와,
    상기 인덕터에 접속되어 상기 인덕터에서 생성된 전압을 정류하도록 구성되며, 상기 인덕터에서 생성된 전압을 정류하는 복수의 정류 소자와 상기 정류 소자에 의해 정류된 전압을 보유하는 복수의 콘덴서를 포함하는 정류 유닛과,
    상기 인덕터와 상기 정류 유닛 사이에 접속되어, 상기 인덕터에 흐르는 교류 전류와 상기 정류 유닛의 복수의 정류 소자에 흐르는 직류 전류를 분리하도록 구성된 분리용 콘덴서를 포함하는 전원.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 분리용 콘덴서에서 분리된 상기 직류 전류를 검출하도록 구성된 검출 유닛을 추가로 포함하는 전원.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 검출 유닛은 상기 직류 전류를 전압으로 변환하도록 구성된 연산 증폭기를 포함하는 전원.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정류 유닛은, 상기 인덕터에 일단이 연결된 제1 콘덴서와, 상기 제1 콘덴서의 타단과 캐소드 단자가 연결된 제1 다이오드와, 상기 제1 다이오드의 애노드 단자와 일단이 연결된 제2 콘덴서와, 상기 제2 콘덴서의 타단과 캐소드 단자가 연결된 제2 다이오드와, 상기 제2 다이오드의 애노드 단자와 연결된 제2 콘덴서를 포함하고,
    상기 정류 유닛으로부터 출력되는 전압은 양의 전압인 전원.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정류 유닛은, 상기 인덕터에 일단이 연결된 제1 콘덴서와, 상기 제1 콘덴서의 타단과 애노드 단자가 연결된 제1 다이오드와, 상기 제1 다이오드의 캐소드 단자와 일단이 연결된 제2 콘덴서와, 상기 제2 콘덴서의 타단과 애노드 단자가 연결된 제2 다이오드와, 상기 제2 다이오드의 캐소드 단자와 연결된 제2 콘덴서를 포함하고,
    상기 정류 유닛으로부터 출력되는 전압은 음의 전압인 전원.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정류 유닛은 상기 인덕터에 생성된 전압을 상기 정류 소자와 상기 콘덴서의 개수에 대응하는 전압으로 승압하여 출력하는 전원.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인덕터에 입력되는 전압을 가변하도록 구성된 전압 공급 가변 제어 유닛을 추가로 포함하는 전원.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정류 유닛으로부터 출력되는 전압을 검출하도록 구성된 전압 검출 유닛을 추가로 포함하는 전원.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스위칭 유닛을 소정의 주파수로 구동하기 위한 구동 신호를 상기 스위칭 유닛에 공급하도록 구성된 신호 공급 유닛을 추가로 포함하고,
    상기 신호 공급 유닛은 상기 구동 신호의 주파수를 변경할 수 있는 전원.
  10. 기록재에 화상을 형성하도록 구성된 화상 형성 유닛과,
    상기 화상 형성 유닛에 전압을 인가하도록 구성된 전원을 포함하는 화상 형성 장치이며,
    상기 전원은
    스위칭 유닛과,
    상기 스위칭 유닛에 접속되고, 상기 스위칭 유닛의 구동에 따라서 전압이 인가되도록 구성된 인덕터와,
    상기 인덕터에 접속되어 상기 인덕터에서 생성된 전압을 정류하도록 구성되며, 상기 인덕터에서 생성된 전압을 정류하는 복수의 정류 소자와 상기 정류 소자에 의해 정류된 전압을 보유하는 복수의 콘덴서를 포함하는 정류 유닛과,
    상기 인덕터와 상기 정류 유닛 사이에 접속되어 상기 인덕터에 흐르는 교류 전류와 상기 정류 유닛의 복수의 정류 소자에 흐르는 직류 전류를 분리하도록 구성된 분리용 콘덴서를 포함하는 화상 형성 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 분리용 콘덴서에서 분리된 상기 직류 전류를 검출하는 검출 유닛을 포함하는 화상 형성 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 검출 유닛은 상기 직류 전류를 전압으로 변환하는 연산 증폭기를 추가로 포함하는 화상 형성 장치.
  13. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정류 유닛은, 상기 인덕터에 일단이 연결된 제1 콘덴서와, 상기 제1 콘덴서의 타단과 캐소드 단자가 연결된 제1 다이오드와, 상기 제1 다이오드의 애노드 단자와 일단이 연결된 제2 콘덴서와, 상기 제2 콘덴서의 타단과 캐소드 단자가 연결된 제2 다이오드와, 상기 제2 다이오드의 애노드 단자와 연결된 제2 콘덴서를 포함하고,
    상기 정류 유닛으로부터 출력되는 전압은 양의 전압인 화상 형성 장치.
  14. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정류 유닛은, 상기 인덕터에 일단이 연결된 제1 콘덴서와, 상기 제1 콘덴서의 타단과 애노드 단자가 연결된 제1 다이오드와, 상기 제1 다이오드의 캐소드 단자와 일단이 연결된 제2 콘덴서와, 상기 제2 콘덴서의 타단과 애노드 단자가 연결된 제2 다이오드와, 상기 제2 다이오드의 캐소드 단자와 연결된 제2 콘덴서를 포함하고,
    상기 정류 유닛으로부터 출력되는 전압은 음의 전압인 화상 형성 장치.
  15. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정류 유닛은 상기 인덕터에 생성된 전압을 상기 정류 소자와 상기 콘덴서의 개수에 대응하는 전압으로 승압하여 출력하는 화상 형성 장치.
  16. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인덕터에 입력되는 전압을 가변하도록 구성된 전압 공급 가변 제어 유닛을 추가로 포함하는 화상 형성 장치.
  17. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정류 유닛으로부터 출력되는 전압을 검출하도록 구성된 전압 검출 유닛을 추가로 포함하는 화상 형성 장치.
  18. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화상 형성 유닛은 화상 담지 부재를 대전하도록 구성된 대전 유닛이고,
    상기 검출 유닛은 상기 대전 유닛에 흐르는 상기 직류 전류를 검출하는 화상 형성 장치.
  19. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화상 형성 유닛은 화상 담지 부재에 형성된 토너 화상을 전사 부재에 전사하는 전사 유닛이고,
    상기 검출 유닛은 상기 전사 유닛에 흐르는 상기 직류 전류를 검출하는 화상 형성 장치.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 화상 형성 유닛은 화상 담지 부재에 형성된 잠상을 현상하도록 구성된 현상 유닛이고,
    상기 현상 담지 부재에 출력될 전압은 상기 전압 검출 유닛에 의해 검출되는 전압에 기초해서 제어되는 화상 형성 장치.
  21. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스위칭 유닛을 소정의 주파수로 구동하기 위한 구동 신호를 상기 스위칭 유닛에 공급되도록 구성된 신호 공급 유닛을 추가로 포함하고,
    상기 신호 공급 유닛은 상기 구동 신호의 주파수를 변경할 수 있는 화상 형성 장치.
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