KR20140137336A - 외부 보상용 감지 회로, 이의 감지 방법 및 표시 장치 - Google Patents

Abstract

외부 보상용 감지 회로, 이의 감지 방법 및 표시 장치가 개시된다. 외부 보상용 감지 회로는 차동 증폭기(9), 제1 커패시터(4), 제2 커패시터(8) 및 상기 제1 커패시터에 대한 출력 전압 제어 회로(10)를 포함하고; 상기 차동 증폭기(9)의 네거티브 입력 단자는 표시 패널(1)에 연결되고, 상기 차동 증폭기의 포지티브 입력 단자는 기준 전압에 연결되고, 상기 차동 증폭기의 출력 단자는 상기 제1 커패시터에 대한 상기 출력 전압 제어 회로(10)의 출력 단자에 연결되며; 상기 제1 커패시터(4)에 대한 상기 출력 전압 제어 회로(10)는 후속 전류 적분 스테이지에서 상기 제1 커패시터(4)의 출력 전압이 기준 전압을 기반으로 변하도록 하는데 이용된다. 본 발명의 실시 예들에 따른 외부 보상용 감지 회로, 이의 감지 방법 및 표시 장치는, 상이한 채널들간의 증폭기들의 오프셋에 의해 유발되는 전압 출력들의 차를 제거하고 전압 출력의 정확도를 향상시키기 위해 초기 스테이지에서 증폭기의 오프셋 전압을 커패시터를 이용하여 저장할 수 있다.

Description

외부 보상용 감지 회로, 이의 감지 방법 및 표시 장치{SENSING CIRCUIT FOR EXTERNAL COMPENSATION, SENSING METHOD THEREOF AND DISPLAY APPARATUS}

본 발명은 유기 발광 표시 기술 분야에 관한 것이며 특히 외부 보상용 감지 회로, 이의 감지 방법 및 표시 장치에 관한 것이다.

전류-형 발광 소자로서, 유기 발광 다이오드(OLED)는 고성능의 표시 장치에 점점 더 많이 이용되고 있다. 전통적인 수동 매트릭스 OLED는 디스플레이 크기의 증가에 따라서 단일 픽셀에 대한 좀더 짧은 구동 시간을 필요로 하며, 그럼으로써 과도 전류가 증가해야 하고 전력 소모가 증가한다. 또한, 큰 전류의 인가로 인해 나노미터 인듐 주석 산화물(ITO)의 와이어들에 과대 전압 강하(over-large voltage drop)가 생길 수 있고, OLED의 초과 동작 전압(over-high operation voltage)이 초래되며, 이는 OLED의 효율을 떨어뜨릴 수 있다. 이에 비해서, 능동 매트릭스 OLED(AMOLED)는 스위치 트랜지스터들로 입력 OLED 전류를 점진적으로 주사함으로써 이들 문제를 완벽하게 해결할 수 있다.

AMOLED의 백보드 설계에 있어서, 해결되어야 할 필요가 있는 주 문제는 픽셀 유닛 회로들 간의 밝기의 비-균일성이다.

먼저, AMOLED는 OLED 소자들에 대응 전류를 제공하기 위해서 박막 트랜지스터들(TFTs)로 픽셀 유닛 회로를 구성한다. 종래 기술에서는, 저온 폴리-실리콘 TFT(LTPS TFT) 또는 산화물 TFT가 주로 이용된다. 일반적인 비정질-실리콘 TFT에 비해서, LTPS TFT 및 산화물 TFT는 좀더 높은 이동도 및 좀더 안정한 성능을 가지며, AMOLED 디스플레이에 적용되기에 좀더 적합하다. 그러나, 대면적의 유리 기판에 제조된 LTPS TFT는 결정화 공정에 관한 한계 때문에 종종 임계 전압, 이동도 등과 같은 전기적 파라미터에서 비-균일성을 갖는다. 그러한 비-균일성은 OLED 표시 장치들의 전류 차 및 밝기 차로서 변형될 수 있고 사람 눈으로 감지될 수 있으며, 이는 뮤라(Mura) 현상이라 한다. 산화물 TFT는 공정에서 양호한 균일성을 갖지만, a-Si TFT와 같이, 그의 임계 전압은 긴 시간 압력 및 고온에서 드리프트(drift)하며 패널의 각 파트에 있는 TFT의 임계 전압에서의 드리프트 양은 표시된 화상들이 상이하기 때문에 상이할 것이며, 이는 표시 밝기의 차를 초래할 수 있다. 그러한 차는 이전에 표시된 이미지들에 관한 것이기 때문에, 이는 일반적으로 이미지 스티킹 현상(image sticking phenomenon)으로 나타난다.

둘째, 크기가 큰 디스플레이 응용에서, 백보드의 전력 라인들은 특정 저항을 갖고 있고 모든 픽셀들에 대한 구동 전류는 ARVDD 전원에 의해 공급되기 때문에, ARVDD 전원의 공급 위치에 인접한 영역에서의 전원 전압은 백보드 내의 공급 위치로부터 떨어져 있는 영역에서의 전원 전압보다 높으며, 그러한 현상은 전원의 전압 강하(IR Drop)라 불린다. ARVDD 전원의 전압이 전류와 연관되기 때문에 IR Drop은 또한 상이한 영역들 간에 전류 차를 초래할 수 있고, 그 다음에, 표시할 때 뮤라 현상을 발생할 수 있다. P-타입 TFT들로 픽셀 유닛을 구성하는 LTPS 공정은, 그의 저장 커패시터가 ARVDD 전압과 TFTs의 게이트 간에 연결되기 때문에, 이 문제에 특히 민감하며, TFT의 게이트에서의 전압 Vgs는 ARVDD의 전압이 변할 때 직접 영향을 받는다.

셋째, OLED 소자는 또한 증발시에 막들의 두께에 있어서의 비-균일성 때문에 전기 성능에 있어 비-균일성을 초래할 수 있다. N-타입 TFTs로 픽셀 유닛을 구성하는 비정질-실리콘 또는 산화물 TFT 공정의 경우, 그의 저장 커패시터는 구동 TFT의 게이트와 OLED의 애노드 사이에 연결되며, 실제로 TFTs에 인가된 게이트 전압 Vgs은 데이터 전압이 게이트들에 전달될 때 각 픽셀들에 대한 OLEDs의 애노드들에서의 전압들이 상이한 경우 상이하며, 그래서 상이한 구동 전류들은 표시 밝기에 있어서 차이를 초래할 수 있다.

AMOLED는 구동 타입 기반으로 3개의 주요 부류로 분류될 수 있다: 디지털 타입, 전류 타입 및 전압 타입. 여기서, 디지털 타입 구동 방법은 비-균일성을 보상함이 없이 스위치로서 작용하는 TFTs를 이용하여 구동 타이밍을 제어하는 식으로 그레이 스케일을 실현하지만, 그의 동작 주파수는 디스플레이 크기가 커질수록 더욱 증가할 것이며, 이는 큰 전력 소모를 초래하고 특정 범위 내에서 설계의 물리적인 한계에 봉착하며, 그러므로 이는 큰 크기의 디스플레이 응용에는 적합하지 않다. 전류 타입 구동 방법은 구동 트랜지스터들에 상이한 값의 전류들을 직접 제공하는 방식으로 그레이 스케일을 실현하며, TFT의 비-균일성 및 IR 강하를 잘 보상할 수 있으나, 낮은 그레이 스케일을 갖는 신호가 기록될 때, 작은 전류가 데이터 라인 상의 큰 기생 커패시터를 충전시키기 때문에 너무-긴 기록 시간(over-long write time)이 소요될 수 있으며, 그러한 문제는 큰 크기의 디스플레이에서 특히 심각하며 극복되지 않을 수 있다. 전압 타입 구동 방법은 전통적인 능동 매트릭스 액정 디스플레이(AMLCD)에 대한 구동 방법과 유사하며 그레이 스케일을 나타내는 전압 신호를 구동 IC로 제공하며, 전압 신호는 휘도 그레이 스케일을 실현하도록 OLED를 구동하기 위해서 픽셀 회로 내의 구동 트랜지스터의 전류 신호로 변환될 수 있다. 그러한 방법은 빠른 구동 속도와 간단한 구현이라는 장점을 가지며, 이는 큰 크기의 패널을 구동하는데 적합하고 산업계에 널리 이용되며, 그러나 TFTs의 비-균일성, IR Drop 및 OLED의 비-균일성을 보상하기 위해서 추가의 TFTs 및 커패시터 소자들을 설계할 필요가 있다.

도 1은 종래 기술의 전형적인 픽셀 유닛 회로를 보여주고 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 전형적인 픽셀 유닛 회로는 2개의 박막 트랜지스터 T2 및 T1와 하나의 커패시터 C를 포함한다. 이 회로는 전압 구동 타입의 픽셀 회로에 대한 전형적인 구조(2T1C)이다. 여기서 박막 트랜지스터 T2는 스위치 트랜지스터로서 동작하고, 데이터 라인 상의 전압을 구동 트랜지스터로서 동작하는 박막 트랜지스터 T1의 게이트에 전달하고, 구동 트랜지스터는 데이터 전압을 OLED 소자에 공급될 대응 전류로 변환한다. 구동 트랜지스터 T1은 정상적으로 동작할 때는 포화 존에 있어야 하고, 한 행에 대한 주사 기간 동안 정전류를 제공한다. 이 전류는 다음과 같이 표현될 수 있다:

여기서 μ _n 은 캐리어들의 이동도이고, C_OX는 게이트에 있는 산화물층 내의 캐패시턴스이며,

은 트랜지스터의 폭-길이 비율이고, V _data 는 데이터 라인 상의 신호 전압이고 V _OLED 는 OLED의 동작 전압이고 모든 픽셀 유닛 회로에 의해 공유되고, V _thn 은 TFT의 임계 전압이며, 이는 강화형 TFT에 대해서는 포지티브 값이고 공핍 TFT에 대해서는 네거티브 값이다. 위의 식으로부터 V _thn 이 상이한 픽셀 유닛들 간에 상이하면 전류들이 상이하다는 것을 알 수 있다. 픽셀의 V _thn 가 시간에 따라 드리프트하면 드리프트 전후의 전류들은 상이할 것이고, 이는 이미지 스티킹(sticking)으로 나타난다. 또한, 전류의 차는 또한 OLED 소자들의 비-균일성 때문에 OLED들의 동작 전압의 차에 의해서 발생한다.

V _thn 의 비-균일성, OLED들의 드리프팅 및 비-균일성을 보상하기 위한 다양한 픽셀 구조가 있으며, 이들은 일반적으로 2개의 부류, 즉 내부 보상 및 외부 보상으로 분류된다. 여기서, 외부 보상의 설계에 있어서 주요한 어려움은 전류 감지 회로이고, 표시 패널(PANEL) 내의 각 열의 픽셀들(Pixel)은 일반적으로 판독 속도를 높이기 위해서 각각 하나의 감지 회로 유닛에 대응한다. 감지 회로의 주기능은 전류 출력 또는 입력을 전압 신호로 변환하는 것이며, 이 전압 신호는 후속 ADC 모듈에 전달되어 더 처리된다. 전통적인 감지 회로는 전류 적분기들로 구성되고, 변환된 출력 전압은 증폭기의 오프셋 전압과 연관된다. 감지 회로 유닛들 각각에 있는 증폭기의 오프셋 전압은 일반적으로 공정 에러 및 시스템 에러 때문에 서로 상이하며, 그러므로 출력 전압의 정확도가 떨어질 수 있고, 그래서 표시 패널 내의 각 열들 간의 전류 차가 정확하게 비교될 수 없다.

위의 문제들을 해결하기 위해서, 본 발명은 유익한 개선을 성취하였다.

기술적인 문제점들은 상이한 채널들 간의 증폭기들의 오프셋에 의해 유발되는 전압 출력들의 차를 제거할 수 있고 전압 출력의 정확도를 향상시킬 수 있는 외부 보상용 감지 회로, 이의 감지 방법 및 표시 장치를 제공하는 본 발명에 의해 해결된다.

본 발명은 다음과 같은 해법들에 의해 구현될 수 있다. 외부 보상용 감지 회로는 차동 증폭기, 제1 커패시터, 제2 커패시터 및 제1 커패시터에 대한 출력 전압 제어 회로를 포함하고;

상기 차동 증폭기의 네거티브 입력 단자는 표시 패널에 연결되고, 상기 차동 증폭기의 포지티브 입력 단자는 기준 전압에 연결되고, 상기 차동 증폭기의 출력 단자는 상기 제1 커패시터에 대한 상기 출력 전압 제어 회로의 출력 단자에 연결되며;

상기 제1 커패시터의 양단은 상기 차동 증폭기의 상기 네거티브 입력 단자 및 상기 제1 커패시터에 대한 상기 출력 전압 제어 회로의 입력 단자에 각각 연결되며;

상기 제2 커패시터의 한 단은 상기 제1 커패시터에 대한 상기 출력 전압 제어 회로의 출력 단자에 연결되고, 상기 제2 커패시터의 다른 단은 접지되며;

상기 제1 커패시터에 대한 상기 출력 전압 제어 회로는 후속 전류 적분 스테이지에서 상기 제1 커패시터의 출력 전압이 기준 전압을 기반으로 변하도록 하는데 이용된다.

여기서, 제1 스위치는 상기 차동 증폭기의 상기 네거티브 입력 단자와 상기 표시 패널 사이에 배치되며, 제2 스위치는 상기 제1 커패시터의 양단 사이에 배치되며, 제3 스위치는 상기 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터에 대한 상기 출력 전압 제어 회로의 상기 출력 단자 사이에 배치된다.

더욱이, 상기 제1 커패시터에 대한 상기 출력 전압 제어 회로는 제1 출력 회로와 제2 출력 회로를 포함하고;

상기 제1 출력 회로의 입력 단자는 상기 제1 커패시터에 연결되고, 상기 제1 출력 회로의 출력 단자는 상기 차동 증폭기의 상기 출력 단자에 연결되고; 제4 스위치는 상기 제1 출력 회로의 상기 입력 단자와 상기 출력 단자 사이에 배치되며;

상기 제2 출력 회로의 입력 단자는 상기 제1 커패시터에 연결되고, 상기 제2 출력 회로의 출력 단자는 기준 전압에 연결되고; 제5 스위치는 상기 제2 출력 회로의 상기 입력 단자와 상기 출력 단자 사이에 배치된다.

선택적으로, 상기 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 스위치 모두는 MOS 트랜지스터이다.

본 발명의 실시 예들은 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 외부 보상용 감지 회로를 포함하는 표시 장치를 더 제공한다.

본 발명의 실시 예들은 상기 외부 보상용 감지 회로의 감지 방법을 더 제공하고, 이 방법은:

차동 증폭기를 단위-이득 상태(unity-gain state)에 바이어싱(biasing)하고 제1 커패시터를 방전하는 단계;

상기 제1 커패시터를 표시 패널로부터의 전류로 충전 또는 방전하고, 상기 제1 커패시터에 대한 상기 출력 전압 제어 회로로 상기 제1 커패시터의 상기 출력 전압이 기준 전압을 기반으로 변하도록 하는 단계; 및

상기 전압을 제2 커패시터에 저장하는 단계를 포함한다.

종래 기술 및 제품에 비해서, 본 발명의 실시 예들은 다음과 같은 장점을 갖는다.

본 발명의 실시 예들은 출력 전압이 후속 전류 적분 스테이지에서 차동 증폭기의 오프셋 전압에 무관하도록, 제1 커패시터에 대한 출력 전압 제어 회로로, 초기 스테이지에서 증폭기의 오프셋 전압을 제1 커패시터를 이용하여 저장하고, 상이한 채널들 간의 증폭기들의 오프셋 전압에 의해 유발되는 출력들의 차를 제거하여 전압 출력의 정확도를 향상시킨다.

도 1은 종래 기술의 픽셀 유닛 회로의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예들에 따른 외부 보상용 감지 회로의 회로도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예들에 따른 외부 보상용 감지 회로의 감지 방법의 단계들을 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예들에 따른 외부 보상용 감지 회로 내의 출력 전압들의 타이밍 비교 도이다.

본 발명의 특정 구현들은 하기에서 도면과 연관지어서 상세하게 기술된다.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시 예는 능동 매트릭스 유기 발광 다이오드(AMOLED) 디스플레이에 적용된 외부 보상용 전류 감지 회로, 즉 차동 증폭기(9), 제1 커패시터(4), 제2 커패시터(8) 및 제1 커패시터용 출력 전압 제어 회로(10)를 포함하는 외부 보상용 감지 회로를 제공한다.

차동 증폭기(9)의 네거티브 입력 단자는 표시 패널(1)(PANEL)에 연결되어 있고, 포지티브 입력 단자는 기준 전압(VREL)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 제1 커패시터용 출력 전압 제어 회로(10)의 출력 단자에 연결되어 있다.

제1 커패시터(4)의 양단은 각각 차동 증폭기(9)의 네거티브 입력 단자와 출력 전압 제어 회로(10)의 입력 단자에 연결되어 있다.

제2 커패시터(8)의 한 단은 제1 커패시터용 출력 전압 제어 회로(10)의 출력 단자에 연결되어 있고 다른 단은 접지되어 있다.

제1 커패시터용 출력 전압 제어 회로(10)는 후속 전류 적분 스테이지에서 제1 커패시터(4)의 출력 전압이 기준 전압을 기반으로 가변할 수 있게 하는데 이용된다.

일례로, 제1 스위치(2)는 차동 증폭기(9)의 네거티브 입력 단자와 표시 패널(1) 사이에 배치되고, 제2 스위치(3)는 제1 커패시터(4)의 양단 사이에 배치되고, 제3 스위치(7)는 제2 커패시터(8)와 제1 커패시터용 출력 전압 제어 회로(10)의 출력 단자 사이에 배치된다.

더욱이, 제1 커패시터용 출력 전압 제어 회로(10)는 제1 출력 회로와 제2 출력 회로를 포함할 수 있다.

제1 출력 회로의 입력 단자는 제1 커패시터(4)와 연결되고, 제1 출력 회로의 출력 단자는 차동 증폭기(9)의 출력 단자에 연결되며; 제4 스위치(5)는 제1 출력 회로의 입력 단자와 출력 단자 사이에 배치된다.

제2 출력 회로의 입력 단자는 제1 커패시터(4)에 연결되고, 제2 출력 회로의 출력 단자는 기준 전압에 연결되며; 제5 스위치(6)는 제2 출력 회로의 입력 단자와 출력 단자 사이에 배치된다.

선택적으로, 제1, 제2, 제3, 제4, 및 제5 스위치 모두는 MOS 트랜지스터이다.

본 발명의 실시 예들은 위의 외부 보상용 감지 회로를 포함하는 표시 장치를 더 제공한다.

더욱이, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예들은 위의 외부 보상용 감지 회로의 감지 방법을 제공하며, 도 4에는, 외부 보상용 감지 회로 내의 제1 스위치, 제2 스위치, 제3 스위치, 제4 스위치 및 제5 스위치에 대한 구동 타이밍이 제공되어 있다. 5개의 스위치 모두는 MOS 트랜지스터를 이용하며, 레벨 신호는 MOS 트랜지스터의 턴온(turn on) 및 턴오프(turn off)를 제어하기 위해서 MOS 트랜지스터의 게이트에 연결된다. MOS 트랜지스터 각각에 대한 제어 신호는 각각 하이 레벨 및 로우 레벨로 설정되며, 이들은 대응하여 턴온 및 턴오프를 나타낸다. 제1 스위치, 제2 스위치, 제3 스위치, 제4 스위치 및 제5 스위치는 각각 K1, K2, K3, K4 및 K5로 표기된다. 특히, 본 발명의 실시 예에 따른 외부 보상용 감지 회로의 감지 방법은 다음과 같은 프로세스를 실행한다.

단계 S1에서, 차동 증폭기가 단위-이득 상태에 바이어스되고, 제1 커패시터는 방전된다. 특히, 이 단계는 초기 재설정 스테이지이다. 스위치 K2, K3 및 K5에 대한 제어 신호는 하이 레벨에 있고, 그래서 이들 3개의 스위치는 턴온되며; 스위치 K1 및 K4에 대한 제어 신호는 로우 레벨에 있으며, 그래서 이들 2개의 스위치는 턴오프된다. 차동 증폭기는 단위-이득 상태에 바이어스되고, 그의 네거티브 입력 단자는 VREF+VOS에 있으며, 이는 출력 전압과 동일하고, 여기서 VREF는 기준 전압이고, VOS는 차동 증폭기의 오프셋 전압이다. 제1 커패시터(4)의 2개의 단은 각각 차동 증폭기의 네거티브 입력 단자와 전압 VREF에 연결되고, 이때 제1 커패시터(4)의 양단에 걸리는 부하 전하(load charge)는 다음과 같다:

(VREF+VOS-VREF)C1 = VOSㆍC1.

단계 S2에서, 제1 커패시터(4)는 표시 패널로부터의 전류에 의해 충전 또는 방전되고, 제1 커패시터에 대한 출력 전압 제어 회로(10)는 기준 전압을 기반으로 제1 커패시터(4)의 출력 전압이 가변할 수 있게 한다. 이 단계는 적분 스테이지이다. 특히, 스위치 K1, K3 및 K4는 턴온되고, 스위치 K2 및 K5는 턴오프된다. 이때, 디스플레이의 안쪽으로부터의 픽셀 전류는 제1 커패시터(4)를 충전시키거나 방전시키고, 제1 커패시터(4) 상의 부하 전하의 가변 량은 It이고, 여기서 I는 픽셀 전류이고 t는 충전 또는 방전 p 시간이다. 제1 커패시터(4)의 왼쪽 전극 판에서의 전압이 변하지 않기 때문에, 즉 여전히 VREF+VOS에 있기 때문에, 제1 커패시터(4)의 오른쪽 전극 판에서의 전압, 즉 출력 전압은 VOUT = VREF+It이며, 여기서 VOUT는 제1 커패시터(4)의 출력 전압이다. VOUT가 기준으로서 전압 VREF에 따라 변하며 이는 차동 증폭기의 오프셋 전압에 무관함을 알 수 있다.

단계 S3에서, 전압은 제2 커패시터(8)에 저장된다. 이 단계는 보유 스테이지이다. 이때, 스위치 K3는 턴오프되고, 전압 VOUT은 제2 커패시터(8)에 저장되고 이후 후속 ADC 변환을 통해서 더 처리된다.

위의 설명은 단지 본 발명의 특정 실시 예를 보여주는 것이며 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 이 방면에 숙련된 보통의 사람들은 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고도 다양한 변형 및 수정을 행할 수 있으며, 그러므로 모든 등가물은 본 발명의 보호 범위에 속해야 한다. 따라서, 본 발명의 보호 범위는 특허청구범위에 의해서 정의된다.

Claims (6)

1. 외부 보상용 감지 회로로서,
   차동 증폭기, 제1 커패시터, 제2 커패시터 및 상기 제1 커패시터에 대한 출력 전압 제어 회로를 포함하고;
   상기 차동 증폭기의 네거티브 입력 단자는 표시 패널에 연결되고, 상기 차동 증폭기의 포지티브 입력 단자는 기준 전압에 연결되고, 상기 차동 증폭기의 출력 단자는 상기 제1 커패시터에 대한 상기 출력 전압 제어 회로의 출력 단자에 연결되며;
   상기 제1 커패시터의 한 단은 상기 차동 증폭기의 상기 네거티브 입력 단자에 연결되고, 상기 제1 커패시터의 다른 단은 상기 제1 커패시터에 대한 상기 출력 전압 제어 회로의 입력 단자에 연결되며;
   상기 제2 커패시터의 한 단은 상기 제1 커패시터에 대한 상기 출력 전압 제어 회로의 상기 출력 단자에 연결되고, 상기 제2 커패시터의 다른 단은 접지되며;
   상기 제1 커패시터에 대한 상기 출력 전압 제어 회로는 후속 전류 적분 스테이지(subsequent current integral stage)에서 상기 제1 커패시터의 출력 전압이 기준 전압을 기반으로 변하도록 하는데 이용되는, 외부 보상용 감지 회로.
2. 제1항에 있어서, 제1 스위치는 상기 차동 증폭기의 상기 네거티브 입력 단자와 상기 표시 패널 사이에 배치되며, 제2 스위치는 상기 제1 커패시터의 양단 사이에 배치되며, 제3 스위치는 상기 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터에 대한 상기 출력 전압 제어 회로의 상기 출력 단자 사이에 배치되는, 외부 보상용 감지 회로.
3. 제2항에 있어서, 상기 제1 커패시터에 대한 상기 출력 전압 제어 회로는 제1 출력 회로와 제2 출력 회로를 포함하고;
   상기 제1 출력 회로의 입력 단자는 상기 제1 커패시터에 연결되고, 상기 제1 출력 회로의 출력 단자는 상기 차동 증폭기의 상기 출력 단자에 연결되고; 제4 스위치는 상기 제1 출력 회로의 상기 입력 단자와 상기 출력 단자 사이에 배치되며;
   상기 제2 출력 회로의 입력 단자는 상기 제1 커패시터에 연결되고, 상기 제2 출력 회로의 출력 단자는 기준 전압에 연결되고; 제5 스위치는 상기 제2 출력 회로의 상기 입력 단자와 상기 출력 단자 사이에 배치되는, 외부 보상용 감지 회로.
4. 제3항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 스위치 모두는 MOS 트랜지스터인, 외부 보상용 감지 회로.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 외부 보상용 감지 회로를 포함하는 표시 장치.
6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 외부 보상용 감지 회로의 감지 방법으로서,
   차동 증폭기를 단위-이득 상태(unity-gain state)에 바이어싱(biasing)하고 제1 커패시터를 방전하는 단계;
   상기 제1 커패시터를 표시 패널로부터의 전류로 충전 또는 방전하고, 상기 제1 커패시터에 대한 출력 전압 제어 회로에 의해 제1 커패시터의 출력 전압이 상기 기준 전압을 기반으로 변하도록 하는 단계; 및
   상기 전압을 제2 커패시터에 저장하는 단계
   를 포함하는 감지 방법.

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