KR20140135698A

KR20140135698A - 광학 제품 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20140135698A
Application number: KR1020147022040A
Authority: KR
Inventors: 신야 히라사와; 요시노리 다카하시; 데츠오 고자키; 유지 가토
Original assignee: 토카이 옵티칼 주식회사
Priority date: 2012-02-08
Filing date: 2013-01-30
Publication date: 2014-11-26
Also published as: EP2804026A4; US20140329072A1; JP6112490B2; CN104081229A; EP2804026B1; EP2804026A1; JPWO2013118622A1; WO2013118622A1; KR101971651B1; US9069125B2; CN104081229B

Abstract

대전 방지 기능을 구비시키면서, 저비용으로, 설계하기 쉽고, 광학 성능이 매우 양호한 광학 제품, 또는 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 있어서의 광학 제품에서는, 투명한 기재의 일방의 면 또는 양면에 대하여, 유전체막과 ITO막을 포함하는 다층막이 형성된다. 이 ITO막의 물리막 두께는, 3나노미터 이상 7나노미터 이하이다. 이 ITO막은, 플라즈마 처리를 수반하는 증착에 의해 성막되는 것으로 할 수 있다.

Description

광학 제품 및 그 제조 방법{OPTICAL PRODUCT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}

본 발명은, 렌즈나 필터 등의 광학 제품, 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

대전 방지 기능과 반사 방지 기능을 가지는 광학 제품으로서, 하기 특허문헌 1, 2에 기재된 도전성 반사 방지막이 알려져 있다. 이들의 광학 제품은, ITO(Indium Tin Oxide)와 불화마그네슘(MgF₂)이 진공 증착법에 의해 적층된 전체 3~4층의 것으로 되어 있고, 주로 ITO에 의해 도전성을 부여함으로써 대전 방지 기능이 부여되고, 낮은 굴절률을 가지는 MgF₂에 의해 반사 방지 기능이 구비된다. 또, 이들의 광학 제품에서는, MgF₂가 최외층에 배치되어 있다.

일본 특허 공개 소61-168899호 공보 일본 특허 공개 소63-266401호 공보

이러한 것에 있어서는, ITO의 광학막 두께가, 기준 파장을 λ₀=500nm(나노미터)로서, 대부분은 0.331λ₀~0.516λ₀로 되어 있고, 또한 0.063λ₀이나 2.136λ₀이라는 것이 있지만, 특히 전자(前者)는, ITO를 전부 2막 구비하고 일방을 0.484λ₀으로 한 것의 타방이며(특허문헌 1의 제2표), 다른 것과 비교하여 광학막 두께가 얇은 것이면서 물리막 두께가 31.5nm 정도인 볼륨을 가지는 것으로 되어 있다.

이와 같이 ITO의 광학막 두께가 있으면, 대전 방지 성능은 매우 양호해지나, 재료나 성막 시간을 많이 필요로 하여 고비용의 원인이 되고, 이외에 반사 방지 기능 등을 부여하려고 하여 다층막에 포함시키는 경우의 설계에 자유도가 적어진다. 또, 성막시에 균일하지 않은 부분이 발생할 가능성이 비교적으로 커지거나, ITO에 있어서의 통과광의 일부를 흡수하는 특성에 의해 입사광의 흡수량이 증가하는 등, 광학 성능에 영향을 발생시킬 가능성도 비교적 커진다.

그래서, 제1항, 제12항에 기재된 발명은, 대전 방지 기능을 구비시키면서, 저비용으로, 설계하기 쉽고, 광학 성능이 매우 양호한 광학 제품, 또는 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한 것이다.

이에 더하여, 이들의 것에 있어서는, ITO와 MgF₂가 각각 단순히 진공 증착법에 의해 인접하여 성막되어 있기 때문에, 상호 작용에 의해 약간이지만 백탁이나 산란이 발생하는 경우가 있어, 투과광에 대한 광학 성능에 영향을 미치는 경우가 있었다.

또, 3~4층 구성으로 되어 있어, 더욱 반사율을 저감시킬 여지가 있는 것이었다.

또한, 최외층의 MgF₂가 보호되지 않아, 내구성을 향상시킬 여지가 있는 것이었다.

그래서, 제5항, 제7항에 기재된 발명은, ITO와 MgF₂가 사용됨으로써 대전 방지 기능과 초저반사 방지 기능을 겸비시키면서, 투과광에 대한 광학 성능도 양호한 광학 제품을 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 제13항에 기재된 발명은, 이러한 광학 제품을 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한 것이다.

또, 상기 서술한 것에 있어서는, ITO막이나 MgF₂막의 단순한 도입에 의해, 반사율에 관한 특성이나 표면의 슬라이딩성이 높은 기준으로부터 보면 만족할 만한 것은 아니었다.

그래서, 제2항~제4항에 기재된 발명은, 대전 방지 기능과 초저반사 방지 기능을 겸비시켜, 투과광에 대한 광학 성능을 양호하게 하고, 또한 슬라이딩성도 양호한 광학 제품을 제공하는 것을 목적으로 한 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 제1항에 기재된 발명은, 광학 제품에 있어서, 투명한 기재(基材)의 일방의 면 또는 양면에 대하여, 유전체막과 ITO막을 포함하는 다층막이 형성되어 있고, 상기 ITO막의 물리막 두께가, 3nm 이상 7nm 이하인 것을 특징으로 하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 제2항에 기재된 발명은, 상기 발명에 있어서, 상기 ITO막보다 표면측의 상기 유전체막에, ZrO₂막이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 제3항에 기재된 발명은, 상기 발명에 있어서, 상기 ZrO₂막은, 상기 ITO막의 바로 위에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 제4항에 기재된 발명은, 상기 발명에 있어서, 상기 ZrO₂막은, 상기 ITO막의 바로 위 및 바로 아래에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 제5항에 기재된 발명은, 상기 발명에 있어서, 상기 유전체막에는, MgF₂막이 포함되어 있고, 상기 ITO막과 MgF₂막이 인접하지 않도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

제6항에 기재된 발명은, 상기 발명에 있어서, 상기 다층막의 최외층을 제1층으로 하고, 제2층 또는 제3층에 상기 MgF₂막이 배치되는 것을 특징으로 하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 제7항에 기재된 발명은, 상기 발명에 있어서, 상기 ITO막이, 플라즈마 처리를 수반하는 증착에 의해 성막된 것을 특징으로 하는 것이다.

제8항에 기재된 발명은, 상기 발명에 있어서, 상기 다층막의 최외층에 불소계 수지막 또는 SiO₂막이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

제9항에 기재된 발명은, 상기 발명에 있어서, 상기 다층막의 최외층의 SiO₂막이, 플라즈마 처리를 수반하는 증착에 의해 성막된 것이다.

제10항에 기재된 발명은, 상기 발명에 있어서, 상기 불소계 수지막의 물리막두께가 10nm 이하인 것을 특징으로 하는 것이다.

제11항에 기재된 발명은, 상기 발명에 있어서, 상기 유전체막은, 고(高)굴절 재료와 중간 굴절 재료를 포함하여 복수 형성되어 있고, 상기 다층막에 있어서, 상기 고굴절 재료와 상기 중간 굴절 재료가 번갈아 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 청구항 12에 기재된 발명은, 상기의 광학 제품을 제조하는 방법으로서, 상기 ITO막을, 플라즈마 처리를 수반하는 증착에 의해 성막하는 것을 특징으로 하는 것이다.

제13항에 기재된 발명은, 상기 발명에 있어서, 최외층을 SiO₂막으로 하고, 당해 막을, 플라즈마 처리를 수반하는 증착에 의해 성막하는 것을 특징으로 하는 것이다.

제1항, 제12항에 기재된 발명에 의하면, 대전 방지 기능을 구비시키면서, 저비용으로, 설계하기 쉽고, 광학 성능이 매우 양호한 광학 제품, 그 제조 방법을 제공하는 것이 가능해진다.

제2항~제4항에 기재된 발명에 의하면, 대전 방지 기능과 초저반사 방지 기능을 겸비시키면서 양호한 광학 성능을 구비시키고, 더욱 양호한 슬라이딩성을 유지시킬 수 있다.

제5항, 제7항에 기재된 발명에 의하면, 대전 방지 기능과 초저반사 방지 기능을 겸비하면서 양호한 광학 성능을 구비시키는 것이 가능해진다.

제8항, 제9항, 제13항에 기재된 발명에 의하면, 더욱 내구성을 향상시키는 것이 가능해지고, 불소계 수지막을 사용하면, 발수 기능도 구비시킬 수 있다.

제10항에 기재된 발명에 의하면, 불소계 수지막을 균일하게 함으로써 발수 기능을 부여하면서 광학 성능을 유지할 수 있다.

제6항, 제11항에 기재된 발명에 의하면, 더욱 낮은 반사율을 용이하게 실현 가능해진다.

도 1은 검토예 1~11에 관련된 반사율의 분광 분포를 나타내는 그래프이다.
도 2는 검토예 1~11에 관련된 투과율의 분광 분포를 나타내는 그래프이다.
도 3은 검토예 1~11 및 일반품에 관련된 흡수·산란량의 분광 분포를 나타내는 그래프이다.
도 4는 검토예 2, 12~14에 관련된 분광 투과율 분포를 나타내는 그래프이다.
도 5는 실시예 1, 2 및 비교예 1~3의 흡수·산란량의 분광 분포를 나타내는 그래프이다.
도 6은 실시예 1, 2 및 비교예 1~3의 투과율의 분광 분포를 나타내는 그래프이다.
도 7은 실시예 1, 2 및 비교예 1의 편면 반사율의 분광 분포를 나타내는 그래프이다.
도 8은 실시예 3과 동일한 구성의 각종 다층막에 관련된 편면 반사율의 분광 분포를 나타내는 그래프이다.
도 9는 도 8의 각종 다층막에 관련된 CIE 표색계의 색도도(x, y, Y)이다.
도 10은 실시예 13에 속하는 각종 다층막에 관련된 편면 반사율의 분광 분포를 나타내는 그래프이다.
도 11은 도 10의 각종 다층막에 관련된 CIE 표색계의 색도도(x, y, Y)이다.

이하, 본 발명에 관련된 실시 형태의 예에 대하여 설명한다. 또한, 본 발명의 형태는, 이하의 것에 한정되지 않는다.

본 발명에 관련된 광학 제품에서는, 투명한 기재의 일방의 면 또는 양면에 대하여, 유전체막, 및 투명 도전성막을 구성 요소로 하는 다층막이 성막된다. 유전체막은, 바람직하게는, 2종류 이상 사용된다.

투명이란, 투광성을 가지는 뜻이며, 반투명을 포함하는 것이다.

또, 바람직하게는, 적어도 어느 것의 막은 증착에 의해 형성되고, 이 경우에는, 에지면에 각종 막이 형성됨으로써 광학 제품의 광학 특성에 영향을 미치는 사태를 방지할 수 있다.

유전체막은, 주로(다른 막을 적절히 합쳐) 반사 방지 기능을 부여하기 위한 구성 요소로서 사용되며, 고굴절 재료나 중간 굴절률 재료가 조합된다. 또한, 저(低)굴절률 재료는 굴절률이 약 1.5 이하의 것을 말하고, 중간 굴절률 재료는 굴절률이 약 1.5~1.8의 것을 말하며, 고굴절 재료는 굴절률이 약 1.8 이상의 것을 말한다.

여기서, 반사율을 1퍼센트(%) 정도 이하로 하고, 더 바람직하게는 0.5% 정도 이하로 하는 것과 같은, 낮은 반사율이 되는 반사 방지 기능을 부여하기 위하여, 복수 종류의 유전체막이 번갈아 배치되며, 바람직하게는 고굴절 재료와 중간 굴절 재료가 번갈아 적층된다.

또, 바람직하게는 MgF₂막은 될 수 있는 한 최외층 가까이에 1층 배치한다. 그리고, MgF₂막과 기재의 사이에, 복수 종류의 유전체막이 번갈아 배치되며, 바람직하게는 고굴절 재료와 중간 굴절 재료가 번갈아 적층된다.

유전체막의 구체예로서, 이산화티탄(TiO₂), 오산화이탄탈(Ta₂O₅) ,이산화지르코늄(ZrO₂), 삼산화이알루미늄(Al₂O₃), 오산화이니오브(Nb₂O₅), 이산화실리콘(SiO₂) 등의 금속 산화물을 들 수 있다.

또, 투명 도전막은, ITO이다.

또한, 본 발명에 관련된 광학 제품에서는, 바람직하게는 최외층에 SiO₂막 또는 불소계 수지막이 배치되어 있다.

최외층에 불소계 수지막을 사용하면, 내막을 보호할 수 있고, 발수 성능도 부여할 수 있어, 수적(水滴)이나 더러움이 부착되어도 용이하게 제거 가능하는 등, 취급이 더욱 용이해진다.

불소계 수지는, 성막에 의해 발수성을 나타내는 것이면 되고, 적절히 시판의 것을 사용할 수 있다.

또한, 불소계 수지막(발수막)의 물리막 두께는, 균일성을 갖게 하여 광학 성능이나 발수 성능을 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 10나노미터(nm) 이하로 한다.

또, 최외층에 SiO₂막을 사용하면, 역시 내막을 보호할 수 있고, SiO₂막을 이온 어시스트 증착(Ion Assisted Deposition, IAD) 등의 플라즈마 처리를 수반하는 증착에 의해 성막하면, 막의 강도를 증가시킴으로써 내구성을 더욱 향상시킬 수 있다.

그리고, 투명 도전막의 물리막 두께는, 충분한 대전 방지성 부여의 관점에서, 3nm 이상으로 한다. 투명 도전막의 물리막 두께가 3nm 미만이면, 광학 제품을 털고 닦을 때 등에 정전기가 발생하는 경우가 있다.

또, 투명 도전막의 물리막 두께는, 다층막에 입사하여 통과하려고 하는 광의 흡수량의 충분한 저감이나, 투명 도전막의 균일성 확보의 관점(입사광에 대한 우수한 광학 성능을 구비시키는 관점)에서, 7nm 이하로 한다. 투명 도전막의 물리막 두께가 7nm를 넘으면, 광학 제품, 특히 카메라 필터에 있어서, 입사광을 될 수 있는 한 그대로 투과시키는 관점에서 보면 흡수량이 너무 커져, 바람직하지 않다.

또한, 투명 도전막이 IAD 등의 플라즈마 처리를 수반하여 증착되면, 그 성막을 더욱 안정적으로 행할 수 있어, 한층 광학 성능을 양호하게 할 수 있다.

이에 더하여, MgF₂막과 투명 도전막은 떨어져 배치되고, 즉 이들의 사이에는 1층 이상의 막이 삽입된다.

MgF₂막과 투명 도전막이 떨어짐으로써, 이들의 접촉을 피하여, 접촉에 의한 상호작용의 발현, 즉 백탁이나 산란의 발생을 회피할 수 있다.

이상을 종합하면, 예를 들면, MgF₂막이 제1층(제1층을 MgF₂막과 밀착되기 어려운 보호막으로 한 경우에는 제3층)에 배치되고, 투명 도전막이 제3층(제5층) 이하에 배치된다.

또, 투명 도전막이 IAD 등의 플라즈마 처리를 수반하여 증착되면, MgF₂막과 인접했다고 하여도 백탁이나 산란과 같은 상호작용의 발생은 보이지 않으며, MgF₂막과 투명 도전막이 멀어진 것과 마찬가지로, 초저반사 방지 기능과 대전 방지 기능을 겸비하고, 또한 산란이 거의 없고 광학 성능이 양호한 광학 제품으로 할 수 있다.

또한, 저굴절률인 MgF₂막을 바깥층측에 배치할수록 저반사로 하기 쉽지만, MgF₂막을 보호하기 위하여 최외층에 보호막이 필요한 것을 감안하여, MgF₂막을 제2층으로 하는 것이 바람직하고, 또한 보호막과 MgF₂막의 밀착성의 확보를 필요로 할 때 등에 바인더층을 이들의 사이에 삽입하는 경우에는, 바인더층이 제2층이 되기 때문에 MgF₂막을 제3층으로 하는 것이 바람직하다.

또, 대전 방지성을 구비하면서, 특히 반사율에 관한 특성과 슬라이딩성을 양립시키는 관점에서, 유전체막에 ZrO₂막이 포함되어 있는 것이 바람직하다. ZrO₂막은, 반사율에 관한 특성을 양호하게 유지한 상태로, ITO막이나 MgF₂막의 표면 거칠기를 흡수하여 슬라이딩성을 양호하게 하기 때문에, ITO막보다 표면측의 유전체막에 ZrO₂막이 포함되어 있으면 바람직하고, 또한, ZrO₂막이 ITO막의 바로 위에 있으면 더 바람직하며, ZrO₂막이, ITO막의 바로 위와 바로 아래에 있으면, 더욱 바람직하다.

또한, ITO막에 대하여 IAD에 의해 성막하면, 대전 방지성에 더하여, 반사율에 관한 특성과 슬라이딩성에 대해서도, 매우 양호한 상태로 할 수 있다.

이러한 광학 제품은, 안경 렌즈용, 카메라 렌즈용 등으로 할 수 있지만, 초저반사 방지 기능 등에 착목하면, 특히 렌즈 보호 필터 등의 카메라 필터로서 바람직하다.

실시예

이어서, 본 발명의 바람직한 실시예, 및 본 발명에 속하지 않는 비교예에 대하여, 전반에서는 검토예를 복수 시험해 본 다음(검토예 1~17), 당해 검토예가 실시예 또는 비교예의 어느 것에 해당하는지를 결정하는 순서에 따라 설명하고(실시예 A~J, 비교예 A~G), 후반에서는 실시예 내지 비교예를 여러 예 설명한다(실시예 1~9, 비교예 1~3, 실시예 10~13).

≪검토예 1~11≫

검토예 1~11에 관련된 광학 제품으로서, 직경 70밀리미터(mm)이고 두께 1.8mm인 백판 유리제의 편평한 기판의 편면에 대하여, 다음에 나타내는 구성의 다층막을 성막한 것을 작성하였다. ITO막은 제3층에 배치하였다.

(기판/)SiO₂막/ZrO₂막/SiO₂막/ZrO₂막/SiO₂막/ZrO₂막/ITO막(IAD)/SiO₂막(IAD)/불소계 수지막

검토예 1에 있어서의 ITO막(투명 도전막)의 물리막 두께는 1nm로 하고, 검토예 2에 있어서의 ITO막의 물리막 두께는 2nm로 하고, 이후 1nm씩 순차적으로 두께를 늘려, 막 두께 10nm의 검토예 10까지 작성하였다. 또, 검토예 11의 막 두께는 20nm로 하였다.

검토예 1~11에 있어서의 각종 막은, 모두 진공 증착법에 의해 성막한다. 또, 불소계 수지막과 SiO₂막을 제외하고, 증착시, O₂ 가스를, 진공도가 설정값[5.0×10^-3파스칼(Pa)]이 되는 양만큼 도입한다.

특히 ITO막, 및 최외층을 제1층으로 하고 제2층의 SiO₂막은, IAD를 사용한 증착에 의해 성막하고, 즉 진공 증착시에 이온에 의한 어시스트를 행하도록 한다. 또한, 여기서는 이온화한 Ar 가스를 사용하고, 가속 전압·전류는 100V(볼트)·600mA(밀리암페어)이며, 바이어스 전류는 1000mA이다. 또, 함께 O₂가스를 도입한다.

또, 불소계 수지막은, 다음과 같이 성막하였다. 즉, 이미 형성된 반사 방지막이 붙어 있는 기판상에 대하여, 진공 증착법에 의해 발수 처리를 한다. 발수제로서, 유기 규소 화합물(신에츠화학공업주식회사제 KY-8)을 사용하여, 박막층을 형성한다.

검토예 1~11의 불소계 수지막의 물리막 두께는 5nm로 하고, 복수 종류의 유전체막으로서의 SiO₂막이나 ZrO₂막의 각 막 두께는, 반사 방지(반사율의 저감)의 관점에서 설계된 것으로 하였다.

≪검토예 12~14·일반품≫

검토예 12에 관련된 광학 제품으로서, 검토예 1등과 동일한 기판의 편면에, 다음에 나타내는 구성의 다층막을 성막한 것을 작성하였다. ITO막은 막 두께 3nm로 하고, 제5층에 배치하였다. 각 막은 검토예 1 등과 마찬가지로 성막하였다.

(기판/)SiO₂막/ZrO₂막/SiO₂막/ZrO₂막/ITO막(IAD)/SiO₂막/ZrO₂막/SiO₂막(IAD)/불소계 수지막

검토예 13에 관련된 광학 제품으로서, 검토예 1 등과 동일한 기판의 편면에, 다음에 나타내는 구성의 다층막을 성막한 것을 작성하였다. ITO막은 막 두께 3nm로 하고, 제7층에 배치하였다. 각 막은 검토예 1 등과 마찬가지로 성막하였다.

(기판/)SiO₂막/ZrO₂막/ITO막(IAD)/SiO₂막/ZrO₂막/SiO₂막/ZrO₂막/SiO₂막(IAD)/불소계 수지막

검토예 14에 관련된 광학 제품으로서, 검토예 1등과 동일한 기판의 편면에, 다음에 나타내는 구성의 다층막을 성막한 것을 작성하였다. ITO막은 막 두께 3nm으로 하고, 기판의 바로 위의 최내층(제9층)에 배치하였다. 각 막은 검토예 1 등과 마찬가지로 성막하였다.

(기판/)ITO막(IAD)/SiO₂막/ZrO₂막/SiO₂막/ZrO₂막/SiO₂막/ZrO₂막/SiO₂막(IAD)/불소계 수지막

또, 검토시에 참조하기 위하여, 시장에서 용이하게 입수 가능한 일반품도 준비하였다. 당해 일반품은, 카메라 필터(카메라 렌즈용 보호 필터)이며, 반사 방지 기능의 구비가 강조되어 있다.

≪검토예 15~17≫

검토예 15~17에 관련된 광학 제품으로서, 검토예 1 등과 동일한 기판의 편면에, 다음의 표 1에 나타내는 구성의 다층막을 성막한 것을 작성하였다. 또한, 표 중, 수치는 물리막 두께를 나타내고, 기판측을 1층째로 한다.

검토예 15~17의 층 구성은, 순서대로 이하와 같다.

(기판/)SiO₂막/ZrO₂막/SiO₂막/ZrO₂막/SiO₂막/ZrO₂막/ITO막(3nm, IAD)/SiO₂막

(기판/)SiO₂막/ZrO₂막/SiO₂막/ZrO₂막/SiO₂막/ZrO₂막/ITO막(2nm, IAD)/SiO₂막

(기판/)ITO막(3nm, IAD)/SiO₂막/ZrO₂막/SiO₂막/ZrO₂막/SiO₂막/ZrO₂막/SiO₂막

≪검토예 1~17의 검토≫

검토예 1~11 및 일반품에 대해서, 다음과 같이 하여 입사광의 흡수·산란량을 구하였다. 즉, 분광 광도계(주식회사히타치제작소제 U4100)에 의해 투과율과 반사율을 측정하고, 이들로부터 흡수·산란량을 산출하였다. 흡수·산란량(%)은, 「100-(투과율+반사율)」에 의해 산출하였다. 도 1에 검토예 1~11에 관련된 반사율의 분광 분포를 나타내는 그래프를 나타내고, 도 2에 검토예 1~11에 관련된 투과율의 분광 분포를 나타내는 그래프를 나타내며, 도 3에 검토예 1~11 및 일반품에 관련된 흡수·산란량의 분광 분포를 나타내는 그래프를 나타낸다.

또, ITO막 두께가 3nm인 검토예 3, 12~14에 대하여, ITO막의 배치에 의한 분광 투과율 분포의 차이를 조사하였다. 분광 투과율 분포의 측정은, 상기와 마찬가지로 분광 광도계를 사용하여 행하였다. 이 결과를 도 4에 나타낸다.

이에 더하여, 검토예 1~17 및 일반품에 대하여, 다음과 같이 하여 대전 방지성을 조사하였다. 즉, 각각의 표면의 대전 전위를 정전기 측정기(심코재팬주식회사제 FMX-003)로 초기 전위로서 측정한 후, 당해 표면을 부직포(오즈산업주식회사제 pure leaf)로 10초간 문지르고, 그 직후, 및 문지름이 끝나고 나서 30, 60초후의 각각에 있어서, 당해 표면의 대전 전위를 측정하였다. 또, 부착 시험으로서, 마찬가지로 표면을 부직포로 10초간 문지르고, 그 직후에 발포 스티롤분(粉)에 접근시킴으로서, 렌즈 표면에 대한 발포 스티롤분의 부착 상태를 관찰하고, 대전의 정도를 확인하였다(발포 스티롤분의 부착이 대전을 나타낸다). 이들 결과를, 검토예 1~14에 대하여 하기 표 2에 나타내고, 검토예 15~17에 대하여 하기 표 3에 나타낸다.

먼저, 흡수 등에 대하여 검토한다.

특히 도 3에 나타낸 바와 같이, 가시영역 부근에서는 단파장측에서 흡수량이 많고, 430nm의 파장에 있어서, 검토예 8~11 및 일반품에서는 0.5%를 초과한 흡수량이 된다. 이에 대하여, 검토예 1~7에서는, 흡수량이 0.5% 이하가 된다.

여기서, 흡수량을 억제하여 입사광에 대한 광학 성능을 양호하게 하는(입사광을 가능한 한 그대로 통과시키는) 관점에서 검토한다. 또한, 광학 제품, 특히 카메라 필터에 있어서는, 430~680nm의 파장 영역에 있어서 흡수량이 적은 것이, 광학성능을 볼 때의 하나의 지표가 된다.

그러면, 검토예 8~11 및 일반품은, 종래 정도의 광학 성능이 되어 바람직하지 않게 된다. 한편, 검토예 1~7은, 높은 광학 성능을 나타내어 양호해진다.

따라서, 검토예 8~11은, 각각 본 발명에 속하지 않고, 비교예에 해당하게 된다.

또한, 도 4에서 나타낸 바와 같이, ITO막이 제3층(검토예 2)이어도, 제5층 (검토예 12)이어도, 제7층이어도(검토예 13), 제9층이어도(검토예14), 분광 반사율 분포는 그다지 바뀌지 않고, 어느 것에 있어서도, 400~650nm의 파장 영역에서 0.6%와 같은 매우 낮은 반사율이 되어 있다. 따라서, ITO막의 배치에 따라서는 광학 성능은 그다지 바뀌지 않고, 막 두께를 3nm로 함으로써, 검토예 2, 12~14의 어느 것에 있어서도 우수한 광학 성능을 구비시킬 수 있게 되어 있다.

다음으로, 대전 방지성에 대하여 검토한다.

표 2에 나타낸 바와 같이, 검토예 1에서는, 마찰에 의해 대전 전위가 발생하고, 즉 문지른 직후에 0.5kV의 대전 전위를 기록하고, 1분 경과 후에도 0.2kV 정도 잔존하고 있다. 또, 검토예 1에서는, 발포 스티롤분이 부착된다(표 2중 「×」). 이에 더하여, 검토예 2에 있어서도, 검토예 1과 마찬가지로, 마찰에 의한 대전 전위나 발포 스티롤분의 부착이 보인다. 따라서, 검토예 1, 2는, 대전 방지 성능을 갖추지 않는 것으로 평가할 수 있고(표 2중 「×」), 비교예에 해당하는 것으로 평가할 수 있다.

이에 대하여, 검토예 3~14에서는, 표면을 문질러도 대전 전위는 발생하지 않고, 발포스티롤분은 부착되지 않는다(표 2중 「○」). 따라서, 검토예 3~14는, 대전 방지 기능을 갖는다고 평가할 수 있다(표 2중 「○」).

검토예 1, 2는 도전 투명막인 ITO막을 물리막 두께 1,2nm로 구비하기 때문에, 충분한 볼륨을 구비하지 않아 대전 방지 기능을 발휘할 수 없는 한편, 검토예 3~14에서는 도전 투명막인 ITO막을 충분한 막 두께로 구비하기 때문에, 정전기를 해소 가능하며 대전 방지 기능을 발휘할 수 있는 것이다.

또, ITO의 물리막 두께가 나노미터의 오더이기 때문에, 그 하한에 대해서는 더욱 검토를 요하고, 따라서 검토예 15~17을 시험한다.

그러면, 표 3에 나타낸 바와 같이, 물리막 두께가 2nm인 검토예 16에서, 마찰에 의한 대전 전위가 발생하고(직후에 0.7kV, 60초 후에도 0.3kV), 또한 발포 스티롤이 부착되며, 대전 방지 성능을 가지지 않게 된다.

한편, 물리막 두께가 3nm인 검토예 15, 17에서, 마찰에 의한 대전 전위나 부착은 보이지 않고, 대전 방지 기능을 가지고 있다. 검토예 15는 제7층(최외층으로부터 2층째의 외층측)에 ITO막을 가지고 있는 한편, 검토예 17은 제1층(최외층으로부터 8층째의 기판측)에 ITO막을 배치하고 있기 때문에, ITO의 다층막에 있어서의 배치에 상관없이 대전 방지 기능을 발휘하는 것이라고 할 수 있다.

이상, 광학 성능과 대전 방지 기능의 양립의 관점에서, 다음의 것을 말할 수 있다.

즉, 검토예 1, 2는 대전 방지 기능이 불충분하기 때문에 비교예 A, B가 되고, 검토예 8~11은 광학 성능이 불충분(흡수량이 많음)하기 때문에 비교예 C~F가 된다.

또, 검토예(16)는 ITO막의 물리막 두께가 2nm로 얇아, 대전 방지 기능이 불충분하기 때문에 비교예 G가 된다.

한편, 검토예 3~7은 대전 방지 기능을 갖추면서 우수한 광학 성능을 가지기 때문에, 실시예 A~E가 된다. 또, 마찬가지로 검토예 12~14, 15, 17은 실시예 F~H, I, J가 된다.

바꾸어 말하면, 실시예 A~J와 같이 ITO막의 물리막 두께가 3~7nm이면, 다층막에 있어서의 위치에 상관없이, 대전 방지 기능과 광학 성능을 쌍방 모두 우수한 상태로 양립시킬 수 있다.

또, 실시예 A~J에서는 막 두께가 얇고, 따라서 재료나 성막 시간이 적어도 되며, 균일하게 성막할 수 있고, 설계의 자유도도 높은 것이 된다.

≪실시예 1≫

실시예 1에 관련된 광학 제품으로서, 검토예 1 등과 동일한 기판의 편면에 대하여, 다음의 표 4에 나타내는 다층막을 성막한 것을 작성하였다.

즉, 다층막에 있어서는, 기판상에 번갈아 배치된 2종류의 유전체막(기판으로부터 세어서 제1~5, 7층)의 안, 제5층과 제7층의 사이에, 제6층으로서 투명 도전막이 삽입되어 있고, 또한 그 외측에 MgF₂막(제8층)이 배치되고, 또한 SiO₂막(제9층)을 개재하여 불소계 수지막(제10층·최외층)이 배치되어 있다. 각 층의 물리막 두께는 표 4에 나타내는 바와 같다.

유전체막은, 기판에 접하는 것을 포함하는 홀수층이 중간 굴절률 재료로서의 Al₂O₃이고, 그 사이나 투명 도전막의 외측에 위치하는 것이 고굴절 재료로서의 TiO₂이다. 또한, MgF₂막과 불소계 수지막이 인접하면 밀착성이 양호하지 않고, 이들의 사이에 도전체막을 삽입하면 밀착성을 확보 가능한 것을 고려하여, 이들의 사이에 SiO₂막을 배치하였다.

또, 투명 도전막은, ITO이며, 물리막 두께가 5.0nm로 되어 있다.

각종 막은, 모두 진공 증착법에 의해 성막한다. 또, MgF₂막, SiO₂막 및 불소계 수지막을 제외하고, 증착시, O₂ 가스를, 진공도가 설정값(5.0×10^-3Pa)이 되는 양만큼 도입한다.

MgF₂막의 성막 속도(레이트)는, 전류가 설정값으로 유지되도록 함으로써 제어된다.

불소계 수지막은, 다음과 같이 성막하였다. 즉, 이미 형성된 반사 방지막이 붙어 있는 기판상에 대하여, 진공 증착법에 의해 발수 처리를 한다. 발수제로서, 유기 규소 화합물(신에츠화학공업주식회사제 KY-8)을 사용하여, 박막층을 형성한다.

≪실시예 2≫

실시예 2에 관련된 광학 제품으로서, 실시예 1과 동일하지만, 표 4에 나타내는 바와 같이, ITO막의 위치를 제7층으로 하고 TiO₂막의 위치를 제6층으로 함과 함께, ITO막이나 SiO₂막, 불소계 수지막의 막 두께를 바꾸지 않고 유전체막의 막 두께를 미세 조정한 것을 작성하였다.

여기서, ITO막은, 진공 증착시, 이온에 의한 어시스트를 행하도록 한다. 즉, ITO막은, IAD에 의해 성막된다. 또한, 여기서는 이온화한 Ar 가스를 사용하고, 가속 전압·전류는 100V·600mA이며, 바이어스 전류는 1000mA이다. 또, 함께 O₂가스를 도입한다.

≪실시예 3~7≫

실시예 3~7에 관련된 광학 제품으로서, 표 4에 나타내는 바와 같이, 실시예 1과 동일하지만, ITO막의 위치를 다르게 하여 유전체막이나 MgF₂막의 막 두께를 미세 조정한 것을 작성하였다.

실시예 3의 ITO막은 제5층이고, 실시예 4의 ITO막은 제4층이고, 실시예 5의 ITO막은 제3층이며, 실시예 6의 ITO막은 제2층이며, 실시예 7의 ITO막은 제1층(기판 바로 위)이다.

≪실시예 8, 9≫

실시예 8, 9에 관련된 광학 제품으로서, 실시예 2와 막 두께를 포함하여 동일한 막 구성이지만, IAD의 조건을 다음과 같이 변경한 것을 작성하였다.

실시예 8: 가속 전압 700V, 가속 전류 900mA, 바이어스 전류 1000mA

실시예 9: 가속 전압 300V, 가속 전류 600mA, 바이어스 전류 1000mA

≪비교예 1≫

비교예 1에 관련된 광학 제품으로서, 실시예 1과 동일한 기판의 편면에, 다음의 표 5에 나타내는 다층막을 성막한 것을 작성하였다. 비교예 1의 구성은, 실시예 1로부터 ITO막을 제거하여 유전체막이나 MgF₂막의 막 두께를 미세 조정한 것이다.

≪비교예 2, 3≫

비교예 2에 관련된 광학 제품으로서, 표 5에 나타내는 바와 같이, 실시예 2와 동일하지만, ITO막의 증착시에 이온 어시스트를 하지 않는 것을 제조하였다.

또, 비교예 3에 관련된 광학 제품으로서, 표 5에 나타내는 바와 같이, 비교예 2와 동일하지만, ITO의 막 두께를 5nm가 아니라 30nm로 한 것을 제조하였다.

≪실시예 1~9·비교예 1~3의 검토≫

실시예 1, 2 및 비교예 1~3에 대하여, 다음과 같이 하여 입사광의 흡수·산란량을 구하였다. 즉, 분광 광도계(주식회사히타치제작소제 U4100)에 의해 투과율과 반사율을 측정하고, 이들로부터 흡수·산란량을 산출하였다. 도 5에 흡수·산란량의 분광 분포를 나타내는 그래프를 나타내고, 도 6에 투과율의 분광 분포를 나타내는 그래프를 나타낸다.

또한, 실시예 1, 2 및 비교예 1에 대하여, 분광광도계(올림푸스주식회사제 USPM-RUIII)에 의해 편면 반사율을 측정하였다. 도 7에 편면 반사율의 분광 분포를 나타내는 그래프를 나타낸다.

또, 실시예 1, 2 및 비교예 1~3에 대하여, 탁도계(일본덴쇼쿠주식회사제 NDH5000)에 의해 헤이즈 값(HAZE)을 측정하였다. 이 결과를 하기 표 6에 나타낸다. 또한, 표 6에 있어서의 T.T는 전체 광선 투과율을 나타내고, P.T는 평행 투과율을 나타내며, DIF는 확산 투과율을 나타낸다.

이에 더하여, 실시예 1~9 및 비교예 1~2에 대하여, 다음과 같이 하여 대전 방지성을 조사하였다. 즉, 각각의 표면의 대전 전위를 정전기 측정기(심코재팬주식회사제 FMX-003)로 초기 전위로서 측정한 후, 당해 표면을 부직포(오즈산업주식회사제 pure leaf)로 10초간 문지르고, 그 직후, 및 다 문지르고 나서 30, 60초 후의 각각에 있어서, 당해 표면의 대전 전위를 측정하였다. 또, 부착 시험으로서, 마찬가지로 표면을 부직포로 10초간 문지르고, 그 직후에 발포 스티롤분에 근접시킴으로써, 렌즈 표면에 대한 발포 스티롤분의 부착 상태를 관찰하고, 대전의 정도를 확인하였다(발포 스티롤분의 부착이 대전을 나타낸다). 이들의 결과를 하기 표 7에 나타낸다.

먼저, 흡수나 산란에 대하여 검토한다.

실시예 1, 2에서는 가시영역의 전역에 있어서 흡수·산란량이 대략 0%이고 (도 5), 투과율이 95% 정도로 안정되어(도 6) 있는 것에 대하여, 비교예 2, 3에서는 가시영역의 전역에 있어서 흡수·산란량이 증가하고, 투과율이 감소되어 있다.

이는, 실시예 1에 있어서 MgF₂막과 ITO막의 사이에 TiO₂막이 삽입되어 있고, 또한 실시예 2에 있어서 MgF₂막과 인접하는 ITO막을 IAD에 의해 성막하고 있는 것에 대하여, 비교예 2, 3에 있어서 MgF₂막과 IAD에 의하지 않는 ITO막이 단순히 인접하고 있음에 기인한다. MgF₂막과 IAD에 상관없는 ITO막이 인접하면, 이들의 상호 작용에 의해, 미세한 입상 부분이나 백탁 부분이 발생한다.

또, 표 6에 나타내는 바와 같이, 헤이즈 값(HAZE)은 실시예 1, 2에서 0.09~0.10으로 낮은 것에 비하여, 비교예 2, 3에서는 1.57~6.47로 비교적으로 높은 수치를 나타내고 있어, 비교예 2, 3에 있어서의 산란의 발생을 뒷받침할 수 있다.

또한, 실시예 1, 2는, ITO막이 없는 비교예 1과 동등한 흡수·산란·투과율·헤이즈 값을 나타내고 있다.

그리고, 도 7로부터, 실시예 1, 2(및 비교예 1)는, 저굴절률인 MgF₂막을 사용하는 것 등에 의해, 410~680nm의 파장 영역에 있어서 편면 반사율이 0.2% 이하가 되는 매우 낮은 반사율을 나타내는 초저반사 방지막이 되어 있는 것을 알 수 있다.

다음으로, 대전 방지성에 대하여 검토한다.

비교예 1에서는, 문지른 직후에 0.7kV의 대전 전위를 기록하고, 1분 경과 후에도 0.5kV 정도 잔존하고 있다. 또, 발포 스티롤분은 부착된다(표 7 중 「×」). 따라서, 비교예 1은 대전 방지 성능을 갖추지 않는 것으로 평가할 수 있다(표 7 중 「×」).

이에 비하여, 실시예 1~9(및 비교예 2, 3)에서는, 표면을 문질러도 대전 전위는 발생하지 않아, 발포 스티롤분은 부착되지 않는다(표 7 중 「○」). 따라서, 실시예 1~9(및 비교예 2, 3)는, 대전 방지 기능을 갖는다고 평가할 수 있다(표 7 중 「○」).

비교예 1은 도전 투명막인 ITO막을 구비하지 않기 때문에, 대전 방지 기능을 발휘할 수 없는 한편, 실시예 1~9(및 비교예 2, 3)는 도전 투명막인 ITO막을 구비하기 때문에, 정전기를 해소 가능하여 대전 방지 기능을 발휘할 수 있는 것이다.

또, 실시예 1~7은 서로 ITO막의 위치가 다른 것이지만, 대전 방지 기능은 여전히 발휘하고 있다. 이에 더하여, 실시예 2, 8, 9는 ITO막이 MgF₂막과 인접하는 것이므로, 서로 IAD의 조건이 상이한 것이지만, 대전 방지 기능은 여전히 발휘하고 있다. 따라서, 대전 방지 기능 부여의 관점에서는, ITO막의 위치나 IAD의 조건은 상관하지 않게 되고, 상기 서술한 산란 방지의 관점을 가미하면, ITO막을 MgF₂막에 인접시키지 않거나, IAD에 의해 성막하여 인접시키게 된다. 또, 실시예 3~9의 광학 성능은, 실시예 1, 2와 동일하였다. 또한, MgF₂막에 인접시키지 않는 경우에 ITO막을 IAD에 의해 성막해도 된다.

이상에서, MgF₂막과 ITO막을 사용하면서, 이들을 인접시키지 않도록 하거나(실시예 1, 3~7), ITO막을 IAD에 의해 어시스트 처리(하여 이들을 인접시키도록)함으로써(실시예 2, 8, 9), 초저반사 방지 기능과 대전 방지 기능을 겸비하는 광학 제품을 제공하는 것이 가능해진다.

≪실시예 10≫

실시예 10에 관련된 광학 제품으로서, 실시예 1과 동일하지만, 다음에 나타내는 바와 같이, ITO막의 위치를 제5층으로 함과 함께, Al₂O₃, ZrO₂, MgF₂, SiO₂, 및 불소계 수지도 사용한 것을 작성하였다.

(기판/)Al₂O₃막/ZrO₂막/MgF₂막/ZrO₂막/ITO막(3nm)/SiO₂막/MgF₂막/SiO₂막/불소계 수지막[방오(防汚)막]

≪실시예 11≫

실시예 11에 관련된 광학 제품으로서, 실시예 1과 동일하지만, 다음에 나타내는 바와 같이, ITO막의 위치를 제2층으로 함과 함께, SiO₂, La₂Ti₂O₇(란탄티타네이트, 캐논옵트론주식회사제 OH14), Al₂O₃, ZrO₂, MgF₂, 및 불소계 수지도 사용한 것을 작성하였다.

(기판/)SiO₂막/ITO막(3nm)/SiO₂막/La₂Ti₂O₇막/MgF₂막/La₂Ti₂O₇막/MgF₂막/SiO₂막/불소계 수지막

≪실시예 12≫

실시예 12에 관련된 광학 제품으로서, 실시예 10과 동일하지만, 다음에 나타내는 바와 같이, 제6층을 ZrO₂로 한 것을 작성하였다.

(기판/)Al₂O₃막/ZrO₂막/MgF₂막/ZrO₂막/ITO막(3nm)/ZrO₂막/MgF₂막/SiO₂막/불소계 수지막

≪실시예 13≫

실시예 13에 관련된 광학 제품으로서, 실시예 12와 동일하지만, 다음에 나타내는 바와 같이, ITO막에 대하여 IAD에 의해 작성한 것을 작성하였다.

(기판/)Al₂O₃막/ZrO₂막/MgF₂막/ZrO₂막/ITO막(3nm, IAD)/ZrO₂막/MgF₂막/SiO₂막/불소계 수지막

≪실시예 10~13 등의 검토≫

실시예 3과 동일한 막 구성으로서 ITO의 물리막 두께 1, 2, 3, 4, 5, 15, 20, 25nm로 한 것(5nm의 것이 실시예 3과 동일)을 각각 작성하고(Al₂O₃-TiO₂계), 각각 반사율 분광 분포를 측정함과 함께, CIE 표색계의 색도도(x, y, Y)에 있어서의 색채를 측정하였다. 도 8에, 그 반사율 분광 분포에 관한 그래프를 나타내고, 도 9에, 그 색도도를 나타낸다.

또, 실시예 13에 속하고 있고 ITO의 물리막 두께를 상기 Al₂O₃-TiO₂계와 동일하게 한 것에 대하여(ZrO₂-MgF₂계), 각각 반사율 분광 분포를 측정함과 함께, CIE 표색계의 색도도(x, y, Y)에 있어서의 색채를 측정하였다. 도 10에, 그 반사율 분광 분포에 관한 그래프를 나타내고, 도 11에, 그 색도도를 나타낸다.

또한, 상기 서술한 실시예 3과 동일한 것(실시예 3 상당)과, 실시예 10~13에 대하여, 각종 평가를 행한 결과를, 다음의 표 8에 나타낸다.

먼저, 대전 방지성, 발수성, 투과율(흡수의 적음), 내상처성, 내후성에 대해서는, 모두 매우 양호(A++)하였다. 즉, 대전은 보이지 않고, 충분히 발수되고, 충분히 투과광에 관련된 흡수가 적고, 상처가 보이지 않으며, 내후 시험 전후에서 변화가 보이지 않았다.

또한, 대전 방지성, 투과율에 관해서는, 상기 서술한 실시예 1~9 등과 동일하게 하여 평가하였다.

또, 발수성에 대해서는, 렌즈 표면에 순수를 적하한 경우에 있어서의 순수 표면 기부가 렌즈 표면에 대하여 이루는 각도에 의해 평가하고, 내상처성(상처에 대한 강도)에 대해서는, 소정 거칠기의 줄로 표면을 문질렀을 때의 상처의 유무 또는 정도에 따라 평가하고, 내후성에 대해서는, 각 렌즈를 60도 ·95%의 환경에 합계 1, 3, 7일간 두었을 때의 변화를 관찰하는 항온 항습 시험(내후시험)에 의해 확인하였다.

다음으로, 반사율이나 슬라이딩성에 관계되는 평가에 대하여, 실시예 3 상당의 것에서는, 복수 작성한 것 중의 일부에 대하여 자세히 관찰하면, 도 8이나 도 9 에 나타낸 바와 같이, 다층막을 실시한 면에 있어서 얼룩을 발생시키고 있는 것(A-)이 있고, 색조는 일정 정도 안정적이지만 엄밀히 평가하면 안정적이지 않다고 하는 것도 가능하다(A-). 또, 다층막을 실시한 면의 슬라이딩성이, ITO막이나 Al₂O₃막, TiO₂막, MgF₂막(특히 ITO막과 MgF₂막)에 의해, ITO막이나 MgF₂막을 구비하지 않는 슬라이딩성이 양호한 다층막에 비교하면, 약간 뒤떨어져 있었다(A-). 슬라이딩성에 관해서는, ITO막이나 MgF₂막 등이, 표면 거칠가 매우 낮은 상태에서 박막을 형성하는 것이 비교적으로 어려운 것이 요인이 되고 있다고 생각된다. 또한, 슬라이딩성의 평가는, 걸레(waste)로 표면을 닦은 경우의 저항(걸림)을, 복수의 당업자에 의해 조사하여 의견 집약함으로써 행하였다.

이에 대하여, 실시예 10에서는, MgF₂막을 SiO₂막의 사이에 둠으로써, MgF₂막의 표면 거칠기를, 표면이 매우 평활한 상태로 형성 가능한 SiO₂막에서 흡수할 수 있어, 슬라이딩성이 매우 양호해졌다(A++). 또, 얼룩이나 색조에 대하여, 높은 요구 수준을 만족시키는 것(ITO막이나 MgF₂막을 구비하지 않는 매우 평활한 것과 동등 이상의 것, A++)이 되었다. 그러나, SiO₂막을 MgF₂막의 상하에 2층 설치하기 때문에, 반사율에 대하여, 양호하지만, 높은 요구 수준을 약간 하회하는 것이 되었다(A).

실시예 11에서는, 반사율에 관한 특성을 양호하게 할 목적으로, 고굴절 재료를 란탄티타네이트로 하여 반사율에 관한 특성을 유지하면서 슬라이딩성을 양호하게 할 목적으로, ITO막의 위의 층에 SiO₂막을 배치하고 아래의 층은 란탄티타네이트로 하였다. 결과적으로, 반사율이 높은 수준을 충족시키며, 얼룩의 발생이 없고, 색조도 양호한 상태가 되어, 반사율에 관한 특성이 매우 양호하게 되었지만, 슬라이딩성은, 양호하지만 높은 요구 수준을 충족시키지는 않았다(A-).

실시예 12에서는, 반사율에 관한 특성과 슬라이딩성을 고도로 양립할 목적으로, 실시예 10의 제6층(ITO막의 상층)을 ZrO₂막으로 대신하였다. 결과적으로는, 반사율에 관한 특성이 매우 양호해졌지만, 슬라이딩성은, 양호하지만 실시예 11보다 더욱 약간 뒤떨어지는 것이 되었다(A-).

실시예 13에서는, 반사율에 관한 특성과 슬라이딩성을 고도로 양립할 목적으로, 실시예 12의 ITO막에 IAD를 실시하였다. 그 결과, 반사율에 관한 특성이 매우 양호해지고, 또한 슬라이딩성이 매우 양호해졌다(도 10, 도 11 참조).

이상에서, 대전 방지성을 구비하면서, 특히 반사율에 관한 특성과 슬라이딩성을 양립시키는 관점에서, ZrO₂막이 포함되어 있는 것이 바람직하다. ZrO₂막은, 반사율에 관한 특성을 양호하게 유지한 상태로, ITO막이나 MgF₂막의 표면 거칠기를 흡수하고 있다고 고찰된다. 따라서, ITO막보다 표면측의 유전체막에 ZrO₂막이 포함되어 있으면 바람직하고, 또한, ZrO₂막이 ITO막에 인접하는 표면측(ITO막의 바로 위)에 있으면 더 바람직하고, ZrO₂막이, ITO막의 바로 위와, ITO막에 인접하는 기재측(ITO막의 바로 아래)에 있으면, 더욱 바람직하다.

또, ITO막에 대하여 IAD에 의해 성막하면, 대전 방지성에 더하여, 반사율에 관한 특성과 슬라이딩성에 대해서도, 매우 양호한 상태로 할 수 있다.

Claims

투명한 기재의 일방의 면 또는 양면에 대하여,
유전체막과 ITO막을 포함하는 다층막이 형성되어 있고,
상기 ITO막의 물리막 두께가, 3나노미터 이상 7나노미터 이하인 것을 특징으로 하는 광학 제품.
제1항에 있어서,
상기 ITO막보다 표면측의 상기 유전체막에, ZrO₂막이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 제품.
제2항에 있어서,
상기 ZrO₂막은, 상기 ITO막의 바로 위에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 제품.
제2항에 있어서,
상기 ZrO₂막은, 상기 ITO막의 바로 위 및 바로 아래에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 제품.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유전체막에는, MgF₂막이 포함되어 있고,
상기 ITO막과 MgF₂막이 인접하지 않도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 제품.
제5항에 있어서,
상기 다층막의 최외층을 제1층으로 하고, 제2층 또는 제3층에 상기 MgF₂막이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 제품.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 ITO막이, 플라즈마 처리를 수반하는 증착에 의해 성막된 것임을 특징으로 하는 광학 제품.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 다층막의 최외층에 불소계 수지막 또는 SiO₂막이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 제품.
제8항에 있어서,
상기 다층막의 최외층의 SiO₂막이, 플라즈마 처리를 수반하는 증착에 의해 성막된 것임을 특징으로 하는 광학 제품.
제8항에 있어서,
상기 불소계 수지막의 물리막 두께가 10나노미터 이하인 것을 특징으로 하는 광학 제품.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유전체막은, 고굴절 재료와 중간 굴절 재료를 포함하여 복수 형성되어 있고,
상기 다층막에 있어서, 상기 고굴절 재료와 상기 중간 굴절 재료가 번갈아 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 제품.
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 광학 제품을 제조하는 방법으로서,
상기 ITO막을, 플라즈마 처리를 수반하는 증착에 의해 성막하는 것을 특징으로 하는 광학 제품의 제조 방법.
제12항에 있어서,
최외층을 SiO₂막으로 하고, 당해 막을, 플라즈마 처리를 수반하는 증착에 의해 성막하는 것을 특징으로 하는 광학 제품의 제조 방법.