KR20140133832A - 촉매, 촉매의 제조 방법, 및 이 촉매를 이용한 수소 함유 가스의 제조 방법, 수소 발생 장치, 연료 전지 시스템, 및 규소 담지 ＣｅＺｒ계 산화물 - Google Patents

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타츠로 미야자키
타쿠야 야노
카즈마사 이카리
토시히코 우에야마
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고꾸리쯔 다이가꾸 호진 오이타 다이가꾸
도와 홀딩스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 목적은, 자기 발열 기능을 발현하는 반응 개시 온도가 낮고, 더욱 반응을 반복해도 탄소 축적이 억제되는 촉매 등을 제공하는 것에 있다. 본 발명의 촉매는, CeZr계 산화물, 규소, 및 촉매 활성 금속으로 이루어지는 촉매로, 상기 CeZr계 산화물은, CexZryO2(x＋y=1)를 만족하고, 상기 규소는 0.02≤Si/Zr 및 0.01<Si/(Ce＋Zr＋Si)<0.2의 몰비를 만족하는 것을 특징으로 한다. 이 촉매는, 초기의 산소 결함을 일으키기 위한 환원 온도를 낮게 할 수 있고, 촉매 활성 금속에 따라서는 가열이 모두 필요없는 20℃ 정도에서도 환원 활성화 처리가 가능해진다. 또한, 반복의 수소 발생 반응에서, 발생하는 탄소의 촉매 표면에의 침착을 억제해, 촉매 활성의 저하를 방지할 수 있으므로, 촉매의 성능을 장기 지속할 수 있다.

Description

촉매, 촉매의 제조 방법, 및 이 촉매를 이용한 수소 함유 가스의 제조 방법, 수소 발생 장치, 연료 전지 시스템, 및 규소 담지 ＣｅＺｒ계 산화물{CATALYST, METHOD FOR PRODUCING CATALYST, AND METHOD FOR PRODUCING HYDROGEN-CONTAINING GAS USING CATALYST, AND HYDROGEN GENERATING DEVICE, FUEL CELL SYSTEM, AND SILICON-SUPPORTED CeZr-BASED OXIDE}
본 발명은, 촉매, 촉매의 제조 방법, 및 이 촉매를 이용한 수소 함유 가스의 제조 방법, 수소 발생 장치, 연료 전지 시스템, 및 규소 담지 CeZr계 산화물에 관한 것이다.
본 출원인은, 지금까지, 비교적 저온의 환원 활성화 처리이어도 자기 발열 기능을 발현할 수 있는 촉매 등을 제안하고 있다(특허문헌 1, 특허문헌 2).
일본 특허공개 제2008-229604호 공보 일본 특허공개 제2011-183284호 공보
그렇지만, 이러한 촉매에서는, 반응을 반복하면, 탄화수소로부터 수소를 분리할 때에, 미량의 탄소가 촉매 활성 금속에 석출하여 촉매의 활성을 저하시키는 것을 알게 되었다.
예를 들면, CeO2에 ZrO2를 첨가한 세리아-지르코니아계의 산화물에서는, ZrO2 첨가량이 증가하면, 환원 후의 발열량이 증가하기 때문에, 반응 개시 온도가 저하되어 상온 구동을 용이하게 실시할 수 있게 된다. 그러나, 담체 상에서의 크래킹 반응이 촉진되는 것에 의해 탄소 석출량이 증가하기 때문에, 반복 반응에 견딜 수 없다고 하는 문제가 있다.
그래서, 본 발명의 목적은, 반응을 반복해도 탄소 축적이 억제되는 촉매 등을 제공하는 것이다.
본 발명자 등은, 상기 과제를 감안하여, 일반식이 CexZryO2(x＋y=1)로 표현되는 산화물에, 소정량의 규소를 포함하고, 활성 금속을 담지시킨 촉매는 탄소 침착량이 억제되고 있는 것을 발견하여, 상기 과제를 해결하기에 이르렀다.
즉, 본 발명의 촉매는, CeZr계 산화물, 규소, 및 촉매 활성 금속으로 이루어지는 촉매로,
상기 CeZr계 산화물은, CexZryO2(x＋y=1)를 만족하고,
상기 규소는, 0.02≤Si/Zr 및 0.01<Si/(Ce＋Zr＋Si)<0.2의 몰비를 만족한다.
또한, 본 발명의 촉매는, 상기 촉매 활성 금속은, 백금계 원소, 니켈, 코발트 중에서 선택되는 적어도 1종이다.
또한, 본 발명의 촉매는, 상기 규소는, 상기 CeZr계 산화물의 표면에 편재되어 있다.
또한, 본 발명의 촉매의 제조 방법은,
(1) 암모늄 이온 및 탄산 이온이 적어도 1종이 포함되는 용액 A, 세륨, 및 지르코늄을 포함하는 용액 B를 제조하는 공정,
(2) 상기 용액 A와 상기 용액 B를 혼합하여 혼합 용액으로 하는 공정,
(3) 상기 혼합 용액에 산소를 포함하는 가스를 통기하는 공정,
(4) 상기 혼합 용액 중에 탄산이 포함되지 않을 때에, 탄산가스 또는 탄산 염을 첨가하는 공정,
(5) 상기 (3)의 공정 또는 상기 (3) 및 (4)의 공정 후, 규소 함유 용액을 첨가하여, 세륨, 지르코늄 및 규소가 포함된 침전물을 얻는 공정,
(6) 상기 침전물을 대기 중에서 소성하고, 세륨과 지르코늄을 포함하는 CeZr계 산화물에 규소를 피복시키는 공정,
(7) 규소가 피복된 CeZr계 산화물에, 촉매 활성 금속을 피복하는 공정,
(8) 규소와 촉매 활성 금속이 피복된 CeZr계 산화물을, 환원 분위기 중에서, 20~600℃로 조정하는 공정을 가진다.
또한, 본 발명의 촉매의 제조 방법은, 상기 용액 A는 암모니아수이다.
또한, 본 발명의 촉매의 제조 방법은, 상기 규소 함유 용액에 포함되는 규소원은 TEOS이다.
또한, 본 발명의 촉매의 제조 방법은, 상기 촉매 활성 금속이 니켈, 코발트 및 백금족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종이다.
또한, 본 발명의 수소 함유 가스의 제조 방법은,
탄화수소 또는 알코올과, 산소를 포함하는 원료 가스를, 상술한 촉매와 접촉시켜 수소 함유 가스를 발생시키는 방법으로,
상기 촉매를 환원 분위기 중에서 20~600℃로 조정하고, 상기 원료 가스 중의 산소에 접촉시켜, 상기 촉매의 자기 발열에 의해, 상기 원료 가스 중에 포함되는 탄화수소 또는 알코올과 산소와의 연소반응이 생기는 온도까지 상기 원료 가스를 승온시켜, 상기 원료 가스 중에 포함되는 탄화수소 또는 알코올을 연소시키는 승온 공정,
상기 승온 공정에서 고온이 된 상기 촉매에서 상기 원료 가스를 개질하는 공정을 가진다.
또한, 본 발명의 수소 함유 가스의 제조 방법은, 상기 촉매를 환원 분위기 중에서 20~200℃로 조정한다.
또한, 본 발명의 수소 발생 장치는, 탄화수소 또는 알코올을 공급하는 기구와, 산소를 공급하는 기구를 구비하고, 이러한 기구가 접속된 용기에, 상술한 촉매를 배설한 개질기를 구비한다.
또한, 본 발명의 수소 발생 장치는, 상기 개질기에 접속되어 배출되는 가스로부터 수소를 분리하는 기구를 구비한다.
또한, 본 발명의 연료 전지 시스템은, 상기 수소 발생 장치가 장착된다. 또한, 본 발명의 촉매에 이용되는 규소 담지 CeZr계 산화물은, CexZryO2(x＋y=1)를 만족하고, 0.02≤Si/Zr 및 0.01<Si/(Ce＋Zr＋Si)<0.2의 몰비를 만족한다.
본 발명의 촉매를 수소 발생 촉매로서 이용하는 경우에는, 초기의 산소 결함을 일으키게 하기 위한 환원 온도를 낮게 할 수 있고, 촉매 활성 금속에 따라서는 가열이 일절 필요 없는 20℃ 정도에서도 환원 활성화 처리가 가능해진다. 또한, 반복되는 수소 발생 반응에서, 발생하는 탄소의 촉매 표면에의 침착을 억제하고, 촉매 활성의 저하를 방지할 수 있으므로, 촉매의 성능을 장기 지속할 수 있다.
도 1은 본 발명의 촉매를 이용한 연료 전지 시스템의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 규소 담지 CeZr 산화물(전구체)을 에칭하면서 XPS로 계측한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명에 따른 촉매와 비교예의 촉매의 XRD의 측정 결과를 비교하는 도(담지 금속：Ni)이다.
도 4는 본 발명에 따른 촉매의 XRD의 측정 결과를 비교하는 도(담지 금속：Rh)이다.
도 5는 산소 흡장량과 Si/(Ce＋Zr＋Si)의 관계를 나타내는 그래프(담지 금속：Ni)이다.
도 6은 탄소 침착량과 Si/(Ce＋Zr＋Si)의 관계를 나타내는 그래프(담지 금속：Ni)이다.
도 7은 탄소 침착량과 Si/(Ce＋Zr＋Si)의 관계를 나타내는 그래프(담지 금속：Ni)의 일부를 확대한 도면이다.
도 8은 n-C4H10 전화율과 Si/(Ce＋Zr＋Si)의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 9는 촉매 상에 발생한 탄소량을 측정하는 장치의 개략도이다.
이하에, 본 발명을 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 설명은 본 발명의 실시형태의 일례를 예시하는 것이고, 본 발명은 이하의 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한, 이하의 실시형태의 설명은 변경할 수 있다.
본 발명의 촉매는, 세륨과 지르코늄이 포함되는 CeZr계 산화물, 규소, 및 촉매 활성 금속으로 이루어진다. 상세하게는, CexZryO2(x＋y=1)를 만족하는 CeZr계 산화물에, 규소가 0.02≤Si/Zr 및 0.01<Si/(Ce＋Zr＋Si)<0.2의 몰비를 만족하도록 담지되고 있고(이하 「전구체」라고 한다.), 촉매 활성 금속도 담지되고 있다.
여기서 촉매 활성 금속이란, 소정의 온도 하에서 탄화수소의 개질 반응을 진행시킬 수 있는 금속이다. 구체적으로는, 귀금속 중 백금계 원소인 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt) 등이 있다. 또한, 비금속인 니켈(Ni), 코발트(Co), 동(Cu), 바람직하게는 Ni, Co이어도 좋다. 또한, 이들의 임의의 조합이어도 좋다. 특히, Rh를 사용할 때는, 탄소 침착량을 현저하게 억제할 수 있고, 후술의 최저 환원 온도도 상온 정도까지 저하시킬 수 있다.
상기 전구체가 구비하는 물리적 성질로서는, 비표면적이 큰 것이 바람직하다. 이것은, 상기 전구체의 비표면적이 크면 산소와 접하는 면적이 커져, 촉매의 승온 효과가 더욱 발휘되기 때문이다.
이하, 세륨과 지르코늄을 포함하는 산화물에 규소를 담지시킨 상기 전구체를, 촉매 활성 금속의 담체 입자로서 설명한다.
<전구체의 제조>
상기 전구체에 있어서, 세륨과 지르코늄은, CexZryO2인 CeZr계 산화물로서 포함되고, 구성하는 원소의 비율은, Ce, Zr의 몰비를 Ce：Zr=x：y로 할 때, x＋y=1.0을 만족하도록 한다. Zr는, Zr/(Ce＋Zr)가 0.50 이상, 즉 Zr의 몰비 y가 0.50 이상인 것이 바람직하다.
본 발명에서는, 더욱, 예를 들면 ICP(Inductively coupled plasma：유도 결합 플라즈마) 발광 분석 장치로 측정되는 규소/지르코늄의 몰비가 0.02 이상이며, 0.01<Si/(Ce＋Zr＋Si)<0.2의 몰비되도록 규소(Si)를 포함한다. 이것에 의해, ZrO2 첨가량이 증가하면, 촉매의 수소 제조 능력이 저하된다고 하는 문제점이, 촉매 활성 금속에의 탄소의 석출을 억제할 수 있는 것에 의해서 해소된다. 그 때문에, Zr를, Zr/(Ce＋Zr)가 0.50 이상의 몰비로 함유시킬 수 있게 되었다.
바꾸어 말하면, 필수 원소인 Ce의 첨가량을 최소한으로 하여, ZrO2의, 수소 발생 시의 원료 가스의 개질 반응 개시 온도를 저하시키는 작용과 SiO2의 촉매 활성 금속에의 탄소의 침착을 억제한다고 하는 작용을 유효하게 할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위의 Ce와 Zr와 Si가 촉매에 포함되어 있는 것에 의해서, 이것들 3 원소의 상승 효과에 의해서, 반응 개시 온도와 환원 활성화 처리 온도의 저하와, 촉매 활성 금속에의 탄소 침착량의 억제에 관계되어 매우 우수한 효과를 발생시키는 것에 성공했다.
또한, CeZr계 산화물 중에는 산화 세륨 구조체의 Ce를 치환하고 있지 않는 Zr가 불순물상으로 존재하는 경우가 있다. 그러나, 본 발명의 효과가 저해되지 않는 한 그 불순물상의 존재는 허용된다. 또한, 허용되는 양의 불순물상이 존재하는 경우는, 불순물상 중의 Ce와 Zr를 포함한 복합 산화물 전체로의 몰비가 상기를 만족하고 있으면 좋다.
본 발명에서 이용하는 CeZr계 산화물은, 자기 발열 기능을 발현시키기 위해, 환원 처리를 필요로 한다. 이러한 처리를 거침으로써, CexZryO2의 산소의 사이트에 결손을 일으키게 된다. CeZr계 산화물은, 이 산소의 결손 사이트를 가지고 있기 때문에, 주위로부터 산소를 넣을 수 있게 된다. 그리고, 그 산소를 넣을 때에 생기는 발열량은, 상온으로부터 단번에 촉매 활성 금속의 촉매능이 발현할 수 있는 온도까지 촉매 자체의 온도를 상승시키는데 충분한 양이다. 따라서, 외부로부터의 가열이 불필요하다.
상기 전구체는, 습식법으로 얻어진 침전 생성 물질을 소성하는 방법에 의해 적합하게 합성할 수 있다. 예를 들면, Ce의 수용성 염과 Zr의 수용성 염을 침전제에 의해 침전시킨다. 그 후, Si의 수용성 염을 첨가해, 세륨, 지르코늄 및 규소가 포함된 침전물을 얻는다. 그리고 얻어진 침전물을 건조·소성시킴으로써 전구체를 얻을 수 있다.
구체적으로는, Ce의 수용성 염(예를 들면 질산염)과 Zr의 수용성 염을 용해 시킨 수용액에, 침전제로서 암모늄 이온 및 탄산 이온의 적어도 일종이 포함되는 물질을 더해 반응시켜 침전물을 생성시킨다. 얻어진 침전물에, Si의 수용성 염을 첨가하고, 얻어진 침전 생성물을 여과, 세정·건조, 소성하는 것에 의해서, 상기 전구체를 얻을 수 있다. 침전을 생성시키는 액 중의 Ce, Zr의 이온 농도는, 용해도에 따라 상한이 정해진다.
침전물을 얻기 위해서는 암모늄 이온 및 탄산 이온의 적어도 일종이 포함되는 침전제를 이용하는 것이 바람직하다. 구체적으로 예시하면, 암모늄 이온이 포함되는 침전제로서는, 암모니아수 등이 바람직하고, 탄산 이온이 포함되는 침전제로서는, 탄산수, 탄산 가스, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소나트륨 등이 바람직하다.
또한, 암모니아수 혹은 암모늄의 각 수용성염을 혼합해 사용하는 것, 혹은 그 쌍방의 기능을 겸비하는 탄산암모늄 화합물을 이용해도 좋다. 구체적으로는 탄산암모늄, 탄산수소암모늄 등을 사용할 수 있다. 암모늄 이온이 포함되는 침전제를 사용하는 경우에는 침전물에 공기 등의 산소를 포함하는 가스를 넣어 산화시켜 산화물의 혼합물을 생성시키는 것이 바람직하다. 또한, 암모늄 이온이 포함되는 침전제를 사용하여, 혼합 용액 중에 탄산이 포함되지 않을 때에는, 탄산가스 또는 탄산염을 더욱 첨가하는 것이 바람직하다.
또한, 원료 염 용액에 요소를 함유시켜, 이 원료 염 용액을 가열하여 요소를 분해하고, 암모니아를 발생시켜, 그에 따라 염 용액을 알칼리성으로 하여 침전물을 얻는 것도 가능하다. 침전물을 생성시킬 때의 액의 pH는 6~11의 범위로 제어하는 것이 좋다.
또한, Ce 화합물, Zr 화합물, Si 화합물로서 각각 가수분해가 가능한 화합물을 준비하고, 이들을 물에 첨가하여 가수 분해하는 것에 의해서, 혼합 졸을 형성하고, 응집·침전시킬 수도 있다. 여기서 이 가수분해 가능 화합물로서는, 예를 들면 각 금속원소의 알콕사이드, β-케토산 염을 들 수 있다.
상기 침전물은 필요에 따라서 여과, 세정되고, 진공 건조나 통풍 건조 등에 의한 건조나, 소성 처리를 실시해, 전구체를 얻을 수 있지만, 이 때, 탈수 효과를 높이기 위해, 여과한 직후의 분말 형상 또는 소정의 조립 상태로 건조 처리할 수 있다. 또한, 소성 처리는, 예를 들면 400~1000℃, 바람직하게는 500~850℃로 열처리할 수 있다.
<활성화 금속의 담지>
상기 전구체의 표면에는, 탄화수소의 산화적 개질의 촉매 활성 성분으로서 이용하는 촉매 활성 금속을 담지시킨다. 이러한 촉매 활성 금속 원료를 용매 중에 용해시켜, 상기 전구체를 용매 중에 투입하고, 용매를 증발시킴으로써, 상기 전구체에 촉매 활성 금속을 담지시킨다. 또한, 본 명세서 중에서 「피복」과「담지」는 동일한 취지를 나타내는 것으로서 이용한다. 따라서, 상기 전구체의 표면에 활성 금속이 존재하지 않은 부분이 있어도 「피복된 상태」라고 해도 좋다.
<환원 활성화 처리>
촉매 활성 금속을 담지시킨 상기 전구체를, 환원 활성화 처리하여, 산소 결손 사이트를 만드는 것으로, 본 발명의 촉매가 된다.
또한, 한 번 환원 활성화 처리를 실시해 얻어진 본 발명의 촉매는, 산화되어 산소 결손 사이트가 없어져, 자기 발열능을 잃어도 「촉매」라고 한다. 재차 환원 활성화 처리를 실시하는 것으로 자기 발열능을 회복하기 때문이다.
환원 활성화 처리는 구체적으로는, 다음과 같이 실시한다. 우선, 내측에 불활성 처리를 한 금속 반응관을 가지는 상압 고정상 유통식 반응 장치 내에, 상기의 촉매 활성 금속을 담지시킨 전구체를 충전해, 촉매층으로 한다. 그리고, 순 수소(H2)를 유통시키면서 20~600℃, 바람직하게는 20~200℃로 조정한다. 또한, 여기서 「조정한다」란, 그 온도 중에 소정 시간 노출한다고 하는 의미이다. 이것을 「온도 조정」이라고도 한다.
이러한 온도 조정은, 본 발명의 촉매를 얻기 위해서 필요하지만, 보다 낮은 것이 비용 등의 관점에서 유리하다고 말할 필요도 없다. 예를 들면, 촉매 활성 금속에 Rh를 이용하면, 20℃에서 환원 활성화 처리를 실시할 수도 있다. 이 경우는 가열이 일절 필요 없는 온도 조정에 의해 환원 활성화 처리가 가능해진다.
본 발명의 촉매는, 촉매의 온도가 상온 상태부터도, 원료 가스에 산소가 포함되면, 그 산소에 의해서 자기 산화에 의해 발열을 실시한다. 이 열에 의해서 촉매 중의 촉매 활성 금속이 원료 가스의 개질 반응을 실시해, 수소를 함유하는 가스를 발생시킨다. 또한, 이 발열 반응은 승온 레이트가 높기 때문에, 짧은 시간에 수소 함유 가스를 발생시킬 수 있다.
다음으로, 도 1을 이용하여, 본 발명의 촉매를 이용한 연료 전지 시스템에 대해 간단하게 설명한다. 본 실시형태의 설명으로는, 고체 전해질형 연료 전지(Solid Oxide Fuel Cell：이하 「SOFC」라고 함) 시스템을 예로 하지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 연료 전지 시스템(10)은, 탄화수소 가스 공급기(12), 산소 공급기(13), 개질기(14), SOFC(30)을 포함한다.
탄화수소 가스 공급기(12)는, 개질기(14)에 유입시키는 탄화수소 가스를 공급한다. 탄화수소 가스 공급기(12)에는, 탈유 장치가 포함되어 있어도 좋다. 산소 공급 장치(13)는 탄화수소 가스 공급기(12)로부터 공급되는 탄화수소 가스에 산소를 혼합한다. 혼합은 혼합 밸브(16)로 행해진다. 산소 공급 장치(13)가 공급하는 산소는 순 산소이어도 좋지만, 질소 등이 포함되어 있어도 좋고, 공기이어도 좋다.
산소를 함유한 탄화수소 가스(11)는 밸브(17)을 거쳐, 개질기(14)에 공급된다. 개질기(14)에는, 본 발명의 촉매가 충전되어 있다. 또한, 탄산가스 공급기(12)와, 산소 공급 장치(13)와, 혼합 밸브(16)와, 개질기(14)로 수소 발생 장치를 구성한다. 개질기(14)에서는 주로 수소 및 일산화탄소를 포함하는 개질 가스(15)가 배출되고, 밸브(18)를 통해 SOFC(30)에 통기된다. SOFC(30)는 특히 타입을 한정하지 않고, 어느 타입을 이용해도 좋다. 여기에서는, 일반적인 기아 스팅 하우스 원통 세로의 줄무늬형 셀의 경우로 설명을 계속한다.
SOFC(30)에는, 실레스 구획판(sealless partition plate)(31)에 의해서, 애노드 영역(32)과 캐소드 영역(33)으로 나눌 수 있다. 고체 전해질(34)은, 일단이 닫힌 원통형을 하고 있고, 폐단(閉端)측을 실레스 구획판(31)에서 애노드 영역(32)에 배치하고, 개단(開端)측을 캐소드 영역(33)에 배치하고 있다. 개단에는, SOFC(30)의 캐소드 영역(33) 측으로부터 삽입된 산소 공급 파이프(35)의 선단이, 고체 전해질(34) 중에 삽입되어 있다. 산소 공급 파이프(35)로부터 공급되는 산소도, 순 산소뿐만 아니라, 공기이어도 좋다.
이것에 의해서, 고체 전해질(34)의 통 외측은, 애노드 영역(32)에서 개질 가스와 접해, 연료극이 된다. 또한, 고체 전해질(34)의 통 내측은, 산소와 접하고, 공기극이 된다. 그리고, 고체 전해질(34)의 통 외측에는 부극(36)이 배치되고, 통 내측에는 정극(37)이 배치된다. 이러한 전극으로부터 도선에 의해서 부하(38)가 접속되면, 전류를 취출할 수 있다.
또한, SOFC(30)의 캐소드 영역(33)에는, 연소 후의 배기가스 배출구(39)가 배설되고 있다.
다음으로, 이 연료 전지 시스템(10)의 동작에 대해 설명한다. 연료 전지 시스템(10)을 최초 정지 상태로 한다. 여기서 정지 상태란, 개질기(14), SOFC(30)가 모두 상온 상태가 되어 있는 경우를 말한다.
본 발명의 연료 전지 시스템(10)에는, 후술하듯이 촉매를 재활성시키기 위한 열원(41)을 장비하고 있지만, 시스템의 기동 시에는 이것을 이용하지 않는다. 기동 시에는 탄화수소 가스 공급기(12)와 산소 공급기(13)로부터의 탄화수소 가스와 산소의 혼합 가스를 개질기(14)에 통기시킨다. 개질기(14) 중 촉매는, 혼합 가스 중의 산소에 의해서 산화해, 자기 발열한다. 이 발열에 의해서 촉매 자신이, 혼합 가스를 연소시키는 온도까지 상승하고, 혼합 가스가 연소함으로써 개질 반응을 실시하는 기동 온도까지 상승해, 혼합 가스 중의 탄화수소로부터 고온의 CO와 H2를 생성한다. 이 CO와 H2를 함유하는 가스가 개질 가스(15)가 된다. 개질 가스(15)가 공급된 SOFC(30)는 발전을 개시한다.
본 발명의 연료 전지 시스템(10)에는, 개질기(14)로 발생시킨 수소를 포함하는 개질 가스(15)를 일시 저장하는 탱크(40)와, 개질기(14)를 가열하는 열원(41)과, 열원(41)을 구동하는 전원(42), 전원을 충전하는 충전 제어기(43)가 더 배설된다. 탱크(40)에는, 개질기(14)가 발생하는 개질 가스(15)를 소정량만 축적한다. 또한, 부극(36)과 정극(37)에서는 전원(42)에 충전하기 위한 배선이 충전 제어기(43)에 접속되어 있어, 연료 전지 시스템(10)이 가동 중에 전원(42)을 충전한다.
본 발명의 연료 전지 시스템(10)은, 기동·정지를 반복해 실시할 수 있지만, 정지 시에 촉매가 산화되었을 경우는 촉매능 및 자기 발열능도 실활(失活)한다. 그 경우는, 이하와 같이 하여 촉매를 재부활시킨다.
우선, 밸브(17)를 탱크(40)로부터 개질기(14)에 개통하도록 바꾼다. 밸브(18)는 외기 측에 개통하도록 바꾼다. 다음으로, 탱크(40)로부터 수소를 포함하는 개질 가스를 흘리면서 전원(42)에서 열원(41)으로 전류를 흘려, 개질기(14)를 가열한다. 열원(41)은 니크롬 등의 열선으로 좋고, 개질기(14)를 20~600℃, 바람직하게는 20~200℃로 조정할 수 있다.
소정 시간 이 상태를 유지하고, 밸브(17, 18)을 닫아 열원(41)에의 통전을 정지한다. 본 발명의 촉매는 200℃ 정도의 온도가 있으면 충분히 재부활할 수 있어, 경우에 따라서는, 20℃ 정도의 비가열로 상기 수속에 의해서 개질기(14) 내의 촉매를 부활시킬 수 있다.
실시예
이하, 본 발명의 촉매의 성능을 실시예의 결과를 이용해 설명한다.
(실시예 1~4)
(용액 B)
4%로 조정된 질산 750 g에, Ce원으로서 질산세륨 육수화물(Ce(NO3)3·6H2O) 125 g과, Zr원으로서 아세트산 지르코늄(순도 34.0%) 77.3 g을 용해한 후, 질소로 버블링함으로써, 용액 중의 용존 산소를 제거해, 용액 B를 제조했다.
(규소 함유 용액)
TEOS(오르토규산테트라에틸：Si(OC2H5)4) 5.0 g를 순수 45.0 g에 첨가해 교반해 규소 함유 용액을 제작했다.
온도 조절 기능, 교반기 및 가스의 공급 노즐을 하부에 구비한 용량 5000 mL의 반응 용기에, 23.0% 암모니아 농도 용액을 2.0%로 희석한 용액을 3000 g 더하고, 교반하면서 수온을 50℃로 조정해, 용액 A를 제작했다. 온도가 안정되고 나서, 용액 B를 첨가하여 혼합 용액으로 하고, 수온이 50℃로 안정될 때까지 방치했다.
그 후, 반응 용기 하부로부터 혼합 용액에 공기를 더하는 것으로, 핵이 되는 결정을 석출시키고, 공기의 공급을 정지해, 10분간 교반하면서 숙성한 후, 23% 암모니아수 10 g를 더하여, 더욱 10분간 숙성했다. 그 후, 375 mL/분으로 탄산가스를 더하면서, 30분간 교반했다.
탄산가스의 공급을 정지한 후, 10분간 숙성하고 나서 규소 함유 용액을 첨가하고, 30분간 더 숙성시켜, 세륨, 지르코늄, 규소를 포함하는 침전물을 얻었다.
이렇게 하여 얻어진 침전물을, 반응 모액으로부터 여과·세정한 후에, 130℃에서 6시간 대기 중에서 건조시키고, 300℃에서 10시간 열처리한 후에, 800℃에서 4시간 소성함으로써, 본 발명의, 세륨, 지르코늄, 규소를 포함하는 전구체를 얻었다. 그 전구체의 Si/(Si＋Ce＋Zr)는, 용액 B와 규소 함유 용액의 혼합 비율을 바꾸어 조절했다.
구체적으로, 실시예 1은 Si/(Si＋Ce＋Zr)가 1%, 실시예 2는 Si/(Si＋Ce＋Zr)가 4%, 실시예 3은 Si/(Si＋Ce＋Zr)가 5%, 실시예 4는 Si/(Si＋Ce＋Zr)가 10%, 실시예 5는 Si/(Si＋Ce＋Zr)가 2.5%, 실시예 6은 Si/(Si＋Ce＋Zr)가 10%가 되도록 각각 조제했다. 이 투입량에 대해서 완성된 전구체를 ICP 발광 분석 장치로 분석한 결과를 표 1(실시예 1~4와 비교예 1, 2) 및 표 3(실시예 5, 6)에 나타낸다. 또한, 이러한 비율은 몰%의 값으로 산출했다.
다음으로, 촉매 활성 금속으로서 실시예 1~4 및 비교예 1 및 2는 Ni을, 실시예 5~6은 Rh를 이용해 상기 전구체의 표면에 피복했다. 구체적으로는 이하의 순서를 실시했다.
300 mL 비커에서 촉매 활성 성분을 Ni로 했을 경우에는, Ni(NO3)2·6H2O를 0.50 g 증류수에 용해하고 전량 0.15 L의 Ni 수용액을 얻었다. 한편, 촉매 활성 성분을 Rh로 했을 경우에는, Rh(NO3)3·nH2O(Rh 순도 35.3%)(Mitsuwa Chemistry Co., Ltd. 제품) 0.29 g를 증류수에 용해해 전량을 0.15 L의 Rh 수용액을 얻었다.
다음으로, 상술한 방법에 의해 제작한 전구체 10 g를, Ni 수용액 혹은 Rh 수용액이 들어가 있는 비커에 더한 후, 실온에서 12시간 교반하고, 용액과 전구체를 완전히 혼합되도록 했다.
그 후, 비커를 가열형 핫 스터러 상에서 가열 교반하고, 수분을 증발시킴으로써 전구체 상에 Ni 혹은 Rh를 피복하고, 60℃에서 24시간 건조기 중에서 건조하고 Ni 혹은 Rh 담지 전구체를 얻었다.
다음으로, 이 Ni 혹은 Rh 담지 전구체를 자성 유발에서 분쇄한 후, 파이렉스(등록상표) 글래스 제의 용기에 삽입하고, 종형 관상 로 중에서 공기 중 450℃, 5시간의 가열 처리를 가했다. 이 때의 승온 속도는 10℃/분이었다. 열처리 후, 실온까지 자연스럽게 냉각했다.
얻어진 Ni 혹은 Rh 담지 전구체의 분말에, 다음의 환원 활성화 처리를 실시했다. 우선, 석영 반응관을 가지는 상압 고정상 유통식 반응 장치 내를 준비해, 이 석영 반응관에, Ni 혹은 Rh 담지 전구체의 분말을 0.1 g 충전한 촉매층을 마련했다. 석영 반응관은, 외경 9.9 mm, 내경 7.0 mm의 것을 이용했다.
석영 반응관 내에, 순 수소(H2)를 통과 속도：30mL/분, 압력 0.1 MPa, 처리 온도 25~600℃에서 유통시켜 환원 활성화 처리를 실시했다. 또한, 열처리 온도까지의 승온 속도는 10℃/분으로 하고, 환원 열처리 온도에서의 보지(保持) 시간을 1시간으로 했다.
(비교예 1)
Si원(源)을 첨가하지 않고, Zr/(Ce＋Zr)가 0.50이 되도록 표 1의 비율이 되도록 배합해 조정한 것 이외는, 실시예 1과 동일한 조작에 의해서 본 예의 촉매를 얻었다.
(비교예 2)
Zr/(Ce＋Zr)를 0.12로 한 것 이외는, 비교예 1과 동일한 조작에 의해서 본 예의 촉매를 얻었다. 상기 실시예 1~4와 비교예 1, 2를 Ni 담지 촉매라고 하고, 실시예 5, 6을 Rh 담지 촉매라고 한다.
<조성 및 구조>
얻어진 촉매 분말을, XPS(X-ray photoelectron spectroscopy：X선 광전자 분광) 장치 및 ICP 발광 분석 장치에 의해 측정한 결과를 표 1에, 또 실시예 5, 6은 표 3에 ICP 발광 분석 장치의 데이터만 나타낸다. ICP 발광 분석 장치의 측정 결과는 거의 투입된 때의 조성 비율과 합치했다. 이러한 결과는 목적으로 하는 조성비로 CeZr계 산화물에 Si가 담지되어 있는 것을 나타내고 있다.
Figure pct00001
도 2에는, 촉매를 스퍼터로 에칭하면서 XPS 측정을 실시한 결과를 나타낸다. 종축은 Si/(Ce＋Zr＋Si), 즉, 전구체의 전 원소에서의 Si의 비율(%)이다. 횡축은 에칭 타임(초)이다. 도 중 마름모형 인(印)은 투입 비율로 Si를 10%, 삼각 인은 Si가 5%, 십자표 인은 Si가 4%, 원 인은 Si가 1%의 실시예이다.
어느 샘플도 에칭을 실시함에 따라서, Si의 비율이 저하했다. 이것은, Si가 입자 표면에 편재되어 있는 것을 나타내는 결과이다. 또한, 여기서 Si가 입자 표면에 편재된다는 것은, Si가 입자 표면에 담지되어 있거나, 혹은 Si가 입자 표면을 피복하고 있다는 것과 동일한 의미이다.
도 3에는, 실시예 1~4 및 비교예 1의 X선 회절(X-Ray Diffraction)의 결과를 나타낸다. 종축은 강도(임의 단위)이며 횡축은 각도(2θ)이다. 선원은 Cu-Kα 선을 이용했다. 비교예 1은 규소가 포함되지 않았다. 한편, 실시예 1~4는, 규소가 함유되어 있어, 실시예 1로부터 실시예 4로 향해 규소 비율은 높아지는 촉매이다. 또한, 마찬가지로 도 4에는, 실시예 5, 6의 X선 회절의 결과를 나타낸다. 도 4는 규소가 함유되어 있고, 촉매 활성 금속이 Rh이다.
이것에 의해, 규소가 함유되어 있어도, CeZr계 산화물의 현저한 피크가 관측되고, 구조적으로는 거의 CeZr계 산화물 구조를 유지하고 있는 것을 알 수 있다. 즉, Ce와 Zr는 CeZr계 산화물로서 촉매 중에 포함되어 있다고 할 수 있다.
<촉매의 비표면적, 결정자경(徑)>
얻어진 촉매 분말의, Ni 담지 전후의 비표면적과, 촉매 입자의 결정자경 Dx(nm)를 표 2에 나타낸다. 또한, Rh 담지 전후의 비표면적과, 촉매 입자의 결정자경 Dx(nm)를 표 3에 나타낸다. 또한, 비표면적 측정은 BET법에 따라 측정했다. Si가 함유되어 있지 않은 비교예와 비교하면, 실시예의 비표면적은 모두 높은 값이 되고 있다. 또한, 비표면적은, Si함유량이 많을수록 증가하고, Si를 10% 함유하고 있는 실시예 4, 6은, Ni 담지 후의 비표면적이 65.6㎡/g, Rh 담지 후의 비표면적이 62.8㎡/g이다.
Figure pct00002
Figure pct00003
<환원 온도 마다의 산소 흡장량>
산소 흡장량은, 산소 결함 사이트의 양을 나타내고 있다. 이 값이 크면, 산소의 흡장 가능량이 많아져, 산화열의 증대를 기대할 수 있다.
그래서, 얻어진 Ni 담지 촉매(실시예 1~4, 비교예 1~2)를 200℃, 300℃, 400℃에서 환원 처리를 실시해, 50℃에서 산소 흡수량 측정을 실시한 결과를 표 4에, 또 Rh 담지 촉매(실시예 5~6)를 25℃, 100℃, 200℃에서 환원 처리를 실시해, 50℃에서 산소 흡수량 측정을 실시한 결과를 표 5에 나타낸다. 본 발명의 범위 내에 있는 촉매에서는, Si량이 증가함에 따라 산소 흡장량은 감소했다. 그러나 후술하듯이, 반복 시의 탄소 흡착량을 억제할 수 있으므로 장기에 걸친 촉매 성능의 유지가 가능해진다.
도 5에는, 300℃에서 환원 처리했을 경우의 실시예 1~4와 비교예 1, 2(Ni 담지 촉매)에 대해서, Si/(Ce＋Zr＋Si)와 산소 흡장량의 관계를 나타낸다. 종축은 300℃에서 환원했을 경우의 산소 흡장량(μmol/g)이고, 횡축은(Si/(Ce＋Zr＋Si)이다. 백색 원 인은 실시예, 흑색 삼각은 비교예이다. 도 5는, 전체에서 규소의 비율이 높아지면, 어느 정도까지는 산소의 흡장량이 일정, 혹은 증가하는 경향을 볼 수 있고, 일정 한도를 초과하면 저하하는 경향이 있는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 4와 실시예 6의 비교에서, 촉매 활성 금속을 Ni로부터 Rh로 변경하면, 산소 흡장량은 큰폭으로 증가하고 있고, Si/(Ce＋Zr＋Si)를 10%로부터 2.5%(실시예 5)로 함으로써 산소 흡장량은 더 증가하고 있다.
또한, 산소 흡장량 측정은 상압 고정상 펄스식 반응 장치를 이용해서 행했다. 구체적으로는 이하와 같이 하여 측정했다. 외경 9.9 mm 내경 7 mm로 석영 반응관에 촉매를 0.1 g 충전하고, 순 H2(30 mL/분, 0.1 MPa)를 유통하면서, Ni 담지인 실시예 1~4와 비교예 1~2의 촉매에 대해서는, 200℃, 300℃, 400℃에서의 환원 열처리, Rh 담지인 실시예 5~6의 촉매에 관해서는, 실온(25℃), 100℃, 200℃에서 각각 환원 열처리했다. 열처리 온도까지의 승온 레이트는 (10℃/분)으로 하고, 열처리 온도로 1시간 보지함으로써 환원 활성화 처리를 실시했다. 그리고 유통 가스를 Ar(30 mL/분)로 전환해 촉매를 50℃까지 냉각했다. 그리고, 그 온도로 2.88 mL의 순 O2를 펄스해, 촉매에 흡수되지 않고 잔존한 O2량을 TCD(Thermal Conductivity Detector：열전도도) 검출기로 정량했다.
다음으로, 이러한 촉매(Ni 담지 촉매)의 반응 개시 온도를 측정했다. 결과를 표 2에 나타낸다. Si의 함유 비율이 높아질수록(실시예 1부터 실시예 4 쪽이) 반응 개시 온도가 높아졌다. 본 발명의 범위 내에 있는 촉매에서는, Si량이 증가하는 것에 따라 반응 개시 온도가 높아졌다. 그러나 후술 하듯이, 반복 시의 탄소 흡착량을 억제할 수 있으므로, 장기에 걸친 촉매 성능의 유지가 가능해진다.
또한, 반응 개시 온도는, 실시예 및 비교예의 샘플에 연료로 되는 탄화수소를 흘리면서, 외부로부터 온도를 서서히 올려 급격하게 온도가 높아지는 점을 반응 개시 온도로 했다.
<탄소 침착량>
고정상 유통식의 반응 장치를 이용하여, 산소 함유 가스를 유통하면, 산화열에 의해 발열하여, 촉매 활성 금속 성분이 활성을 가져 작동 가능하게 된다고 확인되는 정도의 산소 결함을 일으키게 할 수 있는 온도(이후는 최저 환원 온도라고 함)를 표 4와 표 5에 나타낸다. 최저 환원 온도에서 1시간 수소 환원 처리를 실시한 후, Ar로 퍼지한 후, 단열 조건 하, 상온 25℃에서, 0.1 g의 촉매를 이용해 반응 가스는 n-C4H10/O2/N2/Ar=1/2/1/7의 반응 가스를 사용해, 공간 속도 122 L/h·g로 상온 구동한 개질 반응을 5회 반복해서 행했다. 반복 반응 후의, 탄소 침착량의 측정 결과를 표 4, 표 5에 나타낸다. 또한, 탄소 침착량은, 반응 가스 5회 유통시에 발생하는 촉매 중량 전체에 대한 촉매에의 탄소 흡착량의 비율(질량%)로 얻을 수 있다.
반응 후의 촉매 상에 석출한 탄소량을 측정하기 위해, TPO(Temperature Programmed Oxidation)에 의한 분석을 실시했다. 반응 사용 후의 촉매 전량(사용량이 많은 경우는 0.05 g)을, 석영 울(quartz wool)을 이용해 석영관 리엑터에 충전해, 도 9에 나타내는 장치에 세트했다.
도 9에는, TPO(Temperature Programmed Oxidation)를 나타낸다. 반응 사용후의 촉매 전량(사용량이 많은 경우는 0.05 g)을, 석영 울을 이용해 석영관 리엑터에 충전해, 도 9의 장치에 세트했다. 그 후 O2/Ar=5/95의 혼합 가스 30 mL/min의 유통 하에서 1273 K까지 10 K/min의 속도로 승온시켰다. 정제한 COx는 GC 오븐 내에 설치한 메탄화 촉매(메타나이저)에 의해서 CH4로 하고, GC-FID(Gas Chromatography-Flame Ionization Detector：수소염 이온화 검출기를 장착한 가스크로마토그래피)에 의해서 정량을 실시했다.
실시예는 모두, 탄소 침착량이 낮고, Si 함유량이 많을수록 탄소 침착량은 저하되었다. 도 6 및 7에는, 표 2를 그래프화한 것을 나타낸다. 종축은 탄소 침착량(반복시·질량%)이며, 횡축은 Si 함유율(Si/(Ce＋Zr＋Si))이다. 도 6을 참조하여, Si가 포함되지 않은 비교예이어도, Zr의 함유량이 Ce와 동등한 비교예 1의 탄소 침착량은 5.56질량%이며, Zr의 함유량이 적은 비교예 2의 탄소 침착량인 20.00질량%과 비교해 적어지게 되었다.
도 7은 도 6의 7.0질량% 이하의 종축의 부분을 확대한 그래프를 나타낸다. 탄소 침착량이 적었던 비교예 1(흑색 삼각 인)보다 실시예(백색 원 인)는 탄소 침착량이 줄어들고 있었다. 즉, 실시예는, 장기 내구성이 우수한 촉매이다. 상기의 반응 개시 온도의 결과와 비교하면, Si를 함유시킴으로써, 탄소 침착량은 저하시킬 수 있지만, 반응 개시 온도는 상승한다고 하는 트레이드 오프의 관계에 있는 것을 알 수 있다. 그러나, 본 발명에 따른 촉매의 반응 개시 온도는, Si가 10% 포함되어 있어도, 충분히 실용적이고, 탄소 침착량이 적고 촉매로서의 내구성이 향상하는 것이기 때문에, 매우 유용하다고 할 수 있다.
또한, 촉매 활성 금속을 Ni(실시예 4)로부터 Rh(실시예 6)로 변경하면, 탄소 침착량은 감소하고 있고(0.85%로부터 0.48%), 반응 개시 온도도 낮아지고 있는(390℃에서 258℃) 것으로, 촉매 활성 금속이 Rh가 좋은 것을 알 수 있다. 게다가 실시예 6으로부터 Si/(Ce＋Zr＋Si)를 2.5%(실시예 5)로 하면, 탄소 침착량은 증가하지만, 최저 환원 온도는 25℃로 상온이 되고, 촉매를 가열하지 않고 자기 발열 기능을 발현할 수 있어 산화적 개질 반응을 구동시킬 수 있다.
<n-C4H10 전화율>
이하의 반응은, 상압 고정상 유통식 반응 장치를 이용해서 행했다. 외경 9.9 mm 내경 7 mm로 내측에 불활성 처리를 한 금속 반응관에 촉매를 0.2 g 충전해, 순 H2(20 ml/분, 0.1 MPa)를 유통하면서 100~500℃까지 승온(10℃/분)하고, 그 온도로 1시간 보지함으로써 환원 활성화 처리를 실시했다. 그리고, 유통 가스를 Ar(50 ml/분)로 전환해 촉매층에 수증기를 안정하게 공급할 수 있는 100℃까지 냉각했다.
그리고, 활성 측정(활성 측정 개시 시 촉매층 입구 온도 100℃, 반응 압력 0.1 MPa, n-C4H10/O2/H2O/N2/Ar=1/2/4/1/7(몰비), 전 가스 공급 속도 555 ml/분, 공간 속도(SV) 333 L/시간·g)를 실시했다. 60 min 후 반응 생성물을 TCD 검출기 부착 가스크로마토그래피(6890 N(Agilent Technologies), HP-PLOT Molesieve 및 HP-PLOTQ)에 의해 분석했다.
이 활성 측정의 사이, 전기 로에 의한 가열은 하지 않고, 반응으로 생성한 열에 의해 촉매층은 가열되었다. 또한, n-C4H10 전화율의 계산에는 N2를 내부 표준으로서 이용했다. 계산식은 (1)식 대로이다. 이러한 n-C4H10 전화율을 표 4, 표 5에 나타낸다.
Figure pct00004

이러한 n-C4H10 전화율을 표 2, 표 3에 나타낸다. 도 8에 n-C4H10 전화율을 나타낸다. 종축은 n-C4H10 전화율(%)이고, 횡축은 Si 함유율(Si/(Ce＋Zr＋Si))이다. 실시예(백색 원)는 모두, 비교예(흑색 삼각)보다 n-C4H10 전화율(%)은 높은 결과이며, 산화적 개질 반응이 우수한 것을 알 수 있다.
Figure pct00005
Figure pct00006
(산업상의 이용 가능성)
본 발명에 따른 촉매를 사용함으로써, 환원화 처리 온도의 더욱 저하, 경우에 따라서는 비가열에서의 환원화 처리가 가능하기 때문에, 가열 수단이나 단열 구조의 간략화가 가능해져, 수소 발생 장치의 더욱 소형화를 도모할 수 있다. 또 본 발명에 따른 촉매는, 반복 사용에 견딜 수 있기 때문에, 장수명화를 도모할 수 있고, 메인테넌스 프리가 된다. 따라서, 수소 발생 장치의 연료 전지용 이동 전원, 순수 소형의 연료 전지, 수소를 연료로서 사용하는 수소 자동차 및 각종 교통 수단이나 이동체, 엔진 등의 열기관이라 하는 광범위한 것에 사용할 수 있을 가능성이 커진다.
10: 연료 전지 시스템
12: 탄화수소 가스 공급기
13: 산소 공급기
14: 개질기
15: 개질 가스
16: 혼합 밸브
17: 밸브
18: 밸브
30: 고체 전극형 연료 전지(SOFC)
31: 실레스 구획판
32: 애노드 영역
33: 캐소드 영역
34: 고체 전해질
35: 산소 공급 파이프
36: 부극
37: 정극
38: 부하
39: 배기가스 배출구
40: 탱크
41: 열원
42: 전원
43: 충전 제어기

Claims (13)

  1. CeZr계 산화물, 규소, 및 촉매 활성 금속으로 이루어지는 촉매로,
    상기 CeZr계 산화물은, CexZryO2(x＋y=1)를 만족하고,
    상기 규소는, 0.02≤Si/Zr 및 0.01<Si/(Ce＋Zr＋Si)<0.2의 몰비를 만족하는 것을 특징으로 하는 촉매.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 촉매 활성 금속은, 백금계 원소, 니켈, 코발트 중에서 선택되는 적어도 1종인, 촉매.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 규소는, 상기 CeZr계 산화물의 표면에 편재되어 있는, 촉매.
  4. (1) 암모늄 이온 및 탄산 이온이 적어도 1종 포함되는 용액 A, 세륨, 및 지르코늄을 포함하는 용액 B를 제작하는 공정,
    (2) 상기 용액 A와 상기 용액 B를 혼합하여 혼합 용액으로 하는 공정,
    (3) 상기 혼합 용액에 산소를 포함하는 가스를 통기하는 공정,
    (4) 상기 혼합 용액 중에 탄산이 포함되지 않을 때에, 탄산가스 또는 탄산 염을 첨가하는 공정,
    (5) 상기 (3)의 공정 또는 상기 (3) 및 (4)의 공정 후, 규소 함유 용액을 첨가하여, 세륨, 지르코늄 및 규소가 포함된 침전물을 얻는 공정,
    (6) 상기 침전물을 대기 중에서 소성하고, 세륨과 지르코늄을 포함하는 CeZr계 산화물에 규소를 피복시키는 공정,
    (7) 규소가 피복된 CeZr계 산화물에, 촉매 활성 금속을 피복하는 공정,
    (8) 규소와 촉매 활성 금속이 피복된 CeZr계 산화물을, 환원 분위기 중에서, 20~600℃로 조정하는 공정,
    을 가지는 것을 특징으로 하는 촉매의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 용액 A는 암모니아수인, 촉매의 제조 방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 규소 함유 용액에 포함되는 규소원은 TEOS인, 촉매의 제조 방법.
  7. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 촉매 활성 금속이 니켈, 코발트 및 백금족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종인, 촉매의 제조 방법.
  8. 탄화수소 또는 알코올과, 산소를 포함하는 원료 가스를, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 촉매와 접촉시켜 수소 함유 가스를 발생시키는 방법으로,
    상기 촉매를 환원 분위기 중에서 20~600℃로 조정하고, 상기 원료 가스 중의 산소에 접촉시켜, 상기 촉매의 자기 발열에 의해, 상기 원료 가스 중에 포함되는 탄화수소 또는 알코올과, 산소와의 연소반응이 생기는 온도까지 상기 원료 가스를 승온시켜, 상기 원료 가스 중에 포함되는 탄화수소 또는 알코올을 연소시키는 승온 공정과,
    상기 승온 공정으로 고온이 된 상기 촉매에서 상기 원료 가스를 개질하는 공정,
    을 가지는 수소 함유 가스의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 촉매를 환원 분위기 중에서 20~200℃로 조정하는, 수소 함유 가스의 제조 방법.
  10. 탄화수소 또는 알코올을 공급하는 기구와, 산소를 공급하는 기구를 구비하고, 이러한 기구가 접속된 용기에, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 촉매를 배설한 개질기를 구비한 수소 발생 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 개질기에 접속되고, 배출되는 가스로부터 수소를 분리하는 기구를 구비하는, 수소 발생 장치.
  12. 제10항 또는 제11항에 기재된 수소 발생 장치가 장착된 연료 전지 시스템.
  13. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 촉매에 이용되는 규소 담지 CeZr계 산화물로,
    상기 CeZr계 산화물은, CexZryO2(x＋y=1)를 만족하고,
    상기 규소는, 0.02≤Si/Zr 및 0.01<Si/(Ce＋Zr＋Si)<0.2의 몰비를 만족하는 것을 특징으로 하는 규소 담지 CeZr계 산화물.
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