KR20140127048A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 스캔 신호를 전달하는 스캔선, 상기 스캔선과 교차하며 데이터 신호 및 구동 전압을 각각 전달하는 데이터선 및 구동 전압선, 상기 스캔선 및 상기 데이터선과 연결되어 있는 스위칭 트랜지스터, 상기 스위칭 트랜지스터의 스위칭 드레인 전극과 연결되어 있는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하며 상기 구동 트랜지스터에 연결되어 있는 보상 트랜지스터, 상기 보상 트랜지스터의 누설 전류를 감소시키는 에이징 공정을 진행하며 상기 구동 트랜지스터의 구동 드레인 전극과 상기 보상 트랜지스터의 소스 전극을 연결하고 있는 에이징 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 구동 드레인 전극에 연결되어 있는 유기 발광 다이오드를 포함할 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 유기 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 자발광 소자인 유기 발광 다이오드를 포함하는 복수개의 화소를 포함하며, 각 화소에는 유기 발광 다이오드를 구동하기 위한 복수개의 트랜지스터 및 캐패시터(Capacitor)가 형성되어 있다. 복수개의 트랜지스터는 기본적으로 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함한다.
구동 트랜지스터는 구동 반도체층을 통해 하나의 크기의 전류만을 흐르게 할 수 있으므로, 문턱 전압을 보상하기 위한 보상 트랜지스터 및 발광을 제어하기 위한 발광 제어 트랜지스터로 동일한 크기의 전류를 제공하게 된다. 이 때, 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)을 빠르게 보상하도록 구동 트랜지스터의 구동 반도체층의 길이를 짧게 형성할 경우 트랜지스터 특성곡선(transfer curve)의 s-팩터(factor)가 감소하여 구동 게이트 전극에 인가되는 전압의 변화에 따른 전류의 변화율이 커지기 때문에 유기 발광 다이오드(OLED)로 큰 전류가 제공되어 얼룩이 발생하게 된다. 반대로, 얼룩이 방지되도록 구동 트랜지스터의 구동 반도체층의 길이를 길게 형성할 경우 작은 전류에 의해 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)이 느리게 보상되므로, 저계조 보상이 이루어지지 않아 얼룩이 발생하게 된다.
본 발명은 전술한 배경 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 보상 트랜지스터의 문턱 전압을 낮추어 저계조 얼룩을 방지하면서 보상 트랜지스터의 누설 전류를 감소시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 스캔 신호를 전달하는 스캔선, 상기 스캔선과 교차하며 데이터 신호 및 구동 전압을 각각 전달하는 데이터선 및 구동 전압선, 상기 스캔선 및 상기 데이터선과 연결되어 있는 스위칭 트랜지스터, 상기 스위칭 트랜지스터의 스위칭 드레인 전극과 연결되어 있는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하며 상기 구동 트랜지스터에 연결되어 있는 보상 트랜지스터, 상기 보상 트랜지스터의 누설 전류를 감소시키는 에이징 공정을 진행하며 상기 구동 트랜지스터의 구동 드레인 전극과 상기 보상 트랜지스터의 소스 전극을 연결하고 있는 에이징 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 구동 드레인 전극에 연결되어 있는 유기 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
발광 제어선에 의해 전달된 발광 제어 신호에 의해 턴온되어 상기 구동 전압을 상기 구동 트랜지스터에서 상기 유기 발광 다이오드로 전달하는 발광 제어 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 발광 제어 트랜지스터는 상기 구동 드레인 전극과 상기 유기 발광 다이오드 사이에 위치할 수 있다.
상기 보상 반도체층은 상기 구동 반도체층의 중간부에서 분기되고, 상기 발광 제어 트랜지스터의 발광 제어 반도체층은 상기 구동 반도체층의 구동 드레인 영역과 연결되어 있을 수 있다.
상기 에이징 트랜지스터의 에이징 반도체층은 상기 보상 트랜지스터의 보상 반도체층과 상기 발광 제어 반도체층을 서로 연결할 수 있다.
상기 에이징 트랜지스터의 에이징 게이트 전극은 상기 에이징 반도체층과 중첩하고 있을 수 있다.
상기 보상 트랜지스터의 보상 게이트 전극은 서로 이격되어 있는 제1 보상 게이트 전극 및 제2 보상 게이트 전극을 포함할 수 있다.
상기 구동 전압선과 상기 구동 트랜지스터의 구동 게이트 전극 사이에 연결되어 있는 스토리지 캐패시터를 더 포함하고, 상기 스토리지 캐패시터는 상기 구동 반도체층과 동일한 층에 형성되어 있는 제1 스토리지 축전판, 상기 제1 스토리지 축전판과 중첩하며 상기 스캔선과 동일한 층에 형성되어 있는 제2 스토리지 축전판을 포함할 수 있다.
상기 스토리지 캐패시터에 연결되어 있는 부스팅 캐패시터를 더 포함하고, 상기 부스팅 캐패시터는 상기 제1 스토리지 축전판에서 연장되어 있는 제1 부스팅 축전판, 상기 제1 부스팅 축전판과 중첩하며 상기 스캔선에서 연장되어 있는 제2 부스팅 축전판을 포함할 수 있다.
상기 제1 부스팅 축전판은 해머 형상을 가지며, 상기 제1 부스팅 축전판은 상기 구동 전압선과 평행한 손잡이부, 상기 손잡이부의 단부에 형성된 헤드부를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 보상 반도체층은 구동 반도체층의 중간부에서 분기되고, 발광 제어 트랜지스터의 발광 제어 반도체층은 구동 반도체층의 구동 드레인 영역과 연결되는 숏 패스 다이오드(short pass diode) 구조에서, 구동 트랜지스터의 구동 드레인 전극과 보상 트랜지스터의 소스 전극을 연결하고 있는 에이징 트랜지스터를 형성함으로써, 보상 트랜지스터의 누설 전류를 제거하는 에이징 공정을 용이하게 진행할 수 있다.
또한, 숏 패스 다이오드(short pass diode) 구조에서, 에이징 트랜지스터의 에이징 게이트 전극이 에이징 반도체층과 중첩하도록 함으로써, 스캔선이 온되는 보상 구간에서는 구동 반도체층에서 보상 반도체층으로 전류가 빠르게 흐르는 숏 패스(short pass)가 형성되어 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)을 빠르게 보상하고, 스캔선이 오프되는 발광 구간에서는 구동 반도체층에서 발광 제어 반도체층으로 전류가 흐르는 롱 패스(long pass)가 형성되어 구동 반도체층의 구동 범위(driving range)를 넓혀 얼룩 발생을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 복수개의 트랜지스터 및 캐패시터의 위치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 구체적인 배치도이다.
도 4는 도 3의 유기 발광 표시 장치를 IV-IV'-IV"선을 따라 자른 단면도이다.
도 5는 도 3의 유기 발광 표시 장치를 V-V선을 따라 자른 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의구체적인 배치도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의구체적인 배치도이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 구체적인 배치도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "~상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 첨부 도면에서는, 하나의 화소에 6개의 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 2개의 캐패시터(capacitor)를 구비하는 6Tr 2Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 발광 표시 장치는 하나의 화소에 복수개의 트랜지스터와 하나 이상의 캐패시터를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되거나 기존의 배선이 생략되어 다양한 구조를 갖도록 형성할 수도 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.
그러면 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 1 내지 도 5를 참고로 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소(1)는 복수의 신호선(121, 122, 123, 124, 171, 172), 복수의 신호선에 연결되어 있는 복수개의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6), 캐패시터(Cst, Cb) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)를 포함한다.
트랜지스터는 구동 트랜지스터(driving thin film transistor)(T1), 스위칭 트랜지스터(switching thin film transistor)(T2), 보상 트랜지스터(T3), 초기화 트랜지스터(T4), 동작 제어 트랜지스터(T5) 및 발광 제어 트랜지스터(T6)를 포함하며, 캐패시터(Cst, Cb)는 스토리지 캐패시터(storage capacitor)(Cst) 및 부스팅 캐패시터(boosting capacitor)(Cb)를 포함한다.
신호선은 스캔 신호(Sn)를 전달하는 스캔선(121), 초기화 트랜지스터(T4)에 이전 스캔 신호(Sn-1)를 전달하는 이전 스캔선(122), 동작 제어 트랜지스터(T5) 및 발광 제어 트랜지스터(T6)에 발광 제어 신호(En)를 전달하는 발광 제어선(123), 스캔선(121)과 교차하며 데이터 신호(Dm)를 전달하는 데이터선(171), 구동 전압(ELVDD)을 전달하며 데이터선(171)과 거의 평행하게 형성되어 있는 구동 전압선(172), 구동 트랜지스터(T1)를 초기화하는 초기화 전압(Vint)을 전달하는 초기화 전압선(124)을 포함한다.
구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)은 스토리지 캐패시터(Cst)의 일단(Cst1)과 연결되어 있고, 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1)은 동작 제어 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동 전압선(172)과 연결되어 있으며, 구동 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1)은 발광 제어 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드(anode)와 전기적으로 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(T1)는 스위칭 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터 신호(Dm)를 전달받아 유기 발광 다이오드(OLED)에 구동 전류(Id)를 공급한다.
스위칭 트랜지스터(T2)의 게이트 전극(G2)은 스캔선(121), 부스팅 캐패시터의 타단(Cb2) 및 보상 트랜지스터(T3)의 게이트 전극(G3)에 함께 연결되어 있고, 스위칭 트랜지스터(T2)의 소스 전극(S2)은 데이터선(171)과 연결되어 있으며, 스위칭 트랜지스터(T2)의 드레인 전극(D2)은 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1)과 연결되어 있으면서 동작 제어 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동 전압선(172)과 연결되어 있다. 이러한 스위칭 트랜지스터(T2)는 스캔선(121)을 통해 전달받은 스캔 신호(Sn)에 따라 턴 온되어 데이터선(171)으로 전달된 데이터 신호(Dm)을 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1)으로 전달하는 스위칭 동작을 수행한다.
보상 트랜지스터(T3)의 게이트 전극(G3)은 스캔선(121), 스위칭 트랜지스터(T2)의 게이트 전극(G2) 및 부스팅 캐패시터(Cb)의 타단(Cb2)에 함께 연결되어 있고, 보상 트랜지스터(T3)의 소스 전극(S3)은 구동 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1)과 연결되어 있으면서 발광 제어 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드(anode)와 연결되어 있으며, 보상 트랜지스터(T3)의 드레인 전극(D3)은 스토리지 캐패시터(Cst)의 일단(Cst1), 부스팅 캐패시터(Cb)의 일단(Cb1), 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1) 및 초기화 트랜지스터(T4)의 드레인 전극(D4)에 함께 연결되어 있다. 이러한 보상 트랜지스터(T3)는 스캔선(121)을 통해 전달받은 스캔 신호(Sn)에 따라 턴 온되어 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)과 드레인 전극(D1)을 서로 연결하여 구동 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킨다.
초기화 트랜지스터(T4)의 게이트 전극(G4)은 이전 스캔선(122)과 연결되어 있고, 초기화 트랜지스터(T4)의 소스 전극(S4)은 초기화 전압선(124)과 연결되어 있으며, 초기화 트랜지스터(T4)의 드레인 전극(D4)은 부스팅 캐패시터의 일단(Cb1), 스토리지 캐패시터의 일단(Cst1), 보상 트랜지스터(T3)의 드레인 전극(D3) 및 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)에 함께 연결되어 있다. 이러한 초기화 트랜지스터(T4)는 이전 스캔선(122)을 통해 전달받은 이전 스캔 신호(Sn-1)에 따라 턴 온되어 초기화 전압(Vint)을 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)에 전달하여 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)의 전압을 초기화시키는 초기화 동작을 수행한다.
동작 제어 트랜지스터(T5)의 게이트 전극(G5)은 발광 제어선(123)과 연결되어 있으며, 동작 제어 트랜지스터(T5)의 소스 전극(S5)은 구동 전압선(172)와 연결되어 있고, 동작 제어 트랜지스터(T5)의 드레인 전극(D5)은 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1) 및 스위칭 트랜지스터(T2)의 드레인 전극(S2)에 연결되어 있다.
발광 제어 트랜지스터(T6)의 게이트 전극(G6)은 발광 제어선(123)과 연결되어 있으며, 발광 제어 트랜지스터(T6)의 소스 전극(S6)은 구동 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1) 및 보상 트랜지스터(T3)의 소스 전극(S3)과 연결되어 있고, 발광 제어 트랜지스터(T6)의 드레인 전극(D6)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드(anode)와 전기적으로 연결되어 있다. 이러한 동작 제어 트랜지스터(T5) 및 발광 제어 트랜지스터(T6)는 발광 제어선(123)을 통해 전달받은 발광 제어 신호(En)에 따라 턴 온되어 구동 전압(ELVDD)이 유기 발광 다이오드(OLED)에 전달되어 유기 발광 다이오드(OLED)에 구동 전류(Id)가 흐르게 된다.
스토리지 캐패시터(Cst)의 타단(Cst2)은 구동 전압선(172)과 연결되어 있으며, 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드(cathode)는 공통 전압(ELVSS)과 연결되어 있다. 이에 따라, 유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(T1)로부터 구동 전류(Id)를 전달받아 발광함으로써 화상을 표시한다.
이하에서 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 한 화소의 구체적인 동작 과정을 상세히 설명한다.
우선, 초기화 기간 동안 이전 스캔선(122)을 통해 로우 레벨(low level)의 이전 스캔 신호(Sn-1)가 공급된다. 그러면, 로우 레벨의 이전 스캔 신호(Sn-1)에 대응하여 초기화 트랜지스터(T4)가 턴 온(Turn on)되며, 초기화 전압선(124)으로부터 초기화 트랜지스터(T4)를 통해 초기화 전압(Vint)이 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)에 연결되고, 초기화 전압(Vint)에 의해 구동 트랜지스터(T1)가 초기화된다.
이 후, 데이터 프로그래밍 기간동안 스캔선(121)을 통해 로우 레벨의 스캔 신호(Sn)가 공급된다. 그러면, 로우 레벨의 스캔 신호(Sn)에 대응하여 스위칭 트랜지스터(T2) 및 보상 트랜지스터(T3)가 턴 온된다.
이 때, 구동 트랜지스터(T1)는 턴 온된 보상 트랜지스터(T3)에 의해 다이오드 연결되고, 순방향으로 바이어스 된다.
그러면, 데이터선(171)으로부터 공급된 데이터 신호(Dm)에서 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Threshold voltage, Vth)만큼 감소한 보상 전압(Dm+Vth, Vth는 (-)의 값)이 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)에 인가된다.
스토리지 커패시터(Cst)의 양단에는 구동 전압(ELVDD)과 보상 전압(Dm+Vth)이 인가되고, 스토리지 커패시터(Cst)에는 양단 전압 차에 대응하는 전하가 저장된다.
이 후, 스캔 신호(Sn)의 공급이 중단되면서 스캔 신호(Sn)의 전압 레벨이 하이 레벨(high level)로 변경되면, 부스팅 캐패시터(Cb)의 커플링 작용에 의해 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)에 인가되는 전압이 스캔 신호(Sn)의 전압 변동폭에 대응하여 변경된다. 이때, 스토리지 캐패시터(Cst)와 부스팅 캐패시터(Cb) 간의 차지 쉐어링(charge sharing)에 의해 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)에 인가되는 전압이 변경되므로, 구동 게이트 전극(G1)에 인가되는 전압 변화량은 스캔 신호(Sn)의 전압 변동폭과 더불어, 스토리지 캐패시터(Cst) 및 부스팅 캐패시터(Cb) 간의 차지 쉐어링(charge sharing) 값에 비례하여 변동된다.
이 후, 발광 기간 동안 발광 제어선(123)으로부터 공급되는 발광 제어 신호(En)가 하이 레벨에서 로우 레벨로 변경된다. 그러면, 발광 기간 동안 로우 레벨의 발광 제어 신호(En)에 의해 동작 제어 트랜지스터(T5) 및 발광 제어 트랜지스터(T6)가 턴 온된다.
그러면, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)의 전압과 구동 전압(ELVDD) 간의 전압차에 따르는 구동 전류(Id)가 발생하고, 발광 제어 트랜지스터(T6)를 통해 구동 전류(Id)가 유기 발광 다이오드(OLED)에 공급된다. 발광 기간동안 스토리지 캐패시터(Cst)에 의해 구동 트랜지스터(T1)의 게이트-소스 전압(Vgs)은 '(Dm+Vth)-ELVDD'으로 유지되고, 구동 트랜지스터(T1)의 전류-전압 관계에 따르면, 구동 전류(Id)는 게이트-소스 전압(Vgs)에서 문턱 전압(Vth)을 차감한 값의 제곱 '(Dm-ELVDD)2'에 비례한다. 따라서 구동 전류(Id)는 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)에 관계 없이 결정된다.
그러면 도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치의 화소의 상세 구조에 대하여 도 2 내지 도 5를 도 1과 함께 참고하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 복수개의 트랜지스터 및 캐패시터의 위치를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 구체적인 배치도이고, 도 4는 도 3의 유기 발광 표시 장치를 IV-IV'-IV"선을 따라 자른 단면도이고, 도 5는 도 3의 유기 발광 표시 장치를 V-V선을 따라 자른 단면도이다.
도 2 내지 도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소는 스캔 신호(Sn), 이전 스캔 신호(Sn-1), 발광 제어 신호(En) 및 초기화 전압(Vint)을 각각 인가하며 행 방향을 따라 형성되어 있는 스캔선(121), 이전 스캔선(122), 발광 제어선(123) 및 초기화 전압선(124)을 포함하고, 스캔선(121), 이전 스캔선(122), 발광 제어선(123) 및 초기화 전압선(124) 모두와 교차하고 있으며 화소에 데이터 신호(Dm) 및 구동 전압(ELVDD)을 각각 인가하는 데이터선(171) 및 구동 전압선(172)을 포함한다.
또한, 화소에는 구동 트랜지스터(T1), 스위칭 트랜지스터(T2), 보상 트랜지스터(T3), 초기화 트랜지스터(T4), 동작 제어 트랜지스터(T5), 발광 제어 트랜지스터(T6), 에이징 트랜지스터(T7), 스토리지 캐패시터(Cst), 부스팅 캐패시터(Cb), 그리고 유기 발광 다이오드(OLED)(70)가 형성되어 있다.
구동 트랜지스터(T1), 스위칭 트랜지스터(T2), 보상 트랜지스터(T3), 초기화 트랜지스터(T4), 동작 제어 트랜지스터(T5), 발광 제어 트랜지스터(T6) 및 에이징 트랜지스터(T7)는 반도체층(131)을 따라 형성되어 있으며, 반도체층(131)은 다양한 형상으로 굴곡되어 형성되어 있다. 이러한 반도체층(131)은 폴리 실리콘 또는 산화물 반도체로 이루어질 수 있으며, 산화물 반도체는 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 게르마늄(Ge), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 또는 인듐(In)을 기본으로 하는 산화물, 이들의 복합 산화물인 산화아연(ZnO), 인듐-갈륨-아연 산화물(InGaZnO4), 인듐-아연 산화물(Zn-In-O), 아연-주석 산화물(Zn-Sn-O) 인듐-갈륨 산화물 (In-Ga-O), 인듐-주석 산화물(In-Sn-O), 인듐-지르코늄 산화물(In-Zr-O), 인듐-지르코늄-아연 산화물(In-Zr-Zn-O), 인듐-지르코늄-주석 산화물(In-Zr-Sn-O), 인듐-지르코늄-갈륨 산화물(In-Zr-Ga-O), 인듐-알루미늄 산화물(In-Al-O), 인듐-아연-알루미늄 산화물(In-Zn-Al-O), 인듐-주석-알루미늄 산화물(In-Sn-Al-O), 인듐-알루미늄-갈륨 산화물(In-Al-Ga-O), 인듐-탄탈륨 산화물(In-Ta-O), 인듐-탄탈륨-아연 산화물(In-Ta-Zn-O), 인듐-탄탈륨-주석 산화물(In-Ta-Sn-O), 인듐-탄탈륨-갈륨 산화물(In-Ta-Ga-O), 인듐-게르마늄 산화물(In-Ge-O), 인듐-게르마늄-아연 산화물(In-Ge-Zn-O), 인듐-게르마늄-주석 산화물(In-Ge-Sn-O), 인듐-게르마늄-갈륨 산화물(In-Ge-Ga-O), 티타늄-인듐-아연 산화물(Ti-In-Zn-O), 하프늄-인듐-아연 산화물(Hf-In-Zn-O) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 반도체층(131)이 산화물 반도체로 이루어지는 경우에는 고온 등의 외부 환경에 취약한 산화물 반도체를 보호하기 위해 별도의 보호층이 추가될 수 있다.
반도체층(131)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역과, 채널 영역의 양 옆으로 불순물이 도핑되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함한다. 여기서, 이러한 불순물은 트랜지스터의 종류에 따라 달라지며, N형 불순물 또는 P형 불순물이 가능하다.
이러한 반도체층(131)은 구동 트랜지스터(T1)에 형성되는 구동 반도체층(131a), 스위칭 트랜지스터(T2)에 형성되는 스위칭 반도체층(131b), 보상 트랜지스터(T3)에 형성되는 보상 반도체층(131c), 초기화 트랜지스터(T4)에 형성되는 초기화 반도체층(131d), 동작 제어 트랜지스터(T5)에 형성되는 동작 제어 반도체층(131e), 발광 제어 트랜지스터(T6)에 형성되는 발광 제어 반도체층(131f) 및 에이징 트랜지스터(T7)에 형성되는 에이징 반도체층(131g)를 포함한다.
구동 트랜지스터(T1)는 구동 반도체층(131a), 구동 게이트 전극(125a), 구동 소스 전극(176a) 및 구동 드레인 전극(177a)을 포함한다. 구동 소스 전극(176a)은 구동 반도체층(131a)에서 불순물이 도핑된 구동 소스 영역(176a)에 해당하고, 구동 드레인 전극(177a)은 구동 반도체층(131a)에서 불순물이 도핑된 구동 드레인 영역(177a)에 해당한다. 구동 게이트 전극(125a)은 구동 반도체층(131a)과 중첩하고 있으며, 직사각 형상이다.
구동 게이트 전극(125a)은 스캔선(121), 이전 스캔선(122), 발광 제어선(123), 초기화 전압선(124), 스위칭 게이트 전극(125b), 보상 게이트 전극(125c), 제2 스토리지 축전판(127) 및 제2 부스팅 축전판(129)과 동일한 물질로 동일한 층에 형성되어 있다.
스위칭 트랜지스터(T2)는 스위칭 반도체층(131b), 스위칭 게이트 전극(125b), 스위칭 소스 전극(176b) 및 스위칭 드레인 전극(177b)을 포함한다. 스위칭 드레인 전극(177b)은 스위칭 반도체층(131b)에서 불순물이 도핑된 스위칭 드레인 영역(177b)에 해당한다.
보상 트랜지스터(T3)는 보상 반도체층(131c), 보상 게이트 전극(125c), 보상 소스 전극(176c) 및 보상 드레인 전극(177c)을 포함하고, 보상 소스 전극(176c)은 보상 반도체층(131c)에서 불순물이 도핑된 보상 소스 영역에 해당한다.
에이징 트랜지스터(T7)는 에이징 반도체층(131g), 에이징 게이트 전극(125g), 에이징 소스 전극(176g) 및 에이징 드레인 전극(177g)을 포함하고, 에이징 소스 전극(176g)은 에이징 반도체층(131g)에서 불순물이 도핑된 보상 소스 영역에 해당하고, 에이징 드레인 전극(177g)는 에이징 반도체층(131g)에서 불순물이 도핑된 보상 드레인 영역에 해당한다.
이러한 에이징 트랜지스터(T7)은 구동 트랜지스터(T1)의 구동 드레인 전극(177a)과 보상 트랜지스터(T3)의 소스 전극(176c)을 연결하고 있다. 즉, 에이징 트랜지스터(T7)의 에이징 반도체층(131g)은 보상 트랜지스터(T3)의 보상 반도체층(131c)과 발광 제어 반도체층(131f)을 서로 연결하고 있다.
보상 반도체층(131c)은 구동 반도체층(131a)의 중간부에서 분기되고, 발광 제어 트랜지스터(T6)의 발광 제어 반도체층(131f)은 구동 반도체층(131a)의 구동 드레인 영역(177a)과 연결되어 있다.
한편, 초기화 트랜지스터(T4)는 초기화 반도체층(131d), 초기화 게이트 전극(125d), 초기화 소스 전극(176d) 및 초기화 드레인 전극(177d)을 포함한다. 초기화 소스 전극(176d)의 일단은 층간 절연막(160)에 형성된 접촉 구멍(61)을 통해 초기화 전압선(124)과 연결되어 있고, 초기화 소스 전극(176d)의 타단은 게이트 절연막(140) 및 층간 절연막(160)에 연속으로 형성된 접촉 구멍(62)을 통해 초기화 반도체층(131d)과 연결되어 있으며, 초기화 드레인 전극(177d)은 연결 부재(174)의 타단으로서, 게이트 절연막(140) 및 층간 절연막(160)에 연속으로 형성된 접촉 구멍(63)을 통해 초기화 반도체층(131d)과 연결되어 있다.
동작 제어 트랜지스터(T5)는 동작 제어 반도체층(131e), 동작 제어 게이트 전극(125e), 동작 제어 소스 전극(176e) 및 동작 제어 드레인 전극(177e)을 포함한다. 동작 제어 소스 전극(176e)은 구동 전압선(172)의 일부분이며 접촉 구멍(71)을 통해 동작 제어 소스 영역(132e)과 연결되고, 동작 제어 드레인 전극(177e)은 동작 제어 반도체층(131e)에서 불순물이 도핑된 동작 제어 드레인 영역(177e)에 해당한다.
발광 제어 트랜지스터(T6)는 발광 제어 반도체층(131f), 발광 제어 게이트 전극(125f), 발광 제어 소스 전극(176f) 및 발광 제어 드레인 전극(177f)을 포함한다. 발광 제어 소스 전극(176f)은 발광 제어 반도체층(131f)에서 불순물이 도핑된 발광 제어 소스 영역(176f)에 해당한다.
구동 트랜지스터(T1)의 구동 반도체층(131a)의 일단은 스위칭 반도체층(131b) 및 동작 제어 반도체층(131e)과 연결되어 있으며, 구동 반도체층(131a)의 타단은 보상 반도체층(131c) 및 발광 제어 반도체층(131f)과 연결되어 있다. 따라서, 구동 소스 전극(176a)은 스위칭 드레인 전극(177b) 및 동작 제어 드레인 전극(177e)과 연결되고, 구동 드레인 전극(177a)은 보상 소스 전극(176c) 및 발광 제어 소스 전극(176f)과 연결된다.
스토리지 캐패시터(Cst)는 게이트 절연막(140)을 사이에 두고 배치되는 제1 스토리지 축전판(132)과 제2 스토리지 축전판(127)을 포함한다. 여기서, 게이트 절연막(140)은 유전체가 되며, 스토리지 캐패시터(Cst)에서 축전된 전하와 양 축전판(132, 127) 사이의 전압에 의해 스토리지 캐패시턴스(Storage Capacitance)가 결정된다.
제1 스토리지 축전판(132)은 반도체층(131)과 동일한 물질로 동일한 층에 형성되어 있고, 제2 스토리지 축전판(127)은 인접한 화소와 연결되어 있으며, 스캔선(121), 이전 스캔선(122), 발광 제어선(123), 초기화 전압선(124) 등과 동일한 물질로 동일한 층에 형성되어 있다.
스토리지 캐패시터(Cst)의 제1 스토리지 축전판(132)은 보상 소스 전극(176c) 및 초기화 드레인 전극(177d)과 연결되어 있으며, 연결 부재(174)을 통해 구동 게이트 전극(125a)과 연결되어 있다. 이 때, 연결 부재(174)는 데이터선(171)과 동일한 층에 형성되어 있다. 이러한 연결 부재(174)는 층간 절연막(160) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉 구멍(63)을 통해 제1 스토리지 축전판(132)와 연결되어 있으며, 층간 절연막(160)에 형성된 접촉 구멍(67)을 통해 구동 게이트 전극(125a)과 연결되어 있다.
스토리지 캐패시터(Cst)의 제2 스토리지 축전판(127)은 접촉 구멍(66)을 통해 공통 전압선(172)과 연결되어 있으며 스캔선(121)과 거의 평행하게 형성된다.
부스팅 캐패시터(Cb)의 제1 부스팅 축전판(133)은 제1 스토리지 축전판(132)에서 연장된 연장부이고, 제2 부스팅 축전판(129)은 스캔선(121)에서 상부로 돌출된 돌출부이다.
제1 부스팅 축전판(133)은 해머 형상을 가지며, 제1 부스팅 축전판(133)은 구동 전압선(172)과 평행한 손잡이부(133a), 손잡이부(133a)의 단부에 형성된 헤드부(133b)를 포함하고, 제1 부스팅 축전판(133)의 헤드부(133b)와 제2 부스팅 축전판(129)은 중첩하고 있다.
한편, 스위칭 트랜지스터(T2)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(125b)은 스캔선(121)에 연결되어 있고, 스위칭 소스 전극(176b)은 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 스위칭 드레인 전극(177b)은 구동 트랜지스터(T1) 및 동작 제어 트랜지스터(T5)와 연결되어 있다. 그리고, 발광 제어 트랜지스터(T6)의 발광 제어 드레인 전극(177f)은 보호막(180)에 형성된 접촉 구멍(181)를 통해 유기 발광 다이이드(70)의 화소 전극(191)과 직접 연결되어 있다.
이하, 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조에 대해 적층 순서에 따라 구체적으로 설명한다.
이 때, 구동 트랜지스터(T1), 스위칭 트랜지스터(T2), 보상 트랜지스터(T3) 및 발광 제어 트랜지스터(T6)를 중심으로 트랜지스터의 구조에 대해 설명한다. 그리고 나머지 트랜지스터(T4, T5)는 구동 트랜지스터(T1), 스위칭 트랜지스터(T2), 보상 트랜지스터(T3) 및 발광 제어 트랜지스터(T6)의 적층 구조와 대부분 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
기판(110) 위에는 버퍼층(111)이 형성되어 있고, 기판(110)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판으로 형성되어 있다.
버퍼층(111) 위에는 구동 반도체층(131a), 스위칭 반도체층(131b), 발광 제어 반도체층(131f)이 형성되어 있다. 구동 반도체층(131a)은 구동 채널 영역(131a1) 및 구동 채널 영역(131a1)을 사이에 두고 서로 마주보는 구동 소스 영역(176a) 및 구동 드레인 영역(177a)을 포함하고, 스위칭 반도체층(131b)은 스위칭 채널 영역(131b1) 및 스위칭 채널 영역(131b1)을 사이에 두고 서로 마주보는 스위칭 소스 영역(132b) 및 스위칭 드레인 영역(177b)을 포함하며, 발광 제어 트랜지스터(T6)는 발광 제어 채널 영역(131f1), 발광 제어 소스 영역(176f) 및 발광 제어 드레인 영역(133f)을 포함한다.
스위칭 반도체층(131a), 구동 반도체층(131b), 발광 제어 반도체층(131f) 위에는 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 따위로 형성된 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 구동 게이트 전극(125a), 스위칭 게이트 전극(125b) 및 보상 게이트 전극(125c)을 포함하는 스캔선(121), 초기화 게이트 전극(125d)을 포함하는 이전 스캔선(122), 동작 제어 게이트 전극(125e) 및 발광 제어 게이트 전극(125f)을 포함하는 발광 제어선(123), 제2 스토리지 축전판(127) 및 초기화 전압선(124)을 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있다.
구동 게이트 전극(125a)은 스캔선(121)과 분리되어 있으며, 구동 게이트 전극(125a)은 구동 반도체층(131a)의 구동 채널 영역(131a1)과 중첩하고 있다. 그리고, 스위칭 게이트 전극(125b)은 스캔선(121)에 연결되어 있으며, 스위칭 게이트 전극(125b)은 스위칭 반도체층(131b)의 스위칭 채널 영역(131b1)과 중첩하고 있다. 그리고 발광 제어 게이트 전극(125f)은 발광 제어 반도체층(131f)의 발광 제어 채널 영역(131f1)과 중첩하고 있다.
제2 스토리지 축전판(127)은 제1 스토리지 축전판(132)과 중첩하여 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성하고 있으며, 제1 스토리지 축전판(132)는 구동 반도체층(131a)과 동일한 층에 형성되어 있다.
게이트 배선(125a, 125b, 125c, 125d, 125e, 125f, 121, 122, 123, 124, 127) 위에는 층간 절연막(160)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140) 및 층간 절연막(160)은 발광 제어 반도체층(131f)의 발광 제어 드레인 영역(133f)을 드러내는 접촉 구멍(72)을 함께 갖는다. 층간 절연막(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로, 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 등의 세라믹(ceramic) 계열의 소재를 사용하여 만들어진다.
층간 절연막(160) 위에는 스위칭 소스 전극(176b)를 포함하는 데이터선(171), 구동 전압선(172), 연결 부재(174), 발광 제어 드레인 전극(177f)을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다.
그리고 스위칭 소스 전극(176b)과 발광 제어 드레인 전극(177f)은 각각 층간 절연막(160), 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉 구멍(69, 72)을 통해 각각 스위칭 반도체층(131b)의 스위칭 소스 영역(132b), 발광 제어 반도체층(131f)의 발광 제어 드레인 영역(133f)과 연결된다.
층간 절연막(160) 상에는 데이터 배선(171, 172, 174, 177f)을 덮는 보호막(180)이 형성되어 있고, 보호막(180) 위에는 화소 전극(190)이 형성되어 있다. 보호막(180)에 형성된 접촉 구멍(181)을 통해 화소 전극(190)은 발광 제어 드레인 전극(177f)과 연결된다.
화소 전극(190)의 가장자리 및 보호막(180) 위에는 격벽(210)이 형성되어 있고, 격벽(210)은 화소 전극(190)을 드러내는 격벽 개구부(211)를 가진다. 격벽(210)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지 또는 실리카 계열의 무기물 등으로 만들 수 있다.
격벽 개구부(211)로 노출된 화소 전극(190) 위에는 유기 발광 부재(220)이 형성되고, 유기 발광 부재(220) 상에는 공통 전극(230)이 형성된다. 이와 같이, 화소 전극(190), 유기 발광 부재(220) 및 공통 전극(230)을 포함하는 유기 발광 다이오드(200)가 형성된다.
여기서, 화소 전극(190)은 정공 주입 전극인 애노드이며, 공통 전극(230)은 전자 주입 전극인 캐소드가 된다. 그러나 본 발명에 따른 일 실시예는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 따라 화소 전극(190)이 캐소드가 되고, 공통 전극(230)이 애노드가 될 수도 있다. 화소 전극(190) 및 공통 전극(230)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(230) 내부로 주입되고, 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
유기 발광 부재(220)은 유기 발광층, 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron transporting layer, ETL), 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 하나 이상을 포함하는 다중막으로 형성될 수 있다. 이들 모두를 포함할 경우, 정공 주입층이 양극인 애노드(710) 상에 배치되고, 그 위로 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층된다.
유기 발광층은 적색을 발광하는 적색 유기 발광층, 녹색을 발광하는 녹색 유기 발광층 및 청색을 발광하는 청색 유기 발광층을 포함할 수 있으며, 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층은 각각 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 형성되어 컬러 화상을 구현하게 된다.
또한, 유기 발광층은 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층을 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 모두 함께 적층하고, 각 화소별로 적색 색필터, 녹색 색필터 및 청색 색필터를 형성하여 컬러 화상을 구현할 수 있다. 다른 예로, 백색을 발광하는 백색 유기 발광층을 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소 모두에 형성하고, 각 화소별로 각각 적색 색필터, 녹색 색필터 및 청색 색필터를 형성하여 컬러 화상을 구현할 수도 있다. 백색 유기 발광층과 색필터를 이용하여 컬러 화상을 구현하는 경우, 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층을 각각의 개별 화소 즉, 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 증착하기 위한 증착 마스크를 사용하지 않아도 된다.
다른 예에서 설명한 백색 유기 발광층은 하나의 유기 발광층으로 형성될 수 있음은 물론이고, 복수 개의 유기 발광층을 적층하여 백색을 발광할 수 있도록 한 구성까지 포함한다. 예로, 적어도 하나의 옐로우 유기 발광층과 적어도 하나의 청색 유기 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성, 적어도 하나의 시안 유기 발광층과 적어도 하나의 적색 유기 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성, 적어도 하나의 마젠타 유기 발광층과 적어도 하나의 녹색 유기 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성 등도 포함할 수 있다.
구동 트랜지스터(T1)는 구동 반도체층(131a), 구동 게이트 전극(125a), 구동 소스 전극(176a) 및 구동 드레인 전극(177a)을 포함한다.
보상 반도체층(131c)은 구동 반도체층(131a)의 중간부에서 분기되고, 발광 제어 트랜지스터(T6)의 발광 제어 반도체층(131f)은 구동 반도체층(131a)의 구동 드레인 영역(177a)과 연결되어 있으므로, 구동 반도체층(131a)에서 보상 반도체층(131c)까지의 제1 경로(CH1)의 길이와 구동 반도체층(131a)에서 발광 제어 반도체층(131f)까지의 제2 경로(CH2)의 길이가 서로 다르게 되어 서로 다른 크기의 전류가 동시에 흐를 수 있다. 이와 같이, 반도체층의 경로 길이가 서로 다른 구조를 숏 패스 다이오드(short pass diode) 구조라고 하며, 제1 경로(CH1) 의 길이가 제2 경로(CH2)의 길이보다 짧으므로 제1 경로(CH1)로 비교적 큰 전류가 흐를 수 있고, 제2 경로(CH2)로 비교적 작은 전류가 동시에 흐를 수 있다. 이와 같이, 하나의 구동 트랜지스터로 크기가 서로 다른 전류를 동시에 제공할 수 있는 특징을 이용하여 문턱 전압을 빠르게 보상하는 동시에 유기 발광 다이오드로 일정한 전류를 제공하여 특성 편차를 갖는 구동 트랜지스터들 간의 전류 편차를 감소시킴으로써 전류의 크기 차이로 인한 얼룩을 방지할 수 있으며, 이러한 구동 동작에 대해 이하에서 상세히 설명한다.
구동 트랜지스터(T1)는 스캔 신호(Sn)에 따라 데이터 신호(Dm)에 대응하는 전압을 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전하고, 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 전압에 대응하는 전류를 유기 발광 다이오드(OLED)로 제공한다. 이 때, 구동 트랜지스터(T1)는 시간의 경과에 따라 문턱 전압이 변화될 수 있기 때문에 보상 트랜지스터(T3)는 스캔 신호(Sn)에 따라 구동 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시켜 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)을 보상한다.
따라서, 데이터 신호(Dm)가 전달되는 동안 제1 경로(CH1)을 통해 흐르는 비교적 큰 전류가 보상 트랜지스터(T3)를 통해 스토리지 캐패시터(Cst)를 소정 전압(보상 전압)까지 빠르게 충전시킬 수 있기 때문에 문턱 전압(Vth) 보상이 빠르고 용이하게 이루어질 수 있다.
또한, 제2 경로(CH2)를 통해 흐른 비교적 작은 전류가 발광 제어 트랜지스터(T6)를 통해 유기 발광 다이오드(OLED)로 제공되기 때문에 얼룩이 방지될 수 있다. 즉, 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트 전극에 인가되는 전압의 변화에 따른 전류의 변화율이 작기 때문에 전류제어전압폭(data swing range)을 증가시킬 수 있으며, 이에 의해 감마(gamma)를 표현하는 데이터 전압의 범위가 증가할 수 있고, 특성 편차(산포)를 갖는 구동 트랜지스터들 간의 전류 편차가 감소됨으로써 전류의 크기 차이로 인한 얼룩이 방지될 수 있다.
또한, 숏 패스 다이오드(short pass diode) 구조에서, 에이징 트랜지스터(T7)의 에이징 게이트 전극(125g)이 에이징 반도체층(131g)과 중첩하도록 함으로써, 스캔선(121)이 온되는 보상 구간에서는 구동 반도체층(131a)에서 보상 반도체층(131c)으로 전류가 빠르게 흐르는 숏 패스(short pass)가 형성되어 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)을 빠르게 보상하고, 스캔선(121)이 오프되는 발광 구간에서는 구동 반도체층(131a)에서 발광 제어 반도체층(131f)으로 전류가 흐르는 롱 패스(long pass)가 형성되어 구동 반도체층(131a)의 구동 범위(driving range)를 넓혀 얼룩 발생을 방지할 수 있다.
또한, 숏 패스 다이오드(short pass diode) 구조에서, 구동 트랜지스터(T1)의 구동 드레인 전극(177a)과 보상 트랜지스터(T3)의 소스 전극(176c)을 연결하고 있는 에이징 트랜지스터(T7)를 형성함으로써, 에이징 트랜지스터(T7)의 에이징 반도체층(131g)은 보상 트랜지스터(T3)의 보상 반도체층(131c)과 발광 제어 반도체층(131f)을 서로 연결하고 있다. 따라서, 에이징 공정에서 에이징 전압을 인가할 수 있는 경로가 확보되므로 보상 트랜지스터(T3)의 누설 전류를 제거하는 에이징 공정을 용이하게 진행할 수 있다.
한편, 상기 제1 실시예에서와 달리, 보상 게이트 전극을 제1 보상 게이트 전극 및 제2 보상 게이트 전극을 포함하는 듀얼 보상 게이트 전극으로 형성하여 오프 누설 전류를 감소시키는 제2 실시예도 가능하다.
이하에서, 도 6을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대해 상세히 설명한다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의구체적인 배치도이다.
제2 실시예는 도 1 내지 도 5에 도시된 제1 실시예와 비교하여 듀얼 보상 게이트 전극만을 제외하고 실질적으로 동일한 바 반복되는 설명은 생략한다.
도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 보상 게이트 전극(125c)은 서로 이격되어 있는 제1 보상 게이트 전극(125c1) 및 제2 보상 게이트 전극(125c2)을 포함한다. 이와 같이, 듀얼 보상 게이트 전극을 형성함으로써, 보상 반도체층(131c)을 통해 누설되는 오프 누설 전류(off leakage current)를 차단할 수 있다.
한편, 상기 제2 실시예와 달리, 부스팅 캐패시터가 없는 제3 실시예도 가능하고, 듀얼 보상 게이트 전극과 부스팅 캐패시터가 없는 제4 실시예도 가능하다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의구체적인 배치도이고, 도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의구체적인 배치도이다.
제3 실시예는 도 6에 도시된 제2 실시예와 비교하여 부스팅 캐패시터만을 제외하고 실질적으로 동일하고, 제4 실시예는 도 7에 도시된 제3 실시예와 비교하여 듀얼 보상 게이트 전극만을 제외하고 실질적으로 동일한 바 반복되는 설명은 생략한다.
도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에는 별도의 부스팅 캐패시터가 형성되어 있지 않으며, 도 8에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 별도의 듀얼 보상 게이트 전극과 부스팅 캐패시터가 형성되어 있지 않다.
에이징 트랜지스터(T7)는 에이징 반도체층(131g), 에이징 게이트 전극(125g), 에이징 소스 전극(176g) 및 에이징 드레인 전극(177g)을 포함하고, 에이징 소스 전극(176g)은 에이징 반도체층(131g)에서 불순물이 도핑된 보상 소스 영역에 해당하고, 에이징 드레인 전극(177g)는 에이징 반도체층(131g)에서 불순물이 도핑된 보상 드레인 영역에 해당한다.
이러한 에이징 트랜지스터(T7)은 구동 트랜지스터(T1)의 구동 드레인 전극(177a)과 보상 트랜지스터(T3)의 소스 전극(176c)을 연결하고 있다. 즉, 에이징 트랜지스터(T7)의 에이징 반도체층(131g)은 보상 트랜지스터(T3)의 보상 반도체층(131c)과 발광 제어 반도체층(131f)을 서로 연결하고 있다.
보상 반도체층(131c)은 구동 반도체층(131a)의 중간부에서 분기되고, 발광 제어 트랜지스터(T6)의 발광 제어 반도체층(131f)은 구동 반도체층(131a)의 구동 드레인 영역(177a)과 연결되어 있으므로, 구동 반도체층(131a)에서 보상 반도체층(131c)까지의 제1 경로(CH1)의 길이와 구동 반도체층(131a)에서 발광 제어 반도체층(131f)까지의 제2 경로(CH2)의 길이가 서로 다르게 되어 서로 다른 크기의 전류가 동시에 흐를 수 있다.
이러한 숏 패스 다이오드(short pass diode) 구조에서, 에이징 트랜지스터(T7)의 에이징 게이트 전극(125g)이 에이징 반도체층(131g)과 중첩하도록 함으로써, 스캔선(121)이 온되는 보상 구간에서는 구동 반도체층(131a)에서 보상 반도체층(131c)으로 전류가 빠르게 흐르는 숏 패스(short pass)가 형성되어 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)을 빠르게 보상하고, 스캔선(121)이 오프되는 발광 구간에서는 구동 반도체층(131a)에서 발광 제어 반도체층(131f)으로 전류가 흐르는 롱 패스(long pass)가 형성되어 구동 반도체층(131a)의 구동 범위(driving range)를 넓혀 얼룩 발생을 방지할 수 있다.
또한, 숏 패스 다이오드(short pass diode) 구조에서, 구동 트랜지스터(T1)의 구동 드레인 전극(177a)과 보상 트랜지스터(T3)의 소스 전극(176c)을 연결하고 있는 에이징 트랜지스터(T7)를 형성함으로써, 에이징 트랜지스터(T7)의 에이징 반도체층(131g)은 보상 트랜지스터(T3)의 보상 반도체층(131c)과 발광 제어 반도체층(131f)을 서로 연결하고 있다. 따라서, 에이징 공정에서 에이징 전압을 인가할 수 있는 경로가 확보되므로 보상 트랜지스터(T3)의 누설 전류를 제거하는 에이징 공정을 용이하게 진행할 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
121: 스캔선 122: 이전 스캔선
123: 발광 제어선 124: 초기화 전압선
125a: 구동 게이트 전극 125b: 스위칭 게이트 전극
131a: 구동 반도체층 132b: 스위칭 반도체층
171: 데이터선 172: 구동 전압선

Claims (9)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있으며 스캔 신호를 전달하는 스캔선,
    상기 스캔선과 교차하며 데이터 신호 및 구동 전압을 각각 전달하는 데이터선 및 구동 전압선,
    상기 스캔선 및 상기 데이터선과 연결되어 있는 스위칭 트랜지스터,
    상기 스위칭 트랜지스터의 스위칭 드레인 전극과 연결되어 있는 구동 트랜지스터,
    상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하며 상기 구동 트랜지스터에 연결되어 있는 보상 트랜지스터,
    상기 보상 트랜지스터의 누설 전류를 감소시키는 에이징 공정을 진행하며 상기 구동 트랜지스터의 구동 드레인 전극과 상기 보상 트랜지스터의 소스 전극을 연결하고 있는 에이징 트랜지스터,
    상기 구동 트랜지스터의 구동 드레인 전극에 연결되어 있는 유기 발광 다이오드
    를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    발광 제어선에 의해 전달된 발광 제어 신호에 의해 턴온되어 상기 구동 전압을 상기 구동 트랜지스터에서 상기 유기 발광 다이오드로 전달하는 발광 제어 트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 발광 제어 트랜지스터는 상기 구동 드레인 전극과 상기 유기 발광 다이오드 사이에 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 보상 반도체층은 상기 구동 반도체층의 중간부에서 분기되고, 상기 발광 제어 트랜지스터의 발광 제어 반도체층은 상기 구동 반도체층의 구동 드레인 영역과 연결되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 에이징 트랜지스터의 에이징 반도체층은 상기 보상 트랜지스터의 보상 반도체층과 상기 발광 제어 반도체층을 서로 연결하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 에이징 트랜지스터의 에이징 게이트 전극은 상기 에이징 반도체층과 중첩하고 있는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 보상 트랜지스터의 보상 게이트 전극은 서로 이격되어 있는 제1 보상 게이트 전극 및 제2 보상 게이트 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 구동 전압선과 상기 구동 트랜지스터의 구동 게이트 전극 사이에 연결되어 있는 스토리지 캐패시터를 더 포함하고,
    상기 스토리지 캐패시터는 상기 구동 반도체층과 동일한 층에 형성되어 있는 제1 스토리지 축전판, 상기 제1 스토리지 축전판과 중첩하며 상기 스캔선과 동일한 층에 형성되어 있는 제2 스토리지 축전판을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 스토리지 캐패시터에 연결되어 있는 부스팅 캐패시터를 더 포함하고,
    상기 부스팅 캐패시터는 상기 제1 스토리지 축전판에서 연장되어 있는 제1 부스팅 축전판,
    상기 제1 부스팅 축전판과 중첩하며 상기 스캔선에서 연장되어 있는 제2 부스팅 축전판을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 제1 부스팅 축전판은 해머 형상을 가지며, 상기 제1 부스팅 축전판은 상기 구동 전압선과 평행한 손잡이부, 상기 손잡이부의 단부에 형성된 헤드부를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019192365A1 (zh) * 2018-04-04 2019-10-10 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路的布线结构、显示面板和显示装置
KR20190138586A (ko) * 2018-06-05 2019-12-13 애플 인크. 산화물 트랜지스터 임계 전압에 대한 감소된 민감도를 구비한 낮은 리프레시 레이트 디스플레이 픽셀을 갖는 전자 디바이스
US11164517B2 (en) 2017-01-06 2021-11-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
JP2023033150A (ja) * 2021-08-25 2023-03-09 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置
US11683958B2 (en) 2020-09-09 2023-06-20 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9818765B2 (en) 2013-08-26 2017-11-14 Apple Inc. Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors
KR102139355B1 (ko) * 2013-12-31 2020-07-29 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR102318265B1 (ko) 2014-11-14 2021-10-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104575398B (zh) * 2015-02-10 2017-04-05 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、显示装置
CN104715724B (zh) * 2015-03-25 2017-05-24 北京大学深圳研究生院 像素电路及其驱动方法和一种显示装置
TWI562120B (en) * 2015-11-11 2016-12-11 Au Optronics Corp Pixel circuit
US9818344B2 (en) 2015-12-04 2017-11-14 Apple Inc. Display with light-emitting diodes
CN105427808B (zh) * 2016-01-04 2018-04-10 京东方科技集团股份有限公司 一种像素驱动电路及其驱动方法、显示装置
CN105609051B (zh) * 2016-01-05 2018-05-01 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、显示面板及显示装置
CN105702214B (zh) * 2016-04-12 2018-03-06 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
CN109308872B (zh) * 2017-07-27 2021-08-24 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、显示基板
KR102618389B1 (ko) * 2017-11-30 2023-12-27 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치와 그 구동 방법
CN108120915B (zh) * 2017-12-15 2020-05-05 京东方科技集团股份有限公司 应用于显示面板的老化处理方法及老化处理系统
CN108831906A (zh) * 2018-05-31 2018-11-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及oled显示器
CN109785799B (zh) 2019-01-18 2021-08-20 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其像素补偿电路和驱动方法
CN109671398B (zh) * 2019-02-28 2020-05-15 厦门天马微电子有限公司 像素驱动电路的驱动方法、显示面板和显示装置
TWI717855B (zh) * 2019-10-05 2021-02-01 友達光電股份有限公司 畫素電路及顯示裝置
CN211044994U (zh) * 2019-12-10 2020-07-17 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、显示面板
KR20210112431A (ko) * 2020-03-04 2021-09-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210128560A (ko) * 2020-04-16 2021-10-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111613180A (zh) * 2020-05-18 2020-09-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Amoled像素补偿驱动电路、方法及显示面板
CN111627387B (zh) 2020-06-24 2022-09-02 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示面板及显示装置
US11688347B2 (en) * 2020-11-03 2023-06-27 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel circuit having control circuit for controlling a light emitting element and driving method thereof, display panel and display apparatus
CN112992055B (zh) * 2021-04-27 2021-07-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素电路及显示面板
KR20230072721A (ko) * 2021-11-18 2023-05-25 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
CN114495795B (zh) * 2022-02-21 2023-12-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN117897759A (zh) * 2022-07-21 2024-04-16 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及驱动方法、显示面板、显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100528692B1 (ko) 2002-08-27 2005-11-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광소자용 에이징 회로 및 그 구동방법
KR100876250B1 (ko) 2007-01-15 2008-12-26 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR101509113B1 (ko) * 2008-12-05 2015-04-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
CA2687631A1 (en) * 2009-12-06 2011-06-06 Ignis Innovation Inc Low power driving scheme for display applications
JP5998458B2 (ja) * 2011-11-15 2016-09-28 セイコーエプソン株式会社 画素回路、電気光学装置、および電子機器
KR101975000B1 (ko) * 2012-09-13 2019-05-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11164517B2 (en) 2017-01-06 2021-11-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
US11705064B2 (en) 2017-01-06 2023-07-18 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
WO2019192365A1 (zh) * 2018-04-04 2019-10-10 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路的布线结构、显示面板和显示装置
US11450723B2 (en) 2018-04-04 2022-09-20 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Wiring structure of pixel driving circuit having first distance between data signal line and control terminal of driving transistor is greater than second distance between first power signal line and control terminal of driving transistor, display panel, and display device having the same
US12048212B2 (en) 2018-04-04 2024-07-23 Boe Technology Group Co., Ltd. Wiring structure of pixel driving circuit, display panel, and display device
KR20190138586A (ko) * 2018-06-05 2019-12-13 애플 인크. 산화물 트랜지스터 임계 전압에 대한 감소된 민감도를 구비한 낮은 리프레시 레이트 디스플레이 픽셀을 갖는 전자 디바이스
US11683958B2 (en) 2020-09-09 2023-06-20 Samsung Display Co., Ltd. Display device
JP2023033150A (ja) * 2021-08-25 2023-03-09 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20140320544A1 (en) 2014-10-30
US9231039B2 (en) 2016-01-05

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