KR20140125733A

KR20140125733A - 이방성 도전 필름, 접속 방법, 및 접합체

Info

Publication number: KR20140125733A
Application number: KR1020140045868A
Authority: KR
Inventors: 레이지 츠카오; 겐이치 히라야마
Original assignee: 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
Priority date: 2013-04-19
Filing date: 2014-04-17
Publication date: 2014-10-29
Also published as: JP2014210878A; CN104109486B; CN104109486A; JP6185742B2; KR102189972B1

Abstract

제 1 회로 부재의 단자와 제 2 회로 부재의 단자를 이방성 도전 접속시키는 이방성 도전 필름으로서, 막 형성 수지와, 라디칼 중합성 화합물과, 옥심에스테르형 광중합 개시제와, 파장 365 ㎚ 의 광 투과율이 40 ％ 이상 또한 파장 400 ㎚ 의 광 투과율이 30 ％ 이하인 화합물을 함유하는 이방성 도전 필름이다.

Description

이방성 도전 필름, 접속 방법, 및 접합체{ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM, CONNECTING METHOD, AND JOINED STRUCTURE}

본 발명은 이방성 도전 필름, 접속 방법, 및 접합체에 관한 것이다.

종래부터, 전자 부품을 기판과 접속시키는 수단으로서 도전성 입자가 분산된 열경화성 수지를 박리 필름에 도포한 테이프상의 접속 재료 (예를 들어, 이방성 도전 필름 (ACF ； Anisotropic Conductive Film)) 이 사용되고 있다.

이 이방성 도전 필름은, 예를 들어, 플렉시블 프린트 기판 (FPC) 이나 IC (Integrated Circuit) 칩의 단자와, LCD (Liquid Crystal Display) 패널의 유리 기판 상에 형성된 전극을 접속시키는 경우를 비롯하여, 여러 가지의 단자끼리를 접착함과 함께 전기적으로 접속시키는 경우에 사용되고 있다.

이방성 도전 필름은, 통상적으로 열경화성 수지를 사용하고 있기 때문에, 상기 이방성 도전 필름을 경화시킬 때에는, 고온 (예를 들어, 180 ℃) 에서의 가열이 실시된다. 그러나, 접속 대상의 기판의 종류에 따라서는 그 가열에 의해 문제가 발생한다. 예를 들어, 접속 대상으로 액정 디스플레이의 유리 기판을 사용한 경우에는, 고온에서의 가열에 의해 상기 유리 기판에 휨 및 변형이 발생하고, 그것이 원인이 되어 액정 디스플레이에 표시 불균일이 발생한다는 문제가 있다.

따라서, 저온에서의 가열에 의해, 또는 가열을 필요로 하지 않고 사용할 수 있는 이방성 도전 필름이 요망되고 있다.

그래서, 광 조사에 의해 경화하는 광경화형의 이방성 도전 필름이 제안되어 있다 (예를 들어, 일본 공개특허공보 2007-045900호 및 일본 공개특허공보 2009-290231호 참조).

상기 광 조사에 사용하는 광원으로는, 예를 들어, 수은등, LED (Light Emitting Diode, 발광 다이오드) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 상기 LED 는, 전력 절약, 장수명, 소형 등의 이점을 갖는 점에서 폭넓게 이용되고 있다.

상기 LED 로는, 발광 파장이 365 ㎚ 인 LED 가 주류로 되어 있다.

따라서, 발광 파장이 365 ㎚ 인 LED 를 사용한 광 조사에 대해 이용할 수 있는 이방성 도전 필름이 요망되고 있다.

또, 이방성 도전 필름은, 포토레지스트와 같이 자외광을 컷한 옐로우 룸에서 사용되는 경우는 적으며, 전자 부품을 기판과 접속시킬 때에는, 형광등하에서 실시되는 경우가 많다. 그 때문에, 형광등 등의 실내 조명에 포함되는 자외광에 의해 광경화형의 이방성 도전 필름의 경화 반응이 진행되어, 접속시에 충분한 접속성이 얻어지지 않는다는 문제가 있다.

따라서, 실내 조명에 노출되어도 충분한 접속성이 얻어지는 이방성 도전 필름이 요망되고 있다.

그러나, 전술한 제안의 기술을 포함하는 종래의 기술에서는, 발광 파장이 365 ㎚ 인 LED 를 사용한 광 조사에 대해 이용할 수 있고, 또한 실내 조명에 노출되어도 충분한 접속성이 얻어지는 이방성 도전 필름이 얻어지지 않았다.

따라서, 발광 파장이 365 ㎚ 인 LED 를 사용한 광 조사에 대해 이용할 수 있고, 또한 실내 조명에 노출되어도 충분한 접속성이 얻어지는 이방성 도전 필름, 그리고 상기 이방성 도전 필름을 사용한 접속 방법, 및 상기 이방성 도전 필름을 사용한 접합체의 제공이 요구되고 있는 것이 현 상황이다.

본 발명은, 종래에 있어서의 상기 여러 문제를 해결하고, 이하의 목적을 달성하는 것을 과제로 한다. 즉, 본 발명은, 발광 파장이 365 ㎚ 인 LED 를 사용한 광 조사에 대해 이용할 수 있고, 또한 실내 조명에 노출되어도 충분한 접속성이 얻어지는 이방성 도전 필름, 그리고 상기 이방성 도전 필름을 사용한 접속 방법, 및 상기 이방성 도전 필름을 사용한 접합체를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위한 수단으로는, 이하와 같다. 즉,

＜1＞ 제 1 회로 부재의 단자와 제 2 회로 부재의 단자를 이방성 도전 접속시키는 이방성 도전 필름으로서,

막 형성 수지와, 라디칼 중합성 화합물과, 옥심에스테르형 광중합 개시제와, 파장 365 ㎚ 의 광 투과율이 40 ％ 이상 또한 파장 400 ㎚ 의 광 투과율이 30 ％ 이하인 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름이다.

＜2＞ 추가로 도전성 입자를 함유하는 상기 ＜1＞ 에 기재된 이방성 도전 필름이다.

＜3＞ 옥심에스테르형 광중합 개시제가 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물인 상기 ＜1＞ 내지 ＜2＞ 중 어느 하나에 기재된 이방성 도전 필름이다.

[화학식 1]

단, 상기 일반식 (1) 중, R¹ 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 및 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기 중 어느 것을 나타낸다. R² 는 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 및 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기 중 어느 것을 나타낸다. R³ 은 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기, 탄소수 2 ∼ 20 의 아실기, 및 결합손 (상기 결합손은, 인접하는 벤젠 고리의 탄소 원자의 하나와 결합하고, -X- 와 하나가 되어 고리 구조를 형성하는 결합손이다) 중 어느 것을 나타낸다. R⁴ 는 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기, 및 탄소수 2 ∼ 20 의 아실기 중 어느 것을 나타낸다. a 는 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다. b 는 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다. X 는 산소 원자, 황 원자, 및 NR⁵ (R⁵ 는 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 및 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기 중 어느 것을 나타낸다) 중 어느 것을 나타낸다. Y 는 단결합, 및 카르보닐기 중 어느 것을 나타낸다.

＜4＞ 옥심에스테르형 광중합 개시제가 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 및 에타논-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 중 적어도 어느 것인 상기 ＜1＞ 내지 ＜3＞ 중 어느 하나에 기재된 이방성 도전 필름이다.

＜5＞ 파장 365 ㎚ 의 광 투과율이 40 ％ 이상 또한 파장 400 ㎚ 의 광 투과율이 30 ％ 이하인 화합물이, C. I. 피그먼트 레드 53 : 1, C. I. 피그먼트 오렌지 73, 및 퀴나크리돈 안료 중 적어도 어느 것인 상기 ＜1＞ 내지 ＜4＞ 중 어느 하나에 기재된 이방성 도전 필름이다.

＜6＞ 제 1 회로 부재의 단자와 제 2 회로 부재의 단자를 이방성 도전 접속시키는 접속 방법으로서,

상기 제 1 회로 부재의 단자 상에 상기 ＜1＞ 내지 ＜5＞ 중 어느 하나에 기재된 이방성 도전 필름을 배치하는 제 1 배치 공정과,

상기 이방성 도전 필름 상에 상기 제 2 회로 부재를, 상기 제 2 회로 부재의 단자가 상기 이방성 도전 필름과 접하도록 배치하는 제 2 배치 공정과,

상기 이방성 도전 필름에 파장 365 ㎚ 의 광을 조사하는 광 조사 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 접속 방법이다.

＜7＞ 단자를 갖는 제 1 회로 부재와, 단자를 갖는 제 2 회로 부재와, 상기 제 1 회로 부재와 상기 제 2 회로 부재 사이에 개재하여 상기 제 1 회로 부재의 단자와 상기 제 2 회로 부재의 단자를 전기적으로 접속시키는 이방성 도전 필름의 경화물을 갖고,

상기 이방성 도전 필름이 상기 ＜1＞ 내지 ＜5＞ 중 어느 하나에 기재된 이방성 도전 필름인 것을 특징으로 하는 접합체이다.

본 발명에 의하면, 종래에 있어서의 상기 여러 문제를 해결하고, 상기 목적을 달성할 수 있고, 발광 파장이 365 ㎚ 인 LED 를 사용한 광 조사에 대해 이용할 수 있고, 또한 실내 조명에 노출되어도 충분한 접속성이 얻어지는 이방성 도전 필름, 그리고 상기 이방성 도전 필름을 사용한 접속 방법, 및 상기 이방성 도전 필름을 사용한 접합체를 제공할 수 있다.

도 1 은, 실시예에 있어서의 도통 저항의 측정 방법을 나타내는 설명도이다.

(이방성 도전 필름)

본 발명의 이방성 도전 필름은, 막 형성 수지와, 라디칼 중합성 화합물과, 옥심에스테르형 광중합 개시제와, 파장 365 ㎚ 의 광 투과율이 40 ％ 이상 또한 파장 400 ㎚ 의 광 투과율이 30 ％ 이하인 화합물을 적어도 함유하고, 바람직하게는 도전성 입자를 함유하고, 추가로 필요에 따라 그 밖의 성분을 함유한다.

상기 이방성 도전 필름은, 제 1 회로 부재의 단자와 제 2 회로 부재의 단자를 이방성 도전 접속시키는 이방성 도전 필름이다.

＜막 형성 수지＞

상기 막 형성 수지로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 페녹시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 부타디엔 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리올레핀 수지 등을 들 수 있다. 상기 막 형성 수지는, 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 이들 중에서도, 제막성, 가공성, 접속 신뢰성의 점에서 페녹시 수지가 바람직하다.

상기 페녹시 수지로는, 예를 들어, 비스페놀 A 와 에피클로르하이드린으로부터 합성되는 수지 등을 들 수 있다.

상기 페녹시 수지는, 적절히 합성한 것을 사용해도 되고, 시판품을 사용해도 된다.

상기 막 형성 수지의 함유량으로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 20 질량％ ∼ 70 질량％ 가 바람직하고, 30 질량％ ∼ 60 질량％ 가 보다 바람직하다.

＜라디칼 중합성 화합물＞

상기 라디칼 중합성 화합물로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디아크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜테트라아크릴레이트, 2-하이드록시-1,3-디아크릴옥시프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시메톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 트리시클로데카닐아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 우레탄아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.

또, 상기 아크릴레이트를 메타크릴레이트로 한 것을 들 수 있고, 이들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.

상기 라디칼 중합성 화합물의 함유량으로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 20 질량％ ∼ 70 질량％ 가 바람직하고, 30 질량％ ∼ 60 질량％ 가 보다 바람직하다.

＜옥심에스테르형 광중합 개시제＞

상기 옥심에스테르형 광중합 개시제로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물이 바람직하다.

[화학식 2]

상기 R¹, 상기 R², 상기 R³, 상기 R⁴ 및 상기 R⁵ 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기, 아밀기, 이소아밀기, t-아밀기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 이소옥틸기, 2-에틸헥실기, t-옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기가 바람직하다.

상기 R¹, 상기 R², 상기 R³, 상기 R⁴ 및 상기 R⁵ 에 있어서의 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난스레닐기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 탄소수 6 ∼ 12 의 아릴기가 바람직하다.

상기 R¹, 상기 R², 상기 R³, 상기 R⁴ 및 상기 R⁵ 에 있어서의 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 벤질기, α-메틸벤질기, α,α-디메틸벤질기, 페닐에틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 탄소수 7 ∼ 13 의 아릴알킬기가 바람직하다.

상기 R¹, 상기 R², 상기 R³, 상기 R⁴ 및 상기 R⁵ 에 있어서의 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 피리딜기, 피리미딜기, 푸릴기, 티에닐기, 테트라하이드로푸라닐기, 디옥소라닐기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 5 ∼ 7 원자 복소 고리기가 바람직하다.

상기 R³, 및 상기 R⁴ 에 있어서의 탄소수 2 ∼ 20 의 아실기로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 아세틸기, 프로피오닐기, 벤조일기, 메틸벤조일기 등을 들 수 있다.

상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물로는, 예를 들어, 하기 일반식 (2) 로 나타내는 화합물, 하기 일반식 (3) 으로 나타내는 화합물 등을 들 수 있다.

[화학식 3]

단, 상기 일반식 (2) 중, R¹¹ 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 및 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기 중 어느 것을 나타낸다. R¹² 는 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 및 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기 중 어느 것을 나타낸다.

상기 R¹¹, 및 상기 R¹² 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 및 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기로는, 각각 대응하는 상기 R¹, 및 상기 R² 에 있어서 설명한 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 및 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기 등을 들 수 있다.

[화학식 4]

단, 상기 일반식 (3) 중, R²¹ 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 및 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기 중 어느 것을 나타낸다. R²² 는 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 및 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기 중 어느 것을 나타낸다. R²³ 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 및 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기 중 어느 것을 나타낸다. R²⁴ 는 탄소수 1 ∼ 19 의 알킬기, 및 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 10 의 아릴기 중 어느 것을 나타낸다.

상기 R²¹, 상기 R²², 및 상기 R²³ 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 및 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기로는, 각각 대응하는 상기 R¹, 상기 R², 및 상기 R⁵ 에 있어서 설명한 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 및 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기 등을 들 수 있다.

상기 R²⁴ 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 19 의 알킬기로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기, 아밀기, 이소아밀기, t-아밀기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 이소옥틸기, 2-에틸헥실기, t-옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기 등을 들 수 있다.

상기 R²⁴ 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 10 의 아릴기로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 벤조일기, 메틸벤조일기 등을 들 수 있다.

상기 옥심에스테르형 광중합 개시제로는, 구체적으로는, 예를 들어, 이하의 화합물 등을 들 수 있다.

[화학식 5]

이들 중에서도, 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)] (예를 들어, BASF 사 제조의 이르가큐어 OXE 01, 상기 구조식 (1)), 에타논-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) (예를 들어, BASF 사 제조의 이르가큐어 OXE 02, 상기 구조식 (3)) 이 바람직하다.

상기 옥심에스테르형 광중합 개시제의 함유량으로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 0.5 질량％ ∼ 8 질량％ 가 바람직하고, 2 질량％ ∼ 5 질량％ 가 보다 바람직하다. 상기 함유량이 상기보다 바람직한 범위 내이면, 실내 조명에 노출되는 경우에도 도통 저항이 낮고, 접속성이 매우 우수한 점에서 유리하다.

＜파장 365 ㎚ 의 광 투과율이 40 ％ 이상 또한 파장 400 ㎚ 의 광 투과율이 30 ％ 이하인 화합물＞

상기 파장 365 ㎚ 의 광 투과율이 40 ％ 이상 또한 파장 400 ㎚ 의 광 투과율이 30 ％ 이하인 화합물로는, 파장 365 ㎚ 의 광 투과율이 40 ％ 이상 또한 파장 400 ㎚ 의 광 투과율이 30 ％ 이하이면 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, C. I. 피그먼트 레드 53 : 1 (예를 들어, BASF 사 제조의 IRGALITE RED CBNL 등), C. I. 피그먼트 오렌지 73 (예를 들어, BASF 사 제조의 IRGAZIN DPP Orange RA 등), 및 전술한 광 투과 특성을 갖는 퀴나크리돈 안료 (예를 들어, BASF 사 제조의 CINQUASIA Magenta RT-355-D 등) 등을 들 수 있다.

여기서, 상기 파장 365 ㎚ 의 광 투과율이 40 ％ 이상 또한 파장 400 ㎚ 의 광 투과율이 30 ％ 이하인 화합물인지의 여부는, 화합물의 UV-Vis 스펙트럼을 측정함으로써 확인할 수 있다. 구체적으로는, 측정 시료에 대해 톨루엔을 사용하여 0.5 질량％ 로 희석한 용액을 사용하여 UV-Vis 측정을 실시함으로써 확인할 수 있다.

상기 파장 365 ㎚ 의 광 투과율이 40 ％ 이상 또한 파장 400 ㎚ 의 광 투과율이 30 ％ 이하인 화합물을 상기 이방성 도전 필름에 함유시킴으로써, 파장 365 ㎚ 를 발광하는 LED 광 조사 장치를 사용하여 상기 이방성 도전 필름을 경화시킬 때에 그 경화를 저해하지 않고, 또한 형광등 등의 실내 조명하에서의 상기 이방성 도전 필름의 보존 안정성을 유지할 수 있어, 실내 조명에 노출되어도 충분한 접속성이 얻어진다.

상기 파장 365 ㎚ 의 광 투과율이 40 ％ 이상 또한 파장 400 ㎚ 의 광 투과율이 30 ％ 이하인 화합물의 함유량으로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 0.1 질량％ ∼ 1.5 질량％ 가 바람직하고, 0.3 질량％ ∼ 0.6 질량％ 가 보다 바람직하다. 상기 함유량이 상기보다 바람직한 범위 내이면, 실내 조명에 노출되지 않는 경우에 도통 저항이 낮고, 접속성이 매우 우수한 점에서 유리하다.

상기 옥심에스테르형 광중합 개시제의 함유량이 2 질량％ ∼ 5 질량％ 이고, 상기 파장 365 ㎚ 의 광 투과율이 40 ％ 이상 또한 파장 400 ㎚ 의 광 투과율이 30 ％ 이하인 화합물의 함유량이 0.3 질량％ ∼ 0.6 질량％ 임으로써, 실내 조명에 노출된 경우, 및 노출되지 않는 경우 중 어느 경우에도 도통 저항이 낮고, 접속성이 매우 우수한 점에서 유리하다.

＜도전성 입자＞

상기 도전성 입자로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 금속 입자, 금속 피복 수지 입자 등을 들 수 있다.

상기 금속 입자로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 니켈, 코발트, 은, 구리, 금, 팔라듐, 땜납 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.

이들 중에서도 니켈, 은, 구리가 바람직하다. 이들 금속 입자는, 표면 산화를 방지할 목적으로, 그 표면에 금, 팔라듐을 입혀도 된다. 또한, 표면에 금속 돌기나 유기물로 절연 피막을 실시한 것을 사용해도 된다.

상기 금속 피복 수지 입자로는, 수지 입자의 표면을 금속으로 피복한 입자이면 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 수지 입자의 표면을 니켈, 은, 땜납, 구리, 금, 및 팔라듐 중 적어도 어느 금속으로 피복한 입자 등을 들 수 있다. 또한, 표면에 금속 돌기나 유기물로 절연 피막을 실시한 것을 사용해도 된다. 저저항을 고려한 접속의 경우, 수지 입자의 표면을 은으로 피복한 입자가 바람직하다.

상기 수지 입자에 대한 금속의 피복 방법으로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 무전해 도금법, 스퍼터링법 등을 들 수 있다.

상기 수지 입자의 재질로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 스티렌-디비닐벤젠 공중합체, 벤조구아나민 수지, 가교 폴리스티렌 수지, 아크릴 수지, 스티렌-실리카 복합 수지 등을 들 수 있다.

상기 도전성 입자는, 이방성 도전 접속시에 도전성을 갖고 있으면 된다. 예를 들어, 금속 입자의 표면에 절연 피막을 실시한 입자여도, 이방성 도전 접속시에 상기 입자가 변형되어 상기 금속 입자가 노출되는 것이면, 상기 도전성 입자이다.

상기 도전성 입자의 평균 입자경으로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 1 ㎛ ∼ 50 ㎛ 가 바람직하고, 2 ㎛ ∼ 25 ㎛ 가 보다 바람직하고, 2 ㎛ ∼ 10 ㎛ 가 특히 바람직하다.

상기 평균 입자경은, 임의로 10 개의 도전성 입자에 대해 측정한 입자경의 평균값이다.

상기 입자경은, 예를 들어, 주사형 전자 현미경 관찰에 의해 측정할 수 있다.

상기 도전성 입자의 함유량으로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 0.5 질량％ ∼ 10 질량％ 가 바람직하고, 3 질량％ ∼ 8 질량％ 가 보다 바람직하다.

＜그 밖의 성분＞

상기 그 밖의 성분으로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 실란 커플링제 등을 들 수 있다.

-실란 커플링제-

상기 실란 커플링제로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 에폭시계 실란 커플링제, 아크릴계 실란 커플링제, 티올계 실란 커플링제, 아민계 실란 커플링제 등을 들 수 있다.

상기 실란 커플링제의 함유량으로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.

상기 이방성 도전 필름의 평균 두께로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 2 ㎛ ∼ 60 ㎛ 가 바람직하고, 5 ㎛ ∼ 30 ㎛ 가 보다 바람직하고, 10 ㎛ ∼ 20 ㎛ 가 특히 바람직하다.

＜제 1 회로 부재, 제 2 회로 부재＞

상기 제 1 회로 부재, 및 상기 제 2 회로 부재로는, 단자를 갖고, 상기 이방성 도전 필름을 사용한 이방성 도전 접속의 대상이 되는 회로 부재이면 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 단자를 갖는 유리 기판, 단자를 갖는 플라스틱 기판, IC (Integrated Circuit), TAB (Tape Automated Bonding) 테이프, Flex-on-Glass (플렉스 온 글래스, FOG), Chip-on-Glass (칩 온 글래스, COG), Chip-on-Flex (칩 온 플렉스, COF), Flex-on-Board (플렉스 온 보드, FOB), Flex-on-Flex (플렉스 온 플렉스, FOF), 액정 패널 등을 들 수 있다.

상기 단자를 갖는 유리 기판으로는, 예를 들어, ITO (Indium Tin Oxide) 유리 기판, IZO (Indium Zinc Oxide) 유리 기판, 그 밖의 유리 패턴 기판 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, ITO 유리 기판, IZO 유리 기판이 바람직하다.

상기 단자를 갖는 플라스틱 기판의 재질, 구조로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 단자를 갖는 리지드 기판, 단자를 갖는 플렉시블 기판 등을 들 수 있다.

상기 IC 로는, 예를 들어, 플랫 패널 디스플레이 (FPD) 에 있어서의 액정 화면 제어용 IC 칩 등을 들 수 있다.

상기 제 1 회로 부재, 및 상기 제 2 회로 부재의 형상, 크기로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.

상기 제 1 회로 부재, 및 상기 제 2 회로 부재는, 동일한 회로 부재여도 되고, 상이한 회로 부재여도 된다.

(접속 방법)

본 발명의 접속 방법은, 제 1 배치 공정과, 제 2 배치 공정과, 광 조사 공정을 적어도 포함하고, 추가로 필요에 따라 그 밖의 공정을 포함한다.

상기 접속 방법은, 제 1 회로 부재의 단자와 제 2 회로 부재의 단자를 이방성 도전 접속시키는 방법이다.

상기 제 1 회로 부재, 및 상기 제 2 회로 부재로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 본 발명의 상기 이방성 도전 필름의 설명에서 예시한 상기 제 1 회로 부재, 및 상기 제 2 회로 부재를 각각 들 수 있지만, 본 발명의 상기 이방성 도전 필름을 경화시키는 365 ㎚ 의 광을 투과하는 회로 부재인 것이 바람직하다. 그와 같은 회로 부재로는, 예를 들어, ITO 유리 기판 등을 들 수 있다.

＜제 1 배치 공정＞

상기 제 1 배치 공정으로는, 상기 제 1 회로 부재의 단자 상에 본 발명의 상기 이방성 도전 필름을 배치하는 공정이면 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.

＜제 2 배치 공정＞

상기 제 2 배치 공정으로는, 상기 이방성 도전 필름 상에 상기 제 2 회로 부재를, 상기 제 2 회로 부재의 단자가 상기 이방성 도전 필름과 접하도록 배치하는 공정이면 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.

＜광 조사 공정＞

상기 광 조사 공정으로는, 상기 이방성 도전 필름에 파장 365 ㎚ 의 광을 조사하는 공정이면 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.

상기 광의 조사는, 상기 이방성 도전 필름에 대해, 상기 제 1 회로 부재측으로으로부터 실시해도 되고, 상기 제 2 회로 부재측으로부터 실시해도 된다. 즉, 상기 이방성 도전 필름에 대한 상기 광의 조사는, 상기 제 1 회로 부재 너머로 실시해도 되고, 상기 제 2 회로 부재 너머로 실시해도 된다.

상기 광의 조사원 (광 조사원) 으로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, LED 램프 등을 들 수 있다.

상기 광 조사 공정시에는, 상기 이방성 도전 필름을 가열 및 가압하는 처리를 병용하는 것이 바람직하다.

상기 가열 및 가압하는 처리는, 상기 광 조사를 실시하기 전에 개시하여 상기 광 조사가 종료될 때까지 실시하는 것이 바람직하다.

상기 가열 및 가압하는 처리로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 가열 가압 부재를 사용하여 실시할 수 있다.

상기 가열 가압 부재로는, 예를 들어, 가열 기구를 갖는 가압 부재 등을 들 수 있다. 상기 가열 기구를 갖는 가압 부재로는, 예를 들어, 히트 툴 등을 들 수 있다.

상기 가열의 온도로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 80 ℃ ∼ 140 ℃ 가 바람직하다.

상기 가압의 압력으로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 0.1 ㎫ ∼ 100 ㎫ 가 바람직하다.

상기 가열 및 가압의 시간으로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 0.5 초간 ∼ 120 초간을 들 수 있다.

(접합체)

본 발명의 접합체는, 제 1 회로 부재와, 제 2 회로 부재와, 이방성 도전 필름의 경화물을 적어도 갖고, 추가로 필요에 따라 그 밖의 부재를 갖는다.

상기 제 1 회로 부재, 및 상기 제 2 회로 부재로는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 본 발명의 상기 이방성 도전 필름의 설명에서 예시한 상기 제 1 회로 부재, 및 상기 제 2 회로 부재를 각각 들 수 있다.

상기 이방성 도전 필름은 본 발명의 상기 이방성 도전 필름이다.

상기 이방성 도전 필름의 경화물은, 상기 제 1 회로 부재와 상기 제 2 회로 부재 사이에 개재하여 상기 제 1 회로 부재의 단자와 상기 제 2 회로 부재의 단자를 전기적으로 접속시키고 있다.

상기 접합체는, 예를 들어, 본 발명의 상기 접속 방법에 의해 제조할 수 있다.

실시예

이하, 본 발명의 실시예를 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 조금도 한정되는 것은 아니다.

(실시예 1)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

페녹시 수지 (품명 : PKFE, 토모에 공업 주식회사 제조) 47 질량부, 우레탄아크릴레이트 (품명 : EBECRYL600, 다이셀·사이텍 주식회사 제조) 35 질량부, 아크릴 모노머 (품명 : A-DCP, 신나카무라 화학 공업 주식회사 제조) 5 질량부, 실란 커플링제 (품명 : KBM-503, 신에츠 화학 공업 주식회사 제조) 2 질량부, 옥심에스테르형 광중합 개시제 (품명 : 이르가큐어 OXE 01, BASF 사 제조) 3 질량부, IRGALITE RED CBNL (BASF 사 제조, 0.5 질량％ 톨루엔 용액의 파장 365 ㎚ 의 광 투과율이 63 ％ 또한 파장 400 ㎚ 의 광 투과율이 20 ％) 0.5 질량부, 및 도전성 입자 (품명 : AUL704, 세키스이 화학 공업 주식회사 제조, 평균 입자경 4 ㎛) 6 질량부를 균일하게 혼합하였다. 혼합 후의 배합물을 실리콘 처리한 PET (폴리에틸렌테레프탈레이트) 상에 건조 후의 평균 두께가 14 ㎛ 가 되도록 바 코터로 도포하고, 70 ℃ 에서 5 분간 건조시켜 도전성 도전 필름을 제조하였다.

＜접합체의 제조＞

이하의 방법에 의해 접합체를 제조하였다.

제 2 회로 부재로서, 평가용 COF (칩 온 플렉스) (덱세리얼즈 주식회사 평가용 기재, 50 ㎛ P (피치), Cu 8 ㎛ t (두께)-Sn 도금, PI (폴리이미드) 38 ㎛ t (두께)-S'perflex 기재) 를 사용하였다.

제 1 회로 부재로서, ITO 코팅 유리 (덱세리얼즈 주식회사 평가용 기재, 전체 표면 ITO 코트, 유리 두께 0.7 ㎜) 를 사용하였다.

상기 제 1 회로 부재 상에 폭 1.5 ㎜ 로 슬릿한 상기 이방성 도전 필름을 배치하였다. 배치할 때, 80 ℃, 1 ㎫, 1 초간으로 첩부 (貼付) 하였다. 계속해서, 그 이방성 도전 필름 상에 상기 제 2 회로 부재를 상기 이방성 도전 필름으로부터 비어져 나오지 않도록 배치하였다. 계속해서, 완충재 (테플론 (등록상표), 두께 0.15 ㎜) 를 개재하여, 가열 툴 (폭 1.5 ㎜) 에 의해 100 ℃, 4 ㎫, 3 초간으로 압착 후, 압력을 가한 상태에서 상기 제 1 회로 부재측으로부터 LED-UV 장치 (ZUV-30H, 오므론 주식회사 제조) 로, 파장 365 ㎚ 의 광을 2 초간 조사 (조도 600 W/㎝) 하여, 접합체를 얻었다.

＜평가＞

제조한 접합체에 대해 이하의 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

형광등 노출에서는, 형광등 (FPL27EX-N, TWINBIRD 사 제조, 27 W) 의 바로 아래 2 m 에 이방성 도전 필름을 두고, 3 시간 방치하였다.

＜＜도통 저항＞＞

접합체의 초기의 도통 저항값 (Ω) 을 이하의 방법으로 측정하였다.

구체적으로는, 상기 접합체의 제조와 동일한 방법으로, 도 1 에 나타내는 바와 같은 시험체를 제조하여, 디지털 멀티 미터 (품번 : 디지털 멀티 미터 7555, 요코가와 전기 주식회사 제조) 를 사용하여 4 단자법으로 전류 1 ㎃ 를 흐르게 하였을 때의 저항값을 측정하였다. 30 채널에 대해 저항값을 측정하고, 최대의 저항값을 측정값으로 하였다. 도 1 에서, 부호 1 은 유리 기재를 나타내고, 부호 2 는 ACF를 나타내고, 부호 3 은 COF의 패턴을 나타내고, 부호 4 는 ITO 배선을 나타내고, 부호 A 는 측정 지점을 나타낸다.

＜＜반응률＞＞

적외 분광 장치 (푸리에 변환형 적외 분광 (FT-IR)) 를 사용하여, 접속 전후의 비닐기 (중합성기) 를 측정하고, 그 변화로부터 반응률을 측정하였다.

구체적으로는, 이방성 도전 필름 제조 직후에 IR 분석을 실시하고, 1,640 ㎝^-1 의 흡수를 기준으로 하여, 형광등 노출를 하지 않는 조건에 있어서의 접속 후의 반응률, 형광등 노출 후의 접속 전의 반응률, 형광등 노출를 한 조건에서의 접속 후의 반응률을 측정하였다.

(실시예 2)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

실시예 1 에 있어서, 옥심에스테르형 광중합 개시제 3 질량부를 6 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 얻었다.

실시예 1 과 동일하게 하여 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

(실시예 3)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

실시예 1 에 있어서, 옥심에스테르형 광중합 개시제 3 질량부를 1 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 얻었다.

(실시예 4)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

실시예 1 에 있어서, IRGALITE RED CBNL 0.5 질량부를 1.0 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 얻었다.

(실시예 5)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

실시예 1 에 있어서, IRGALITE RED CBNL 0.5 질량부를 0.2 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 얻었다.

(실시예 6)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

실시예 1 에 있어서, 옥심에스테르형 광중합 개시제를 옥심에스테르형 광중합 개시제 (품명 : 이르가큐어 OXE 02, BASF 사 제조) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 얻었다.

(실시예 7)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

실시예 1 에 있어서, IRGALITE RED CBNL 을 CINQUASIA Magenta RT-355-D (BASF 사 제조, 0.5 질량％ 톨루엔 용액의 파장 365 ㎚ 의 광 투과율이 52 ％ 또한 파장 400 ㎚ 의 광 투과율이 26 ％) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 얻었다.

(실시예 8)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

실시예 1 에 있어서, IRGALITE RED CBNL 을 IRGAZIN DPP Orange RA (BASF 사 제조, 0.5 질량％ 톨루엔 용액의 파장 365 ㎚ 의 광 투과율이 55 ％ 또한 파장 400 ㎚ 의 광 투과율이 30 ％) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 얻었다.

(실시예 9)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

실시예 1 에 있어서, 우레탄아크릴레이트를 우레탄아크릴레이트 (품명 : EBECRYL204, 다이셀·사이텍 주식회사 제조) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 얻었다.

(실시예 10)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

실시예 1 에 있어서, 도전성 입자를 도전성 입자 (품명 : AUL705, 세키스이 화학 공업 주식회사 제조, 평균 입자경 5 ㎛) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 얻었다.

(비교예 1)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

실시예 1 에 있어서, 옥심에스테르형 광중합 개시제를 알킬페논형 광중합 개시제 (이르가큐어 184, BASF 사 제조) 로 변경하고, 또한 IRGALITE RED CBNL 을 배합하지 않은 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 얻었다.

(비교예 2)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

비교예 1 에 있어서, 알킬페논형 광중합 개시제 3 질량부를 8 질량부로 변경한 것 이외에는, 비교예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 얻었다.

(비교예 3)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

실시예 1 에 있어서, IRGALITE RED CBNL 을 배합하지 않은 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 얻었다.

(비교예 4)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

비교예 3 에 있어서, 옥심에스테르형 광중합 개시제 3 질량부를 1 질량부로 변경한 것 이외에는, 비교예 3 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 얻었다.

(비교예 5)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

실시예 1 에 있어서, IRGALITE RED CBNL 을 이르가큐어 400 (BASF 사 제조) 으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 얻었다.

또한, 이르가큐어 400 은, 파장 365 ㎚ 의 광 투과율이 40 ％ 이상 또한 파장 400 ㎚ 의 광 투과율이 90 ％ 이상이었다.

실시예 1 ∼ 10 에서는, 형광등 노출가 있는 경우, 및 없는 경우 중 어느 것에 있어서도, 도통 저항이 우수한 결과가 얻어졌다. 또, 접속 후의 반응률도 높았다.

그 중에서도, 옥심에스테르형 광중합 개시제의 함유량이 2 질량％ ∼ 5 질량％ 이고, 또한 파장 365 ㎚ 의 광 투과율이 40 ％ 이상 또한 파장 400 ㎚ 의 광 투과율이 30 ％ 이하인 화합물이 C. I. 피그먼트 레드 53 : 1 (BASF 사 제조의 IRGALITE RED CBNL) 이고, 그 함유량이 0.3 질량％ ∼ 0.6 질량％ 인 실시예 1, 6, 9, 및 10 은, 형광등 노출시의 반응이 적고, 또한 형광등 노출가 있는 경우, 및 없는 경우 중 어느 것에 있어서도, 도통 저항이 매우 우수하였다.

비교예 1 및 2 에서는, 경화가 거의 일어나지 않았고, 도통 저항이 불충분하였다.

비교예 3 ∼ 5 에서는, 형광등 노출에 있어서 경화가 일어났고, 도통 저항이 불충분하였다.

본 발명의 이방성 도전 필름은, 발광 파장이 365 ㎚ 인 LED 를 사용한 광 조사에 대해 이용할 수 있고, 또한 실내 조명에 노출되어도 충분한 접속성이 얻어지는 점에서, 파장 365 ㎚ 의 LED 램프를 사용한 회로 부재의 접속에 바람직하게 사용할 수 있다.

1 유리 기재
2 ACF
3 COF의 패턴
4 ITO 배선
A 측정 지점

Claims

제 1 회로 부재의 단자와 제 2 회로 부재의 단자를 이방성 도전 접속시키는 이방성 도전 필름으로서,
막 형성 수지와, 라디칼 중합성 화합물과, 옥심에스테르형 광중합 개시제와, 파장 365 ㎚ 의 광 투과율이 40 ％ 이상 또한 파장 400 ㎚ 의 광 투과율이 30 ％ 이하인 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
제 1 항에 있어서,
추가로 도전성 입자를 함유하는, 이방성 도전 필름.
제 1 항에 있어서,
옥심에스테르형 광중합 개시제가 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물인, 이방성 도전 필름.
[화학식 1]

단, 상기 일반식 (1) 중, R¹ 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 및 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기 중 어느 것을 나타낸다. R² 는 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 및 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기 중 어느 것을 나타낸다. R³ 은 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기, 탄소수 2 ∼ 20 의 아실기, 및 결합손 (상기 결합손은, 인접하는 벤젠 고리의 탄소 원자의 하나와 결합하고, -X- 와 하나가 되어 고리 구조를 형성하는 결합손이다) 중 어느 것을 나타낸다. R⁴ 는 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기, 및 탄소수 2 ∼ 20 의 아실기 중 어느 것을 나타낸다. a 는 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다. b 는 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다. X 는 산소 원자, 황 원자, 및 NR⁵ (R⁵ 는 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 7 ∼ 30 의 아릴알킬기, 및 탄소수 3 ∼ 20 의 복소 고리기 중 어느 것을 나타낸다) 중 어느 것을 나타낸다. Y 는 단결합, 및 카르보닐기 중 어느 것을 나타낸다.
제 1 항에 있어서,
옥심에스테르형 광중합 개시제가 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 및 에타논-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 중 적어도 어느 것인, 이방성 도전 필름.
제 1 항에 있어서,
파장 365 ㎚ 의 광 투과율이 40 ％ 이상 또한 파장 400 ㎚ 의 광 투과율이 30 ％ 이하인 화합물이, C. I. 피그먼트 레드 53 : 1, C. I. 피그먼트 오렌지 73, 및 퀴나크리돈 안료 중 적어도 어느 것인, 이방성 도전 필름.
제 1 회로 부재의 단자와 제 2 회로 부재의 단자를 이방성 도전 접속시키는 접속 방법으로서,
상기 제 1 회로 부재의 단자 상에 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름을 배치하는 제 1 배치 공정과,
상기 이방성 도전 필름 상에 상기 제 2 회로 부재를, 상기 제 2 회로 부재의 단자가 상기 이방성 도전 필름과 접하도록 배치하는 제 2 배치 공정과,
상기 이방성 도전 필름에 파장 365 ㎚ 의 광을 조사하는 광 조사 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 접속 방법.
단자를 갖는 제 1 회로 부재와, 단자를 갖는 제 2 회로 부재와, 상기 제 1 회로 부재와 상기 제 2 회로 부재 사이에 개재하여 상기 제 1 회로 부재의 단자와 상기 제 2 회로 부재의 단자를 전기적으로 접속시키는 이방성 도전 필름의 경화물을 갖고,
상기 이방성 도전 필름이 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름인 것을 특징으로 하는 접합체.