KR20140084738A - Substrate treating apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus and, more specifically, a substrate processing apparatus processing a substrate while supporting the substrate by raising the substrate from a stage. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus comprises a substrate raising unit raising the substrate; a nozzle unit placed on the upper part of the substrate raising unit and discharging liquid chemical onto the substrate; and a substrate transferring unit comprising a holding member holding the substrate and transferring the holding member from a first position to a second position in a first direction. The substrate raising unit comprises a stage having multiple holes provided on the upper surface thereof, a pressure supply member supplying gas or vacuum pressure through the holes to the upper part of the stage; and an impurity removing member placed in front of the nozzle on the upper surface of the stage in the first direction and removing impurities which are transferred together with the substrate under the substrate.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}[0001] SUBSTRATE TREATING APPARATUS [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 스테이지에서 부상시켜 기판을 지지한 상태로 기판에 약액을 토출하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that flushes a substrate on a stage to discharge a chemical liquid onto a substrate while supporting the substrate.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판 상으로 약액을 공급하는 포토리소그라피, 식각, 이온주입, 증착 그리고 세정의 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 포토리소그라피 공정은 기판 상에 원하는 패턴을 형성시킨다. In order to manufacture a semiconductor device or a liquid crystal display, various processes of photolithography, etching, ion implantation, deposition, and cleaning to supply a chemical solution onto a substrate are performed. Among these processes, the photolithography process forms the desired pattern on the substrate.

포토리소그라피 공정은 기판 상에 포토 레지스트과 같은 감광액을 도포하는 도포공정, 도포된 감광막 위에 특정 패턴을 형성하는 노광공정, 그리고 노광된 감광막에서 특정 영역을 제거하는 현상공정을 포함한다.The photolithography process includes a coating process for applying a photosensitive liquid such as a photoresist on a substrate, an exposure process for forming a specific pattern on the applied photosensitive film, and a developing process for removing a specific region from the exposed photosensitive film.

이러한 공정들 중에 도포 공정은 기판이 일방향으로 반송하는 도중에 노즐로부터 기판으로 약액이 토출된다. During these processes, the chemical liquid is ejected from the nozzle to the substrate while the substrate is being conveyed in one direction.

기판이 부상된 상태에서 이동되면서 기판과 함께 불순물이 이동될 수 있다. 이러한 불순물은 기판을 부상시키는 압력을 제공하는 홀을 막히게 하는 등의 영향을 줄 수 있다. 이러한 경우에는 기판의 저면에 제공되는 압력에 영향을 주게 되고, 이로 인하여 기판이 기설정된 높이로 부상하지 못하거나 흔들릴 수 있다. 이러한 이유로 인하여 약액이 도포되는 경우에 기판에 얼룩이 발생하는 등의 품질 저하의 우려가 발생할 수 있다.Impurities can be moved together with the substrate while the substrate is being lifted. Such an impurity may have an influence such as clogging the hole that provides the pressure for floating the substrate. In this case, the pressure applied to the bottom surface of the substrate is affected, and the substrate may not float to a predetermined height or may be shaken. For this reason, when the chemical liquid is applied, there is a possibility that the quality of the substrate may deteriorate due to the occurrence of unevenness on the substrate.

본 발명은 기판과 함께 이동되는 불순물을 제거할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is intended to provide a substrate processing apparatus capable of removing impurities which are moved together with a substrate.

또한, 본 발명은 기판에 약액을 도포할 때 기판에 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing unevenness on the substrate when the chemical liquid is applied to the substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 부상시키는 기판 부상 유닛, 상기 기판 부상 유닛의 상부에 위치하고, 상기 기판으로 약액을 토출하는 노즐 유닛 및 상기 기판을 파지하는 파지 부재를 포함하고, 상기 파지 부재를 제1방향으로 이동시키는 기판 이동 유닛을 포함하되, 상기 기판 부상 유닛은 상면에 복수개의 홀들이 제공되는 스테이지, 상기 홀들을 통해 상기 스테이지 상부로 가스압 또는 진공압을 제공하는 압력 제공 부재 및 상기 스테이지 상면에서 상기 제1방향에서 상기 노즐보다 전방에 위치하고, 상기 기판 아래에서 상기 기판과 함께 이동되는 불순물을 제거하는 불순물 제거 부재를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a substrate floating unit for floating a substrate, a nozzle unit disposed above the substrate floating unit, for ejecting a chemical liquid onto the substrate, and a gripping member holding the substrate And a substrate moving unit for moving the holding member in a first direction, wherein the substrate floating unit includes a stage provided with a plurality of holes on an upper surface thereof, a pressure providing gas pressure or vacuum pressure to the upper portion of the stage through the holes, And an impurity removing member located in front of the nozzle in the first direction on the upper surface of the stage and removing impurities which are moved together with the substrate below the substrate.

상기 스테이지는 반입부, 도포부 그리고 반출부를 포함하고, 상기 불순물 제거 부재는 상기 반입부와 상기 도포부 사이에 제공될 수 있다.The stage may include a carry-in portion, a apply portion, and a carry-out portion, and the impurity removal member may be provided between the carry-in portion and the application portion.

상기 스테이지는 상기 반입부, 상기 도포부 그리고 상기 반출부가 각각 별개의 판이 조합되어 제공되고, 상기 반입부와 상기 도포부의 판 사이 공간이 상기 불순물 제거 부재로 제공될 수 있다.The stage may be provided with a separate plate for each of the carry-in portion, the application portion and the carry-out portion, and a space between the carry-in portion and the plate of the application portion may be provided as the impurity removing member.

상기 스테이지는 상면에 홈을 가지고, 상기 홈이 상기 불순물 제거 부재로 제공될 수 있다.The stage has a groove on the upper surface, and the groove can be provided as the impurity removing member.

상기 홈은 그 길이 방향이 상기 제1방향에 수직한 제2방향으로 제공될 수 있다.The grooves may be provided in a second direction whose longitudinal direction is perpendicular to the first direction.

상기 홈은 상기 스테이지의 양단까지 연장되어 제공될 수 있다.The grooves may be provided extending to both ends of the stage.

상기 불순물 제거 부재는 진공압 발생기 및 상기 진공압 발생기와 상기 공간을 연결하는 진공압 제공라인을 포함할 수 있다.The impurity removing member may include a vacuum pressure generator and a vacuum pressure providing line connecting the vacuum pressure generator and the space.

또한, 본 발명은 기판 부상 유닛을 제공한다.The present invention also provides a substrate floating unit.

본 발명의 일 실시에에 따른 기판 부상 유닛은, 상면에 복수개의 홀들이 제공되는 스테이지, 상기 홀들을 통해 상기 스테이지 상부로 가스압 또는 진공압을 제공하는 압력 제공 부재 및 상기 스테이지 상면에서 상기 제1방향에서 상기 노즐보다 전방에 위치하고, 상기 기판 아래에서 상기 기판과 함께 이동되는 불순물을 제거하는 불순물 제거 부재를 포함한다.A substrate floating unit according to an embodiment of the present invention includes a stage provided with a plurality of holes on an upper surface thereof, a pressure providing member for providing gas pressure or vacuum pressure to the upper portion of the stage through the holes, And an impurity removing member located forward of the nozzle and removing impurities which are moved together with the substrate below the substrate.

상기 스테이지는 반입부, 도포부 그리고 반출부를 가지고 상기 반입부, 상기 도포부 그리고 상기 반출부가 각각 별개의 판이 조합되어 제공되고, 상기 반입부와 상기 도포부의 판 사이 공간이 상기 불순물 제거 부재로 제공될 수 있다.Wherein the stage is provided with a separate plate having a carry-in portion, a coating portion, and a carry-out portion, the carry-in portion, the application portion, and the carry-out portion being respectively provided in a combined state, and a space between the carry-in portion and the plate of the application portion is provided with the impurity removing member .

상기 스테이지는 상면에 홈을 가지고, 상기 홈이 상기 불순물 제거 부재로 제공될 수 있다.The stage has a groove on the upper surface, and the groove can be provided as the impurity removing member.

상기 홈은 그 길이 방향이 상기 제1방향에 수직한 제2방향으로 제공될 수 있다.The grooves may be provided in a second direction whose longitudinal direction is perpendicular to the first direction.

상기 불순물 제거 부재는 진공압 발생기 및 상기 진공압 발생기와 상기 공간을 연결하는 진공압 제공라인을 포함할 수 있다.The impurity removing member may include a vacuum pressure generator and a vacuum pressure providing line connecting the vacuum pressure generator and the space.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 본 발명은 기판과 함께 이동되는 불순물을 제거할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the present invention can remove impurities which are moved together with the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판에 약액을 도포할 때 기판에 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to prevent unevenness on the substrate when the chemical liquid is applied to the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 상면을 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 1의 선 X-X'를 따라 절단한 기판 부상 유닛의 단면도이다.
도 4는 도 1의 기판 부상 유닛의 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.
도 5는 도 4의 기판 부상 유닛의 상면을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 5의 기판 부상 유닛을 선 Y-Y'를 따라 절단한 단면도이다.
도 7 내지 도 9는 도 3의 기판 부상 유닛에서 기판 하부의 불순물이 기판 부상 유닛으로부터 배출되는 과정을 보여주는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view showing a top surface of the substrate processing apparatus of FIG.
3 is a cross-sectional view of the substrate floating unit taken along the line X-X 'in FIG.
4 is a perspective view showing another embodiment of the substrate floating unit of FIG.
FIG. 5 is a top view of the substrate floating unit of FIG. 4; FIG.
FIG. 6 is a cross-sectional view of the substrate floating unit of FIG. 5 taken along the line Y-Y '.
FIGS. 7 to 9 are views showing the process of discharging impurities below the substrate from the substrate floating unit in the substrate floating unit of FIG. 3. FIG.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified into various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 상면을 보여주는 평면도이다FIG. 1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing a top surface of the substrate processing apparatus of FIG. 1

도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 기판 부상 유닛(1100), 기판 이동 유닛(200) 그리고 노즐 유닛(300)을 포함한다.1 and 2, the substrate processing apparatus 1 includes a substrate floating unit 1100, a substrate moving unit 200, and a nozzle unit 300.

기판 부상 유닛(1100)은 스테이지(1110), 불순물 제거 부재(1130) 그리고 압력 제공 부재(1150)를 포함한다. 스테이지(1110)는 그 길이 방향이 제1방향(91)을 따라 연장되도록 제공된다. 스테이지(1110)는 일정한 두께를 가지는 평판의 형상으로 제공될 수 있다. 스테이지(1110)는 반입부(1111), 도포부(1112) 그리고 반출부(1113)를 포함한다. 반입부(1111), 도포부(1112), 반출부(1113)는 스테이지(1110)의 일단에서부터 제1방향(91)으로 차례로 제공된다. 일 예에 의하면, 반입부(1111), 도포부(1112) 그리고 반출부(1113)는 각각 별도의 스테이지로 분리될 수 있다. 이러한 경우는 반입부(1111), 도포부(1112) 그리고 반출부(1113)로 제공되는 각각의 스테이지가 결합되어 하나의 스테이지(1110)로 제공될 수 있다. 이와 달리, 하나의 스테이지(1110)를 반입부(1111), 도포부(1112) 그리고 반출부(1113)의 영역으로 구분하여 제공될 수도 있다.The substrate floating unit 1100 includes a stage 1110, an impurity removing member 1130, and a pressure providing member 1150. The stage 1110 is provided so that its longitudinal direction extends along the first direction 91. The stage 1110 may be provided in the form of a flat plate having a constant thickness. The stage 1110 includes a carry-in portion 1111, a apply portion 1112, and a take-out portion 1113. [ The carrying unit 1111, the applying unit 1112 and the carrying unit 1113 are sequentially provided from one end of the stage 1110 to the first direction 91. [ According to an example, the carry-in unit 1111, the application unit 1112, and the carry-out unit 1113 may be separated into separate stages. In this case, each of the stages provided to the carry-in unit 1111, the application unit 1112, and the carry-out unit 1113 may be combined and provided as a single stage 1110. Alternatively, one stage 1110 may be provided by dividing into a region of a carry-in portion 1111, a coating portion 1112, and a carry-out portion 1113.

스테이지(1110)는 상면에 복수개의 홀(1115)을 가진다. 복수개의 홀(1115)은 스테이지(1110) 상부로 가스압을 제공하는 가스홀(1115a)들과 진공압을 제공하는 진공홀(1115b)들을 포함한다. 복수개의 홀(1115)은 가스압 및 진공압을 제공하여 기판(S)을 스테이지(1110) 상부로 부상시킨다. 복수개의 홀(1115)은 반입부(1111), 도포부(1112) 그리고 반출부(1113)에서 각각 다른 개수로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 도포부(1112)에 제공되는 단위면적당 홀(1115)들의 수가 반입부(1111)와 반출부(1113)보다 많도록 제공될 수 있다. 이와 달리, 반입부(1111), 도포부(1112) 그리고 반출부(1113)에 동일한 수의 홀(1115)들이 제공될 수도 있다. 또한, 복수개의 홀(1115)은 압력을 제공하지 않는 홀(1115c)들을 포함할 수도 있다.The stage 1110 has a plurality of holes 1115 on its upper surface. The plurality of holes 1115 include gas holes 1115a that provide gas pressure to the top of the stage 1110 and vacuum holes 1115b that provide vacuum pressure. The plurality of holes 1115 provide gas pressure and vacuum pressure to float the substrate S onto the stage 1110. A plurality of holes 1115 may be provided in different numbers in the carry-in portion 1111, the application portion 1112, and the carry-out portion 1113, respectively. The number of holes 1115 per unit area provided to the application portion 1112 may be greater than that of the carry-in portion 1111 and the carry-out portion 1113. [ Alternatively, the same number of holes 1115 may be provided in the loading section 1111, the applying section 1112 and the unloading section 1113. Further, the plurality of holes 1115 may include holes 1115c which do not provide pressure.

복수개의 홀(1115)은 일정한 간격을 가지고 위치한다. 일 예에 의하면, 복수개의 홀(1115)은 제1방향(91)으로 복수개의 열을 이루며 위치할 수 있다. 각 열에는 가스홀과 진공홀이 번갈아가면서 제공될 수 있다. 이와 달리, 하나의 열에는 동일한 종류의 홀들이 위치할 수도 있다. 이러한 경우는 인접하는 열의 홀의 종류가 다르게 제공될 수 있다.The plurality of holes 1115 are disposed at regular intervals. According to an example, the plurality of holes 1115 may be positioned in a plurality of rows in the first direction 91. Each column may be provided with alternating gas holes and vacuum holes. Alternatively, holes of the same kind may be located in one column. In this case, different types of holes in adjacent columns may be provided.

도 3은 도 1의 선 X-X'를 따라 절단한 기판 부상 유닛의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the substrate floating unit taken along the line X-X 'in FIG.

도 3을 참조하면, 불순물 제거 부재(1130)는 반입부(1111)와 도포부(1112) 사이의 공간에 위치한다. 일 예에 의하면, 스테이지(1110)는 반입부(1111), 도포부(1112) 그리고 반출부(1113)가 각각 별개의 판으로 구성될 수 있다. 반입부(1111), 도포부(1112) 그리고 반출부(1113)는 인접하는 판들과 일정한 공간을 두고 위치할 수 있다. 예를 들어, 반입부(1111)와 도포부(1112)는 그 사이에 제1공간(1131)을 두고, 도포부(1112)와 반출부(1113)는 그 사이에 제2공간(1139)을 둘 수 있다. 제1공간(1131)과 제2공간(1139)은 그 폭이 동일하게 제공될 수 있다.3, the impurity removing member 1130 is located in a space between the carrying-in portion 1111 and the applying portion 1112. According to an example, the stage 1110 may be configured as a separate plate in which the carry-in portion 1111, the application portion 1112, and the carry-out portion 1113 are respectively provided. The carry-in part 1111, the application part 1112, and the carry-out part 1113 can be positioned with a predetermined space from the adjacent plates. For example, the carrying part 1111 and the applying part 1112 have a first space 1131 therebetween, and the applying part 1112 and the carrying part 1113 have a second space 1139 therebetween You can. The widths of the first space 1131 and the second space 1139 may be the same.

불순물 제거 부재(1130)는 진공압 발생기(1133) 및 진공압 제공라인(1132)을 포함한다. 진공압 발생기(1133)는 불순물을 빨아들일 수 있는 진공압을 발생시킨다. 진공압 제공라인(1132)은 진공압 발생기(1133)와 스테이지(1110)의 반입부(1111)와 도포부(1112) 사이의 제1공간(1131)을 연결한다. 이때 제1공간(1131)이 불순물 제거부재(1130)로서 기능을 한다.The impurity removing member 1130 includes a vacuum pressure generator 1133 and a vacuum pressure providing line 1132. The vacuum pressure generator 1133 generates a vacuum pressure capable of sucking impurities. The vacuum line supply line 1132 connects the vacuum line generator 1133 and the first space 1131 between the loading portion 1111 of the stage 1110 and the application portion 1112. At this time, the first space 1131 functions as the impurity removing member 1130.

압력 제공 부재(1150)는 가압기(1151a), 감압기(1151b), 가스압 제공 라인(1152a) 그리고 진공압 제공 라인(1152b)을 포함한다. 가압기(1151a)는 가스압을 발생시킨다. 가스압 제공 라인(1152a)은 가압기(1151a)와 가스홀(1115a)를 연결한다. 감압기(1151b)는 진공압을 발생시킨다. 진공압 제공 라인(1152b)는 감압기(1151b)와 가스홀(1115b)을 연결한다. 가압기(1151a)와 감압기(1151b)는 스테이지(1110) 외부에 위치할 수도 있다. 일 예에 의하면, 감압기(1151b)와 진공압 제공 라인(1152b)은 도포부(1112)에만 제공될 수 있다. 이와 달리, 반입부(1111), 도포부(1112) 그리고 반출부(1113)에 감압기(1151b)와 진공압 제공 라인(1152b)이 제공될 수도 있다.The pressure providing member 1150 includes a pressurizer 1151a, a pressure reducer 1151b, a gas pressure providing line 1152a, and a vacuum pressure providing line 1152b. The pressurizer 1151a generates a gas pressure. The gas pressure providing line 1152a connects the pressurizer 1151a and the gas hole 1115a. The pressure reducer 1151b generates a vacuum pressure. The vacuum pressure providing line 1152b connects the pressure reducer 1151b and the gas hole 1115b. The pressurizer 1151 a and the pressure reducer 1151 b may be located outside the stage 1110. According to one example, the pressure reducer 1151b and the vacuum pressure providing line 1152b may be provided only to the application portion 1112. [ Alternatively, the pressure reducer 1151b and the vacuum pressure providing line 1152b may be provided in the carry-in unit 1111, the application unit 1112, and the carry-out unit 1113.

도 4는 도 1의 기판 부상 유닛의 다른 실시예를 보여주는 사시도이고, 도 5는 도 4의 기판 부상 유닛의 상면을 보여주는 도면이고, 도 6은 도 5의 기판 부상 유닛을 선 Y-Y'를 따라 절단한 단면도이다.FIG. 4 is a perspective view showing another embodiment of the substrate floating unit of FIG. 1, FIG. 5 is a top view of the substrate floating unit of FIG. 4, Fig.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 기판 부상 유닛(1200)은 스테이지(1210), 불순물 제거 부재(1230) 그리고 압력 제공 부재(1250)를 포함한다. 4 to 6, the substrate floating unit 1200 includes a stage 1210, an impurity removing member 1230, and a pressure providing member 1250.

스테이지(1210)는 그 길이 방향이 제1방향(91)을 따라 연장되도록 제공된다. 스테이지(1210)는 일정한 두께를 가지는 평판의 형상으로 제공될 수 있다. 스테이지(1210)는 반입부(1211), 도포부(1212) 그리고 반출부(1213)를 포함한다. 반입부(1211), 도포부(1212), 반출부(1213)는 스테이지(1210)의 일단에서부터 제1방향(91)으로 차례로 제공된다. 일 예에 의하면, 반입부(1211), 도포부(1212) 그리고 반출부(1213)는 하나의 판으로 제공될 수 있다. 이러한 경우에 반입부(1211), 도포부(1212) 그리고 반출부(1213)는 제공되는 홀(1215)의 갯수, 압력 제공 부재(1230)로부터 제공되는 압력의 차이 등으로 인하여 구별될 수 있다. 반입부(1211)와 도포부(1212) 사이에 홈(1231)이 제공된다. 홈(1231)은 길이방향이 기판(S)이 이동하는 제1방향(91)과 수직한 제2방향(92)으로 연장되어 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 홈(1231)의 양단이 스테이지(1210)의 제2방향(92)의 양단까지 연장되어 제공될 수 있다. 이와 달리, 홈(1231)은 기판(S)의 진행방향에서 노즐(310)의 전방에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반입부(1211)에 위치하거나, 도포부(1212)에서 노즐(310)의 전방에 위치할 수 있다.The stage 1210 is provided so that its longitudinal direction extends along the first direction 91. The stage 1210 may be provided in the form of a flat plate having a constant thickness. The stage 1210 includes a carry-in portion 1211, an application portion 1212, and a carry-out portion 1213. [ The carrying unit 1211, the applying unit 1212 and the carrying unit 1213 are sequentially provided from one end of the stage 1210 to the first direction 91. [ According to an example, the carry-in portion 1211, the application portion 1212, and the carry-out portion 1213 may be provided as a single plate. In this case, the carry-in part 1211, the application part 1212 and the carry-out part 1213 can be distinguished by the number of the holes 1215 provided, the difference in pressure provided from the pressure providing member 1230, and the like. A groove 1231 is provided between the carrying-in portion 1211 and the applying portion 1212. The grooves 1231 may be provided extending in the longitudinal direction in a second direction 92 perpendicular to the first direction 91 in which the substrate S moves. According to one example, both ends of the groove 1231 can be provided extending to both ends of the second direction 92 of the stage 1210. [ Alternatively, the grooves 1231 may be located in front of the nozzle 310 in the direction in which the substrate S advances. For example, it may be located in the loading section 1211 or may be located in front of the nozzle 310 in the application section 1212. [

스테이지(1210)는 상면에 복수개의 홀(1215)을 가진다. 복수개의 홀(1215)은 스테이지(1210) 상부로 가스압을 제공하는 가스홀(1215a)들과 진공압을 제공하는 진공홀(1215b)들을 포함한다. 복수개의 홀(1215)은 가스압 및 진공압을 제공하여 기판(S)을 스테이지(1210) 상부로 부상시킨다. 복수개의 홀(1215)은 반입부(1211), 도포부(1212) 그리고 반출부(1213)에서 각각 다른 개수로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 도포부(1212)에 제공되는 단위면적당 홀(115)들의 수가 반입부(1211)와 반출부(1213)보다 많도록 제공될 수 있다. 이와 달리, 반입부(1211), 도포부(1212) 그리고 반출부(1213)에 동일한 수의 홀(1215)들이 제공될 수도 있다. The stage 1210 has a plurality of holes 1215 on its upper surface. The plurality of holes 1215 include gas holes 1215a that provide gas pressure to the top of the stage 1210 and vacuum holes 1215b that provide vacuum pressure. The plurality of holes 1215 provide gas pressure and vacuum pressure to float the substrate S onto the stage 1210. The plurality of holes 1215 may be provided in different numbers in the carry-in portion 1211, the application portion 1212, and the carry-out portion 1213, respectively. The number of holes 115 per unit area provided to the application unit 1212 may be more than the number of the receiving units 1211 and 1213. In this case, Alternatively, the same number of holes 1215 may be provided in the carrying-in portion 1211, the applying portion 1212 and the carrying-out portion 1213.

복수개의 홀(1215)은 일정한 간격을 가지고 위치한다. 일 예에 의하면, 복수개의 홀(1215)은 제1방향(91)으로 복수개의 열을 이루며 위치할 수 있다. 각 열에는 가스홀과 진공홀이 번갈아가면서 제공될 수 있다. 이와 달리, 하나의 열에는 동일한 종류의 홀(1215)들이 위치할 수도 있다. 이러한 경우는 인접하는 열의 홀(1215)의 종류가 다르게 제공될 수 있다.The plurality of holes 1215 are disposed at regular intervals. According to an example, the plurality of holes 1215 may be positioned in a plurality of rows in the first direction 91. Each column may be provided with alternating gas holes and vacuum holes. Alternatively, holes 1215 of the same kind may be located in one column. In this case, the types of holes 1215 in adjacent columns may be provided differently.

불순물 제거 부재(1230)는 스테이지(1210) 상면에 위치한다. 불순물 제거 부재(1230)는 제1방향(91)에서 노즐(310)보다 전방에 위치한다. 일 예에 의하면, 불순물 제거 부재(1230)는 반입부(1211)에 위치할 수 있다. The impurity removing member 1230 is located on the upper surface of the stage 1210. The impurity removing member 1230 is located forward of the nozzle 310 in the first direction 91. [ According to one example, the impurity removing member 1230 may be located at the carrying-in portion 1211.

일 예에 의하면, 스테이지(1210) 상면에 위치한 홈(1231)이 불순물 제거 부재(1230)로 제공될 수 있다. 이러한 경우에 홈(1231)은 스테이지(1110) 상면에서 제1방향(91)으로 노즐(310)보다 전방에 위치한다.According to an example, a groove 1231 located on the upper surface of the stage 1210 may be provided in the impurity removing member 1230. [ In this case, the groove 1231 is located in front of the nozzle 310 in the first direction 91 on the upper surface of the stage 1110.

불순물 제거 부재(1230)는 진공압 발생기(1233) 및 진공압 제공라인(1232)을 포함한다. 진공압 발생기(1233)는 불순물을 빨아들일 수 있는 진공압을 발생시킨다. 진공압 제공라인(1232)은 진공압 발생기(1233)와 스테이지(1210) 상면의 홈(1231)의 저면과 연결된다. 이로 인하여 홈(1231)의 저면으로부터 스테이지(1210) 상부로 진공압이 제공된다. The impurity removing member 1230 includes a vacuum pressure generator 1233 and a vacuum pressure providing line 1232. The vacuum pressure generator 1233 generates a vacuum pressure capable of sucking impurities. The vacuum pressure supply line 1232 is connected to the vacuum pressure generator 1233 and the bottom surface of the groove 1231 on the upper surface of the stage 1210. Thereby providing vacuum pressure from the bottom of the groove 1231 to the top of the stage 1210.

압력 제공 부재(1250)는 가압기(1251a), 감압기(1251b), 가스압 제공 라인(1252a) 그리고 진공압 제공 라인(1252b)을 포함한다. 가압기(1251a)는 가스압을 발생시킨다. 가스압 제공 라인(1252a)은 가압기(1251a)와 가스홀(1215a)를 연결한다. 감압기(1251b)는 진공압을 발생시킨다. 진공압 제공 라인(1252b)는 감압기(1251b)와 가스홀(1215b)을 연결한다. 가압기(1251a)와 감압기(1251b)는 스테이지(1210) 외부에 위치할 수도 있다. 일 예에 의하면, 감압기(1251b)와 진공압 제공 라인(1252b)은 도포부(1212)에만 제공될 수 있다. 이와 달리, 반입부(1211), 도포부(1212) 그리고 반출부(1213)에 감압기(1251b)와 진공압 제공 라인(1252b)이 제공될 수도 있다.The pressure providing member 1250 includes a pressurizer 1251a, a pressure reducer 1251b, a gas pressure providing line 1252a and a vacuum pressure providing line 1252b. The pressurizer 1251a generates a gas pressure. The gas pressure providing line 1252a connects the pressurizer 1251a and the gas hole 1215a. The pressure reducer 1251b generates a vacuum pressure. The vacuum line supply line 1252b connects the pressure reducer 1251b and the gas hole 1215b. The pressurizer 1251a and the pressure reducer 1251b may be located outside the stage 1210. According to one example, the pressure reducer 1251b and the vacuum pressure supply line 1252b may be provided only to the application portion 1212. [ Alternatively, the pressure reducer 1251b and the vacuum pressure supply line 1252b may be provided in the carry-in unit 1211, the application unit 1212, and the carry-out unit 1213. [

다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 이동 유닛(200)은 가이드 레일(210)과 파지 부재(220)를 포함한다. 기판 이동 유닛(200)은 스테이지(110) 상부에서 기판(S)을 파지하고 제1방향(91)으로 이동시킨다. 1 and 2, the substrate transfer unit 200 includes a guide rail 210 and a gripping member 220. [ The substrate moving unit 200 grasps the substrate S on the stage 110 and moves the substrate S in the first direction 91.

가이드 레일(210)은 스테이지(110)와 평행하게 제1방향(91)으로 연장되어 제공된다. 가이드 레일(210)은 제1 가이드 레일(211)과 제2 가이드 레일(212)을 포함한다. 제1 가이드 레일(211)은 스테이지(110)를 중심으로 제1방향(91)의 좌측에 위치한다. 제2 가이드 레일(212)은 스테이지(110)를 중심으로 제1방향(91)의 우측에 위치한다. 제1 가이드 레일(211)과 제2 가이드 레일(212)은 스테이지(110)를 중심으로 대칭되는 위치에 제공된다.The guide rail 210 is provided extending in the first direction 91 in parallel with the stage 110. The guide rail 210 includes a first guide rail 211 and a second guide rail 212. The first guide rail 211 is positioned on the left side in the first direction 91 with the stage 110 as a center. The second guide rail 212 is positioned on the right side of the stage 110 in the first direction 91. The first guide rail 211 and the second guide rail 212 are provided at symmetrical positions with respect to the stage 110.

파지 부재(220)는 제1 파지 부재(221)와 제2 파지 부재(222)를 포함한다. 제1 파지 부재(221)와 제2 파지 부재(222)는 기판(S)의 제2방향(92)의 양측면을 파지한다. The gripping member 220 includes a first gripping member 221 and a second gripping member 222. The first gripping member 221 and the second gripping member 222 grip both sides of the substrate S in the second direction 92.

제1 파지 부재(221)는 몸체(221a)와 파지부(221b)를 포함한다. 몸체(221a)는 제1 가이드 레일(211)과 접촉된다. 몸체(221a)는 제1 가이드 레일(211)을 따라 제1방향(91)으로 이동할 수 있다. 파지부(221b)는 몸체(221a)의 우측면에서 스테이지(110) 방향으로 돌출된 형상으로 제공된다. 파지부(221b)는 복수개 제공될 수 있다. 파지부(221b)는 스테이지(110)의 상면보다 상부에 위치한다. 이는 파지부(221b)가 기판(S)을 스테이지(110)에서 상부로 이격된 상태로 파지하기 때문이다. 일 예에 의하면, 파지부(221b)는 기판(S)의 저면에 진공을 제공하여 기판(S)을 파지할 수 있다. 이와 달리, 파지부(221b)는 기계적 방식에 의해 기판(S)을 파지할 수도 있다. 제2 파지 부재(222)는 몸체(222a)와 파지부(222b)를 포함한다. 제2 파지 부재(222)는 제1 파지 부재(221)와 동일한 구성을 가진다. 제2 파지 부재(222)는 스테이지(110)를 중심으로 제1 파지 부재(221)와 대칭되는 위치에 제공된다. The first gripping member 221 includes a body 221a and a gripping portion 221b. The body 221a is in contact with the first guide rail 211. The body 221a can move in the first direction 91 along the first guide rail 211. [ The grip portion 221b is provided in a shape protruding in the direction of the stage 110 from the right side surface of the body 221a. A plurality of grip portions 221b may be provided. The grip portion 221b is located above the upper surface of the stage 110. [ This is because the grip portion 221b grasps the substrate S in a state where the substrate S is spaced apart from the stage 110 in the upward direction. According to one example, the grip portion 221b can provide a vacuum to the bottom surface of the substrate S to grip the substrate S. Alternatively, the gripping portion 221b may grip the substrate S by a mechanical method. The second gripping member 222 includes a body 222a and a gripping portion 222b. The second holding member 222 has the same configuration as that of the first holding member 221. The second holding member 222 is provided at a position symmetrical to the first holding member 221 about the stage 110. [

노즐 유닛(300)은 노즐 이동 부재(310)와 노즐(320)을 포함한다. 노즐 유닛(300)은 기판(S)의 상면으로 약액을 토출한다.The nozzle unit 300 includes a nozzle moving member 310 and a nozzle 320. The nozzle unit 300 discharges the chemical liquid onto the upper surface of the substrate S.

노즐 이동 부재(310)는 노즐 가이드 레일(311), 수직 프레임(312) 그리고 지지대(313)를 포함한다. 노즐 가이드 레일(311)은 가이드 레일(210) 외부에 제공된다. 노즐 가이드 레일(311)은 가이드 레일(210)과 평행하게 제1방향(91)으로 연장되어 제공된다.The nozzle moving member 310 includes a nozzle guide rail 311, a vertical frame 312, and a support 313. The nozzle guide rails 311 are provided outside the guide rails 210. The nozzle guide rails 311 are provided extending in the first direction 91 in parallel with the guide rails 210.

수직 프레임(312)은 노즐 가이드 레일(311)과 지지대(313)를 연결한다. 수직 프레임(312)의 하단은 노즐 가이드 레일(311)과 연결된다. 이를 통해 수직 프레임(312)은 노즐 가이드 레일(311) 상부에서 제1방향(91)으로 이동할 수 있다. 지지대(313)는 양단이 수직 프레임(312)의 상단과 연결된다. 지지대(313)는 길이방향이 제2방향(92)을 따라 연장되도록 제공된다. 지지대(313)의 하면에는 노즐(320)이 위치한다.The vertical frame 312 connects the nozzle guide rail 311 and the support 313. The lower end of the vertical frame 312 is connected to the nozzle guide rail 311. So that the vertical frame 312 can move in the first direction 91 above the nozzle guide rails 311. Both ends of the support base 313 are connected to the upper end of the vertical frame 312. The support 313 is provided so that the longitudinal direction extends along the second direction 92. A nozzle 320 is positioned on the lower surface of the support base 313.

노즐(320)은 길이방향이 제2방향(92)을 따라 연장되도록 제공된다. 노즐(320)은 하나 이상의 면이 지지대(313)에 결합되어, 스테이지(110) 상측인 제3방향(103)으로 이격되게 위치된다. 노즐(320)은 기판(S)으로 약액을 토출한다. 약액은 감광액으로 제공될 수 있고, 구체적으로 포토레지스트로 제공될 수 있다.The nozzle 320 is provided so that the longitudinal direction extends along the second direction 92. At least one surface of the nozzle 320 is coupled to the support 313 and positioned to be spaced apart in the third direction 103 above the stage 110. The nozzle 320 discharges the chemical liquid to the substrate S. The chemical solution may be provided as a sensitizing solution, specifically, as a photoresist.

선택적으로 노즐(320)이 고정된 위치에서 약액을 토출하는 경우에는 노즐 가이드 레일(311)은 제공되지 않을 수도 있다.The nozzle guide rail 311 may not be provided when the chemical liquid is selectively discharged at a position where the nozzle 320 is fixed.

이하에서는 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 장치에 의해 기판의 하부에서 기판과 함께 이동하는 불순물을 제거하는 과정을 상세히 설명한다.Hereinafter, the process of removing impurities moving together with the substrate at the bottom of the substrate by the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention will be described in detail.

도 7 내지 도 9는 도 3의 기판 부상 유닛에서 기판 하부의 불순물이 기판 부상 유닛으로부터 배출되는 과정을 보여주는 도면이다.FIGS. 7 to 9 are views showing the process of discharging impurities below the substrate from the substrate floating unit in the substrate floating unit of FIG. 3. FIG.

도 7 내지 도 9를 참조하면, 기판(S)은 외부의 반송 유닛(미도시)에서 반입부(1111)로 반송된다. 이후 기판(S)은 도포부(1112), 반출부(1113)를 순차적으로 지나 외부의 다른 반송 유닛(미도시)으로 반송된다. 이때, 외부의 반송 유닛(미도시)은 핸드를 가진 로봇이거나 샤프트들로 제공될 수 있다.7 to 9, the substrate S is transported from an external transport unit (not shown) to the carry-in unit 1111. Thereafter, the substrate S is transported to the other transport unit (not shown) outside the coating unit 1112 and the transport unit 1113 sequentially. At this time, the external transfer unit (not shown) may be a robot with a hand or may be provided with shafts.

반입부(1111) 상면의 홀(1115)에서 제공되는 가스압으로 인하여 기판(S)은 스테이지(1110) 상부로 부상된다. 일 예에 의하면, 반입부(1111)에서는 홀(1115)에서 가스압만 제공될 수 있다. 반입부(1111)의 상면에 제공된 홀(1115)들 중 일부는 가스압을 제공하고, 나머지 일부는 압력을 제공하지 않는다. 압력을 제공하지 않는 홀(1115)들을 통하여 스테이지(1110) 상부에 제공된 가스압이 스테이지(1110) 외부로 배기될 수 있다.The substrate S floats above the stage 1110 due to the gas pressure provided in the hole 1115 on the upper surface of the loading portion 1111. [ According to one example, only the gas pressure can be provided in the hole 1115 in the carry-in portion 1111. Some of the holes 1115 provided on the upper surface of the loading portion 1111 provide the gas pressure and the remaining portions do not provide the pressure. The gas pressure provided on the stage 1110 through the holes 1115 that do not provide pressure can be exhausted to the outside of the stage 1110. [

기판(S)은 반입부(1111) 상부에서 파지 부재(220)에 의해 파지된다. 파지 부재(220)는 기판의 제2방향(92)의 양단을 파지한다. 일 예에 의하면, 파지 부재(220)는 진공압을 제공하여 기판(S)의 하면을 흡착하여 파지한다. 기판(S)은 파지 부재(220)에 파지된 상태로 스테이지 상부로 부상되어 도포부(1112)로 이동한다. The substrate S is gripped by the gripping member 220 at the upper portion of the carry-in portion 1111. The gripping members 220 grip both ends of the substrate in the second direction 92. According to one example, the gripping member 220 provides a vacuum pressure to suck and grip the lower surface of the substrate S. The substrate S moves up to the upper portion of the stage while being gripped by the gripping member 220 and moves to the application portion 1112.

기판(S)이 이동하면서 공정 도중에 발생한 파티클이나 외부에서 기판(S)과 함께 이동된 불순물(51,52)이 기판과 함께 이동할 수 있다. 도포부(1112)에서는 홀(1115)들에서 가스압과 함께 진공압이 제공된다. 기판(S)과 함께 도포부(1112)로 이동된 불순물(51,52)들이 진공압으로 인해 진공압이 제공되는 홀(1115)로 이동될 수 있다. 이러한 경우에 불순물(52)이 홀(1115)보다 작은 경우는 홀(1115)을 통하여 스테이지(1110) 외부로 배출된다. 그러나 불순물(51)이 홀(1115)보다 큰 경우는 홀(1115)을 막게 된다. 이러한 경우 가스압과 진공압을 통하여 조절되는 스테이지(1110)와 기판(S) 사이의 압력이 기설정된 압력과 차이가 발생하게 된다. 이로 인하여 부상된 기판(S)이 기설정된 부상 높이에 위치하지 못할 수 있다. 또한, 기판(S)이 이동 중에 압력차이로 인하여 흔들릴 수도 있다. 이러한 경우 기판(S)에 약액이 도포되는 중에 얼룩이 발생하는 등의 문제가 발생할 수 있다.The particles generated during the process while the substrate S moves and the impurities 51 and 52 moved together with the substrate S from the outside can move together with the substrate. In the application portion 1112, vacuum pressure is provided together with the gas pressure in the holes 1115. The impurities 51 and 52 moved to the application portion 1112 together with the substrate S can be moved to the hole 1115 in which the vacuum pressure is provided due to the vacuum pressure. In this case, if the impurity 52 is smaller than the hole 1115, it is discharged to the outside of the stage 1110 through the hole 1115. However, if the impurity 51 is larger than the hole 1115, the hole 1115 is closed. In this case, the pressure between the stage 1110 and the substrate S, which is adjusted through the gas pressure and the vacuum pressure, is different from the predetermined pressure. The floating substrate S may not be positioned at a predetermined floating height. Further, the substrate S may be shaken due to a pressure difference during movement. In this case, problems may arise such as unevenness occurring while the chemical liquid is being applied to the substrate S.

이를 방지하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에서는 기판(S)이 반입부(1111)에서 도포부(1112)로 이동되기 전에 불순물 제거 부재(1130)를 지나게 된다. 기판(S)이 불순물 제거 부재(1130)를 통과하면서 기판(S)의 저면과 스테이지(1110) 사이에서 기판(S)과 함께 이동하는 불순물(51)이 제거된다. 일 예에 의하면, 불순물 제거 부재(1130)는 반입부(1111)와 도포부(1112) 사이의 공간으로 제공될 수 있다. 이 공간으로 진공압을 제공하고, 진공압에 의하여 홀(1115)보다 큰 불순믈(51)을 도포부(1112)에 도달하기 전에 제거할 수 있다. 이를 통해 도포부(1112)에서의 압력조절시 발생할 수 있는 오류를 예방할 수 있다. 이를 통하여 제품의 신뢰성을 향상시킬 수도 있다.In order to prevent this, in an embodiment of the present invention, the substrate S passes through the impurity removing member 1130 before it is moved from the carrying-in portion 1111 to the applying portion 1112. The impurity 51 moving together with the substrate S between the bottom surface of the substrate S and the stage 1110 while the substrate S passes through the impurity removing member 1130 is removed. According to one example, the impurity removing member 1130 may be provided in a space between the carrying-in portion 1111 and the applying portion 1112. The vacuum is applied to this space and the impurities 51 larger than the hole 1115 can be removed by vacuum pressure before reaching the application portion 1112. [ This makes it possible to prevent an error that may occur when the pressure in the application unit 1112 is adjusted. Thereby improving the reliability of the product.

기판(S)이 불순물 제거 부재(1130)를 통과한 이후에도 미세한 불순물(52)이 기판을 따라 이동할 수 있다. 그러나 미세한 불순물(52)은 도포부(1112)의 홀에서 제공되는 진공압으로 인하여 스테이지(1110) 외부로 배출될 수 있다.Even after the substrate S has passed through the impurity removing member 1130, fine impurities 52 can move along the substrate. However, the fine impurity 52 may be discharged to the outside of the stage 1110 due to the vacuum pressure provided in the hole of the application portion 1112.

기판(S)은 도포부(1112)를 지나면서 부상된 상태로 약액이 도포된다. 도포가 완료된 기판(S)은 도포부(1112)를 지나 반출부(1113)로 이동된다. 기판은 반출부(1113)에서 외부의 반송 유닛(미도시)를 통하여 스테이지(1110) 외부로 반송된다.The substrate S is coated with a chemical solution while floating over the application portion 1112. The coated substrate S is moved to the carry-out portion 1113 through the application portion 1112. [ The substrate is transported to the outside of the stage 1110 through an external transport unit (not shown) in the transport unit 1113.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

1100: 기판 부상 유닛 1110: 스테이지
1112: 도포부 1115: 홀
1130: 불순물 제거 부재 200: 기판 이동 유닛
220: 파지 부재 300: 노즐 유닛1100: substrate floating unit 1110: stage
1112: application part 1115: hole
1130: Impurity removing member 200: substrate moving unit
220: grip member 300: nozzle unit

Claims (2)

기판을 부상시키는 기판 부상 유닛;
상기 기판 부상 유닛의 상부에 위치하고, 상기 기판으로 약액을 토출하는 노즐 유닛; 및
상기 기판을 파지하는 파지 부재를 포함하고, 상기 파지 부재를 제1방향으로 이동시키는 기판 이동 유닛;을 포함하되,
상기 기판 부상 유닛은
상면에 복수개의 홀들이 제공되는 스테이지;
상기 홀들을 통해 상기 스테이지 상부로 가스압 또는 진공압을 제공하는 압력 제공 부재; 및
상기 스테이지 상면에서 상기 제1방향에서 상기 노즐보다 전방에 위치하고, 상기 기판 아래에서 상기 기판과 함께 이동되는 불순물을 제거하는 불순물 제거 부재;를 포함하는 기판 처리 장치.A substrate floating unit for floating the substrate;
A nozzle unit located above the substrate floating unit and discharging the chemical liquid to the substrate; And
And a substrate moving unit including a gripping member for gripping the substrate and moving the gripping member in a first direction,
The substrate floating unit
A stage on which an upper surface is provided with a plurality of holes;
A pressure providing member for providing a gas pressure or a vacuum pressure to the upper portion of the stage through the holes; And
And an impurity removing member which is located forward of the nozzle in the first direction on the upper surface of the stage and removes impurities which are moved together with the substrate below the substrate. 제1항에 있어서,
상기 스테이지는 각각 별개의 판으로 제공되는 반입부, 도포부 그리고 반출부를 포함하고,
상기 반입부와 상기 도포부의 판 사이 공간이 상기 불순물 제거 부재로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the stage includes a carry-in portion, a apply portion, and a carry-out portion, each of which is provided as a separate plate,
Wherein a space between the carry-in portion and the plate of the application portion is provided as the impurity removing member.
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