KR20140079846A - 배선 회로, 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 절연층에 형성한 비아홀을 통해 형성되는 제1 전극층과 제2 전극층을 안정적으로 도통시키는 배선 회로 및 그의 회로 형성 방법을 제공한다. 본 실시 형태에 관한 배선 회로는, 상기 비아홀이 비아홀 내에 상기 제1 전극층에 이르는 구멍부를 갖는 것을 특징으로 한다.

Description

배선 회로, 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법{WIRING CIRCUIT, WIRING BOARD, AND METHOD FOR MANUFACTURING WIRING BOARD}

본 발명은, 배선 회로, 특히 절연층에 형성한 비아홀을 통해 형성되는 배선 회로, 이 배선 회로를 구비하는 배선 기판 및 이 배선 기판의 제조 방법에 관한 것이다.

종래부터 전자 디바이스의 박형화, 소형화에 따라, 형성되는 배선 회로의 고정밀화, 고밀도화 등의 개발이 활발히 이루어지고 있다. 고정밀도의 배선 회로의 형성에는, 종래부터 사용되고 있는 스크린 인쇄법에서부터, 보다 고정밀도로 패터닝이 가능한 포토리소그래피법이 널리 채용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 등 참조). 또한, 배선 회로를 고밀도로 배치하는 방법으로서, 층간 절연층에 형성한 비아홀을 통해 배선 회로를 형성한 다층 배선이 일반적으로 채용되고 있다.

이러한 다층 배선에 있어서, 층간 절연층에 형성한 비아홀을 통해 분리 형성된 하부 전극과 상부 전극의 입체적인 배선 회로의 접속에는 층간 절연층에 형성한 비아홀 내벽에 도금 처리를 행하고, 나아가 비아홀 내부에 금속을 충전함으로써 하부 전극과 상부 전극의 층간 도통이 도모되고 있다(예를 들면, 특허문헌 2 등 참조).

최근, 스마트폰이나 태블릿 단말기에 채용되고 있는 정전 용량 타입 터치 패널에 대하여 슬림 베젤에 대한 요구가 높아지고 있으며, 이것에 사용되는 인출 전극 형성에 대해서도 고정밀화에 대한 대응이 요구되고 있다.

일본 특허 제3520798호 명세서 일본 특허 공개 제2004-172304호 공보

이러한 요구에 따라, 인출 전극 형성에 사용되는 부재에 있어서도 스크린 인쇄 타입의 은 페이스트에서부터, 보다 고정밀도로 패터닝 가능한 포토리소그래피법을 이용하는 감광성 은 페이스트에 대한 검토가 이루어지고 있으며, 슬림 베젤에 대응한 고밀도의 배선 구조로서, 예를 들면 도 3에 도시한 바와 같은 기재(31)에 형성된 ITO 전극(32) 상에 절연층(33)을 형성하고, 절연층(33)에 200㎛Φ 정도의 비아홀을 뚫고, 그 후에 감광성 은 페이스트(34)를 매립하여, 표층에서 고정밀도의 라인 형성을 행함과 동시에 ITO 전극(32)와 도통을 얻는 공법이 고안되어 있다.

그러나, 감광성 은 페이스트는 형성된 배선 패턴의 표층에서 도전성이 얻어지기 쉬운 반면, 내부에서의 도통성은 표층에 비교하여 낮아지기 때문에, 도 3에 도시한 바와 같은 배선 구조에서는 하지 전극과의 도통이 안정되지 않는다는 문제가 있었다.

본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 그 목적은 절연층에 형성한 비아홀을 통해 형성되는 제1 전극층과 제2 전극층을 안정적으로 도통시키는 배선 회로 및 그 회로 형성 방법을 제공하는 것에 있다.

본 실시 형태에 관한 배선 회로는, 절연층에 형성한 비아홀을 통해 제1과 제2 전극층을 도통하여 이루어지는 배선 기판에 있어서, 상기 비아홀은 비아홀 내에 상기 제1 전극층에 이르는 구멍부를 갖는 것을 특징으로 한다. 이러한 구성으로 함으로써, 제1 전극층과 제2 전극층간의 안정적인 층간 도통성이 달성된다.

또한, 본 실시 형태에 관한 배선 회로의 제2 전극층은, 감광성 도전 페이스트를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 한다. 이러한 구성으로 함으로써, 제2 전극층의 고정밀도의 패턴 형성과 동시에 상기한 층간 접속을 행할 수 있다.

본 발명의 배선 회로에 따르면, 제1 전극층 상의 절연층에 형성한 비아홀을 통해 형성되는 제2 전극층과의 안정적인 층간 도통을 달성할 수 있으며, 제2 전극층의 고정밀도의 패터닝과 함께 일괄 형성할 수 있다.

[도 1] (a)는 본 실시 형태에 관한 배선 회로를 갖는 배선 기판의 주요부 단면도를 도시하고, (b)는 그의 상면도를 도시한다.
[도 2] 본 실시 형태의 배선 회로의 형성의 흐름도를 도시한다.
[도 3] (a)는 종래의 배선 회로의 단면도를 도시하고, (b)는 그의 상면도를 도시한다.

본 발명의 발명자들은, 도전 페이스트를 사용하여 형성한 전극층이, 그의 표층의 도전성이 내부에 비해 양호하다는 점에 착안하여, 제1 전극층과, 이 제1 전극층 상의 절연층에 형성한 비아홀을 통해 형성되는 제2 전극층을 층간 도통시키는 배선 구조에 있어서, 도전 페이스트로 형성되는 제2 전극층의 표층 부분을 제1 전극층과 접촉시키는 배선 구조로 함으로써 안정적인 층간 도통성을 달성할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

이하, 본 실시 형태에 관한 배선 기판 및 그의 제조 방법에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 관한 배선 기판(10)의 주요부 구성을 도시한 도면이며, 도 1(a)는 배선 기판(10)의 주요부 구성 단면도를 도시하고, 도 1(b)는 그의 상면도이다. 또한, 도 1(a), (b)에 있어서 형성되어 있는 제2 전극층의 패턴 형상은 일례에 지나지 않는다.

본 실시 형태에 관한 배선 기판(10)은, 도 1(a)에 도시한 바와 같이 원하는 패턴 형상의 제1 전극층(2)를 구비한 기재(1) 상에 절연층(3)이 형성되고, 절연층(3) 상에 패터닝된 제2 전극층(4)가 형성되어 있다. 절연층(3)에는, 제1 전극층(2)와 제2 전극층(4)의 도통 회로가 되는 비아홀(3a)가 형성되어 있으며, 제2 전극층(4)의 표층(4a)가 비아홀(3a)를 통해 제1 전극층(2)의 표층과 접촉 도통된 구성으로 되어 있다. 이러한 구성을 위해, 제2 전극층측(상면)으로부터 본 경우에는, 도 1(b)에 도시한 바와 같이 제2 전극층이 형성된 비아홀(3a) 내의 구멍부(개구부)는 제1 전극층에 이르고 있으며, 제1 전극층이 노출된 구조로 되어 있다. 또한, 절연층(3)의 제1 전극층측을 제1면, 제2 전극층측을 제2면으로 한다. 또한, 상술한 바와 같이, 도 1(a), (b)는 일례에 지나지 않으며, 절연층(3) 및 제2 전극층(4) 사이에는 다른 층이 형성되어 있을 수도 있다. 또한, 도 1(a)에서는 1개의 제1 전극층의 표층에 대하여 2개의 제2 전극층의 표층이 접촉 도통하고 있지만, 어느 한쪽만의 접촉 도통일 수도 있다.

본 실시 형태에 관한 배선 기판에 사용되는 기재(1)로서는 특별히 제한은 없으며, 예를 들면 유리 기판, PET 필름, 폴리이미드 필름, 세라믹 기판, 웨이퍼판 등을 들 수 있다.

제1 전극층(2)로서는, 예를 들면 일반적인 구리(Cu) 전극이나 알루미늄(Al) 전극 등 뿐만 아니라, 산화주석(SnO₂), 산화인듐(In₂O₃), 인듐-주석 산화물(ITO)이나, 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌술포네이트(PEDOT/PSS), 폴리아닐린, 폴리아세틸렌, 폴리페닐렌비닐렌 등의 전도성 고분자 등의 투명 전극을 들 수 있다. 또한, 후술하는 제2 전극층(4)의 형성에 적용 가능한 감광성 도전 페이스트에 의해 형성된 전극도 들 수 있다.

절연층(3)으로서는 특별히 제한은 없으며, 예를 들면 절연층 형성에 일반적으로 사용되는 공지된 열경화성 및/또는 광경화성 수지 조성물을 들 수 있다.

절연층(3)의 비아홀(3a)의 형성에는, 사용하는 절연층에 따라 적절한 방법으로 행할 수 있으며, 예를 들면 스크린 인쇄법, 포토리소그래피법을 이용하는 방법이나 기계적으로 드릴 등으로 형성하는 방법, 레이저의 조사 등에 의해 형성할 수 있다.

제2 전극층(4)로서는, 포토리소그래피법에 의해 전극을 형성할 수 있는 감광성 도전 페이스트이면 특별히 한정되지 않으며, 적어도 유기 결합제, 도전성 분말 및 광중합 개시제를 포함하는 공지된 감광성 도전 페이스트를 들 수 있다.

이러한 감광성 도전 페이스트의 성분에 대하여 예시하면, 유기 결합제로서는 카르복실기를 갖는 수지, 구체적으로는 그 자체가 에틸렌성 이중 결합을 갖는 카르복실기 함유 감광성 수지, 및 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖지 않는 카르복실기 함유 수지 모두 사용 가능하며, 이하와 같은 것을 들 수 있다.

(1) (메트)아크릴산 등의 불포화 카르복실산과, 메틸(메트)아크릴레이트 등 의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 공중합시킴으로써 얻어지는 카르복실기 함유 수지.

(2) (메트)아크릴산 등의 불포화 카르복실산과, 메틸(메트)아크릴레이트 등의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합체에, 글리시딜(메트)아크릴레이트나 (메트)아크릴산클로라이드 등에 의해 에틸렌성 불포화기를 펜던트로서 부가시킴으로써 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지.

(3) 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 에폭시기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과, 메틸(메트)아크릴레이트 등의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합체에 (메트)아크릴산 등의 불포화 카르복실산을 반응시키고, 생성된 2급의 수산기에 테트라히드로프탈산 무수물 등의 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지.

(4) 무수 말레산 등의 불포화 이중 결합을 갖는 산 무수물과, 스티렌 등의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합체에, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트 등의 수산기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지.

(5) 다관능 에폭시 화합물과 (메트)아크릴산 등의 불포화 카르복실산을 반응시키고, 생성된 2급의 수산기에 테트라히드로프탈산 무수물 등의 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지.

(6) 메틸(메트)아크릴레이트 등의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과 글리시딜(메트)아크릴레이트의 공중합체의 에폭시기에, 1 분자 중에 1개의 카르복실기를 가지며 에틸렌성 불포화 결합을 갖지 않는 유기산을 반응시키고, 생성된 2급의 수산기에 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지.

(7) 폴리비닐알코올 등의 수산기 함유 중합체에 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 수지.

(8) 폴리비닐알코올 등의 수산기 함유 중합체에 테트라히드로프탈산 무수물 등의 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 수지에, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 에폭시기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 더 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지.

또한, (메트)아크릴레이트란, 아크릴레이트, 메타크릴레이트 및 그들의 혼합물을 총칭하는 용어이며, 이하 다른 유사한 표현에 대해서도 마찬가지로 한다.

도전성 분말로서는, 예를 들면 Ag, Au, Pt, Pd, Ni, Cu, Al, Sn, Pb, Zn, Fe, Ir, Os, Rh, W, Mo, Ru 등을 들 수 있다. 이들 도전성 분말은, 단체의 형태로 사용하는 것으로 한정되지 않으며, 이들 중 어느 하나의 합금이나, 이들 중 어느 하나를 코어 또는 피복층으로 하는 다층체일 수도 있다. 도전성 분말의 형상으로서는, 구상, 플레이크상, 덴드라이트상 등 다양한 형상의 것을 들 수 있다.

광중합 개시제로서는, 예를 들면 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등의 벤조인과 벤조인알킬에테르류; 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 1,1-디클로로아세토페논 등의 아세토페논류; 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논 등의 아미노아세토페논류; 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논 등의 안트라퀴논류; 2,4-디메틸티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤류; 아세토페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈 등의 케탈류; 벤조페논 등의 벤조페논류; 또는 크산톤류; (2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-펜틸포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 에틸-2,4,6-트리메틸벤조일페닐포스피네이트 등의 포스핀옥사이드류; 2-(아세틸옥시이미노에틸)티오크산텐-9-온, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-9-일]-1-(O-아세틸옥심) 등의 옥심에스테르류; 각종 퍼옥사이드류 등을 들 수 있다. 또한, 광중합 개시제로서는 바스프(BASF) 재팬 제조의 이르가큐어 389도 적절하게 사용할 수 있다.

중합성 단량체를 함유하는 경우에는, 예를 들면 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리우레탄디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 트리메틸올프로판에틸렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 및 상기 아크릴레이트에 대응하는 각 메타크릴레이트류; 프탈산, 아디프산, 말레산, 이타콘산, 숙신산, 트리멜리트산, 테레프탈산 등의 다염기산과 히드록시알킬(메트)아크릴레이트의 모노-, 디-, 트리- 또는 그 이상의 폴리에스테르 등을 들 수 있다.

또한, 이들 뿐만 아니라, 유기 용제, 광증감제, 열경화성 성분, 열중합 개시제, 실리콘계, 아크릴계 등의 소포ㆍ레벨링제, 도막의 밀착성 향상을 위한 실란 커플링제, 겔화나 유동성의 저하를 억제하는 안정제, 산화 방지제나 보존시의 열적 안정성을 향상시키기 위한 열중합 금지제 등을 들 수 있다.

이어서, 본 실시 형태의 배선 회로의 형성 방법에 대하여 도 2를 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하에서 설명하는 형성 방법은 본 발명의 일례에 지나지 않으며, 본 발명의 취지를 달성할 수 있는 것이면 그의 범위 내에서 적절히 변경 가능한 것은 물론이다.

도 2는, 본 실시 형태의 배선 회로의 형성 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.

우선, 도 2(a)에 도시한 바와 같이, 원하는 배선 패턴으로 형성된 제1 전극층(2)가 형성된 기재(1)의 전체면에, 절연층용 조성물로서 알칼리 현상 가능한 감광성 수지 조성물을 스크린 인쇄법, 바 코터, 블레이드 코터 등의 적절한 도포 방법으로 도포하고, 지촉 건조성을 얻기 위해 열풍 순환식 건조로, 원적외선 건조로 등에서 예를 들면 약 70 내지 120℃에서 5 내지 40분 정도 건조시켜, 무점착성의 건조 도막(절연층(3))을 형성한다.

또한, 미리 절연층용 조성물을 필름 상에 도포, 건조하여 드라이 필름을 형성한 경우에는, 드라이 필름을 기재(1)에 라미네이트할 수도 있다.

이어서, 도 2(b)에 도시한 바와 같이, 상기에서 얻어진 기판(10b)의 절연층(3)에 대하여 제1 전극층과 제2 전극층의 도통 회로가 되는 비아홀(3a)를 형성하기 위한 패턴 노광을 행한다. 노광 방법으로서는, 소정의 노광 패턴을 갖는 네거티브 마스크(5a)를 사용한 접촉 노광 및 비접촉 노광이 가능하다. 노광 광원으로서는, 할로겐 램프, 고압 수은등, 레이저광, 메탈 할라이드 램프, 블랙 램프, 무전극 램프 등을 들 수 있다.

그 후, 소정의 패턴으로 노광된 건조 도막(절연층(3))을 현상한다. 현상 방법으로서는 스프레이법, 침지법 등을 들 수 있다. 현상액으로서는, 절연층용 조성물에 포함되는 카르복실기 함유 수지의 카르복실기가 비누화되고, 미경화부(미노광부)를 제거할 수 있으면 상관없다. 구체적으로는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 규산나트륨 등의 금속 알칼리 수용액이나, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 아민 수용액, 특히 약 1.5중량％ 이하의 농도의 희알칼리 수용액이 적절하게 사용된다. 또한, 현상 후에 불필요한 현상액의 제거를 위해, 수세나 산 중화를 행하는 것이 바람직하다.

기판(10b)를 현상한 후, 80 내지 200℃에서 1 내지 60분 건조 또는 경화시킴으로써, 도 2(c)에 도시한 바와 같이 제1 전극층(2)의 일부가 비아홀(3a)에 의해 노출된 기판(10c)가 얻어진다.

또한, 비아홀(3a)의 형성에 포토리소그래피법을 들고 있지만, 이것으로 한정되지 않으며, 다른 방법, 예를 들면 인쇄법, 드릴 또는 레이저 등으로 형성할 수도 있다.

얻어진 기판(10c)에, 도 2(d)에 도시한 바와 같이 감광성 도전 페이스트를 스크린 인쇄법, 바 코터, 블레이드 코터 등의 적절한 도포 방법에 의해 절연층(3)과 동일한 방법으로 전체면에 도포, 건조시켜, 무점착성의 제2 전극층(4)를 형성하여, 기판(10d)가 얻어진다.

그 후, 도 2(e)에 도시한 바와 같이, 얻어진 기판(10d)의 제2 전극층(4) 상에 원하는 패턴 노광을 행한다(기판(10e)). 노광 방법으로서는, 원하는 노광 패턴을 갖는 네거티브 마스크(5b)를 사용한 접촉 노광 및 비접촉 노광이 가능하다. 노광 광원으로서는, 절연층(3)의 형성과 마찬가지로 할로겐 램프, 고압 수은등, 레이저광, 메탈 할라이드 램프, 블랙 램프, 무전극 램프 등을 들 수 있다.

그 후, 원하는 패턴으로 노광된 제2 전극층(4)를 현상한다. 현상 방법으로서는 절연층(3)의 현상에서 사용한 방법을 들 수 있다.

기판(10e)를 현상한 후, 80 내지 200℃에서 1 내지 60분 건조 또는 경화시킴으로써, 도 2(f)에 도시한 바와 같이 제2 전극층(4)가 절연층(3) 상에 패턴 형성되고, 비아홀(3a)에 있어서, 제2 전극층(4)의 표층(4a)가 비아홀(3a)를 통해 제1 전극층의 표층과 접촉한 배선 기판(10f)가 얻어진다.

실시예

이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 실시 형태에 대하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 이들 실시예로 한정되지 않는 것은 물론이다. 또한, 이하에 있어서 「부」, 「％」라고 되어 있는 것은, 특별히 언급하지 않는 한 모두 중량 기준이다.

(절연층 형성용 조성물 A의 제조)

유기 결합제 …100부

광중합 개시제 …10부

중합성 단량체 …30부

에폭시 수지 …30부

체질 안료 …50부

용제 …20부

첨가제 …5부

(감광성 도전 페이스트 B의 제조)

유기 결합제 …100부

Ag 분말(도전성 분말) …800부

광중합 개시제 …5부

중합성 단량체 …50부

용제 …20부

첨가제 …5부

상기 성분ㆍ조성비로 배합하고, 교반기에 의해 교반한 후, 3축 롤밀에 의해 연육(練肉)하여 페이스트화를 행하여, 절연층 형성용 조성물 A 및 감광성 도전 페이스트 B를 제조하여, 이하의 평가 시험에 사용하였다.

<평가 시험>

시험 기판의 제작;

(실시예)

제1 배선으로서 ITO가 형성된 유리 기판 상에 스크린 인쇄에 의해 절연층 형성용 조성물 A를 전체면 도포하고, 열풍 순환식 건조로에서 90℃에서 30분 건조시켰다. 이 기판 상에 200㎛ 직경의 비아홀 패턴이 그려진 네거티브 필름을 대고, 노광량은 300mJ/cm²의 노광 조건으로 노광하고, 스프레이압 0.2MPa, 1％ Na₂CO₃ 수용액으로 1분간 현상하고, 열풍 순환식 건조로에서 150℃에서 30분 경화시켰다.

얻어진 기판에 감광성 도전 페이스트 B를 스크린 인쇄법으로 전체면 도포하고, 비아홀 내에 100㎛ 직경의 개구 패턴이 그려진 네거티브 필름(도 2; 원하는 패턴 노광(5b))을 대고, 노광량은 200mJ/cm²의 노광 조건으로 노광하고, 스프레이압 0.2MPa, 0.5％ Na₂CO₃ 수용액으로 1분간 현상하고, 열풍 순환식 건조로에서 130℃에서 30분 열 처리를 행하였다.

이와 같이 하여, 제2 전극층이 10㎛ 두께의 절연층 상에 패턴 형성되고, 비아홀에 있어서, 비아홀 내에 100㎛의 구멍부(개구부)를 갖고 제2 전극층의 표층이 비아홀을 통해 제1 전극층의 표층과 접촉한 비아홀 100 구멍을 갖는 배선 회로를 형성하였다.

(비교예)

제1 배선으로서 ITO가 형성된 유리 기판 상에 스크린 인쇄에 의해 절연층 형성용 조성물 A를 전체면 도포하고, 열풍 순환식 건조로에서 90℃에서 30분 건조시켰다. 이 기판 상에 200㎛ 직경의 비아홀 패턴이 그려진 네거티브 필름을 대고, 노광량은 300mJ/cm²의 노광 조건으로 노광하고, 스프레이압 0.2MPa, 1％ Na₂CO₃ 수용액으로 1분간 현상하고, 열풍 순환식 건조로에서 150℃에서 30분 경화시켰다.

얻어진 기판에 감광성 도전 페이스트 B를 스크린 인쇄법으로 전체면 도포하고, 비아홀 내에 개구 패턴이 그려져 있지 않은 네거티브 필름을 대고, 노광량은 200mJ/cm²의 노광 조건으로 노광하고, 스프레이압 0.2MPa, 0.5％ Na₂CO₃ 수용액으로 1분간 현상하고, 열풍 순환식 건조로에서 130℃에서 30분 열 처리를 행하였다.

이와 같이 하여, 제2 전극층이 10㎛ 두께의 절연층 상에 패턴 형성되고, 비아홀에 있어서, 비아홀은 감광성 도전 페이스트 B가 충전된 상태이며, 비아홀 내에 개구 패턴이 없는 비아홀 100 구멍을 갖는 배선 회로를 형성하였다.

시험 기판의 평가 방법;

상기에서 제작된 실시예 및 비교예의 시험 기판의 비아홀 100 구멍에 대하여, 제2 전극층을 형성하지 않은 제1 전극층간의 저항값을 1로 하여, 제1 전극과 제2 전극간의 저항값이 10 이상이 된 비아홀을 통전 불량으로 하고, 양호한 통전 구멍수를 계산하여 100 구멍 중의 통전 양호 구멍률을 산출하여, 제1 전극층과 제2 전극층의 층간 통전을 평가하였다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 저항값은 밀리옴 테스터를 사용하여 측정하였다.

표 1에 나타낸 바와 같이, 비아홀 내에 구멍부(개구부)를 갖는 실시예는, 비아홀 내에 구멍부(개구부)를 갖지 않는 비교예에 비해 제2 전극층의 표층이 비아홀을 통해 제1 전극층의 표층에 접속되어 있음으로써, 통전 양호 구멍수가 많고, 통전 양호 구멍률이 높은 것을 알 수 있다.

1…기재
2…제1 전극층
3…절연층
3a…비아홀
4…제2 전극층
5…네거티브 마스크
10…배선 기판

Claims (4)

1. 절연층에 형성한 비아홀을 통해 제1과 제2 전극층을 도통하여 이루어지는 배선 기판에 있어서,
   상기 비아홀은 비아홀 내에 상기 제1 전극층에 이르는 구멍부를 갖는 것을 특징으로 하는 배선 회로.
2. 제1항에 있어서, 상기 제2 전극층은 감광성 도전 페이스트에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 배선 회로.
3. 제1항 또는 제2항에 기재된 배선 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
4. 제1 전극층을 형성한 기재 상에 절연층을 형성하는 공정과,
   상기 절연층에 비아홀용의 구멍부를 형성하는 공정과,
   상기 비아홀용의 구멍부가 형성된 절연층에 감광성 도전 페이스트를 도포, 건조하는 공정과,
   상기 감광성 도전 페이스트를 도포, 건조하는 공정에서 얻어진 건조 도막을 노광, 현상하여, 제2 전극층의 패턴과 상기 제1 전극층에 이르는 구멍부를 갖는 비아홀을 형성하는 공정
   을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.

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