KR20140066435A - 가스 와이핑 설비용 배플 장치 - Google Patents

Abstract

도금강판의 도금 두께를 제어하는 가스 와이핑 설비와 연계되어 제공되는 배플 장치가 제공된다.
상기 본 발명의 가스 와이핑 설비용 배플 장치는, 가스 와이핑 설비 사이에서 이동 가능하게 제공된 배플 바디; 및, 상기 배플 바디에 충돌하는 와이핑 가스를 유도하여 적어도 도금 입자의 비산을 억제토록, 상기 배플 바디에 제공되는 와이핑가스 유도수단;을 포함하여 구성될 수 있다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 가스 와이핑 설비에서 토출된 와이핑가스가 장치에 충돌한후 특정방향으로 유도하는 것에 더하여, 추가로 강판 에지부를 향하여 가스 분사를 구현함으로써, 오염입자(아연입자)의 비산을 억제하고, 소음도 감소시키며, 조업 환경을 개선하고 설비오염도 줄이며 특히, 상부 드로스 억제를 가능하게 하여, 제품의 표면 품질을 향상시키는 한편, 기존 배플에의 적용도 용이한 개선된 효과를 얻을 수 있다.

Description

가스 와이핑 설비용 배플 장치{Baffle Device for Gas Wiping Apparatus}

본 발명은 도금강판의 도금 두께를 제어하는 가스 와이핑 설비와 연계되어 제공되는 배플 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 가스 와이핑 설비에서 토출된 와이핑가스가 장치에 충돌한후 특정방향으로 유도하는 것에 더하여, 추가로 강판 에지부를 향하여 가스 분사를 구현함으로써, 오염입자(아연입자)의 비산을 억제하고, 소음도 감소시키며, 조업 환경을 개선하고 설비오염도 줄이며 특히, 상부 드로스의 생성 억제를 가능하게 하여, 제품의 표면 품질을 향상시키는 한편, 기존 배플에의 적용도 용이한 가스 와이핑 설비용 배플 장치에 관한 것이다.

도금 강판 특히, 아연 도금 강판은 우수한 내식성을 바탕으로 일반 건축자재용을 비롯하여 미려한 표면관리가 요구되는 가전용 외 판재 및, 특히 자동차용 외판재로 그 사용범위가 급속하게 확대되고 있고, 고부가 제품이다.

특히, 근래 그 사용량이 증대되는 칼라 강판, 가전재 및 자동차 내, 외판 등의 용도에서는 내식성 못지 않게 표면특성이 매우 중요한 인자이고, 따라서 강판의 표면 도금 특히, 용융아연 도금강판의 표면품질이 중요하다.

예를 들어, 도 1에서 도시한 바와 같이, 코일의 강판이 잔류 응력을 제거하도록 연속하여 가열로에서 열처리되어 아연도금에 적당한 온도로 유지되는 상태에서, 도금조(110)의 용융아연(112)를 통과하여 도금된다.

즉, 융용아연(112)이 충진된 도금조(110)의 싱크롤(114)과 안정화 롤(스테빌라이징 롤)(116)을 통과한 도금강판(100)은 도금조 상부에 배치되는 가스 와이핑 설비(일명,'에어 나이프' 라고도 함)(130)에서 수요가가 원하는 도금량으로 조정된다. 이때, 도 1에서 미설명 도면부호 118,120은 각각 도금량 측정기기 및 이송롤이다.

예를 들어, 진행되는 강판(100)에 가스 와이핑을 구현하여 강판에 부착된 용융아연을 깍아서 도금두께를 제어하는 가스 와이핑 설비(130)는, 도금조(110)를 통과한 강판(100)의 양 표면에 기체(에어)를 분사하여 와이핑을 구현하는 것이다.

그런데, 융융아연(112)에 침지되어 도금되는 강판(100)의 폭은 대략 800~1800 mm 정도이고, 가스 와이핑 설비(130)에 구비되어 고압으로 기체를 분사하는 분사노즐(슬릿)(132)의 길이는 강판의 최대폭 보다는 큰 대략 2000~2200mm 정도 이다.

따라서, 도 2에서 도시한 바와 같이, 예컨대 800mm의 폭을 갖는 강판(100)이 가스 와이핑 설비(130)를 통과하는 경우, 가스 와이핑 설비(130)의 노즐(132)로부터 분사되는 기체는 노즐의 폭에 해당하는 적어도 2,000 mm의 폭으로 분사되고, 따라서 강판(100)의 양측에서는 불필요한 기체가 분사된다.

이에, 강판 폭 보다 크게 분사되는 기체(G)는, 강판(100)의 에지부분(102)에서는 와류영역(V)이 발생되고, 이와 같은 기체의 와류는 강판(100)의 에지부분에 용융아연(112)이 과도금되는 문제가 발생된다.

또는, 강판(100)의 폭 이상으로 양측의 가스 와이핑 설비(130)에서 분사되는 기체(G)는 서로 충돌하여 와류를 형성하는 것은 물론, 특히 심한 소음을 발생시키는 것이다.

따라서, 도 2와 같이, 통상 가스 와이핑 설비(130)에는 강판(100)의 폭에 대응하여 위치 제어되면서 분사되는 기체(G)들이 서로 충돌하는 것을 방지하는 배플(150)('배플 플레이트'라고도 함)이 가스 와이핑 설비의 사이에서 이동 가능하게 강판의 양측에 배치된다.

그러나, 도 2에서 도시한 통상의 알려진 배플(150)의 경우 단순하게 평판이 와이핑 되는 가스의 충돌을 방지토록 가스 와이핑 설비(130)사이에 배치되는 것이기 때문에, 어느 정도의 와이핑 가스의 직접적인 충돌을 차단하기는 하지만, 배플에 충돌한 와이핑된 가스(기체)의 완류 현상이나 배플의 면을 따라 상,하 방향으로의 가스 제트로 인항 아연 입자의 비산 문제를 억제하기에는 미흡한 것이었다.

따라서, 도금 품질에 상당한 영향을 미치는 아연입자의 비산에 따른 도금조 탕면에서의 상부 드로스(top dross)의 생성을 효과적이거나 실효적으로 억제하는 것은 미흡한 실정이었다.

이에 따라서, 본 발명의 출원인은 기존 배플에 적용이 용이하고, 실효적인 소음감소, 아연입자의 비산 감소(방지)를 가능하게 한 본 발명을 제안하게 되었다.

즉, 당 기술분야에서는, 가스 와이핑 설비에서 토출된 와이핑가스가 장치에 충돌한후 특정방향으로 유도하는 것에 더하여, 추가로 강판 에지부를 향하여 가스 분사를 구현함으로써, 오염입자(아연입자)의 비산을 억제하고, 소음도 감소시키며, 조업 환경을 개선하고 설비오염도 줄이며 특히, 상부 드로스 억제를 가능하게 하여, 제품의 표면 품질을 향상시키는 한편, 기존 배플에의 적용도 용이한 가스 와이핑 설비용 배플 장치가 요구되어 왔다.

상기와 같은 요구를 달성하기 위한 기술적인 일 측면으로서 본 발명은, 가스 와이핑 설비 사이에서 이동 가능하게 제공된 배플 바디; 및,

상기 배플 바디에 충돌하는 와이핑 가스를 유도하여 적어도 도금 입자의 비산을 억제토록, 상기 배플 바디에 제공되는 와이핑가스 유도수단;

을 포함하여 구성된 가스 와이핑 설비용 배플 장치를 제공한다.

바람직하게는, 상기 와이핑가스 유도수단은, 상기 배플 바디의 양 측면에 제공되는 제1 가스 유도날개;를 포함하여 구성되는 것이다.

더 바람직하게는, 상기 제1 가스 유도날개는, 상기 배플 바디의 양 측면에 강판 진행방향의 상류 측에 마주하여 제공되고, 상기 와이핑가스 유도수단은, 상기 배플 바디의 양 측면에 상기 제1 가스 유도날개의 하류 측에 마주하여 제공되는 제2 가스 유도날개;를 더 포함하는 것이다.

이때. 상기 제1 가스 유도날개와 제2 가스 유도날개는 만곡 구조로 제공되되, 상기 제1 가스 유도날개와 제2 가스 유도날개는 서로 반대로 볼록하게 만곡되는 것이다.

바람직하게는, 상기 제1 가스 유도날개와 제2 가스 유도날개는 배플 바디에 충돌하는 와이핑가스를 외곽으로 유도토록 배플바디의 길이방향으로 비대칭 구조로 제공되는 것이다.

더 바람직하게는, 상기 와이핑가스 유도수단을 구성하는 제1 가스 유도날개와 제2 가스 유도날개는 단면상 원형으로, 상기 배플바디에 조립되거나 또는, 적어도 하나는 배플바디와 일체로 만곡되어 제공되는 것이다.

이때, 상기 제1 가스 유도날개와 제2 가스 유도날개 중 적어도 선택된 하나는, 서로 접합되는 단위 배플바디들이 일체로 만곡되어 단면상 원형으로 제공될 수 있다.

또는, 상기 와이핑가스 유도수단을 구성하는 제1 가스 유도날개와 제2 가스 유도날개는 서로 접합되는 단위 배플바디들에 타공을 통하여 단면상 원형으로 일체로 제공되는 것이다.

더하여, 본 발명은 상기 배플 바디의 일측으로 도금강판의 에지부를 향하여 가스를 추가로 더 분사토록 제공된 가스 분사수단;을 더 포함하여 구성될 수 있다.

바람직하게는, 상기 가스 분사수단은, 상기 배플 바디의 하부 일측으로 제공된 가스 분사노즐; 및, 상기 가스 분사노즐과 연계되는 가스공급관;을 포함하여 구성될 수 있다.

바람직하게는, 상기 가스 분사노즐은, 강판 진행방향의 역방향으로 경사지게 가스를 분사토록 제공되는 하나 이상의 슬릿 또는 분사구멍을 포함하는 것이다.

더 바람직하게는, 상기 가스 분사구멍은 가스 분사노즐에 다층으로 제공되고, 상기 가스 분사노즐의 슬릿 들은, 노즐 상부에서 하부로 갈수록 슬릿면적이 확대되는 것이다.

이와 같은 본 발명에 의하면, 먼저 가스 와이핑 설비에서 토출된 와이핑가스가 배플 장치의 배플바디(플레이트)에 충돌한 후 특정방향 예컨대, 외곽 방향으로 유도하여 배출시키는 것을 가능하게 하기 때문에, 오염입자(아연입자)의 비산을 효과적으로 억제하거나 방지할 수 있는 것이다.

특히, 기존 배플 사용시 발생되는 소음도 획기적으로 줄일 수 있는 것이다.

결국, 본 발명은 조업 환경을 개선하고 비산입자에 의한 설비 오염도 줄이도록 하는 한편, 특히, 상부 드로스의 생성을 적어도 억제하는 것을 가능하게 하는 것이다.

따라서, 본 발명은 궁극적으로 도금강판의 제품 품질을 향상시키는 것이다.

더하여, 본 발명은 기존 배플(도 2 참조)(150)에 저비용으로 쉽게 설치하여 운용할 수 있는 것이다.

또한, 본 발명은 배플을 구현하면서, 추가로 강판의 에지부에 가스 분사(와이핑)을 구현하기 때문에, 강판 에지부의 과도금을 더 억제하고, 아연입자의 비산도 더 억제하는 것이다.

도 1은 알려진 (아연) 도금공정을 도시한 개략도
도 2는 도 1의 도금 공정에서 도금량을 제어하는 가스 와이핑 상태 및 배플을 도시한 개략 평면도
도 3은 본 발명에 따른 배플장치의 가스 와이핑 설비 설치상태를 도시한 샤시도
도 4는 도 3의 본 발명 배플장치의 설치상태를 도시한 정면 구성도
도 5는 도 3의 본 발명 배플장치를 도시한 요부 사시도
도 6은 도 4의 본 발명 배플장치를 도시한 측면도
도 7은 본 발명 배플장치의 작동 상태를 도시한 구성도
도 8은 도 3의 본 발명 배플장치를 도시한 후면 구성도
도 9는 도 3의 본 발명 배플장치를 도시한 정면 구성도
도 10은 본 발명 배플 장치의 다른 실시예를 도시한 분해 사시도
도 11a 및 도 11b는 본 발명 배플 장치의 또 다른 실시예를 도시한 분해 사시도 및 정면도
도 12는 본 발명 배플 장치에 구비되는 가스 분사수단을 도시한 요부 구조도

이하, (첨부된 도면을 참조하여) 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.(도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.)

먼저, 이하의 본 실시예 설명에서는 배플장치(1)로 간략하여 설명하고, 종래 기술부분에서 설명한 가스 와이핑 설비(130)와 관련 구성요소의 도면부호는 동일한 100대의 도면부호로 설명하고, 그 상세한 구성이라 작용 설명은 이하의 본 실시예에서는 간략한다. 그리고, 가스 와이핑 설비는 와이핑 장치(130)로 설명한다.

한편, 도 3 내지 도 6에서는 본 발명에 따른 가스 와이핑 설비용 배플장치(1)를 도시하고 있다.

예를 들어, 이와 같은 본 발명의 배플장치(1)는, 도 3 및 도 4와 같이, 도금강판(100)에 부착된 아연 부착량을 제어하여 강판의 도금두께를 조정하는 와이핑장치(130) 사이에 이동 가능하게 제공된, 예를 들어 일예로 플레이트 구조의 배플 바디(10)와, 상기 배플 바디(10)에 충돌하는 와이핑 가스(G)를 유도하여 비산을 억제토록 배플 바디에 하나 이상 제공된 와이핑가스 유도수단(30)을 포함하여 제공될 수 있다.

따라서, 본 발명의 배플장치(1)는, 도 2와 같이 종래 단순하게 평판으로 제공되어 와이핑장치(130) 사이에서 강판의 폭에 대응하여 이동 가능하게 제공되는 것에 비하여, 와이핑된 와이핑가스 유도수수단(30)을 구비하기 때문에, 도 3 및 도 7과 같이, 배플 바디(10)의 양측에서 배플바디를 향하여 와이핑장치(130)의 노즐(슬릿)(132)에서 토출된 와이핑가스(G)는 배플바디에 충돌한후 배플장치(1)의 외곽 즉, 와이핑장치(130)의 외곽측으로 와이핑된 가스(G)를 유도하는 것을 구현하는 것이다.

따라서, 도 2와 같이 기존에 배플바디(10)에서 충돌하는 가스에 의한 과도한 소음이나 아연입자의 비산을 최소한 억제하는 것을 가능하게 하는데, 이는 본 발명의 와이핑가스 유도수단(30)을 통하여 외이핑된 가스를 와이핑장치(130)의 외곽으로 적어도 강판에서 멀어지는 방향으로 유도하기 때문이다.

결국, 본 발명은 결과적으로, 소음제거와 아연비산 억제 또는 유도를 통하여 도금강판의 표면 품질을 향상시키고, 아연입자의 비산량이 적어도 감소하기 때문에, 도 1의 도금조(110) 탕면에서의 상부 드로스 등의 오염물질의 생성량도 감소시키는 것이다.

이때, 도 3,5 및 도 6에서 도시한 바와 같이, 본 발명 배플 장치(1)에서 상기 와이핑가스 유도수단(30)은, 상기 배플 바디(10)의 양 측면에 서로 마주하는 위치에 제공되는 제1 가스 유도날개(40)를 포함하여 구성될 수 있다.

더하여, 본 발명의 배플 장치(1)는, 상기 제1 가스 유도날개(40)는, 상기 배플 바디(10)의 상측에 배치시키고, 상기 배플 바디(10)의 하측으로 양 측면에 서로 마주하는 위치에 제공되는 제2 가스 유도날개(50)들을 더 포함하여 제공될 수 있다.

따라서, 도 5 및 7에서 도시한 바와 같이, 본 발명의 와이핑가스 유도수단(30)의 상기 제1,2 가스 유도날개(30)(50)들은 배플바디(10)의 상측 및 하측으로 배플바디(10)의 양측면에서 서로 대칭되어 마주하여 제공되기 때문에, 와이핑장치(130)에서 와이핑된 가스(G)는, 상기 제1,2 가스 유도날개(40)(50)들의 형상에 의하여 배플바디(10)의 양 측면에서 충돌한 후, 특정방향으로 강제적으로 유도되는 것이다.

결국, 배플바디(10)에 충돌한 와이핑가스(G)는 일정한 유동흐름을 갖고 유동되면서 특정 방향으로 유도되기 때문에, 도 2와 같이 기존의 배플(150)의 양측에서 고압으로 분사된 와이핑가스가 충돌하는 것으로 끝나는 것에 비하여, 본 발명 배플장치(1)의 경우에는 일단 배플 바디에 충돌된 와이핑가스의 와류가 증폭되지 않고, 일정한 유동으로 흐르기 때문에, 결과적으로 아연입자의 비산이 방지되는 것이다.

즉, 아연입자의 비산이 적어지면 도금조 탕면상의 상부 드로스의 생성량도 방지되기 때문에, 본 발명의 배플장치(1)는 기존 도 2의 배플(150)(플레이트)의 간단한 구조변경을 통하여 ?게 기존 장치에 적용 가능하고, 그럼에도 불구하고 실효적인 효과를 제공하는 것이다.

예를 들어, 도 7과 같이, 와이핑장치(130)의 노즐(슬릿)(132)에서 설정된 압력으로 토출(외이핑)되는 가스(G)는 평판 구조인 배플바디(10)의 양측면에서서 충돌하면 그 면을 따라 상,하측으로 가스 제트(J)가 구현되고, 따라서 도 7과 같이 배플 바디에 충돌한 와이핑가스(G)는 본 발명 와이핑가스 유도수단(30)의 제1,2 가스 유도날개(40)(50)들을 통하여 와이핑장치의 외곽 즉, 강판에서 멀어지는 외곽방향으로 유도되되, 특히 가스 충돌에 의한 와류를 억제하여, 결과적으로 아연입자의 비산을 억제하는 것이다.

다음, 도 5 및, 도 8,9에서 도시한 바와 같이, 본 발명의 와이핑가스 유도수단(130)의 상기 제1 가스 유도날개(40)와 제2 가스 유도날개(50)는 가장 바람직하게는 와이핑가스의 배플바디 충돌후 일정한 유동 흐름으로 유도하기 위하여 단면상 볼록한 만곡구조 예컨대, 단면상 반원형형태로 제공되는 것이다.

이때, 바람직하게는 상기 제1 가스 유도날개(40)와 제2 가스 유도날개(50)는, 서로 반대로 볼록하게 제공되는 것인데, 예를 들어 배플바디(10)의 양측면에서 상측에 제공되는 제1 가스 유도날개(40)와 배플바디의 양측면에서 하측에 제공되는 제2 가스 유도날개(50)는 각각 상향 및 하향으로 볼록하게 형성되어, 상기 제1,2 가스 유도날개 사이에는 가스의 유동을 유도하는 어느정도의 원형(타원형) 공간을 형성하도록 하는 것이다.

특히, 본 발명의 제1 가스 유도날개(40)와 제2 가스 유도날개(50)들은 배플 바디(10)의 길이방향으로 일측에서 타측으로 비대칭 구조로 제공하는 것인데, 예를 들어, 도 8과 같이, 상기 제1,2 가스 유도날개들은 배플 바디(10)의 일측(강판 인접측)에서 타측(배플 바디 외곽측)으로 갈수록 날개들간 간격을 D1->D2로 넓어지게 형성하는 것이다.

따라서, 배플바디(10)에 충돌하는 와이핑가스(G)는 외곽으로 갈수록 간격이 넓어지는 제1,2 가스 유도날개(40)((50)들의 배열에 따라, 배플 바디의 외곽으로 강제 유도되고, 결과적으로 강판과 멀어지는 외곽으로 와이핑가스가 유도 배출되어 적어도, 비산입자에 의한 강판 표면의 품질 저하는 방지하는 것이다.

한편, 도 4 및 도 5와 같이, 본 발명의 배플장치(1)의 배플바디(10)는, 와이핑장치(130)의 관련 설비에 배플 이동수단(2)을 통하여 연결대(12)와 연결되어 와이핑장치의 양측에서 각각 와이핑장치 사이에서 강판의 폭에 대응하여 이동 가능하게 제공될 수 있다.

즉, 도 4에서 상기 배플 이동수단(2)은 개략적으로 도시하였지만, 모터 구동되는 볼 스크류와 연계되어 와이핑장치의 상측 사이의 공간에서 강판 폭 방향으로 이동하는 이동블록(미부호)을 포함하고, 상기 이동블록에 배플바디(10)와 조립되는 도 5의 연결대(12)와 볼트 등의 체결수단으로 조립되어, 이동 가능하게 제공될 수 있다. 다만, 도 5에서는 이동수단(2)과 연계되는 연결대(12)의 조립상태만을 도시한 것으로서 조립 볼트 등은 도시하지 않은 것이다.

다음, 도 5 및 도 8,9에서는 본 발명에 따른 배플장치(1)에서 배플바디(10)와 와이핑가스 유도수단(30)의 제1,2 가스 유도날개(40)(50)의 설치 구조를 다르게 도시한 것이고, 즉 본 발명의 제1,2 가스 유도날개들은 다양한 형태로 배플바디(10)에 제공될 수 있다.

먼저, 도 5 및 도 8에서 도시한 바와 같이, 하나의 판 구조인 배플 바디(10)의 양 측면의 상측 및 하측에 각각 마주하여 대칭되는 형태로 제1 가스 유도날개(40)와 제2 가스 유도날개(50)들을 각각 용접하여 조립하는 것이다.

즉, 도 5에서는 상세하게 도시하지 않았지만, 사전에 만곡되어 단면상 원형으로 제공되는 제1,2 가스 유도날개(40)(50)들을 각각 배플바디(10)에 스폿 용접하여 조립할 수 있다.

또는, 도 9에서 도시한 바와 같이, 배플바디(10)를 이중의 단위 배플바디 (10a)(10b)들을 접합시키어 제공하되, 이들 단위 배플바디(10a)(10b)의 상부와 하부를 도 3과 같은 형태로 각각 만곡시키어, 일체로 1,2 가스 유도날개(40)(50)들은 제공하는 것도 가능하다.

다만, 도 9와 같이, 배플바디의 상측에는 도 5와 같은 연결대(12)가 조립되므로, 바람직하게는 제1 가스 유도날개(40)은 단위 배플바디(10a)(10b)들에 용접(W)하여 제공하고, 하부의 제2 가스 유도날개(50)들은 단위 배플바디(10a)(10b)들을 만곡시키어 제공하는 것이다.

다음, 도 10과 같이 본 발명의 배플장치(1)에서 상기 와이핑가스 유도수단(30)을 구성하는 상기 제1 가스 유도날개(40)와 제2 가스 유도날개(50)는, 단위 배플바디(10a)(10b)를 프레스 가공의 타공을 통하여 단면상 원형으로 만곡 구조로 일체로 제공하는 것도 가능하다.

다만, 이 경우 단위 배플바디(10a)(10b)에는 도 10과 같이 가스 유도날개들로 제공되는 절개부(10c)가 형성되게 되지만, 실제 와이핑된 가스는 도 7에서 설명한 바와 같이, 가스 유도날개들에 의하여 그 유동방향이 유도되기 때문에, 상기 절개부(10c)는 크게 문제가 되지 않을 것이다.

한편, 이와 같은 도 10과 같은 배풀장치(1)의 타공을 통한 단위 배플바디(10a)(10b)들의 접합은, 용접 등으로 제작하는 것에 비하여, 다양한 형태의 제1,2 가스 유도날개들을 포함하여 다량의 배플장치(1)의 제공을 가능하게 하기 때문에, 미리 설정된 여러 제1,2 가스 유도날개들의 만곡의 곡율이나 간격 등을 다양하게 하고, 조업환경에 따라 와이핑설비에 투입하여 사용하는 다양한 조업 조건을 제공하므로, 바람직할 것이다.

다음, 도 11에서 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1,2 가스 유도날개(40) (50)들을 다른 신장된 형태의 가스 유도날개(40')(50')들로 제공하는 것도 가능할 것이다.

즉, 앞에서 설명한 단면상 반원형 제1,2 가스 유도날개(40)(50)들에 일체로 신장된 절곡 선단부(42)(52)를 더 제공하도록 하면, 와이핑가스(G)가 배플바디(10)에 충돌한후, 더 안정적으로 특정 방향으로 유도되면서 가스 유도날개 사이의 공간을 통하여 배출되기 때문애, 와이핑가스에 의한 비산문제가 더 안정적으로 제거되도록 할 것이다.

다음, 도 5 및 도 6에서 도시한 바와 같이, 본 발명의 배플장치(1)는, 상기 배플 바디(10)의 하부 일측 예를 들어, 도금강판에 인접한 위치에서 도금강판을 향하여 가스를 분사토록(추가 와이핑토록) 제공된 가스 분사수단(70)을 더 포함하는 것이다.

즉, 이와 같은 본 발명의 가스 분사수단(70)은, 도 3 및 도 12와 같이 강판의 에지부(102)를 향하여, 와이핑장치와는 별개로 가스(G')를 추가로 분사시키기 때문에, 배플장치(1)가 도금강판의 폭에 대응하여 그 에지부(102)에 인접하여 배치되면서 강판 에지부를 향하여 가스를 분사하므로, 특히 강판 에지부에서의 괴도금을 억제시키어 도금두께의 균일한 제어를 가능하게 할 뿐만 아니라, 분사되는 가스를 강판 에지부에서의 아연비산도 억제시키는 것을 가능하게 하는 것이다.

한편, 이와 같은 본 발명의 가스 분사장치(1)는, 도 5,6 및 도 8,9와 같이, 배플바디(10)의 하부 일측에 제공되는 가스분사노즐(72)과 상기 가스분사노즐과 연게되고 배플바디를 따라 제공되는 가스공급관(74)을 포함하여 제공될 수 있다.

이때 바람직하게는, 상기 도 9 및 도 12에서 도시한 바와 같이, 상기 가스분사노즐(72)은, 도금강판(100)이 진행되는 방향의 역방향 즉, 하향으로 경사지게 가스(G')를 분사토록 하는, 도 9와 같이 복수의 슬릿(72a) 또는 구멍(72a')들을 포함하여 제공되는 노즐 블록으로 제공될 수 있다.

한편, 균일한 가스분사를 위하여, 도 9에서 구멍(72a')들이 제공되는 경우 노즐(72)의 중앙을 따라 복수의 구멍들이 일정한 간격을 가지고 제공될 수 있다.

또는, 더 바람직하게는, 가스분사노즐(72)에 제공되는 길이를 갖는 다층 구조의 슬릿(72a)들은, 도 9와 같이, 노즐 상부에서 하부로 갈수록 슬릿 면적(A)이 확대되도록 하는 것이다.

따라서, 도 12와 같이 분사된 가스(G')는, 노즐의 상부에서 하부로 갈수록 가스 분사량(화살표의 길이로 표시함)이 증대되고, 이는 강판 에지부에서 노즐에서 수평선을 기준으로 하부가 도금부착량이 더 많기 때문에, 노즐(72)에서 하부로 갈수록 슬릿의 개구면적을 증대시키어 분사되는 가스량을 증가시키면, 강판 에지부에서의 과도금을 더 효과적으로 방지할 수 있고, 분사되는 가스 유동 흐름도 하류로 갈수록 강하기 때문에, 아연입자를 일정한 공간으로 와이핑하는 것을 가능하게 할 것이다.

예를 들어, 배플 바디(10)의 하부 가스 분사노즐(72)은 직경 10mm 가량의 가스공급배관(74)이 연결되고, 별도로 도시하지 않은, 공급관에 구비된 밸브를 통하여, 가스 예컨대, 질소가스를 공급하고, 가스 분사수단의 가스 분사노즐(72)에 4~6kgf/㎡ 압력을 이용하면 슬릿면적(A)이 노즐 상부에서 하부로 갈수록 확대되는 슬릿(72a)들을 통하여 2~10kPa 범위에서 가스 분사(와이핑)를 가능하게 할 것이다.

한편, 도 12에서 도시한 바와 같이, 상기 가스 분사수단(70)의 노즐에 형성되는 슬릿(72a) 또는 노즐구멍(72a')는 두께를 갖고 경사지게 가스(G')를 분사토록 제공되고, 더 바람직하게는 그 가스 토출각도(θ)를 대략 60°정도 형성하도록 하여, 분사 가스가 서로 일정부분은 겹쳐지도록 하는 것이다.

이 경우, 가스가 조밀하게 강판(100)의 에지부(102)를 향하여 강판의 진행방향의 역방향으로 분사되므로, 강판 에지부의 과도금을 방지하고 아연입자의 비산도 억제하는 것이다.

이에 따라서, 지금까지 설명한 본 발명의 와이핑장치 사이에 제공되는 배플장치(1)는, 제 1,2 가스 유도날개(40)(50)들의 와이핑가스 유도수단(30)을 구비함과 더하여, 강판 에지부에 가스를 추가 분사하는 가스분사 노즐수단(70)을 구비하기 때문에, 무엇보다도 기존 배플 사용시 발생되는 소음을 억제하고, 아연입자의 비산 문제도 실효적으로 제거할 수 있고, 특히 기존 배플에도 저비용으로 쉽게 적용시킬 수 있어, 현장 적용이나 비용 측면에서도 우수한 이점을 제공하는 것이다.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.

1.... 본 발명의 배플 장치 10....배플 바디(배플 플레이트)
10a,10b.... 단위 배플바디 30.... 와이핑가스 유도수단
40,50.... 가스 유도날개 70.... 가스 분사수단
72.... 가스 분사노즐 74.... 가스 공급관
100.... 도금강판 130.... 가스 와이핑 설비
132.... 분사노즐(슬릿)

Claims (12)

1. 가스 와이핑 설비 사이에서 이동 가능하게 제공된 배플 바디; 및,
   상기 배플 바디에 충돌하는 와이핑 가스를 유도하여 적어도 도금입자의 비산을 억제토록, 상기 배플 바디에 제공되는 와이핑가스 유도수단;
   을 포함하여 구성된 가스 와이핑 설비용 배플 장치.
   
2. 제1항에 있어서,
   상기 와이핑가스 유도수단은, 상기 배플 바디의 양 측면에 제공되는 제1 가스 유도날개;
   를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 가스 와이핑 설비용 배플 장치.
   
3. 제2항에 있어서,
   상기 제1 가스 유도날개는, 상기 배플 바디의 양 측면에 강판 진행방향의 상류 측에 마주하여 제공되고,
   상기 와이핑가스 유도수단은, 상기 배플 바디의 양 측면에 상기 제1 가스 유도날개의 하류 측에 마주하여 제공되는 제2 가스 유도날개;
   를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 와이핑 설비용 배플 장치.
4. 제3항에 있어서,
   상기 제1 가스 유도날개와 제2 가스 유도날개는 만곡 구조로 제공되되, 상기 제1 가스 유도날개와 제2 가스 유도날개는 서로 반대로 만곡된 것을 특징으로 하는 가스 와이핑 설비용 배플 장치.
   
5. 제4항에 있어서,
   상기 제1 가스 유도날개와 제2 가스 유도날개는 배플 바디에 충돌하는 와이핑가스를 외곽으로 유도토록, 상기 배플바디의 길이방향으로 비대칭 구조로 제공되는 것을 특징으로 하는 가스 와이핑 설비용 배플장치.
   
6. 제3항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서,
   상기 와이핑가스 유도수단을 구성하는 제1 가스 유도날개와 제2 가스 유도날개는 단면상 원형으로,
   상기 배플바디에 조립되거나 또는, 적어도 하나는 배플바디가 일체로 만곡되어 제공되는 것을 특징으로 하는 가스 와이핑 설비용 배플장치.
   
7. 제6항에 있어서,
   상기 제1 가스 유도날개와 제2 가스 유도날개 중 적어도 선택된 하나는, 서로 접합되는 단위 배플바디 들에 일체로 만곡되어 단면상 원형으로 제공된 것을 특징으로 하는 가스 와이핑 설비용 배플장치.
   
8. 제3항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서,
   상기 와이핑가스 유도수단을 구성하는 제1 가스 유도날개와 제2 가스 유도날개는 서로 접합되는 단위 배플바디들에 타공을 통하여 단면상 원형으로 일체로 제공되는 것을 특징으로 하는 가스 와이핑 설비용 배플장치.
   
9. 제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서,
   상기 배플 바디의 일측으로 도금강판의 에지부를 향하여 가스를 분사토록 제공된 가스 분사수단;
   을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 가스 와이핑 설비용 배플장치.
   
10. 제9항에 있어서,
    상기 가스 분사수단은, 상기 배플 바디의 하부 일측으로 제공된 가스 분사노즐; 및,
    상기 가스 분사노즐과 연계되는 가스공급관;
    을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 가스 와이핑 설비용 배플장치.
    
11. 제10항에 있어서,
    상기 가스 분사노즐은, 강판 진행방향의 역방향으로 경사지게 가스를 분사토록 제공되는 하나 이상의 슬릿 또는, 분사구멍을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 와이핑 설비용 배플장치.
    
12. 제11항에 있어서,
    상기 가스 분사구멍은 가스 분사노즐에 다층으로 제공되고,
    상기 가스 분사노즐의 슬릿들은, 노즐 상부에서 하부로 갈수록 슬릿면적이 확대되는 것을 특징으로 하는 가스 와이핑 설비용 배플장치.

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