KR20140063702A - 기계적 가요성 실리콘 기판 제조 방법 - Google Patents
기계적 가요성 실리콘 기판 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
기계적으로 가요성인 실리콘 기판의 제조방법이 개시된다. 일 실시예로, 상기 방법은 실리콘 기판을 포함하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 실리콘 기판 내부에 제1식각저지층을 형성하는 단계 및 상기 실리콘 기판 내부에 제2식각저지층을 형성하는 단계를 더 포함한다. 상기 방법은 역시 상기 제1식각저지층 및 상기 제2식각저지층 상부에 하나 또는 그 초과의 트렌치를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 제1식각저지층 및 상기 제2식각저지층 사이의 상기 실리콘 기판을 제거하는 단계를 더 포함한다.
Description
본 출원은 미국 가출원 제 61/523,606호(2011년 8월 15일에 출원)의 이익을 청구하며 이의 내용은 참조로서 본 출원에 통합되어 있다.
또한, 본 출원은 국제특허발명 제 PCT/US2012/046205호(2012년 7월 11일에 출원) 및 미국 가출원 제 61/506,495호(2011년 7월 11일에 출원)의 이익을 청구하며 이의 내용은 본 출원에 통합되어 있다.
A. 본 발명의 분야
본 발명은 소형 구조물의 제조와 관련되고, 보다 구체적으로는 기계적으로 가요성인 실리콘 기판을 제조하는 방법과 관련된다.
B. 관련 기술의 기재
기판, 와이어, 리본 및 입자 형태인 단결정 실리콘의 나노구조의 요소는 전자공학, 광전자공학, 감지 및 다른 영역의 다수의 발명의 관심분야다. 신축성 있고 쉽게 활용가능한 집적회로에 기초한 실리콘은 이식가능한 생물의학의 응용, 신재생 에너지, 센서 및 스마트 카드의 분야에서 많은 새로운 기술의 개발을 촉진할 것이다.
반도체 웨이퍼 상부 표면의 리소그래피(Lithographic) 공정에 의존하는 방법은 잘 제어된 두께, 폭, 길이 및 결정성을 가능하게 한다. 이러한 방법들은 마이크로미터에서 나노미터를 가진 두께의 세포막, 튜브 및 리본을 형성할 수 있다
기계적으로 가요성인 나노리본(기판)을 제작하는 한 가지 일반적인 방법은 습식식각을 (111)Si 또는 실리콘-온-인슐레이터(Silicon-on-Insulator)(SOI) 웨이퍼에 사용하고, 그 다음 플라스틱 기판 상에 제품을 전사하는 것이다. 그러나, 상기 공정은 고가격의 (111)Si 및 SOI 웨이퍼의 사용 때문에 비용이 높다. 기계적으로 가요성인 기판을 제작하는 다른 비슷한 일반적인 방법은 백 그라인딩 공정(Back Grinding Process)을 사용하는 것이다. 백 그라인딩은 기계적으로 가요성인 기판의 최종 제품에 포함되지 않는 웨이퍼의 잔여부분이 재생하는 가능성을 제거한다. 따라서, 기계적으로 가요성인 실리콘 기판의 낮은 제작손실에 대한 필요성이 남아있다.
기계적으로 가요성인 실리콘 기판의 제조 방법이 개시된다. 일 실시예로서, 상기 방법은 실리콘 기판을 제공하는 단계, 상기 실리콘 기판 내부에 제1식각저지층을 형성하는 단계, 상기 실리콘 기판 내부에 제2식각저지층을 형성하는 단계, 상기 제1식각저지층 및 상기 제2식각저지층 상부에 하나 또는 그 초과의 트렌치를 형성하는 단계 및 상기 제1식각저지층 및 상기 제2식각저지층 사이의 실리콘 기판을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예로서, 제1식각저지층을 형성하는 단계는 이온주입법을 포함할 수 있다. 상기 제1식각저지층은 붕소층을 포함할 수 있다. 일 실시예로서, 제2식각저지층을 형성하는 단계 역시 이온주입법을 포함할 수 있다. 상기 제2식각저지층은 붕소층을 포함할 수 있다. 일 실시예로서, 상기 하나 또는 그 초과의 트렌치를 형성하는 단계는 상기 실리콘 기판 상부에 보호층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 방법은 상기 실리콘 기판의 일부 및 상기 보호층을 식각하는 단계를 또한 포함할 수 있다. 상기 방법은 하나 또는 그 초과의 트렌치 각각의 내부에 있는 세로측벽층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 일 실시예로, 상기 방법은 보호층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 방법은 또한 상기 세로측벽형성필름층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 "결합된"은 반드시 직접적일 필요는 없고 또한 반드시 기계적일 필요는 없는 연결되는 것과 같이 정의된다.
상기 "하나" 및 "하나"는 본 발명이 명시적으로 요구하지 않는다면 하나 또는 그 이상과 같이 정의된다.
상기 "실질적으로" 및 그것의 변형은 크게 되는으로 같이 정의되나, 반드시 전적으로 당업자에 의해 이해되는 지정된 정보일 필요는 없으며, 비제한적인 일 실시예로서 "실질적으로"는 지정된 정보의 10%이내의 범위를 의미하고, 바람직하게는 5%이내, 더 바람직하게는 1%이내, 최고 바람직하게는 1%이내를 의미한다.
상기 "구성되다"(및 "구성되다" 및 "구성"과 같은 구성되다의 어떠한 형식), "가지다"(및 "가지다" 및 "가짐"과 같은 가지다의 어떠한 형식), "포함하다"(및 "포함하다" 및 "포함"과 같은 포함하다의 어떠한 형식) 및 "함유하다"(및 "함유하다" 및 "함유"와 같이 함유하다의 어떠한 형식)는 개방형 연결동사이다. 그 결과, "구성되다", "가지다", "포함하다" 및 "함유하다"의 하나 또는 그 초과의 단계 또는 요소를 가진 방법 또는 장치는 이러한 하나 또는 그 초과의 단계 또는 요소를 소유하고 있으나, 오직 하나 또는 그 초과의 요소를 소유하는 것으로 한정하지 않는다. 마찬가지로, "구성되다", "가지다", "포함하다" 및 "함유하다"의 하나 또는 그 초과의 특징의 방법의 단계 또는 장치의 요소는 이러한 하나 또는 그 초과의 특징을 소유하나, 오직 하나 또는 그 초과의 특징을 소유하는 것으로 한정하지 않는다. 추가로, 특정 방식으로 구성된 장치 또는 구조는 적어도 그러한 방식으로 구성되어 있으나, 또한 열거되지 않은 방식으로 구성될 수 있다.
다른 특징 및 이와 관련된 장점은 첨부된 도면과 함께 구체적인 실시예의 상세한 설명을 참조하면 명백해질 것이다.
다음의 도면은 본 발명 명세서의 일부를 형성하고, 상기 본 발명의 특정 양상을 설명하기 위해 포함된다. 본 발명은 본 명세서에서 더 구체적인 실시예들의 상세한 설명과 함께 이러한 하나 또는 그 초과의 도면을 참조함으로써 좀 더 쉽게 이해될 수 있다.
도 1은 기계적으로 가요성인 실리콘 기판을 제조하기 위한 방법의 일 실시예를 도시한 개략도이다.
도 2는 기계적으로 가요성인 실리콘 기판을 제조하기 위한 방법의 일 실시예를 도시한 개략적인 플로우 차트이다.
도 3a 내지 도 3j는 기계적으로 가요성인 실리콘 기판을 제조하기 위한 방법의 제품을 단계별로 도시한 개략적인 단면도이다.
도 4는 기계적으로 가요성인 실리콘 기판의 일 실시예를 도시한 도면이다.
도 5는 광학적으로 투명한 실리콘 기판의 일 실시예를 도시한 도면이다.
도 1은 기계적으로 가요성인 실리콘 기판을 제조하기 위한 방법의 일 실시예를 도시한 개략도이다.
도 2는 기계적으로 가요성인 실리콘 기판을 제조하기 위한 방법의 일 실시예를 도시한 개략적인 플로우 차트이다.
도 3a 내지 도 3j는 기계적으로 가요성인 실리콘 기판을 제조하기 위한 방법의 제품을 단계별로 도시한 개략적인 단면도이다.
도 4는 기계적으로 가요성인 실리콘 기판의 일 실시예를 도시한 도면이다.
도 5는 광학적으로 투명한 실리콘 기판의 일 실시예를 도시한 도면이다.
다양한 특징 및 유리한 세부사항은 첨부된 도몇 및 이하의 설명에서 자세히 설명되는 비제한한적인 실시예를 참조하면 더 완전하게 설명된다. 잘 알려진 시재료, 프로세싱 기술, 구성요소 및 장비의 설명은 본 발명의 설명에서 불필요하게 본 발명을 모호하게 하지 않도록 생략된다. 그러나 상기 상세한 설명 및 상기 구체적인 실시예들은 본 발명의 실시예를 나타내지만 한정의 방법이 아닌 오직 예시로서 관련되어 있다는 점이 이해되어야 한다. 다양한 대체, 수정, 추가 및/또는 사상 내에서의 재배열 및/또는 기본발명의 개념의 범위는 본 명세서로부터 당업자에게 명백해질 것이다.
도 1은 기계적으로 가요성인 실리콘 기판을 제조하는 방법(100)의 일 실시예를 도시한다. 도 3은 상기 방법(100)의 각 단계에 의해 제조된 제품을 도시한다. 일 실시예로, 상기 방법은 도 3에 도시된 실리콘 기판(302)을 제공하는 단계(102)를 포함할 수 있다. 상기 방법(100)은 상기 실리콘 기판 내부에 제1식각저지층(304)을 형성하는 단계(104)를 더 포함할 수 있다. 일 실시예로 상기 제1식각저지층(304)을 형성하는 단계는 이온주입법을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 상기 이온주입법은 높은 에너지의 붕소주입법(1E20/cm3)일 수 있다.
일 실시예로, 상기 방법(100)은 상기 실리콘 기판 내부에 제2식각저지층(306)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 일 실시예로, 상기 제2식각저지층층(306)을 형성하는 단계는 이온주입법을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 상기 이온주입법은 높은 에너지의 붕소주입법(1E20/cm3)일 수 있다. 상기 제2식각저지층(306)은 제1식각저지층(304)과 평행이 되도록 구성될 수 있다. 그러한 실시예에서, 제1식각저지층(304) 및 제2식각저지층(306) 사이에 실리콘층이 형성될 수 있다. 상기 제1식각저지층(304) 및 제2식각저지층(306)의 위치는 상기 기계적으로 유연한 실리콘 시판의 깊이를 조절함으로서 구성될 수 있다.
일 실시예로서, 상기 방법(100)은 상기 제1식각저지층(304) 및 제2식각저지층(306) 사이의 상기 실리콘층을 제거하는 단계(108)를 더 포함할 수 있다. 일 실시예로서, 상기 제1식각저지층(304) 및 제2식각저지층(306) 사이의 상기 실리콘층을 제거하는 단계는 하이드라진(hydrazine)을 사용한 실리콘의 습식식각을 포함할 수 있다.
일 실시예로서, 방법(100)에 의해 형성된 상기 실리콘 기판은 기계적으로 가요성일 수 있다. 일 실시예로서, 방법(100)에 의해 형성된 상기 실리콘 기판은 광학적으로 투명할 수 있다. 방법(100)에 의해 형성된 상기 실리콘 기판은 역시 다공성일 수 있다. 또 다른 실시예로서, 상기 방법(100)은 어떠한 전사 또는 이러한 공정없이 가요성인 실리콘 상부에 직접 고성능 전자장치(electronics)를 생성하는데 사용될 수 있다.
도 2는 기계적으로 가요성인 실리콘 기판의 제조방법(200)의 일 실시예를 도시한다. 도 3은 상기 방법(200)의 각 단계에 의해 생성된 대응제품을 보여준다. 일 실시예로서, 상기 방법(200)은 실리콘 기판(302)를 제공하는 단계(202)를 포함할 수 있다. 상기 방법(200)은 역시 상기 실리콘 기판(302) 내부에 제1식각저지층(304)을 형성하는 단계(204)를 포함할 수 있다. 일 실시예로서, 상기 실리콘 기판(302) 내부에 제1식각저지층(304)를 형성하는 단계는 이온주입법을 포함할 수 있다. 일 실시예로서, 상기 이온주입법은 높은 에너지의 붕소주입법(1E20/cm3)일 수 있다.
일 실시예로서, 상기 방법(200)은 상기 실리콘 기판(302) 내부에 제2식각저지층(306)을 형성하는 단계(206)를 포함할 수 있다. 상기 제2식각저지층(306)은 상기 제1식각저지층(304) 상부에 형성될 수 있다. 일 실시예로서, 상기 실리콘 기판(302) 내부에 제2식각저지층(306)를 형성하는 단계는 이온주입법을 포함할 수 있다. 일 실시예로서, 상기 이온주입법은 높은 에너지의 붕소주입법(1E20/cm3)일 수 있다.
일 실시예로서, 상기 제2식각저지층(306)은 상기 제1식각저지층(304)과 평행하게 구성될 수 있다. 또 다른 실시예로서, 실리콘층은 상기 제1식각저지층(304) 및 제2식각저지층(306) 사이에 생성될 수 있다. 상기 제1식각저지층(304) 및 상기 제2식각저지층(306)의 위치는 기계적으로 가요성인 실리콘 기판의 깊이를 조절할 수 있다. 상기 기판(302) 내부에 형성된 상기 제1식각저지층(304) 및 상기 제2식각저지층(306)은 도 3c에 도시된다.
일 실시예로서, 상기 방법(200)은 상기 실리콘 기판(302)의 표면 위에 하드마스크층(308)을 형성하는 단계(208)를 더 포함할 수 있다. 일 실시예로서 상기 하드마스크층(308)은 상기 제1식각저지층(304) 및 상기 제2식각저지층(306)에 대해 평행일 수 있다. 일 실시예로서, 상기 하드마스크층(308)은 Si3N4층일 수 있다. 대안적인 실시예로서, 상기 하드마스크층(308)은 산화물층일 수 있다. 당업자는 상기 하드마스크층(308)을 위한 다른 재료를 인식할 수 있다. 상기 방법(200)은 상기 하드마스크층(308) 상부에 포토레지스트층(309)을 형성하는 단계(209)를 더 포함할 수 있다.
상기 방법(200)은 상기 제2 식각저지층(306) 상부에 하나 또는 그 초과의 트렌치(310)를 형성하기 위해 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계(210)를 더 포함할 수 있다. 상기 식각하는 단계(210)는 상기 포토레지스트층(308), 상기 하드마스크층(308) 및 상기 제2 식각저지층 상부의 실리콘 층(306)을 통할 수 있다.상기 방법은 상기 포토레지스트층(309)을 제거하는 단계(211)를 더 포함할 수 있다. 일 실시예로서, 하나 또는 그 초과의 트렌치(301)의 상부(top)는 상기 하드마스크층(308)의 상부와 같은 높이(same level)일 수 있다. 일 실시예로서, 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계(210)는 RIE를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로서, 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계는 DRIE를 포함할 수 있다. 상기 트렌치(310)를 형성하기 위한 다른 이방성 식각방법을 당업자가 인식할 수 있다.
일 실시예로서, 상기 방법(200)은 하나 또는 그 초과의 트렌치(310) 내부에 노출된 실리콘 상부에 세로측벽층(312)를 형성하기 위해 상기 실리콘 기판(302)을 산화하는 단계를 더 포함할 수 있다. 일 실시예로서, 만약 상기 세로측벽이 실리콘 이산화물이라면, 실리콘 기판(302)을 산화하는 단계(212)는 상기 기판(302)을 산소가 풍부한 분위기에서 베이킹하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 방법(200)은 상기 하나 또는 그 초과의 트렌치(310) 각각의 바닥 위의 상기 세로측벽층(312)을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 일 실시예로서, 상기 하나 또는 그 초과의 트렌치 각각의 바닥 위의 상기 세로측벽층(312)을 제거하는 단계는 RIE를 포함할 수 있다. 상기 하나 또는 그 초과의 트렌치(310) 각각의 바닥 위의 세로측벽층(312)을 제거하기 위한 다른 대안법을 당업자는 인식할 수 있다.
일 실시예로서, 상기 방법(200)은 상기 제1식각저지층(304) 및 상기 제2식각저지층(306) 사이의 상기 실리콘층을 제거하는 단계(216)를 더 포함할 수 있다. 일 실시예로서, 상기 제1식각저지층(304) 및 상기 제2식각저지층(306) 사이의 상기 실리콘층을 제거하는 단계(216)는 하이드라진과 함께 실리콘 층을 식각하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 방법(200)은 역시 상기 하드마스크층(308)을 제거하는 단계(218)를 포함할 수 있다. 상기 방법(200)은 상기 하나 또는 그 초과의 트렌치(310) 각각의 내부의 상기 세로측벽층(312)을 제거하는 단계(220)를 더 포함할 수 있다. 상기 방법(200)은 역시 상기 기판으로부터 상기 실리콘층의 꼭대기를 분리하는 단계(221)를 더 포함한다.
일 실시예로서, 방법(200)에 의해 형성된 상기 실리콘 기판은 기계적으로 가요성일 수 있다. 일 실시예로서, 방법(200)에 의해 형성된 상기 실리콘 기판은 광학적으로 투명할 수 있다. 또한, 방법(200)에 의해 형성된 상기 실리콘 기판은 다공성일 수 있다. 또 다른 실시예로서, 상기 방법(200)은 역시 어떠한 전사 또는 이러한 공정없이 가요성의 실리콘 상부에 직접적으로 고성능의 전자장치를 생성하는데 사용될 수 있다.
도 4 및 도 5는 방법(200)에 의해 제조된 실리콘 기판을 보여준다. 도 4로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기 제조된 실리콘 기판은 기계적으로 가요성이다. 도 5는 상기 제조된 실리콘 기판이 광학적으로 투명함을 보여준다.
본 명세서에 주장되고 공개된 모든 발명은 상기 본 발명의 개시내용으로부터 과도한 실험없이 만들어지고 실행될 수 있다. 본 발명의 상기 장치 및 방법은 바람직한 실시예의 관점에서 설명되었지만, 상기 방법 및 기술 분야 및 단계 또는 발명의 개념, 사상 및 범위를 벗어나지 않고 본 명세서에 설명된 상기 방법의 단계의 순서 또는 단계 및 방법의 변형방법이 적용될 수 있음이 당업자에게 명백할 것이다. 또한, 개시된 장치로부터 변형이 이루어질 수 있고, 구성요소는 제거될 수 있거나 또는 동일 또는 유사한 결과가 달성될 본 발명에 기재된 구성요소로 치환될 수 있다. 이러한 모든 유사한 대체물 및 당업자에게 명백한 변형은 첨부된 청구항들에 의해 정의된 본 발명의 사상, 범위 및 개념 내에 있는것으로 간주한다.
Claims (28)
- 실리콘 기판을 제공하는 단계;
상기 실리콘 기판 내부에 제1식각저지층을 형성하는 단계;
상기 실리콘 기판 내부에 제2식각저지층을 형성하는 단계; 및
상기 제1식각저지층 및 상기 제2식각저지층 사이에 위치한 실리콘 기판을 제거하는 단계;
를 포함한 실리콘 기판 제조 방법 - 제1항에 있어서,
상기 실리콘 기판은 가요성인,
실리콘 기판 제조 방법 - 제1항에 있어서,
임의의 전사 공정 없이 가요성 실리콘 상에 직접 고성능 전자장치를 만들도록 추가적으로 구성된,
실리콘 기판 제조 방법 - 제1항에 있어서,
제1식각저지층을 형성하는 단계는,
이온 주입법을 포함하는,
실리콘 기판 제조 방법 - 제1항에 있어서,
제2식각저지층을 형성하는 단계는,
이온 주입법을 포함하는,
실리콘 기판 제조 방법 - 제1항에 있어서,
상기 제1식각저지층은 붕소층을 포함하는,
실리콘 기판 제조 방법 - 제1항에 있어서,
상기 제2식각저지층은 붕소층을 포함하는
실리콘 기판 제조 방법 - 제1항에 있어서,
상기 제1식각저지층 및 상기 제2식각저지층 상에 하나 또는 그 초과의 트렌치(Trench)를 형성하는 단계를 더 포함하는,
실리콘 기판 제조 방법 - 제8항에 있어서,
상기 하나 또는 그 초과의 트렌치를 형성하는 단계는,
상기 실리콘 기판 상에 보호층을 형성하는 단계를 포함하는,
실리콘 기판 제조 방법 - 제9항에 있어서,
상기 보호층 상부에 포토레지스트(Photoresist)층을 형성하는 단계를 더 포함하는,
실리콘 기판 제조 방법 - 제10항에 있어서,
상기 포토레지스트층, 상기 보호층 및 상기 실리콘 기판의 일부를 식각하는 단계를 더 포함하는,
실리콘 기판 제조 방법 - 제11항에 있어서,
상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하는,
실리콘 기판 제조 방법 - 제12항에 있어서,
상기 하나 또는 그 초과의 트렌치 각각의 내부에 있는 세로측벽층을 형성하는 단계를 더 포함하는,
실리콘 기판 제조 방법 - 제13항에 있어서,
상기 세로측벽층의 일부를 제거하는 단계를 더 포함하는,
실리콘 기판 제조 방법 - 제 14항에 있어서,
상기 보호층을 제거하는 단계를 더 포함하는,
실리콘 기판 제조 방법 - 실리콘 기판을 제공하는 단계;
상기 실리콘 기판 내부에 제1식각저지층을 형성하는 단계;
상기 실리콘 기판 내부에 제2식각저지층을 형성하는 단계; 및
상기 제1식각저지층 및 상기 제2식각저지층 사이에 위치한 실리콘 기판을 제거하는 단계;
를 포함하는 방법에 의해 형성된 실리콘 기판 - 제16항에 있어서,
기계적으로 가요성인,
실리콘 기판 - 제16항에 있어서,
제1식각저지층을 형성하는 단계는,
이온 주입법을 포함하는,
실리콘 기판 - 제16항에 있어서,
제2식각저지층을 형성하는 단계는,
이온 주입법을 포함하는,
실리콘 기판 - 제16항에 있어서,
상기 방법은 상기 제1식각저지층 및 상기 제2식각저지층 상에 하나 또는 그 초과의 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함하는,
실리콘 기판 - 제20항에 있어서,
상기 하나 또는 그 초과의 트렌치를 형성하는 단계는,
상기 실리콘 기판 상에 보호층을 형성하는 단계를 포함하는,
실리콘 기판 - 제21항에 있어서,
상기 하나 또는 그 초과의 트렌치를 형성하는 단계는
상기 실리콘 기판 상에 보호층을 형성하는 단계를 포함하는,
실리콘 기판 - 제22항에 있어서,
상기 방법은 상기 보호층 상부에 포토레지스트층을 형성하는 단계를 더 포함하는,
실리콘 기판 - 제23항에 있어서,
상기 방법은 상기 포토레지스트층, 상기 보호층 및 상기 실리콘 기판의 일부를 식각하는 단계를 더 포함하는,
실리콘 기판 - 제24항에 있어서,
상기 방법은 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하는,
실리콘 기판 - 제25항에 있어서,
상기 방법은 상기 하나 또는 그 초과의 트렌치 각각의 내부에 있는 세로측벽층을 형성하는 단계를 더 포함하는,
실리콘 기판 - 제26항에 있어서,
상기 방법은 상기 세로측벽층의 일부를 제거하는 단계를 더 포함하는,
실리콘 기판 - 제27항에 있어서,
상기 방법은 상기 보호층을 제거하는 단계를 더 포함하는,
실리콘 기판
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