KR20140059828A - 접착제 조성물 및 접속체 - Google Patents

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Abstract

(a) 열가소성 수지, (b) 라디칼 중합성 화합물 및 (c) 라디칼 중합 개시제를 함유하며, 라디칼 중합성 화합물이 에폭시기를 갖는 화합물을 포함하는, 접착제 조성물.

Description

접착제 조성물 및 접속체{ADHESIVE COMPOSITION AND CONNECTION BODY}
본 발명은 접착제 조성물, 및 회로 부재의 접속체에 관한 것이다.
반도체 소자 및 액정 표시 소자에 있어서, 소자 중의 다양한 부재를 결합시키는 목적으로 종래부터 다양한 접착제 조성물이 회로 접속 재료로서 사용되고 있다. 이 접착제 조성물에는 접착성을 비롯하여, 내열성, 고온 고습 상태에서의 신뢰성 등의 다양한 특성이 요구된다.
접착되는 피착체는 프린트 배선판 및 폴리이미드 필름 등의 유기 재료, 구리 및 알루미늄 등의 금속, 또는 ITO, SiN 및 SiO2 등의 금속 화합물과 같은 다양한 재료로 형성된 다양한 표면을 갖는다. 그로 인해, 접착제 조성물은, 각 피착체에 맞추어 설계될 필요가 있다.
종래, 반도체 소자 또는 액정 표시 소자용의 접착제 조성물로서, 고접착성이면서 고신뢰성을 나타내는 에폭시 수지 등의 열 경화성 수지를 포함하는 열 경화성 수지 조성물이 사용되어 왔다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 이러한 접착제 조성물은, 일반적으로 에폭시 수지, 에폭시 수지와 반응하는 페놀 수지 등의 경화제 및 에폭시 수지와 경화제와의 반응을 촉진하는 열 잠재성 촉매를 함유한다. 이 중 열 잠재성 촉매는, 경화 온도 및 경화 속도를 결정하는 중요한 인자이다. 그로 인해, 열 잠재성 촉매로서, 실온에서의 저장 안정성 및 가열시의 경화 속도의 관점으로부터 여러 가지 화합물이 사용되어 왔다. 이 접착제 조성물은, 일반적으로 170 내지 250℃의 온도에서 1 내지 3시간 가열함으로써 경화하여, 원하는 접착성을 발휘한다.
아크릴레이트 유도체 또는 메타크릴레이트 유도체와 과산화물을 포함하는 라디칼 경화형 접착제가 주목받고 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조). 라디칼 중합형 접착제는, 반응 활성종인 라디칼이 반응성이 많기 때문에, 단시간 경화의 점에서 유리하다. 라디칼 중합형 접착제와, 에폭시 수지 및 음이온 중합형 경화제를 병용한 예도 있다(특허문헌 3).
일본 특허 공개 평 1-113480호 공보 국제 공개 제98/44067호 일본 특허 공개 제2007-224228호 공보
최근의 반도체 소자의 고집적화 및 액정 소자의 고정밀화에 수반하여, 소자 간 및 배선 간 피치가 협소화하고 있다. 그로 인해, 회로 접속을 위한 경화시의 가열이 주변 부재에 악영향을 미치는 가능성이 높아지고 있다.
또한, 저비용화를 위해서는, 스루풋을 향상시킬 필요성이 있고, 보다 저온이고 단시간에 경화하는 접착제 조성물, 바꾸어 말하면 「저온 속경화」의 접착제 조성물이 요구되고 있다. 접착제 조성물의 저온 속경화를 달성하기 위해서, 예를 들면 활성화 에너지가 낮은 열 잠재성 촉매가 사용되는 경우도 있지만, 그 경우, 실온 부근에서의 저장 안정성을 유지하는 것이 매우 어렵다.
라디칼 경화형 접착제는, 비교적 용이하게 저온 속경화를 달성할 수 있다. 그러나, 라디칼 경화형 접착제를 사용하여 얻은 접속체의 경우, 특히 접속체가 고온 고습 환경에 노출된 후에, 회로 부재와 회로 접속 재료와의 계면에 박리 기포가 발생해 버리는 경우가 많다. 그 원인의 하나로서, 라디칼 경화형 접착제가, 에폭시 수지를 포함하는 접착제와 비교하여 큰 경화 수축을 발생하는 경향이 있는 것이 생각된다.
(메트)아크릴레이트 화합물의 배합량을 적게 하면, 회로 부재와 회로 접속 재료와의 계면의 박리를 어느 정도 억제할 수 있다. 그러나, 이 경우, 접착 강도가 낮아지는 경향이 있거나, 접속 신뢰성이 저하하거나 하는 경향이 있다. 또한, 예를 들면 1MPa와 같은 저압 조건에서 회로 접속을 행하는 경우, 대향하는 전극 간의 수지가 충분히 배제되기 어렵기 때문에, 종래의 회로 접속 재료에서는 만족스러운 전기적 접속이 얻어지지 않는 경우가 있다. 저압 조건에서의 회로 접속은, 특히 얇은 회로 부재를 접속할 때에, 회로 부재의 파손을 방지하기 위하여 필요하게 된다. 에폭시 수지와 라디칼 중합성 화합물을 병용하면, 라디칼 중합이 저해되기 때문에, 단시간 경화가 곤란해진다.
본 발명의 주목적은 라디칼 경화형 접착제이면서, 회로 부재를 접속하는 회로 접속 재료로서 사용되었을 때에, 저압의 접속 조건에서도 충분한 접속 신뢰성을 유지하고, 게다가, 고온 고습 조건하에서의 계면 박리의 발생을 억제하는 것이 가능한 접착제 조성물을 제공하는 데 있다.
본 발명은 (a) 열가소성 수지, (b) 라디칼 중합성 화합물 및 (c) 라디칼 중합 개시제를 함유하는 접착제 조성물에 관한 것이다. 하나의 측면에 있어서, 본 발명에 따른 접착제 조성물 중의 라디칼 중합성 화합물은, 에폭시기를 갖는 화합물을 포함한다.
이러한 접착제 조성물에 의하면, 회로 부재를 접속하는 회로 접속 재료로서 사용되었을 때에, 저압의 접속 조건에서도 충분한 접속 신뢰성을 유지하고, 게다가, 고온 고습 조건하에서의 계면 박리의 발생을 억제하는 것이 가능하다.
본 발명에 따른 접착제 조성물은, (d) 하기 화학식 (1)로 표시되는 실란 커플링제를 추가로 함유하고 있을 수도 있다.
Figure pct00001
식 (1) 중, R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 탄소수 1 내지 5의 알콕시기, 탄소수 1 내지 5의 알콕시카르보닐기 또는 아릴기를 나타낸다. R1, R2 및 R3 중 적어도 1개는 알콕시기이다. R4는 (메트)아크릴로일기, 비닐기, 이소시아네이트기, 이미다졸기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 벤질아미노기, 페닐아미노기, 시클로헥실아미노기, 모르폴리노기, 피페라지노기, 우레이도기 또는 글리시딜기를 나타낸다. a는 1 내지 10의 정수를 나타낸다.
본 발명에 따른 접착제 조성물은, (e) 도전성 입자를 추가로 함유하고 있어도 된다. 이에 의해, 접착제 조성물에 도전성 또는 이방 도전성을 부여할 수 있기 때문에, 접착제 조성물을, 회로 접속 재료로서 보다 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 당해 접착제 조성물을 통해 전기적으로 접속한 회로 전극간의 접속 저항을 보다 용이하게 저감할 수 있다.
다른 측면에 있어서, 본 발명은 회로 전극을 갖고 대향 배치된 한쌍의 회로 부재와, 한쌍의 회로 부재 사이에 설치되며, 한쌍의 회로 부재끼리를 접착하는 접속 부재를 구비하는 접속체에 관한 것이다. 한쪽의 회로 부재의 회로 전극과 다른쪽의 회로 부재의 회로 전극이 전기적으로 접속되어 있다. 한쌍의 회로 부재 당해 접속체를 구성하는 접속 부재는, 본 발명에 따른 접착제 조성물의 경화물이다.
본 발명에 따른 접속체에 있어서, 한쪽의 회로 부재가 유리 기판을 갖고, 다른 한쪽의 회로 부재가 플렉시블 기판을 가질 수도 있다.
본 발명에 따른 접속체는, 고온 고습 환경에 방치된 후에, 회로 부재와 회로 접속 재료의 계면과의 박리를 충분히 억제할 수 있다. 또한 충분한 접속 신뢰성을 유지할 수 있다.
본 발명에 따르면, 라디칼 경화형 접착제이면서, 회로 부재를 접속하는 회로 접속 재료로서 이용되었을 때에, 저압의 접속 조건에서도 충분한 접속 신뢰성을 유지하고, 게다가, 고온 고습 조건하에서의 계면 박리의 발생을 억제하는 것이 가능한 접착제 조성물이 제공된다.
도 1은 필름상 접착제의 일 실시 형태를 나타내는 단면도이다.
도 2는 접속체의 일 실시 형태를 나타내는 단면도이다.
도 3은 접속체를 제조하는 방법의 일 실시 형태를 나타내는 단면도이다.
도 4는 압착 면적에 대하여 설명하기 위한 평면도이다.
이하, 경우에 의해 도면을 참조하면서, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되지 않는다. 도면 중, 동일하거나 또는 상당 부분에는 동일 부호를 붙이고, 중복하는 설명은 적절히 생략된다. 본 명세서에 있어서, (메트)아크릴산은 아크릴산 또는 거기에 대응하는 메타크릴산을 의미하고, (메트)아크릴레이트는 아크릴레이트 또는 거기에 대응하는 메타크릴레이트를 의미하고, (메트)아크릴로일옥시기는 아크릴로일옥시기 또는 메타크릴로일옥시기를 의미한다.
본 실시 형태에 따른 접착제 조성물은, (a) 열가소성 수지, (b) 라디칼 중합성 화합물 및 (c) 라디칼 중합 개시제를 함유한다.
접착제 조성물에 포함되는 열가소성 수지는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 폴리(메트)아크릴레이트 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지 및 폴리비닐부티랄 수지로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 수지이다. 열가소성 수지는 실록산 결합 및/또는 불소기를 포함하고 있을 수 있다. 2종 이상의 열가소성 수지를 사용하는 경우, 완전히 상용하거나, 또는 마이크로 상분리가 발생하여 백탁되는 조합이 적합하다.
열가소성 수지의 중량 평균 분자량은 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 5000 내지 20000, 보다 바람직하게는 10000 내지 150000이다. 열가소성 수지의 중량 평균 분자량이 작으면, 접착제 조성물의 접착력이 저하되는 경향이 있다. 열가소성 수지의 중량 평균 분자량이 크면, 열가소성 수지의 다른 성분과의 상용성이 저하되거나, 접착제의 유동성이 저하되거나 하는 경향이 있다.
열가소성 수지의 양은, 열가소성 수지 및 라디칼 중합성 화합물의 합계량을 기준으로 하여, 20 내지 80질량％인 것이 바람직하고, 30 내지 70질량％인 것이 보다 바람직하고, 35 내지 65질량％인 것이 더욱 바람직하다. 열가소성 수지의 양이 적어지면, 접착력이 저하되거나, 접착제 조성물의 필름 형성성이 저하되거나 하는 경향이 있다. 열가소성 수지의 양이 많아지면, 접착제의 유동성이 저하되는 경향이 있다. 열가소성 수지의 양의 상한값 및 하한값은 58질량％일 수도 있다.
열가소성 수지로서, 응력 완화 및 접착성 향상을 목적으로서, 고무 성분을 사용할 수도 있다. 고무 성분은, 예를 들면 아크릴 고무, 폴리이소프렌, 폴리부타디엔, 카르복실기 말단 폴리부타디엔, 수산기 말단 폴리부타디엔, 1,2-폴리부타디엔, 카르복실기 말단 1,2-폴리부타디엔, 수산기 말단 1,2-폴리부타디엔, 스티렌-부타디엔 고무, 수산기 말단 스티렌-부타디엔 고무, 카르복실기, 수산기, 카르복실화 니트릴 고무, 수산기 말단 폴리(옥시프로필렌), 알콕시 실릴기 말단 폴리(옥시프로필렌), 폴리(옥시테트라메틸렌)글리콜, 폴리올레핀글리콜 및 폴리-ε-카프로락톤으로부터 선택된다. 고무 성분은 접착성 향상의 관점에서, 고극성기인 시아노기 또는 카르복실기를 측쇄기 또는 말단기로서 갖는 것이 바람직하다. 이들의 고무 성분은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 접착제 조성물은 (b) 라디칼 중합성 화합물로서, 에폭시기 및 라디칼 중합성의 불포화기를 갖는 화합물을 적어도 1종 포함한다. 라디칼 중합성의 불포화기는, 바람직하게는 (메트)아크릴기(특히, (메트)아크릴로일옥시기)이다.
에폭시기 및 라디칼 중합성의 불포화기를 갖는 라디칼 중합성 화합물은, 예를 들면 복수의 에폭시기를 갖는 다관능 에폭시 화합물과, (메트)아크릴산과의 반응에 의해 생성되는, 에폭시기 및 (메트)아크릴기를 갖는 화합물일 수 있다. 이 반응시, 복수의 에폭시기를 갖는 화합물의 에폭시 당량에 대한, (메트)아크릴산의 아크릴로일옥시기의 당량은, 바람직하게는 0.95 내지 1.05, 보다 바람직하게는 1이다.
에폭시기를 갖는 라디칼 중합성 화합물을 얻기 위해서 사용되는 다관능 에폭시 화합물의 에폭시 당량(g/당량)은, 바람직하게는 130 내지 250이다. 에폭시 당량이 이 범위 내에 있음으로써, 접속체의 신뢰성 향상의 효과가 특히 현저하게 발휘된다. 다관능 에폭시 화합물의 상한값 및 하한값은 160, 170, 210 또는 220일 수도 있다.
상기 다관능 에폭시 화합물은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 비스페놀 A, 비스페놀 F 및 비스페놀 S와 같은 비스페놀의 디글리시딜에테르, 지환식 에폭시 수지, 헥사히드로프탈산테트라히드로프탈산 등의 다염기산의 폴리글리시딜에스테르, 노볼락형 에폭시 수지, 및 지방족 폴리올의 폴리글리시딜에테르로부터 선택된다.
예를 들면, 2개의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물과, 상기 에폭시 화합물의 에폭시 당량과 등량의 아크릴산과의 반응에 의하면, 2개의 에폭시기 중 1개가 아크릴로일옥시기로 변환된 화합물 (i) 이외에, 2개의 에폭시기가 양쪽 모두 아크릴로일옥시기로 변환된 화합물 (ii) 및 미반응된 출발 원료 (iii)과의 혼합물이 생성물로서 얻어지는 경우가 많다. 이 혼합물을 그대로 접착제 조성물을 제조하기 위하여 사용할 수 있지만, 필요에 따라, 칼럼 등을 사용하여 생성물을 정제할 수도 있다. 혼합물을 그대로 사용하는 경우의 구성비는 (i)/(ii+iii)(몰비)가 0.8 이상인 것이 바람직하고, 1 이상인 것이 더욱 바람직하다. (i)/(ii+iii)(몰비)가 0.8보다 작으면, 접속체의 계면 박리 억제 및 접속 신뢰성 향상의 효과가 상대적으로 작아지는 경향이 있다. 동일한 관점에서, (ii)/(iii)(몰비)는, 바람직하게는 0.95 내지 1.05이다.
에폭시기를 갖는 라디칼 중합성 화합물의 분자량은, 바람직하게는 300 이상 1000 미만이다. 이 분자량이 작으면, 접착제 조성물의 제조 공정에서 이 화합물이 휘발하기 쉬운 경향이 있다. 분자량이 크면, 특히 저압에서 회로 부재를 접속하는 경우에 충분한 유동성이 얻어지기 어려운 경향이 있다.
에폭시기를 갖는 라디칼 중합성 화합물은, 1개의 글리시딜기와 1개의 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 화합물을 사용함으로써, 본 발명의 효과가 특히 현저하게 발휘된다.
에폭시기를 갖는 라디칼 중합성 화합물의 양은, 열가소성 수지 및 라디칼 중합성 화합물의 합계량을 기준으로 하여, 2.5 내지 15질량％인 것이 바람직하고, 5 내지 12.5질량％인 것이 보다 바람직하다. 에폭시기를 갖는 라디칼 중합성 화합물의 양이 적으면, 접속체의 계면 박리 억제 및 접속 신뢰성 향상의 효과가 작아지는 경향이 있다. 에폭시기를 갖는 라디칼 중합성 화합물의 양이 많으면, 접속체의 고온 고습 처리 후의 계면 박리 억제의 효과가 작아지는 경향이 있다. 에폭시기를 갖는 라디칼 중합성 화합물의 양의 상한값 및 하한값은 2.4질량％, 9.7질량％, 15질량％ 또는 19질량％일 수도 있다.
본 실시 형태에 따른 접착제 조성물은, 에폭시기를 갖는 라디칼 중합성 화합물 이외에, 라디칼 중합성의 관능기를 갖는 임의의 다른 화합물을 (b) 라디칼 중합성 화합물로서 포함하고 있을 수도 있다. 이 라디칼 중합성 화합물은, 단량체 및 올리고머 중 어느 것일 수도 있고, 양자의 조합일 수도 있다.
에폭시기를 갖는 라디칼 중합성 화합물과 조합하여 사용될 수 있는 라디칼 중합성 화합물로서, 2개 이상의 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 1종 또는 2종 이상의 다관능의 (메트)아크릴레이트 화합물이 바람직하다. 이러한 (메트)아크릴레이트 화합물은, 예를 들면 에폭시(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 폴리에테르(메트)아크릴레이트 및 폴리에스테르(메트)아크릴레이트 등의 단량체 또는 올리고머, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리알킬렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 이소시아누르산 변성 2관능 (메트)아크릴레이트, 이소시아누르산 변성 3관능 (메트)아크릴레이트, 비스페놀플루오렌디글리시딜에테르의 2개의 글리시딜기에 (메트)아크릴산을 부가하여 생성하는 에폭시(메트)아크릴레이트, 및 비스페놀플루오렌디글리시딜에테르의 2개의 글리시딜기에 에틸렌글리콜 및/또는 프로필렌글리콜을 부가시킨 화합물에 (메트)아크릴로일옥시기를 도입한 화합물로부터 선택된다.
접착제 조성물은, 유동성의 조절 등을 목적으로서, (b) 라디칼 중합성 화합물로서, 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물을 포함하고 있을 수도 있다. 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물은, 예를 들면 펜타에리트리톨(메트)아크릴레이트, 2-시아노에틸(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 2-(2-에톡시에톡시)에틸(메트)아크릴레이트, 2-에톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, n-헥실(메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, n-라우릴(메트)아크릴레이트, 2-메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸포스페이트, N,N-디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, N,N-디메틸아미노프로필(메트)아크릴레이트 및 (메트)아크릴로일모르폴린으로부터 선택된다. 이들 화합물은 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합할 수도 있다.
접착제 조성물은, 가교율의 향상 등을 목적으로서, (b) 라디칼 중합성 화합물로서, 상기 아크릴레이트 화합물 이외에, 알릴기, 말레이미드기 및 비닐기 등의 라디칼 중합성의 관능기를 갖는 화합물을 포함하고 있을 수도 있다. 그러한 화합물은, 예를 들면 N-비닐이미다졸, N-비닐피리딘, N-비닐피롤리돈, N-비닐포름아미드, N-비닐카프로락탐, 4,4'-비닐리덴비스(N,N-디메틸아닐린), N-비닐아세트아미드, N,N-디메틸아크릴아미드, N-이소프로필아크릴아미드 및 N,N-디에틸아크릴아미드로부터 선택된다.
접착제 조성물은, 접착력의 향상을 목적으로서, (b) 라디칼 중합성 화합물로서, 인산기를 갖는 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 인산기를 갖는 라디칼 중합성 화합물은, 예를 들면 하기 화학식 (2), (3) 또는 (4)로 표시되는 화합물로부터 선택된다.
Figure pct00002
화학식 (2) 중, R5는 (메트)아크릴로일옥시기를 나타내고, R6은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, w 및 x는 각각 독립적으로 1 내지 8의 정수를 나타낸다. 동일 분자 중의 복수의 R5, R6, w 및 x는 각각 동일하거나 상이할 수도 있다.
Figure pct00003
화학식 (3) 중, R7은 (메트)아크릴로일옥시를 나타내고, y 및 z는 각각 독립적으로 1 내지 8의 정수를 나타낸다. 동일 분자 중의 복수의 R7, y 및 z는 각각 동일하거나 상이할 수도 있다.
Figure pct00004
화학식 (4) 중, R8은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R9는 (메트)아크릴로일옥시기를 나타내고, b 및 c는 각각 독립적으로 1 내지 8의 정수를 나타낸다. 동일 분자 중의 R8은 동일하거나 상이할 수도 있다.
인산기를 갖는 라디칼 중합성 화합물은, 예를 들면 애시드 포스포옥시에틸메타크릴레이트, 애시드 포스포옥시에틸아크릴레이트, 애시드 포스포옥시프로필메타크릴레이트, 애시드 포스포옥시폴리옥시에틸렌글리콜모노메타크릴레이트, 애시드 포스포옥시폴리옥시프로필렌글리콜모노메타크릴레이트, 2,2'-디(메트)아크릴로일옥시디에틸포스페이트, EO 변성 인산디메타크릴레이트, 인산 변성 에폭시아크릴레이트 및 인산비닐로부터 선택된다.
인산기를 갖는 라디칼 중합성 화합물의 양은, 열가소성 수지 및 라디칼 중합성 화합물의 합계량을 기준으로 하여, 0.1 내지 15질량부인 것이 바람직하고, 0.5 내지 10질량부인 것이 보다 바람직하다. 이 양이 적으면, 높은 접착 강도가 얻어지기 어려운 경향이 있고, 이 양이 많으면, 경화 후의 접착제 조성물의 물성 저하가 발생하기 쉽고, 신뢰성 향상의 효과가 작아질 가능성이 있다.
접착제 조성물에 포함되는 (b) 라디칼 중합성 화합물의 총량은, 열가소성 수지 및 라디칼 중합성 화합물의 합계량을 기준으로 하여, 20 내지 80질량％인 것이 바람직하고, 30 내지 70질량％인 것이 보다 바람직하고, 35 내지 65질량％인 것이 더욱 바람직하다. 이 양이 적으면 내열성이 저하되는 경향이 있고, 이 양이 많으면 고온 고습 환경에 방치 후의 박리 억제의 효과가 작아지는 경향이 있다. 라디칼 중합성 화합물 양의 상한값 및 하한값은, 42질량％일 수도 있다.
(c) 라디칼 중합 개시제는, 과산화물 및 아조 화합물 등의 화합물로부터 임의로 선택할 수 있다. 안정성, 반응성 및 상용성의 관점에서, 1분간 반감기 온도가 90 내지 175℃이고, 또한 분자량이 180 내지 1000의 과산화물이 바람직하다. 「1분간 반감기 온도」란, 과산화물의 반감기가 1분인 온도를 말한다. 「반감기」란, 소정의 온도에서 화합물의 농도가 초기 값의 절반으로 감소할 때까지의 시간을 말한다.
라디칼 중합 개시제는, 예를 들면 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시네오데카노에이트, 디(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카르보네이트, 디(2-에틸헥실)퍼옥시디카르보네이트, 쿠밀퍼옥시네오데카노에이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시네오데카노에이트, 디라우로일퍼옥시드, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시네오데카노에이트, t-헥실퍼옥시네오데카노에이트, t-부틸퍼옥시네오데카노에이트, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 2,5-디메틸-2,5-디(2-에틸헥사노일퍼옥시)헥산, t-헥실퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시네오헵타노에이트, t-아밀퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 디-t-부틸퍼옥시헥사히드로테레프탈레이트, t-아밀퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노에이트, 3-히드록시-1,1-디메틸부틸퍼옥시네오데카노에이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-아밀퍼옥시네오데카노에이트, t-아밀퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 3-메틸벤조일퍼옥시드, 4-메틸벤조일퍼옥시드, 디(3-메틸벤조일)퍼옥시드, 디벤조일퍼옥시드, 디(4-메틸벤조일)퍼옥시드, 2,2'-아조비스-2,4-디메틸발레로니트릴, 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐에탄), 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 디메틸-2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 4,4'-아조비스(4-시아노발레르산), 1,1'-아조비스(1-시클로헥산카르보니트릴), t-헥실퍼옥시이소프로필모노카르보네이트, t-부틸퍼옥시말레산, t-부틸퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시라우레이트, 2,5-디메틸-2,5-디(3-메틸벤조일퍼옥시)헥산, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥실모노카르보네이트, t-헥실퍼옥시벤조에이트, 2,5-디메틸-2,5-디(벤조일퍼옥시)헥산, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 디부틸퍼옥시트리메틸아디페이트, t-아밀퍼옥시노르말옥토에이트, t-아밀퍼옥시이소노나노에이트 및 t-아밀퍼옥시벤조에이트로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물이다.
라디칼 중합 개시제로서, 파장 150 내지 750nm의 광 조사에 의해 라디칼을 발생하는 화합물을 사용할 수도 있다. 이러한 화합물은 특별히 제한은 없지만, 예를 들면 문헌[Photoinitiation, Photopolymerization, and Photocuring, J.-P. Fouassier, Hanser Publishers(1995년), p17 내지 p35]에 기재되어 있는 α-아세토아미노페논 유도체 및 포스핀옥시드 유도체가 광 조사에 대한 감도가 높기 때문에보다 바람직하다. 이들 화합물은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다. 이들 화합물과, 상기 과산화물 및 아조 화합물을 조합할 수도 있다. 또는, 초음파, 전자파 등에 의해 라디칼을 발생하는 라디칼 중합 개시제를 접착제 조성물이 포함되어 있을 수도 있다.
회로 부재의 접속 단자(회로 전극)의 부식을 억제하기 위해서, 라디칼 중합 개시제 중에 함유되는 염소 이온이나 유기산의 양은 5000ppm 이하인 것이 바람직하다. 동일한 관점에서, 분해 후에 발생하는 유기산이 적은 라디칼 중합성 화합물이 바람직하다. 회로 접속 재료의 안정성이 향상되는 점에서, 실온, 상압하에서 24시간 개방 방치 후에 20질량％ 이상의 질량 유지율을 갖는 라디칼 중합 개시제가 바람직하다.
라디칼 중합 개시제의 양은, 열가소성 수지 및 라디칼 중합성 화합물의 합계량을 기준으로 하여, 바람직하게는 1 내지 15질량％, 보다 바람직하게는 2.0 내지 10질량％이다.
본 실시 형태에 따른 접착제 조성물은, 실란 커플링제를 함유하고 있을 수도 있다. 실란 커플링제는, 바람직하게는 하기 화학식 (1)로 표시되는 화합물이다.
Figure pct00005
식 (1) 중, R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 탄소수 1 내지 5의 알콕시기, 탄소수 1 내지 5의 알콕시카르보닐기 또는 아릴기를 나타낸다. R1, R2 및 R3 중 적어도 1개는 알콕시기이다. R4는 (메트)아크릴로일기, 비닐기, 이소시아네이트기, 이미다졸기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 벤질아미노기, 페닐아미노기, 시클로헥실아미노기, 모르폴리노기, 피페라지노기, 우레이도기 또는 글리시딜기를 나타낸다. a는 1 내지 10의 정수를 나타낸다.
식 (1)의 실란 커플링제는, 예를 들면 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란 및 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란을 들 수 있다.
실란 커플링제의 양은, 열가소성 수지 및 라디칼 중합성 화합물의 합계량을 기준으로 하여, 0.1 내지 10질량％인 것이 바람직하고, 0.25 내지 5질량％인 것이 보다 바람직하다. 실란 커플링제의 양이 적으면 회로 부재와 회로 접속 재료의 계면의 박리 기포 발생을 억제하는 효과가 작아지는 경향이 있다. 실란 커플링제의 양이 많으면, 접착제 조성물의 가용 시간이 짧아지는 경향이 있다.
본 실시 형태에 따른 접착제 조성물은, 도전성 입자를 추가로 함유하고 있을 수도 있다. 도전성 입자를 함유하는 접착제 조성물은, 이방 도전성 접착제로서 특히 적절하게 사용할 수 있다.
도전성 입자는, 예를 들면 Au, Ag, Pd, Ni, Cu 및 땜납 등을 포함하는 금속 입자, 카본 입자, 유리, 세라믹 및 플라스틱 등의 비도전성 재료를 포함하는 핵체 입자와 상기 핵체 입자를 피복하는 금속, 금속 입자 및 카본 등을 포함하는 도전층을 갖는 복합 입자로부터 선택된다. 금속 입자는, 구리 입자 및 구리 입자를 피복하는 은층을 갖는 입자일 수도 있다. 복합 입자의 핵체 입자는, 바람직하게는 플라스틱 입자이다.
상기 복합 입자는, 가열 및 가압에 의해 변형되는 변형성을 가지므로, 회로 부재끼리를 접착할 때에 상기 회로 부재가 갖는 회로 전극과 도전성 입자와의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다. 그로 인해, 이들의 복합 입자를 도전성 입자로서 함유하는 접착제 조성물에 의하면, 접속 신뢰성의 점에서 보다 한층 우수한 접속체가 얻어진다.
상기 도전성 입자와, 그의 표면의 적어도 일부를 피복하는 절연층 또는 절연성 입자를 갖는 절연 피복 도전성 입자를, 접착제 조성물이 함유하고 있을 수도 있다. 절연층은, 하이브리다이제이션 등의 방법에 의해 설치할 수 있다. 절연층 또는 절연성 입자는, 고분자 수지 등의 절연성 재료로 형성된다. 이러한 절연 피복 도전성 입자를 사용함으로써 인접하는 도전성 입자끼리의 접촉에 의한 단락이 발생하기 어려워진다.
도전성 입자의 평균 입경은, 양호한 분산성 및 도전성을 얻는 관점에서, 1 내지 18㎛인 것이 바람직하다.
도전성 입자의 양은 특별히 제한되지 않지만, 접착제 조성물의 전체 부피를 기준으로서 0.1 내지 30부피％인 것이 바람직하고, 0.1 내지 10부피％인 것이 보다 바람직하고, 0.5 내지 7.5부피％인 것이 더욱 바람직한다. 이 양이 적으면, 도전성이 저하되는 경향이 있다. 이 양이 많으면, 회로 전극간의 단락이 발생하기 쉬운 경향이 있다. 도전성 입자의 양(부피％)은 경화 전의 접착제 조성물을 구성하는 각 성분의 23℃에서의 부피에 기초하여 결정된다. 각 성분의 부피는, 비중을 이용하여 질량을 부피로 환산함으로써 구할 수 있다. 부피를 측정하려고 하는 성분을 용해하거나 팽윤시키거나 하지 않고, 그 성분을 잘 적실 수 있는 적당한 용매(물, 알코올 등)를 메스실린더 등에 넣고, 거기에 측정 대상의 성분을 투입하여 증가한 부피를 그 성분의 부피로서 구할 수도 있다.
접착제 조성물은, 도전성 입자 이외에, 절연성의 유기 미립자 및/또는 무기 미립자를 함유하고 있을 수도 있다. 무기 미립자는, 예를 들면 실리카 미립자, 알루미나 미립자, 실리카-알루미나 미립자, 티타니아 미립자 및 지르코니아 미립자 등으로 대표되는 금속 산화물 미립자, 및 질화물 미립자로부터 선택된다. 유기 미립자는, 예를 들면 실리콘 미립자, 메타크릴레이트-부타디엔-스티렌 미립자, 아크릴-실리콘 미립자, 폴리아미드 미립자 및 폴리이미드 미립자로부터 선택된다. 이들 미립자는, 균일한 구조를 가질 수도 있고, 코어-쉘형 구조를 가질 수도 있다.
유기 미립자 및 무기 미립자의 양은, 열가소성 수지 및 라디칼 중합성 화합물의 합계량을 기준으로 하여, 2.5 내지 30질량％인 것이 바람직하고, 5 내지 20질량％인 것이 보다 바람직하다. 무기 미립자의 양이 적으면, 상대하는 전극간의 전기적 접속을 유지하는 것이 비교적 곤란해지는 경향이 있다. 무기 미립자의 양이 많아지면, 접착제 조성물의 유동성이 저하되는 경향이 있다.
접착제 조성물은, 경화 속도의 제어나 저장 안정성을 부여하기 위해서, 안정화제를 함유할 수 있다. 이러한 안정화제는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 벤조퀴논 및 히드로퀴논 등의 퀴논 유도체, 4-메톡시페놀이나 4-t-부틸카테콜 등의 페놀 유도체, 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘-1-옥실 및 4-히드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘-1-옥실 등의 아미녹실 유도체, 및 테트라메틸피페리딜메타크릴레이트 등의 힌더드 아민 유도체로부터 선택된다.
안정화제의 양은, 열가소성 수지 및 라디칼 중합성 화합물의 합계량을 기준으로 하여, 0.01 내지 30질량부인 것이 바람직하고, 0.05 내지 10질량부인 것이 보다 바람직하다. 이 양이 적으면 안정화제의 효과가 작아지는 경향이 있다. 이 양이 많으면 다른 성분과의 상용성이 저하될 가능성이 있다.
본 실시 형태에 따른 접착제 조성물은, 상온(25℃)에서 액상인 경우에는, 페이스트상 접착제로서 사용할 수 있다. 접착제 조성물이 상온(25℃)에서 고체인 경우에는 가열하여 사용할 수도 있고, 용제를 가함으로써 페이스트화하여 사용할 수도 있다. 페이스트화를 위하여 사용하는 용제는, 접착제 조성물(첨가제도 포함함)과의 반응성을 실질적으로 갖지 않고, 또한 접착제 조성물을 충분히 용해 가능한 것이면 특별히 제한되지 않는다. 이 용제의 상압에서의 비점은, 50 내지 150℃인 것이 바람직하다. 용제의 비점이 50℃ 미만이면 상온(25℃)에서 방치하면 휘발할 가능성이 있기 때문에, 개방계에서의 사용이 제한될 수 있다. 용제의 비점이 150℃를 초과하면, 용제를 휘발시키는 것이 어렵고, 접착 후의 신뢰성 향상의 효과가 작아지는 원인이 될 수 있다.
본 실시 형태에 따른 접착제 조성물은 필름상으로 성형하여, 필름상 접착제로서 사용할 수도 있다. 필름상 접착제는, 예를 들면 접착제 조성물에 필요에 따라서 용제 등을 첨가하는 등 하여 얻어진 용액을 불소 수지 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 이형지 등의 박리성 지지체 상에 도포하거나, 또는 부직포 등의 기재에 상기 용액을 함침시켜 박리성 기재 상에 적치하여, 용제 등을 제거하는 방법에 의해 얻을 수 있다. 필름상 접착제는, 취급성 등의 점에서 한층 편리하다.
도 1은 필름상 접착제를 갖는 적층 필름의 일 실시 형태를 나타내는 단면도이다. 도 1에 나타내는 적층 필름(100)은 지지체(8)와, 지지체(8) 상에 설치된 필름상 접착제(40)를 갖는다. 필름상 접착제(40)는, 필름상으로 성형된 상술한 접착제 조성물이고, 절연성 접착제층(5)과, 절연성 접착제층(5) 중에 분산된 도전성 입자(7)로 구성된다. 절연성 접착제층(5)은, 상술한 접착제 조성물 중 도전성 입자 이외의 성분으로 구성된다. 이 필름상 접착제에 의하면, 취급이 용이하여, 피착체에 용이하게 설치할 수 있고, 접속 작업을 용이하게 행할 수 있다. 필름상 접착제는 2종 이상의 층을 포함하는 다층 구성을 가질 수도 있다. 필름상 접착제가 도전성 입자를 함유하는 경우, 필름상 접착제를 이방 도전성 필름으로서 적절하게 사용할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 접착제 조성물 및 필름상 접착제에 의하면, 통상 가열 및 가압을 병용하여 피착체끼리를 접착시킬 수 있다. 가열 온도는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 100 내지 250℃이다. 압력은, 피착체에 손상을 끼치지 않는 범위이면 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로는 0.1 내지 10MPa인 것이 바람직하다. 이들의 가열 및 가압은 0.5초 내지 120초간의 범위에서 행하는 것이 바람직하다. 본 실시 형태에 따른 접착제 조성물 및 필름상 접착제에 의하면, 예를 들면 150 내지 200℃, 1MPa 정도의 저압 조건에서, 10초간의 단시간의 가열 및 가압에서도 피착체끼리를 충분히 접착시키는 것이 가능하다.
본 실시 형태에 따른 접착제 조성물 및 필름상 접착제는, 열 팽창 계수가 다른 이종의 피착체의 접착제로서 사용할 수 있다. 구체적으로는, 이방 도전 접착제, 은 페이스트 및 은 필름 등으로 대표되는 회로 접속 재료, 또는 CSP용 엘라스토머, CSP용 언더필재 및 LOC 테이프 등으로 대표되는 반도체 소자 접착재료로서 접착제 조성물을 사용할 수 있다.
이하, 회로 기판 및 회로 기판의 주면 상에 형성된 회로 전극을 갖는 회로 부재끼리를 본 실시 형태에 따른 접착제 조성물에 의해 접속하는 방법의 일례로서, 본 실시 형태에 따른 필름상 접착제를 이방 도전성 필름으로서 사용하여 접속체를 제조하는 방법의 일 실시 형태에 대하여 설명한다.
도 2는 회로 부재의 접속체의 일 실시 형태를 나타내는 단면도이다. 도 2에 나타내는 접속체(1)는, 대향 배치된 제1 회로 부재(20) 및 제 2의 회로 부재(30)를 구비하고 있다. 제1 회로 부재(20)와 제2 회로 부재(30) 사이에는, 이들을 접착 및 접속하는 접속 부재(10)가 설치되어 있다.
제1 회로 부재(20)는, 제1 회로 기판(21)과 회로 기판(21)의 주면(21a) 상에 형성된 제1 회로 전극(22)을 구비한다. 회로 기판(21)의 주면(21a) 상에는 절연층이 형성되어 있을 수도 있다.
제2 회로 부재(30)는, 제2 회로 기판(31)과 회로 기판(31)의 주면(31a) 상에 형성된 제2 회로 전극(32)을 구비한다. 회로 기판(31)의 주면(31a) 상에도 절연층이 형성되어 있을 수 있다.
제1 및 제 2의 회로 부재(20, 30)는 전기적 접속을 필요로 하는 회로 전극을 갖는 것이면 특별히 제한은 없다. 회로 기판(21, 31)은, 예를 들면 반도체, 유리 및 세라믹 등의 무기 재료의 기판, 폴리이미드 및 폴리카르보네이트 등의 유기 재료의 기판, 유리/에폭시 등의 무기물과 유기물을 포함하는 기판으로부터 선택된다. 제1 회로 기판(21)이 유리 기판이고, 제2 회로 기판(31)이 플렉시블 기판(바람직하게는, 폴리이미드 필름 등의 수지 필름)일 수도 있다.
접속되는 회로 부재의 구체예로서는, 액정 디스플레이에 사용되고 있는, ITO막 등의 전극이 형성되어 있는 유리 또는 플라스틱 기판, 프린트 배선판, 세라믹 배선판, 플렉시블 배선판, 반도체 실리콘 칩 등을 들 수 있다. 이들은 필요에 따라서 조합하여 사용된다. 이와 같이, 본 실시 형태에 따른 접착제 조성물에 의하면, 프린트 배선판 및 폴리이미드 필름 등의, 유기 재료로부터 형성된 표면을 갖는 부재 이외에, 구리 및 알루미늄 등의 금속, ITO(indium tin oxide), 질화규소(SiNx) 및 이산화규소(SiO2) 등의 무기 재료로 형성된 표면을 갖는 부재와 같이, 다종 다양한 표면 상태를 갖는 회로 부재를 접착하기 위하여 사용할 수 있다.
예를 들면, 한쪽의 회로 부재가, 핑거 전극 및 버스 바 전극 등의 전극을 갖는 태양 전지 셀이고, 다른쪽의 회로 부재가 탭선일 때, 이들을 접속하여 얻어지는 접속체는 태양 전지 셀, 탭선 및 이들을 접착하는 접속 부재(접착제 조성물의 경화물)를 구비하는 태양 전지 모듈이다.
접속 부재(10)는 본 실시 형태에 따른 접착제 조성물의 경화물을 포함한다. 접속 부재(10)는 절연층(11) 및 절연층(11) 중에 분산한 도전성 입자(7)를 함유하고 있다. 도전성 입자(7)는, 대향하는 회로 전극(22)과 회로 전극(32) 사이뿐만 아니라, 주면(21a, 31a)의 사이에도 배치되어 있다. 회로 전극(22, 32)은 도전성 입자(7)를 통해 전기적으로 접속되어 있다. 도전성 입자(7)는 회로 전극(22, 32)의 양쪽에 직접 접촉하고 있다. 이로 인해, 회로 전극(22, 32) 사이의 접속 저항이 충분히 저감된다. 따라서, 회로 전극(22, 32) 사이의 전류의 흐름을 원활하게 할 수 있고, 회로가 갖는 기능을 충분히 발휘할 수 있다. 접속 부재가 도전성 입자를 함유하고 있지 않은 경우에는, 회로 전극(22)과 회로 전극(32)이 직접 접촉함으로써, 전기적으로 접속된다.
접속 부재(10)가 본 실시 형태에 따른 접착제 조성물의 경화물에 의해 형성 되어 있는 점에서, 회로 부재(20 또는 30)에 대한 접속 부재(10)의 접착 강도는 충분히 높다. 그로 인해, 신뢰성 시험(고온 고습 시험) 후에 있어서도 접착 강도의 저하 및 접속 저항의 증대를 충분히 억제할 수 있다.
접속체(1)는, 예를 들면 회로 전극을 갖고 대향 배치된 한쌍의 회로 부재를, 접착제 조성물을 포함하는 필름상 접착제를 사이에 두고 배치하는 공정과, 한쌍의 회로 부재 및 필름상 접착제를, 필름상 접착제의 두께 방향으로 가압하면서 가열하여 경화함으로써, 한쌍의 회로 부재를 접착제 조성물의 경화물을 통해 접착하는 공정(본 접속 공정)을 구비하는 방법에 의해, 제조할 수 있다.
도 3은, 접속체(1)를 제조하는 방법의 일 실시 형태를 나타내는 단면도이다. 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 필름상 접착제(40)가, 제1 회로 부재(20)의 회로 전극(22)측의 주면 상에 적재된다. 필름상 접착제(40)가 상술한 지지체 상에 설치되어 있는 경우, 필름상 접착제(40)가 제1 회로 부재(20)측에 위치하는 방향으로, 필름상 접착제 및 지지체의 적층체가 회로 부재에 적재된다. 필름상 접착제(40)는, 필름상인 점에서 취급이 용이하다. 이로 인해, 제1 회로 부재(20)와 제2 회로 부재(30) 사이에 필름상 접착제(40)를 용이하게 개재시킬 수 있고, 제1 회로 부재(20)와 제2 회로 부재(30)와의 접속 작업을 용이하게 행할 수 있다.
필름상 접착제(40)는, 필름상으로 성형된 상술한 접착제 조성물(회로 접속 재료)이고, 도전성 입자(7) 및 절연성 접착제층(5)을 갖는다. 접착제 조성물은 도전성 입자를 함유하지 않은 경우에도, 이방 도전성 접착을 위하여 회로 접속 재료로서 사용할 수 있다. 도전성 입자를 함유하지 않는 회로 접속 재료는, NCP(Non-Conductive Paste)라고 불리는 경우도 있다. 접착제 조성물이 도전성 입자를 함유하는 경우, 이것을 사용한 회로 접속 재료는 ACP(Anisotropic Conductive Paste)라고 불리는 경우도 있다.
필름상 접착제(40)의 두께는 10 내지 50㎛인 것이 바람직하다. 필름상 접착제(40)의 두께가 작으면, 회로 전극(22, 32) 사이가 접착제에 의해 충전되기 어려워지는 경향이 있다. 필름상 접착제의 두께가 크면, 회로 전극(22, 32) 사이의 접착제 조성물을 충분히 전부 배제할 수 없게 되어, 회로 전극(22, 32) 사이의 도통의 확보가 곤란해지는 경향이 있다.
도 3의 (b)에 나타내는 바와 같이, 필름상 접착제(40)의 두께 방향의 압력(A, B)을 가함으로써, 필름상 접착제(40)가 제1 회로 부재(20)에 임시 접속된다. 이때, 가열하면서 가압할 수도 있다. 단, 가열 온도는 필름상 접착제(40) 중의 접착제 조성물이 경화하지 않는 온도, 즉 라디칼 중합 개시제가 라디칼을 급격하게 발생하는 온도보다도 충분히 낮은 온도로 설정된다.
계속해서, 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이, 제2 회로 부재(30)를, 제2 회로 전극이 제1 회로 부재(20) 측에 위치하는 방향으로 필름상 접착제(40) 상에 적재한다. 필름상 접착제(40)가 지지체 상에 설치되어 있는 경우에는, 지지체를 박리하고 나서 제2 회로 부재(30)를 필름상 접착제(40) 상에 적재한다.
필름상 접착제(40)를 그의 두께 방향(A, B)으로부터 가압하면서, 가열한다. 이때의 가열 온도는, 라디칼 중합 개시제가 라디칼을 충분히 발생하는 온도로 설정된다. 이에 의해, 라디칼 중합 개시제로부터 라디칼이 발생하고, 라디칼 중합성 화합물의 중합이 개시된다. 필름상 접착제(40)를 가열함으로써, 회로 전극(22)과 회로 전극(32) 사이의 거리를 충분히 작게 한 상태에서 절연성 접착제가 경화하여 절연층(11)을 형성한다. 그 결과, 제1 회로 부재(20)와 제2 회로 부재(30)가, 절연층(11)을 포함하는 접속 부재(10)를 통해 견고하게 접속된다. 이 본 접속에 의해, 도 2에 나타내는 접속체가 얻어진다.
본 접속은, 가열 온도가 100 내지 250℃, 압력이 0.1 내지 10MPa, 가압 시간이 0.5 내지 120초의 조건에서 행해지는 것이 바람직하다. 이러한 조건은, 사용하는 용도, 접착제 조성물, 회로 부재에 의해 적절히 선택된다. 본 실시 형태에 따른 접착제 조성물에 의하면, 1.0 내지 1.5MPa와 같은 저압 조건에서도 충분한 신뢰성을 갖는 접속체를 얻을 수 있다. 본 접속 후, 필요에 따라, 후 경화를 행해도 된다.
본 접속의 압력은, 가해지는 하중과 압착 면적으로부터 식: 하중/압착 면적에 의해 산출된다. 압착 면적은, 필름상 접착제(접착제 조성물)의 두께 방향에서 보았을 때에, 제1 회로 전극과 제2 회로 전극이 겹치는 부분 전체를 둘러싸는 최소의 직사각형 영역 중, 가압되는 부분의 면적이다.
도 4의 평면도를 참조하여, 압착 면적을 구하는 방법에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 4의 (a)는, 회로 부재(20) 및 회로 부재(20) 상에 적층(임시 접속)된 필름상 접착제를 나타내는 평면도이다. 길이 y를 갖는 직사각형의 복수의 제1 회로 전극(22)이, 각각의 단부가 실질적으로 일직선으로 배열되도록, 제1 회로 기판(21)의 주면(21a) 상에 폭 x에 걸쳐 병설되어 있다. 필름상 접착제(40)는, 복수의 제1 회로 전극(22)의 전체를 덮도록 적재되어 있다.
도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제2 회로 기판(31)이, 그의 주면 상에 설치된 제2 회로 전극이 제1 회로 전극(22)과 대향하도록 필름상 접착제(40) 상에 적재된다. 필름상 접착제(40)의 두께 방향에서 보았을 때에, 제1 회로 전극과 제2 회로 전극이 겹치는 부분 전체를 둘러싸는 직사각형의 영역 중 최소 면적의 영역(이하 「전극 대향 영역」이라고 함)의 전체를 포함하는 영역(50a)에 대하여 압력이 가해진다. 도 4의 (b)에 있어서, 전극 대향 영역은, 폭 x 및 길이 y1(=y)를 갖는 직사각형의 영역이다. 이렇게 전극 대향 영역 전체가 가압될 경우, 압착 면적은, 전극 대향 영역의 폭 x와 길이 y1과의 곱이다.
도 4의 (c)에 나타내는 바와 같이, 전극 대향 영역의 일부를 포함하는 영역(50b)에 대하여 압력이 가해지는 경우, 압착 면적은 전극 대향 영역의 폭 x와, 전극 대향 영역 중 가압되는 부분의 길이 y2와의 곱이다.
필름상 접착제가, 광 조사에 의해 라디칼을 발생하는 라디칼 중합 개시제를 포함하는 경우, 본 접속을 위하여 필름상 접착제를 경화할 때, 가열 대신에 광 조사를 행할 수 있다. 또한, 미리 준비한 필름상 접착제 대신에, 예를 들면 페이스트 상태의 접착제 조성물을 회로 접속 재료로서 사용할 수도 있다. 예를 들면, 접착제 조성물을 필요에 따라 용매에 용해하여 제조한 도공액을, 제1 회로 부재(20) 또는 제2 회로 부재(30)에 도포하고, 도막을 건조시키는 공정을 포함하는 방법에 의해 필름상 접착제를 형성시킬 수 있다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
(검토 I)
1. 폴리우레탄 수지의 합성
환류 냉각기, 온도계 및 교반기를 구비한 세퍼러블 플라스크에, 에스테르 결합을 갖는 디올인 폴리프로필렌글리콜(Mn=2000) 1000질량부 및 용매로서의 메틸에틸케톤 4000중량부를 첨가하고, 40℃에서 30분간 교반하였다. 용액을 70℃까지 승온한 후, 촉매로서의 디메틸 주석 라우레이트 12.7mg을 첨가하였다. 계속해서, 이 용액에 대하여 4,4-디페닐메탄-디이소시아네이트 125질량부를 메틸에틸케톤 125중량부에 용해하여 제조한 용액을, 1시간에 걸쳐 적하하였다. 그 후, 적외 분광 광도계로 NCO의 흡수 피크를 볼 수 없게 될 때까지 이 온도에서 교반을 계속하여, 폴리우레탄 수지의 메틸에틸케톤 용액을 얻었다. 이 용액의 고형분 농도(폴리우레탄 수지의 농도)가 30질량％가 되도록 조정하였다. 얻어진 폴리우레탄 수지의 중량 평균 분자량은, GPC에 의한 측정의 결과, 320000(표준 폴리스티렌 환산 값)이었다. 이하에 GPC의 분석 조건을 기재한다.
Figure pct00006
2. 우레탄 아크릴레이트의 합성
온도계, 교반기, 불활성 가스 도입구, 및 환류 냉각기를 장착한 2리터의 4구 플라스크에, 폴리카르보네이트디올(알드리치사 제조, 수 평균 분자량 2000) 4000질량부와, 2-히드록시에틸아크릴레이트 238질량부와, 히드로퀴논모노메틸에테르 0.49질량부와, 주석계 촉매 4.9질량부를 투입하여 반응액을 제조하였다. 70℃로 가열한 반응액에 대하여 이소포론디이소시아네이트(IPDI) 666질량부를 3시간에 걸쳐 균일하게 적하하고, 반응시켰다. 적하 완료 후 15시간 반응을 계속하여, NCO％가 0.2％ 이하가 된 시점을 반응 종료로 간주하여, 우레탄 아크릴레이트를 얻었다. GPC에 의한 분석의 결과, 우레탄 아크릴레이트의 중량 평균 분자량은 8500(표준 폴리스티렌 환산 값)이었다.
3. 에폭시기를 갖는 아크릴레이트 화합물의 합성
(아크릴레이트 화합물 A)
교반 장치, 환류 냉각기 및 온도계를 장착한 반응기에, 비스페놀 F형 에폭시 수지(비스페놀 F의 디글리시딜에테르, JER806(제품명), 미쯔비시 가가꾸사 제조, 에폭시 당량 160 내지 170)를 330질량부와, 아크릴산 72질량부(에폭시 수지 중의 에폭시기 2몰에 대하여 아크릴산 1몰의 비율)와, 벤질트리에틸암모늄 클로라이드 1질량부와, t-부틸카테콜 0.1질량부를 투입하여, 반응액을 제조하였다. 반응액을 100℃에서 3시간 교반하면서, 에폭시기와 아크릴산의 반응을 진행시켰다. 반응 종료 후, 반응액을 실온으로 되돌리고 나서, 벤젠 300질량부를 첨가하여 생성물을 이것에 용해시켰다. 계속해서, 탄산나트륨 수용액, 증류수의 순서대로 첨가하고, 용액을 3회씩 세정하였다. 그 후 벤젠을 충분히 증류 제거하여, 조생성물을 얻었다. 조생성물을 액상 크로마토그래피에 의해 분석한 바, 목적 화합물인 에폭시기를 1개 갖는 아크릴레이트 화합물 이외에, 에폭시기를 갖지 않는 2관능 아크릴레이트 화합물 및 원료의 비스페놀 F형 에폭시 수지가 조생성물에 포함되는 것을 알 수 있었다. 거기에서 조생성물을 정제하여, 에폭시기 및 아크릴로일옥시기를 하나씩 갖고, 비스페놀 F 골격을 갖는 아크릴레이트 화합물 A를 얻었다.
(아크릴레이트 화합물 B)
비스페놀 F형 에폭시 수지 대신에, 수소화 비스페놀 A의 디글리시딜에테르(HBE-100(제품명), 신닛본 리까 가부시끼가이샤, 에폭시 당량 210 내지 220)를 430질량부 이용한 것 이외에는 아크릴레이트 화합물 B와 동일한 순서에 의해, 에폭시기 및 아크릴로일옥시기를 하나씩 갖고, 수소화 비스페놀 A 골격을 갖는 아크릴레이트 화합물 B를 얻었다.
4. 도전성 입자의 제작
폴리스티렌 입자의 표면에 두께 0.2㎛의 니켈층을 형성하고, 이어서 이 니켈층 외측에 두께 0.04㎛의 금층을 형성시켰다. 이렇게 하여 평균 입경 4㎛의 도전성 입자를 제작하였다.
5. 필름상 접착제의 제작
표 2에 나타내는 원료를, 표 2에 나타내는 질량비로 혼합하였다. 거기에 상기 도전성 입자를 1.5부피％의 비율로 분산시켜, 필름상 접착제를 형성하기 위한 도공액을 얻었다. 이 도공액을 두께 50㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름에 도포 시공 장치를 사용하여 도포하였다. 도막을 70℃에서 10분 열풍 건조하여, 두께 18㎛의 필름상 접착제를 형성시켰다.
표 2에 나타내는 폴리우레탄 수지, 우레탄 아크릴레이트, 아크릴레이트 화합물 A 및 아크릴레이트 화합물 B는, 상술한 바와 같이 합성한 것이다. 페녹시 수지는 PKHC(유니언 카바이트사 제조 상품명, 평균 분자량 45000) 40g을 메틸에틸케톤 60g에 용해하여 제조한 40질량％ 용액의 형태로 사용하였다. 아크릴레이트 화합물 C는 단관능 아크릴레이트 화합물(CHA, 도아 고세이 가부시끼가이샤 제조 상품명)이다. 아크릴레이트 화합물 D는, 2관능 아크릴레이트 화합물(ABE-300, 신나카무라 가가꾸사 제조 상품명)이다. 인산 에스테르로서, 2-메타크릴로일옥시에틸 애시드 포스페이트(라이트 에스테르 P-2M, 교에샤 가부시끼가이샤 제조 상품명)를 사용하였다. 실란 커플링제로서, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(KBM-503, 신에쯔 가가꾸 고교사 제조 상품명)을 사용하였다. 라디칼 중합 개시제로서 t-헥실퍼옥시-2-에틸헥사노에이트(퍼헥실O, 니찌유사 제조 상품명)를 사용하였다. 무기물 입자인 실리카 입자(R104, 닛본 에어로실 제조 상품명) 10g을 톨루엔 45g 및 아세트산에틸 45g의 혼합 용매에 분산시켜, 10질량％의 분산액을 제조하고, 이것을 도공액 중에 배합하였다. 실리카 입자의 배합비는 페녹시 수지, 폴리우레탄 수지, 우레탄아크릴레이트 및 아크릴레이트 화합물 A 내지 D의 합계량 100질량부에 대하여 20질량부였다.
Figure pct00007
6. 접속체
상기 필름상 접착제를 회로 접속 재료로서 사용하여, 라인 폭 75㎛, 피치 150㎛ 및 두께 18㎛의 구리 회로를 2200개 갖는 플렉시블 회로판(FPC)과, 유리 기판 및 유리 기판 상에 형성된 두께 0.2㎛의 산화인듐(ITO)의 박층을 갖는 ITO 기판(두께 1.1mm, 표면 저항 20Ω/□)을 접속하였다. 접속은 열 압착 장치(가열 방식: 콘스탄트 히트형, 도레이 엔지니어링 가부시끼가이샤 제조)를 사용하여, 180℃, 3MPa 또는 1MPa에서 5초간의 가열 및 가압에 의해 행하였다. 이에 의해, 폭 1.5mm에 걸쳐 FPC과 ITO 기판이 필름상 접착제의 경화물에 의해 접속된 접속체를 제작하였다. 가압의 압력은, 압착 면적을 4.95㎠로서 계산하였다. 또한, ITO 기판 대신에, 유리 기판 및 유리 기판 상에 형성된 두께 0.2㎛의 질화규소(SiN)의 박층을 갖는 SiN 기판(두께 0.7mm)을 사용하여, 180℃, 3MPa에서 5초간의 가열 및 가압에 의해, FPC과 SiN 기판과의 접속체를 제작하였다.
(접속 저항, 접착 강도의 측정)
얻어진 접속체의 인접 회로간의 저항값(접속 저항)을 멀티미터로 측정하였다. 저항값은 인접 회로간의 저항 37점의 평균으로 나타냈다. 또한, 이 접속체의 접착력을, JIS-Z0237에 준하여 90도 박리법으로 측정하였다. 접착 강도의 측정 장치로서, 도요 볼드윈 가부시끼가이샤 제조의 텐실론 UTM-4(박리 속도 50mm/min, 25℃)를 사용하였다. 접속 저항 및 접착력 강도는 접속 직후, 및 85℃, 85％ RH의 고온 고습조 중에 250시간 유지하는 고온 고습 시험 후의 접속체에 대하여 측정하였다.
(접속체 외관의 관찰)
현미경(상품명: ECLIPSE L200, (주)니콘 제조)을 사용하여 ITO 기판 및 SiN 기판의 접속체에 대해서, 고온 고습 시험 후의 회로 접속 재료의 경화물과 FPC 및 유리와의 계면의 박리의 유무를 조사하였다. 계면 박리가 없는 경우를 「A」, 계면 박리가 실용상 문제없을 정도로 조금 인정되는 경우를 「B」, 계면 박리가 실용상 문제가 어느 정도로 인정되는 경우(실용상 문제 있음)를 「C」라고 판정하였다.
Figure pct00008
접속체의 평가 결과를 표 3에 나타내었다. 각 실시예의 필름상 접착제에 의하면, 저압, 저온으로 단시간의 경화 조건에 의해, 접속 직후 및 고온 고습 시험 후의 어떠한 경우도, 양호한 접속 저항(5Ω 이하) 및 접착 강도(8N/cm 이상)를 나타내는 것이 확인되었다. 이에 대하여, 에폭시기를 갖는 아크릴레이트 화합물을 전혀 함유하지 않는 비교예의 필름상 접착제의 경우, 특히 1MPa의 저압 조건시에, 접속 저항이 높거나, 또는 고온 고습 시험 후의 박리가 인정되었다.
(검토 II)
이하에 설명하는 것과 같이, 일본 특허 공개 제2007-224228호 공보에 기재된 실시예와 동일한 회로 접속 재료를 준비하고, 이것을 사용하여 제작한 접속체를 평가하였다.
이미다졸계 마이크로 캡슐 혼합형 에폭시 수지(HX-3941HP, 아사히 가세이 케미컬즈(주) 제조)를 44질량부와, 라디칼 중합성 화합물인 에틸렌글리콜디아크릴레이트(A-600, 신나까무라 가가꾸 고교(주) 제조)를 16질량부와, 라디칼 중합 개시제인 2,5-디메틸-2,5-디(2-에틸헥사노일)헥산(퍼헥사 25O, 니찌유(주) 제조)을 3질량부(퍼헥사 25O은 50％ 용액이기 때문에, 퍼헥사 25O의 배합량은 6질량부임)와, PKHC의 농도 40질량％의 톨루엔/아세트산 에틸 용액을 100질량부를 혼합하고, 거기에, 평균 입경 4㎛의 폴리스티렌 구상 입자 및 그의 표면 상에 설치된 0.1㎛의 Ni층 및 Au층을 갖는 도전성 입자를 4질량부 배합하였다. 또한, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란(SH6040, 도레이·다우코닝·실리콘(주) 제조)을 1질량부 가하여, 필름상 접착제를 형성하기 위한 혼합 용액을 얻었다. 이 용액을, 어플리케이터를 사용하여 PET 필름에 도포하고, 도막을 70℃ 10분의 열풍 건조에 의해 건조하여, 20㎛ 두께의 필름상 접착제를 형성시켰다.
얻어진 필름상 접착제를 사용하여, 180℃, 3MPa, 5초간의 가열 및 가압에 의해, FPC과 ITO 기판과의 접속체를 검토 1과 동일한 조작으로 제작하였다. 이 접속체의 접속 직후의 접속 저항은 5.8Ω이고, 접착력은 3.6N/cm이며, 검토 1의 실시예의 접속체와 비교하여 명백하게 열악하였다.
1…접속체, 5…절연성 접착제층, 7…도전성 입자, 8…지지체, 10…접속 부재, 11…절연층, 20…제1 회로 부재, 21…제1 회로 기판, 21a…주면, 22…제1 회로 전극, 30…제2 회로 부재, 31…제2 회로 기판, 31a…주면, 32…제2 회로 전극, 40…필름상 접착제, 100…적층 필름.

Claims (5)

  1. (a) 열가소성 수지, (b) 라디칼 중합성 화합물 및 (c) 라디칼 중합 개시제를 함유하며,
    상기 라디칼 중합성 화합물이 에폭시기를 갖는 화합물을 포함하는, 접착제 조성물.
  2. 제1항에 있어서, (d) 하기 화학식 (1)로 표시되는 실란 커플링제를 추가로 함유하는, 접착제 조성물.
    Figure pct00009

    [식 (1) 중, R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 탄소수 1 내지 5의 알콕시기, 탄소수 1 내지 5의 알콕시카르보닐기 또는 아릴기를 나타내고, R1, R2 및 R3 중 적어도 1개는 탄소수 1 내지 5의 알콕시기이고, R4는 (메트)아크릴로일옥시기, 비닐기, 이소시아네이트기, 이미다졸기, 머캅토기, 아미노기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 벤질아미노기, 페닐아미노기, 시클로헥실아미노기, 모르폴리노기, 피페라지노기, 우레이도기 또는 글리시딜기를 나타내고, a는 1 내지 10의 정수를 나타냄]
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, (e) 도전성 입자를 추가로 함유하는, 접착제 조성물.
  4. 회로 전극을 갖고 대향 배치된 한쌍의 회로 부재와,
    상기 한쌍의 회로 부재 사이에 설치되며, 상기 한쌍의 회로 부재끼리를 접착하는 접속 부재
    를 구비하고,
    한쪽의 상기 회로 부재의 상기 회로 전극과 다른쪽의 상기 회로 부재의 상기 회로 전극이 전기적으로 접속되어 있고,
    상기 접속 부재가 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 접착제 조성물의 경화물인, 접속체.
  5. 제4항에 있어서, 한쪽의 상기 회로 부재가 유리 기판을 갖고, 다른 한쪽의 상기 회로 부재가 플렉시블 기판을 갖는, 접속체.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170071470A (ko) * 2014-10-22 2017-06-23 나믹스 가부시끼가이샤 수지 조성물 및 이를 사용한 절연 필름 및 반도체 장치
KR20220002723A (ko) * 2016-08-30 2022-01-06 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 접착제 조성물

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101799820B1 (ko) 2013-04-02 2017-11-21 쇼와 덴코 가부시키가이샤 도전성 접착제, 이방성 도전 필름 및 그들을 사용한 전자 기기
JP6398570B2 (ja) * 2013-10-09 2018-10-03 日立化成株式会社 回路接続材料、回路部材の接続構造体、及び回路部材の接続構造体の製造方法
CN107922817B (zh) 2015-09-04 2021-05-28 昭和电工材料株式会社 粘接剂组合物、各向异性导电性粘接剂组合物、电路连接材料及连接体
JP6915544B2 (ja) * 2015-11-04 2021-08-04 昭和電工マテリアルズ株式会社 接着剤組成物及び構造体
JP6958359B2 (ja) * 2015-11-25 2021-11-02 昭和電工マテリアルズ株式会社 接着剤組成物及び構造体
KR20200103043A (ko) 2017-12-28 2020-09-01 히타치가세이가부시끼가이샤 접속 구조체 및 그의 제조 방법
JP6946395B2 (ja) * 2019-10-25 2021-10-06 日本化学工業株式会社 導電性接着剤、それを用いた接着構造体及び電子部品
CN115232573B (zh) * 2021-04-23 2024-03-26 大洲电子材料（株） 高温可分离的导电性粘接剂及太阳能电池模块
CN114927256A (zh) * 2022-04-29 2022-08-19 常州德创高新材料科技有限公司 一种电路连接材料
CN114702908B (zh) * 2022-04-29 2023-12-22 常州德创高新材料科技有限公司 一种用于柔性线路板的粘接膜

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01113480A (ja) 1987-10-27 1989-05-02 Sony Chem Corp 熱硬化型異方性導電接着剤
JPH09118860A (ja) * 1995-08-22 1997-05-06 Bridgestone Corp 異方性導電フィルム
WO1998044067A1 (en) 1997-03-31 1998-10-08 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit connecting material, and structure and method of connecting circuit terminal
JPH10273633A (ja) * 1997-03-27 1998-10-13 Bridgestone Corp 異方性導電フィルム
KR20060044832A (ko) * 2004-05-10 2006-05-16 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착제 조성물, 회로접속재료, 회로부재의 접속구조 및반도체장치
JP2006199825A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Soken Chem & Eng Co Ltd 異方導電性接着テープおよび配線基板異方導電接着体
JP2007224228A (ja) 2006-02-27 2007-09-06 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料並びに回路端子の接続構造体及び接続方法
KR20110036749A (ko) * 2008-08-27 2011-04-08 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 감광성 접착제 조성물, 및 그것을 이용한 필름상 접착제, 접착 시트, 접착제 패턴, 접착제층 부착 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06240217A (ja) * 1993-02-16 1994-08-30 Shin Etsu Polymer Co Ltd 異方導電接着剤の製造方法
US5932339A (en) * 1995-08-22 1999-08-03 Bridgestone Corporation Anisotropically electricity conductive film comprising thermosetting adhesive agent and electrically conductive particles
JP2006124531A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 異方導電性接着剤
JP5070748B2 (ja) * 2006-04-05 2012-11-14 日立化成工業株式会社 接着剤組成物、回路接続材料、接続体及び半導体装置
CN101501151B (zh) * 2006-08-04 2012-02-15 日立化成工业株式会社 粘接剂组合物和电路部件的连接结构
JP2009203262A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Panasonic Corp 熱伝導性材料及びこれを用いた放熱基板とその製造方法
JP5577635B2 (ja) * 2008-10-09 2014-08-27 日立化成株式会社 接着剤組成物、回路接続用接着剤及び回路接続体
JP5484792B2 (ja) * 2009-05-29 2014-05-07 日立化成株式会社 接着剤組成物、接着シート及び半導体装置
JP5732815B2 (ja) * 2009-10-30 2015-06-10 日立化成株式会社 感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、接着剤層付透明基板、及び半導体装置。

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01113480A (ja) 1987-10-27 1989-05-02 Sony Chem Corp 熱硬化型異方性導電接着剤
JPH09118860A (ja) * 1995-08-22 1997-05-06 Bridgestone Corp 異方性導電フィルム
JPH10273633A (ja) * 1997-03-27 1998-10-13 Bridgestone Corp 異方性導電フィルム
WO1998044067A1 (en) 1997-03-31 1998-10-08 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit connecting material, and structure and method of connecting circuit terminal
KR20060044832A (ko) * 2004-05-10 2006-05-16 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착제 조성물, 회로접속재료, 회로부재의 접속구조 및반도체장치
JP2006199825A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Soken Chem & Eng Co Ltd 異方導電性接着テープおよび配線基板異方導電接着体
JP2007224228A (ja) 2006-02-27 2007-09-06 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料並びに回路端子の接続構造体及び接続方法
KR20110036749A (ko) * 2008-08-27 2011-04-08 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 감광성 접착제 조성물, 및 그것을 이용한 필름상 접착제, 접착 시트, 접착제 패턴, 접착제층 부착 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170071470A (ko) * 2014-10-22 2017-06-23 나믹스 가부시끼가이샤 수지 조성물 및 이를 사용한 절연 필름 및 반도체 장치
KR20220002723A (ko) * 2016-08-30 2022-01-06 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 접착제 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
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JP5867508B2 (ja) 2016-02-24
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WO2013035164A1 (ja) 2013-03-14

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