JP5070748B2 - 接着剤組成物、回路接続材料、接続体及び半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、接着剤組成物、回路接続材料、接続体及び半導体装置に関する。

半導体素子及び液晶表示素子において、素子中の種々の部材を結合させる目的で従来から種々の接着剤が使用されている。接着剤に要求される特性は、接着性をはじめとして、耐熱性、高温高湿状態における信頼性等多岐に亘る。また、接着される被着体としては、プリント配線板やポリイミド等の有機基材をはじめ、銅、アルミニウム等の金属やＩＴＯ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２等の多種多様な表面状態を有する基材が用いられている。そのため、接着剤は、各被着体に合わせた分子設計が必要である。

従来、半導体素子や液晶表示素子用の接着剤としては、接着性に優れ、かつ高い信頼性を示すエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられている（例えば、特許文献１参照）。上記接着剤の構成成分としては、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂と反応性を有するフェノール樹脂等の硬化剤、エポキシ樹脂と硬化剤との反応を促進する熱潜在性触媒が一般に用いられている。熱潜在性触媒は、接着剤の硬化温度及び硬化速度を決定する重要な因子となっており、室温（２５℃）での貯蔵安定性及び加熱時の硬化速度の観点から種々の化合物が用いられている。係る接着剤は、通常１７０〜２５０℃の温度で１〜３時間加熱することにより硬化し、これにより接着性が得られる。

最近では、低温でかつ短時間での硬化が可能なラジカル硬化型接着剤が注目されている（例えば、特許文献２、３参照）。このラジカル硬化型接着剤は、アクリレート誘導体やメタアクリレート誘導体（以後（メタ）アクリレート誘導体と呼ぶ）等のラジカル重合性化合物とラジカル重合開始剤である過酸化物から構成される。これらの構成材を最適化することで低温（１００〜１７０℃）、短時間（１時間以内）の硬化で高い接着性と良好な信頼性が得られることが報告されている（例えば、特許文献４参照）。
特開平１−１１３４８０号公報 特開２００２−２０３４２７号公報 国際公開第９８／０４４０６７号パンフレット 特開２００２−２８５１２８号公報

このような接着剤を用いた半導体素子や液晶表示素子の一般的な実装方法において、実装を行う一方の回路基板上に上記接着剤を配置した後、相対向する回路基板を双方の電極が重なるように位置合わせし、加熱加圧することで接着剤を硬化させる。この時、回路電極が位置ずれし、素子の動作不良を発生することがある。この場合には、実装した回路基板を剥離し、電極上の接着剤残渣を有機溶剤で除去した後、再度接続する方法が取られている（以降リペアと呼ぶ）。

しかしながら、接着剤としてラジカル硬化型接着剤を用いる場合、機械的に回路基板を剥離することは可能だが、電極上に残存した接着剤残渣を有機溶剤によって除去することが難しい傾向にある。そのため、接着剤のリペア性の向上が要求されている。

そこで本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、ラジカル硬化型の接着剤組成物でありながら、リペア性に十分優れる接着剤組成物、並びにこれを用いた回路接続材料、接続体及び半導体装置を提供することを目的とする。

本発明は、（ａ）熱可塑性樹脂と、（ｂ）２つ以上の（メタ）アクリロイルオキシ基を有するラジカル重合性化合物と、（ｃ）ラジカル重合開始剤とを含有する接着剤組成物であって、上記ラジカル重合性化合物が有する（メタ）アクリロイルオキシ基の一部又は全部が２級炭素又は３級炭素に直接結合している接着剤組成物を提供する。

この接着剤組成物は、上記（ａ）〜（ｃ）を全て含有していることにより、ラジカル硬化型の接着剤組成物でありながら、リペア性に十分優れるものとなった。

本発明の接着剤組成物は、熱可塑性樹脂１００質量部に対して、ラジカル重合性化合物５〜２５０質量部及びラジカル重合開始剤０．０５〜３０質量部を含有していることが好ましい。本発明の接着剤組成物は、その構成材料を上記の範囲の配合割合とすることによって、本発明の効果をより顕著に発揮することができる。

更に、本発明の接着剤組成物は、（ｄ）リン酸基を有するビニル化合物を熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０．１〜２０質量部含有することが好ましい。これにより、本発明の接着剤組成物は、リペア性に十分優れるとともに、より接着性を向上させることができる。

本発明の接着剤組成物は、導電性粒子を更に含有することが好ましい。このような接着剤組成物はそれ自体導電性を容易に有することができる。そのため、この接着剤組成物は、回路電極や半導体等の電気工業や電子工業の分野において導電性接着剤として用いることができるようになる。

本発明は、上記接着剤組成物からなり、回路電極を有する回路部材同士を、それぞれの回路部材が有する回路電極同士が電気的に接続されるように接着するために用いられる回路接続材料を提供する。このような回路接続材料は、本発明の接着剤組成物を含有することから、リペア性に十分優れるものとなる。

本発明は、対向配置された一対の回路部材と、上記一対の回路部材の間に介在しそれぞれの回路部材が有する回路電極同士が電気的に接続されるように当該回路部材同士を接着する接続部材とを備え、上記接続部材が、上述の回路接続材料の硬化物からなる接続体を提供する。これにより、本発明の接続体は、接続部材が本発明の回路接続材料の硬化物からなるため、十分なリペア性を有する。

本発明は、基板及び該基板上に設けられた回路電極を有する半導体素子搭載用基板と、上記半導体素子搭載用基板に半導体素子接続部材を介して搭載され、上記回路電極と電気的に接続された半導体素子とを備え、上記半導体素子接続部材が、上述の接着剤組成物の硬化物からなる半導体装置を提供する。このような半導体装置は、良好な接着性を示しながらも、半導体素子接続部材が本発明の接着剤組成物からなるため、十分なリペア性を有する。

本発明によれば、ラジカル硬化型の接着剤組成物でありながら、リペア性に優れる接着剤組成物、並びにこれを用いた回路接続材料、接続体及び半導体装置を提供することができる。

以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。また、本明細書における「（メタ）アクリロイルオキシ」とは、「アクリロイルオキシ」及びそれに対応する「メタクリロイルオキシ」を意味する。

（接着剤組成物）
本発明の接着剤組成物は、（ａ）熱可塑性樹脂、（ｂ）２つ以上の（メタ）アクリロイルオキシ基を有するラジカル重合性化合物と、（ｃ）ラジカル重合開始剤とを含有するものであり、上記ラジカル重合性化合物が有する（メタ）アクリロイルオキシ基の一部又は全部が２級炭素又は３級炭素に直接結合している。

熱可塑性樹脂としては、特に制限はなく公知のものを使用することができる。具体的には、例えば、ポリアミド類、フェノキシ樹脂類、ポリ（メタ）アクリレート類、ポリイミド類、ポリウレタン類、ポリエステル類、ポリエステルウレタン類、ポリビニルブチラール類等を用いることができる。これらは単独あるいは２種類以上を混合して用いることができる。更に、これらの樹脂は分子内にシロキサン結合やフッ素置換基が含んでいてもよい。これらは混合する樹脂同士が完全に相溶するか、又はミクロ相分離が生じて白濁する状態であれば好適に用いることができる。

上記熱可塑性樹脂の分子量は特に制限はないが、熱可塑性樹脂の分子量が大きいほどフィルムを容易に形成することができ、接着剤としての流動性に影響する溶融粘度を広範囲に設定することも可能となる。一般的な重量平均分子量としては、５０００〜１５００００が好ましく、１００００〜８００００が特に好ましい。重量平均分子量が５０００未満では、フィルム形成性が不十分となる傾向があり、重量平均分子量が１５００００を超えると、他の成分との相溶性が低下する傾向がある。

なお、本明細書における重量平均分子量は、ゲルパーミエイションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）分析により下記条件で測定し、標準ポリスチレンの検量線を使用して換算することにより求められる。
（ＧＰＣ条件）
使用機器：日立Ｌ−６０００型（（株）日立製作所製、商品名）
検出器：Ｌ−３３００ＲＩ（（株）日立製作所製、商品名）
カラム：ゲルパックＧＬ−Ｒ４２０＋ゲルパックＧＬ−Ｒ４３０＋ゲルパックＧＬ−Ｒ４４０（計３本）（日立化成工業（株）製、商品名）
溶離液：テトラヒドロフラン
測定温度：４０℃
流量：１．７５ｍｌ／ｍｉｎ

ラジカル重合性化合物としては、２つ以上の（メタ）アクリロイルオキシ基を有し、かつ（メタ）アクリロイルオキシ基の一部又は全部が２級炭素又は３級炭素に直接結合している化合物であれば、特に制限はなく公知のものを使用することができる。本明細書において、２級炭素とは、２個の炭素原子及び１個の水素原子と結合している炭素原子をいい、３級炭素とは、３個の炭素原子と結合している炭素原子をいう。（ｂ）成分として用いるラジカル重合性化合物は、以下の一般式（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）で表される基を有することが好ましい。

ここで、式（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を示す。

上述のような基を有する化合物として、具体的には、以下の一般式（１）〜（２１）で表されるラジカル重合性化合物が挙げられる。

式（１）中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を示し、ｎ_１は０〜２０の整数を示し、ｍ_１は１〜２０の整数を示す。式（２）中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を示し、ｎ_２及びｍ_２はそれぞれ独立に１〜２０の整数を示す。式（３）中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を示し、ｎ_３及びｍ_３はそれぞれ独立に１〜２０の整数を示す。

式（４）中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を示し、ｎ_４、ｍ_４、ｊ_４及びｈ_４はそれぞれ独立に１〜１０の整数を示す。式（５）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を示し、ｎ_５、ｍ_５及びｊ_５はそれぞれ独立に１〜１０の整数を示し、ａは０〜４の整数を示す。式（６）中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を示し、ｎ_６、ｍ_６及びｊ_６はそれぞれ独立に１〜１０の整数を示す。

式（７）中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を示し、ｎ_７は１〜２０の整数を示す。式（８）中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、ｎ_８及びｍ_８はそれぞれ独立に１〜２０の整数を示す。式（９）中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、ｎ_９及びｍ_９はそれぞれ独立に１〜２０の整数を示す。式（１０）中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、ｎ_１０及びｍ_１０はそれぞれ独立に１〜５の整数を示す。

式（１１）、（１２）及び（１３）中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を示す。式（１４）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示す。

（１５）及び（１６）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示す。（１７）中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を示す。式（１８）中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ^４は２価の有機基を示し、ｎ_１８及びｍ_１８はそれぞれ独立に１〜２０の整数を示す。

式（１９）中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ^５は２価の有機基を示し、ｎ_１９及びｍ_１９はそれぞれ独立に１〜２０の整数を示す。式（２０）中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、ｎ_２０は１〜２０の整数を示す。式（２１）中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、ｎ_２１及びｍ_２１はそれぞれ独立に１〜２０の整数を示す。

（ｂ）ラジカル重合性化合物の配合割合は、（ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、５〜２５０質量部であることが好ましく、１０〜１５０質量部であることがより好ましい。ラジカル重合性化合物の配合割合が５質量部未満であると、十分なリペア性を得ることが困難となる傾向にあり、また、２５０質量部を超えると、フィルムとして使用する場合にフィルム形成性が不十分となる傾向がある。

ラジカル重合開始剤としては、従来から知られている過酸化物やアゾ化合物等公知の化合物を用いることができる。具体的には、クミルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、ジラウロイルパーオキサイド、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシネオヘプタノエート、ｔ−アミルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ｔ−アミルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、３−ヒドロキシ−１，１−ジメチルブチルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−アミルパーオキシネオデカノエート、ｔ−アミルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、２，２’−アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル、１，１’−アゾビス（１−アセトキシ−１−フェニルエタン）、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、ジメチル−２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、４，４’−アゾビス（４−シアノバレリン酸）、１，１’−アゾビス（１−シクロヘキサンカルボニトリル）、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（３−メチルベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ジブチルパーオキシトリメチルアジペート、ｔ−アミルパーオキシノルマルオクトエート、ｔ−アミルパーオキシイソノナノエート、ｔ−アミルパーオキシベンゾエート、ジベンゾイルパーオキサイド、ベンゾイル（３−メチルベンゾイル）パーオキサイド、ジ−（３−メチルベンゾイル）パーオキサイドが挙げられる。これらの化合物は、１種を単独で用いても、２種以上を混合して用いてもよい。

これらの中でも、安定性、反応性及び相溶性の観点から、１分間半減期温度が９０〜１７５℃で、かつ重量平均分子量が１８０〜１０００の過酸化物が好ましい。

（ｃ）ラジカル重合開始剤の配合割合は、（ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０５〜３０質量部であることが好ましく、０．１〜２０質量部であることがより好ましい。ラジカル重合開始剤の配合割合が０．０５質量部未満であると、接着剤組成物の硬化物が硬化不足となる傾向があり、また、３０質量部を超えると、接着剤組成物の貯蔵安定性が低下する傾向がある。

本発明の接着剤組成物は、本発明者らの知見によれば、接着性を向上する目的で、リン酸基を有するビニル化合物を含有することが好ましい。リン酸基を有するビニル化合物としては、特に制限なく公知のものを使用することができる。その具体例としては、下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される化合物が挙げられる。

式（Ｉ）中、Ｒ^６はアクリロイルオキシ基又はメタアクリロイルオキシ基を示し、Ｒ^７は水素原子又はメチル基を示し、ｐ及びｑはそれぞれ独立に１〜８の整数を示し、ｒは１又２の整数を示す。

式（ＩＩ）中、Ｒ^８はアクリロイルオキシ基又はメタアクリロイルオキシ基を示し、ｓ及びｔはそれぞれ独立に１〜８の整数を示す。

より具体的には、アシッドホスホオキシエチルメタクリレート、アシッドホスホオキシエチルアクリレート、アシッドホスホオキシプロピルメタクリレート、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールモノメタクリレート、アシッドホスホオキシポリオキシプロピレングリコールモノメタクリレート、２，２’−ジ（メタ）アクリロイロキシジエチルホスフェート、ＥＯ変性リン酸ジメタクリレート、リン酸変性エポキシアクリレートが挙げられる。これらの化合物は、１種を単独で用いても、２種以上を混合して用いてもよい。

（ｄ）リン酸基を有するビニル化合物の配合割合は、（ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０．１〜２０質量部であることが好ましく、０．５〜１０質量部であることがより好ましい。上記リン酸基を有するビニル化合物の配合割合が０．１質量部未満であると、高い接着強度が得られにくい傾向があり、また、１５質量部を超えると、接着剤組成物の硬化物のリペア性が低下する傾向にある。

本発明の接着剤組成物は、導電性粒子を含有することが好ましい。導電性粒子を含有することによって、接着剤組成物に導電性を付与することができる。これにより、本発明の接着剤組成物は、回路電極や半導体等の電気工業や電子工業の分野において導電性接着剤として用いることが可能となる。

本発明に用いる導電性粒子は、電気的接続を得ることができる導電性を有するものであれば特に制限されない。この導電性粒子としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ及びはんだ等の金属粒子、又はカーボン等が挙げられる。また、非導電性のガラス、セラミック、プラスチック等を核とし、この核の表面に上記金属、金属粒子又はカーボンを被覆したものであってもよい。後者は加熱加圧により変形性を有するので、回路接続材料として用いられたときに、電極との接触面積が増加し信頼性が向上するのでより好ましい。また、これらの導電性粒子の表面を、更に高分子樹脂等で被覆した微粒子は、導電性粒子の配合量を増加した際に生じる粒子同士の接触による短絡を抑制し、電極回路間の絶縁性を向上させることができる。このような微粒子は、単独で又は他の導電性粒子と混合して用いてもよい。

この導電性粒子の平均粒径は、分散性及び導電性の点から１〜１８μｍであることが好ましい。導電性粒子の配合割合は、特に制限は受けないが、接着剤組成物１００体積％に対して、０．１〜３０体積％であることが好ましく、０．１〜１０体積％であることがより好ましい。この値が、０．１体積％未満であると導電性が得られない傾向があり、３０体積％を超えると回路の短絡が起こる傾向がある。なお、導電性粒子の配合割合（体積％）は、２３℃における接着剤組成物を硬化させる前の各成分の体積に基づいて決定される。各成分の体積は、比重を利用して重量から体積に換算する方法や、その成分を溶解したり膨潤させたりせず、その成分をよくぬらす適当な溶媒（水、アルコール等）を入れたメスシリンダー等の容器にその成分を投入し、増加した体積から算出する方法によって求めることができる。

本発明の接着剤組成物は、上述した１つ以上の（メタ）アクリロイルオキシ基が２級炭素又は３級炭素に直接結合しているラジカル重合性化合物とともに、他のラジカル重合性化合物を併用することができる。このようなラジカル重合性化合物としては、スチレン誘導体やマレイミド誘導体のように、ラジカルによって重合する化合物であれば、特に制限は無く公知のものを使用することができる。

具体的には、ウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート等に代表されるオリゴマータイプの（メタ）アクリレートの他、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリアルキレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニロキシエチル（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、イソシアヌル酸変性２官能（メタ）アクリレート、イソシアヌル酸変性３官能（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート化合物が挙げられる。

また、本発明の接着剤組成物は、単官能（メタ）アクリレート等の化合物を併用してもよい。これにより、接続時の接着剤組成物の流動性をより向上させることができる。具体的には、ペンタエリスリトール（メタ）アクリレート、２−シアノエチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニロキシエチル（メタ）アクリレート、２−（２−エトキシエトキシ）エチル（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ｎ−ラウリル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、２−フェノキシエチル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリール（メタ）アクリレート、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルモルホリンが挙げられる。なお、これらの化合物は１種を単独で用いても、２種以上を混合して用いてもよい。

本発明の接着剤組成物には、この他にも使用目的に応じて別の材料を添加することができる。例えば、（メタ）アクリロイル基を有する化合物に加え、アリル基、マレイミド基、ビニル基等のラジカル重合可能な官能基を有する化合物を適宜添加してもよい。具体的には、Ｎ−ビニルイミダゾール、Ｎ−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−ビニルカプロラクタム、４，４’−ビニリデンビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン）、Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミドアクリルアミドが挙げられる。これらの化合物は１種を単独で用いても、２種以上を混合して用いてもよい。

本発明の接着剤組成物には、カップリング剤及び密着性向上剤、レベリング剤などの接着助剤を適宜添加してもよい。これにより、更に良好な密着性や取扱い性を付与することができるようになる。具体的には、アルコキシシラン誘導体やシラザン誘導体が挙げられる。それらの中でも、下記一般式（ＩＶ）で表される化合物を添加することが好ましい。

式（ＩＶ）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のアルコキシカルボニル基、又はアリール基を示し、Ｒ^１４はアクリロイルオキシ基、メタアクリロイルオキシ基、ビニル基、イソシアナート基、イミダゾール基、メルカプト基、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ベンジルアミノ基、フェニルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、モルホリノ基、ピペラジノ基、ウレイド基、グリシジル基、又はイミダゾリル基を示し、ｂは１〜１０の整数を示す。

なお、一般式（ＩＶ）で表される化合物は、１種を単独で用いても、２種以上を混合して用いてもよい。

接着剤組成物は、ゴムを含有してもよい。これにより、応力緩和及び接着性向上させることができる。具体的には、ポリイソプレン、ポリブタジエン、カルボキシル基末端ポリブタジエン、水酸基末端ポリブタジエン、１，２−ポリブタジエン、カルボキシル基末端１，２−ポリブタジエン、水酸基末端１，２−ポリブタジエン、アクリルゴム、スチレン−ブタジエンゴム、水酸基末端スチレン−ブタジエンゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、カルボキシル基、水酸基、（メタ）アクリロイル基またはモルホリン基をポリマ末端に含有するアクリロニトリル−ブタジエンゴム、カルボキシル化ニトリルゴム、水酸基末端ポリ（オキシプロピレン）、アルコキシシリル基末端ポリ（オキシプロピレン）、ポリ（オキシテトラメチレン）グリコール、ポリオレフィングリコール、ポリ−ε−カプロラクトンが挙げられる。

上記ゴムは、接着性向上の観点から、極性が高い官能基であるシアノ基、カルボキシル基を側鎖あるいは末端に含むゴム系の材料であることが好ましく、さらに流動性向上の観点から、液状であることがより好ましい。具体的には、液状アクリロニトリル−ブタジエンゴム、カルボキシル基、水酸基、（メタ）アクリロイル基又はモルホリン基をポリマ末端に含有する液状アクリロニトリル−ブタジエンゴム、液状カルボキシル化ニトリルゴムが挙げられ、極性基であるアクリロニトリル含有量がこれらのゴム系材料全体の１０〜６０重量％であることが更に好ましい。なお、これらのゴム系材料は１種を単独で用いても、２種以上を混合して用いてもよい。

本発明の接着剤組成物には、硬化速度の制御や貯蔵安定性を付与するために、安定化剤を添加することできる。このような安定化剤としては、特に制限なく公知の化合物を使用することができる。具体的には、ベンゾキノンやハイドロキノン等のキノン誘導体、４−メトキシフェノールや４−ｔ−ブチルカテコール等のフェノール誘導体、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシルや４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシル等のアミノキシル誘導体、テトラメチルピペリジルメタクリレート等のヒンダードアミン誘導体が挙げられる。

安定化剤の添加量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０．０１〜３０質量部が好ましく、０．０５〜１０質量部がより好ましい。安定化剤の添加量が０．０１質量部未満であると、添加効果が低下する傾向があり、また、３０質量部を超えると、他の成分との相溶性が低下する傾向がある。

接着剤組成物は、常温（２５℃）で液状である場合にはペースト状で使用することができる。室温で固体の場合には、加熱してペースト化する他、溶剤を使用してペースト化してもよい。使用できる溶剤としては、接着剤組成物と反応せず、かつ十分な溶解性を示すものであれば、特に制限は受けないが、常圧での沸点が５０〜１５０℃であるものが好ましい。沸点が５０℃未満であると、室温（２５℃）で放置すると溶剤が揮発してしまうため、開放系での使用が制限される。また、沸点が１５０℃を超えると、溶剤を揮発させることが難しく、接着後の信頼性に悪影響を及ぼす傾向がある。

接着剤組成物は、フィルム状にしてから用いることも可能である。このフィルム状接着剤は、接着剤組成物に必要により溶剤等を加えた混合液を、フッ素樹脂フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、離型紙等の剥離性基材上に塗布し、又は不織布等の基材に上記混合液を含浸させて剥離性基材上に載置し、溶剤等を除去することによって得ることができる。このように接着剤組成物をフィルム状とすると、取扱性に優れ一層便利である。

接着剤組成物は、加熱及び加圧を併用して被着体を接着させることができる。加熱温度は、特に制限は受けないが、１００〜２５０℃の温度が好ましい。圧力は、被着体に損傷を与えない範囲であれば、特に制限は受けないが、一般的には０．１〜１０ＭＰａが好ましい。これらの加熱及び加圧は、０．５秒〜１２０秒間の範囲で行うことが好ましい。例えば、温度１４０〜２００℃、圧力３ＭＰａの条件下で、１０秒間加熱及び加圧を行うことで接着剤組成物と被着体を接着させることが可能である。

本発明の接着剤組成物は、熱膨張係数の異なる異種の被着体の回路接続材料として使用することができる。具体的には、異方導電接着剤、銀ペースト、銀フィルム等に代表される回路接続材料、ＣＳＰ用エラストマー、ＣＳＰ用アンダーフィルム材、ＬＯＣテープ等に代表される半導体素子接着材料として使用することができる。

（接続体）
図１は、本発明に係る接続体の一実施形態を示す概略断面図である。図１に示す接続体１は相互に対向する第１の回路部材２０及び第２の回路部材３０を備えており、第１の回路部材２０と第２の回路部材３０との間には、これらを接続する接続部１０が設けられている。

第１の回路部材２０は、第１の回路基板２１と、第１の回路基板２１の主面２１ａ上に形成された第１の回路電極２２とを有する。第２の回路部材３０は、第２の回路基板３１と、第２の回路基板３１の主面３１ａ上に形成された第２の回路電極３２とを有する。第１の回路基板２１の主面２１ａ上、および第２の回路基板３１の主面３１ａ上には、場合により絶縁層（図示せず）が形成されていてもよい。

第１及び第２の回路基板２１，３１としては、半導体、ガラス、セラミック等の無機物、ＴＣＰ、ＦＰＣ、ＣＯＦに体表されるポリイミド基材、ポリカーボネート、ポリエステルスルホン等の有機物、これらの無機物や有機物を複合化した材料からなる基板が挙げられる。

第１及び第２の回路部材２０，３０の具体例としては、液晶ディスプレイに用いられている、ＩＴＯ等で回路電極が形成されたガラス基板又はプラスチック基板や、プリント配線板、セラミック配線板、フレキシブル配線板、半導体シリコンチップ等が挙げられる。これらは必要に応じて組み合わせて使用される。

接続部１０は、導電性粒子を含有する上記接着剤組成物からなる回路接続材料の硬化物から形成されている。接続部１０は、絶縁層１１と、絶縁層１１内に分散している導電性粒子７とから構成される。接続部１０中の導電性粒子７は、対向する第１の回路電極２２と第２の回路電極３２との間のみならず、主面２１ａ，３１ａ同士間にも配置されている。接続体１においては、導電性粒子７が第１及び第２の回路電極２２，３２の双方に直接接触している。これにより、第１及び第２の回路電極２２，３２が、導電性粒子７を介して電気的に接続されている。このため、第１の回路電極２２及び第２の回路電極３２間の接続抵抗が十分に低減される。従って、第１及び第２の回路電極２２，３２の間の電流の流れを円滑にすることができ、回路の持つ機能を十分に発揮することができる。なお、接続部１０が導電性粒子７を含有していない場合には、第１の回路電極２２と第２の回路電極３２とが直接接触することで、電気的に接続される。

接続部１０は、後述するように上記接着剤組成物からなる回路接続材料の硬化物により構成されていることから、第１の回路部材２０及び第２の回路部材３０に対する接続部１０の接着力が高いにもかかわらず、回路電極の位置ずれが生じた場合、十分にリペア可能である。

（回路部材の接続方法）
図２は、本発明に係る回路部材の接続方法の一実施形態を概略断面図により示す工程図である。

本実施形態では、先ず、上述した第１の回路部材２０と、フィルム状の回路接続材料４０を用意する。回路接続材料４０は、導電性粒子７を含有する上記接着剤組成物からなる。

なお、導電性粒子７を含有しない接着剤組成物を回路接続材料として用いることもできる。この場合、回路接続材料はＮＣＰ(Non-Conductive Paste)と呼ばれることもある。導電性粒子７を含有する回路接続材料４０は、ＡＣＰ(AnisotropicConductivePaste)と呼ばれることもある。

回路接続材料４０の厚さは、５〜５０μｍであることが好ましい。回路接続材料４０の厚さが５μｍ未満では、第１及び第２の回路電極２２，３２間に回路接続材料４０が充填不足となる傾向がある。他方、５０μｍを超えると、第１及び第２の回路電極２２，３２間の導通の確保が困難となる傾向がある。

次に、回路接続材料４０を第１の回路部材２０の回路電極２２が形成されている面上に載せる。そして、回路接続材料４０を、図２（ａ）の矢印Ａ及びＢ方向に加圧し、回路接続材料４０を第１の回路部材２０に仮接続する（図２（ｂ））。

このときの圧力は回路部材に損傷を与えない範囲であれば特に制限されないが、一般的には０．１〜３０ＭＰａとすることが好ましい。また、加熱しながら加圧してもよく、加熱温度は回路接続材料４０が実質的に硬化しない温度とする。加熱温度は一般的には５０〜１９０℃にするのが好ましい。これらの加熱及び加圧は０．５〜１２０秒間の範囲で行うことが好ましい。

次いで、図２（ｃ）に示すように、第２の回路部材３０を、第２の回路電極３２を第１の回路部材２０の側に向けるようにして回路接続材料４０上に載せる。なお、回路接続材料４０が支持体（図示せず）上に付着している場合には、支持体を剥離してから第二の回路部材３０をフィルム状回路接続材料４０上に載せる。そして、回路接続材料４０を加熱しながら、図２（ｃ）の矢印Ａ及びＢ方向に全体を加圧する。このときの加熱温度は、ラジカル重合開始剤がラジカルを発生可能な温度とする。これにより、ラジカル重合開始剤においてラジカルが発生し、ラジカル重合性化合物の重合が開始される。

加熱温度は、例えば、９０〜２００℃とし、接続時間は例えば１秒〜１０分とする。これらの条件は、使用する用途、接着剤組成物、回路部材によって適宜選択され、必要に応じて、後硬化を行ってもよい。

回路接続材料４０の加熱により、第１の回路電極２２と第２の回路電極３２との間の距離を十分に小さくした状態で回路接続材料４０が硬化して、第１の回路部材２０と第２の回路部材３０とが接続部１０を介して強固に接続される。

回路接続材料４０の硬化により接着部１０が形成されて、図１に示すような接続体１が得られる。なお、接続の条件は、使用する用途、接着剤組成物、回路部材によって適宜選択される。

本実施形態によれば、得られる接続体１において、導電性粒子７を対向する第１及び第２の回路電極２２，３２の双方に接触させることが可能となり、第１及び第２の回路電極２２，３２間の接続抵抗を十分に低減することができる。そして、接続部１０が上記接着剤組成物からなる回路接続材料の硬化物により構成されていることから、第１及び第２の回路部材２０又は３０に対する接続部１０の接着力が高いにもかかわらず、回路電極の位置ずれが生じた場合、十分にリペアが可能である。

（半導体装置）
図３は、本発明の半導体装置の一実施形態を示す概略断面図である。図３に示すように、本実施形態の半導体装置２は、半導体素子５０と、半導体の支持部材となる基板６０及び基板６０上に設けられた回路パターン６１を有する半導体素子搭載用基板６５を備えている。半導体素子５０及び半導体素子搭載用基板６５の間には、これらを電気的に接続する半導体素子接続部材８０が設けられている。また、半導体素子接続部材８０は基板６０の主面６０ａ上に積層され、半導体素子５０は更にその半導体素子接続部材８０上に積層されている。

基板６０は回路パターン６１を備えており、回路パターン６１は、基板６０の主面６０ａ上で半導体接続部材８０を介して又は直接に半導体素子５０と電気的に接続されている。そして、これらが封止材７０により封止され、半導体装置２が形成される。

半導体素子５０の材料としては特に制限されないが、シリコン、ゲルマニウムの４族の半導体素子、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＳｂ、ＩｎＳｂ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮＡｓＰなどのIII-V族化合物半導体素子、ＨｇＴｅ、ＨｇＣｄＴｅ、ＣｄＭｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳ、ＺｎＳｅ、ＺｅＴｅなどのII-VI族化合物半導体素子、そして、ＣｕＩｎＳｅ（ＣｌＳ）などの種々のものを用いることができる。

半導体素子接続部材８０は、絶縁性物質１１及び導電性粒子７を含有している。導電性粒子７は、半導体素子５０と回路パターン６１との間のみならず、半導体素子５０と主面６０ａとの間にも配置されている。本実施形態の半導体装置２においては、半導体素子５０と回路パターン６１とが、導電性粒子７を介して電気的に接続されている。このため、半導体素子５０及び回路パターン６１間の接続抵抗が十分に低減される。したがって、半導体素子５０及び回路パターン６１間の電流の流れを円滑にすることができ、半導体の有する機能を十分に発揮することができる。また、この導電性粒子７を上述した配合割合とすることによって電気的な接続の異方性を示すことも可能である。

なお、半導体素子接続部材８０が導電性粒子７を含有していない場合には、半導体素子５０と回路パターン６１とを所望の量の電流が流れるように直接接触させるか若しくは十分に近づけることで電気的に接続される。

半導体素子接続部材８０は、上記接着剤組成物を含む接着剤組成物の硬化物により構成されている。このことから、半導体素子５０及び基板６０に対する半導体素子接続部材８０の接着強度が十分に高いにもかかわらず、半導体素子５０と回路パターン６１との位置ずれが生じた場合、十分にリペアが可能である。

次に、本発明の接着剤組成物を使用して相対向する回路基板を実装した素子のリペア方法について説明する。リペア方法の一例としては、以下のように行うことができる。まず、接着剤組成物が存在する実装部分をスポットヒーターやホットプレート等を用いて１５０〜２５０℃で３秒〜１０分間加熱後、一方の回路基板を剥離する。次に、溶剤を染込ませた綿棒や竹串等を使用し、回路電極上及び回路間の接着剤残渣を擦りながら除去する。

使用する溶剤としては、回路基板に悪影響を及ぼさないものであれば公知のものが使用できる。接着剤組成物の溶解性の観点から、溶解性パラメータ（ＳＰ値）が８〜１５のものが好ましい。具体的には、シクロヘキサン（ＳＰ値：８．２）、トルエン（同：８．９）、酢酸エチル（同：９．１）、メチルエチルケトン（同：９．３）、アセトン（同：１０．０）、メタノール（同：１４．５）、エタノール（同：１２．７）、プロパノール（同：１１．５〜１１．９）が挙げられる。これらの溶剤は１種を単独で用いても、２種以上を混合して用いてもよい。

上記のように接着剤残渣を除去した後、再び本発明の接着剤組成物を使用して、回路電極を有する回路基板同士又は半導体素子が再接着可能となる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はこれに制限されるものではない。

以下に、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

（ラジカル重合性化合物（ＲＡ−１）の合成）
撹拌機、温度計、冷却管及び窒素ガス導入管を備えた反応容器に窒素ガスを導入した後、２，５−ジメチル−２，５−ヘキサンジオール（東京化成製）１０．００ｇ（０．０６８モル）、トリエチルアミン（東京化成製）１６．６０ｇ（０．１６４モル）及び４−ジメチルアミノピリジン（東京化成製）２．００ｇ（０．０１６モル）をテトラヒドロフラン１００ｇに反応容器内で溶解し、氷浴にて冷却した。そこへ、アクリロイルクロライド（東京化成製）１４．８５ｇをテトラヒドロフラン２０ｇで希釈した溶液を３０分間かけて滴下した。滴下後、氷冷しながら２時間撹拌し、室温（２５℃）で更に５時間撹拌した。その後、反応系に析出した沈殿を濾別し、テトラヒドロフランを留去し粗成生物を得た。次に、この粗成生物にジエチルエーテル１００ｇを加えて溶解し、蒸留水で２度、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液で２度洗浄した後、ジエチルエーテルを留去し、オイル状の生成物７．７８ｇを得た（収率４５％）。得られた生成物の同定は、^１Ｈ−ＮＭＲ及び^１３Ｃ−ＮＭＲで行い、２つのアクリロイルオキシ基が３級炭素に直接結合したラジカル重合性化合物（ＲＡ−１）であることを確認した。

（熱可塑性樹脂の準備）
フェノキシ樹脂（重量平均分子量４５０００、ユニオンカーバイト社製、商品名：ＰＫＨＣ）４０質量部を、メチルエチルケトン６０質量部に溶解して、固形分４０質量％のフェノキシ樹脂溶液を調整した。また、ポリブチレンアジペートジオール（重量平均分子量２０００）４５０質量部とポリオキシテトラメチレングリコール（重量平均分子量２０００）４５０質量部及び１，４−ブチレングリコール１００質量部をメチルエチルケトン４０００質量部に溶解し、ジフェニルメタンジイソシアネート３９０質量部を加え、７０℃で反応させてウレタン樹脂を得た。得られたウレタン樹脂の重量平均分子量をＧＰＣで測定したところ、１５万であった。

（ラジカル重合性化合物の準備）
ＲＡ−１：上述のとおり合成したラジカル重合性化合物、ＲＡ−２：プロピレングリコール変性ジアクリレート（新中村化学工業株式会社、商品名：ＡＰＧ−４００）、ＲＡ−３：ビスフェノールＡのプロピレングリコール変性ジアクリレート（共栄社株式会社製、商品名：ライトアクリレートＢＰ−４ＰＡ）、ＲＡ−４：１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（新中村化学工業株式会社、商品名：Ａ−ＨＤ）、ＲＡ−５：ビスフェノールＡのエチレングリコール変性ジアクリレート（共栄社株式会社製、商品名：ライトアクリレートＢＰ−４ＥＡ、）、多官能ウレタンアクリレート（日立化成工業株式会社製、商品名：ヒタロイド４８６１）及び２−（メタ）アクリロイロキシエチルホスフェート（共栄社株式会社製、商品名：ライトエステルＰ−２Ｍ）を準備した。

（ラジカル重合開始剤の準備）
ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート（日本油脂株式会社製、商品名：パーヘキシルＯ）を準備した。

（導電性粒子の作製）
ポリスチレン粒子の表面上に、厚み０．２μｍのニッケルからなる層を設け、更にこのニッケルからなる層の表面上に、厚み０．０２μｍの金からなる層を設けた。こうして平均粒径４μｍ及び比重２．５の導電性粒子を作製した。

（実施例１）
上記フェノキシ樹脂溶液８７．５質量部（フェノキシ樹脂を３５質量部含有）に、上記ウレタン樹脂を固形分で１５質量部、ラジカル重合性化合物として、ＲＡ−１を５質量部、ヒタロイド４８６１を４５質量部及びライトエステルＰ−２Ｍを５質量部、ラジカル重合開始剤としてパーヘキシルＯを３質量部配合した。得られた溶液に上述の導電性粒子を配合分散させて、接着剤組成物の溶液を得た。導電性粒子の配合割合は、接着剤組成物の全量に対して１．５体積％であった。

次いで、得られた接着剤組成物の溶液を、厚さ８０μｍのフッ素樹脂フィルムに塗工装置を用いて塗布して塗膜を得た。次にその塗膜を７０℃で１０分間熱風乾燥を行うことにより、厚さが１５μｍのフィルム状回路接続材料を得た。

（実施例２）
ラジカル重合性化合物として、ＲＡ−１を５質量部配合することに代えてＲＡ−２を５質量部配合した以外は実施例１と同様にして、フィルム状回路接続材料を得た。

（実施例３）
ラジカル重合性化合物として、ＲＡ−１を５質量部、ヒタロイド４８６１を４５質量部配合することに代えてＲＡ−３を１０質量部、ヒタロイド４８６１を４０質量部配合した以外は実施例１と同様にして、フィルム状回路接続材料を得た。

（比較例１）
ラジカル重合性化合物として、ＲＡ−１を５質量部、ヒタロイド４８６１を４５質量部配合することに代えて、ＲＡ−１を配合せず、ヒタロイド４８６１を５０質量部配合した以外は実施例１と同様にして、フィルム状回路接続材料を得た。

（比較例２）
ラジカル重合性化合物として、ＲＡ−１を５質量部配合することに代えてＲＡ−４を５質量部配合した以外は実施例１と同様にして、フィルム状回路接続材料を得た。

（比較例３）
ラジカル重合性化合物として、ＲＡ−１を５質量部、ヒタロイド４８６１を４５質量部配合することに代えてＲＡ−５を１０質量部、ヒタロイド４８６１を４０質量部配合した以外は実施例１と同様にして、フィルム状回路接続材料を得た。

上記実施例及び比較例で得られた接着剤組成物の各成分の配合比を、表１に示す。

（接続体の作製）
上記実施例及び比較例で得られたフィルム状回路接続材料を３０ｍｍ×１．５ｍｍに切り出し、ライン幅２５μｍ、ピッチ５０μｍ及び厚み８μｍの銅回路配線を５００本有するフレキシブル回路板（ＦＰＣ基板）と、０．２μｍの酸化インジウム（ＩＴＯ）の薄層を形成したガラス基板（ＩＴＯ基板、厚み１．１ｍｍ、表面抵抗２０Ω／□）を準備した。次に、上記ＦＰＣ基板とＩＴＯ基板との間に、上述のようにして得られたフィルム状回路接続材料を配置した。そして、熱圧着装置（加熱方式：コンスタントヒート型、東レエンジニアリング株式会社製）を用いて、温度１６０℃、圧力３ＭＰａの条件下、それらの積層方向に１０秒間の加熱加圧を行い、接続体を作製した。

（接続抵抗の測定）
得られた接続体の回路間の接続抵抗をマルチメータ（アドバンテスト社製、商品名：ＴＲ６８４８）で測定した。なお、抵抗値は隣接する回路間の抵抗３７点の平均で示した。得られた結果を表２に示す。

（接着強度の測定）
得られた接続体の接着強度をＪＩＳ−Ｚ０２３７に準じて９０度剥離法で測定し、評価した。ここで、接着強度の測定装置はテンシロンＵＴＭ−４（剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎ、２５℃、東洋ボールドウィン株式会社製）を使用した。得られた結果を表２に示す。

（リペア性の評価）
得られた接続体のＦＰＣ基板裏面を下にしてホットプレートにて２００℃、１０秒間加熱した後、ＦＰＣ基板を剥離した。そして、アセトンを染み込ませた綿棒を用い、ＩＴＯ基板に付着した接着剤残渣を擦って、完全に除去するのに要した時間（リペア時間）を測定した。得られた結果を表２に示す。

実施例及び比較例で得られたフィルム状回路接続材料は、いずれも良好な接続抵抗と接着強度を示した。一方、リペア性については、実施例で得られたフィルム状回路接続材料を用いた場合、４５〜６７秒でリペアが完了した。比較例で得られたフィルム状回路接続材料を用いた場合、３００秒以上綿棒で擦っても、完全に接着剤組成物の硬化物を除去することができなかった。以上の結果から、本発明の接着剤組成物を用いることで、良好なリペア性を付与できることが明らかになった。本発明によれば、リペア性に十分優れる接着剤組成物を提供することができる。

本発明に係る接続体の一実施形態を示す概略断面図である。 本発明に係る回路部材接続方法の一実施形態を概略断面図により示す工程図である。 本発明の半導体装置の一実施形態を示す概略断面図である。

符号の説明

１…接続体、２…半導体装置、５…接着剤組成物、７…導電性粒子、１０…接続部、１１…絶縁層、２０…第１の回路部材、２１…第１の回路基板、２１ａ…第１の回路基板主面、２２…第１の回路電極、３０…第２の回路部材、３１…第２の回路基板、３１ａ…第２の回路基板主面、３２…第２の回路電極、４０…回路接続材料、５０…半導体素子、６０…基板、６０ａ…基板主面、６１…回路パターン、６５…半導体素子搭載用基板、７０…封止材、８０…半導体素子接続部材

Claims (6)

1. （ａ）熱可塑性樹脂と、
   （ｂ）２つ以上の（メタ）アクリロイルオキシ基を有するラジカル重合性化合物と、
   （ｃ）ラジカル重合開始剤と、
   を含有する接着剤組成物であって、
   前記熱可塑性樹脂１００質量部に対して、前記ラジカル重合性化合物５〜２５０質量部及び前記ラジカル重合開始剤０．０５〜３０質量部を含有し、
   前記ラジカル重合性化合物が、下記一般式（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）で表される基を有しており、
   

   

   ［式（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）中、Ｒ ^１ は水素原子又はメチル基を示す。］
   一般式（Ａ）で表される基を有する前記ラジカル重合性化合物が、下記一般式（２）、（３）、（４）、（５）、（６）、（７）、（８）、（９）、（１０）、（１８）、（１９）、（２０）又は（２１）で表される化合物を含む、接着剤組成物。
   

   

   ［式（２）中、Ｒ ^１ は水素原子又はメチル基を示し、ｎ _２ 及びｍ _２ はそれぞれ独立に１〜２０の整数を示す。式（３）中、Ｒ ^１ は水素原子又はメチル基を示し、ｎ _３ 及びｍ _３ はそれぞれ独立に１〜２０の整数を示す。］
   

   

   ［式（４）中、Ｒ ^１ は水素原子又はメチル基を示し、ｎ _４ 、ｍ _４ 、ｊ _４ 及びｈ _４ はそれぞれ独立に１〜１０の整数を示す。式（５）中、Ｒ ^１ は、水素原子又はメチル基を示し、ｎ _５ 、ｍ _５ 及びｊ _５ はそれぞれ独立に１〜１０の整数を示し、ａは０〜４の整数を示す。式（６）中、Ｒ ^１ は水素原子又はメチル基を示し、ｎ _６ 、ｍ _６ 及びｊ _６ はそれぞれ独立に１〜１０の整数を示す。］
   

   

   ［式（７）中、Ｒ ^１ は水素原子又はメチル基を示し、ｎ _７ は１〜２０の整数を示す。式（８）中、Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 及びＲ ^３ はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、ｎ _８ 及びｍ _８ はそれぞれ独立に１〜２０の整数を示す。式（９）中、Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 及びＲ ^３ はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、ｎ _９ 及びｍ _９ はそれぞれ独立に１〜２０の整数を示す。式（１０）中、Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 及びＲ ^３ はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、ｎ _１０ 及びｍ _１０ はそれぞれ独立に１〜５の整数を示す。］
   

   

   ［式（１８）中、Ｒ ^１ は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ ^４ は２価の有機基を示し、ｎ _１８ 及びｍ _１８ はそれぞれ独立に１〜２０の整数を示す。］
   

   

   ［式（１９）中、Ｒ ^１ は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ ^５ は２価の有機基を示し、ｎ _１９ 及びｍ _１９ はそれぞれ独立に１〜２０の整数を示す。式（２０）中、Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、Ｒ ^３ は水素原子を示し、ｎ _２０ は１〜２０の整数を示す。式（２１）中、Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 及びＲ ^３ はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、ｎ _２１ 及びｍ _２１ はそれぞれ独立に１〜２０の整数を示す。］
2. （ｄ）リン酸基を有するビニル化合物を、前記熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０．１〜２０質量部含有する、請求項１記載の接着剤組成物。
3. 導電性粒子を更に含有する、請求項１又は２記載の接着剤組成物。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の接着剤組成物からなり、回路電極を有する回路部材同士を、それぞれの回路部材が有する回路電極同士が電気的に接続されるように接着するために用いられる回路接続材料。
5. 対向配置された一対の回路部材と、
   前記一対の回路部材の間に介在しそれぞれの回路部材が有する回路電極同士が電気的に接続されるように当該回路部材同士を接着する接続部材と、
   を備え、
   前記接続部材が、請求項４に記載の回路接続材料の硬化物からなる、接続体。
6. 基板及び該基板上に設けられた回路電極を有する半導体素子搭載用基板と、
   前記半導体素子搭載用基板に半導体素子接続部材を介して搭載され、前記回路電極と電気的に接続された半導体素子と、
   を備え、
   前記半導体素子接続部材が、請求項１〜３のいずれか一項に記載の接着剤組成物の硬化物からなる、半導体装置。

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