KR20140055337A - 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20140055337A
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Abstract

본 발명은, 기판, 및 상기 기판상에 형성된 제1에피택셜층과, 상기 제1에피택셜층상에 형성된 제2에피택셜층, 및 제2에피택셜층상에 형성된 제3에피택셜층을 포함하는 에피택셜 구조체를 포함하되, 상기 에피텍셜 구조체는 n 타입 또는 p타입으로 도핑되고, 상기 제2에피텍셜층은 상기 제1에피택셜층과 경계면에서의 도핑농도와 상기 제3에피택셜층과 경계면에서의 도핑농도가 상이한 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조방법을 개시한다.

Description

에피택셜 웨이퍼 및 그 제조 방법{EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 에피택셜 웨이퍼의 제조에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 웨이퍼의 표면 결함 밀도(surface defect density)가 감소된 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조방법에 관한 것이다.
에피택셜 성장은 통상적으로 화학 기상 증착 프로세스를 포함하며, 단결정 실리콘 웨이퍼와 같은 기판은 기상/액상/고상의 실리콘 복합물이 웨이퍼 표면에 걸쳐 전달되어 열분해 또는 분해에 영향을 미치는 동안 가열된다. 단결정 실리콘 웨이퍼가 기판으로 사용될 때, 실리콘은 단결정 구조의 성장을 지속시키는 방식으로 적층된다. 그 결과, 응집 실리콘 자기 간극 결점 등과 같은 기판 표면 상에 존재하는 결점은 결과적인 에피택셜 웨이퍼의 품질에 직접적으로 영향을 미칠 수 있다. 품질상의 이 영향은, 단결정 구조의 성장을 지속시킴으로써 기판 표면 상에 존재하는 결점이 성장을 계속하여 에피택셜층에서 새로운 결정 결점, 즉 성장 결점이 형성되는 것을 야기할 수 있다. 예컨대, 약 0.1 마이크론 내지 약 10 마이크론 이상의 범위의 에피택셜 스태킹 결점 및 힐록 (hillock)과 같은 표면 결함이 형성될 수 있다.
따라서, 에피택셜 성장 과정에서 이러한 표면 결함 문제가 실질적으로 없는 기판을 제작할 수 있는 방법 및 프로세스가 요구된다.
본 발명은 웨이퍼의 표면 결함 밀도가 감소되어, 특성 및 수율이 향상된 고품질의 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일측면에 따른 에피택셜 웨이퍼는, 기판; 및 상기 기판상에 형성된 제1에피택셜층과, 상기 제1에피택셜층상에 형성된 제2에피택셜층, 및 제2에피택셜층상에 형성된 제3에피택셜층을 포함하는 에피택셜 구조체를 포함하되, 상기 에피텍셜 구조체는 n 타입 또는 p타입으로 도핑되고, 상기 제2에피텍셜층은 상기 제1에피택셜층과 경계면에서의 도핑농도와 상기 제3에피택셜층과 경계면에서의 도핑농도가 상이하게 형성될 수 있다.
본 발명의 일측면에 따른 에피택셜 웨이퍼에서, 상기 제2에피텍셜층의 도핑농도는 상기 제1에피택셜층과의 경계면에서 상기 제3에피택셜층과의 경계면으로 갈수록 변화할 수 있다.
본 발명의 일측면에 따른 에피택셜 웨이퍼에서, 상기 제2에피텍셜층의 도핑농도는 상기 제1에피택셜층과의 경계면에서 상기 제3에피택셜층과의 경계면으로 갈수록 감소할 수 있다.
본 발명의 일측면에 따른 에피택셜 웨이퍼에서, 상기 제3에피택셜층의 표면 결함 밀도는 0.5cm2이하로 형성될 수 있다.
본 발명의 일측면에 따른 에피택셜 웨이퍼에서, 상기 기판은 탄화규소 기판이고, 상기 제 1 내지 제 3 에피택셜층은 탄화규소계로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법은, 챔버 내에 마련된 반도체 웨이퍼 상에 에피택셜 성장을 위한 반응 소스를 주입하여 지정된 제1 성장 온도에서 지정된 제1 성장 속도로 에피택셜층을 지정된 제1 두께만큼 성장시키는 예비 성장 공정; 상기 예비 성장 공정에 연이어 수행되는 중간 성장 공정; 및 상기 중간 성장 공정에 연이어 수행되며, 상기 반도체 웨이퍼 상에 상기 반응 소스를 주입하여 지정된 제2 성장 온도에서 지정된 제2 성장 속도로 상기 에피택셜층을 목표 두께까지 성장시키는 후속 성장 공정을 포함한다.
본 발명의 일 측면에 따른 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법에서, 상기 제1 성장 속도는 상기 제2 성장 속도 보다 저속이고, 상기 중간 성장 공정은 상기 제1 성장 속도로부터 상기 제2 성장 속도까지 성장 속도가 순차적으로 증가되면서 상기 반도체 웨이퍼 상에 상기 반응 소스를 주입하여 상기 에피택셜층을 성장시키는 단계일 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법에서, 상기 제1 성장 온도는 상기 제2 성장 온도 보다 저온일 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법에서, 상기 중간 성장 공정은, 상기 제1 성장 온도로부터 상기 제2 성장 온도까지 성장 온도가 순차적으로 증가되면서, 상기 반도체 웨이퍼 상에 상기 반응 소스를 주입하여 상기 에피택셜층을 성장시키는 단계일 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법에서, 상기 중간 성장 공정은, 상기 제1 성장 속도로부터 상기 제2 성장 속도까지 성장 속도가 선형적으로 또는 계단식으로 증가되면서, 상기 반도체 웨이퍼 상에 상기 반응 소스를 주입하여 상기 에피택셜층을 성장시키는 단계일 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법에서, 상기 반도체 웨이퍼는 탄화규소 웨이퍼이고, 상기 반응 소스는 탄소 및 규소를 포함하는 고상, 액상 또는 기상의 물질일 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법에서, 상기 제2 성장 온도는 1500 ℃ ~ 1700 ℃ 범위에서 설정되고, 상기 제1 성장 온도는 1400 ℃ ~ 1500 ℃ 범위에서 설정되며, 상기 제2 성장 속도는 30 ㎛/h 이상의 속도로 설정되고, 상기 제1 성장 속도는 5 ㎛/h 이하의 속도로 설정되며, 상기 제1 두께는 0.5 ㎛ ~ 1.0 ㎛ 범위에서 설정될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 웨이퍼의 표면 결함 밀도가 감소되어, 특성 및 수율이 향상된 고품질의 에피택셜 웨이퍼를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조 공정을 설명하기 위한 도면이고,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조 방법을 나타낸 순서도이고,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조 방법에서의 성장 조건을 나타낸 예시 도면이고,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 웨이퍼의 개념도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 이를 상세한 설명을 통해 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 본 명세서의 설명 과정에서 이용되는 숫자(예를 들어, 제1, 제2 등)는 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위한 식별기호에 불과하다.
본 발명은, 제조된 에피택셜 웨이퍼의 표면 결함 밀도(surface defect density)를 감소시킬 수 있는 방법을 제공한다. 이러한 에피택셜 웨이퍼의 표면 결함 밀도는 초기에 투입되는 반응 가스의 양(flux), 성장 온도, 압력, 전체 플럭스(flux), C/Si 비율(ratio), Si/H2 비율 등의 변수들에 의해서 달라질 수 있다. 본 발명에서는 이러한 표면 결함 밀도를 0.5/cm2 이하(즉, 1 cm2 당 0.5개 이하의 결함)로 줄이기 위한 방법을 제공하며, 이를 위해 성장 온도, 성장 속도(즉, 투입되는 반응 가스의 양), 예비 성장될 에피택셜층의 두께, C/Si 비율을 제어하는 방법을 이용한다. 이는 이하 첨부된 도면들에 관한 상세한 설명을 통해 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조 공정을 설명하기 위한 도면이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조 방법을 나타낸 순서도이다. 그리고 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조 방법에서의 성장 조건을 나타낸 예시 도면이다.
이하, 도 2의 순서도를 중심으로 도 1 및 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조 방법에 관하여 상세히 설명한다.
도 2를 참조하면, 단계 S210에서 반응 챔버 내에 반도체 웨이퍼(도 1의 도면부호 110 참조)를 마련한 후, 본 발명의 실시예에서는 단계 S220과 같은 예비 성장 공정(도 1의 1st 스텝 참조)을 수행한다.
도 1을 참조할 때 탄화규소 계열의 웨이퍼(4H-SiC 웨이퍼)가 예시되고 있지만, 위 반도체 웨이퍼는 최종 제작하고자 하는 소자, 제품에 따라 이와 상이할 수 있음은 물론이다. 이와 같은 반도체 웨이퍼 상에 특정 재질의 물질을 적층시키는 공정에 앞서, 그 적층 레이어 간의 격자 상수 불일치 문제로 적층 신뢰성을 담보하기 어려운 경우가 많이 발생한다. 이와 같은 문제의 해결을 위해 위 반도체 웨이퍼 상에 에피택셜층(도 1의 도면부호 115 참조)을 적층(성장)시켜 그 에피택셜층이 일종의 버퍼층으로서의 기능을 수행하도록 하는 방식이 많이 이용된다. 그러나 이러한 에피택셜층의 성장 과정에서, 그 표면에 결함이 발생할 수 있으며, 그 표면 결함이 허용치 이상이 되는 경우(일반적으로 표면 결함 밀도가 1/cm2 를 상회하는 경우)에는 제품의 기판으로서 사용하기에 부적합하다. 따라서 본 발명의 실시예에서는 이러한 표면 결함 밀도를 0.5/cm2 이하로 감소시킬 수 있는 방법으로서 도 2의 단계 S220에서와 같은 예비 성장 공정이라는 단계를 두고 있다.
본 발명의 실시예에 의할 때, 예비 성장 공정은, 단계 S240에 의한 후속 성장 공정(도 1의 3rd 스텝 참조)에서의 성장 속도(이하, 제2 성장 속도) 보다 저속인 성장 속도(이하, 제1 성장 속도)로 수행된다. 또한 예비 성장 공정은, 단계 S240에 의한 후속 성장 공정에서의 성장 온도(이하, 제2 성장 온도) 보다 저온인 성장 온도(이하, 제1 성장 온도)에서 수행될 수 있다. 예를 들어, 후속 성장 공정에서의 성장 온도가 1500 ℃ ~ 1700 ℃ 범위에서 설정되는 경우, 예비 성장 공정에서의 성장 온도는 1400 ℃ ~ 1500 ℃ 범위에서 설정될 수 있다.
즉, 예비 성장 공정은, 반응 챔버 내에 에피택셜 성장을 위한 반응 소스를 주입함에 있어서, 상기 제2 성장 온도 보다 저온인 제1 성장 온도에서 상기 제2 성장 속도 보다 저속인 제1 성장 속도로 상기 반도체 웨이퍼 상에 에피택셜층을 성장시키는 공정에 해당한다. 여기서, 반응 소스는 에피택셜층의 피적층 대상인 반도체 웨이퍼의 재질 및 종류에 따라서 상이해진다. 예를 들어, 도 1과 같이 반도체 웨이퍼(110)가 탄화규소 계열의 웨이퍼인 경우, 이와의 격자 상수 일치가 가능한 물질로서, SiH4+C3H8+H2, MTS(CH3SiCl3), TCS(SiHCl3), SixCx 등의 탄소 및 규소를 포함하는 고상, 액상, 기상의 물질이 상기 반응 소스로서 이용될 수 있을 것이다.
이때, 상기 제1 성장 속도는, 예를 들어, 5 ㎛/h 이하의 속도(즉, 시간 당 5 ㎛ 이하의 두께로 에피택셜층이 적층되는 속도)로 설정될 수 있다. 여기서, 성장 속도는 챔버 내에 주입되는 반응 소스의 양(flux)을 조절함으로써 조절 가능하다.
일반적으로 에피택셜 성장을 빠른 성장 속도로 수행하는 경우 에피택셜층의 균일한 적층(성장)이 어려울 수 있다. 따라서 위 예비 성장 공정에서는 소정의 성장 온도를 유지함으로써 반응 소스에 의한 원자 간 이동도를 활발히 하여 고른 성장이 가능한 환경을 마련하되, 그 성장 속도는 낮춤으로써 그 원자들이 반도체 웨이퍼 상에 고르게 분포 및 성장될 수 있는 시간을 부여하는 것이다. 따라서 이러한 예비 성장 공정에 의하면 격자 불일치(lattice mismatch)를 줄여 표면 결함을 크게 줄여줄 수 있다. 따라서 이와 같은 예비 성장 공정은 성장 초기의 격자 불일치에 따른 표면 결함을 줄여 후속 성장 공정을 돕기 위한 사전 공정이므로, 예비 성장 공정에 의해 성장되는 에피택셜층의 두께는 대략 0.5 ㎛ ~ 1 ㎛ 범위 내이면 충분할 수 있다. 여기서, 예비 성장 공정에 의해 성장될 에피택셜층의 두께는, 위 성장 온도 및 속도와 성장 시간(도 3의 t1 참조)의 조절을 통해 조절 가능하다.
위와 같은 예비 성장 공정을 수행한 이후에는, 단계 S240에서와 같은 후속 성장 공정을 수행하기에 앞서, 단계 S230에서와 같은 중간 성장 공정(도 1의 2nd 스텝, 도 3의 t1 ~ t2 참조)을 수행한다. 여기서, 후속 성장 공정은, 앞서 예비 성장 공정에 기반하여 성장된 에피택셜층 위에 본격적으로 에피택셜 성장을 수행하는 공정인 바, 상기 중간 성장 공정은 예비 성장 공정과 후속 성장 공정 간을 자연스럽게 이어주는 중간 지대 역할을 한다. 따라서, 본 발명의 실시예에서, 후속 성장 공정은 상기 중간 성장 공정을 통해서 상술한 예비 성장 공정과 단속되지 않고 연이어 진행될 수 있다. 즉, 예비 성장 공정으로부터 후속 성장 공정에 이르기까지, 반응 소스의 주입을 중단시키지 않는 상태로(성장 공정을 중단하지 않는 상태로) 연속적으로 진행될 수 있다. 이러한 성장 공정의 단속 없는 진행은 다음과 같은 다양한 방식들에 의해 진행될 수 있다.
먼저 도 3의 도면부호 A 에서와 같이, 예비 성장 공정에 의한 제1 성장 속도로부터 후속 성장 공정에 의한 제2 성장 속도까지 그 성장 속도를 선형적으로(비례적으로) 연이어 증가시키면서 진행될 수 있다. 이러한 성장 속도의 선형적 증가는 반응 소스를 지속적으로 증가 주입시키는 방식에 의해 이루어질 수 있다. 또한 이때, 중간 성장 공정은 상술한 성장 속도의 선형적 증가와 아울러, 성장 온도의 선형적(비례적) 증가도 함께 병행될 수 있다.
또 다른 방법으로는, 도 3의 도면부호 B 에서와 같이, 예비 성장 공정에 의한 제1 성장 속도로부터 후속 성장 공정에 의한 제2 성장 속도까지 그 성장 속도를 계단식으로 증가시키면서 진행될 수 있다. 이러한 성장 속도의 계단식 증가는, 반응 소스의 주입을 지속하되 반응 소스의 주입량을 시간 간격을 두고 단속적으로 증가시키는 방식에 의해 이루어질 수 있다. 또한 이때, 성장 온도도 계단식으로 함께 증가시킬 수 있음은 물론이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에서, 중간 성장 공정은, 상기 예비 성장 공정에서의 제1 성장 속도로부터 상기 후속 성장 공정에서의 상기 제2 성장 속도까지 성장 속도를 순차적으로 증가시키면서 상기 반도체 웨이퍼 상에 상기 반응 소스를 주입하여 상기 에피택셜층을 성장시키는 단계에 해당한다.
이러한 중간 성장 공정 이후에는 연이어 후속 성장 공정이 진행된다. 이러한 후속 성장 공정은 예비 성장 공정을 거친 후의 성장 공정이므로 예비 성장 공정에서의 성장 속도에 비해 매우 빠른 속도로 에피택셜 성장을 수행할 수 있다.
예를 들어, 단계 S240에 의한 후속 성장 공정은 도 3에 도시된 바와 같이 30 ㎛/h 이상의 속도로 진행될 수 있다. 또한 이러한 후속 성장 공정에서의 성장 온도(즉, 제2 성장 온도)는 앞서 설명한 바와 같이 예를 들어 1500 ℃ ~ 1700 ℃ 범위에서 설정될 수 있다. 그리고 이러한 후속 성장 공정은 에피택셜층의 전체 두께가 성장시키고자 하는 목표 두께가 될 때까지 수행될 수 있다. 이때, 목표 두께는 에피택셜 웨이퍼의 활용 목적, 용도, 최종 소자, 제품의 성격, 설계치 등에 의해 상이해질 수 있다.
상술한 바와 같이, 예비 성장 공정을 두고 이와 단속되지 않는 후속 성장 공정을 수행하는 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조 방법에 의하면, 종래 기술에 비해 표면 결함 밀도의 감소는 물론, 공정 시간 및 비용을 크게 줄일 수 있는 이점이 있다.
종래의 경우, 본 발명의 실시예에서와 같은 예비 성장 공정을 두고 있지 아니하므로, 표면 결함 밀도 문제를 피하기 위해 8~10 ㎛/h 정도의 낮은 성장 속도로 에피택셜층을 성장시켜 왔으며, 이마저도 50 ㎛ 두께로 과도하게 성장시킨 이후 목표 두께까지 다시 제거(polishing)하는 복잡한 과정을 진행하였다. 이와 달리, 본 발명의 실시예에 의하면, 예비 성장 공정 이후에는 표면 결함 밀도의 문제가 제거되므로 이후 후속 성장 공정에서는 매우 빠른 성장 속도로 성장 과정을 진행할 수 있으며, 별도의 폴리싱 공정도 불필요하므로, 전체 공정 시간 및 비용을 획기적으로 줄일 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 웨이퍼의 개념도이다.
본 발명에 따른 에피택셜 웨이퍼는 기판(100), 및 기판(100)상에 형성된 에피택셜 구조체(200)를 포함한다. 기판(100)은 탄화규소 계열의 웨이퍼일 수 있으며, 이에 대응하여 에피택셜 구조체(200)도 탄화규소계 구조체일 수 있다.
구체적으로 에피택셜 구조체(200)는, 기판 상에 형성된 제1에피택셜층(210)과, 상기 제1에피택셜층상에 형성된 제2에피택셜층(230), 및 제2에피택셜층(230)상에 형성된 제3에피택셜층(220)을 포함한다.
제1에피택셜층(210)은 전술한 예비 성장 공정에 의해 기판(100)상에 형성됨으로써 전압 인가시 누설전류를 잡아주는 역할을 수행한다. 이때, 제1에피택셜층(210)은 1㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.
제3에피택셜층(220)은 전술한 후속 성장 공정에 의해 목표에 맞는 두께로 제조될 수 있으며, 표면 결함밀도는 0.5cm2이하로 제작될 수 있다.
또한, 제1에피택셜층(210)과 제3에피택셜층(220) 사이에는 제2에피택셜층(230)이 형성된다. 이때, 제2에피텍셜층(230)은 제1에피택셜층 경계면(P1)에서의 도핑농도와, 제3에피택셜층 경계면(P2)에서의 도핑농도가 상이하게 제작될 수 있다.
구체적으로, 전술한 예비 성장 공정에서의 성장속도에서 후속 성장 공정의 성장속도로 선형적 또는 단계적으로 성장속도를 증가시키는 경우에는 도핑가스와 반응하는 시간이 줄어들기 때문에, 제2에피텍셜층의 도핑농도는 상기 제1에피택셜층 경계면(P1)에서 상기 제3에피택셜층 경계면(P2)으로 갈수록 감소하게 형성될 수 있다.
그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 성장속도를 반대로 조절함으로써, 제2에피텍셜층의 도핑농도가 상기 제1에피택셜층 경계면(P1)에서 제3에피택셜층 경계면(P2)으로 갈수록 증가하게 형성될 수도 있다.
이때, 제1내지 제3에피택셜층(210 내지230)은 모두 n형 전도성 탄화규소계일 수 있다. 즉, 기판(100)이 탄화규소(SiC)인 경우, 제1 내지 제3에피택셜층(220)은 탄화규소 나이트라이드(SiCN)로 형성될 수 있다.
그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 제1내지 제3에피택셜층(210 내지230)은 모두 p형 전도성 탄화규소계일 수도 있다. 이 경우 제1내지 제3에피택셜층(210 내지230)은 알루미늄 탄화규소 (AlSiC)로 형성될 수 있다.
이러한 에피택셜 웨이퍼는 금속 반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET)에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명에 따른 제2에피택셜층(220)위에 소스 및 드레인을 포함하는 오믹 콘택층을 형성함으로써 금속 반도체 전계 효과 트랜지스터(MESFET)를 제작할 수 있다. 이외에도 다양한 반도체 소자에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 쉽게 이해할 수 있을 것이다.
100: 기판 200: 에피택셜 구조체
210: 제1에피택셜층 220: 제2에피택셜층
230: 제1에피택셜층

Claims (12)

  1. 기판; 및
    상기 기판상에 형성된 제1에피택셜층과, 상기 제1에피택셜층상에 형성된 제2에피택셜층, 및 제2에피택셜층상에 형성된 제3에피택셜층을 포함하는 에피택셜 구조체를 포함하되,
    상기 에피텍셜 구조체는 n 타입 또는 p타입으로 도핑되고, 상기 제2에피텍셜층은 상기 제1에피택셜층과 경계면에서의 도핑농도와 상기 제3에피택셜층과 경계면에서의 도핑농도가 상이한 에피택셜 웨이퍼.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2에피텍셜층의 도핑농도는 상기 제1에피택셜층과의 경계면에서 상기 제3에피택셜층과의 경계면으로 갈수록 변화하는 에피택셜 웨이퍼.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2에피텍셜층의 도핑농도는 상기 제1에피택셜층과의 경계면에서 상기 제3에피택셜층과의 경계면으로 갈수록 감소하는 에피택셜 웨이퍼.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제3에피택셜층의 표면 결함 밀도는 0.5cm2이하인 에피택셜 웨이퍼.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 탄화규소 기판이고, 상기 제 1 내지 제 3 에피택셜층은 탄화규소계로 형성된 에피택셜 웨이퍼.
  6. 챔버 내에 마련된 반도체 웨이퍼 상에 에피택셜 성장을 위한 반응 소스를 주입하여 지정된 제1 성장 온도에서 지정된 제1 성장 속도로 에피택셜층을 지정된 제1 두께만큼 성장시키는 예비 성장 공정;
    상기 예비 성장 공정에 연이어 수행되는 중간 성장 공정; 및
    상기 중간 성장 공정에 연이어 수행되며, 상기 반도체 웨이퍼 상에 상기 반응 소스를 주입하여 지정된 제2 성장 온도에서 지정된 제2 성장 속도로 상기 에피택셜층을 목표 두께까지 성장시키는 후속 성장 공정을 포함하고,
    상기 제1 성장 속도는 상기 제2 성장 속도 보다 저속이고, 상기 중간 성장 공정은 상기 제1 성장 속도보다 크고 상기 제2 성장 속도보다 작은 성장 속도로 상기 반도체 웨이퍼 상에 상기 반응 소스를 주입하여 상기 에피택셜층을 성장시키는 단계인, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 중간 성장 공정의 성장 속도는 상기 제1 성장 속도로부터 상기 제2성장 속도까지 선형적 또는 단계적으로 증가하는 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 성장 온도는 상기 제2 성장 온도보다 저온인, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 중간 성장 공정은, 상기 제1 성장 온도로부터 상기 제2 성장 온도까지 성장 온도가 순차적으로 증가되면서, 상기 반도체 웨이퍼 상에 상기 반응 소스를 주입하여 상기 에피택셜층을 성장시키는 단계인, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 중간 성장 공정은,
    상기 제1 성장 속도로부터 상기 제2 성장 속도까지 성장 속도가 선형적으로 또는 계단식으로 증가되면서, 상기 반도체 웨이퍼 상에 상기 반응 소스를 주입하여 상기 에피택셜층을 성장시키는 단계인, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 탄화규소 웨이퍼이고,
    상기 반응 소스는 탄소 및 규소를 포함하는 고상, 액상 또는 기상의 물질인, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제2 성장 온도는 1500 ℃ ~ 1700 ℃ 범위에서 설정되고, 상기 제1 성장 온도는 1400 ℃ ~ 1500 ℃ 범위에서 설정되며,
    상기 제2 성장 속도는 30 ㎛/h 이상의 속도로 설정되고, 상기 제1 성장 속도는 5 ㎛/h 이하의 속도로 설정되며,
    상기 제1 두께는 0.5 ㎛ ~ 1 ㎛ 범위에서 설정되는, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.
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