KR20140051052A - 기판 주연부를 가공하는 블라스트 가공 장치 및 이 장치를 이용한 블라스트 가공 방법 - Google Patents

기판 주연부를 가공하는 블라스트 가공 장치 및 이 장치를 이용한 블라스트 가공 방법 Download PDF

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KR20140051052A
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가즈요시 마에다
노리히토 시부야
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신토고교 가부시키가이샤
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Abstract

[과제]
종래의 가공 장치 보다도 가공 시간이 짧고, 또한 생산성이 향상한 블라스트 가공 장치 및 블라스트 가공 방법을 제공한다.
[해결 수단]
겉에 박막층이 형성되어 있는 기판(S)에서, 기판 주연부의 박막층을 제거하기 위한 블라스트 가공 장치(10)로서, 상기 기판 주연부를 유삽하는 기판 유삽부(12e)가 형성된 기판 주연부 가공실과, 상기 기판 주연부 가공실의 내부에 선단이 삽입하여 배치되며, 상기 기판 유삽부(12e)에 유삽된 상기 기판 주연부에 대해서 분사재를 분사하는 노즐(N)과, 상기 노즐(N)에 연통하고, 해당 노즐(N)의 상측에 배치된 분사재 공급 기구(18)와, 상기 기판 주연부 가공실에 연통된 집진 기구를 구비하는 기판 주연부 가공 기구(12)와, 상기 기판이 재치되어 해당 기판을 상기 노즐(N)에 대해서 상대적으로 수평 이동하고, 또한 상기 기판(S)을 회전시키는 기구를 구비한 기판 이동 회전 기구(17)와, 상기 기판(S)을 상기 기판 이동 회전 기구(17)의 초기 정지 위치의 상측으로 반송하는 기판 반송 기구(14)와, 상기 기판 반송 기구(14)를 하강시켜, 상기 기판을 기판 이동 회전 기구(17)에 전치하기 위한 승강 기구(15)를 구비하는 것을 특징으로 하는 블라스트 가공 장치(10).

Description

기판 주연부를 가공하는 블라스트 가공 장치 및 이 장치를 이용한 블라스트 가공 방법{BLAST PROCESSING EQUIPMENT FOR PROCESSING SUBSTRATE PERIPHERAL PORTION AND BLAST PROCESSING METHOD BY USING THE EQUIPMENT}
본 발명은, 기재(基材)의 표면에 박막층이 형성되어 있는 기판에서의, 해당 기판 주연부(周緣部)의 박막층을 제거하기 위한 가공 장치인 블라스트(blast) 가공 장치, 및 이 블라스트 가공 장치를 이용한 기판의 가공 방법에 관한 것이다.
기재의 표면에 박막층을 형성할 때, 기판 주연부(周緣部)에서는 박막층의 두께가 중간부에 비해 두껍게 되어 있는 것이나, 박막층이 이면(裏面)까지 도달하고 있는 경우가 있다.
박막 태양전지 패널을 예로 설명한다. 박막 태양전지 패널은, 투명 전극층, 반도체층, 금속층 등이 적층되어 있는 박막층이, 유리 등의 투광성 기판의 표면에 형성되어 있다. 적층 공정은 예를 들면 기상(氣相) 반응에 의해서 행해지지만, 그 때 상기 박막층이 주연부를 통하여 이면까지 도달하고 있는 경우가 있다. 태양전지 모듈은 표면과 이면과의 사이의 절연성이 요구되고 있다. 이에, 블라스트 가공 기술을 이용하여 박막 태양전지 패널의 주연부의 박막층을 제거함으로써, 상기 절연성을 향상시키기 위한 장치가 본원 발명자들에 의해 제안되고 있다.
[특허 문헌 1] WO 2011／152073호 팜플렛
특허 문헌 1에 기재된 장치는, 태양전지 패널의 주연부의 박막층을 제거할 수 있다. 그러나, 환경 부하가 적은 발전력으로서 태양전지의 설치가 급해지는 가운데, 생산성을 더 향상할 수 있는 가공 장치가 요구되고 있다.
본 발명은, 겉에 박막층이 형성되어 있는 기판에서, 기판 주연부(周緣部)의 박막층을 제거하기 위한 블라스트(blast) 가공 장치로서, 상기 기판 주연부를 유삽(遊揷)하는 기판 유삽부가 형성된 기판 주연부 가공실과, 상기 기판 주연부 가공실의 내부에 선단이 삽입하여 배치되며, 상기 기판 유삽부에 유삽된 상기 기판 주연부에 대해서 분사재(噴射材)를 분사하는 노즐과, 상기 노즐에 연통하고, 해당 노즐의 상측에 배치된 분사재 공급 기구와, 상기 기판 주연부 가공실에 연통된 집진 기구를 구비하는 기판 주연부 가공 기구와, 상기 기판이 재치(載置)되며 해당 기판을 상기 노즐에 대해서 상대적으로 수평 이동하고, 또한 상기 기판을 회전시키는 기구를 구비한 기판 이동 회전 기구와, 상기 기판을 상기 기판 이동 회전 기구의 초기 정지 위치의 상측으로 반송하는 기판 반송 기구와, 상기 기판 반송 기구를 하강시켜, 상기 기판을 기판 이동 회전 기구에 전치(轉置)하기 위한 승강 기구를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 블라스트 가공 장치는, 기판을 노즐에 대해서 상대적으로 수평 이동시키는 기판 이동 회전 기구가 종래의 가공 장치(이하의 설명에서,「종래의 가공 장치」는, 특별히 말이 없는 한, 특허 문헌 1의 가공 장치를 가리킴)에 비해 낮은 위치에 배치되어 있다. 즉, 종래의 가공 장치와 비교하여 기판 이동 회전 기구의 중심이 낮게 되므로, 생산성을 향상시키기 위해서 기판의 수평 이동의 속도를 상승시킨 경우에도, 진동하지 않고 안정적으로 이동할 수 있다. 이상과 같이, 본 발명에 의해서, 가공 속도를 빠르게 한 경우에도 안정적으로 블라스트 가공을 행할 수 있고, 기판 주연부의 박막층을 제거할 수 있다.
또, 본 발명의 블라스트 가공 장치는, 상기 노즐이, 해당 노즐 내부에서 발생한 흡인력에 의해 분사재를 흡인하는 구조의 노즐인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 블라스트 가공 장치는, 종래의 가공 장치에 비해 노즐이 낮은 위치에 배치되어 있으므로, 노즐과 분사재 공급 기구와의 거리가 길게 되므로, 분사재를 흡인하는 흡인력이 작게 된다. 즉, 상대적으로 고기 이상류(固氣 二相流, 고체기체의 이상류)를 분사 노즐로부터 분사하는 분사력이 크게 되므로, 가공 능력이 향상한다.
또, 본 발명의 블라스트 가공 장치에서, 상기 노즐은, 압축 공기를 분사하는 공기 노즐과, 분사재를 공급하는 분사재 공급 경로가 마련되고, 또한 내부에 상기 공급 경로와 연통한 혼합실이 마련된 노즐 홀더와, 상기 혼합실과 연통하여 상기 공기 노즐의 연장 방향으로 마련된 분사 노즐을 구비한, 상기 혼합실 내에서 발생한 흡인력에 의해 분사재를 흡인하는 구조의 노즐인 것을 특징으로 해도 좋다.
본 발명의 구조의 노즐은, 공기 노즐로부터 분사된 압축 공기에 의해 노즐 홀더 내의 혼합실 내에 부압(負壓)이 발생하고, 이 부압에 의해 분사재를 혼합실로 흡인하여, 해당 혼합실에서 고기 이상류를 형성하고, 이 고기 이상류를 분사 노즐로부터 분사하는 구조이다. 이 노즐은, 분사재를 연속하여 분사할 수 있으므로, 생산성이 좋다.
또, 본 발명에 기재된 블라스트 가공 장치에서, 상기 분사재 공급 기구는, 미리 설정된 양의 분사재를 상기 노즐에 연속하여 공급하기 위한 정량 공급 기구를 더 구비해도 괜찮다. 이것으로 안정한 블라스트 가공을 할 수 있으므로, 가공 부족에 의한 불량품이 발생하지 않는다.
또, 본 발명에 기재된 블라스트 가공 장치에서, 상기 기판 주연부 가공 기구에 인접되는 클리닝 기구를 구비해도 괜찮다.
이것으로, 기판 주연부 가공 기구로 흡인하지 못해 기판 표면에 분사재가 부착해 있었다고 해도, 상기 클리닝 기구로 제거할 수 있다.
또, 본 발명에 기재된 블라스트 가공 장치에서의, 상기 클리닝 기구는, 상기 기판의 표면에 접촉하지 않고 대향하여 배치되며, 하단이 개구한 케이싱과, 상기 케이싱의 내부에 선단이 삽입하여 배치되며, 상기 기판을 향해서 압축 공기를 분사하는 클리닝 노즐과, 상기 케이싱에 마련되며, 집진 기구와 연통되는 흡인 부재를 구비해도 괜찮다. 상술한 클리닝 노즐로부터 분사된 압축 공기에 의해, 기판 표면에 부착한 분사재를 포함하는 미세 분말이 박리한다. 박리한 미세 분말은, 케이싱 내의 공간에 부유한다. 흡인 부재는 흡인 기구와 연결되어 있으며, 케이싱 내의 공간은 해당 흡인 기구에 의해서 흡인되어 있다. 이것에 의해, 기판 표면에 부착(잔류)한 분사재를 제거할 수 있다.
또, 본 발명에 기재된 블라스트 가공 장치에서, 상기 기판 주연부 가공 기구와 상기 기판 이동 회전 기구와 상기 기판 반송 기구를 외측에서 감싸는 케이스를 더 구비해도 괜찮다. 상기 기판 반송 기구는, 상기 기판을 상기 케이스 내로 반입하는 기능과, 상기 기판 주연부의 박막층을 제거한 후의 기판을 상기 케이스의 외부로 반출하는 기능을 더 구비해도 괜찮다. 이것으로 종래의 가공 장치에 비해 기판 반송 기구가 적게 되므로, 장치를 저비용으로 제조할 수 있다.
또, 본 발명에 기재된 블라스트 가공 장치에서, 상기 기판 이동 회전 기구의 상측으로 반송된 기판을 소정의 위치에서 정지시키기 위한 위치 결정 기구를 구비해도 괜찮다. 이와 같은 위치 결정 기구에 의해서, 상기 기판을 정밀도 좋게 가공할 수 있다.
또, 본 발명에 기재된 블라스트 가공 장치에서, 상기 기판 주연부 가공 기구를 한 쌍 구비하며, 해당 기판 주연부 가공 기구는 각각의 상기 기판 유삽부를 서로 마주보게 하여 소정의 간격을 두고 배치되어도 괜찮다. 상기 기판의 서로 평행하게 대향하는 두 변의 기판 주연부를 동시에 가공할 수 있으므로, 가공 시간을 단축할 수 있다.
또, 본 발명에 기재된 블라스트 가공 장치에서, 상기 기판의 표면에 대향하여 배치되며, 하단이 개구한 비산(飛散) 방지 커버와, 상기 비산 방지 커버의 내부에 선단이 삽입하여 배치되며, 상기 기판 주연부 이외의 부분에 대해서 분사재를 분사하는 노즐과, 상기 비산 방지 커버에 마련되며, 상기 집진 기구와 연결되는 흡인 부재를 구비하는 기판 중간부 가공 기구가 배치되어도 괜찮다. 비산 방지 커버와 집진 기구와는 흡인 부재에 의해서, 연통되어 있다. 노즐로부터 분사된 분사재에 의해, 기판 주연부 이외의 개소(기판 중간부)의 박막층이 제거된다. 분사재나 미립자(제거된 박막층이나 기판과의 충돌에 의해 재사용할 수 없는 크기로 된 분사재)라고 하는 분진은, 비산 방지 커버 내에서, 집진 기구로 흡인된다. 이와 같이, 이 기판 중간부 가공 기구에 의해서 기판의 내측의 박막층을 제거할 수 있다. 해당 기판 중간부 가공 기구에 의해서 제거된 부분의 중심으로부터 해당 기판을 절단함으로써, 주연부가 제거된 기판을 복수매 얻을 수 있다.
또, 본 발명에 기재된 블라스트 가공 장치에서, 상기 블라스트 가공 장치에 의해 가공하는 기판이, 투광성 기재(유리나 수지(예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지) 등)의 평면 상에 박막 태양전지 패널을 형성하는데 필요한 박막층(투명 전극층, 광 반도체층, 금속층 등)이 적층된 박막 태양전지 패널이라도 괜찮다. 본 발명의 블라스트 가공 장치에 의해서, 표면과 이면과의 절연 특성이 뛰어난 태양전지 패널을 얻을 수 있다.
또, 본 발명은 블라스트 가공 장치에 의한 기판 주연부의 박막층을 제거하기 위한 블라스트 가공 방법으로서, 상기 기판을 상기 기판 반송 기구에 의해서 상기 기판 이동 회전 기구의 상측으로 반송하는 공정과, 상기 기판 이동 회전 기구의 상측으로 반송된 기판을 소정의 위치에서 정지시키기 위한 위치 결정 공정과, 상기 기판 반송 기구를 하강하여 상기 기판을 상기 기판 이동 회전 기구에 전치함과 아울러 해당 기판을 기판 이동 회전 기구에 고정하는 공정과, 상기 기판 이동 회전 기구를 수평 이동하여 상기 기판 주연부 중 적어도 하나의 변을 상기 기판 주연부 가공 기구의 기판 유삽부에 유삽하는 공정과, 상기 기판 이동 회전 기구를 더 수평 이동시키면서 상기 노즐로부터 분사재를 분사하여, 상기 기판 유삽부에 유삽된 상기 기판 주연부의 박막층을 제거함과 아울러, 해당 분사재를 상기 집진 기구로 흡인하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명에 기재된 블라스트 가공 방법에서, 상기 기판 주연부 중 적어도 하나의 변의 박막층을 제거한 후에, 해당 기판을 상기 기판 이동 회전 기구에 의해서 90도 회전시키는 공정과, 상기 기판 이동 회전 기구를 이동하여 상기 기판의 박막층이 제거된 주연부의 변에 인접된 적어도 하나의 변을 상기 기판 유삽부에 각각 유삽하는 공정과, 상기 기판 이동 회전 기구를 더 수평 이동하면서 상기 노즐로부터 분사재를 분사하여, 해당 기판 유삽부에 유삽된 주연부의 박막층을 제거함과 아울러, 해당 분사재를 상기 집진 기구로 흡인하는 공정을 더 포함해도 괜찮다.
본 발명의 블라스트 가공 방법에 의해, 기판을 노즐에 대해서 상대적으로 수평 이동시키는 기판 이동 회전 기구가 종래의 가공 장치 보다 낮은 위치에 배치되어 있다. 즉, 기판 이동 회전 기구의 중심이 낮게 되므로, 생산성을 향상시키기 위해서 기판의 수평 이동의 속도를 상승시킨 경우에도, 진동하지 않고 안정적으로 이동할 수 있다. 이상과 같이, 본 발명에 의해서, 가공 속도를 빠르게 한 경우라도 안정적으로 블라스트 가공을 행할 수 있고, 기판 주연부의 박막층을 제거할 수 있다.
또, 본 발명은 블라스트 가공 장치에 의한 기판 주연부의 박막층을 제거하기 위한 블라스트 가공 방법으로서, 상기 기판을 상기 기판 이동 회전 기구의 상측으로 반송하는 공정과, 상기 기판 반송 기구에 의해서 기판 이동 회전 기구의 상측으로 반송된 기판을 소정의 위치에서 정지시키기 위한 위치 결정 공정과, 상기 기판 반송 기구를 하강하여 상기 기판을 상기 기판 이동 회전 기구에 전치함과 아울러 해당 기판을 기판 이동 회전 기구에 고정하는 공정과, 상기 기판 이동 회전 기구를 수평 이동하여 상기 기판의 대향하는 주연부로서의 제1 가공변을 상기 기판 유삽부에 각각 유삽하는 공정과, 상기 기판 이동 회전 기구를 더 수평 이동하면서 상기 노즐로부터 분사재를 분사하여, 상기 제1 가공변의 박막층을 제거함과 아울러, 상기 기판 주연부 가공 기구의 내부에서 발생한 분진을 상기 집진 기구로 흡인하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또, 상기 제1 가공변의 박막층이 제거된 기판을 상기 기판 이동 회전 기구에 의해서 90도 회전시키는 공정과, 상기 기판 이동 회전 기구를 수평 이동하여 제1 가공변에 인접하는 제2 가공변을 상기 기판 주연부 가공 기구의 기판 유삽부에 각각 유삽하는 공정과, 상기 기판 이동 회전 기구를 더 수평 이동하면서 상기 노즐로부터 분사재를 분사하여, 상기 제2 가공변의 박막층을 제거함과 아울러, 상기 기판 주연부 가공 기구의 내부에서 발생한 분진을 상기 집진 기구로 흡인하는 공정을 더 포함해도 괜찮다. 대향하는 평행한 두 변의 주연부의 불필요한 박막층을 동시에 제거할 수 있으므로, 단시간에 기판 주연부의 박막층을 제거할 수 있다.
본 발명에 의해서, 종래의 가공 장치 보다도 가공 시간이 짧고, 또한 생산성이 향상한 블라스트 가공 장치 및 블라스트 가공 방법을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태를 설명하는 설명도이다. 도 1의 (A)는 평면 단면도, 도 1의 (B)는 정면 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에서의 기판 주연부 가공 기구를 나타내는 설명도이다. 도 2의 (A)는 측면도, 도 2의 (B)는 평면도, 도 2의 (C)는 기판 주연부 가공 기구의 구성을 설명하기 위한 모식도, 도 2의 (D)는 도 2의 (B)의 종단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에서의 노즐을 나타내는 설명도이다. 도 3의 (A)는 정면도, 도 3의 (B)는 도 3의 (A)에서의 A－A단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에서의 클리닝 기구를 설명하는 정면 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태에서의, 기판을 가공하는 공정을 설명하기 위한 설명도이다. 도 5의 (A)는 공정 1을, 도 5의 (B)는 공정 2를 나타내는 정면 방향으로부터의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시 형태에서의, 기판을 가공하는 공정을 설명하기 위한 설명도이다. 도 6의 (A)는 공정 3을, 도 6의 (B)는 공정 4를 나타내는 정면 방향으로부터의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시 형태에서의, 기판을 가공하는 공정을 설명하기 위한 설명도이다. 도 7의 (A)는 공정 5를, 도 7의 (B)는 공정 6을 나타내는 정면 방향으로부터의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시 형태에서의, 기판 중간부 가공 기구를 나타내는 설명도이다. 도 8의 (A)는 기판 중간부 가공 기구를 설명하는 정면 단면도, 도 8의 (B)는 기판 중간부 가공 기구를 배치한 블라스트 가공 장치를 설명하는 평면 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시 형태의 블라스트 가공 장치에 의해 가공한 기판의 상태를 설명하는 설명도이다.
본 발명의 블라스트 가공 장치의 일례를, 도면을 참조하여 설명한다. 또, 실시 형태의 설명에서의「상하 좌우 방향」은 특별히 말이 없는 한 도면 내의 방향을 가리킨다.
제1 실시 형태의 블라스트 가공 장치(10)는, 도 1의 (A) 및 도 1의 (B)에 나타내는 바와 같이, 한 쌍의 기판 주연부 가공 유니트(U)와, 기판 반송 기구(14)와, 승강 기구(15)와, 위치 결정 기구(16)와, 기판 이동 회전 기구(17)와, 분사재 공급 기구(18)와, 이들을 외측에서 감싸는 케이스(11)와, 이들 기구 등의 동작을 제어하는 제어 수단(도시하지 않음)을 구비한다. 기판 주연부 가공 유니트(U)는, 기판 주연부 가공 기구(12)와, 해당 기판 주연부 가공 기구(12)의 좌우(기판(S)의 진행 방향)에 인접된 클리닝 기구(13)로 이루어진다. 또, 케이스(11)에는, 기판(S)을 블라스트 가공 장치(10) 내로 반입하기 위한 개구부인 기판 반입구(11a)와, 블라스트 가공이 완료한 기판(S)을 블라스트 가공 장치(10)로부터 반출하기 위한 개구부인 기판 반출구(11b)가 동일 도면의 상부 및 하부의 벽면에 각각 형성되어 있다.
기판 주연부 가공 기구(12)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 저면이 개방되어 있는 상자체인 상부 케이싱(12a)과, 상면이 개방되어 있으며, 상단부로부터 하측을 향해 횡단면의 단면적이 축소하는 중공의 하부 케이싱(12b)과, 상기 하부 케이싱(12b)의 저부에 연결된 중공의 흡인 부재(12c)와, 상기 상부 케이싱(12a)과 상기 하부 케이싱(12b)을 간격을 두고 연결하기 위한 스페이서(12d)를 구비하는 기판 주연부 가공실, 및 기판(S)을 향해서 분사재를 분사하는 노즐(N)을 구비한다. 상부 케이싱(12a)의 하단면과 하부 케이싱(12b)의 상단면은 동일 형상이며, 이간하여 배치되어 있다.
상부 케이싱(12a)의 하단 및 하부 케이싱(12b)의 상단에는, コ자 모양으로 대략 동일 형상의 플랜지부(F1, F2)가 각각 마련되어 있다. 또, 상기 스페이서(12d)의 상단면 및 하단면은 상기 플랜지부(F1, F2)와 대략 동일 형상이다. 상기 플랜지부(F1, F2)를, 상기 스페이서(12d)를 매개로 하여 연결함으로써, 상부 케이싱(12a)과 하부 케이싱(12b)을 연결함과 아울러, 기판(S)의 주연부를 유삽(遊揷, 이동 가능하게 삽입)하는 기판 유삽부(12e)가 형성된다. 상기 기판 유삽부(12e)의 간격(도 2의 (A)에서의 상하 방향의 길이)은, 기판(S)이 유삽되었을 때에, 기판(S)과 개구단(開口端)과의 사이에 적어도 상하 방향에서의 적당한 정도의 틈이 형성되도록 선택할 필요가 있다. 즉, 기판(S)과 기판 유삽부가 접촉하지 않도록 한다. 틈이 너무 작으면, 기판(S)이 개구단과 접촉하여, 기판(S)이 손상할 우려가 있다. 틈이 너무 크면, 외기를 흡인하는 풍속이 작게 되므로, 분진(노즐(N)로부터 분사된 분사재 및 분사재가 기판(S)에 충돌함으로써 생긴 기판(S)의 절삭 가루 등의 미립자)을 충분히 흡인할 수 없다. 그 결과, 해당 분진이 기판 주연부 가공 기구(12)의 외부로 누출한다. 상기 기판 유삽부(12e)의 간격은 스페이서(12d)의 두께에 의해서 결정되므로, 기판(S)의 두께에 따라 해당 스페이서(12d)의 두께를 적절히 선택할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 기판(S)의 표면 및 이면과 상기 기판 유삽부(12e)의 단면과의 간격이 1.0 ~ 5.0mm가 되도록 스페이서를 선택했다.
노즐(N)은, 하단인 분사구가 상기 상부 케이싱(12a)의 내부에 삽입하여 고정되어 있다. 또, 흡인 부재(12c)에는 기판 주연부 가공 기구(12)의 내부에서 발생한 분진을 흡인하여 회수하기 위한 집진 기구(도시하지 않음)가 연결되어 있다. 분진은, 흡인 부재(12c)를 통하여 상기 집진 기구에 의해 흡인되어 회수된다. 상기 집진 기구의 흡인력에 의해, 상기 기판 유삽부(12e)로부터 외기가 흡인되므로, 해당 기판 유삽부(12e)의 근방에는, 외부로부터 내부를 향해 흐르는 기류가 생기고 있다. 이것에 의해, 분진이 해당 기판 유삽부(12e)로부터 기판 주연부 가공 기구(12)의 외부로 누출하지 않는다.
노즐(N)의 분사구의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 직사각형으로 하여 기판(S)의 가공변에 대해서 장변(長邊)이 직교하도록 배치함으로써, 가공 영역(M)의 폭을 넓게 할 수 있다. 기판 주연부 가공 기구(12)의 내부에서는, 흡인 부재(12c)의 방향을 향해서 흐르는 기류가 발생하고 있으므로, 노즐(N)로부터의 분사재의 분사 방향이 기판 주연부측을 향하도록 경사지게 함으로써 분진을 효율 좋게 흡인 부재(12c)로부터 흡인할 수 있다. 이 각도는, 노즐(N)의 중심선이 기판(S)에 대해 30 ~ 70도로 하면 좋다. 노즐(N)을 경사지게 배치하는 경우, 노즐(N)을 경사지게 고정할 수 있는 부재를 마련하면 좋다. 예를 들면 도 2에 나타내는 바와 같이 소정의 각도의 경사면을 가지는 삼각 기둥 형상의 노즐 고정 부재(12f)나, 오각형 등의 다각형 고정 부재 등을 이용해도 괜찮다.
노즐(N)의 구조는 특별히 한정되지 않지만, 노즐(N)의 내부에서 발생한 부압에 의해서 분사재를 흡인함과 아울러 내부에서 압축 공기와 혼합하여, 고기 이상류(固氣 二相流)로 하여 분사구로부터 분사하는 구조로 하면 좋다. 구체예로서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 노즐(N)에 압축 공기를 도입(導入)하기 위한 공기 노즐(Na)과, 분사재를 고기 이상류로 하여 분사하기 위한 분사 노즐(Nb)과, 상기 공기 노즐(Na)을 상단에서 삽입하여 끼워 맞추며, 상기 분사 노즐(Nb)이 하단에 연결되는 노즐 홀더(Nc)를 구비한다. 공기 노즐(Na)은 양단이 개구된 중공 형상이며, 압축 공기가 흐르는 방향(도 3의 하측)을 향해 내경이 작게 되어 있다. 분사 노즐(Nb)은 상단으로부터 하단을 향해서 동일 형상의 유로 단면이 마련되어 있다. 노즐 홀더(Nc)의 내부에는, 혼합실(Ne)과 해당 혼합실(Ne)에 연통한 분사재 공급 경로(공급 포트, Nd)가 마련되어 있는 구성이라도 좋다.
분사재 공급 경로(Nd)는, 노즐(N)의 상측에 배치된 분사재 공급 기구(18)와 호스(H)를 매개로 하여 연결되어 있다. 분사재 공급 기구(18)는, 분사재를 저장하는 호퍼(18a)와, 해당 호퍼로부터 소정량을 연속하여 취출(잘라내어 반출)하기 위한 정량 공급 기구(18b)를 구비한다. 호퍼(18a)만으로 소정량의 분사재를 안정적으로 취출할 수 있으면, 정량 공급 기구(18b)는 마련하지 않아도 좋다. 정량 공급 기구(18b)는, 테이블 피더(feeder)나 스크루 피더(screw feeder) 등, 공지의 방법으로부터 선택해도 괜찮다. 본 실시 형태에서는, 스크루 피더를 이용했다.
상기 공기 노즐(Na)의 상단에는 압축 공기 공급 기구(도시하지 않음)가 호스(도시하지 않음)를 매개로 하여 연결되어 있다. 해당 압축 공기 공급 기구를 작동시켜 노즐(N)의 내부의 공간인 혼합실(Ne)에 압축 공기를 분사하면, 혼합실(Ne)에서 부압이 발생한다. 노즐(N)의 상측에 배치된 상기 분사재 공급 기구(18)로부터 취출된 분사재는, 상기 부압에 의해서 분사재 공급 경로(Nd)를 통과하여, 혼합실(Ne)로 흡인된다. 흡인된 분사재는, 해당 혼합실(Ne)에서 압축 공기와 혼합되며, 고기 이상류로서 분사 노즐(Nb)로부터 분사된다.
분사 노즐(Nb)의 하단인 분사구(噴射口)의 형상은 원형이라도 직사각형이라도 좋다. 본 실시 형태에서는, 분사구의 형상을 장방형(長方形)으로 하고, 장변(長邊)이 가공변에 대해서 직교하는 방향에 위치하도록 배치했다. 이것에 의해, 넓은 폭을 가공할 수 있다.
분사재를 가압 탱크에 저장하고, 해당 가압 탱크를 가압함으로써 분사재를 노즐에 공급하는 기구인 블라스트 가공 장치(이른바 가압식)에서는, 연속하여 블라스트 가공을 행할 수 있는 시간은 가압 탱크의 용량에 의해 제한된다. 이것에 대해, 본 실시 형태의 노즐(N)을 사용한 블라스트 가공 장치는, 전술의 가압 탱크를 필요로 하지 않고, 분사재를 대기압 하에서 저장하여 노즐(N)에 공급할 수 있다. 분사된 분사재는, 후술한 바와 같이 분리 기구에서의 분리를 거침으로써 재차 사용(분사)할 수 있다. 즉, 분사재는 순환하여 분사할 수 있으므로, 연속하여 블라스트 가공을 행할 수 있다. 또, 상기 분사재 공급 기구(18)에 의해서 소정량의 분사재를 안정적으로 계속 공급할 수 있으므로, 안정된 블라스트 가공을 행할 수 있다. 또, 본 실시 형태에서는 노즐(N)을 종래의 블라스트 가공 장치 보다 낮은 위치에 배치할 수 있으므로, 종래의 블라스트 가공 장치에 비해 가공 능력이 높다. 공기 노즐(Na)로부터 노즐(N)의 내부로 공급된 압축 공기의 압력은, 분사 노즐(Nb)로부터의 분사력과 분사재의 흡인력의 발생력으로 분해된다. 분사재 공급 기구(18)를 노즐(N)의 상측에 배치하고, 또한 해당 분사재 공급 기구(18)와 노즐(N)과의 거리를 길게 하면, 분사재의 흡인력이 작게 된다. 그 결과, 분사 노즐(Nb)로부터의 분사력이 증대하므로, 가공 능력이 높게 된다.
불필요한 박막층을 양호하게 제거할 수 있고, 또한 그것 이외의 부분의 박막층을 손상시키지 않도록, 분사재 및 분사 압력을 선택한다. 분사재는, 일반적으로 블라스트 가공에 이용하는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 세라믹스계의 연마 입자나 그리드(grid, 알루미나계, 탄화규소계, 지르코니아계 등), 금속계의 샷(shot)이나 컷 와이어(cut wire)나 그리드(철계, 스테인리스계, 비철계 등), 유리계의 비즈(beads) 또는 분말, 수지계의 샷(나일론 수지, 멜라민 수지, 요소 수지 등), 식물계의 샷(호두, 복숭아, 살구 등)으로부터 선택할 수 있다. 또, 분사재의 입자 지름은, 맥동 등이 없이 안정적으로 노즐(N)로부터 분사할 수 있으면 좋고, 예를 들면 0.01 ~ 0.6mm, 바람직하게는 0.02 ~ 0.06mm의 범위로부터 선택할 수 있다. 분사 압력은, 0.2 ~ 0.8MPa, 바람직하게는 0.3 ~ 0.6MPa의 범위로부터 선택할 수 있다.
이 기판 주연부 가공 기구(12)를, 기판(S)의 대향하는 두 변(도 1의 (A)에서의 상하의 변)이 유삽되도록, 2대 배치했다. 구체적으로는, 기판 주연부 가공 기구(12)의 기판 유삽부(12e)가 서로 마주보도록 배치했다. 기판 주연부 가공 기구(12)에는, 기판(S)의 치수에 맞추어, 기판 주연부 가공 기구(12)끼리의 간격을 조정하기 위한 간격 조정 기구(도시하지 않음)가 연결되어 있고, 해당 간격 조정 기구에 의해서 기판 주연부 가공 기구(12)를 도 1의 (A)에서의 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
기판 주연부 가공 기구(12)에 연결된 클리닝 기구(13)에 대해서, 도 4를 이용하여 더 설명한다. 도 4에서는, 기판(S)의 진행 방향은 좌우 방향이다. 클리닝 기구(13)는, 하단이 개구된 상자체인 케이싱(13a)과, 천장면의 중앙부에 배치된 클리닝 노즐(13b)과, 양단이 개구된 원통 형상의 흡인 부재(13c)를 구비한다. 클리닝 노즐(13b)은 상기 압축 공기 공급 기구와 연결되어 있으며, 하단(선단)인 분사구가 상기 케이싱(13a)의 내부에 삽입하여 고정되어 있다. 상기 흡인 부재(13c)는, 그 일단이 상기 클리닝 노즐(13b)의 좌우(즉, 기판(S)의 진행 방향)에 위치하도록 상기 케이싱(13a)의 천장면에 연결되어 있으며, 타단이 집진 기구에 호스를 매개로 하여 연결되어 있다. 이것에 의해, 상기 케이싱(13a)의 내측 공간과 집진 기구와는 연통하고 있다.
클리닝 기구(13)는, 기판(S)이 하측을 통과할 때에, 케이싱(13a)의 하단과 해당 기판(S)과의 사이에 적당한 틈이 형성되도록 배치되어 있다. 분진이 부착된 기판(S)이 클리닝 기구(13)의 하측을 통과할 때, 압축 공기를 클리닝 노즐(13b)로부터 해당 기판(S)을 향해서 내뿜어서 분진을 기판(S)의 표면으로부터 이탈시켜 날라 올라가게함과 아울러, 이 분진을 흡인 부재(13c)로부터 흡인함으로써, 기판(S) 표면의 분진을 제거한다. 케이싱(13a)의 하단부 근방에서는, 케이싱(13a)과 기판(S)과의 사이에 마련된 틈으로부터 외기가 흡인되므로, 해당 케이싱(13a)의 외측으로부터 내측을 향해서 흐르는 기류가 생기고 있다. 이 때문에, 분진이 클리닝 기구(13)의 외부로 누출하지 않는다. 그러나, 케이싱(13a)의 하단과 기판(S)과의 틈이 너무 작으면, 기판(S)이 케이싱(13a)의 하단에 접촉하여, 기판(S)이 손상할 우려가 있다. 간격이 너무 크면, 외기를 흡인하는 풍속이 작게 되므로, 클리닝 기구(13)의 내부에 비산하고 있는 분진을 충분히 흡인할 수 없다. 그 결과, 해당 분진이 상기 클리닝 기구(13)의 외부로 누출한다. 이 때문에, 상기 틈은, 기판(S)이 케이싱(13a)과 접촉하지 않고, 또한 흡인력이 나빠지지 않는 범위에서 설정할 필요가 있다. 본 실시 형태에서는, 기판(S)의 표면과 상기 케이싱(13a)의 하단과의 간격(틈)이 0.5 ~ 4.5mm가 되도록 설정했다.
기판(S)의 표면에 부착한 분진을 효율 좋게 제거하기 위해, 압축 공기와 함께 부착력을 약하게 하는 수단(약간의 수분, 정전(靜電) 제거제, 이온 또는 라디칼(radical) 등)을 클리닝 노즐(13b)로부터 분사해도 괜찮다. 또는, 클리닝 노즐(13b)로부터 고속 펄스 에어를 내뿜어도 괜찮다(초음파 에어 블로우). 본 실시 형태에서는, 초음파 에어 블로우를 이용했다.
클리닝 노즐(13b)의 분사구의 형상은 특별히 한정되지 않고, 원형이나 직사각형 등 적절히 선택해도 괜찮다.
기판 반송 기구(14)는, 서로 등간격으로 평행하게 늘어서 배치된 복수의 반송 롤러(14a)와, 해당 반송 롤러(14a)를 지지하는 가대(架臺, 14b)를 구비한다. 반송 롤러(14a)는, 기판(S)을 반송하기 위한 롤러 부재(14c)와, 해당 롤러 부재(14c)의 회전축이 되는 샤프트(14d)를 구비하고 있다. 롤러 부재(14c)는, 최외부(最外部)에 배치되어 있는 것을 제외하고, 샤프트(14d)의 길이 방향을 따라서 소정의 간격으로 마련되어 있다. 또, 롤러 부재(14c)는 최외부에 배치되어 있는 것을 제외하고, 인접하는 반송 롤러(14a)의 롤러 부재(14c)가 반송 방향(도 1의 (A)에서는 아래 방향)에 대해서 지그재그 모양이 되도록 배치되어 있다. 롤러 부재(14c)를 지그재그 모양으로 배치함으로써, 기판(S)을 반송할 때의 직진성이 향상한다.
각 반송 롤러(14a)의 샤프트(14d)는, 베어링(14e)을 매개로 하여 회전 가능하게 가대(14b)에 지지되어 있다. 또, 상기 샤프트(14d)는 모터 등의 회전 기구(도시하지 않음)에 연결되어 있다. 상기 회전 기구를 회전시킴으로써 반송 롤러(14a)가 회전 구동하므로(도 1의 (A)에서는, 상면이 아래 방향으로 회전), 롤러 부재(14c)에 의해 기판(S)에 반송력을 전달하여 반송할 수 있다.
롤러 부재(14c)에서의, 기판(S)과 맞닿아 해당 기판(S)에 반송력을 전달하는 맞닿음 부재는, 독립 기포 구조의 우레탄 수지를 이용하는 것이 바람직하고, 해당 우레탄 수지의 경도를 JIS－A로 50 ~ 60(JIS　K6253에서 규정) 정도의 경도로 하는 것이 더 바람직하다. 예를 들면 기판(S)이 유리나 수지 등으로 한 손상되기 쉬운 재질인 경우, 만일 분진이 기판(S)과 반송 롤러(14c)와의 사이로 들어가면, 기판(S)을 반송할 때에 상기 분진에 의해서 기판(S)이 손상한다. 전술한 바와 같이, 맞닿음 부재를 독립 기포 구조의 우레탄 수지로 하면, 비록 분진이 기판(S)과 반송 롤러(14c)와의 사이에 들어갔다고 해도, 필요 이상으로 분진이 기판(S)을 누르는 것을 막을 수 있으므로, 기판(S)이 손상하는 것을 막을 수 있다.
가대(14b)에는 승강 기구(15)가 연결되어 있고, 해당 승강 기구(15)에 의해서 반송 롤러(14a)를 승강(도 1의 (A)에서는 지면에 대해서 연직 방향, 도 1의 (B)에서는 상하 방향)시킬 수 있다. 승강 기구는, 유압이나 공기압이나 전기로 구동하는 실린더, 볼 나사나 벨트 등을 구비하는 전동 슬라이더, 래크 피니언 등 공지의 방법으로부터 선택할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 공기압에 의해 구동하는 실린더(에어 실린더)를 사용했다.
위치 결정 기구(16)는, 반송된 기판(S)에 대해, 반송 방향측(도 1의 (A)에서는, 하측)에 배치된 제1 고정 부재(16a)와, 반송 방향측의 변에 인접하는 일방의 변측(邊側, 도 1의 (A)에서는, 좌측)에 배치된 제2 고정 부재(16b)와, 타방의 변(도 1의 (A)에서는, 우측 방향)에 배치된 조정 부재(16c)를 구비한다. 제1 고정 부재(16a)는 기판(S)의 하변(下邊)의 위치를 설정하는 위치에, 제2 고정 부재(16b)는 기판(S)의 좌변(左邊)의 위치를 설정하는 위치에, 각각 고정되어 있다. 조정 부재(16c)는, 전진 기구(16d)가 연결되어 있으며, 해당 전진 기구(16d)에 의해서 도 1의 좌측 방향으로 전진할 수 있다. 기판 반입구(11a)로부터 유삽되어 반송 롤러(14a)의 상면에 접촉한 기판(S)은, 기판 반송 기구(14)에 의해서 도 1의 (A)에서의 하측으로 반송된다. 소정의 위치까지 반송되면, 기판(S)의 하변이 제1 고정 부재(16a)에 충돌하여, 이것에 의해 앞으로 진행되지 않는다. 다음으로, 조정 부재(16c)가 좌측으로 전진하여 기판(S)의 우변(右邊)에 접촉한다. 해당 조정 부재(16c)를 전진시켜 밀어 붙임으로써 기판(S)이 좌측으로 이동하여, 기판(S)의 좌변이 제2 고정 부재(16b)와 접촉한다. 이상의 공정에 의해, 기판(S)은 초기 정지 위치에서 정지하고 있는 후술의 재치 테이블(17a)의 상측에서, 또한 해당 기판(S)의 중심점이 해당 재치 테이블(17a)이 회동하는 축의 연직 방향 연장선상에 위치하도록 위치 결정이 행해진다. 제1 고정 부재(16a), 제2 고정 부재(16b), 조정 부재(16c)는, 기판(S)과 접촉하므로 연질 재료인 것이 바람직하지만, 경도가 너무 낮으면 위치 결정의 정밀도가 나빠지므로, 기판(S)을 손상시키지 않을 정도의 경도로 할 필요가 있다. 본 실시 형태에서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 수지를 사용했다. 또, 전진 기구(16d)는, 유압이나 공기압이나 전기로 구동하는 실린더, 볼 나사나 벨트 등을 구비하는 전동 슬라이더, 래크 피니언 등 공지의 방법으로부터 선택해도 괜찮다. 본 실시 형태에서는, 에어 실린더를 사용했다.
기판 이동 회전 기구(17)는, 기판(S)을 재치함과 아울러 고정하는 재치 테이블(17a)과, 해당 재치 테이블(17a)을 좌우 방향으로 이동시키는 주행 기구(17b)와, 해당 재치 테이블(17a)을 회동시키는 회동 기구(17c)를 구비한다. 재치 테이블(17a)은, 기판(S)을 재치할 수 있고, 또한 주행 기구(17b)에 의해 이동할 때에 기판(S)이 재치 테이블(17a) 상에서 움직이지 않으면 좋기 때문에, 기계적으로 고정하는 구조나 마찰 계수가 높은 시트 등을 배치하는 등, 공지의 방법으로부터 선택할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 진공 펌프 등의 흡인 기구(도시하지 않음)에 접속된 흡착 패드를 평판(平板) 상에 복수 배치하고, 해당 흡착 패드 상에 기판(S)을 재치한 후에 해당 흡인 기구를 기동(起動)시킴으로써, 흡인력에 의해 기판(S)을 해당 흡착 패드 상에 밀착하는 구조로 했다. 또, 재치 테이블(17a)은, 기판(S)이 기판 반송 기구(14)에서 반송되었을 때에는, 반송 롤러(14a)의 하측에 배치되어 있다. 후술한 바와 같이, 재치 테이블(17a)에 기판(S)을 재치시키기 위해서, 반송 롤러(14a)는 하강한다. 따라서, 재치 테이블(17a)은, 반송 롤러(14a)가 하강했을 때에 접촉하지 않도록 구성되어 있다.
주행 기구(17b)는, 기판(S)을 가공하기 위해서, 기판(S)이 재치된 재치 테이블(17a)을 좌우 방향으로 이동시킬 수 있다. 기판(S)이 이동할 때에는, 기판(S)이 기판 주연부 가공 기구(12)의 기판 유삽부(12e)의 단부 및 클리닝 기구(13)의 하단에 접촉하지 않도록 이동시키지 않으면 안된다. 또, 기판(S)을 일정 속도로 이동시키지 않으면, 가공 불균일이 발생하는 원인이 된다. 주행 기구(17b)는, 기판(S)을 도 1의 (B)에서의 상하 방향으로 진동하지 않고, 또한 기판(S)이 기판 주연부 가공 기구(12)를 통과할 때에는 일정한 속도로 좌우 방향으로 이동할 수만 있으면, 그 구조는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 볼 나사나 벨트 등을 구비하는 전동 슬라이더, 래크 피니언, 자주(自走, 스스로 이동) 가능한 대차(臺車) 등 공지의 방법으로부터 선택할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 벨트를 구비한 전동 슬라이더를 사용했다. 또, 초기 정지 위치로부터의 이동의 개시시 및 정지시에 기판(S)에 불필요한 충격이 가해는 경우는, 인버터 등 이동 속도를 조정할 수 있는 것을 사용하여, 개시시 및 정지시의 속도를 제어하는 것이 바람직하다.
회동 기구(17c)는, 도 1의 (A)에서의 재치 테이블(17a)의 상면의 중심을 축으로 하여, 재치 테이블(17a)을 90도 회동시킨다. 또, 재치 테이블(17a)에는 기판(S)이 재치되어 있으므로, 재치 테이블(17a)을 회동시킬 때에 진동이나 원심력이 기판(S)에 강하게 가해지면, 기판(S)의 위치가 재치 테이블(17a)로부터 벗어날 우려가 있다. 이와 같이, 회동 기구(17c)는, 기판(S)에 강한 진동이나 충격력을 주지 않고 회동할 수 있기만 하면 좋고, 구조는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 모터나 실린더 등 공지의 방법으로부터 선택할 수 있다. 또, 회동의 개시시 및 정지시에 기판(S)에 불필요한 충격이 가해지는 경우는, 회전 속도를 조정할 수 있는 것을 사용하여, 개시시 및 정지시의 속도를 제어하는 것이 바람직하다. 이 경우에는 예를 들면, 다이렉트 드라이브 모터, 서보모터(servomotor), 신축 속도가 조정 가능한 실린더(예를 들면, 서보 실린더) 등 공지의 방법으로부터 선택할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 다이렉트 드라이브 모터를 사용했다.
다음으로, 기판(S)의 주연부의 박막층을, 본 실시 형태의 블라스트 가공 장치로 제거하는 공정에 대해서, 도 5 ~ 도 7을 이용하여 더 설명한다. 도 4 ~ 도 6은, 각각 정면 방향으로부터 본 단면도를 나타낸다. 여기에서는, 장방형의 박막 태양전지 패널용 기판을 가공한 경우를 예로 설명한다.
(준비 공정)
상기 제어 수단에, 기판(S)을 양호하게 가공하기 위한 조건(기판(S)의 치수, 기판(S)의 이동 속도, 분사 압력, 주사(走査) 회수, 가공폭 등)을 입력한다. 입력 후, 가공 개시 버튼을 ON으로 함으로써, 입력한 조건으로의 가공이 개시되어, 자동으로 가공이 완료한다. 여기서, 제어 수단은 블라스트 가공 장치(10)의 동작을 입력하여, 제어할 수 있기만 하면 좋으며, 예를 들면 프로그램 가능한 로직 컨트롤러(PLC)나 디지털 시그널 프로세서(DSP) 등의 모션 컨트롤러, 고기능 휴대 단말, 고기능 휴대 전화 등을 이용해도 괜찮다.
(공정 1；반입 공정)
기판 반송 기구(14)가 작동한 후, 기판 반입구(11a)로부터 기판(S)을 유삽한다. 여기에서는, 장변 방향으로부터 유삽한 경우를 예로 설명한다. 기판 반입구(11a)로부터 유삽된 기판(S)은 기판 반송 기구(14)에 의해서 전진한다. 그리고, 제1 고정 부재(16a)에 충돌하여 반송 방향단(方向端)의 위치 결정이 완료한다. 그 후, 조정 부재(16c)가 전진하여, 기판(S)을 좌측으로 이동시킨다. 그 후, 기판(S)의 좌변(左邊)이 제2 고정 부재(16b)에 충돌하여 좌우 방향의 위치 결정이 완료한다. 기판(S)의 위치 결정이 완료하면, 상기 기판 반송 기구(14)가 정지한다. 또한, 제1 고정 부재(16a)는, 가공 완료 후에 기판(S)과 충돌하지 않도록, 해당 제1 고정 부재(16a)끼리의 간격이 해당 기판의 단변(短邊)의 길이 이상이 되도록 배치되어 있다. (도 5의 (A)를 참조)
(공정 2；재치 공정)
승강 기구(15)가 작동하여 기판 반송 기구(14)가 하강한다. 기판(S)의 하측에는 기판 이동 회전 기구(17)의 재치 테이블(17a)이 정지하고 있다(초기 정지 위치). 기판 반송 기구(14)가 재치 테이블(17a) 보다 하측이 되면, 기판(S)은 기판 반송 기구(14)로부터 재치 테이블(17a)에 전치된다. 기판(S)이 재치 테이블(17a)에 전치되면 흡인 기구가 작동하여, 기판(S)이 해당 재치 테이블(17a) 상에 고정된다. 이와 같이 해당 기판(S)은, 서로 대향하는 장변인 제1 가공변이 상하 방향에 위치하고, 또한 기판(S)의 평면 중심이 재치 테이블(17a)이 회동할 때의 축심(軸心)과 일치하도록 재치 테이블(17a) 상에 재치되어, 고정된다. (도 5의 (B)를 참조)
(공정 3；제1 가공변의 가공 공정)
상기 간격 조정 기구가 작동하여 한 쌍의 기판 주연부 가공 유니트(U, 기판 주연부 가공 기구(12) 및 해당 기판 주연부 가공 기구(12)의 좌우에 인접된 클리닝 기구(13))가, 제1 가공변끼리의 간격에 맞추어 도 1의 (A)에서의 상하 방향으로 이동한다. 이것에 의해 기판 주연부 가공 유니트(U)끼리의 간격이 조정된다. 다음으로, 집진 기구가 작동하여, 기판 주연부 가공 기구(12) 내 및 클리닝 기구(13) 내를 흡인한다. 또한, 압축 공기 공급 기구 및 분사재 공급 기구(18)가 작동하여, 노즐(N)로부터 분사재가 분사되고, 클리닝 노즐(13b)로부터 압축 공기가 분사된다. 그 후, 주행 기구(17b)가 작동하여, 재치 테이블(17a)이 우측 방향으로 이동한다. 그리고, 기판(S)의 제1 가공변이 기판 주연부 가공 기구(12)의 기판 유삽부(12e)에 유삽되어, 통과한다. 기판 유삽부(12e)에 유삽된 제1 가공변이 노즐(N)의 하측을 통과함으로써, 상기 제1 가공변의 박막층이 제거된다. 기판 주연부 가공 기구(12)를 통과한 기판(S)의 표면에는, 분진이 흡인하지 못해 잔류하고 있는 경우가 있다. 이 분진은, 기판 주연부 가공 기구(12)의 우측에 인접된 클리닝 기구(13)의 하측을 통과함으로써 제거된다. 또, 이와 같이, 종래의 블라스트 가공 장치에 비해 기판(S)의 중심을 낮게 하여 이동할 수 있으므로, 상하 방향의 진동이 적게 되어, 안정적으로 이동할 수 있다. (도 6의 (A)를 참조)
(공정 4；회동(回動) 공정)
제1 가공변의 전체 길이가 상기 기판 주연부 가공 유니트(U)를 통과하여, 기판(S)이 우측의 소정의 위치(왕로(往路) 정지 위치)까지 나아가면, 주행 기구(17b)의 작동이 정지한다. 정지 후, 제1 가공변에 인접하는 제2 가공변(서로 대향하는 단변)이 상하 방향에 위치하도록, 회동 기구(17c)가 작동하여 기판(S)을 90도 회동시킨다. 또, 상기 간격 조정 기구가 작동하여 상기 한 개의 기판 주연부 가공 유니트(U)가, 도 1의 (A)에서의 아래 방향으로 이동한다. 이것에 의해 기판 주연부 가공 유니트(U)끼리의 간격이 조정된다. (도 6의 (B)를 참조)
(공정 5；제2 가공변의 가공 공정)
주행 기구(17b)가 작동하여, 기판(S) 및 재치 테이블(17a)이 좌측 방향으로 이동한다. 그리고, 상기 제2 가공변이 기판 주연부 가공 기구(12)의 기판 유삽부(12e)에 유삽되어, 통과한다. 기판 유삽부(12e)에 유삽된 제2 가공변이 노즐(N)의 하측을 통과함으로써, 상기 제2 가공변의 박막층이 제거된다. 기판 주연부 가공 기구(12)를 통과한 기판(S)의 표면에는, 분진이 흡인하지 못해 잔류하고 있는 경우가 있다. 이 분진은, 기판 주연부 가공 기구(12)의 좌측에 인접된 클리닝 기구(13)의 하측을 통과함으로써 제거된다. 그리고, 제2 가공변의 전체 길이가 상기 기판 주연부 가공 유니트(U)를 통과하여, 재치 테이블(17a)이 좌측의 소정의 위치(초기 정지 위치)까지 나아가면, 주행 기구(17b)의 작동이 정지한다. (도 7의 (A)를 참조)
(공정 6；반출 공정)
주행 기구(17b)의 작동이 정지한 후, 상기 분사재 공급 기구(18) 및 상기 압축 공기 공급 기구의 작동이 정지하여, 분사재 및 압축 공기의 분사를 정지한다. 그 후, 상기 집진 기구의 작동이 정지한다. 또, 상기 흡인 기구의 작동이 정지하여, 기판(S)의 고정이 해제된다. 다음으로, 승강 기구(15)가 작동하여 기판 반송 기구(14)가 상승하고, 기판(S)이 반송 롤러(14a) 상에 전치된다. 기판 반송 기구(14)가 소정의 위치까지 상승하면, 상기 승강 기구(15)의 작동이 정지한다. 그 후, 상기 회전 기구의 작동에 의해서 기판 반송 기구(14)가 작동하여 기판(S)이 전진한다. 그리고, 기판 반출구(11b)로부터 반출된다. 이와 같이, 기판(S)의 반입 및 반출을 동일한 기판 반송 기구(14)에 의해서 행할 수 있으므로, 종래의 블라스트 가공 장치에 비해, 저비용으로 블라스트 가공 장치를 제조할 수 있다. (도 7의 (B)를 참조)
공정 1 ~ 공정 5를 반복함으로써, 복수매의 기판(S)을 연속하여 가공할 수 있다. 복수매의 기판(S)을 연속하여 가공하는 경우, 공정 5에서 분사재 공급 기구(18), 압축 공기 공급 기구, 집진 기구의 작동을 정지시키지 않아도 좋다.
기판(S)의 박막층이 딱딱한 경우 등, 한 번의 가공으로 불필요한 박막층을 완전히 제거할 수 없는 경우는, 공정 3 ~ 공정 5를 반복함으로써, 주사 회수를 증가시켜도 괜찮다. 주사 회수를 증가시키는 경우, 재차 공정 3을 행하기 전에 회동 기구(17c)를 작동시켜 기판(S)을 90도 회동시켜도 괜찮다.
집진 수단에 흡인되어 회수된 분사재는, 사이클론(cyclone) 등의 분리 기구(도시하지 않음)로 보내어져, 재이용할 수 있는 분사재와 그것 이외의 분말로 분리되며, 재이용할 수 있는 분사재는, 분사재 공급 기구(18)로 보내어져, 재차 노즐(N)로부터 분사된다.
본 실시 형태의 블라스트 가공 장치(10)는, 한 쌍의 기판 주연부 가공 기구(12)를 구비했지만, 원하는 가공 시간에 따라 기판 주연부 가공 기구(12)의 대수를 증감시켜도 괜찮다. 예를 들어, 한 대의 기판 주연부 가공 기구(12)를 배치(예를 들면, 도 1의 (A)에서의 상측에만 배치)한 경우, 주사 회수(공정 3 ~ 공정 5의 실시 회수)를 2회 이상으로 함으로써 가공을 완료할 수 있다. 이 구성에서는, 기판의 가공 시간은 길게 되지만 블라스트 가공 장치의 제조 비용을 저비용으로 할 수 있다. 또, 한 개의 변에 대해서 기판 주연부 가공 기구(12)의 대수를 늘리면, 가공 능력이 향상하므로, 기판(S)의 이동 속도를 빠르게 할 수 있다. 그 결과, 기판(S)의 가공 시간을 짧게 할 수 있으므로, 생산성이 향상한다.
본 실시 형태에서는, 한 대의 기판 주연부 가공 기구(12)에는 한 대의 노즐(N)을 배치했지만, 복수대의 노즐을 배치해도 괜찮다. 노즐의 수를 늘림으로써 가공 능력이 향상하므로, 가공 시간을 짧게 할 수 있다.
[실시예]
제1 실시 형태의 블라스트 가공 장치를 이용하여 기판(S)의 주연부의 불필요한 박막층의 제거를 행한 결과를 실시예로 하여 설명한다. 실시예에서는, 1100mm ×400mm ×두께 3mm인 박막 태양전지 패널을, 제1 실시 형태의 블라스트 가공 장치를 이용하여 표 1의 조건으로 주연부의 불필요한 박막층을 제거했다. 실시예에 이용한 박막 태양전지 패널은, 투광성 기재(본 실시예에서는 유리 기재)의 평면 상에, 박막 태양전지 패널(이후, '패널'이라고 기재함)을 형성하는데 필요한 박막층(투명 전극층이나 광 반도체층이나 금속층 등)이 적층된 것이다. 또, 특허 문헌 1에 기재된 블라스트 가공 장치(종래의 블라스트 가공 장치)를 이용하여, 동일한 가공을 행한 예를 비교예 1, 패널의 이동 속도를 200mm/sec로 하고, 다른 조건은 비교예 1과 동일하게 하여 패널을 가공한 예를 비교예 2로 하여 설명한다. 또한, 목표 가공폭(박막층이 제거되어 있는, 주연단(周緣端)으로부터의 폭)을 16mm로 했다.
[표 1]
Figure pat00001
가공 후의 패널을 주사형 전자현미경(SEM)으로 관찰하여 평가했다. 실시예에서는, 가공 영역(M)에 박막층이 잔류하고 있지 않고, 또 가공 영역(M) 이외의 박막층에 흠은 발견할 수 없었다. 비교예 1에서는, 가공 영역(M)에 박막층이 잔류하고 있었다. 또, 비교예 2에서는, 가공 영역에 박막층이 잔류하고 있지 않고, 또한 가공 영역 이외의 박막층에 흠은 발견할 수 없었다. 이 결과는, 종래의 블라스트 가공 장치에서는, 본 실시 형태의 블라스트 가공 장치와 동일 조건으로는 패널 상의 불필요한 박막층을 충분히 제거할 수 없는, 즉 본 실시 형태의 블라스트 가공 장치는, 종래의 블라스트 가공 장치보다 가공 능력이 높고, 1.25배의 가공 속도로 가공할 수 있는 것을 나타내고 있다.
다음으로, 한 쌍의 기판 주연부 가공 기구(12)의 사이에, 기판 중간부 가공 기구(19) 및 해당 기판 중간부 가공 기구(19)에 인접된 클리닝 기구(13)를 구비하는 기판 중간부 가공 유니트(U')를 배치한 경우를 제2 실시 형태로 하여 설명한다. 여기에서는, 기판 중간부 가공 유니트(U')를 한 쌍의 기판 주연부 가공 유니트(U)의 중앙에 한 대 마련하고, 기판 주연부 가공 유니트(U)와 기판 중간부 가공 유니트(U')에서 동시에 기판(S)을 가공한 경우를 예로 설명한다. 이 구성에 의해, 블라스트 가공 후의 기판(S)은, 제1 가공변, 제2 가공변, 및 제1 가공변 및 제2 가공변에 대향하도록 그들 변끼리의 사이에 형성된 변에 가공 영역(M)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 기판 중간부 가공 기구(19)에 의해서 형성된 가공 영역(M)의 중앙을 절단함으로써, 주연부의 불필요한 박막층이 제거된 네 매의 기판(S')을 얻을 수 있다. 또한, 제2 실시 형태의 블라스트 가공 장치는 기판 중간부 가공 유니트를 배치한 점만 다르므로, 여기에서는 제1 실시 형태와의 차이점에 대해서만 설명한다.
기판 중간부 가공 기구(19)는, 도 8의 (A)에 나타내는 바와 같이, 하단이 개구된 상자체인 비산 방지 커버(19a)와, 천장면의 중앙부에 배치된 노즐(19b)과, 양단이 개구된 원통 형상의 흡인 부재(19c)를 구비한다. 노즐(19b)은, 하단인 분사구가 상기 비산 방지 커버(19a)의 내부에 위치하도록 고정되어 있고, 또 분사재 공급 기구(18) 및 압축 공기 공급 기구와 연결되어 있다. 상기 흡인 부재(19c)는 노즐(19b)의 좌우(즉, 기판(S)의 진행 방향)에 위치하도록 상기 비산 방지 커버(19a)의 천장면에 연결되어 있으며, 타단이 집진 기구에 호스를 매개로 하여 연결되어 있다. 이것에 의해, 상기 비산 방지 커버(19a) 내측의 공간과 집진 기구와는 연통하고 있다. 또한, 상기 비산 방지 커버(19a)의 횡단면 형상은 특별히 한정되지 않고, 사각형 등의 다각형이라도 원형이라도 좋다.
노즐(19b)은, 상기 노즐(N)과 동일한 구조로 하는 것이 바람직하다. 단, 노즐(19b)의 분사구의 폭은, 상기 노즐(N)의 분사구의 폭 보다 넓게 하는 것이 바람직하다. 전술한 바와 같이, 가공 후의 기판(S)은, 기판 중간부 가공 기구(19)에 의해서 가공된 가공 영역(M)의 중앙을 절단하기 때문에, 기판 중간부 가공 기구(19)에 의한 가공 영역의 폭은 제1 가공변 및 제2 가공변의 가공폭 보다 넓게 하는 것이 바람직하다. 예를 들면 기판 중간부 가공 기구(19)에 의한 가공 영역(M)의 폭이 제1 가공변 및 제2 가공변의 폭의 2배 정도가 되도록, 노즐(19b)의 분사구의 폭을 선택한다. 노즐(19b)은, 기판(S)의 표면에 접촉하지 않고, 해당 표면에 대향하여 배치되어 있다.
기판 중간부 가공 기구(19)는, 기판(S)이 하측을 통과할 때에, 비산 방지 커버(19a)의 하단과 해당 기판(S)과의 사이에 적당한 틈이 형성되도록 배치되어 있다. 즉, 비산 방지 커버(19a)의 하단과 기판(S)과는 접촉하지 않도록 배치되어 있다. 비산 방지 커버(19a)의 하단부 근방에서는, 비산 방지 커버(19a)와 기판(S)과의 사이에 마련된 틈으로부터 외기가 흡인되므로, 해당 비산 방지 커버(19a)의 외측으로부터 내측을 향해서 흐르는 기류가 생기고 있다. 이 때문에, 분진이 기판 중간부 가공 기구(19)의 외부로 누출하지 않는다. 그러나, 비산 방지 커버(19a)의 하단과 기판(S)과의 간격이 너무 작으면, 기판(S)이 비산 방지 커버(19a)의 하단에 접촉하여 손상할 우려가 있다. 간격이 너무 크면, 외기를 흡인하는 풍속이 작게 되므로, 기판 중간부 가공 기구(19)의 내부에 비산하고 있는 분진을 충분히 흡인할 수 없다. 그 결과, 해당 분진이 상기 기판 중간부 가공 기구(19)의 외부로 누출한다. 상기 틈이 너무 좁으면, 기판(S)이 비산 방지 커버(19a)의 하단에 접촉하여 손상할 우려가 있다. 이 때문에, 상기 틈은, 기판(S)이 비산 방지 커버(19a)와 접촉하지 않고, 또한 흡인력이 나빠지지 않는 범위에서 설정할 필요가 있다. 제2 실시 형태에서는, 기판(S)의 표면과 상기 비산 방지 커버(19a)의 하단과의 간격(틈)이 1.0 ~ 5.0mm가 되도록 설정했다.
기판 중간부 가공 기구(19)의 좌우에는, 기판 주연부 가공 기구(12)와 마찬가지로 상기 클리닝 기구(13)를 인접시켰다. 기판 중간부 가공 기구(19)를 통과한 기판(S)의 표면에 분진이 부착하고 있는 경우, 해당 클리닝 기구(13)에 의해서, 이 분진을 제거할 수 있다.
기판 중간부 가공 기구(19) 및 해당 기판 중간부 가공 기구(19)에 인접된 클리닝 기구(13)를 구비하는 기판 중간부 가공 유니트(U')를, 도 8의 (B)에 나타내는 바와 같이, 한 쌍의 기판 주연부 가공 유니트(U)끼리의 중앙에 위치하도록 배치했다. 그리고, 상기 제1 실시 형태에 기재된 공정 1 ~ 공정 6에 따라서 기판을 가공할 때에, 기판 중간부 가공 유니트(U')의 비산 방지 커버(19a)와 클리닝 기구(13)와의 내부를 상기 집진 기구로 흡인함과 아울러, 상기 노즐(19b)로부터 분사재를, 상기 클리닝 노즐(13b)로부터 압축 공기를, 각각 분사하여 기판(S)을 가공한다. 이 가공에 의해서, 4변의 주연부 및 그들 변의 중앙에 위치하고, 4변에 대향하는 2직선의 불필요한 박막층을 제거하는 가공이 완료한다(도 9의 (A) 참조). 가공이 완료한 후, 기판 중간부 가공 기구(19)에 의해서 가공된 가공 영역의 중앙을 절단함으로써, 주연부의 불필요한 박막층이 제거된 4매의 기판(S')을 얻을 수 있는(도 9의 (B) 참조).
기판 중간부 가공 기구(19)는, 복수 배치해도 괜찮다. 예를 들면 한 쌍의 기판 주연부 가공 유니트(U)의 사이에 2대의 기판 중간부 가공 기구(19)를 배치하고, 동일한 가공을 행함으로써 도 9의 (C)에 나타내는 바와 같은 기판(S)을 얻을 수 있다. 또, 기판 중간부 가공 기구(19)의 대수에 관계없이, 공정 3 또는 공정 5 중 어느 하나의 경우만, 기판 중간부 가공 기구(19)로도 가공을 행함으로써, 도 9의 (D)에 나타내는 바와 같은 기판(S)을 얻을 수 있다(도 9의 (D)에서는, 공정 5일 때에만 기판 중간부 가공 기구(19)의 노즐(19b)로부터 분사재를 분사하여 가공했다).
실시예에서는, 박막 태양전지 패널의 가공에 대해서 설명했지만, 기판 주연부의 불필요한 박막층을 제거하는 용도이면, 박막 태양전지 패널에 한정하지 않고 본 발명의 블라스트 가공 장치를 매우 적합하게 이용할 수 있다.
10 : 블라스트 가공 장치 11 : 케이스
11a : 기판 반입구　 11b : 기판 반출구
12 : 기판 주연부 가공 기구　 12a : 상부 케이싱　
12b : 하부 케이싱 12c : 흡인 부재
12d : 스페이서　 12e : 기판 유삽부
12f : 노즐 고정 부재 13 : 클리닝 기구　
13a : 케이싱 13b : 클리닝 노즐
13c : 흡인 부재 14 : 기판 반송 기구
14a : 반송 롤러 14b : 가대
14c : 롤러 부재 14d : 샤프트
14e : 베어링 15 : 승강 기구
16 : 위치 결정 기구 16a : 제1 고정 부재
16b : 제2 고정 부재 16c : 조정 부재
16d : 조정 기구 17 : 기판 이동 회전 기구
17a : 재치 테이블 17b : 주행 기구
17c : 회동 기구 18 : 분사재 공급 기구
18a : 호퍼 18b : 정량 공급 기구
19 : 기판 중간부 가공 기구 19a : 비산 방지 커버
19b : 노즐 19c : 흡인 부재
F1, F2 : 플랜지부 H : 호스
M : 가공 영역 N : 노즐
S : 기판 S' :(절단 후의) 기판
U : 기판 주연부 가공 유니트 U' : 기판 중간부 가공 유니트

Claims (15)

  1. 겉에 박막층이 형성되어 있는 기판에서, 기판 주연부(周緣部)의 박막층을 제거하기 위한 블라스트(blast) 가공 장치로서,
    상기 기판 주연부를 유삽(遊揷)하는 기판 유삽부가 형성된 기판 주연부 가공실과, 상기 기판 주연부 가공실의 내부에 선단이 삽입하여 배치되며, 상기 기판 유삽부에 유삽된 상기 기판 주연부에 대해서 분사재(噴射材)를 분사하는 노즐과, 상기 노즐에 연통하고, 해당 노즐의 상측에 배치된 분사재 공급 기구와, 상기 기판 주연부 가공실에 연통된 집진 기구를 구비하는 기판 주연부 가공 기구와,
    상기 기판이 재치(載置)되며 해당 기판을 상기 노즐에 대해서 상대적으로 수평 이동하고, 또한 상기 기판을 회전시키는 기구를 구비한 기판 이동 회전 기구와,
    상기 기판을 상기 기판 이동 회전 기구의 초기 정지 위치의 상측으로 반송하는 기판 반송 기구와,
    상기 기판 반송 기구를 하강시켜, 상기 기판을 기판 이동 회전 기구에 전치(轉置)하기 위한 승강 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 블라스트 가공 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 노즐은, 해당 노즐 내부에서 발생한 흡인력에 의해 분사재를 흡인하는 구조의 노즐인 것을 특징으로 하는 블라스트 가공 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 노즐은, 압축 공기를 분사하는 공기 노즐과, 분사재를 공급하는 분사재 공급 경로가 마련되고, 또한 내부에 상기 공급 경로와 연통한 혼합실이 마련된 노즐 홀더와, 상기 혼합실과 연통하여 상기 공기 노즐의 연장 방향으로 마련된 분사 노즐을 구비한, 상기 혼합실 내에서 발생한 흡인력에 의해 분사재를 흡인하는 구조의 노즐인 것을 특징으로 하는 블라스트 가공 장치.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나에 있어서,
    상기 분사재 공급 기구는, 미리 설정된 양의 분사재를 상기 노즐에 연속하여 공급하기 위한 정량 공급 기구를 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 블라스트 가공 장치.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 하나에 있어서,
    상기 기판 주연부 가공 기구에 인접되는 클리닝 기구를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 블라스트 가공 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 클리닝 기구는, 상기 기판의 표면에 대향하도록 배치되며, 하단이 개구한 케이싱과, 상기 케이싱의 내부에 선단이 삽입하여 배치되며, 상기 기판을 향해서 압축 공기를 분사하는 클리닝 노즐과, 상기 케이싱에 마련되며, 집진 기구와 연통되는 흡인 부재를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 블라스트 가공 장치.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나에 있어서,
    상기 기판 주연부 가공 기구와 상기 기판 이동 회전 기구와 상기 기판 반송 기구를 외측에서 감싸는 케이스를 더 구비하며,
    상기 기판 반송 기구는, 상기 기판을 상기 케이스 내로 반입하는 기능과, 상기 기판 주연부의 박막층을 제거한 후의 기판을 상기 케이스의 외부로 반출하는 기능을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 블라스트 가공 장치.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나에 있어서,
    상기 기판 이동 회전 기구의 상측으로 반송된 기판을 소정의 위치에서 정지시키기 위한 위치 결정 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 블라스트 가공 장치.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 하나에 있어서,
    상기 기판 주연부 가공 기구를 한 쌍 구비하며, 해당 기판 주연부 가공 기구는 각각의 상기 기판 유삽부를 서로 마주보게 하여 소정의 간격을 두고 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 블라스트 가공 장치.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 하나에 있어서,
    상기 기판의 표면에 대향하도록 배치되며, 하단이 개구한 비산(飛散) 방지 커버와, 상기 비산 방지 커버의 내부에 선단이 삽입하여 배치되며, 상기 기판 주연부 이외의 부분에 대해서 분사재를 분사하는 노즐과, 상기 비산 방지 커버에 마련되며, 상기 집진 기구와 연결되는 흡인 부재를 구비하는 기판 중간부 가공 기구가 더 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 블라스트 가공 장치.
  11. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 하나에 있어서,
    상기 블라스트 가공 장치에 의해 가공하는 기판이, 투광성 기재의 평면 상에 박막 태양전지 패널을 형성하기 위한 박막층이 적층된 박막 태양전지 패널인 것을 특징으로 하는 블라스트 가공 장치.
  12. 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 하나에 기재된 블라스트 가공 장치에 의한 상기 기판 주연부의 박막층을 제거하기 위한 블라스트 가공 방법으로서,
    상기 기판을 상기 기판 반송 기구에 의해서 상기 기판 이동 회전 기구의 상측으로 반송하는 공정과,
    상기 기판 이동 회전 기구의 상측으로 반송된 기판을 소정의 위치에서 정지시키기 위한 위치 결정 공정과,
    상기 기판 반송 기구를 하강하여 상기 기판을 상기 기판 이동 회전 기구에 전치함과 아울러 해당 기판을 기판 이동 회전 기구에 고정하는 공정과,
    상기 기판 이동 회전 기구를 수평 이동하여 상기 기판 주연부 중 적어도 하나의 변을 상기 기판 주연부 가공 기구의 기판 유삽부에 유삽하는 공정과,
    상기 기판 이동 회전 기구를 더 수평 이동시키면서 상기 노즐로부터 분사재를 분사하여, 상기 기판 유삽부에 유삽된 상기 기판 주연부의 박막층을 제거함과 아울러, 해당 분사재를 상기 집진 기구로 흡인하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 블라스트 가공 방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 기판 주연부 중 적어도 하나의 변의 박막층을 제거한 후에, 해당 기판을 상기 기판 이동 회전 기구에 의해서 90도 회전시키는 공정과,
    상기 기판 이동 회전 기구를 이동하여 상기 기판의 박막층이 제거된 주연부의 변에 인접된 적어도 하나의 변을 상기 기판 유삽부에 유삽하는 공정과,
    상기 기판 이동 회전 기구를 더 수평 이동하면서 상기 노즐로부터 분사재를 분사하여, 해당 기판 유삽부에 유삽된 주연부의 박막층을 제거함과 아울러, 해당 분사재를 상기 집진 기구로 흡인하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블라스트 가공 방법.
  14. 청구항 10에 기재된 블라스트 가공 장치에 의한 상기 기판 주연부의 박막층을 제거하기 위한 블라스트 가공 방법으로서,
    상기 기판을 상기 기판 이동 회전 기구의 상측으로 반송하는 공정과,
    상기 기판 반송 기구에 의해서 기판 이동 회전 기구의 상측으로 반송된 기판을 소정의 위치에서 정지시키기 위한 위치 결정 공정과,
    상기 기판 반송 기구를 하강하여 상기 기판을 상기 기판 이동 회전 기구에 전치함과 아울러 해당 기판을 기판 이동 회전 기구에 고정하는 공정과,
    상기 기판 이동 회전 기구를 수평 이동하여 상기 기판의 대향하는 주연부로서의 제1 가공변을 상기 기판 유삽부에 각각 유삽하는 공정과,
    상기 기판 이동 회전 기구를 더 수평 이동하면서 상기 노즐로부터 분사재를 분사하여, 상기 제1 가공변의 박막층을 제거함과 아울러, 상기 기판 주연부 가공 기구의 내부에서 발생한 분진을 상기 집진 기구로 흡인하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 블라스트 가공 방법.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 제1 가공변의 박막층이 제거된 기판을 상기 기판 이동 회전 기구에 의해서 90도 회전시키는 공정과,
    상기 기판 이동 회전 기구를 수평 이동하여 제1 가공변에 인접하는 제2 가공변을 상기 기판 주연부 가공 기구의 기판 유삽부에 각각 유삽하는 공정과,
    상기 기판 이동 회전 기구를 더 수평 이동하면서 상기 노즐로부터 분사재를 분사하여, 상기 제2 가공변의 박막층을 제거함과 아울러, 상기 기판 주연부 가공 기구의 내부에서 발생한 분진을 상기 집진 기구로 흡인하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블라스트 가공 방법.
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