KR20140050247A - 발광 소자 및 발광 소자 패키지 - Google Patents

발광 소자 및 발광 소자 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20140050247A
KR20140050247A KR1020120116371A KR20120116371A KR20140050247A KR 20140050247 A KR20140050247 A KR 20140050247A KR 1020120116371 A KR1020120116371 A KR 1020120116371A KR 20120116371 A KR20120116371 A KR 20120116371A KR 20140050247 A KR20140050247 A KR 20140050247A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
electron blocking
semiconductor layer
type dopant
Prior art date
Application number
KR1020120116371A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101976455B1 (ko
Inventor
최은실
오정탁
정명훈
송기영
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020120116371A priority Critical patent/KR101976455B1/ko
Priority to EP13187924.9A priority patent/EP2722897B1/en
Priority to TW102136737A priority patent/TWI548115B/zh
Priority to CN201310487827.5A priority patent/CN103779466B/zh
Priority to JP2013217270A priority patent/JP5739967B2/ja
Priority to US14/057,193 priority patent/US9190571B2/en
Publication of KR20140050247A publication Critical patent/KR20140050247A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101976455B1 publication Critical patent/KR101976455B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen characterised by the doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

발광 소자는 제1 도전형 도펀트를 포함하는 제1 반도체층과, 제1 반도체층 상에 배치된 활성층과, 활성층 상에 배치된 전자 차단층과, 활성층과 전자 차단층 사이에 배치된 캐리어 주입층과, 전자 차단층 상에 배치되고 제2 도전형 도펀트를 포함하는 반도체층을 포함한다. 캐리어 주입층은 제1 도전형 도펀트와 제2 도전형 도펀트를 포함하고, 캐리어 주입층에서 제1 도전형 도펀트는 적어도 제2 도전형 도펀트의 농도보다 낮다.

Description

발광 소자 및 발광 소자 패키지{Light emitting device and light emitting device package}
실시예는 발광 소자에 관한 것이다.
실시예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 소자를 구비한 발광 소자 패키지에 대한 연구가 활발하게 진행 중이다.
발광 소자는 예컨대 반도체 물질로 형성되어 전기 에너지를 빛으로 변환하여 주는 반도체 발광 소자 또는 반도체 발광 다이오드이다.
반도체 발광 소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 반도체 발광 소자로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다.
반도체 발광 소자는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.
실시예는 정공의 주입을 늘려 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자를 제공한다.
실시예는 정공의 정공을 농도를 늘려 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자를 제공한다.
실시예에 따르면, 발광 소자는, 제1 도전형 도펀트를 포함하는 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 상에 배치된 활성층; 상기 활성층 상에 배치된 전자 차단층; 상기 활성층과 상기 전자 차단층 사이에 배치된 캐리어 주입층; 및 상기 전자 차단층 상에 배치되고 제2 도전형 도펀트를 포함하는 제2 반도체층을 포함한다. 상기 캐리어 주입층은 상기 제1 도전형 도펀트와 상기 제2 도전형 도펀트를 포함하고, 상기 캐리어 주입층에서 상기 제1 도전형 도펀트는 적어도 상기 제2 도전형 도펀트의 농도보다 낮다.
실시예에 따르면, 발광 소자는, 제1 도전형 도펀트를 포함하는 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 상에 배치된 활성층; 상기 활성층 상에 배치된 전자 차단층; 상기 활성층과 상기 전자 차단층 사이에 배치된 캐리어 주입층; 및 상기 전자 차단층 상에 배치되고 제2 도전형 도펀트를 포함하는 제2 반도체층을 포함한다. 상기 캐리어 주입층은, 상기 제2 도전형 도펀트를 포함하는 제3 반도체층; 상기 제3 반도체층 상에 배치되고 언도프트된 제4 반도체층; 및 상기 제4 반도체층 상에 배치되고 상기 제2 도전형 도펀트를 포함하는 제5 반도체층을 포함한다.
실시예에 따르면, 발광 소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체 상에 배치된 제1 및 제2 리드 전극; 상기 몸체, 상기 제1 및 제2 리드 전극 중 어느 하나의 위에 배치되는 발광 소자; 및 상기 발광 소자를 포위하는 몰딩 부재를 포함한다.
실시예는 활성층과 전자 차단층 사이에 p형 도펀트와 n형 도펀트를 포함하는 캐리어 주입층이 형성되어, n형 도펀트가 p형 도펀트를 구속시켜 주어 정공이 활성층으로 용이하게 주입되도록 하여 줌으로써, 발광 효율이 향상될 수 있다.
실시예는 활성층과 전자 차단층 사이에 정공을 생성하는 캐리어 주입층이 형성되어, 제2 도전형 반도체층뿐만 아니라 캐리어 주입층에서도 정공을 생성하여 주어 전체적으로 정공의 농도를 증가시켜 주어 발광 효율이 향상될 수 있다.
실시예는 활성층과 전자 차단층 사이에 정공을 생성하는 적어도 하나 이상의 반도체층과 막질을 향상시키기 위한 언도프트된 반도체층으로 이루어지는 캐리어 주입층을 형성하여 줌으로써, 보다 많은 정공을 생성하여 줄 수 있을 뿐만 아니라 캐리어 주입층 이후에 성장되는 반도체층, 예컨대 제2 도전형 반도체층의 막질이 향상되어 발광 효율이 향상될 수 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자에서 전자 차단층을 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자의 에너지 밴드 다이어그램을 도시한 도면이다.
도 4는 도 1의 발광 소자의 캐리어 주입층에서 캐리어 주입을 도시한 도면이다.
도 5는 제2 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 6은 도 5의 발광 소자의 에너지 밴드 다이어그램을 도시한 도면이다.
도 7은 도 5의 발광 소자의 캐리어 주입층에서 캐리어 주입을 도시한 도면이다.
도 8은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.
발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)는 두개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되거나 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 배치되어 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광 소자(1)는 기판(10), 제1 도전형 반도체층(12), 활성층(14), 스페이서(spacer)(16), 캐리어 주입층(18), 전자 차단층(20) 및 제2 도전형 반도체층(22)을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
상기 제1 도전형 반도체층(12), 상기 활성층(14), 상기 스페이서(16), 상기 캐리어 주입층(18), 상기 전자 차단층(20) 및 상기 제2 도전형 반도체층(22)에 의해 발광 구조물이 형성될 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자(1)는 상기 기판(10)과 상기 제1 도전형 반도체층(12) 사이에 배치된 버퍼층(미도시)을 더 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자(1)는 상기 제1 도전형 반도체층(12)의 아래 및/또는 상기 제2 도전형 반도체층(22) 위에 배치된 또 다른 반도체층(미도시)을 더 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자(1)는 상기 버퍼층과 상기 제1 도전형 반도체층(12) 사이에 배치된 언도프트(undoped) 반도체층(미도시)을 더 포함할 수 있다.
상기 기판(10)은 상기 발광 구조물을 용이하게 성장시켜 주는 역할을 하지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
상기 발광 구조물을 안정적으로 성장시키기 위해서 상기 기판(10)은 상기 발광 구조물과의 격자 상수가 가급적 작은 차이를 갖는 물질로 형성될 수 있다.
상기 기판(10)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 및 Ge로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다.
상기 기판(10)과 상기 발광 구조물 사이에 상기 버퍼층(22)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 기판(10)과 상기 발광 구조물 사이의 격자 상수 차이를 완화하여 주기 위해 형성될 수 있다.
상기 버퍼층, 상기 언도프트 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층(12), 상기 활성층(14), 상기 스페이서(16), 상기 캐리어 주입층(18), 상기 전자 차단층(20) 및 상기 제2 도전형 반도체층(22)은 II-VI족 화합물 반도체 재질로 형성될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(12)은 상기 기판 상에 형성될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(12)은 예를 들어, n형 도펀트를 포함하는 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(12)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재질, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 및 AlInN로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(12) 상에는 상기 활성층(14)이 형성될 수 있다.
상기 활성층(14)은 상기 제1 도전형 반도체층(12)을 통해서 주입되는 제1 캐리어, 예컨대 전자와 상기 제2 도전형 반도체층(22)을 통해서 주입되는 제2 캐리어, 예컨대 정공이 서로 결합되어, 상기 활성층(14)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap)에 상응하는 파장을 갖는 빛을 방출하는 층이다.
상기 활성층(14)은 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 활성층(14)은 II-VI족 화합물 반도체들을 우물층과 장벽층의 주기로 반복 형성될 수 있다.
예를 들면 InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기, InGaN 우물층/AlGaN 장벽층의 주기, InGaN우물층/InGaN 장벽층의 주기 등으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층의 밴드갭은 상기 우물층의 밴드갭보다 크게 형성될 수 있다.
상기 활성층(14) 상에 스페이서(16)가 형성될 수 있다.
상기 스페이서(16)는 InGaN, AlGaN 및 AlInGaN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 스페이서(16)는 단일층인 벌크 구조(bulk structure)이거나 다수의 층인 초격자 구조(superlattice structure)일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
인듐(In)의 함량은 0.01% 내지 5%일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
알루미늄(Al)의 함량은 0.01% 내지 10%일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
상기 스페이서(16)는 상기 활성층(14)과 상기 전자 차단층(20) 사이에 걸리는 에너지 밴드의 구부러짐(band bending)을 최소화하여 줄 수 있다.
상기 스페이서(16)는 어떠한 도펀트도 포함되지 않을 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
상기 스페이서(16) 상에 캐리어 주입층(18)이 형성될 수 있다.
상기 캐리어 주입층(18)은 캐리어, 예컨대 정공의 생성을 증가시켜 주는 한편, 정공을 상기 활성층(14)으로 용이하게 주입하여 주도록 하는 역할을 할 수 있다.
상기 캐리어 주입층(18)은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
아울러, 상기 캐리어 주입층(18)은 Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
상기 캐리어 주입층(18)이 p형 상태로 유지되도록 상기 캐리어 주입층(18)에서 p형 도펀트의 농도는 적어도 n형 도펀트의 농도보다 클 수 있다.
예컨대, 상기 p형 도펀트의 농도는 1E19~5E20일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
예컨대, 상기 n형 도펀트의 농도는 1E16~1E20일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
상기 캐리어 주입층(18)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재질, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 및 AlInN로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 상기 캐리어 주입층(18)에는 p형 도펀트인 마그네슘(Mg) 원자와 n형 도펀트인 실리콘(Si) 원자가 포함될 수 있다. 이러한 경우, 실리콘(Si) 원자는 마그네슘(Mg) 원자와 구조적으로 결합될 수 있다. 따라서, 상기 캐리어 주입층(18)의 정공(18a)이 마그네슘(Mg) 원자의 방해로 상기 활성층(14)으로 주입되는 못하는 것을 방지하여 줄 수 있다.
만일 실리콘(Si) 원자가 없다면, 상기 캐리어 주입층(18)의 정공(18a)은 마그네슘(Mg) 원자에 의해 방해되어 상기 활성층(14)으로의 주입이 용이하지 않을 수 있다. 실리콘(Si) 원자는 마그네슘(Mg) 원자를 구속시켜 주어 상기 캐리어 주입층(18)으로 정공(18a)이 지나가는 것을 방해하지 못하게 하여 줄 수 있다.
상기 마그네슘(Mg) 원자와 실리콘(Si) 원자는 코도핑(co-doping) 기법을 이용하여 상기 캐리어 주입층(18)에 도핑될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
상기 캐리어 주입층(18) 상에 전자 차단층(20)이 형성될 수 있다.
상기 전자 차단층(20)은 상기 제1 도전형 반도체층(12)에서 생성되어 상기 활성층(14)으로 공급된 전자가 상기 활성층(14)을 이탈하여 상기 제2 도전형 반도체층(22)으로 이동되는 것을 방지하여 줄 수 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 상기 전자 차단층(20)은 p-InAlGaN층(51)과 p-AlGaN층(53)을 포함하는 적어도 2개 이상의 층을 포함할 수 있지만, 이에 대?서는 한정하지 않는다.
여기서, 상기 p-InAlGaN층(51)은 제1 전자 차단층이고 상기 p-AlGaN층(53)은 제2 전자 차단층일 수 있다. 이러한 경우, 상기 제2 전자 차단층의 에너지 밴드갭은 상기 제1 전자 차단층의 에너지 밴드갭보다 적어도 클 수 있다(도 3 참조). 이와 같이 상기 활성층(14)에서 상기 제2 도전형 반도체층(22)으로 갈수록 제1 전자 차단층의 에너지 밴드갭보다 더 큰 제2 전자 차단층의 에너지 밴드갭을 가짐으로써, 상기 활성층(14)에서 이탈된 전자가 상기 제1 전자 차단층에 의해 1차적으로 차단되고, 설사 전자가 상기 제1 전자 차단층을 통과하더라도 상기 제1 전자 차단층보다 더 큰 에너지 밴드갭을 갖는 제2 전자 차단층에 의해 2차적으로 차단될 수 있다. 따라서, 상기 전자 차단층(20)이 서로 다른 에너지 밴드갭을 갖는 다수의 층을 갖도록 하여 상기 활성층(14)에서 이탈된 전자의 상기 제2 도전형 반도체층(22)으로 이동을 최소화할 수 있다.
상기 전자 차단층(20) 상에 상기 제2 도전형 반도체층(22)이 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(22)은 예를 들어, p형 도펀트를 포함하는 p형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(22)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재질, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 및 AlInN로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(22)은 정공을 생성하여 상기 전자 차단층(20)을 경유하여 상기 활성층(14)으로 공급하여 줄 수 있다.
이러한 경우, 상기 캐리어 주입층(18)은 상기 제2 도전형 반도체층(22)에서 생성된 정공이 상기 활성층(14)으로 용이하게 주입되도록 하여 줄 수 있다. 아우러, 상기 캐리어 주입층(18) 또한 정공을 생성하여 상기 활성층(14)으로 주입되도록 하여 줄 수 있다.
한편, 상기 제2 도전형 반도체층(22)에서 생성된 정공은 상기 전자 차단층(20)에 의해 상기 활성층(14)으로 용이하게 공급되기 어려울 수도 있다.
상기 캐리어 주입층(18)은 정공을 생성할 수 있으므로, 상기 캐리어 주입층(18)에서 생성된 정공이 활성층(14)으로 공급될 수 있다.
따라서, 상기 캐리어 주입층(18)은 상기 제2 도전형 반도체층(22)에서 생성된 정공이 상기 활성층(14)으로 공급되지 못하는 것을 보충하여 줄 수 있어, 발광 소자의 발광 효율이 향상될 수 있다.
아울러, 상기 캐리어 주입층(18)은 p형 도펀트인 마그네슘(Mg) 원자를 n형 도펀트인 실리콘(Si) 원자로 구속시켜, 상기 제2 도전형 반도체층(22)에서 생성된 정공 또는 상기 캐리어 주입층(18) 자체에서 생성된 정공을 용이하게 활성층(14)으로 주입시켜 줌으로써, 발광 소자의 발광 효율이 향상될 수 있다.
한편, 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 제1 도전형 반도체층(12), 상기 활성층(14), 상기 스페이서(16), 상기 캐리어 주입층(18), 상기 전자 차단층(20) 및 상기 제2 도전형 반도체층(22)은 서로 상이한 에너지 밴드갭을 가질 수 있다.
예컨대, 상기 제1 도전형 반도체층(12), 상기 스페이서(16), 상기 캐리어 주입층(18) 및 상기 제2 도전형 반도체층(22)은 상기 활성층(14)의 장벽층의 에너지 밴드갭과 동일하거나 이보다 더 큰 밴드갭을 가지거나 상기 활성층(14)의 우물층보다 더 큰 밴드갭을 가질 수 있다.
예컨대, 상기 제1 도전형 반도체층(12), 상기 스페이서(16), 상기 캐리어 주입층(18) 및 상기 제2 도전형 반도체층(22)은 GaN일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
따라서, 제1 도전형 반도체층(12)에서 생성된 전자와 상기 제2 도전형 반도체층(22)에서 생성된 정공이 상기 활성층(14)으로 공급되어, 상기 활성층(14)에서 광이 생성될 수 있다.
상기 스페이서(16)는 상기 활성층(14)의 장벽층의 에너지 밴드갭보다 적어도 더 큰 에너지 밴드갭을 가질 수 있다.
예컨대, 상기 스페이서(16)는 AlInGaN 또는 AlGaN일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
따라서, 상기 스페이서(16)가 상기 활성층(14)과 상기 전자 차단층(20) 사이에 걸리는 에너지 밴드의 구부러짐(band bending)을 최소화하여 줄 수 있다.
상기 전자 차단층(20)은 상기 스페이서(16) 또는 상기 캐리어 주입층(18)보다 적어도 더 큰 에너지 밴드갭을 가질 수 있다.
예컨대, 상기 전자 차단층(20)은 AlInGaN 또는 AlGaN일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
따라서, 상기 전자 차단층(20)은 상기 활성층(14)에서 이탈된 전자가 상기 제2 도전형 반도체층(22)으로 이동되는 것을 방지하여 줄 수 있다.
도 5는 제2 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.
제2 실시예는 캐리어 주입층(18)을 제외하고는 제1 실시예와 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 제2 실시예에서 제1 실시예와 동일한 구조를 갖거나 동일한 기능을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고 상세한 설명은 생략한다. 이하에서 생략된 설명은 제1 실시예의 설명으로부터 용이하게 이해될 수 있을 것이다.
도 5를 참조하면, 제2 실시예에 따른 발광 소자(1A)는 기판(10), 제1도전형 반도체층, 활성층(14), 스페이서(16), 캐리어 주입층(18), 전자 차단층(20) 및 제2 도전형 반도체층(22)을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
제1 실시예와 달리, 제2 실시예의 캐리어 주입층(18)은 제1 p-GaN층(61), u-GaN층(63) 및 제2 p-GaN층(65)을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
상기 제1 p-GaN층(61)과 상기 제2 p-GaN층(65) 각각의 두께는 상기 제2 도전형 반도체층(22)의 두께의 5% 내지 50%일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
상기 u-GaN층(63)의 두께는 상기 제1 및 제2 p-GaN층(61, 65) 각각의 두께의 5% 내지 30%일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
여기서, 제1 p-GaN층(61)과 제2 p-GaN층(65)은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트를 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 p형 도펀트의 농도는 1E19~5E20일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
예컨대, u-GaN층(63)는 어떠한 도펀트도 포함되지 않을 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
상기 제1 p-GaN층(61)과 상기 제2 p-GaN층(65)은 제2 캐리어, 즉 정공을 생성하여 주는 역할을 할 수 있다.
상기 u-GaN층(63)은 이후에 성장될 반도체층, 예컨대, 상기 제2 p-GaN층(65), 상기 전자 차단층(20) 및 상기 제2 도전형 반도체층(22)에 결함이 없도록 하여 이들 반도체층의 막질을 향상시켜 주는 역할을 할 수 있다.
아울러, 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 u-GaN층(63)은 터널링 효과(tunneling effect)을 발생시키기 위해 다수의 층으로 이루어진 초격자 구조(superlattice structure)를 가질 수 있다. 상기 u-GaN층(63)은 제2 p-GaN층(65)에서 생성된 정공(18a)을 터널링 효과에 의해 용이하게 제1 p-GaN층(61)으로 공급하여 줄 수 있다.
한편, 상기 제2 도전형 반도체층(22)에서 생성된 정공(18a)은 상기 전자 차단층(20)에 의해 상기 활성층(14)으로 용이하게 공급되기 어려울 수도 있다.
상기 제1 및 제2 p-GaN층(61, 65)은 모두 정공(18a)을 생성할 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 p-GaN층(61, 65)에서 생성된 정공(18a)이 활성층(14)으로 공급될 수 있다. 따라서, 상기 제1 및 제2 p-GaN층(61, 65)은 상기 제2 도전형 반도체층(22)에서 생성된 정공(18a)이 상기 활성층(14)으로 공급되지 못하는 것을 보충하여 줄 수 있어, 발광 소자의 발광 효율이 향상될 수 있다.
도 6에 도시한 바와 같이, 상기 제1 도전형 반도체층(12), 상기 활성층(14), 상기 스페이서(16), 상기 캐리어 주입층(18), 상기 전자 차단층(20) 및 상기 제2 도전형 반도체층(22)은 서로 상이한 에너지 밴드갭을 가질 수 있다.
상기 제1 p-GaN층(61), 상기 u-GaN층(63) 및 상기 제2 p-GaN층(65)은 모두 동일한 에너지 밴드갭을 가질 수 있다.
상기 제1 p-GaN층(61), 상기 u-GaN층(63) 및 상기 제2 p-GaN층(65)은 상기 제1 도전형 반도체층(12), 상기 스페이서(16) 및 상기 제2 도전형 반도체층(22)의 에너지 밴드갭과 동일하거나 상이할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
예컨대, 상기 제1 p-GaN층(61), 상기 u-GaN층(63) 및 상기 제2 p-GaN층(65)은 GaN일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
따라서, 제1 도전형 반도체층(12)에서 생성된 전자와 상기 제2 도전형 반도체층(22)에서 생성된 정공이 상기 활성층(14)으로 공급되어, 상기 활성층(14)에서 광이 생성될 수 있다.
한편, 제1 및 제2 실시예에 따른 발광 소자는 수평형 발광 소자, 플립형 발광 소자 및 수직형 발광 소자로 제품화될 수 있다.
상기 수평형 발광 소자에서는 상기 제1 및 제2 실시예에 따른 발광 소자에서 상기 제2 도전형 반도체층(22) 상에 투명 도전층이 형성되고, 상기 제1 도전형 반도체층(12) 상에 제1 전극이 형성되며, 상기 투명 도전층 상에 제2 전극이 형성될 수 있다.
상기 투명 도전층은 광을 투과시키는 우수한 투광성과 전기적 전도도를 갖는 도전성 물질로 형성되는데, 예컨대 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au 및 Ni/IrOx/Au/ITO로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이러한 경우, 상기 활성층(14)에서 생성된 광은 상기 기판을 통해 외부로 출사되기보다는 상기 투명 도전층을 통해 외부로 출사되기가 용이할 수 있다.
상기 플립형 발광 소자에서는 상기 제1 및 제2 실시예에 따른 발광 소자에서 상기 제2 도전형 반도체층(22) 상에 반사층이 형성되고, 상기 제1 도전형 반도체층(12) 상에 제1 전극이 형성되며, 상기 반사층 상에 제2 전극이 형성될 수 있다. 이러한 경우, 상기 활성층(14)에서 생성되 광은 상기 반사층에 의해 반사되어 상기 기판을 통해 외부로 출사될 수 있다.
상기 수직형 발광 소자에서는 상기 제1 및 제2 실시예에 따른 발광 소자에서 상기 기판이 제거되고, 상기 제2 도전형 반도체층(22) 상에 전극 역할을 하는 반사층과 지지 기판이 형성되고, 상기 제1 도전형 반도체층(12) 상에 전극이 형성될 수 있다. 이러한 경우, 전류가 반사층과 전극 사이에서 수직으로 흐르므로, 상기 수평형 발광 소자에 비해 발광 효율이 더욱 향상될 수 있다. 아울러, 상기 활성층(14)에서 생성된 광은 상기 반사층에 의해 반사되어 상기 제1 도전형 반도체층(12)을 통해 외부로 출사될 수 있다.
상기 수평형 발광 소자와 상기 플립형 발광 소자에서의 제1 및 제2 전극 그리고 상기 수직형 발광 소자에서의 전극은 동일한 전극 물질 또는 상이한 전극 물질로 형성될 수 있다.
상기 수평형 발광 소자와 상기 플립형 발광 소자에서의 제1 및 제2 전극 그리고 상기 수직형 발광 소자에서의 전극은 불투명한 금속 재질을 포함하는데, 예컨대 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 이들의 합금을 포함할 수 있지만, 이에 한정하지 않는다.
상기 플립형 발광 소자에서의 반사층과 상기 수직형 발광 소자에서의 반사층은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 Hf로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나 또는 둘 이상의 합금을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
도 8은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 8을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 몸체(101)와, 상기 몸체(101)에 설치된 제1 리드 전극(103) 및 제2 리드 전극(105)과, 상기 몸체(101)에 설치되어 상기 제1 리드 전극(103) 및 제2 리드 전극(105)으로부터 전원을 공급받는 제1 실시예 및 제2 실시예들에 따른 발광 소자(1)와, 상기 발광 소자(1)를 포위하는 몰딩부재(113)를 포함한다.
상기 몸체(101)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(1)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
상기 제1 리드 전극(103) 및 제2 리드 전극(105)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(1)에 전원을 제공한다.
또한, 상기 제1 및 제2 리드 전극(103, 105)은 상기 발광 소자(1)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(1)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광 소자(1)는 상기 제1 리드 전극(103), 제2 리드 전극(105) 및 상기 몸체(101) 중 어느 하나 위에 설치될 수 있으며, 와이어 방식, 다이 본딩 방식 등에 의해 상기 제1 및 제2 리드 전극(103, 105)에 전기적으로 연결될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시예에서는 한 개의 와이어(109)를 통해 발광 소자(1)를 상기 제1 및 제2 리드 전극(103, 105) 중 하나의 리드 전극에 전기적으로 연결시키는 것이 예시되어 있으나, 이에 한정하지 않고 2개의 와이어를 이용하여 발광 소자(1)를 상기 제1 및 제2 리드 전극(103, 15)에 전기적으로 연결시킬 수도 있으며, 와이어를 사용하지 않고 발광 소자(1)를 상기 제1 및 제2 리드 전극(103, 105)에 전기적으로 연결시킬 수도 있다.
상기 몰딩부재(113)는 상기 발광 소자(1)를 포위하여 상기 발광 소자(1)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(113)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(1)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 COB(Chip On Board) 타입을 포함하며, 상기 몸체(101)의 상면은 평평하고, 상기 몸체(101)에는 복수의 발광 소자가 설치될 수도 있다.
실시예에 따른 발광 소자나 발광 소자 패키지는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 표시 장치와 조명 장치, 예컨대 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 지시등과 같은 유닛에 적용될 수 있다.
10: 기판
12: 제1 도전형 반도체층
14: 활성층
16: 스페이서
18: 캐리어 주입층
20: 전자 차단층
22: 제2 도전형 반도체층
51: p-InAlGaN층
53: p-AlGaN층
61, 65: p-GaN층
63: u-GaN층

Claims (17)

  1. 제1 도전형 도펀트를 포함하는 제1 반도체층;
    상기 제1 반도체층 상에 배치된 활성층;
    상기 활성층 상에 배치된 전자 차단층;
    상기 활성층과 상기 전자 차단층 사이에 배치된 캐리어 주입층; 및
    상기 전자 차단층 상에 배치되고 제2 도전형 도펀트를 포함하는 제2 반도체층을 포함하고,
    상기 캐리어 주입층은 상기 제1 도전형 도펀트와 상기 제2 도전형 도펀트를 포함하고,
    상기 캐리어 주입층에서 상기 제1 도전형 도펀트는 적어도 상기 제2 도전형 도펀트의 농도보다 낮은 발광 소자.
  2. 제1 도전형 도펀트를 포함하는 제1 반도체층;
    상기 제1 반도체층 상에 배치된 활성층;
    상기 활성층 상에 배치된 전자 차단층;
    상기 활성층과 상기 전자 차단층 사이에 배치된 캐리어 주입층; 및
    상기 전자 차단층 상에 배치되고 제2 도전형 도펀트를 포함하는 제2 반도체층을 포함하고,
    상기 캐리어 주입층은,
    상기 제2 도전형 도펀트를 포함하는 제3 반도체층;
    상기 제3 반도체층 상에 배치되고 언도프트된 제4 반도체층; 및
    상기 제4 반도체층 상에 배치되고 상기 제2 도전형 도펀트를 포함하는 제5 반도체층을 포함하는 발광 소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트이고, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도퍼트인 발광 소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 n형 도펀트의 농도는 1E16~1E20인 발광 소자.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 p형 도펀트의 농도는 1E19~5E20인 발광 소자.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제3 및 제5 반도체층은 동일한 도핑 농도를 갖는 발광 소자.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 제1 p-GaN층 및 상기 제2 p-GaN층 각각의 두께는 상기 제2 도전형 반도체층의 두께의 5% 내지 50%인 발광 소자.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 제4 반도체층은 다수의 층으로 이루어진 초격자 구조를 갖는 발광 소자.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 n형 도펀트는 Si, Ge 및 Sn 중 하나를 포함하는 발광 소자.
  10. 제3항에 있어서,
    상기 p형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr 및 Ba 중 하나를 포함하는 발광 소자.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 활성층과 상기 캐리어 주입층 사이에 배치되는 스페이서를 더 포함하는 발광 소자.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 스페이서는 InGaN, AlGaN 및 InAlGaN 중 하나를 포함하는 발광 소자.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 인듐(In)의 함량은 0.01%~5%인 발광 소자.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 알루미늄(Al)의 함량은 0.01%~10%인 발광 소자.
  15. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 전자 차단층은,
    상기 캐리어 주입층 상에 배치된 제1 전자 차단층; 및
    상기 제1 전자 차단층 상에 배치되고 상기 제1 전자 차단층의 밴드갭보다 더 큰 밴드갭을 갖는 제2 전자 차단층을 포함하는 발광 소자.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 전자 차단층은 InAlGaN을 포함하고,
    상기 제2 전자 차단층은 AlGaN을 포함하는 발광 소자.
  17. 몸체;
    상기 몸체 상에 배치된 제1 및 제2 리드 전극;
    상기 몸체, 상기 제1 및 제2 리드 전극 중 어느 하나의 위에 배치되는 제1항, 제2항 및 제6항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 의한 발광 소자; 및
    상기 발광 소자를 포위하는 몰딩 부재를 포함하는 발광 소자 패키지.
KR1020120116371A 2012-10-19 2012-10-19 발광 소자 및 발광 소자 패키지 KR101976455B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120116371A KR101976455B1 (ko) 2012-10-19 2012-10-19 발광 소자 및 발광 소자 패키지
EP13187924.9A EP2722897B1 (en) 2012-10-19 2013-10-09 Light emitting device
TW102136737A TWI548115B (zh) 2012-10-19 2013-10-11 發光裝置
CN201310487827.5A CN103779466B (zh) 2012-10-19 2013-10-17 发光器件
JP2013217270A JP5739967B2 (ja) 2012-10-19 2013-10-18 発光素子および発光素子パッケージ
US14/057,193 US9190571B2 (en) 2012-10-19 2013-10-18 Light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120116371A KR101976455B1 (ko) 2012-10-19 2012-10-19 발광 소자 및 발광 소자 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140050247A true KR20140050247A (ko) 2014-04-29
KR101976455B1 KR101976455B1 (ko) 2019-05-09

Family

ID=49304824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120116371A KR101976455B1 (ko) 2012-10-19 2012-10-19 발광 소자 및 발광 소자 패키지

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9190571B2 (ko)
EP (1) EP2722897B1 (ko)
JP (1) JP5739967B2 (ko)
KR (1) KR101976455B1 (ko)
CN (1) CN103779466B (ko)
TW (1) TWI548115B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017018767A1 (ko) * 2015-07-24 2017-02-02 엘지이노텍 주식회사 자외선 발광소자 및 발광소자 패키지
CN106384764A (zh) * 2016-10-26 2017-02-08 湘能华磊光电股份有限公司 一种led外延结构及其生长方法
KR20170027450A (ko) * 2015-09-02 2017-03-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 발광 소자 패키지

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150243845A1 (en) * 2014-02-26 2015-08-27 Epistar Corporation Light-emitting device
DE102015113670A1 (de) * 2014-08-19 2016-02-25 Seoul Viosys Co., Ltd Leuchtvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
KR102227772B1 (ko) 2014-08-19 2021-03-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102308701B1 (ko) * 2015-03-04 2021-10-06 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 자외선 발광소자 및 조명시스템
DE112016004375T5 (de) * 2015-09-28 2018-06-21 Nichia Corporation Lichtemittierendes nitrid-halbleiter-element
DE102016111929A1 (de) 2016-06-29 2018-01-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Leuchtdiode
CN115602765A (zh) * 2016-09-13 2023-01-13 苏州立琻半导体有限公司（Cn） 半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装
CN107394019B (zh) * 2017-07-31 2019-07-12 安徽三安光电有限公司 一种半导体发光元件及其制备方法
US10693038B2 (en) 2017-11-22 2020-06-23 Epistar Corporation Semiconductor device
FR3076399B1 (fr) * 2017-12-28 2020-01-24 Aledia Dispositif optoelectronique comprenant des diodes electroluminescentes tridimensionnelles
CN108574027B (zh) * 2018-05-07 2020-02-07 福建兆元光电有限公司 氮化镓基led芯片及制造方法
FR3091622B1 (fr) 2019-01-09 2021-09-17 Soitec Silicon On Insulator Structure semi-conductrice optoélectronique comprenant une couche d’injection de type p à base d’InGaN
DE102019106419A1 (de) * 2019-03-13 2020-09-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen halbleiterchips
JP6698925B1 (ja) * 2019-08-06 2020-05-27 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子
CN111863599A (zh) * 2020-07-31 2020-10-30 佛山紫熙慧众科技有限公司 基于Si衬底的N极性面富Al组分氮化物材料生长方法
CN116632138A (zh) * 2023-07-24 2023-08-22 江西乾照光电有限公司 一种深紫外led外延片、外延生长方法及led芯片

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060118820A1 (en) * 2004-12-06 2006-06-08 Remigijus Gaska Nitride-based light emitting heterostructure
US20120145993A1 (en) * 2011-07-25 2012-06-14 Na Jongho Light emitting device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0886326A3 (en) * 1997-06-06 1999-11-24 Hewlett-Packard Company Separate hole injection structure for improved reliability light emitting semiconductor devices
JP3408413B2 (ja) * 1998-03-06 2003-05-19 松下電器産業株式会社 半導体の製造方法及び半導体装置
US7298595B2 (en) * 2003-09-26 2007-11-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Differential GMR sensor with multi-layer bias structure between free layers of first and second self-pinned GMR sensors
US7342753B2 (en) * 2005-01-20 2008-03-11 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. In-stack biasing of the free layer of a magnetoresistive read element
US8089074B2 (en) * 2005-09-30 2012-01-03 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device having vertically stacked light emitting diodes
JP5636773B2 (ja) 2010-07-06 2014-12-10 ソニー株式会社 半導体レーザ
JP5325171B2 (ja) 2010-07-08 2013-10-23 株式会社東芝 半導体発光素子
KR101990095B1 (ko) * 2011-07-11 2019-06-18 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101836122B1 (ko) * 2011-08-24 2018-04-19 엘지이노텍 주식회사 발광소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060118820A1 (en) * 2004-12-06 2006-06-08 Remigijus Gaska Nitride-based light emitting heterostructure
US20120145993A1 (en) * 2011-07-25 2012-06-14 Na Jongho Light emitting device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017018767A1 (ko) * 2015-07-24 2017-02-02 엘지이노텍 주식회사 자외선 발광소자 및 발광소자 패키지
KR20170011839A (ko) * 2015-07-24 2017-02-02 엘지이노텍 주식회사 자외선 발광소자 및 발광소자 패키지
US10510926B2 (en) 2015-07-24 2019-12-17 Lg Innotek Co., Ltd. Ultraviolet light emitting diode and light emitting diode package
KR20170027450A (ko) * 2015-09-02 2017-03-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 발광 소자 패키지
CN106384764A (zh) * 2016-10-26 2017-02-08 湘能华磊光电股份有限公司 一种led外延结构及其生长方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2722897A1 (en) 2014-04-23
JP5739967B2 (ja) 2015-06-24
KR101976455B1 (ko) 2019-05-09
TW201419576A (zh) 2014-05-16
US20140110720A1 (en) 2014-04-24
TWI548115B (zh) 2016-09-01
JP2014086729A (ja) 2014-05-12
CN103779466A (zh) 2014-05-07
CN103779466B (zh) 2017-12-22
US9190571B2 (en) 2015-11-17
EP2722897B1 (en) 2020-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101976455B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR102049384B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 구동 장치
KR20120053190A (ko) 발광 소자
JP2014033185A (ja) 発光素子及び発光素子パッケージ
KR20170037565A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 발광장치
KR20160013553A (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR101945808B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR20150007641A (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR102065381B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101961825B1 (ko) 자외선 발광 소자
KR102053257B1 (ko) 발광 소자
KR20220011771A (ko) 자외선 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명장치
KR102053415B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR102008349B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR20130007682A (ko) 발광 소자 및 그 제조방법
KR101992152B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101700792B1 (ko) 발광 소자
KR20120035637A (ko) 발광 소자
KR20140049690A (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101874873B1 (ko) 발광 소자
KR102304120B1 (ko) 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지
KR102302855B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR102302321B1 (ko) 발광 소자
KR20160016316A (ko) 발광소자 및 이를 구비하는 조명 시스템
KR102007193B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant