CN103779466A - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

公开了一种发光器件，包括：包含第一导电掺杂剂的第一半导体层、在第一半导体层上的有源层、在有源层上的电子阻挡层、在有源层与电子阻挡层之间的载流子注入层，以及在电子阻挡层上的包括第二导电掺杂剂的第二半导体层。载流子注入层包括第一导电掺杂剂和第二导电掺杂剂，并且载流子注入层的第一导电掺杂剂的浓度至少低于第二导电掺杂剂的浓度。

Description

发光器件
技术领域
实施方案涉及发光器件。实施方案涉及发光器件封装件。
背景技术
已经对包括发光器件的发光器件封装件进行了积极的研究和探索。
发光器件为包括半导体材料以将电能转换成光的半导体发光器件或半导体发光二极管。
与其它光源如荧光灯和白炽灯等相比，半导体发光器件由于功耗低、寿命长、响应时间快、安全以及环保，因而是有利的。因此，对用半导体发光器件替代现有光源已经进行了大量的研究和探索。
另外，半导体发光器件具有逐渐用于在室内和室外场所使用的各种灯、液晶显示器、电子显示器或诸如路灯等照明装置的光源的趋势。
发明内容
实施方案提供了一种能够通过增加注入的空穴来提高发光效率的发光器件。
实施方案提供了一种能够通过增加空穴的浓度来提高发光效率的发光器件。
根据实施方案，提供了一种发光器件，包括：包含第一导电掺杂剂的第一半导体层、在第一半导体层上的有源层、在有源层上的电子阻挡层、在有源层与电子阻挡层之间的载流子注入层以及在电子阻挡层上的包含第二导电掺杂剂的第二半导体层。所述载流子注入层包含第一导电掺杂剂和第二导电掺杂剂，并且载流子注入层的第一导电掺杂剂的浓度低于第二导电掺杂剂的浓度。
根据实施方案，提供了一种发光器件，包括：包含第一导电掺杂剂的第一半导体层、在第一半导体层上的有源层、在有源层上的电子阻挡层、在有源层与电子阻挡层之间的载流子注入层以及在电子阻挡层上的包含第二导电掺杂剂的第二半导体层。所述载流子注入层包括包含第一导电掺杂剂的第三半导体层、在第三半导体层上的未掺杂的第四半导体层以及在第四半导体层上的包含第二导电掺杂剂的第五半导体层。
根据实施方案，发光器件封装件包括本体、设置在本体上的第一引线电极和第二引线电极以及围绕发光器件的模制构件。
附图说明
图1是示出根据第一实施方案的发光器件的截面图。
图2是示出图1的发光器件中的电子阻挡层的截面图。
图3是示出表示图1的发光器件的能带图的视图。
图4是示出图1的发光器件的载流子注入层中的载流子注入的视图。
图5是示出根据第二实施方案的发光器件的截面图。
图6是示出图5的发光器件的能带图的视图。
图7是示出图5的发光器件的载流子注入层中的载流子注入的视图。
图8是示出根据实施方案的发光器件封装件的截面图。
具体实施方式
在实施方案的描述中，应当理解，当一个部件被称作在另一个部件的“上（上方）”或“下（下方）”时，术语“上（上方）”和“下（下方）”包括“直接地”和“间接地”的意思两者。另外，在每个层的“上”和“下”的意思不仅包括向上方向，还包括向下方向。
图1是示出根据第一实施方案的发光器件的截面图。
参照图1，根据第一实施方案的发光器件1可以包括：衬底10、第一导电半导体层12、有源层14、间隔层16、载流子注入层18、电子阻挡层20以及第二导电半导体层22，但实施方案不限于此。
发光结构可以由第一导电半导体层12、有源层14、间隔层16、载流子注入层18、电子阻挡层20以及第二导电半导体层22来形成。
根据实施方案的发光器件1还可以包括设置在衬底10与第一导电半导体层12之间的缓冲层（未示出）。
根据实施方案的发光器件1还可以包括设置在第一导电半导体层12下的和/或设置在第二导电半导体层22上的另外的半导体层（未示出）。
根据实施方案的发光器件1还可以包括设置在缓冲层与第一导电半导体层12之间的未掺杂的半导体层（未示出）。
衬底10容易生长发光结构，然而，实施方案不限于此。
为了稳定地生长发光结构，衬底10可以包括在晶格常数方面与发光结构表现出较小差异的材料。
衬底10可以包括选自蓝宝石（Al2O3）、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP和Ge中的至少一种。
缓冲层22可以设置在衬底10和发光结构20之间，可以形成缓冲层22以减小衬底10与发光结构之间的晶格常数差。
缓冲层22、未掺杂半导体层、第一导电半导体层12、有源层14、间隔层16、载流子注入层18、电子阻挡层20以及第二导电半导体层22可以包含第II族至第VI族化合物半导体材料。
第一导电半导体层12可以形成在衬底10上。
例如，第一导电半导体层12可以包括包含N型掺杂剂的N型半导体层。第一导电半导体层12可以包括具有组成式InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1）的半导体材料。例如，第一导电半导体层12可以包含选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN和AlInN中的至少一种，并且第一导电半导体层12可以掺杂有N型掺杂剂如Si、Ge和Sn。
有源层14可以形成在第一导电半导体层12上。
通过从第一导电半导体层12注入的第一载流子（例如，电子）与经由第二导电半导体层22注入的第二载流子（例如，空穴）的复合，有源层14可以产生具有与取决于构成有源层14的材料而改变的能隙差相对应的波长的光。
有源层14可以包括多量子阱（MQW）结构、量子点结构或量子线结构中的一种结构。有源层14可以通过以阱层和势垒层的周期来重复层压第II族至第VI族化合物半导体来形成。
例如，有源层14可以以InGaN阱层/GaN势垒层的周期、InGaN阱层/AlGaN势垒层的周期或者InGaN阱层/InGaN势垒层的周期来形成。势垒层的带隙可以大于阱层的带隙。
间隔层16可以形成在有源层14上。
间隔层16可以包括InGaN、AlGaN和AlInGaN中的至少一种。间隔层16可以具有作为单层结构的整体结构（bulk structure）或者作为多层结构的超晶格结构，但实施方案不限于此。间隔层16可以包含InGaN或AlInGaN，并且铟（In）的含量可以在0.01%至5%的范围内，但实施方案不限于此。间隔层16可以包含AlGaN或AlInGaN，并且Al的含量可以在0.01%至10%的范围内，但实施方案不限于此。
间隔层16可以使施加在有源层14和电子阻挡层20之间的能带弯曲（energy bend bending）最小化。间隔层16可以不包括掺杂剂，但实施方案不限于此。间隔层16可以与有源层14的势垒层连接。间隔层16可以设置在有源层14的势垒层与载流子注入层18之间。间隔层16的能带隙可以宽于势垒层的能带隙。
载流子注入层18可以形成在间隔层16上。载流子注入层18可以增加载流子的产生，例如，空穴的产生。同时，载流子注入层18可以容易地将空穴注入至有源层14中。载流子注入层18可以包含诸如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba等P型掺杂剂，但实施方案不限于此。另外，载流子注入层18可以包含诸如Si、Ge或Sn等N型掺杂剂，但实施方案不限于此。
载流子注入层18处的P型掺杂剂的浓度可以至少大于N型掺杂剂的浓度，使得载流子注入层18具有P型特性。例如，尽管P型掺杂剂的浓度可以在1E19至5E20的范围内，但实施方案不限于此。例如，N型掺杂剂的浓度可以在1E16至1E20的范围内，然而，实施方案不限于此。
载流子注入层18可以包含具有组成式InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1）的半导体材料。例如，载流子注入层18可以包含选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN和AlInN中的至少一种。
如图4所示，载流子注入层18可以包括用作P型掺杂剂的镁（Mg）原子和用作N型掺杂剂的硅（Si）原子。在此情况下，硅（Si）原子由于所述结构而可以与镁（Mg）原子键合，从而防止载流子注入层18的空穴18a的注入由于镁（Mg）原子而中断。
如果不提供硅（Si）原子，则载流子注入层18的空穴18a被镁（Mg）原子阻断，使得载流子注入层18的空穴18a可能不容易注入。硅（Si）原子约束镁（Mg）原子，从而使得空穴18a能够穿过载流子注入层18。
镁（Mg）原子和硅（Si）原子可以通过共掺杂方案而对载流子注入层18进行掺杂，但实施方案不限于此。载流子注入层18的能带隙可以等于或宽于势垒层的能带隙，并且可以窄于间隔层16的能带隙。
电子阻挡层20可以形成在载流子注入层18上。电子阻挡层20可以防止从第一导电半导体层12产生并向有源层14提供的电子偏离有源层14朝向导电半导体层22移动。
间隔层16和载流子注入层18设置在有源层14与电子阻挡层20之间。
如图2所示，电子阻挡层20可以包括包含第一电子阻挡层51和第二电子阻挡层53的至少两个层，但实施方案不限于此。
在此情况下，第一电子阻挡层51可以是p-InAlGaN层，第二电子阻挡层53可以是p-AlGaN层。在此情况下，第二电子阻挡层53的能带隙可以至少大于第一电子阻挡层51的能带隙（参见图3）。如上所述，由于从有源层14到第二导电半导体层22，第二电子阻挡层53的能带隙逐渐大于第一电子阻挡层51的能带隙，因而主要由第一电子阻挡层51来阻挡电子偏离有源层14。穿过第一电子阻挡层51的电子中的一部分可以由能带隙大于第一电子阻挡层51的能带隙的第二电子阻挡层53来辅助阻挡。因此，电子阻挡层20具有能带隙彼此不同的多个层，从而使电子从有源层14偏离至第二导电半导体层22的移动最小化。第一电子阻挡层51的能带隙和第二电子阻挡层53的能带隙可以设置成宽于间隔层16的能带隙和载流子注入层18的能带隙。从而，能够使电子朝向第二导电半导体层22的移动最小化。
第二导电半导体层22可以形成在电子阻挡层20上。例如，第二导电半导体层22可以包括含有P型掺杂剂的P型半导体层。第二导电半导体层22可以包含具有组成式InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1）的半导体材料。例如，第二导电半导体层22可以包含选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN和AlInN中的至少一种，并且第二导电半导体层22可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba等P型掺杂剂。
第二导电半导体层22可以产生空穴并经由电子阻挡层20向有源层14提供空穴。
在此情况下，载流子注入层18可以使从第二导电半导体层22产生的空穴容易地注入至有源层14中。另外，载流子注入层18产生空穴使得空穴可以注入至有源层14中。
同时，从第二导电半导体层22产生的空穴可能不容易通过电子阻挡层20而提供给有源层14。
由于载流子注入层18可以产生空穴，因此可以将从载流子注入层18产生的空穴提供给有源层14。
因此，载流子注入层18可以对从第二导电半导体层22产生的空穴未能提供给有源层14进行补偿。因此，能够提高发光器件的发光效率。
另外，载流子注入层18通过用作N型掺杂剂的Si原子来约束用作P型掺杂剂的Mg原子，使得从第二导电半导体层22产生的空穴或从载流子注入层18产生的空穴能够容易地注入至有源层14中。因此，能够提高发光器件的发光效率。
同时，如图3所示，第一导电半导体层12、有源层14、间隔层16、载流子注入层18、电子阻挡层20和第二导电半导体层22可以具有彼此不同的能带隙。
例如，第一导电半导体层12、间隔层16、载流子注入层18和第二导电半导体层22的能带隙可以等于或大于有源层14的势垒层的能带隙，或者可以大于有源层14的阱层的带隙。
例如，第一导电半导体层12、间隔层16、载流子注入层18和第二导电半导体层22可以包含GaN基半导体，但实施方案不限于此。
将从第一导电半导体层12产生的电子和从第二导电半导体层22产生的空穴提供给有源层14，使得可以从有源层14产生光。
间隔层16的能带隙可以等于或大于有源层14的势垒层的能带隙。间隔层16可以具有处于有源层14的势垒层的带隙与电子阻挡层20的带隙之间的带隙。例如，间隔层16可以包含AlInGaN或AlGaN，但实施方案不限于此。
因此，间隔层16可以使施加在有源层14与电子阻挡层20之间的能带弯曲最小化。电子阻挡层20的能带隙可以至少大于间隔层16的能带隙或载流子注入层18的能带隙。例如，电子阻挡层20可以包含AlInGaN或AlGaN，但实施方案不限于此。因此，电子阻挡层20可以阻止电子偏离有源层14。由于载流子注入层18的能带隙窄于间隔层16的能带隙和电子阻挡层20的能带隙，因此空穴可以容易地注入。
图5是示出根据第二实施方案的发光器件的截面图。
除了载流子注入层18之外，第二实施方案可以与第一实施方案基本上相同。因此，在第二实施方案中，对具有与第一实施方案中的结构或功能相同的组件提供相同的附图标记，并将省略其细节。在下文中，本领域技术人员将容易理解从第一实施方案的描述中省略的描述。
参照图5，根据第二实施方案的发光器件1A可以包括衬底10、第一导电半导体层、有源层14、间隔层16、载流子注入层18、电子阻挡层20和第二导电半导体层22，但实施方案不限于此。
不同于第一实施方案，根据第二实施方案的载流子注入层18包括第一半导体层61、在第一半导体层61上的未掺杂半导体层63以及在未掺杂半导体层63上的第二半导体层65。
第一半导体层61、未掺杂半导体层63和第二半导体层65可以包含相同的半导体材料，例如，GaN基半导体。
第一半导体层61、未掺杂半导体层63和第二半导体层65可以具有相同的带隙。第一半导体层61、未掺杂半导体层63和第二半导体层65的带隙可以与间隔层16的带隙和电子阻挡层20的带隙相同，或者可以窄于间隔层16的带隙和电子阻挡层20的带隙。
第一半导体层61和第二半导体层65可以包括P型半导体层，例如，P-GaN基半导体。未掺杂半导体层63不掺杂有任何类型的掺杂剂。例如，未掺杂半导体层63可以包含未掺杂GaN基半导体。
可以设置第一半导体层61、未掺杂半导体层63和第二半导体层65，但实施方案不限于此。
第一半导体层61和第二半导体层65中的每一个可以具有与基于第二导电半导体层22的厚度的5%至50%相对应的厚度，但实施方案不限于此。
未掺杂半导体层63的厚度可以薄于第一半导体层61的厚度和第二半导体层65的厚度。例如，未掺杂半导体层63可以具有与基于第一半导体层61和第二半导体层65中每一个的厚度的5%至30%相对应的厚度，但实施方案不限于此。
在此情况下，第一半导体层61和第二半导体层65可以包含诸如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba等P型掺杂剂。例如，P型掺杂剂的浓度可以在1E19至5E20之间，但实施方案不限于此。例如，未掺杂半导体层63可以不掺杂任何类型的掺杂剂，但实施方案不限于此。
第一半导体层61和第二半导体层65可以产生第一载流子，即空穴。
未掺杂半导体层63可以防止在后续工艺中生长的诸如第二半导体层65、电子阻挡层20和第二导电半导体层22等半导体层的缺陷，从而提高半导体层的层品质。
此后，如图7所示，未掺杂半导体层63可以具有包括多个层的超晶格结构以产生隧穿效应。未掺杂半导体层63可以容易地将从第二半导体层65产生的空穴18a提供给第一半导体层61。
同时，从第二导电半导体层22产生的空穴18a可能不容易经由电子阻挡层20提供给有源层14。
由于第一半导体层61和第二半导体层65两者可以产生空穴18a，所以可以将从第一半导体层61和第二半导体层65产生的空穴18a提供给有源层14。因此，第一半导体层61和第二半导体层65可以对从第二导电半导体层22产生的空穴18a未能提供给有源层14进行补偿，从而提高发光器件的发光效率。
如图6所示，第一导电半导体层12、有源层14、间隔层16、载流子注入层18、电子阻挡层20以及第二导电半导体层22可以具有彼此不同的能带隙。
第一半导体层61、未掺杂半导体层63和第二半导体层65中的所有层可以具有相同的能带隙。
第一半导体层61、未掺杂半导体层63和第二半导体层65可以具有与第一导电半导体层12、间隔层16和第二导电半导体层22的能带隙相同或不同的能带隙，但实施方案不限于此。
例如，第一半导体层61、未掺杂半导体层63和第二半导体层65可以包含GaN基半导体，例如GaN，但实施方案不限于此。
因此，将从第一导电半导体层12产生的电子和从第二导电半导体层22产生的空穴提供给有源层14，使得可以从有源层14产生光。
同时，根据第一实施方案和第二实施方案的发光器件可以被制造成侧向型发光器件、倒装型发光器件和垂直型发光器件的形式。
当根据第一实施方案和第二实施方案的发光器件被制造成侧向型发光器件的形式时，可以在第二导电半导体层22上形成透明导电层，可以在第一导电半导体层12上形成第一电极，并且可以在透明导电层上形成第二电极。
透明导电层可以包含体现用于透射光的优良透明度和优良电传导性的导电材料。例如，透明导电层可以包括至少选自以下中的至少一种：ITO、氧化铟锌（IZO）、氧化镓锌（GZO）、氧化铝锌（AZO）、氧化铝镓锌（AGZO）、氧化铟镓锌（IGZO）、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO。
在此情况下，从有源层14产生的光可以容易地经由透明导电层而不是衬底来输出至外部。
当根据第一实施方案和第二实施方案的发光器件被制造成倒装型发光器件的形式时，可以在第二导电半导体层22上形成反射层、可以在第一导电半导体层12上形成第一电极，并且可以在反射层上形成第二电极。在此情况下，从有源层14产生的光可以被反射层反射并通过衬底输出至外部。
当根据第一实施方案和第二实施方案的发光器件被制造成垂直型发光器件的形式时，可以移除衬底，可以在第二导电半导体层22上形成反射层和用作电极的支承衬底，并且在第一导电半导体层12上形成电极。在此情况下，由于电流在反射层与电极之间流动，所以在与侧向型发光器件相比较的情况下，垂直型发光器件可以表现出更大程度地提高的发光效率。另外，从有源层14产生的光可以被反射层反射并通过第一导电半导体层12输出至外部。
在垂直型发光器件和倒装型发光器件中的第一电极和第二电极和在垂直型发光器件中的电极可以包含相同的电极材料或彼此不同的电极材料。
在垂直型发光器件和倒装型发光器件中的第一电极和第二电极和在垂直型发光器件中的电极可以包含不透明金属材料。例如，在垂直型发光器件和倒装型发光器件中的第一电极和第二电极和在垂直型发光器件中的电极可以包含选自以下材料中的至少一种：铝（Al）、钛（Ti）、铬（Cr）、镍（Ni）、铂（Pt）、金（Au）、钨（W）、铜（Cu）和钼（Mo），或其合金，但实施方案不限于此。
在倒装型发光器件和垂直型发光器件中的反射层可以包含选自以下材料中的至少一种：Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf，或以上材料中至少两种材料的合金，但实施方案不限于此。
根据实施方案，在有源层与电子阻挡层之间设置包含P型掺杂剂和N型掺杂剂的载流子注入层，以便N型掺杂剂约束P型掺杂剂使得空穴能够容易地注入至有源层中，从而提高发光效率。
根据实施方案，在有源层与电子阻挡层之间设置有用于产生空穴的载流子注入层。因此，不仅能够从第二导电半导体层产生空穴，还能够从载流子注入层产生空穴，使得空穴的浓度总体增加，从而提高发光效率。
根据实施方案，在有源层和电子阻挡层之间设置包括用于产生空穴的至少一个半导体层和用于提高层品质的未掺杂半导体层的载流子注入层，从而不仅产生了更多的空穴，还提高了在载流子注入层之后生长的半导体层例如第二导电半导体层的层品质。因此，可提高发光效率。
图8是示出根据实施方案的发光器件封装件的截面图。
参照图8，根据实施方案的发光器件封装件包括本体101、安装在本体101上的第一引线电极103和第二引线电极105，根据第一实施方案或第二实施方案的用于从第一引线电极103和第二引线电极105接收电力的发光器件1，以及围绕发光器件1的模制构件113。
本体101可以包括硅材料、合成树脂或金属材料，并且可以在发光器件100的周围形成倾斜表面。
第一引线电极103和第二引线电极105彼此电绝缘以向发光器件1提供电力。
另外，第一引线电极103和第二引线电极105可以对从发光器件1产生的光进行反射以提高光效率，并将从发光器件1产生的热排放至外部。
发光器件1可以安装在第一引线电极103、第二引线电极105和本体101之一中，并且发光器件1可以经由导线方案或管芯接合方案而电连接至第一引线电极103和第二引线电极105，但实施方案不限于此。
根据实施方案，尽管为了说明的目的，发光器件1经由一根导线109电连接至第一引线电极103和第二引线电极105，但实施方案不限于此。换句话说，发光器件1可以通过使用两根导线而电连接至第一引线电极103和第二引线电极105。选择性地，发光器件可以在不使用导线的情况下电连接至第一引线电极103和第二引线电极105。
模制构件113可以围绕发光器件1以保护发光器件1。另外，模制构件113可以包括磷光体以转换从发光器件1发出的光的波长。
根据实施方案的发光器件封装件200可以包括板上芯片（COB）型，本体101的顶表面可以是平坦的，并且可以将多个发光器件安装在本体101中。
根据实施方案的发光器件或发光器件封装件适用于光单元。光单元适用于显示装置或照明装置，例如包括照明灯、信号灯、车辆的前灯或电子广告牌的单元。
本说明书中对“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等的引用意味着结合实施方案所描述的具体的特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施方案中。在本说明书的不同地方出现的这类短语不一定全部都指同一实施方案。此外，在结合任何实施方案对具体的特征、结构或特性进行描述时，应当认为将这样的特征、结构或特性与实施方案中的其它特种、结构或特性进行结合在本领域技术人员的范围内。
尽管参照其多个说明性的实施方案对实施方案进行了描述，但应当理解，能够由本领域的技术人员设计的大量其它修改方案和实施方案也将落在本公开内容的原理的精神和范围内。更具体地，在本公开内容、附图和所附权利要求的范围之内，对组成部件和/或主题组合布置的各种变型和修改是可以的。除组成部件和/或布置的变型和修改之外，替代的使用对本领域技术人员也是明显的。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
包含第一导电掺杂剂的第一半导体层；
设置在所述第一半导体层上的有源层；
设置在所述有源层上的电子阻挡层；
设置在所述有源层与所述电子阻挡层之间的载流子注入层；以及
包含第二导电掺杂剂并且设置在所述电子阻挡层上的第二半导体层；
其中所述载流子注入层包含所述第一导电掺杂剂和所述第二导电掺杂剂，以及
所述载流子注入层的所述第一导电掺杂剂的浓度至少低于所述第二导电掺杂剂的浓度。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电掺杂剂包含N型掺杂剂，并且所述第二导电掺杂剂包含P型掺杂剂。
3.根据权利要求2所述的发光器件，还包括设置在所述有源层与所述载流子注入层之间的间隔层。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述间隔层包含选自InGaN、AlGaN和InAlGaN中的至少一种。
5.根据权利要求3或4所述的发光器件，其中所述间隔层包含InGaN或InAlGaN，并且铟（In）的含量在0.01%至5%的范围内。
6.根据权利要求3或4所述的发光器件，其中所述间隔层包含AlGaN或InAlGaN，并且铝（Al）的含量在0.01%至10%的范围内。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述电子阻挡层包括：
在所述载流子注入层上的第一电子阻挡层；以及
在所述第一电子阻挡层上的第二电子阻挡层，所述第二电子阻挡层的带隙大于所述第一电子阻挡层的带隙。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第一电子阻挡层包含InAlGaN，并且所述第二电子阻挡层包含AlGaN。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述载流子注入层的所述P型掺杂剂具有在1E19至5E20范围内的浓度。
10.根据权利要求3或4所述的发光器件，其中所述间隔层连接至所述有源层的势垒层并且所述间隔层的带隙大于势垒层的带隙。
11.根据权利要求3或4所述的发光器件，其中所述载流子注入层的带隙窄于所述间隔层的带隙。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述载流子注入层具有与所述有源层的所述势垒层的带隙相同的带隙。
13.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述载流子注入层的所述N型掺杂剂的浓度在1E16至1E20范围内。
14.根据权利要求2至4中任一项所述的发光器件，其中所述载流子注入层包括：
包含所述P型掺杂剂的第三半导体层；
在所述第三半导体层上的未掺杂的第四半导体层；以及
设置在所述第四半导体层上的包含P型掺杂剂的第五半导体层。
15.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述第三半导体层的P型掺杂剂的掺杂浓度等于所述第五半导体层的P型掺杂剂的掺杂浓度。
16.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述第三半导体层和所述第五半导体层包含p-GaN，并且所述第三半导体层和所述第五半导体层中的每一个具有与基于所述第二半导体层的厚度的5%至50%相对应的厚度。
17.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述第四半导体层的厚度薄于所述第三半导体层和所述第五半导体层中的每一个的厚度。
18.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述第三半导体层和所述第五半导体层以相同的半导体形成，并且具有相同的能带隙。
19.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述第四半导体层具有包括多个层的超晶格结构。
20.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述N型掺杂剂包括选自Si、Ge和Sn中的至少一种，
其中所述P型掺杂剂包括选自Mg、Zn、Ca、Sr和Ba中的至少一种。
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