CN104241483B - 发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光器件。该发光器件包括：衬底；在衬底上的发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；在第二导电半导体层上的反射电极；在反射电极上的第一凸块；以及在反射电极与第一凸块之间的第一防剥离层。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求韩国专利申请第10-2013-0064394号(2013年6月5日提交的)的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本实施方案涉及一种发光器件。
本实施方案涉及一种发光器件封装件。
背景技术
已经积极展开对于具有发光器件的发光器件封装件的研究。
由例如半导体材料制成的发光器件是用于将电能转换为光能的半导体发光器件或半导体发光二极管。
当与常规光源例如荧光灯和白炽灯相比时，半导体发光器件具有低能耗、半永久寿命、快速响应速度、安全和环境友好性能的优点。在这点上，已经进行各种研究以利用LED取代常规光源。
发光器件或发光器件封装件越来越多地用作用于照明装置的光源，所述照明装置例如在室内和室外使用的各种灯、液晶显示器、电子标识牌以及街灯。
发明内容
本实施方案提供了一种能够提高器件的可靠性的发光器件。
本实施方案提供了一种能够防止电极剥离的发光器件。
本实施方案提供了一种能够提高光效率的发光器件。
根据实施方案，提供了一种发光器件，该发光器件包括：衬底；在衬底上的发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；在第二导电半导体层上的反射电极；在反射电极上的第一凸块；以及在反射电极与第一凸块之间的第一防剥离层。
根据实施方案，提供了一种发光器件封装件，该发光器件封装件包括：具有腔的本体；在腔中的第一电极层和第二电极层；在第一电极层和第二电极层上的发光器件；以及包围发光器件的模制构件。
根据实施方案，由于在反射电极与电极焊盘之间形成防剥离层，使得通过防剥离层防止了反射电极剥离，所以可以提高可靠性。
根据实施方案，由于电极焊盘与防剥离层的外侧电连接或者通过穿过防剥离层与反射电极电连接，所以即使形成有防剥离层也可以容易地供应功率。
根据实施方案，由于凸块与多个电极焊盘电连接，所以可以向发光器件的整个区域快速的供应电流，使得可以提高光效率。
附图说明
图1是示出了根据第一实施方案的发光器件的平面图。
图2是示出了沿着图1的线H-H'截取的发光器件的截面图。
图3是示出了沿着图1的线I-I'截取的发光器件的截面图。
图4是示出了图1中示出的防剥离层的宽度与防剥离层的周边的宽度之间的关系的图。
图5是示出了根据第二实施方案的发光器件的截面图。
图6是示出了图5的防剥离层的平面图。
图7是示出了根据第三实施方案的发光器件的截面图。
图8是示出了根据实施方案的发光器件封装件的截面图。
具体实施方式
在实施方案的描述中，应该理解，当元件被称为在另一元件“上(下)或下(上)”时，该元件它可以直接在另一元件上或者存在至少一个中间元件。此外，当表达为“向上(向下)或向下(向上)”时，其可以包括基于该一个元件的向上方向以及向下方向。
图1是示出了根据第一实施方案的发光器件的平面图，图2是示出了沿着图1的线H-H'截取的发光器件的截面图，以及图3是示出了沿着图1的线I-I'截取的发光器件的截面图。
参照图1至图3，根据第一实施方案的发光器件1可以包括生长衬底2、发光结构12、反射电极14以及第一凸块和第二凸块。
根据第一实施方案的发光器件1可以是倒装芯片型发光器件，但是第一实施方案不限于此。
根据第一实施方案的发光器件1还可以包括多个第一电极焊盘18和多个第二电极焊盘20，但是第一实施方案不限于此。
根据第一实施方案的发光器件1还可以包括第一凸块焊盘28和第二凸块焊盘30，但是第一实施方案不限于此。
根据第一实施方案的发光器件1还可以包括缓冲层4，但是第一实施方案不限于此。
根据第一实施方案的发光器件1还可以包括设置在发光结构12上和/或下的至少一个化合物半导体层，但是第一实施方案不限于此。
缓冲层4和发光结构12可以由第II-VI族化合物半导体材料或第III-V族化合物半导体材料形成。例如，缓冲层4和发光结构12可以包括选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN和AlInN中的至少一种，但是实施方案不限于此。
将生长衬底2用于在生长发光结构12的同时支承发光结构12。生长衬底2可以包括适合于生长半导体材料的材料。生长衬底2可以包括具有热稳定性和晶格常数与发光结构12的晶格常数近似的材料。生长衬底2可以是导电衬底、化合物半导体衬底和绝缘衬底之一，但是实施方案不限于此。
生长衬底2可以包括选自蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP和Ge中的至少一种。
生长衬底2可以包括使得生长衬底2具有导电性的掺杂剂，但是实施方案不限于此。包括掺杂剂的生长衬底2可以用作电极层，但是实施方案不限于此。
缓冲层4可以置于生长衬底2与发光结构12之间，但是实施方案不限于此。
缓冲层4可以减少生长衬底2与发光结构12的晶格常数之差。此外，缓冲层4可以防止生长衬底2的材料被扩散到发光结构12中，防止回熔现象(如在生长衬底2的顶表面上形成凹部)，或者通过控制应变来防止生长衬底2破裂，但是实施方案不限于此。
可以在生长衬底2上形成缓冲层4，并且可以在缓冲层4上形成发光结构12。即，可以在生长衬底2与发光结构12之间形成缓冲层4。
发光结构12可以形成在缓冲层4上。由于发光结构12生长在具有与发光结构12的晶格常数类似的晶格常数的缓冲层4上，所以可以减少缺陷，例如位错。
发光结构12可以包括多个化合物半导体层。
例如，发光结构12可以包括至少第一导电半导体层6、有源层8和第二导电半导体层10，但是实施方案不限于此。
有源层8可以设置在第一导电半导体层6上，并且第二导电半导体层10可以设置在有源层8上。
第一导电半导体层6、有源层8和第二导电半导体层10可以通过利用具有AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的第II-VI族或第III-V族化合物半导体材料实现。例如，第一导电半导体层6、有源层8和第二导电半导体层10可以包括选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN和AlInN中的至少一种，但是实施方案不限于此。
例如，第一导电半导体层6可以是包括N型掺杂剂的N型半导体层，第二导电半导体层10可以是包括P型掺杂剂的P型半导体层，但是实施方案不限于此。N型掺杂剂包括Si、Ge和Sn，P型掺杂剂包括Mg、Zn、Ca、Sr和Ba，但是实施方案不限于此。
有源层8通过第一载流子(例如，通过第一导电半导体层6注入的电子)与第二载流子(例如，通过第二导电半导体层10注入的空穴)的复合而发射具有与构成有源层8的材料之间的能带隙对应的波长的光。
有源层8可以包括MQW(多量子阱)结构、量子线结构或量子点结构之一。有源层8可以具有以阱层和势垒层为一个周期重复形成的阱层和势垒层。阱层和势垒层的重复周期可以根据发光器件的特性而改变，但是本实施方案不限于此。
例如，有源层8可以以InGaN/GaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN的堆叠结构形成。势垒层的能带隙可以大于阱层的能带隙。
尽管未示出，但是可以在第一导电半导体层6下和/或第二导电半导体层10上设置第三导电半导体层。例如，设置在第一导电半导体层6下的第三导电半导体层可以包括与第二导电半导体层10的导电掺杂剂相同的导电掺杂剂，但是本实施方案不限于此。例如，设置在第二导电半导体层10上的第三导电半导体层可以包括与第一导电半导体层6的导电掺杂剂相同的导电掺杂剂，但是实施方案不限于此。
在发光结构12上可以形成有反射电极14。详细地，反射电极14可以形成在第二导电半导体层10上。
从顶部看反射电极14可以具有“T”形状，但是实施方案不限于此。
反射电极14可以包括具有反射特性和优越导电性的材料。例如，反射电极14可以包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf之一或其多层结构。
反射层14可以包括Ag/Ni/Ti/TiW/Ti或其叠层，但是实施方案不限于此。Ag的具有反射功能，Ni具有连接功能或防止扩散功能，Ti具有连接功能，以及TiW具有防止扩散功能，但是实施方案不限于此。
反射电极14可以与第二导电半导体层10的顶表面接触，但是实施方案不限于此。
在反射电极14不与第二导电半导体层10欧姆接触时，表现出与第二导电半导体层10的优越欧姆接触特性的透明电极层可以置于反射电极14与第二导电半导体层10之间，但是实施方案不限于此。
透明电极层可以包括具有优越透光率的导电材料。例如，透明电极可以包括选自ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种或其多层结构，但是实施方案不限于此。
在第一导电半导体层6上可以形成有第一电极焊盘18，在反射电极14上可以形成第二电极焊盘20，但是实施方案不限于此。
第一电极焊盘18和第二电极焊盘20均可以包括圆形图案，但是实施方案不限于此。
第一电极焊盘18和第二电极焊盘20可包括具有优越导电性的材料。第一电极焊盘18和第二电极焊盘20可包括选自Al、Ti、Cr、Ni、Pt、Au、W、Cu和Mo中的一种或其多层结构，但是实施方案不限于此。
例如，第一电极焊盘18和第二电极焊盘20可以包括Cr/Ni/Ti/TiW/Ti或其叠层，但是实施方案不限于此。Cr具有电极功能，Ni具有连接功能或防止扩散功能，Ti具有连接功能，TiW具有防止扩散功能，但是实施方案不限于此。
在第一电极焊盘18上可以有第一凸块焊盘22，在第二电极焊盘20上可以形成有第二凸块焊盘24，但是实施方案不限于此。
第一凸块焊盘22和第二凸块焊盘24可以使得第一凸块28和第二凸块30能够容易地接合，并且可以稳定地支承第一凸块28和第二凸块30，但是实施方案不限于此。
当从顶部观察时，第一凸块焊盘22可以具有“”形状，第二凸块焊盘24可以具有“T”形状，但是实施方案不限于此。第二凸块焊盘24可以与反射电极14的整个区域垂直地交叠，但是实施方案不限于此。当从顶部观察时，第一凸块焊盘22可以包围第二凸块焊盘24的一侧区域，但是实施方案不限于此。
类似于第一电极焊盘18和第二电极焊盘20，第一凸块焊盘22和第二凸块焊盘24可以包括具有优越导电性的材料。第一凸块焊盘22和第二凸块焊盘24可以包括选自Al、Ti、Cr、Ni、Pt、Au、W、Cu和Mo中的一种或其多层结构，但是实施方案不限于此。
第一凸块焊盘22可以与第一电极焊盘18垂直地交叠，第二凸块焊盘24可以与第二电极焊盘20垂直地交叠。
第一电极焊盘18和第二电极焊盘20和/或第一凸块焊盘22和第二凸块焊盘24不是必需元件。当省略第一电极焊盘18和第二电极焊盘20和/或第一凸块焊盘22和第二凸块焊盘24时，第一凸块28和第二凸块30可以分别直接形成在第一导电半导体层6和反射电极14上。即，第一凸块28可以与第一导电半导体层6的顶表面接触，第二凸块30可以直接与反射电极14的顶表面接触，但是实施方案不限于此。
使用第一凸块28和第二凸块30来将根据第一实施方案的发光器件1电连接到设置在发光器件封装件处的第一电极层和第二电极层，同时支承根据第一实施方案的发光器件1，但是实施方案不限于此。
类似于第一电极焊盘18和第二电极焊盘20和/或第一凸块焊盘22和第二凸块焊盘24，第一凸块28和第二凸块30可以包括具有优越导电性的材料。第一凸块焊盘22和第二凸块焊盘24可以包括选自Al、Ti、Cr、Ni、Pt、Au、W、Cu和Mo中的一种或其多层结构，但是实施方案不限于此。
第一凸块28和第二凸块30均可以具有圆柱形结构，但是实施方案不限于此。也就是说，第一凸块28和第二凸块30可以具有球形截面结构，但是实施方案不限于此。
发光器件1还可以包括保护层26。保护层26可以沿着发光结构12的周边形成，但是实施方案不限于此。
保护层26可以形成在第一电极焊盘18的部分区域上和第二电极焊盘20的部分区域上以及发光结构12的周边上。
保护层26可以包括在第二电极焊盘20上的开口27，但是实施方案不限于此。即，可以在第二电极焊盘20的除了开口27之外的整个区域上形成保护层26。
保护层26可以包括优越绝缘特性的材料。保护层26可以包括选自SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4和Al2O3中的一种或其多层结构，但是实施方案不限于此。
保护层26可以防止设置在第一导电半导体层6上的第一电极焊盘18和设置在第一导电半导体层6上的反射电极14和/或第二电极焊盘20之间形成短路，并且可以防止第一电极焊盘18或反射电极14和/或第二电极焊盘20与有源层8之间形成短路。
同时，当在倒装芯片型发光器件中生长衬底2朝向上方，反射电极14将从有源层中产生的并且向下传播的光沿着向上的方向反射。因此，提高了光提取效率，使得可以提高光学特性。
然而，反射电极14表现出相对于其他相邻层(例如，第二导电半导体层10和/或第二电极焊盘20)的差的接合特性。也就是说，当向反射电极14施加外部冲击或应力时，反射电极14可能与相邻层剥离。
在根据第一实施方案的发光器件1安装在发光器件封装件的本体上时，发光器件1的第一凸块28和第二凸块30可以通过高温加热而熔化然后冷却，使得发光器件1可以附接到设置在本体上的第一电极层和第二电极层。当第一凸块28和第二凸块30在熔化之后冷却时，在第一凸块28和第二凸块30处产生应力例如压缩力。应力通过第二凸块焊盘24和第二电极焊盘20对反射电极14施加影响。因此，反射电极14由于通过第二凸块30引起的应力与第二导电半导体层10或第二电极焊盘20剥离。
根据第一实施方案，在反射电极14与第二电极焊盘20之间可以形成有防剥离层16。即，防剥离层16可以与反射电极14的顶表面接触并且可以与第二电极焊盘20的底表面接触。
在没有形成第二电极焊盘20的情况下，防剥离层16可以与第二凸块焊盘24的底面接触，但是实施方案不限于此。
在第二电极焊盘20和第二凸块焊盘24都没有形成的情况下，防剥离层16可以与第二凸块30的底表面接触，但是实施方案不限于此。
防剥离层16可以吸收由第二凸块30引起的应力，使得应力不再被进一步施加到反射电极14。
此外，防剥离层16可以表现出与反射电极14的优越粘合力，从而防剥离层16从反射电极14剥离。
虽然在第一实施方案中已经描述了在反射电极14上形成防剥离层16，但是可以在反射电极14下形成另一防剥离层16。即，可以在第二导电半导体层10与反射电极14之间形成另一防剥离层16，但是实施方案不限于此。在这种情况下，即使当来自第二凸块30的应力被施加到反射电极14时，也可以通过另一防剥离层16防止反射电极14剥离。
防剥离层16可以包括无机绝缘材料，但是实施方案不限于此。与保护层26相似，防剥离层16可以包括优越绝缘特性的材料。防剥离层16可以包括选自SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4和Al2O3中的一种或其多层结构，但是实施方案不限于此。
虽然形成有防剥离层16，但是由于反射电极14与第二电极焊盘20电连接，第二电极焊盘20也可以在插入防剥离层16的同时与反射电极14的顶表面接触，但是实施方案不限于此。
例如，第二电极焊盘20可以包围防剥离层16。即，第二电极焊盘20可以包括形成在防剥离层16上的第一区域以及从防剥离层16的侧面上的第一区域的边缘向下延伸的第二区域。第二电极焊盘20的第二区域可以与反射电极14的顶表面接触。
如图4所示，防剥离层16的宽度为X，第二电极焊盘20的宽度为Y，以及保护层26的开口27的直径为Z。在这种情况下，防剥离层16的宽度X、第二电极焊盘20的宽度Y和保护层26的开口27的直径Z之间的关系可以由下面的公式1来表示。
[公式1]
Z<X<Y
X：1
Y：2或更大
Z：0.5至1.0
保护层26的开口27的直径Z可以为基于防剥离层16的宽度X的至少50％。当保护层26的开口27的直径Z小于防剥离层16的宽度X的50％时，由于保护层26的开口27的直径Z非常小，所以第二电极焊盘20与第二凸块焊盘24之间的接触面积减小，使得可能不容易供应功率。
第二电极焊盘20的宽度Y是防剥离层16的宽度X的至少两倍大。当第二电极焊盘20的宽度Y不足防剥离层16的宽度X的两倍时，第二电极焊盘20的第二区域的宽度减小。如果第二电极焊盘20的第二区域的宽度减小，则第二电极焊盘20与反射电极14之间的接触面积减小，使得可能不容易供应功率。
图5是示出根据第二实施方案的发光器件的截面图。
除了防剥离层16在其中形成有多个孔32之外，第二实施方案基本上与第一实施方案类似。在下面描述的第二实施方案中，利用相同的附图标记指代具有与第一实施方案的功能和结构相同的功能和结构的组成元件，并将省略对其的详细描述。
参照图5，根据第二实施方案的发光装置1A可以包括生长衬底2、发光结构12、反射电极14、以及第一凸块28和第二凸块30。
根据第二实施方案的发光装置1A还可以包括多个第一电极焊盘18和多个第二电极焊盘20、以及第一凸块焊盘22和第二凸块焊盘24中的至少之一，但第二实施方案不限于此。
根据第二实施方案的发光器件1A还可以包括设置在发光结构12上和/或下的至少一个化合物半导体层，但是第二实施方案不限于此。
根据第二实施方案，在反射电极14与第二电极焊盘20之间可以形成有防剥离层16。即，防剥离层16可以与反射电极14的顶表面接触并且可以与第二电极焊盘20的底表面接触。
如图6所示，防剥离层16可以包括多个孔32。孔32可以是随机地或不断地形成。
第二电极焊盘20可以通过防剥离层16的孔32与反射电极14接触。
此外，第二电极焊盘20可以包围防剥离层16的外侧以与反射电极14的顶表面接触，但是实施方案不限于此。
第二电极焊盘20也可以通过防剥离层16的周围与反射电极14接触。
尽管未示出，但是在防剥离层16处形成有多个孔32，使得第二电极焊盘20与反射电极14之间的接触面积通过孔32确保，以容易地供给功率，防剥离层16的直径可以与反射电极14的宽度和/或第二电极20的宽度相同。在这种情况下，防剥离层16的侧面可以与保护层26内侧接触，但是实施方案不限于此。
图7是示出根据第三实施方案的发光器件的截面图。
除了在第二凸块30下之外的其他区域处形成防剥离层16之外，第三实施方案与第一实施方案基本类似。
在第三实施方案的下面的描述中，利用相同的附图标记指代具有与第一实施方案的功能和结构相同的功能和结构的组成元件，并将省略对其的详细描述。
参照图7，根据第三实施方案的发光器件1B可以包括生长衬底2、发光结构12、反射电极14、以及第一凸块28和第二凸块30。
根据第三实施方案的发光装置1B还可以包括多个第一电极焊盘18和多个第二电极焊盘20、以及第一凸块28和第二凸块30中的至少之一，但是第三实施方案是不限于此。
根据第三实施方案的发光器件1A还可以包括设置在发光结构12上和/或下的至少一个化合物半导体层，但是第三实施方案不限于此。
根据第三实施方案，在反射电极14与第二电极焊盘20之间可以形成有防剥离层16。即，防剥离层16可以与反射电极14的顶表面接触，并且可以与第二电极焊盘20的底表面接触。
此外，防剥离层16不仅可以形成在第二凸块30下，而且也可以形成在除了第二凸块30之外的各个区域上。
防剥离层16可以沿着具有“T”形的反射电极14形成，但是实施方案不限于此。在防剥离层16上可以形成有第二电极20。
第二凸块焊盘24可以覆盖防剥离层16。凸块焊盘24可以形成在防剥离层16的顶表面和侧面上，并且可以与反射电极14的顶表面接触。
虽然在第一实施方案至第三实施方案中没有描述，但是可以在未形成第二电极焊盘20的区域处形成第二凸块30。即，可以在第二电极焊盘20之间的反射电极40上形成第二凸块30。在这种结构的情况下，根据第一实施方案至第三实施方案的防剥离层16可以不形成在第二凸块30的下。
虽然未示出，但是第一电极焊盘18和/或第二电极焊盘可以通过保护层26彼此电绝缘，以及第一电极焊盘18和第二电极焊盘20的顶表面可以与第一凸块焊盘22和第二凸块焊盘24电连接，但是实施方案不限于此。
图8是示出根据实施方案的发光器件封装件的截面图。
参照图8，发光器件封装件可以包括用于产生光的发光器件1和在其上安装发光器件1本体105。
发光器件1可以包括根据第一实施方案至第三实施方案的倒装芯片型发光器件，但是实施方案不限于此。
本体105在其上部区域中可以形成有具有倾斜表面并且向下凹陷的腔111，但是实施方案不限于此。换句话说，腔111可以包括倾斜表面和平坦底部表面，但是实施方案不限于此。腔111的内侧面可以具有垂直于底表面的竖直表面，但是实施方案不限于此。
第一电极层107和第二电极层109可以形成为穿过本体105。第一电极层107可以电绝缘于并分离于第二电极层。
第一电极层107和第二电极层109可以在穿过本体105水平地形成的同时形成在本体105的侧面上。虽然未示出，但是第一电极层107和第二电极层109可以在穿过本体105竖直地形成的同时形成在本体105的底表面上。
第一电极层107和第二电极层109可以形成在腔111的底表面上。
第一电极层107和第二电极层109可以包括表现出优越导电性和优越耐腐蚀性的金属材料，例如铜(Cu)、铝(Al)、铬(Cr)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、金(Au)或W(钨)，但是实施方案不限于此。
在提供第一电极层107和第二电极层109的状况下通过注入模制工艺注入构成本体105的材料，并且使其硬化以形成本体105，使得第一电极层107和第二电极层109可以固定本体105，但是实施方案不限于此。
第一电极层107和第二电极层109可以包括单层或多层，但是实施方案不限于此。第一电极层107和第二电极层109的最上层中可以包括保护层(例如Ag)，但是实施方案不限于此。
发光器件1的第一凸块28和第二凸块30可以通过钎料膏101物理地固定到第一电极107和第二电极109并且与第一电极107和第二电极109电连接。
为此，第一凸块28和第二凸块30通过高温加热而熔化然后冷却。由于第一凸块28和第二凸块30的冷却而导致的压缩力引起应力，该应力可以使发光器件的反射电极14剥离。
为了防止这样的剥离，在反射电极14与第二电极焊盘20之间可以形成有防剥离层16。由于从第二凸块30产生的应力被防剥离层16吸收，所以可以防止反射电极14剥离。
模制构件113可以包围发光器件1。模制构件113可以形成在腔111中。即，在腔111中可以填充模制构件113。
模制构件113可以包括对光的波长进行转换的磷光体，但是实施方案不限于此。
模制构件30的顶表面可以与本体105的顶表面线对齐，或者可以高于或低于本体105的顶表面，但是实施方案不限于此。
模制构件113可以包括表现出传输特性、热辐射特性和/或绝缘特性的材料。例如，模制构件113可以包括硅材料或环氧树脂材料，但是实施方案不限于此。
虽然未示出，但是根据第一实施方案至第三实施方案的发光器件可适用于COB(板上芯片)发光器件封装件，但是实施方案不限于此。在COB发光器件封装件中的副安装座上可以安装多个发光器件，但是实施方案不限于此。
根据实施方案的发光器件和发光器件封装件可适用于光单元。光单元可适用于显示装置和照明装置，例如，照明灯、信号灯、车辆的头灯、电子标识牌以及指示灯。
Claims (17)
1.一种发光器件，包括：
衬底；
在所述衬底上的发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；
在所述第二导电半导体层上的反射电极；
在所述反射电极上的第一凸块；以及
在所述反射电极与所述第一凸块之间的第一防剥离层，
在所述第一防剥离层与所述第一凸块之间的第一电极焊盘，或者第一电极焊盘与第一凸块焊盘二者，
其中所述第一电极焊盘包围所述第一防剥离层。
2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：
在所述第一导电半导体层上的第二凸块；和
在所述第一导电半导体层与所述第二凸块之间的第二电极焊盘和第二凸块焊盘中的至少之一。
3.根据权利要求1所述的发光器件，还包括设置在所述第一电极焊盘与所述第一凸块焊盘之间的边缘区域上的保护层。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述保护层沿着所述发光结构的周边设置。
5.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述保护层包括在所述第一电极焊盘上的开口。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述保护层的所述开口的直径为基于所述第一防剥离层的宽度的至少50％。
7.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一电极焊盘的宽度是所述第一防剥离层的宽度的至少两倍。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极焊盘通过所述第一防剥离层的侧面接触所述反射电极。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一防剥离层包括多个孔，其中所述第一电极焊盘通过所述孔接触所述反射电极，其中所述第一电极焊盘通过所述防剥离层的周边接触所述反射电极。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一防剥离层沿着所述反射电极上的所述第一凸块焊盘的形状形成，其中所述第一凸块焊盘形成在所述防剥离层的顶表面和侧面上，所述第一凸块焊盘接触所述第一防剥离层的上部。
11.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第二凸块焊盘包围所述第一凸块焊盘的侧面区域。
12.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一防剥离层接触所述反射电极的顶表面，其中所述第一防剥离层包括绝缘材料。
13.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的一种，或者所述反射电极包括Ag/Ni/Ti/TiW/Ti的堆叠结构。
14.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一凸块焊盘具有形状，所述第二凸块焊盘具有“T”形状。
15.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一凸块焊盘与所述第一电极焊盘垂直交叠，以及所述第二凸块焊盘与所述第二电极焊盘垂直交叠。
16.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘包括选自Al、Ti、Cr、Ni、Pt、Au、W、Cu和Mo中的一种或其多层结构，或者所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘包括Cr/Ni/Ti/TiW/Ti的堆叠结构。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的发光器件，还包括设置在所述反射电极下的第二防剥离层。
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