KR20140030177A - 벌크 탄성파를 이용하여 동작하는 ｂａｗ-필터 - Google Patents

벌크 탄성파를 이용하여 동작하는 ｂａｗ-필터 Download PDF

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Abstract

본 발명은 벌크 탄성파를 이용하여 동작하는 BAW 필터에 관한 것으로, BAW 필터는 다층 구조물을 포함하고, 벌크 탄성파로 동작하는 BAW 공진기의 기능층들은 다층 구조물로 구현되고, 그리고 또한 다층 구조물에 의해 수동 소자들의 접속이 이루어지며, 수동 소자들은 하나의 발룬을 형성하고, 이때 발룬은 적어도 하나의 인덕턴스(L1, L2, L3) 및 적어도 하나의 커패시턴스(C1, C2)를 가지고, 이들은 BAW 공진기의 구조화된 기능층들로 구성된다. 또한 본 발명은 BAW 필터의 제조 방법에 관한 것이다.

Description

벌크 탄성파를 이용하여 동작하는 ＢＡＷ-필터{BAW-FILTER OPERATING USING BULK ACOUSTIC WAVES}
본 발명은 벌크 탄성파로 동작하는 BAW-필터(BAW = Bulk Acoustic Wave)에 관한 것이다.
다수의 송신기-수신기 회로에서 위상 정보를 포함하는 방해 신호를 소거하기 위해 대칭적(평형) 도선이 사용된다. 이러한 도선은 신호를 반대 위상으로 나눈 후에 이를 가산한다. 이때 두 도선에서 균일하게 결합되어 들어오는(coupled-in) 방해 신호는 그 값이 서로 상쇄되면서 소거된다. 평형 도선(balanced lines)의 사용은 특히 수신 분기에서 중요한데, 여기서는 일반적으로 신호 세기가 낮기 때문이다.
표면 탄성파로 동작하는 SAW-필터(SAW = Surface Acoustic Wave)에서는 특정한 위상 상태를 가진 신호가 포착될 수 있다. 이는 BAW-필터에서는 바로 구현되지는 않는다. 그러나 BAW 필터 기술은 더 큰 슬루율(slew rate), 더 고른 사용 대역 특성 및 더 낮은 온도 계수와 관련하여 현저한 이점을 제공한다. 비대칭이자 불평형인(unbalanced) 출력 도선을 포함하는 BAW 필터 다음에는 불평형 신호를 평형 신호로 변환하기 위한 발룬(Balun)이 연결될 수 있다.
발룬을 공간- 및 비용 절약적으로 필터와 조합하기 위해, 발룬과 BAW 필터가 공통의 칩 상에 배치되는 해결 방법은 공지되어 있다.
US 6,670,866은 칩을 설명하고, 상기 칩 상에 BAW 필터뿐만 아니라 FBAR-발룬(FBAR = Film Bulk Acoustic Resonator)이 구현되어 있다. 이때 FBAR-발룬은 다층의 매우 복잡한 구조물을 포함한다. 이러한 다층 구조물은 2개의 압전층, 4개의 전극층 및 1개의 유전체층을 포함한다.
DE 10 2005 003 834 B4는 FBAR-필터를 개시하고, 이 필터도 마찬가지로 BAW 필터와 함께 단일의 칩 상에 배치되며, 불평형 입력 신호를 평형 출력 신호로 변환한다. 이때 LCR 회로는 구조화된 금속층들 및 유전체 층들을 교번적으로 포함하는 구조로 구현된다. 또한 DE 10 2005 003 834 B4는 제조 방법도 설명하며, 이때 우선 BAW 필터는 칩 기판상에 형성된다. 이후의 단계에서, BAW 필터 위의 덮개 및 LCR 회로가 동시에 제조된다.
종래 기술에 공지된 칩 위에는 BAW 필터가 발룬과 조합되어서, 이러한 칩은 복잡한 구조를 가지고, 매우 소모적인 제조 방법을 필요로 한다. 따라서 본 발명의 과제는 개선된 BAW 필터를 제공하는 것이다.
상기 과제는 제1항의 특징들을 갖는 BAW 필터 그리고 제11항에 따른 BAW 필터의 제조 방법에 의하여 해결된다. 본 발명의 유리한 형성방식은 다른 청구항들로부터 도출된다.
본 발명에 따르면, 벌크 탄성파로 동작하는 BAW 필터가 제안되고, 이러한 필터는 다층 구조물을 포함하며, 상기 다층 구조물에 의해 벌크 탄성파로 동작하는 BAW 공진기의 기능층들이 구현된다. 또한 상기 BAW 필터에서 상기 다층 구조물에 의해 수동 소자들의 접속이 이루어지고, 상기 수동 소자들은 발룬을 형성하며, 이때 발룬은 적어도 하나의 인덕턴스 및 적어도 하나의 커패시턴스를 가지고, 이들은 BAW 공진기의 구조화된 기능층들로 형성된다.
각각의 BAW 필터는 다층 구조물의 기능층들로 구현된 BAW 공진기들을 포함한다. 본 발명의 기초가 되는 사상은 이러한 기능층들을 또한 발룬의 구현을 위해 활용하는 것이다. 이를 위해 기능층들은 구조화될 수 있고 수동 소자들을 형성할 수 있다. 본 발명에 따른 BAW 필터에서 BAW 공진기 및 발룬은 동일한 기능층들을 사용하고 따라서 동일한 다층 구조물로 제조될 수 있으므로, BAW 필터의 구조는 현저히 간단해진다. BAW 필터와 발룬의 구조화는 하나의 제조 공정에서 병행 진행되며 즉 동시에 진행될 수 있다.
발룬은 BAW 필터 칩 내에 통합되어 상기 칩과 함께 처리 및 구조화됨으로써, 상기 발룬의 구현은 제조 공정에서 추가적인 비용을 발생시키지 않는다.
공통의 칩 내에서 발룬이 BAW 필터와 통합되면 발룬의 소형화 가능성이 현저히 더 크다. 이제, 일반적으로 칩 제조를 위해 사용된 방법 및 기술이 발룬 제조에도 사용될 수 있고 특히 포토리소그래피 구조화가 사용될 수 있다.
BAW 공진기의 기능층들은 음향 거울, 제1 전극, 압전층, 제2 전극 및 트리밍층(trimming layer)을 포함할 수있다. 음향 거울은 BAW 공진기로부터 벌크 탄성파가 방출되어 기판 안으로 들어가는 것을 방지한다. 이때 상기 기판상에는 BAW 공진기가 배치되어 있다. 음향 거울은 예컨대 SiO2층들 및 금속층들을 교번적으로 포함할 수 있다.
일 실시 형태에서, 제1 전극의 아래에는 동일하게 구조화된 2개의 거울층이 배치되어 있다. 이때 각각의 거울층은 2개의 SiO2층들 사이에 매립된 금속배선층을 포함한다.
트리밍층은 제2 전극의 위에 배치될 수 있다. 상기 트리밍층은 SiO2층을 가리킬 수 있다. 트리밍층의 두께를 적절히 선택 및 변경함으로써, 개별적인 또는 복수 개의 BAW 공진기의 공진 주파수가 차후에도, 즉 고유의 공진기가 제조된 이후에도 조절될 수 있다.
일 실시 형태에서 인덕턴스는 나선형 금속배선으로 형성되고, 이는 BAW 필터의 금속 기능층으로부터 구조화되어 있다. 인덕턴스는 단층 또는 다층으로 구현될 수 있다. 이때 금속 배선은 다층 구조물의 복수 개의 층들에 걸쳐 연장될 수 있다. 이를 위해 특히 제1 전극, 제2 전극 또는 음향 거울의 금속층이 적합하다.
일 실시 형태에서, 커패시턴스는 2개의 구조화된 금속층들로 형성되고, 이러한 금속층들은 다층 구조물의 2개의 다른 층들 내에 배치되며, 다층 구조물 내에서 서로 중첩된다. 이때 커패시턴스는 이하의 층들 중 상이한 2개의 층들 내에서 구조화된 금속층들에 의해 형성될 수 있다: 음향 거울의 하나 이상의 금속층들, 제1 전극 및 제2 전극.
일 실시 형태에서 인덕턴스를 형성하는 구조화된 금속층들 및 커패시턴스를 형성하는 구조화된 금속층들은 적어도 부분적으로 포개어 배치될 수 있다.
일 실시 형태에서, BAW 필터는 동일한 구조의 BAW 공진기들을 포함하고, 이러한 공진기들은 다만 트리밍층의 두께에 있어서만 상이하며, 이때 BAW 공진기들 중 하나의 트리밍층의 두께는 BAW 공진기가 커패시턴스로서 작용하도록 선택된다. 트리밍층의 두께가 현저히 변경되면 BAW 공진기의 공진 주파수가 이조된다(detuned). 공진 주파수가 현저히 이조된 BAW 공진기는 발룬 회로 내에서 커패시턴스로서 사용될 수 있다.
일 실시 형태에서 발룬은 불평형 입력부를 평형 출력부의 2개의 출력 포트와 연결하고, 이때 발룬은 제1 신호 경로, 제2 신호 경로 및 제3 신호 경로를 포함하고, 제1 신호 경로는 상기 불평형 입력부를 제1 인덕턴스, 제1 노드(node), 제2 인덕턴스 및 제2 노드를 통하여 평형의 제1 출력 포트와 연결하고, 제2 신호 경로는 상기 제2 노드를 제1 콘덴서, 제3 인덕턴스 및 제3 노드를 통하여 평형의 제2 출력 포트와 연결하고, 제3 신호 경로는 상기 제1 노드를 제2 커패시턴스를 통하여 제3 노드와 연결한다. 상기 회로는 불평형 입력 신호를 2개의 평형 출력 신호로 변환할 수 있고, 이러한 출력 신호들은 두 출력 포트에서 출력되며 서로 180°의 위상 이동을 포함한다.
일 실시 형태에서, 발룬 및 BAW 공진기는 나란히 배치되어 있다.
또한 본 발명은 BAW 필터의 제조 방법에 관한 것으로, 본 방법에서 기판 상에는 다층 구조물이 제공되고, 이때 BAW 공진기의 기능층들이 차례로 적층되며, 이때 다층 구조물의 층들은 수동 소자들이 접속되도록 구조화되며, 상기 수동 소자들은 발룬을 형성하고, 발룬은 적어도 하나의 인덕턴스 및 적어도 하나의 커패시턴스를 가지고, 이들은 BAW 공진기의 구조화된 기능층들로 구성된다.
발룬은 BAW 공진기의 구조화된 기능층들로 구성되므로, 제조 방법에서 발룬 및 BAW 공진기는 동시에, 즉 시간적으로 병행하여 제조될 수 있다. 이를 통해, 제조 단계의 수는 시간적으로 순차적인 제조에 비해 현저히 줄어든다.
인덕턴스 및/또는 커패시턴스를 형성하는 구조화된 금속층들은 기능층들의 포토리소그래피 구조화에 의해 생성될 수 있다. 포토리소그래피 구조화에 의해, 더 작거나 더 좁은 구조물이 높은 정확도로 제조될 수 있다. 포토리소그라피에서 구조화는 감광성 또는 복사 감응 레지스트 필름의 도포, 노광 및 현상 그리고 이후에 레지스트 구조물에 의해 덮이지 않은 층들 또는 층 영역들의 제거 식각에 의해 달성된다.
제조 방법의 일 실시 형태에서, 기판 상에는 차례로 음향 거울, 제1 전극, 압전층, 제2 전극 및 트리밍층이 적층된다. 이때 BAW 공진기 및 발룬은 나란히 배치되어 있다. 음향 거울은 복수 개의 거울층들을 포함할 수 있고, 거울층들은 차례로 적층된다. BAW 공진기 및 발룬은 병행 제조되고 다만, 상기 발룬에서는 BAW 공진기의 기능층들이 구조화되거나/구조화되고 트리밍층의 두께가 변경된다는 점에 있어서만 상이하다.
본 발명에 따른 BAW 필터는 특히, BAW 필터가 음향파로 동작하는 다른 필터와 함께 공통의 기판상에 통합되는 듀플렉서에 사용되기에 적합하다. 상기 다른 필터는 BAW 필터 또는 SAW 필터를 가리킬 수 있다. 본 발명에 따른 BAW 필터는 바람직하게는 듀플렉서의 수신 경로 내에 투입되는데, 여기서는 신호 세기가 더 낮아서 평형의 신호 안내가 유리하기 때문이다.
이하, 본 발명은 실시예들 및 이에 대한 도면들에 의거하여 더 상세히 설명된다. 도면은 개략적이고 축척에 맞지 않는 표현으로 본 발명의 다양한 실시예들을 도시한다.
도 1은 BAW 필터의 다층 구조물을 도시한다.
도 2는 발룬 회로를 도시한다.
도 3a는 다층 구조물의 일부인 구조화된 바텀 전극을 도시하고, 상기 다층 구조물에서 도 2에 도시된 회로가 구현되어 있다.
도 3b는 마찬가지로 다층 구조물의 일부인 구조화된 탑 전극을 도시하고, 상기 다층 구조물은 도 2에 도시된 회로를 구현한다.
도 4는 본 발명에 따른 BAW 듀플렉서의 삽입 손실(S12, S23)을 도시한다.
도 5는 도 4에 도시된 곡선의 세부 부분을 도시한다.
도 6은 본 발명에 따른 BAW 듀플렉서의 수신 포트에서 반사 계수(S33)를 도시한다.
도 7은 본 발명에 따른 BAW 듀플렉서의 격리를 도시한다.
도 1은 기판(SUB)상에 배치된 다층 구조물을 포함하는 BAW 필터를 개략적으로 도시한다. 다층 구조물은 음향 거울(SP), 바텀 전극(BE), 압전층(PZ), 탑 전극(TE) 및 트리밍층(TR)을 포함한다.
바텀 전극 및 탑 전극(BE, TE)에는 교류 신호가 인가될 수 있고, 상기 교류 신호는 압전층(PZ) 내에서 벌크 탄성파를 여기시킨다. 음향 거울(SP)은 BAW 공진기로부터 상기 벌크 탄성파가 방출되어 기판(SUB) 안으로 들어가는 것을 방지한다. 이러한 목적을 위해, 음향 거울(SP)은 상대적으로 높은 음향 임피던스를 가진 층들 및 상대적으로 낮은 음향 임피던스를 가진 층들을 교번적으로 포함한다. 바람직하게는, 음향 거울(SP)은 SiO2층들 및 금속층들을 교번적으로 포함할 수 있다.
트리밍층(TR)은 SiO2층을 가리킬 수 있다. SiO2-트리밍층(TR)의 두께에 의해 음향 공진기의 공진 주파수가 확정된다.
도 1에 도시된 다층 구조물은 음향 BAW 공진기의 형성을 위해 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 다층 구조물의 기능층들의 구조화에 의해 수동 소자들의 접속이 이루어질 수 있고, 수동 소자들에 의해 발룬이 형성된다.
도 2는 다층 구조물의 구조화된 기능층들에 의해 구현된 발룬의 등가회로도를 도시한다. 발룬은 불평형의 1개의 입력 포트(EP) 및 2개의 출력 포트(AP1, AP2)를 포함하고, 출력 포트들은 하나의 평형 출력을 형성한다. 불평형 입력 포트(EP)에 인가된 신호는 도 2에 도시된 회로를 통하여 2개의 신호들로 나눠지고, 상기 신호들은 평형 출력부에서 출력된다. 도 2에 도시된 회로에 의해, 두 신호는 서로 180°만큼 위상 이동된다.
발룬은 불평형 입력 포트(EP)를 평형의 제1 출력 포트(AP1)와 연결하는 제1 신호 경로(S1)를 포함한다. 이러한 제1 신호 경로(S1) 내에서 제1 인덕턴스(L1), 제1 노드(K1), 제2 인덕턴스(L2) 및 제2 노드(K2)가 직렬로 접속되어 있다. 또한, 발룬은 제2 신호 경로(S2)를 포함하고, 제2 신호 경로는 제2 노드(L2)를 제1 커패시턴스(C1), 제3 인덕턴스(L3) 및 제3 노드(K3)를 통해 평형의 제2 출력 포트(AP2)와 연결한다. 제2 신호 경로(S2) 내에서 제1 커패시턴스(C1)와 제3 인덕턴스(L3) 사이에 제4 노드(K4)가 더 배치되어 있다. 상기 제4 노드(K4)를 통하여 제2 신호 경로(S2)는 참조 전위(GND)와 접속되어 있다. 발룬은 제3 신호 경로(S3)를 더 포함하고, 제3 신호 경로는 제1 노드(K1)를 제2 커패시턴스(C2)를 통하여 제3 노드(K3)와 연결한다.
도 3a, 3b는, 이제 도 2에 도시된 등가 회로도가 어떻게 다층 구조물 내에서 구현될 수 있는가를 도시한다. 이때 도 3a는 바텀 전극(BE)의 구조화된 금속배선(M1_BE - M5_BE)을 도시하고, 도 3b는 탑 전극(TE)의 구조화된 금속 배선(M1_TE - M6_TE)을 도시한다. 바텀 전극 및 탑 전극(BE, TE)으로 구조화된 금속 배선은 공통의 다층 구조물 내에 배치되고, 관통 접촉(D1 - D7)을 이용하여 원하는 위치에서 서로 연결되어 있다.
불평형 입력 포트(EP)는 탑 전극(TE) 내에 배치되어 있다. 불평형 입력 포트(EP)는 탑 전극(TE)의 제1 나선형 금속배선(M1_TE)과 연결되고, 제1 나선형 금속 배선은 제1 인덕턴스(L1)를 부분적으로 형성한다. 제1 관통 접촉(D1)을 통하여 탑 전극(TE)의 제1 나선형 금속배선(M1_TE)은 바텀 전극(BE)의 제1 나선형 금속배선(M1_BE)과 연결되어 있다. 두 나선형 금속 배선(M1_TE, M1_BE)은 함께 제1 인덕턴스(L1)를 형성한다.
바텀 전극(BE)의 제1 나선형 금속배선(M1_BE)은 제2 관통 접촉(D2)과 다시 연결되고, 제2 관통 접촉은 제1 노드(K1)를 구현한다. 제2 관통 접촉(D2)은 탑 전극(TE) 내에서 상기 탑 전극(TE)의 제2 나선형 금속배선(M2_TE)과 연결되고, 제2 나선형 금속 배선은 제1 신호 경로 내에서 제2 인덕턴스(L2)를 형성한다.
또한, 제2 관통 접촉(D2)은 탑 전극 내에서 직사각형 금속 배선(M3_TE)과 연결되어 있고, 이때 상기 직사각형 금속배선(M3_TE)에는 바텀 전극(BE)의 동일한 구조의 제2 직사각형 금속 배선(M2_TE)이 대향한다. 두 직사각형 금속 배선(M3_TE, M2_BE)은 판 콘덴서를 형성하고, 상기 판 콘덴서는 제3 신호 경로(S3) 내에서 커패시턴스(C2)를 형성한다.
바텀 전극(BE) 내의 직사각형 금속 배선(M2_BE)은 제3 관통 접촉(D3)과 더 연결되어 있고, 제3 관통 접촉은 상기 바텀 전극(BE) 내의 직사각형 금속 배선(M2_BE)을 탑 전극(TE)과 연결한다. 제3 관통 접촉(D3)은 제3 노드(K3)를 나타낸다. 제3 관통 접촉(D3)은 한편으로는 평형의 제2 출력 포트(AP2)와 연결되고, 다른 한편으로는 탑 전극(TE) 내에 배치된 제4 나선형 금속 배선(M4_TE)과 연결되며, 상기 제4 나선형 금속 배선은 신호 경로(S2) 내에서 제3 인덕턴스(LE)를 형성한다.
탑 전극(TE) 내의 제4 나선형 금속 배선(M4_TE)은 제4 관통 접촉(D4)을 통하여 바텀 전극(BE)과 연결되어 있다. 바텀 전극(BE) 내에서 제4 관통 접촉(D4)은 제3 금속 배선(M3_BE)과 연결되어 있다. 바텀 전극(BE)의 제3 금속 배선(M3_BE)은 다시 제5 관통 접촉(D5)을 통하여 탑 전극(TE)의 제5 금속 배선(M5_TE)과 연결되어 있다.
탑 전극(TE)의 제5 금속 배선(M5_TE)은 다른 연결부를 통하여 참조 전위(GND) 및 탑 전극의 제6 직사각형 금속배선(M6_TE)과 연결되어 있다. 상기 직사각형 금속배선(M6_TE)에는 바텀 전극(BE) 내에서 동일한 구조의 제4 직사각형 금속 배선(M4_BE)이 대향한다. 두 직사각형 금속 배선(M6_TE, M4_BE)은 신호 경로(S2) 내에서 제1 커패시턴스(C1)를 형성한다.
바텀 전극(BE)의 제4 직사각형 금속 배선(M4_BE)은 제6 관통 접촉(D6)과 연결되고, 제6 관통 접촉은 바텀 전극(BE)을 탑 전극(TE)과 연결한다. 제6 관통 접촉(D6)은 탑 전극(TE) 내에서 평형의 제1 출력 포트(AP)를 형성한다.
또한, 바텀 전극(BE) 내의 제4 금속 배선(M4_BE)은 제5 금속 배선(M5_BE)을 통하여 제7 관통 접촉(D7)과 연결되어 있다. 제7 관통 접촉(D7)은 바텀 전극(BE)을 탑 전극(TE)의 제2 금속 배선(M2_TE)과 연결한다. 제2 금속 배선(M2_TE)은 다시 제2 인덕턴스(L2)를 형성한다.
본 명세서에 설명된 다층 구조물 내에서 발룬 회로의 구현은 본 발명의 가능한 형성예시일 뿐이다.
인덕턴스(L1, L2, L3)는 다층 구조물의 하나 이상의 층들 내에서 나선형 금속 배선(M1_TE, M1_BE, M2_TE, M4_TE)에 의해 구현된다. 커패시턴스(C1, C2)는 평면적 금속 배선(M2_BE, M3_TE, M6_TE, M4_BE)에 의해 형성되고, 이들은 다층 구조물의 서로 다른 2개의 층들 내에 배치되고 서로 대향한다.
도 4 내지 도 7은 본 발명에 따른 BAW 필터를 포함하는 듀플렉서에 대한 것이다. 이때 본 발명에 따른 BAW 필터는 듀플렉서의 수신 경로 내에 배치되어 있다. 듀플렉서의 송신 경로 내에서 일반적인 BAW 필터가 사용된다.
도 4는 BAW 듀플렉서를 위한 주파수의 함수로서 삽입 손실(S12, S23)을 도시한다. 가로 좌표에는 주파수가 MHz 단위로 제공되고, 세로 좌표에는 손실이 dB 단위로 제공된다.
곡선(S12)은 TX 필터의 삽입 손실, 즉 신호의 주파수에 따르는 송신 포트로부터 안테나 포트로의 전송을 나타낸다. 곡선(S23)은 RX 필터의 삽입 손실, 즉 신호의 주파수에 따르는 안테나 포트로부터 수신 포트로의 전송을 나타낸다.
도 4 및 이후의 도면에서, 곡선(S12, S23)이 다중으로 도시되어 있다. 이때 제1 곡선은 이상적 부품을 포함한 듀플렉서에 대한 것이고, 제2 곡선은 일부는 이상적인 부품 및 일부는 실제적 부품을 포함하는 듀플렉서에 대한 것이고, 제3 곡선은 실제 부품을 포함한 듀플렉서에 대한 것이다.
도 5는 도 4에 도시된 곡선(S23)의 세부 부분을 도시한다.
도 6은 곡선(S33)으로 설명되는 수신 포트에서의 반사 계수를 도시한다. 가로 좌표에는 주파수가 MHz 단위로 제공되고, 세로 좌표에는 손실이 dB 단위로 제공된다.
도 7은 BAW 듀플렉서 내에서 송신 포트와 수신 포트 사이의 격리를 나타내는 곡선(S13)을 도시한다. 가로 좌표에는 주파수가 MHz 단위로 제공되고, 세로 좌표에는 손실이 dB 단위로 제공된다.
SUB 기판
SP 음향 거울
BE 바텀 전극
PZ 압전층
TE 탑 전극
TR 트리밍층
EP 입력 포트
AP1,AP2 출력 포트
S1-S3 신호 경로
L1-L3 인덕턴스
K1-K4 노드
C1,C2 커패시턴스
GND 참조 전위
M1_TE - M6_TE 탑 전극의 금속 배선
M1_BE - M5_BE 바텀 전극의 금속 배선
D1-D7 관통 접촉
S12 Tx-필터의 삽입 손실
S23 Rx-필터의 삽입 손실
S33 수신 포트의 반사 계수
S13 격리

Claims (15)

  1. 다층 구조물을 포함하며 벌크 탄성파로 동작하는 BAW 필터에 있어서,
    상기 다층 구조물에 의해 벌크 탄성파로 동작하는 BAW 공진기의 기능층들이 구현되고, 그리고 또한 상기 다층 구조물에 의해 수동 소자들의 접속이 이루어지며 상기 수동 소자들은 발룬(Balun)을 형성하고, 이때 상기 발룬은 적어도 하나의 인덕턴스(L1, L2, L3) 및 적어도 하나의 커패시턴스(C1, C2)를 포함하고, 이들은 상기 BAW 공진기의 구조화된 기능층들로 구성되는 것을 특징으로 하는 BAW 필터.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 BAW 공진기의 기능층들은 음향 거울(SP), 제1 전극(BE), 압전층(PZ), 제2 전극(TE) 및 트리밍층(TR)을 포함하는 것을 특징으로 하는 BAW 필터.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 인덕턴스(L1, L2, L3)는 상기 음향 거울(SP)의 하나 이상의 금속층들 및/또는 상기 제1 전극(BE)의 금속층 및/또는 상기 제2 전극(TE)의 금속층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 BAW 필터.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인덕턴스(L1, L2, L3)는 나선형 금속 배선(M1_TE, M1_BE, M2_TE, M4_TE)에 의해 형성되고, 상기 나선형 금속 배선은 상기 BAW 필터의 금속 기능층으로부터 구조화되는 것을 특징으로 하는 BAW 필터.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 커패시턴스(C1, C2)는 2개의 구조화된 금속층들(M2_BE, M3_TE, M6_TE, M4_BE)로 형성되고, 상기 금속층들은 상기 다층 구조물의 2개의 서로 다른 층들에 배치되며, 상기 금속층들은 상기 다층 구조물 내에서 서로 중첩되는 것을 특징으로 하는 BAW 필터.
  6. 청구항 2 및 청구항 5에 있어서,
    상기 커패시턴스(C1, C2)는 상기 음향 거울(SP)의 하나 이상의 금속층, 상기 제1 전극(BE)의 금속층 및 상기 제2 전극(TE)의 금속층 중에 2개의 서로 다른 층들 내에서 구조화된 금속층들(M2_BE, M3_TE, M6_TE, M4_BE)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 BAW 필터.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 BAW 필터는 구조가 동일한 BAW 공진기들을 포함하고, 상기 BAW 공진기들은 상기 트리밍층(TR)의 두께에 있어서 상이하며, 이때 상기 BAW 공진기들 중 하나의 상기 트리밍층(TR)의 두께는 상기 BAW 공진기가 커패시턴스로서 작용하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 BAW 필터.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인덕턴스(L1, L2, L3)를 형성하는 구조화된 금속층들(M1_TE, M1_BE, M2_TE, M4_TE) 및 상기 커패시턴스(C1, C2)를 형성하는 구조화된 금속층들(M2_BE, M3_TE, M6_TE, M4_BE)은 적어도 부분적으로 포개어 배치되는 것을 특징으로 하는 BAW 필터.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발룬은 불평형 입력부(EP)를 평형 출력부의 2개의 출력 포트(AP1, AP2)와 연결하고, 이때 상기 발룬은 제1 신호 경로(S1), 제2 신호 경로(S2) 및 제3 신호 경로(S3)를 포함하고, 상기 제1 신호 경로는 상기 불평형 입력부(EP)를 제1 인덕턴스(L1), 제1 노드(K1), 제2 인덕턴스(L2) 및 제2 노드(K2)를 통하여 상기 평형의 제1 출력 포트(AP1)와 연결하고, 상기 제2 신호 경로는 상기 제2 노드(K2)를 제1 콘덴서(C1), 제3 인덕턴스(L3) 및 제3 노드(K3)를 통하여 상기 평형의 제2 출력 포트(AP2)와 연결하고, 그리고 상기 제3 신호 경로는 상기 제1 노드(K1)을 제2 커패시턴스(C2)를 통하여 상기 제3 노드(K3)와 연결하는 것을 특징으로 하는 BAW 필터.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발룬 및 상기 BAW 공진기는 나란히 배치되는 것을 특징으로 하는 BAW 필터.
  11. 기판(SUB)상에 다층 구조물이 제공되는 BAW 필터의 제조 방법에 있어서,
    BAW 공진기의 기능층들은 차례로 적층 및 구조화되고, 이때 상기 다층 구조물의 층들은 상기 층들이 수동 소자들의 접속을 구현하도록 구조화되고, 상기 수동 소자들은 발룬을 형성하고, 상기 발룬은 적어도 하나의 인덕턴스(L1, L2, L3) 및 적어도 하나의 커패시턴스(C1, C2)를 포함하고, 이들은 상기 BAW 공진기의 구조화된 기능층들로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 인덕턴스(L1, L2, L3) 및/또는 상기 커패시턴스(C1, C2)를 형성하는 구조화된 금속층들(M1_TE, M1_BE, M2_TE, M4_TE, M2_BE, M3_TE, M6_TE, M4_BE)은 포토리소그래피 구조화에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
    상기 기판(SUB)상에 음향 거울(SP), 제1 전극(BE), 압전층(PZ), 제2 전극(TE) 및 트리밍층(TR)이 차례로 적층되는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 청구항 11 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 BAW 공진기 및 상기 발룬은 시간적으로 병행하여 구조화되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 따른 BAW 필터 및 음향파로 동작하는 다른 필터가 공통의 칩 상에 배치되는 듀플렉서.
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