KR20060119520A - Ｆｂａｒ 필터 및 ｉｄｔ를 구비한 복합소자 - Google Patents

Ｆｂａｒ 필터 및 ｉｄｔ를 구비한 복합소자 Download PDF

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KR20060119520A
KR20060119520A KR1020050042609A KR20050042609A KR20060119520A KR 20060119520 A KR20060119520 A KR 20060119520A KR 1020050042609 A KR1020050042609 A KR 1020050042609A KR 20050042609 A KR20050042609 A KR 20050042609A KR 20060119520 A KR20060119520 A KR 20060119520A
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Abstract

본 발명은 박막형 체적 탄성 공진기(Film Bulk Acoustic Resonator: FBAR) 필터 및 집적 수동 소자(Integrated Passive Device: IDT)를 함께 구비한 복합 소자에 관한 것이다. 본 발명은, 기판; 상기 기판 상면의 일영역에 형성된 적어도 하나의 FBAR 필터; 및 상기 기판 상면의 타영역에 형성되며, 서로 전기적으로 연결된 적어도 하나의 캐패시터 및 적어도 하나의 인덕터를 포함하고, 상기 인덕터 또는 캐패시터가 상기 FBAR 필터와 전기적으로 연결된 IPD를 포함하는 복합소자를 제공한다.
복합소자, FBAR, IPD, 체적 탄성 공진기, 집적 수동 소자

Description

ＦＢＡＲ 필터 및 ＩＤＴ를 구비한 복합소자{COMPOSITE DEVICE COMPRISING AND FBAR FILTER AND IDT}
도 1은 일반적인 멀티밴드 이동통신 단말기의 RF 회로부를 도시한 블록 구성도이다.
도 2는 종래의 SIP(Single In Package)형태의 RF 모듈을 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시형태에 따른 FBAR 필터와 IPD를 구비한 복합소자의 측단면도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 : 기판 100 : FBAR 필터
101 : 절연막 102 : 멤브레인층
103 : 하부전극(제1 금속패턴) 104 : 압전층
105 : 상부전극 106 : 도금층
200 : IPD 202 : 유전체층
203 : 제1 절연층 204 : 제2 절연층
205 : 단자부 210 : 인덕터부
220 : 캐패시터부 211, 221 : 제2 금속패턴
212, 222 : 제3 금속패턴
본 발명은 박막형 체적 탄성 공진기(Film Bulk Acoustic Resonator: FBAR, 이하 FBAR라 함) 필터 및 집적 수동 소자(Integrated Passive Device: IDT, 이하 IDT라 함)를 함께 구비한 복합 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 무선 통신 시스템의 수신단에 포함된 필터 및 매칭용 수동소자(캐패시터, 인덕터 등)를 하나의 칩 형태로 구현한 FBAR 및 IDT를 구비한 복합 소자에 관한 것이다.
최근 다양한 주파수 대역을 이용하는 이동통신 서비스를 하나의 단말기로 이용할 수 있는 멀티밴드 단말기가 개발되고 있다. 이러한 멀티밴드 단말기의 RF 회로부는 안테나에서 송수신되는 RF신호를 처리하기 위한 부분이다. 예를 들어, 두 개의 서로 다른 주파수 대역의 이동통신 서비스를 이용하기 위한 단말기의 경우, 두 주파수 대역의 신호를 분리하기 위해 다이플렉서가 안테나에 연결되어 사용될 수 있으나, 셋 이상의 주파수 대역의 이동통신 서비스에서 사용하기 위한 단말기에서는 다이플렉서 대신 RF 스위치를 사용할 수 있다. 특히, TDMA 방식의 디지털 이동통신에서는 전송방식의 특성상 주파수 대역을 분리하기 위해 RF 스위치가 사용되고 있다. 일반적인 멀티밴드 단말기의 RF 회로부가 도 1에 블록 구성도로서 도시된 다. 도 1은 서로 다른 네 개의 주파수 대역에서 사용할 수 있는 멀티밴드 단말기의 RF 회로부의 일례를 도시한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 종래 단말기의 RF 회로부는, 안테나(11)와, 상기 안테나(11)와 복수개의 연결단자를 제어신호에 따라 각각 연결하는 RF 스위치(12)와, 상기 RF 스위치(12)로부터 전달된 RF 수신신호를 해당 주파수 대역에 적절하게 필터링하는 복수개의 필터(13a 내지 13d)와, 상기 복수개의 필터(13a 내지 13d) 각각에 연결된 매칭회로(14a 내지 14d)와, 상기 매칭회로(14a 내지 14d)로부터 전달된 RF 수신신호를 처리하고, RF 송신신호를 출력하는 RF IC(15)와, 상기 RF IC(15)에서 출력된 RF 송신신호를 주파수 대역에 따라 나누어 증폭하는 복수개의 전력증폭기(16a, 16b)와 상기 전력증폭기(16a, 16b)의 이득을 조정하기 위해 상기 전력증폭기(16a, 16b)에서 증폭된 신호를 검출하는 커플러(17)와, 상기 커플러(17)를 통과한 RF 송신신호를 주파수 대역에 따라 필터링하여 상기 RF 스위치(12)로 전달하는 복수개의 저대역 통과 필터(18a, 18b)를 포함한다.
종래에 멀티밴드 이동통신 단말기의 RF 회로부는 PCB 기판 위에 각 소자를 실장한 형태의 RF 모듈로서 제작되었다. 도 2는 종래의 RF 모듈을 도시한 평면도이다. 도 2와 같이, 종래의 RF 모듈은 복수개의 필터(13), 매칭회로(14)를 구성하는 복수개의 개별 인덕터와 캐패시터 소자, RF IC(15) 등을 PCB 기판(21) 위에 각각 실장한 형태로 제작되었다.
도 2에 도시된 종래의 RF 모듈은, PCB 기판(21) 상에 개별 소자를 실장하므로, 각 소자값을 이용하여 수신단의 매칭을 구현하는 경우 원하는 수신 동작 특성을 만족시키는데 어려움이 있다. 따라서 종래에는 PCB 기판(21)에서 발생하는 기생성분 및 등가모델 등을 해석하여 PCB 기판(21)에 트레이스(trace)를 형성하여 개별 소자값을 최적화 시키는 방법을 이용해야 하는 문제점이 있다.
또한, 종래의 RF 모듈은, 개별 소자를 각각 PCB 기판(21) 위에 실장하기 위해 개별 소자간의 거리를 확보해야 하므로 RF 모듈의 사이즈가 증가하게 되어 단말기의 소형화에 적합하지 못한 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 그 목적은 이동통신 단말기의 RF 회로부에 채용되는 필터와 매칭회로를 FBAR 및 IDT를 포함하는 하나의 칩 형태로 구현함으로써, 단말기의 경박단소화에 적합하고 원하는 특성을 쉽게 구현할 수 있는 FBAR 및 IDT를 구비한 복합소자를 제공하는데 있다.
전술한 목적을 달성하기 위한 기술적 구성으로서 본 발명은,
기판;
상기 기판 상면의 일영역에 형성된 적어도 하나의 FBAR 필터; 및
상기 기판 상면의 타영역에 형성되며, 서로 전기적으로 연결된 적어도 하나 의 캐패시터 및 적어도 하나의 인덕터를 포함하고, 상기 인덕터 또는 캐패시터가 상기 FBAR 필터와 전기적으로 연결된 IPD를 포함하는 복합소자를 제공한다.
바람직하게, 상기 기판은 고주파 절연성이 우수한 기판(예를 들어, 글라스 기판, SiO2 기판, 고저항 실리콘 기판)이며, 가장 바람직하게, 글라스 기판이다.
본 발명의 일실시형태에서, 상기 IPD는, 상기 기판 상에 형성된 제1 금속 패턴과, 상기 제1 금속 패턴 상에 형성된 유전체층과, 상기 유전체층 상에 형성된 제2 금속패턴으로 이루어진 적어도 하나의 캐패시터부; 및 상기 제1 금속 패턴 상에 형성된 절연층과, 상기 절연층 상에 나선형 구조로 형성되며 그 일측은 상기 제1 금속 패턴과 연결된 제3 금속 패턴으로 이루어진 적어도 하나의 인덕터부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시형태에서, 상기 FBAR 필터는, 상기 기판 상면에 형성된 절연막; 소정 규격의 캐비티를 개재하여 상기 절연막 상에 형성된 멤브레인층; 상기 캐비티 상부의 상기 멤브레인층 상부에 배치되며, 두 개의 하부전극과, 상기 하부전극 중 일 하부전극 상에 형성된 압전층과, 상기 압전층 상면의 일영역에 형성된 상부전극으로 이루어진 FBAR; 상기 상부전극로부터 상면에 압전층이 형성되지 않은 일 하부전극 상면까지 연장되고, 상기 상부전극이 형성되지 않은 상기 압전층의 상면으로부터 타 하부전극의 상면까지 연장된 두 개의 도금층을 포함할 수 있다.
위와 같은 FBAR 필터를 갖는 복합소자에서, 상기 IPD는, 상기 절연층 또는 멤브레인층 상면에 형성된 제1 금속 패턴과, 상기 제1 금속 패턴 상에 형성된 상기 압전층과, 상기 압전층 상에 형성된 제2 금속패턴으로 이루어진 적어도 하나의 캐패시터부; 및 상기 제1 금속 패턴 상에 형성된 절연층과, 상기 절연층 상에 나선형 구조로 형성되며 그 일측은 상기 제1 금속 패턴과 연결된 제3 금속 패턴으로 이루어진 인덕터부를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 금속 패턴의 일부는 상기 하부전극과 일체형으로 형성될 수 있으며, 상기 제3 금속 패턴의 일부는 상기 상부전극과 일체형으로 형성되거나, 상기 제3 금속 패턴의 일부는 상기 도금층과 일체형으로 형성될 수 있다.
본 발명에서 채용된 FBAR 필터는 고주파(RF) 신호를 수신하는 과정에서 특정 주파수만을 추출하여 잡음을 제거하고 음질을 향상시키는 기능을 하는 핵심 부품이다. 상기 FBAR 필터는 반도체 공정을 이용하여 제작되므로, 표면 탄성파(SAW) 필터 및 세라믹 필터에 비해 극히 소형으로 제작될 수 있다. 따라서, FBAR 필터는 다른 부품들과 집적하기 용이하므로 각종 이동 통신 기기의 소형화 및 경량화에 적합하다.
또한, 본 발명에 채용된 IPD는 반도체 공정을 이용하여 복수의 수동소자(리지스터, 캐패시터, 인덕터)를 집적시켜 수동소자 회로를 하나의 칩형태로 제작한 것으로, 종래의 개별 소자 실장 방식의 수동소자에 비해 실장면적을 줄일 수 있고 공정 오차를 감소시킬 수 있는 장점이 있다.
본 발명은 이상과 같은 특징을 갖는 FBAR 필터와 IPD를 하나의 칩으로 제작 한 복합소자에 관한 것으로, FBAR 필터 및 IPD는 모두 반도체 공정을 이용하여 제작되므로 일련된 공정으로 쉽게 집적화가 가능하며, 경박단소화를 이룰 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시형태를 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명되는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에 도시된 구성요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 참조부호를 사용할 것이다.
도 3은 본 발명의 일실시형태에 따른 FBAR 필터와 IPD를 구비한 복합소자의 측단면도이다.
도 3을 참조하면, FBAR 필터와 IPD를 구비한 복합소자는 하나의 기판(1) 상면의 일영역에 형성된 FBAR 필터(100) 및 상기 기판 상면의 타영역에 형성된 IPD(200)를 포함하며, 상기 FBAR 필터(100)와 IPD(200)는 전기적으로 연결된다.
먼저, FBAR 필터(100)는, 기판(1)과, 상기 기판(1) 상면에 형성된 절연막(101)과, 캐비티(107)를 개재하여 상기 절연막(101) 상에 형성된 멤브레인층(102)과, 상기 멤브레인층(102)의 상부에 형성되며, 두 개의 하부전극(103)과 상기 하부 전극(103) 중 일 하부전극 상에 형성된 압전층(104)과 상기 압전층(104) 상면의 일영역에 형성된 상부전극(105)으로 이루어진 FBAR(103, 104, 105)와, 상기 상부전극(105)로부터 상면에 압전층이 형성되지 않은 일 하부전극(103)까지 연장되고, 상기 상부전극(105)이 형성되지 않은 압전층(104)의 상면으로부터 타 하부전극(103)까지 연장된 두 개의 도금층(106)을 포함하는 구조를 갖는다. 상기 상부전극(105) 및 압전층(104) 상에 위치한 도금층(106) 상부 및 상기 도금층(106)이 형성되지 않은 상부전극(105) 및 압전층(104)의 상부에 패시베이션층(미도시)이 더 형성될 수 있다.
상기 기판(1)은 대체로 실리콘, 고저항 실리콘, 갈륨-비소(GaAs), 세라믹 또는 글라스 물질로 이루어질 수 있다. 고주파(RF) 대역의 신호는 도전성 물질에 의한 흡수 등으로 인해 손실이 발생할 수 있으므로 상기 기판은 글라스 기판을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 절연막(101)은, 일반적으로 알려진 다양한 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 절연막(101)을 구성하는 대표적인 물질로는 실리콘 산화물(SiO2), 아연 산화물(ZnO), 실리콘 질화물(SixNy), 알루미늄 질화물(AlN) 등이 있으며, 저온 산화막(Low Temperature Oxide: LTO)으로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 기판(1)의 일 영역에서, 상기 절연막(101)의 상부에는 캐비티(107)를 개재하여 맴브레인층(102)이 형성된다. 상기 멤브레인층(102)은 상기 절연막(101)과 마찬가지로 실리콘 산화물(SiO2), 아연 산화물(ZnO), 실리콘 질화물(SixNy), 알 루미늄 질화물(AlN) 등의 절연물질로 이루어질 수 있다.
상기 캐비티(107) 상부의 멤브레인층(102) 상면에는 FBAR가 배치된다. 이 FBAR는 두 개의 하부전극(103), 상기 두 개의 하부전극(103) 중 하나의 하부전극 상에 형성된 압전층(104) 및 상기 압전층(104) 상면 일부 영역에 형성된 상부전극(105)으로 이루어진다. 상기 하부전극(103) 및 상부전극(105)은 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 탄탈륨(Ta), 백금-탄탈륨(Pt-Ta), 티타늄(Ti) 또는 백금-티타늄(Pt-Ti) 등과 같이 전기 전도성이 우수한 금속으로 이루어질 수 있으며, 몰리브덴으로 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 하부전극(103)은 상기 캐비티(107)의 상부에 위치한 멤브레인층(102) 상에 형성된 하부전극과 그렇지 않은 하부전극 두 개로 나뉘며, 상기 캐비티(107)의 상부에 위치한 멤브레인층(102) 상에 형성된 하부전극의 상면에는 압전층(104)이 형성된다. 상기 압전층(104)은 알루미늄 질화물(AlN) 또는 아연 산화물(ZnO) 등으로 이루어질 수 있다. 이 압전층(104)은 상기 상하부 전극(103, 105) 사이에 시간에 따라 변화하는 전계가 발생하면 체적 탄성파를 발생시킨다.
상기 도금층(106)은 상기 상부전극(105)로부터 상면에 압전층이 형성되지 않은 일 하부전극(103)의 상면까지 연장된 하나의 도금층과, 상기 상부전극(105)이 형성되지 않은 압전층(104)의 상면으로부터 타 하부전극(103) 상면까지 연장된 또 하나의 도금층을 포함한다. 상기 도금층(106)은 외부 전자부품과의 전기적 연결을 위해 와이어 본딩되는 부분으로 우수한 전기 전도성과 양호한 본딩 특성을 갖는 금(Au)으로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 상부전극(105) 및 압전층(104) 상에 위치한 도금층(106) 상부 및 상기 도금층(106)이 형성되지 않은 상부전극(105) 및 압전층(104)의 상부에 패시베이션층이 형성될 수 있다. 상기 패시베이션층은 두 개의 도금층(106) 또는 상부 전극(105)와 도금층(106)을 서로 전기적으로 절연하는 기능과 함께 상기 캐비티(107)를 형성하기 위해 상기 상부전극(105)으로부터 압전층(104), 하부전극(103) 및 멤브레인층(102)를 관통하는 비아(via)를 형성할 때 비아 주위의 구조물을 보호하는 역할을 한다.
한편, 상기 IPD(200)는 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(1) 상에 형성된 복수개 층으로 이루어진 금속 패턴(103, 211, 212, 221, 222)과 상기 금속 패턴(103, 211, 212, 221, 222) 사이에 배치된 유전체층(202) 또는 절연층(203, 204)으로 이루어진다. 상기 IPD(200)의 금속 패턴(103, 211, 212, 221, 222) 중 최하부의 금속패턴은 기판(1) 상에 직접 형성될 수도 있고, 상기 FBAR(100)를 제작할 때 형성된 절연막(101) 또는 멤브레인층(102)의 상부에 형성될 수도 있다.
상기 IPD(200)는 크게, 상기 기판(1) 또는 멤브레인층(102) 상에 형성된 제1 금속 패턴(103)과, 상기 제1 금속 패턴(103) 상에 형성된 유전체층(202)과, 상기 유전체층(202) 상에 형성된 제2 금속패턴(221)으로 이루어진 적어도 하나의 캐패시터부(220); 및 상기 제1 금속 패턴(103) 상에 형성된 절연층(203)과, 상기 절연층(203) 상에 나선형 구조로 형성되며 그 일측은 상기 제1 금속 패턴(103)과 연결된 제3 금속 패턴(212)으로 이루어진 적어도 하나의 인덕터부(210)를 포함할 수 있다. 제조공정의 편의를 위해, 상기 제1 금속 패턴(103)과 제3 금속 패턴(212) 사이에는 타 금속패턴(211)이 형성될 수도 있다. 이 금속패턴(211)은 상기 캐패시터부(220)의 제2 금속패턴(221)을 형성할 때 동시에 형성된 것으로 유전체층(202)을 관통하여 제1 금속패턴(103)과 접촉하게 된다. 또한, 상기 제2 금속 패턴(221)의 상부에는 제3 금속패턴(212)이 형성될 때 동시에 형성된 금속패턴(222)이 형성될 수 있다. 상기 제2 금속패턴(221)과 제3 금속패턴(212)의 상부는 또 다른 절연층(204)이 형성될 수 있다. 상기 IPD(200)는 상기 절연층(203, 204) 및 유전체층(202)을 관통하여 상기 제1 금속 패턴(103)과 접하는 단자부(205)를 구비할 수 있다.
상기 IPD(200)에 포함된 각 금속 패턴들은 제조공정 상에서 상기 FBAR 필터(100)의 일부 구성요소와 동시 일체형으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 금속 패턴(103)은 상기 FBAR 필터(100)의 하부 전극이 연장되어 형성된 것으로 이를 통해 상기 IPD(200)와 FBAR(200) 필터가 전기적으로 연결될 수 있다. 다른 예로, 상기 제3 금속 패턴(212)의 일부는 상기 FBAR 필터(100)의 상부전극과 일체형으로 형성되어 상호 전기적으로 연결될 수 있다. 또 다른 예로, 상기 제3 금속 패턴(212)의 일부는 상기 도금층(106)과 일체형으로 형성되어 상호 전기적으로 연결될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 일실시형태에 따른 FBAR 필터와 IPD를 구비한 복합소자는, 복합소자의 내부에서 별도의 연결구조를 이용하지 않고서 FBAR 필터의 전극 또는 도금층 및 IPD의 금속패턴을 일체형으로 형성하여 상호간의 전기적 연결 을 구현할 수 있으므로, 종래의 PCB 기판을 이용한 RF 모듈에 비해 원하는 수신 동작 특성을 용이하게 만족시킬 수 있으며 기생 성분 등이 거의 존재하지 않기 때문에 별도의 최적화 과정을 생략할 수 있다. 또한, 반도체 공정을 통해 일체형으로 제작할 수 있으므로 제조 원가를 절감할 수 있고, 소형화가 가능하다.
이상에서 설명한 본 발명의 일실시형태에 따른 FBAR 필터와 IPD를 구비한 복합소자는, 복합소자의 내부에서 별도의 연결구조를 이용하지 않고서 FBAR 필터의 전극 또는 도금층 및 IPD의 금속패턴을 일체형으로 형성하여 상호간의 전기적 연결을 구현할 수 있으므로, 종래의 PCB 기판을 이용한 RF 모듈에 비해 원하는 수신 동작 특성을 용이하게 만족시킬 수 있으며 기생 성분 등이 거의 존재하지 않기 때문에 별도의 최적화 과정을 생략할 수 있다. 또한, 반도체 공정을 통해 일체형으로 제작할 수 있으므로 제조 원가를 절감할 수 있고, 소형화가 가능하다.

Claims (8)

  1. 기판;
    상기 기판 상면의 일영역에 형성된 적어도 하나의 FBAR 필터; 및
    상기 기판 상면의 타영역에 형성되며, 서로 전기적으로 연결된 적어도 하나의 캐패시터 및 적어도 하나의 인덕터를 포함하고, 상기 인덕터 또는 캐패시터가 상기 FBAR 필터와 전기적으로 연결된 IPD를 포함하는 복합소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 글라스 기판인 것을 특징으로 하는 복합소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 IPD는
    상기 기판 상에 형성된 제1 금속 패턴과, 상기 제1 금속 패턴 상에 형성된 유전체층과, 상기 유전체층 상에 형성된 제2 금속패턴으로 이루어진 적어도 하나의 캐패시터부; 및
    상기 제1 금속 패턴 상에 형성된 절연층과, 상기 절연층 상에 나선형 구조로 형성되며 그 일측은 상기 제1 금속 패턴과 연결된 제3 금속 패턴으로 이루어진 적어도 하나의 인덕터부를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 FBAR 필터는,
    상기 기판 상면에 형성된 절연막;
    소정 규격의 캐비티를 개재하여 상기 절연막 상에 형성된 멤브레인층;
    상기 캐비티 상부의 상기 멤브레인층 상부에 배치되며, 두 개의 하부전극과, 상기 하부전극 중 일 하부전극 상에 형성된 압전층과, 상기 압전층 상면의 일영역에 형성된 상부전극으로 이루어진 FBAR;
    상기 상부전극로부터 상면에 압전층이 형성되지 않은 일 하부전극 상면까지 연장되고, 상기 상부전극이 형성되지 않은 상기 압전층의 상면으로부터 타 하부전극의 상면까지 연장된 두 개의 도금층을 포함하는 것을 특징으로 하는 복합소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 IPD는,
    상기 절연층 또는 멤브레인층 상면에 형성된 제1 금속 패턴과, 상기 제1 금속 패턴 상에 형성된 상기 압전층과, 상기 압전층 상에 형성된 제2 금속패턴으로 이루어진 적어도 하나의 캐패시터부; 및
    상기 제1 금속 패턴 상에 형성된 절연층과, 상기 절연층 상에 나선형 구조로 형성되며 그 일측은 상기 제1 금속 패턴과 연결된 제3 금속 패턴으로 이루어진 인덕터부를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 금속 패턴의 일부는 상기 하부전극과 일체형으로 형성된 것을 특징으로 하는 복합소자.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제3 금속 패턴의 일부는 상기 상부전극과 일체형으로 형성된 것을 특징으로 하는 복합소자.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제3 금속 패턴의 일부는 상기 도금층과 일체형으로 형성된 것을 특징으로 하는 복합소자.
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