KR20140027534A - 변형된 스퍼터링 타겟 및 증착 구성요소, 이의 제조방법 - Google Patents
변형된 스퍼터링 타겟 및 증착 구성요소, 이의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
적어도 하나의 코일, 적어도 하나의 코일 세트, 적어도 하나의 코일-관련 장치, 적어도 하나의 타겟-관련 장치 또는 그의 조합을 포함하며, 여기서 상기 적어도 하나의 코일, 적어도 하나의 코일 세트, 적어도 하나의 코일-관련 장치, 적어도 하나의 타겟-관련 장치 또는 그의 조합은 일 표면을 포함하며, 그리고 여기서 상기 표면의 적어도 일부는 규칙적인 깊이 패턴을 포함하는 증착 장치가 본 명세서에 개시된다. 또한, 적어도 하나의 코일, 적어도 하나의 코일 세트, 적어도 하나의 코일-관련 장치, 적어도 하나의 타겟-관련 장치 또는 그의 조합은 일 표면을 포함하는, 상기 적어도 하나의 코일, 적어도 하나의 코일 세트, 적어도 하나의 코일-관련 장치, 또는 그의 조합을 제공하는 단계, 패터닝 도구를 제공하는 단계; 및 상기 패터닝 도구를 이용하여 상기 표면의 적어도 일부에 규칙적인 깊이 패턴을 생성하는 단계를 포함하는, 코일, 코일 세트 또는 코일-관련 장치, 적어도 하나의 타겟-관련 장치를 제조하는 방법이 본 명세서에 개시된다.
Description
본 출원은 2008년 1월 31일 제출되어 계류중이며 본 명세서에 참고문헌으로 편입된 미국 가출원 제 61/025,144호에 대한 우선권을 주장한다.
본 발명은 증착 구성요소의 성능을 향상시키고 그리고/또는 무엇보다도 상기 구성요소에 대한 수명을 증가시키기 위해 패턴- 변형된 그리고/또는 텍스쳐- 변형된, 코일 및 관련 기구 및 장치를 포함하는 스퍼터링 타겟 및 증착 구성요소들에 관한 것이다.
증착법은 기판 표면에 걸쳐 물질의 필름을 형성하는데 이용된다. 증착법은 예를 들어, 집적 회로 구조 및 장치의 제조시 최종적으로 이용되는 층을 형성하기 위해 반도체 제조 공정에 이용될 수 있다. 고려되는 증착법의 예는 화학 증기 증착법(CVD), 원자층 증착법(ALD), 유기금속 화학 증기 증착법(MOCVD), 및 물리적 증기 증착법(PVD)을 포함한다. PVD법은 스퍼터링 공정을 포함한다.
챔버 시스템 구성요소들은 타겟 플랜지, 타겟 측벽, 타겟 실드, 커버링, 코일, 컵, 핀 및/또는 클램프를 포함할 수 있다. 이러한 구성요소들은 파티클 트랩으로 작용하는 이들의 능력을 향상시키기 위해 그리고 파티클 형성과 관련된 문제를 줄이기 위해 다수의 방식으로 변형될 수 있다. 예를 들어, 미국 가출원 일련번호 제60/477810호, 제60/498036호 및 제60/396543호와 함께 미국 특허 출원 일련번호 제10/614806호, 제10/837555호 및 제10/985316호(모두 Honeywell International Inc.에 의해 공동 소유되며, 본 명세서에 참고문헌으로 편입됨)에는 증착 챔버 내에 하나 이상의 표면상에 벤트 스크롤(bent scroll) 패턴을 형성함으로써 파티클 포집을 위한 트랩을 형성하는 것이 개시되어 있다.
US 5391275(Mintz)에는 물리적 증기 증착 공정에 사용하기 전에 실드 및/또는 클램핑 링을 제조하는 방법이 개시되어 있으며, 상기 실드 및/또는 클램핑 링은 일차 비드 블라스팅된 다음, 풀려진 파티클을 제거하기 위해 초음파 세척 챔버에서 처리된다. 그 다음, 상기 구성요소는 스퍼터 에칭되거나 플라즈마로 처리된다. 컬럼 2 31-37행에서, Mintz는 "비드 블라스팅 단계는 실드 및/또는 클램핑 링의 표면을 불규칙하게 만든다. 이는 초현미경적 규모에 있는 증착 물질의 인터페이스 크랙 증식을 증진시키며 증착 물질의 플래이킹을 저해한다. 표면의 요철은 약한 평면을 따라 증가하는 파쇄의 방향을 변경시키거나 파쇄가 강한 지역을 지나서 전파되게 한다."라고 언급하였다.
US 5837057(Koyama) 참고문헌에는 챔버 또는 장치내에서 파티클을 조절하기 위해 분리된 파티클 방지 플래이트 또는 플래이트들을 이용하는 필름-형성 장치가 개시되어 있다. Koyama는 플래이트를 상기 장치 내부에 삽입시킴으로써 파티클 문제를 해결한다. Koyama는 마크로-스캐일 트래핑 리전을 형성하기 위해 기존의 챔버 또는 장치 구성요소의 표면을 처리하지 않는다. Koyama는 "피치"(편향되는 것을 의미함)를 갖는 프로젝션을 형성하는 것을 개시하고 있다.
예상되는 한 챔버 구성요소는 Honeywell Electronic Materials에 의해 생산되는 것들과 같은 코일 또는 코일 세트이며, 이는 기판 및/또는 적절한 표면상에 보다 균일한 필름 및/또는 층을 형성하기 위해 스퍼터링된 원자 및/또는 분자를 재배향하는 스퍼터링 챔버 또는 이온화 플라즈마 장치내부에 놓여진 소모 제품이다. 백그라운드용으로, 상기 코일은 이러한 시스템 및/또는 증착 장치에 타겟으로부터 스퍼터링되는 금속 원자의 적어도 일부를 이온화하기에 충분한 밀도의 2차 플라즈마를 생성하기 위한 유도 결합 장치로서 존재한다. 이온화 금속 플라즈마 시스템에서, 일차 플라즈마가 형성되고, 일반적으로 전자관에 의해 타겟 부근에 가두어지고, 그리고 후속적으로 Ti 원자와 같은 원자가 타겟 표면으로부터 방출되도록 한다. 코일 시스템에 의해 형성되는 2차 플라즈마는 Ti, Cu 및 Ta 이온을 생성한다(스퍼터링되는 물질에 따라 달라짐). 그 다음, 이러한 금속 이온은 기판(웨이퍼) 표면에 형성되는 피복내의 자기장에 의해 웨이퍼로 모인다. 본 명세서에 사용된, 용어 "피복"은 플라즈마와 어느 고형 표면 사이에 형성된 경계층을 의미한다. 상기 자기장은 웨이퍼 및/또는 기판에 바이어스 전압을 적용하여 조절될 수 있다.
통상적인 코일은 단락(shorting)으로부터 공정 챔버벽에 모이고, 이에 따라 대지 포텐셜(ground potential)로 모이는 공정 챔버 실드로의 코일 포텐셜을 억제하기 위해 세라믹 전기 절연체상에 서스펜딩된다. 상기 금속 플라즈마는 세라믹 절연체를 코팅하고 짧은 회로를 형성할 것이다. 컵 형상으로 형성된 실드는 세라믹상에 금속의 증착을 억제할 수 있는 플라즈마로부터 세라믹으로 광학적으로 밀집한 경로를 제공하기 위해 세라믹 주변에 놓여진다. 전형적으로, 상기 세라믹을 포함하는 작은 컵과 같은 실드가 코일에 부착되고, 보다 큰 컵과 같은 실드는 상기 보다 작은 컵과 같은 실드에 부착되어, 상기 컵들은 서로 전기적으로 분리되지만 세라믹을 차폐하기 위해 공동적으로 작용하다. 열 응력하에, 코일은 확장되며, 짧은 회로를 생성하고 기판상에서 증착 공정을 방해하는 코일의 이면과 컵과 같은 실드 외부 엣지 사이의 노미널 갭을 감소시킨다.
상기한 바와 같은 이러한 문제 및 잠잭적 결점에 부가적으로, 물리적 증기 증착법(PVD) 도중에 파티클 생성은 마이크로전자 장치 제조에 있어서 기능 칩(functional chips)의 수율을 감소시키는 가장 해로운 요인 중 하나이다. PVD 시스템에서, 파티클은 주로 증착이 챔버 구성요소들 주변에 형성될 경우 및 특히, 이온화 금속 플라즈마(IMP) 및 자가 이온화 플라즈마(SIP) 스퍼터링 시스템에 사용되는 코일상에 스트레스 유도된 크래킹이 일어날 경우에 생성된다. 증착은 주로 이러한 코일의 상부에 일어난다.
종래의 코일 및 코일세트는 사용되는 금속 또는 금속 합금 로드의 크기로 인해 제조하기가 어려울 수 있다. 따라서, 쇼츠, 증착 공정에 대한 인터럽션 또는 부적절한 금속 증착을 일으키지 않고 증착 장치, 스퍼터링 챔버 시스템 및/또는 이온화 플라즈마 증착 시스템에 사용되는 보다 우수한 형태 및 크기를 갖는 코일을 개발하는 것이 요구된다. 또한, 코일, 코일 세트와 타겟 간의 수명차를 줄임으로써 코일 및 타겟 모두를 교체하기 전에 코일을 교체하기 위해 매우 최소한으로 장치 또는 시스템을 셧 다운해야하는 횟수가 줄어들기 때문에, 이러한 새로운 코일 및 코일 세트는 사용되는 타겟과 유사한 수명을 갖도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 코일 또는 코일 세트를 포함하는 구성요소에 보다 균일하고, 보다 청결하고, 보다 튼튼한 텍스쳐를 부가하여, 리퍼비시 성능을 유지하면서 조도 요건을 만족하는 구성요소를 생산하는 것이 바람직하다. US 6812471에는 변형 코일 및 코일 세트가 개시되어 있으며, 상기 텍스쳐를 적용하기 위해 전자파 에너지의 빔을 사용한다. WO 2007/030824 A2는 텍스쳐를 부가하기 위해 맨드렐을 이용한 플로우 형성을 활용한다. 그러나, 이러한 접근법 중 어느 것도 앞서 언급한 목적을 성취하지 못한다. 또한, 예상되는 변형 구성요소들 및 코일은 다른 방법의 표면 텍스쳐링과 관련된 동일한 플레이킹 문제(flaking issues)를 갖는 것으로 예측되지 않는다.
당 기술분야의 종래의 시스템 및 현재 상태에 근거하여, 보다 균일하고, 청결하고, 그리고 더욱 견고한 코일 또는 코일 세트를 이용하는 동안에, 조도 요건을 유지하고 리퍼비시 성능을 유지하는, 표면 및/또는 기판상에 코팅, 필름 또는 증착의 균일성을 최대화하는 증착 장치 및 스퍼터링 챔버 시스템을 개발 및 활용하는 것이 요구된다.
적어도 하나의 코일, 적어도 하나의 코일 세트, 적어도 하나의 코일-관련 장치, 적어도 하나의 타겟-관련 장치 또는 이의 조합을 포함하며, 여기서 상기 적어도 하나의 코일, 적어도 하나의 코일 세트, 적어도 하나의 코일-관련 장치, 적어도 하나의 타겟-관련 장치 또는 이의 조합은 일 표면을 포함하며, 그리고 상기 표면의 적어도 일부는 규칙적인 깊이 패턴을 포함하는, 증착 장치가 본 명세서에 기술된다.
적어도 하나의 코일, 적어도 하나의 코일 세트, 적어도 하나의 코일-관련 장치, 적어도 하나의 타겟-관련 장치 또는 이의 조합은 일 표면을 포함하는, 상기 적어도 하나의 코일, 적어도 하나의 코일 세트, 적어도 하나의 코일-관련 장치, 적어도 하나의 타겟-관련 장치 또는 이의 조합을 제공하는 단계, 패터닝 도구를 제공하는 단계; 및 상기 패터닝 도구를 이용하여 상기 표면의 적어도 일부에 규칙적인 깊이 패턴을 생성하는 단계를 포함하는, 코일, 코일 세트, 적어도 하나의 타겟-관련 장치 또는 코일-관련 장치를 제조하는 방법이 또한 본 명세서에 기술된다.
본 발명에 따르면, 보다 균일하고, 청결하고, 그리고 더욱 견고한 코일 또는 코일 세트를 이용하는 동안에, 조도 요건을 유지하고 리퍼비시 성능을 유지하는, 표면 및/또는 기판상에 코팅, 필름 또는 증착의 균일성을 최대화하는 증착 장치 및 스퍼터링 챔버를 제공할 수 있다.
도 1은 예상되는 패턴을 나타낸 것이다.
도 2는 상기 패턴을 보여주는 실제 표면을 나타낸다.
도 3a 및 3b는 측면(3a) 및 바닥면(3b) 관점으로부터 고려되는 너얼링 도구를 나타낸다.
도 2는 상기 패턴을 보여주는 실제 표면을 나타낸다.
도 3a 및 3b는 측면(3a) 및 바닥면(3b) 관점으로부터 고려되는 너얼링 도구를 나타낸다.
쇼츠(shorts), 증착 공정에 대한 중단 또는 부적절한 금속 증착을 일으키지 않고 증착 장치, 스퍼터링 챔버 시스템 및/또는 이온화 플라즈마 증착 시스템에 사용되는 보다 우수한 형태 및 크기를 갖는 코일이 또한 개발되어 있다. 보다 균일하고, 청결하고, 그리고 보다 튼튼한 코일 또는 코일 세트를 이용하는 동시에, 조도 요건을 유지하고 리퍼비시 성능(ability to refurbish)을 유지하는, 표면 및/또는 기판상에 코팅, 필름 또는 증착의 균일성을 최대화하는 증착 장치 및 스퍼터링 챔버 시스템이 개발 및 활용되었다.
코일, 코일 세트와 타겟 간의 수명차를 줄임으로써 코일 및 타겟 모두를 교체하기 전에 코일을 교체하기 위해 매우 최소한으로 장치 또는 시스템을 셧 다운해야 하는 횟수가 줄어들기 때문에, 이러한 새로운 코일 및 코일 세트는 사용되는 타겟과 유사한 수명을 갖도록 하는 것이 바람직하다.
구체적으로, 본 증착 장치는 본 명세서에 기재된 모든 디자인 및 성능 목적을 달성하도록 특별히 디자인되고 설계된 텍스쳐 기하학적 구조를 포함하는, 적어도 하나의 코일, 적어도 하나의 코일 세트, 적어도 하나의 관련 구성요소 또는 이의 조합을 포함한다. 이 특별히 디자인되고 설계된 텍스쳐 기하학적 구조는 상술한 바와 같은 조도를 포함하는 기술과 관련된 문제를 해소한다. 본 증착 장치는 적어도 하나의 코일, 적어도 하나의 코일 세트, 적어도 하나의 코일-관련 장치, 적어도 하나의 타겟-관련 장치 또는 이의 조합을 포함하며, 여기서 상기 적어도 하나의 코일, 적어도 하나의 코일 세트, 적어도 하나의 코일-관련 장치, 적어도 하나의 타겟-관련 장치 또는 이의 조합은 일 표면을 포함하며, 그리고 여기서 상기 표면의 적어도 일부는 규칙적인 깊이 패턴을 포함한다.
구체적으로, 본 증착 장치는 본 명세서에 기재된 모든 디자인 및 성능 목적을 달성하도록 특별히 디자인되고 설계된 텍스쳐 기하학적 구조를 포함하는, 적어도 하나의 코일, 적어도 하나의 코일 세트, 적어도 하나의 관련 구성요소 또는 이의 조합을 포함한다. 이와 같이 특별히 디자인되고 설계된 텍스쳐 기하학적 구조는 상술한 바와 같은 조도를 포함하는 기술과 관련된 문제를 해소한다. 본 증착 장치는 적어도 하나의 코일, 적어도 하나의 코일 세트, 적어도 하나의 코일-관련 장치, 적어도 하나의 타겟-관련 장치 또는 이의 조합을 포함하며, 여기서 상기 적어도 하나의 코일, 적어도 하나의 코일 세트, 적어도 하나의 코일-관련 장치, 적어도 하나의 타겟-관련 장치 또는 이의 조합은 일 표면을 포함하며, 그리고 여기서 상기 표면의 적어도 일부는 규칙적인 깊이 패턴을 포함한다.
고려되는 구현으로서, 조절되고 특정된 텍스쳐 기하학적 구조 또는 구조화된 표면은 비드 블라스팅(bead blasting)과 같은 조도 기술의 사용 없이 그리고 랜덤 에칭 단계가 뒤따르지 않고서 구성요소들에 적용된다. 고려되는 텍스쳐 기하학적 구조는 고려되는 패턴(100)을 나타내는 도 1, 및 패턴(210)을 보여주는 실제 표면(200)을 나타내는 도 2에 나타낸 것과 같이, 다이아몬드 또는 크로스햇치를 포함하는, 특정되고 표적화된 패턴을 포함한다.
기계적인 도구를 포함하는 규칙적인 깊이 패턴을 갖는 본 명세서에 기술된 상기 독특한, 특정한 그리고 표적화된 패턴을 형성하는데 임의의 적절한 도구 또는 감산법(subtractive method)이 이용될 수 있다. 적절한 도구는 고려되고 청구된 원하는 조도를 얻는 어느 기계적 패터닝 도구를 포함한다. 도 3a 및 3b는 측면(310) 및 바닥면(320) 관점에서 본 고려되는 패터닝 도구(이 경우에는 너얼링 도구)를 보여준다. 핸들(330) 및 커팅 메카니즘(340)을 컷팅 블레이드(cutting blades)(350)와 함께 나타내었다. 비드 블라스팅 또는 랜덤 에칭의 공정은 본 명세서에 개시된 특정 패턴을 형성하지 않을 것임을 이해해야 할 것이다.
고려되는 패터닝 도구와 공정은 평균 깊이 패턴이 적어도 평균 0.350mm(25)깊이를 가지는 텍스쳐 기하학적 구조를 생산한다. 일부 실시예로, 고려되는 텍스쳐 기하학적 구조는 적어도 평균 0.380mm 깊이이다. 다른 실시예로, 고려되는 텍스쳐 기하학적 구조는 적어도 평균 0.400mm 깊이의 평균 깊이 패턴을 갖는다. 다른 실시예로, 예상되는 텍스쳐 기하학적 구조은 적어도 0.500mm 깊이의 평균 깊이 패턴을 갖는다. 일부 실시예로, 고려되는 텍스쳐 기하학적 구조은 평균 1.143mm 깊이 미만의 평균 깊이 패턴을 갖는다. 텍스쳐 기하학적 구조의 깊이와 관련하여 본 명세서에 사용된, 용어 "적어도 평균"은 텍스쳐 기하학적 구조의 길이에 걸친 평균 깊이가 적어도 명시된 바와 같은 깊이인 것을 의미한다. 일부 영역은 0.450mm일 수 있으며, 동일한 기하학적 구조에서 일부 영역은 0.520mm 깊이일 수 있으나, 그 평균은 본 명세서에 명시된 범위 내에 있다.
너얼링 도구 및 공정 또는 유사한 장치/방법에 의해 형성되는 이러한 규칙적인 깊이 패턴, 텍스쳐 기하학적 구조 및/또는 구조화된 표면은 엄격하게 조절되며, 이는 보다 청결하고, 보다 일정한 표면 텍스쳐를 생성한다. 사용 도중에 아아크 또는 플래이킹을 일으킬 수 있는 들쭉날쭉한 엣지를 형성하는 변형된 표면 구조를 이용한 코일의 재단장(refurbishment)과는 달리, 이러한 구성요소들 및 코일은 사용후 재단장될 수 있다.
본 발명에서 고려되는 구성요소들은 일반적으로 증착 시스템 구성요소로 신뢰성 있게 형성될 수 있는 임의의 물질을 포함할 수 있다. 적절한 구성요소로 제조하는데 고려되는 물질들은 금속, 금속 합금, 하드 마스크 물질 및 임의의 다른 적절한 물질이다.
본 명세서에 사용된, 용어 "금속"은 실리콘 및 게르마늄과 같은 금속성 특성을 갖는 원소들과 함께 원소 주기율표의 d-20 블록 및 f-블록에 있는 원소들을 의미한다. 본 명세서에 사용된, 용어 "d-블록"은 원소의 핵 주변에 있는 3d, 4d, 5d 및 6d 오비탈을 채우는 전자들을 갖는 원소들을 의미한다. 본 명세서에 사용된, 용어 "f-블록"은 원소의 핵 주변에 있는 4f 및 5f 오비탈을 채우는 전자를 갖는 원소들을 의미하며 란타나이드(lanthanides) 및 액티나이드(actinides)를 포함한다. 일부 고려되는 금속은 탄탈룸, 코발트, 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄, 니켈, 철, 아연, 알루미늄 및 알루미늄계 물질, 주석, 금, 은, 또는 그의 조합을 포함한다. 다른 고려되는 금속들은 구리, 알루미늄, 코발트, 마그네슘, 망간, 철 또는 그의 조합을 포함한다.
또한, 용어 "금속"은 합금을 포함한다. 본 발명에서 고려되는 합금은 금, 안티모니, 알루미늄, 구리, 니켈, 인듐, 코발트, 바나듐, 철, 티타늄, 지르코늄, 은, 주석, 아연, 레늄 및 그의 조합을 포함한다. 특정 합금은 금 안티모니, 금 아르세닉, 금 보론, 금 구리, 금 게르마늄, 금 니켈, 금 니켈 인듐, 금 팔라듐, 금 인, 금 실리콘, 금 은 백금, 금 탄탈륨, 금 주석, 금 아연, 팔라듐 리튬, 팔라듐 망간, 은 구리, 은 갈륨, 은 금, 알루미늄 구리, 알루미늄 실리콘, 알루미늄 실리콘 구리, 알루미늄 티타늄, 크롬 구리, 및/또는 그의 조합을 포함한다. 일부 실시예로, 고려되는 물질들은 미국 특허 제6331233호(Honeywell International Inc.에 의해 공동 소유되며, 본 명세서에 참고문헌으로 편입됨)에 개시된 물질들을 포함한다.
본 발명에서 고려되는 금속 및 합금은 보다 소량으로 다른 금속을 포함할 수 있다. 이러한 금속들은 특정 구성요소 배합에서 자연적으로 발생될 수 있으며, 또는 타겟 생성 도중에 첨가될 수 있다. 이러한 금속들은 전체적인 구성요소 특성에 대한 무변화를 제공하거나 구성요소 특성들을 향상시키도록 디자인되는 것으로 고려된다.
따라서, 증착 시스템 구성요소들 및 관련 장치를 제조하는 방법의 특정 구현 및 적용이 기술된다. 그러나, 본 발명의 발명적 개념을 벗어나지 않고 앞서 기술된 것들 이외에, 보다 많은 변형이 가능하다는 것이 당업자에게 분명히 이해되어야 한다. 따라서, 본 발명은 본 명세서에 개시된 사상을 제외하고 제한하는 것은 아니다. 더욱이, 본 명세서의 해석시, 모든 용어들은 정황에 맞는 가능한 가장 넓은 방식으로 해석되어야 한다. 특히, 용어 "포함하다" 및 "포함하는"은 원소들, 구성요소들, 또는 단계들과 관련하여 비제한적 방식으로 해석되어야 하며, 이는 언급된 원소들, 구성요소들, 또는 단계들이 특별히 언급되지 않은 다른 요소들, 구성요소들, 또는 단계들과 함께 존재하거나, 사용되거나 또는 결합될 수 있음을 나타낸다.
Claims (9)
- 증착 시스템에 사용되는 코일, 코일 세트, 또는 코일-관련 장치를 제조하는 방법에 있어서,
증착 시스템에 사용되는 적어도 하나의 코일, 적어도 하나의 코일 세트, 적어도 하나의 코일-관련 장치, 또는 그의 조합을 제공하는 단계로서, 상기 적어도 하나의 코일, 적어도 하나의 코일 세트, 적어도 하나의 코일-관련 장치, 또는 그의 조합은 일 표면을 포함하는, 상기 제공하는 단계;
기계적 패터닝 도구를 제공하는 단계; 및
상기 패터닝 도구를 이용하여 상기 표면의 적어도 일부에 특정 패턴을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 특정 패턴은 깊이를 가지고, 상기 특정 패턴의 깊이는 적어도 0.350mm이며, 상기 특정 패턴은 에칭되지 않고, 상기 특정 패턴은 너얼링된 패턴을 포함하는 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 특정 패턴의 평균 깊이는 적어도 0.400mm인 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 특정 패턴의 평균 깊이는 1.143mm 미만인 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 기계적 패터닝 도구는 너얼링 도구를 포함하는 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 특정 패턴은 기계적 공정으로부터 형성되는 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 특정 패턴은 균일한 제조 방법.
- 제1항 내지 제6항 중 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 코일.
- 제1항 내지 제6항 중 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 코일 세트.
- 제1항 내지 제6항 중 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 코일-관련 장치.
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Families Citing this family (8)
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---|---|---|---|---|
JP4763101B1 (ja) * | 2010-03-29 | 2011-08-31 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリング用タンタル製コイル及び同コイルの加工方法 |
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CN101920438B (zh) * | 2010-08-20 | 2012-01-11 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 一种溅射钽环件内外表面的卷圆机械连续滚花工艺 |
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JP2018523013A (ja) * | 2015-07-23 | 2018-08-16 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドHoneywell International Inc. | 改良されたスパッタリングコイル製品及び製造方法 |
US10655212B2 (en) | 2016-12-15 | 2020-05-19 | Honeywell Internatonal Inc | Sputter trap having multimodal particle size distribution |
US11183373B2 (en) | 2017-10-11 | 2021-11-23 | Honeywell International Inc. | Multi-patterned sputter traps and methods of making |
Family Cites Families (101)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US812471A (en) * | 1905-11-02 | 1906-02-13 | Ora Bleak Akers | Mail-bag catcher and deliverer. |
US3514391A (en) * | 1967-05-05 | 1970-05-26 | Nat Res Corp | Sputtering apparatus with finned anode |
US4431499A (en) * | 1982-02-26 | 1984-02-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method of sputter etching a surface |
DD212758A1 (de) * | 1982-12-27 | 1984-08-22 | Elite Diamant Veb | Steuervorrichtung fuer strickmaschinen |
US4508612A (en) * | 1984-03-07 | 1985-04-02 | International Business Machines Corporation | Shield for improved magnetron sputter deposition into surface recesses |
US4727293A (en) * | 1984-08-16 | 1988-02-23 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Plasma generating apparatus using magnets and method |
KR900001825B1 (ko) * | 1984-11-14 | 1990-03-24 | 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 성막 지향성을 고려한 스퍼터링장치 |
US4725334A (en) * | 1985-05-15 | 1988-02-16 | Chem-Tronics, Inc. | Method of forming integrally stiffened structures |
US4661233A (en) * | 1985-07-05 | 1987-04-28 | Westinghouse Electric Corp. | Cathode/ground shield arrangement in a sputter coating apparatus |
DE3634710A1 (de) * | 1986-10-11 | 1988-04-21 | Ver Glaswerke Gmbh | Vorrichtung zum vakuumbeschichten einer glasscheibe durch reaktive kathodenzerstaeubung |
US4834850A (en) * | 1987-07-27 | 1989-05-30 | Eltech Systems Corporation | Efficient electrolytic precious metal recovery system |
US4802968A (en) * | 1988-01-29 | 1989-02-07 | International Business Machines Corporation | RF plasma processing apparatus |
US4911814A (en) * | 1988-02-08 | 1990-03-27 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Thin film forming apparatus and ion source utilizing sputtering with microwave plasma |
JPH03120500A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-22 | Toshiba Corp | 多孔コリメータ及びその製造方法 |
US4925542A (en) * | 1988-12-08 | 1990-05-15 | Trw Inc. | Plasma plating apparatus and method |
JP2507665B2 (ja) * | 1989-05-09 | 1996-06-12 | 株式会社東芝 | 電子管用金属円筒部材の製造方法 |
US4988424A (en) * | 1989-06-07 | 1991-01-29 | Ppg Industries, Inc. | Mask and method for making gradient sputtered coatings |
US4990229A (en) * | 1989-06-13 | 1991-02-05 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
US5202008A (en) * | 1990-03-02 | 1993-04-13 | Applied Materials, Inc. | Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber |
US5391275A (en) * | 1990-03-02 | 1995-02-21 | Applied Materials, Inc. | Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber |
WO1992004482A1 (en) * | 1990-08-30 | 1992-03-19 | Materials Research Corporation | Pretextured cathode sputtering target and method of preparation thereof and sputtering therewith |
NL9002176A (nl) * | 1990-10-08 | 1992-05-06 | Philips Nv | Werkwijze voor het verminderen van deeltjescontaminatie tijdens sputteren en een sputterinrichting voor gebruik van een dergelijke werkwijze. |
US5209813A (en) * | 1990-10-24 | 1993-05-11 | Hitachi, Ltd. | Lithographic apparatus and method |
US5178739A (en) * | 1990-10-31 | 1993-01-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus for depositing material into high aspect ratio holes |
US5517758A (en) * | 1992-05-29 | 1996-05-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plating method and method for producing a multi-layered printed wiring board using the same |
US5401319A (en) * | 1992-08-27 | 1995-03-28 | Applied Materials, Inc. | Lid and door for a vacuum chamber and pretreatment therefor |
US5482612A (en) * | 1992-10-27 | 1996-01-09 | Texas Instruments Incorporated | Methods and systems for shielding in sputtering chambers |
US5382339A (en) * | 1993-09-17 | 1995-01-17 | Applied Materials, Inc. | Shield and collimator pasting deposition chamber with a side pocket for pasting the bottom of the collimator |
US5380415A (en) * | 1994-02-03 | 1995-01-10 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Vacuum vapor deposition |
US5474649A (en) * | 1994-03-08 | 1995-12-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing apparatus employing a textured focus ring |
US5518593A (en) * | 1994-04-29 | 1996-05-21 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Shield configuration for vacuum chamber |
JPH0897147A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | エピタキシャル結晶成長装置 |
JP3744964B2 (ja) * | 1995-04-06 | 2006-02-15 | 株式会社アルバック | 成膜装置用構成部品及びその製造方法 |
US5614071A (en) * | 1995-06-28 | 1997-03-25 | Hmt Technology Corporation | Sputtering shield |
US5577385A (en) * | 1995-09-11 | 1996-11-26 | Kapich; Davorin D. | Electropneumatic engine supercharger system |
KR100489918B1 (ko) * | 1996-05-09 | 2005-08-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마발생및스퍼터링용코일 |
US6368469B1 (en) * | 1996-05-09 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Coils for generating a plasma and for sputtering |
EP0954620A4 (en) * | 1997-01-16 | 2002-01-02 | Bottomfield Layne F | COMPONENTS FOR VACUUM EVAPORATION METALLIZATION AND RELATED METHODS |
JP3449459B2 (ja) * | 1997-06-02 | 2003-09-22 | 株式会社ジャパンエナジー | 薄膜形成装置用部材の製造方法および該装置用部材 |
US6345588B1 (en) * | 1997-08-07 | 2002-02-12 | Applied Materials, Inc. | Use of variable RF generator to control coil voltage distribution |
US6235169B1 (en) * | 1997-08-07 | 2001-05-22 | Applied Materials, Inc. | Modulated power for ionized metal plasma deposition |
US6162297A (en) * | 1997-09-05 | 2000-12-19 | Applied Materials, Inc. | Embossed semiconductor fabrication parts |
US6042700A (en) * | 1997-09-15 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source |
US6315872B1 (en) * | 1997-11-26 | 2001-11-13 | Applied Materials, Inc. | Coil for sputter deposition |
US6001227A (en) * | 1997-11-26 | 1999-12-14 | Applied Materials, Inc. | Target for use in magnetron sputtering of aluminum for forming metallization films having low defect densities and methods for manufacturing and using such target |
US6506287B1 (en) * | 1998-03-16 | 2003-01-14 | Applied Materials, Inc. | Overlap design of one-turn coil |
US6129808A (en) * | 1998-03-31 | 2000-10-10 | Lam Research Corporation | Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same |
KR100292410B1 (ko) * | 1998-09-23 | 2001-06-01 | 윤종용 | 불순물 오염이 억제된 반도체 제조용 반응 챔버 |
US6348113B1 (en) * | 1998-11-25 | 2002-02-19 | Cabot Corporation | High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same |
US6344105B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-02-05 | Lam Research Corporation | Techniques for improving etch rate uniformity |
US6235163B1 (en) * | 1999-07-09 | 2001-05-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for ionized metal plasma copper deposition with enhanced in-film particle performance |
US6371045B1 (en) * | 1999-07-26 | 2002-04-16 | United Microelectronics Corp. | Physical vapor deposition device for forming a metallic layer on a semiconductor wafer |
JP2001029773A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-02-06 | Anelva Corp | 真空装置 |
US6168696B1 (en) * | 1999-09-01 | 2001-01-02 | Micron Technology, Inc. | Non-knurled induction coil for ionized metal deposition, sputtering apparatus including same, and method of constructing the apparatus |
US6296716B1 (en) * | 1999-10-01 | 2001-10-02 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Process for cleaning ceramic articles |
US8696875B2 (en) * | 1999-10-08 | 2014-04-15 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
US6398929B1 (en) * | 1999-10-08 | 2002-06-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor and shields generating self-ionized plasma for sputtering |
US6200433B1 (en) * | 1999-11-01 | 2001-03-13 | Applied Materials, Inc. | IMP technology with heavy gas sputtering |
US6350353B2 (en) * | 1999-11-24 | 2002-02-26 | Applied Materials, Inc. | Alternate steps of IMP and sputtering process to improve sidewall coverage |
US6344419B1 (en) * | 1999-12-03 | 2002-02-05 | Applied Materials, Inc. | Pulsed-mode RF bias for sidewall coverage improvement |
TW503442B (en) * | 2000-02-29 | 2002-09-21 | Applied Materials Inc | Coil and coil support for generating a plasma |
DE10018143C5 (de) * | 2000-04-12 | 2012-09-06 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems |
US6699375B1 (en) * | 2000-06-29 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Method of extending process kit consumable recycling life |
US6890861B1 (en) * | 2000-06-30 | 2005-05-10 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing equipment having improved particle performance |
US6506254B1 (en) * | 2000-06-30 | 2003-01-14 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing equipment having improved particle performance |
US6503380B1 (en) * | 2000-10-13 | 2003-01-07 | Honeywell International Inc. | Physical vapor target constructions |
US6830622B2 (en) * | 2001-03-30 | 2004-12-14 | Lam Research Corporation | Cerium oxide containing ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and methods of manufacture thereof |
GB0112234D0 (en) * | 2001-05-18 | 2001-07-11 | Welding Inst | Surface modification |
US20030047464A1 (en) * | 2001-07-27 | 2003-03-13 | Applied Materials, Inc. | Electrochemically roughened aluminum semiconductor processing apparatus surfaces |
US7041201B2 (en) * | 2001-11-14 | 2006-05-09 | Applied Materials, Inc. | Sidewall magnet improving uniformity of inductively coupled plasma and shields used therewith |
US7371467B2 (en) * | 2002-01-08 | 2008-05-13 | Applied Materials, Inc. | Process chamber component having electroplated yttrium containing coating |
US6812471B2 (en) * | 2002-03-13 | 2004-11-02 | Applied Materials, Inc. | Method of surface texturizing |
KR100846484B1 (ko) * | 2002-03-14 | 2008-07-17 | 삼성전자주식회사 | Rmim 전극 및 그 제조방법 및 이를 채용하는 스퍼터링장치 |
US7026009B2 (en) * | 2002-03-27 | 2006-04-11 | Applied Materials, Inc. | Evaluation of chamber components having textured coatings |
US7163603B2 (en) * | 2002-06-24 | 2007-01-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma source assembly and method of manufacture |
US6955748B2 (en) * | 2002-07-16 | 2005-10-18 | Honeywell International Inc. | PVD target constructions comprising projections |
US7252738B2 (en) * | 2002-09-20 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support |
JP4256142B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2009-04-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン注入装置のプラズマ発生装置及びイオン注入装置 |
KR20060039862A (ko) * | 2003-06-04 | 2006-05-09 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 처리 시스템용의 개조 가능한 처리 요소와 그 제조 방법 |
US7455748B2 (en) * | 2003-06-20 | 2008-11-25 | Lam Research Corporation | Magnetic enhancement for mechanical confinement of plasma |
US20050048876A1 (en) * | 2003-09-02 | 2005-03-03 | Applied Materials, Inc. | Fabricating and cleaning chamber components having textured surfaces |
US20070056688A1 (en) * | 2003-09-11 | 2007-03-15 | Jaeyeon Kim | Methods of treating deposition process components to form particle traps, and deposition process components having particle traps thereon |
US20050098427A1 (en) * | 2003-11-11 | 2005-05-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | RF coil design for improved film uniformity of an ion metal plasma source |
US7220497B2 (en) * | 2003-12-18 | 2007-05-22 | Lam Research Corporation | Yttria-coated ceramic components of semiconductor material processing apparatuses and methods of manufacturing the components |
JP4503356B2 (ja) * | 2004-06-02 | 2010-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
US7618769B2 (en) * | 2004-06-07 | 2009-11-17 | Applied Materials, Inc. | Textured chamber surface |
JP3116197U (ja) * | 2004-06-28 | 2005-12-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プロセス残留物を付着する表面を有する基板処理チャンバー用コンポーネント |
US20060005767A1 (en) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Applied Materials, Inc. | Chamber component having knurled surface |
JP4999264B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2012-08-15 | 株式会社ネオス | 薄膜製造装置及びその製造方法 |
KR100790392B1 (ko) * | 2004-11-12 | 2008-01-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장치 |
WO2007084114A2 (en) * | 2005-01-12 | 2007-07-26 | New York University | System and method for processing nanowires with holographic optical tweezers |
US7364623B2 (en) * | 2005-01-27 | 2008-04-29 | Lam Research Corporation | Confinement ring drive |
US20060172542A1 (en) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus to confine plasma and to enhance flow conductance |
US8038837B2 (en) * | 2005-09-02 | 2011-10-18 | Tokyo Electron Limited | Ring-shaped component for use in a plasma processing, plasma processing apparatus and outer ring-shaped member |
US7762114B2 (en) * | 2005-09-09 | 2010-07-27 | Applied Materials, Inc. | Flow-formed chamber component having a textured surface |
US9127362B2 (en) * | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
KR20080001164A (ko) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 홀 휨 방지를 위한 플라즈마식각장치 및 그를 이용한 식각방법 |
JP4680841B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2011-05-11 | 日本ピストンリング株式会社 | Pvd用筒状ターゲット |
US20080066868A1 (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-20 | Tokyo Electron Limited | Focus ring and plasma processing apparatus |
JP2008103403A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台及びプラズマ処理装置 |
JP2008108540A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロン |
-
2008
- 2008-08-07 US US12/188,102 patent/US20090194414A1/en not_active Abandoned
-
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