JP2001029773A - 真空装置 - Google Patents
真空装置Info
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- JP2001029773A JP2001029773A JP11210475A JP21047599A JP2001029773A JP 2001029773 A JP2001029773 A JP 2001029773A JP 11210475 A JP11210475 A JP 11210475A JP 21047599 A JP21047599 A JP 21047599A JP 2001029773 A JP2001029773 A JP 2001029773A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＶＤ装置、スパッタ装置のように真空中で
成膜を行う真空装置において、成膜プロセス中に真空装
置内部の構造物表面に成膜された膜が、当該構造物の表
面から剥がれにくくなるように真空装置内部構造物の表
面が処理されている真空装置を提供することを目的とし
ている。 【解決手段】 本発明は、ＣＶＤ装置、スパッタ装置の
ように真空中で成膜を行う真空装置において、真空装置
内部の軟金属を材料として形成されている内部構造物
を、表面にヘアーライン加工が施されている構造物とす
ることにより目的を達成するものである。
成膜を行う真空装置において、成膜プロセス中に真空装
置内部の構造物表面に成膜された膜が、当該構造物の表
面から剥がれにくくなるように真空装置内部構造物の表
面が処理されている真空装置を提供することを目的とし
ている。 【解決手段】 本発明は、ＣＶＤ装置、スパッタ装置の
ように真空中で成膜を行う真空装置において、真空装置
内部の軟金属を材料として形成されている内部構造物
を、表面にヘアーライン加工が施されている構造物とす
ることにより目的を達成するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ装置、スパ
ッタ装置のように真空中で成膜を行う真空装置に関し、
特に、成膜プロセス中に真空装置内部の構造物表面に成
膜された膜が、当該構造物の表面から剥がれにくくなる
ように真空装置内部構造物の表面が処理されている真空
装置に関する。
ッタ装置のように真空中で成膜を行う真空装置に関し、
特に、成膜プロセス中に真空装置内部の構造物表面に成
膜された膜が、当該構造物の表面から剥がれにくくなる
ように真空装置内部構造物の表面が処理されている真空
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＶＤ装置、スパッタ装置のよう
な真空装置においては、その真空チャンバー内部の構造
物表面に、サンドブラストによって、微細な凹凸を形成
することがしばしば行なわれている。これは、これらの
成膜装置においては、成膜プロセスを行なうと、真空チ
ャンバー内部の構造物の表面にも成膜され、その成膜が
繰り返されると、厚くなった膜が剥がれ落ちて、ゴミと
して基板成膜表面を汚すなどの問題が生ずるため、膜と
構造物との密着力を高め、膜剥がれを防ぐためである。
サンドブラストとは、微細なセラミックの砂を圧縮空気
流によって構造物表面に吹き付け、構造物の表面に凹凸
を形成する方法である。
な真空装置においては、その真空チャンバー内部の構造
物表面に、サンドブラストによって、微細な凹凸を形成
することがしばしば行なわれている。これは、これらの
成膜装置においては、成膜プロセスを行なうと、真空チ
ャンバー内部の構造物の表面にも成膜され、その成膜が
繰り返されると、厚くなった膜が剥がれ落ちて、ゴミと
して基板成膜表面を汚すなどの問題が生ずるため、膜と
構造物との密着力を高め、膜剥がれを防ぐためである。
サンドブラストとは、微細なセラミックの砂を圧縮空気
流によって構造物表面に吹き付け、構造物の表面に凹凸
を形成する方法である。
【０００３】膜剥がれを防止する別な方法としては、Ａ
ｌ（アルミニウム）溶射が知られている。これは、溶か
したＡｌ（アルミニウム）を吹き付けることによって、
凹凸表面を得る方法である。
ｌ（アルミニウム）溶射が知られている。これは、溶か
したＡｌ（アルミニウム）を吹き付けることによって、
凹凸表面を得る方法である。
【０００４】
【発明により解決しようとする課題】真空装置の真空チ
ャンバー内部の構造物には、Ａｌ（アルミニウム）など
のような軟質材料を用い、かつ微細な孔の開いた構造物
がある。例えば、図６に示したＣＶＤ装置のシャワーヘ
ッドと呼ばれるガスの吹き出し板１５などがそれに当た
る。このような構造物では材料が柔らかいため、サンド
ブラストを行なった場合には、セラミック砂１６が表面
に食い込んで、構造物の表面に残留してしまうことにな
る。また、セラミック砂１６が微細な孔１７を塞いでし
まうこともあった（図６）。
ャンバー内部の構造物には、Ａｌ（アルミニウム）など
のような軟質材料を用い、かつ微細な孔の開いた構造物
がある。例えば、図６に示したＣＶＤ装置のシャワーヘ
ッドと呼ばれるガスの吹き出し板１５などがそれに当た
る。このような構造物では材料が柔らかいため、サンド
ブラストを行なった場合には、セラミック砂１６が表面
に食い込んで、構造物の表面に残留してしまうことにな
る。また、セラミック砂１６が微細な孔１７を塞いでし
まうこともあった（図６）。
【０００５】真空装置内部構造物の表面にＡｌ（アルミ
ニウム）溶射によって凹凸を形成しておく場合にも、微
細な孔１７（図６）が塞がれてしまうことがあった。
ニウム）溶射によって凹凸を形成しておく場合にも、微
細な孔１７（図６）が塞がれてしまうことがあった。
【０００６】前記のように、サンドブラストやＡｌ（ア
ルミニウム）溶射によって表面に微細な凹凸を形成した
構造物によって真空チャンバー内部の構造物のような真
空装置内部構造物が構成されている場合、構造物の表面
に残留してしまっているセラミック砂１６の存在によっ
て、真空チャンバー内部構造物の表面に成膜された膜が
剥がれやすくなるという問題点があった。また、前記の
ように微細な孔１７が塞がれている場合には、これによ
って成膜品質の向上が妨げられるという問題点があっ
た。
ルミニウム）溶射によって表面に微細な凹凸を形成した
構造物によって真空チャンバー内部の構造物のような真
空装置内部構造物が構成されている場合、構造物の表面
に残留してしまっているセラミック砂１６の存在によっ
て、真空チャンバー内部構造物の表面に成膜された膜が
剥がれやすくなるという問題点があった。また、前記の
ように微細な孔１７が塞がれている場合には、これによ
って成膜品質の向上が妨げられるという問題点があっ
た。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、軟金属を材料
として形成されている真空装置内部構造物の表面への微
細な凹凸の形成が、ヘアーライン加工によってなされて
いる構造物を真空装置内部構造物に採用することによっ
て、前記課題を解決したのである。
として形成されている真空装置内部構造物の表面への微
細な凹凸の形成が、ヘアーライン加工によってなされて
いる構造物を真空装置内部構造物に採用することによっ
て、前記課題を解決したのである。
【０００８】
【発明の実施の形態】すなわち、本発明は、ＣＶＤ装
置、スパッタ装置のように真空中で成膜を行う真空装置
において、真空装置内部の軟金属を材料として形成され
ている内部構造物は、表面にヘアーライン加工が施され
ている構造物であることを特徴とする真空装置である。
置、スパッタ装置のように真空中で成膜を行う真空装置
において、真空装置内部の軟金属を材料として形成され
ている内部構造物は、表面にヘアーライン加工が施され
ている構造物であることを特徴とする真空装置である。
【０００９】前記において、真空装置の内部構造物を形
成する材料となる軟金属には、Ａｌ（アルミニウム）な
ど、従来の真空装置において内部構造物用の軟質の金属
材料として採用されていたものが含まれる。
成する材料となる軟金属には、Ａｌ（アルミニウム）な
ど、従来の真空装置において内部構造物用の軟質の金属
材料として採用されていたものが含まれる。
【００１０】本発明によれば、前記のように、軟金属を
材料として形成されている構造物であって、ヘアーライ
ン加工によって表面に微細な凹凸が形成されている構造
物によって内部構造物が構成されている真空装置を提供
することができる。ヘアーライン加工によれば、サンド
ブラストによって構造物の表面に微細な凹凸を形成した
時のように、構造物の表面に異物（微細なセラミックの
砂）が残る事はないので、内部構造物の表面に成膜され
た膜が剥離してゴミ（パーティクル）が発生するおそれ
を減少させる事ができる。
材料として形成されている構造物であって、ヘアーライ
ン加工によって表面に微細な凹凸が形成されている構造
物によって内部構造物が構成されている真空装置を提供
することができる。ヘアーライン加工によれば、サンド
ブラストによって構造物の表面に微細な凹凸を形成した
時のように、構造物の表面に異物（微細なセラミックの
砂）が残る事はないので、内部構造物の表面に成膜され
た膜が剥離してゴミ（パーティクル）が発生するおそれ
を減少させる事ができる。
【００１１】また、真空装置の内部構造物がＡｌ（アル
ミニウム）などの軟金属を材料とするものであって、図
６に符号１７で図示したような、およそ１ｍｍ径以下の
細孔を表面に持つ構造物である場合に、本発明によっ
て、前記のようなおよそ１ｍｍ径以下の細孔を表面に持
つ構造物をも、ヘアーライン加工によって表面に微細な
凹凸の形成がされている構造物としておけば、サンドブ
ラストやＡｌ（アルミニウム）溶射によって表面に凹凸
が形成されている構造物が内部構造物となっていた従来
の真空装置の場合に生じるおそれのあった細孔１７（図
６）が塞がれてしまうことによる成膜品質への影響を排
除できるので、成膜品質の向上された真空装置を提供す
ることができる。
ミニウム）などの軟金属を材料とするものであって、図
６に符号１７で図示したような、およそ１ｍｍ径以下の
細孔を表面に持つ構造物である場合に、本発明によっ
て、前記のようなおよそ１ｍｍ径以下の細孔を表面に持
つ構造物をも、ヘアーライン加工によって表面に微細な
凹凸の形成がされている構造物としておけば、サンドブ
ラストやＡｌ（アルミニウム）溶射によって表面に凹凸
が形成されている構造物が内部構造物となっていた従来
の真空装置の場合に生じるおそれのあった細孔１７（図
６）が塞がれてしまうことによる成膜品質への影響を排
除できるので、成膜品質の向上された真空装置を提供す
ることができる。
【００１２】
【実施例】本発明の実施例を添付図面に基づいて説明す
る。
る。
【００１３】プロセスチャンバー１の隔壁２の表面２ａ
に多数のヘアーライン３、３を設ける。ヘアーライン
３、３は、隔壁２の表面に成膜された場合に、膜の剥落
を防止するものであるから、隔壁２の表面と膜の付着力
が、膜の重量よりも大きければ剥落するおそれがないの
で、十分の付着力を保有する程度のヘアーライン３、３
を設ける。図１、図２中、４は電極、５は酸素ガスパイ
プ、６は基板、７は排気系、８は貫通孔、９は拡散孔で
ある。
に多数のヘアーライン３、３を設ける。ヘアーライン
３、３は、隔壁２の表面に成膜された場合に、膜の剥落
を防止するものであるから、隔壁２の表面と膜の付着力
が、膜の重量よりも大きければ剥落するおそれがないの
で、十分の付着力を保有する程度のヘアーライン３、３
を設ける。図１、図２中、４は電極、５は酸素ガスパイ
プ、６は基板、７は排気系、８は貫通孔、９は拡散孔で
ある。
【００１４】なお、図１、図２図示の真空装置は、軟金
属であるＡｌ（アルミニウム）を材料として形成され、
表面にヘアーライン加工されている内部構造物よりなる
真空装置の一例として示したものである。本発明は、図
１、図２図示の真空装置に限られず、従来公知の真空装
置であって、真空装置内部の軟金属を材料として形成さ
れている内部構造物が、表面にヘアーライン加工されて
いる構造物からなる真空装置は、すべて本発明の技術的
範囲に含まれるものである。
属であるＡｌ（アルミニウム）を材料として形成され、
表面にヘアーライン加工されている内部構造物よりなる
真空装置の一例として示したものである。本発明は、図
１、図２図示の真空装置に限られず、従来公知の真空装
置であって、真空装置内部の軟金属を材料として形成さ
れている内部構造物が、表面にヘアーライン加工されて
いる構造物からなる真空装置は、すべて本発明の技術的
範囲に含まれるものである。
【００１５】前記ヘアーライン加工を施すには、図３の
ように、真空装置の内部構造物となる被処理物１０（例
えば、軟金属であるアルミニウムを材料として形成され
ている隔壁など）の表面に、回転するスチールブラシ１
１を回転させながら、往復させることにより、あるいは
スチールブラシ１１を固定しておいて被処理物１０を往
復移動させることにより、被処理物１０の表面に筋状の
凹凸であるヘアーライン１２が形成される。このヘアー
ライン１２の幅、深さ、ヘアーラインとヘアーラインと
の間の間隔は、スチールブラシの線材の直径、線材の植
設されている密度あるいは間隔、被処理物１０上でスチ
ールブラシ１１を回転させる際に被処理物１０の表面に
対して加える力、などにより定まるが、これらは、被処
理物１０が内部構造物として採用された真空装置におい
て、内部構造物となった被処理物１０の表面に成膜した
膜の付着力が増加し、剥がれにくくなるという目的を効
果的に達成できるように適宜定められる。
ように、真空装置の内部構造物となる被処理物１０（例
えば、軟金属であるアルミニウムを材料として形成され
ている隔壁など）の表面に、回転するスチールブラシ１
１を回転させながら、往復させることにより、あるいは
スチールブラシ１１を固定しておいて被処理物１０を往
復移動させることにより、被処理物１０の表面に筋状の
凹凸であるヘアーライン１２が形成される。このヘアー
ライン１２の幅、深さ、ヘアーラインとヘアーラインと
の間の間隔は、スチールブラシの線材の直径、線材の植
設されている密度あるいは間隔、被処理物１０上でスチ
ールブラシ１１を回転させる際に被処理物１０の表面に
対して加える力、などにより定まるが、これらは、被処
理物１０が内部構造物として採用された真空装置におい
て、内部構造物となった被処理物１０の表面に成膜した
膜の付着力が増加し、剥がれにくくなるという目的を効
果的に達成できるように適宜定められる。
【００１６】図４は、真空装置の内部構造物となる軟金
属からなる被処理物１０にヘアーライン加工を施す他の
例を説明するものである。真空装置の内部構造物となる
被処理物１０の表面に、ベルトやすり１３を当接し、前
記ベルトやすり１３を移動（回転と直線移動）させれ
ば、筋状の凹凸であるヘアーライン１２ができる。
属からなる被処理物１０にヘアーライン加工を施す他の
例を説明するものである。真空装置の内部構造物となる
被処理物１０の表面に、ベルトやすり１３を当接し、前
記ベルトやすり１３を移動（回転と直線移動）させれ
ば、筋状の凹凸であるヘアーライン１２ができる。
【００１７】図５は、真空装置の内部構造物となる軟金
属からなる被処理物１０にヘアーライン加工を施す更に
他の例を説明するものである。真空装置の内部構造物と
なる被処理物１０の表面にブロックやすり１４を当接し
つつ、両方向矢示１８のように往復移動させ、これを被
処理物１０の表面全体に渡って行えば、ヘアーライン１
２を設けることができる。
属からなる被処理物１０にヘアーライン加工を施す更に
他の例を説明するものである。真空装置の内部構造物と
なる被処理物１０の表面にブロックやすり１４を当接し
つつ、両方向矢示１８のように往復移動させ、これを被
処理物１０の表面全体に渡って行えば、ヘアーライン１
２を設けることができる。
【００１８】前記のようにして、Ａｌ（アルミニウム）
などの軟質の金属材料よりなる構造物表面に、ヘアーラ
イン加工を施すことができる。このとき、表面加工によ
って真空装置の内部構造物となる被処理物の表面に異物
を残すことはない。また、ＣＶＤ装置のシャワーヘッド
のような微細なガス吹き出し孔（例えば０．５ｍｍ径）
を塞ぐおそれも無い。
などの軟質の金属材料よりなる構造物表面に、ヘアーラ
イン加工を施すことができる。このとき、表面加工によ
って真空装置の内部構造物となる被処理物の表面に異物
を残すことはない。また、ＣＶＤ装置のシャワーヘッド
のような微細なガス吹き出し孔（例えば０．５ｍｍ径）
を塞ぐおそれも無い。
【００１９】Ａｌ（アルミニウム）を材料として形成さ
れる真空装置の内部構造物であるシャワーヘッドを、本
発明によって表面にヘアーライン加工されているシャワ
ーヘッドとした場合、成膜プロセス中に当該シャワーヘ
ッドに成膜された膜のシャワーヘッド表面への付着力が
向上するため、膜厚５０ミクロンまで、膜剥がれを抑制
することが可能であった。一方、ヘアーライン加工され
ていな従来のシャワーヘッドの場合には、膜厚１０ミク
ロンのＳｉＯ２ が積層された時に、膜剥がれが生じ
た。
れる真空装置の内部構造物であるシャワーヘッドを、本
発明によって表面にヘアーライン加工されているシャワ
ーヘッドとした場合、成膜プロセス中に当該シャワーヘ
ッドに成膜された膜のシャワーヘッド表面への付着力が
向上するため、膜厚５０ミクロンまで、膜剥がれを抑制
することが可能であった。一方、ヘアーライン加工され
ていな従来のシャワーヘッドの場合には、膜厚１０ミク
ロンのＳｉＯ２ が積層された時に、膜剥がれが生じ
た。
【００２０】
【発明の効果】本発明は、真空装置内部構成物の表面に
ヘアーラインを設けたので、膜剥がれによるゴミ（パー
ティクル）の発生を未然に抑えることができ、基板の成
膜品質を向上させることができる。
ヘアーラインを設けたので、膜剥がれによるゴミ（パー
ティクル）の発生を未然に抑えることができ、基板の成
膜品質を向上させることができる。
【図１】 本発明の実施例の真空装置の一部断面図。
【図２】 同じく一部拡大断面図。
【図３】 同じくヘアーラインの形成の１例を示す説明
図。
図。
【図４】 同じく他のヘアーラインの形成の１例を示す
説明図。
説明図。
【図５】 同じく更に別のヘアーラインの形成の１例を
示す説明図。
示す説明図。
【図６】 従来のサンドブラスト法で表面に凹凸を形成
した場合の一部拡大した断面図。
した場合の一部拡大した断面図。
１ プロセスチャンバー ２ 隔壁 ３ ヘアーライン ４ 電極 ５ 酸素パイプ ６ 基板 ７ 排気系 ８ 貫通孔 ９ 拡散孔 １０ 被処理物 １１ スチールブラシ １２ ヘアーライン １３ ベルトやすり １４ ブロックやすり
Claims (1)
- 【請求項１】 真空装置内部の軟金属を材料として形成
されている内部構造物が、表面にヘアーライン加工され
ている構造物であることを特徴とする真空装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11210475A JP2001029773A (ja) | 1999-07-26 | 1999-07-26 | 真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11210475A JP2001029773A (ja) | 1999-07-26 | 1999-07-26 | 真空装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001029773A true JP2001029773A (ja) | 2001-02-06 |
Family
ID=16589969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11210475A Pending JP2001029773A (ja) | 1999-07-26 | 1999-07-26 | 真空装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001029773A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014111841A (ja) * | 2008-01-31 | 2014-06-19 | Honeywell Internatl Inc | 蒸着システムで使用するためのコイル、コイルセットまたはコイル関連装置の製造方法、蒸着処理で使用するためのコイル、コイルセット、少なくとも１つのコイル関連装置、またはそれらの組合せ、蒸着システムで使用するためのコイル、コイルセットまたはコイル関連装置の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235627A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置の半導体基板保持治具 |
| JPH03138354A (ja) * | 1989-10-24 | 1991-06-12 | Pioneer Electron Corp | 防着板を備えた薄膜形成装置 |
| JPH10330971A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-15 | Japan Energy Corp | 薄膜形成装置用部材の製造方法および該装置用部材 |
| JP2000223432A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-08-11 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
-
1999
- 1999-07-26 JP JP11210475A patent/JP2001029773A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235627A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置の半導体基板保持治具 |
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| JP2014111841A (ja) * | 2008-01-31 | 2014-06-19 | Honeywell Internatl Inc | 蒸着システムで使用するためのコイル、コイルセットまたはコイル関連装置の製造方法、蒸着処理で使用するためのコイル、コイルセット、少なくとも１つのコイル関連装置、またはそれらの組合せ、蒸着システムで使用するためのコイル、コイルセットまたはコイル関連装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060712 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20081205 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20081205 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20081212 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090714 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090914 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100720 |