JPH03138354A - 防着板を備えた薄膜形成装置 - Google Patents
防着板を備えた薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH03138354A JPH03138354A JP27660989A JP27660989A JPH03138354A JP H03138354 A JPH03138354 A JP H03138354A JP 27660989 A JP27660989 A JP 27660989A JP 27660989 A JP27660989 A JP 27660989A JP H03138354 A JPH03138354 A JP H03138354A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- thin
- antisticking
- film
- plates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 21
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、スパッタ装置、真空蒸着装置等の薄膜形成装
置の気密容器内壁用防着板に関する。
置の気密容器内壁用防着板に関する。
背景技術
従来、この種の薄膜形成装置においては、例えば第2図
に示すような気密容器を有するスパッタ装置が知られて
いる。かかるスパッタ装置は、光ディスクのレプリカを
成形するためのスタンバを製造する工程において、現像
されたフォトレジスト原盤のピット面上に電鋳用の銀、
ニッケル等の金属薄膜を形成して該表面を導電化するた
めに用いられる。第2図において、かかるスパッタ装置
の真空空間1は気密容器2に囲繞されて画定されている
。気密容器2の内部にはモータ3に接続されたフォトレ
ジスト原盤を固定する保持器である原盤ホルダ4が回転
自在に取り付けられている。
に示すような気密容器を有するスパッタ装置が知られて
いる。かかるスパッタ装置は、光ディスクのレプリカを
成形するためのスタンバを製造する工程において、現像
されたフォトレジスト原盤のピット面上に電鋳用の銀、
ニッケル等の金属薄膜を形成して該表面を導電化するた
めに用いられる。第2図において、かかるスパッタ装置
の真空空間1は気密容器2に囲繞されて画定されている
。気密容器2の内部にはモータ3に接続されたフォトレ
ジスト原盤を固定する保持器である原盤ホルダ4が回転
自在に取り付けられている。
原盤ホルダ4の上にはフォトレジスト原盤5が装着され
る。気密容器2における原盤ホルダ4及びフォトレジス
ト原盤5の対向壁部には薄膜物質源であるターゲットホ
ルダ6が略平行になるようにターゲットホルダ6上にタ
ーゲット7が配置される。ターゲットホルダ6には電源
8が接続され気密容器2は接地されている。
る。気密容器2における原盤ホルダ4及びフォトレジス
ト原盤5の対向壁部には薄膜物質源であるターゲットホ
ルダ6が略平行になるようにターゲットホルダ6上にタ
ーゲット7が配置される。ターゲットホルダ6には電源
8が接続され気密容器2は接地されている。
気密容器2は容器本体2aと容器蓋2bとからなり、容
器蓋2bを符号Aに示す位置まで開放してフォトレジス
ト原盤5は原盤ホルダ4へ取付けられる。容器本体2a
には真空空間へA「ガスを導入するためのArガス通路
9aと排気系へ通じる排気通路9bが設けられている。
器蓋2bを符号Aに示す位置まで開放してフォトレジス
ト原盤5は原盤ホルダ4へ取付けられる。容器本体2a
には真空空間へA「ガスを導入するためのArガス通路
9aと排気系へ通じる排気通路9bが設けられている。
容器本体2aを容器M2bによって気密的に閉じること
ができる。気密容器2の容器本体2aと容器蓋2bとの
内面にはこれを覆うように複数のステンレス製の平滑な
面を有する防着板10が治具11によって内壁に平行に
取付けられている。
ができる。気密容器2の容器本体2aと容器蓋2bとの
内面にはこれを覆うように複数のステンレス製の平滑な
面を有する防着板10が治具11によって内壁に平行に
取付けられている。
このように、スパッタ又は真空蒸着装置の気密容器内で
は、フォトレジスト原盤5以外の場所すなわちその気密
容器内壁に付着する金属の除去が容易となるように、気
密容器2の内面に着脱自在な防着板10を設置している
。
は、フォトレジスト原盤5以外の場所すなわちその気密
容器内壁に付着する金属の除去が容易となるように、気
密容器2の内面に着脱自在な防着板10を設置している
。
しかし、スパッタ等により形成する薄膜がニッケルのよ
うな応力の高い金属である場合に、防着板10の表面が
平滑であるために比較的短い処理時間の後に防着板10
の上に付着した金属が剥離して気密容器内に飛散する現
象が起こる。この飛散した金属薄膜片がフォトレジスト
原盤5の上に付着してその表面を傷付けたりして製品の
欠陥を生ぜしめる場合がある。
うな応力の高い金属である場合に、防着板10の表面が
平滑であるために比較的短い処理時間の後に防着板10
の上に付着した金属が剥離して気密容器内に飛散する現
象が起こる。この飛散した金属薄膜片がフォトレジスト
原盤5の上に付着してその表面を傷付けたりして製品の
欠陥を生ぜしめる場合がある。
発明の概要
[発明の目的]
そこで、本発明の目的は、スパッタ又は真空蒸着工程中
、気密容器内において金属薄膜片の保持を長期化しその
飛散を抑制する防着板を備えた薄膜形成装置を提供する
ことにある。
、気密容器内において金属薄膜片の保持を長期化しその
飛散を抑制する防着板を備えた薄膜形成装置を提供する
ことにある。
[発明の構成]
本発明による薄膜形成装置は、気密容器と、前記気密容
器内に配置された薄膜物質源及び薄膜形成すべき基板を
保持する保持器と、前記気密容器の内壁近傍に着脱自在
に取り付けられかつ前記薄膜物質源に向かう粗面を有す
る防着板とを備えたことを特徴とする。
器内に配置された薄膜物質源及び薄膜形成すべき基板を
保持する保持器と、前記気密容器の内壁近傍に着脱自在
に取り付けられかつ前記薄膜物質源に向かう粗面を有す
る防着板とを備えたことを特徴とする。
[発明の作用]
本発明による薄膜形成装置における防着板は、気密容器
内部に向かう面すなわち薄膜物質源に向かう面が粗面で
ある故に、該粗面に金属薄膜が強固に付着するので剥離
し難くなる。
内部に向かう面すなわち薄膜物質源に向かう面が粗面で
ある故に、該粗面に金属薄膜が強固に付着するので剥離
し難くなる。
実施例
以下、本発明の実施例を図に基づいて詳細に説明する。
第1図は、本実施例による薄膜形成装置の気密容器内壁
用防着板を示す斜視図である。第1図(a)は、ヘアラ
イン面10aを有する防着板10を、第1図(a)は、
サンドブラスト面10bを有する防着板10を各々示す
。気密容器内部に取り付けた防着板10の内部に向かう
片面すなわち金属薄膜の付着面だけを表面処理して粗度
を大きくしてスパッタ又は蒸発金属の食付きを良くする
。これによって、付着した金属薄膜の付着時間を長期化
してその剥離、飛散を防止する。
用防着板を示す斜視図である。第1図(a)は、ヘアラ
イン面10aを有する防着板10を、第1図(a)は、
サンドブラスト面10bを有する防着板10を各々示す
。気密容器内部に取り付けた防着板10の内部に向かう
片面すなわち金属薄膜の付着面だけを表面処理して粗度
を大きくしてスパッタ又は蒸発金属の食付きを良くする
。これによって、付着した金属薄膜の付着時間を長期化
してその剥離、飛散を防止する。
防着板10の付着面を表面処理して粗度を高めるには、
ヘアライン処理、サンドブラスト処理、薬品による腐蝕
処理等によることが好ましい。ヘアライン処理は防着板
10の付着面上に隣り合うように緻密に複数の微細な平
行溝を形成する処理である。サンドブラスト処理は防着
板10の付着面上に加圧した砂等の研削剤を噴出させて
その表面に微細凹凸を形成する処理である。
ヘアライン処理、サンドブラスト処理、薬品による腐蝕
処理等によることが好ましい。ヘアライン処理は防着板
10の付着面上に隣り合うように緻密に複数の微細な平
行溝を形成する処理である。サンドブラスト処理は防着
板10の付着面上に加圧した砂等の研削剤を噴出させて
その表面に微細凹凸を形成する処理である。
これら処理の内ヘアライン及びサンドブラストの画処理
を行った防着板10を作成した。かかる防着板10をス
パッタ装置に装着して、第1表に示す条件で防着板10
の金属薄膜の剥離までに要した時間を測定し、その結果
を第2表に示す。
を行った防着板10を作成した。かかる防着板10をス
パッタ装置に装着して、第1表に示す条件で防着板10
の金属薄膜の剥離までに要した時間を測定し、その結果
を第2表に示す。
第1表
第2表
尚、第2表中の1は、サンドブラスト処理に用いる研削
剤粒子の大きさを示し大きいほど細かい。
剤粒子の大きさを示し大きいほど細かい。
発明の詳細
な説明したように、本発明による薄膜形成装置において
は、気密容器の内壁近傍に着脱自在に取り付けられた防
着板の付着面すなわち薄膜物質源に向かう面を粗面とし
たので、金属の剥離までに要する時間が大幅に伸びたた
め長期間、防着板の交換や清掃をすることなく清浄な環
境の下でスパッタ又は蒸着処理を行うことができる。
は、気密容器の内壁近傍に着脱自在に取り付けられた防
着板の付着面すなわち薄膜物質源に向かう面を粗面とし
たので、金属の剥離までに要する時間が大幅に伸びたた
め長期間、防着板の交換や清掃をすることなく清浄な環
境の下でスパッタ又は蒸着処理を行うことができる。
第1図は本発明による実施例の薄膜形成装置における防
着板の斜視図、第2図はスパッタ装置装置の概略断面図
である。 主要部分の符号の説明 1・・・・・・真空空間 2・・・・・・気密容器 2a・・・・・・容器本体 2b・・・・・・容器蓋 3・・・・・・モータ 4・・・・・・原盤ホルダ 5・・・・・・フォトレジスト原盤 6・・・・・・ターゲットホルダ 7・・・・・・ターゲット 8・・・・・・電源 9a・・・・・・Arガス通路 9b・・・・・・排気通路 10・・・・・・防着板 10a・・・・・・ヘアライン面 10b・・・・・・サンドブラスト面 11・・・・・・治具
着板の斜視図、第2図はスパッタ装置装置の概略断面図
である。 主要部分の符号の説明 1・・・・・・真空空間 2・・・・・・気密容器 2a・・・・・・容器本体 2b・・・・・・容器蓋 3・・・・・・モータ 4・・・・・・原盤ホルダ 5・・・・・・フォトレジスト原盤 6・・・・・・ターゲットホルダ 7・・・・・・ターゲット 8・・・・・・電源 9a・・・・・・Arガス通路 9b・・・・・・排気通路 10・・・・・・防着板 10a・・・・・・ヘアライン面 10b・・・・・・サンドブラスト面 11・・・・・・治具
Claims (1)
- 気密容器と、前記気密容器内に配置された薄膜物質源及
び薄膜形成すべき基板を保持する保持器と、前記気密容
器の内壁近傍に着脱自在に取り付けられかつ前記薄膜物
質源に向かう粗面を有する防着板とを備えたことを特徴
とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27660989A JPH03138354A (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | 防着板を備えた薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27660989A JPH03138354A (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | 防着板を備えた薄膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03138354A true JPH03138354A (ja) | 1991-06-12 |
Family
ID=17571827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27660989A Pending JPH03138354A (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | 防着板を備えた薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03138354A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0603782A2 (en) * | 1992-12-21 | 1994-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing a thin film resistor |
US6045665A (en) * | 1997-06-02 | 2000-04-04 | Japan Energy Corporation | Method of manufacturing member for thin-film formation apparatus and the member for the apparatus |
JP2001029773A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-02-06 | Anelva Corp | 真空装置 |
US8980045B2 (en) | 2007-05-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
US9068273B2 (en) | 2002-11-25 | 2015-06-30 | Quantum Global Technologies LLC | Electrochemical removal of tantalum-containing materials |
US9481608B2 (en) | 2005-07-13 | 2016-11-01 | Applied Materials, Inc. | Surface annealing of components for substrate processing chambers |
CN106222617A (zh) * | 2016-08-26 | 2016-12-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 用于镀膜设备的防着板结构及其制造方法、镀膜设备 |
-
1989
- 1989-10-24 JP JP27660989A patent/JPH03138354A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0603782A2 (en) * | 1992-12-21 | 1994-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing a thin film resistor |
EP0603782A3 (en) * | 1992-12-21 | 1996-05-01 | Canon Kk | Manufacturing process for a thin film resistor. |
US6045665A (en) * | 1997-06-02 | 2000-04-04 | Japan Energy Corporation | Method of manufacturing member for thin-film formation apparatus and the member for the apparatus |
US6319419B1 (en) | 1997-06-02 | 2001-11-20 | Japan Energy Corporation | Method of manufacturing member for thin-film formation apparatus and the member for the apparatus |
JP2001029773A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-02-06 | Anelva Corp | 真空装置 |
US9068273B2 (en) | 2002-11-25 | 2015-06-30 | Quantum Global Technologies LLC | Electrochemical removal of tantalum-containing materials |
US9481608B2 (en) | 2005-07-13 | 2016-11-01 | Applied Materials, Inc. | Surface annealing of components for substrate processing chambers |
US8980045B2 (en) | 2007-05-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
CN106222617A (zh) * | 2016-08-26 | 2016-12-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 用于镀膜设备的防着板结构及其制造方法、镀膜设备 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6699375B1 (en) | Method of extending process kit consumable recycling life | |
TW380278B (en) | Back sputtering shield | |
JPH03138354A (ja) | 防着板を備えた薄膜形成装置 | |
JPH04301074A (ja) | スパッタリング用ターゲット | |
JPS63238263A (ja) | 真空成膜装置のゴミ防止板 | |
JP4567867B2 (ja) | 磁気記録ディスク用成膜装置及び磁気記録ディスク製作方法 | |
US20080121516A1 (en) | Method and apparatus for treating sputtering target to reduce burn-in time and sputtering targets made thereby | |
JPH07102366A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPS62142758A (ja) | 薄膜形成装置の使用方法 | |
JPS61235560A (ja) | マグネトロンスパツタ装置 | |
JPH07122136B2 (ja) | イオンビームスパッタ装置および運転方法 | |
JPH04268065A (ja) | スパッタ成膜装置 | |
JPH11131224A (ja) | スパッタリングターゲットおよびスパッタ装置用部材 | |
FR2854804A1 (fr) | Procede de nettoyage et de decontamination bacterienne de pieces mecaniques a usage medical, et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procede | |
JPH1030174A (ja) | スパッタリング装置および該装置に用いるバッキングプレートの加工方法 | |
JP3964966B2 (ja) | 汚損防止手段を備えた成膜装置 | |
JP2002069627A (ja) | スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置 | |
JPS63125674A (ja) | 真空成膜装置 | |
JPS61235562A (ja) | マグネトロンスパツタ装置 | |
JPH0681146A (ja) | マグネトロン型スパッタ装置 | |
KR100609378B1 (ko) | 박막 형성 장치용 오염 방지판 및 그 제조 방법 | |
JPS5996270A (ja) | 連続式スパツタ装置 | |
JPH04232256A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPS59224116A (ja) | 非晶質シリコン膜の製造装置 | |
JPS56112469A (en) | Sputtering device |