JPS5996270A - 連続式スパツタ装置 - Google Patents

連続式スパツタ装置

Info

Publication number
JPS5996270A
JPS5996270A JP20462082A JP20462082A JPS5996270A JP S5996270 A JPS5996270 A JP S5996270A JP 20462082 A JP20462082 A JP 20462082A JP 20462082 A JP20462082 A JP 20462082A JP S5996270 A JPS5996270 A JP S5996270A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
substrate
sputtering
sputtering treatment
vacuum chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP20462082A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0241586B2 (ja
Inventor
Toshihiko Miyajima
俊彦 宮嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP20462082A priority Critical patent/JPS5996270A/ja
Publication of JPS5996270A publication Critical patent/JPS5996270A/ja
Publication of JPH0241586B2 publication Critical patent/JPH0241586B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、サブストレート(基板)を連続的にスパッタ
処理することが可能な連続式スパッタ装置に係り、特に
エアーツーエアー(Air  to  Air)式のス
パッタ装置に関する。
現在、真空蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタ
リング法等の蒸着装置の問題点として、真空チャンバー
内が非常に汚れるということがあげられる。とくに、ス
パッタ装置においてはターゲットよりたたぎ出された付
着原子が無指向性であるため、このチャンバー内の汚れ
は特に大きくなるぎらいがある。また、従来連続式スパ
ッタ装置に防着シールドを使用しているものもあるが、
その防着シールドを取り付けてもその部分は良いがシー
ルドされない他の部分はやはり汚れてしまうという欠点
を生じる。
一本発明は、上記の点に鑑み、円筒型防着シールドでス
パッタ処理を行う構成とすることによI)真空室内の汚
れを防止するとともに、該円筒型防着シールドを複数個
組合せて回転させる構造としてサブストレートを移送す
る成能を持たせることにより、サブストレートを連続的
にスパッタ処理することが可能な連続式スパッタ装置を
提供しようとするものである。
以下、本発明に係る連続式スパッタ装置の実施例を図面
に従って説明する。
第1図は連続式スパッタ装置の全体的構成を、第2図は
その場合に使用する円筒型防着シールドの構成をそれぞ
れ示すものである。これらの図において、真空チャンバ
ー1内には円筒型防着シールド2を放射状に4個組合せ
た回転部材3が回転自在に配置されている。この真空チ
ャンバー1の一方にはサブストレート4を搬入するため
の搬入路5が連結され、他方にサブストレート4を搬出
する搬出路6が連結されている。そして、搬入路5の途
中はシャツタフにより圧力調整室8Aが区画され、搬出
路6にはシャッタ9により圧力調整室8Bが区画される
。真空チャンバー1及び圧力調整室8A、8Bはそれぞ
れ独立した真空排気系により真空吸引されるようになっ
ている。前記真空チャンバー1の中心部にはアルゴン等
の不活性気体を吹出す導入口10が設けられている。そ
して、各円筒型防着シールド2の導入口10に近い方の
端部に所要の薄膜を形成するための金属原子を放出する
ターゲット11がそれぞれ配置され、他端部にはサブス
トレートホルダ12がそれぞれ設けられる。このサブス
トレートホルダ12は真空チャンバー1内に搬入されて
きたサブストレート4を保持する機能を有するものであ
る。なお、円筒型防着シールド2の材質としてはステン
レス等が好ましい。
以上の構成において、大気中より圧力調整室8A内に供
給されたサブストレート・1は、圧力調整室8A内が真
空チャンバー1と同程度の高真空状態となった後、シャ
ッタ7の開閉動作により真空チャンバー1内に1最大さ
れ、まず位置Aにある円筒型防着シールド2のサブスト
レートホルダ12で保持される。この位置Aではターゲ
ット11がアースでサブストレートホルダ12がマイナ
スとなる電圧関係となる。この結果、逆スパツタ処理に
よるサブストレートのイオンクリーニングが行われる。
その■回転部材3は90度回転しこれに伴いサブストレ
ート4も位置Bに来る。この位置Bにおいてはターゲッ
ト11がマイナス、サブストレートホルダ12がアース
という電圧関係となり通常のスパッタ処理が行われる。
スパッタ処理後のサブストレート4は回転部材3のさら
に90度の口伝により位置Cの排出位置に移送される。
ここで、サブストレート4はサブストレートホルダ12
よりはずされ、真空チャンバー1と同程度に高真空に設
定された圧力調整室8B内にシャッタ9の開閉により移
送され、さらにここから大気中に取り出される。このよ
うな動作が連続的に順次行われる。
」二記実施例によれば次のような効果をあげることがで
とる。
(1)円筒型防着シールド2の一端にターゲット11を
、他端にサブストレートホルダ12を配置し、この円筒
型防着シールド2内にてスパッタ処理を実行するので、
真空チャンバー1にスパッタの原子が(=1着し汚れる
不都合を防止でとる。
(2)円筒型防着シールド2を複数個放射状に組み合せ
て回11云部材としたので、サブストレート4を順次回
転して移送することができ、サブストレート4の連続的
なスパッタ処理が可能である。
(3) 真空ナヤンバ−1へのサブストレートの搬入路
5及び搬出路6にそれぞれ圧力調整室8A、8Bを設け
たので、真空チャンバー1の真空をサブストレート搬入
搬出のたびに極端に川面さなくても良いようにし、連続
スパッタ処理の効率化を図ることができる。
なお、上記実施例では、位置C1こおいてスパッタ処理
を行わない場合を示したが、必要に応じて位置Cにおい
ても又バッタ処理を行うようにすることも可能である。
また位置Aにおける逆スパツタを省略し逆スパックは真
空チャンバー搬入前に行うようにすることも可能である
以上説明したように、本発明によれば、円部型防着シー
ルドを用いこの内部でスパッタ処理を実行するようにし
て真空室内の汚れを防止するとともに、円筒型防着シー
ルドを組合せて回転部材を構成しサブストレートを移送
する機能を持たせることにより、サブストレートの連続
的なスパッタ処理を可能にした連続式スパッタ装置を得
ることか゛できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る連続式スパッタ装置の実施例を示
す平断面図、第2図は実施例における円部型防府シール
ドの構成を示す斜視図である。 ]・・・真空チャンバー、2・・・円筒型防着シールド
、3・・・回転部材、4・・・サブストレート、5・・
・搬入路、6・・・搬出路、7,9・・・シャッタ、8
A、8B・・・圧力調整室、11・・・ターゲット、1
2・・・サブストレートホルダ。 特許出願人 東京電気化学工業株式会社 代理人 弁理士 村 井  隆

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)真空室と、該真空室の入側及び出側に夫々連通可
    能に設けられる圧力調整室と、円筒型防着シールドを組
    合せた回転部材と、前記円筒型防着シールドの回転中心
    側の端面に配置されて原子を放出するターゲラ)・と、
    前記円筒型防着シールドの他端面に配置されるサブスト
    レートホルダとを4+iiiえ、入側の前記圧力調整室
    より前記真空室に入ったサブストレートを、前記サブス
    トレートホルダで保持してスパッタを実行し、前記回転
    部材の回転により排出位置に移送し、出側の前記圧力調
    整室に送出することを特徴とする連続式スパッタ装置。
JP20462082A 1982-11-24 1982-11-24 連続式スパツタ装置 Granted JPS5996270A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20462082A JPS5996270A (ja) 1982-11-24 1982-11-24 連続式スパツタ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20462082A JPS5996270A (ja) 1982-11-24 1982-11-24 連続式スパツタ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5996270A true JPS5996270A (ja) 1984-06-02
JPH0241586B2 JPH0241586B2 (ja) 1990-09-18

Family

ID=16493488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20462082A Granted JPS5996270A (ja) 1982-11-24 1982-11-24 連続式スパツタ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5996270A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04341563A (ja) * 1991-05-17 1992-11-27 Sharp Corp スパツタリング装置
US5655277A (en) * 1995-10-17 1997-08-12 Balzers Aktiengesellschaft Vacuum apparatus for the surface treatment of workpieces

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0495001U (ja) * 1991-01-10 1992-08-18

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04341563A (ja) * 1991-05-17 1992-11-27 Sharp Corp スパツタリング装置
US5655277A (en) * 1995-10-17 1997-08-12 Balzers Aktiengesellschaft Vacuum apparatus for the surface treatment of workpieces

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0241586B2 (ja) 1990-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7066626B2 (ja) 基板を処理するための方法および装置
EP0398589B1 (en) Perimeter wafer seal and method of using the same
US6328858B1 (en) Multi-layer sputter deposition apparatus
JPH0344147B2 (ja)
WO2000018979A9 (en) Sputter deposition apparatus
JPS59185775A (ja) 金属化合物の迅速反応性スパツタリング
WO2003003417A2 (en) High throughput hybrid deposition system and method using the same
KR19980042562A (ko) 막을 증착하는 방법 및 스퍼터링 장치
JPH10130825A (ja) 薄膜を被着させるための真空処理装置
JP5731085B2 (ja) 成膜装置
JPS5996270A (ja) 連続式スパツタ装置
JP4428873B2 (ja) スパッタリング装置
JP2004200219A (ja) 処理装置及び処理方法
JPH02251143A (ja) イオンビーム式スパッタリング装置
JPH0215632B2 (ja)
JPH05230640A (ja) スパッタ装置
JPS5996271A (ja) 連続式スパツタ装置
US10597785B2 (en) Single oxide metal deposition chamber
JPS63100181A (ja) 表面処理装置
JP2000064042A (ja) 回転アーム式スパッタ装置
JPS63291421A (ja) 半導体ウエハの処理方法
TW202305159A (zh) 成膜裝置
JPS63103068A (ja) スパツタリング装置
JPH10176267A (ja) スパッタ装置
JPH0633225A (ja) 真空蒸着装置