KR20140012978A - 성막 방법 및 성막 장치 - Google Patents

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KR1020137022074A
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코지 혼마
히토시 이누즈카
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가부시키가이샤 산케이 엔지니아링구
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Abstract

유독한 가스를 사용하지 않고 대기압 하에서 효율적으로 고농도의 불순물을 포함하는 막을 성막하는 성막방법 등을 제공한다. 성막 방법을 붕소 또는 오산화인 등의 불순물의 고체 소스를 가열 증발시켜 가스를 발생시키고, 얻어진 가스를 예열 된 기판의 표면에 분사함으로써 상기 기판상에 불순물을 함유하는 막을 성막하는 구성으로 한다.

Description

성막 방법 및 성막 장치 {Film Forming Method and Film Forming Device}
본 발명은, 예를 들면 태양 전지 또는 반도체의 제조 공정에서 실리콘 기판에 붕소, 인 등의 불순물을 확산하기 위해 불순물을 포함하는 막을 성막하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
종래, 예를 들면 태양 전지 또는 반도체의 제조 공정에 있어서 실리콘 기판에 PN 접합(junction)을 형성하기 위해 붕소, 인 등의 불순물을 확산시키는 각종 기술이 제안되고 있다. P형, N형 중 어느 확산층을 형성하는 경우에도 불순물을 포함한 막을 성막할 필요가 있다는 것은 주지이며, 그의 성막 방법 또는 불순물 층의 소재 등 다양한 제안이 이루어지고 있다.
예를 들어, P형 확산층을 형성하는 기술로서, 모노실란 (SiH4)과 디보란 (B2H6)를 대기압 하에서 열분해하고, 기판상에 붕소산화막(BSG)을 형성하는 것 (APCVD), 또는 감압 용기내에서 플라즈마를 이용하여 기판상에 붕소 산화막(BSG)을 형성하고, 그 후 캡 층으로서 실리콘 산화막 (SiO2, NSG)을 형성한 후, 높은 온도 하에서 확산층을 형성하는 것 등이 알려져 있다.
또한 N형 확산층을 형성하는 기술로서, 모노실란(SiH4)과 포스핀(PH3)를 대기압하에서 열분해하고, 기판상에 인산화 막(PSG)을 형성하는 것, 또는 감압 용기 내에서 플라즈마를 사용하여 기판상에 인산화 막(PSG)을 형성하고, 상술한 것과 같은 캡 층을 형성하고, 높은 온도하에서 확산층을 형성하는 것 등이 알려져 있다.
N형, P형 중 어느 확산층의 형성에 있어서도 불순물을 포함한 성막이 필요하다는 것은 주지이며, 그의 성막 방법이나 불순물 등의 소재 등 다양한 제안이 이루어지고 있다.
또한 공정의 단순화, 제조비용의 절감 등을 목적으로, 플라즈마를 이용한 직접적인 도핑 방법이나, 플라즈마 대신에 열 반응을 이용한 연속 성막방법, 또는 불순물을 포함한 페이스트 또는 용액을 도포하고, 가열함으로써 불순물 확산층을 얻는 방법 등이 제안되고 있다
특허문헌 1 : 일본국 특허공개 2010-161317호 공보 특허문헌 2 : 일본국 특허공개 2010 - 56465호 공보 특허문헌 3 : 일본국 특허공개 2009-253127호 공보 특허문헌 4 : 일본국 특허공개 2009-246214호 공보 특허문헌 5 : 일본국 특허공개 2009-147070호 공보 특허문헌 6 : 일본국 특허공개 2008-282921호 공보
최근 태양전지에 의한 발전 시스템의 보급이 급속히 진행되고 있어, 발전 효율의 향상이 요구되고 있지만, 실제로는 저렴한 태양전지 패널을 대량으로 설치하는 것이 현시점에서의 발전량 확보를 위해 중요하다.
여기에 태양전지 패널을 저렴하게 공급하기 위해서는, 제조 리드 타임(lead time)의 단축, 제조설비의 저가격화가 급선무이다는 것은 말할 것도 없지만, 특히 종래의 PN접합 형성을 위한 제조방법인 불순물층의 성막 장치 및 성막 공정을 단순화하는 것이 유용하다.
상술한 종래기술과 같이, 플라즈마를 이용하여 확산용 불순물 층을 성막하는 경우, 성막장치에는 진공설비 또는 고주파 설비를 필요로 하기 때문에 설비 자체가 고가로 된다. 또한 성막속도는 주로 성막 소스 가스의 유량에 의존하지만, 감압 상태에서는 대량의 소스 가스를 도입하는 것이 곤란하며, 성막공정의 장시간화를 초래하여 제조비용의 상승으로 이어진다. 또한 진공 설비는 연속 처리를 할 수 없고 필연적으로 배치식으로 처리하기 때문에 생산성 향상이 곤란하다.
이에 반하여, 대기압 하에서 모노실란(SiH4), 디보란(B2H6), 포스핀 (PH3)를 소스 가스로서 APCVD 처리를 행하는 경우, 이들 가스는 폭연성(爆燃性), 독성 등이 있서, 위험한 가스로 분류되어 있고, 그의 사용에 있어서는 제한 및 안전 설비가 부과되고, 설비 자체의 운용에는 부대설비의 도입 비용이 필수적이다.
또한 P형이면 붕소, N 형이면 인을 포함한 용액 또는 페이스트를 기판 상에 적하한 후 스핀 또는 잉크젯 방식 인쇄 등으로 도포 후 과열하여 확산층을 얻을 경우, 스핀 방식에서는, 약액(藥液)의 대부분이 사용되지 않고 폐기되기 때문에 효율적이지 않다. 또한 이들 불순물은 입자상으로서 용제에 포함되기 때문에, 잉크 젯 프린트 용의 프린터 헤드의 소형 노즐을 막히게 되어, 태양 전지 제조와 같은 대량 생산공정에는 부적합하다.
또한, 상술한 태양전지 제조에 관한 제반 문제는 반도체의 제조에도 비슷한 상황에 있다.
상술한 문제에 비추어 본 발명의 과제는 유해유독 가스를 사용하지 않고 대기압 하에서 효율적으로 고농도의 불순물을 포함하는 막을 성막하는 성막방법 및 성막장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 다음과 같은 해결 방법에 의해 상술한 과제를 해결한다.
청구항 1항에 관한 발명은 불순물의 고체 소스를 가열하고 증발시켜 가스를 발생시키고, 상기 가스를 기판에 분사함으로써 상기 기판상에 불순물을 함유하는 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 성막 방법이다.
청구항 2항에 관한 발명은, 상기 가스의 분사전에 상기 기판을 예열하는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 성막 방법이다.
청구항 3항에 관한 발명은 상기 고체 소스를 분사 구멍을 갖는 용기내에 배치하고, 상기 용기 내에서 상기 고체소스를 가열하여 발생한 상기 가스를 상기 분사 구멍으로부터 상기 기판에 분사하는 것을 특징으로 하는 청구항 1항 또는 청구항 2항에 기재된 성막 방법이다.
청구항 4항에 관한 발명은, 상기 용기 내에 상기 가스를 반송하기 위한 캐리어 가스를 도입하고, 상기 가스를 상기 캐리어 가스와 함께 상기 분사 구멍으로부터 분사하는 것을 특징으로 하는 청구항 3항에 기재된 성막 방법이다.
청구항 5항에 관한 발명은 반송장치에 의해 연속적으로 반송되는 상기 기판에 상기 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 청구항 1항 내지 청구항 4항 중 어느 한 항에 기재된 성막 방법이다 .
청구항 6항에 관한 발명은, 상기 막의 형성과 동시에 상기 가스의 온도를 이용하여 상기 기판 중의 상기 불순물의 확산을 행하는 것을 특징으로 하는 청구항 1항 내지 청구항 5항의 어느 한 항에 기재된 성막 방법이다.
청구항 7항에 관한 발명은 상기 고체 소스가 붕소를 갖는 것을 특징으로 하는 청구항 1항 내지 청구항 6항의 어느 한 항에 기재된 성막 방법이다.
청구항 8항에 관한 발명은 상기 고체 소스가 인산화물을 갖는 것을 특징으로 하는 청구항 1항 내지 청구항 6항의 어느 한 항에 기재된 성막 방법이다.
청구항 9에 관한 발명은 불순물의 고체 소스를 가열하고 증발시켜 가스를 발생시키는 가열 수단과, 상기 가스를 기판에 분사함으로써 상기 기판상에 불순물을 함유하는 막을 형성하는 분사 수단과를 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.
청구항 10항에 관한 발명은, 상기 가스를 분사하기 전에 상기 기판을 예열하는 예열 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 청구항 9항에 기재된 성막 장치이다.
청구항 11항에 관한 발명은 상기 고체 소스를 수용하는 용기부를 구비하고, 상기 가열수단은 상기 용기부의 내부에 배치되고, 상기 분사수단은 상기 용기부에 형성된 분사구멍인 것을 특징으로 하는 청구항 9항 또는 청구항 10항에 기재된 성막장치이다.
청구항 12항에 관한 발명은, 상기 용기부에 상기 가스를 반송하기 위한 캐리어 가스를 도입하는 캐리어 가스 도입수단을 구비하고, 상기 분사구멍은 상기 가스를 상기 캐리어 가스와 함께 분사하는 것을 특징으로 하는 청구항 11항에 기재된 성막 장치이다.
청구항 13항에 관한 발명은, 상기 분사수단에 상기 기판을 연속적으로 반송하는 반송수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 청구항 9항 내지 청구항 12항중의 어느 한 항에 기재된 성막 장치이다 .
청구항 14항에 관한 발명은, 상기 막의 형성과 동시에 상기 가스의 온도를 이용하여 상기 기판 중의 상기 불순물의 확산을 행하는 것을 특징으로 하는 청구항 9항 내지 청구항 13항 중의 어느 한 항에 기재된 성막 장치이다.
청구항 15항에 관한 발명은 상기 고체 소스가 붕소를 갖는 것을 특징으로 하는 청구항 9항 내지 청구항 14항 중의 어느 한 항에 기재된 성막 장치이다.
청구항 16항에 관한 발명은 상기 고체 소스가 인산화물을 갖는 것을 특징으로 하는 청구항 9항 내지 청구항 14항 중의 어느 한 항에 기재된 성막 장치이다
본 발명에 따르면, 예를 들면 모노실란 (SiH4), 디보란 (B2H6), 포스핀(PH3) 등의 위험성이 높은 유독가스를 사용하지 않고 성막할 수 있기 때문에 장치의 안전성이 높고 제해설비 등의 부대 설비가 필요 없으며, 나아가 태양 전지 패널의 가격 자체를 낮추는 효과를 기대할 수 있다.
또한 고농도의 불순물 확산막을 성막할 수 있기 때문에 성막 처리시간의 단축 및 막 제거에 필요한 습식 처리시간의 단축효과도 기대할 수 있다.
또한 확산장치를 사용하지 않고 성막 및 확산을 동시에 행하는 것도 가능하므로, 제조 공정의 단순화를 도모하는 것도 가능하다.
또한, 태양 전지 패널에 한하지 않고, 반도체에서도 실질적으로 동일한 효과를 얻을 수 있다
[도 1] 본 발명을 적용한 성막장치의 제1 실시형태의 구성을 나타내는 도면이다.
[도 2] 실시형태 1의 성막 장치에 의해 성막하고, 그 후 확산처리를 행한 실리콘 기판의 실시예 1의 SIMS 프로파일 데이터를 나타내는 그래프이다.
[도 3] 실시형태 1의 성막장치에 의해 성막하고, 그 후 확산처리를 행한 실리콘 기판의 실시예 2의 SIMS 프로파일 데이터를 나타내는 그래프이다.
[도 4] 본 발명을 적용한 성막장치의 제2 실시형태의 구성을 나타내는 도면이다.
[도 5] 본 발명을 적용한 성막장치의 제3 실시형태의 구성을 나타내는 도면이다.
[도 6] 본 발명을 적용한 성막장치의 제4 실시형태의 구성을 나타내는 도면이다
이하, 본 발명을 적용한 성막방법 및 성막장치의 실시형태에 대하여 도면 등을 참조하여 설명한다.
각 실시형태의 성막방법 및 성막장치, 예를 들어 태양 전지 패널 또는 반도체의 제조공정에 있어서 실리콘 기판의 양면에 불순물인 붕소 및 인을 함유하는 막을 성막하는 것이다.
그리고 N형 확산층을 형성하기 위해서는, 붕소를 갖는 막을 형성한 후에, 예를 들면 800 ~ 1100℃까지 산소 또는 질소 분위기하에서 가열하여 보론을 실리콘 기판 중에 확산시킨다.
또한 P형 확산층을 형성하기 위해서는, 인을 갖는 막을 형성한 후에, 예를 들면 800 ~ 1000℃까지 산소 또는 질소 분위기하에 가열하여 인을 실리콘 기판 중에 확산시킨다.
또한 이러한 확산 시에, 예를 들면 SiO2 등으로 구성된 캡 층을 형성할 수 있다.
<제1 실시형태>
이하, 본 발명을 적용한 성막장치의 제1 실시형태에 대하여 설명한다.
도 1은 제1 실시형태의 성막장치의 구성을 나타내는 도면이며, 도 1(a)는 도 1(b)의 a-a 부분 화살표 방향 단면도이고, 도 1(b)는 도 1(a)의 b-b 부분 화살표 방향 단면도이다.
성막장치 100은 기화용기 110, 가열장치 120, 배기 장치 130 등을 포함하여 구성되어 있다.
기화용기 110은 예를 들어 거의 직육면체 모양의 박스로 구성되어 있다.
기화용기 110의 내부는, 예를 들면 붕소의 고체 소스 S를 가열하고, 증발시키는 기화 공간으로 기능한다.
고체소스 S는 가능한 한 표면적을 크게 하고, 증기가 빠져나오기 쉽게 구멍 가공 또는 홈 가공 등이 실시되고 있다.
기화용기 110의 저면부에는 고체 소스 S가 고정되는 고체 소스 고정 플레이트 111이 설치되어 있다.
고체 소스 고정 플레이트 111에는 고체 소스 S를 끼워 넣는 오목부 112가 형성되어 있다.
또한, 고체 소스 고정 플레이트 111에는 고체 소스 S가 증발하여 발생한 가스 G, 예를 들면 실리콘 기판인 워크 W에 분사하는 분사 구멍인 슬릿 노즐 113이 형성되어 있다.
또한 기화용기 110은 냉각수가 흘러가는 냉각수 통로 114가 설치되어 있다. 냉각수 통로 114는 후술하는 리플렉터 123와, 기화용기 110의 외벽 사이에 배치되며, 후술하는 할로겐 전구 121과 거의 평행하게 배치되어 있다.
가열장치 120은 할로겐 전구 121, 석영 튜브 122, 리플렉터 123, 냉각 가스 연결 포트 124 등을 포함하여 구성되어 있다.
할로겐 전구 121은 원주상으로 형성되고, 예를 들어 3개가 수평 방향으로 나란히 평행하게 배열되어 있다.
할로겐 전구 121의 양단부는 기화용기 110의 벽면에 설치된 램프 소켓에 의해 지지되고 있다.
석영 튜브 122는 원통상으로 형성되고, 할로겐 전구 121은 그의 내경 측에 거의 동심이 되도록 삽입되어 있다.
석영 튜브 122는 장시간의 조사에서 과도한 온도 상승을 방지하는 것이다.
리플렉터 123은 3개의 석영튜브 122의 상방향 및 측방향으로 배치된 반사판이며, 상단 부분은 각각의 석영 튜브 122를 둘러싼 곡면형상으로 형성되어 있다.
냉각가스 연결 포트 124는 석영 튜브 122에서 장치의 상방향으로 돌출되게 설치되고, 석영 튜브 122의 내부에 할로겐 전구 121을 냉각하기 위한 냉각가스를 도입하고, 또한 배출하는 것이다.
냉각 가스로서는 예를 들어, N2를 사용할 수있다.
냉각 가스 연결 포트 124는 석영 튜브 122의 양단부에 각각 설치되어 있다.
배기장치 130은 워크 W에 분사된 후 잉여 가스 G를 기화용기 110의 하부 주위에서 회수하여 배출하는 통로이다.
제1 실시형태에서는, 고체 소스 S가 할로겐 전구 121의 발광 파장을 흡수하여 발열하고, 증발한 증기인 가스 G는 도시하지 않은 캐리어 가스 접속구에서 도입 된 캐리어 가스와 함께, 슬릿 노즐 113 에서 몇 mm 아래쪽을 통과하는 워크 W에 분사되고, 그 후 배기장치 130에서 회수된다.
이때 분사된 증기는 증기 온도 분위기보다 저온인 기판과의 접촉에 의해 워크 W의 표면에 막으로서 고착한다. 이때 워크 W는 급격한 온도 변화에 의한 손상을 방지하기 위해 미리 가열되며, 이 예열에 의해 효율적으로 성막된다.
이하, 본 실시형태의 성막장치에 의해 산화 붕소를 성막하고, 그 후 확산처리를 행한 실리콘 기판의 실시예에 대하여 설명한다.
도 2는 실시예 1의 SIMS 프로파일 데이터를 나타내는 그래프이다.
실시예 1에서는 고체 붕소를 700℃로 가열 증발시켜 실리콘 기판의 표면에 산화 붕소 막을 성막하고, 캡 산화막 없이 1100℃에서 확산을 행하고 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 붕소 농도 1 × 1019개 / ㎤를 깊이 방향으로 0.7㎛까지 확산 가능하다.
도 3은 실시예 2의 SIMS 프로파일 데이터를 나타내는 그래프이다.
실시예 2에서는 실시예 1과 동일한 조건에서 성막한 후, 추가로 SiO2로 이루어진 두께 약 100nm의 캡 산화막을 성막하여 1100℃에서 확산을 행하고 있다.
도 3에 나타낸 바와 같이 실시예 2에서는 붕소 농도 1 × 1019개 / ㎤를 깊이 방향으로 1.5μm까지 확산 가능하다.
<제2 실시형태>
다음으로, 본 발명을 적용한 성막장치의 제2 실시형태에 대하여 설명한다.
또한 종전의 실시형태와 실질적으로 공통되는 부분에 대해서는 동일 부호를 붙여서 설명을 생략하고, 주로 차이점에 대하여 설명한다.
도 4는 제2 실시형태의 성막장치의 구성을 나타내는 도면이다.
제2 실시형태의 성막장치 200에서는 고체 소스 S를 파이프 210의 내부에 수용하여 파이프 210의 외부로부터 할로겐 전구 121에 의해 가열한다. 그리고 발생한 증기 및 캐리어 가스를 갖는 가스 G를 파이프 210의 하부에 형성된 슬릿 노즐 211로부터 워크 W에 분사하는 구성으로 하고 있다.
파이프 210은 예를 들어 탄소 또는 SiC와 같은 할로겐 전구 121의 발광파장을 흡수하고 가열이 용이하며 또한 내열성을 가지는 소재에 의해 형성된다.
파이프 210은 그의 횡단면이 예를 들어 직사각형으로 형성되며, 슬릿 노즐 211는 그의 하면 부분에 형성된다.
파이프 210은 예를 들어 4개가 수평방향으로 평행하게 배열되고, 할로겐 전구 121은 그의 상면 및 측면과 마주보게 배치되어 있다.
또한 파이프 210의 재질, 형상 등은 이에 한정되지 않고 적절하게 변경하는 것이 가능하다.
파이프 210의 하부는 기화 용기 110의 하면 부분에 형성된 개구에서 워크 W 측에 노출되어 있다.
파이프 210은 도시하지 않은 캐리어 가스 도입 포트를 구비하고 있다.
이상 설명한 제2 실시형태에 있어서도, 상술한 제1 실시형태의 효과와 실질적으로 동일한 효과를 얻을 수 있다.
<제3 실시형태>
다음으로, 본 발명을 적용한 성막장치의 제3 실시형태에 대하여 설명한다.
도 5는 제3 실시형태의 성막장치의 구성을 나타내는 도면이다.
제3 실시형태의 성막장치 300은 컨베이어 C에 의해 반송되는 워크 W가 통과하는 원통형의 열 확산로 310의 내부에 고체 소스 S가 고정된 파이프 320을 장착 하고, 워크 W를 파이프 320의 내부를 통과시킴으로써, 성막과 확산을 동시에 또한 연속적으로 행하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 열확산로 310의 입구측, 출구측에 각각 입구측 퍼지챔버 330, 출구 측 퍼지챔버 340가 설치되어 있다.
또한, 열확산로 310과 출구 측 퍼지챔버 340 사이에는 기판냉각부 350이 설치되어 있다.
이상 설명한 제3 실시형태에서는 성막 및 확산을 동시에 또한 연속적으로 실시함으로써 제조공정을 단순화하는 것이 가능하게 되어 있다.
<제4 실시형태>
다음으로, 본 발명을 적용한 성막 장치의 제 4 실시형태에 대하여 설명한다.
제4 실시형태의 성막 장치는 할로겐 전구로 가열된 고체 소스 S에서 효율적으로 붕소를 취출하기 위해 산소 분위기 하에서 350℃ 이상의 분위기를 가능하게 한 장치 유닛이다.
도 6은 제4 실시형태의 성막장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 제4 실시형태의 성막장치 400은 컨베이어 C의 반송 경로상에, 예비가열 영역 Z1, 성막 영역 Z2, 냉각 영역 Z3를 순차적으로 배치 한 것이다.
성막 영역 Z2는 제2 실시형태와 동일한 성막장치 200을 컨베이어 C의 반송 방향에 따라 예를 들어 2 대 설치하고 있다.
성막 장치 200의 측면부에는 캐리어 가스 도입 포트 410가 설치되어 있다.
(변형예)
본 발명은 이상 설명한 실시예에 한정되지 않고, 다양한 변형 및 변경이 가능하며, 그것들도 본 발명의 기술적 범위 내이다.
(1) 각 실시형태는 고체 소스로서 붕소를 사용하고, P형 접합의 제조에 사용되는 것이지만, 본 발명은 고체 소스로서 오산화인 등을 사용하여 N형 접합의 제조에 사용하는 것도 가능하다.
(2) 성막장치의 구조, 구성, 각 부재의 형상이나 배치 등은 상술한 각 실시 형태의 것에 한정하지 않고 적절하게 변경하는 것이 가능하다.
(3) 상술한 각 실시예의 성막 조건 등은 일례이며, 이들은 적절하게 변경하는 것이 가능하다.
100 성막 장치 110 기화 용기
111 고체 소스 고정 플레이트 112 오목부
113 슬릿 노즐 114 냉각수 통로
120 가열 장치 121 할로겐 전구
122 석영 튜브 123 리플렉터
124 냉각 가스 연결 포트 130 배기 장치
S 고체 소스 W 워크 (기판)
200 성막 장치 210 파이프
211 슬릿 노즐
300 성막 장치 310 열확산로
320 파이프 330 입구 측 퍼지챔버
340 출구측 퍼지챔버 350 기판냉각부
400 성막 장치 410 도입 포트
Z1 예비 가열 영역 Z2 성막 영역
Z3 냉각 영역

Claims (16)

  1. 불순물의 고체 소스를 가열하고 증발시켜 가스를 발생시키고,
    상기 가스를 기판에 분사함으로써 상기 기판상에 불순물을 함유하는 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 가스의 분사 전에 상기 기판을 예열하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 고체 소스를 분사 구멍을 갖는 용기 내에 배치하고,
    상기 용기 내에서 상기 고체 소스를 가열하여 발생한 상기 가스를 상기 분사 구멍으로부터 상기 기판에 분사하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 용기내에 상기 가스를 반송하기 위한 캐리어 가스를 도입하고, 상기 가스를 상기 캐리어 가스와 함께 상기 분사 구멍에서 분사하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중의 어느 한 항에 있어서,
    반송장치에 의해 연속적으로 반송되는 상기 기판에 상기 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
  6. 제1항 내지 제 5항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 막의 형성과 동시에 상기 가스의 온도를 이용하여 상기 기판 중의 상기 불순물의 확산을 행하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 고체 소스가 붕소를 갖는 것을 특징으로 하는 성막방법.
  8. 제 1항 내지 제 6항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 고체 소스가 인산화물을 갖는 것을 특징으로 하는 성막방법.
  9. 불순물의 고체 소스를 가열하고 증발시켜 가스를 발생시키는 가열 수단과,
    상기 가스를 기판에 분사함으로써 상기 기판상에 불순물을 함유하는 막을 형성하는 분사 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 가스를 분사하기 전의 상기 기판을 예열하는 예열수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  11. 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
    상기 고체 소스를 수용하는 용기부를 구비하고,
    상기 가열수단은 상기 용기부의 내부에 배치되고,
    상기 분사수단은 상기 용기부에 형성된 분사 구멍인 것을 특징으로 하는 성막장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 용기부에 상기 가스를 반송하기 위한 캐리어 가스를 도입하는 캐리어 가스 도입 수단을 구비하고,
    상기 분사 구멍은 상기 가스를 상기 캐리어 가스와 함께 분사하는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  13. 제 9항 내지 제 12항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 분사수단에 상기 기판을 연속적으로 반송하는 반송 수단을 구비하는
    것을 특징으로 하는 성막장치.
  14. 제 9항 내지 제 13항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 막의 형성과 동시에 상기 가스의 온도를 이용하여 상기 기판 중의 상기 불순물의 확산을 행하는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  15. 제 9항 내지 제 14항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 고체 소스가 붕소를 갖는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  16. 제 9항 내지 제 14항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 고체 소스가 인산화물을 갖는 것을 특징으로 하는 성막장치.

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011080202A1 (de) * 2011-08-01 2013-02-07 Gebr. Schmid Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von dünnen Schichten
WO2016129372A1 (ja) * 2015-02-10 2016-08-18 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法および太陽電池
DE102018120580A1 (de) * 2018-08-23 2020-02-27 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und verfahren zum abscheiden einer schicht bei atmosphärendruck

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3343049A (en) * 1964-06-18 1967-09-19 Ibm Semiconductor devices and passivation thereof
JPH06333856A (ja) * 1993-05-25 1994-12-02 Nec Corp 薄膜形成装置
JP2000124145A (ja) * 1998-10-15 2000-04-28 Hitachi Ltd 拡散ソース及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2002329676A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd アンチモン拡散方法
JP2002353157A (ja) * 2001-05-22 2002-12-06 Koyo Thermo System Kk 熱処理装置
JP2005005328A (ja) * 2003-06-09 2005-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 不純物導入方法、不純物導入装置およびこれを用いて形成された半導体装置
US9150953B2 (en) * 2004-08-13 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including organic semiconductor
JP2006222140A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Sumco Corp 熱拡散炉及び半導体用基板の製造方法
JP5116357B2 (ja) 2007-05-09 2013-01-09 株式会社アルバック シリコン層へのドーパント元素の導入方法、ポリシリコン太陽電池の製造方法、ポリシリコン型薄膜トランジスタの製造方法
JP5277485B2 (ja) 2007-12-13 2013-08-28 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
JP4610630B2 (ja) 2008-03-31 2011-01-12 三菱電機株式会社 太陽電池用拡散層の製造方法および太陽電池セルの製造方法
JP5357442B2 (ja) 2008-04-09 2013-12-04 東京応化工業株式会社 インクジェット用拡散剤組成物、当該組成物を用いた電極及び太陽電池の製造方法
JP2009266962A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2010056465A (ja) 2008-08-29 2010-03-11 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 拡散用ボロンペースト及びそれを用いた太陽電池の製造方法
JP2010161317A (ja) 2009-01-09 2010-07-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 拡散剤組成物、不純物拡散層の形成方法、および太陽電池

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