JP2002329676A - アンチモン拡散方法 - Google Patents
アンチモン拡散方法Info
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- JP2002329676A JP2002329676A JP2001132616A JP2001132616A JP2002329676A JP 2002329676 A JP2002329676 A JP 2002329676A JP 2001132616 A JP2001132616 A JP 2001132616A JP 2001132616 A JP2001132616 A JP 2001132616A JP 2002329676 A JP2002329676 A JP 2002329676A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】シリコンにアンチモンを気相拡散させる方法に
おいて、シート抵抗をより一層低くすることのできるア
ンチモン拡散方法を提供する。 【解決手段】加熱して昇華させた三酸化アンチモンを拡
散炉内に流通させて、シリコンにアンチモンを拡散させ
るアンチモン拡散方法において、昇華雰囲気に暴露され
る三酸化アンチモンの表面積を大きくする。
おいて、シート抵抗をより一層低くすることのできるア
ンチモン拡散方法を提供する。 【解決手段】加熱して昇華させた三酸化アンチモンを拡
散炉内に流通させて、シリコンにアンチモンを拡散させ
るアンチモン拡散方法において、昇華雰囲気に暴露され
る三酸化アンチモンの表面積を大きくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気相拡散によって
アンチモンをシリコンに拡散させる、アンチモン拡散方
法に関する。
アンチモンをシリコンに拡散させる、アンチモン拡散方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンにアンチモンを拡散させる方法
に、拡散源として三酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）を用い
た気相拡散方法がある。これは、拡散炉内において、る
つぼなど開口している容器に入れた固体の三酸化アンチ
モンを加熱して昇華させるとともに、シリコン方向に拡
散炉の雰囲気ガス（以下、単にガスということがある）
を流通させて、加熱されたシリコンにアンチモンを拡散
させる方法である。
に、拡散源として三酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）を用い
た気相拡散方法がある。これは、拡散炉内において、る
つぼなど開口している容器に入れた固体の三酸化アンチ
モンを加熱して昇華させるとともに、シリコン方向に拡
散炉の雰囲気ガス（以下、単にガスということがある）
を流通させて、加熱されたシリコンにアンチモンを拡散
させる方法である。
【０００３】この気相拡散法では、拡散炉内の温度を高
くしたり、ガスの流量を大きくすると、アンチモンが拡
散されたシリコンのシート抵抗が下がる傾向がある。ま
た、投入する三酸化アンチモンの量を大きくした場合
も、同様にシート抵抗が下がる傾向がある。そこで、拡
散炉内の温度や、ガス流量を調節したり、投入する三酸
化アンチモンの量を変えることによって、目的のシート
抵抗値を得ている。
くしたり、ガスの流量を大きくすると、アンチモンが拡
散されたシリコンのシート抵抗が下がる傾向がある。ま
た、投入する三酸化アンチモンの量を大きくした場合
も、同様にシート抵抗が下がる傾向がある。そこで、拡
散炉内の温度や、ガス流量を調節したり、投入する三酸
化アンチモンの量を変えることによって、目的のシート
抵抗値を得ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの方法
でシリコンにアンチモンを拡散する場合、得られるシー
ト抵抗に限界があった。即ち、投入する三酸化アンチモ
ンの量を大きくしたり、昇華した三酸化アンチモンを含
有するガスの流量を増やすことによって、アンチモン拡
散品のシート抵抗はある程度まで下がるものの、それ以
上にガス流量や投入する三酸化アンチモン量を増やして
も、その下限よりもシート抵抗を下げることはできなか
った。
でシリコンにアンチモンを拡散する場合、得られるシー
ト抵抗に限界があった。即ち、投入する三酸化アンチモ
ンの量を大きくしたり、昇華した三酸化アンチモンを含
有するガスの流量を増やすことによって、アンチモン拡
散品のシート抵抗はある程度まで下がるものの、それ以
上にガス流量や投入する三酸化アンチモン量を増やして
も、その下限よりもシート抵抗を下げることはできなか
った。
【０００５】本発明の課題は、シリコンにアンチモンを
気相拡散させる方法において、シート抵抗をより一層低
くすることのできるアンチモン拡散方法を提供すること
である。
気相拡散させる方法において、シート抵抗をより一層低
くすることのできるアンチモン拡散方法を提供すること
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、本発明者等は、アンチモンの気相拡散法について鋭
意検討した。その結果、三酸化アンチモンを拡散炉内に
投入する際に、三酸化アンチモンを収納するために使用
する容器の開口面積を大きくすると、アンチモン拡散品
のシート抵抗がより一層下がることが分かった。この傾
向は、投入する三酸化アンチモンの増量やガス流量の増
加によりシート抵抗が下限に達した後にも観察された。
め、本発明者等は、アンチモンの気相拡散法について鋭
意検討した。その結果、三酸化アンチモンを拡散炉内に
投入する際に、三酸化アンチモンを収納するために使用
する容器の開口面積を大きくすると、アンチモン拡散品
のシート抵抗がより一層下がることが分かった。この傾
向は、投入する三酸化アンチモンの増量やガス流量の増
加によりシート抵抗が下限に達した後にも観察された。
【０００７】すなわち本発明は、加熱して昇華させた三
酸化アンチモンを拡散炉内に流通させてシリコンにアン
チモンを拡散させるアンチモン拡散方法において、昇華
雰囲気に暴露される三酸化アンチモンの表面積を調節す
ることにより、アンチモンの拡散されるシリコンのシー
ト抵抗を調節することを特徴とする。
酸化アンチモンを拡散炉内に流通させてシリコンにアン
チモンを拡散させるアンチモン拡散方法において、昇華
雰囲気に暴露される三酸化アンチモンの表面積を調節す
ることにより、アンチモンの拡散されるシリコンのシー
ト抵抗を調節することを特徴とする。
【０００８】三酸化アンチモンの昇華雰囲気に対する暴
露面積を大きくすると、それだけ効果的に三酸化アンチ
モンの昇華が行われるようになるので、拡散炉内のアン
チモン濃度が高くなる。その結果、シリコンへのアンチ
モン拡散量が増える。従って、昇華雰囲気に暴露される
三酸化アンチモンの表面積を大きくすると、アンチモン
の拡散されたシリコンのシート抵抗をより一層低くする
ことができる。
露面積を大きくすると、それだけ効果的に三酸化アンチ
モンの昇華が行われるようになるので、拡散炉内のアン
チモン濃度が高くなる。その結果、シリコンへのアンチ
モン拡散量が増える。従って、昇華雰囲気に暴露される
三酸化アンチモンの表面積を大きくすると、アンチモン
の拡散されたシリコンのシート抵抗をより一層低くする
ことができる。
【０００９】例えば、昇華雰囲気に暴露される三酸化ア
ンチモンの表面積は、三酸化アンチモンを収納する容器
（例えば、るつぼ）の開口面積を調節することにより、
調節することができる。
ンチモンの表面積は、三酸化アンチモンを収納する容器
（例えば、るつぼ）の開口面積を調節することにより、
調節することができる。
【００１０】ここで、容器の開口面積を調節するとは、
目的とするアンチモン拡散品のシート抵抗値を鑑みて、
開口面積の大きい、あるいは小さい容器を選択して使用
することである。
目的とするアンチモン拡散品のシート抵抗値を鑑みて、
開口面積の大きい、あるいは小さい容器を選択して使用
することである。
【００１１】また、昇華雰囲気に暴露される三酸化アン
チモンの表面積は、使用する容器の個数を調節すること
により、調節することもできる。
チモンの表面積は、使用する容器の個数を調節すること
により、調節することもできる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。図１に、本実施の形態のアンチモン拡散方法で使
用する拡散装置１００を模式的に示す。この拡散装置１
００は、シリコンウェーハ１０を列置したウェーハボー
ト１１を載置する第１ゾーン２と、粉末状の三酸化アン
チモン１３を入れた円筒形状のるつぼ１２を載置する第
２ゾーン３とが隣接して設けられた拡散炉１を有する。
この拡散炉１においては、該拡散炉１内の雰囲気を形成
する雰囲気ガスが第２ゾーン３のガス供給口３ａから供
給され、第１ゾーン２へ流入し、ガス排出口２ａから排
出されるようになっている。ガスの流れる方向を矢印で
記す。また、第１ゾーン２にはヒーター４、第２ゾーン
３にはヒーター５が備えられ、それぞれのゾーンにおけ
る温度を調節している。
する。図１に、本実施の形態のアンチモン拡散方法で使
用する拡散装置１００を模式的に示す。この拡散装置１
００は、シリコンウェーハ１０を列置したウェーハボー
ト１１を載置する第１ゾーン２と、粉末状の三酸化アン
チモン１３を入れた円筒形状のるつぼ１２を載置する第
２ゾーン３とが隣接して設けられた拡散炉１を有する。
この拡散炉１においては、該拡散炉１内の雰囲気を形成
する雰囲気ガスが第２ゾーン３のガス供給口３ａから供
給され、第１ゾーン２へ流入し、ガス排出口２ａから排
出されるようになっている。ガスの流れる方向を矢印で
記す。また、第１ゾーン２にはヒーター４、第２ゾーン
３にはヒーター５が備えられ、それぞれのゾーンにおけ
る温度を調節している。
【００１３】シリコンウェーハ１０にアンチモンを拡散
させる際には、前述のように、第１ゾーン２にシリコン
ウェーハ１０を、また第２ゾーン３に三酸化アンチモン
１３を載置する。そして、第１ゾーン２および第２ゾー
ン３を加熱するとともに、第２ゾーン３から第１ゾーン
２へ一定の速度でガスを流通させる。それによって、第
２ゾーン３内で三酸化アンチモン１３を昇華させ、第１
ゾーン２に運び、シリコンウェーハ１０にアンチモンを
堆積・拡散させる。拡散炉１に流通させるガスとして
は、当初は窒素ガスを所定の時間流通させ、任意の量の
アンチモンをシリコンウェーハに堆積・拡散させる。そ
の後、酸素を含んだガスを流通させることにより、シリ
コンウェーハ１０表面に酸化膜を形成させ、アンチモン
がさらに堆積することを止める。その後、所定の時間加
熱を続けることにより、シリコンウェーハ１０内の任意
の深さまでアンチモンを拡散させる。なお、これらの炉
内温度と、該温度を維持する時間、ガスの流速、ガス組
成を変化させるまでの時間は、アンチモンを拡散させる
シリコンウェーハ１０が所望のシート抵抗となるよう
に、適宜設定される条件である。
させる際には、前述のように、第１ゾーン２にシリコン
ウェーハ１０を、また第２ゾーン３に三酸化アンチモン
１３を載置する。そして、第１ゾーン２および第２ゾー
ン３を加熱するとともに、第２ゾーン３から第１ゾーン
２へ一定の速度でガスを流通させる。それによって、第
２ゾーン３内で三酸化アンチモン１３を昇華させ、第１
ゾーン２に運び、シリコンウェーハ１０にアンチモンを
堆積・拡散させる。拡散炉１に流通させるガスとして
は、当初は窒素ガスを所定の時間流通させ、任意の量の
アンチモンをシリコンウェーハに堆積・拡散させる。そ
の後、酸素を含んだガスを流通させることにより、シリ
コンウェーハ１０表面に酸化膜を形成させ、アンチモン
がさらに堆積することを止める。その後、所定の時間加
熱を続けることにより、シリコンウェーハ１０内の任意
の深さまでアンチモンを拡散させる。なお、これらの炉
内温度と、該温度を維持する時間、ガスの流速、ガス組
成を変化させるまでの時間は、アンチモンを拡散させる
シリコンウェーハ１０が所望のシート抵抗となるよう
に、適宜設定される条件である。
【００１４】第２ゾーン３内に三酸化アンチモン１３を
載置する際には、シリコンウェーハ１０が所望のシート
抵抗となるようにアンチモンを拡散するために、三酸化
アンチモンの昇華雰囲気に対する暴露面積を調節する。
昇華雰囲気への暴露面積は、三酸化アンチモン１３を収
納する容器として用いるるつぼ１２の開口面積の大きさ
を鑑みて好ましいるつぼを選択するか、もしくは使用す
るるつぼの個数を調節することによって、調整する。三
酸化アンチモンの暴露面積をどの程度にすると、所望の
シート抵抗値を有するシリコンウェーハが得られるかに
ついては、温度、時間等他の拡散条件を適切に設定した
後、様々な暴露面積でシリコンウェーハへのアンチモン
拡散処理を行い、各暴露面積におけるシート抵抗を測定
して、予め暴露面積−シート抵抗のデータを作成する。
それを基に、拡散処理に使用するるつぼの開口面積・個
数を適宜選択するようにする。
載置する際には、シリコンウェーハ１０が所望のシート
抵抗となるようにアンチモンを拡散するために、三酸化
アンチモンの昇華雰囲気に対する暴露面積を調節する。
昇華雰囲気への暴露面積は、三酸化アンチモン１３を収
納する容器として用いるるつぼ１２の開口面積の大きさ
を鑑みて好ましいるつぼを選択するか、もしくは使用す
るるつぼの個数を調節することによって、調整する。三
酸化アンチモンの暴露面積をどの程度にすると、所望の
シート抵抗値を有するシリコンウェーハが得られるかに
ついては、温度、時間等他の拡散条件を適切に設定した
後、様々な暴露面積でシリコンウェーハへのアンチモン
拡散処理を行い、各暴露面積におけるシート抵抗を測定
して、予め暴露面積−シート抵抗のデータを作成する。
それを基に、拡散処理に使用するるつぼの開口面積・個
数を適宜選択するようにする。
【００１５】
【実施例１】本実施例では、直径100mm、結晶方位〈１
１０〉のシリコンウェーハ１０を用いてアンチモンの拡
散を行った。この際、第２ゾーン３に載置するるつぼ12
に収納する三酸化アンチモン量は17ｇとした。また、三
酸化アンチモン１３を収納する容器として用いるるつぼ
１２として、開口面積が１２５７ｍｍ2、および２５０
０ｍｍ2の２種類を用意し、それぞれを使用した場合に
おいて拡散処理を行った。拡散は、少量の酸素を含む窒
素を雰囲気ガスとして拡散炉１内に供給しながら、シリ
コンウェーハ１０を載置する第１ゾーン２を1250℃程
度、三酸化アンチモン１３を収納する容器であるるつぼ
１２を載置する第２ゾーン３を800℃程度で一定温度に
保ちながら行った。
１０〉のシリコンウェーハ１０を用いてアンチモンの拡
散を行った。この際、第２ゾーン３に載置するるつぼ12
に収納する三酸化アンチモン量は17ｇとした。また、三
酸化アンチモン１３を収納する容器として用いるるつぼ
１２として、開口面積が１２５７ｍｍ2、および２５０
０ｍｍ2の２種類を用意し、それぞれを使用した場合に
おいて拡散処理を行った。拡散は、少量の酸素を含む窒
素を雰囲気ガスとして拡散炉１内に供給しながら、シリ
コンウェーハ１０を載置する第１ゾーン２を1250℃程
度、三酸化アンチモン１３を収納する容器であるるつぼ
１２を載置する第２ゾーン３を800℃程度で一定温度に
保ちながら行った。
【００１６】開口面積が１２５７ｍｍ2のるつぼ１２を
用い、３枚のシリコンウェーハ１０に対してアンチモン
の拡散処理を行った結果、得られたシート抵抗は、平均
値約２０．５Ω/□、最大値約２２．５Ω/□、最小値約
１９．５Ω/□であった。また、開口面積が２５００ｍ
ｍ2のるつぼを用い、同じく３枚のシリコンウェーハに
対してアンチモンの拡散処理を行った結果、得られたシ
ート抵抗は、平均値が約１５．０Ω/□であり、最大値
・最小値は平均値に非常に近いばらつきの小さい値を示
した。これらの、るつぼ１２の開口面積に対するシート
抵抗を図２に示す。このように、開口面積の異なるるつ
ぼを使用して、昇華雰囲気に暴露される三酸化アンチモ
ンの表面積を調節することにより、シート抵抗を調節す
ることができる。
用い、３枚のシリコンウェーハ１０に対してアンチモン
の拡散処理を行った結果、得られたシート抵抗は、平均
値約２０．５Ω/□、最大値約２２．５Ω/□、最小値約
１９．５Ω/□であった。また、開口面積が２５００ｍ
ｍ2のるつぼを用い、同じく３枚のシリコンウェーハに
対してアンチモンの拡散処理を行った結果、得られたシ
ート抵抗は、平均値が約１５．０Ω/□であり、最大値
・最小値は平均値に非常に近いばらつきの小さい値を示
した。これらの、るつぼ１２の開口面積に対するシート
抵抗を図２に示す。このように、開口面積の異なるるつ
ぼを使用して、昇華雰囲気に暴露される三酸化アンチモ
ンの表面積を調節することにより、シート抵抗を調節す
ることができる。
【００１７】なお、本実施例において、三酸化アンチモ
ンを第２ゾーン３に投入する際、開口面積が１２５７ｍ
ｍ2のるつぼを２個用いて１７ｇの三酸化アンチモンを
ほぼ２等分して入れ、２個とも第２ゾーン３内に載置す
る方法をとり、他は上記と同一条件下でアンチモンの拡
散を行った。その結果、前記実施例１において開口面積
２５００ｍｍ2のるつぼを用いた場合とほぼ同様の結果
が得られた。すなわち、使用するるつぼの個数を調節し
て、昇華雰囲気に暴露される三酸化アンチモンの表面積
を調節することにより、アンチモンを拡散したシリコン
ウェーハのシート抵抗を調節することができた。
ンを第２ゾーン３に投入する際、開口面積が１２５７ｍ
ｍ2のるつぼを２個用いて１７ｇの三酸化アンチモンを
ほぼ２等分して入れ、２個とも第２ゾーン３内に載置す
る方法をとり、他は上記と同一条件下でアンチモンの拡
散を行った。その結果、前記実施例１において開口面積
２５００ｍｍ2のるつぼを用いた場合とほぼ同様の結果
が得られた。すなわち、使用するるつぼの個数を調節し
て、昇華雰囲気に暴露される三酸化アンチモンの表面積
を調節することにより、アンチモンを拡散したシリコン
ウェーハのシート抵抗を調節することができた。
【００１８】〈比較例〉上記実施例１の比較例として、
開口面積が１２５７ｍｍ2のるつぼを用い、投入する三
酸化アンチモン量を10ｇ、13.5ｇ、14ｇ、14.5ｇ、15
ｇ、16ｇ、17ｇとした場合に対し、上記実施例１と同じ
条件でそれぞれアンチモンの拡散処理を行った。これら
の拡散処理においては、直径100mm、結晶方位〈１１
０〉のシリコンウェーハ１０を各３枚用いて行った。各
アンチモン拡散処理を施したシリコンウェーハ１０につ
いて、シート抵抗を測定した。その結果、シート抵抗の
平均値は、それぞれ約18.5Ω/□、17.0Ω/□、18.5Ω/
□、19.0Ω/□、19.0Ω/□、19.0Ω/□、20.5Ω/□であ
った。三酸化アンチモン量に対する、これらの平均値
と、最大値・最小値を図３に示す。このように、開口面
積が１２５７ｍｍ2のるつぼを用いた場合、三酸化アン
チモンを増量して到達することのできるシート抵抗は、
１８Ω/□付近が下限であった。すなわち、比較例の条
件下においては、三酸化アンチモンの増量ではシート抵
抗を１８Ω/□よりも低くすることができない。また、
前記実施例１と本比較例の結果より、三酸化アンチモン
の昇華雰囲気に対する暴露面積を大きくすることによ
り、従来の下限値より一層低いシート抵抗を得ることが
できる。
開口面積が１２５７ｍｍ2のるつぼを用い、投入する三
酸化アンチモン量を10ｇ、13.5ｇ、14ｇ、14.5ｇ、15
ｇ、16ｇ、17ｇとした場合に対し、上記実施例１と同じ
条件でそれぞれアンチモンの拡散処理を行った。これら
の拡散処理においては、直径100mm、結晶方位〈１１
０〉のシリコンウェーハ１０を各３枚用いて行った。各
アンチモン拡散処理を施したシリコンウェーハ１０につ
いて、シート抵抗を測定した。その結果、シート抵抗の
平均値は、それぞれ約18.5Ω/□、17.0Ω/□、18.5Ω/
□、19.0Ω/□、19.0Ω/□、19.0Ω/□、20.5Ω/□であ
った。三酸化アンチモン量に対する、これらの平均値
と、最大値・最小値を図３に示す。このように、開口面
積が１２５７ｍｍ2のるつぼを用いた場合、三酸化アン
チモンを増量して到達することのできるシート抵抗は、
１８Ω/□付近が下限であった。すなわち、比較例の条
件下においては、三酸化アンチモンの増量ではシート抵
抗を１８Ω/□よりも低くすることができない。また、
前記実施例１と本比較例の結果より、三酸化アンチモン
の昇華雰囲気に対する暴露面積を大きくすることによ
り、従来の下限値より一層低いシート抵抗を得ることが
できる。
【００１９】
【実施例２】本実施例では、拡散炉１内の温度、ガス組
成等の条件は実施例１と同一とし、直径100mm、結晶方
位＜１００＞のシリコンウェーハ１０を使用してアンチ
モンの拡散を行った。三酸化アンチモン１３の使用量は
7ｇとし、開口面積が450ｍｍ 2，530ｍｍ2，700ｍｍ2，9
00ｍｍ2，1130ｍｍ2，1250ｍｍ2のるつぼを三酸化アン
チモン１３を収納する容器として用いた場合について、
それぞれ３枚のシリコンウェーハ１０に対してアンチモ
ン拡散を行った。アンチモンの拡散されたシリコンウェ
ーハ１０についてシート抵抗を測定した結果、それぞれ
のシート抵抗の平均値は、約20.0Ω/□，19.5Ω/□，1
7.0Ω/□，14.5Ω/□，13.5Ω/□，13.5Ω/□であっ
た。また、いづれも最大値、最小値は平均値と近い値で
あり、ばらつきは小さかった。これらの、各るつぼ開口
面積に対するシート抵抗の平均値、最大値、最小値を図
４に示す。図４から明らかなように、結晶方位が〈１１
０〉の場合のみならず、〈１００〉の場合でも、開口面
積の異なるるつぼを使用して、昇華雰囲気に暴露される
三酸化アンチモンの表面積を調節することにより、シー
ト抵抗を調節することができる。すなわち、本発明のア
ンチモン拡散方法は、結晶方位に関係なく適用すること
ができる。
成等の条件は実施例１と同一とし、直径100mm、結晶方
位＜１００＞のシリコンウェーハ１０を使用してアンチ
モンの拡散を行った。三酸化アンチモン１３の使用量は
7ｇとし、開口面積が450ｍｍ 2，530ｍｍ2，700ｍｍ2，9
00ｍｍ2，1130ｍｍ2，1250ｍｍ2のるつぼを三酸化アン
チモン１３を収納する容器として用いた場合について、
それぞれ３枚のシリコンウェーハ１０に対してアンチモ
ン拡散を行った。アンチモンの拡散されたシリコンウェ
ーハ１０についてシート抵抗を測定した結果、それぞれ
のシート抵抗の平均値は、約20.0Ω/□，19.5Ω/□，1
7.0Ω/□，14.5Ω/□，13.5Ω/□，13.5Ω/□であっ
た。また、いづれも最大値、最小値は平均値と近い値で
あり、ばらつきは小さかった。これらの、各るつぼ開口
面積に対するシート抵抗の平均値、最大値、最小値を図
４に示す。図４から明らかなように、結晶方位が〈１１
０〉の場合のみならず、〈１００〉の場合でも、開口面
積の異なるるつぼを使用して、昇華雰囲気に暴露される
三酸化アンチモンの表面積を調節することにより、シー
ト抵抗を調節することができる。すなわち、本発明のア
ンチモン拡散方法は、結晶方位に関係なく適用すること
ができる。
【００２０】なお、本発明は、上記実施の形態に限定さ
れるものではない。例えば、三酸化アンチモンの第２ゾ
ーン３内への載置方法は、複数のるつぼを用いる場合、
横に並べてもよく、棚などを設けてるつぼを上下方向に
並べるようにしてもよい。また、三酸化アンチモンをシ
ート状に形成して拡散炉内に入れ、昇華雰囲気に曝すよ
うにしてもよい。
れるものではない。例えば、三酸化アンチモンの第２ゾ
ーン３内への載置方法は、複数のるつぼを用いる場合、
横に並べてもよく、棚などを設けてるつぼを上下方向に
並べるようにしてもよい。また、三酸化アンチモンをシ
ート状に形成して拡散炉内に入れ、昇華雰囲気に曝すよ
うにしてもよい。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、拡散炉内の昇華雰囲気
に暴露される三酸化アンチモンの表面積を調節すること
により、アンチモンの拡散されるシリコンのシート抵抗
を調節することができる。例えば、拡散炉内の三酸化ア
ンチモンを増量することにより調節できるシート抵抗
が、その下限に達している場合でも、昇華雰囲気に暴露
される三酸化アンチモンの表面積を大きくすることで、
さらにシート抵抗を低くすることができる。
に暴露される三酸化アンチモンの表面積を調節すること
により、アンチモンの拡散されるシリコンのシート抵抗
を調節することができる。例えば、拡散炉内の三酸化ア
ンチモンを増量することにより調節できるシート抵抗
が、その下限に達している場合でも、昇華雰囲気に暴露
される三酸化アンチモンの表面積を大きくすることで、
さらにシート抵抗を低くすることができる。
【図１】本発明による気相拡散を行うための拡散装置を
模式的に示した断面図である。
模式的に示した断面図である。
【図２】本発明を適用した実施例１のアンチモン拡散に
おいて、るつぼの開口面積とシート抵抗値の関係を示す
図である。
おいて、るつぼの開口面積とシート抵抗値の関係を示す
図である。
【図３】実施例１の比較例として実施したアンチモン拡
散において、投入した三酸化アンチモン量とシート抵抗
値の関係を示す図である。
散において、投入した三酸化アンチモン量とシート抵抗
値の関係を示す図である。
【図４】本発明を適用した実施例２のアンチモン拡散に
おいて、るつぼの開口面積とシート抵抗値の関係を示す
図である。
おいて、るつぼの開口面積とシート抵抗値の関係を示す
図である。
１ 拡散炉 ２ 第１ゾーン ３ 第２ゾーン ４，５ヒーター １０ シリコンウェーハ １２ るつぼ １３ 三酸化アンチモン １００ 拡散装置
Claims (3)
- 【請求項１】加熱して昇華させた三酸化アンチモンを拡
散炉内に流通させてシリコンにアンチモンを拡散させる
アンチモン拡散方法において、 昇華雰囲気に暴露される三酸化アンチモンの表面積を調
節することにより、アンチモンの拡散されるシリコンの
シート抵抗を調節することを特徴とするアンチモン拡散
方法。 - 【請求項２】三酸化アンチモンを収納する容器の開口面
積を調節することにより、昇華雰囲気に暴露される三酸
化アンチモンの表面積を調節することを特徴とする請求
項１記載のアンチモン拡散方法。 - 【請求項３】三酸化アンチモンを収納するために使用す
る容器の個数を調節することにより、昇華雰囲気に暴露
される三酸化アンチモンの表面積を調節することを特徴
とする請求項１記載のアンチモン拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001132616A JP2002329676A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | アンチモン拡散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001132616A JP2002329676A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | アンチモン拡散方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002329676A true JP2002329676A (ja) | 2002-11-15 |
Family
ID=18980603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001132616A Pending JP2002329676A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | アンチモン拡散方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002329676A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006080506A (ja) * | 2004-08-13 | 2006-03-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2012114935A1 (ja) * | 2011-02-21 | 2012-08-30 | 株式会社サンケイエンジニアリング | 成膜方法及び成膜装置 |
| US9150953B2 (en) | 2004-08-13 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device including organic semiconductor |
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-
2001
- 2001-04-27 JP JP2001132616A patent/JP2002329676A/ja active Pending
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