JP2724964B2 - 単結晶引上げ方法 - Google Patents
単結晶引上げ方法Info
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- JP2724964B2 JP2724964B2 JP4699494A JP4699494A JP2724964B2 JP 2724964 B2 JP2724964 B2 JP 2724964B2 JP 4699494 A JP4699494 A JP 4699494A JP 4699494 A JP4699494 A JP 4699494A JP 2724964 B2 JP2724964 B2 JP 2724964B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、表面張力の測定値に基
づき引上げ条件を制御し、品質が一定した単結晶を引上
げ法で製造する方法に関する。
づき引上げ条件を制御し、品質が一定した単結晶を引上
げ法で製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】融液から単結晶を育成する代表的な方法
として、チョクラルスキー法がある。チョクラルスキー
方法では、図1に示すように密閉容器1の内部に配置し
た石英製のルツボ2を、回転及び昇降可能に黒鉛製のサ
ポート3で支持する。ルツボ2の外周には、ヒータ4及
び保温材5が同心円状に設けられ、ルツボ2に収容した
原料をヒータ4で集中的に加熱し、融液6を調製する。
融液6は、単結晶成長に好適な温度に維持される。融液
6に種結晶7を接触させ、種結晶7の結晶方位を倣った
単結晶8を成長させる。種結晶7は、ワイヤ9又はロッ
ドを介して回転巻取り機構10から吊り下げられ、単結
晶8の成長に応じて回転しながら引上げられる。また、
ルツボ2も、サポート3を介して適宜回転しながら下降
する。サポート3の降下速度,回転速度及び種結晶7の
回転速度,上昇速度等は、融液6から引上げられる単結
晶8の成長速度に応じて制御される。
として、チョクラルスキー法がある。チョクラルスキー
方法では、図1に示すように密閉容器1の内部に配置し
た石英製のルツボ2を、回転及び昇降可能に黒鉛製のサ
ポート3で支持する。ルツボ2の外周には、ヒータ4及
び保温材5が同心円状に設けられ、ルツボ2に収容した
原料をヒータ4で集中的に加熱し、融液6を調製する。
融液6は、単結晶成長に好適な温度に維持される。融液
6に種結晶7を接触させ、種結晶7の結晶方位を倣った
単結晶8を成長させる。種結晶7は、ワイヤ9又はロッ
ドを介して回転巻取り機構10から吊り下げられ、単結
晶8の成長に応じて回転しながら引上げられる。また、
ルツボ2も、サポート3を介して適宜回転しながら下降
する。サポート3の降下速度,回転速度及び種結晶7の
回転速度,上昇速度等は、融液6から引上げられる単結
晶8の成長速度に応じて制御される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】得られた単結晶8は、
融液6の熱対流や酸素濃度の影響を受け、品質が変動し
易い。たとえば、ルツボ2の中央部では上昇流となる熱
対流が融液6内に生じており、ルツボ2から溶出したS
iOとして酸素が上昇流にのって結晶成長界面に送り込
まれる。このとき、熱対流に変動があると、単結晶8に
取り込まれる酸素に濃度変化が生じる。熱対流の変動に
よる影響は、特にルツボ2に残留している融液6が少な
くなる引上げ後期に顕著となる。その結果、引上げ方向
に関し酸素濃度が異なり、得られた単結晶8の品質が不
安定になる。蒸発し易いSb等のV族元素を含む融液で
は、V族元素が酸化物として蒸発することにより融液表
面の酸素濃度が変動する。これによっても、得られた単
結晶8の品質が不安定になる。
融液6の熱対流や酸素濃度の影響を受け、品質が変動し
易い。たとえば、ルツボ2の中央部では上昇流となる熱
対流が融液6内に生じており、ルツボ2から溶出したS
iOとして酸素が上昇流にのって結晶成長界面に送り込
まれる。このとき、熱対流に変動があると、単結晶8に
取り込まれる酸素に濃度変化が生じる。熱対流の変動に
よる影響は、特にルツボ2に残留している融液6が少な
くなる引上げ後期に顕著となる。その結果、引上げ方向
に関し酸素濃度が異なり、得られた単結晶8の品質が不
安定になる。蒸発し易いSb等のV族元素を含む融液で
は、V族元素が酸化物として蒸発することにより融液表
面の酸素濃度が変動する。これによっても、得られた単
結晶8の品質が不安定になる。
【0004】品質の不安定化は、Si融液に限らず、G
e等の他の融液においても同様に生じる。品質の不安定
になることを防止するためには、融液の動態が安定した
条件下で単結晶8を引き上げることが要求される。しか
し、融液動態を正確に把握する効果的な手段がこれまで
のところ提案されていない。本発明は、このような問題
を解消すべく案出されたものであり、融液の酸素濃度や
熱対流が表面張力の変動で表されることを利用し、安定
した条件下で融液から単結晶を引き上げることにより、
一定した品質をもつ単結晶を得ることを目的とする。
e等の他の融液においても同様に生じる。品質の不安定
になることを防止するためには、融液の動態が安定した
条件下で単結晶8を引き上げることが要求される。しか
し、融液動態を正確に把握する効果的な手段がこれまで
のところ提案されていない。本発明は、このような問題
を解消すべく案出されたものであり、融液の酸素濃度や
熱対流が表面張力の変動で表されることを利用し、安定
した条件下で融液から単結晶を引き上げることにより、
一定した品質をもつ単結晶を得ることを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の単結晶引上げ方
法は、その目的を達成するため、単結晶引上げ用融液に
表面張力測定子を接触させ、該表面張力測定子で前記融
液の表面張力を測定し、該表面張力の変動から前記融液
の安定状態を推定し、前記表面張力の変動に応じて引上
げ条件を制御しながら、前記融液から単結晶を引き上げ
ることを特徴とする。制御される引上げ条件には、単結
晶の引上げ速度,ルツボの下降速度,ルツボ及び単結晶
の回転数,融液の温度勾配,融液に印加する磁界の強度
等がある。引上げ条件は、表面張力の変動を抑制する方
向で制御される。或いは、酸素濃度の過不足を解消する
方向で、融液内に生じている熱対流の上昇流を加速又は
減速するように引上げ条件を制御しても良い。
法は、その目的を達成するため、単結晶引上げ用融液に
表面張力測定子を接触させ、該表面張力測定子で前記融
液の表面張力を測定し、該表面張力の変動から前記融液
の安定状態を推定し、前記表面張力の変動に応じて引上
げ条件を制御しながら、前記融液から単結晶を引き上げ
ることを特徴とする。制御される引上げ条件には、単結
晶の引上げ速度,ルツボの下降速度,ルツボ及び単結晶
の回転数,融液の温度勾配,融液に印加する磁界の強度
等がある。引上げ条件は、表面張力の変動を抑制する方
向で制御される。或いは、酸素濃度の過不足を解消する
方向で、融液内に生じている熱対流の上昇流を加速又は
減速するように引上げ条件を制御しても良い。
【0006】液体の表面張力は、リング法,平板法等で
従来から測定されている。しかし、高温で反応性の高い
Si等の融液に耐える材料が知られていないことから、
単結晶に引き上げに使用される融液の表面張力測定にリ
ング法,平板法等が適用されていなかった。この点、本
発明者等は、SiCが測定子材料として好適であること
を見い出し、本発明を完成したものである。SiCは、
Si等の融液に対し非常に優れた濡れ性を呈し、接触角
の影響を抑えた状態で表面張力の測定を可能にする。同
様に融液と接触する高温環境及び融液による侵食に耐
え、濡れ性の優れた材料としては、Si3 N4 ,BN,
SiC蒸着膜でコーティングした黒鉛等がある。
従来から測定されている。しかし、高温で反応性の高い
Si等の融液に耐える材料が知られていないことから、
単結晶に引き上げに使用される融液の表面張力測定にリ
ング法,平板法等が適用されていなかった。この点、本
発明者等は、SiCが測定子材料として好適であること
を見い出し、本発明を完成したものである。SiCは、
Si等の融液に対し非常に優れた濡れ性を呈し、接触角
の影響を抑えた状態で表面張力の測定を可能にする。同
様に融液と接触する高温環境及び融液による侵食に耐
え、濡れ性の優れた材料としては、Si3 N4 ,BN,
SiC蒸着膜でコーティングした黒鉛等がある。
【0007】リング法では、図2(a)に示すように天
秤11に吊り下げた吊り線12の下端に取り付けたリン
グ状の測定子13を使用する。リング状測定子13を融
液6の表面に接触させた後、吊り線12を徐々に引き上
げていくと、融液6の表面張力に起因する荷重が測定子
13に加わる。荷重は、図3に示すように吊り線12の
引き上げ高さに応じて大きくなるが、ある高さで最大値
となる。更に吊り線12を引き上げると、測定子13か
ら融液6が離れ、融液6の表面張力に起因した荷重が測
定子13に加わらなくなる。荷重が最大のとき、リング
状測定子13は、図2(b)に示すように融液6と接触
する。リング状測定子13と融液6との接触角は、測定
子13の材質に関係なく常に0度となる。そのため、最
大荷重は、測定子13のサイズ,表面張力及び融液密度
だけで定まる。したがって、最大荷重を測定することに
より、接触角の影響を受けることなく、表面張力が正確
に算出される。
秤11に吊り下げた吊り線12の下端に取り付けたリン
グ状の測定子13を使用する。リング状測定子13を融
液6の表面に接触させた後、吊り線12を徐々に引き上
げていくと、融液6の表面張力に起因する荷重が測定子
13に加わる。荷重は、図3に示すように吊り線12の
引き上げ高さに応じて大きくなるが、ある高さで最大値
となる。更に吊り線12を引き上げると、測定子13か
ら融液6が離れ、融液6の表面張力に起因した荷重が測
定子13に加わらなくなる。荷重が最大のとき、リング
状測定子13は、図2(b)に示すように融液6と接触
する。リング状測定子13と融液6との接触角は、測定
子13の材質に関係なく常に0度となる。そのため、最
大荷重は、測定子13のサイズ,表面張力及び融液密度
だけで定まる。したがって、最大荷重を測定することに
より、接触角の影響を受けることなく、表面張力が正確
に算出される。
【0008】平板法では、図4(a)に示すように天秤
11に吊り下げた吊り線12の下端に取り付けた平板状
の測定子14を使用する。図4(b)に示すように平板
状測定子14の下端を融液6の表面に接触させると、融
液6の表面張力に起因する荷重が測定子14に加わる。
平板端面の周長をL,融液6の表面張力をγ,測定子1
4と融液6との接触角をθとすると、測定子14に加わ
る荷重Wは、式W=L・γ cosθで表される。ここで、
融液6に対する濡れ性が非常によいSiC等の材質でで
きた測定子を使用すると、接触角をθ=0とすることが
でき、周長Lがすでに知られていることから、表面張力
がγ=W/Lとして求められる。
11に吊り下げた吊り線12の下端に取り付けた平板状
の測定子14を使用する。図4(b)に示すように平板
状測定子14の下端を融液6の表面に接触させると、融
液6の表面張力に起因する荷重が測定子14に加わる。
平板端面の周長をL,融液6の表面張力をγ,測定子1
4と融液6との接触角をθとすると、測定子14に加わ
る荷重Wは、式W=L・γ cosθで表される。ここで、
融液6に対する濡れ性が非常によいSiC等の材質でで
きた測定子を使用すると、接触角をθ=0とすることが
でき、周長Lがすでに知られていることから、表面張力
がγ=W/Lとして求められる。
【0009】測定された表面張力γに変動があること
は、融液6内に生じている熱対流が不規則に変化してい
ることを示す。したがって、表面張力γの変動が抑制さ
れるように単結晶の引上げ速度,ルツボの下降速度,ル
ツボ及び単結晶の回転数,融液の温度勾配,融液に印加
する磁界の強度等を制御するとき、融液6の熱対流が定
常化され、安定した条件下での単結晶引上げが可能にな
る。また、引上げ中の単結晶8の酸素濃度を上昇させる
場合、表面張力が小さくなる方向で引上げ条件を制御す
る。逆に引上げ中の単結晶8の酸素濃度を低下させる場
合、表面張力が大きくなる方向で引上げ条件を制御す
る。融液6の表面、すなわち気液界面に位置する原子に
は、隣接する原子で終端されていない結合手(ダングリ
ングボンド)が多数存在する。そのため、融液表面は、
内部に比較してエネルギー的に不安定な状態で、表面張
力を増大させる原因となる。これにたいし、融液6中に
混入した酸素は、融液表面にある融液原子のダングリン
グボンドを終端し、表面張力を顕著に低下させる作用を
呈する。このことから、融液6中の酸素混入量の正確な
指標として表面張力を使用することができ、表面張力の
如何に基づき引上げ条件を調整することにより高精度の
酸素濃度制御が可能となる。
は、融液6内に生じている熱対流が不規則に変化してい
ることを示す。したがって、表面張力γの変動が抑制さ
れるように単結晶の引上げ速度,ルツボの下降速度,ル
ツボ及び単結晶の回転数,融液の温度勾配,融液に印加
する磁界の強度等を制御するとき、融液6の熱対流が定
常化され、安定した条件下での単結晶引上げが可能にな
る。また、引上げ中の単結晶8の酸素濃度を上昇させる
場合、表面張力が小さくなる方向で引上げ条件を制御す
る。逆に引上げ中の単結晶8の酸素濃度を低下させる場
合、表面張力が大きくなる方向で引上げ条件を制御す
る。融液6の表面、すなわち気液界面に位置する原子に
は、隣接する原子で終端されていない結合手(ダングリ
ングボンド)が多数存在する。そのため、融液表面は、
内部に比較してエネルギー的に不安定な状態で、表面張
力を増大させる原因となる。これにたいし、融液6中に
混入した酸素は、融液表面にある融液原子のダングリン
グボンドを終端し、表面張力を顕著に低下させる作用を
呈する。このことから、融液6中の酸素混入量の正確な
指標として表面張力を使用することができ、表面張力の
如何に基づき引上げ条件を調整することにより高精度の
酸素濃度制御が可能となる。
【0010】表面張力測定子を組み込んだ単結晶引上げ
装置は、たとえば図に示すように設計される。表面張力
測定子15には、リング状測定子13(図2)又は平板
状測定子14(図4)が使用され、表面張力測定装置1
6から吊り下げられている。同様に、熱電対等の温度検
出器17も融液6の液面近傍で昇降自在に支持されてい
る。表面張力測定子15で測定された融液6の表面張力
及び温度検出器17で検出された融液6の温度情報は、
制御装置18に入力される。制御装置18で、表面張力
の測定値を設定値と比較演算し、その差に基づいた制御
信号をヒータ4,磁場印加装置19,回転機構20等に
出力する。たとえば、表面張力の測定値が設定値より高
すぎる場合、単結晶8に取り込まれる酸素が少なくなる
ので、ヒータ4に投入する電力を増加し、融液6の温度
上昇により粘性、ひいては表面張力を低下させる。ま
た、ルツボ2の回転数を調整して融液6の熱対流を変化
させ、ルツボ壁から融液内部への酸素輸送量を増大させ
ても同様な効果が得られる。逆に表面張力の測定値が設
定値よりも低過ぎる場合、単結晶8に取り込まれる酸素
が多くなるので、磁場印加装置19によって融液6に磁
場を印加して対流を抑制し、ルツボ壁から融液内部への
酸素輸送量を減少させる。
装置は、たとえば図に示すように設計される。表面張力
測定子15には、リング状測定子13(図2)又は平板
状測定子14(図4)が使用され、表面張力測定装置1
6から吊り下げられている。同様に、熱電対等の温度検
出器17も融液6の液面近傍で昇降自在に支持されてい
る。表面張力測定子15で測定された融液6の表面張力
及び温度検出器17で検出された融液6の温度情報は、
制御装置18に入力される。制御装置18で、表面張力
の測定値を設定値と比較演算し、その差に基づいた制御
信号をヒータ4,磁場印加装置19,回転機構20等に
出力する。たとえば、表面張力の測定値が設定値より高
すぎる場合、単結晶8に取り込まれる酸素が少なくなる
ので、ヒータ4に投入する電力を増加し、融液6の温度
上昇により粘性、ひいては表面張力を低下させる。ま
た、ルツボ2の回転数を調整して融液6の熱対流を変化
させ、ルツボ壁から融液内部への酸素輸送量を増大させ
ても同様な効果が得られる。逆に表面張力の測定値が設
定値よりも低過ぎる場合、単結晶8に取り込まれる酸素
が多くなるので、磁場印加装置19によって融液6に磁
場を印加して対流を抑制し、ルツボ壁から融液内部への
酸素輸送量を減少させる。
【0011】表面張力測定子15を使用して融液6の表
面張力を測定する方法では、単結晶8の引上げ操作中に
表面張力を測定できる。したがって、リアルオンタイム
に引上げ条件が制御され、得られる単結晶8の品質が安
定化する。また、表面張力の測定点を融液6の表面上で
複数カ所に設定できるので、融液6の表面における表面
張力の分布、ひいては表面張力流が推定される。したが
って、表面張力流がルツボ2の中心に対称となるよう
に、引き上げている単結晶8及びルツボの回転速度を制
御すると、単結晶8半径方向に関する結晶品質の変動も
抑制される。
面張力を測定する方法では、単結晶8の引上げ操作中に
表面張力を測定できる。したがって、リアルオンタイム
に引上げ条件が制御され、得られる単結晶8の品質が安
定化する。また、表面張力の測定点を融液6の表面上で
複数カ所に設定できるので、融液6の表面における表面
張力の分布、ひいては表面張力流が推定される。したが
って、表面張力流がルツボ2の中心に対称となるよう
に、引き上げている単結晶8及びルツボの回転速度を制
御すると、単結晶8半径方向に関する結晶品質の変動も
抑制される。
【0012】
【実施例】微量の酸素を混入させた常圧の不活性Arガ
ス雰囲気中で、SiCルツボに保持されたSi融液の表
面張力を平板法で測定した。測定結果は、図6に示すよ
うに融液中の酸素濃度と表面張力との間に明確な相関関
係が成立していることを示した。この測定結果を利用し
て、図5に示す引上げ装置で単結晶を育成した。多結晶
Si原料40kgを石英ルツボ2に収容し、ヒータ4で
加熱して完全に溶解させた後、所定時間降温保持して融
液6を調製した。そして、引上げ速度を1.0mm/分
に設定し、直径6インチのSi単結晶8を融液6から引
き上げた。SiC製の表面張力測定子15で融液6の表
面張力を測定しながら、引上げ作業を継続した。表面張
力の測定値を制御装置18で設定値と比較演算し、その
差に対応した制御信号をヒータ4,磁場印加装置19及
び回転機構20に出力した。温度1430℃に保持され
たSi融液6の表面張力は、通常使用される石英ルツボ
から融液中に溶出するSiOに起因して酸素濃度がたと
えば8×1017原子/cm3 の融液では610dyn/
cm程度であるから、引上げ工程を通じて表面張力の偏
差が±10dyn/cmとなるようにヒータ4の加熱能
力,磁場強度,ルツボ2の回転数等を制御した。
ス雰囲気中で、SiCルツボに保持されたSi融液の表
面張力を平板法で測定した。測定結果は、図6に示すよ
うに融液中の酸素濃度と表面張力との間に明確な相関関
係が成立していることを示した。この測定結果を利用し
て、図5に示す引上げ装置で単結晶を育成した。多結晶
Si原料40kgを石英ルツボ2に収容し、ヒータ4で
加熱して完全に溶解させた後、所定時間降温保持して融
液6を調製した。そして、引上げ速度を1.0mm/分
に設定し、直径6インチのSi単結晶8を融液6から引
き上げた。SiC製の表面張力測定子15で融液6の表
面張力を測定しながら、引上げ作業を継続した。表面張
力の測定値を制御装置18で設定値と比較演算し、その
差に対応した制御信号をヒータ4,磁場印加装置19及
び回転機構20に出力した。温度1430℃に保持され
たSi融液6の表面張力は、通常使用される石英ルツボ
から融液中に溶出するSiOに起因して酸素濃度がたと
えば8×1017原子/cm3 の融液では610dyn/
cm程度であるから、引上げ工程を通じて表面張力の偏
差が±10dyn/cmとなるようにヒータ4の加熱能
力,磁場強度,ルツボ2の回転数等を制御した。
【0013】また、表面張力の測定点をルツボ2の壁面
近傍と結晶成長界面近傍の2か所に設定し、各測定点に
おける表面張力の測定値から表面張力流を推定した。そ
して、推定値と設定値とのズレに基づいて制御信号を回
転機構20に出力し、半径方向の表面張力流がルツボ2
の回転中心に関して対称で流速5±0.5cm/秒にな
るようにルツボ2の回転速度を調節した。この条件下で
得られたSi単結晶は、表1に示すように軸方向及び半
径方向共に酸素濃度変動が極めて少なく、高品質のもの
であることが判った。これに対し、表面張力制御を行わ
ずに単結晶8を引き上げた比較例では、酸素濃度の変動
が大きく、半導体デバイス基板として使用される歩留り
は低いものであった。なお、表1における酸素濃度は、
得られた単結晶8を切断し平板に加工した後、赤外線分
光分析装置で結晶格子間酸素濃度を測定した値である。
近傍と結晶成長界面近傍の2か所に設定し、各測定点に
おける表面張力の測定値から表面張力流を推定した。そ
して、推定値と設定値とのズレに基づいて制御信号を回
転機構20に出力し、半径方向の表面張力流がルツボ2
の回転中心に関して対称で流速5±0.5cm/秒にな
るようにルツボ2の回転速度を調節した。この条件下で
得られたSi単結晶は、表1に示すように軸方向及び半
径方向共に酸素濃度変動が極めて少なく、高品質のもの
であることが判った。これに対し、表面張力制御を行わ
ずに単結晶8を引き上げた比較例では、酸素濃度の変動
が大きく、半導体デバイス基板として使用される歩留り
は低いものであった。なお、表1における酸素濃度は、
得られた単結晶8を切断し平板に加工した後、赤外線分
光分析装置で結晶格子間酸素濃度を測定した値である。
【0014】
【表1】
【0015】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、融液の表面張力を測定し、この測定値に基づいて単
結晶の引上げ条件を制御している。表面張力は融液動態
や酸素濃度と密接な関係があり、表面張力が一定となる
方向で引上げ条件を制御することにより、結晶界面に持
ち込まれる酸素量等が一定化し、品質安定性に優れた単
結晶が得られる。また、酸素濃度を表面張力の変動で把
握し、所定の酸素濃度を単結晶に与えることも可能にな
る。
は、融液の表面張力を測定し、この測定値に基づいて単
結晶の引上げ条件を制御している。表面張力は融液動態
や酸素濃度と密接な関係があり、表面張力が一定となる
方向で引上げ条件を制御することにより、結晶界面に持
ち込まれる酸素量等が一定化し、品質安定性に優れた単
結晶が得られる。また、酸素濃度を表面張力の変動で把
握し、所定の酸素濃度を単結晶に与えることも可能にな
る。
【図1】 従来の単結晶引上げに使用する装置
【図2】 表面張力の測定に使用するリング状測定子
(a)及び最大荷重が示されるときのリング状測定子と
融液との接触状態(b)
(a)及び最大荷重が示されるときのリング状測定子と
融液との接触状態(b)
【図3】 リング状測定子の引上げ高さと荷重との関係
を示したグラフ
を示したグラフ
【図4】 表面張力の測定に使用する平板状測定子
(a)及び平板状測定子と融液との接触状態(b)
(a)及び平板状測定子と融液との接触状態(b)
【図5】 表面張力測定機構を組み込んだ単結晶引上げ
装置
装置
【図6】 表面張力と酸素濃度との関係を示したグラフ
1:密閉容器 2:石英製ルツボ
3:黒鉛製のサポート 4:ヒータ 5:保温材
6:融液 7:種結晶 8:単結晶
9:ワイヤ 10:回転巻取り機構 11:天秤 1
2:吊り線 13:リング状測定子 14:平板状測定子 1
5:表面張力測定子 16:表面張力測定装置 17:温度検出器 1
8:制御装置 19:磁場印加装置 20:回転機構
3:黒鉛製のサポート 4:ヒータ 5:保温材
6:融液 7:種結晶 8:単結晶
9:ワイヤ 10:回転巻取り機構 11:天秤 1
2:吊り線 13:リング状測定子 14:平板状測定子 1
5:表面張力測定子 16:表面張力測定装置 17:温度検出器 1
8:制御装置 19:磁場印加装置 20:回転機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 斉 茨城県つくば市春日2丁目42−2パーク サイド河村A−101 (72)発明者 安斎 裕 埼玉県浦和市西堀10−7−10ジュネス石 川302 (72)発明者 黄 新明 茨城県つくば市東光台1−16−2スカイ ハイツC−101 (72)発明者 寺嶋 一高 神奈川県海老名市中野206−3 (72)発明者 木村 茂行 茨城県つくば市竹園3−712 (56)参考文献 特開 昭61−111995(JP,A) 特開 昭57−100718(JP,A)
Claims (3)
- 【請求項1】 単結晶引上げ用融液に表面張力測定子を
接触させ、該表面張力測定子で前記融液の表面張力を測
定し、該表面張力の変動から前記融液の動態を推定し、
前記表面張力の変動に応じて引上げ条件を制御しなが
ら、前記融液から単結晶を引き上げることを特徴とする
単結晶引上げ方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の引上げ条件は、単結晶の
引上げ速度,ルツボの下降速度,ルツボ及び単結晶の回
転数,融液の温度勾配及び融液に印加する磁界の強度か
ら選ばれた単数又は複数である単結晶引上げ方法。 - 【請求項3】 SiC製の表面張力測定子を使用する請
求項1記載の単結晶引上げ方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP4699494A JP2724964B2 (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 単結晶引上げ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4699494A JP2724964B2 (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 単結晶引上げ方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07257990A JPH07257990A (ja) | 1995-10-09 |
JP2724964B2 true JP2724964B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=12762757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP4699494A Expired - Fee Related JP2724964B2 (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 単結晶引上げ方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2724964B2 (ja) |
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CN101887002A (zh) * | 2009-05-12 | 2010-11-17 | 强晓明 | 一种液体表面张力系数测量仪器 |
TWI785889B (zh) * | 2020-12-08 | 2022-12-01 | 日商Sumco股份有限公司 | 矽單結晶的氧濃度推定方法、矽單結晶的製造方法及矽單結晶製造裝置 |
CN113776992B (zh) * | 2021-08-27 | 2024-02-23 | 河北光兴半导体技术有限公司 | 测试熔体表面张力的方法 |
-
1994
- 1994-03-17 JP JP4699494A patent/JP2724964B2/ja not_active Expired - Fee Related
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