KR20130045273A - 산화마그네슘 소결체 및 그 제조 방법 - Google Patents

산화마그네슘 소결체 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

성막 시에 스플래쉬 발생의 억제가 가능하고, 성막 장치의 공급구에서의 막힘이 발생하기 어려운 산화마그네슘 소결체, 및 이를 이용한 PDP의 보호막용 증착재, 및 상기 소결체의 제조 방법을 제공한다. 산화마그네슘과, 마그네슘 이외의 주기율표 제2A족 원소의 산화물 3 내지 50질량%와, 필요에 따라 알루미늄, 이트륨, 세륨, 지르코늄, 스칸듐 및 크로뮴으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 종류 또는 2 종류 이상의 원소를 1000ppm 이하를 포함하는 산화마그네슘 소결체로서, 그 형상이, 원판 형상, 타원판 형상, 다각형 판 형상 또는 반달형 판 형상이거나, 또는 입방체 또는 직방체의 정점이 둥그스름한 형상인 산화마그네슘 소결체.

Description

산화마그네슘 소결체 및 그 제조 방법{SINTERED MAGNESIUM OXIDE MATERIAL, AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF}
본 발명은, 플라즈마 디스플레이 패널(이하, PDP로 칭한다)에서 보호막을 형성 가능한 증착재로서 바람직한 산화마그네슘 소결체, 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
PDP는 2장의 유리 기판의 간극에 밀폐된 미소한 방전 공간을 다수 설치한 표시 디바이스이다. 예컨대, 매트릭스 표시 방식의 PDP에서는, 다수의 전극이 격자 형상으로 배열되고, 각 전극의 교차부의 방전 셀을 선택적으로 발광시켜 화상을 표시한다. 대표적인 면 방전형의 AC형 PDP에서는, 전면판의 표시 전극은 유전체층으로 피복되고, 또한 유전체층 상에 보호막이 형성되어 있다. 보호막은, 유전체층이 직접 방전에 노출됨으로써 유전체층 표면이 변화되어 방전 개시 전압이 상승하는 것을 방지하는 역할을 갖고 있고, 이온 충격의 스퍼터링에 의해서 변화하지 않는 특성을 나타내는 층이다.
현재, PDP용의 보호막은, 산화마그네슘 등의 소결체를 타겟재(材)로 하는 전자빔 증착법에 의해 유전체층 상에 형성되는 것이 일반적이다. 그러나, PDP를 더욱 전력 절감화하기 위해서 방전 개시 전압을 더욱 내릴 것이 요구되고, PDP용 보호막으로서도, 낮은 방전 개시 전압을 갖고, 2차 전자 방출 계수가 높고, 스퍼터링에 강한 재료가 요구되고 있다.
이러한 관점에서, 보호막을 구성하는 재료로서, 고순도의 산화마그네슘으로 이루어지는 증착재가 제안되어 있다(특허문헌 1 내지 3 참조). 이들 보호막 재료는, 방전 개시 전압이 비교적 낮고, 내(耐)스퍼터링성이 양호하기 때문에 바람직하다.
특허문헌 1에서는, 산화마그네슘 순도가 99.0% 이상, 상대 밀도가 90.0% 이상, 외형 부피가 35 내지 1500mm3인 산화마그네슘 증착재가 기재되어 있다.
특허문헌 2에서는, 표면 조도 Ra가 1.0㎛ 내지 10㎛, 실표면적이 200mm2 내지 1200mm2, 외형 부피가 30mm3 내지 1500mm3, 비표면적이 20cm2/g 내지 100cm2/g, 산화마그네슘 순도가 99.0% 이상, 상대 밀도가 90.0% 이상인 산화마그네슘 증착재가 기재되어 있다.
특허문헌 3에서는, 산화마그네슘 순도가 99.0% 이상, 상대 밀도가 90.0% 이상, 외형 부피가 35mm3 내지 1500mm3인 산화마그네슘 증착재가 기재되어 있다.
일본 특허공개 제2004-43955호 공보 일본 특허공개 제2004-43956호 공보 일본 특허공개 제2008-274442호 공보
산화마그네슘 증착재가 입방체 또는 직방체의 형상을 나타내는 것이면, 그 8개의 모퉁이에 위치하는 예각인 돌기부에서는 증착재끼리가 점 접촉이 되기 때문에 증착 시에 조사되는 전자빔에 의한 열이 확산되기 어렵고, 국소적으로 급속 가열되기 때문에, 스플래쉬(splash, 돌비(突沸))가 발생하기 쉽다. 스플래쉬의 발생 빈도가 높은 경우에는 막 표면에의 증착재의 부착이 일어나기 때문에 PDP의 표시 불량이 발생한다고 하는 문제가 있었다.
또한, 산화칼슘을 포함하는 산화마그네슘 증착재에서는, 고순도의 산화마그네슘으로 이루어지는 증착재에 비하여, 소결체 표면의 원활성이 뒤떨어지고, 마찰이 생기기 쉬워, 흐름성이 저하되어 있기 때문에, 성막 장치에 증착재를 공급할 때, 발생하는 마찰이나 브릿지 등에 의해, 공급구가 증착재에 의해서 막히기 쉽다는 문제가 있었다.
그래서, 본 발명은, 산화마그네슘 소결체를 증착재로서 이용하여 성막할 때에 스플래쉬 발생의 억제가 가능함과 함께, 성막 장치에 증착재를 공급할 때에 공급구의 막힘이 발생하기 어려운 산화마그네슘 소결체, 및 이것을 이용한 PDP의 보호막용 증착재, 및 상기 소결체의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자가 검토한 바, 산화마그네슘 소결체의 조성을, 산화마그네슘과, 마그네슘 이외의 주기율표 제2A족 원소의 산화물을 특정량 포함하도록 조정하고, 또한 소결체의 형상을, 원판 형상, 타원판 형상, 다각형 판 형상 또는 반달형 판 형상, 또는 입방체 또는 직방체의 정점을 둥그스름한 형상으로 함으로써 상기 산화마그네슘 소결체를 증착재로서 이용하여 성막할 때에 스플래쉬 발생의 억제가 가능하고, 증착재 파편의 부착에 의한 PDP의 표시 불량을 방지할 수 있다. 또한, 성막 장치에 증착재를 공급할 때에 공급구의 막힘이 발생되기 어려워지는 것을 발견해내고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은, 산화마그네슘과, 마그네슘 이외의 주기율표 제2A족 원소의 산화물 3 내지 50질량%를 포함하는 산화마그네슘 소결체로서, 그 형상이, 원판 형상, 타원판 형상, 다각형 판 형상 또는 반달형 판 형상이거나, 또는 입방체 또는 직방체의 정점이 둥그스름한 형상인 것을 특징으로 하는 산화마그네슘 소결체에 관한 것이다.
또한 본 발명은, 상기 산화마그네슘 소결체로 이루어지는, 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막용 증착재에 관한 것이기도 하다.
추가로, 본 발명은, 상기 산화마그네슘 소결체를 제조하는 방법으로서, 마그네슘 함유 화합물 분말, 마그네슘 이외의 주기율표 제2A족 원소 함유 화합물 분말, 및 바인더를 혼합하여 혼합물을 조제하는 공정, 상기 혼합물을 조립(造粒)하고, 건조하여 조립 분말을 얻는 공정, 상기 조립 분말을 형(型) 내에서 성형하여 성형체를 형성하는 공정, 및 상기 성형체를 소결하는 공정을 포함하는, 산화마그네슘 소결체의 제조 방법에 관한 것이기도 하다.
본 발명의 산화마그네슘 소결체에 의하면, 형상이 원판 형상, 타원판 형상, 다각형 판 형상 또는 반달형 판 형상, 또는 입방체 또는 직방체의 8개의 정점이 둥그스름한 형상이기 때문에, 보통의 입방체나 직방체에 비하여 예각인 돌기부가 적고, 증착 시에 조사된 전자빔에 의한 국소 가열이 회피되기 때문에, 스플래쉬의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 이들의 형상 때문에, 성막 장치에 증착재를 공급할 때에 공급구의 막힘이 발생하기 어렵게 할 수 있다.
도 1은, 원판 형상을 나타내는 본 발명의 산화마그네슘 소결체를 나타내는 사시 투시도이다.
도 2는, 보통의 직방체 형상의 산화마그네슘 소결체(비교예)를 나타내는 사시 투시도이다.
도 3은, 직방체의 정점이 둥그스름한 형상을 나타내는 본 발명의 산화마그네슘 소결체를 나타내는 사시 투시도이다.
도 4는, 소결체의 흐름성을 확인하기 위한 장치를 나타내는 상면도이다.
본 발명의 산화마그네슘 소결체는, 구성 성분으로서 산화마그네슘을 주체로 하고, 또한 마그네슘 이외의 주기율표 제2A족 원소의 산화물을 함유한다. 소결체란, 분말의 집합체를 융점보다도 낮은 온도로 가열한 것으로, 분체의 고상 확산, 목부의 성장, 결정립계의 이동 등에 의해서 분말끼리가 연결되어 제조된 치밀한 성형체의 것을 말한다.
마그네슘 이외의 주기율표 제2A족 원소로서는, 칼슘, 베릴륨, 스트론튬, 바륨 및 라듐을 들 수 있다. 이들을 1 종류만 사용하여도 좋고, 2 종류 이상을 조합시켜 사용하여도 좋다. 그 중에서도, 밴드갭이 작고, 방전 개시 전압을 저하시키는 효과가 높기 때문에, 칼슘이 바람직하다.
본 발명의 산화마그네슘 소결체에서의 마그네슘 이외의 주기율표 제2A족 원소의 산화물의 함량은 3 내지 50질량%이다. 3질량% 미만이면, 저전압 효과가 불충분하며, 50질량%를 초과하면, 소결체 강도가 급격히 낮아져 스플래쉬가 발생하기 쉬워지고, 성막 장치의 공급구의 막힘이 일어나기 쉬워진다. 바람직하게는 5 내지 35질량%이며, 보다 바람직하게는 9 내지 25질량%이다.
또한, 본 발명의 산화마그네슘 소결체에 소결 조제로서 상기 산화마그네슘에 알루미늄, 이트륨, 세륨, 지르코늄, 스칸듐 및 크로뮴으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종류 또는 2 종류 이상의 원소를 1000ppm 이하 첨가할 수 있다. 소결 조제를 첨가하는 것에 의해 소결체 표면의 원활성이 개선되지만, 다량으로 첨가하면 PDP용 보호막으로서의 특성을 열화시켜 버리기 때문에, 바람직하게는 500ppm 이하이며, 보다 바람직하게는 300ppm 이하이다.
본 발명의 산화마그네슘 소결체의 형상은, 원판 형상, 타원판 형상, 다각형 판 형상 또는 반달형 판 형상이거나, 또는 입방체 또는 직방체의 정점이 둥그스름한 형상이다. 이에 의해, 보통의 입방체나 직방체에 비하여 예각인 돌기부가 적어져, 증착 시에 조사된 전자빔이 특정 개소에 집중하기 어려워진다. 그 결과, 스플래쉬의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 산화칼슘을 포함하는 산화마그네슘 소결체이기 때문에 표면의 원활성이 뒤떨어져 마찰이 생기기 쉽지만, 원판 형상, 타원판 형상, 다각형 판 형상 또는 반달형 판 형상이거나, 또는 입방체 또는 직방체의 정점이 둥그스름한 형상이기 때문에, 흐름성이 개선되어, 성막 장치에 증착재를 공급할 때에 공급구의 막힘이 발생하기 어렵게 할 수 있다.
도 1은, 원판 형상을 나타내는 본 발명의 산화마그네슘 소결체를 나타내는 사시 투시도이다. 원판 형상이란, 도 1에 나타낸 바와 같이, 원형의 판 형상인 것을 말한다. 또한, 타원판 형상이란, 상기 원판 형상에서 저면(底面)을 구성하는 면이 타원인 것을 말하고, 다각형 판 형상이란, 상기 원판 형상에서 저면을 구성하는 면이 다각형인 것을 말하고, 반달형 판 형상이란, 상기 원판 형상에서 저면을 구성하는 면이 반원(원을 직경으로 2등분한 한쪽의 것)인 것을 말한다.
도 2는, 보통의 직방체 형상의 산화마그네슘 소결체(비교예)를 나타내는 사시 투시도이며, 도 3은, 직방체의 정점이 둥그스름한 형상을 나타내는 본 발명의 산화마그네슘 소결체를 나타내는 사시 투시도이다. 직방체의 정점이 둥그스름한 형상이란, 도 3에 나타낸 바와 같이, 전체로서는 직방체의 형상을 유지하고 있지만, 직방체의 8개의 정점이 깎여 둥그스름함을 띠고 있는 형상을 말한다.
본 발명의 산화마그네슘 소결체는 상대 밀도가 80% 이상인 것이 바람직하다.
다음으로, 본 발명의 산화마그네슘 소결체를 제조하는 방법을 설명한다.
본 발명의 산화마그네슘 소결체는, 마그네슘 함유 화합물 분말, 마그네슘 이외의 주기율표 제2A족 원소 함유 화합물 분말 및 바인더를 혼합하여 혼합물을 조제하는 공정, 상기 혼합물을 조립(造粒)하고, 건조하여 조립 분말을 얻는 공정, 상기 조립 분말을 형 내에서 성형하여 성형체를 형성하는 공정, 및 상기 성형체를 소결하는 공정을 거치는 것에 의해 제조할 수 있다. 알루미늄, 이트륨, 세륨, 지르코늄, 스칸듐 및 크로뮴으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종류 또는 2 종류 이상의 원소를 포함하는 소결체를 제조하는 경우에는, 혼합물 조제 공정에서, 알루미늄, 이트륨, 세륨, 지르코늄, 스칸듐 및 크로뮴으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종류 또는 2 종류 이상의 원소 함유 화합물을 추가로 혼합하면 좋다. 여기서, 마그네슘 함유 화합물로서는, 예컨대, 마그네슘의 산화물, 탄산화물, 수산화물을 들 수 있다. 마그네슘 이외의 주기율표 제2A족 원소 함유 화합물로서는, 예컨대, 마그네슘 이외의 주기율표 제2A족 원소의 산화물, 탄산화물, 수산화물을 들 수 있다. 알루미늄, 이트륨, 세륨, 지르코늄, 스칸듐 및 크로뮴으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종류 또는 2 종류 이상의 원소 함유 화합물로서는, 예컨대, 알루미늄, 이트륨, 세륨, 지르코늄, 스칸듐 및 크로뮴으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종류 또는 2 종류 이상의 원소의 산화물, 탄산화물, 수산화물을 들 수 있다.
구체적으로는, 우선, 고순도(예컨대 99.9% 이상의 순도)의 마그네슘의 산화물 분말, 탄산화물 분말 또는 수산화물 분말 등의 화합물로 이루어지는 원료 분말의 D50 입자 직경을 0.1 내지 10㎛ 정도, 바람직하게는 0.2 내지 2㎛ 정도로 조절한다.
별도로, 고순도(예컨대 99% 이상의 순도, 바람직하게는 99.9% 이상의 순도)의, 마그네슘 이외의 주기율표 제2A족 원소의 산화물 분말, 탄산화물 분말 또는 수산화물 분말 등의 화합물 분말의 D50 입자 직경을, 바람직하게는 1 내지 20㎛ 정도로 조절한다.
이들 분말을 소정의 중량비로 혼합하고, 추가로 수지 바인더 용액을 적당량 첨가하여, 충분히 혼합 후, 조립한다. 조립에는, 전동 조립법이나 스프레이 조립법 등을 이용할 수 있다. 수득된 조립체를 건조 후, 소정의 금형에 투입하여, 원판 형상, 타원판 형상, 다각형 판 형상 또는 반달형 판 형상, 또는 입방체 또는 직방체의 정점을 둥그스름한 형상으로 성형한다. 성형에는 예컨대 1축 프레스 장치 등을 사용할 수 있다. 금형 압력은, 얻어지는 성형체의 상대 밀도를 조정하기 위해서, 예컨대, 0.01 내지 600MPa로 설정하는 것이 바람직하다.
다음으로, 수득된 성형체를 소성함으로써, 본 발명의 산화마그네슘 소결체를 얻는다. 이 소성은, 소성 온도: 1300 내지 1800℃, 소성 시간: 0.5 내지 20시간으로 각각 설정하는 것이 바람직하다. 소성에는, 전기로, 가스로 등을 이용할 수 있다.
상기 수지 바인더로서는, 특별히 한정되지 않고, 예컨대 CMC(카복시메틸셀룰로스), PVA(폴리바이닐알코올), 아크릴계 수지, 아세트산바이닐계 수지 등으로 이루어지는 바인더를 사용할 수 있다. 그 사용량으로서는, 산화물 환산한 분말량의 합계 100중량부에 대하여, 고형분으로 1 내지 10중량부 정도이다. 바인더 농도는 5% 내지 50% 정도로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 산화마그네슘 소결체는, 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 전자빔 증착법이나 이온 플레이팅법, 스퍼터링법 등의 진공 증착법으로 성막할 때에 성막 원료로서 사용하는 증착재로서 적합하게 이용할 수 있다. 본 발명의 산화마그네슘 소결체를 이용하면, 증착 시의 에너지 효율이 양호하면서, 스플래쉬도 발생하기 어려워, 불량의 발생이 억제되고 막 성능이 우수한 보호막을 형성할 수 있다.
실시예
이하에 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
산화마그네슘 분말(순도 99.9%, D50 입자 직경(부피 기준의 중앙값 직경) 0.5㎛) 90g에, 탄산칼슘 분말(순도 99.99%, D50 입자 직경 8.63㎛)을, 소결체 중의 산화칼슘 함유량이 10중량%가 되는 양을 첨가했다. 다음으로, 유기 용제를 산화마그네슘과 탄산칼슘의 혼합 분말에 대하여 100 내지 200중량% 첨가했다. 수득된 혼합물을, 나일론 볼(ball)을 넣은 수지성 포트에 넣고, 8시간 분쇄·혼합했다.
분쇄·혼합 후, 상기 수지제 포트에, 유기 용제로 30%로 희석한 아크릴계 바인더 용액을, 산화마그네슘과 탄산칼슘의 혼합 분말에 대하여 고형분 환산으로 2 내지 10중량% 첨가하고, 30분간 혼합하여 슬러리를 제작했다.
제작한 슬러리를 스프레이 건조기로 분무 건조시켜 조립체를 제작하고, 이 조립체를 소정의 금형에 넣고, 1축 프레스기로 압력 400MPa에서 성형했다.
성형 후, 가스로에서 대기 분위기 중, 300℃×1시간의 조건으로 탈지 공정을 행한 후, 1600℃에서 8시간 유지하여 소성 공정을 행하여, 직경 6.0mm×두께 2.5mm의 원판 형상의 소결체를 수득했다.
이상으로부터 수득된 산화칼슘을 포함하는 산화마그네슘 소결체를 증착재로서 로(瀘, hearth) 내에 10kg 충전한 후, 전자빔 증착 장치를 사용하여 출력 18kV, 900mA에서 15분간, 기판 상에 증착을 행했다. 이의 성막 시에 뷰포트(viewport)로부터 육안으로 스플래쉬의 발생 상태를 관찰하고, 또한 성막 후에 박막 표면을 관찰하여, 하기 평가 기준에 따라서 3단계로 평가했다.
◎: 스플래쉬, 막 표면에의 증착재 파편의 부착이 모두 관측되지 않음.
○: 스플래쉬는 관측되었지만, 막 표면에의 증착재 파편의 부착은 관측되지 않음.
×: 스플래쉬가 다수 관측되고, 막 표면에의 증착재 파편의 부착이 확인됨.
또한, 성막 장치에의 소결체의 흐름성을 확인하기 위하여, 각도 35°로 경사진 스테인레스제 판 상에 스테인레스제 봉 2개를 도 4와 같이 설치하고, 봉 사이에 증착재를 투입하여, 하기 평가 기준에 따라서 3단계로 평가했다.
○: 증착재의 공급이 원활하며, 브릿지(공급 파이프 내에서 2개 이상의 증착재끼리가 서로 밀쳐 덩어리를 형성한 것)가 발생하지 않는다.
△: 증착재의 공급은 원활하지만, 브릿지가 발생했다.
×: 증착재의 공급이 원활하지 않고, 브릿지도 발생했다.
(최대 정지 마찰력의 측정 방법)
소결체의 마찰력을 확인하기 위해서, 각도를 변화시켜 얻는 스테인레스제의 홈에 증착재를 투입하고, 미끄러지기 시작하는 각도 θ로부터, 소결체에 걸리는 힘을 최대 정지 마찰력: F로 하여 하기의 계산식으로부터 산출했다.
F(×10-3N) = μ·m·g·cosθ
μ: 정(靜)마찰 계수(μ= tanθ로 하여 산출)
m: 소결체 중량
g: 중력 가속도
(산화칼슘 농도의 측정법)
소결체 중의 산화칼슘의 농도는, 시료를 산에 용해한 후, ICP 발광 분석 장치(Agilent사제: 4500)를 사용하여 측정했다.
(실시예 2)
소결체 중의 산화칼슘의 함유량을 3중량%로 하고, 소결체의 형상을 직경 8.0mm×두께 3.0mm의 원판 형상으로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 같이 산화마그네슘 소결체를 제조하고, 평가를 행했다.
(실시예 3)
탄산칼슘을 수산화칼슘으로 변경하고, 소결체 중의 산화칼슘의 함유량을 15중량%로 하고, 소결체의 형상을 직경 10mm×두께 3.5mm의 원판 형상으로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 같이 산화마그네슘 소결체를 제조하고, 평가를 행했다.
(실시예 4)
소결체 중의 산화칼슘의 함유량을 25중량%로 한 것 이외는, 실시예 1과 같이 산화마그네슘 소결체를 제조하고, 평가를 행했다.
(실시예 5)
탄산칼슘을 수산화칼슘으로 변경하고, 소결체 중의 산화칼슘의 함유량을 35중량%로 하고, 소결체의 형상을 직경 8mm×두께 3.0mm의 원판 형상으로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 같이 산화마그네슘 소결체를 제조하고, 평가를 행했다.
(실시예 6)
소결체 중의 산화칼슘의 함유량을 45중량%로 하고, 소결체의 형상을 직경 10mm×두께 3.5mm의 원판 형상으로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 같이 산화마그네슘 소결체를 제조하고, 평가를 행했다.
(실시예 7)
소결체의 형상을 4mm×4mm×2.5mm의 정점없는 직방체로 한 것 이외는, 실시예 1과 같이 산화마그네슘 소결체를 제조하고, 평가를 행했다.
(실시예 8)
탄산칼슘을 수산화칼슘으로 변경하고, 소결체 중의 산화칼슘의 함유량을 25중량%로 하고, 소결체의 형상을 8mm×8mm×3.5mm의 정점없는 직방체로 한 것 이외는, 실시예 1과 같이 산화마그네슘 소결체를 제조하고, 평가를 행했다.
(실시예 9)
소결체 중의 산화칼슘의 함유량을 45중량%로 하고, 소결체의 형상을 8mm×4mm×3.5mm의 정점없는 직방체로 한 것 이외는, 실시예 1과 같이 산화마그네슘 소결체를 제조하고, 평가를 행했다.
(비교예 1)
소결체의 형상을 4mm×4mm×2.5mm의 정점있는 직방체(보통의 직방체)로 한 것 이외는, 실시예 1과 같이 산화마그네슘 소결체를 제조하고, 평가를 행했다.
(비교예 2)
소결체의 형상을 8mm×4mm×3.5mm의 정점있는 직방체로 한 것 이외는, 실시예 1과 같이 산화마그네슘 소결체를 제조하고, 평가를 행했다.
(비교예 3)
소결체 중의 산화칼슘의 함유량을 20중량%로 하고, 소결체의 형상을 8mm×8mm×3.5mm의 정점있는 직방체로 한 것 이외는, 실시예 1과 같이 산화마그네슘 소결체를 제조하고, 평가를 행했다.
(비교예 4)
소결체 중의 산화칼슘의 함유량을 20중량%로 하고, 소결체의 형상을 10mm×5mm×3.5mm의 정점있는 직방체로 한 것 이외는, 실시예 1과 같이 산화마그네슘 소결체를 제조하고, 평가를 행했다.
이상으로부터 수득된 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pct00001
표 1로부터, 실시예 1 내지 9의 산화마그네슘 소결체는 성막시의 스플래쉬 발생이 억지되어 있고, 또한 성막 장치의 공급 시의 흐름성이 양호한 것을 알 수 있다.

Claims (8)

  1. 산화마그네슘과, 마그네슘 이외의 주기율표 제2A족 원소의 산화물 3 내지 50질량%를 포함하는 산화마그네슘 소결체로서, 그 형상이, 원판 형상, 타원판 형상, 다각형 판 형상 또는 반달형 판 형상이거나, 또는 입방체 또는 직방체의 정점이 둥그스름한 형상인 것을 특징으로 하는 산화마그네슘 소결체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 마그네슘 이외의 주기율표 제2A족 원소가 칼슘, 베릴륨, 스트론튬, 바륨 및 라듐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종류 또는 2 종류 이상인 산화마그네슘 소결체.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 마그네슘 이외의 주기율표 제2A족 원소가 칼슘인 산화마그네슘 소결체.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    알루미늄, 이트륨, 세륨, 지르코늄, 스칸듐 및 크로뮴으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종류 또는 2 종류 이상의 원소를 1000ppm 이하 추가로 포함하는 산화마그네슘 소결체.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소결체의 상대 밀도가 80% 이상인 산화마그네슘 소결체.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 산화마그네슘 소결체로 이루어진 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막용 증착재.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 산화마그네슘 소결체를 제조하는 방법으로서,
    마그네슘 함유 화합물 분말, 마그네슘 이외의 주기율표 제2A족 원소 함유 화합물 분말 및 바인더를 혼합하여 혼합물을 조제하는 공정,
    상기 혼합물을 조립(造粒)하고, 건조하여 조립 분말을 얻는 공정,
    상기 조립 분말을 형(型) 내에서 성형하여 성형체를 형성하는 공정, 및
    상기 성형체를 소결하는 공정을 포함하는, 산화마그네슘 소결체의 제조 방법.
  8. 제 4 항 또는 제 5 항에 기재된 산화마그네슘 소결체를 제조하는 방법으로서,
    마그네슘 함유 화합물 분말, 마그네슘 이외의 주기율표 제2A족 원소 함유 화합물 분말, 알루미늄, 이트륨, 세륨, 지르코늄, 스칸듐 및 크로뮴으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종류 또는 2 종류 이상의 원소 함유 화합물 분말 및 바인더를 혼합하여 혼합물을 조제하는 공정,
    상기 혼합물을 조립하고, 건조하여 조립 분말을 얻는 공정,
    상기 조립 분말을 형 내에서 성형하여 성형체를 형성하는 공정, 및
    상기 성형체를 소결하는 공정을 포함하는, 산화마그네슘 소결체의 제조 방법.
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