KR20130036970A - 캔 패지키 타입의 광 디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광 디바이스 - Google Patents

캔 패지키 타입의 광 디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광 디바이스 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 자체를 방열판으로 사용하되 수직절연층이 형성된 기판을 채택함으로써 밀폐 공간 외부로 전극 단자를 인출하지 않아도 되고, 이에 따라 광 디바이스의 전체적인 구조와 제조 공정을 단순화시킬 수 있도록 한 광 디바이스 제조 방법과 이에 의해 제조된 광 디바이스에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 금속판재와 기판의 상면에서 하면에 걸쳐서 기판을 종단하는 하나 이상의 수직절연층이 형성된 수직절연층 금속기판을 준비하는 (a) 단계; 상기 수직절연층 금속기판의 상면에 상기 금속판재를 접합하는 (b) 단계; 상기 (b) 단계를 거친 중간 제조물에 대해 상기 금속판재 및 상기 접합에 의해 형성된 접합층을 거쳐서 상기 수직절연층 금속기판의 소정 깊이에 이르는 요홈으로 이루어지되 바닥에 상기 수직절연층을 내포하는 캐비티를 형성하는 (c) 단계; 상기 캐비티의 상기 수직절연층을 기준으로 한 일측과 타측의 바닥면에 각각 광소자와 상기 광소자의 전극과 전기적으로 연결된 와이어를 연결하는 (e) 단계 및 광 투과 재질의 보호판 및 상면의 중앙 부위와 하면이 개방된 액자 프레임 형상으로 이루어져서 상기 보호판의 외곽을 감싸는 캔 캡에 의해 상기 캐비티를 밀봉하는 (g) 단계를 포함하여 이루어진 캔 패키지 타입의 광 디바이스 제조 방법에 제공된다.

Description

캔 패지키 타입의 광 디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광 디바이스{method for light emitting device with can package and the light emitting device}
본 발명은 캔 패지키 타입의 광 디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광 디바이스에 관한 것으로, 특히 캔 패키지 타입의 광 디바이스의 구조를 단순화시킬 수 있도록 한 캔 패지키 타입의 광 디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광 디바이스에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 발광다이오드인 LED(Light Emitting Diode)는 공해를 유발하지 않는 친환경성 광원으로 다양한 분야에서 주목받고 있다. 최근 들어, LED의 사용범위가 실내외 조명, 자동차 헤드라이트, 디스플레이 장치의 백라이트 유닛(Back-Light Unit:BLU) 등 다양한 분야로 확대됨에 따라 LED의 고효율 및 우수한 열 방출 특성이 필요하게 되었다. 고효율의 LED를 얻기 위해서는 일차적으로 LED의 재료 또는 구조를 개선해야되지만 이외에도 LED 패키지의 구조 및 그에 사용되는 재료 등도 개선할 필요가 있다.
이와 같은 고효율의 LED에서는 고열이 발생되기 때문에 이를 효과적으로 방출하지 못하면 LED의 온도가 높아져서 그 특성이 열화되고, 이에 따라 수명이 줄어들게 된다. 따라서, 고효율의 LED 패키지에 있어서 LED로부터 발생되는 열을 효과적으로 방출시키고자 하는 노력이 진행되고 있다.
이하 LED를 포함하여 광을 방출하는 각종 소자를 총칭하여 '광소자'라 하고 이를 하나 이상 포함하여 이루어진 각종 제품을 '광 디바이스'라 한다.
한편, 자외광 다이오드나 단파장 가시광을 발생시키는 레이저 다이오드 등의 경우에는 자외광이나 단파장 가시광에 의해 내부 부품이나 재료가 손상되는 것을 방지하기 위해 내부에 불활성 가스, 예를 들어 질소 가스 등이 봉입된 캔 패키지 타입으로 제조되기도 하는데, 도 1은 종래 캔 패키지 타입의 일 예에 따른 광 디바이스의 단면도로서 특허등록 제 1021210호에 개시되어 있다.
도 1에 도시한 바와 같이. 종래 캔 패키지 타입의 광 디바이스(1)는 금속제 스템(8)과 금속 재질의 캔 캡(9)에 의해 형성된 밀폐 공간에 불활성 가스가 봉입되어 있고, 이 밀폐 공간 내에서 반도체 발광소자(4)가 금속제 스템(8)에 기판(2)을 통해 고정되는 형태로 수납되어 있다. 세라믹 블록(13)은 금속제 스템(8)의 개구에 끼워 맞춰져 고정되어 있는데, 이러한 세라믹 블록(13)을 관통하여 한 쌍의 전극 단자(10a),(10b)가 상기 밀폐 공간 내외로 연장되어 있다. 이 전극 단자(10a),(10b)는 와이어를 통해 반도체 발광소자(4)와 전기적으로 연결되어 있다.
캔 캡(9)의 상면 중앙에는 개구부(11)가 형성되고, 이 개구부(11)를 캔 캡(9)의 내면측으로부터 막듯이 투명판(12)이 밀봉되어 있다. 개구부(11)에는 형광층(7)이 형성되어 있다. 한편 금속제 스템(8)과 캔 캡(9)은 서로의 주연부가 용접 등에 의해 접합됨으로써 밀폐 공간을 형성하게 된다. 금속제 스템(8)과 캔 캡(9)은 동일한 소재인 것이 바람직한바, 예컨대 알루미튬이나 코발트 등과 같은 각종 단일 금속 재질이나 구리-텅스텐 등의 합금으로 이루어질 수 있다. 금속제 스템(8)은 밀폐 공간 내에서 반도체 발광소자(4)를 지지하고, 반도체 발광소자(4)가 발생하는 열을 밀폐 공간 밖으로 방출하는 역할도 다하고 있기 때문에 열전도율이 큰 소재로 구현되는 것이 바람직하다.
밀폐 공간 내에 봉입되는 불활성 가스는 예컨대 질소, 헬륨, 아르곤 등으로부터 선택되는 적어도 1종의 불활성 가스이고, 이에 의해 반도체 발광 소자(4)의 열화를 억제할 수 있다. 세라믹 블록(13)은 예컨대 알루미나 또는 질화 알루미늄 등의 절연성 소재로서, 금속제 스템(8)에 형성된 개구에 끼워 맞춰 고정되며, 전극 단자(10a),(10b)를 금속제 스템(8)으로부터 전기적으로 절연시킨 상태로 금속제 스템(8)에 고정한다. 반도체 발광소자(4)는 납땜 등에 의해 기판에 고착되어 있고, 기판(2)은 다시 납땜 등에 의해 금속제 스템(8)에 고착되어 있다.
전극 단자(10a),(10b)는 전도성 재질로 이루어지고, 예컨대 금속 평판의 펀칭 가공 등에 의해 얻어진다. 투명판(12)은 투광성의 소재, 예컨대 유리나 수지 등으로 형성된 판형 부재인바, 필요에 따라서는 볼록형 또는 오목형으로 형성되어 렌즈 효과를 가질 수도 있다.
그러나 전술한 바와 같은 종래의 캔 패키지 타입의 광 디바이스에 따르면, 금속제 스템이 단지 반도체 발광소자를 지지하는 역할만 할 뿐이어서 반도체 발광소자에 전원을 인가하기 위해서는 상기 밀폐 공간 내외를 관통하는 두 개의 전극 단자가 반드시 필요하고 이에 따라 세라믹 블록(13)이 요구되는 등 그 구조가 복잡하고 제조 공정이 까다롭다는 문제점이 있었다. 이외에도 반사 효율 및 방열 성능이 떨어지는 문제점이 있었다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 기판 자체를 방열판으로 사용하되 수직절연층이 형성된 기판을 채택함으로써 밀폐 공간 외부로 전극 단자를 인출하지 않아도 되고, 이에 따라 광 디바이스의 전체적인 구조와 제조 공정을 단순화시킬 수 있도록 한 광 디바이스 제조 방법과 이에 의해 제조된 광 디바이스를 제공함을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 특징에 따르면, 금속판재와 기판의 상면에서 하면에 걸쳐서 기판을 종단하는 하나 이상의 수직절연층이 형성된 수직절연층 금속기판을 준비하는 (a) 단계; 상기 수직절연층 금속기판의 상면에 상기 금속판재를 접합하는 (b) 단계 및 상기 (b) 단계를 거친 중간 제조물에 대해 상기 금속판재 및 상기 접합에 의해 형성된 접합층을 거쳐서 상기 수직절연층 금속기판의 소정 깊이에 이르는 요홈으로 이루어지되 바닥에 상기 수직절연층을 내포하는 캐비티를 형성하는 (c) 단계를 포함하여 이루어진 캔 패키지 타입의 광 디바이스용 기판 제조 방법에 제공된다
전술한 제 1 특징에서, 상기 (b) 단계는 접합 필름을 개재하여 이루어질 수 있다. 상기 (c) 단계를 거친 중간 제조물의 상기 접합층을 제외한 적어도 상기 캐비티 주벽과 상면에 금속 도금층을 형성하는 (d) 단계를 더 구비할 수 있다.
본 발명의 제 2 특징에 따르면, 전술한 제 1 특징에 의해 제조된 캔 패키지 타입의 광 디바이스용 기판이 제공된다.
본 발명의 제 3 특징에 따르면, 금속판재와 기판의 상면에서 하면에 걸쳐서 기판을 종단하는 하나 이상의 수직절연층이 형성된 수직절연층 금속기판을 준비하는 (a) 단계; 상기 수직절연층 금속기판의 상면에 상기 금속판재를 접합하는 (b) 단계; 상기 (b) 단계를 거친 중간 제조물에 대해 상기 금속판재 및 상기 접합에 의해 형성된 접합층을 거쳐서 상기 수직절연층 금속기판의 소정 깊이에 이르는 요홈으로 이루어지되 바닥에 상기 수직절연층을 내포하는 캐비티를 형성하는 (c) 단계; 상기 캐비티의 상기 수직절연층을 기준으로 한 일측과 타측의 바닥면에 각각 광소자와 상기 광소자의 전극과 전기적으로 연결된 와이어를 연결하는 (e) 단계 및 광 투과 재질의 보호판 및 상면의 중앙 부위와 하면이 개방된 액자 프레임 형상으로 이루어져서 상기 보호판의 외곽을 감싸는 캔 캡에 의해 상기 캐비티를 밀봉하는 (g) 단계를 포함하여 이루어진 캔 패키지 타입의 광 디바이스 제조 방법이 제공된다.
전술한 제 3 특징에서, 상기 (b) 단계는 접합 필름을 개재하여 이루어질 수 있다. 상기 (c) 단계를 거친 중간 제조물의 상기 접합층을 제외한 적어도 상기 캐비티 주벽과 상면에 금속 도금층을 형성하는 (d) 단계를 더 구비할 수 있다. 상기 (f) 단계의 전후에 상기 캐비티의 내부 공간에 불활성 가스를 충진하는 단계를 더 구비할 수 있다.
본 발명의 제 4 특징에 따르면, 전술한 제 3 특징에 의해 제조된 따른 캔 패키지 타입의 광 디바이스가 제공된다.
본 발명의 제 5 특징에 따르면, 상하를 관통하여 캐비티로 기능할 하나 이상의 구멍이 형성되어 있는 금속판재와 기판의 상면에서 하면에 걸쳐서 기판을 종단하는 하나 이상의 수직절연층이 형성된 수직절연층 금속기판을 준비하는 (h) 단계 및 상기 금속판재와 상기 수직절연층 금속기판을 접합하되, 상기 캐비티의 하부에 상기 수직절연층이 포함되도록 접합하는 (i) 단계를 포함하여 이루어진 캔 패키지 타입의 광 디바이스용 기판 제조 방법이 제공된다.
전술한 제 5 특징에서, 상기 (i) 단계는 접합 필름을 개재하여 이루어질 수 있다. 상기 (i) 단계를 거친 중간 제조물의 상기 접합에 의해 형성된 접합층을 제외한 적어도 상기 캐비티 주벽과 상면에 금속 도금층을 형성하는 (j) 단계를 더 구비할 수 있다.
본 발명의 제 6 특징에 따르면, 전술한 제 5 특징에 의해 제조된 캔 패키지 타입의 광 디바이스용 기판이 제공된다.
본 발명의 제 7 특징에 따르면, 상하를 관통하여 캐비티로 기능할 하나 이상의 구멍이 형성되어 있는 금속판재와 기판의 상면에서 하면에 걸쳐서 기판을 종단하는 하나 이상의 수직절연층이 형성된 수직절연층 금속기판을 준비하는 (h) 단계; 상기 금속판재와 상기 수직절연층 금속기판을 접합하되, 상기 캐비티의 하부에 상기 수직절연층이 포함되도록 접합하는 (i) 단계; 상기 캐비티의 상기 수직절연층을 기준으로 한 일측과 타측의 바닥면에 각각 광소자와 상기 광소자의 전극과 전기적으로 연결된 와이어를 연결하는 (k) 단계 및 광 투과 재질의 보호판 및 상면의 중앙 부위와 하면이 개방된 액자 프레임 형상으로 이루어져서 상기 보호판의 외곽을 감싸는 캔 캡에 의해 상기 캐비티를 밀봉하는 (g) 단계를 포함하여 이루어진 캔 패키지 타입의 광 디바이스 제조 방법이 제공된다.
전술한 제 7 특정에서, 상기 (i) 단계는 접합 필름을 개재하여 이루어질 수 있다. 상기 (i) 단계를 거친 중간 제조물의 상기 접합에 의해 형성된 접합층을 제외한 적어도 상기 캐비티 주벽과 상면에 금속 도금층을 형성하는 (j) 단계를 더 구비할 수 있다. 상기 (l) 단계의 전후에 상기 캐비티의 내부 공간에 불활성 가스를 충진하는 단계를 더 구비할 수 있다.
본 발명의 제 8 특징에 따르면, 전술한 제 7 특징에 의해 제조된 캔 패키지 타입의 광 디바이스가 제공된다.
본 발명의 캔 패키지 타입의 광 디바이스 제조 방법과 이에 의해 제조된 광 디바이스에 따르면, 기판 자체를 방열판으로 사용하되 수직절연층이 형성된 기판을 채택함으로써 밀폐 공간 외부로 전극 단자를 인출하지 않아도 되고, 이에 따라 광 디바이스의 전체적인 구조와 제조 공정을 단순화시킬 수가 있다.
도 1은 종래 캔 패키지 타입의 일 예에 따른 광 디바이스의 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 캔 패키지 타입의 광 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도.
도 3 내지 도 7은 도 2의 제조 방법의 각 단계에서의 사시도 내지는 단면도.
도 8는 본 발명의 다른 실시예에 따른 캔 패키지 타입의 광 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도.
도 9 내지 도 12는 도 8의 각 단계에서의 사시도 내지는 단면도.
이하에는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 캔 패키지 타입의 광 디바이스제조 방법과 이에 의해 제조된 광 디바이스의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 캔 패키지 타입의 광 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이고, 도 3 내지 도 7은 본 발명의 캔 패키지 타입의 광 디바이스 제조 방법을 설명하기 위한 사시도 내지는 단면도인바, 도 6 및 도 7은 도 5의 A-A선 단면도이다.
먼저 도 2의 단계 S10에서는 도 3에 도시한 바와 같이 기판의 상면에서 하면에 걸쳐서 기판을 종단하는 하나 이상의 수직절연층(110)이 형성된 금속기판(100)을 준비함과 함께 향후 이러한 수직절연층 금속기판(100)에 접합될 금속판재(300)를 준비한다.
여기에서 수직절연층 금속기판(100)은, 예를 들어 금속기판과 절연층을 교호로 적층(또는 형성)한 상태에서 이를 소정의 길이(폭) 만큼씩 상하로 절단하여 형성될 수 있을 것인바, 이러한 수직절연층 금속기판(100)을 제조하는 방법에는 제한이 없다. 이러한 수직절연층 금속기판(100)의 재료로는, 열전도도 및 전기전도도가 좋은 알루미늄이나 구리 또는 이들을 하나 이상 포함하는 합금 등이 사용될 수 있을 것이다. 수직절연층(110)은 알루미늄 기판의 경우에는 그 표면을 아노다이징하여 형성할 수도 있을 것인바, 이와는 달리 합성수지 재질의 절연 필름으로 구현될 수도 있을 것이다. 금속판재(300)의 재료로는 용접성이 우수한 금속 재료, 예를 들어 알루미늄, 구리, 철 또는 이들을 하나 이상 포함하는 합금 등이 사용될 수 있을 것이다.
다음으로 단계 S20에서는 도 4에 도시한 바와 같이 수직절연층 금속기판(100) 상면에 액상 접합제(210) 등을 사용하여 금속판재(300)를 접합하는데, 접합력을 증진시키기 위해 합성수지 재질의 접합 필름(200)을 개재시킨 상태에서 접합할 수도 있다. 이때 접합력을 더욱 증진시키기 위해 상온상압보다 높은 온도와 압력의 유지가 가능한 고온고압실에서 접합 공정을 수행할 수도 있을 것이며, 이외에도 수직절연층 금속기판(100)의 접합면, 즉 상면과 금속판재(300)의 접합면, 즉 하면에 기계적 또는 화학적 방법으로 거칠기를 부여한 후에 접합 공정을 수행할 수도 있을 것이다. 수직절연층 금속기판(100) 및 금속판재(300)가 특별히 알루미늄 재질로 이루어진 경우에 접합력을 증진시키기 위해 접합 공전 전에 각각의 접합면을 아노다이징 처리할 수도 있으며, 이렇게 아노다이징 처리된 표면에 상기한 거칠기를 부여할 수도 있을 것이다.
다음으로 단계 S30에서는 이러한 중간 제조물에 대해 도 5에 도시한 바와 같이 금속판재(300)와 접합층(200),(210)을 거쳐서 수직절연층 금속기판(100)의 소정 깊이(두께)에 이르는 요홈으로 이루어진 캐비티(400)를 형성하는데, 이러한 캐비티(400)는 수직절연층(110)을 내포하도록 형성되어야 한다. 이 경우에 캐비티(400)는 광의 반사 성능을 향상시키기 위해 상광하협(上廣下峽) 형상으로 구현되는 것이 바람직하며, 나아가 수직절연층(110)을 중심으로 광소자(600)가 안착될 부위(130) 단순히 와이어만 연결될 부위(120)보다 상대적으로 넓은 면적(이하 와이어 연결 영역을 '상대적 소면적부'(120)라 하고 광소자 안착 영역을 '상대적 대면적부'(130)라 한다)을 차지하도록 형성되는 것이 바람직하다. 캐비티(400)는 절삭 가공과 같은 기계 공정 또는 식각과 같은 화학 공정에 의해 형성될 수 있을 것이다.
다음으로 단계 S40에서는 도 6에 도시한 바와 같이 광소자(600)에서 생성된 광의 반사 성능이나 본딩 성능을 향상시키기 위해 캐비티(400) 주벽과 상면 또는 캐비티(400) 주벽과 상면을 포함한 중간 제조물의 전체에 걸쳐서 금속 도금, 예를 들어 은(Ag) 도금(500)을 수행하는데, 이러한 금속 도금층(500)은 전해 도금 방식 등에 의해 형성될 수 있을 것이다. 이 경우에 접합층(200),(210)에는 도시한 바와 같이 금속 도금층(500)이 형성되지 않음으로써 접합층(200),(210)을 중심으로 상측과 하측이 상호간에 전기적으로 절연되게 된다.
다음으로 단계 S50 및 단계 S60에서는 도 6에 도시한 바와 같이 캐비티(400)의 상대적 대면적부(130)에 광소자(600)를 부착함과 함께 광소자(600)의 두 전극, 즉 캐소드와 애노드 전극 중 하나의 전극, 예를 들어 애노드 전극은 와이어(610)를 통해 상대적 대면적부(130)에 연결하고 캐소드 전극은 와이어(610)를 통해 상대적 소면적부(120)에 연결한다. 물론 광소자(600)의 애노드 단자(또는 캐소드 단자)를 광소자(600)의 하면에 노출되도록 형성한 상태에서 도전성을 유지하는 접합 방식, 예를 들어 솔더링 등에 의해 광소자(600)와 상대적 대면적부(130)를 접합하는 경우에는 하나의 와이어, 예를 들어 광소자(600)의 캐소드 전극과 상대적 소면적부(120)를 연결하는 와이어만 필요하게 될 것이다.
다음으로 단계 S70에서는 도 7에 도시한 바와 같이 캐비티(400) 내부 공간을 보호판(700)과 캔 캡(800)으로 패킹하고 내부에 불활성 가스를 주입하는데, 이때 보호판(700)이 미리 부착된 캔 캡(800)을 캐비티 상면에 용접, 예를 들어 아크 용접(810) 등의 방식으로 접합함으로써 캐비티(400) 내부 공간을 밀봉할 수 있다.
이와는 달리 캐비티(400) 내부에 불활성 가스를 봉입한 후에 보호판(700)을 사용하여 캐비티(400) 내부 공간을 실링(밀봉)한 후에 그 위에 캔 캡을 용접 등에 의해 접합할 수도 있는데, 이 공정은 불활성 가스의 분위기 하에서 수행될 수 있다.
여기에서 보호판(700)은 투명한 유리나 합성수지 재질 또는 형광층이 함유된 합성수지 재질 등으로 구현될 수 있고, 이와는 달리 투명한 유리 또는 합성수지 재질의 보호판(700)의 내외에 별도의 형광층이 추가로 설치될 수도 있을 것이다.
캔 캡(800)은 보호판(700)이 이탈되지 않도록 하기 위한 것으로, 상면 가운데 부위 및 하면 전체가 개방된 형태의 덮개 형상, 즉 액자 프레임 형상으로 구현될 수 있다.
한편, 이와 같이 하여 제조된 캔 패지키 타입의 광소자들은 그 전체가 단일체로 사용되거나 하나 이상의 행 또는 열로 분리되어 사용되거나 낱개로 분리되어 사용될 수 있다. 이 경우에 각 행(가로 줄)에 배치된 광소자들은 상호간에 직렬로 연결되는 반면에 각 열(세로 줄)에 배치된 광소자들은 상호간에 병렬로 연결되게 된다. 도 2의 실시예에 의해 제조된 광 디바이스에 따르면, 수직절연층 금속기판(100) 자체가 방열판으로 기능할 뿐만 아니라 이를 통해 광소자(600)에 외부 전원을 인가할 수 있기 때문에 구조가 간단해질 뿐만 아니라 제조 공정을 단순화시킬 수가 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 캔 패키지 타입의 광 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이고, 도 9 내지 도 12는 도 8의 각 단계에서의 사시도 내지는 단면도인바, 도 3 내지 도 7과 동일한 부분에는 동일한 참조부호를 부여하고 그 상세한 설명은 생략한다. 도 10 내지 도 12 도 9의 B-B선 단면도이다.
먼저 도 8의 실시예가 도 2의 실시예와 다른 점은 금속판재(300)가 수직절연층 금속기판(100)에 접합된 상태에서 캐비티(400)를 가공하는 것이 아니라 캐비티(400')가 미리 형성되어 있는 금속판재(300')를 수직절연층 금속기판(100')의 상면에 접합하는데 있다.
이를 위해 단계 S10'에서 수직절연층 금속기판(100')을 준비하는 점은 도 2의 단계 S10과 동일(두께는 조정 가능)하지만 단계 S10'에서는 도 9에 도시한 바와 같이 캐비티(400')가 미리 형성되어 있는 금속판재(300')를 준비하는 점에서 단계 S10과 상이하다. 여기에서 캐비티(400')는 전술한 바와 같은 방식에 의해 형성될 수 있고, 그 형상 역시 전술한 바와 같이 이루어질 수 있다. 이때 캐비티(400')의 형성 위치는 수직절연층 금속기판(100')에의 접합시 캐비티(400')가 수직절연층 금속기판(100')의 수직절연층(110')을 사이에 두고 상대적 소면적부(120)와 상대적 대면적부(130)로 구분될 수 있도록 정해지는 것이 바람직하다.
다음으로 단계 S20'에서는 도 10에 도시한 바와 같이 수직절연층 금속기판(100')과 캐비티(400')가 기형성된 금속판재(300')를 접합하는데, 접합에 사용되는 액상 접합제(210')나 접합 필름(200')의 경우에도 도 2의 실시예와 동일할 수 있다. 다만 접합 필름(200')의 경우에는 금속판재(300')의 캐비티(400') 하부와 면하는 부위가 노출되도록 형성되게 될 것이다. 이후의 공정은 도 2의 실시예와 동일하기에 더 이상의 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 캔 패지키 타입의 광 디바이스 제조 방법과 이에 의해 제조된 광 디바이스는 전술한 실시예에 국한되지 않고 본 발명의 기술 사상이 허용하는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수가 있다. 예를 들어 전술한 실시예에서는 캐비티의 형상을 단면을 원형으로 하여 도시하였으나 이와는 달리 타원형, 장방형 또는 정방형 등으로 구현할 수도 있을 것이다.
100, 100': 수직절연층 금속기판, 110: 수직절연층,
120': 상대적 소면적부, 130: 상대적 대면적부,
200, 200': 접합 필름, 210, 210': 액상 접합제,
300, 300': 금속판재, 400,400': 캐비티,
500, 500': 금속 도금층, 600: 광소자,
610: 와이어, 700: 보호판,
800: 캔 캡, 810: 용접부

Claims (18)

  1. 금속판재와 기판의 상면에서 하면에 걸쳐서 기판을 종단하는 하나 이상의 수직절연층이 형성된 수직절연층 금속기판을 준비하는 (a) 단계;
    상기 수직절연층 금속기판의 상면에 상기 금속판재를 접합하는 (b) 단계 및
    상기 (b) 단계를 거친 중간 제조물에 대해 상기 금속판재 및 상기 접합에 의해 형성된 접합층을 거쳐서 상기 수직절연층 금속기판의 소정 깊이에 이르는 요홈으로 이루어지되 바닥에 상기 수직절연층을 내포하는 캐비티를 형성하는 (c) 단계를 포함하여 이루어진 캔 패키지 타입의 광 디바이스용 기판 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (b) 단계는 접합 필름을 개재하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 캔 패키지 타입의 광 디바이스용 기판 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 (c) 단계를 거친 중간 제조물의 상기 접합층을 제외한 적어도 상기 캐비티 주벽과 상면에 금속 도금층을 형성하는 (d) 단계를 더 구비한 것을 특징으로 하는 캔 패키지 타입의 광 디바이스용 기판 제조 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 의해 제조된 캔 패키지 타입의 광 디바이스용 기판.
  5. 금속판재와 기판의 상면에서 하면에 걸쳐서 기판을 종단하는 하나 이상의 수직절연층이 형성된 수직절연층 금속기판을 준비하는 (a) 단계;
    상기 수직절연층 금속기판의 상면에 상기 금속판재를 접합하는 (b) 단계;
    상기 (b) 단계를 거친 중간 제조물에 대해 상기 금속판재 및 상기 접합에 의해 형성된 접합층을 거쳐서 상기 수직절연층 금속기판의 소정 깊이에 이르는 요홈으로 이루어지되 바닥에 상기 수직절연층을 내포하는 캐비티를 형성하는 (c) 단계;
    상기 캐비티의 상기 수직절연층을 기준으로 한 일측과 타측의 바닥면에 각각 광소자와 상기 광소자의 전극과 전기적으로 연결된 와이어를 연결하는 (e) 단계 및
    광 투과 재질의 보호판 및 상면의 중앙 부위와 하면이 개방된 액자 프레임 형상으로 이루어져서 상기 보호판의 외곽을 감싸는 캔 캡에 의해 상기 캐비티를 밀봉하는 (g) 단계를 포함하여 이루어진 캔 패키지 타입의 광 디바이스 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 (b) 단계는 접합 필름을 개재하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 캔 패키지 타입의 광 디바이스 제조 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 (c) 단계를 거친 중간 제조물의 상기 접합층을 제외한 적어도 상기 캐비티 주벽과 상면에 금속 도금층을 형성하는 (d) 단계를 더 구비한 것을 특징으로 하는 캔 패키지 타입의 광 디바이스 제조 방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 (g) 단계의 전후에 상기 캐비티의 내부 공간에 불활성 가스를 충진하는 단계를 더 구비한 것을 특징으로 하는 캔 패키지 타입의 광 디바이스 제조 방법.
  9. 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 의해 제조된 캔 패키지 타입의 광 디바이스.
  10. 상하를 관통하여 캐비티로 기능할 하나 이상의 구멍이 형성되어 있는 금속판재와 기판의 상면에서 하면에 걸쳐서 기판을 종단하는 하나 이상의 수직절연층이 형성된 수직절연층 금속기판을 준비하는 (h) 단계 및
    상기 금속판재와 상기 수직절연층 금속기판을 접합하되, 상기 캐비티의 하부에 상기 수직절연층이 포함되도록 접합하는 (i) 단계를 포함하여 이루어진 캔 패키지 타입의 광 디바이스용 기판 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 (i) 단계는 접합 필름을 개재하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 캔 패키지 타입의 광 디바이스용 기판 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 (i) 단계를 거친 중간 제조물의 상기 접합에 의해 형성된 접합층을 제외한 적어도 상기 캐비티 주벽과 상면에 금속 도금층을 형성하는 (j) 단계를 더 구비한 것을 특징으로 하는 캔 패키지 타입의 광 디바이스용 기판 제조 방법.
  13. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 광디바이스용 기판.
  14. 상하를 관통하여 캐비티로 기능할 하나 이상의 구멍이 형성되어 있는 금속판재와 기판의 상면에서 하면에 걸쳐서 기판을 종단하는 하나 이상의 수직절연층이 형성된 수직절연층 금속기판을 준비하는 (h) 단계;
    상기 금속판재와 상기 수직절연층 금속기판을 접합하되, 상기 캐비티의 하부에 상기 수직절연층이 포함되도록 접합하는 (i) 단계;
    상기 캐비티의 상기 수직절연층을 기준으로 한 일측과 타측의 바닥면에 각각 광소자와 상기 광소자의 전극과 전기적으로 연결된 와이어를 연결하는 (k) 단계 및
    광 투과 재질의 보호판 및 상면의 중앙 부위와 하면이 개방된 액자 프레임 형상으로 이루어져서 상기 보호판의 외곽을 감싸는 캔 캡에 의해 상기 캐비티를 밀봉하는 (m) 단계를 포함하여 이루어진 캔 패키지 타입의 광 디바이스 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 (i) 단계는 접합 필름을 개재하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 캔 패키지 타입의 광 디바이스 제조 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 (i) 단계를 거친 중간 제조물의 상기 접합에 의해 형성된 접합층을 제외한 적어도 상기 캐비티 주벽과 상면에 금속 도금층을 형성하는 (j) 단계를 더 구비한 것을 특징으로 하는 캔 패키지 타입의 광 디바이스 제조 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 (m) 단계의 전후에 상기 캐비티의 내부 공간에 불활성 가스를 충진하는 단계를 더 구비한 것을 특징으로 하는 캔 패키지 타입의 광 디바이스 제조 방법.
  18. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 의해 제조된 캔 패키지 타입의 광 디바이스.
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CN201280048786.3A CN103875084B (zh) 2011-10-05 2012-10-04 制造外壳封装型光学设备的方法和利用该方法制造的光学设备
US14/349,226 US9281452B2 (en) 2011-10-05 2012-10-04 Method for manufacturing a can package-type optical device, and optical device manufactured thereby
US14/986,092 US10062812B2 (en) 2011-10-05 2015-12-31 Substrate for can package-type optical device and optical device using same

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101656820B1 (ko) * 2015-05-29 2016-09-12 (주)지엔 수직 및 수평 절연층의 형성이 가능한 광소자용 금속기판 및 그 제조방법
CN112967937A (zh) * 2021-02-09 2021-06-15 池州昀冢电子科技有限公司 封装结构及其制备方法
KR20220033100A (ko) 2020-09-09 2022-03-16 안정섭 루프 커팅구조를 갖는 원단 및 그 제조방법

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016076634A (ja) * 2014-10-08 2016-05-12 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Ｌｅｄパッケージ、バックライトユニット及び液晶表示装置
US20160307881A1 (en) * 2015-04-20 2016-10-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical sensor module and method for manufacturing the same
US9666558B2 (en) 2015-06-29 2017-05-30 Point Engineering Co., Ltd. Substrate for mounting a chip and chip package using the substrate
US20160380167A1 (en) * 2015-06-29 2016-12-29 Point Engineering Co., Ltd. Pre-cut substrate and unit chip substrate comprising hemispherical cavity
CN106340578A (zh) * 2015-07-09 2017-01-18 普因特工程有限公司 包括镀层的芯片基板及利用芯片基板的芯片封装
CN106340502A (zh) * 2015-07-09 2017-01-18 普因特工程有限公司 包括凹部的芯片基板及利用芯片基板的芯片封装
CN106340503B (zh) * 2015-07-10 2021-03-23 普因特工程有限公司 包括半球形腔的芯片原板及芯片基板
DE102015116092B4 (de) * 2015-09-23 2018-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
CA3018352A1 (en) 2016-04-13 2017-10-19 Ucb Biopharma Sprl Tetrahydroisoquinoline derivatives
CN106531865B (zh) * 2016-10-24 2019-06-21 东莞市国瓷新材料科技有限公司 一种紫外led封装用的围坝陶瓷基板制备方法
DE102017117150A1 (de) 2017-07-28 2019-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil
WO2019212136A1 (ko) * 2018-05-03 2019-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광 소자 모듈
DE102018111791A1 (de) * 2018-05-16 2019-11-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
KR102608888B1 (ko) * 2019-06-04 2023-12-01 (주)포인트엔지니어링 전기접속용 양극산화막 및 광소자 디스플레이 및 광소자 디스플레이 제조 방법
WO2021001286A1 (en) 2019-07-01 2021-01-07 UCB Biopharma SRL A substituted tetrahydroisoquinoline derivative as a d1 positive allosteric modulator
MX2021015873A (es) 2019-07-01 2022-02-03 UCB Biopharma SRL Un derivado de tetrahidroisoquinolina sustituido como modulador alosterico positivo de d1.

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6531328B1 (en) * 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
JP4023723B2 (ja) 2002-04-05 2007-12-19 シチズン電子株式会社 表面実装型発光ダイオード
US6599768B1 (en) 2002-08-20 2003-07-29 United Epitaxy Co., Ltd. Surface mounting method for high power light emitting diode
TW563263B (en) * 2002-09-27 2003-11-21 United Epitaxy Co Ltd Surface mounting method for high power light emitting diode
CN2747710Y (zh) * 2004-08-06 2005-12-21 昆明物理研究所 大功率高亮度发光二极管封装装置
JP5128047B2 (ja) * 2004-10-07 2013-01-23 Ｔｏｗａ株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
KR100630362B1 (ko) * 2005-01-11 2006-10-04 한국서부발전 주식회사 발전기 케이싱의 가스누설 방지구조
KR100593943B1 (ko) * 2005-04-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지의 제조 방법
KR100616692B1 (ko) 2005-08-01 2006-08-28 삼성전기주식회사 금속 기판을 이용한 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조 방법
KR100714749B1 (ko) * 2006-03-21 2007-05-04 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 모듈 및 이의 제조 방법
US7713858B2 (en) * 2006-03-31 2010-05-11 Intel Corporation Carbon nanotube-solder composite structures for interconnects, process of making same, packages containing same, and systems containing same
JP4999783B2 (ja) 2007-07-12 2012-08-15 株式会社小糸製作所 発光装置
US8759854B2 (en) * 2011-05-24 2014-06-24 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Bat-wing lens design with multi-die
KR101086014B1 (ko) * 2011-06-27 2011-11-22 (주)포인트엔지니어링 고방열성 광소자용 기판 및 그 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101656820B1 (ko) * 2015-05-29 2016-09-12 (주)지엔 수직 및 수평 절연층의 형성이 가능한 광소자용 금속기판 및 그 제조방법
KR20220033100A (ko) 2020-09-09 2022-03-16 안정섭 루프 커팅구조를 갖는 원단 및 그 제조방법
CN112967937A (zh) * 2021-02-09 2021-06-15 池州昀冢电子科技有限公司 封装结构及其制备方法

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