KR20130036594A - 유전체 조성물 및 이를 포함하는 세라믹 전자 부품 - Google Patents

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KR20130036594A
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윤선호
김창훈
권상훈
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Abstract

본 발명은, 모재 분말; 상기 모재 분말 100 몰에 대하여, 전이금속을 포함하는 산화물 또는 탄산염 0.1 내지 1.0 at%의 함량(x)을 포함하는 제1 부성분; 상기 모재 분말 100 몰에 대하여, 원자가 고정 억셉터(fixed valence acceptor) 원소를 포함하는 산화물 또는 탄산염 0.01 내지 5.0 at%의 함량(y)을 포함하는 제2 부성분; 도너(donor) 원소를 포함하는 산화물 또는 탄산염을 포함하는 제3 부성분; 및 소결조제를 포함하는 제4 부성분; 을 포함하는 유전체 조성물을 제공한다.

Description

유전체 조성물 및 이를 포함하는 세라믹 전자 부품{Dielectric Composition and Ceramic Electronic Component Comprising the Same}
본 발명은 유전체 조성물 및 이를 포함하는 세라믹 전자 부품에 관한 것이다.
일반적으로 커패시터, 인턱터, 압전 소자, 바리스터 또는 서미스터 등의 세라믹 재료를 사용하는 전자부품은 세라믹 재료로 이루어진 세라믹 소체, 소체 내부에 형성된 내부전극 및 상기 내부전극과 접속되도록 세라믹 소체 표면에 설치된 외부전극을 구비한다.
이러한 세라믹 전자부품 중 적층 세라믹 커패시터(Multi-Layered Ceramic Capacitor: MLCC)는 적층된 복수의 유전체층, 일 유전체층을 사이에 두고 대향 배치되는 내부전극 및 상기 내부전극에 전기적으로 접속된 외부전극을 포함한다.
이 적층 세라믹 커패시터는 소형이면서 고용량이 보장되고 실장이 용이하다는 장점으로 인하여 컴퓨터, PDA 또는 휴대폰 등의 이동 통신장치의 부품으로서 널리 사용되고 있다.
이러한 적층 세라믹 커패시터는 이동통신 단말기, 노트북, 컴퓨터 및 개인 휴대용 단말기(PDA) 등 여러 전자제품의 인쇄회로기판에 장착되어 전기를 충전 또는 방전시키는 중요한 역할을 하는 칩 형태의 콘덴서이며, 사용되는 용도 및 용량에 따라 다양한 크기와 적층 형태를 가진다.
또한, 적층 세라믹 커패시터는 최근 전자제품의 소형화에 따라 초소형화 및 초고용량화가 요구되고 있으며, 이에 초소형화를 위해 내부전극 및 유전체층의 두께를 얇게 하고, 초고용량화를 위해 많은 수의 유전체를 적층한 제품이 제조되고 있다.
적층 세라믹 커패시터는 내부 전극층용 페이스트와 유전체층용 페이스트를 시트법이나 인쇄법 등에 의해 적층하고 동시에 소성하여 제조한다.
그런데 종래의 적층 세라믹 커패시터 등에 이용되는 유전체 재료는 환원성의 분위기하에서 소성하면 환원되어 반도체화되는 성질을 가진다. 이 때문에 고용량 MLCC의 정상적인 용량 및 절연 특성을 구현하기 위해서는 일정 수준 이상의 입성장 억제 및 내환원성이 구현되어야 하는데, 이를 위해 원자가 고정 억셉터를 첨가하였다. 그러나, 원자가 고정 억셉터만 첨가하는 경우 유전체의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있어서 희토류 원소를 함께 첨가하여 이러한 신뢰성을 확보하였다.
그러나, 최근 들어 희토류 원소의 수급 문제가 심각해지고 있으며, 이에 그 단가 또한 상승되는 추세이다.
당 기술분야에서는, 적층 세라믹 커패시터 등에 이용되는 유전체 재료 제조시 희토류 원소를 사용하지 않고도 입성장 억제 및 내환원성을 구현하며, 우수한 고온 신뢰성을 확보할 수 있는 새로운 방안이 요구되어 왔다.
본 발명의 일 측면은, 모재 분말; 상기 모재 분말 100 몰에 대하여, 전이금속을 포함하는 산화물 또는 탄산염 0.1 내지 1.0 at%의 함량(x)을 포함하는 제1 부성분; 상기 모재 분말 100 몰에 대하여, 원자가 고정 억셉터(fixed valence acceptor) 원소를 포함하는 산화물 또는 탄산염 0.01 내지 5.0 at%의 함량(y)을 포함하는 제2 부성분; 도너(donor) 원소를 포함하는 산화물 또는 탄산염을 포함하는 제3 부성분; 및 소결조제를 포함하는 제4 부성분; 을 포함하는 유전체 조성물을 제공한다. 여기서, at%는 원자 개수의 조성비율을 나타낸다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제3 부성분의 도너 원소는 Ce이며, 상기 Ce의 at% 함량(z1)은 0.1 ≤ z1 ≤ x + 2y 일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제3 부성분의 도너 원소는 Nb이며, 상기 Nb의 at% 함량(z2)은 0.1 ≤ z2 ≤ x + 0.5y 일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제3 부성분의 도너 원소는 La이며, 상기 La의 at% 함량(z3)은 0.1 ≤ z3 ≤ x + y 일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제3 부성분의 도너 원소는 Sb일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제4 부성분의 함량은, 상기 모재 분말 100 몰에 대하여, 0.1 내지 8.0 몰%일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제4 부성분의 소결조제는, Si, Ba, Ca 및 Al 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 또는 탄산염이거나, Si를 포함하는 유리(glass)일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 모재 분말은 BaTiO3계 또는 (Ba1-xCax)(Ti1-yCay)O3, (Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3 및 Ba(Ti1-yZry)O3 중 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 모재 분말은 평균 입경이 0.5㎛ 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 부성분의 전이금속은 Mn, V, Cr, Fe, Ni, Co, Cu 및 Zn 으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제2 부성분의 원자가 고정 억셉터 원소는 Mn 및 Al 중 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 다른 측면은, 복수의 유전체층이 적층된 세라믹 소체; 상기 세라믹 소체의 내부에 형성되며, 비금속을 포함하는 내부전극; 및 상기 세라믹 소체의 외표면에 형성되며, 상기 내부전극과 전기적으로 연결된 외부전극; 을 포함하며, 상기 유전체층은, 모재 분말; 상기 모재 분말 100 몰에 대하여, 전이금속을 포함하는 산화물 또는 탄산염 0.1 내지 1.0 at%의 함량(x)을 포함하는 제1 부성분; 상기 모재 분말 100 몰에 대하여, 원자가 고정 억셉터 원소를 포함하는 산화물 또는 탄산염 0.01 내지 5.0 at%의 함량(y)을 포함하는 제2 부성분; 도너 원소를 포함하는 산화물 또는 탄산염을 포함하는 제3 부성분; 및 소결조제를 포함하는 제4 부성분; 을 포함하는 세라믹 전자부품을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 각 유전체층의 두께는 0.1 내지 10 ㎛ 일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 내부전극은 Ni 또는 Ni 합금을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 내부전극은 상기 유전체층과 교대로 적층될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 희토류 원소를 사용하지 않고도 기존의 유전체 조성물과 동등한 수준 이상의 입성장 억제 및 내환원성을 구현할 수 있고, 우수한 고온 신뢰성을 확보할 수 있으며, 1260 ℃ 이하에서 환원 분위기 소성이 가능한 유전체 조성물 및 이를 포함하는 세라믹 전자부품을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층 세라믹 커패시터를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A'선 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 다음과 같이 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
덧붙여, 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
본 발명은 유전체 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 유전체 조성물을 포함하는 세라믹 전자부품은 적층 세라믹 커패시터, 인덕터, 압전체 소자, 바리스터, 칩 저항 또는 서미스터 등이 있으며, 하기에서는 세라믹 전자제품의 일 예로서 적층 세라믹 커패시터에 관하여 설명한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 적층 세라믹 커패시터(100)는 유전체층(111)과 제1 및 제2 내부 전극(130a, 130b)이 교대로 적층된 세라믹 소체(110)를 가진다. 세라믹 소체(110)의 양 단부에는 세라믹 소체(110)의 내부에 교대로 배치된 제1 및 제2 내부 전극(130a, 130b)과 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2 외부 전극(120a, 120b)이 형성되어 있다.
세라믹 소체(110)는 형상에 특별히 제한은 없지만, 바람직하게 직방체 형상일 수 있다. 또한, 그 치수도 특별히 제한은 없고, 용도에 따라 적절한 치수로 할 수 있으며, 예를 들면 (0.6 내지 5.6 mm) × (0.3 내지 5.0 mm) × (0.3 내지 1.9 mm) 일 수 있다
유전체층(111)의 두께는 커패시터의 용량 설계에 맞추어 임의로 변경할 수 있는데, 본 실시 형태에서 소성 후 유전체층(111)의 두께는 1 층당 0.1 ㎛ 이상이며, 더 바람직하게는 0.1 내지 10 ㎛일 수 있다. 이는 너무 얇은 두께의 액티브층은 한층 내에 존재하는 결정립 수가 작아 신뢰성에 악영향을 미치기 때문이다.
제1 및 제2 내부 전극(130a, 130b)은 각 단면이 세라믹 소체(110)의 대향하는 양 단부의 표면에 교대로 노출되도록 적층될 수 있다. 제1 및 제2 외부 전극(120a, 120b)은 세라믹 소체(110)의 양 단부에 형성되고, 교대로 배치된 제1 및 제2 내부 전극(130a, 130b)의 노출 단면에 전기적으로 연결되어 커패시터 회로를 구성할 수 있다.
이러한 제1 및 제2 내부 전극(130a, 130b)에 함유되는 도전재는 특별히 한정되지는 않지만, 유전체층(111)의 구성 재료가 내환원성을 가져야 하므로 비금속을 이용할 수 있다.
도전재는 비금속으로 Ni 또는 Ni 합금을 이용할 수 있다. Ni합금으로는 Mn, Cr, Co 및 Al에서 선택되는 1종 이상의 원소와 Ni의 합금일 수 있고, 이때 합금 중의 Ni의 함유량은 95 중량% 이상일 수 있다.
제1 및 제2 내부 전극(130a, 130b)의 두께는 용도 등에 따라 적절히 결정할 수 있는데, 예를 들면, 0.1 내지 5 ㎛일 수 있으며, 더 바람직하게는 0.1 ～ 2.5 ㎛일 수 있다.
이러한 제1 및 제2 외부 전극(120a, 120b)에 함유되는 도전재는 특별히 한정되지 않지만, Ni, Cu, 또는 이들의 합금을 이용할 수 있다. 제1 및 제2 외부 전극(120a, 120b)의 두께는 용도 등에 따라 적절히 결정할 수 있는데, 예를 들면 10 내지 50 ㎛일 수 있다.
이러한 세라믹 소체(110)를 구성하는 유전체층(111)은 내환원성 유전체 조성물을 함유할 수 있다. 본 실시 형태에 따른 유전체 조성물은 모재 분말과 아래의 제1 내지 제4 부성분을 포함할 수 있다.
이러한 유전체 조성물은 희토류 원소를 사용하지 않고도 고유전율 및 고온 신뢰성을 확보할 수 있으며, 저온, 예를 들면 1260 ℃ 이하의 환원 분위기에서 소성이 가능하여 Ni 또는 Ni 합금을 포함하는 내부전극을 사용할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 유전체 조성물의 각 성분을 보다 구체적으로 설명한다.
a) 모재 분말
모재 분말은 유전체의 주성분으로, BaTiO3계 유전체 분말을 사용할 수 있으며, 경우에 따라 BaTiO3에 Ca, Zr 등이 일부 고용되어 수정된 (Ba1-xCax)TiO3, (Ba1-xCax)(Ti1-yCay)O3, (Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3 또는 Ba(Ti1-yZry)O3 등을 사용할 수 있다. 이때, 모재 분말의 평균 입경은 바람직하게 0.01 내지 0.5 ㎛ 이하일 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다.
b) 제1 부성분
제1 부성분으로 전이금속을 포함하는 산화물 또는 탄산염을 포함할 수 있다. 전이금속 산화물 또는 탄산염은 유전체 조성물의 내환원성 및 신뢰성을 부여하는 역할을 한다.
이러한 전이금속은 원자가 가변 억셉터(variable-valence acceptor) 원소로서 Mn, V, Cr, Fe, Ni, Co, Cu 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 전이금속 산화물 또는 탄산염의 형태는 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들면, MnO2, V2O5 또는 MnCO3 등을 사용할 수 있다.
이때, 바람직한 내환원성 및 신뢰성이 구현될 수 있는 제1 부성분의 함량은 모재 분말 100 몰에 대하여 0.1 내지 1.0 at%(이하 "x" 라 한다)일 수 있다. 여기서, at%는 원자 개수의 조성비율을 나타낸다.
만약, 제1 부성분의 함량(x)이 0.1 at% 미만이면 고온 내전압 특성이 나빠지며 환원성 분위기의 소성에서 쉽게 환원되고 입성장의 제어가 곤란할 수 있어 저항 열화가 쉽게 발생할 수 있다.
또한, 제1 부성분의 함량(x)이 1.0 at%를 초과하면 고온 내전압 특성이 나빠지며 소결 온도가 상승하고 유전율이 저하되어 원하는 유전상수 값을 얻기 어려운 문제점이 발생할 수 있다.
c) 제2 부성분
제2 부성분으로 원자가 고정 억셉터(fixed valence acceptor) 원소를 포함하는 산화물 또는 탄산염을 포함할 수 있다. 제2 부성분은 환원성 분위기의 소성에서 비정상 입성장의 억제 및 내환원성을 구현하는 역할을 한다. 이러한 원자가 고정 억셉터 원소로서 Mg 또는 Al 등을 사용할 수 있다.
이때, 바람직한 내환원성이 구현될 수 있는 제2 부성분의 함량(이하 "y" 라 한다)은 모재 분말 100 몰에 대하여 0.01 내지 5.0 at%일 수 있다. 만약, 제2 부성분의 함량(y)이 5.0 at%를 초과하면 소성 온도가 상승되고 고온 내전압 특성이 나빠지는 문제점이 발생할 수 있다.
d) 제3 부성분
종래의 내환원성 유전체 조성물은 원자가 고정 억셉터 원소만 도핑되는 경우 신뢰성이 저하될 수 있기 때문에 희토류 원소(rare earth element)를 함께 첨가하였다. 그러나, 본 실시 형태에서는 희토류 원소를 포함하지 않고 제3 부성분으로 도너(donor) 역할을 하는 원소를 포함하는 산화물 또는 탄산염을 포함한다.
이러한 도너 원소로서 예를 들어 Ce, Nb, La 및 Sb 중에서 적어도 하나를 사용할 수 있다. 한편, 도너 원소 산화물 또는 탄산염의 형태는 특별히 제한되는 것은 아니며, 예컨대, CeO2 또는 CeCO3 등을 사용할 수 있다.
이때, 바람직한 내환원성 및 신뢰성이 구현될 수 있는 제3 부성분의 함량(이하 "z1 ~ z3" 라 한다)은 제3 부성분이 어떤 원소를 포함하는지에 따라 변화될 수 있다.
예를 들어, 제3 부성분으로 Ce를 사용하는 경우, 제3 부성분의 at% 함량(z1)은 0.1 ≤ z1 ≤ x + 2y일 수 있다. 제3 부성분으로 Nb를 사용하는 경우 제3 부성분의 함량(z2)은 0.1 ≤ z2 ≤ x + 0.5y일 수 있다. 제3 부성분으로 La를 사용하는 경우 제3 부성분의 함량(z3)은 0.1 ≤ z3 ≤ x + y일 수 있다.
제3 부성분의 함량(z1 ~ z3)이 0.1 at% 미만이면 고온 내전압 특성이 저하되고, 이러한 범위를 초과하게 되면 내환원 특성이 저하되는 문제점이 발생할 수 있다.
제2 부성분과 제3 부성분은 이러한 범위 내에서 다중 도핑(co-doping)되는 경우 제1 부성분만 함유되었을 때에 비해 신뢰성이 향상될 수 있다.
e) 제4 부성분
제4 부성분은 소성온도를 낮추고 소결을 촉진하는 소결조제로서, Si, Ba, Ca 및 Al 등에서 적어도 하나를 포함하는 산화물 또는 탄산염을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 제4 부성분은 Si 원소를 포함하는 유리(glass) 형태를 포함할 수 있다.
이때, 바람직한 제4 부성분의 함량은 모재 분말 100 몰에 대하여 0.1 내지 8.0 몰%일 수 있다. 만약, 제4 부성분의 함량이 0.1 몰% 미만이면 소성 온도가 높아져 소결성이 저하되고, 8.0 몰%을 초과하게 되면 입성장을 제어하기 곤란하며 소결성이 저하되는 문제점이 발생할 수 있다.
이하, 실시 예 및 비교 예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 이는 발명의 구체적인 이해를 돕기 위한 것으로 본 발명의 범위가 하기 실시 예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
표 1 내지 3에 기재된 조성 및 함량에 따라 모재 분말과 제1 내지 제4 부성분이 포함된 원료 분말을 지르코니아 볼을 혼합 및 분산 메디아로 사용하고 에탄올 및 톨루엔을 용매로 하여 분산제 및 바인더와 혼합한 후 약 20　시간　동안 볼 밀링하여 슬러리를 제조하였다.
이때, 모재 분말은 평균 입자 크기가 170 nm인 BaTiO3 분말을 사용하였다. 제조된 슬러리를 소형 닥터 블레이드(doctor blade) 방식의 코터(coater)를 이용하여 3.5 ㎛ 및 10 ~ 13 ㎛ 두께의 세라믹 시트로 성형하였다.
성형된 세라믹 시트에 Ni 내부전극을 인쇄하였다. 상하 커버는 10 ~ 13 ㎛ 두께의 커버용 시트를 25 층으로 적층하여 제작하였으며, 21 층의 인쇄된 활성 시트를 가압하고 적층하여 압착 바아(bar)를 제조하였다.
압착 바아는 절단기를 이용하여 3.2 mm × 1.6 mm 크기의 칩으로 절단하였다. 절단된 칩은 탈 바인더를 위해 가소하고, 환원 분위기인 0.1% H2 / 99.9% N2 (H20 / H2 / N2 분위기), 약 1100 ~ 1250 ℃의 온도에서 약 2 시간 소성한 후, 약 1000 ℃, N2 분위기에서 재산화를 위해 약 3 시간 동안 열처리하였다.
소성된 칩에 대해 Cu 페이스트로 터미네이션 공정 및 전극 소정을 거쳐 외부전극을 완성하여 유전체 두께가 2.0 ㎛ 이하이고, 유전체의 층수가 20 층인 3.2 mm × 1.6 mm 크기의 MLCC 칩을 제작하였다.
[평가]
MLCC 칩의 상온 정전용량 및 유전손실은 LCR meter를 이용하여 1 kHz, AC 0.5 V/㎛ 조건에서 측정하였다. 이 정전용량과 MLCC 칩의 유전체 두께, 내부전극의 면적 및 적층수로부터 MLCC 칩 유전체의 유전율을 계산하였다.
상온 절연저항은 10 개씩 샘플을 취하여 DC 10 V/㎛를 인가한 상태에서 60 초 경과 후 측정하였다. 온도에 따른 정전용량의 변화율(temperature coefficient of capacitance, TCC)은 -55 ℃에서 125 ℃의 온도 범위에서 측정하였다.
고온 IR 승압 실험은 150 ℃에서 전압 단계를 DC 10 V/㎛씩 증가시키면서 저항 열화 거동을 측정하였는데, 각 단계의 시간은 10 분이며 5 초 간격으로 저항 값을 측정하였다.
이 고온 IR 승압 실험으로부터 고온 내전압을 도출하였다. 고온 내전압은 소성 후 2 ㎛ 이하 두께의 20 층의 유전체를 가지는 MLCC 칩에 대해 150 ℃에서 전압 단계를 DC 10 V/㎛를 10 분 인가하고 이러한 전압 단계를 계속 증가시키면서 측정할 때 IR이 105 Ω 이상을 견디는 전압을 의미한다.
RC 값은 AC 0.5 V/㎛, 1 kHz에서 측정한 상온 용량 값과 DC 10 V/㎛ 에서 측정한 절연 저항값의 곱이다. 아래, 표 2, 4 및 6에 표 1, 3 및 5에 기재된 조성으로 된 유전체로 구성된 프로토-타입(proto-type) 칩의 특성을 나타내었다. 비교 예로는 모재 분말 100 몰에 대하여, Y2O3 0.5 몰, MgCO3 1.0 몰, BaCO3 0.4 몰, SiO2 1.25 몰, Al2O3 0.1 몰, MnO2 0.05 몰 및 V2O5 0.05 몰을 갖는 X5R 적용품을 예로 들었다.
표 1은 제3 부성분이 CeO2일 때의 내환원성 유전체 조성물의 실시 예들을 나타내고, 표 2는 이들 실시 예들의 조성에 해당하는 프로토-타입 칩의 특성을 나타낸다.
Figure pat00001
< 제3 부성분이 CeO2인 내환원성 유전체 조성물의 실시 예 >
Figure pat00002
< 제3 부성분이 CeO2인 내환원성 유전체 조성물의 실시 예를 이용한 프로토-타입의 칩의 특성 >
실시 예 1 내지 7을 참조하면, 제2 부성분인 MgCO3의 농도가 1 몰%로 고정된 조건에서 제3 부성분인 CeO2의 농도가 2.5 몰%로 점차 증가함에 따라, 고온 내전압은 실시 예 3(CeO2: 0.5 몰%)에서 60 V/㎛로 최고치를 나타내고 이 농도를 넘어서면서 감소하다가 실시 예 7(CeO2: 2.5 몰%)에서 5 V/㎛로 급격히 낮아지게 된다.
이러한 현상은 실시 예 7에서 상온 RC 값이 430 ΩF로 급격히 낮아지는 현상과 상응한다. 따라서, Ce의 농도가 특정 농도 이하인 범위에서는 내환원성 및 신뢰성이 개선되지만, 특정 농도를 초과하면 내환원 및 고온 내전압 특성이 급격히 저하됨을 확인할 수 있다.
또한, 실시 예 7, 9, 11, 13 및 15를 참조하면, 제2 부성분인 MgCO3를 포함하지 않거나(실시 예 9), MgCO3가 0.5 몰%(실시 예 11), 1.0 몰%(실시 예 7), 2.0 몰%(실시 예 13) 및 4.0 몰%(실시 예 15)로 점차 증가함에 따라, CeO2의 농도는 각각 0.5 몰%(실시 예 9), 1.5 몰%(실시 예 11), 2.5 몰%(실시 예 7), 4.5 몰%(실시 예 13) 및 8.5 몰%(실시 예 15)로 증가하고, 상온 RC 값 및 고온 내전압이 급격히 저하됨을 확인할 수 있다.
또한, 실시 예 16 내지 19 및 실시 예 3을 참조하면, Mg가 1.0 몰%이고 Ce는 0.5 몰%인 동일한 조건으로, 제1 부성분인 Mn 및 V를 포함하지 않는 경우에는 상온 RC 값 및 고온 내전압이 매우 낮으며, 실시 예 17(MnO2: 0, V2O5: 0.05 at%)과 같이 제1 부성분이 1 at% 이상이 되면 정상적인 RC 값(1680) 및 고온 내전압(40 V/㎛) 특성이 구현되고, 실시 예 19와 같이 제1 부성분의 값이 지나치게 많아지면 RC 값(1486) 및 고온 내전압(30 V/㎛) 특성이 저하됨을 확인할 수 있다.
따라서, BaTiO3 대비 제1 부성분 Mn 및 V의 at% 양을 x, 제2 부성분 Mg의 at% 양을 y, 제3 부성분의 Ce의 at% 양을 z1 이라고 했을 때, 바람직한 내환원성 및 신뢰성이 구현되는 x, y 및 z의 범위는 0.1 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 5 및 0.1 ≤ z ≤ x + 2y 라고 할 수 있다.
그러므로, 이러한 범위를 만족시키는 실시 예 2 내지 4 및 8의 경우, 기존의 희토류 원소를 함유하지 않고서도 비교 예인 상용 X5R 유전체 재료와 동등한 수준 이상의 특성이 구현됨을 확인할 수 있다.
표 3은 제3 부성분이 La2O3일 때의 내환원성 유전체 조성물의 실시 예들을 나타내고, 표 4는 이들 실시 예들의 조성에 해당하는 프로토-타입 칩의 특성을 나타낸다.

실시 예		 모재 BaTiO3 100 몰 당 각 첨가제의 몰 수
제1 부성분 제2 부성분 제3 부성분 제4 부성분
MnO2 V2O5 MgCO3 La2O3 BaCO3 Al2O3 SiO2
20 0.10 0.10 1.00 0.05 1.20 0.20 1.25
21 0.10 0.10 1.00 0.25 1.20 0.20 1.25
22 0.10 0.10 1.00 0.50 1.20 0.20 1.25
23 0.10 0.10 1.00 0.75 1.20 0.20 1.25
24 0.10 0.10 0.50 0.25 1.20 0.20 1.25
25 0.10 0.10 0.50 0.50 1.20 0.20 1.25
26 0.10 0.10 2.00 1.00 1.20 0.20 1.25
27 0.10 0.10 2.00 1.25 1.20 0.20 1.25
28 0.10 0.10 4.00 2.00 1.20 0.20 1.25
29 0.10 0.10 4.00 2.25 1.20 0.20 1.25
< 제3 부성분이 La2O3인 내환원성 유전체 조성물의 실시 예 >

실시 예		 프로토-타입 칩의 특성
적정소결
온도(℃)		 유전율 DF(%) RC(ΩF) TCC(%)
(85℃)		 TCC(%)
(125℃)		 고온내전압
(V/㎛)
20 1160 3160 6.10 6842 -11.1 -27.5 50
21 1160 3820 6.75 7230 -9.6 -23.5 60
22 1160 4360 7.20 3452 -8.5 -22.3 55
23 1160 4472 7.50 780 -8.3 -23.4 10
24 1160 4110 7.55 3558 -7.7 -18.5 50
25 1160 3850 7.20 234 -7.4 -16.7 10
26 1190 2850 5.55 2840 -9.5 -26.8 40
27 1190 2400 5.23 180 -8.8 -24.5 5
28 1220 2066 3.47 1990 -10.1 -27.5 35
29 1220 1852 2.33 75 -11.2 -29.5 10
비교 예 1160 3550 6.88 3856 -10.0 -28.0 50
< 제3 부성분이 La2O3인 내환원성 유전체 조성물의 실시 예를 이용한 프로토-타입의 칩의 특성 >
실시예 1 및 20 ~ 23을 참조하면, 제2 부성분인 MgCO3의 농도가 1 몰%로 고정된 조건에서 제3 부성분인 La2O3의 농도가 0.75 몰%로 점차 증가함에 따라, 고온 내전압은 실시 예 21(La2O3: 0.25 몰%)에서 60 V/㎛로 최고치를 나타내고 이 농도를 넘어서면서 감소하다가 실시 예 23(La2O3: 0.75 몰%)에서 10 V/㎛로 급격히 낮아지게 된다.
이러한 현상은 실시 예 23에서 상온 RC 값이 1000 ΩF 이하인 780 ΩF로 급격히 낮아지는 현상과 상응한다. 따라서, La2O3의 농도가 특정 농도 이하인 범위에서는 내환원성 및 신뢰성이 개선되지만, 특정 농도를 초과하면 내환원 및 고온 내전압 특성이 급격히 저하됨을 확인할 수 있다.
또한, 실시 예 25, 23, 27 및 29를 참조하면, 제2 부성분인 MgCO3가 0.5 몰%(실시 예 25), 1.0 몰%(실시 예 23), 2.0 몰%(실시 예 27) 및 4.0 몰%(실시 예 29)로 점차 증가함에 따라, La2O3의 농도는 각각 0.5 몰%(실시 예 25), 0.7 몰%(실시 예 23), 1.25 몰%(실시 예 27) 및 2.25 몰%(실시 예 29)로 증가하고, 상온 RC 값 및 고온 내전압이 급격히 저하됨을 확인할 수 있다.
따라서, BaTiO3 대비 제1 부성분 Mn 및 V의 at% 양을 x, 제2 부성분 Mg의 at% 양을 y, 제3 부성분의 La의 at% 양을 z2 라고 했을 때, 바람직한 내환원성 및 신뢰성이 구현되는 x, y 및 z2의 범위는 0.1 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 5, 0.1 ≤ z2 ≤ x + y 라고 할 수 있다.
그러므로, 이러한 범위를 만족시키는 실시 예 20 ~ 22 및 24의 경우, 기존의 희토류 원소를 함유하지 않고서도 비교 예인 상용 X5R 유전체 재료와 동등한 수준 이상의 특성이 구현됨을 확인할 수 있다.
표 5는 제3 부성분이 Nb2O5일 때의 내환원성 유전체 조성물의 실시 예들을 나타내고, 표 6은 이들 실시 예들의 조성에 해당하는 프로토-타입 칩의 특성을 나타낸다.

실시 예		 모재 BaTiO3 100 몰 당 각 첨가제의 몰 수
제1 부성분 제2 부성분 제3 부성분 제4 부성분
MnO2 V2O5 MgCO3 Nb2O5 BaCO3 Al2O3 SiO2
30 0.10 0.10 1.00 0.05 1.05 0.20 1.25
31 0.10 0.10 1.00 0.25 1.25 0.20 1.25
32 0.10 0.10 1.00 0.50 1.50 0.20 1.25
33 0.10 0.10 0.50 0.10 0.60 0.20 1.25
34 0.10 0.10 0.50 0.35 0.85 0.20 1.25
35 0.10 0.10 2.00 0.50 2.50 0.20 1.25
36 0.10 0.10 2.00 0.75 2.75 0.20 1.25
37 0.10 0.10 4.00 1.00 5.00 0.20 1.25
38 0.10 0.10 4.00 1.25 5.25 0.20 1.25
< 제3 부성분이 Na2O5인 내환원성 유전체 조성물의 실시 예 >

실시 예		 프로토-타입 칩의 특성
적정소결
온도(℃)		 유전율 DF(%) RC(ΩF) TCC(%)
(85℃)		 TCC(%)
(125℃)		 고온내전압
(V/㎛)
30 1160 3198 7.80 4304 -10.8 -27.1 50
31 1160 3655 8.12 3403 -9.2 -22.5 50
32 1160 3485 8.24 40 -8.1 -21.3 5
33 1160 3680 6.22 3852 -7.1 -17.5 55
34 1160 4285 7.26 114 -6.4 -15.7 5
35 1190 2744 5.25 2235 -9.2 -26.2 40
36 1190 2456 4.55 20 -8.1 -23.8 5
37 1220 2166 3.22 1850 -9.9 -26.5 35
38 1220 1812 2.26 33 -10.2 -27.5 5
비교 예 1160 3550 6.88 3856 -10.0 -28.0 50
< 제3 부성분이 La2O3인 내환원성 유전체 조성물의 실시 예를 이용한 프로토-타입의 칩의 특성 >
실시 예 1 및 30 ~ 32를 참조하면, 제2 부성분인 MgCO3의 농도가 1 몰%로 고정된 조건에서 제3 부성분인 Nb2O5의 농도가 0 몰%에서 0.5 몰%로 점차 증가함에 따라, 고온 내전압은 실시 예 30(Nb2O5: 0.05 몰%) 및 실시 예 31(Nb2O5: 0.25 몰%)에서 50 V/㎛로 최고치를 나타내고 이 농도를 넘어서면서 감소하다가 실시 예 32(Nb2O5: 0.5 몰%)에서 5 V㎛로 급격히 낮아지게 된다.
이 현상은 실시 예 32에서 상온 RC 값이 40 ΩF로 급격하게 낮아지는 현상과 상응한다. 따라서, Nb2O5의 농도가 특정 농도 이하인 범위에서는 내환원성 및 신뢰성이 개선되지만, 특정 농도를 초과하면 내환원 및 고온 내전압 특성이 급격히 저하됨을 확인할 수 있다.
또한, 실시 예 34, 32, 36 및 38을 참조하면, 제2 부성분인 MgCO3가 0.5 몰%(실시 예 34), 1.0 몰%(실시 예 32), 2.0 몰%(실시 예 36) 및 4.0 몰%(실시 예 38)로 점차 증가함에 따라, Nb2O5의 농도는 각각 0.35 몰%(실시 예 34), 0.5 몰%(실시 예 32), 0.75 몰%(실시 예 36) 및 1.25 몰%(실시 예 38)로 증가하고, 상온 RC 값 및 고온 내전압이 급격히 저하됨을 확인할 수 있다.
따라서, BaTiO3 대비 제1 부성분 Mn 및 V의 at% 양을 x, 제2 부성분 Mg의 at% 양을 y, 제3 부성분의 Nb의 at%양을 z3라고 했을 때, 바람직한 내환원성 및 신뢰성이 구현되는 x, y 및 z의 적정 범위는 0.1 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 5, 0.1 ≤ z2 ≤ x + 0.5y 라고 할 수 있다.
그러므로, 이러한 범위를 만족시키는 실시 예 30, 31 및 33의 경우, 기존의 희토류 원소를 함유하지 않고서도 비교 예인 상용 X5R 유전체재료와 동등한 수준 이상의 특성이 구현됨을 확인할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다.
따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100 ; 적층 세라믹 커패시터 110 ; 세라믹 소체
111 ; 유전체층
120a, 120b ; 제1 및 제2 외부전극
130a, 130b ; 제1 및 제2 내부전극

Claims (26)

  1. 모재 분말;
    상기 모재 분말 100 몰에 대하여, 전이금속을 포함하는 산화물 또는 탄산염 0.1 내지 1.0 at%의 함량(x)을 포함하는 제1 부성분;
    상기 모재 분말 100 몰에 대하여, 원자가 고정 억셉터(fixed valence acceptor) 원소를 포함하는 산화물 또는 탄산염 0.01 내지 5.0 at%의 함량(y)을 포함하는 제2 부성분;
    도너(donor) 원소를 포함하는 산화물 또는 탄산염을 포함하는 제3 부성분; 및
    소결조제를 포함하는 제4 부성분; 을 포함하는 유전체 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제3 부성분의 도너 원소는 Ce이며,
    상기 Ce의 at% 함량(z1)은 0.1 ≤ z1 ≤ x + 2y 인 것을 특징으로 하는 유전체 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제3 부성분의 도너 원소는 Nb이며,
    상기 Nb의 at% 함량(z2)은 0.1 ≤ z2 ≤ x + 0.5y 인 것을 특징으로 하는 유전체 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제3 부성분의 도너 원소는 La이며,
    상기 La의 at% 함량(z3)은 0.1 ≤ z3 ≤ x + y 인 것을 특징으로 하는 유전체 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제3 부성분의 도너 원소는 Sb인 것을 특징으로 하는 유전체 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제4 부성분의 함량은, 상기 모재 분말 100 몰에 대하여, 0.1 내지 8.0 몰%인 것을 특징으로 하는 유전체 조성물.
  7. 제1항 또는 제6항에 있어서,
    상기 제4 부성분의 소결조제는, Si, Ba, Ca 및 Al 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 또는 탄산염인 것을 특징으로 하는 유전체 조성물.
  8. 제1항 또는 제6항에 있어서,
    상기 제4 부성분의 소결조제는, Si를 포함하는 유리(glass)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유전체 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 모재 분말은 BaTiO3계 또는 (Ba1-xCax)(Ti1-yCay)O3, (Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3 및 Ba(Ti1 - yZry)O3 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 유전체 조성물.
  10. 제1항 또는 제9항에 있어서,
    상기 모재 분말은 평균 입경이 0.5㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 유전체 조성물.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 부성분의 전이금속은 Mn, V, Cr, Fe, Ni, Co, Cu 및 Zn 으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 유전체 조성물.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제2 부성분의 원자가 고정 억셉터 원소는 Mn 및 Al 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 유전체 조성물.
  13. 복수의 유전체층이 적층된 세라믹 소체;
    상기 세라믹 소체의 내부에 형성되며, 비금속을 포함하는 내부전극; 및
    상기 세라믹 소체의 외표면에 형성되며, 상기 내부전극과 전기적으로 연결된 외부전극; 을 포함하며,
    상기 유전체층은, 모재 분말; 상기 모재 분말 100 몰에 대하여, 전이금속을 포함하는 산화물 또는 탄산염 0.1 내지 1.0 at%의 함량(x)을 포함하는 제1 부성분; 상기 모재 분말 100 몰에 대하여, 원자가 고정 억셉터 원소를 포함하는 산화물 또는 탄산염 0.01 내지 5.0 at%의 함량(y)을 포함하는 제2 부성분; 도너 원소를 포함하는 산화물 또는 탄산염을 포함하는 제3 부성분; 및 소결조제를 포함하는 제4 부성분; 을 포함하는 세라믹 전자부품.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제3 부성분의 도너 원소는 Ce이며,
    상기 Ce의 at% 함량(z1)은 0.1 ≤ z1 ≤ x + 2y 인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제3 부성분의 도너 원소는 Nb이며,
    상기 Nb의 at% 함량(z2)은 0.1 ≤ z2 ≤ x + 0.5y 인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 제3 부성분의 도너 원소는 La이며,
    상기 La의 at% 함량(z3)은 0.1 ≤ z3 ≤ x + y 인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 제3 부성분의 도너 원소는 Sb인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 제4 부성분의 함량은, 상기 모재 분말 100 몰에 대하여, 0.1 내지 8.0 몰%인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
  19. 제13항 또는 제18항에 있어서,
    상기 제4 부성분의 소결조제는, Si, Ba, Ca 및 Al 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 또는 탄산염인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
  20. 제13항 또는 제18항에 있어서,
    상기 제4 부성분의 소결조제는, Si를 포함하는 유리 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
  21. 제13항에 있어서,
    상기 모재 분말은 BaTiO3계 또는 (Ba1-xCax)(Ti1-yCay)O3, (Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3 및 Ba(Ti1 - yZry)O3 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
  22. 제13항에 있어서,
    상기 제1 부성분의 전이금속은 Mn, V, Cr, Fe, Ni, Co, Cu 및 Zn 으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
  23. 제13항에 있어서,
    상기 제2 부성분의 원자가 고정 억셉터 원소는 Mn 및 Al 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
  24. 제13항에 있어서,
    상기 각 유전체층의 두께는 0.1 내지 10 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
  25. 제13항에 있어서,
    상기 내부전극은 Ni 또는 Ni 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
  26. 제13항 또는 제25항에 있어서,
    상기 내부전극은 상기 유전체층과 교대로 적층된 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160069264A (ko) * 2014-12-08 2016-06-16 삼성전기주식회사 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
KR20170046341A (ko) * 2015-10-21 2017-05-02 삼성전기주식회사 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130106569A (ko) * 2012-03-20 2013-09-30 삼성전기주식회사 유전체 조성물 및 이를 포함하는 세라믹 전자부품
DE102013110978A1 (de) * 2013-10-02 2015-04-16 Epcos Ag Keramischer Vielschichtkondensator
KR101983171B1 (ko) * 2014-07-07 2019-05-28 삼성전기주식회사 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
JP6502092B2 (ja) * 2014-12-26 2019-04-17 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
CN106518052B (zh) * 2015-09-10 2019-04-12 华中科技大学 一种制备细晶钛酸钡热敏陶瓷的方法及其产品
JP6593781B2 (ja) 2015-12-18 2019-10-23 株式会社村田製作所 誘電体磁器組成物、誘電体磁器組成物の製造方法、及び積層型セラミック電子部品
JP6571048B2 (ja) 2016-06-24 2019-09-04 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ、セラミック粉末、およびそれらの製造方法
JP6795422B2 (ja) * 2017-02-16 2020-12-02 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
KR20220081659A (ko) * 2020-12-09 2022-06-16 삼성전기주식회사 유전체 조성물 및 이를 포함하는 적층형 전자 부품
KR20220092154A (ko) * 2020-12-24 2022-07-01 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품 및 유전체 조성물
KR20220104513A (ko) * 2021-01-18 2022-07-26 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8902923A (nl) * 1989-11-27 1991-06-17 Philips Nv Keramisch lichaam uit een dielektrisch materiaal op basis van bariumtitanaat.
JP2005145791A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Tdk Corp 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
KR100519821B1 (ko) * 2003-12-18 2005-10-10 삼성전기주식회사 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물, 적층 세라믹콘덴서, 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법
DE112006001440B4 (de) * 2005-06-10 2010-06-02 Murata Manufacturing Co. Ltd. Dielektrische Keramik und Vielschicht-Keramikkondensator
JP2007273677A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Tdk Corp 内部電極用ペースト、積層型セラミック型電子部品、およびその製造方法。
JP5137429B2 (ja) * 2006-11-29 2013-02-06 京セラ株式会社 誘電体磁器およびコンデンサ
JP2008174434A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Tdk Corp 誘電体磁器組成物および電子部品
KR101229823B1 (ko) * 2007-02-26 2013-02-05 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 유전체 세라믹, 및 적층 세라믹 콘덴서
WO2009037922A1 (ja) * 2007-09-19 2009-03-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160069264A (ko) * 2014-12-08 2016-06-16 삼성전기주식회사 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
KR20170046341A (ko) * 2015-10-21 2017-05-02 삼성전기주식회사 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터

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