KR20130033887A - 실리콘 수지 조성물 - Google Patents

Abstract

본 발명은 실리콘 수지 조성물에 관한 것으로, 구체적으로는 아크릴-에폭시를 포함하는 유기계 절연막(Passivation)에 비해 경도(Pencil hardness)가 우수하고, 저온 경화특성을 가져 우수한 내마모성 및 공정비 절감이 가능한 장점을 가진다.

Description

실리콘 수지 조성물{SILICONE RESIN COMPOSITION}

본 발명은 실리콘 수지 조성물에 관한 것이다.

현재 디스플레이 및 반도체용 절연막(Passivation)재료의 경우 무기계(SiN_x)의 증착방식을 탈피하고 공정적인 측면에서 유리한 코팅방식의 액상재료 재료들의 개발이 활발히 이루어지고 있다.

이러한 액상재료들은 크게 아크릴-에폭시를 기본으로하는 유기계 절연막과 오가노폴리실록산 구조를 포함하는 실리콘-아크릴계 유-무기 하이브리드 절연막으로 나눌 수 있다.

유기계 절연막 조성의 경우 UV노광과 알칼리 현상에 의해 패턴을 형성하거나 기재와의 밀착력, 유전율 측면에서 유리한 면이 있으나 열안정성이나 투과도, 경도 측면에서 불리한 면이 있어 이러한 특성들을 보완할 수 있는 실리콘계 재료들의 개발이 활발히 이루어지고 있다.

본 발명은 아크릴-에폭시를 포함하는 유기계 절연막(Passivation)에 비해 경도(Pencil hardness)가 우수하고, 저온 경화특성을 가져 우수한 내마모성 및 공정비 절감이 가능한 실리콘 수지 조성물을 제공하는 것이다.

본 발명의 일 구현예는 하기 화학식 1로 표시되는 감광성 실리콘 수지, 다관능 모노머 및 광개시제를 포함하는 실리콘 수지 조성물이다.

<화학식 1>

(상기 식에서, R₁은 불포화 결합을 1개 이상 가지는 비닐기, 메타크릴기, 메타크릴옥시기, 아크릴기 또는 아크릴옥시기이고, R₂는 불소, 탄소수 1 내지 10인 알킬기, 탄소수 3 내지 15인 씨클로알킬기, 에폭시기, 아릴기 또는 페닐렌기이다.)

본 발명의 다른 일 구현예는 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 실리콘 수지는 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 2종 이상이 축합된 것을 특징으로 하는 실리콘 수지 조성물이다.

<화학식 2>

R_{1 (n)}SiX_(4-n),

<화학식 3>

R_{2 (n)}SiX_(4-n),

<화학식 4>

SiX₄

(상기 화학식 2 내지 화학식 4에서, R₁은 불포화 결합을 1개 이상 가지는 비닐기, 메타크릴기, 메타크릴옥시기, 아크릴기 또는 아크릴옥시기이고, R₂는 불소, 탄소수 1 내지 10인 알킬기, 탄소수 3 내지 15인 씨클로알킬기, 에폭시기, 아릴기 또는 페닐렌기이고, X는 하이드록시기, 탄소수 1 내지 10인 알콕시기 또는 할로겐기이고, n은 1 내지 3인 정수이다.)

본 발명의 다른 일 구현예는 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 실리콘 수지는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 0.1 내지 0.7몰, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 0.1 내지 0.5몰 및 상기 화학식 4로 표시되는 화합물 0.1 내지 0.8몰의 함량으로 축합된 것을 특징으로 하는 실리콘 수지 조성물이다.

본 발명의 다른 일 구현예는 상기 실리콘 수지 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 실리콘 수지 100중량부를 기준으로 하여 다관능 모노머 10 내지 100중량부 및 광개시제 0.1 내지 10중량부를 포함하는 실리콘 수지 조성물이다.

본 발명에 따른 실리콘 수지 조성물은 실리콘 수지의 기본적인 특성인 열안정성, 고투과도, 내화학성은 유지하면서 저온 경화시에도 높은 경도를 유지함으로써 절연막(Passivation)형성 후 후속공정에서의 스크래치 등으로부터 소자보호에 유리하여 디스플레이 및 반도체 소자의 보호막 제조에 유용한 장점을 가진다.

도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 절연막 패턴을 광학현미경(배율:100배)로 찍은 사진이다.
도 2는 본 발명의 실시예 2에 따른 절연막 패턴을 광학현미경(배율:100배)로 찍은 사진이다.
도 3은 본 발명의 비교예 1에 따른 절연막 패턴을 광학현미경(배율:100배)로 찍은 사진이다.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표시되는 감광성 실리콘 수지, 다관능 모노머 및 광개시제를 포함하는 실리콘 수지 조성물을 제공하는 것이다.

<화학식 1>

(상기 식에서, R₁은 불포화 결합을 1개 이상 가지는 비닐기, 메타크릴기, 메타크릴옥시기, 아크릴기 또는 아크릴옥시기이고, R₂는 불소, 탄소수 1 내지 10인 알킬기, 탄소수 3 내지 15인 씨클로알킬기, 에폭시기, 아릴기 또는 페닐렌기이다.)

상기 화학식 1로 표시되는 감광성 실리콘 수지는 고분자쇄내 R₁ 및 R₂로 표시되는 관능기 이외에 -OH기를 포함하고 있어 열이 가해지면 자체 축합성을 가지며 이러한 특성으로 상기 실리콘 수지가 포함된 조성물의 경우 150℃ 정도의 온도에서도 경화가 이루어지는 저온경화 특성을 가진다.

상기 화학식 1로 표시되는 감광성 실리콘 수지는 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 2종 이상이 축합반응에 의해 제조된 것으로서, 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물이 축합된 감광성 실리콘 수지의 경우 고분자내 Functional group으로 광반응 Site를 포함하여 광반응에 참여할 뿐아니라 기본적인 실리콘계 물질의 특성인 고경도, 고내열, 고투명성 특성을 얻을 수 있다.

<화학식 2>

R_{1 (n)}SiX_(4-n),

<화학식 3>

R_{2 (n)}SiX_(4-n),

<화학식 4>

SiX₄

(상기 화학식 2 내지 화학식 4에서, R₁은 불포화 결합을 1개 이상 가지는 비닐기, 메타크릴기, 메타크릴옥시기, 아크릴기 또는 아크릴옥시기이고, R₂는 불소, 탄소수 1 내지 10인 알킬기, 탄소수 3 내지 15인 씨클로알킬기, 에폭시기, 아릴기 또는 페닐렌기이고, X는 하이드록시기, 탄소수 1 내지 10인 알콕시기 또는 할로겐기이고, n은 1 내지 3인 정수이다.)

본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 실리콘 수지는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 0.1 내지 0.7몰, 바람직하게는 0.2 내지 0.5몰, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 0.1 내지 0.5몰, 바람직하게는 0.2 내지 0.3몰 및 상기 화학식 4로 표시되는 화합물 0.1 내지 0.8몰, 바람직하게는 0.2 내지 0.7몰의 함량으로 축합된 것이 좋다.

상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 몰함량이 0.1몰 미만인 경우 광반응에 의한 경화가 거의 이루어지지 않고, 0.7몰을 초과하는 경우 광반응에는 유리하나 경도가 떨어지고 후열경화시 경화속도가 느린 문제가 발생한다.

상기 화학식 3으로 표시되는 화합물의 몰함량이 0.1몰 미만인 경우 경화시 크랙발생을 잡아주지 못하고, 0.5몰을 초과하는 경우 유연성은 증가하나 경도가 저하되는 문제가 발생한다.

상기 화학식 4로 표시되는 화합물의 몰함량이 0.1몰 미만인 경우 패턴성과 내크랙성 측면에서는 유리하나 경도측면에서 불리한 문제가 있고, 0.8몰을 초과하는 경우 경도는 증가하나 패턴성과 내크랙성에 불리한 문제가 있다.

상기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물의 몰 함량 범위를 벗어나는 경우에도 축합하여 실리콘 수지를 얻을 수 있지만 노광 및 현상에 따른 물성이 불량하여 원하는 패턴 및 물성을 가지기 힘들다.

상기 다관능 모노머는 불포화 관능기가 2관능 이상인 것이 바람직하며 바람직하게는 4관능 이상이 바람직하다. 상기 다관능 모노머의 예로는 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디메타아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리 아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타메타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사메타크릴레이트 또는 상기 물질들을 에스테르 반응이나 이소시아네이트 반응을 통한 화합물 형태의 물질등을 사용할 수 있다.

상기 다관능 모노머는 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 실리콘 수지 100중량부를 기준으로 하여 10 내지 100중량부, 바람직하게는 20 내지 70중량부로 포함될 수 있다. 상기 다관능 모노머의 함량이 10중량부 미만인 경우 노광에 의한 경화효과가 떨어지는 문제가 있고, 100중량부를 초과하는 경우 패턴성은 유리해지나 저온경화특성이나 경도 측면에서 불리하다.

상기 광개시제는 광을 흡수하여 라디칼을 생성하는 것으로 일반적으로 상용화된 것들을 사용할 수 있으며, 구체적인 예를 들면 케톤계, 옥심에스테르계, 아세토페논계, 벤조페논계, 퀴논계, 트리아진계 등이 있으며 구체적으로 Iracure 369, Iracure 907, Iracure ox01, Iracure 242, 티옥산톤, 2,4-디에틸 티옥산톤, 티옥산톤-4-술폰산, 벤조페논, 4,4'-비스디에틸아미노벤조페논, 아세토페논, p-디메틸아미노아세토페논, a,a'-디메톡시아세톡시 벤조페논, 2,2'-디메톡시-2-페틸아세토페논, p-메톡시아세토페논, 2-메틸[4-메틸티오페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논, 2-벤질-2-디에틸아미노-1-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-히드록시-2-네틸-1-페닐프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-(2-히드록시-2-프로필)케톤, 안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 1,3,5-트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 1,3-비스(트리클로로메틸)-5-5(2-클로로페닐)-s-트리아진, 1,3-비스(트리클로로페닐)-s-트리아진, 페니실클로라이드, 트리브로모메틸페닐술폰, 디-t-부틸 퍼옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 광개시제는 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 실리콘 수지 100중량부를 기준으로 하여 0.1 내지 10중량부, 바람직하게는 0.5 내지 8중량부로 포함될 수 있다. 상기 광개시제의 함량이 0.1중량부 미만인 경우 라디컬 생성에 불리하여 원하는 패턴유실에 문제가 있고, 10중량부를 초과하는 경우 동일 과경화에 대한 패턴성 불량 및 코팅물 외관상 황변을 일으킬 수 있다.

본 발명의 실리콘 수지 조성물은 상술한 화학식 1로 표시되는 감광성 실리콘 수지, 다관능 모노머 및 광개시제 이외에도 임의의 목적에 따라 선택적으로 첨가제를 포함할 수 있다. 상기 첨가제로는 본 발명이 속한 분야에서 통상적으로 사용되는 것이면 특별히 한정하지 않고 사용할 수 있으며, 구체적으로 계면활성제, 밀착력 증가제 및 경화촉진제 등을 들 수 있다.

상기 첨가제는 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 실리콘 수지 100중량부를 기준으로 하여 1 내지 30중량부, 바람직하게는 2 내지 20중량부로 포함될 수 있다. 상기 첨가제의 함량이 1중량부 미만인 경우 밀착력이나 평활성 등의 특성구현이 이루지지 않는 문제가 있고, 30중량부를 초과하는 경우 원래 조성물의 특성을 구현하기 어려운 문제가 있다.

또한, 본 발명의 실리콘 수지 조성물은 용매를 포함하는데, 상기 용매의 경우 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 실리콘 수지 100중량부를 기준으로 하여 50 내지 3000중량부, 바람직하게는 200 내지 1500중량부가 좋다.

상기 용매의 구체적인 예로는 메탄올, 에탄올 등의 알코올류; 테트라하이드로퓨란, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르 등의 에테르류; 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트류 등을 들 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

또한, 본 발명은 상술한 실리콘 수지 조성물을 코팅하는 단계, 용매를 증발시키는 PRB(Pre bake) 단계, 마스크를 이용하여 노광하는 단계, 알칼리현상액으로 현상하는 단계 및 마지막으로 코팅물을 경화시키는 PSB(Post bake)단계를 거친다.

상기 코팅의 경우 스핀코팅(Spin coating), 바코팅(bar coating), 딥핑(Dipping) 등의 방법으로 실시할 수 있으며 원하는 두께(Thickness)에 따라 조건을 달리하는 것이 바람직하다.

상기 PRB의 경우 50 내지 150℃, 바람직하게는 80 내지 130℃이며 시간은 10 내지 200초 바람직하게는 30 내지 150초가 바람직하다. 50℃ 미만, 30초 미만 적용시 용매가 완전히 건조되지 않아 물성에 영향을 칠 수 있으며, 150℃ 초과 200초 초과 적용시 조성물이 경화가 이루어져 현상시 패턴 형성이 불량할 수 있다.

상기 노광량의 경우 20 내지 400mJ/㎠이며 바람직하게는 40 내지 200mJ/㎠이 바람직하다. 상기 노광량이 20mJ/㎠ 미만이면 광경화가 완전히 진행되지 않아 패턴이 형성되지 힘들고 400mJ/㎠를 초과하는 경우 라디칼 생성과잉에 따른 부정확한 패턴이 형성된다.

상기 현상의 경우 알칼리 현상액을 사용하며 KOH, NaOH, TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide) 등의 농도를 조절하여 사용하는 것이 바람직하다.

상기 PSB의 경우 100 내지 300℃, 경화시간은 1 내지 3시간이며, 바람직하게는 140 내지 250℃, 경화시간은 1 내지 2시간이다. 경화 조건이 100℃ 미만 1시간 미만인 경우 완전히 경화되지 않아 경도측면에서 불리하고 300℃ 초과 3시간 초과인 경우 크랙발생이나 투과도 저하가 발생할 수 있다.

이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 설명한다.　 그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.

제조예 1: 화학식 1으로 표시되는 감광성 실리콘 수지의 제조

1L 플라스크에 화학식 3으로 표시되는 화합물인 메틸트리에톡시 실란 0.1몰, 화학식 2로 표시되는 화합물인 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란 0.3몰, 화학식 4로 표시되는 화합물인 테트라에톡시 실란 0.6몰을 용매인 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 사용하여 상기 반응물(화학식 2 내지 4로 표시되는 화합물) 100중량부를 기준으로 하여 50중량부로 상온에서 혼합 후 0.01N HCl 3.65몰을 서서히 떨어뜨렸다. 이후 반응온도를 70℃로 승온하여 5시간 반응을 보냈다. 이후 상온으로 냉각하면서 플로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 상기 반응물(화학식 2 내지 4로 표시되는 화합물) 100중량부를 기준으로 하여 50중량부로 추가 투입하였다. 이후 반응 중 생성된 물, 알코올 등과 같은 부가물 제거를 위해 60℃에서 증발(Evaporation)을 실시하였다. 이렇게 해서 고형분 50.8중량%의 화학식 1로 표시되는 감광성 실리콘 수지 312.40g을 얻었다.

제조예 2: 화학식 1으로 표시되는 감광성 실리콘 수지의 제조

화학식 3으로 표시되는 화합물인 메틸트리에톡시 실란 0.1몰, 화학식 2로 표시되는 화합물인 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란 0.6몰, 화학식 4로 표시되는 화합물인 테트라에톡시 실란 0.3몰을 실시하는 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.

제조예 3: 유기계 수지의 제조

냉각관과 교반기가 구비된 반응 용기에 개시제로 2.2'-아조비스 이소부티로니트릴 10중량부를 용매인 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 200중량부에 용해하였다. 이어 스티렌 65중량부, 메타크릴산 15중량부, 메타크릴산글리시딜 20중량부를 투입하고 질소 환류조건에서 교반하였다. 반응온도를 70℃로 승온하여 4시간 반응을 시켜 고형분 35중량%인 유기계 수지를 얻었다.

실시예 1

제조예 1에서 얻은 실리콘 수지 100중량부를 기준으로 다관능 모노머인 DPHA(공영사) 60중량부, 광개시제인 OXE-01(고형분100%, Ciba) 2중량부, 불소계 계면활성제인 RS-72 K(DIC) (고형분 3.78%) 0.1중량부, 밀착력 증가제인 GPTMS(신에츠) 3중량부와 용매인 프로플렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 500중량부를 혼합하여 수지 조성물을 얻었다.

실시예 2

제조예 2에서 얻은 실리콘 수지를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.

비교예 1

제조예 3에서 얻은 유기계 수지를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.

<실시예 1 내지 2 및 비교예 1의 절연막 형성>

상기와 같이 얻어진 실리콘 수지 조성물을 다음과 같이 코팅하여 절연막을 형성하였다.

코팅 : Glass위에 450rpm 12초간 스핀코팅을 실시하였다.

PRB : Hot plate에서 100℃ 90초간 수행하였다.

노광 : 80mJ/㎠으로 마스크를 사용하여 수행하였다.

현상 : 2.38% TMAH용액을 스프레이 방식으로 40초간 실시하였다.

PSB : Convection oven에서 150℃에서 30분간 실시하였다.

< 비교예 1의 절연막 형성>

현상액으로 0.04% KOH를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1 내지 2의 절연막 형성 방법과 동일한 방법으로 절연막을 형성하였다

도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 절연막 패턴을 찍은 사진이고, 도 2는 본 발명의 실시예 2에 따른 절연막 패턴을 찍은 사진이고, 도 3은 본 발명의 비교예 1에 따른 절연막 패턴을 광학현미경(배율:100배)로 찍은 사진이다.

도 1 내지 3에서 보는 바와 같이, 실시예 1 및 2는 비교예 1과 동등 수준으로 패턴형성이 잘 이루어진 것을 알 수 있었다. 그러나 비교예 1에 따른 유기계 절연막 조성의 경우 패턴형성은 잘 이루어지지만, 150℃에서 30분간 경화시켜 절연막을 형성하였을 때 실리콘계 절연막 조성보다 경도가 현저히 떨어짐을 확인할 수 있었다.

<물성측정>

상기 실시예 1 내지 2 및 비교예 1에 따른 조성물에 대하여 하기 방법으로 물성을 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.

1) 경화

일반적인 Convection oven에서 150℃, 180℃, 230℃의 온도에서 각각 경화하였다.

2) 경도

연필경도를 측정하였으며 JIS-D5400 규격에 준하는 Test기 및 연필을 사용하여 9.8N의 부하를 가하여 물성 측정하였다.

3) 투과율

UV / Vis spectrometer를 사용하여 400nm 파장에서의 투과율(%)를 측정하였다.

	연필경도(경화온도별)				투과율(@400nm, 두께 : 1㎛)
	150℃ 30분	180℃ 30분	230℃ 10분	230℃ 30분
실시예1	6H	6H	7H	7H	98.7
실시예2	5H	5H	6H	6H	98.5
비교예1	3H	3H	4H	5H	98.4

상기 표 1에서 보는 바와 같이 실시예 1 및 2의 방법으로 조성물을 코팅하여물성 평가한 경우 패턴성이 양호하며 비교적 낮은 온도에서도 높은 경도를 보이는 것을 확인할 수 있었다. 비교예 1에 따른 유기계 조성물의 경우 150℃ 정도의 경화온도에서는 경화가 완전히 이루지지 않아 저온경화 특성에서는 불리한 점을 확인할 수 있었다.

본 발명의 단순한 변형 또는 변경은 모두 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.　

Claims (4)

1. 하기 화학식 1로 표시되는 감광성 실리콘 수지, 다관능 모노머 및 광개시제를 포함하는 실리콘 수지 조성물.
   <화학식 1>
   

   

   
   (상기 식에서, R₁은 불포화 결합을 1개 이상 가지는 비닐기, 메타크릴기, 메타크릴옥시기, 아크릴기 또는 아크릴옥시기이고, R₂는 불소, 탄소수 1 내지 10인 알킬기, 탄소수 3 내지 15인 씨클로알킬기, 에폭시기, 아릴기 또는 페닐렌기이다.)
2. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 실리콘 수지는 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 2종 이상이 축합된 것을 특징으로 하는 실리콘 수지 조성물.
   <화학식 2>
   R_{1 (n)}SiX_(4-n),
   <화학식 3>
   R_{2 (n)}SiX_(4-n),
   <화학식 4>
   SiX₄
   (상기 화학식 2 내지 화학식 4에서, R₁은 불포화 결합을 1개 이상 가지는 유기기이고, R₂는 불소, 탄소수 1 내지 10인 알킬기, 탄소수 3 내지 15인 씨클로알킬기, 에폭시기, 아릴기 또는 페닐렌기이고, X는 하이드록시기, 탄소수 1 내지 10인 알콕시기 또는 할로겐기이고, n은 1 내지 3인 정수이다.)
3. 제2항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 실리콘 수지는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 0.1 내지 0.7몰, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 0.1 내지 0.5몰 및 상기 화학식 4로 표시되는 화합물 0.1 내지 0.8몰의 함량으로 축합된 것을 특징으로 하는 실리콘 수지 조성물.
4. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 수지 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 실리콘 수지 100중량부를 기준으로 하여 다관능 모노머 10 내지 100중량부 및 광개시제 0.1 내지 10중량부를 포함하는 실리콘 수지 조성물.

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